JPWO2012132835A1 - 太陽電池 - Google Patents
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Abstract
改善された光電変換効率を有する太陽電池を提供する。太陽電池１は、一の導電型を有する半導体材料からなる基板１０と、一の導電型を有する第１の半導体層１２ｎと、一の導電型を有する第２の半導体層１７ｎとを含む。第１の半導体層１２ｎは、基板１０の一の主面の上に配されている。第２の半導体層１７ｎは、基板１０の他の主面の上に配されている。太陽電池１は、第２の半導体層１７ｎにより形成される電界の強度が第１の半導体層１２ｎにより形成される電界の強度よりも強くなるように構成されている。
Description
本発明は、太陽電池に関する。
従来、裏面接合型の太陽電池が知られている（例えば、下記の特許文献１）。この裏面接合型の太陽電池では、受光面側に電極を設ける必要がない。このため、裏面接合型の太陽電池では、光の受光効率を高めることができる。従って、より改善された光電変換効率を実現し得る。
裏面接合型の太陽電池の光電変換効率をさらに高めたいという要望がある。
本発明は、斯かる点に鑑みてなされたものであり、その目的は、改善された光電変換効率を有する太陽電池を提供することにある。
本発明に係る太陽電池は、半導体材料からなる基板と、第１の半導体層と、第２の半導体層とを含む。基板は、一の導電型を有する。第１の半導体層は、基板の一の主面の上に配されている。第１の半導体層は、一の導電型を有する。第２の半導体層は、基板の他の主面の上に配されている。第２の半導体層は、一の導電型を有する。本発明に係る太陽電池は、第２の半導体層により形成される電界の強度が第１の半導体層により形成される電界の強度よりも強くなるように構成されている。
本発明によれば、改善された光電変換効率を有する太陽電池を提供することができる。
以下、本発明の好ましい実施形態の一例について説明する。但し、下記の実施形態は、単なる一例である。本発明は、下記の実施形態に何ら限定されない。
また、実施形態等において参照する各図面において、実質的に同一の機能を有する部材は同一の符号で参照することとする。また、実施形態等において参照する図面は、模式的に記載されたものである。図面に描画された物体の寸法の比率などは、現実の物体の寸法の比率などとは異なる場合がある。図面相互間においても、物体の寸法比率等が異なる場合がある。具体的な物体の寸法比率等は、以下の説明を参酌して判断されるべきである。
《第１の実施形態》
（太陽電池１の構成）
図１は、第１の実施形態における太陽電池の略図的平面図である。図２は、図１の線ＩＩ−ＩＩにおける略図的断面図である。
（太陽電池１の構成）
図１は、第１の実施形態における太陽電池の略図的平面図である。図２は、図１の線ＩＩ−ＩＩにおける略図的断面図である。
太陽電池１は、裏面接合型の太陽電池である。なお、本実施形態の太陽電池１単体では、十分に大きな出力が得られない場合は、太陽電池１は、複数の太陽電池１が配線材により接続された太陽電池モジュールとして利用されることもある。
太陽電池１は、太陽電池基板９を備えている。太陽電池基板９は、半導体基板１０を有する。半導体基板１０は、一の導電型を有する。すなわち、半導体基板１０は、ｎ型またはｐ型の導電型を有する。具体的には、本実施形態では、半導体基板１０は、ｎ型の結晶シリコン基板により構成されている。
半導体基板１０は、第１の主面１０ａと、第２の主面１０ｂとを有する。第２の主面１０ｂの一部分の上には、半導体層１２と、半導体層１３とが配されている。
半導体層１２は、半導体基板１０と同じ導電型のｎ型半導体層１２ｎと、ｉ型半導体層１２ｉとを有する。ｎ型半導体層１２ｎは、ｎ型のドーパントを含む半導体層である。ｎ型半導体層１２ｎは、例えば、ｎ型ドーパントを含むアモルファスシリコンにより構成することができる。ｎ型半導体層１２ｎの厚みは、２ｎｍ〜２０ｎｍであることが好ましく、３ｎｍ〜１０ｎｍであることがより好ましい。
