WO2007094235A1 - 露光方法、露光装置、フォトマスク及びフォトマスクの製造方法 - Google Patents

露光方法、露光装置、フォトマスク及びフォトマスクの製造方法 Download PDF

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Abstract

それぞれ拡大倍率を有する複数の投影光学系を介して、マスク(M)のパターン(M1,M2)を基板上に投影露光する露光方法において、前記拡大倍率に対応した位置関係で不連続に配置される第1パターン領域(M1)と、少なくとも一部が第1パターン領域(M1)の間に設けられる第2パターン領域(M2)とを有するマスク(M)を、投影光学系の物体面側に配置し、第1パターン領域(M1)と第2パターン領域(M2)のうちの一方の拡大像を、それぞれ投影光学系の像面側に配置される基板上へ投影露光した後、他方の拡大像を該基板に投影露光する。 

Description

明 細 書

露光方法、露光装置、フォトマスク及びフォトマスクの製造方法

技術分野

[0001] この発明は、液晶表示素子等のフラットパネル表示素子等のマイクロデバイスをリソ グラフイエ程で製造するための露光装置を用いた露光方法、該露光方法により露光 を行なう露光装置、該露光方法に用いられるフォトマスク及び該フォトマスクの製造方 法に関するものである。

背景技術

[0002] 例えば半導体素子又は液晶表示素子等を製造する際に、マスク(レチクル、フォト マスク等)のパターンを投影光学系を介してレジストが塗布されたプレート (ガラスプレ ート又は半導体ウェハ等)上に投影する投影露光装置が使用されている。従来はス テツプ ·アンド'リピート方式でプレート上の各ショット領域にそれぞれレチクルのパタ ーンを一括露光する投影露光装置 (ステツパ)が多用されていた。近年、 1つの大き な投影光学系を使用する代わりに、部分投影光学系を走査方向と直交する方向に 複数並べ、さらに走査方向に沿って所定間隔で複数列に配置し、マスク及びプレー トを走査させつつ各部分投影光学系でそれぞれマスクのパターンをプレート上に露 光するステップ'アンド'スキャン方式の投影露光装置が提案されている(例えば、特 許文献 1及び特許文献 2参照)。複数の部分投影光学系としては、マスク上のパター ンをプレート上に正立正像等倍にて露光する光学系が用いられて 、る。

特許文献 1:特願平 5— 161588号公報

特許文献 2:特開平 11― 265848号公報

発明の開示

発明が解決しょうとする課題

[0003] ところで、近年、プレートがますます大型化し、 2m角を越えるプレートが使用される ようになってきている。ここで、上述のステップ'アンド'スキャン方式の露光装置を用 いて大型のプレート上に露光を行う場合、部分投影光学系が等倍のため、マスクも大 型化する。マスクのコストは、マスク基板の平面性を維持する必要もあり、大型化すれ ばするほど高くなる。また、通常の TFT部を形成するためには、 4〜5レーャ分のマス クが必要とされており、かつ、サイズの異なるパネルをマスクとして約 10種類ほど準備 する必要があり、多大なコストがかかる。

[0004] そこで、特許文献 2記載の投影露光装置においては、投影光学系の倍率を 1. 1倍 〜1. 5倍以上、実施例では 4倍の拡大倍率として、マスクを複数に分割することでマ スクの小型化が図られている。し力しながら、投影光学系の倍率を大きくすることによ り走査面積に対する不必要な領域が拡大し、露光に必要な領域に対して露光に不 必要な領域が大きくなり、走査面積に対する十分な露光寄与率を得ることが難しい。

[0005] この発明の課題は、マスクのパターン領域の利用効率を向上させつつ露光を行うこ とができる露光方法、該露光方法により露光を行う露光装置、該露光方法に用いら れるフォトマスク及び該フォトマスクの製造方法を提供することであ

る。

課題を解決するための手段

[0006] この発明の露光方法は、それぞれ拡大倍率を有する複数の投影光学系(PL1〜P L5)を介して、第 1の物体 (M)に設けられたパターン (Ml, M2)を第 2の物体 (P)上 に投影露光する露光方法にぉ 、て、前記拡大倍率に対応した位置関係で不連続に 配置される第 1パターン領域 (Ml)と、少なくとも一部が前記第 1パターン領域 (Ml) の間に設けられる第 2パターン領域 (M2, m)とを有する前記第 1の物体 (M)を、前 記複数の投影光学系(PL1〜PL5)の第 1面側に配置し、前記第 1パターン領域 (M 1)と前記第 2パターン領域 (M2, m)のうち前記第 1パターン領域 (Ml)の拡大像を 、それぞれ前記複数の投影光学系(PL1〜PL5)を介して、前記複数の投影光学系 (PL1〜PL5)の第 2面側に配置される前記第 2の物体 (P)上へ投影露光する投影 露光工程を含むことを特徴とする。

[0007] また、この発明の露光装置は、それぞれ拡大倍率を有する複数の投影光学系(PL 1〜PL5)を介して、第 1の物体(M)に設けられたパターン(Ml, M2)を第 2の物体( P)上に投影露光する露光装置において、前記第 1の物体 (M)上に設けられた不連 続に配置された第 1パターン領域 (Ml)と、少なくとも一部が前記第 1パターン領域( Ml)の間に設けられた第 2パターン領域 (M2, m)とを有する前記第 1の物体 (M)を 前記複数の投影光学系 (PL1〜PL5)の第 1面に支持する第 1保持装置 (MS)と、前 ti第 1

パターン領域 (Ml)と前記第 2パターン領域 (M2, m)のうち前記第 1パターン領域( Ml)の拡大像をそれぞれ前記複数の投影光学系(PL1〜PL5)を介して投影される ように、前記複数の投影光学系(PL1〜PL5)の第 2面に前記第 2の物体 (P)を保持 する第 2保持装置 (PS)とを備えることを特徴とする。

[0008] また、この発明のフォトマスクは、拡大倍率を有する複数の投影光学系(PL1〜PL

5)を介した感光物体 (P)にパターンを露光するための原画パターン (Ml, M2)が形 成されたフォトマスク(M)であって、前記拡大倍率に対応した位置関係で不連続に 配置され、それぞれ前記複数の投影光学系(PL1〜PL5)により拡大像を形成する ための複数の第 1パターン領域 (Ml)と、少なくとも一部が前記複数の第 1パターン 領域 (Ml)の間に設けられ、前記複数の投影光学系(PL1〜PL5)の少なくとも 1つ により拡大像が形成される第 2パターン領域 (M2)とを有することを特徴とする。

[0009] また、この発明のフォトマスクは、パターン領域を有するフォトマスクであって、前記 ノターン領域は、奇数列パターン領域と、偶数列パターン領域とを含み、前記奇数 列パターン領域の隣接する少なくとも一対又は前記偶数列パターン領域の隣接する 少なくとも一対の端部に、同一のパターンを有する共通領域を有し、前記偶数列バタ ーン領域の少なくとも一部は、隣接する少なくとも一対の前記奇数列パターン領域の 間に配置されることを特徴とする。

[0010] また、この発明のフォトマスクの製造方法は、上述したフォトマスクの製造方法であ つて、前記フォトマスク上の奇数列パターン領域に形成する全奇数列パターンに対 応するパターンデータを分割し、第 1分割データ群を生成する第 1工程と、前記フォト マスク上の偶数列パターン領域に形成する全偶数列パターンに対応するパターンデ ータを分割し、第 2分割データ群を生成する第 2工程と、少なくとも一対の前記第 1分 割データ群又は少なくとも一対の前記第 2分割データ群の端部に、共通領域に対応 するパターンデータを付加し、前記フォトマスク上に形成する全パターンに対応する 、奇数列パターン描画データと偶数列パターン描画データとを作成する第 3工程と、 前記奇数列パターン描画データと前記偶数列パターン描画データとを用いて、前記 フォトマスク上に前記全パターンを描画する第 4工程とを含むことを特徴とする。

[0011] また、この発明のフォトマスクの製造方法は、上述したフォトマスクの製造方法であ つて、少なくとも一対の奇数列パターン領域に共通領域を有する全奇数列パターン に対応するパターンデータを分割し、第 1分割データ群を生成する第 1工程と、少な くとも一対の偶数列パターン領域に共通領域を有する全偶数列パターンに対応する ノターンデータを分割し、第 2分割データ群を生成する第 2工程と、前記第 1分割デ ータ群と前記第 2分割データ群とを用いて、前記フォトマスク上に前記全奇数列バタ ーンと前記全偶数列パターンとを描画する第 3工程とを含むことを特徴とする。

発明の効果

[0012] この発明の露光方法によれば、拡大倍率を有する複数の投影光学系を介して第 1 の物体に設けられたパターンの拡大像を第 2の物体上に投影露光することができる ため、第 2の物体が大型化した場合においても第 1の物体の大型化を防止することが できる。また、複数の投影光学系の拡大倍率に対応した位置関係で不連続に配置さ れる第 1パターン領域、または第 1パターン領域の間に設けられる第 2パターン領域 の拡大像を第 2の物体上に投影露光するため、第 1の物体の利用効率を向上させる ことができる。

[0013] また、この発明の露光装置によれば、拡大倍率を有する投影光学系を備えている ため、第 1の物体に設けられたパターンの拡大像を第 2の物体上に投影することがで きる。したがって、第 2の物体が大型化した場合においても第 1の物体の大型化を防 止することができ、第 1保持装置の大型化を防止することができる。また、複数の投影 光学系の拡大倍率に対応した位置関係で不連続に配置される第 1パターン領域、ま たは第 1パターン領域の間に設けられる第 2パターン領域の拡大像を、第 2の物体上 に投影露光するため、第 1の物体の利用効率を向上させることができる。特に、部分 投影光学系を走査方向と直交する方向に複数個並べ、走査方向に走査する露光装 置の場合、走査方向のマスクの長さを約 1Z (拡大倍率)の長さにすることができる。

