CN102171746A - 显示装置用基板、显示装置用基板的制造方法、显示装置、液晶显示装置、液晶显示装置的制造方法和有机电致发光显示装置 - Google Patents

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Abstract

本发明提供能够抑制由于像素区域内产生气泡而引起的不良情况的显示装置用基板、显示装置用基板的制造方法、显示装置、液晶显示装置、液晶显示装置的制造方法和有机电致发光显示装置。本发明是从基板侧起依次设置有感光性树脂膜和像素电极的显示装置用基板，上述显示装置用基板是在上述感光性树脂膜的上层侧具有阻碍从上述感光性树脂膜产生的气体的行进的阻气绝缘膜的显示装置用基板，或者是在上述感光性树脂膜与上述像素电极之间具有阻碍从上述感光性树脂膜产生的气体的行进的阻气绝缘膜的显示装置用基板。

Description

显示装置用基板、显示装置用基板的制造方法、显示装置、液晶显示装置、液晶显示装置的制造方法和有机电致发光显示装置
技术领域
本发明涉及显示装置用基板、显示装置用基板的制造方法、显示装置、液晶显示装置、液晶显示装置的制造方法和有机电致发光显示装置。更详细而言，涉及适于在基板上设置有感光性树脂膜的液晶显示装置或有机EL显示器的显示装置用基板、显示装置用基板的制造方法、显示装置、液晶显示装置、液晶显示装置的制造方法和有机电致发光显示装置。
背景技术
作为液晶显示装置的显示模式，已知有多畴垂直取向(MVA：Multi-domain Vertical Alignment)模式。在MVA模式的液晶显示装置中，使用：被密封在一对基板间的具有负的介电常数各向异性的液晶；使液晶分子大致垂直于基板面取向的垂直取向膜；和限制液晶分子的取向方位的取向限制用构造。作为取向限制用构造，例如能够列举由介电体构成的线状突起、电极的缺口部(狭缝)。根据该MVA模式，通过使用取向限制用构造在一个像素内设置液晶分子的取向方位相互不同的多个区域(畴)，能够得到广视野角。
另一方面，在MVA模式的液晶显示装置中，在设置有像素内的线状突起、狭缝的区域等畴的边界部，容易产生白显示时的光透过率的下降。在为了对此进行抑制而加大取向限制用构造的配置间隔的情况下，液晶的响应速度会下降。因此，从在抑制白显示时的光透过率的下降的同时实现液晶的高速响应的角度出发，考虑在取向膜进行用于使液晶初始取向的取向处理。但是，在MVA模式的液晶显示装置中，由于设置取向限制用构造，所以一般不进行基于摩擦的取向处理。
对此，作为在得到MVA模式的液晶显示装置方面有效的技术，已知聚合体取向支持(PSA：Polymer Sustained Alignment：聚合物稳定型垂直取向)技术。PSA技术是通过将单体、低聚体等聚合性成分混入液晶，在向液晶施加电压而使液晶分子倾斜的状态下使聚合性成分聚合，由此将存储有液晶的倾倒方向的聚合体设置在基板上的方法(例如参照专利文献1)。
此外，在有机EL显示器中，至今为止，为了防止由来自有机EL元件的外部的氧、水分引起的劣化，一般采用在花雕玻璃(carved glass)粘贴干燥剂、利用密封树脂将有机EL元件的外周部的外侧呈框状密封的罐密封构造。但是，在该罐密封构造中，难以采用从面板上表面出光的顶部发光结构(高开口率化)、难以实现面板的薄型化，因此近年来，使用平坦的基板的密封构造(以下，也称为平板密封构造)的开发正在进行。即，正在开发通过在有机EL元件上利用由感光性树脂构成的粘接剂粘贴平坦的基板来密封有机EL元件的技术。
进一步，在现有的显示装置用基板、特别是TFT(Thin Film Transistor：薄膜晶体管)阵列基板(以下也称为TFT基板)中，从抑制配线的断线的观点出发，作为层间绝缘膜形成有具有平坦化作用的感光性树脂膜。关于这样的层间绝缘膜，例如公开有感放射线性树脂组成物(例如参照专利文献2)，该感放射线性树脂组成物包括：在一个分子链中含有羧基或酸酐和环氧基的能够溶于碱性水溶液的树脂；和感放射线性酸生成化合物(radiation-sensitive acid-generating compound)。
现有技术文献
专利文献
专利文献1：日本特开2003-149647号公报
专利文献2：日本特开平5-165214号公报
发明内容
发明要解决的问题
但是，在现有的PSA模式的液晶显示装置(使用PSA技术制作的液晶显示装置)、具有平板基板的有机EL显示器中，在通过对分散在像素区域内的单体进行UV照射而使其聚合的工序后，或在通过对由感光性树脂构成的粘接剂进行UV照射而使其固化的工序后，在像素区域内产生气体、气泡，其结果是，存在成为不合格品的情况。图35是表示现有的PSA模式的液晶显示面板的平面示意图。当在UV照射工序后进行PSA模式的液晶显示面板的冲击试验时，如图35所示，发生了由于冲击而在像素区域P的单元内喷出气泡139的情况。另外，冲击试验是在高温(80℃)下使弹珠球从面板上方30cm的高度落下。
本发明是鉴于上述问题而完成的，其目的在于提供能够抑制由于像素区域内产生气体、气泡而引起的不良情况的显示装置用基板、显示装置用基板的制造方法、显示装置、液晶显示装置、液晶显示装置的制造方法和有机电致发光显示装置。
用于解决问题的手段
本发明的发明者们对能够抑制由于像素区域内产生气体、气泡而引起的不良情况的显示装置用基板进行了各种研究后，着眼于作为TFT基板的平坦化膜使用的感光性树脂。而且发现，在现有技术中，如图36所示，由于UV照射(图36中的白色中空箭头)而从感光性树脂膜152产生气体138，特别是该气体138在对高温时的面板进行机械性打击等冲击时在液晶层110内成为气泡出现。对于其原因，能够考虑以下方面。首先认为，感光性树脂膜中通常含有用于保持感光性的重氮萘醌(naphthoquinone diazide)类感光剂和环氧成分，在第一曝光、显影、第二曝光和烘烤(baking)的工序中的第一曝光工序、第二曝光工序和烘烤工序中，它们放出微量的氮气体和由于水解而产生的水蒸气。因此认为，在使单体分散液晶(分散有聚合性成分的液晶材料)聚合的工序、使由感光性树脂构成的粘接剂固化的工序中的UV照射中，由于UV光和热，感光性树脂膜内仅残存的未反应物质发生反应，产生气体(gas)。作为例子，能够考虑如下情况：作为感光剂使用的感放射线性酸生成化合物(radiation-sensitive acid-generating compound)(具有碱溶解性由于放射线照射而变高的性质的化合物)的未反应重氮基发生反应而产生氮气体的过程，或反应酸生成物(由于放射线照射而生成的酸)再次酯化(水解)，生成的H2O在高温下变为水蒸气的情况等。其结果是，这些气体由于冲击等应力而向液晶层、有机层中喷出。而且，在进一步研讨后发现，通过在感光性树脂膜的上层侧、感光性树脂膜与像素电极之间设置阻气绝缘膜(阻碍从感光性树脂膜产生的气体的行进的绝缘膜)，即使由于对单体分散液晶进行聚合的工序、使由感光性树脂膜构成的粘接剂固化的工序中的UV照射，从感光性树脂膜产生气体，也能够利用阻气绝缘膜防止该气体侵入液晶层、有机层，从而想到能够出色地解决所述问题的方式方法，完成了本发明。
即，本发明是从绝缘基板侧起依次设置有感光性树脂膜和像素电极的显示装置用基板，上述显示装置用基板是在上述感光性树脂膜的上层侧具有阻气绝缘膜的显示装置用基板(以下，也称为“本发明的第一显示装置用基板”)，该阻气绝缘膜阻碍从上述感光性树脂膜产生的气体的行进。由此，在具备本发明的第一显示装置用基板的显示装置中，能够抑制由于像素区域内产生气体、气泡而引起的不良情况。此外，因为设置有感光性树脂膜，所以能够抑制配线的连接不良的发生。
作为本发明的第一显示装置用基板的结构，只要以这种构成要素为必须而形成，则既可以包括其它的构成要素，也可以不包括其它的构成要素，并无特别限定。
本发明还是从绝缘基板侧起依次设置有感光性树脂膜和像素电极的显示装置用基板，上述显示装置用基板也是在上述感光性树脂膜与上述像素电极之间具有阻气绝缘膜的显示装置用基板(以下，也称为“本发明的第二显示装置用基板”)，该阻气绝缘膜阻碍从上述感光性树脂膜产生的气体的行进。由此，在具备本发明的第二显示装置用基板的显示装置中，能够抑制由于像素区域内产生气体、气泡而引起的不良情况。此外，因为阻气绝缘膜配置在像素电极的下层侧，所以能够抑制向液晶层、发光层施加的电压的下降。进一步，阻气绝缘膜配置在像素电极的下层侧，因此如果采用以像素电极与像素电极的下层的配线层夹着阻气绝缘膜的结构，则能够将该结构作为像素辅助电容来利用。而且，因为设置有感光性树脂膜，所以能够抑制配线的连接不良的发生。
另外，在本说明书中，所谓的上是指远离绝缘基板的方向，另一方面，所谓的下是指接近绝缘基板的方向。即，所谓的上层是指远离绝缘基板的层，另一方面，所谓的下层是指接近绝缘基板的层。
作为本发明的第二显示装置用基板的结构，只要以这种构成要素为必须而形成，则既可以包括其它的构成要素，也可以不包括其它的构成要素，并无特别限定。
以下对本发明的第一显示装置用基板和第二显示装置用基板的优选方式进行详细说明。另外，以下所示的各种方式也可以进行适当的组合。
在将阻气绝缘膜配置在像素电极的上层侧的情况下，存在由于阻气绝缘膜的电容成分而发生电压下降的问题。对此，也可以为如下方式：上述阻气绝缘膜与上述像素电极的外缘部重叠，并且在上述像素电极上(在与上述像素电极对应的区域)具有开口部。此外，也可以为如下方式：上述阻气绝缘膜有选择地覆盖上述感光性树脂膜的上表面(上层侧的面)和侧面的未被上述像素电极覆盖的区域。进一步，也可以为如下方式：上述显示装置用基板具有多个上述像素电极，并且上述多个像素电极以相互具有间隔(间隙)的方式设置，上述阻气绝缘膜有选择地设置在上述多个像素电极间的间隙中。由此，能够抑制电压下降的发生，并且能够更加抑制像素区域内发生气体、气泡的情况。另外，这些方式可以适用于在本发明的第一显示装置用基板和第二显示装置用基板中的任一个，尤其适合于本发明的第一显示装置用基板。
也可以为如下方式：上述阻气绝缘膜包括热固化型树脂膜。由此，阻气绝缘膜能够利用热反应来固化，因此，在阻气绝缘膜成膜后的UV照射工序中，能够有效地抑制起因于UV光的气体的发生。
也可以为如下方式：上述阻气绝缘膜包括无机绝缘膜。由此，在阻气绝缘膜成膜后的UV照射工序中，能够有效地抑制起因于UV光的气体的发生。