ｉ型半導体層１２ｉは、ｎ型半導体層１２ｎと第２の主面１０ｂとの間に配されている。ｉ型半導体層１２ｉは、例えば、ｉ型アモルファスシリコンにより構成することができる。ｉ型半導体層１２ｉの厚みは、発電に実質的に寄与しない程度の厚みである限りにおいて特に限定されない。ｉ型半導体層１２ｉの厚みは、例えば、数Å〜２５０Å程度とすることができる。
半導体層１３は、半導体基板１０とは異なる導電型のｐ型半導体層１３ｐと、ｉ型半導体層１３ｉとを有する。ｐ型半導体層１３ｐは、ｐ型のドーパントを含む半導体層である。ｐ型半導体層１３ｐは、例えば、ｐ型のドーパントを含むアモルファスシリコンにより構成することができる。ｐ型半導体層１３ｐの厚みは、２ｎｍ〜２０ｎｍであることが好ましく、３ｎｍ〜２０ｎｍであることがより好ましい。
ｉ型半導体層１３ｉは、ｐ型半導体層１３ｐと第２の主面１０ｂとの間に配されている。ｉ型半導体層１３ｉは、例えば、ｉ型アモルファスシリコンにより構成することができる。ｉ型半導体層１３ｉの厚みは、発電に実質的に寄与しない程度の厚みである限りにおいて特に限定されない。ｉ型半導体層１３ｉの厚みは、例えば、数Å〜２５０Å程度とすることができる。
半導体層１２ｉ、１２ｎ、１３ｉ、１３ｐのそれぞれは、水素を含むことが好ましい。この場合、半導体層１２ｉ、１２ｎ、１３ｉ、１３ｐのバンドギャップが大きくなる。よって、半導体基板１０の半導体層１２ｉ、１２ｎ、１３ｉ、１３ｐの下方に位置する部分におけるキャリアの再結合を効果的に抑制することができる。
なお、本発明において、「ｎ型半導体層」とは、ｎ型ドーパントの含有率が５×１０１９ｃｍ−３以上である半導体層をいう。
「ｐ型半導体層」とは、ｐ型ドーパントの含有率が５×１０１９ｃｍ−３以上である半導体層をいう。
「ｉ型半導体層」とは、ドーパントの含有率が１×１０１９ｃｍ−３未満である半導体層をいう。
半導体層１２と半導体層１３とのそれぞれは、一の方向（ｙ方向）に沿って延びる複数の線状部１２ａ、１３ａを有する。複数の線状部１２ａ、１３ａは、他の方向（ｘ方向）に沿って交互に配列されている。ｘ方向に隣り合う線状部１２ａと線状部１３ａとは、接触している。すなわち、本実施形態では、第２の主面１０ｂの実質的に全体が半導体層１２，１３によって覆われている。なお、半導体層１３の線状部１３ａの幅Ｗ１（図２を参照）と、半導体層１２の線状部１２ａの幅Ｗ２とのそれぞれは、５０μｍ〜２０００μｍであることが好ましく、１００μｍ〜１０００μｍであることがより好ましい。
線状部１３ａのｘ方向における中央部を除く両端部の上には、絶縁層１８が形成されている。線状部１３ａのｘ方向における中央部は、絶縁層１８から露出している。この絶縁層１８により、半導体層１２のｘ方向における端部と半導体層１３のｘ方向における端部とがｚ方向に隔離されている。
絶縁層１８のｘ方向における幅Ｗ３は特に限定されず、例えば、幅Ｗ１の約１／３程度とすることができる。また、絶縁層１８間のｘ方向における間隔Ｗ４も特に限定されず、例えば、幅Ｗ１の約１／３程度とすることができる。
絶縁層１８の材質は、特に限定されない。絶縁層１８は、例えば、ＳｉＯ２などの酸化ケイ素、ＳｉＮなどの窒化ケイ素、ＳｉＯＮなどの酸窒化ケイ素により形成することができる。また、絶縁層１８は、酸化チタンや酸化タンタルなどの金属酸化物により形成することもできる。なかでも、絶縁層１８は、窒化ケイ素により形成されていることが好ましい。また、絶縁層１８は、水素を含んでいることが好ましい。
太陽電池基板９の裏面９ｂは、ｎ型半導体層１２ｎの表面により構成されているｎ型表面９ｂｎと、ｐ型半導体層１３ｐの表面により構成されているｐ型表面９ｂｐとを含む。一方、太陽電池基板９の受光面９ａは、半導体基板１０の第１の主面１０ａにより構成されている。
なお、受光面９ａを構成している第１の主面１０ａは、テクスチャ構造を有している。
