TWI387400B - 電漿系統 - Google Patents

Description

電漿系統

本發明是有關於一種電漿系統，且特別是有關於一種避免電極耗損之電漿系統。

在半導體產業蓬勃發展之下，各式製程方法及設備亦多元地被開發與使用。電漿可在基材之表面上進行表面清潔、表面蝕刻、深蝕刻(trench etching)、薄膜沈積及表面成分改變，例如是親水化處理、疏水化處理等。電漿處理設備例如是電漿清洗設備(plasma cleaning)、電漿輔助化學氣相沈積(plasma enhance chemical vapor deposition, PECVD)、電漿輔助反應式離子蝕刻(plasma enhance reactive ion etching, PERIE)、微波電漿氧化(micro wave plasma oxidation)、微波電漿氮化(micro wave plasma nitridation)、離子金屬電漿沈積(ionized metal plasma, IMP)及濺鍍沈積(sputter)等等。

雖然電漿整體是處於電中性的狀態，但在電漿氣氛中，包含了許多不同電位的粒子，例如是原子、自由基、離子、分子、分子自由基、極化分子、電子及光子等等。此些粒子是在電漿設備之反應室內產生，反應室內同時設置正、負電極。正、負電極間之氣體在兩電極間的電壓驅動下，發生解離而產生電漿。

然而，電極設置在反應室內一定會受到電漿粒子的污 染及侵蝕，因此導致電極耗損。當電極受到耗損，電漿穩定性會受到影響，進而影響電漿加工產品的品質。此外，若電漿設備屬於常壓型系統，為了擴大電漿處理範圍，需要架構昂貴的移載平台。並且，常壓型系統所需要的電漿驅動電能較大，不是需要大電流，就是需要大電壓來驅動。結果反而造成熱問題，例如是電極變形。

本發明係有關於一種電漿系統，係將正、負電極與反應室隔離，使得電漿不會接觸到電極。如此，電極不會受到汙染及損耗。

根據本發明之一方面，提出一種電漿系統。電漿系統用以產生一電漿，電漿系統包括一第一管體、一第一正電極及一第一負電極。第一管體具有一第一進氣口、一第一電漿噴口、一第一端面及一第二端面。第一進氣口用以讓一電漿氣體通過以進入至第一管體內。第一電漿噴口係貫穿第一管體之管壁。第一電漿噴口係用以讓電漿通過以噴出至第一管體外。第一正電極具有一第一正電極側面及一第一正電極表面。第一正電極側面係連接於第一正電極表面，第一正電極側面係面對且鄰近於第一管體。第一負電極具有一第一負電極側面及一第一負電極表面。第一負電極側面係連接於第一負電極表面。第一負電極表面係與第一正電極表面係相距一第一預設距離。第一負電極側面係面對且鄰近於第一管體。其中，第一正電極及第一負電極係位於第一端面與第二端面之間，而至少部份之第一電漿 噴口係位於第一正電極與第一負電極之間。

為讓本發明之上述內容能更明顯易懂，下文特舉較佳實施例，並配合所附圖式，作詳細說明如下：

請參照第1圖，其繪示依照本發明第一實施例之電漿系統之示意圖。電漿系統100用以產生一電漿120。電漿系統100包括一第一管體102、一第一正電極104、一第一負電極106及一外殼116。

請參照第2圖，其繪示依照第1圖之第一管體、第一正電極及第一負電極之示意圖。第一管體102具有一第一進氣口108、一第一電漿噴口110及一第一端面112與一第二端面114。第一管體102之材質係為一介電材料，例如是石英材料。第一管體102之形式係可為圓管或方管等各種外型，本實施例之第一管體102係以圓管為例作說明。