也可以为如下方式：上述阻气绝缘膜包括氧化硅膜。由此，能够抑制阻气绝缘膜中光、尤其是UV光的衰减。
也可以为如下方式：上述显示装置用基板具有在上述感光性树脂膜的正上方层叠有上述无机绝缘膜的有机-无机膜层叠体。由此，能够利用机械性强度卓越的无机绝缘膜保护感光性树脂膜。因此，通过在端子部配置有机-无机膜层叠体，即使在将显示装置用基板与其他的电路基板或元件、例如FPC基板连接的工序中发生需要再加工的情况下，也能够抑制感光性树脂膜剥落、受损伤等情况。因此，能够抑制位于感光性树脂膜的下层的配线层裸露、该配线层被水分等腐蚀的情况。此外，能够抑制由于剥落的感光性树脂膜的渣滓引起的端子与FPC等外部连接部件的接触不良的发生。即，能够提高端子部的可靠性。此外，能够将无机绝缘膜作为对抗蚀剂掩模的灰化的阻止(stopper)部件来利用，因此，作为在有机-无机膜层叠体形成接触孔的方法，能够使用包括灰化工序的方法，即利用微细加工精度高的干蚀刻等抗蚀剂掩模的方法。其结果是，能够微细且高精度地形成位于有机-无机膜层叠体的下层的配线，尤其是要求微细的加工的、设置在周边电路区域的引绕配线等配线。进一步，能够使得感光性树脂膜不易受到灰化的损伤，因此，能够抑制在有机-无机膜层叠体的上层和下层分别配置的配线间的连接不良的发生。
也可以为如下方式：上述感光性树脂膜具有开口部。而且，上述感光性树脂膜的开口部优选被与上述无机绝缘膜相比靠近上层的配线覆盖。即，上述显示装置用基板优选具有与上述无机绝缘膜相比设置在上层的配线，并且上述感光性树脂膜的开口部被上述配线(上层的配线)覆盖。由此，能够使得上述感光性树脂膜的开口部被上层的配线覆盖，并且使得未被感光性树脂膜的上层的配线覆盖的区域被无机绝缘膜覆盖，因此，能够使得感光性树脂膜不易受到灰化、干蚀刻的损伤。其结果是，能够抑制分别配置在有机-无机膜层叠体的上层和下层的配线间的连接不良的发生。
也可以为如下方式：上述感光性树脂膜的开口部的壁面的至少上层侧的一部分被上述无机绝缘膜覆盖。由此，即使使用湿蚀刻进行无机绝缘膜的图案形成，也能够使得感光性树脂膜不易受到灰化、干蚀刻的损伤。其结果是，能够抑制在有机-无机膜层叠体的上层和下层分别配置的配线间的连接不良的发生。
既可以以上述无机绝缘膜覆盖的上述感光性树脂膜的开口部的壁面的除了至少下层侧的一部分以外的、全部的上述感光性树脂膜的方式设置；也可以为上述感光性树脂膜的开口部的壁面的全部被上述无机绝缘膜覆盖。尤其是，根据后者，因为能够通过利用微细加工精度高的干蚀刻等的抗蚀剂掩模的方法蚀刻无机绝缘膜，所以能够抑制分别配置在有机-无机膜层叠体的上层和下层的配线间的连接不良的发生，并且能够实现位于有机-无机膜层叠体的下层的配线的微细加工。
也可以为如下方式：上述显示装置用基板包括设置有用于连接其它外部连接部件的连接端子的端子部和设置有周边电路的周边电路区域的至少一方。由此，能够实现周边电路区域的配线的微细加工和显示装置的可靠性的提高的至少一方。
也可以为如下方式：上述显示装置用基板包括上述端子部和上述周边电路区域。即，上述显示装置用基板也可以在上述绝缘基板上包括设置有用于连接其它外部连接部件的连接端子的端子部和设置有周边电路的周边电路区域。由此，能够实现周边电路区域的配线的微细加工和显示装置的可靠性的提高。
另外，作为上述外部连接部件，只要是能够与使用上述显示装置用基板构成的显示面板连接的电路基板、元件即可，并无特别限定，能够列举FPC(Flexible Printed Circuits：挠性印制电路)基板、TCP(Tape Carrier Package：卷带式封装)、COG(Chip on Glass：玻璃基芯片)、电阻元件、电容元件等，优选其中的FPC基板。
也可以为如下方式：上述显示装置用基板在上述端子部具有上述有机-无机膜层叠体。由此，能够提高显示装置的可靠性。
也可以为如下方式：上述显示装置用基板在上述周边电路区域具有上述有机-无机膜层叠体。由此，能够形成具备已被微细加工的配线的周边电路。
也可以为如下方式：上述显示装置用基板具有多个上述有机-无机膜层叠体。由此，能够实现配线的多层化。
也可以为如下方式：上述显示装置用基板在上述端子部具有多个上述有机-无机膜层叠体。由此，能够在端子部形成微细且已被多层化的配线。
这样，上述多个有机-无机膜层叠体优选相互层叠。
上述显示装置用基板也可以为如下结构：具有分别设置在上述多个有机-无机膜层叠体的多个配线层，上述连接端子包括上述多个配线层中的除了位于最下层侧的配线层以外的配线层。这样，上述显示装置用基板也可以为如下结构：具有多个配线层，上述多个有机-无机膜层叠体与上述多个配线层交替层叠，上述连接端子包括上述多个配线层中的除了位于最下层侧的配线层以外的配线层。由此，能够确保显示装置的可靠性，并且在连接端子的下面形成配线。更具体而言，能够使垫部与垫部以外的区域的导电性微粒子的变形量的差缓和，能够抑制由应力的不均引起的连接不良的发生。
也可以为如下方式：上述连接端子包括上述多个配线层中的位于最上层侧的配线层。由此，能够确保显示装置的可靠性，并且在连接端子的下面形成更多的配线。
上述显示装置用基板既可以在上述端子部具有在上述连接端子的正上方层叠有上述无机绝缘膜的区域；上述显示装置用基板也可以在上述端子部未设置上述感光性树脂膜。由此，能够特别提高显示装置的机械可靠性。
另外，更具体而言，上述端子部优选为配置用于连接本发明的显示装置用基板与其它外部连接部件(优选为电路基板)的导电材料(优选为ACF(anisotropic conductive film：各向异性导电膜)等各向异性导电材料)的区域。这样，上述无机绝缘膜也可以以上述感光性树脂膜至少与上述导电材料不接触的方式覆盖上述感光性树脂膜。
也可以为如下方式：上述显示装置用基板在上述周边电路区域具有上述多个有机-无机膜层叠体。由此，能够形成具备微细且被已多层化的配线的周边电路。此外，上述无机绝缘膜也可以以在上述周边电路区域覆盖上述感光性树脂膜的至少上层侧的面(上表面)的方式设置。进一步，上述无机绝缘膜既可以以在周边电路区域覆盖除了上述感光性树脂膜的开口部的壁面的至少下层侧的一部分以外的全部的上述感光性树脂膜的方式设置，也可以以在周边电路区域覆盖包括上述感光性树脂膜的开口部的壁面的全部的上述感光性树脂膜的方式设置。
本发明还是本发明的显示装置用基板的制造方法，上述制造方法也是包括如下工序的显示装置用基板的制造方法(以下也称为“本发明的第一显示装置用基板的制造方法”)，包括：对上述感光性树脂膜进行蚀刻的感光性树脂膜蚀刻工序；在上述感光性树脂膜蚀刻工序之后，形成上述无机绝缘膜的无机绝缘膜成膜工序；和在上述无机绝缘膜成膜工序之后，对上述无机绝缘膜进行蚀刻的无机绝缘膜蚀刻工序。由此，能够抑制配线的连接不良的发生，并且能够实现配线的微细加工。
本发明的第一显示装置用基板的制造方法只要具有上述工序，在其它工序方面就没有特别限定。
以下对本发明的第一显示装置用基板的制造方法的优选方式进行详细说明。另外，以下所示的各种方式也可以适当地组合。
也可以为如下方式：在上述无机绝缘膜蚀刻工序中，上述无机绝缘膜隔着第一抗蚀剂被干蚀刻。由此，能够更可靠地进行配线的微细加工。
也可以为如下方式：在上述无机绝缘膜蚀刻工序中，上述无机绝缘膜的与上述感光性树脂膜的被蚀刻除去的区域重叠的区域被蚀刻除去。由此，能够形成微细的接触孔。
也可以为如下方式：上述显示装置用基板的制造方法包括：在上述感光性树脂膜蚀刻工序之前，隔着第一光掩模使上述感光性树脂膜感光的感光性树脂膜感光工序。由此，能够更可靠地抑制配线的连接不良的发生。这样，上述感光性树脂膜优选被感光和蚀刻(显影)、即感光蚀刻。
也可以为如下方式：上述显示装置用基板的制造方法包括：在上述无机绝缘膜成膜工序之后，在上述无机绝缘膜上形成第二抗蚀剂的抗蚀剂成膜工序；和在上述抗蚀剂成膜工序之后，隔着上述第一光掩模对上述第二抗蚀剂进行感光的抗蚀剂感光工序。由此，能够在感光性树脂膜感光工序和抗蚀剂感光工序中使用共用的第一光掩模，因此能够将制造工序中需要的光掩模的片数削减一片，能够削减制造成本。此外，在使用不同的光掩模的情况下，存在由于不同的光掩模间的制成时的偏移而引起感光性树脂膜和无机绝缘膜各自开口部的位置偏移的情况，而根据本方式，能够抑制该感光性树脂膜和无机绝缘膜各自的开口部的位置偏移的发生。
本发明还是本发明的显示装置用基板的制造方法，上述制造方法也是包括如下工序的显示装置用基板的制造方法(以下也称为“本发明的第二显示装置用基板的制造方法”)，包括：以第三抗蚀剂为掩模，利用湿蚀刻对上述无机绝缘膜进行蚀刻的无机绝缘膜蚀刻工序；在上述无机绝缘膜蚀刻工序之后，除去上述第三抗蚀剂的抗蚀剂除去工序；在上述抗蚀剂除去工序之后，以上述无机绝缘膜为掩模对上述感光性树脂膜进行蚀刻的感光性树脂膜蚀刻工序。这样，利用湿蚀刻对无机绝缘膜进行蚀刻，因此，能够不利用灰化处理而利用剥离液剥落第三抗蚀剂。因此，能够防止灰化对向接触孔内露出的感光性树脂膜的壁面部造成损伤。其结果是，能够抑制配线的连接不良的发生。
本发明的第二显示装置用基板的制造方法只要具有上述工序，在其它工序方面就没有特别限定。
本发明还是具备本发明的显示装置用基板的显示装置(以下也称为“本发明的第一显示装置”)。由此，能够抑制由于像素区域内产生气泡而引起的不良情况。
作为本发明的第一显示装置，只要这样的构成要素为必须形成的要素，则既可以包括其它的构成要素，也可以不包括其它的构成要素，并无特别限定。
本发明还是具备本发明的显示装置用基板的液晶显示装置。由此，能够抑制由于像素区域内产生气泡而引起的不良情况。
作为本发明的液晶显示装置的结构，只要这样的构成要素为必须形成的要素，则既可以包括其它的构成要素，也可以不包括其它的构成要素，并无特别限定。
也可以为如下方式：上述液晶显示装置具有包含单体分散型液晶的液晶层。由此，在PSA模式的液晶显示装置中，能够有效地抑制由于像素区域内产生气泡而引起的不良情况。基于同样的观点，也可以为如下方式：上述液晶显示装置包括与本发明的显示装置用基板相对的基板和被上述两基板夹持的液晶层，在上述两基板的至少一个(优选为上述两基板)的上述液晶层侧的表面，通过向上述液晶层施加电压并使上述液晶层中的聚合性成分聚合，形成限定上述液晶层中的液晶分子的预倾角的聚合体。