[0014] また、この発明のフォトマスクによれば、複数の投影光学系の拡大倍率に対応した 位置関係で不連続に配置され、それぞれの投影光学系により拡大像を形成するた めの複数の第 1のパターン領域と、少なくとも一部が複数の第 1パターン領域の間に 設けられ、それぞれの投影光学系の少なくとも 1つにより拡大像を形成するための第 2のパターン領域を有しているため、大型化を防止することができ、パターン領域の 利用効率を向上させることができる。したがって、露光装置を用いて各種デバイスを 製造する際に必要なフォトマスクの枚数を減少させることができる。例えば、従来の露 光工程において複数枚のフォトマスクが必要であつたのに対し、 1枚のフォトマスクで 露光を行なうことも可能となり、フォトマスク交換のための時間を短縮することができ、 かつフォトマスクの低コストィ匕を実現することができる。

[0015] また、この発明のフォトマスクの製造方法によれば、フォトマスクの製造コストを低減 させることがでさる。

図面の簡単な説明

[0016] [図 1]実施の形態に力かる露光装置の概略構成を示す斜視図である。

[図 2]実施の形態にカゝかるマスクの構成を示す図である。

[図 3]実施の形態に力かるプレートの構成を示す図である。

[図 4]実施の形態に力かる露光方法を説明するためのフローチャートである。

[図 5]プレート上に 8面のデバイスパターンが露光される場合について説明するため の図である。

[図 6]プレート上に 6面のデバイスパターンが露光される場合について説明するため の図である。

[図 7]実施の形態に力かる他のマスクの構成を示す図である。

[図 8]実施の形態に力かる他のプレートの構成を示す図である。

[図 9]実施の形態に力かる他のプレートの構成を示す図である。

[図 10]ステップ ·アンド ·リピート方式の露光装置で用いられるマスクの構成を示す図 である。

[図 11]ステップ ·アンド ·リピート方式の露光装置でパターン露光されたプレートの構 成を示す図である。

[図 12]実施の形態に力かる他のマスクの構成を示す図である。

[図 13]実施の形態に力かる他のマスクの構成を示す図である。

[図 14]他の実施の形態に力かる正立像用のマスクの構成を示す図である。 [図 15]他の実施の形態に力かる倒立像用のマスクの構成を示す図である。

[図 16]他の実施の形態に力かる奇数列パターンにより露光処理が行われた場合のプ レートの構成を示す図である。

[図 17]他の実施の形態に力かる偶数列パターンにより露光処理が行われた場合のプ レートの構成を示す図である。

[図 18]他の実施の形態に力かる他のマスクの構成を示す図である。

[図 19]他の実施の形態に力かるマスク製造方法を示すフローチャートである。

[図 20]他の実施の形態に力かる奇数列パターンに関するパターンデータの分割工程 を説明するための図である。

[図 21]他の実施の形態に力かる偶数列パターンに関するパターンデータの分割工程 を説明するための図である。

圆 22]他の実施の形態に力かる正立像用のマスクを製造する場合の奇数列パターン に関する共通領域付与工程を説明するための図である。

圆 23]他の実施の形態に力かる正立像用のマスクを製造する場合の偶数列パターン に関する共通領域付与工程を説明するための図である。

圆 24]他の実施の形態に力かる製造方法により製造された正立像用のマスクの構成 を示す図である。

圆 25]他の実施の形態に力かる倒立像用のマスクを製造する場合の奇数列パターン に関する共通領域付与工程を説明するための図である。

圆 26]他の実施の形態に力かる倒立像用のマスクを製造する場合の偶数列パターン に関する共通領域付与工程を説明するための図である。

圆 27]他の実施の形態に力かる製造方法により製造された倒立像用のマスクの構成 を示す図である。

圆 28]他の実施の形態に力かるマスク製造方法の共通領域付与工程を省略する場 合の奇数列パターンに関するパターンデータの分割工程を説明するための図である 圆 29]他の実施の形態に力かるマスク製造方法の共通領域付与工程を省略する場 合の偶数列パターンに関するパターンデータの分割工程を説明するための図である 符号の説明

[0017] 1· ··光源、 2…楕円鏡、 3…ダイクロイツクミラー、 4…シャツタ、 5…コリメートレンズ、 6· ··波長選択フィルタ、 8· ··リレーレンズ、 9· ··ライトガイド、 l ib…コリメートレンズ、 12 b…フライアイ'インテグレータ、 15b…コンデンサレンズ系、 24· ··空間像計測装置、 2 5, 26· ··移動鏡、 29· ··照度測定部、 52· ··ァライメント系、 54…オートフォーカス系、 M…マスク、 PL…投景光学系、 PL1〜PL5…投景光学ユニット、 P…プレート、 MS …マスクステージ、 PS…プレートステージ。

発明を実施するための最良の形態

[0018] 以下、図面を参照して、本発明の実施の形態に係る露光装置について説明する。

図 1は、この実施の形態に係る露光装置の概略構成を示す斜視図である。この実施 の形態においては、複数の反射屈折型の投影光学ユニット PL1, PL3, PL5及び図 示しない 2つ投影光学ユニット(以下、投影光学ユニット PL2, PL4という。)からなる 投影光学系 PLに対してマスク (第 1の物体、フォトマスク) Mとプレート(第 2の物体、 感光物体) Pとを相対的に移動させつつマスク Mに形成されたパターン (原画パター ン)の像をプレート P上に転写するステップ ·アンド'スキャン方式の露光装置を例に挙 げて説明する。

[0019] なお、以下の説明においては、各図中に示した XYZ直交座標系を設定し、この XY Z直交座標系を参照しつつ各部材の位置関係にっ 、て説明する。 XYZ直交座標系 は、 X軸及び Y軸がプレート Pに対して平行となるよう設定され、 Z軸がプレート Pに対 して直交する方向に設定されている。図中の XYZ座標系は、実際には XY平面が水 平面に平行な面に設定され、 Z軸が鉛直上方向に設定される。また、本実施の形態 ではマスク M及びプレート Pを移動させる方向(走査方向)を X軸方向に設定している

[0020] この実施の形態の露光装置は、マスクステージ (第 1保持装置) MS上に支持さ れたマスク Mを均一に照明するための照明光学系 ILを備えている。照明光学系 ILは 、例えば水銀ランプ又は超高圧水銀ランプ力もなる光源 1を備えている。光源 1は楕 円鏡 2の第 1焦点位置に配置されているため、光源 1から射出された照明光束は、ダ ィクロイツクミラー 3を介して、楕円鏡 2の第 2焦点位置に光源像を形成する。

[0021] なお、本実施の形態では、光源 1から射出された光が楕円鏡 2の内面に形成された 反射膜及びダイクロイツクミラー 3で反射されることにより、 g線 (436nm)の光、 h線 (4 05nm)の光、及び i線 (365nm)の光を含む 300nm以上の波長域の光による光源 像が楕円鏡 2の第 2焦点位置に形成される。つまり、 g線、 h線、及び i線を含む波長 域以外の露光する上で不必要となる成分は楕円鏡 2及びダイクロイツクミラー 3で反 射される際に除去される。

[0022] 楕円鏡 2の第 2焦点位置にはシャツタ 4が配置されている。シャツタ 4の開閉を行うこ とによりシャツタ 4の開口部を通過する照明光束の光量を急激に可変させ、パルス状 の照明光束を得ている。楕円鏡 2の第 2焦点位置に形成された光源像力もの発散光 束は、コリメートレンズ 5によってほぼ平行光束に変換されて波長選択フィルタ 6に入 射する。波長選択フィルタ 6は g線、 h線、及び i線を含む波長域の光束のみを透過さ せるものである。波長選択フィルタ 6を通過した光はリレーレンズ 8を介して再び結像 する。この結像位置の近傍にはライトガイド 9の入射端 9aが配置されている。ライトガ イド 9は、例えば、多数のファイバ素線をランダムに束ねて構成されたランダムライトガ イトファイバであって、光源 1の数 (この実施の形態においては 1つ)と同じ数の入射 端 9aと、投影光学系 PLを構成する投影光学ユニットの数 (この実施の形態において は 5つ)と同じ数の射出端、即ち 5つの射出端 9b〜9fとを備えている。こうして、ライト ガイト 9の入射端 9aへ入射した光は、その内部を伝播した後、射出端 9b〜9fから分 割されて射出される。なお、 1つの光源 1のみでは光量が不足する場合には、複数の 光源を設けるとともに、各光源に対して、設けられた複数の入射端を有し、各々の入 射端力 入射した光をほぼ同じ光量に分割して各射出端力 射出するライトガイドを 設けるてもよい。

[0023] ライトガイド 9の射出端 9bとマスク Mとの間には、コリメートレンズ l lb、フライアイ'ィ ンテグレータ 12b、開口絞り(図示せず)、ビームスプリッタ(図示せず)、及びコンデン サレンズ系 15bが順に配置されている。同様に、ライトガイド 9の他の 4つの射出端 9c 〜9fとマスク Mとの間には、コリメートレンズ、フライアイ'インテグレータ、開口絞り(図 示せず)、ビームスプリッタ(図示せず)、及びコンデンサレンズ系がそれそれ順に配 置されている。

[0024] なお、ここでは、説明の簡単化のために、ライトガイド 9の各射出端 9b〜9fとマスク Mとの間に設けられる光学部材の構成を、ライトガイド 9の射出端 9bとマスク Mとの間 に設けられたコリメートレンズ l lb、フライアイ'インテグレータ 12b、及びコンデンサレ ンズ系 15bに代表させて説明する。

[0025] ライトガイド 9の射出端 9bから射出された発散光束は、コリメートレンズ l ibによりほ ぼ平行な光束に変換された後、フライアイ'インテグレータ 12bに入射する。フライア ィ 'インテグレータ 12bは、多数のレンズエレメントをその中心軸線が照明光学系 ILの 光軸に沿って延びるように縦横に且つ稠密に配列することによって構成されている。 従って、フライアイ'インテグレータ 12bに入射した光束は、多数のレンズエレメントに より波面分割され、その後側焦点面 (即ち、射出面の近傍)にレンズエレメントの数と 同数の光源像力もなる二次光源を形成する。即ち、フライアイ'インテグレータ 12bの 後側焦点面には、実質的な面光源が形成される。