第一進氣口108用以讓一電漿氣體(未繪示)通過以進入至第一管體102內。雖然，本實施例之第一進氣口108係以位於第一端面112為例作說明，然於其它實施例中，第一進氣口108係可位於第二端面114。較佳地，若只有一端面開設進氣口，另一端面則封閉，舉例來說，本實施例之第二端面114係封閉，以避免雜質從第二端面114進入而影響電漿穩定性。或者，在其它實施例中，於第一端面112及第二端面114皆開設進氣口。亦即，除了於第一端面112開設第一進氣口108外，於第二端面114也可開設一第二進氣口(未繪示)。於第二端面114開設第二進 氣口係可增進電漿氣體流場的均勻度。至於要開設一個或二個進氣口，則視實際需求而定，本實施例並非用以限定進氣口的開設數目。

如第2圖所示，第一正電極104及第一負電極106係位於第一端面112與第二端面114之間。第一負電極106之一第一負電極表面130係與第一正電極104之一第一正電極表面124係相距一第一預設距離D1，第一預設距離D1可以等於6mm或大於6mm。不過，只要第一負電極106與第一正電極104之間不發生電弧(arcing)現象或能夠正常地產生電漿120即可，第一預設距離D1之值並不受本實施例之限制。而第一電漿噴口110係位於第一正電極104與第一負電極106之間並貫穿第一管體102之管壁118，第一電漿噴口110係用以讓電漿120(電漿120繪示於第1圖)通過以噴出至第一管體102外。本實施例之第一電漿噴口110之形狀係為一圓形，其數目係為四個。第一電漿噴口110之孔徑約0.5公釐(mm)，其間距係約2mm。此外，第一電漿噴口110係不朝向第一正電極104與第一負電極106。也就是說，本實施例之電極(即第一正電極104與第一負電極106)除了位於第一管體102之外部而不與第一管體102內之電漿粒子接觸外，電漿120從第一電漿噴口110噴出的過程中，電漿120也不會接觸到第一正電極104及第一負電極106。如此，電極便不會發生損耗問題。

雖然，本實施例之第一電漿噴口110係以四個為例作 說明。然於其它實施例中，可以是少於四個或多於四個。第一電漿噴口110可以部份地分佈在第一正電極104與第一負電極106之間，或者，如同本實施例一樣，係全數地均勻分佈於第一正電極104與第一負電極106之間。此外，請參照第3圖，其繪示第2圖之第一管體之另一實施例之示意圖。另一實施例之第一管體148具有一第一電漿噴口150，其外型係為一長條型。較佳地，長條型之長度係可大於一第一預設距離D1(第一預設距離D1繪示於第2圖)，以擴大電漿120(電漿120繪示於第1圖)之噴射涵蓋面積。

此外，只要能均勻地產生電漿120即可，第一電漿噴口110之尺寸、數目及第一電漿噴口110之位置及間距並不受本實施例所限制。

請參照第4圖，其繪示依照第1圖之第一正電極之示意圖。第一正電極104具有一第一正電極側面122及相對於第一正電極表面124之一第二正電極表面126。第一正電極側面122係連接於第一正電極表面124與第二正電極表面126，且實質上垂直於第一正電極表面124。第一正電極側面122係面對且鄰近於第一管體102。只要第一正電極側面122鄰近於第一管體102即可，第一正電極側面122係可與第一管體102接觸或不接觸，而本實施例之第一正電極側面122係以不接觸第一管體102為例作說明。另外，第一正電極104之厚度係約5mm。

此外，第一正電極側面122之剖面形狀係相似於對應 之第一管體102之剖面形狀。亦即，第一管體102係為一圓管，則第一正電極側面122之剖面形狀亦為圓形。如此，使得第一正電極側面122與第一管體102間之距離均等，因此第一正電極104對電漿氣體的作功也較均勻，更提升了電漿穩定性。

此外，請參照第5圖，其繪示依照第2圖之第一正電極與第一管體之示意圖。第一正電極側面122係面對第一管體102之一第一部分152。第一部份152之剖面之外周長係為一第一周長(未繪示)，第一管體102之全剖面之外周長係為一第二周長(未繪示)，第一周長係至少大於第二周長。也就是說，第5圖之一第一延伸部份154係為第一部份152之延伸，而第一部分152之面積係不小於第一延伸部份154之面積，以確保第一正電極104有足夠的面積來對第一管體102內之電漿氣體作功。更進一步地說，雖然本實施例之第一正電極104之數目係以一個為例作說明，然於其它實施例中，第一正電極104之數目也可以是一個以上。只要此些第一正電極之第一正電極側面之面積總合，可以讓第一管體102內之電漿氣體正常地產生電漿即可，第一正電極104之數目並不受本實施例之限制。