也可以为如下方式：上述液晶显示装置包括：与上述显示装置用基板相对的对置基板；被密封在上述显示装置用基板与上述对置基板之间的液晶材料；和用于将液晶材料密封在上述显示装置用基板与上述对置基板之间的密封材料，上述阻气绝缘膜形成至与上述密封材料重叠(接触)。
由此，在PSA模式的液晶显示装置中，能够有效地抑制由于像素区域内产生气体、气泡而引起的不良情况。
本发明还是本发明的液晶显示装置的制造方法，上述制造方法也是包括在液晶注入工序以后对上述液晶层进行光照射的工序的液晶显示装置的制造方法。由此，能够在有效地抑制由于像素区域内产生气泡而引起的不良情况的同时制作PSA模式的液晶显示装置。
本发明的液晶显示装置的制造方法只要具有上述工序，在其它工序方面就没有特别限定。
本发明还是具备本发明的显示装置用基板的有机电致发光显示装置(以下也称为有机EL显示器)，上述有机电致发光显示装置也是具有利用光固化型粘接剂粘贴在上述显示装置用基板的基板的有机电致发光显示装置。由此，在具有平板密封构造的有机EL显示器中，能够有效地抑制由于像素区域内产生气泡而引起的不良情况。
作为本发明的有机电致发光显示装置的结构，只要这样的构成要素为必须形成的要素，则既可以包括其它的构成要素，也可以不包括其它的构成要素，并无特别限定。另外，作为上述基板，优选密封用基板。
本发明还是具备利用本发明的显示装置用基板的制造方法制作的显示装置用基板的显示装置(以下也称为“本发明的第二显示装置”)。由此，能够抑制由于像素区域内产生气泡而引起的不良情况。
作为本发明的第二显示装置的结构，只要这样的构成要素为必须形成的要素，则既可以包括其它的构成要素，也可以不包括其它的构成要素，并无特别限定。
发明的效果
根据本发明的显示装置用基板、显示装置用基板的制造方法、显示装置、液晶显示装置、液晶显示装置的制造方法和有机电致发光显示装置，能够抑制由于像素区域内产生气泡而引起的不良情况。
附图说明
图1是实施方式1的液晶显示装置的像素区域的截面示意图。
图2是表示实施方式1的液晶显示装置的像素区域的变形例的截面示意图。
图3是实施方式1的另一个液晶显示装置的像素区域的截面示意图。
图4是实施方式2的有机EL显示器的像素区域的截面示意图。
图5是实施方式3的液晶显示装置的边框区域的截面示意图，(a)表示端子部，(b)表示周边电路区域。
图6是实施方式3的液晶显示装置的像素区域的截面示意图。
图7是表示实施方式3的液晶显示装置的变形例的周边电路区域的截面示意图。
图8是表示实施方式3的液晶显示装置的变形例的像素区域的截面示意图。
图9是表示实施方式3的液晶显示装置的变形例的截面示意图，(a)表示边框区域的端子部，(b)表示边框区域的周边电路部。
图10是表示实施方式3的液晶显示装置的变形例的像素区域的截面示意图。
图11是表示实施方式3的液晶显示装置的变形例的截面示意图，(a)表示边框区域的端子部，(b)表示边框区域的周边电路部。
图12是表示实施方式3的液晶显示装置的变形例的像素区域的截面示意图。
图13是表示实施方式3的液晶显示装置的变形例的像素区域的截面示意图。
图14是表示实施方式3的液晶显示装置的变形例的截面示意图，(a)表示边框区域的端子部，(b)表示边框区域的周边电路部。
图15是表示实施方式3的液晶显示装置的变形例的像素区域的截面示意图。
图16是表示实施方式3的液晶显示装置的变形例的截面示意图，(a)表示边框区域的端子部，(b)表示边框区域的周边电路部。
图17是表示实施方式3的液晶显示装置的变形例的像素区域的截面示意图。
图18是表示实施方式4的液晶显示装置的边框区域的截面示意图，(a)表示端子部，(b)表示周边电路区域。
图19是表示实施方式4的液晶显示装置的变形例的截面示意图，(a)表示边框区域的端子部，(b)表示边框区域的周边电路部。
图20是实施方式5的液晶显示装置的端子部的截面示意图。
图21是表示实施方式5的液晶显示装置的变形例的截面示意图，表示边框区域的端子部。
图22是表示实施方式5的液晶显示装置的变形例的截面示意图，(a)表示边框区域的端子部，(b)表示边框区域的周边电路部。
图23是表示实施方式3的液晶显示装置的变形例的像素区域的截面示意图。
图24是实施方式6的液晶显示装置的端子部的截面示意图。
图25是表示实施方式6的液晶显示装置的变形例的截面示意图，表示边框区域的端子部。
图26是表示实施方式6的液晶显示装置的变形例的端子部的截面示意图。
图27是实施方式1～6的液晶显示装置的周边电路区域的截面示意图。
图28-1(a)～(d)是制造工序中的实施方式1～6的液晶显示装置的周边电路区域的截面示意图。
图28-2(e)～(g)是制造工序中的实施方式1～6的液晶显示装置的周边电路区域的截面示意图。
图29是图28-2(g)所示的周边电路区域的另一个方式的截面示意图。
图30-1(a)～(d)是制造工序中的实施方式1～6的液晶显示装置的周边电路区域的截面示意图。
图30-2(e)～(h)是制造工序中的实施方式1～6的液晶显示装置的变形例的周边电路区域的截面示意图。
图31-1(a)～(c)是制造工序中的实施方式1～6的液晶显示装置的变形例的周边电路区域的截面示意图。
图31-2(d)～(f)是制造工序中的实施方式1～6的液晶显示装置的变形例的周边电路区域的截面示意图。
图32(a)和(b)是制造工序中的实施方式1～6的液晶显示装置的变形例的周边电路区域的截面示意图。
图33是比较方式1的液晶显示装置的像素区域的截面示意图。
图34是比较方式2的液晶显示装置的边框区域的截面示意图，(a)表示端子部，(b)表示周边电路区域。
图35是表示现有的PSA模式的液晶显示面板的平面示意图。
图36是表示现有的PSA模式的液晶显示面板的截面示意图。
图37是实施方式1的液晶显示装置的平面示意图。
具体实施方式
以下，列举实施方式，参照附图对本发明进行更详细的说明，但是本发明并不仅限于这些实施方式。
(实施方式1)
图1是实施方式1的液晶显示装置的像素区域的截面示意图。本实施方式的液晶显示装置700是透过型的液晶显示装置，如图1、37所示，具有作为显示装置用基板的TFT基板15和与TFT基板15相对配置的CF基板90，进一步，利用设置在两基板15、90的周围的密封材料39在两基板15、90之间密封液晶材料，由此形成液晶层10。
TFT基板15在像素区域(排列有多个像素的显示区域)，在绝缘基板21上，从绝缘基板21侧起依次层叠有：基底覆盖膜22；半导体层23；栅极绝缘膜24；栅极电极25；作为层间绝缘膜发挥作用的无机绝缘膜41；由第一配线层61构成的源极电极34和漏极电极35；作为层间绝缘膜和平坦化膜发挥作用的感光性树脂膜52和作为阻气绝缘膜发挥作用的无机绝缘膜41a的层叠体；按照每个像素设置的像素电极36；和以覆盖像素区域的方式设置的取向膜37。这样，包括半导体层23、栅极绝缘膜24和栅极电极25且作为像素开关元件发挥作用的TFT29，按照每个像素被直接制作在构成TFT基板15的绝缘基板21上。由第一配线层61构成的源极电极34和漏极电极35经设置在无机绝缘膜41a的接触孔31f与半导体层23的源极/漏极区域连接。此外，像素电极36经设置在感光性树脂膜52和无机绝缘膜41a的接触孔(通孔)31g与由第一配线层61构成的漏极电极35连接。
感光性树脂膜52等有机膜虽然因为柔软而容易发生剥落、受到损伤等，但是在平坦性方面卓越。另一方面，无机绝缘膜41a等无机膜虽然平坦性差，但是因为坚固所以不易剥落且不易受到损伤。
另外，在本说明书中，所谓的平坦化膜是指具有使台阶变平坦(变小)的平坦化作用的膜。平坦化膜的表面优选实质上平坦，但是也可以具有高度为500nm(优选为200nm)左右以下的台阶。在平坦化膜在表面具有台阶部的情况下，台阶部的曲率半径优选比台阶的高度大，由此，在进行用于形成平坦化膜的上层的配线层的蚀刻时，能够有效地抑制蚀刻残渣的产生。作为平坦化膜，在感光性树脂膜52等有机膜以外，还能够列举(SOG，Spin on Glass：旋涂玻璃)膜。
另一方面，CF基板90在像素区域，在绝缘基板91上，从绝缘基板91侧起依次形成有：由设置在各像素间的遮光部件构成的黑矩阵92；按照每个像素设置的红色、绿色和蓝色的彩色滤光片93；由透明导电膜构成的共用电极94；和取向膜95。
以下，对实施方式1的液晶显示装置700的制造方法进行说明。
对TFT基板15的制造方法进行说明。
首先，作为前处理，对绝缘基板21进行洗净和预退火。作为绝缘基板21，虽然并无特别限定，但是从成本等观点出发，优选为玻璃基板、树脂基板等。接着，进行以下(1)～(14)的工序。
(1)基底覆盖膜的形成工序
在绝缘基板21上，利用等离子体增强化学气相沉积(Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition：PECVD)法依次形成膜厚50nm的SiON膜和膜厚100nm的SiOx膜，形成基底覆盖膜22。作为用于形成SiON膜的原料气体，能够列举硅烷(SiH4)、一氧化二氮气体(N2O)和氨(NH3)的混合气体等。另外，SiOx膜优选使用正硅酸乙酯(Tetra Ethyl Ortho Silicate：TEOS)作为原料气体来形成。此外，基底覆盖膜22也可以包括使用硅烷(SiH4)和氨(NH3)的混合气体作为原料气体形成的氮化硅(SiNx)膜。
(2)半导体层的形成工序
利用PECVD法形成膜厚50nm的非晶硅(a-Si)膜。作为用于形成a-Si膜的原料气体，例如能够列举SiH4、乙硅烷(Si2H6)等。因为利用PECVD法形成的a-Si膜中含有氢，所以在大约500℃下进行降低a-Si膜中的氢浓度的处理(脱氢处理)。接着，进行激光退火，使a-Si膜溶融、冷却和结晶，由此形成p-Si膜。在激光退火中，例如使用准分子激光。在p-Si膜的形成中，作为激光退火的前处理，(为了进行连续晶界结晶硅(CG-硅)化)，也可以不进行脱氢处理而涂敷镍等金属催化剂，进行基于热处理的固相生长。此外，作为a-Si膜的结晶化，也可以仅进行基于热处理的固相生长。接着，进行利用四氟化碳(CF4)和氧(O2)的混合气体的干蚀刻，对p-Si膜进行图案形成，形成半导体层23。
(3)栅极绝缘膜的形成工序
