CN102346378B - 曝光方法、曝光装置、光罩及其制造方法及元件制造方法 - Google Patents

曝光方法、曝光装置、光罩及其制造方法及元件制造方法 Download PDF

Info

Publication number
CN102346378B
CN102346378B CN201110265679.3A CN201110265679A CN102346378B CN 102346378 B CN102346378 B CN 102346378B CN 201110265679 A CN201110265679 A CN 201110265679A CN 102346378 B CN102346378 B CN 102346378B
Authority
CN
China
Prior art keywords
mentioned
pattern
exposure
photosensitive object
intensified image
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
CN201110265679.3A
Other languages
English (en)
Other versions
CN102346378A (zh
Inventor
加藤正纪
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Nikon Corp
Original Assignee
Nikon Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Nikon Corp filed Critical Nikon Corp
Publication of CN102346378A publication Critical patent/CN102346378A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN102346378B publication Critical patent/CN102346378B/zh
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70216—Mask projection systems
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70216—Mask projection systems
    • G03F7/70275—Multiple projection paths, e.g. array of projection systems, microlens projection systems or tandem projection systems
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70483—Information management; Active and passive control; Testing; Wafer monitoring, e.g. pattern monitoring
    • G03F7/70491—Information management, e.g. software; Active and passive control, e.g. details of controlling exposure processes or exposure tool monitoring processes
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70483—Information management; Active and passive control; Testing; Wafer monitoring, e.g. pattern monitoring
    • G03F7/7055—Exposure light control in all parts of the microlithographic apparatus, e.g. pulse length control or light interruption
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70691—Handling of masks or workpieces
    • G03F7/70791—Large workpieces, e.g. glass substrates for flat panel displays or solar panels

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
  • Sustainable Development (AREA)
  • Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
  • Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
  • Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)

Abstract

本发明是分别经由具有放大倍率的多个投影光学系统，将光罩(M)的图案(M1、M2)投影曝光于基板上的曝光方法，此曝光方法是将具有以对应于上述放大倍率的位置关系而非连续地配置的第1图案区域(M1)、以及至少一部分设于第1图案区域(M1)之间的第2图案区域(M2)的光罩(M)，配置于投影光学系统的物体面侧，使第1图案区域(M1)与第2图案区域(M2)中的其中一个图案区域的放大像分别投影曝光至配置于投影光学系统的像面侧的基板上之后，将另一个图案区域的放大像投影曝光于该基板上。

