CN103579494A - 压电器件及其制造方法 - Google Patents

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Abstract

本发明提供一种抑制绝缘性能伴随使用而产生降低的压电器件。压电器件具有第一内部电极和第二内部电极，并具有配置于上述第一内部电极和上述第二内部电极之间的由陶瓷构成的压电陶瓷层。与上述压电陶瓷层的中央相比，上述压电陶瓷层的分别与上述第一内部电极和上述第二内部电极相邻的各区域中锰元素的存在量相对较多。该构成的压电器件抑制了绝缘性能伴随使用而产生的降低。

Description

压电器件及其制造方法
技术领域
本发明涉及含有无铅类压电陶瓷的压电器件及其制造方法。
背景技术
压电陶瓷被作为压电器件使用。压电器件应用能够将机械能转换为电能的压电效应作为传感器器件、发电器件等使用。另外，压电器件应用能够将电能转换为机械能的逆压电效应作为振子、发声体、致动器、超声波电动机等使用。并且，压电器件组合压电效应和逆压电效应作为电路器件、振动控制器件等使用。
一般来讲，压电器件具有将片状的压电陶瓷叠层并且在各层间配置有内部电极的结构。压电器件具有两个端子，内部电极交替地与不同的端子连接。由此，当各端子间被施加电压时，电压就施加于各压电陶瓷层。
作为高性能的压电陶瓷，众所周知由Pb（Zr，Ti）O3－PbTiO3的组成式表示的PZT材料和由（Pb，La）（Zr，Ti）O3－PbTiO3的组成式表示的PLZT材料。但是，这些压电陶瓷虽然具有高的压电特性，却都含有环境负荷高的Pb。
作为在不含Pb的无铅类压电陶瓷中具有比较良好的性能的材料，已知含有碱金属的铌酸盐类（参照专利文献1～7和非专利文献1、2）、钛酸钡类（参照专利文献8）的钙钛矿结构的压电陶瓷。
尤其是，专利文献7中公开有，使具有K3Nb3O6Si2O7的组成的副相分散在含有碱金属的铌酸盐类钙钛矿结构的主相中，形成均匀大小的致密的组织，由此，能够实现压电特性提高的压电陶瓷。
现有技术文献
专利文献
专利文献1：日本特开2002－068825号公报
专利文献2：日本特开2003－342069号公报
专利文献3：日本特开2004－300012号公报
专利文献4：日本特开2008－207999号公报
专利文献5：国际公开2008/152851号小册子
专利文献6：日本特开2010－180121号公报
专利文献7：日本特开2010－052999号公报
专利文献8：日本特开2002－208743号公报
非专利文献
非专利文献1：Nature,432(4),2004,pp.84-87
非专利文献2：Applied Physics Letters85(18),2004,pp.4121-4123
发明内容
发明所要解决的课题
要求压电器件在各内部电极之间具有高绝缘特性，即要求压电陶瓷层具有高绝缘性能。引用文献7中公开的压电陶瓷具有微细的组织，因此，在施加电压的方向上晶界变多。在压电陶瓷中，一般来讲，晶界的绝缘性比晶粒内的绝缘性高，因此，该压电陶瓷作为压电器件的压电陶瓷层能够获得良好的绝缘性能。
但是，在压电器件中，由于压电陶瓷层伴随使用的劣化，压电陶瓷层中的至少一层发生绝缘破坏时，绝缘特性降低。期望压电器件能够长期地保持高绝缘特性。
基于以上的情况，本发明的目的在于提供抑制绝缘性能伴随使用而产生降低的压电器件及其制造方法。
用于解决课题的方法
为了达成上述目的，因此，本发明的一种方式的压电器件具备第一内部电极和第二内部电极，并具备配置在上述第一内部电极和上述第二内部电极之间的由陶瓷构成的压电陶瓷层。与上述压电陶瓷层的中央相比，上述压电陶瓷层的分别与上述第一内部电极和上述第二内部电极相邻的各区域中锰元素的存在量相对较多。
本发明的一种方式的压电器件的制造方法如下：形成含锰元素的陶瓷片，使含锰元素的结晶分散于上述陶瓷片的两面，对分散有上述含锰元素的结晶的上述陶瓷片涂敷电极膏而形成电极，将形成有上述电极的上述陶瓷片叠层，形成叠层体，烧制所述叠层体。
附图说明
图1是钙钛矿结构的单位晶格的示意图。
图2A是本发明的一个实施方式的压电器件的立体图。
图2B是图2A所示的压电器件的沿A－A’线的截面图。
图3是表示图2A所示的压电器件的制造方法的流程图。
图4A是表示图2A所示的压电器件的锰分散工序的示意图。
图4B是表示图2A所示的压电器件的锰分散工序的示意图。
图5A是表示图2A所示的压电器件的内部电极膏涂敷工序的示意图。
图5B是表示图2A所示的压电器件的内部电极膏涂敷工序的示意图。
图6是表示图2A所示的压电器件的陶瓷片叠层工序的示意图。
图7A是表示图2A所示的压电器件的外部电极形成工序的示意图。
图7B是表示图2A所示的压电器件的外部电极形成工序的示意图。
图8A是在Mn＝0的情况下压电器件的截面的利用EPMA得到的观察图像。
图8B是在Mn＝0.2的情况下压电器件的截面的利用EPMA得到的观察图像。
图8C是在Mn＝0.3的情况下压电器件的截面的利用EPMA得到的观察图像。
图8D是在Mn＝0.4的情况下压电器件的截面的利用EPMA得到的观察图像。
图9A是表示压电常数d33随着Mn量的变化的图表。
图9B是表示DC绝缘寿命随着Mn量的变化的图表。
图9C是表示AC绝缘寿命随着Mn量的变化的图表。
具体实施方式
本发明的一个实施方式的压电器件具备第一内部电极和第二内部电极，并具备配置于上述第一内部电极和上述第二内部电极之间的由陶瓷构成的压电陶瓷层。与上述压电陶瓷层的中央相比，上述压电陶瓷层的分别与上述第一内部电极和上述第二内部电极相邻的各区域中锰元素的存在量相对较多。在该构成的压电器件中，伴随使用而产生的绝缘性能的降低被抑制。
上述各区域可以遍及上述第一电极和上述第二电极的各自的整个面。在该构成的压电器件中，伴随使用而产生的绝缘性能的降低被抑制。