本實施例之第一正電極104之外型係以C字型為例作說明，然於其它實施例中，第一正電極也可以是其它形式。舉例來說，請參照第6圖，其繪示依照第4圖之第一正電極之另一實施例之示意圖。第一正電極160更具有一正電極貫穿部162、一第一正電極側面168、一第一正電 極表面164及一第二正電極表面166。正電極貫穿部162係貫穿第一正電極表面164與第二正電極表面166。第一正電極側面168係為正電極貫穿部162之內側表面。

請參照第7圖，其繪示依照第1圖之第一負電極之示意圖。第一負電極106具有一第一負電極側面128及相對於第一負電極表面130之一第二負電極表面132。第一負電極側面128係連接於第一負電極表面130與第二負電極表面132，且實質上垂直於第一負電極表面130，第一負電極側面128係面對且鄰近於第一管體102。只要第一負電極側面128鄰近於第一管體102即可，第一負電極側面128係可與第一管體102接觸或不接觸，而本實施例之第一負電極側面128係以不接觸第一管體102為例作說明。此外，第一負電極之厚度約為5mm。

此外，雖然第一正電極104之厚度及第一負電極106之厚度係以5mm為例作說明。然於其它實施例中，只要能均勻地產生電漿即可，第一正電極104之厚度及第一負電極106之厚度並不受本實施例所限制。

第一負電極側面128之剖面形狀係相似於對應之第一管體102之剖面形狀。亦即，第一管體102係為圓管，則第一負電極側面128之剖面形狀亦為圓形。如此，使得第一負電極側面128與第一管體102間之距離均等，因此第一負電極106對電漿氣體的作功也較均勻，更提升了電漿穩定性。

請參照第8圖，其繪示依照第2圖之第一負電極與第 一管體之示意圖。第一負電極側面128係面對第一管體102之一第二部分156。第二部份156之剖面之外周長係為一第三周長(未繪示)，第一管體102之全剖面之外周長係為一第四周長(未繪示)，第三周長係至少大於第四周長。也就是說，第8圖之一第二延伸部份158係為第二部份156之延伸，而第二部分156之面積係不小於第二延伸部份158之面積，以確保有足夠的電極面積來對第一管體102內之電漿氣體作功。更進一步地說，雖然本實施例之第一負電極104之數目係以一個為例作說明，然於其它實施例中，第一負電極106之數目也可以是一個以上，只要此些第一負正電極106之第一負電極側面128之面積總合可以使第一管體102內之電漿氣體產生電漿即可，第一負電極106之數目並不受本實施例之限制。

本實施例之第一負電極106之外型係以C字型為例作說明，然於其它實施例中，第一負電極也可以是其它形式。舉例來說，請參照第9圖，其繪示依照第7圖之第一負電極之另一實施例之示意圖。第一負電極170具有一負電極貫穿部172、一第一負電極表面174、一第二負正電極表面176及一第一負電極側面178。負電極貫穿部172係貫穿第一負電極表面174與第二負正電極表面176。第一負電極側面178係為負電極貫穿部172之內側表面。

較佳地，上述之第一負電極與第一正電極之外型係相似的。如此，第一負電極與第一正電極間所對應的面積係相似且重疊的面積也是最大的，以提升電漿的產生效率及 穩定性。

請參照第10圖，其繪示第6圖之第一正電極、第9圖之第一負電極與第2圖之第一管體之再一實施例之組合圖。第10圖之一第一管體256具有數個第一電漿噴口258，第一電漿噴口258之外形係呈長條型。第一電漿噴口258、第一正電極160及第一負電極170係錯開設置。也就是說，第一電漿噴口258係不朝向第一正電極160與第一負電極170。如此，藉由擴大了第一電漿噴口之尺寸，使得位於第一管體256內的電漿噴出之面積增加，擴大了電漿之處理範圍。