Description

曝光方法、曝光装置、光罩及其制造方法及元件制造方法
本案是发明名称为“曝光方法、曝光装置、光罩以及光罩的制造方法”，申请号为200780003500.9的发明专利的分案申请。
技术领域
本发明涉及一种曝光方法、曝光装置、光罩及光罩的制造方法，特别是涉及一种使用为了利用微影制程来制造液晶显示元件等平板显示元件等微型元件的曝光装置的曝光方法、藉由该曝光方法进行曝光的曝光装置、该曝光方法中所使用的光罩以及该光罩的制造方法。
背景技术
例如，在制造半导体元件或液晶显示元件等时，使用有将屏蔽(标线片reticle、光罩photomask等)的图案经由投影光学系统而投影至涂布有光阻剂的平板(玻璃平板或半导体晶圆等)上的投影曝光装置。先前，大多使用利用步进重复(Step And Repeat)方式使各标线片(reticle)的图案一并曝光于平板上的各照射(shot)区域上的投影曝光装置(步进曝光机，Stepper)。近年来，提出有如下所述的步进扫描(Step and Scan)方式的投影曝光装置(例如，参照日本专利特愿平5-161588号公报以及日本专利特开平11-265848号公报)，以取代1个较大的投影光学系统，该步进扫描式投影曝光装置中，将多个局部投影光学系统排列在与扫描方向正交的方向上，进而沿扫描方向以规定间隔配置多列，一面对光罩及平板进行扫描，一面利用各局部投影光学系统将光罩的图案分别曝光于平板上。作为多个局部投影光学系统，使用有将光罩上的图案以正立正像等倍的方式曝光于平板上的光学系统。
然而，近年来，平板正逐步大型化，逐渐使用超过2m见方的平板。此处，在使用上述步进扫描方式的曝光装置于大型平板上进行曝光时，为了使局部投影光学系统为等倍，光罩亦大型化。由于亦必须维持光罩基板的平面性，因此光罩越大型化，光罩的成本则越高。而且，为了形成通常的TFT部，需要4～5层(layer)的光罩，且必须准备约10种左右尺寸不同的面板作为光罩，这样须耗费极大的成本。
因此，在日本专利特开平11-265848号公报中所揭示的投影曝光装置中，将投影光学系统的倍率设为1.1倍～1.5倍或1.5倍以上，而于实施例中放大倍率则设为4倍，将光罩分割成多个由此实现光罩小型化。然而，由于增大投影光学系统的倍率，因此相对于扫描面积成为多余的区域将变大，且相对于曝光所必需的区域，曝光所不需要的区域将变大，从而，难以获得对于扫描面积而言充分的曝光贡献率。
发明内容
本发明的目的在于，提供一种可提高光罩的图案区域的利用效率而进行曝光的曝光方法、藉由该曝光方法进行曝光的曝光装置、该曝光方法中所使用的光罩以及该光罩的制造方法。
本发明的曝光方法的一例，是将图案的像曝光于感光物体上的曝光方法，此曝光方法包括：准备光罩，上述光罩形成有沿着第1方向以规定间隔设置的多个第1图案、以及沿着上述第1方向以上述规定间隔而设置于上述第1图案之间的第2图案；使上述多个第1图案的放大像，于上述第1方向连续并投影曝光至上述感光物体上；以及使上述多个第2图案的放大像，于上述第1方向连续并投影曝光至上述感光物体上。
本发明的曝光方法的一例，其包括：准备光罩，上述光罩沿着第1方向以规定间隔配置多个第1图案，且沿着上述第1方向以上述规定间隔于上述多个第1图案之间配置多个第2图案，其中上述多个第1图案是将第1元件图案于上述第1方向分割而形成，且上述多个第2图案是将第2元件图案于上述第1方向分割而形成；把上述多个第1图案的放大像投影至上述感光物体，以将上述第1元件图案的放大像曝光至上述感光物体；以及把上述多个第2图案的放大像投影至上述感光物体，以将上述第2元件图案的放大像曝光至上述感光物体。
本发明的曝光装置的一例，是把图案的像曝光至感光物体的曝光装置，其包括：多个投影光学单元，在第1方向以上述规定间隔排列，并将第1面所配置的上述图案的放大像分别投影曝光至第2面；第1保持装置，支撑着光罩并使上述光罩配置于上述第1面而使上述光罩可对于上述多个投影光学单元相对移动，其中上述光罩沿着上述第1方向以上述规定间隔配置多个第1图案，且上述光罩沿着上述第1方向以上述规定间隔于上述多个第1图案之间配置多个第2图案；以及第2保持装置，支撑上述感光物体并使上述感光物体配置于上述第2面，其中上述多个投影光学单元以使由上述第1保持装置而配置于上述第1面的上述多个第1图案的放大像分别对向于上述多个投影光学单元的方式，使上述第1面的上述多个第1图案的放大像于上述第1方向连续，并投影曝光至由上述第2保持装置而配置于上述第2面的上述感光物体，且上述多个投影光学单元以使由上述第1保持装置配置于上述第1面的上述多个第2图案的放大像分别对向于上述多个投影光学单元的方式，使上述第1面所配置的上述多个第2图案的放大像于上述第1方向连续，并投影曝光至由上述第2保持装置而配置于上述第2面的上述感光物体。
本发明的曝光装置的一例，其包括：多个投影光学单元，在第1方向以规定间隔排列，把第1面所配置的上述多个图案的放大像分别投影曝光至第2面；第1保持装置，支撑着光罩并使上述光罩配置于上述第1面而使上述光罩可对于上述多个投影光学单元相对移动，其中上述光罩沿着上述第1方向以规定间隔配置多个第1图案，且上述光罩沿着上述第1方向以上述规定间隔于上述多个第1图案之间配置多个第2图案，且上述多个第1图案是将第1元件图案于上述第1方向分割而形成，上述多个第2图案是将第2元件图案于上述第1方向分割而形成；以及第2保持装置，支撑上述感光物体并使上述感光物体配置于上述第2面，其中上述多个投影光学单元以使由上述第1保持装置而配置于上述第1面的上述多个第1图案的放大像分别对向于上述多个投影光学单元的方式，使上述第1面的上述多个第1图案的放大像投影至由上述第2保持装置而配置于上述第2面的上述感光物体，并使上述第1元件图案的放大像曝光至上述感光物体；且上述多个投影光学单元以使由上述第1保持装置而配置于上述第1面的上述多个第2图案的放大像分别对向于上述多个投影光学单元的方式，使上述第1面的上述多个第2图案的放大像投影至由上述第2保持装置而配置于上述第2面的上述感光物体，并使上述第2元件图案的放大像曝光至上述感光物体。
本发明的光罩的一例，是把被曝光的图案形成于感光物体上的光罩，此光罩包括：多个第1图案，沿着第1方向以规定间隔配置，且使上述感光物体上在第上述第1方向形成连续图案的方式，把放大像投影曝光至上述感光物体；以及多个第2图案，沿着上述第1方向以规定间隔设置于上述多个第1图案之间，且使于上述感光物体上在上述第1方向形成连续的图案的方式，把放大像投影曝光至上述感光物体。
本发明的光罩的一例，其包括：多个第1图案，将第1元件图案于第1方向分割而形成，且沿着上述第1方向以规定间隔配置；以及多个第2图案，将第2元件图案于上述第1方向分割而形成，且沿着上述第1方向以上述规定间隔配置于上述多个第1图案之间。
本发明的元件制造方法的一例，是在基板上形成液晶元件的元件制造方法，其包括以下步骤：使用上述的曝光方法或曝光装置，将元件图案曝光至上述基板；对已曝光有上述元件图案的上述基板进行显影。
本发明的元件制造方法的一例，其包括以下步骤：把上述的光罩上所形成的元件图案曝光至上述基板；对已曝光有上述元件图案的上述基板进行显影。
[发明效果]
根据本发明的曝光方法，可经由具有放大倍率的多个投影光学系统，而将设于第1物体上的图案的放大像投影曝光至第2物体上，因此即便于第2物体大型化时亦可防止第1物体的大型化。而且，将以对应于多个投影光学系统的放大倍率的位置关系而非连续地配置的第1图案区域、或者设于第1图案区域之间的第2图案区域的放大像投影曝光至第2物体上，因此可提高第1物体的利用效率。
而且，根据本发明的曝光装置，具备具有放大倍率的投影光学系统，因此可将设于第1物体上的图案的放大像投影至第2物体上。因此，即便在第2物体大型化时亦可防止第1物体的大型化，且可防止第1保持装置的大型化。而且，将以对应于多个投影光学系统的放大倍率的位置关系而非连续地配置的第1图案区域、或者设于第1图案区域之间的第2图案区域的放大像投影曝光至第2物体上，因此可提高第1物体的利用效率。尤其是在使用将多个局部投影光学系统排列在与扫描方向正交的方向上，并在扫描方向上进行扫描的曝光装置的情形时，可将扫描方向上光罩的长度设为约1/(放大倍率)的长度。
而且，根据本发明的光罩，具有多个第1图案区域及第2图案区域，上述多个第1图案区域是以对应于多个投影光学系统的放大倍率的位置关系而非连续地配置，且用以藉由各投影光学系统而形成放大像，上述第2图案区域的至少一部分设于多个第1图案区域之间，且用以藉由各投影光学系统中的至少1个而形成放大像，因此可防止大型化，且可提高图案区域的利用效率。因此，可减少在使用曝光装置来制造各种元件时所必需的光罩的片数。例如，在先前的曝光步骤中，必需多片光罩，而与此相对，亦可利用1片光罩进行曝光，从而可缩短更换光罩的时间，且可实现光罩的低成本化。
而且，根据本发明的光罩的制造方法，可降低光罩的制造成本。
综上所述，本发明是分别经由具有放大倍率的多个投影光学系统，将光罩(M)的图案(M1、M2)投影曝光于基板上的曝光方法，此曝光方法是将具有以对应于上述放大倍率的位置关系而非连续地配置的第1图案区域(M1)、以及至少一部分设于第1图案区域(M1)之间的第2图案区域(M2)的光罩(M)，配置于投影光学系统的物体面侧，使第1图案区域(M1)与第2图案区域(M2)中的其中一个图案区域的放大像分别投影曝光至配置于投影光学系统的像面侧的基板上之后，将另一个图案区域的放大像投影曝光于该基板上。
上述说明仅是本发明技术方案的概述，为了能够更清楚了解本发明的技术手段，而可依照说明书的内容予以实施，并且为了让本发明的上述和其他目的、特征和优点能够更明显易懂，以下特举较佳实施例，并配合附图，详细说明如下。
附图说明
图1是表示实施形态的曝光装置的概略结构的立体图。
图2是表示实施形态的光罩(mask)结构图。
图3是表示实施形态的平板结构图。
图4是用以说明实施形态的曝光方法的流程图。
图5是用以说明使8张元件图案曝光于平板上的情形图。
图6是用以说明使6张元件图案曝光于平板上的情形图。
图7是表示实施形态的其它光罩结构图。
图8是表示实施形态的其它平板结构图。
图9是表示实施形态的其它平板结构图。
图10是表示步进-重复方式的曝光装置中所使用的光罩结构图。
图11是表示利用步进-重复方式的曝光装置使图案曝光的平板结构图。
图12是表示实施形态的其它光罩结构图。
图13是表示实施形态的其它光罩结构图。
图14是表示其它实施形态的正立像用光罩的结构图。
图15是表示其它实施形态的倒立像用光罩的结构图。
图16是表示其它实施形态的藉由奇数列图案来进行曝光处理后的平板结构图。
图17是表示其它实施形态的藉由偶数列图案来进行曝光处理后的平板结构图。
图18是表示其它实施形态的其它光罩结构图。
图19是表示其它实施形态的光罩制造方法的流程图。
图20是用以说明其它实施形态中与奇数列图案相关的图案资料的划分步骤图。
图21是用以说明其它实施形态的与偶数列图案相关的图案资料的划分步骤图。
图22是用以说明其它实施形态中与制造正立像用光罩时的奇数列图案相关的共通区域赋予步骤图。
图23是用以说明其它实施形态下与制造正立像用光罩时的偶数列图案相关的共通区域赋予步骤图。
图24是表示藉由其它实施形态中制造方法所制造的正立像用光罩的结构图。
图25是用以说明其它实施形态中与制造倒立像用光罩时的奇数列图案相关的共通区域赋予步骤图。
图26是用以说明其它实施形态中与制造倒立像用光罩时的偶数列图案相关的共通区域赋予步骤图。
图27是表示藉由其它实施形态的制造方法所制造的倒立像用光罩的结构图。
图28是用以说明其它实施形态下与省略光罩制造方法的共通区域赋予步骤时的奇数列图案相关的图案资料的划分步骤图。
图29是用以说明其它实施形态下与省略光罩制造方法的共通区域赋予步骤时的偶数列图案相关的图案资料的划分步骤图。
1：      光源                    2：       椭圆镜
3：      分色镜                  4：       快门
5：      准直透镜                6：       波长选择滤光片
8：      中继透镜                9：       光导
9a：     入射端                  9b：      射出端
9c：     射出端                  9d：      射出端
9e：     射出端                  9f：      射出端
11b：    准直透镜                12b：     复眼式积分器
15b：    聚光透镜系统            24：      空间像计测装置
25、26： 移动镜                  29：      照度测定部
52：     定位系统                54：      自动聚焦系统
A、B：   区域                    C、D：    区域
P1～P5： 区域                    P11～P14：区域
a1：     第1划分资料群           b1：      第1划分资料群
c1：     第1划分资料群           a2：      第2划分资料群
b2：     第2划分资料群           c2：      第2划分资料群
A1：     第1划分资料             B1：      第1划分资料
C1：     第1划分资料             A2：      第2划分资料
B2：     第2划分资料             C2：      第2划分资料
I1～I5： 照明区域                IL：      照明光学系统
Li、Lr： 间距间隔                Lm：      图案间距
M、M′： 光罩                    M5、M6：  光罩
M7、M10：光罩                    M：       位置计测用标记
m0：     位置计测用标记          m1：      位置计测用标记
m11：    第1位置检测用标记       m21：     第2位置检测用标记