锰元素可以存在于上述陶瓷的晶界、尤其是存在于粒界三叉点。在该构成的压电器件中，不会妨碍压电效应，伴随使用而产生的绝缘性能的降低被抑制。
上述压电陶瓷层可以具有含上述锰元素的结晶。另外，上述压电陶瓷层中，含锰元素的结晶可以局部存在于上述区域。另外，上述含锰元素的结晶可以是以MnO为母相的结晶。并且，上述压电陶瓷层中的含锰的结晶的平均粒径可以为0.1μm以上5μm以下。在该构成的压电器件中，不会妨碍压电效应，伴随使用而产生的绝缘性能的降低被抑制。
上述压电器件还具备第一外部电极和第二外部电极，上述第一内部电极和上述第二内部电极隔着上述压电陶瓷层交替配置，上述第一内部电极可以分别与上述第一外部电极连接，上述第二内部电极可以分别与上述第二外部电极连接。该构成的压电器件具有所谓的叠层结构，因此压电特性优良。
上述压电陶瓷层的厚度可以为10μm以上60μm以下。在该构成的压电器件中，通过在上述的范围适当决定上述压电陶瓷的上述厚度，能够对用于基于输入电压而驱动压电器件的电场强度进行各种变更，因此，该电场强度的选择范围变宽。
上述压电陶瓷层可以以含有碱金属的铌酸盐类钙钛矿结构为主相。另外，上述主相可以由（LixNayK1－x－y）a（Nb1－zTaz）3（式中，0.04＜x≤0.1，0≤y≤1，0≤z≤0.4，0.95≤a≤1.01，且x＋y＜1。）的组成式表示。该构成的压电器件使用压电特性高的压电组合物作为主相，由此能够获得优良的压电特性。
上述压电陶瓷层相对于100摩尔的上述主相以0.2摩尔以上2.0摩尔以下的比例含有锰元素。该构成的压电器件利用上述压电陶瓷相中的含锰元素相的作用，绝缘性优良。
上述压电陶瓷层可以相对于100摩尔的上述主相以0.2摩尔以上3.0摩尔以下的比例含有硅元素。该构成的压电器件的上述压电陶瓷层具有致密且均匀的组织，因此，绝缘性能和机械强度优良。
本发明的一个实施方式的压电器件的制造方法如下：形成含锰元素的陶瓷片，使含锰元素的结晶分散于上述陶瓷片的两面，对分散有上述含锰元素的结晶的上述陶瓷片涂敷电极膏而形成电极，将形成有上述电极的上述陶瓷片叠层，形成叠层体，烧制所述叠层体。由该构成所制造的压电器件中，伴随使用而产生的绝缘性能的降低被抑制。
以下，参照附图说明本发明的一个实施方式。此外，在附图中，表示适当相互正交的X轴、Y轴和Z轴。X轴、Y轴、和Z轴在全部图中共通。
［压电陶瓷］
首先，对本实施方式的压电器件所使用的压电陶瓷的组成的探讨结果进行说明。
（关于主相）
作为本实施方式的压电陶瓷，使用以含有碱金属的铌酸盐类钙钛矿结构为主相的材料。具体而言，压电陶瓷构成为由以下的组成式（1）表示的多晶体。
（LixNayK1－x－y）a（Nb1－zTaz）O3…（1）
图1是钙钛矿结构的单位晶格的模型。钙钛矿结构表示为组成式ABO3，由排布（配座）于A位点的原子、排布于B位点的原子、和氧（O）原子构成。如图1所示，在钙钛矿结构中，在B位点的原子的周围配位6个氧原子，在A位点的原子的周围配位12个氧原子，通过该结构周期性地连续而形成结晶。
在本实施方式的压电陶瓷中，作为碱金属元素的Li、Na、K排布于图1中的A位点，Nb、Ta排布于B位点。在钙钛矿结构中，在作为化学计量组成比的A∶B＝1∶1时，成为理论上各原子排布于全部的A位点和Ｂ位点的稳定的结构。具体而言，为组成式（1）中的a等于1的情况。
但是，在实际中，作为排布于A位点的元素的Li、Na、K容易产生因烧制时的挥发等导致的缺损，具体而言，有时会从化学计量组成减少数%～2％左右。因此，预测Li、Na、K的缺损量，加料组成（称量时的组成）采用Li、Na、K多于化学计量组成的组成，由此能够获得与化学计量组成接近的稳定的钙钛矿结构。具体而言，可知只要组成式（1）中的a的值的范围为0.95≤a≤1.01时，就能够获得稳定的钙钛矿结构。
另外，可知在决定排布于A位点的元素的比率的组成式（1）中的x和y的值的范围在0.04＜x≤0.1且0≤y≤1，决定排布于B位点的元素的比率的z的值的范围在0≤z≤0.4的情况下，能够获得良好的压电特性。此外，组成式（1）中的x和y的合计当然需要满足x＋y＜1。
（关于副相）
作为本实施方式的压电陶瓷，可以具有相对于上述的主相分散有副相的构成。作为副相，例如可以列举含锰相、含硅相、含锂相、含碱土金属相、含锆相等。
（1）含锰（Mn）相
分散作为副相的含锰相，由此能够提高压电陶瓷的绝缘特性。另一方面，含锰相自身不对压电特性有帮助，因此，当作为副相的含锰相相对于主相过多时，压电陶瓷的压电特性降低。
详细内容如后文所述，在本实施方式中，在压电陶瓷内部特意地使含锰相局部存在，由此实现作为压电器件的压电特性的保持和绝缘性能的提高。含锰相主要以MnO的状态存在，但也可以以MnO2、Mn3O4的状态存在。并且，含锰相可以不形成为结晶相，也可以作为非晶相存在。
（2）含硅（Si）相
使作为副相的含硅相分散，由此能够抑制压电陶瓷在烧结时的晶粒生长。因此，通过使作为副相的含硅相分散，能够获得具有微细结晶的均匀组织的主相的压电陶瓷。压电陶瓷的结晶越微细化，压电陶瓷的每单位体积中粒界所占的量越多。由此，压电陶瓷的绝缘特性提高，并且机械强度提高。另一方面，含硅相自身不对压电特性有帮助，因此，当作为副相的含硅相相对于主相过多时，压电陶瓷的压电特性降低。可知含硅相适合为相对于100摩尔的主相，硅元素为0.2摩尔以上3.0摩尔以下的量。
作为含硅相可以以SiO2的状态存在，但也可以以K3Nb3O6Si2O7的状态。为了获得存在作为副相的K3Nb3O6Si2O7的压电陶瓷，能够采用除了主相的粉末之外，还准备K3Nb3O6Si2O7的粉末，使该粉末和主相的粉末的混合粉末烧结的方法。另外，也能够采用在使主相的粉末和SiO2的粉末的混合粉末烧结时使K3Nb3O6Si2O7析出的方法。