請參照第11圖，其繪示依照第1圖之外殼之示意圖。外殼116具有一凹槽134、一外殼底面136及相對之一第一外殼側面138與一第二外殼側面140。外殼底面138係連接於第一外殼側面138與第二外殼側面140，凹槽134係於外殼底面136露出一槽口142。第一外殼側面138係具有一第一容置孔144，第二外殼側面140係具有一第二容置孔146。第一管體102(繪示於第1圖)係設置於第一容置孔144內及第二容置孔146內。槽口134係露出第一管體102、第一正電極104及第一負電極106且第一電漿噴口110係朝向槽口142(第一正電極104、第一負電極106及第一電漿噴口110皆繪示於第1圖)。

第二實施例

請參照第12圖，其繪示依照本發明第二實施例之電 漿系統之示意圖。第二實施例與第一實施例不同之處在於，第二實施例具有多組管體及多組正、負電極，且外殼更具有一冷卻流道。如第12圖所示，電漿系統200包括一第一管體202、一第二管體204及一外殼206。第一管體202上設置數個第一正電極104、數個第一負電極106，並具有一第一端面222、一第二端面224、一第一進氣口212、第三進氣口250及一第一電漿噴口214。第一進氣口212係位於第一端面222，第三進氣口250係位於第二端面224。第一電漿噴口214之外型係為一長條型，長條型之長度係大於第一正電極104與第一負電極106之一第一預設距離D3，較佳地，長條型之長度係約為電極的分佈長度。也就是說，第一電漿噴口214經過所有的第一正電極104及第一負電極106。

如第12圖所示，第二管體204與第一管體202係鄰近並排。第二管體204包括數個第二正電極220、數個第二負電極226，並具有一第二進氣口228、一第四進氣口252、一第二電漿噴口230、一第三端面232及一第四端面234。第二進氣口228用以讓電漿氣體通過以進入至第二管體204內。第二正電極220及第二負電極226係位於第三端面232與第四端面234之間，而第二電漿噴口230係位於第二正電極220與第二負電極226之間並貫穿第二管體204之管壁236，用以讓電漿通過以噴出至第二管體204外。第二電漿噴口230之外型係為一長條型，長條型之長度係大於第二正電極220與第二負電極226之一第二預設 距離D4，較佳地，長條型之長度係約為電極的分佈長度。也就是說，第二電漿噴口230經過所有的第二正電極220及第二負電極226。

此外，如第12圖所示，第一正電極104、第二正電極220、第一負電極106及第二負電極226係交錯排列。交錯排列之正、負電極其分佈較平均，因此提升了電漿噴出的均勻度。並且，多組管體及多組電極的安排使得在不需要昂貴的精密移載平台的情況下，就能擴大電漿之處理範圍。因此，可對大面積的工件進行表面處理，例如是親水性處理、疏水性處理或表面清潔處理。

請參照第13圖，其繪示依照第12圖之第二正電極之示意圖。第二正電極220具有一第二正電極側面236及相對之一第三正電極表面238與一第四正電極表面240。第二正電極側面236係實質上垂直於第三正電極表面238。第二正電極側面236係連接於第三正電極表面238與第四正電極表面240。第二正電極側面236係面對且鄰近於第二管體204(第二管體204繪示於第12圖)。

請參照第14圖，其繪示依照第12圖之第二負電極之示意圖。第二負電極226係具有一第二負電極側面242及相對之一第三負電極表面244與一第四負電極表面246。第二負電極側面242係實質上垂直於第三負電極表面244。第二負電極側面242係連接於第三負電極表面244與第四負電極表面246，第二負電極側面242係面對且鄰近於第二管體204。