[0026] フライアイ'インテグレータ 12bの後側焦点面に形成された多数の二次光源力もの 光束は、フライアイ'インテグレータ 12bの後側焦点面の近傍に配置された図示しな い開口絞りにより制限された後、図示しないビームスプリッタを介して、コンデンサレン ズ系 15bに入射する。なお、開口絞りは、対応する投影光学ユニット PL1の瞳面と光 学的にほぼ共役な位置に配置され、照明に寄与する二次光源の範囲を規定するた めの可変開口部を有する。開口絞りは、この可変開口部の開口径を変化させることに より、照明条件を決定する σ値 (投影光学系 PLを構成する各投影光学ユニット PL1 〜PL5の瞳面の開口径に対するその瞳面上での二次光源像の開口径の比)を所望 の値に設定する。

[0027] コンデンサレンズ系 15bを介した光束は、マスク Mを重量的に照明する。なお、ライ トガイド 9の他の 4つの射出端 9c〜9fから射出された発散光束も同様に、コリメ一トレ ンズ、フライアイ'インテグレータ、開口絞り、ビームスプリッタ、及びコンデンサレンズ を順に介してマスク Mを重量的にそれぞれ照射する。即ち、照明光学系 ILは、マスク M上において Y軸方向に並んだ複数 (この実施の形態においては 5つ)の台形状の 領域を照明する。なお、照明光学系 ILが備える光源としては、紫外導体レーザ (h線 )や、固体レーザ(355nm)や、 KrFエキシマレーザ、 ArFエキシマレーザ等であって ちょい。

[0028] 図 2は、マスク Mの構成を示す図である。図 2に示すように、マスク M上には、第 1の 露光に用いられる第 1パターン (第 1パターン領域) Ml (図中斜線部)及び第 2の露 光に用いられる第 2パターン (第 2パターン領域) M2が形成されている。第 1パターン Ml及び第 2パターン M2は、マスク M上を照明する 5つの台形状の照明領域 11〜15 にそれぞれが対応するように形成されている。即ち、第 1パターン Mlは、後述する投 影光学系 PLの拡大倍率と露光領域のピッチ間隔 Lrとに対応した位置関係で不連続 に配置され、第 2パターン M2は、第 1パターン Mlと同様に投影光学系 PLの拡大倍 率と露光領域のピッチ間隔 Lrとに対応した位置関係で第 1パターン Mlの間に設け られている。不連続に配置された第 1パターン Ml及び第 2パターン M2は、複数の 投影光学ユニット PL1〜PL5を介してプレート P上に露光された際には、一部が重複 する領域を備え、プレート P上で連続したパターンとなるように形成されて 、る。

[0029] 照明領域 11〜15は、所定のピッチ間隔 Liで配列されるように照明され、各照明領域 11〜15は、幅 Siの部分と幅 Tiの部分からなり、投影光学系 PLで投影されたプレート P上では幅 Siの部分のそれぞれが隣り合った照明領域どうしのオーバーラップ部分と なる。この実施の形態では、照明領域の Y方向の幅を平均化した有効照明幅は、 (Ti + (Ti + Si X 2) ) ÷ 2 = (Ti + Si)となり、この有効照明幅 (Ti + Si)に投影光学系 PL の倍率を乗じた値は、露光領域のピッチ間隔 Lr (図 3参照)と等しくなる。また、マスク のパターンは、パターンピッチ Lmの間隔で配置され、 Lmは LiZ2の間隔となる。

[0030] 第 1パターン Mlの各パターン領域、及び第 2パターン M2の各パターン領域は、 1 つのマスクに形成されているので、各パターン領域の位置誤差は小さく抑えられる。 また、第 1パターン Mlと第 2パターン M2との位置誤差も少なぐ露光するパターンを 切り替える際にも精度よく切り替え動作を行なうことができる。なお、各パターン毎に 位置オフセットを乗せる際にも安定的なオフセット調整を行なうことが可能となる。

[0031] また、マスク M上には、—X方向側、 +X方向側、及び第 1パターン Mlと第 2パター ン M2との間に、複数の位置計測用マーク (第 2パターン領域、位置検出用のパター ン) m, mO, mlが形成されている。位置計測用マーク m, mO, mlは、後述する空間 像計測装置 24によりプレート P上に形成される空間像を計測するために用いられる。 即ち、投影光学ユニット PL1〜PL5の少なくとも 1つにより形成された位置計測用マ ーク m, mO, mlの空間像が空間像計測装置 24により計測され、その計測結果に基 づいて位置計測用マーク m, mO, mlの像位置が検出される。

[0032] マスク M上の各照明領域力 の光は、各照明領域に対応するように Y軸方向に沿 つて千鳥状に配列された複数 (この実施の形態においては 5つ)の投影光学ユニット PL1〜PL5からなる投影光学系 PLに入射する。投影光学系 PLを介した光は、プレ ートステージ (第 2保持部材) PS上〖こお 、て、図示しな 、プレートホルダを介して XY 平面に平行に支持されたプレート P上にマスク Mのパターンの像を形成する。各投影 光学ユニット PL1〜PL5は、 2倍よりも大きい投影倍率 (この実施の形態のおいては 拡大倍率 2. 4倍)を有している。したがって、プレート P上において各照明領域 11〜1 5に対応するように Y方向に並んだ台形状の露光領域 R1〜R5には、マスク Mのパタ ーンの拡大像が形成される。即ち、投影光学ユニット PL1〜PL5の拡大倍率が 2. 4 倍であるため、プレート P上に形成される露光領域 R1〜R5の視野面積は、マスク M 上に形成される照明領域 Π〜Ι5の視野面積の 2. 4倍である。各投影光学ユニット P L1〜PL5は、プレート P上に形成される像の位置、倍率、回転、フォーカス、像面傾 斜等を調整するための調整機構を備えている。例えば、フォーカスや像面傾斜を調 整するためのクサビ状のペアガラス、像の位置を調整するための平行平面板、像の 倍率を調整するための凹凸凹の倍率調整レンズ、像の回転を調整するためのプリズ ムミラー等を備えている。なお、各投影光学ユニット PL1〜PL5のプレート P側は、プ レート P表面の平面度による力 テレセントリックであることがとすることもできる。

[0033] 図 3は、プレート P上にマスク Mのパターン像が形成された状態を示す図である。図 3に示すように、照明領域 IIに対応する露光領域 R1によりマスク M上の第 1パターン Mlまたは第 2パターン M2がプレート P上の領域 P1上に露光される。同様に、照明 領域 12〜15に対応する露光領域 R2〜R5によりマスク M上の第 1パターン Mlまたは 第 2パターン M2がプレート P上の領域 P2〜P5上に露光される。即ち、第 1パターン Mlまたは第 2パターン M2の拡大像を、プレート P上に投影露光するように第 1バタ ーン M 1と第 2パターン M2とを選択的に切替える切替え機構として、マスクステージ MSを Y方向に所定量ステップ移動させ、照明光学系 ILにより照明された第 1パター ン Mlまたは第 2パターン M2の拡大像をプレート P上の領域 P1〜P5上に投影露光 する。この実施の形態においては、所定量はおよそ投影光学ユニット PL1〜PL5の ピッチ間隔だけステップ移動させればょ 、。

[0034] 露光領域 R1〜R5は、幅 Srの部分と幅 Trの部分からなり、プレート P上では幅 Srの 部分のそれぞれが隣り合った露光領域どうしのオーバーラップ部分となる。この実施 の形態では、露光領域の Y方向の幅は、図 2に示す幅 Siの部分と幅 Tiの部分に投影 光学系の倍率を乗じた幅 Srの部分と幅 Trの部分力 なり、露光領域の Y方向の幅を 平均化した有効露光幅は、(Tr+Sr)となり、露光領域のピッチ間隔 Lrと等しくなる。 したがって、露光領域のピッチ間隔 Lrと Y方向の投影光学系の配列ピッチとが同じで ある場合、露光領域のピッチ間隔 Lrと倍率とが定まると、マスクのパターンのパターン ピッチ Lmが求められる。

[0035] なお、投影光学ユニット PL1と PL2により形成される露光領域 R1と R2の継ぎ部(重 複する部分、オーバラップ部) P11のパターン、及び投影光学ユニット PL2〜PL5に より形成される露光領域 R2〜R5の継ぎ部(重複する部分、オーバラップ部) P12〜P 14のパターンが連続的となるように、例えばランダムに、またはジグザグにマスク Mの 第 1パターン Mlまたは第 2パターン M2の継ぎ部のパターンユングを行う。また、露 光領域としては、台形状に限らず、装置を構成する光学系により決定され、長方形、 六角形、円弧、円弧 +三角形等であってもよい。

[0036] マスク Mを投影光学系 PLの物体側(第 1面)に支持しているマスクステージ (第 1保 持部材) MSには、マスクステージを走査方向である X軸方向に沿って移動させる ための長いストロークを有する走査駆動系(図示せず)が設けられている。また、マス クステージを走査直交方向である Y軸方向に沿って所定量だけ移動させるとともに Z 軸廻りに微小量回転させるための一対のァライメント駆動系(図示せず)が設けられ ている。そして、マスクステージの位置座標が移動鏡 25を用いたレーザ干渉計(図示 せず)によって計測され且つ位置制御されるように構成されている。更に、マスクステ ージは、 Z方向の位置が可変に構成されている。

[0037] 同様の駆動系が、プレート Pを投影光学系 PLの像側 (第 2面)に保持しているプレ ートステージ (第 2保持装置) PSにも設けられている。即ち、プレートステージを 走査方向である X軸方向に沿って移動させるための長いストロークを有する走査駆動 系(図示せず)、プレートステージを走査直交方向である Y軸方向に沿って所定量だ け移動さ

せるとともに Z軸廻りに微小量回転させるための一対のァライメント駆動系(図示せず )が設けられている。そして、プレートステージの位置座標が移動鏡 26を用いたレー ザ干渉計(図示せず)によって計測され且つ位置制御されるように構成されて 、る。 プレートステージもマスクステージと同様に Z方向に移動可能に構成されている。この 実施の形態では、マスク Mのパターンは投影光学系 PLにより 2. 4倍に拡大されてプ レート P上に投影される。したがって、マスクステージとプレートステージとを 1 : 2. 4の 走査比で、それぞれ投影光学系 PLに対して走査させる。つまり、投影光学系 PLの 倍率に応じ、マスクステージに対してプレートステージを倍率倍の速度比で走査させ ることになる。これにより走査方向に関しては、マスク Mのパターン領域の長さに対し て、倍率倍の長さに拡大されてプレート P側に露光されることになる。