（3）含锂（Li）相
可知通过使用Li2O、Li2CO3作为压电陶瓷的烧结时的烧结助剂，压电陶瓷的烧结性提高。这是因为，具体而言，Li2O、Li2CO3所包含的Li发挥补充烧结时A位点的元素的缺损的作用。
在使用Li2O、Li2CO3作为烧结助剂的情况下，烧结后的压电陶瓷中，存在含锂相作为副相残存的情况。含锂相例如以Li2O的状态存在。但是，可知只要作为烧结助剂的Li2O、Li2CO3为相对于100摩尔的主相为0.1摩尔以上1.5摩尔以下的量，压电陶瓷的烧结性就会提高，并且不会对作为压电陶瓷的特性造成不良影响。
（4）含碱土金属相
可知通过使用含碱土金属的氧化物作为压电陶瓷的烧结时的烧结助剂，压电陶瓷的烧结性提高。这是因为，具体而言，该氧化物所包含的碱土金属发挥补充烧结时A位点的元素的缺损并且补偿A位点的价数的减少的作用。在此，作为碱土金属能够采用Ca、Ba、Sr中的至少一种。
（5）其它
在本实施方式的压电陶瓷中，出于防止绝缘性降低的目的，能够添加含锆氧化物。作为含锆氧化物例如可以列举ZrO2。
另外，本实施方式的压电陶瓷中，根据需要，出于控制烧结温度、抑制晶粒生长的目的，例如能够添加含有作为第一过渡元素的Sc、Ti、V、Cr、Fe、Co、Cu、Zn中的至少一者的组合物。
并且，出于烧结温度的控制、晶粒生长的抑制、高电场中的长寿命化的目的，在本实施方式的压电陶瓷中，根据需要，例如能够添加含有作为第二过渡元素的Y、Mo、Ru、Rh、Pd中的至少一者的组合物。
除此之外，出于烧结温度的控制、晶粒生长的抑制、高电场中的长寿命化的目的，在本实施方式的压电陶瓷中，根据需要，例如能够添加含有作为第三过渡元素的La、Ce、Pr、Nd、Sm、Eu、Gd、Tb、Dy、Ho、Er、Tm、Yb、Lu、Hf、W、Re、Os、Ir、Pt、Au中的至少一者的组合物。
此外，在本实施方式的压电陶瓷中，根据需要，也能够作为复合组合物选择性地添加上述的第一过渡元素、第二过渡元素和第三过渡元素。
［压电器件］
（压电器件10的构成）
图2A和图2B表示本实施方式的压电器件10，图2A是立体图，图2B是沿图2A的A－A’线的截面图。
压电器件10具备压电陶瓷11和在压电陶瓷11的Y轴方向的两端设置的外部电极14、15。另外，压电器件10具备在压电陶瓷11的内部沿XY平面的方向扩展、在Z轴方向上以对置的方式交替配置的2种内部电极12、13。
内部电极12、13的个数能够任意决定。各内部电极12全部与外部电极14连接，各内部电极13全部与外部电极15连接。内部电极12、13的Z轴方向的厚度能够适当决定。内部电极12、13的Z轴方向的厚度例如能够设为0.5μm以上2μm以下。
在图2B中，为了说明的方便，表示配置于内部电极12、13之间的压电陶瓷11的层为6层的情况，但压电陶瓷11的层数根据用途等能够任意决定。即，压电陶瓷11的层数可以为1以上也可以为几个。
另外，压电陶瓷11中，未配置在内部电极12、13之间的Z轴方向的最上层和最下层，在压电器件10的使用时不发挥压电效应。因此，压电器件10的Z轴方向的最上层和最下层可以不由压电陶瓷11构成。但是，为了防止外部电极14、15之间的导通，压电器件10的Z轴方向的最上层和最下层优选由绝缘体材料构成。
压电器件10的内部电极12、13构成为作为含有Pt为主成分的导电层的Pt电极。但是，内部电极12、13不限于Pt电极，例如可以为Pd电极、Ag－Pd电极。另外，压电器件10的外部电极14、15构成为作为以Ag为主成分的导电体的Ag电极。但是，外部电极14、15不限于Ag电极，例如可以由无铅焊料构成。
利用压电器件10的该构成，对外部电极14和外部电极15之间施加电压时，电压就施加在相互相邻的内部电极12和内部电极13之间。对应施加于内部电极12、13间的电压，位于内部电极12和内部电极13之间的压电陶瓷11的各层表现压电效应，在Z轴方向上伸缩变形。
本实施方式的压电陶瓷11，与内部电极12、13在Z轴方向上相邻的区域含有富锰相11b（具体而言，表示压电陶瓷相11中的锰元素的存在量多的区域，换而言之，锰元素局部存在于该区域。）。在此，与内部电极12、13在Z轴方向上相邻的区域包括压电陶瓷11与内部电极12、13相接触的面，在沿XY平面的方向上延伸。另外，与内部电极12、13在Z轴方向上相邻的区域，从压电陶瓷11与内部电极12、13相接触的面在Z轴方向上朝向压电陶瓷11的中央部具有一定程度的深度。与内部电极12、13在Z轴方向上相邻的区域的Z轴方向的深度例如能够设为压电陶瓷11的厚度的1／3。
富锰相11b构成为在压电陶瓷相11的主相中分散有含锰元素的含锰相。因此，在富锰相11b中，绝缘性高的含锰相在沿XY平面的方向上分散。即，在压电器件10中，通过在压电陶瓷11的各层中形成富锰相11b，特意地使锰元素局部存在于与内部电极12、13相邻的区域。
富锰相11b提高内部电极12、13间的绝缘性，并且具有使从内部电极12、13对压电陶瓷相11施加的电场分散的作用。因此，在压电器件10中，能够防止压电陶瓷11的各层局部产生电场集中的问题，因此，压电陶瓷11的各层难以发生绝缘破坏，难以变得绝缘不良。
因此，为了提高上述的效果，可以以在全部的压电陶瓷11中，与压电陶瓷11的中央相比，压电陶瓷11的分别与第一内部电极12和第二内部电极13相邻的各区域中锰元素的存在量相对较多的方式，构成压电器件10。
另一方面，压电陶瓷11的各层至少在富锰相11b以外的部分中不产生由于锰元素的存在而导致的压电特性的降低。因此，在压电器件10中，特意地形成富锰相11b，由此不用牺牲压电特性，就实现了抑制伴随使用而产生的绝缘性能的降低。
