JP5957102B2 - 太陽電池の製造方法 - Google Patents
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Description
oxide)層である透明電極層を形成する。続いて、印刷法や塗布法などを用いて、透明電極層上に銀ペーストである導電層を配ける。このようにして、太陽電池100を形成した。
3×1019/cm3である。したがって、i型アモルファスシリコン膜19とp型アモルファスシリコン膜8の、アルカリ溶液によるエッチング速度の違いを利用して、パターニングすることができた。なお、i型、p型、n型、いずれのアモルファス膜の場合も、アルカリ性溶液の処理温度は35℃である。
Claims (5)
- 半導体基板の一表面の上に、第1導電型アモルファスシリコン膜を積層する第1工程と、
前記第1導電型アモルファスシリコン膜の一部を除去する第2工程と、
前記半導体基板の一表面の上及び前記第1導電型アモルファスシリコン膜上に、第2導電型アモルファスシリコン膜を積層する第3工程と、
前記第2導電型アモルファスシリコン膜をアルカリ性溶液により一部をエッチングして除去する第4工程と、
前記エッチングにより露出させた膜の表面に接するように電極を形成する第5工程を備えた太陽電池の製造方法。 - 前記第3工程は、前記半導体基板の一表面の上及び前記第1導電型アモルファスシリコン膜上に、i型アモルファスシリコン膜と前記第2導電型アモルファスシリコン膜を順次積層する工程である請求項1に記載の太陽電池の製造方法。
- 前記第1工程は、半導体基板の一表面の上に、i型アモルファスシリコン膜と前記第1導電型アモルファスシリコン膜を順次積層する工程である請求項1または請求項2に記載の太陽電池の製造方法。
- 前記第1導電型アモルファスシリコン膜のドーパント濃度は、5×1017/cm3より大きい請求項1から3のいずれか1項に記載の太陽電池の製造方法。
- 前記前記第1導電型はp型であり、前記第2導電型はn型である請求項1から4のいずれか1項に記載の太陽電池の製造方法。
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