[0038] 投影光学ユニット PL1、 PL3、 PL5は、走査方向と直交する方向に所定間隔をもつ て第 1列として配置されている。また、投影光学系ユニット PL2、 PL4も同様に走査方 向と直交する方向に所定間隔をもって第 2列として配置されている。第 1列の投影光 学ユニット群と第 2列の投影光学ユニット群との間には、プレート Pの位置合わせを行 うためのオファクシスのァライメント系 52、及びマスク Mやプレート Pのフォーカス位置 を調整するためのオートフォーカス系 54が配置されている。

[0039] また、プレートステージ上には投影光学系 PLを介してプレート P上に照射される光 の照度を測定するための照度測定部 29が設けられている。また、プレートステージ上 には、投影光学ュ-ット PL 1〜PL5の少なくとも 1つにより形成された位置計測用マ ーク m, mO, mlの空間像を計測するための空間像計測装置 (検出機構) 24が設け られている。

[0040] 次に、図 4に示すフローチャートを参照して、この実施の形態にかかる露光装置を 用いた露光方法にっ 、て説明する。

[0041] まず、マスク M上に形成されている第 1パターン Mlと第 2パターン M2を選択する ための露光情報を入力する (ステップ S 10)。この実施の形態においては、第 1パター ン Mlが露光されるプレート P上の露光領域の位置、及び第 2パターン M2が露光さ れるプレート P上の露光領域の位置等の露光情報を入力する。なお、露光情報は、 予め入力しておいてもよい。また、マスク Mに露光情報を含む識別用のバーコード等 の IDを設けるようにし、バーコードリーダ等で露光情報の読み込みを行うようにしても よい。次に、ステップ S 10において入力された露光情報に基づいて、第 1パターン M 1または第 2パターン M2を選択する (ステップ S 11)。この実施の形態においては、第 1パターン Mlを選択することとする。

[0042] 次に、マスク Mの第 1パターン Mlと第 2パターン M2との間に形成されている位置 計測用マーク mの空間像を空間像計測装置 24を用いて計測する (ステップ S12)。 具体的には、マスク Mを支持しているマスクステージを Y方向に所定量移動させるこ とにより、マスクステージを X方向に走査させた際に第 1パターン Mlと第 2パターン M 2との間に形成されている位置計測用マーク mが照明領域 11〜15内に位置するよう にマスクステージを配置する。マスクステージの移動と同時に、プレートステージを所 定量移動させることにより、空間像計測装置 24が位置計測用マーク mの空間像を計 測することができる位置にプレートステージを配置する。そして、マスクステージを X方 向(走査方向)に所定量ステップ移動させ、これを繰り返すことにより、第 1パターン M 1と第 2パターン M2との間に形成されている位置計測用マーク mの空間像を順次計 測する。位置計測用マーク mの計測結果に基づいて、マスク Mの変形量を算出する

[0043] この実施の形態においては、マスク M上の第 1パターン Mlと第 2パターン M2との 間に位置計測用マーク mが設けられており、これら位置計測用マーク mを空間像計 測装置 24により計測することができるため、マスク Mの全面にわたる変形を高精度に 検出することができる。変形としては、マスクステージに載置した際のたわみや熱によ る伸縮が含まれる。また、一般的に位置計測用マーク mが第 1パターン Mlと第 2バタ ーン M2と同時に描画されたマスクの場合においては、第 1パターン Mlと第 2パター ン M2との間に形成された位置計測用マーク mを測定することにより、第 1パターン M 1の領域の描画誤差や第 2パターン M2の領域の描画誤差を検出することが可能とな る。さらに、その情報を利用して投影光学ユニット PL1〜PL5に設けられた調整機構 により、拡大像の位置補正、倍率などの調整を行なうことができる。

[0044] 次に、投影光学ユニット PL1〜PL5のそれぞれにより形成される第 1パターン Mlの 像の相対的な位置ずれ (継ぎ誤差)を検出するために、マスク M上の—X方向側に 形成されて!、る位置計測用マーク mOの空間像を空間像計測装置 24を用いて計測 する(ステップ S13)。まず、投影光学ユニット PL1〜PL5に対して第 1パターン Mlが 対向するように、マスクステージ (マスク M)と投影光学ユニット PL1〜PL5とを相対的 に移動させる。具体的には、第 1パターン Mlが照明光学系 ILにより照明されるように 、即ち第 1パターン Mlが照明領域 11〜15に位置するように、マスクステージを Y方向 に所定量ステップ移動させる。マスクステージの移動と同時に、プレートステージを所 定量移動させることにより、空間像計測装置 24が位置計測用マーク mOの空間像を 計測することができる位置にプレートステージを配置する。そして、マスク M上の— X 方向側に形成されて 、る位置計測用マーク mOの空間像を計測する。位置計測用マ ーク mOの計測結果に基づいて、投影光学ユニット PL1〜PL5のそれぞれにより形成 される第 1パターン Mlの像の相対的な位置ずれ (継ぎ誤差)量を算出する。

[0045] 次に、ステップ S13において算出された投影光学ユニット PL1〜PL5のそれぞれに より形成される第 1パターン Mlの像の相対的な位置ずれ量に基づいて、各投影光 学ユニット PL1〜PL5の調整を行う(ステップ S14)。即ち、相対的な位置ずれ量に基 づいて、各投影光学ユニット PL1〜PL5が備える調整機構の補正量を算出する。そ して、算出した調整機構の補正量に基づいて、各投影光学ユニット PL1〜PL5の調 整機構を駆動し、各投影光学ユニット PL1〜PL5により投影される像の位置を調整 する。

[0046] 次に、ステップ S12において算出されたマスク Mの変形量に基づく各投影光学ュ- ット PL1〜PL5が備える調整機構の補正量に基づいて、各投影光学ユニット PL1〜 PL5の調整機構を駆動しつつ、第 1パターン Mlの露光を行なう(ステップ S15)。即 ち、 Y方向(所定の方向)に不連続に配置された第 1パターン Mlの拡大像を、投影 光学ユニット PL 1〜PL5を介してプレート P上に投影露光するとともに、マスクステー ジ(マスク M)及びプレートステージ(プレート P)と、投影光学ユニット PL1〜PL5を相 対的に X方向(所定の方向と交差する方向)に走査させて走査露光する。

[0047] この際、投影光学ユニット PL 1〜PL5は拡大倍率を有しているため、マスクステー ジ及びプレートステージは、投影光学ユニット PL1〜PL5の投影倍率の比で X方向 に走査される。即ち、この実施の形態においては投影光学ユニット PL1〜PL5の投 影倍率は 2. 4倍であるため、プレートステージの走査速度はマスクステージの走査 速度の 2. 4倍である。また、図 3に示すように、第 1パターン Mlの拡大像 P1〜P5が 重複して露光される領域 PI 1〜P14を伴って連続的に形成されるようにプレート P上 に投影露光される。

[0048] 次に、ステップ S 10において入力された露光情報に基づいて、第 1パターン Mlま たは第 2パターン M2を選択する (ステップ S16)。この実施の形態においては、第 2 パターン M2を選択する。

[0049] 次に、投影光学ユニット PL1〜PL5のそれぞれにより形成される第 2パターン M2の 像の相対的な位置ずれ (継ぎ誤差)を検出するために、マスク M上の—X方向側に 形成されて!、る位置計測用マーク mOの空間像を空間像計測装置 24を用いて計測 する (ステップ S17)。まず、投影光学ユニット PL1〜PL

5に対して第 2パターン M2が対向するように、マスクステージ (マスク M)と投影光学 ユニット PL1〜PL5とを相対的に移動させる。具体的には、第 2パターン M2が照明 光学系 ILにより照明されるように、即ち第 2パターン M2が照明領域 11〜15に位置す るように、マスクステージを Y方向に所定量ステップ移動させる。マスクステージの移 動と同時に、プレートステージを所定量移動させることにより、空間像計測装置 24が 位置計測用マーク mOの空間像を計測することができる位置にプレートステージを配 置する。そして、マスク M上の一 X方向側に形成されている位置計測用マーク mOの 空間像を計測する。位置計測用マーク mOの計測結果に基づいて、投影光学ュニッ ト PL1〜PL5のそれぞれにより形成される第 2パターン M2の像の相対的な位置ずれ (継ぎ誤差)量を算出する。

[0050] 次に、ステップ S17において算出された投影光学ユニット PL1〜PL5のそれぞれに より形成される第 2パターン M2の像の相対的な位置ずれ量に基づいて、各投影光 学ユニット PL1〜PL5の調整を行う(ステップ S18)。即ち、相対的な位置ずれ量に基 づいて、各投影光学ユニット PL1〜PL5が備える調整機構の補正量を算出し、算出 した調整機構の補正量に基づいて、各投影光学ユニット PL1〜PL5の調整機構を 駆動し、各投影光学ュ-ット PL 1〜PL5により投影される像の位置を調整する。

[0051] 次に、第 2パターン M2の露光を行なう(ステップ S 19)。そして、ステップ S 12におい て算出されたマスク Mの変形量に基づく各投影光学ユニット PL1〜PL5が備える調 整機構の補正量に基づいて、各投影光学ユニット PL1〜PL5の調整機構を駆動し つつ、第 2パターン M2の露光を行なう。即ち、 Y方向(所定の方向)に不連続に配置 された第 2パターン M2の拡大像を、投影光学ユニット PL1〜PL5を介してプレート P 上に投影露光するとともに、マスクステージ (マスク M)及びプレートステージ (プレー ト P)と、投影光学ユニット PL1〜PL5を相対的に X方向(所定の方向と交差する方向 )に走査させて走査露光する。

[0052] ステップ S15における第 1パターン Mlの露光と同様に、マスクステージ及びプレー トステージは投影光学ユニット PL1〜PL5の投影倍率の比で X方向に走査され、第 2 パターン M2の拡大像 P1〜P5が重複して露光される領域 P11〜P14を伴って連続 的に形成されるようにプレート P上に投影露光される。

