CN102369601B - 太阳能电池 - Google Patents

太阳能电池 Download PDF

Info

Publication number
CN102369601B
CN102369601B CN201080014742.XA CN201080014742A CN102369601B CN 102369601 B CN102369601 B CN 102369601B CN 201080014742 A CN201080014742 A CN 201080014742A CN 102369601 B CN102369601 B CN 102369601B
Authority
CN
China
Prior art keywords
semiconductor layer
solar cell
amorphous semiconductor
cap rock
substrate
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Fee Related
Application number
CN201080014742.XA
Other languages
English (en)
Other versions
CN102369601A (zh
Inventor
浅海利夫
坂田仁
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Sanyo Electric Co Ltd
Original Assignee
Sanyo Electric Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Sanyo Electric Co Ltd filed Critical Sanyo Electric Co Ltd
Publication of CN102369601A publication Critical patent/CN102369601A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN102369601B publication Critical patent/CN102369601B/zh
Expired - Fee Related legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/04—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices
    • H01L31/06—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices characterised by potential barriers
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/02—Details
    • H01L31/0224—Electrodes
    • H01L31/022408—Electrodes for devices characterised by at least one potential jump barrier or surface barrier
    • H01L31/022425—Electrodes for devices characterised by at least one potential jump barrier or surface barrier for solar cells
    • H01L31/022441—Electrode arrangements specially adapted for back-contact solar cells
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/04—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/04—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices
    • H01L31/06—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices characterised by potential barriers
    • H01L31/072—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices characterised by potential barriers the potential barriers being only of the PN heterojunction type
    • H01L31/0745—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices characterised by potential barriers the potential barriers being only of the PN heterojunction type comprising a AIVBIV heterojunction, e.g. Si/Ge, SiGe/Si or Si/SiC solar cells
    • H01L31/0747—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices characterised by potential barriers the potential barriers being only of the PN heterojunction type comprising a AIVBIV heterojunction, e.g. Si/Ge, SiGe/Si or Si/SiC solar cells comprising a heterojunction of crystalline and amorphous materials, e.g. heterojunction with intrinsic thin layer
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/18—Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment of these devices or of parts thereof
    • H01L31/1804—Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment of these devices or of parts thereof comprising only elements of Group IV of the Periodic Table
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
    • Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
    • Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
    • Y02E10/547—Monocrystalline silicon PV cells
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
    • Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
    • Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
    • Y02E10/548—Amorphous silicon PV cells
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02P—CLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES IN THE PRODUCTION OR PROCESSING OF GOODS
    • Y02P70/00—Climate change mitigation technologies in the production process for final industrial or consumer products
    • Y02P70/50—Manufacturing or production processes characterised by the final manufactured product

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Sustainable Energy (AREA)
  • Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
  • Electromagnetism (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Sustainable Development (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Photovoltaic Devices (AREA)

Abstract

本发明提供抑制不期望的杂质的混入，具有良好的太阳能电池特性的太阳能电池。该太阳能电池(100)包括：具有受光面和背面的半导体基板(10)；在半导体基板的背面上的规定区域形成的第一导电型的第一半导体层(12a)；从半导体基板的背面上跨越第一半导体层的表面上地形成的第二导电型的第二半导体层(13a)；和形成在上述第一半导体层与上述第二半导体层之间，实质上不含有第一导电型杂质的盖层(30)。