M1：     奇数列图案区域          M2：      偶数列图案区域
M3、M8： 第1图案                 M4、M9：  第2图案
MS：     光罩平台                opa：     共通区域
opb：    共通区域                opc：     共通区域
opd：   共通区域        ope：     共通区域
opf：   共通区域        opg：     共通区域
oph：   共通区域        P、P′：  平板
PD1：   第1图案资料     PD2：     第2图案资料
PL：    投影光学系统    PL1～PL5：投影光学单元
PS：    平板平台        R1～R5：  曝光区域
Si、Ti：宽度            Sr、Tr：  宽度
具体实施方式
以下，参阅图式，对本发明实施形态的曝光装置进行说明。图1是表示该实施形态的曝光装置的概略结构的立体图。在该实施形态中，以如下所述的步进扫描方式的曝光装置为例进行说明，该曝光装置中，一面使屏蔽(第1物体、光罩)M及平板(第2物体、感光物体)P对于由多个反射折射型投影光学单元PL1、PL3、PL5以及未图示的2个投影光学单元(以下，称为投影光学单元PL2、PL4)所构成的投影光学系统PL相对移动，一面将光罩M上所形成的图案(原图图案)的影像转印至平板P上。
另外，在以下说明中，设定各图中所示的XYZ正交坐标系，并一面参照该XYZ正交坐标系一面说明各构件的位置关系。XYZ正交坐标系设定X轴以及Y轴平行于平板P，并设定Z轴方向与平板P正交。对于图中的XYZ坐标系而言，实际上XY平面设定为平行于水平面，Z轴设定为铅直方向。而且，在本实施形态中，将光罩M以及平板P移动的方向(扫描方向)设定为X轴方向。
该实施形态的曝光装置，具备用以对光罩平台(第1保持装置)MS上所支持的光罩M进行均匀照明的照明光学系统IL。照明光学系统IL例如具备由水银灯或超高压水银灯构成的光源1。由于光源1配置于椭圆镜2的第1焦点位置上，因此自光源1射出的照明光束经由分色镜3后，于椭圆镜2的第2焦点位置上形成光源影像。
另外，于本实施形态中，自光源1射出的光由形成于椭圆镜2内面的反射膜以及分色镜3反射，藉此，于椭圆镜2的第2焦点位置上形成由300nm以上的波长域的光所构成的光源影像，该300nm以上的波长域的光包含g线(436nm)的光、h线(405nm)的光、及i线(365nm)的光。也就是说，于由椭圆镜2及分色镜3反射时，包含g线、h线、及i线的波长域以外的在曝光上所不需要的成分会被去除。
于椭圆镜2的第2焦点位置上配置有快门4。藉由开关快门4，可以使通过快门4开口部的照明光束的光量迅速变化，从而可获得脉冲状照明光束。来自椭圆镜2的第2焦点位置上所形成的光源影像的发散光束，藉由准直透镜5而转换为大致平行的光束，并入射至波长选择滤光片6。波长选择滤光片6仅使包含g线、h线、及i线的波长域的光束透过。透过波长选择滤光片6的光，经由中继透镜8而再次成像。于该成像位置附近，配置有光导9的入射端9a。光导9是例如使多根纤维芯线随机成束而成的随机光导纤维，该光导9具备：数量与光源1的数量(于该实施形态中为1个)相同的入射端9a；以及数量与构成投影光学系统PL的投影光学单元的数量(于该实施形态中为5个)相同的射出端，即5个射出端9b～9f。如此，入射至光导9的入射端9a的光，于其内部传递之后，自射出端9b～9f分割射出。另外，于仅具备1个光源1而导致光量不足时，亦可设置多个光源，并且针对各光源而设置光导，该光导具有所设置的多个入射端，且使自各个入射端入射的光分割为大致相同的光量而自各射出端射出。
于光导9的射出端9b与光罩M之间，依序配置有准直透镜11b、复眼式积分器(fly eye integrator)12b、孔径光阑(aperture stop)(未图示)、分光器(未图示)、以及聚光透镜系统15b。同样，于光导9的其它4个射出端9c～9f与光罩M之间，依次序分别配置有准直透镜、复眼式积分器、孔径光阑(未图示)、分光器(未图示)、以及聚光透镜系统。
另外，此处为了简化说明，以于光导9的射出端9b与光罩M之间所设的准直透镜11b、复眼式积分器12b、以及聚光透镜系统15b为代表，说明于光导9的各射出端9b～9f与光罩M之间所设的光学构件的结构。
自光导9的射出端9b所射出的发散光束，藉由准直透镜11b而转换为大致平行的光束之后，入射至复眼式积分器12b。复眼式积分器12b，是藉由将多个透镜元件以使其中心轴线沿照明光学系统IL的光轴延伸的方式纵横且密集地排列而构成的。因此，入射至复眼式积分器12b的光束，藉由多个透镜元件而被波前分割(wavefront splitting)，并于其后聚焦面(亦即，射出面的附近)上形成包括个数与透镜元件相同的光源影像的二次光源。亦即，于复眼式积分器12b的后聚焦面上，形成实质性的面光源。
来自复眼式积分器12b后聚焦面上所形成的多个二次光源的光束，受到配置于复眼式积分器12b后聚焦面附近的未图示的孔径光阑的限制后，经由未图示的分光器，入射至聚光透镜系统15b。另外，孔径光阑配置于与相对应的投影光学单元PL1的瞳面在光学上大致共轭的位置上，且具有用以规定有助于照明的二次光源的范围的可变开口部。孔径光阑藉由使该可变开口部的开口径变化，可将决定照明条件的σ值(瞳面上的二次光源影像的开口径与构成投影光学系统PL的各投影光学单元PL1～PL5的该瞳面的开口径之比)设定为所期望的值。
经由聚光透镜系统15b的光束较强地照亮光罩M。另外，自光导9的其它4个射出端9c～9f射出的发散光束亦同样，依次经由准直透镜、复眼式积分器、孔径光阑、分光器、以及聚光透镜，而分别较强地照亮光罩M。亦即，照明光学系统IL，照亮光罩M上排列于Y轴方向上的多个(于该实施形态中为5个)梯形区域。另外，作为照明光学系统IL所具备的光源，亦可为紫外导体雷射(h线)、固体雷射(355nm)、KrF准分子雷射、ArF准分子雷射等。
图2是表示光罩M的结构的图。如图2所示，于光罩M上，形成有用于第1曝光的第1图案(第1图案区域)M1(图中斜线部分)、以及用于第2曝光的第2图案(第2图案区域)M2。第1图案M1以及第2图案M2，是以分别对应于照亮光罩M的5个梯形照明区域I1～I5的方式而形成的。亦即，第1图案M1，以与下述投影光学系统PL的放大倍率及曝光区域的间距间隔Lr相对应的位置关系而非连续地配置，第2图案M2与第1图案M1同样，以与投影光学系统PL的放大倍率及曝光区域的间距间隔Lr相对应的位置关系而设于第1图案M1之间。非连续地配置的第1图案M1以及第2图案M2，具备在经由多个投影光学单元PL1～PL5而曝光于平板P上时一部分重复的区域，且以成为于平板P上连续的图案的方式而形成。
照明区域I1～I5以如下方式进行照明，即，以规定的间距间隔Li排列，各照明区域I1～I5是由宽度Si的部分及宽度Ti的部分所构成，且于由投影光学系统PL所投影的平板P上，宽度Si的各部分成为相邻接的照明区域彼此的叠印(overwrap)部分。于该实施形态中，将照明区域Y方向的宽度平均化后而获得的有效照明宽度为(Ti+(Ti+Si×2))÷2＝(Ti+Si)，将该有效照明宽度(Ti+Si)乘以投影光学系统PL的倍率后而获得的值，与曝光区域的间距间隔Lr(参阅图3所示)相等。而且，光罩的图案，是以图案间距Lm的间隔而配置，Lm为Li/2的间隔。
由于第1图案M1的各图案区域、以及第2图案M2的各图案区域形成于1个光罩上，因此可将各图案区域的位置误差抑制得较小。而且，第1图案M1与第2图案M2的位置误差亦较少，于切换进行曝光的图案时亦可高精度地进行切换动作。另外，于使每一图案位置偏移时，亦可进行稳定的偏移调整。
而且，于光罩M上，于-X方向侧、+X方向侧、及第1图案M1与第2图案M2之间，形成有多个位置计测用标记(第2图案区域、位置检测用图案)m、m0、m1。位置计测用标记m、m0、m1是在藉由下述空间像计测装置24来计测形成于平板P上的空间像时所使用的。亦即，藉由投影光学单元PL1～PL5中的至少1个所形成的位置计测用标记m、m0、m1的空间像是由空间像计测装置24计测的，且根据该计测结果来检测位置计测用标记m、m0、m1的影像位置。
来自光罩M上的各照明区域的光，入射至由沿Y轴方向呈锯齿状排列的多个(于该实施形态中为5个)投影光学单元PL1～PL5以与各照明区域相对应的方式而构成的投影光学系统PL。经过投影光学系统PL的光，于在平板平台(第2保持构件)PS上的经由未图示的平板固持器而平行地支持于XY平面上的平板P上，形成光罩M的图案的影像。各投影光学单元PL1～PL5具有大于2倍的投影倍率(于该实施形态中，放大倍率为2.4倍)。因此，于在平板P上的以与各照明区域I1～I5相对应的方式而排列在Y方向上的梯形曝光区域R1～R5中，形成光罩M的图案的放大像。亦即，由于投影光学单元PL1～PL5的放大倍率为2.4倍，故而形成于平板P上的曝光区域R1～R5的视野面积是形成于光罩M上的照明区域I1～I5的视野面积的2.4倍。各投影光学单元PL1～PL5具备调整机构，该调整机构用以调整形成于平板P上的影像的位置、倍率、旋转、聚焦、像面倾斜等。例如，各投影光学单元PL1～PL5具备用以调整聚焦或像面倾斜的楔状的双层玻璃、用以调整像的位置的平行平面板、用以调整像的倍率的凹凸的倍率调整透镜、用以调整像的旋转的棱镜等。另外，各投影光学单元PL1～PL5的平板P侧，亦可设为远心的(telecentric)，虽然这是视平板P表面的平面度而定。
图3是表示于平板P上形成有光罩M的图案像的状态的图。如图3所示，藉由与照明区域I1相对应的曝光区域R1，使光罩M上的第1图案M1或第2图案M2曝光于平板P上的区域P1上。同样，藉由与照明区域I2～I5相对应的曝光区域R2～R5，使光罩M上的第1图案M1或第2图案M2曝光于平板P上的区域P2～P5上。亦即，关于选择性地切换第1图案M1及第2图案M2而使第1图案M1或第2图案M2的放大像投影曝光至平板P上的切换机构，使光罩平台MS以规定量在Y方向上步进移动，从而使由照明光学系统IL所照亮的第1图案M1或第2图案M2的放大像投影曝光至平板P上的区域P1～P5上。于该实施形态中，可行的是，以与投影光学单元PL1～PL5的间距间隔大致相等的规定量进行步进移动。
曝光区域R1～R5由宽度Sr的部分及宽度Tr的部分所构成，于平板P上，各宽度Sr的部分成为相邻接的曝光区域彼此的叠印部分。于该实施形态中，曝光区域Y方向上的宽度，是由将图2所示的宽度Si的部分与宽度Ti的部分乘以投影光学系统的倍率后而获得的宽度Sr的部分及宽度Tr的部分所构成，将曝光区域Y方向上的宽度平均化后而获得的有效曝光宽度为(Tr+Sr)，其与曝光区域的间距间隔Lr相等。因此，当曝光区域的间距间隔Lr与Y方向上的投影光学系统的排列间距相同时，若规定曝光区域的间距间隔Lr与倍率，则可求得光罩图案的图案间距Lm。
另外，例如，随机或呈Z字形(zigzag)来对光罩M的第1图案M1或第2图案M2的连接部进行图案化，以使由投影光学单元PL1及PL2所形成的曝光区域R1与R2的连接部(重复的部分，叠印部)P11的图案、以及由投影光学单元PL2～PL5所形成的曝光区域R2～R5的连接部(重复的部分，叠印部)P12～P14的图案成为连续的。而且，作为曝光区域，并不限定于梯形，亦可根据构成装置的光学系统，而呈长方形、六角形、圆弧、圆弧+三角形等。
在将光罩M支持于投影光学系统PL的物体侧(第1面)的光罩平台(第1保持构件)MS上，设有具有长冲程的扫描驱动系统(未图标)，该扫描驱动系统用以使光罩平台沿扫描方向即X轴方向移动。而且，设有一对定位驱动系统(未图标)，该定位驱动系统用以使光罩平台沿扫描正交方向即Y轴方向只移动一规定量、并且以微小量围绕Z轴而旋转。而且，光罩平台的位置坐标由使用有移动镜25的雷射干涉仪(未图标)而计测、且受到位置控制。进而，光罩平台在Z方向上的位置可变。
同样的驱动系统，亦设置于将平板P保持于投影光学系统PL的影像侧(第2面)的平板平台(第2保持装置)PS上。亦即，设有具有长冲程的扫描驱动系统(未图标)、及一对定位驱动系统(未图标)，该扫描驱动系统用以使平板平台沿扫描方向即X轴方向而移动，该定位驱动系统用以使平板平台沿扫描正交方向即Y轴方向只移动一规定量、并且以微小量围Z轴而旋转。而且，平板平台的位置坐标是由使用有移动镜26的雷射干涉仪(未图标)所计测且受到位置控制。平板平台与光罩平台同样亦可在Z方向上移动。于该实施形态中，光罩M的图案由投影光学系统PL放大至2.4倍后投影至平板P上。因此，使光罩平台与平板平台以1∶2.4的扫描比，分别由投影光学系统PL进行扫描。即，根据投影光学系统PL的倍率，使平板平台相对于光罩平台以几倍倍率的速度比受到扫描。藉此，于扫描方向上，针对光罩M的图案区域的长度，使之放大至几倍倍率的长度并曝光于平板P侧。
投影光学单元PL1、PL3、PL5以规定间隔配置于与扫描方向正交的方向上，作为第1列。而且，投影光学系统单元PL2、PL4亦同样以规定间隔配置于与扫描方向正交的方向上，作为第2列。于第1列投影光学单元群与第2列投影光学单元群之间，配置有用以进行平板P定位的离轴(off-axis)的定位系统52、以及用以调整光罩M或平板P的聚焦位置的自动聚焦系统54。
而且，于平板平台上设有照度测定部29，该照度测定部29是用以测定经过投影光学系统PL后照射至平板P上的光的照度。而且，于平板平台上，设有空间像计测装置(检测机构)24，该空间像计测装置(检测机构)24用以计测由投影光学单元PL1～PL5中的至少1个所形成的位置计测用标记m、m0、m1的空间像。
其次，参阅图4所示的流程图，说明使用有该实施形态中的曝光装置的曝光方法。
首先，输入用以选择形成于光罩M上的第1图案M1与第2图案M2的曝光信息(步骤S10)。于该实施形态中，输入第1图案M1所曝光的平板P上的曝光区域的位置、以及第2图案M2所曝光的平板P上的曝光区域的位置等曝光信息。另外，曝光信息亦可预先输入。而且，亦可对光罩M设置包含曝光信息的识别用条形码(bar-code)等ID，并利用条形码读取机等来进行曝光信息的读入。其次，根据步骤S10中所输入的曝光信息，选择第1图案M1或第2图案M2(步骤S11)。于该实施形态中，选择的是第1图案M1。