半導体基板１０の第１の主面１０ａの上には、半導体基板１０と同じ導電型のｎ型半導体層１７ｎが配されている。ｎ型半導体層１７ｎは、ｎ型のドーパントを含む半導体層である。ｎ型半導体層１７ｎは、例えば、ｎ型ドーパントを含むアモルファスシリコンにより構成することができる。なお、ｎ型半導体層１７ｎの厚みは、２ｎｍ〜２０ｎｍであることが好ましく、３ｎｍ〜１０ｎｍであることがより好ましい。
第１の主面１０ａとｎ型半導体層１７ｎとの間には、ｉ型半導体層１７ｉが配されている。ｉ型半導体層１７ｉは、例えば、ｉ型アモルファスシリコンにより構成することができる。ｉ型半導体層１７ｉの厚みは、発電に実質的に寄与しない程度の厚みである限りにおいて特に限定されない。ｉ型半導体層１７ｉの厚みは、例えば、数Å〜２５０Å程度とすることができる。
半導体層１７ｎの上には、反射防止膜としての機能と保護膜としての機能とを兼ね備えた絶縁層１６が形成されている。絶縁層１６は、例えば、ＳｉＯ２などの酸化ケイ素、ＳｉＮなどの窒化ケイ素、ＳｉＯＮなどの酸窒化ケイ素により形成することができる。絶縁層１６の厚みは、付与しようとする反射防止膜の反射防止特性などに応じて適宜設定することができる。絶縁層１６の厚みは、例えば８０ｎｍ〜１μｍ程度とすることができる。
半導体層１２の上には、ｎ側電極１４が配されている。ｎ側電極１４は、半導体層１２に電気的に接続されている。一方、半導体層１３の上には、ｐ側電極１５が配されている。ｐ側電極１５は、半導体層１３に電気的に接続されている。なお、絶縁層１８の上における電極１４と電極１５との間の間隔Ｗ５は、例えば、幅Ｗ３の１／３程度とすることができる。
本実施形態では、ｎ側電極１４とｐ側電極１５とのそれぞれは、バスバー及び複数のフィンガーを含むくし歯状に形成されている。もっとも、ｎ側電極１４とｐ側電極１５とのそれぞれは、複数のフィンガーのみにより構成されており、バスバーを有さない所謂バスバーレス型の電極であってもよい。
電極１４，１５は、例えば、Ｃｕ，Ａｇなどの金属や、それらの金属のうちの一種以上を含む合金により形成することができる。また、電極１４，１５は、例えば、ＩＴＯ（インジウム錫酸化物）などのＴＣＯ（Ｔｒａｎｓｐａｒｅｎｔ Ｃｏｎｄｕｃｔｉｖｅ Ｏｘｉｄｅ）等により形成することもできる。電極１４，１５は、上記金属、合金またはＴＣＯからなる複数の導電層の積層体により構成されていてもよい。
本実施形態では、ｎ型半導体層１７ｎの厚みＴ２が、ｎ型半導体層１２ｎの厚みＴ１よりも大きい（Ｔ２＞Ｔ１）。これにより、ｎ型半導体層１２ｎと、ｎ型半導体層１７ｎとは、ｎ型半導体層１７ｎにより形成される電界の強度がｎ型半導体層１２ｎにより形成される電界の強度よりも強くなるように構成されている。
このため、ｎ型半導体層１７ｎが厚く、キャリアが主として発生する半導体基板１０の受光面９ａ側（第１の主面１０ａ側）の部分における少数キャリア（ホール）の再結合を効果的に抑制できる。それと共に、半導体基板１０の受光面９ａ側（第１の主面１０ａ側）の部分において生じた少数キャリアをｐ側電極１５側に効率的に誘導することができる。よって、少数キャリアの収集効率を向上できる。
また、半導体基板１０とｎ側電極１４との間に介在しているｎ型半導体層１２ｎが薄いため、半導体基板１０とｎ側電極１４との間の電気抵抗が低い。
このように、本実施形態では、少数キャリアが再結合しにくく、少数キャリアが効率的に収集され、かつ、半導体基板１０とｎ側電極１４との間の電気抵抗が低い。従って、改善された光電変換効率を実現することができる。
より改善された光電変換効率を得る観点からは、ｎ型半導体層１７ｎの厚みＴ２は、ｎ型半導体層１２ｎの厚みＴ１の１．５倍以上であることが好ましく、２倍以上であることがより好ましい。但し、ｎ型半導体層１７ｎの厚みＴ２とｎ型半導体層１２ｎの厚みＴ１との差が大きくなりすぎると、ｎ型半導体層１２ｎが薄くなりすぎ、半導体基板１０のｎ型半導体層１２ｎの下方において少数キャリアが再結合により消失しやすくなる場合がある。また、ｎ型半導体層１７ｎの形成に要する時間が長くなりすぎる場合がある。従って、ｎ型半導体層１７ｎの厚みＴ２は、ｎ型半導体層１２ｎの厚みＴ１の１０倍以下であることが好ましく、５倍以下であることがより好ましい。