Description

太阳能电池
技术领域
本发明涉及背面结(接合)型的太阳能电池。
背景技术
目前，提出了在基板的背面上具备半导体层的所谓背面结型的太阳能电池。
在日本特开2005-101151号公报中，公开了一种光电动势元件，包括：具有受光面和背面的半导体基板；形成在半导体基板的背面上的i型半导体层；在i型半导体层的表面上的规定区域形成的p型半导体层；和从i型半导体层的表面上跨越p型半导体层的表面上形成的n型半导体层。在日本特开2005-101151号公报中记载的光电动势元件，是经过下述工序通过等离子体CVD(化学气相沉积)法制造的：在半导体基板的背面上形成i型半导体层的工序；在i型半导体层的表面上的规定区域形成p型半导体层的工序；和从i型半导体层的表面上跨越p型第一半导体层的表面上形成n型第二半导体层的工序。
现有技术文献
专利文献
专利文献1：日本特开2005-101151号公报
发明内容
发明要解决的课题
但是，在通过等离子体CVD法来制造在日本特开2005-101151号公报中记载的光电动势元件的情况下，通过在从i型半导体层的表面上跨越p型第一半导体层的表面上地形成n型半导体层的工序中产生的等离子体，包含在p型半导体层中的p型杂质从层中脱离。然后，脱离后的p型杂质附着于p型半导体层的表面和i型半导体层的表面。其结果是，由于在半导体基板与n型半导体层之间混入了不期望的p型杂质，所以太阳能电池的特性可能降低，存在难以以高成品率制造具有良好的太阳能电池特性的太阳能电池这样的问题。
本发明是为了解决上述课题而完成的，本发明的一个目的在于提供能够抑制混入不期望的杂质，具有良好的太阳能电池特性的太阳能电池。
用于解决课题的方法
根据本发明的一个方案，提供一种太阳能电池，其特征在于，包括：受光面和背面的半导体基板；在上述半导体基板的背面上的规定区域形成的第一导电型的第一半导体层；从上述半导体基板的背面上跨越上述第一半导体层的表面上地形成的第二导电型的第二半导体层；和形成在上述第一半导体层与上述第二半导体层之间，由实质上不含有上述第一导电型杂质的半导体或绝缘体构成的盖层。
发明的效果
根据本发明，能够提供具有良好的太阳能电池特性的背面结型太阳能电池。
附图说明
图1是本发明第一实施方式的太阳能电池的背面的平面图。
图2是沿着图1的300-300线的放大截面图。
图3是用于说明本发明第一实施方式的太阳能电池的制造工序的截面图。
图4是用于说明本发明第一实施方式的太阳能电池的制造工序的截面图。
图5是用于说明本发明第一实施方式的太阳能电池的制造工序的截面图。
图6是本发明第二实施方式的太阳能电池的截面图。
图7是本发明第三实施方式的太阳能电池的截面图。
图8是用于说明本发明第三实施方式的太阳能电池的制造工序的截面图。
图9是用于说明本发明第三实施方式的太阳能电池的制造工序的截面图。
图10是用于说明本发明第三实施方式的太阳能电池的制造工序的截面图。
图11是用于说明本发明第三实施方式的太阳能电池的制造工序的截面图。
图12是本发明第四实施方式的太阳能电池的截面图。
图13是用于说明本发明第四实施方式的太阳能电池的制造工序的截面图。
图14是表示本发明第三实施方式的太阳能电池的输出与盖层(cap)的厚度的关系的特性图。
具体实施方式
接着，使用附图说明本发明的实施方式。在以下附图的记载中，对相同或类似的部分标注相同或类似的附图标记。其中，附图是示意性的，但应当注意的是各尺寸的比率等与实际情况不同。因此，具体的尺寸等应当参照以下的说明进行判断。另外，附图相互之间当然也包括相互的尺寸关系、比率不同的部分。
[第一实施方式]
(太阳能电池的结构)
参照图1和图2，说明本发明第一实施方式的太阳能电池100的结构。
如图1和图2所示，在太阳能电池100设置有由半导体构成的基板10。如图2所示，基板10是薄板状的半导体基板，具有p型或n型导电型。基板10由如单晶硅、多晶硅那样的结晶硅、如GaAs或InP那样的化合物半导体、其他能够形成为板状的半导体形成。另外，基板10是本发明的“半导体基板”的1个例子。
基板10具有受光面A和背面B。受光面A是光入射的面。背面B是与受光面A相反一侧的面。受光面A和背面B都是基板10的主面。另外，背面B具有第一区域B1和第二区域B2。
通过入射到受光面A的光，在基板10内生成载流子。所谓载流子是指光被基板10吸收而生成的电子和空穴。
在太阳能电池100的基板10的受光面A侧，设置有光入射侧构造体15。此外，在太阳能电池100的基板10的背面B侧，设置有i型非晶态半导体层11、p型非晶态半导体层12a、n型非晶态半导体层13a、p侧电极20a和n侧电极20b。另外，i型非晶态半导体层11是本发明的“第三半导体层”的1个例子，p型非晶态半导体层12a是本发明的“第一半导体层”的1个例子，n型非晶态半导体层13a是本发明的“第二半导体层”的1个例子。
在该结构的太阳能电池中，在基板10具有n型导电型的情况下，在基板10与p型非晶态半导体层12a之间形成有用于形成载流子分离用的电场的结，并且在基板10与n型非晶态半导体层13a之间形成有用于形成电场的结，该电场用于防止少数载流子再结合。另外，在基板10具有p型导电型的情况下，在基板10与n型非晶态半导体层13a之间形成有用于形成载流子分离用的电场的结，并且在基板10与p型非晶态半导体层12a之间形成有用于形成电场的结，该电场用于防止少数载流子的再结合。
光入射侧构造体15构成为使入射光的一部分向半导体基板10一侧透过。因此，入射光的一部分透过光入射侧构造体15，入射到半导体基板10的受光面A。另外，为了增加入射到半导体基板10的光的量，光入射侧构造体15的光透过率优选较大。因此，光入射侧构造体15例如优选不包含金属层等光透过率小的层。
另外，光入射侧构造体15包括钝化膜15a和光反射防止膜15b。光入射侧构造体15包括非晶态半导体层、硅氧化物层、硅氮化物层的单层或它们的叠层构造。另外，光入射侧构造体15的结构不限于此，能够采用各种结构。