接着，使用TEOS作为原料气体，形成由膜厚45nm的氧化硅构成的栅极绝缘膜24。作为栅极绝缘膜24的材质并无特别限定，也可以使用SiNx膜、SiON膜等。作为用于形成SiNx膜和SiON膜的原料气体，能够列举与在基底覆盖膜的形成工序中说明的原料气体相同的原料气体。此外，栅极绝缘膜24也可以是由上述多种材料构成的层叠体。
(4)离子掺杂工序
为了控制TFT29的阈值，利用离子掺杂法、离子注入法等对半导体层23掺杂硼等杂质。更具体而言，在对成为N沟道型TFT或P沟道型TFT的半导体层掺杂硼等杂质后(第一掺杂工序)，在利用抗蚀剂遮掩成为P沟道型TFT的半导体层的状态下，对成为N沟道型的半导体层进一步掺杂硼等杂质(第二掺杂工序)。另外，在不需要P沟道型TFT的阈值控制的情况下，也可以不进行第一掺杂工序。
(5)栅极电极的形成工序
接着，使用溅射法依次形成膜厚30nm的氮化钽(TaN)膜和膜厚370nm的钨(W)膜，接着，利用光刻法将抗蚀剂膜图案形成为所期望的形状，由此形成抗蚀剂掩模，之后，使用对氩(Ar)、六氟化硫(SF6)、四氟化碳(CF4)、氧(O2)、氯(Cl2)等的混合气体的分量进行了调整的抗蚀剂气体进行干蚀刻，形成栅极电极25。作为栅极电极25的材料，能够列举钽(Ta)、钼(Mo)、钼钨(MoW)等表面平坦且特性稳定的高熔点金属、铝(Al)等低电阻金属。此外，栅极电极25也可以是由上述多种材料构成的层叠体。
(6)源极/漏极区域的形成工序
接着，为了形成TFT29的源极/漏极区域，将栅极电极25作为掩模，利用离子掺杂法、离子注入法等对半导体层23进行高浓度掺杂，其中，在N沟道型TFT中掺杂磷等杂质、在P沟道型TFT中掺杂硼等杂质。此时，根据需要，也可以形成LDD(Lightly Doped Drain：轻掺杂漏极)区域。接着，为了使半导体层23中存在的杂质离子活化，在大约700℃下进行6小时的热活化处理。由此，能够提高源极/漏极区域的电传导性。另外，作为活化的方法，能够列举照射准分子激光的方法等。
(7)无机绝缘膜的形成工序
接着，在绝缘基板21的整个面，利用PECVD法，形成膜厚100～400nm(优选为200～300nm)的SiNx膜和膜厚500～1000nm(优选为600～800nm)的TEOS膜，由此形成无机绝缘膜41。作为无机绝缘膜41，也可以使用SiON膜等。此外，为了抑制TFT特性由于瞬间劣化(由热载子引起的劣化)等而下降，并且使TFT29的电特性稳定，也可以在无机绝缘膜41的下层形成50nm左右的薄的盖帽层膜(cap film)(例如TEOS膜等)。
(8)接触孔的形成工序
接着，在通过利用光刻法将抗蚀剂膜图案形成为所期望的形状而形成抗蚀剂掩模后，使用氢氟酸类的蚀刻溶液进行栅极绝缘膜24和无机绝缘膜41的湿蚀刻，形成接触孔31f。另外，在蚀刻中，也可以使用干蚀刻。之后，为了利用从无机绝缘膜41的SiNx膜供给来的氢进行结晶Si的缺陷校正，在大约400℃下进行1小时热处理。
(9)第一配线层的形成工序
接着，利用溅射法等，依次形成：膜厚100nm的钛(Ti)膜；膜厚500nm的铝(Al)膜；和膜厚100nm的Ti膜。接着，在通过利用光刻法将抗蚀剂膜图案形成为所期望的形状而形成抗蚀剂掩模后，通过干蚀刻对Ti/Al/Ti的金属层叠膜进行图案形成，形成第一配线层61。由此，形成源极电极34和漏极电极35。另外，作为构成第一配线层61的金属，也可以使用Al-Si合金等代替Al。另外，此处为了实现配线的低电阻化而使用了Al，但是在需要高耐热性且容许电阻值的一定程度的增加的情况下(例如在采用短配线结构的情况下)，也可以使用上述栅极电极材料(Ta、Mo、MoW、W、TaN等)作为构成第一配线层61的金属。
(10)有机-无机层叠体的形成工序
接着，在基板21的整个面，通过利用旋涂法等涂敷膜厚1～5μm(优选为2～3μm)的感光性丙烯酸树脂、例如重氮萘醌类的紫外线固化型树脂，形成感光性树脂膜52。作为感光性树脂膜52的材料，也可以使用感光性聚烷基硅氧烷类树脂。接着，在通过形成有所期望的形状的图案的光掩模对感光性树脂膜52进行感光(曝光)后，通过进行蚀刻(显影处理)除去成为接触孔31g的区域的感光性树脂膜52。接着，进行感光性树脂膜52的烘烤工序(例如200℃、30分钟)。由此，感光性树脂膜52的开口部(孔部)的形状变得平缓，能够减低接触孔31g的纵横比。此外，在最初除去感光性树脂膜52的接触部(成为接触孔31g的部分)时，不需要灰化(剥离)工序。
接着，利用溅射法、PECVD法，在绝缘基板21的整个面形成膜厚10～200nm(优选为20～100nm)的SiNx膜或以TEOS气体为原料形成膜厚10～200nm(优选为20～100nm)的SiO2膜，由此形成无机绝缘膜41a。作为无机绝缘膜41a，也可以使用SiON膜等。另外，作为无机绝缘膜41a，也可以形成利用溅射法、CAT-CVD法、ICP等离子体CVD法(例如使用SELVAC(セルバツク)公司生产的ICP-CVD装置的方法)、臭氧氧化法(例如使用明电舍公司生产的明电纯臭氧发生器(Pure Ozone Generator)的方法)等形成的SiO2膜、SiN膜。根据这些方法，能够在低温下形成高品质的膜。其中，SiO2膜与UV光的衰减少的绝缘基板是同一基材，所以在使用SiO2膜作为无机绝缘膜41a的情况下，在后述的照射工序中，能够有效地抑制UV光的衰减。另一方面，代替无机绝缘膜41a，也可以形成膜厚0.1～3.0μm(优选为0.5～2.0μm)的热固化型树脂，例如热固化型环氧树脂膜、热固化型聚酰亚胺树脂膜、热固化型聚对二甲苯树脂膜作为阻气绝缘膜。
这样，阻气绝缘膜只要是如下那样的绝缘膜，其材质就没有特别限定，即，该绝缘膜是在面板密封后和/或面板密封时等气体不能从面板内逃逸的状况下阻碍感光性树脂膜52被光照射时所发生的气体的行进、且自身不会由于光照射(尤其UV照射)而产生气体的绝缘膜。
接着，利用光刻法将抗蚀剂膜图案形成为所期望的形状，由此形成抗蚀剂掩模。此时，也可以使用与为了将感光性树脂膜52曝光而使用的光掩模相同的光掩模，对无机绝缘膜41a图案形成用的抗蚀剂进行曝光。这样，通过在感光性树脂膜52和无机绝缘膜41a图案形成用抗蚀剂的曝光中使用同一光掩模，能够将所需要的光掩模的片数削减一片，能够削减制造成本。此外，能够抑制由于不同的光掩模间的制成时的偏移而可能发生的感光性树脂膜52与无机绝缘膜41a的各自开口的位置偏移的发生。另外，在这种情况下，优选对感光性树脂膜52进行过度曝光(以与适度的光量相比过度的光量曝光)，并且对无机绝缘膜41a图案形成用抗蚀剂以通常的曝光量进行曝光。由此，能够在感光性树脂膜52的开口部的壁面留下无机绝缘膜41a。
之后，通过使用四氟化碳(CF4)等的干蚀刻，以与感光性树脂膜52被除去后的区域重叠的方式，除去成为接触孔31g的区域的无机绝缘膜41a。通过利用干蚀刻对无机绝缘膜41a进行图案形成，能够进行接触孔31g的微细加工，并且能够实现位于下层的第一配线层61的微细化。之后，将无机绝缘膜41a作为阻止部件，利用O2等离子体将抗蚀剂掩模灰化除去。由此，形成贯通感光性树脂膜52和无机绝缘膜41a的接触孔31g。
这样，通过在感光性树脂膜52上形成无机绝缘膜41a(钝化膜)，能够抑制由于干处理而引起的损伤。更具体而言，在利用干蚀刻对无机绝缘膜41a、像素电极36进行蚀刻时，感光性树脂膜52的液晶层10侧的整个面被无机绝缘膜41a覆盖。即，感光性树脂膜52的液晶层10侧的上表面和侧面(例如开口部的壁面)被无机绝缘膜41a覆盖。因此，能够抑制在感光性树脂膜52发生由于干蚀刻而引起的损伤。此外，在接触孔31g的形成工序和像素电极36的形成工序的抗蚀剂灰化时，能够使得感光性树脂膜52不受到由于氧等离子体而引起的损伤。从这样的观点出发，优选感光性树脂膜52的开口部的壁面的全部被无机绝缘膜41a覆盖。
此外，无机绝缘膜41a也可以被湿蚀刻。在这种情况下，利用剥离液剥离抗蚀剂掩模即可。因此能够使感光性树脂膜52不受灰化、干蚀刻的损伤。此外，在对无机绝缘膜41a进行湿蚀刻的情况下，如图2所示，也可以通过将无机绝缘膜41a的开口部变得比感光性树脂膜52的开口部大，使得感光性树脂膜52的开口部的壁面的下层侧的一部分露出。由此，同样也能够使得感光性树脂膜52不受灰化、干蚀刻的损伤。
另外，为了形成图2所示的形态，首先，利用与为了将感光性树脂膜52曝光而使用的光掩模不同的光掩模，对无机绝缘膜41a图案形成用抗蚀剂进行图案形成，接着，以无机绝缘膜41a图案形成用抗蚀剂为掩模，利用使用氢氟酸(HF)等的湿蚀刻，以使得感光性树脂膜52的开口部的壁面的下层侧的一部分露出的方式蚀刻无机绝缘膜41a，由此形成接触孔31g，最后，利用剥离液剥离无机绝缘膜41a图案形成用抗蚀剂即可。
另外，在形成热固化型树脂膜作为阻气绝缘膜的情况下，使用CO2激光器(laser)等激光器在热固化型树脂膜形成孔(holes)即可。
此外，感光性树脂膜52和无机绝缘膜41a也可以分别层叠有由不同的材料构成的多个膜。即，阻气绝缘膜也可以层叠有由不同的材料构成的多个膜。
通过这些工序，形成在感光性树脂膜52上层叠无机绝缘膜41a而得到的有机-无机层叠体。另外，无机绝缘膜41a(阻气绝缘膜)以至少覆盖像素区域的方式形成即可，并不必须在绝缘基板21的整个面形成，如图37所示，优选形成至密封材料39(与密封部件39重叠)。由此，能够有效地防止从感光性树脂膜52发生的气体38的行进。此外，在如后述的实施方式3之后那样在TFT基板15设置端子部和周边电路区域的情况下，无机绝缘膜41a(阻气绝缘膜)优选形成至端子部和周边电路区域。
另一方面，感光性树脂膜52和无机绝缘膜41a也可以以如下方式形成。即，首先，依次形成感光性树脂膜52和无机绝缘膜41a。接着，通过利用光刻法将抗蚀剂膜图案形成为所期望的形状，由此形成抗蚀剂掩模，之后，使用四氟化碳(CF4)和氧(O2)的混合气体，并一边调整两种气体的流量一边进行干蚀刻，从而形成接触孔31g。之后，将无机绝缘膜41a作为阻止部件进行抗蚀剂掩模的灰化(剥离)。由此，能够进行接触孔31g的微细加工，能够实现位于下层的第一配线层61的微细化。