また、本実施形態では、ｎ型半導体層１２ｎにおける水素の含有率が、ｎ型半導体層１７ｎにおける水素の含有率よりも低くされている。すなわち、ｎ型半導体層１２ｎにおける水素の含有率が低くされており、ｎ型半導体層１７ｎにおける水素の含有率が高くされている。よって、半導体基板１０の受光面９ａ側（第１の主面１０ａ側）部分における少数キャリアの再結合を抑制すると共に、半導体基板１０とｎ側電極１４との間の電気抵抗をより低くすることができる。従って、さらに改善された光電変換効率を得ることができる。
また、ｉ型半導体層１２ｉがｉ型半導体層１７ｉよりも薄くされている。すなわち、ｉ型半導体層１２ｉが薄く、ｉ型半導体層１７ｉが厚い。よって、半導体基板１０の受光面９ａ側（第１の主面１０ａ側）部分における少数キャリアの再結合を抑制すると共に、半導体基板１０とｎ側電極１４との間の電気抵抗をより低くすることができる。従って、さらに改善された光電変換効率を得ることができる。
より改善された光電変換効率を得る観点からは、ｉ型半導体層１２ｉの厚みがｉ型半導体層１７ｉの厚みの３／４倍以下であることが好ましく、２／３倍以下であることがより好ましい。但し、ｉ型半導体層１２ｉが薄すぎると、キャリアが再結合により消失しやすくなる場合がある。このため、ｉ型半導体層１２ｉは、ｉ型半導体層１７ｉの厚みの１／４倍以上であることが好ましく、１／３倍以上であることがより好ましい。
また、本実施形態では、ｎ型半導体層１２ｎの幅（線状部１２ａの幅）Ｗ２は、ｐ型半導体層１３ｐの幅（線状部１３ａの幅）Ｗ１よりも小さい。このため、半導体基板１０の、厚みの薄いｎ型半導体層１２ｎの下方に位置する部分において生じた少数キャリアがｐ側電極１５により収集されるまでに移動しなければならない距離が短い。よって、少数キャリアの再結合による消失をより効果的に抑制することができる。従って、さらに改善された光電変換効率を実現することができる。
より改善された光電変換効率を得る観点からは、ｎ型半導体層１２ｎの幅Ｗ２は、ｐ型半導体層１３ｐの幅Ｗ１の０．７倍以下であることが好ましく、０．６倍以下であることがより好ましい。但し、ｎ型半導体層１２ｎの幅Ｗ２が小さくなりすぎると、ｎ型側における電極面積が小さくなり電気抵抗が増加し、変換効率が低下する場合がある。このため、ｎ型半導体層１２ｎの幅Ｗ２は、ｐ型半導体層１３ｐの幅Ｗ１の０．２倍以上であることが好ましく、０．４倍以上であることがより好ましい。
また、ｎ型半導体層１２ｎの幅（線状部１２ａの幅）Ｗ２は、半導体基板１０の厚みＴ３の２倍よりも小さい。すなわち、ｎ型半導体層１２ｎは、Ｗ２／２がＴ３よりも小さくなるように構成されている。このため、少数キャリアの再結合による消失をより効果的に抑制することができる。従って、さらに改善された光電変換効率を実現することができる。
より改善された光電変換効率を得る観点からは、Ｗ２／２は、Ｔ３の０．８倍以下であることが好ましく、０．７倍以下であることがより好ましい。但し、Ｗ２が小さくなりすぎると、ｎ型側における電極面積が小さくなり電気抵抗が増加し変換効率が低下する場合がある。このため、Ｗ２／２は、Ｔ３の０．２倍以上であることが好ましく、０．４倍以上であることがより好ましい。
次に、図３〜図１０を主として参照しながら、本実施形態の太陽電池１の製造方法について説明する。
まず、半導体基板１０を用意する。次に、ステップＳ１において、半導体基板１０の第１の主面１０ａ及び第２の主面１０ｂの洗浄を行う。半導体基板１０の洗浄は、例えば、ＨＦ水溶液などを用いて行うことができる。