i型非晶态半导体层11形成在基板10的背面B的大致整个面上。具体来说，i型非晶态半导体层11形成在基板10的背面B的形成有p型非晶态半导体层12a的第一区域B1上和与第一区域B1相邻的第二区域B2上。另外，i型非晶态半导体层11形成在半导体基板10、p型非晶态半导体层12a和n型非晶态半导体层13a之间。另外，i型非晶态半导体层11在未积极地导入p型和n型杂质的气氛中形成。即，i型非晶态半导体层11大致具有本征导电型(导电类型)。另外，i型非晶态半导体层11实质上不含有p型和n型杂质，但是也可以含有微量的杂质。例如，在原料气体中不含有杂质的情况下，有时也产生从附着于基板托盘(tray)或腔室壁的膜脱离了的杂质的混入，这种情况下，在i型非晶态半导体层11中含有微量的杂质。i型非晶态半导体层11的厚度是实质上对发电没有贡献的程度，例如是几nm～25nm左右。
p型非晶态半导体层12a形成在基板10的背面B中的第一区域B1上。在第一实施方式中，p型非晶态半导体层12a在基板10的背面B中的第一区域B1上，形成在i型非晶态半导体层11的表面上。p型非晶态半导体层12a的厚度例如是10nm左右。
n型非晶态半导体层13a形成在i型非晶态半导体层11的表面的大致整个面上。具体来说，n型非晶态半导体层13a形成为从i型非晶态半导体层11的表面上跨越后述的盖层30的表面上。
i型非晶态半导体层11、p型非晶态半导体层12a和n型非晶态半导体层13a优选分别由含有硅的氢化非晶态(质)半导体构成。作为这样的非晶态半导体，包括非晶态硅、非晶态碳化硅(silicon carbide)或非晶态硅锗等。另外，i型非晶态半导体层11、p型非晶态半导体层12a和n型非晶态半导体层13a，也可以不限于这些材料，由其他非晶态半导体构成，也可以不限于非晶态半导体，由其他薄膜半导体构成。
另外，i型非晶态半导体层11、p型非晶态半导体层12a和n型非晶态半导体层13a的层整体也可以不限于是完全的非晶态状态，也可以局部具有结晶区域。例如，也可以是在层中包含多个微小的结晶区域的所谓微晶状态。另外，i型非晶态半导体层11、p型非晶态半导体层12a和n型非晶态半导体层13a既可以是单层也可以是多层。
p侧电极20a是收集载流子的电极。p侧电极20a将n型非晶态半导体层13a夹在中间地形成在p型非晶态半导体层12a上。从而，p侧电极20a形成在基板10的背面B的第一区域B1上。
n侧电极20b是收集载流子的电极。n侧电极20b将n型非晶态半导体层13a夹在中间地形成在基板10的背面B的第二区域B2上。另外，n侧电极20b在基板10的背面B的第二区域B2上，形成在n型非晶态半导体层13a的表面上。
p侧电极20a和n侧电极20b由金属材料或导电型膏(paste)材料形成。另外，p侧电极20a和n侧电极20b用溅射法、蒸镀法、电镀法或印刷法等各种方法形成。
这里，在第一实施方式中，在p型非晶态半导体层12a与n型非晶态半导体层13a之间形成有盖(cap)层30。具体来说，盖层30形成在p型非晶态半导体层12a的上表面与n型非晶态半导体层13a之间。盖层30的厚度构成为比p型非晶态半导体层12a和n型非晶态半导体层13a的厚度小。另外，盖层30构成为抑制p型杂质从成为基底的p型非晶态半导体层12a脱离。
盖层30由实质上不含有在成为基底的半导体层中包含的掺杂用杂质的半导体或绝缘体构成。另外，盖层30实质上不含有杂质，但是也可以含有微量的杂质。例如，在原料气体中不含有杂质的情况下，有时也发生从附着于基板托盘(托架)或腔室壁的膜脱离了的杂质的混入，这种情况下，在盖层30中含有微量的杂质。在第一实施方式中，由于盖层30由不含有p型杂质的材料构成，所以p型杂质不会因用于形成n型非晶态半导体层13a的等离子体，从盖层30脱离。从而，盖层30能够抑制p型杂质因用于形成n型非晶态半导体层13a的等离子体，从p型非晶态半导体层12a脱离。由此，由于能够抑制在基板10与n型非晶态半导体层13a之间混入不期望的p型杂质，所以能够提高太阳能电池特性。
另外，盖层30优选由不含有n型杂质的材料构成。即，盖层30优选由既不含有p型杂质，也不含有n型杂质的材料构成。这种情况下，能够抑制p型杂质和n型杂质因用于形成n型非晶态半导体层13a的等离子体从盖层30脱离。另外，盖层30能够抑制p型杂质因用于形成n型非晶态半导体层13a的等离子体，从p型非晶态半导体层12a脱离。从而，盖层30能够抑制在基板10与n型非晶态半导体层13a之间包含不期望的p型杂质和n型杂质。由此，由于能够按照设计形成基板10与n型非晶态半导体层13a之间的结，所以能够进一步提高太阳能电池特性。
另外，盖层30优选不含有对成为基底的半导体层产生很大的恶劣影响的杂质。例如，盖层30优选不含有有机物或碱成分。这种情况下，即使构成元素的一部分因用于形成n型非晶态半导体层13a的等离子体，从盖层30脱离，也能够抑制脱离了的元素对成为基底的半导体层产生恶劣影响。由此，由于能够抑制基板10与n型非晶态半导体层13a之间的结特性的降低，所以能够良好地维持太阳能电池特性。
另外，盖层30优选由与成为基底的半导体层相同的半导体材料构成。例如，在第一实施方式中，由于基底是p型非晶态半导体层12a，所以盖层30优选由非晶态半导体材料构成。由非晶态半导体构成的盖层30能够以与p型非晶态半导体层12a类似的条件形成。由此，利用形成盖层30时的气氛，能够抑制p型非晶态半导体层12a受到过剩的影响。另外，由于能够抑制p型非晶态半导体层12a的特性的降低，所以能够实现太阳能电池特性的进一步提高。
另外，盖层30优选由氧化硅等金属氧化物或氮化硅等金属氮化物等无机绝缘物构成。如果由无机绝缘物构成盖层30，则能够抑制p型杂质或n型杂质因用于形成n型非晶态半导体层13a的等离子体，从盖层30脱离。另外，无机绝缘物由于具有比半导体材料更高的耐等离子体性，所以还能够抑制盖层30的构成元素的脱离。从而，盖层30能够抑制在基板10与n型非晶态半导体层13a之间含有p型杂质或n型杂质等不期望的杂质。由此，由于能够按照设计形成基板10与n型非晶态半导体层13a之间的结(接合)，所以能够进一步提高太阳能电池特性。
(太阳能电池的制造方法)
接着，参照图3～图5说明第一实施方式的太阳能电池100的制造方法。
首先，作为基板10，准备预先在受光面A形成有晶体组织(texture)构造的n型单晶硅基板。