其次，使用空间像计测装置24来计测形成于光罩M的第1图案M1与第2图案M2之间的位置计测用标记m的空间像(步骤S12)。具体而言，藉由使支持光罩M的光罩平台在Y方向上移动规定量而配置光罩平台，以使光罩平台在X方向上扫描时形成于第1图案M1与第2图案M2之间的位置计测用标记m位于照明区域I1～I5内。在光罩平台移动的同时，藉由使平板平台移动规定量，而将平板平台配置于空间像计测装置24可计测位置计测用标记m的空间像的位置处。继而，使光罩平台在X方向(扫描方向)上步进移动规定量，并反复此步进移动操作，藉此，依次计测形成于第1图案M1与第2图案M2之间的位置计测用标记m的空间像。根据位置计测用标记m的计测结果，计算出光罩M的变形量。
于该实施形态中，可以于光罩M上的第1图案M1与第2图案M2之间设有位置计测用标记m，并由空间像计测装置24来计测上述位置计测用标记m，因此可高精度地检测出整个光罩M上的变形。作为变形，包含载置于光罩平台上时的扭曲或由热所引起的伸缩。而且，一般而言，于第1图案M1及第2图案M2同时绘制有位置计测用标记m的光罩的情形时，藉由测定形成于第1图案M1与第2图案M2之间的位置计测用标记m，可检测出第1图案M1的区域内的绘制误差、或第2图案M2的区域内的绘制误差。进而，藉由利用该信息而设于投影光学单元PL1～PL5中的调整机构，可进行放大像的位置修正、倍率等的调整。
其次，为检测分别由投影光学单元PL1～PL5所形成的第1图案M1的影像的相对的位置偏移(连接误差)，使用空间像计测装置24来计测形成于光罩M上的-X方向侧的位置计测用标记m0的空间像(步骤S13)。首先，使光罩平台(光罩M)相对于投影光学单元PL1～PL5移动，以使第1图案M1与投影光学单元PL1～PL5相对向。具体而言，使光罩平台在Y方向上步进移动规定量，以使照明光学系统IL照亮第1图案M1，亦即，使第1图案M1位于照明区域I1～I5。在光罩平台移动的同时，藉由使平板平台移动规定量，而将平板平台配置于空间像计测装置24可计测位置计测用标记m0的空间像的位置上。继而，计测形成于光罩M上的-X方向侧的位置计测用标记m0的空间像。根据位置计测用标记m0的计测结果，计算出分别由投影光学单元PL1～PL5所形成的第1图案M1的影像的相对的位置偏移(连接误差)量。
其次，根据步骤S13中所计算出的分别由投影光学单元PL1～PL5所形成的第1图案M1的影像的相对的位置偏移量，对各投影光学单元PL1～PL5进行调整(步骤S14)。亦即，根据相对的位置偏移量，计算出各投影光学单元PL1～PL5所具备的调整机构的修正量。继而，根据计算出的调整机构的修正量，驱动各投影光学单元PL1～PL5的调整机构，调整由各投影光学单元PL1～PL5所投影的影像的位置。
其次，根据步骤S12中所计算出的基于光罩M的变形量的各投影光学单元PL1～PL5所具备的调整机构的修正量，一面驱动各投影光学单元PL1～PL5的调整机构，一面进行第1图案M1的曝光(步骤S15)。亦即，将非连续地配置于Y方向(规定方向)上的第1图案M1的放大像，经过投影光学单元PL1～PL5而投影曝光至平板P上，并且使光罩平台(光罩M)及平板平台(平板P)与投影光学单元PL1～PL5在X方向(与规定方向交叉的方向)上进行相对的扫描而进行扫描曝光。
此时，由于投影光学单元PL1～PL5具有放大倍率，故光罩平台以及平板平台以投影光学单元PL1～PL5的投影倍率之比在X方向上受到扫描。亦即，于该实施形态中，由于投影光学单元PL1～PL5的投影倍率为2.4倍，故平板平台的扫描速度为光罩平台的扫描速度的2.4倍。而且，如图3所示，使第1图案M1的放大像P1～P5投影曝光至平板P上，且是随着重复曝光的区域P11～P14而连续形成的。
其次，于步骤S10中，根据所输入的曝光信息，选择第1图案M1或第2图案M2(步骤S16)。于该实施形态中，选择的是第2图案M2。
其次，为检测分别由投影光学单元PL1～PL5所形成的第2图案M2的影像的相对的位置偏移(连接误差)，使用空间像计测装置24来计测形成于光罩M上的-X方向侧的位置计测用标记m0的空间像(步骤S17)。首先，使光罩平台(光罩M)与投影光学单元PL1～PL5相对地移动，以使第2图案M2与投影光学单元PL1～PL5相对向。具体而言，使光罩平台在Y方向上步进移动规定量，以使照明光学系统I L照亮第2图案M2，亦即，使第2图案M2位于照明区域I1～I5中。在光罩平台移动的同时，使平板平台移动规定量，藉此将平板平台配置于空间像计测装置24可计测位置计测用标记m0的空间像的位置处。继而，计测形成于光罩M上的-X方向侧的位置计测用标记m0的空间像。根据位置计测用标记m0的计测结果，计算出分别由投影光学单元PL1～PL5所形成的第2图案M2的影像的相对的位置偏移(连接误差)量。
其次，根据步骤S17中所计算出的分别由投影光学单元PL1～PL5所形成的第2图案M2的影像的相对的位置偏移量，对各投影光学单元PL1～PL5进行调整(步骤S18)。亦即，根据相对的位置偏移量，计算出各投影光学单元PL1～PL5所具备的调整机构的修正量，根据所计算出的调整机构的修正量，驱动各投影光学单元PL1～PL5的调整机构，调整由各投影光学单元PL1～PL5所投影的影像的位置。
其次，进行第2图案M2的曝光(步骤S19)。继而，根据步骤S12中所计算出的基于光罩M的变形量的各投影光学单元PL1～PL5所具备的调整机构的修正量，一面驱动各投影光学单元PL1～PL5的调整机构，一面进行第2图案M2的曝光。亦即，将于Y方向(规定方向)上非连续地配置的第2图案M2的放大像，经过投影光学单元PL1～PL5后投影曝光至平板P上，并且使光罩平台(光罩M)及平板平台(平板P)与投影光学单元PL1～PL5在X方向(与规定方向交叉的方向)上进行相对的扫描而进行扫描曝光。
与步骤S15中的第1图案M1的曝光同样，光罩平台以及平板平台以投影光学单元PL1～PL5的投影倍率之比在X方向上受到扫描，使第2图案M2的放大像P1～P5投影曝光至平板P上，且使其随着重复曝光的区域P11～P14而连续形成。
另外，于步骤S13及步骤S17中，计测形成于光罩M上的-X方向侧的位置计测用标记m0的空间像，但亦可计测形成于光罩M上的-X方向侧及+X方向侧的位置计测用标记m0、m1的空间像。此时，使用该计测结果，于曝光前或曝光时藉由驱动各投影光学单元PL1～PL5的调整机构来修正由各投影光学单元PL1～PL5所形成的影像的相对的位置偏移量。与仅计测形成于光罩M上的-X方向侧的位置计测用标记m0的情形相比较，由于计测形成于光罩M上的-X方向侧及+X方向侧的两侧的位置计测用标记m0、m1，故可更高精度地计测由各投影光学单元PL1～PL5所形成的影像的相对的位置偏移。
另外，于该实施形态中，以形成有用以投影曝光至同一平板P上的不同曝光区域的第1图案M1及第2图案M2的光罩M为例进行了说明，但亦可于光罩M上形成用以投影曝光至不同平板上的不同的图案作为第1图案M1及第2图案M2。而且，亦可于光罩M上形成第1层图案作为第1图案M1，形成第2层图案作为第2图案M2。上述情形下，可减少光罩的更换，高效地进行曝光。
根据该实施形态的曝光装置及曝光方法，可经由具有放大倍率的多个投影光学单元PL1～PL5，而将设于光罩M上的图案的放大像投影曝光至平板P上，故可防止光罩M相对于平板P的大型化。而且，由于具备以对应于多个投影光学单元PL1～PL5的放大倍率的位置关系而非连续地配置的第1图案M1、以及至少一部分设于第1图案M1之间的第2图案M2或位置检测用标记m，并将第1图案M1或第2图案M2的放大像投影曝光至平板P上，故可提高光罩M的利用效率。
例如，对于通常的液晶装置的曝光中，如图5所示般使8张元件图案曝光于平板P上的情形、如图6所示般使6张元件图案曝光于平板P上的情形进行说明。通常，经过4～5层(layer)的溅镀、光阻剂涂布、曝光、显影、蚀刻的步骤而生成液晶面板。此处，设有5层时，必需5片光罩(光罩)。而且，图5所示的8张图案、图6所示的6张图案分别需要5片光罩，故合计必需10片光罩。光罩的成本高，制造10片光罩在成本方面负担较大。
此处，如该实施形态的曝光装置一般，将投影光学系统PL的投影倍率设为2倍或2倍以上。继而，例如，如图2所示，于光罩M的第1图案M1的区域上绘制8张曝光步骤用图案，于第2图案M2的区域上绘制6张曝光步骤用图案，藉此，8张、6张这2个曝光步骤中所必需的光罩片数为5片，也就是说，可使之为先前的光罩片数的1/2。
而且，通常为8张的情形时藉由进行4次扫描(4次scan)而进行曝光，于6张的情形时藉由进行6次扫描(6次scan)而进行曝光。进行6次扫描的6张图案区域(1张的区域)小于进行4次扫描的8张图案区域(图5的斜线部)。因此，如图7所示，分成光罩M的第1图案M1的区域与第2图案M2的区域，将非连续地配置的3个第1图案M1作为6张用图案，将非连续地配置的4个第2图案M2作为8张用图案。此时，于平板P上，如图8所示使第1图案M1曝光，如图9所示使第2图案M2曝光，故可于1片光罩上形成不同大小的6张图案区域以及8张图案区域，从而可提高光罩的图案区域的使用效率。
而且，例如，于先前的6张图案的装置中，于光罩上绘制相当于1张的区域的图案，而将图6中以虚线所示的区域A的图案绘制于光罩M上作为第1图案M1，将图6中以一点锁线所示的区域B的图案绘制于光罩M上作为第2图案M2。于平板P上，进行连续曝光以合成区域A与区域B，藉此无需进行6次扫描，以4次扫描即可完成曝光，从而可提高处理量(throughput)。
以下，对此时的曝光动作进行说明。首先，将光罩M的第1图案M1曝光于平板P的区域A(参阅图6)上，使平板平台(平板P)在Y方向上步进移动规定量。此时，藉由使光罩平台(光罩M)在Y方向上步进移动规定量，而自第1图案M1切换至第2图案M2。继而，将第2图案M2曝光于平板P的虚线内的区域C(参阅图6)上。同样，将第1图案M1曝光于区域D(参阅图6)上，将第2图案M2曝光于区域B(参阅图6)上。于使平板平台(平板P)在Y方向上步进移动的期间，可使光罩平台(光罩M)步进移动，以此来切换第1图案M1与第2图案M2，故不会导致处理的延迟，而可进行4次扫描曝光。
另外，于该实施形态中，以步进扫描方式的曝光装置为例进行了说明，但本发明亦可适用于步进-重复方式的曝光装置、往复曝光方式的曝光装置中。于步进-重复方式的曝光装置中，例如，如图10所示，于光罩M′上形成第1图案M3及第2图案M4。继而，例如，如图11所示，将所选择的第1图案M3或第2图案M4的放大像分别投影曝光至平板P′上的区域P3上。
而且，于该实施形态中，于1片光罩M上设有第1图案M1及第2图案M2，但是亦可以将第1图案以及第2图案划分设置于分散配置的多个光罩上，并将上述多个光罩支持于光罩平台上。亦即，如图12所示，例如，将3片光罩M5、M6、M7排列配置于光罩平台上。第1图案M8分散配置于光罩M5、M6、M7上，且形成于各光罩M5、M6、M7上的第1图案M8分别藉由投影光学单元PL1～PL5中的至少1个而进行放大投影曝光。同样，第2图案M9亦分散地配置于光罩M5、M6、M7上，且形成于各光罩M5、M6、M7上的第2图案M9分别藉由投影光学单元PL1～PL5中的至少1个而进行放大投影曝光。此时，由于可防止光罩的大型化，故可抑制光罩的成本。
而且，于该实施形态中，以形成有第1图案M1、第2图案M2及位置计测用标记m、m0、m1的光罩M为例进行了说明，但如图13所示，亦可使用形成有第1图案M1及位置计测用标记m的光罩M10。此时，由于一部分位置计测用标记m形成于第1图案M1之间，故亦可高精度地检测光罩M10的变形。
而且，于该实施形态中，藉由使光罩M在Y方向上步进移动而切换第1图案M1与第2图案M2，但亦可不使光罩M(光罩平台)步进移动，而使光罩M以可旋转180度的方式搭载从而来切换第1图案M1与第2图案M2。而且，藉由预先挪动将光罩载置于光罩平台上的位置，亦可进行第1图案M1与第2图案M2的切换。
而且，于使2个光罩图案重迭曝光于同一平板上、从而经由进行2重曝光来提高图案的解像力的技术中，将图案划分并绘制于1个光罩上，并使所划分的图案2重曝光于同一平板上，藉此，仅以1个光罩即可提高图案的解像力。
而且，于该实施形态中，于平板平台PS上具备空间像计测装置24，但亦可将用以计测位置计测用标记m、m0、m1的至少1个计测系统设置于光罩平台的投影光学系统PL侧、或者光罩平台的照明光学系统IL侧。计测系统可分别与投影光学单元PL1～PL5相对应而设，或者亦可针对2个或2个以上的投影光学单元而设置1个计测系统。此时，于扫描曝光中，实时地预知位置计测用标记m的位置并进行计测，实时地驱动各投影光学单元PL1～PL5的调整机构，藉此可调整像位置，故无须于曝光前计测光罩M的变形、以及由各投影光学单元PL1～PL5所形成的影像的相对的位置偏移，从而可提高处理量。
而且，于该实施形态中，表示了第1图案M1由投影光学系统PL合成并对1个图案进行曝光的情况，亦可设计第1图案，以使所合成的图案成为2个图案。另外，当然，此时2个图案分离的部分无须作为叠印(overlap)部分而重复曝光。
而且，当于第1图案区域中设置作为第1图案的元件图案，而于第2图案区域中仅设置位置计测用标记时，可使第1图案区域的各图案的间距与投影光学系统的倍率小于2.4倍，可设定1.1～1.2倍或1.1～1.2倍以上的倍率。
而且，当然，于对图案区域进行划分，于光罩上设置有第1图案区域、第2图案区域、第3图案区域时，投影光学系统的倍率必然成为大于3倍的3.3～3.6倍或3.3～3.6倍以上的倍率。
其次，参阅图14～图29，对本发明的其它实施形态进行说明。首先，对当投影光学系统PL1～PL5为正立系的光学系统时所使用的正立像用光罩进行说明。如图14所示，光罩M具备奇数列图案区域M1(此处为5个图案区域)、及偶数列图案区域M2(此处为5个图案区域)。此处，奇数列图案区域M1是指，例如，如同图所示般，于非扫描方向(Y方向)上自上方开始计数的第奇数个，即第1个、第3个、第5个、第7个、第9个图案区域，偶数列图案是指，同样于非扫描方向(Y方向)上自上方开始计数的第偶数个，即第2个、第4个、第6个、第8个、第10个图案区域。