[0053] なお、ステップ S13及びステップ 17においてマスク M上の X方向側に形成されて V、る位置計測用マーク mOの空間像を計測して 、るが、マスク M上の—X方向側及び +X方向側に形成されて!ヽる位置計測用マーク mO, mlの空間像を計測してもよ ヽ 。この場合には、この計測結果を用いて、露光前または露光中に各投影光学ユニット PL1〜PL5の調整機構を駆動させることにより各投影光学ユニット PL1〜PL5により 形成される像の相対的な位置ずれ量を補正する。マスク M上の X方向側に形成さ れている位置計測用マーク mOのみを計測する場合と比較して、マスク M上の—X方 向側及び +X方向側の両側に形成されて ヽる位置計測用マーク mO, mlを計測す るため、各投影光学ユニット PL1〜PL5により形成される像の相対的な位置ずれをよ り高精度に計測することが

できる。

[0054] なお、この実施の形態においては、同一のプレート P上の異なる露光領域に投影露 光するための第 1パターン Mlと第 2パターン M2が形成されているマスク Mを例に挙 げて説明しているが、異なるプレート上に投影露光するための異なるパターンを第 1 パターン Ml及び第 2パターン M2としてマスク M上に形成してもよい。また、第 1層目 のパターンを第 1パターン Mlとして、第 2層目のパターンを第 2パターン M2としてマ スク M上に形成してもよい。これらの場合、マスク交換を少なくし、効率的な露光を行 なうことができる。

[0055] この実施の形態にかかる露光装置及び露光方法によれば、拡大倍率を有する複 数の投影光学ユニット PL1〜PL5を介してマスク M上に設けられたパターンの拡大 像をプレート P上に投影露光することができるため、プレート Pに対するマスク Mの大 型化を防止することができる。また、複数の投影光学ユニット PL1〜PL5の拡大倍率 に対応した位置関係で不連続に配置される第 1パターン Mlと、少なくとも一部が第 1 パターン Mlの間に設けられる第 2パターン M2または位置検出用マーク mとを備え、 第 1パターン Mlまたは第 2パターン M2の拡大像をプレート P上に投影露光するため 、マスク Mの利用効率を向上させることができる。

[0056] 例えば、通常の液晶デバイスの露光において、図 5に示すようにプレート P上に 8面 のデバイスパターンが露光される場合、図 6に示すようにプレート P上に 6面のデバィ スパターンが露光される場合について説明する。通常 4〜5層(レーャ)のスパッタリン グ、レジスト塗布、露光、現像、エッチングの工程を経て、液晶パネルが生成される。 ここで 5レーャあると過程した場合、 5枚のマスク (フォトマスク)が必要となる。また、図 5に示す 8面取り、図 6に示す 6面取りのそれぞれに 5枚のマスクが必要となるため、 計 10枚のマスクが必要となる。マスクはコスト高であり、 10枚のマスクを製造するため にはコスト面において負担が大きくなる。

[0057] ここで、この実施の形態に力かる露光装置のように投影光学系 PLの投影倍率を 2 倍以上とする。そして、例えば、図 2に示すようにマスク Mの第 1のパターン Mlの領 域に 8面取り露光工程用のパターンを描画しておき、第 2のパターン M2の領域に 6 面取り露光工程用のパターンを描画することにより、 8面、 6面の 2種での露光工程で 必要なマスク枚数は 5枚、即ち従来のマスク枚数の 1Z2とすることができる。

[0058] また、通常 8面取りの場合には 4回走査(4スキャン)することにより露光を行ない、 6 面取りの場合には 6回走査(6スキャン)することにより露光を行なう。 6スキャンする 6 面取りのパターン領域(1面分の領域)は 4スキャンする 8面取りのパターン領域(図 5 の斜線部)よりも小さい。したがって、図 7に示すように、マスク Mの第 1パターン Mlの 領域と第 2パターン M2の領域を振り分けし、不連続に 3つ配置された第 1パターン M 1を 6面取り用パターン、不連続に 4つ配置された第 2パターン M2を 8面取り用パタ ーンとする。この場合には、プレート P上には、図 8に示すように第 1パターン Mlが露 光され、図 9に示すように第 2パターン M2が露光されるため、異なる大きさの 6面取り のパターン領域及び 8面取りのパターン領域を 1枚のマスク上に形成することができ、 マスクのパターン領域の使用効率を向上させることができる。

[0059] また、例えば、従来の 6面取りのデバイスにおいては 1面に相当する領域のパター ンをマスク上に描画していた力 図 6に破線で示す領域 Aのパターンを第 1パターン Mlとしてマスク M上に描画し、図 6に一点差線で示す領域 Bのパターンを第 2パター ン M2としてマスク M上に描画する。プレート P上で、領域 Aと領域 Bとが合成されるよ うに継ぎ露光を行なうことにより、 6スキャンすることなぐ 4スキャンで露光を終えること ができ、スループットを向上させることができる。

[0060] この場合の露光動作について説明する。まず、マスク Mの第 1パターン Mlをプレ ート Pの領域 A (図 6参照)に露光し、プレートステージ (プレート P)を Y方向に所定量 ステップ移動させる。この際、マスクステージ (マスク M)を Y方向に所定量ステップ移 動させることにより、第 1パターン Mlから第 2パターン M2に切替える。そして、第 2パ ターン M2をプレート Pの破線内の領域 C (図 6参照)に露光する。同様に、第 1パター ン Mlを領域 D (図 6参照)に、第 2パターン M2を領域 B (図 6参照)に露光する。プレ ートステージ(プレート P)を Y方向にステップ移動させている間に、第 1パターン Mlと 第 2パターン M2とを切替えるためのマスクステージ(マスク M)のステップ移動を行う ことができるため、スループットの遅延を招くことなぐ 4スキャン露光が可能となる。

[0061] なお、この実施の形態においては、ステップ'アンド'スキャン方式の露光装置を例 に挙げて説明した力 ステップ'アンド'リピート方式の露光装置、往復露光方式の露 光装置にも本発明を適用することができる。ステップ'アンド'リピート方式の露光装置 においては、例えば図 10に示すように、マスク 上に第 1パターン M3及び第 2パタ ーン M4を形成する。そして、選択された第 1パターン M3または第 2パターン M4の 拡大像を、例えば図 11に示すように、プレート!^上の領域 P3のそれぞれに投影露 光する。

[0062] また、この実施の形態においては、 1枚のマスク M上に第 1パターン Ml及び第 2パ ターン M2が設けられているが、離散的に配置された複数のマスク上に第 1パターン 及び第 2パターンを分割して設け、これら複数のマスクをマスクステージ上で支持す るようにしてもよい。即ち、図 12に示すように、例えば 3枚のマスク M5, M6, M7をマ スクステージ上に並べて配置する。第 1パターン M8はマスク M5, M6, M7上に離 散的に配置されており、各マスク M5, M6, M7上に形成されている第 1パターン M8 のそれぞれは投影光学ユニット PL1〜PL5の少なくとも 1つにより拡大投影露光され る。同様に、第 2パターン M9もマスク M5, M6, M7上に離散的に配置されており、 各マスク M5, M6, M7上に形成されている第 2パターン M9のそれぞれは投影光学 ユニット PL1〜PL5の少なくとも 1つにより拡大投影露光される。この場合においては 、マスクの大型化を防止することができるため、マスクのコストを抑制することができる

[0063] また、この実施の形態においては、第 1パターン Ml、第 2パターン M2及び位置計 測用マーク m, mO, mlが形成されているマスク Mを例に挙げて説明したが、図 13に 示すように、第 1パターン Ml及び位置計測用マーク mが形成されているマスク M10 を用いてもよい。この場合においても、一部の位置計測用マーク mが第 1パターン M 1の間に形成されているため、マスク M10の変形を高精度に検出することができる。

[0064] また、この実施の形態においては、マスク Mを Y方向にステップ移動させることによ り第 1パターン Mlと第 2パターン M2との切り替えを行っている力 マスク M (マスクス テージ)をステップ移動させることなぐマスク Mを 180度回転させて搭載させることに より第 1パターン Mlと第 2パターン M2との切り替えを行なってもよい。また、予め、マ スクをマスクステージ上に載置する位置をずらすことにより第 1パターン Mlと第 2パタ ーン M2との切り替えを行なってもよ!/、。

[0065] また、 2つのマスクパターンを同一のプレートに重ねて露光し、 2重露光することによ つてパターンの解像力を向上させる技術において、 1つのマスク上にパターンを分割 して描画し、同一のプレートに分割したパターンを 2重露光することにより、 1つのマス クのみでパターンの解像力を向上させることができる。

[0066] また、この実施の形態においては、プレートステージ PS上に空間像計測装置 24を 備えている力 位置計測用マーク m, mO, mlを計測するための少なくとも 1つの計 測系をマスクステージの投影光学系 PL側、もしくはマスクステージの照明光学系 IL 側に設けるようにしてもよい。計測系は、投影光学ユニット PL1〜PL5のそれぞれに 対応させて設けてもよぐまたは 2つ以上の投影光学ユニットに対して 1つ設けてもよ い。この場合には、走査露光中に位置計測用マーク mの位置をリアルタイムに先読 みして計測し、リアルタイムに各投影光学ユニット PL1〜PL5の調整機構を駆動させ ることにより像位置を調整することができるため、露光前にマスク Mの変形及び各投 影光学ユニット PL1〜PL5により形成される像の相対的に位置ずれを計測する必要 がなぐスループットを向上させることができる。

[0067] また、この実施の形態においては、第 1パターン Mlが投影光学系 PLで合成されて 1つのパターンを露光することを示した力 合成したパターンが 2つのパターンとなる ように第 1パターンを設計してもよい。なお、その際に、 2つのパターンが分離される 部分は、オーバーラップ部分として重複して露光する必要がな 、ことは言うまでもな い。

[0068] また、第 1パターン領域に第 1のパターンであるデバイスパターンとして、第 2パター ン領域には位置計測用マークだけ設ける際には、第 1パターン領域の各パターンの ピッチと投影光学系の倍率を 2. 4倍よりも小さくすることができ、 1. 1〜1. 2倍以上の 倍率を設定することができる。