然后，如图3所示，在基板10的受光面A的大致整个面上，通过CVD法形成由具有3nm～5nm厚度的i型非晶态硅层构成的钝化膜15a，进而，通过CVD法依次叠层由具有50nm～150nm厚度的硅氮化物的层构成的光反射防止膜15b。由钝化膜15a和光反射防止膜15b构成光入射侧构造体15。钝化膜15a由于含有氢，所以具有钝化基板10的功能。另外，光反射防止膜15b具有反射防止功能。另外，i型非晶态硅层和硅氮化物层的叠层构造是光入射侧构造体15的1个例子。
然后，在基板10的背面B的大致整个面上，用CVD法形成由具有3nm～50nm厚度的i型非晶态硅构成的i型非晶态半导体层11。i型非晶态半导体层11由于含有氢，所以具有钝化基板10的功能。
然后，如图4所示，在i型非晶态半导体层11的表面上，通过使用掩模的CVD法，按照规定的图案依次形成由具有2nm～50nm厚度的p型非晶态硅构成的p型非晶态半导体层12a和由具有0.5nm～5nm厚度的i型非晶态硅构成的盖层30。所谓规定的图案，是与基板10的背面B的第一区域B1相对应的图案。
进而，如图5所示，通过CAD法，形成由具有2nm～50nm厚度的n型非晶态硅构成的n型非晶态半导体层13a，使其从i型非晶态半导体层11的表面上跨越盖层30的表面上。
最后，通过溅射法或印刷法等方法，在n型非晶态半导体层13a的表面上，按照规定图案形成p侧电极20a和n侧电极20b。由此，制造第一实施方式的太阳能电池100。
(作用和效果)
在第一实施方式的太阳能电池100中，在p型非晶态半导体层12a的上表面与n型非晶态半导体层13a之间形成有盖层30。盖层30构成为抑制包含在成为基底的p型非晶态半导体层12a中的掺杂用杂质的脱离。由此，能够抑制不期望的搀杂用杂质混入到基板10与n型非晶态半导体层13a之间。具体来说，在基板10的背面B的第二区域B2上，能够抑制不期望的p型杂质混入到i型非晶态半导体层11的表面与n型非晶态半导体层13a的表面之间。即，由于能够良好地维持基板10与n型非晶态半导体层13a之间的结特性，所以能够提供具有良好的太阳能电池特性的太阳能电池。
[第二实施方式]
接着，参照图6说明本发明第二实施方式的太阳能电池150。
(太阳能电池的结构)
如图6所示，在第二实施方式的太阳能电池150中，盖层31形成在p型非晶态半导体层12a的上表面和侧面与n型非晶态半导体层13a之间。另外，第二实施方式的其他结构与上述第一实施方式相同。
(太阳能电池的制造方法)
接着，说明第二实施方式的太阳能电池150的制造方法。
首先，与第一实施方式相同，在基板10的受光面A的大致整个面上形成光入射侧构造体15。另外，在基板10的背面B的大致整个面上，通过CVD法形成i型非晶态半导体层11。然后，在i型非晶态半导体层11的表面上，按照规定的图案形成p型非晶态半导体层12a。
这里，在第二实施方式中，在p型非晶态半导体层12a的上表面和侧面形成由i型非晶态硅构成的盖层31。然后，从i型非晶态半导体层11的表面上跨越盖层31的表面上地形成n型非晶态半导体层13a。
最后，与第一实施方式相同，在n型非晶态半导体层13a的表面上，按照规定的图案形成p侧电极20a和n侧电极20b。由此，制造第二实施方式的太阳能电池150。
(作用和效果)
在第二实施方式中，与第一实施方式不同，由于不仅是在p型非晶态半导体层12a的上表面与n型非晶态半导体层13a之间，在p型非晶态半导体层12a的侧面与n型非晶态半导体层13a之间，也形成不含有p型杂质的盖层31，所以能够进一步抑制不期望的p型杂质混入到基板10与n型非晶态半导体层13a之间。
[第三实施方式]
接着，参照图7～图11说明本发明第三实施方式的太阳能电池200。以下主要说明与第一实施方式的不同点。
(太阳能电池的结构)
图7是本发明第三实施方式的太阳能电池200的截面图。如图7所示，在基板10的背面B的第一区域B1的表面上，依次叠层有i型非晶态半导体层12b和p型非晶态半导体层12a。即，i型非晶态半导体层12b形成在半导体基板10与p型非晶态半导体层12a之间。另外，在p型非晶态半导体层12a的上表面上形成有盖层30。另外，i型非晶态半导体层13b和n型非晶态半导体层13a叠层为从基板10的背面B上(与形成p型非晶态半导体层12a的第一区域B1相邻的第二区域B2上)跨越盖层30的表面上。另外，i型非晶态半导体层12b是本发明的“第四半导体层”的1个例子，i型非晶态半导体层13b是本发明的“第五半导体层”的1个例子。在第三实施方式中，i型非晶态半导体层12b和i型非晶态半导体层13b构成本发明的“第三半导体层”。
(太阳能电池的制造方法)
接着，参照图8～图11，说明第三实施方式的太阳能电池200的制造方法。
首先，与第一实施方式相同，准备由预先在受光面A形成有晶体组织构造的n型单晶硅构成的基板10。然后，如图8所示，在基板10的受光面A的大致整个面上形成光入射侧构造体15。
接着，在基板10的背面B的大致整个面，通过CVD法，依次形成由具有3nm～50nm厚度的i型非晶态硅构成的i型非晶态半导体层12b、具有2nm～50nm厚度的p型非晶态半导体层12a和具有0.5nm～5nm厚度的盖层30。另外，盖层30不积极导入p型和n型搀杂用杂质地形成。
然后，如图9所示，在盖层30的表面上，按照规定的图案形成抗蚀剂膜40。所谓规定的图案，是与基板10的背面B的第一区域B1的图案相对应的图案。
接着，如图10所示，将从抗蚀剂膜40露出的i型非晶态半导体层12b、p型非晶态半导体层12a和盖层30蚀刻除去，然后，除去抗蚀剂膜40。通过该工序，在基板10的背面B的第一区域B1的表面上形成i型非晶态半导体层12b、p型非晶态半导体层12a和盖层30的叠层膜。
另外，图10表示将i型非晶态半导体层12b、p型非晶态半导体层12a和盖层30的叠层膜蚀刻除去，直到基板10的背面B露出的例子，但也可以进行蚀刻除去以使得i型非晶态半导体层12b露出。在该工序中，至少除去p型非晶态半导体层12即可，也可以在基板10的背面B上残存有i型非晶态半导体层12b的一部分。
接着，如图11所示，通过CVD法，依次形成由具有3nm～50nm厚度的i型非晶态硅构成的i型非晶态半导体层13b和具有2nm～50nm厚度的n型非晶态半导体层13a，使其从基板10的背面B的表面上跨越盖层30的表面上。具体来说，在基板10的背面B的大致整个面上形成i型非晶态半导体层13b和n型非晶态半导体层13a。