不过，在这种情况下，感光性树脂膜52的膜厚例如为2μm以上，比较厚，因此在感光性树脂膜52和无机绝缘膜41a的层叠体形成的接触孔31g的纵横比变高，存在上下配线层间的接触孔难以形成的情况。对此，如果利用上述的在对感光性树脂膜52进行开口后进行无机绝缘膜41a的成膜和开口的方法，则能够降低接触孔31g的纵横比。
此外，在这种情况下，存在如下问题：在抗蚀剂掩模的O2灰化时，向接触孔31g内露出的感光性树脂膜52的开口部的壁面也同时被灰化，感光性树脂膜52的开口部的壁面相对于上层的无机绝缘膜41a的开口部的壁面后退，接触孔31g成为悬垂(overhang)状(突出的形状)，在接触孔31g内，上层的像素电极36与下层的第一配线层61发生断线。对此，如果利用上述的在对感光性树脂膜52进行开口后进行无机绝缘膜41a的成膜和开口的方法，则能够有效地抑制接触孔31g内上层的像素电极36与下层的第一配线层61发生断线的情况。
(11)像素电极和取向膜的形成工序
接着，在利用溅射法等形成膜厚50～200nm(优选为100～150nm)的ITO膜、IZO膜后，利用光刻法图案形成为所期望的形状，形成像素电极36。之后，以至少覆盖像素区域的方式，例如利用印刷法在像素电极36上涂敷聚酰亚胺膜作为取向膜37，并且进行取向膜37的取向处理，由此，TFT基板15制作完成。
(12)CF基板的形成工序
对于CF基板90，开始时准备与绝缘基板21相同的绝缘基板91。之后，利用溅射法形成遮光膜，对该膜进行图案形成，形成黑矩阵92。接着，使分散有红色颜料的树脂薄膜(干薄膜)在像素区域的整个面形成薄片(laminate)，并对该树脂薄膜进行曝光、显影和烘烤(热处理)，形成红色的彩色滤光片93。接着，以与红色的彩色滤光片93重叠的方式使分散有绿色颜料的树脂薄膜在像素区域的整个面形成薄片(laminate)，并对该树脂薄膜进行曝光、显影和烘烤(热处理)，形成绿色的彩色滤光片93。同样形成蓝色的彩色滤光片93。此外，此时在像素开口部以外的遮光区域形成由上述遮光膜和上述树脂薄膜的层叠体构成的柱状间隔物(未图示)。接着，在彩色滤光片93的上层蒸镀ITO，形成共用电极94。接着，以至少覆盖像素区域的方式，例如利用印刷法在共用电极94上涂敷聚酰亚胺膜作为取向膜95，并且进行取向膜95的取向处理，由此CF基板90制作完成。另外，彩色滤光片93也可以利用使用彩色抗蚀剂的光刻法来形成。此外，在CF基板90，也可以利用使用彩色抗蚀剂的光刻法形成感光间隔物。进一步，也可以不形成黑矩阵92，而以TFT基板15的源极线、CS线等配线代替。
(13)面板贴合工序和液晶注入工序
接着，在TFT基板15的像素区域的外周涂敷密封材料39后，使用分配器等将在具有负的介电常数的液晶分子中添加了聚合性成分的液晶材料向密封材料39的内侧滴下。能够作为聚合性成分使用的材料并无特别限定，例如能够使用光聚合性单体、光聚合性低聚体。接着，在被滴下液晶材料的TFT基板15贴合CF基板90。至此为止的工序在真空中进行。接着，将被贴合的两基板15、90放回大气中，利用大气压使液晶材料在被贴合的两基板11、90间扩散。接着，沿着密封材料39的涂敷区域，使UV光源移动并向密封材料39照射UV光，使密封材料39固化。这样，扩散的液晶材料被密封在两片基板11、90间，形成液晶层10。
另外，作为注入液晶材料的方法，也可以是如下方法：在两基板11、90的侧边设置液晶注入口，从该处注入液晶材料，之后，利用紫外线固化树脂等密封液晶注入口。
(14)聚合性成分的光照射工序
接着，在向栅极电极25施加使得TFT29导通(ON)的电压的状态下，向源极电极34与共用电极94之间施加交流电源，使液晶分子倾斜并从TFT基板15侧向液晶层10照射UV光(图1中的白色中空箭头)。由此，被添加到液晶材料的光聚合性单体聚合，形成在取向膜37、95的液晶层10侧的表面限定液晶分子的预倾角的聚合体。
之后，经过面板分断工序、偏光板的粘贴工序、FCP基板的粘贴工序、液晶显示面板和背光源单元的组合工序等，能够完成本实施方式的液晶显示装置100。
以上，根据本实施方式的液晶显示装置700，在感光性树脂膜52与像素电极36之间设置有阻气绝缘膜，因此，如图1所示，在聚合性成分的光照射工序中，即使向感光性树脂膜52照射UV光，从位于像素电极36的下层的感光性树脂膜52产生气体38，也能够利用阻气绝缘膜防止气体38侵入液晶层10。因此，能够抑制液晶层10中产生气泡，其结果是，能够抑制由于气泡而引起的不良情况的发生。
此外，气体38被认为特别容易从相邻的像素电极36间的间隙侵入液晶层10，但是因为阻气绝缘膜覆盖感光性树脂膜52的上表面和侧面(例如开口部的壁面)的未被像素电极36覆盖的区域，所以能够更有效地遮挡气体38。
此外，同样，气体遮挡绝缘膜被设置在像素电极36间的间隙，因此能够更有效地遮挡气体38。
图3是实施方式1的另一个液晶显示装置的像素区域的截面示意图。
在本实施方式中，依次形成像素电极36和无机绝缘膜41a，也可以将作为气体遮挡绝缘膜发挥作用的无机绝缘膜41a形成在像素电极36的上层侧，具体而言，形成在像素电极36的正上方，在这种情况下也能够抑制由于气泡而引起的不良情况的发生。但是，当以无机绝缘膜41a覆盖像素电极36的全部时，存在由于气体遮挡绝缘膜的电容成分而发生电压下降的可能，因此，如图3所示，优选有选择地在没有像素电极36的区域形成无机绝缘膜41a。即，无机绝缘膜41a优选与像素电极36的外缘部重叠，并在像素电极36上具有开口部，优选有选择地覆盖感光性树脂膜52的上表面的未被像素电极36覆盖的区域，优选有选择地设置在相互具有间隔地设置的像素电极36间的间隙中。由此，能够抑制由于阻气绝缘膜的电容成分而发生电压下降，并且能够抑制由于气泡而引起的不良情况的发生。另外，在感光性树脂膜52的侧面(例如位于边框区域的感光性树脂膜52的外缘部)存在未被像素电极36覆盖的区域的情况下，优选利用无机绝缘膜41a也有选择地覆盖该区域。此外，关于使阻气绝缘膜以多大的程度与像素电极36重叠，只要在电压下降的容许范围内，就能够根据图案形成精度、阻气绝缘膜的材质适当地设定。
另外，本实施方式的液晶显示装置700也可以是已被进行取向分割的液晶显示装置。此外，本实施方式的液晶显示装置700也可以是黑白显示。进一步，本实施方式的液晶显示装置700既可以是反射型，也可以是半透过型(反射透过两用型)。
(实施方式2)
图4是实施方式2的有机EL显示器的像素区域的截面示意图。另外，对于本实施方式与实施方式1重复的内容，省略其说明。
本实施方式的有机EL显示器800是有源矩阵型的有机EL显示器，如图4所示，具有作为显示装置用基板的TFT基板16和与TFT基板16相对配置的密封用基板72。
TFT基板16与实施方式1的TFT基板15一样，在像素区域，在绝缘基板21上，从绝缘基板21侧起依次层叠有：基底覆盖膜22；半导体层23；栅极绝缘膜24；栅极电极25；作为层间绝缘膜发挥作用的无机绝缘膜41；由第一配线层61构成的源极电极34和漏极电极35；和作为层间绝缘膜和平坦化膜发挥作用的感光性树脂膜52和作为阻气绝缘膜发挥作用的无机绝缘膜41a的层叠体。此外，在无机绝缘膜41a上，按照每个像素设置有作为阳极(anode)发挥作用的像素电极(下电极)36，在像素电极36上，沿着像素的边界设置有堤岸(bank)73。此外，在与各个像素对应的堤岸73的开口部，设置有由空穴注入输送层和发光层构成的EL膜(有机膜)74。而且，在EL膜74上设置有作为阴极(cathode)发挥作用的上电极75。这样，与实施方式1一样，包括半导体层23、栅极绝缘膜24和栅极电极25且作为像素开关元件发挥作用的TFT29，按照每个像素被直接制作在构成TFT基板16的绝缘基板21上。由第一配线层61构成的源极电极34和漏极电极35经设置在无机绝缘膜41的接触孔31h与半导体层23的源极/漏极区域连接。进一步，像素电极36经设置在感光性树脂膜52和无机绝缘膜41a的接触孔(通孔)31i与由第一配线层61构成的漏极电极35连接。
而且，在TFT基板16的上电极75侧，利用紫外线固化型粘接剂76贴合有密封用基板72。
以下，对实施方式2的有机EL显示器800的制造方法进行说明。
对TFT基板16的制造方法进行说明。
首先，作为前处理，对绝缘基板21进行洗净和预退火。作为绝缘基板21，虽然并无特别限定，但是从成本等观点出发，优选为玻璃基板、树脂基板、金属基板等。
接着，与实施方式1一样进行上述(1)～(10)的工序。
(11)像素电极的形成工序
接着，在利用溅射法等形成膜厚50～200nm(优选为100～150nm)的ITO膜、IZO膜后，利用光刻法图案形成为所期望的形状，在各个像素形成作为阳极发挥作用的像素电极36。
(12)堤岸的形成工序
利用旋涂法等在基板21的整个面涂敷膜厚1～4μm(优选为2～3μm)的感光性丙烯酸树脂，例如重氮萘醌类的紫外线固化型树脂，由此形成感光性树脂膜。作为感光性树脂膜的材料，也可以使用感光性的聚烷基硅氧烷类树脂。接着，在通过形成有所期望的形状的遮光图案的光掩模对感光性树脂膜进行感光(曝光)后，进行蚀刻(显影处理)，由此在各个像素形成开口。由此，像素电极36露出。接着，通过进行感光性树脂膜的烘烤工序(例如200℃、30分钟)，形成堤岸73。另外，在堤岸73形成前，也可以先形成在发光区域具有开口部的厚度50～100nm左右的由TEOS等无机材料构成的堤岸。
(13)EL膜的形成工序
接着，在堤岸73的开口内，使用喷墨装置，图案涂敷含有聚乙撑二氧噻吩(Polyethylenedioxythiophene：PEDOT)和聚苯乙烯磺酸(Polystylenesulfonic acid：PSS)的混合水溶液后，进行加热干燥处理。通过该加热干燥处理，除去分散有PEDOT和PSS的溶剂，形成膜厚20～70nm(优选为40～60nm)的电荷注入输送层。之后，使用喷墨装置，将使聚芴化合物等红色、蓝色和绿色的高分子发光材料分别溶解在二甲苯等非极性溶剂中而得到的三种颜色的液状材料图案涂敷在堤岸73的开口内的电荷注入输送层上。图案涂敷后，除去溶剂，由此形成膜厚50～150nm(优选为80～120nm)的发光层。这样，本实施方式的有机EL显示器800的彩色显示方式是三色方式。
(14)上电极的形成工序
接着，在发光层上依次蒸镀膜厚5～30nm(优选为10～20nm)的钙和膜厚100～400nm(优选为200～300nm)的铝，形成作为阴极发挥作用的上电极75。