此外，如图2B所示，期望在与内部电极12、13在Z轴方向上相邻的区域的任意处都形成有富锰相11b。但是，只要富锰相11b在与内部电极12、13相邻的区域中的任一处形成，就能够达成本技术的目的。
另外，作为富锰相11b中的含锰相，例如能够列举以一氧化锰（MnO）、二氧化锰（MnO2），四氧化三锰（Mn3O4）为母相的氧化物。另外，含锰相不限于以以单体含锰的氧化物为母相的氧化物，例如，可以是以锰和其它的金属元素全固溶的氧化物为母相的氧化物。另外，含锰相可以由结晶构成，也可以为非晶相。
期望富锰相11b所包含的含锰的氧化物的结晶的平均粒径为0.1μm以上5μm以下。在含锰的氧化物的结晶的平均粒径超过5μm的情况下，主相的电场响应恶化，压电特性降低。另外，含锰的氧化物的结晶的平均粒径低于0.1μm的情况下，难以获得上述的抑制绝缘性能的降低的效果。
在本实施方式中，作为所谓面积当量直径（面積相当径）算出结晶的粒径。具体而言，将从通过SEM（扫描型电子显微镜：ScanningElectron Microscope）观察结晶组织的截面时的晶粒的面积换算为同等面积的圆的直径作为结晶的粒径。另外，结晶的平均粒径例如能够作为位于结晶组织中的100μm×100μm的区域中的结晶的粒径的平均而求出。结晶组织的观察范围当然能够适当决定。
另外，压电陶瓷11的各层的厚度（也称为对置的内部电极12、13间的距离。）期望为10μm以上60μm以下。压电陶瓷11的各层的厚度低于10的情况下，相对于使用的电压，电场强度变得过高，故而不优选。另外，压电陶瓷11的各层的厚度超过60的情况下，相反，为了提高电场强度，需要提高使用的电压，就需要升压电路的设备，故而不优选。
（压电器件10的制造方法）
图3是表示本实施方式的压电器件10的制造方法的流程图。以下说明各工序。此外，在实际中，下述的各工序能够在一个批量对多个压电器件进行处理。但是，在以下的说明所使用的图4～图6中，为了说明的方便，假想为一个一个地制作压电器件10来表示。
（S1）陶瓷片制作工序
首先，进行原料粉末的称量使得成为目的的组成。作为含锂的原料粉末，例如能够使用碳酸锂（Li2CO3）。作为含钠的原料粉末，例如能够使用碳酸钠（Na2CO3）、碳酸氢钠（NaHCO3）。作为含钾的原料粉末例如能够使用碳酸钾（K2CO3）、碳酸氢钾（KHCO3）。作为含铌的原料粉末例如能够使用五氧化二铌（Nb2O5）。作为含钽的原料粉末例如能够使用五氧化二钽（Ta2O5）。
接着，进行称量好的各原料粉末的混合。混合通过将各原料粉末与乙醇和部分稳定氧化锆（PSZ：Partially Stabilized Zirconia）球一起封入圆筒状的罐（pot），利用球磨法进行。在10小时～60小时的利用球磨法的搅拌之后，使乙醇蒸发进行干燥，由此能够得到原料粉末充分混合的混合粉末。此外，在球磨法中可以用其它的有机溶剂代替乙醇。
接着，进行混合粉末的预烧制。预烧结通过将混合粉末在坩锅中在700℃～950℃保持1小时～10小时来进行。然后，通过球磨法将预烧结体粉碎，获得预烧制粉末。
在此，根据需要将成为上述的副相的元素的原料粉末混合在预烧制粉末中。与上述同样能够使用球磨法。
作为含锰的原料粉末，例如能够使用碳酸锰（MnCO3）、一氧化锰（MnO）、二氧化锰（MnO2）、四氧化三锰（Mn3O4）、醋酸锰（Mn(OCOCH3)2）。作为含镍的原料粉末，例如能够使用一氧化镍（NiO）。作为含硅的原料粉末例如能够使用二氧化硅（SiO2）。作为含钙、钡、锶的原料粉末例如分别能够使用碳酸钙（CaCO3）、碳酸钡（BaCO3）、碳酸锶（SrCO3）。作为含锆的原料粉末例如能够使用氧化锆（ZrO2）。
原料粉末不限于含有成为副相的一种元素，可以含有成为副相的两种以上的元素。例如作为含有锂和硅的原料粉末能够使用硅酸锂（Li2SiO3）、原硅酸锂（Li4SiO4）。另外，作为含钙和硅的原料粉末能够使用偏硅酸钙（CaSiO3）、原硅酸钙（Ca2SiO4）。并且，作为含钙和锆的原料粉末能够使用锆酸钙（CaZrO3）。而且，作为含锶和锆的原料粉末能够使用锆酸锶（SrZrO3）。
接着，对预烧制粉末添加有机粘合剂、分散剂和纯水，通过球磨法进行湿式混合，制作陶瓷浆料。陶瓷浆料利用刮刀法成形为片状而制成陶瓷片。此外，在利用球磨法的湿式混合中，也可以使用乙醇等的有机溶剂替代纯水。
陶瓷片的厚度能够通过刮粉刀装置的刀刃的高度控制，通过压电器件10的构成适当决定。陶瓷片的厚度例如能够设为20μm。
（S2）锰分散工序
锰分散工序是用于在上述工序（S1）中获得的陶瓷片形成图2B所示的富锰相11b的工序。
图4A和图4B是示意地表示锰分散工序的立体图。图4A是从Z轴方向的上侧观察的图，图4B是从Z轴方向的下侧观察的图。通过在陶瓷片制作工序中制作得到的陶瓷片111a的Z轴方向的两面形成均匀地分散有锰元素的锰分散层111b，制作复合陶瓷片111。锰分散层111b例如作为与陶瓷片111a相比更多地含有含锰的氧化物的组成的压电陶瓷的浆料而构成。
在图4A和图4B中，使锰分散层111b配合图2B所示的内部电极12、13的形状而图案化。锰分散层111b例如能够在制成浆料状之后，在陶瓷片111a利用使用形成有与内部电极13、14同样图案的网板的网板印刷而形成。
富锰相11b配置在陶瓷片111a的外周部之外的区域、具有与Y轴方向的一个端部连接的突出部。突出部在陶瓷片111a的Z轴方向的上表面和下表面相互朝向Y轴方向的相反侧形成。
此外，图2B中的富锰相11b优选覆盖内部电极13、14的整个面，因此，用于锰分散层111b的网板期望使用形成有比内部电极13、14的图案稍微大的图案的网板。
另外，锰分散层111b能够作为富锰相11b与内部电极12、13相邻，因此，可以形成在陶瓷片111a的两面的整个面。该情况下，锰分散层111b也可以例如与陶瓷片111a分开另外利用刮刀法形成为片状。而且，成为片状的锰分散层111b分别与陶瓷片111a的两面重合。