較佳地，請參照第15圖，其繪示依照第12圖之具有冷卻流道之外殼之示意圖。外殼206更具有一冷卻流道248，冷卻流道248與外殼206之一凹槽254係相連通，用以提供一冷卻氣體(未繪示)通過，以冷卻凹槽254內之第一正電極104、第一負電極106、第二正電極220及第二負電極226。較佳地，冷卻流道248之一流道開口(未繪示)係朝向第一正電極104、第一負電極106、第二正電極220及第二負電極226，以使噴出的冷卻氣體直接噴向電極，對電極的冷卻效果係較佳。

雖然，第二實施例之管體之數目係以二根為例作說明，然於其它實施例中，管體之數目可以是二根以上，其數目並不受本實施例之限制。而本實施例之每一根管體之正、負電極之組數係以二組為例作說明，然於其它實施例中，每一根管體之正、負電極之組數可以是二組以上，其組數並不受本實施例之限制。或者，每一根管體的正、電極組數也可以是不相同。舉例來說，第一管體之正、負電極之組數可以是二組，則第二管體之正、負電極之組數可以是異於二組，例如是一組、三組或四組。

此外，上述實施例之電漿系統，可應用於常壓環境。如此，電漿系統100及200除了不需要昂貴的真空設備外，也可應用於繞捲式(Roll-to-Roll)連續製程中，提升了產品的生產率。

本發明上述實施例所揭露之電漿系統，具有多項優點，以下僅列舉部分優點說明如下： (1)第一正電極、第一負電極、第二正電極及第二負電極與反應室(即第一管體內與第二管體內)隔離，使得電漿粒子不會接觸到電極，並且，在電漿噴出第一管體及第二管體之外的過程中，電漿也不會接觸到電極。如此，電極不會受到汙染及損耗。

(2)多根管體及多組電極的安排，使得電漿噴射涵蓋面積擴大，因此可對大面積的工件進行表面處理。如此，除了提升了處理效率外，也擴大了電漿系統的適用範圍。

(3)第一正電極、第二正電極、第一負電極及第二負電極係交錯排列以使電極的分佈平均，因此提升了電漿噴出的均勻度。

(4)電漿系統可應用於常壓環境。如此，電漿系統除了不需要昂貴的真空設備外，也可應用於繞捲式連續製程中，以提升產品的生產率。

綜上所述，雖然本發明已以較佳實施例揭露如上，然其並非用以限定本發明。本發明所屬技術領域中具有通常知識者，在不脫離本發明之精神和範圍內，當可作各種之更動與潤飾。因此，本發明之保護範圍當視後附之申請專利範圍所界定者為準。