[0069] また、マスクに第 1パターン領域、第 2パターン領域、第 3パターン領域を設けるよう にパターン領域を分割した際には、必然的に投影光学系の倍率は 3倍よりも大きい 3 . 3〜3. 6倍以上の倍率となることは言うまでもない。

[0070] 次に、本発明の他の実施の形態について、図 14〜図 29を参照して説明する。まず 、投影光学系 PL1〜PL5が正立系の光学系である場合に用いられる正立像用のマ スクについて説明する。図 14に示すように、マスク Mは、奇数列パターン領域 Ml (こ こでは、 5つのパターン領域)と、偶数列パターン領域 M2 (ここでは、 5つのパターン 領域)とを備えている。ここで、奇数列パターン領域 Mlとは、たとえば同図に示すよう に、非走査方向 (Y方向)に上カゝら数えて奇数番目、すなわち 1番目、 3番目、 5番目 7番目、 9番目のパターン領域をいい、偶数列パターンとは、同じく非走査方向(Y 方向)に上力も数えて偶数番目、すなわち 2番目、 4番目、 6番目、 8番目、 10番目の パターン領域を 、うものとする。

[0071] 奇数列パターン領域 Mlの隣接する少なくとも一対又は偶数列パターン領域 M2の 隣接する少なくとも一対の端部には、同一のパターンを有する共通領域が形成され ている。ここで、共通領域は、隣接する一対の奇数列パターン領域 Ml又は隣接する 一対の偶数列パターン領域 M2の隣接する側にそれぞれ形成される。たとえば図 14 に不 ■よつに、共通領域 opa opb opc opd ope opf opg oph力それそれ形成 されている。また、偶数列パターン領域 M2の少なくとも一部は、隣接する少なくとも 一対の奇数列パターン領域 Mlの間に配置されている。その他の部分については、 図 2とほぼ同様であるので、その説明は省略する。

[0072] 次に、投影光学系 PL1〜PL5が倒立系の光学系である場合に用いられる倒立像 用のマスクについて説明する。図 15に示すように、マスク Mは、図 14と同様に、奇数 列パターン領域 Ml (ここでは、 5つのパターン領域)と、偶数列パターン領域 M2 (こ こでは、 5つのパターン領域)とを備えている。ここで、奇数列パターン領域とは、たと えば同図に示すように、非走査方向 (Y方向)に上力も数えて奇数番目、すなわち 1 番目、 3番目、 5番目、 7番目、 9番目のパターン領域を!、 、、偶数列パターンとは、 同じく非走査方向 (Y方向)に上力も数えて偶数番目、すなわち 2番目、 4番目、 6番 目、 8番目、 10番目のパターン領域を!、うものとする。

[0073] 奇数列パターン領域 Mlの隣接する少なくとも一対又は偶数列パターン領域 M2の 隣接する少なくとも一対の端部には、同一のパターンを有する共通領域が形成され ている。ここで、共通領域は、隣接する一対の奇数列パターン領域 Ml又は隣接する 一対の偶数列パターン領域 M2の相反する側(隣接する側と反対側)にそれぞれ形 成される。たと免 ί 図 15【こ示すよう【こ、共通領域 opa opb opc opd ope opf o pg ophがそれぞれ形成されている。また、偶数列パターン領域 M2の少なくとも一 部は、隣接する少なくとも一対の奇数列パターン領域 Mlの間に配置されている。そ の他の部分については、図 2とほぼ同様であるので、その説明は省略する。 [0074] なお、奇数列パターン領域 Mlと偶数列パターン領域 M2とは、それぞれ 1つのパタ ーン領域を有する構成であってもよ 、。

[0075] 前記正立像のマスク及び倒立像のマスクの説明にお 、て、隣接するとは、奇数列 ノターン領域 Mlと偶数列パターン領域 M2とが接している必要はなぐ所定の距離 離れていてもよい。隣接する一対の奇数列パターン領域 Ml又は隣接する一対の偶 数列パターン領域 M2のうち、少なくとも一対の共通領域 opa、 opb、 opc、 opd、 ope 、 opf、 opg、 ophは、重なり合って目的とする 1つのパターンを形成するように、共通 領域の全部又は一部が重畳して転写露光される。なお、一対の奇数列パターン領域 Mlと一対の偶数列パターン領域 M2とは、隣接する少なくとも一対の共通領域が、 重なり合って目的とする 1つのパターンを形成させるパターンであればよぐ一対の共 通領域に形成されるパターンが完全に同一である必要はない。たとえば、一対の共 通領域のうち、奇数列パターン領域 Mlの共通領域のどちらか一方又は偶数列パタ ーン領域 M2の共通領域のどちらか一方に、全く使用しない不要なパターンがあって ちょい。

[0076] また、マスク Mのパターンの非走査方向(Y方向)における奇数列パターン領域 Ml 及び偶数列パターン領域 M2の幅は、特に限定はされないが、 35mn!〜 175mmと してちよい。

[0077] 図 16は、図 14又は図 15に示したマスク Mの奇数列パターン領域 Mlを用いて、プ レート P上にパターンを露光転写した場合を示し、図 17は、図 14又は図 15に示した マスク Mの偶数列パターン領域 M2を用いて、プレート P上にパターンを露光転写し た場合を示している。図 16又は図 17に示すように、露光領域 R1〜R5は、幅 Srの部 分と幅 Trの部分力 なり、プレート P上では幅 Trの部分のそれぞれが隣り合った露光 領域どうしの共通領域となる。この実施の形態では、露光領域 R1〜R5の非走査方 向 Yの幅は、図 14及び図 15に示す幅 Siの部分と幅 Tiの部分に投影光学系 PL1〜 PL5の倍率を乗じた幅 Srの部分と幅 Trの部分からなり、露光領域 R1〜R5の非走査 方向 Yの幅を平均化した有効露光幅は、(Tr+Sr)となり、露光領域 R1〜R5のピッ チ間隔 Lrと等しくなる。つまり、露光領域 R1〜R5のピッチ間隔 Lrと非走査方向 Yの 投影光学系 PL1〜PL5の配列ピッチとが同じである場合、露光領域 R1〜R5のピッ チ間隔 Lrと投影光学系 PL1〜PL5の倍率とが定まると、マスク Mのパターン Ml, M 2のパターンピッチ Lmが求められる。

[0078] 従って、特に限定はされないが、たとえば、本実施の形態の投影光学系 PL1〜PL 5の拡大倍率を 2倍とし、有効露光幅を 350mmとした場合、パターンピッチ Lmは 17 5mmとなる。ここで、露光領域 R1〜R5のピッチ間隔 Lrと非走査方向 Yの投影光学 系 PL1〜PL5の配列ピッチとが同じとしているので、本実施の形態のパターンピッチ Lmの最小ピッチは、非走査方向 Yの投影光学系 PL1〜PL5の配列ピッチにも関係 する。投影光学系 PL1〜PL5を保持するホールドの厚さなどを考慮し、非走査方向 Yにおいて、たとえば投影光学系同士が接しない程度の幅を 70mmとし、投影光学 系 PL1〜PL5の拡大倍率を 2倍とすると、パターンピッチ Lmは 35mmとなる。

[0079] 一方、非走査方向 Yの共通領域の幅は、特に限定はされないが、視認できる程度 の幅としてもよぐノターンピッチ Lmに対して 2割程度以下としてもよい。従って、たと えば本実施の形態のパターンピッチ Lmを 175mmとすると、共通領域の幅は、 lmm 〜35mmとすることができる。

[0080] また、本実施の形態のマスク M上には、マスク上の周辺又は一部に形成された不 要なパターンの露光やプレート Pからもれる光による誤露光を防止する等のために、 奇数列パターン領域 Ml及び偶数列パターン領域 M2と共通領域との周辺又は一部 にたとえば遮光シートなどで遮光帯を形成させてもよい。

[0081] また、図 18に示すように、マスク Mは、奇数列パターン領域 Mlに対して所定の位 置関係で形成された複数の第 1位置検出用マーク mi lと、偶数列パターン領域 M2 に対して所定の位置関係で形成された複数の第 2位置検出用マーク m21とを備えて いる。ここで、第 1位置検出用マーク mi lと第 2位置検出用マーク m21とは、マスク M を装置に位置合わせするためのァライメントマーク又は投影光学系 PL1〜PL5の配 置調整をするためのァライメントマークである。なお、第 1位置検出用マーク mi lと第 2位置検出用マーク m21とは、マスク Mの全面にわたる変形を検出するためのァライ メントマーク、奇数列パターン領域 Mlの描画誤差や偶数列パターン領域 M2の描画 誤差を検出するためのァライメントマーク、投影光学系 PL1〜PL5のそれぞれにより 形成される奇数列パターン領域 Ml又は偶数列パターン領域 M2の像の相対的な位 置ずれ (継ぎ誤差)を検出するためのァライメントマークなどであってもよい。同図では 、複数の奇数列パターン領域 Mlに対して、所定距離 (一例として、非走査方向 Yの 上から 1番目の奇数列パターン Mlから距離 yl 1)だけ離間した位置に複数の第 1位 置検出用マーク ml 1が走査方向 Xに沿う方向に配置され、偶数列パターン領域 M2 に対して所定距離 (一例として、非走査方向 Yの上から 2番目の偶数列パターン M2 力も距離 y21)だけ離間した位置に複数の第 2位置検出用マーク m21が走査方向 X に沿う方向に配置されて 、る。

[0082] なお、同図において、 pmは各パターン領域 Ml、 M2の非走査方向 Yの中心を示 すマークである。また、第 1位置検出用マーク mi l及び第 2位置検出用マーク m21 の位置は、特に限定はされないが、図 18に示すように、非走査方向 Yの両端部(図 1 8において、上側端部及び下側端部)に配置することができる。但し、これらの第 1位 置検出用マーク mi l及び第 2位置検出用マーク m21は、パターン領域 Ml、 M2の 間の部分やその他の部分に配置してもよ 、。