并且，复合陶瓷片111在其Z轴方向的两面中分散有锰元素即可，并不一定要形成图4所示的锰分散层111b那样的层。例如，复合陶瓷片111也可以使含锰的氧化物的粉末均匀地分散在陶瓷片111a的Z轴方向的两面。该情况下，例如能够使用筛使MnO的微细粉末分散在陶瓷片111a的Z轴方向的两面。
（S3）内部电极涂敷工序
内部电极涂敷工序是用于在上述工序（S2）中得到的复合陶瓷片111形成图2B所示的内部电极12、13的工序。
图5A和图5B是示意地表示内部电极涂敷工序的立体图。图5A是从Z轴方向的上侧观察的图，图5B是从Z轴方向的下侧观察的图。在锰分散工序中制作得到的复合陶瓷片111的Z轴方向的上表面涂敷导电性膏（电极膏），形成内部电极膜112。内部电极膜112利用使用形成有内部电极的图案的网板的网板印刷而形成。
内部电极膜112配置于锰分散层111b上的区域。换而言之，内部电极膜112配置在陶瓷片111a的外周部之外的区域，具有与Y轴方向的一个端部连接的突出部112a。突出部112a是用于内部电极12、13中与外部电极14、15连接的部分。陶瓷片111a的突出部112a形成为比内部电极12、13相互对置的区域所对应的陶瓷片111a的部分窄的宽度。
在本实施方式中，图2B所示的内部电极13、14为Pt电极，因此，作为内部电极膜112使用含Pt的导电性膏。但是，导电性膏根据内部电极13、14的材质能够适当变更。
作为Pt电极以外的内部电极13、14例如可以列举Pd电极、Ag－Pd电极。在该情况下，为了形成内部电极膜112，分别使用含Pd的导电性膏、含Ag和Pd的导电性膏。
此外，在本实施方式中，如图4A和图4B所示在陶瓷片111a的两面形成锰分散层111b后，如图5A所示形成内部电极膜112。但是，只要在之后的陶瓷片叠层工序中，内部电极膜112的两面与锰分散层111b相邻，也可以采用其他的方法。
例如，也可以仅在陶瓷片111a的Z轴方向的上表面形成锰分散层111b。在该情况下，可以在陶瓷片111a的Z轴方向的上表面形成的锰分散层111b的Z轴方向的上表面形成内部电极膜112，进而在该内部电极膜112的Z轴方向的上表面形成锰分散层111b。
（S4）陶瓷片叠层工序
图6是示意地表示陶瓷片叠层工序的立体图。在陶瓷片叠层工序中，将在上述工序（S3）中得到的形成有内部电极膜112的复合陶瓷片111以突出部112a交替朝向Y轴方向的相反侧的方式，仅叠层规定的层数。换而言之，所叠层的陶瓷片111的内部电极膜112的突出部112a交替以Z轴为中心改变朝向180°。
然后，在作为叠层方向的Z轴方向对复合陶瓷片111的叠层体进行加压，由此使各层压接而一体化。在Z轴方向对复合陶瓷片111的叠层体加压的压力能够适当决定，例如能够设为50MPa。这样，在Z轴方向对复合陶瓷片111的叠层体进行加压，由此复合陶瓷片111的各层稍微变形，相邻的复合陶瓷片111在其外缘部密合。由此，复合陶瓷片111的叠层体成为一体形成长方体状。
此外，Z轴方向的最上层的陶瓷片111c1，不需要形成内部电极膜112，因此，没有形成锰分散层111b和内部电极膜112。另外，Z轴方向的最下层的陶瓷片111c2，不在下表面相对地配置内部电极膜112，因此，锰分散层111b仅形成在Z轴方向的上表面就足够。
（S5）烧结工序
在烧结工序中，烧结在上述工序（S4）中得到的一体化的叠层体。具体而言，将叠层体收纳到氧化铝制的匣钵中，加热至300℃～500℃左右进行脱粘合剂之后，在大气气氛中，以900℃～1050℃进行烧制。由此，获得叠层体的烧结体（陶瓷烧结体）。
（S6）外部电极形成工序
在外部电极形成工序中，在上述工序（S5）中得到的陶瓷烧结体形成图2A和图2B所示的外部电极14、15。
图7A和图7B是示意地表示外部电极形成工序的立体图。如图7A和图7B的上图所示，在陶瓷烧结体100的Y轴方向的两侧面，从上述的内部电极膜112的突出部112a所形成的内部电极13、14的端部在Z轴方向上排列露出。在外部电极形成工序中，在陶瓷烧结体100的Y轴方向的两侧面形成外部电极14、15。外部电极14覆盖陶瓷烧结体的一个面，并且与全部的内部电极12连接。外部电极15覆盖陶瓷烧结体的一个面，并且与全部的内部电极13连接。
具体而言，在陶瓷烧结体100的Y轴方向的两面涂敷含Ag等的导电性膏，在750℃～850℃左右进行烧接（焼き付け）处理。由此，在陶瓷100的Y轴方向的两面形成外部电极14、15作为Ag电极。由此，压电器件10完成。
此外，对陶瓷烧结体100形成外部电极14、15的方法也可以不利用烧接处理。外部电极14、15只要能够将内部电极12、13分别良好地连接即可，例如也可以通过溅射法、真空蒸镀法等的薄膜形成方法形成。
（S7）极化处理工序
极化处理工序中，为了能够使用上述工序（S6）中完成的压电器件10作为压电致动器等，使压电器件10中的压电陶瓷11极化。极化处理通过对压电器件10的外部电极14、15间施加高电场来进行。具体而言，将压电器件10放入100℃的有机硅油中，对外部电极14、15间施加15分钟3.0kV／mm的电场。
（压电器件10的评价）
在图2A和图2B所示的压电陶瓷11中，制作锰元素的摩尔数相对于组成式（1）所示的主相100摩尔为Mn＝0、0.2、0.3、0.4的压电陶瓷。在此，使Mn＝0的压电陶瓷为本实施方式的比较例。
（1）电子束显微分析仪（EPMA:Electron Probe Micro Analyser）评价
图8A～图8D是表示压电器件10的截面的图像，图8A表示Mn＝0的情况，图8B表示Mn＝0.2的情况，图8C表示Mn＝0.3的情况，图8D表示Mn＝0.4的情况。各图像中的以等间隔平行延伸的鲜亮颜色的线表示内部电极12、13，鲜亮颜色的点表示锰元素的存在。