于奇数列图案区域M1的相邻接的至少一对端部、或者偶数列图案区域M2的相邻接的至少一对端部上，形成有具备相同图案的共通区域。此处，共通区域分别形成于相邻接的一对奇数列图案区域M1或者相邻接的一对偶数列图案区域M2的相邻接的一侧。例如，如图14所示，分别形成有共通区域opa、opb、opc、opd、ope、opf、opg、oph。而且，偶数列图案区域M2中的至少一部分，配置于相邻接的至少一对奇数列图案区域M1之间。由于其它部分与图2大致相同，故省略其说明。
其次，对当投影光学系统PL1～PL5为倒立系的光学系统时所使用的倒立像用光罩进行说明。如图15所示，光罩M与图14同样，具备奇数列图案区域M1(此处为5个图案区域)、及偶数列图案区域M2(此处为5个图案区域)。此处，奇数列图案区域是指，例如，如同图所示，于非扫描方向(Y方向)上自上方开始计数的第奇数个，即第1个、第3个、第5个、第7个、第9个图案区域，偶数列图案是指，同样于非扫描方向(Y方向)上自上方开始计数的第偶数个，即第2个、第4个、第6个、第8个、第10个图案区域。
于奇数列图案区域M1的相邻接的至少一对端部、或者偶数列图案区域M2的相邻接的至少一对端部上，形成有具备相同图案的共通区域。此处，共通区域分别形成于相邻接的一对奇数列图案区域M1或者相邻接的一对偶数列图案区域M2的相反侧(与相邻接的一侧相反的一侧)。例如，如图15所示，分别形成有共通区域opa、opb、opc、opd、ope、opf、opg、oph。而且，偶数列图案区域M2中的至少一部分配置于相邻接的至少一对奇数列图案区域M1之间。由于其它部分与图2大致相同，因此省略其说明。
另外，奇数列图案区域M1与偶数列图案区域M2亦可构成为分别具有1个图案区域。
于上述正立像的光罩以及倒立像的光罩的说明中，所谓邻接，无须使奇数列图案区域M1与偶数列图案区域M2相接，亦可为隔开规定的距离。于相邻接的一对奇数列图案区域M1或者相邻接的一对偶数列图案区域M2中，以至少一对共通区域opa、opb、opc、opd、ope、opf、opg、oph互相重迭而形成1个目标图案的方式，使共通区域的全部或一部分重迭而转印曝光。另外，一对奇数列图案区域M1与一对偶数列图案区域M2，亦可为使相邻接的至少一对共通区域相互重迭而形成1个目标图案的图案，而无须使形成于一对共通区域上的图案完全相同。例如，一对共通区域中，奇数列图案区域M1的共通区域中的任一个、或者偶数列图案区域M2的共通区域中的任一个，亦可具有完全不使用的多余图案。
而且，光罩M的图案在非扫描方向(Y方向)上的奇数列图案区域M1及偶数列图案区域M2的宽度并无特别限定，亦可设为35mm～175mm。
图16表示使用图14或图15所示的光罩M的奇数列图案区域M1，将图案曝光转印至平板P上的情形，图17表示使用图14或图15所示的光罩M的偶数列图案区域M2，将图案曝光转印至平板P上的情形。如图16或图17所示，曝光区域R1～R5由宽度Sr的部分及宽度Tr的部分构成，于平板P上，各宽度Tr的部分成为相邻接的曝光区域彼此的共通区域。于该实施形态中，曝光区域R1～R5在非扫描方向Y上的宽度，由将图14以及图15所示的宽度Si的部分及宽度Ti的部分乘以投影光学系统PL1～PL5的倍率后而获得的宽度Sr的部分以及宽度Tr的部分所构成，将曝光区域R1～R5在非扫描方向Y上的宽度平均化后而获得的有效曝光宽度为(Tr+Sr)，其与曝光区域R1～R5的间距间隔Lr相等。即，当曝光区域R1～R5的间距间隔Lr与投影光学系统PL1～PL5在非扫描方向Y上的排列间距相等时，若规定曝光区域R1～R5的间距间隔Lr与投影光学系统PL1～PL5的倍率，则可求得光罩M的图案M1、M2的图案间距Lm。
因此，虽无特别限定，但例如，将本实施形态的投影光学系统PL1～PL5的放大倍率设为2倍，将有效曝光宽度设为350mm时，图案间距Lm为175mm。此处，由于曝光区域R1～R5的间距间隔Lr与投影光学系统PL1～PL5在非扫描方向Y上的排列间距相等，因此，本实施形态的图案间距Lm的最小间距亦与投影光学系统PL1～PL5在非扫描方向Y上的排列间距相关。考虑到保持投影光学系统PL1～PL5的固持器(holder)的厚度等，于非扫描方向Y上，例如若将投影光学系统彼此不接触的宽度设为70mm，将投影光学系统PL1～PL5的放大倍率设为2倍，则图案间距Lm为35mm。
另一方面，非扫描方向Y上的共通区域的宽度并无特别限定，但可设为可目测的宽度，亦可设为图案间距Lm的2成或2成以下。因此，例如若将本实施形态的图案间距Lm设为175mm，则共通区域的宽度可设为1mm～35mm。
而且，于本实施形态的光罩M中，为了防止因形成于光罩上的周边或一部分上的多余图案的曝光、或因自平板P泄漏的光而导致的误曝光等，例如，亦可利用遮光薄板等，于奇数列图案区域M1与偶数列图案区域M2以及共通区域的周边或一部分上形成遮光带。
而且，如图18所示，光罩M具备：多个第1位置检测用标记m11，相对于奇数列图案区域M1而以规定的位置关系所形成；以及多个第2位置检测用标记m21，相对于偶数列图案区域M2而以规定的位置关系所形成。此处，第1位置检测用标记m11与第2位置检测用标记m21，是用以将光罩M定位于装置上的定位标记、或者用以对投影光学系统PL1～PL5进行配置调整的定位标记。另外，第1位置检测用标记m11与第2位置检测用标记m21，亦可为用以检测整个光罩M上的变形的定位标记、用以检测奇数列图案区域M1的绘制误差或偶数列图案区域M2的绘制误差的定位标记、用以检测分别由投影光学系统PL1～PL5所形成的奇数列图案区域M1或者偶数列图案区域M2的影像的相对的位置偏移(连接误差)的定位标记等。于图18中，多个第1位置检测用标记m11在沿扫描方向X的方向上，配置于相对于多个奇数列图案区域M1而隔开规定距离(作为一列，与非扫描方向Y上自上方开始的第1个奇数列图案M1的距离为Y11)的位置上，多个第2位置检测用标记m21在沿扫描方向X的方向上，配置于相对于偶数列图案区域M2而隔开规定距离(作为一列，与非扫描方向Y上自上开始的第2个偶数列图案M2的距离为Y21)的位置上。
另外，于该图18中，pm是表示各图案区域M1、M2的非扫描方向Y上的中心的标记。而且，第1位置检测用标记m11以及第2位置检测用标记m21的位置并无特别限定，但如图18所示，可配置于非扫描方向Y的两端部(于图18中为上侧端部及下侧端部)。然而，上述第1位置检测用标记m11及第2位置检测用标记m21亦可配置于图案区域M1、M2之间的部分或其它部分上。
以下，参照图19所示的流程图，对上述正立像用光罩M的制造方法进行说明。该制造方法大致由图案资料采集步骤S1、图案资料划分步骤(第1步骤、第2步骤)S2、共通区域附加步骤(第3步骤)S3、图案资料生成步骤(第3步骤)S4、及图案绘制步骤(第4步骤)S5构成。
首先，于图案资料采集步骤S1中，获取与应曝光转印至平板P上的一层上的元件图案相对应的第1图案资料，并且获取与应曝光转印至平板P上的其它层上的元件图案相对应的第2图案资料。此处，于曝光转印至同一平板P上的不同曝光区域的情形时，第1图案资料与第2图案资料亦可为与形成在各曝光区域上的元件图案相对应的第1及第2图案资料，而于曝光转印至不同的平板P上的情形时，第1图案资料与第2图案资料亦可为与形成于各平板P上的元件图案相对应的第1及第2图案资料。上述图案资料是以投影光学系统PL1～PL5的投影倍率的倒数缩小的资料。其次，于图案资料划分步骤S2中，如图20及图21所示，分别划分第1图案资料PD1及第2图案资料PD2，生成第1划分资料群a1、b1、c1以及第2划分资料群a2、b2、c2。此处，第1图案群资料a1、b1、c1是应形成于光罩M上的奇数列图案区域M1上的图案，第2划分资料群a2、b2、c2是应形成于光罩M上的偶数列图案区域M2上的图案。
当图案资料划分步骤S2中的图案划分完成时，于共通区域附加步骤S3中，如图22及图23所示，于至少一对第1划分资料群或至少一对第2划分资料群的端部，附加与共通区域相对应的图案资料，继而，于图案资料生成步骤S4中，制作与形成于光罩上的全部图案相对应的奇数列图案绘制资料及偶数列图案绘制资料。
对于第1划分资料群而附加与共通区域相对应的图案资料时，如图22所示，藉由如下方式而进行：将相当于第1划分资料A1的端部(此处为相邻接的第1划分资料B1侧的端部)的部分opa的资料，附加于第1划分资料B1相应的端部(此处为相邻接的第1划分资料A1侧的端部)，将相当于第1划分资料B1的端部(此处为相邻接的第1划分资料C1侧的端部)的部分opc的资料，附加于第1划分资料C1相应的端部(此处为相邻接的第1划分资料B1侧的端部)。但是，亦可藉由如下方式而进行：将相当于第1划分资料B1的端部(此处为相邻接的第1划分资料A1侧的端部)的部分opa的资料，附加于第1划分资料A1相应的端部(此处为相邻接的第1划分资料B1侧的端部)，将相当于第1划分资料C1的端部(此处为相邻接的第1划分资料B1侧的端部)的部分opc的资料，附加于第1划分资料B1相应的端部(此处为相邻接的第1划分资料C1侧的端部)。
而且，对于第2划分资料群而附加与共通区域相对应的图案资料时，如图23所示，藉由如下方式而进行：将相当于第2划分资料A2的端部(此处为相邻接的第2划分资料B2侧的端部)的部分opb的资料，附加于第2划分资料B2相应的端部(此处为相邻接的第2划分资料A2侧的端部)，将相当于第2划分资料B2的端部(此处为相邻接的第2划分资料C2侧的端部)的部分opd的资料，附加于第2划分资料C2相应的端部(此处为相邻接的第2划分资料B2侧的端部)。但是，亦可藉由如下方式而进行：将相当于第2划分资料B2的端部(此处为相邻接的第2划分资料A2侧的端部)的部分opb的资料，附加于第2划分资料A2相应的端部(此处为相邻接的第2划分资料B2侧的端部)，将相当于第2划分资料C2的端部(此处为相邻接的第2划分资料B2侧的端部)的部分opd的资料，附加于第2划分资料B2相应的端部(此处为相邻接的第2划分资料C2侧的端部)。
当奇数列图案绘制资料与偶数列图案绘制资料的制作完成时，于图案绘制步骤S5中，按照上述资料，使用EB曝光装置等，将整个图案绘制于光罩基板(blanks)上，藉此制造出光罩M。此时，如图24所示交替绘制有第1划分资料群A1、B1、C1以及第2划分资料群A2、B2、C2。
倒立像用光罩M的制造方法中，图案资料采集步骤S1、图案资料划分步骤S2、图案生成步骤S4、以及图案绘制步骤S5均与上述相同，但共通区域附加步骤S3中对于与共通区域相对应的图案资料的附加处理不同。
亦即，当图案资料划分步骤S2的图案划分完成时，如图25及图26所示，于至少一对第1划分资料群或至少一对第2划分资料群的端部，附加与共通区域相对应的图案资料。
对于第1划分资料群而附加与共通区域相对应的图案资料时，如图25所示，藉由如下方式而进行：将相当于第1划分资料A1的端部(此处为相邻接的第1划分资料B1的相反侧的端部)的部分opa的资料，附加于第1划分资料B1相应的端部(此处为相邻接的第1划分资料A1的相反侧的端部)，将相当于第1划分资料B1的端部(此处为相邻接的第1划分资料C1的相反侧的端部)的部分opc的资料，附加于第1划分资料C1相应的端部(此处为相邻接的第1划分资料B1的相反侧的端部)。但是，亦可藉由如下方式而进行：将相当于第1划分资料B1的端部(此处为相邻接的第1划分资料A1的相反侧的端部)的部分opa的资料，附加于第1划分资料A1相应的端部(此处为相邻接的第1划分资料B1的相反侧的端部)，将相当于第1划分资料C1的端部(此处为相邻接的第1划分资料B1的相反侧的端部)的部分opc的资料，附加于第1划分资料B1相应的端部(此处为相邻接的第1划分资料C1的相反侧的端部)。
而且，对于第2划分资料群而附加与共通区域相对应的图案资料时，如图26所示，藉由如下方式而进行：将相当于第2划分资料A2的端部(此处为相邻接的第2划分资料B2的相反侧的端部)的部分opb的资料，附加于第2划分资料B2相应的端部(此处为相邻接的第2划分资料A2的相反侧的端部)，将相当于第2划分资料B2的端部(此处为相邻接的第2划分资料C2的相反侧的端部)的部分opd的资料，附加于第2划分资料C2相应的端部(此处为相邻接的第2划分资料B2的相反侧的端部)。但是，亦可藉由如下方式而进行：将相当于第2划分资料B2的端部(此处为相邻接的第2划分资料A2的相反侧的端部)的部分opb的资料，附加于第2划分资料A2相应的端部(此处为相邻接的第2划分资料B2的相反侧的端部)，将相当于第2划分资料C2的端部(此处为相邻接的第2划分资料B2的相反侧的端部)的部分opd的资料，附加于第2划分资料B2相应的端部(此处为相邻接的第2划分资料C2的相反侧的端部)。
当藉由图案资料生成步骤S4而完成奇数列图案绘制资料与偶数列图案绘制资料的制作时，于图案绘制步骤S5中，根据上述资料，使用EB曝光装置等，将整个图案绘制于光罩基板(blanks)上，藉此制造出光罩M。此时，如图27所示交替绘制有第1划分资料群A1、B1、C1及第2划分资料群A2、B2、C2。
另外，于上述图案资料划分步骤S2中，对与元件图案相对应的图案进行划分，于其后实施共通区域附加步骤S3，但亦可对与在至少一对奇数列图案区域中具有共通区域的全部奇数列图案相对应的图案资料进行划分，以生成第1划分资料群(第1步骤)，并且，对与在至少一对偶数列图案区域中具有共通区域的全部偶数列图案相对应的图案资料进行划分，以生成第2划分资料群(第2步骤)，并使用上述第1划分资料群及第2划分资料群，将上述全部奇数列图案及上述全部偶数列图案绘制于光罩M上(第3步骤)。此时的奇数列图案相关的第1图案资料PD1如图28所示，偶数列图案相关的第2图案资料PD2如图29所示。于上述图中，opa、opb、opc、opd为共通区域。
以上所说明的实施形态地目的在于使读者容易理解本发明，并非为了限定本发明。因此，上述实施形态中所揭示的各要素亦包含属于本发明的技术性范围内的所有设计变更或其等价物。而且，亦可对上述实施形态的各构成要素等进行任意组合等。
以上所述，仅是本发明的较佳实施例而已，并非对本发明作任何形式上的限制，虽然本发明已以较佳实施例揭露如上，然而并非用以限定本发明，任何熟悉本专业的技术人员，在不脱离本发明技术方案范围内，当可利用上述揭示的技术内容作出些许更动或修饰为等同变化的等效实施例，但凡是未脱离本发明技术方案内容，依据本发明的技术实质来对以上实施例所作的任何简单修改、等同变化与修饰，均仍属于本发明技术方案的范围内。