最后，通过溅射法或印刷法等方法，在n型非晶态半导体层13a的表面上，按照规定的图案形成p侧电极20a和n侧电极20b。由此，制造第三实施方式的太阳能电池200。
(作用和效果)
第三实施方式的太阳能电池200与第一实施方式相同，由于能够通过盖层30抑制在基板10与n型非晶态半导体层13a之间含有不期望的搀杂杂质，所以能够使太阳能电池特性提高。
[第四实施方式]
接着，参照图12和图13说明本发明第四实施方式的太阳能电池250。
(太阳能电池的结构)
如图12所示，在第四实施方式的太阳能电池250中，由绝缘体形成盖层32。具体来说，盖层32由金属氧化物或金属氮化物等绝缘材料构成。另外，在n型非晶态半导体层13a、i型非晶态半导体层13b和盖层32形成有接触孔50。p侧电极层20c形成为经由接触孔50与p型非晶态半导体层12a接触。具体来说，p侧电极层20c形成为填充接触孔50内。另外，第四实施方式的其他结构与上述第三实施方式相同。
(太阳能电池的制造方法)
接着，参照图13，说明第四实施方式的太阳能电池250的制造方法。
首先，与第三实施方式相同，在基板10的受光面A的大致整个面上形成光入射侧构造体15。接着，在基板10的背面B上，依次形成i型非晶态半导体层12b、p型非晶态半导体层12a、盖层32、i型非晶态半导体层13b和n型非晶态半导体层13a。另外，在第四实施方式中，与第三实施方式不同，由金属氧化物或金属氮化物等绝缘材料形成盖层32。
这里，在第四实施方式中，如图13所示，在n型非晶态半导体层13a、i型非晶态半导体层13b和盖层32通过蚀刻形成接触孔50。然后，以经由接触孔50与p型非晶态半导体层12a接触的方式形成p侧电极层20c。具体来说，将p侧电极层20c形成为填充接触孔50内。
然后，与第三实施方式同样，在n型非晶态半导体层13a的表面上，按照规定的图案形成n侧电极20b。由此，制造第四实施方式的太阳能电池250。
(作用和效果)
在第四实施方式的太阳能电池250中，由金属氧化物、金属氮化物等绝缘材料形成盖层32。另外，在太阳能电池250中，在n型非晶态半导体层13a、i型非晶态半导体层13b和盖层32形成接触孔50，将p侧电极层20c形成为填充接触孔50内。由此，由于能够使p侧电极层20c与p型非晶态半导体层12a直接接触，所以能够使载流子的收集效率提高。
[其他实施方式]
另外，应当认为本次公开的实施方式在所有的方面都是例示，而并非用于限制。本发明的范围不是由上述实施方式的说明来表示的，而是由权利要求的范围表示，还包括与权利要求的范围等同的含义和范围内的所有变更。
例如，在第一实施方式～第三实施方式中，在基板10的背面B的第一区域B1上形成p型非晶态半导体层12a和盖层30，以从基板10的背面B的第二区域B2上跨越盖层30的表面上的方式形成n型非晶态半导体层13a，p型非晶态半导体层12a和n型非晶态半导体层13a的配置关系也可以相反。即，也可以在基板10的背面B的第一区域B1上形成n型非晶态半导体层13a和盖层30，以从基板10的背面B的第二区域B2上跨越盖层30的表面上的方式形成p型非晶态半导体层12a。在这样的结构中，由于也能够通过盖层30来抑制不期望的n型杂质混入到基板10的表面与p型非晶态半导体层12a之间，所以能够提供具有优异的太阳能电池特性的太阳能电池。
实施例
(实施例样品)
以下，说明本发明的实施例。在本实施例中，如以下那样制造图7表示的太阳能电池200。
首先，对由具有200μm左右厚度的n型单晶硅构成的基板10实施各向异性蚀刻处理，在基板10的受光面A和背面B形成晶体组织构造。
然后，作为原料气体，使用SiH4和H2的混合气体，通过等离子体CVD，在基板10的受光面A上形成由具有10nm厚度的i型非晶态硅构成的i型非晶态半导体层15a。
然后，作为原料气体，使用SiH4、H2和B2H6，通过等离子体CVD法，在基板10的背面B的第一区域B1上，依次形成具有20nm厚度的i型非晶态硅层12b、由具有10nm厚度的p型非晶态硅构成的p型非晶态半导体层12a和由i型非晶态硅构成的盖层30。另外，在本实施例中使用掩模，将i型非晶态半导体层12b、p型非晶态半导体层12a和盖层30形成为规定的图案。另外，在形成盖层30时，使盖层30的厚度变化为0.5nm、1nm、1.5nm、2nm、2.5nm、3nm、3.5nm、4nm、4.5nm、5nm、6nm、7nm和8nm，制作出盖层30的厚度不同的13个样品。
然后，使用SiH4、H2和PH3作为原料气体，通过等离子体CVD法，以从基板10的背面B的第二区域B2的表面上跨越盖层30的表面上的方式，依次形成由具有3nm厚度的i型非晶态硅构成的i型非晶态半导体层13b和由具有20nm厚度的n型非晶态硅构成的n型非晶态半导体层13a。另外，使PH3的导入量为0进行i型非晶态半导体层13b的形成。
最后，通过印刷法图案形成了p侧电极20a和n侧电极20b。
如上所述，制造出实施例样品。
(比较例样品)
作为比较例样品，除了没有设置盖层30以外，与上述实施例同样，制造出比较例样品。
(结果)
以下，说明对于实施例样品和比较例样品测定太阳能电池特性的结果。
图14是表示对于实施例样品和比较例样品测定太阳能电池特性的结果的特性图。该图的纵轴是太阳能电池的输出的相对值，是将盖层30的厚度为0nm的比较例样品的输出归一(规格)化为1的值。另外，横轴是盖层30的厚度(nm)。
如图14所示，可知通过设置盖层30，可提高太阳能电池特性。通常认为这是由于通过设置盖层30，能够抑制在基板10与n型非晶态半导体层13a之间含有不期望的搀杂杂质。
此外，可知即使盖层30的厚度较小，与比较例样品相比，输出也提高。从而，盖层30的厚度只要为几nm以上。
另外，可知通过使盖层30的厚度为5nm以下，与比较例样品相比，输出得到提高。另外，如果盖层30的厚度大于5nm，则与比较例样品相比，输出会降低。像这样输出降低的理由，通常认为是由于盖层30的厚度增加，导致p侧电极20a与p型非晶态硅层12之间的电阻增加。
从而，盖层的厚度优选是几nm以上5nm以下的范围，更优选是0.5nm以上4nm以下的范围，最优选是1.5nm以上3.5nm以下的范围。