在图8A中，Mn＝0，因此，不能确认鲜亮颜色的点。另一方面，可知在图8B～图8D中，锰元素局部存在于内部电极12、13的附近。另外，从图8B～图8D可知，锰元素在沿内部电极12、13的方向上均与地分布。在Mn≤2.0时确认到该倾向。
并且，例如，通过利用TEM（透射型电子显微镜：TransmissionElectron Microscope）、EDS（能量色散X射线分光法：Energy Dispersivex-ray Spectrometry）等的详细的分析，明确地确认到锰元素除了在内部电极12、13的附近，还具有以下倾向：作为以MnO为母相的结晶，在主相的粒界（包括粒界三叉点）析出，另外，向构成主相的多晶体的外周部排出。即，确认到锰元素几乎不存在于构成主相的结晶的颗粒内。
（2）压电常数d33评价
图9A是表示Mn＝0、0.2、0.3、0.4的压电陶瓷10的压电常数d33的图表。压电常数d33的测定使用激光多普勒位移计。在全部的样品中能够获得200pm/V以上的高压电常数d33。同样，在Mn≤2.0时，能够获得190pm/V以上的高压电常数d33。
这被认为是含锰的氧化物在构成主相的多晶体的外周部偏析，因此，显示出主相的压电效应不被含Mn氧化物妨碍。
（3）DC（直流，Direct Current）绝缘寿命评价
图9B是表示Mn＝0、0.2、0.3、0.4的压电陶瓷10的DC绝缘寿命的图表。本实施方式中的DC绝缘寿命是在100℃对压电器件10的外部电极14、15间持续施加8kV／mm的直流高电场时，从开始施加该电场至电流值达到电流密度为1μA／cm2以上的时间的相对值。图9B是表示进行了使Mn＝0时的AC绝缘寿命的值为1的标准化后的绘制图。DC绝缘寿命的测定使用直流电流电压计。
DC绝缘寿命伴随Mn量增多而获得增长的倾向。确认了Mn≥0.2的压电器件10中的DC绝缘寿命是Mn＝0的压电器件10的DC绝缘寿命的3.8倍以上，能够确保充分长的DC绝缘寿命。这被认为是由于将压电器件10构成为在与内部电极12、13相邻的位置含锰的氧化物局部存在于内部电极12、13附近和构成主相的多晶体的外周部，由此难以产生电场集中的结果。
（4）AC（交流，Alternating Current）寿命评价
图9C是表示Mn＝0、0.2、0.3、0.4的压电陶瓷10的AC绝缘寿命的图表。本实施方式中，在100℃对压电器件10的外部电极14、15间施加8kV/mm、100Hz的交流高电场来驱动压电器件10，由此评价AC绝缘寿命。本实施方式中的AC绝缘寿命是直到压电器件10不能够驱动为止的驱动次数的相对值。图9C表示进行了使Mn＝0时的AC绝缘寿命的值为1的标准化后的绘制图。AC绝缘寿命的测定使用振荡器、电压放大器、示波器。
AC绝缘寿命伴随Mn量增多而获得增长的倾向。确认了Mn≥0.2的压电器件10的AC绝缘寿命是Mn＝0的压电器件10的DC绝缘寿命的Mn＝0的16倍以上，能够确保充分长的AC绝缘寿命。这被认为是由于将压电器件10构成为在与内部电极12、13相邻的位置含锰的氧化物局部存在于内部电极12、13附近和构成主相的多晶体的外周部，由此难以产生电场集中的结果。
（5）总结
根据以上内容，确认了压电陶瓷层相对于组成式（1）所示的100摩尔的主相含有0.2摩尔以上2.0摩尔以下的锰元素的压电器件10，能够获得良好的压电特性和充足的绝缘寿命。
以上，对本发明的实施方式进行了说明，但是本发明不仅限于上述的实施方式，在不脱离本发明的主旨的范围内当然能够进行各种变更。
在上述实施方式中，对压电陶瓷的主相为含有碱金属的铌酸盐类钙钛矿结构的例子进行了说明，但压电陶瓷的主相可以为具有优良的压电特性的其它压电组合物。作为那样的压电组合物，例如可以列举钛酸钡类钙钛矿结构的氧化物、钨青铜结构的氧化物。
符号说明
10…压电器件
11…压电陶瓷
11b…富锰相
12、13…内部电极
14、15…外部电极

Claims (14)

1.一种压电器件，其特征在于：
其具备第一内部电极和第二内部电极，
并具备配置于所述第一内部电极和所述第二内部电极之间的由陶瓷构成的压电陶瓷层，
与所述压电陶瓷层的中央相比，所述压电陶瓷层的分别与所述第一内部电极和所述第二内部电极相邻的各区域中锰元素的存在量相对较多。
2.如权利要求1所述的压电器件，其特征在于：
所述各区域遍及所述第一电极和所述第二电极的各自的整个面。
3.如权利要求1或2所述的压电器件，其特征在于：
锰元素存在于所述陶瓷的晶界。
4.如权利要求3所述的压电器件，其特征在于：
锰元素存在于所述陶瓷的粒界三叉点。
5.如权利要求1～4中任一项所述的压电器件，其特征在于：
所述压电陶瓷层具有含锰元素的结晶。
6.如权利要求5所述的压电器件，其特征在于：
所述含锰元素的结晶是以MnO为母相的结晶。
7.如权利要求5或6所述的压电器件，其特征在于：
所述含锰元素的结晶的平均粒径为0.1μm以上5μm以下。
8.如权利要求1～7中任一项所述的压电器件，其特征在于：
还具备第一外部电极和第二外部电极，
所述第一内部电极和所述第二内部电极隔着所述压电陶瓷层交替配置，所述第一内部电极分别与所述第一外部电极连接，所述第二内部电极分别与所述第二外部电极连接。
9.如权利要求1～8中任一项所述的压电器件，其特征在于：
所述压电陶瓷层的厚度为10μm以上60μm以下。
10.如权利要求1～9中任一项所述的压电器件，其特征在于：
所述压电陶瓷层以含有碱金属的铌酸盐类钙钛矿结构为主相。
11.如权利要求10所述的压电器件，其特征在于：
所述主相由（LixNayK1－x－y）a（Nb1－zTaz）3的组成式表示，式中，0.04＜x≤0.1，0≤y≤1，0≤z≤0.4，0.95≤a≤1.01，且x＋y＜1。