(15)密封用基板的粘贴工序
接着，以覆盖EL膜74的全部的方式，在上电极75上涂敷紫外线固化型粘接剂76后，在导入了氮(N2)气体、干空气等不活泼气体的减压或真空环境下，通过紫外线固化型粘接剂76将玻璃基板、树脂基板等平坦的密封用基板72与TFT基板16贴合。
另外，作为紫外线固化型粘接剂76，并无特别限定，能够列举日本特开2004-231938号公报所记载的光固化型粘接剂组成物。更具体而言，能够列举使用ホモデイスパ一(Homodisper)型搅拌混合机(型式“ホモデイスパ一(Homodisper)L型”、日本特殊机化公司生产)，将如下物质通过以搅拌速度3000rpm的条件均匀地搅拌混合进行调整而得到的光固化性粘接剂组成物，其中，该物质包括：双酚A型环氧树脂(商品名“环氧树脂(Epikote)828”，日本环氧树脂(ジヤパンエポキシレジン)公司生产)70重量份，作为光阳离子聚合性化合物；萘型环氧树脂(商品名“环氧树脂(EPICLON，エピクロン)HP-4032”，大日本油墨(インキ)化学工业公司生产)30重量份，同样作为光阳离子聚合性化合物；在波长340nm以上的近紫外线或可见光线下活化的离子性光酸产生型(离子性，且由于光而产生酸的型)的光阳离子聚合开始剂(商品名“アデカオプトマ一(Adeka Optomer)SP170”，旭电化工业公司生产)1重量份，作为光阳离子聚合开始剂；噻吨酮衍生物类光敏剂(商品名“カヤキユア(Kayacure)DETX-S”，日本化药公司生产)0.2重量份，作为吸收波长340nm以上的近紫外线或可见光线的光敏剂；和合成云母(商品名“(Micromica)ミクロマイカMK-100”，コ一プケミカル(Co-op Chemical)公司生产)20重量份，作为填充物。
之后，通过从TFT基板16侧照射UV光(图4中的白色空心箭头，例如波长365nm，照射量6000mJ/cm2)使紫外线固化型粘接剂76固化。由此，能够使用密封用基板72将EL膜74与外气遮断。另外，UV光也可以从密封用基板72照射。
之后，经过FCP基板的粘贴工序等，能够完成本实施方式的有机EL显示器800。
以上，根据本实施方式的有机EL显示器800，在感光性树脂膜52与像素电极36之间设置有阻气绝缘膜，因此，如图4所示，即使在密封用基板72的粘贴工序中向感光性树脂膜52照射UV光，从而从位于像素电极36的下层的感光性树脂膜52产生气体38，也能够利用阻气绝缘膜防止气体38侵入EL膜74。因此，能够抑制由于气体38而引起的不良情况的发生。
此外，气体38被认为特别容易从相邻的像素电极36间的间隙侵入EL膜74，但是因为阻气绝缘膜覆盖感光性树脂膜52的上表面的未被像素电极36覆盖的区域，所以能够更有效地遮挡气体38。
此外，同样，气体遮挡绝缘膜被设置在像素电极36间的间隙，因此能够更有效地遮挡气体38。
不过，如上所述，在利用感光性树脂形成堤岸73的情况下，虽然不能利用气体遮挡绝缘膜遮挡来自堤岸73的气体的发生，但是气体的绝对量减少，因此与现有技术相比，能够降低不良情况的发生频率。
另外，气体遮挡绝缘膜与像素电极36的外缘部重叠，并且，可以在像素电极36上具有开口，也可以有选择地覆盖感光性树脂膜52的上表面和/或侧面的没有被像素电极36覆盖的区域，还可以有选择地设置在相互有间隔地设置的像素电极36之间的间隙中。
此外，本实施方式的有机EL显示器800既可以是顶部发光(top emission)型，也可以是底部发光(bottom emission)型。此外，本实施方式的有机EL显示器800也可以含有低分子发光材料。这样，像素电极36和上电极75间的有机层既可以如上述那样通过湿式法形成，也可以通过蒸镀等干式法形成。进一步，本实施方式的有机EL显示器800的彩色显示方式既可以是色变换方式，也可以是彩色滤光片方式。
以下所示的实施方式通过在端子部、周边电路、像素区域中也使用上述的无机绝缘膜等阻气绝缘膜，由此不仅实现阻气效果，而且不使工序数增加就获得了附加效果。
(实施方式3)
图5是实施方式3的液晶显示装置的边框区域的截面示意图，(a)表示端子部，(b)表示周边电路区域。图6是实施方式3的液晶显示装置的像素区域的截面示意图。如图5(a)所示，本实施方式的液晶显示装置100具有在端子部通过ACF80与TFT基板11和作为另一个电路基板的FPC基板70连接的结构。
另外，液晶显示装置100在绝缘基板上从绝缘基板侧起依次形成有：由遮光部件构成的黑矩阵；红色、绿色和蓝色的彩色滤光片；覆盖层；由透明导电膜构成的共用电极；和取向膜，并且，具有与TFT基板11相对配置的CF基板(未图示)，进一步，在TFT基板11与CF基板间填充有液晶材料。
如图5(a)所示，TFT基板11在端子部，在绝缘基板21上，从绝缘基板21侧起依次层叠有：基底覆盖膜22；栅极绝缘膜24；栅极电极25；作为层间绝缘膜发挥作用的无机绝缘膜41；由第一配线层61构成的连接端子(外部连接端子)26；和作为保护膜发挥作用的有机绝缘膜51a和无机绝缘膜41a的层叠体。此外，连接端子26的端部上的有机绝缘膜51a和无机绝缘膜41a被除去，并且在连接端子26的端部上设置有垫部(与ACF80中的导电性微粒子81抵接的抵接部)27。该垫部27和FPC基板70的连接端子71与ACF80中的导电性微粒子81接触，由此，TFT基板11和FPC基板70连接并被固定。由第一配线层61构成的连接端子(外部连接端子)26经设置在无机绝缘膜41的接触孔31a与栅极电极(栅极配线)25连接。
此外，如图5(b)所示，TFT基板11在周边电路区域，在绝缘基板21上，从绝缘基板21侧起依次层叠有：基底覆盖膜22；半导体层23；栅极绝缘膜24；栅极电极25；作为层间绝缘膜发挥作用的无机绝缘膜41；由第一配线层61构成的源极电极/漏极电极28和引绕配线(连接元件、端子间的配线)30a；作为层间绝缘膜和平坦化膜发挥作用的有机绝缘膜51a和无机绝缘膜41a的层叠体；由第二配线层62构成的引绕配线30b；和作为保护膜发挥作用的有机绝缘膜51。这样，包括半导体层23、栅极绝缘膜24和栅极电极25且构成驱动电路等周边电路的TFT29被直接制作在构成TFT基板11的绝缘基板21上。由第一配线层61构成的源极电极/漏极电极28经设置在无机绝缘膜41的接触孔31b与半导体层23的源极/漏极区域连接。此外，由第二配线层62构成的引绕配线30b经设置在有机绝缘膜51a和无机绝缘膜41a的接触孔(通孔)31c与由第一配线层61构成的源极/漏极电极28和引绕配线30a连接。另外，作为周边电路，并无特别限定，除了包括传输门、锁存电路、定时发生器、基于电源电路等的变流器等电路的驱动电路以外，也可以是缓冲电路、数字-模拟变换电路(DAC电路)、移位寄存器、取样存储器等的电路等。
如图6所示，TFT基板15在像素区域(排列有多个像素的显示区域)，在绝缘基板21上，从绝缘基板21侧起依次层叠有：基底覆盖膜22；半导体层23；栅极绝缘膜24；栅极电极25和作为像素辅助电容68a的上电极发挥作用的辅助电容上电极66a；作为层间绝缘膜发挥作用的无机绝缘膜41；由第一配线层61构成的源极电极34和漏极电极35；作为层间绝缘膜和平坦化膜发挥作用的有机绝缘膜51a和作为阻气绝缘膜发挥作用的无机绝缘膜41a的层叠体；由第二配线层62构成的漏极配线65；作为保护膜发挥作用的有机绝缘膜51；按照每个像素设置的像素电极36；和以覆盖像素区域的方式设置的取向膜(未图示)。这样，包括半导体层23、栅极绝缘膜24和栅极电极25且作为像素开关元件发挥作用的TFT29，按照每个像素被直接制作在构成TFT基板11的绝缘基板21上。此外，包括还作为辅助电容下电极(作为像素辅助电容的下电极发挥作用的电极)发挥作用的半导体层23、栅极绝缘膜24和辅助电容上电极66a的像素辅助电容68a，按照每个像素被直接制作。由第一配线层61构成的源极电极34和漏极电极35经设置在无机绝缘膜41的接触孔31f与半导体层23的源极/漏极区域连接。此外，漏极配线65经设置在有机绝缘膜51a和无机绝缘膜41a的接触孔(通孔)31g与由第一配线层61构成的漏极电极35连接。进一步，像素电极36经设置在有机绝缘膜51的接触孔(通孔)31j与由第二配线层62构成的漏极配线65连接。
构成有机绝缘膜51a等的有机膜虽然因为柔软而容易发生剥落、受到损伤等，但是在平坦性方面卓越。另一方面，构成无机绝缘膜41a等的无机膜虽然平坦性差，但是因为坚固而不易剥落且不易受到损伤。
根据液晶显示装置100，作为层间绝缘层和/或平坦化层具有在有机绝缘膜51a的正上方层叠有无机绝缘膜41a的有机-无机层叠体。这样，在端子部，利用无机绝缘膜41a覆盖有机绝缘膜51a(有机绝缘膜51a的至少上层侧的面)，由此，能够利用无机绝缘膜41a保护有机绝缘膜51a。因此，即使在连接面板与FPC基板70，更具体而言，在连接TFT基板11与FPC基板70的工序中需要再加工的情况下，也能够抑制有机绝缘膜51a剥落或损伤等。因此，能够抑制位于有机绝缘膜51a的下层的第一配线层61(连接端子26)裸露、第一配线层61被水分等腐蚀的情况的发生。此外，能够抑制由于剥落的有机绝缘膜51a的渣滓而引发的FPC基板70的接触不良。即，根据液晶显示装置100，能够提高可靠性。
此外，能够将无机绝缘膜41a作为针对抗蚀剂掩模的灰化的阻止部件来利用。因此，作为在有机绝缘膜51a和无机绝缘膜41a形成接触孔31c、31g的方法，能够是包括灰化工序的方法，即微细加工精度高的干蚀刻等利用抗蚀剂掩模的方法。其结果是，能够微细且高精度地形成位于有机绝缘膜51a和无机绝缘膜41a的层叠体的下层的配线，尤其是设置在要求微细的加工的周边电路区域的引绕配线30a等配线。
进一步，通过将平坦性卓越的有机绝缘膜51a、有机绝缘膜51作为平坦化膜使用，能够减小下层侧的第一配线层61、TFT29的台阶，能够有效地抑制短路的发生，并且能够在上层侧引绕第二配线层62。
以下，对实施方式3的液晶显示装置的制造方法进行说明。
首先，作为前处理，对绝缘基板21进行洗净和预退火。作为绝缘基板21，虽然并无特别限定，但是从成本等观点出发，优选为玻璃基板、树脂基板等。接着，进行以下的(1)～(17)的工序。