Claims (15)

1.一种太阳能电池(100、150、200、250)，其特征在于，包括：
具有受光面和背面的半导体基板(10)；
在所述半导体基板的背面上的规定区域形成的第一导电型的第一半导体层(12a)；
从所述半导体基板的背面上跨越所述第一半导体层的表面上地形成的第二导电型的第二半导体层(13a)；和
形成在所述第一半导体层与所述第二半导体层之间，实质上不含有所述第一导电型杂质的盖层(30、31、32)，
所述盖层由绝缘体构成。
2.根据权利要求1所述的太阳能电池，其特征在于：
所述盖层形成在所述第一半导体层的至少上表面与所述第二半导体层之间。
3.根据权利要求2所述的太阳能电池，其特征在于：
所述盖层形成在所述第一半导体层的上表面及侧面与所述第二半导体层之间。
4.根据权利要求1所述的太阳能电池，其特征在于：
所述第二半导体层和所述盖层包括接触孔(50)，
还具备以经由所述接触孔与所述第一半导体层接触的方式形成的电极层(20c)。
5.根据权利要求1所述的太阳能电池，其特征在于：
所述盖层的厚度比所述第一半导体层和所述第二半导体层的厚度小。
6.根据权利要求1所述的太阳能电池，其特征在于：
还包括本征的第三半导体层(11)，该第三半导体层(11)形成在所述半导体基板与所述第一半导体层及所述第二半导体层之间。
7.根据权利要求6所述的太阳能电池，其特征在于：
所述第三半导体层，在所述半导体基板的背面上的形成有所述第一半导体层的所述规定区域和与所述规定区域相邻的区域形成，
所述第二半导体层从所述第三半导体层的表面上跨越所述盖层的表面上地形成。
8.根据权利要求6所述的太阳能电池，其特征在于：
所述第三半导体层包括第四半导体层(12b)，该第四半导体层(12b)在所述半导体基板的背面上的形成有所述第一半导体层的所述规定区域形成。
9.根据权利要求8所述的太阳能电池，其特征在于：
所述第三半导体层还包括第五半导体层(13b)，该第五半导体层(13b)从所述半导体基板的背面上的与形成有所述第一半导体层的所述规定区域相邻的区域跨越所述盖层的表面上地形成。
10.根据权利要求6所述的太阳能电池，其特征在于：
所述第三半导体层是非晶态半导体层。
11.根据权利要求1所述的太阳能电池，其特征在于：
所述半导体基板是结晶系半导体基板。
12.根据权利要求11所述的太阳能电池，其特征在于：
所述半导体基板是第二导电型的单晶半导体基板。
13.根据权利要求1所述的太阳能电池，其特征在于：
还具备形成在所述半导体基板的受光面上的光入射侧构造体(15)。
14.根据权利要求13所述的太阳能电池，其特征在于：
所述光入射侧构造体至少含有光反射防止膜(15b)。
15.根据权利要求14所述的太阳能电池，其特征在于：
所述光入射侧构造体除了所述光反射防止膜以外，还含有钝化膜(15a)。
CN201080014742.XA 2009-03-30 2010-03-25 太阳能电池 Expired - Fee Related CN102369601B (zh)