100、200‧‧‧電漿系統

102、148、202、256‧‧‧第一管體

104、160‧‧‧第一正電極

106、170‧‧‧第一負電極

108、212‧‧‧第一進氣口

110、150、214、258‧‧‧第一電漿噴口

112、222‧‧‧第一端面

114、224‧‧‧第二端面

116、206‧‧‧外殼

118、236‧‧‧管壁

120‧‧‧電漿

122、168、178‧‧‧第一正電極側面

124、164、174‧‧‧第一正電極表面

126、166、174‧‧‧第二正電極表面

128、178‧‧‧第一負電極側面

130、174‧‧‧第一負電極表面

132、176‧‧‧第二負電極表面

134、254‧‧‧凹槽

136‧‧‧外殼底面

138‧‧‧第一外殼側面

140‧‧‧第二外殼側面

142‧‧‧槽口

144‧‧‧第一容置孔

146‧‧‧第二容置孔

152‧‧‧第一部分

154‧‧‧第一延伸部份

156‧‧‧第二部分

158‧‧‧第二延伸部份

162‧‧‧正電極貫穿部

172‧‧‧負電極貫穿部

204‧‧‧第二管體

218‧‧‧第二進氣口

220‧‧‧第二正電極

226‧‧‧第二負電極

228‧‧‧第二進氣口

230‧‧‧第二電漿噴口

232‧‧‧第三端面

234‧‧‧第四端面

236‧‧‧第二正電極側面

238‧‧‧第三正電極表面

240‧‧‧第四正電極表面

242‧‧‧第二負電極側面

244‧‧‧第三負電極表面

246‧‧‧第四負電極表面

248‧‧‧冷卻流道

250‧‧‧第三進氣口

252‧‧‧第四進氣口

D1、D3‧‧‧第一預設距離

D2、D4‧‧‧第二預設距離

第1圖繪示依照本發明第一實施例之電漿系統之示意圖。

第2圖繪示依照第1圖之第一管體、第一正電極及第一負電極之示意圖。

第3圖繪示第2圖之第一管體之另一實施例之示意圖。

第4圖繪示依照第1圖之第一正電極之示意圖。

第5圖繪示依照第2圖之第一正電極與第一管體之示意圖。

第6圖繪示依照第4圖之第一正電極之另一實施例之示意圖。

第7圖繪示依照第1圖之第一負電極之示意圖。

第8圖繪示依照第2圖之第一負電極與第一管體之示意圖。

第9圖繪示依照第7圖之第一負電極之另一實施例之示意圖。

第10圖繪示第6圖之第一正電極、第9圖之第一負電極與第2圖之第一管體之再一實施例之組合圖。

第11圖繪示依照第1圖之外殼之示意圖。

第12圖繪示依照本發明第二實施例之電漿系統之示意圖。

第13圖繪示依照第12圖之第二正電極之示意圖。

第14圖繪示依照第12圖之第二負電極之示意圖。

第15圖繪示依照第12圖之具有冷卻流道之外殼之示意圖。

100‧‧‧電漿系統

102‧‧‧第一管體

104‧‧‧第一正電極

106‧‧‧第一負電極

116‧‧‧外殼

120‧‧‧電漿

Claims (25)