Claims (52)

1.一种曝光方法，是将图案的像曝光于感光物体上的曝光方法，其特征在于，此曝光方法包括：
准备光罩，上述光罩形成有沿着第1方向以规定间隔设置的多个第1图案、以及沿着上述第1方向以上述规定间隔而设置于上述第1图案之间的第2图案；
使上述多个第1图案的放大像，于上述第1方向连续并投影曝光至上述感光物体上；以及
使上述多个第2图案的放大像，于上述第1方向连续并投影曝光至上述感光物体上。
2.根据权利要求1所述的曝光方法，其特征在于，其中上述多个第1图案的放大像之中相邻的至少一对上述第1图案的放大像的一部分，是相互重复地投影曝光至前述感光物体上；且
上述多个第2图案的放大像之中相邻的至少一对上述第2图案的放大像的一部分，是相互重复地投影曝光至前述感光物体上。
3.根据权利要求1所述的曝光方法，其特征在于，其中上述多个第1图案的放大像以及上述多个第2图案的放大像，是投影曝光于相同的上述感光物体上。
4.根据权利要求3所述的曝光方法，其特征在于，其中上述多个第1图案的放大像，投影曝光于前述感光物体的第1区域；且
上述多个第2图案的放大像，投影曝光于与上述感光物体上的上述第1区域不同的第2区域上。
5.根据权利要求3所述的曝光方法，其特征在于，其中上述多个第1图案的放大像，投影曝光于前述感光物体的第1区域；且
上述多个第2图案的放大像，投影曝光于与上述感光物体上的上述第1区域至少一部分重复的第2区域上。
6.根据权利要求5所述的曝光方法，其特征在于，其中上述多个第1图案的放大像、与上述多个第2图案的放大像是相互2重曝光至上述感光物体上。
7.根据权利要求1所述的曝光方法，其特征在于，其中上述感光物体包括不同的第1感光物体与第2感光物体，且上述多个第1图案的放大像是投影曝光于上述第1感光物体上，且上述多个第2图案的放大像是投影曝光于上述第2感光物体上。
8.根据权利要求1所述的曝光方法，其特征在于，其中上述多个第1图案的放大像与上述多个第2图案的放大像是以大于2倍的投影倍率被投影曝光至上述感光物体上。
9.根据权利要求1所述的曝光方法，其特征在于，其中上述多个第1图案的放大像，是利用在上述第1方向以上述规定间隔排列的多个投影光学单元投影曝光至上述感光物体；
上述多个第2图案的放大像，是利用上述多个投影光学单元投影曝光至上述感光物体。
10.根据权利要求9所述的曝光方法，其特征在于，其中上述第1图案的放大像投影曝光至上述感光物体的步骤包括：对于上述多个投影光学单元，使上述光罩及上述感光物体在与上述第1方向交叉的第2方向进行扫描，且
上述多个第2图案的放大像投影曝光至上述感光物体的步骤包括：对于上述多个投影光学单元，使上述光罩及上述感光物体在上述第2方向进行扫瞄。
11.根据权利要求10所述的曝光方法，其特征在于，其中上述多个第1图案的放大像投影曝光至上述感光物体的步骤包括：使上述光罩与上述感光物体以与上述多个投影光学单元所具有的倍率相等的速度比，在上述第2方向上进行扫描，且
上述多个第2图案的放大像投影曝光至上述感光物体的步骤包括：使上述光罩与上述感光物体以上述速度比，在上述第2方向上进行扫描。
12.根据权利要求9所述的曝光方法，其特征在于，其包括：
按照上述第1图案与上述第2图案在上述第1方向的间隔，使上述光罩于上述第1方向步进移动；且
使上述多个第1图案或上述多个第2图案分别与上述多个投影光学单元对向。
13.根据权利要求9所述的曝光方法，其特征在于，还包括：
取得用以选择上述第1图案或上述第2图案中的一者的曝光信息；以及
根据上述曝光信息，使上述多个投影光学单元分别与上述多个第1图案或上述多个第2图案对向。
14.根据权利要求9所述的曝光方法，其特征在于，其包括：
对应于上述多个第1图案及上述多个第2图案中至少一方于上述光罩的规定位置所形成的多个计测用标记的像，是利用上述多个投影光学单元而形成；
计测上述多个计测用标记的像；以及
根据上述多个计测用标记的像的计测结果，调整上述多个投影光学单元，其中
上述多个第1图案的放大像与上述多个第2图案的放大像，是由根据上述多个计测用标记的计测结果而调整的上述多个投影光学单元，投影曝光至上述感光物体上。
15.根据权利要求14所述的曝光方法，其特征在于，其中计测上述多个计测用标记的像的计测结果，是上述光罩的变形量、上述第1图案与上述第2图案的绘制误差中至少一者的相关信息。
16.根据权利要求1所述的曝光方法，其特征在于，其中上述规定间隔是对应被投影曝光于上述感光物体的上述第1图案的放大像及上述第2图案的放大像的投影倍率而设定。
17.根据权利要求9所述的曝光方法，其特征在于，其中上述规定间隔是对应上述多个投影光学单元所具有的倍率、与上述多个投影光学单元所形成的多个曝光区域沿着上述第1方向的间距间隔而设定。
18.根据权利要求1所述的曝光方法，其特征在于，其中上述光罩包括沿上述第1方向分散配置的多个光罩基板，且
上述多个第1图案与上述多个第2图案是分别划分设置于上述多个光罩基板，
且准备上述光罩的步骤包括：支撑着沿上述第1方向分散配置的上述多个光罩基板。
19.一种曝光方法，是把图案的像曝光于感光物体的曝光方法，其特征在于，其包括：
准备光罩，上述光罩沿着第1方向以规定间隔配置多个第1图案，且沿着上述第1方向以上述规定间隔于上述多个第1图案之间配置多个第2图案，其中上述多个第1图案是将第1元件图案于上述第1方向分割而形成，且上述多个第2图案是将第2元件图案于上述第1方向分割而形成；
把上述多个第1图案的放大像投影至上述感光物体，以将上述第1元件图案的放大像曝光至上述感光物体；以及
把上述多个第2图案的放大像投影至上述感光物体，以将上述第2元件图案的放大像曝光至上述感光物体。
20.根据权利要求19所述的曝光方法，其特征在于，其中上述第1元件图案的放大像，是利用在上述第1方向以上述规定间隔排列的多个投影光学单元而被投影曝光至上述感光物体，且
上述第2元件图案的放大像，是利用上述多个投影光学单元而投影曝光至上述感光物体。
21.一种曝光装置，是把图案的像曝光至感光物体的曝光装置，其特征在于，其包括：
多个投影光学单元，在第1方向以规定间隔排列，并将第1面所配置的上述图案的放大像分别投影曝光至第2面；
第1保持装置，支撑着光罩并使上述光罩配置于上述第1面而使上述光罩可对于上述多个投影光学单元相对移动，其中上述光罩沿着上述第1方向以上述规定间隔配置多个第1图案，且上述光罩沿着上述第1方向以上述规定间隔于上述多个第1图案之间配置多个第2图案；以及
第2保持装置，支撑上述感光物体并使上述感光物体配置于上述第2面，其中
上述多个投影光学单元以使由上述第1保持装置而配置于上述第1面的上述多个第1图案的放大像分别对向于上述多个投影光学单元的方式，使上述第1面的上述多个第1图案的放大像于上述第1方向连续，并投影曝光至由上述第2保持装置而配置于上述第2面的上述感光物体，且
上述多个投影光学单元以使由上述第1保持装置配置于上述第1面的上述多个第2图案的放大像分别对向于上述多个投影光学单元的方式，使上述第1面所配置的上述多个第2图案的放大像于上述第1方向连续，并投影曝光至由上述第2保持装置而配置于上述第2面的上述感光物体。
22.根据权利要求21所述的曝光装置，其特征在于，其中上述多个投影光学单元是，使上述多个第1图案的放大像之中相邻的至少一对上述第1图案的放大像的一部分，相互重复地投影曝光至前述感光物体上，且
使上述多个第2图案的放大像之中相邻的至少一对上述第2图案的放大像的一部分，相互重复地投影曝光至前述感光物体上。
23.根据权利要求21所述的曝光装置，其特征在于，其中上述多个第1图案的放大像以及上述多个第2图案的放大像，是投影曝光于相同的上述感光物体上。
24.根据权利要求23所述的曝光装置，其特征在于，其中上述多个第1图案的放大像，投影曝光于前述感光物体的第1区域；且
上述多个第2图案的放大像，投影曝光于与上述感光物体上的上述第1区域不同的第2区域上。
25.根据权利要求23所述的曝光装置，其特征在于，其中上述多个第1图案的放大像，投影曝光于前述感光物体的第1区域；且
上述多个第2图案的放大像，投影曝光于与上述感光物体上的上述第1区域至少一部分重复的第2区域上。
26.根据权利要求25所述的曝光装置，其特征在于，其中上述多个第1图案的放大像、与上述多个第2图案的放大像是相互2重曝光至上述感光物体上。
27.根据权利要求21所述的曝光装置，其特征在于，其中上述感光物体包括不同的第1感光物体与第2感光物体，且上述多个第1图案的放大像是投影曝光于上述第1感光物体上，且上述多个第2图案的放大像是投影曝光于上述第2感光物体上。
28.根据权利要求21所述的曝光装置，其特征在于，其中上述多个投影光学单元具有大于2倍的倍率。
29.根据权利要求21所述的曝光装置，其特征在于，其中上述第1保持装置与上述第2保持装置，是以与上述多个投影光学单元所具有的倍率相等的速度比，使上述光罩及上述感光物体，于与上述第1方向交叉的第2方向上进行扫描。
30.根据权利要求21所述的曝光装置，其特征在于，其中第1保持装置是按照上述第1图案与上述第2图案在上述第1方向的间隔，来使上述光罩于第1方向步进移动，且
使上述多个第1图案或上述多个第2图案分别与多个投影光学单元对向。
31.根据权利要求21所述的曝光装置，其特征在于，其中上述第1保持装置是根据被输入于该曝光装置的用以选择上述第1图案及上述第2图案中一者的曝光信息，使上述多个第1图案或上述多个第2图案分别与上述多个投影光学单元对向。
32.根据权利要求21所述的曝光装置，其特征在于，其包括：
像计测装置，对多个计测用标记由上述多个投影光学单元的像进行计测，上述多个计测用标是对应于上述多个第1图案及上述多个第2图案中至少一方而形成于上述光罩的规定位置；以及
调整装置，根据上述多个计测用标记的计测结果，调整上述多个投影光学单元。
33.根据权利要求21所述的曝光装置，其特征在于，其中上述规定间隔是对应上述多个投影光学单元所具有的倍率、与上述多个投影光学单元所形成的多个曝光区域沿着上述第1方向的间距间隔而设定。
34.根据权利要求21所述的曝光装置，其特征在于，其中上述光罩包括沿上述第1方向非连续配置的多个光罩基板，且
上述多个第1图案及上述多个第2图案，分别划分设置于前述多个光罩基板上，且
上述第1保持装置支撑着沿上述第1方向分散配置的上述多个光罩基板。
35.一种曝光装置，是把图案的像曝光于感光物体的曝光装置，其特征在于，其包括：
多个投影光学单元，在第1方向以规定间隔排列，把第1面所配置的多个图案的放大像分别投影曝光至第2面；
第1保持装置，支撑着光罩并使上述光罩配置于上述第1面而使上述光罩可对于上述多个投影光学单元相对移动，其中上述光罩沿着上述第1方向以规定间隔配置多个第1图案，且上述光罩沿着上述第1方向以上述规定间隔于上述多个第1图案之间配置多个第2图案，且上述多个第1图案是将第1元件图案于上述第1方向分割而形成，上述多个第2图案是将第2元件图案于上述第1方向分割而形成；以及
第2保持装置，支撑上述感光物体并使上述感光物体配置于上述第2面，其中
上述多个投影光学单元以使由上述第1保持装置而配置于上述第1面的上述多个第1图案的放大像分别对向于上述多个投影光学单元的方式，使上述第1面的上述多个第1图案的放大像投影至由上述第2保持装置而配置于上述第2面的上述感光物体，并使上述第1元件图案的放大像曝光至上述感光物体；且
上述多个投影光学单元以使由上述第1保持装置而配置于上述第1面的上述多个第2图案的放大像分别对向于上述多个投影光学单元的方式，使上述第1面的上述多个第2图案的放大像投影至由上述第2保持装置而配置于上述第2面的上述感光物体，并使上述第2元件图案的放大像曝光至上述感光物体。
36.一种光罩，是把被曝光的图案形成于感光物体上的光罩，其特征在于，此光罩包括：
多个第1图案，沿着第1方向以规定间隔配置，且使于上述感光物体上在上述第1方向形成连续的1个图案的方式，作为放大像投影曝光至上述感光物体；以及
多个第2图案，沿着上述第1方向以规定间隔设置于上述多个第1图案之间，且使于上述感光物体上在上述第1方向形成连续的1个图案的方式，作为放大像投影曝光至上述感光物体，
上述光罩在上述第1方向上，将上述多个第1图案和上述多个第2图案相互地交替配置。
37.根据权利要求36所述的光罩，其特征在于，其中上述多个第1图案的放大像之中相邻的至少一对上述第1图案的放大像的一部分，是相互重复地投影曝光至前述感光物体上；且
上述多个第2图案的放大像之中相邻的至少一对上述第2图案的放大像的一部分，是相互重复地投影曝光至前述感光物体上。
38.根据权利要求37所述的光罩，其特征在于，其中上述多个第1图案的放大像、与上述多个第2图案的放大像是相互2重曝光至上述感光物体上。
39.根据权利要求36所述的光罩，其特征在于，其中上述多个第1图案的放大像与上述多个第2图案的放大像是以大于2倍的投影倍率被投影曝光至上述感光物体上。
40.根据权利要求36所述的光罩，其特征在于，其中上述多个第1图案的放大像，是利用沿着上述第1方向以上述规定间隔排列的多个投影光学单元投影曝光至上述感光物体，且
上述多个第2图案的放大像，是利用上述多个投影光学单元投影曝光至上述感光物体。
41.根据权利要求36所述的光罩，其特征在于，其中上述第1图案及上述第2图案是分别沿着与上述第1方向交叉的第2方向而形成。
42.根据权利要求36所述的光罩，其特征在于，其包括：
多个计测用标记，对应于上述多个第1图案及上述多个第2图案中至少一方而设置于规定位置。
43.根据权利要求42所述的光罩，其特征在于，其中多个计测用标记的至少一部分，是配置于关于在上述第1方向上相邻的上述第1图案与上述第2图案之间。
44.根据权利要求36所述的光罩，其特征在于，其中于上述多个第1图案中相邻接的至少一对上述第1图案的端部，设有具备相同图案的第1共通区域，且
上述多个第2图案中相邻的至少一对上述第2图案的端部，设有具备相同图案的第2共通区域。
45.根据权利要求44所述的光罩，其特征在于，其中上述第1共通区域分别设置于相邻的至少一对上述第1图案的相邻侧，且
上述第2共通区域分别设置于相邻的至少一对上述第2图案的相邻侧。
46.根据权利要求44所述的光罩，其特征在于，其中上述第1共通区域分别设置于与相邻的至少一对上述第1图案的相邻侧相反的相反侧，且
上述第2共通区域分别设置于与相邻的至少一对上述第2图案的相邻侧相反的相反侧。
47.根据权利要求36所述的光罩，其特征在于，其中上述规定间隔是对应被投影曝光至上述感光物体的上述第1图案的放大像及上述第2图案的放大像的投影倍率和沿着上述第1方向的上述放大像的尺寸而设定。
48.根据权利要求36所述的光罩，其特征在于，其包括：
沿上述第1方向分散配置的多个光罩基板，
其中上述多个第1图案与上述多个第2图案是分别划分设置于上述多个光罩基板。
49.一种光罩，是把被曝光的图案形成于感光物体的光罩，其特征在于，其包括：
多个第1图案，将和应曝光于上述感光物体的第1元件对应的第1元件图案于第1方向分割而形成，且沿着上述第1方向以规定间隔配置；以及
多个第2图案，将和应曝光于上述感光物体的第2元件对应的第2元件图案于上述第1方向分割而形成，且沿着上述第1方向以上述规定间隔配置于上述多个第1图案之间，
各上述多个第1图案被配置，以通过多个投影光学单元于上述第1方向连续并投影曝光至上述感光物体上；以及
各上述多个第2图案被配置，以通过多个投影光学单元于上述第1方向连续并投影曝光至上述感光物体上。
50.一种元件制造方法，是在基板上形成液晶元件的元件制造方法，其特征在于，其包括以下步骤：
使用权利要求1至20中任一权利要求所述的曝光方法，将元件图案曝光至上述基板；
对已曝光有上述元件图案的上述基板进行显影。
51.一种元件制造方法，是在基板上形成液晶元件的元件制造方法，其特征在于，其包括以下步骤：
使用权利要求21至35中任一权利要求所述的曝光装置，将元件图案曝光至上述基板；
对已曝光有上述元件图案的上述基板进行显影。
52.一种元件制造方法，是在基板上形成液晶元件的元件制造方法，其特征在于，其包括以下步骤：
把权利要求36至49中任一权利要求所述的光罩上所形成的元件图案曝光至上述基板；
对已曝光有上述元件图案的上述基板进行显影。
CN201110265679.3A 2006-02-16 2007-02-08 曝光方法、曝光装置、光罩及其制造方法及元件制造方法 Active CN102346378B (zh)