12.如权利要求10或11所述的压电器件，其特征在于：
所述压电陶瓷层相对于100摩尔的所述主相，以0.2摩尔以上2.0摩尔以下的比例含有锰元素。
13.如权利要求10～12中任一项所述的压电器件，其特征在于：
所述压电陶瓷层相对于100摩尔的所述主相，以0.2摩尔以上3.0摩尔以下的比例含有硅元素。
14.一种压电器件的制造方法，其特征在于：
形成含锰元素的陶瓷片，
使含锰元素的结晶分散于所述陶瓷片的两面，
对分散有所述含锰元素的结晶的所述陶瓷片涂敷电极膏而形成电极，
将形成有所述电极的所述陶瓷片叠层，形成叠层体，
烧制所述叠层体。
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Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN104973863A (zh) * 2014-04-11 2015-10-14 日本特殊陶业株式会社 无铅压电陶瓷组合物、使用其的压电元件、及无铅压电陶瓷组合物的制造方法
CN106164015A (zh) * 2014-04-11 2016-11-23 日本特殊陶业株式会社 无铅压电陶瓷组合物、使用其的压电元件以及无铅压电陶瓷组合物的制造方法
CN108885930A (zh) * 2016-03-25 2018-11-23 国立研究开发法人产业技术综合研究所 磁性材料及其制造方法
CN113451496A (zh) * 2020-03-27 2021-09-28 太阳诱电株式会社 压电元件及其制造方法

Families Citing this family (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP5823014B2 (ja) 2014-04-11 2015-11-25 日本特殊陶業株式会社 無鉛圧電磁器組成物、それを用いた圧電素子、及び、無鉛圧電磁器組成物の製造方法
CN105797286B (zh) * 2014-12-31 2019-02-22 上海形状记忆合金材料有限公司 一种互背向发射多声束超声组件
JP6583526B2 (ja) * 2016-02-22 2019-10-02 株式会社村田製作所 圧電デバイス
DE112018003429B4 (de) * 2017-11-09 2023-01-12 Murata Manufacturing Co., Ltd. Piezoelektrisches Bauteil, Sensor und Aktor
JP6738878B2 (ja) * 2018-11-08 2020-08-12 太陽誘電株式会社 圧電素子
JP7374597B2 (ja) * 2019-03-14 2023-11-07 太陽誘電株式会社 積層型圧電セラミックス及びその製造方法、積層型圧電素子並びに圧電振動装置
JP7261047B2 (ja) * 2019-03-15 2023-04-19 太陽誘電株式会社 積層型圧電セラミックス及びその製造方法、積層型圧電素子並びに圧電振動装置
US11889767B2 (en) * 2019-03-14 2024-01-30 Taiyo Yuden Co., Ltd. Multilayer piezoelectric ceramic and method for manufacturing same, multilayer piezoelectric element, as well as piezoelectric vibration apparatus
WO2023063007A1 (ja) * 2021-10-12 2023-04-20 太陽誘電株式会社 積層型圧電素子

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2004158494A (ja) * 2002-11-01 2004-06-03 Taiheiyo Cement Corp 積層型圧電アクチュエータおよびその製造方法
JP2008098470A (ja) * 2006-10-13 2008-04-24 Denso Corp 積層圧電セラミックス素子及びその製造方法
CN101549991A (zh) * 2008-03-31 2009-10-07 Tdk株式会社 压电陶瓷及使用该压电陶瓷的压电元件
CN102395539A (zh) * 2009-05-08 2012-03-28 太阳诱电株式会社 压电陶瓷及其制造方法以及压电器件

Family Cites Families (19)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2002068825A (ja) 2000-09-01 2002-03-08 Toto Ltd 陶磁器
JP4748291B2 (ja) 2001-01-10 2011-08-17 Ｔｄｋ株式会社 積層体変位素子
JP4631246B2 (ja) 2002-03-20 2011-02-16 株式会社豊田中央研究所 圧電磁器組成物及びその製造方法並びに圧電素子及び誘電素子
JP4156461B2 (ja) 2002-07-16 2008-09-24 株式会社デンソー 圧電磁器組成物及びその製造方法並びに圧電素子
JP4295179B2 (ja) 2004-08-31 2009-07-15 Ｔｄｋ株式会社 電子部品およびその製造方法
JP4407497B2 (ja) * 2004-11-30 2010-02-03 Ｔｄｋ株式会社 誘電体磁器組成物及び電子部品