1. 一種電漿系統，用以產生一電漿，該電漿系統包括：一第一管體，該第一管體具有一第一進氣口、一第一電漿噴口、一第一端面及一第二端面，該第一進氣口用以讓一電漿氣體通過以進入至該第一管體內，該第一電漿噴口係貫穿該第一管體之管壁，該第一電漿噴口係用以讓該電漿通過以噴出至該第一管體外；一第一正電極，具有一第一正電極側面及一第一正電極表面，第一正電極側面係連接於該第一正電極表面，該第一正電極側面係面對且鄰近於該第一管體；以及一第一負電極，具有一第一負電極側面及一第一負電極表面，該第一負電極側面係連接於該第一負電極表面，該第一負電極側面係面對且鄰近於該第一管體，該第一負電極表面係與該第一正電極表面係相距一第一預設距離；其中，該第一正電極及該第一負電極係位於該第一端面與該第二端面之間，而至少部份之該第一電漿噴口係位於該第一正電極與該第一負電極之間。
2. 如申請專利範圍第1項所述之電漿系統，其中該第一正電極表面係實質上垂直於該第一正電極側面，且該第一負電極表面係實質上垂直於該第一負電極側面。
3. 如申請專利範圍第1項所述之電漿系統，其中該第一正電極側面及該第一負電極側面係接觸於該第一管體。
4. 如申請專利範圍第1項所述之電漿系統，其中該第一電漿噴口係不朝向該第一正電極與該第一負電極。
5. 如申請專利範圍第1項所述之電漿系統，其中該第一正電極側面係面對該第一管體之一第一部分，該第一部份之剖面之外周長係為一第一周長，該第一管體之全剖面之外周長係為一第二周長，該第一周長係至少大於該第二周長。
6. 如申請專利範圍第1項所述之電漿系統，其中該第一負電極側面係面對該第一管體之一第二部分，該第二部份之剖面之外周長係為一第三周長，該第一管體之全剖面之外周長係為一第四周長，該第三周長係至少大於該第四周長。
7. 如申請專利範圍第1項所述之電漿系統，其中該第一電漿噴口之形狀係為一圓形。
8. 如申請專利範圍第1項所述之電漿系統，其中該第一電漿噴口之外型係為一長條型。
9. 如申請專利範圍第1項所述之電漿系統，其中該第一正電極側面之剖面形狀係相似於對應之該第一管體之剖面形狀。
10. 如申請專利範圍第1項所述之電漿系統，其中該第一負電極側面之剖面形狀係相似於動應之該第一管體之剖面形狀。
11. 如申請專利範圍第1項所述之電漿系統，其中該第一正電極更具有一正電極貫穿部及相對該第一正電極 表面之一第二正電極表面，該第一正電極側面係連接該第二正電極表面，該正電極貫穿部係貫穿該第一正電極表面與該第二正電極表面，該第一正電極側面係為該正電極貫穿部之內側表面。
12. 如申請專利範圍第1項所述之電漿系統，其中該第一負電極更具有一負電極貫穿部及相對該第一負電極表面之一第二負電極表面，該第一負電極側面係連接該第二負電極表面，該負電極貫穿部係貫穿該第一負電極表面與該第二負電極表面，該第一負電極側面係為該負電極貫穿部之內側表面。
13. 如申請專利範圍第1項所述之電漿系統，其中該第一進氣口係位於該第一端面與該第二端面之一者。
14. 如申請專利範圍第13項所述之電漿系統，其中該第一管體更具有一第二進氣口，係位於該第一端面與該第二端面之另一者，用以讓該電漿氣體通過而進入至該第一管體內。
15. 如申請專利範圍第13項所述之電漿系統，其中該第一端面與該第二端面之另一者係封閉。
16. 如申請專利範圍第1項所述之電漿系統，更包括：一外殼，具有一凹槽、一外殼底面及相對之一第一外殼側面與一第二外殼側面，該外殼底面係連接於該第一外殼側面與該第二外殼側面，該凹槽係於該外殼底面露出一槽口，該第一外殼側面係具有一第一容置孔，該第二外殼側面係具有一第二容置孔，該第一管體係設置於該第一容 置孔內及該第二容置孔內，該槽口係露出該第一管體、該第一正電極及該第一負電極且該第一電漿噴口係朝向該槽口。
17. 如申請專利範圍第16項所述之電漿系統，其中該外殼更具有一冷卻流道，該冷卻流道與該凹槽係相連通。
18. 如申請專利範圍第17項所述之電漿系統，其中該冷卻流道之一流道開口係朝向該第一正電極及該第一負電極。
19. 如申請專利範圍第1項所述之電漿系統，其中該第一預設距離係至少大於6公釐(mm)。
20. 如申請專利範圍第1項所述之電漿系統，更包括：一第二管體，係與該第一管體係鄰近並排，該第二管體具有一第二進氣口、一第二電漿噴口、一第三端面及一第四端面，該第二進氣口用以讓該電漿氣體通過以進入至該第二管體內，該第二電漿噴口係貫穿該第二管體之管壁，該第二電漿噴口係用以讓該電漿通過以噴出至該第二管體外；一第二正電極，具有一第二正電極側面及一第三正電極表面，第二正電極側面係連接於該第三正電極表面，該第二正電極側面係面對且鄰近於該第二管體；以及一第二負電極，具有一第二負電極側面及一第三負電極表面，該第二負電極側面係連接於該第三負電極表面，該第二負電極側面係面對且鄰近於該第二管體，該第三負 電極表面係與該第三正電極表面係相距一第二預設距離；其中，該第二正電極及該第二負電極係位於該第三端面與該第四端面之間，而至少部份之該第二電漿噴口係位於該第二正電極與該第二負電極之間，且該第一正電極、該第二正電極、該第一負電極及該第二負電極係交錯排列。
21. 如申請專利範圍第20項所述之電漿系統，其中該第二正電極側面係實質上垂直於該第三正電極側面，且該第二負電極側面係實質上垂直於該第三負電極側面。
22. 如申請專利範圍第20項所述之電漿系統，其中該第二電漿噴口之形狀係為一圓形。
23. 如申請專利範圍第20項所述之電漿系統，其中該第二電漿噴口之外型係為一長條型。
24. 如申請專利範圍第20項所述之電漿系統，其中該第二預設距離係至少大於6公釐。
25. 如申請專利範圍第20項所述之電漿系統，其中該第一管體及該第二管體之材質係為一介電材料。