Applications Claiming Priority (4)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2006-039372 2006-02-16
JP2006039372 2006-02-16
JP2006-279389 2006-10-13
JP2006279389A JP4984810B2 (ja) 2006-02-16 2006-10-13 露光方法、露光装置及びフォトマスク

Related Parent Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN2007800035009A Division CN101375372B (zh) 2006-02-16 2007-02-08 曝光方法、曝光装置、光罩以及光罩的制造方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN102346378A CN102346378A (zh) 2012-02-08
CN102346378B true CN102346378B (zh) 2015-05-20

Family

ID=38371422

Family Applications (2)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN2007800035009A Active CN101375372B (zh) 2006-02-16 2007-02-08 曝光方法、曝光装置、光罩以及光罩的制造方法
CN201110265679.3A Active CN102346378B (zh) 2006-02-16 2007-02-08 曝光方法、曝光装置、光罩及其制造方法及元件制造方法

Family Applications Before (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN2007800035009A Active CN101375372B (zh) 2006-02-16 2007-02-08 曝光方法、曝光装置、光罩以及光罩的制造方法

Country Status (8)

Country Link
US (2) US8159649B2 (zh)
EP (1) EP1986221A4 (zh)
JP (1) JP4984810B2 (zh)
KR (1) KR101404264B1 (zh)
CN (2) CN101375372B (zh)
HK (1) HK1127971A1 (zh)
TW (1) TWI431430B (zh)
WO (1) WO2007094235A1 (zh)