[0083] 以下、上述した正立像用のマスク Mの製造方法について、図 19に示すフローチヤ ートを参照して説明する。この製造方法は、概略、パターンデータ取得工程 Sl、バタ ーンデータ分割工程 (第 1工程、第 2工程) S2、共通領域付加工程 (第 3工程) S3、 パターンデータ生成工程 (第 3工程) S4、ノターン描画工程 (第 4工程) S5を備えて 構成される。

[0084] まず、パターンデータ取得工程 S1において、プレート P上の一の層に露光転写す べきデバイスパターンに対応する第 1パターンデータを取得するとともに、プレート P 上の他の層に露光転写すべきデバイスパターンに対応する第 2パターンデータを取 得する。ここで、第 1パターンデータと第 2パターンデータとは、同一プレート P上の異 なる露光領域に露光転写する場合には、それぞれの露光領域に形成するデバイス パターンに対応する第 1及び第 2パターンデータであってもよ 、し、異なるプレート P 上に転写露光する場合には、それぞれのプレート P上に形成するデバイスパターン に対応する第 1及び第 2パターンデータであってもよ 、。これらのパターンデータは、 投影光学系 PL1〜PL5の投影倍率の逆数で縮小されたデータである。次に、パター ンデータ分割工程 S2において、図 20及び図 21に示されているように、第 1パターン データ PD1及び第 2パターンデータ PD2をそれぞれ分割して、第 1分割データ群 al 、 bl、 cl及び第 2分割データ群 a2、 b2、 c2を生成する。ここでは、第 1パターン群デ ータ al、 bl、 clは、マスク M上の奇数列パターン領域 Mlに形成するべきパターン であるものとし、第 2分割データ群 a2、 b2、 c2は、マスク M上の偶数列パターン領域 M2に形成するべきパターンであるものとする。

[0085] ノターンデータ分割工程 S2におけるパターン分割が終了したならば、共通領域付 加工程 S3において、図 22及び図 23に示されているように、少なくとも一対の第 1分 割データ群又は少なくとも一対の第 2分割データ群の端部に、共通領域に対応する パターンデータを付カ卩し、次いで、パターンデータ生成工程 S4において、マスク上に 形成する全パターンに対応する、奇数列パターン描画データと偶数列パターン描画 データとを作成する。

[0086] 第 1分割データ群についての共通領域に対応するパターンデータの付カ卩は、図 22 に示されているように、第 1分割データ A1の端部 (ここでは、隣接する第 1分割データ B1側の端部)に相当する部分 opaのデータを第 1分割データ B1の対応する端部(こ こでは、隣接する第 1分割データ A1側の端部)に付加し、第 1分割データ B1の端部 (ここでは、隣接する第 1分割データ C1側の端部)に相当する部分 opcのデータを第 1分割データ C1の対応する端部 (ここでは、隣接する第 1分割データ B1側の端部) に付加することにより行われる。但し、第 1分割データ B1の端部 (ここでは、隣接する 第 1分割データ A1側の端部)に相当する部分 opaのデータを第 1分割データ A1の 対応する端部 (ここでは、隣接する第 1分割データ B1側の端部)に付加し、第 1分割 データ C1の

端部 (ここでは、隣接する第 1分割データ B1側の端部)に相当する部分 opcのデータ を第 1分割データ B1の対応する端部 (ここでは、隣接する第 1分割データ C1側の端 部)に付加することにより行ってもよい。

[0087] また、第 2分割データ群についての共通領域に対応するパターンデータの付カロは、 図 23に示されているように、第 2分割データ A2の端部 (ここでは、隣接する第 2分割 データ B2側の端部)に相当する部分 opbのデータを第 2分割データ B2の対応する 端部 (ここでは、隣接する第 2分割データ A2側の端部)に付加し、第 2分割データ B2 の端部(ここでは、隣接する第 2分割データ C2側の端部)に相当する部分 opdのデ 一タを第 2分割データ C2の対応する端部 (ここでは、隣接する第 2分割データ B2側 の端部)に付加することにより行われる。但し、第 2分割データ B2の端部(ここでは、 隣接する第 2分割データ A2側の端部)に相当する部分 opbのデータを第 2分割デー タ A2の対応する端部 (ここでは、隣接する第 2分割データ B2側の端部)に付加し、第 2分割データ C2の端部 (ここでは、隣接する第 2分割データ B2側の端部)に相当す る部分 opdのデータを第 2分割データ B2の対応する端部 (ここでは、隣接する第 2分 割データ C2側の端部)に付加することにより行ってもよ!、。

[0088] 奇数列パターン描画データと偶数列パターン描画データとの作成が完了したなら ば、パターン描画工程 S5において、これらのデータに従って、 EB露光装置などを用 いて、マスク基板 (ブランクス)上に、全パターンを描画することにより、マスク Mが製 造される。このとき、第 1分割データ群 Al、 Bl、 CI及び第 2分割データ群 A2、 B2、 C2は、図 24に示されているように、交互に描画される。

[0089] 倒立像用のマスク Mの製造方法については、パターンデータ取得工程 Sl、パター ンデータ分割工程 S2、パターン生成工程 S4、及びパターン描画工程 S5は同じであ る力 共通領域付加工程 S3における共通領域に対応するパターンデータの付加に ついての処理が相違する。

[0090] すなわち、パターンデータ分割工程 S2によるパターン分割が終了すると、図 25及 び図 26に示されているように、少なくとも一対の第 1分割データ群又は少なくとも一対 の第 2分割データ群の端部に、共通領域に対応するパターンデータを付加する。

[0091] 第 1分割データ群についての共通領域に対応するパターンデータの付カ卩は、図 25 に示されているように、第 1分割データ A1の端部 (ここでは、隣接する第 1分割データ B 1と相反する側の端部)に相当する部分 opaのデータを第 1分割データ B 1の対応 する端部 (ここでは、隣接する第 1分割データ A1と相反する側の端部)に付加し、第 1 分割データ B1の端部 (ここでは、隣接する第 1分割データ C1と相反する側の端部) に相当する部分 opcのデータを第 1分割データ C1の対応する端部 (ここでは、隣接 する第 1分割データ B1と相反する側の端部)に付加することにより行われる。但し、第 1分割データ B1の端部 (ここでは、隣接する第 1分割データ A1と相反する側の端部) に相当する部分 opaのデータを第 1分割データ Alの対応する端部 (ここでは、隣接 する第 1分割データ B1と相反する側の端部)に付加し、第 1分割データ C1の端部 (こ こでは、隣接する第 1分割データ B1と相反する側の端部)に相当する部分 opcのデ 一タを第 1分割データ B1の対応する端部 (ここでは、隣接する第 1分割データ C1と 相反する側の端部)に付加することにより行ってもよい。

[0092] また、第 2分割データ群についての共通領域に対応するパターンデータの付カロは、 図 26に示されているように、第 2分割データ A2の端部 (ここでは、隣接する第 2分割 データ B2と相反する側の端部)に相当する部分 opbのデータを第 2分割データ B2の 対応する端部 (ここでは、隣接する第 2分割データ A2と相反する側の端部)に付加し 、第 2分割データ B2の端部 (ここでは、隣接する第 2分割データ C2と相反する側の端 部)に相当する部分 opdのデータを第 2分割データ C2の対応する端部(ここでは、隣 接する第 2分割データ B2と相反する側の端部)に付加することにより行われる。但し、 第 2分割データ B2の端部 (ここでは、隣接する第 2分割データ A2と相反する側の端 部)に相当する部分 opbのデータを第 2分割データ A2の対応する端部(ここでは、隣 接する第 2分割データ B2と相反する側の端部)に付加し、第 2分割データ C2の端部 (ここでは、隣接する第 2分割データ B2と相反する側の端部)に相当する部分 opdの データを第 2分割データ B2の対応する端部 (ここでは、隣接する第 2分割データ C2 と相反する側の端部)に付加することにより行ってもよい。

[0093] ノターンデータ生成工程 S4により、奇数列パターン描画データと偶数列パターン 描画データとの作成が完了したならば、ノターン描画工程 S5において、これらのデ ータに従って、 EB露光装置などを用いて、マスク基板 (ブランクス)上に、全パターン を描画することにより、マスク Mが製造される。このとき、第 1分割データ群 Al、 Bl、 C 1及び第 2分割データ群 A2、 B2、 C2は、図 27に示されているように、交互に描画さ れる。

[0094] なお、上述したパターンデータ分割工程 S2においては、デバイスパターンに対応 するパターンに関して分割を行い、その後に共通領域付加工程 S3を行うようにした 力 少なくとも一対の奇数列パターン領域に共通領域を有する全奇数列パターンに 対応するパターンデータを分割し、第 1分割データ群を生成するとともに (第 1工程)、 少なくとも一対の偶数列パターン領域に共通領域を有する全偶数列パターンに対応 するパターンデータを分割し、第 2分割データ群を生成し (第 2工程)、これら第 1分割 データ群と第 2分割データ群とを用いて、マスク M上に前記全奇数列パターンと前記 全偶数列パターンとを描画する (第 3工程)ようにしてもよ ヽ。この場合の奇数列バタ ーンに係る第 1パターンデータ PD1を図 28に、偶数列パターンに係る第 2パターン データ PD2を図 29【こ示す。これらの図【こお!ヽて、 opa、 opb、 opc、 opdiま共通領域 である。

以上説明した実施形態は、本発明の理解を容易にするために記載されたものであ つて、本発明を限定するために記載されたものではない。したがって、上記の実施形 態に開示された各要素は、本発明の技術的範囲に属する全ての設計変更や均等物 をも含む趣旨である。また、上記実施形態の各構成要素等は、いずれの組み合わせ 等も可能とすることができる。