(1)基底覆盖膜的形成工序
在绝缘基板21上，利用等离子体化学气相沉积(Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition：PECVD)法依次形成膜厚50nm的SiON膜和膜厚100nm的SiOx膜，形成基底覆盖膜22。作为用于形成SiON膜的原料气体，能够列举硅烷(SiH4)、一氧化二氮气体(N2O)和氨(NH3)的混合气体等。另外，SiOx膜优选使用正硅酸乙酯(Tetra Ethyl Ortho Silicate：TEOS)作为原料气体来形成。此外，基底覆盖膜22也可以包括使用硅烷(SiH4)和氨(NH3)的混合气体作为原料气体形成的氮化硅(SiNx)膜。
(2)半导体层的形成工序
利用PECVD法形成膜厚50nm的非晶硅(a-Si)膜。作为用于形成a-Si膜的原料气体，例如能够列举SiH4、乙硅烷(Si2H6)等。因为利用PECVD法形成的a-Si膜中含有氢，所以在大约500℃下进行降低a-Si膜中的氢浓度的处理(脱氢处理)。接着，进行激光退火，使a-Si膜溶融、冷却和结晶，由此形成p-Si膜。在激光退火中，例如使用准分子激光。在p-Si膜的形成中，作为激光退火的前处理，(为了进行连续晶界结晶硅(CG-硅)化)，也可以不进行脱氢处理而涂敷镍等金属催化剂，进行基于热处理的固相生长。此外，作为a-Si膜的结晶化，也可以仅进行基于热处理的固相生长。接着，进行利用四氟化碳(CF4)和氧(O2)的混合气体的干蚀刻，对p-Si膜进行图案形成，形成半导体层23。
(3)栅极绝缘膜的形成工序
接着，使用TEOS作为原料气体，形成由膜厚45nm的氧化硅构成的栅极绝缘膜24。作为栅极绝缘膜24的材质并无特别限定，也可以使用SiNx膜、SiON膜等。作为用于形成SiNx膜和SiON膜的原料气体，能够列举与在基底覆盖膜的形成工序中说明的原料气体相同的原料气体。此外，栅极绝缘膜24也可以是由上述多种材料构成的层叠体。
(4)离子掺杂工序
为了控制TFT29的阈值，利用离子掺杂法、离子注入法等对半导体层23掺杂硼等杂质。更具体而言，在对成为N沟道型TFT和P沟道型TFT的半导体层掺杂硼等杂质后(第一掺杂工序)，在利用抗蚀剂遮掩成为P沟道型TFT的半导体层的状态下，对成为N沟道型的半导体层进一步掺杂硼等杂质(第二掺杂工序)。另外，在不需要P沟道型TFT的阈值控制的情况下，也可以不进行第一掺杂工序。
(5)栅极电极和辅助电容上电极的形成工序
接着，使用溅射法依次形成膜厚30nm的氮化钽(TaN)膜和膜厚370nm的钨(W)膜，接着，利用光刻法将抗蚀剂膜图案形成为所期望的形状，由此形成抗蚀剂掩模，之后，使用对氩(Ar)、六氟化硫(SF6)、四氟化碳(CF4)、氧(O2)、氯(Cl2)等的混合气体的分量进行了调整的抗蚀剂气体，进行干蚀刻，形成栅极电极25和辅助电容上电极66a。作为栅极电极25和辅助电容上电极66a的材料，能够列举钽(Ta)、钼(Mo)、钼钨(MoW)等表面平坦且特性稳定的高熔点金属、铝(Al)等低电阻金属。此外，栅极电极25和辅助电容上电极66a也可以是由上述多种材料构成的层叠体。
(6)源极/漏极区域的形成工序
接着，为了形成TFT29的源极/漏极区域，将栅极电极25作为掩模，利用离子掺杂法、离子注入法等对半导体层23进行高浓度掺杂，其中，在N沟道型TFT中掺杂磷等杂质、在P沟道型TFT中掺杂硼等杂质。此时，根据需要，也可以形成LDD(Lightly Doped Drain：轻掺杂漏极)区域。接着，为了使半导体层23中存在的杂质离子活化，在大约700℃下进行6小时的热活化处理。由此，能够提高源极/漏极区域的电传导性。另外，作为活化的方法，能够列举照射准分子激光的方法等。
(7)无机绝缘膜的形成工序
接着，在绝缘基板21的整个面，利用PECVD法，形成膜厚100～400nm(优选为200～300nm)的SiNx膜和膜厚500～1000nm(优选为600～800nm)的TEOS膜，由此形成无机绝缘膜41。作为无机绝缘膜41，也可以使用SiON膜等。此外，为了抑制TFT特性由于瞬间劣化等而下降，并且使TFT29的电特性稳定，也可以在无机绝缘膜41的下层形成50nm左右的薄的盖帽层膜(cap film)(例如TEOS膜等)。
(8)接触孔的形成工序
接着，在通过利用光刻法将抗蚀剂膜图案形成为所期望的形状而形成抗蚀剂掩模后，使用氢氟酸类的蚀刻溶液进行栅极绝缘膜24和无机绝缘膜41的湿蚀刻，形成接触孔31a、31b、31f。另外，在蚀刻中，也可以使用干蚀刻。
(9)氢化工序
之后，为了利用无机绝缘膜41的从SiNx膜供给的氢进行结晶Si的缺陷校正，在大约400℃下进行1小时的热处理。
(10)第一配线层的形成工序
接着，利用溅射法等，依次形成膜厚100nm的钛(Ti)膜、膜厚500nm的铝(Al)膜、膜厚100nm的Ti膜。接着，在通过利用光刻法将抗蚀剂膜图案形成为所期望的形状而形成抗蚀剂掩模后，通过干蚀刻对Ti/Al/Ti的金属层叠膜进行图案形成，形成第一配线层61。由此，形成连接端子(外部连接端子)26、源极/漏极电极28、引绕配线30a、以及源极电极34和漏极电极35。另外，作为构成第一配线层61的金属，也可以使用Al-Si合金等代替Al。另外，此处为了实现配线的低电阻化而使用了Al，但是在需要高耐热性且容许电阻值的一定程度的增加的情况下(例如在采用短配线结构的情况下)，也可以使用上述栅极电极材料(Ta、Mo、MoW、W、TaN等)作为构成第一配线层61的金属。
(11)有机-无机层叠体的形成工序
接着，在基板21的整个面，利用旋涂法等形成(涂敷)膜厚1～5μm(优选为2～3μm)的感光性丙烯酸树脂等感光性树脂的膜，由此形成有机绝缘膜51a。作为有机绝缘膜51a的材料，也可以使用非感光性丙烯等非感光性树脂、感光性或非感光性的聚烷基硅氧烷类、聚硅氮烷类、聚酰亚胺类聚对二甲苯类的树脂等。此外，作为有机绝缘膜51a的材料，还能够列举含有甲基(methyl)的聚硅氧烷(MSQ)类材料、多孔质MSQ类材料。其中，通过使用感光性树脂作为有机绝缘膜51a的材料，能够如实施方式1的(10)有机-无机层叠体的形成工序所示那样，在形成无机绝缘膜41a之前先进行感光性树脂膜的感光(曝光)和蚀刻(显影处理)，从而图案形成有机绝缘膜51a。接着，在绝缘基板21的整个面，利用溅射法、PECVD法形成膜厚10～200nm(优选为20～100nm)的SiNx膜或以TEOS气体为原料形成膜厚10～200nm(优选为20～100nm)的SiO2膜，由此形成无机绝缘膜41a。作为无机绝缘膜41a，也可以使用SiON膜等。另外，作为无机绝缘膜41a，在此之外，也可以形成利用溅射法、CAT-CVD法、ICP等离子体CVD法(例如使用SELVAC(セルバツク)公司生产的ICP-CVD装置的方法)、臭氧氧化法(例如使用明电舍公司生产的明电纯臭氧发生器的方法)等形成的SiO2膜、SiN膜。根据这些方法，能够在低温下形成高品质的膜。由此，形成在有机绝缘膜51a上层叠有无机绝缘膜41a的有机-无机层叠体。另外，有机绝缘膜51a和无机绝缘膜41a也可以分别层叠由不同的材料构成的多个膜。此外，无机绝缘膜41a至少覆盖端子部、周边电路区域和像素区域的有机绝缘膜51a即可，并不必须在绝缘基板21的整个面形成。
(12)接触孔的形成工序
接着，在通过利用光刻法将抗蚀剂膜图案形成为所期望的形状而形成抗蚀剂掩模后，使用四氟化碳(CF4)和氧(O2)的混合气体，并一边调整两种气体的流量一边进行干蚀刻，形成接触孔31c、31g，并且，除去设置有垫部27的区域的有机绝缘膜51a和无机绝缘膜41a。之后，将无机绝缘膜41a作为阻止部件进行抗蚀剂掩模的灰化(剥离)。由此，能够进行接触孔31c、31g的微细加工，因此能够实现位于下层的第一配线层61的微细化。
不过，在这种情况下，担心发生如下情况，即，在抗蚀剂掩模的O2灰化时，向接触孔31c、31g内露出的有机绝缘膜51a的开口部的壁面也同时被灰化，有机绝缘膜51a的开口部的壁面相对于上层的无机绝缘膜41a的开口部的壁面后退，接触孔31c、31g成为悬垂状(突出的形状)，在接触孔31c、31g内，上层的第二配线层62与下层的第一配线层61发生断线。
(13)第二配线层的形成工序
接着，利用溅射法等，依次形成膜厚100nm的钛(Ti)膜、膜厚500nm的铝(Al)膜、膜厚100nm的Ti膜。接着，在通过利用光刻法将抗蚀剂膜图案形成为所期望的形状而形成抗蚀剂掩模后，利用干蚀刻对Ti/Al/Ti的金属层叠膜进行图案形成，形成第二配线层62。由此，形成引绕配线30b和漏极电极65。另外，作为构成第二配线层62的金属，也可以使用Al-Si合金等代替Al。另外，此处为了实现配线的低电阻化而使用了Al，但是在需要高耐热性且容许电阻值的一定程度的增加的情况下(例如在采用短配线结构的情况下)，也可以使用上述栅极电极材料(Ta、Mo、MoW、W、TaN等)作为构成第二配线层62的金属。
此时，有机绝缘膜51a的开口部被与无机绝缘膜41a相比靠近上层的配线的第二配线层62覆盖。由此，能够利用第二配线层62覆盖有机绝缘膜51a的开口部，并且利用无机绝缘膜41a覆盖有机绝缘膜51a的未被第二配线层62覆盖的区域，因此能够使得有机绝缘膜51a不受灰化、干蚀刻的损伤。其结果是，能够抑制在分别配置在有机-无机膜层叠体的上层和下层的配线间发生连接不良的情况。
(14)有机绝缘膜的形成工序
接着，通过利用旋涂法等形成膜厚1～3μm(优选为2～3μm)的感光性丙烯酸树脂膜，形成有机绝缘膜51。作为有机绝缘膜51，也可以使用非感光性丙烯酸树脂膜等非感光性树脂膜、感光性或非感光性的聚烷基硅氧烷、聚硅氮烷类、聚酰亚胺类聚对二甲苯类的树脂等。此外，作为有机绝缘膜51的材料，还能够列举含有甲基的聚硅氧烷(MSQ)类材料、多孔质MSQ类材料。
此处，在基板21的整个面，利用旋涂法等涂敷膜厚1～5μm(优选为2～3μm)的感光性丙烯酸树脂、例如重氮萘醌类的紫外线固化型树脂，由此形成感光性树脂膜51。接着，在通过形成有所期望的形状的遮光图案所形成的光掩模对有机绝缘膜51进行感光(曝光)后，进行蚀刻(显影处理)，由此除去成为接触孔31j的区域的有机绝缘膜51。接着，进行有机绝缘膜51的烘烤工序(例如200℃、30分钟)。由此，有机绝缘膜51的开口部(孔部)的形状变得平缓，能够减低接触孔31j的纵横比。此外，在最初除去有机绝缘膜51的接触部(成为接触孔31j的部分)时，不需要灰化(剥离)工序。