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2009081023 2009-03-30
JP2009-081023 2009-03-30
PCT/JP2010/055195 WO2010113750A1 (ja) 2009-03-30 2010-03-25 太陽電池

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN102369601A CN102369601A (zh) 2012-03-07
CN102369601B true CN102369601B (zh) 2015-04-29

Family

ID=42828043

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201080014742.XA Expired - Fee Related CN102369601B (zh) 2009-03-30 2010-03-25 太阳能电池

Country Status (9)

Country Link
US (1) US8796539B2 (zh)
EP (1) EP2416373B1 (zh)
JP (1) JP5383792B2 (zh)
KR (1) KR101521326B1 (zh)
CN (1) CN102369601B (zh)
BR (1) BRPI1009416A2 (zh)
MY (1) MY152718A (zh)
SG (1) SG175041A1 (zh)
WO (1) WO2010113750A1 (zh)

Families Citing this family (81)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
BRPI1009416A2 (pt) 2009-03-30 2016-03-01 Sanyo Electric Co célula solar.
JP5485060B2 (ja) 2010-07-28 2014-05-07 三洋電機株式会社 太陽電池の製造方法
JP5334926B2 (ja) * 2010-08-02 2013-11-06 三洋電機株式会社 太陽電池の製造方法
JP5388970B2 (ja) * 2010-08-24 2014-01-15 三洋電機株式会社 太陽電池の製造方法
JP5595850B2 (ja) * 2010-09-27 2014-09-24 三洋電機株式会社 太陽電池の製造方法
JP5879515B2 (ja) * 2010-12-29 2016-03-08 パナソニックＩｐマネジメント株式会社 太陽電池の製造方法
WO2012132615A1 (ja) * 2011-03-25 2012-10-04 三洋電機株式会社 光電変換装置及びその製造方法
JPWO2012132835A1 (ja) * 2011-03-25 2014-07-28 三洋電機株式会社 太陽電池
WO2012132655A1 (ja) * 2011-03-25 2012-10-04 三洋電機株式会社 裏面接合型の光電変換素子及び裏面接合型の光電変換素子の製造方法
WO2012132616A1 (ja) * 2011-03-25 2012-10-04 三洋電機株式会社 光電変換素子の製造方法
WO2012132654A1 (ja) * 2011-03-25 2012-10-04 三洋電機株式会社 裏面接合型の光電変換素子及び裏面接合型の光電変換素子の製造方法
WO2012132613A1 (ja) * 2011-03-25 2012-10-04 三洋電機株式会社 光電変換素子の製造方法
EP2690667A4 (en) * 2011-03-25 2014-10-08 Sanyo Electric Co METHOD FOR PRODUCING PHOTOELECTRIC CONVERSION DEVICE
WO2012132064A1 (ja) * 2011-03-25 2012-10-04 三洋電機株式会社 光起電力素子
JP5820989B2 (ja) 2011-03-25 2015-11-24 パナソニックＩｐマネジメント株式会社 光電変換素子の製造方法
JP5820988B2 (ja) * 2011-03-28 2015-11-24 パナソニックＩｐマネジメント株式会社 光電変換装置及びその製造方法
JP2012204764A (ja) * 2011-03-28 2012-10-22 Sanyo Electric Co Ltd 太陽電池及び太陽電池の製造方法
WO2012132834A1 (ja) * 2011-03-28 2012-10-04 三洋電機株式会社 太陽電池及び太陽電池の製造方法
JP5842173B2 (ja) * 2011-03-28 2016-01-13 パナソニックＩｐマネジメント株式会社 光電変換装置及び光電変換装置の製造方法
JPWO2012132758A1 (ja) * 2011-03-28 2014-07-28 三洋電機株式会社 光電変換装置及び光電変換装置の製造方法
WO2012132766A1 (ja) * 2011-03-28 2012-10-04 三洋電機株式会社 光電変換装置及び光電変換装置の製造方法
US9012769B2 (en) * 2011-05-25 2015-04-21 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Photoelectric conversion device
JP2013030615A (ja) * 2011-07-28 2013-02-07 Sanyo Electric Co Ltd 太陽電池
JP5892584B2 (ja) * 2011-09-26 2016-03-23 デクセリアルズ株式会社 太陽電池モジュール、太陽電池モジュールの製造方法
JP5927027B2 (ja) 2011-10-05 2016-05-25 株式会社半導体エネルギー研究所 光電変換装置
CN106252457B (zh) * 2011-12-21 2018-10-12 太阳能公司 混合型多晶硅异质结背接触电池
FR2985608B1 (fr) * 2012-01-05 2016-11-18 Commissariat Energie Atomique Cellule photovoltaique et procede de realisation
JP2013168605A (ja) * 2012-02-17 2013-08-29 Sharp Corp 太陽電池の製造方法
WO2013133005A1 (ja) * 2012-03-08 2013-09-12 三洋電機株式会社 半導体装置の製造方法
GB2503515A (en) * 2012-06-29 2014-01-01 Rec Cells Pte Ltd A rear contact heterojunction solar cell
KR20140019099A (ko) * 2012-08-02 2014-02-14 삼성에스디아이 주식회사 광전소자
JP6042679B2 (ja) * 2012-09-26 2016-12-14 シャープ株式会社 光電変換素子および光電変換素子の製造方法
US9806210B2 (en) * 2013-03-04 2017-10-31 Sharp Kabushiki Kaisha Photoelectric conversion element
JP2014183073A (ja) * 2013-03-18 2014-09-29 Sharp Corp 光電変換素子および光電変換素子の製造方法
NL2010496C2 (en) * 2013-03-21 2014-09-24 Stichting Energie Solar cell and method for manufacturing such a solar cell.
CN104995747B (zh) * 2013-03-28 2016-12-14 夏普株式会社 光电转换元件
WO2014157525A1 (ja) * 2013-03-28 2014-10-02 シャープ株式会社 光電変換素子
CN104112789B (zh) * 2013-04-17 2016-04-27 茂迪股份有限公司 太阳能电池及其制造方法
JP6206843B2 (ja) * 2013-09-09 2017-10-04 パナソニックＩｐマネジメント株式会社 太陽電池
JP6404825B2 (ja) * 2013-10-25 2018-10-17 シャープ株式会社 光電変換素子
WO2015060013A1 (ja) * 2013-10-25 2015-04-30 シャープ株式会社 光電変換素子
JP2015109948A (ja) * 2013-10-31 2015-06-18 キヤノン株式会社 被検体情報取得装置
JP2015177175A (ja) * 2014-03-18 2015-10-05 シャープ株式会社 光電変換素子および光電変換素子の製造方法
JPWO2015189878A1 (ja) * 2014-06-13 2017-04-20 国立大学法人福島大学 太陽電池及びその製造方法
JP5957102B2 (ja) * 2015-01-21 2016-07-27 シャープ株式会社 太陽電池の製造方法
CN107210331B (zh) * 2015-03-31 2019-06-28 株式会社钟化 太阳能电池及其制造方法
CN107924958B (zh) * 2015-08-31 2020-02-04 夏普株式会社 光电转换元件
CN108352413B (zh) * 2015-10-25 2021-11-02 索拉昂德有限公司 双面电池制造方法
EP3163632A1 (en) 2015-11-02 2017-05-03 CSEM Centre Suisse d'Electronique et de Microtechnique SA - Recherche et Développement Photovoltaic device and method for manufacturing the same
EP3223318A1 (en) * 2016-03-23 2017-09-27 Meyer Burger (Germany) AG Hetero junction photovoltaic cell and method of manufacturing same
WO2017203751A1 (ja) * 2016-05-23 2017-11-30 株式会社カネカ 太陽電池及びその製造方法、並びに太陽電池パネル
CN110047965A (zh) * 2018-01-16 2019-07-23 福建金石能源有限公司 一种新型的背接触异质结电池及其制作方法
US10747531B1 (en) 2018-04-03 2020-08-18 Xilinx, Inc. Core for a data processing engine in an integrated circuit
US11061673B1 (en) 2018-04-03 2021-07-13 Xilinx, Inc. Data selection network for a data processing engine in an integrated circuit
US11379389B1 (en) 2018-04-03 2022-07-05 Xilinx, Inc. Communicating between data processing engines using shared memory
US10990552B1 (en) 2018-04-03 2021-04-27 Xilinx, Inc. Streaming interconnect architecture for data processing engine array
US10747690B2 (en) 2018-04-03 2020-08-18 Xilinx, Inc. Device with data processing engine array
US10579559B1 (en) 2018-04-03 2020-03-03 Xilinx, Inc. Stall logic for a data processing engine in an integrated circuit
US11372803B2 (en) 2018-04-03 2022-06-28 Xilinx, Inc. Data processing engine tile architecture for an integrated circuit
US10866753B2 (en) 2018-04-03 2020-12-15 Xilinx, Inc. Data processing engine arrangement in a device
US10635622B2 (en) 2018-04-03 2020-04-28 Xilinx, Inc. System-on-chip interface architecture
US11016822B1 (en) 2018-04-03 2021-05-25 Xilinx, Inc. Cascade streaming between data processing engines in an array
US10824584B1 (en) 2018-04-03 2020-11-03 Xilinx, Inc. Device with data processing engine array that enables partial reconfiguration
US11113223B1 (en) 2018-04-03 2021-09-07 Xilinx, Inc. Dual mode interconnect
US11567881B1 (en) 2018-04-03 2023-01-31 Xilinx, Inc. Event-based debug, trace, and profile in device with data processing engine array
KR102244132B1 (ko) * 2019-04-29 2021-04-23 홍익대학교 산학협력단 듀얼포토다이오드의 제조방법, 그에 따른 듀얼포토다이오드, 듀얼포토다이오드를 이용한 파장 및 세기 측정방법
US11188312B2 (en) 2019-05-23 2021-11-30 Xilinx, Inc. Hardware-software design flow with high-level synthesis for heterogeneous and programmable devices
US11301295B1 (en) 2019-05-23 2022-04-12 Xilinx, Inc. Implementing an application specified as a data flow graph in an array of data processing engines
US10891132B2 (en) 2019-05-23 2021-01-12 Xilinx, Inc. Flow convergence during hardware-software design for heterogeneous and programmable devices
US10891414B2 (en) 2019-05-23 2021-01-12 Xilinx, Inc. Hardware-software design flow for heterogeneous and programmable devices
US10977018B1 (en) 2019-12-05 2021-04-13 Xilinx, Inc. Development environment for heterogeneous devices
CN111799348A (zh) * 2020-06-10 2020-10-20 中国科学院微电子研究所 一种异质结背接触太阳能电池及其形成方法
US11443091B1 (en) 2020-07-31 2022-09-13 Xilinx, Inc. Data processing engines with cascade connected cores
US11496418B1 (en) 2020-08-25 2022-11-08 Xilinx, Inc. Packet-based and time-multiplexed network-on-chip
US11288222B1 (en) 2020-09-28 2022-03-29 Xilinx, Inc. Multi-die integrated circuit with data processing engine array
US11336287B1 (en) 2021-03-09 2022-05-17 Xilinx, Inc. Data processing engine array architecture with memory tiles
US11520717B1 (en) 2021-03-09 2022-12-06 Xilinx, Inc. Memory tiles in data processing engine array
US20230057903A1 (en) 2021-08-20 2023-02-23 Xilinx, Inc. Controlling a data processing array using an array controller
CN113964216B (zh) * 2021-09-22 2023-10-27 泰州隆基乐叶光伏科技有限公司 一种背接触电池及其制作方法
CN113921625B (zh) * 2021-09-30 2023-10-27 泰州隆基乐叶光伏科技有限公司 一种背接触电池及其制作方法
US11848670B2 (en) 2022-04-15 2023-12-19 Xilinx, Inc. Multiple partitions in a data processing array