次に、ステップＳ２において、半導体基板１０の第１の主面１０ａの上に半導体層１７ｉと半導体層１７ｎとを形成すると共に、第２の主面１０ｂの上にｉ型非晶質半導体膜２１とｐ型非晶質半導体膜２２とを形成する。（図４）
半導体層１７ｉ，１７ｎ及び半導体膜２１，２２のそれぞれの形成方法は、特に限定されない。半導体層１７ｉ，１７ｎ及び半導体膜２１，２２は、例えば、プラズマＣＶＤ法等のＣＶＤ（Ｃｈｅｍｉｃａｌ Ｖａｐｏｒ Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）法やスパッタリング法等の薄膜形成法により形成することができる。
次に、ステップＳ３において、半導体層１７ｎの上に絶縁層１６を形成すると共に、半導体膜２２の上に絶縁層２３を形成する。なお、絶縁層１６，２３の形成方法は特に限定されない。絶縁層１６，２３は、例えば、スパッタリング法やＣＶＤ法等の薄膜形成法などにより形成することができる。（図５）
次に、ステップＳ４において、絶縁層２３をエッチングすることにより、絶縁層２３の一部分を除去する。具体的には、絶縁層２３のうち、後の工程で半導体基板１０にｎ型半導体層を接合させる領域の上に位置する部分を除去する。これにより、絶縁層２３ａを形成する。なお、絶縁層２３のエッチングは、絶縁層２３が酸化シリコン、窒化シリコンまたは酸窒化シリコンからなる場合は、例えば、ＨＦ水溶液等の酸性のエッチング液を用いて行うことができる。（図６）
次に、ステップＳ５において、絶縁層２３ａをマスクとして用いて、半導体膜２１と半導体膜２２とを、アルカリ性のエッチング液を用いてエッチングすることにより、半導体膜２１及び半導体膜２２の絶縁層２３ａにより覆われている部分以外の部分を除去する。これにより、第２の主面１０ｂのうち、上方に絶縁層２３が位置していない部分を露出させると共に、半導体膜２１，２２から、半導体層１３ｉ，１３ｐを形成する。（図７）
次に、ステップＳ６において、ｐ型半導体層１３ｐの上を含み、第２の主面１０ｂを覆うように、ｉ型非晶質半導体膜２４とｎ型非晶質半導体膜２５とをこの順番で順次形成する。非晶質半導体膜２４，２５の形成方法は特に限定されない。半導体膜２４，２５は、例えば、スパッタリング法やＣＶＤ法などの薄膜形成法により形成することができる。（図８）
次に、ステップＳ７において、半導体膜２４，２５の絶縁層２３ａの上に位置している部分の一部分をエッチングする。これにより、非晶質半導体膜２４，２５から半導体層１２ｉ，１２ｎを形成する。半導体膜２４，２５のエッチングは、例えば、ＮａＯＨ水溶液などを用いて行うことができる。（図９）
次に、ステップＳ８において絶縁層２３ａのエッチングを行う。具体的には、半導体層１２ｉ，１２ｎの上からエッチングすることにより、絶縁層２３ａの露出部を除去する。これにより、半導体層１３ｐを露出させると共に、絶縁層２３ａから絶縁層１８を形成する。絶縁層２３ａのエッチングは、例えば、ＨＦ水溶液などを用いて行うことができる。（図１０）
次に、ステップＳ９において、半導体層１２ｎ及び半導体層１３ｐのそれぞれの上に電極１４，１５を形成する電極形成工程を行うことにより、太陽電池１を完成させることができる。（図２）
このように、本実施形態では、ｎ型半導体層１２ｎを、ｐ型半導体層１３ｐよりも先に形成する。
以下、本発明を実施した好ましい形態の他の例について説明する。以下の説明において、上記第１の実施形態と実質的に共通の機能を有する部材を共通の符号で参照し、説明を書略する。
（第２の実施形態）
図１１は、第２の実施形態における太陽電池の略図的断面図である。
図１１は、第２の実施形態における太陽電池の略図的断面図である。
上記第１の実施形態では、ｎ型表面９ｂｎとｐ型表面９ｂｐとの両方が半導体層の表面により構成されている例について説明した。但し、本発明は、この構成に限定されない。
本実施形態の太陽電池では、太陽電池基板９は、半導体基板１０とｎ型半導体層１２ｎとにより構成されている。半導体基板１０には、ｐ型ドーパントが拡散したｐ型ドーパント拡散領域１０ｐが設けられている。このｐ型ドーパント拡散領域１０ｐによって、裏面９ｂにｐ型表面９ｂｐが構成されている。