JP4165893B2 (ja) * 2005-12-28 2008-10-15 株式会社村田製作所 半導体セラミック、及び積層型半導体セラミックコンデンサ、並びに半導体セラミックの製造方法
JP4877975B2 (ja) 2006-12-16 2012-02-15 ルネサスエレクトロニクス株式会社 Ｖｃｍドライバと磁気ディスク制御装置
JP2008207999A (ja) 2007-02-27 2008-09-11 Konica Minolta Holdings Inc 圧電磁器組成物の製造方法
EP2159205B1 (en) 2007-06-15 2015-08-12 Murata Manufacturing Co. Ltd. Piezoelectric ceramic electronic component
US20110068890A1 (en) * 2008-03-12 2011-03-24 University Of Electronic Science And Technology Of China Ntc thin film thermal resistor and a method of producing it
JP5214373B2 (ja) 2008-08-29 2013-06-19 太陽誘電株式会社 圧電セラミックス及びその製造方法並びに圧電デバイス
JP5264673B2 (ja) 2009-01-12 2013-08-14 株式会社デンソー 圧電セラミックス、その製造方法、積層型圧電素子、及びその製造方法
JP5420603B2 (ja) * 2010-08-06 2014-02-19 サムソン エレクトロ−メカニックス カンパニーリミテッド． 耐還元性誘電体組成物及びこれを含むセラミック電子部品
KR20120068622A (ko) * 2010-12-17 2012-06-27 삼성전기주식회사 외부전극용 도전성 페이스트 조성물, 이를 포함하는 적층 세라믹 커패시터 및 그 제조방법
JP5834776B2 (ja) * 2011-11-01 2015-12-24 セイコーエプソン株式会社 圧電素子、液体噴射ヘッド、液体噴射装置、超音波デバイス、並びにセンサー
KR101474065B1 (ko) * 2012-09-27 2014-12-17 삼성전기주식회사 적층 칩 전자부품, 그 실장 기판 및 포장체
US9147827B2 (en) * 2012-11-28 2015-09-29 Tdk Corporation Piezoelectric element, piezoelectric actuator, piezoelectric sensor, hard disk drive, and inkjet printer device
US9324931B2 (en) * 2013-05-14 2016-04-26 Tdk Corporation Piezoelectric device

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2004158494A (ja) * 2002-11-01 2004-06-03 Taiheiyo Cement Corp 積層型圧電アクチュエータおよびその製造方法
JP2008098470A (ja) * 2006-10-13 2008-04-24 Denso Corp 積層圧電セラミックス素子及びその製造方法
CN101549991A (zh) * 2008-03-31 2009-10-07 Tdk株式会社 压电陶瓷及使用该压电陶瓷的压电元件
CN102395539A (zh) * 2009-05-08 2012-03-28 太阳诱电株式会社 压电陶瓷及其制造方法以及压电器件

Cited By (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN104973863A (zh) * 2014-04-11 2015-10-14 日本特殊陶业株式会社 无铅压电陶瓷组合物、使用其的压电元件、及无铅压电陶瓷组合物的制造方法
CN106164015A (zh) * 2014-04-11 2016-11-23 日本特殊陶业株式会社 无铅压电陶瓷组合物、使用其的压电元件以及无铅压电陶瓷组合物的制造方法
CN106164015B (zh) * 2014-04-11 2019-04-02 日本特殊陶业株式会社 无铅压电陶瓷组合物、使用其的压电元件以及无铅压电陶瓷组合物的制造方法
CN108885930A (zh) * 2016-03-25 2018-11-23 国立研究开发法人产业技术综合研究所 磁性材料及其制造方法
CN108885930B (zh) * 2016-03-25 2020-03-17 国立研究开发法人产业技术综合研究所 磁性材料及其制造方法
CN113451496A (zh) * 2020-03-27 2021-09-28 太阳诱电株式会社 压电元件及其制造方法

Also Published As

Publication number Publication date
JP5543537B2 (ja) 2014-07-09
EP2690679A1 (en) 2014-01-29
US20140028156A1 (en) 2014-01-30
US9281465B2 (en) 2016-03-08
CN103579494B (zh) 2017-08-29
JP2014026998A (ja) 2014-02-06

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