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1144573A (zh) * 1994-03-25 1997-03-05 阿莫科/恩龙太阳公司 稳定非晶硅及含稳定非晶硅的器件
CN1601759A (zh) * 2003-09-24 2005-03-30 三洋电机株式会社 光生伏打元件及其制造方法
CN1826699A (zh) * 2003-07-24 2006-08-30 株式会社钟化 硅类薄膜太阳能电池

Family Cites Families (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2984537B2 (ja) * 1994-03-25 1999-11-29 キヤノン株式会社 光起電力素子
JP3753605B2 (ja) * 2000-11-01 2006-03-08 シャープ株式会社 太陽電池およびその製造方法
JP4155899B2 (ja) * 2003-09-24 2008-09-24 三洋電機株式会社 光起電力素子の製造方法
JP3998619B2 (ja) 2003-09-24 2007-10-31 三洋電機株式会社 光起電力素子およびその製造方法
JP2006324590A (ja) * 2005-05-20 2006-11-30 Sharp Corp 裏面電極型太陽電池とその製造方法
DE102005025125B4 (de) * 2005-05-29 2008-05-08 Hahn-Meitner-Institut Berlin Gmbh Verfahren zur Herstellung einer einseitig kontaktierten Solarzelle und einseitig kontaktierte Solarzelle
JP4999937B2 (ja) * 2008-01-30 2012-08-15 京セラ株式会社 太陽電池素子および太陽電池素子の製造方法
BRPI1009416A2 (pt) * 2009-03-30 2016-03-01 Sanyo Electric Co célula solar.

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1144573A (zh) * 1994-03-25 1997-03-05 阿莫科/恩龙太阳公司 稳定非晶硅及含稳定非晶硅的器件
CN1826699A (zh) * 2003-07-24 2006-08-30 株式会社钟化 硅类薄膜太阳能电池
CN1601759A (zh) * 2003-09-24 2005-03-30 三洋电机株式会社 光生伏打元件及其制造方法

Also Published As

Publication number Publication date
EP2416373A1 (en) 2012-02-08
EP2416373A4 (en) 2016-11-02
MY152718A (en) 2014-11-28
BRPI1009416A2 (pt) 2016-03-01
US8796539B2 (en) 2014-08-05
US20120012179A1 (en) 2012-01-19
JP5383792B2 (ja) 2014-01-08
KR101521326B1 (ko) 2015-05-18
WO2010113750A1 (ja) 2010-10-07
SG175041A1 (en) 2011-11-28
JPWO2010113750A1 (ja) 2012-10-11
CN102369601A (zh) 2012-03-07
EP2416373B1 (en) 2019-12-25
KR20120003871A (ko) 2012-01-11

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN102369601B (zh) 太阳能电池
US11605750B2 (en) Solar cell having an emitter region with wide bandgap semiconductor material
CN109524480A (zh) 一种局域接触钝化的p型晶硅太阳电池及其制备方法
US20140295609A1 (en) Solar cell emitter region fabrication using silicon nano-particles
US8642378B1 (en) Field-effect inter-digitated back contact photovoltaic device
JP2008053730A (ja) 単一コンフォーマル接合のナノワイヤ光起電力装置
US20150340531A1 (en) Method of manufacturing solar cell and solar cell
CN103119727A (zh) 光电转换装置的制造方法
JPH09511102A (ja) 埋設接触子を有する薄膜多層太陽電池
WO2007026480A1 (ja) シリコン系薄膜光電変換装置、及びその製造方法
CN105390558A (zh) 太阳能电池及其制造方法
CN103548149A (zh) 太阳能电池
TW201618314A (zh) 具結晶矽的太陽能電池之光接收表面之鈍化
CN104145344B (zh) 光伏器件
JPH03181180A (ja) 太陽電池およびその製造方法
KR100886383B1 (ko) 적층구조를 갖는 결정질 태양전지 및 그 제조 방법
CN102569364B (zh) 一种高迁移率衬底结构及其制备方法
US20190386160A1 (en) Solar cell
US20150349146A1 (en) Solar cell
US11139405B2 (en) Method for fabricating nanopillar solar cell using graphene
US8912529B2 (en) Selective emitter photovoltaic device
CN104617167A (zh) 形成光伏器件的方法以及光伏器件
JP4110718B2 (ja) 多接合型薄膜太陽電池の製造方法
KR20150052415A (ko) 태양전지
KR102105092B1 (ko) 유기물 및 다공성 질화물을 이용한 광전소자 및 그 제조방법

Legal Events

Date Code Title Description
C06 Publication
PB01 Publication
C10 Entry into substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
C14 Grant of patent or utility model
GR01 Patent grant
CF01 Termination of patent right due to non-payment of annual fee
CF01 Termination of patent right due to non-payment of annual fee

Granted publication date: 20150429