尚、本発明はここでは記載していない様々な実施形態を含む。例えば、第２の半導体層（第１の実施形態においてはｎ型半導体層１７ｎ）におけるドーパントの含有率が、第１の半導体層（第１の実施形態においては、ｎ型半導体層１２ｎ）におけるドーパントの含有率よりも高くされることにより、第２の半導体層により形成される電界の強度が第１の半導体層により形成される電界の強度よりも強くなるようにされていてもよい。この場合であっても、第１の実施形態と同様に、改善された光電変換効率を得ることができる。なお、この場合は、第２の半導体層におけるドーパントの含有率は、第１の半導体層におけるドーパントの含有率の１．５倍〜１０倍であることが好ましく、２倍〜５倍であることがより好ましい。
また、第２の半導体層を第１の半導体層よりも厚くすると共に、第２の半導体層におけるドーパントの含有率を第１の半導体層におけるドーパントの含有率よりも高くしてもよい。
また、半導体基板はｐ型であってもよい。
以上のように、本発明はここでは記載していない様々な実施形態を含む。従って、本発明の技術的範囲は上記の説明から妥当な特許請求の範囲に係る発明特定事項によってのみ定められるものである。
１…太陽電池
９…太陽電池基板
９ａ…受光面
９ｂ…裏面
９ｂｎ…ｎ型表面
９ｂｐ…ｐ型表面
１０…半導体基板
１２ａ、１３ａ…線状部
１２ｉ、１３ｉ、１７ｉ…ｉ型半導体層
１２ｎ、１７ｎ…ｎ型半導体層
１３ｐ…ｐ型半導体層
１４…ｎ側電極
１５…ｐ側電極
２３…絶縁層
２３ａ…絶縁層
２５…ｎ型非晶質半導体膜
９…太陽電池基板
９ａ…受光面
９ｂ…裏面
９ｂｎ…ｎ型表面
９ｂｐ…ｐ型表面
１０…半導体基板
１２ａ、１３ａ…線状部
１２ｉ、１３ｉ、１７ｉ…ｉ型半導体層
１２ｎ、１７ｎ…ｎ型半導体層
１３ｐ…ｐ型半導体層
１４…ｎ側電極
１５…ｐ側電極
２３…絶縁層
２３ａ…絶縁層
２５…ｎ型非晶質半導体膜
Claims (8)
- 一の導電型を有する半導体材料からなる基板と、
前記基板の一の主面の上に配されており、一の導電型を有する第１の半導体層と、
前記基板の他の主面の上に配されており、一の導電型を有する第２の半導体層と、
を含み、
前記第２の半導体層により形成される電界の強度が前記第１の半導体層により形成される電界の強度よりも強くなるように構成されている、太陽電池。 - 前記第２の半導体層の厚みが、前記第１の半導体層の厚みよりも大きい、請求項１に記載の太陽電池。
- 前記第２の半導体層におけるドーパントの含有率が、前記第１の半導体層におけるドーパントの含有率よりも高い、請求項１または２に記載の太陽電池。
- 前記基板の一の主面の上に配されており、他の導電型を有する第３の半導体層をさらに含み、
前記第１及び第３の半導体層のそれぞれは、複数の線状部を有し、
前記第１の半導体層の線状部の幅は、前記第３の半導体層の線状部の幅よりも小さい、請求項１〜３のいずれか一項に記載の太陽電池。 - 前記第１の半導体層の線状部の幅は、前記第３の半導体層の線状部の幅の０．７倍以下である、請求項４に記載の太陽電池。
- 前記第１の半導体層の線状部の幅は、前記基板の厚みの２倍よりも小さい、請求項１〜５のいずれか一項に記載の太陽電池。
- 前記第１及び第２の半導体層の少なくとも一方は、水素を含み、
前記第１の半導体層における水素の含有率は、前記第２の半導体層における水素の含有率よりも低い、請求項１〜６のいずれか一項に記載の太陽電池。 - 前記第１の半導体層と前記基板の間に配された第１のｉ型半導体層と、
前記第２の半導体層と前記基板との間に配された第２のｉ型半導体層と、
をさらに含み、
前記第１のｉ型半導体層は、前記第２のｉ型半導体層よりも薄い、請求項１〜７のいずれか一項に記載の太陽電池。
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