Claims

請求の範囲
[1] それぞれ拡大倍率を有する複数の投影光学系を介して、第 1の物体に設けられた パターンを第 2の物体上に投影露光する露光方法において、
前記拡大倍率に対応した位置関係で不連続に配置される第 1パターン領域と、少 なくとも一部が前記第 1パターン領域の間に設けられる第 2パターン領域とを有する 前記第 1の物体を、前記複数の投影光学系の第 1面側に配置し、
前記第 1パターン領域と前記第 2パターン領域のうち前記第 1パターン領域の拡大 像を、それぞれ前記複数の投影光学系を介して、前記複数の投影光学系の第 2面 側に配置される前記第 2の物体上へ投影露光する投影露光工程を含むことを特徴と する露光方法。
[2] 前記第 1パターン領域は、デバイスパターンを有する領域であり、前記第 2パターン 領域は、位置検出用のパターンを有し、前記第 1の物体の変形または前記第 1バタ ーン領域のパターン描画誤差を検出することを特徴とする請求項 1記載の露光方法
[3] 前記第 1パターン領域は、第 1のデバイスパターンを有する領域であり、前記第 2パ ターン領域は、第 2のデバイスパターンを有する領域であって、
前記第 1パターン領域と前記第 2パターン領域のうち少なくとも一方を選択して、該 選択されたパターン領域の拡大像を、前記複数の投影光学系を介して、前記第 2の 物体上へ投影露光することを特徴とする請求項 1記載の露光方法。
[4] 前記第 1パターン領域と前記第 2パターン領域のうち少なくとも一方を選択する際に は、前記複数の投影光学系に対して前記第 1パターン領域と前記第 2パターン領域 のうち少なくとも一方が対向するように、前記第 1の物体と前記複数の投影光学系と を相対的に移動させることを特徴とする請求項 3記載の露光方法。
[5] 前記第 1の物体上に位置する前記第 1パターン領域及び前記第 2パターン領域の それぞれの前記拡大像は、同一の前記第 2の物体上に形成されることを特徴とする 請求項 3または請求項 4記載の露光方法。
[6] 前記第 1の物体上に位置する前記第 1パターン領域及び前記第 2パターン領域の それぞれの前記拡大像は、前記第 2の物体上の異なる領域、もしくは少なくとも一部 が重複する領域に形成されることを特徴とする請求項 5記載の露光方法。
[7] 前記第 1の物体上に位置する前記第 1パターン領域及び前記第 2パターン領域の それぞれの像は、異なる前記第 2の物体上に形成されることを特徴とする請求項 3ま たは請求項 4記載の露光方法。
[8] 前記投影露光工程において、前記第 1の物体の前記第 1パターン領域と前記第 2 パターン領域を選択するための露光情報を入力する工程を含み、
前記投影露光工程にお!ヽては、前記露光情報に基づ!ヽて投影露光が行われるこ とを特徴とする請求項 3乃至請求項 7の何れか一項に記載の露光方法。
[9] 前記投影光学系は、 2倍よりも大きい投影倍率であることを特徴とする請求項 1乃至 請求項 8の何れか一項に記載の露光方法。
[10] 前記不連続に配置された第 1パターン領域の拡大像が、それぞれ前記複数の投影 光学系を介して、前記第 2の物体上で連続的に形成されるように前記第 2の物体上 へ投影露光することを特徴とする請求項 1乃至請求項 9の何れか一項に記載の露光 方法。
[11] 所定の方向に不連続に配置された前記第 1パターン領域の前記拡大像を、該第 1 パターン領域に対応する前記複数の投影光学系を介して前記第 2の物体上に投影 露光するとともに、前記第 1の物体及び前記第 2の物体と前記複数の投影光学系とを 相対的に前記所定の方向と交差する方向に走査させて走査露光することを特徴とす る請求項 1乃至請求項 10の何れか一項に記載の露光方法。
[12] 前記第 1の物体と前記第 2の物体は、前記投影光学系の投影倍率の比で、前記所 定の方向と交差する方向にそれぞれ走査されることを特徴とする請求項 11記載の露 光方法。
[13] 前記第 2の物体は、前記所定の方向にステップ移動することを特徴とする請求項 1
1または請求項 12記載の露光方法。
[14] それぞれ拡大倍率を有する複数の投影光学系を介して、第 1の物体に設けられた パターンを第 2の物体上に投影露光する露光装置において、
前記第 1の物体上に設けられた不連続に配置された第 1パターン領域と、少なくと も一部が前記第 1パターン領域の間に設けられた第 2パターン領域とを有する前記 第 1の物体を前記複数の投影光学系の第 1面に支持する第 1保持装置と、 前記第 1パターン領域と前記第 2パターン領域のうち前記第 1パターン領域の拡大 像をそれぞれ前記複数の投影光学系を介して投影されるように、前記複数の投影光 学系の第 2面に前記第 2の物体を保持する第 2保持装置とを備えることを特徴とする 露光装置。
[15] 前記第 1パターン領域は、デバイスパターンを有する領域であり、前記第 2パターン 領域は、位置検出用のパターンを有する領域であって、
前記位置検出用のパターンを検出する検出機構を備えることを特徴とする請求項 1 4記載の露光装置。
[16] 前記第 1パターン領域は、第 1のデバイスパターンを有する領域であり、前記第 2パ ターン領域は、第 2のデバイスパターンを有する領域であって、
前記第 2パターン領域の拡大像を、前記複数の投影光学系により前記第 2の物体 上に投影するように前記第 1パターン領域と前記第 2パターン領域とを選択的に切り 替える切替え機構を備えることを特徴とする請求項 14記載の露光装置。
[17] 前記複数の投影光学系は、 2倍よりも大きい投影倍率を有することを特徴とする請 求項 14乃至請求項 16の何れか一項に記載の露光装置。
[18] 前記不連続に配置された第 1パターン領域は、離散的に配置された複数のマスク 上に分割して設けられ、該複数のマスクは、前記第 1の物体により支持されることを特 徴とする請求項 14乃至請求項 17の何れか一項に記載の露光装置。
[19] 前記複数の投影光学系は、前記第 1パターン領域の位置情報に基づき、前記第 2 の物体上での像位置を調整する調整機構を備えることを特徴とする請求項 14乃至 請求項 18の何れか一項に記載の露光装置。
[20] 拡大倍率を有する複数の投影光学系を介した感光物体にパターンを露光するため の原画パターンが形成されたフォトマスクであって、
前記拡大倍率に対応した位置関係で不連続に配置され、それぞれ前記複数の投 影光学系により拡大像を形成するための複数の第 1パターン領域と、
少なくとも一部が前記複数の第 1パターン領域の間に設けられ、前記複数の投影 光学系の少なくとも 1つにより拡大像が形成される第 2パターン領域とを有することを 特徴とするフォトマスク。
[21] 前記複数の第 1パターン領域に形成されたパターンは、前記感光物体上で連続し たパターンとなるように形成されることを特徴とする請求項 20記載のフォトマスク。
[22] 前記複数の第 1パターン領域に形成されたパターンは、少なくとも一部が重複する 領域を備え、前記感光物体上で連続したパターンとなるように形成されることを特徴と する請求項 20または請求項 21記載のフォトマスク。
[23] パターン領域を有するフォトマスクであって、
前記パターン領域は、奇数列パターン領域と、偶数列パターン領域とを含み、 前記奇数列パターン領域の隣接する少なくとも一対又は前記偶数列パターン領域 の隣接する少なくとも一対の端部に、同一のパターンを有する共通領域を有し、 前記偶数列パターン領域の少なくとも一部は、隣接する少なくとも一対の前記奇数 列パターン領域の間に配置されることを特徴とするフォトマスク。
[24] 前記共通領域は、一対の前記奇数列パターン領域の隣接する側又は一対の前記 偶数列パターン領域の隣接する側にそれぞれ形成されることを特徴とする請求項 23 に記載のフォトマスク。
[25] 前記共通領域は、一対の前記奇数列パターン領域の隣接する側又は一対の前記 偶数列パターン領域の隣接する側とは反対側にそれぞれ形成されることを特徴とす る請求項 23に記載のフォトマスク。
[26] 前記共通領域の幅は、 lmn!〜 35mmの範囲内であることを特徴とする請求項 23
〜25の何れか一項に記載のフォトマスク。
[27] 前記奇数列パターン領域及び前記偶数列パターン領域の幅は、 35mn!〜 175m mの範囲内であることを特徴とする請求項 23〜26の何れか一項に記載のフォトマス ク。
[28] 前記共通領域と前記パターン領域との周囲に遮光帯を有することを特徴とする請 求項 23〜27の何れか一項に記載のフォトマスク。
[29] 前記奇数列パターン領域と所定の位置関係を有する第 1位置検出用マークと、 前記偶数列パターン領域と所定の位置関係を有する第 2位置検出用マークとを有 するこ とを特徴とする請求項 23〜28の何れか一項に記載のフォトマスク。
[30] 請求項 23〜29の何れか一項に記載のフォトマスクの製造方法であって、
前記フォトマスク上の奇数列パターン領域に形成する全奇数列パターンに対応す るパターンデータを分割し、第 1分割データ群を生成する第 1工程と、
前記フォトマスク上の偶数列パターン領域に形成する全偶数列パターンに対応す るパターンデータを分割し、第 2分割データ群を生成する第 2工程と、
少なくとも一対の前記第 1分割データ群又は少なくとも一対の前記第 2分割データ 群の端部に、共通領域に対応するパターンデータを付加し、前記フォトマスク上に形 成する全パターンに対応する、奇数列パターン描画データと偶数列パターン描画デ 一タとを作成する第 3工程と、
前記奇数列パターン描画データと前記偶数列パターン描画データとを用いて、前 記フォトマスク上に前記全パターンを描画する第 4工程とを含むことを特徴とするフォ トマスクの製造方法。
[31] 請求項 23〜29の何れか一項に記載のフォトマスクの製造方法であって、
少なくとも一対の奇数列パターン領域に共通領域を有する全奇数列パターンに対 応するパターンデータを分割し、第 1分割データ群を生成する第 1工程と、
少なくとも一対の偶数列パターン領域に共通領域を有する全偶数列パターンに対 応するパターンデータを分割し、第 2分割データ群を生成する第 2工程と、
前記第 1分割データ群と前記第 2分割データ群とを用いて、前記フォトマスク上に前 記全奇数列パターンと前記全偶数列パターンとを描画する第 3工程とを含むことを特 徴とするフォトマスクの製造方法。
PCT/JP2007/052241 2006-02-16 2007-02-08 露光方法、露光装置、フォトマスク及びフォトマスクの製造方法 WO2007094235A1 (ja)

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