Families Citing this family (48)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN101976018B (zh) * 2006-02-16 2013-01-30 株式会社尼康 光罩及其制造方法
JP4984810B2 (ja) * 2006-02-16 2012-07-25 株式会社ニコン 露光方法、露光装置及びフォトマスク
US8654307B2 (en) * 2006-03-20 2014-02-18 Nikon Corporation Scanning type exposure apparatus, method of manufacturing micro-apparatus, mask, projection optical apparatus, and method of manufacturing mask
US8130364B2 (en) * 2007-01-04 2012-03-06 Nikon Corporation Projection optical apparatus, exposure method and apparatus, photomask, and device and photomask manufacturing method
US20080165333A1 (en) * 2007-01-04 2008-07-10 Nikon Corporation Projection optical apparatus, exposure method and apparatus, photomask, and device and photomask manufacturing method
US8917378B2 (en) * 2007-12-20 2014-12-23 Nikon Corporation Exposure method, exposure apparatus, and method for producing device with plurality of projection optical systems and pattern having first partial pattern area and second partial area having overlaid area with first partial pattern area
JP5335397B2 (ja) * 2008-02-15 2013-11-06 キヤノン株式会社 露光装置
JP5288104B2 (ja) * 2008-04-14 2013-09-11 Ｎｓｋテクノロジー株式会社 スキャン露光装置およびスキャン露光方法
KR20110004365A (ko) * 2008-04-16 2011-01-13 가부시키가이샤 니콘 노광방법 및 장치, 및 디바이스 제조방법
JP5493403B2 (ja) * 2008-06-19 2014-05-14 株式会社ニコン 露光方法及び装置、並びにデバイス製造方法
US20120219886A1 (en) 2011-02-28 2012-08-30 D2S, Inc. Method and system for forming patterns using charged particle beam lithography with variable pattern dosage
US9341936B2 (en) 2008-09-01 2016-05-17 D2S, Inc. Method and system for forming a pattern on a reticle using charged particle beam lithography
US8057970B2 (en) 2008-09-01 2011-11-15 D2S, Inc. Method and system for forming circular patterns on a surface
US9323140B2 (en) 2008-09-01 2016-04-26 D2S, Inc. Method and system for forming a pattern on a reticle using charged particle beam lithography
US8039176B2 (en) 2009-08-26 2011-10-18 D2S, Inc. Method for fracturing and forming a pattern using curvilinear characters with charged particle beam lithography
US7901850B2 (en) 2008-09-01 2011-03-08 D2S, Inc. Method and system for design of a reticle to be manufactured using variable shaped beam lithography
US8253923B1 (en) 2008-09-23 2012-08-28 Pinebrook Imaging Technology, Ltd. Optical imaging writer system
US8670106B2 (en) * 2008-09-23 2014-03-11 Pinebrook Imaging, Inc. Optical imaging writer system
US9025136B2 (en) 2008-09-23 2015-05-05 Applied Materials, Inc. System and method for manufacturing three dimensional integrated circuits
US9405203B2 (en) 2008-09-23 2016-08-02 Applied Materials, Inc. Pixel blending for multiple charged-particle beam lithography
US9507271B1 (en) * 2008-12-17 2016-11-29 Applied Materials, Inc. System and method for manufacturing multiple light emitting diodes in parallel
JP5392549B2 (ja) * 2009-05-12 2014-01-22 株式会社ニコン 露光方法及び装置、並びにデバイス製造方法
JP5326806B2 (ja) * 2009-05-21 2013-10-30 住友電気工業株式会社 半導体光素子を作製する方法
US9448473B2 (en) 2009-08-26 2016-09-20 D2S, Inc. Method for fracturing and forming a pattern using shaped beam charged particle beam lithography
US9164372B2 (en) 2009-08-26 2015-10-20 D2S, Inc. Method and system for forming non-manhattan patterns using variable shaped beam lithography
JP5294489B2 (ja) * 2009-12-14 2013-09-18 株式会社ブイ・テクノロジー 露光方法及び露光装置
EP2530527A1 (en) * 2010-01-25 2012-12-05 Sharp Kabushiki Kaisha Exposure apparatus, liquid crystal display device, and method for manufacturing liquid crystal display device
US8818072B2 (en) * 2010-08-25 2014-08-26 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Rendered database image-to-inspection image optimization for inspection
US9612530B2 (en) 2011-02-28 2017-04-04 D2S, Inc. Method and system for design of enhanced edge slope patterns for charged particle beam lithography
US9057956B2 (en) * 2011-02-28 2015-06-16 D2S, Inc. Method and system for design of enhanced edge slope patterns for charged particle beam lithography
US20120244459A1 (en) * 2011-03-24 2012-09-27 Nanya Technology Corp. Method for evaluating overlay error and mask for the same
JP5704535B2 (ja) * 2011-04-05 2015-04-22 株式会社ブイ・テクノロジー マイクロレンズアレイを使用した露光装置
WO2012148606A2 (en) 2011-04-26 2012-11-01 D2S, Inc. Method and system for forming non-manhattan patterns using variable shaped beam lithography
US9034542B2 (en) 2011-06-25 2015-05-19 D2S, Inc. Method and system for forming patterns with charged particle beam lithography
US8473874B1 (en) * 2011-08-22 2013-06-25 Cadence Design Systems, Inc. Method and apparatus for automatically fixing double patterning loop violations
US8516402B1 (en) 2011-08-22 2013-08-20 Cadence Design Systems, Inc. Method and apparatus for automatically fixing double patterning loop violations
US8719739B2 (en) 2011-09-19 2014-05-06 D2S, Inc. Method and system for forming patterns using charged particle beam lithography
WO2013088551A1 (ja) * 2011-12-15 2013-06-20 キヤノン株式会社 露光装置およびデバイス製造方法
CN103207526B (zh) * 2012-01-16 2016-08-10 昆山允升吉光电科技有限公司 一种曝光修正补偿方法
CN103217424B (zh) * 2012-01-19 2017-05-03 昆山思拓机器有限公司 软板分区对位校正方法
US9343267B2 (en) 2012-04-18 2016-05-17 D2S, Inc. Method and system for dimensional uniformity using charged particle beam lithography
TWI733162B (zh) * 2012-05-18 2021-07-11 日商尼康股份有限公司 圓筒狀之光罩單元
JP2014027260A (ja) * 2012-06-19 2014-02-06 Canon Inc 描画装置、データ処理方法および物品の製造方法
JP6011138B2 (ja) * 2012-08-09 2016-10-19 大日本印刷株式会社 位置ずれ検出方法
CN104749902B (zh) * 2013-12-31 2017-02-15 上海微电子装备有限公司 掩模板面型整形装置
TWI808078B (zh) * 2017-03-31 2023-07-11 日商尼康股份有限公司 圖案計算裝置、圖案計算方法、罩幕、曝光裝置、元件製造方法和記錄媒體
CN107255891B (zh) * 2017-08-08 2023-02-03 惠科股份有限公司 一种显示装置的制作方法
JP2019117403A (ja) * 2019-03-22 2019-07-18 株式会社ニコン 露光装置、並びにディスプレイ及びデバイスの製造方法

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1550905A (zh) * 2003-05-13 2004-12-01 Asml荷兰有限公司 光刻装置和器件制造方法
CN1637608A (zh) * 2003-06-11 2005-07-13 Asml荷兰有限公司 光刻装置和器件制造方法

Family Cites Families (22)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH05161588A (ja) 1991-12-16 1993-06-29 Mitsubishi Electric Corp 食器洗浄機の水位検出装置
US5729331A (en) 1993-06-30 1998-03-17 Nikon Corporation Exposure apparatus, optical projection apparatus and a method for adjusting the optical projection apparatus
JP3348467B2 (ja) 1993-06-30 2002-11-20 株式会社ニコン 露光装置及び方法
JP4132095B2 (ja) * 1995-03-14 2008-08-13 株式会社ニコン 走査型露光装置
DE19757074A1 (de) * 1997-12-20 1999-06-24 Zeiss Carl Fa Projektionsbelichtungsanlage und Belichtungsverfahren
JP2000331909A (ja) * 1999-05-19 2000-11-30 Nikon Corp 走査型露光装置
JP2001215718A (ja) * 1999-11-26 2001-08-10 Nikon Corp 露光装置及び露光方法
JP2001168003A (ja) * 1999-12-06 2001-06-22 Olympus Optical Co Ltd 露光装置
EP1107064A3 (en) 1999-12-06 2004-12-29 Olympus Optical Co., Ltd. Exposure apparatus
JP2002036373A (ja) * 2000-07-25 2002-02-05 Sanyo Electric Co Ltd 光造形装置
US6884552B2 (en) * 2001-11-09 2005-04-26 Kla-Tencor Technologies Corporation Focus masking structures, focus patterns and measurements thereof
JP4362999B2 (ja) * 2001-11-12 2009-11-11 株式会社ニコン 露光装置及び露光方法、並びにデバイス製造方法
JP2003324028A (ja) * 2002-04-30 2003-11-14 Jfe Steel Kk 平面磁気素子の製造方法
US6876494B2 (en) 2002-09-30 2005-04-05 Fuji Photo Film Co., Ltd. Imaging forming apparatus
JP4104949B2 (ja) * 2002-09-30 2008-06-18 富士フイルム株式会社 画像形成装置
JP4227402B2 (ja) * 2002-12-06 2009-02-18 キヤノン株式会社 走査型露光装置
US7089352B2 (en) * 2002-12-23 2006-08-08 Micron Technology, Inc. CAM modified to be used for statistic calculation in network switches and routers
JP2004327660A (ja) * 2003-04-24 2004-11-18 Nikon Corp 走査型投影露光装置、露光方法及びデバイス製造方法
JP2004335864A (ja) * 2003-05-09 2004-11-25 Nikon Corp 露光装置及び露光方法
TWI250376B (en) 2003-12-05 2006-03-01 Taiwan Semiconductor Mfg Method of double exposure and fabricating an attenuated phase shifting mask
US7981595B2 (en) * 2005-03-23 2011-07-19 Asml Netherlands B.V. Reduced pitch multiple exposure process
JP4984810B2 (ja) 2006-02-16 2012-07-25 株式会社ニコン 露光方法、露光装置及びフォトマスク

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1550905A (zh) * 2003-05-13 2004-12-01 Asml荷兰有限公司 光刻装置和器件制造方法
CN1637608A (zh) * 2003-06-11 2005-07-13 Asml荷兰有限公司 光刻装置和器件制造方法

Also Published As

Publication number Publication date
US8654310B2 (en) 2014-02-18
HK1127971A1 (en) 2009-10-09
KR20080101866A (ko) 2008-11-21
EP1986221A1 (en) 2008-10-29
TWI431430B (zh) 2014-03-21
US20100315611A1 (en) 2010-12-16
JP2007249169A (ja) 2007-09-27
KR101404264B1 (ko) 2014-06-05
US20080013061A1 (en) 2008-01-17
CN101375372A (zh) 2009-02-25
TW200734832A (en) 2007-09-16
EP1986221A4 (en) 2011-11-23
JP4984810B2 (ja) 2012-07-25
CN101375372B (zh) 2011-11-09
US8159649B2 (en) 2012-04-17
WO2007094235A1 (ja) 2007-08-23
CN102346378A (zh) 2012-02-08

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN102346378B (zh) 曝光方法、曝光装置、光罩及其制造方法及元件制造方法
KR100536781B1 (ko) 포토마스크의 제조방법과 장치 및 디바이스의 제조방법
JP2593440B2 (ja) 投影型露光装置
KR101570544B1 (ko) 노광 방법, 노광 장치 및 디바이스 제조 방법
CN1983037B (zh) 曝光方法、曝光装置及元件制造方法
JP5071382B2 (ja) 走査露光装置及びマイクロデバイスの製造方法
JPH0757986A (ja) 露光装置
WO2010104162A1 (en) Exposure apparatus, exposure method, and method of manufacturing device
US20090257033A1 (en) Exposure method, exposure apparatus, and method for producing device
KR100849870B1 (ko) 주사노광방법 및 주사형 노광장치
CN103019040B (zh) 曝光装置、光掩模及微元件的制造方法及投影光学装置
CN100524024C (zh) 曝光方法、曝光装置及元件制造方法
JP4144059B2 (ja) 走査型露光装置
JPH0855783A (ja) 露光装置
KR100575230B1 (ko) 노광 장치를 이용한 노광 방법
JP2004200430A (ja) 露光装置、露光装置の調整方法及び露光方法
JP4110606B2 (ja) 走査型露光装置および露光方法
TW486741B (en) Aligner and method of exposure
JPH0547629A (ja) 半導体デバイスの製造方法及びそれを用いた投影露光装置
JP2000039505A (ja) 光学フィルタ、及び該フィルタを製造するための露光方法
JP2002231613A (ja) 露光方法及び装置並びにマスク及びその製造方法
JPH0855796A (ja) 走査露光装置および走査露光方法
JP2715937B2 (ja) 露光方法
JP5604813B2 (ja) 照明光学系、露光装置、およびデバイス製造方法
JP2008166650A (ja) 走査型露光装置、デバイスの製造方法及びマスク

Legal Events

Date Code Title Description
C06 Publication
PB01 Publication
C10 Entry into substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
C14 Grant of patent or utility model
GR01 Patent grant