(15)垫部和像素部的形成工序
接着，在利用溅射法等，形成膜厚50～200nm(优选为100～150nm)的ITO膜、IZO膜后，利用光刻法图案形成为所期望的形状，形成垫部27和像素部。由此，在显示区域的有机绝缘膜51上，在各个像素形成像素电极36。之后，在显示区域涂敷取向膜(未图示)，并且进行取向膜的取向处理，由此，TFT基板11制作完成。
(16)面板组装工序
接着，与历来已知的方法一样，通过进行TFT基板11和CF基板的贴合工序、液晶材料的注入工序和偏光板的粘贴工序制作液晶显示面板。另外，作为液晶显示面板的液晶模式，并无特别限定，例如能够列举TN(Twisted Nematic：扭转向列)模式、IPS(In Plane Switching：面内开关型)模式、VATN(Vertical Alignment Twisted Nematic：垂直取向扭转向列)模式、PSA模式等。此外，液晶显示面板也可以是被取向分割的液晶显示面板。进一步，液晶显示面板既可以是透过型，也可以是反射型，还可以是半透过型(反射透过两用型)。而且，液晶显示面板的驱动方式也可以是单纯矩阵型。
在采用PSA模式的情况下，作为面板贴合工序和液晶注入工序进行以下工序。即，首先，在TFT基板11的像素区域的外周涂敷密封材料后，使用分配器等将在具有负的介电常数的液晶分子中添加了聚合性成分的液晶材料向密封材料的内侧滴下。能够作为聚合性成分使用的材料并无特别限定，例如能够使用光聚合性单体、光聚合性低聚体。接着，在被滴下液晶材料的TFT基板11贴合CF基板。至此为止的工序在真空中进行。接着，将被贴合的两基板放回大气中，利用大气压使液晶材料在被贴合的两基板间扩散。接着，沿着密封材料的涂敷区域，使UV光源移动并向密封材料照射UV光，使密封材料固化。这样，扩散的液晶材料被密封在两片基板间，形成液晶层。
另外，作为注入液晶材料的方法，也可以是如下方法：在两基板的侧边设置液晶注入口，从该处注入液晶材料，之后，利用紫外线固化树脂等密封液晶注入口。
接着，进行聚合性成分的光照射工序。首先，在栅极电极25施加使得TFT29导通(ON)的电压的状态下，向源极电极34与CF基板的共用电极之间施加交流电压，使液晶分子倾斜并从TFT基板11侧向液晶层照射UV光。由此，被添加到液晶材料的光聚合性单体聚合，形成在取向膜的液晶层侧的表面规定液晶分子的预倾角的聚合体。
(17)FCP基板的粘贴工序
接着，通过在树脂粘接剂(例如热固化性环氧类树脂等热固化性树脂)中分散有导电性微粒子81的ACF(各向异性导电膜)80将TFT基板11与FPC基板70热压接。由此，TFT基板11与FPC基板70连接并被固定。此时，即使需要再加工，也由于有机绝缘膜51a被无机绝缘膜41a保护，不与ACF80直接接触，而能够抑制有机绝缘膜51a剥落、损伤等。因此，能够抑制位于有机绝缘膜51a的下层的第一配线层61裸露、第一配线层61被水分等腐蚀的情况的发生。此外，能够抑制由于剥落的有机绝缘膜51a的渣滓而引发的FPC基板70的接触不良。
之后，在TFT基板11和CF基板的外侧分别粘贴偏光板，进一步，组合液晶显示面板和背光源单元，由此，能够完成本实施方式的液晶显示装置100。
以上，根据本实施方式的液晶显示装置100，能够实现可靠性的提高、配线的微细加工。
此外，因为在有机绝缘膜51a与像素电极36之间设置有作为阻气绝缘膜发挥作用的无机绝缘膜41a，所以能够抑制PSA模式下的由于气体、气泡而引起的不良情况的发生。即，利用感光性树脂形成有机绝缘膜51a等，即使在聚合性成分的光照射工序中对有机绝缘膜51a等照射UV光，从像素电极36的下层产生气体，也能够利用无机绝缘膜41a防止从有机绝缘膜51a的下层发生的气体侵入液晶层。因此，能够抑制在液晶层中产生气泡的情况。
另外，在本实施方式中，有机绝缘膜51a和有机绝缘膜51也可以是由无机绝缘膜构成的平坦化膜(无机平坦化膜)，在这种情况下，使用含有Si-H的聚硅氧烷(MSQ)类材料构成的膜、多孔质二氧化硅膜即可。这样，本实施方式的液晶显示装置100也可以具有在平坦化膜的正上方层叠有无机绝缘膜的平坦化膜-无机绝缘膜层叠体。
以下，对本实施方式的进一步的变形例进行说明。
图7是表示实施方式3的液晶显示装置的变形例的周边电路区域的截面示意图。图8是表示实施方式3的液晶显示装置的变形例的像素区域的截面示意图。
在本变形例中，如图7、8所示，有机绝缘膜51a使用感光性树脂、通过感光蚀刻而形成。更具体而言，在形成无机绝缘膜41a之前先进行感光性树脂膜的感光(曝光)和蚀刻(显影处理)，图案形成有机绝缘膜51a。接着，进行有机绝缘膜51a的烘烤工序(例如200℃、30分钟)。由此，有机绝缘膜51a的开口部(孔部)的形状变得平缓，能够减小接触孔31c、31g的纵横比。此外，在最初除去有机绝缘膜51a的接触部(成为接触孔31c、31g的部分)时，不需要灰化(剥离)工序。之后，形成无机绝缘膜41a，并通过使用四氟化碳(CF4)等的干蚀刻，以与有机绝缘膜51a被除去后的区域重叠的方式，除去成为接触孔31c、31g的区域的无机绝缘膜41a。通过利用干蚀刻对无机绝缘膜41a进行图案形成，能够进行接触孔31c、31g的微细加工，并且能够实现位于下层的第一配线层61的微细化。之后，将无机绝缘膜41a作为阻止部件，通过O2等离子体将抗蚀剂掩模灰化除去。由此，形成贯通有机绝缘膜51a和无机绝缘膜41a的接触孔31c、31g。
这样，通过在由感光性树脂构成的有机绝缘膜51a上形成无机绝缘膜41a(钝化膜)，能够抑制由于干处理而引起的损伤。更具体而言，在利用干蚀刻对无机绝缘膜41a进行蚀刻时，有机绝缘膜51a的液晶层侧的整个面被无机绝缘膜41a覆盖。即，有机绝缘膜51a的液晶层侧的上表面和侧面(例如开口部的壁面)被无机绝缘膜41a覆盖。因此，能够抑制在有机绝缘膜51a发生由于干蚀刻而引起的损伤。此外，在进行接触孔31c、31g的形成工序的抗蚀剂灰化时，能够使得有机绝缘膜51a不受到氧等离子体的损伤。从这样的观点出发，优选有机绝缘膜51a的开口部的壁面的全部被无机绝缘膜41a覆盖。
此外，此时无机绝缘膜41a也可以被湿蚀刻。在这种情况下，抗蚀剂掩模利用剥离液剥离即可。因此能够使有机绝缘膜51a不受灰化、干蚀刻的损伤。
图9是表示实施方式3的液晶显示装置的变形例的截面示意图，(a)表示边框区域的端子部，(b)表示边框区域的周边电路部。图10是表示实施方式3的液晶显示装置的变形例的像素区域的截面示意图。
如图9(b)、图10所示，在本变形例中，在有机绝缘膜51上，形成与无机绝缘膜41a同样作为阻气绝缘膜发挥作用的无机绝缘膜41c。即，与有机绝缘膜51a和无机绝缘膜41a的层叠体一样地形成有机绝缘膜51和无机绝缘膜41c。
这样，在像素电极36的下层设置有作为阻气绝缘膜发挥作用的无机绝缘膜41a、41c，因此，能够更加抑制PSA模式中的由于气体、气泡而引起的不良情况的发生。即，利用感光性树脂形成有机绝缘膜51a、51，即使在聚合性成分的光照射工序中对有机绝缘膜51a、51照射UV光，从像素电极36的下层产生气体，也能够通过无机绝缘膜41a、41c大致完全地抑制从像素电极36的下层产生的气体侵入液晶层的情况。因此，能够更加抑制液晶层中产生气泡的情况。
此外，如图9(a)所示，在端子部没有设置有机绝缘膜51，在端子部，在无机绝缘膜41a上直接层叠有无机绝缘膜41c。这样，通过在端子部设置无机绝缘膜41a、41c的层叠体，与无机绝缘膜41a单层的情况相比，能够提高膜的机械性强度。因此，能够更有效地抑制由FPC基板70的热压接时的再加工引起的各种不良情况。
进一步，在由与像素电极36同一层的最上层配线层(ITO、IZO膜等透明导电膜)形成的垫部27的下面，配置有最上层配线层的正下方的配线层(最接近下层配线层69，在本实施方式中为第二配线层62)。由此，能够降低垫部27的端子电阻。在仅由最上层配线层形成垫部27的情况下，最上层配线层通常为ITO膜等透明导电膜，虽然片电阻高，但是通过与下层的低电阻配线层(第一配线层61、第二配线层62)的层叠结构，能够期待实现降低垫部27的片电阻。但是，因此，在利用干蚀刻等除去最接近下层配线层69的情况下，最接近下层配线层69的下面的配线层(在本实施方式中为第一配线层61)的表面受到干蚀刻的损伤，因此，最接近下层配线层69的下面的配线层(第一配线层61)和最上层配线层(透明导电膜)的接触电阻增大，其结果是，端子电阻增大。因此，优选将最接近下层配线层69留在垫部27的最上层配线层的下面。
图11是表示实施方式3的液晶显示装置的变形例的截面示意图，(a)表示边框区域的端子部，(b)表示边框区域的周边电路部。图12是表示实施方式3的液晶显示装置的变形例的像素区域的截面示意图。
在本变形例中，如图11(b)、图12所示，不形成无机绝缘膜41a，取而代之，在有机绝缘膜51上形成与无机绝缘膜41a同样的作为阻气绝缘膜发挥作用的无机绝缘膜41c。
这样，在像素电极36的下层设置有作为阻气绝缘膜发挥作用的无机绝缘膜41c，因此，能够抑制PSA模式中的由于气泡而引起的不良情况的发生。即，利用感光性树脂形成有机绝缘膜51a、51，即使在聚合性成分的光照射工序中对有机绝缘膜51a、51照射UV光，从像素电极36的下层产生气体，也能够通过无机绝缘膜41c大致完全地防止从像素电极36的下层产生的气体侵入液晶层的情况。因此，能够更加抑制液晶层中气泡的产生。此外，能够削减无机绝缘膜41a的形成工序，因此能够简化制造工序。
此外，如图11(a)所示，在端子部，在有机绝缘膜51a上层叠有无机绝缘膜41c，从而设置有有机绝缘膜51a和无机绝缘膜41c的层叠体。由此，与使用无机绝缘膜41a的情况一样，能够抑制FPC基板70的热压接时的再加工引起的各种不良情况。此外，在垫部27的最上层配线层的下面设置有最接近下层配线层69。进一步，如图11、12所示，有机绝缘膜51a使用感光性树脂通过感光蚀刻形成。
图13是表示实施方式3的液晶显示装置的变形例的像素区域的截面示意图。
如图13所示，本变形例除了有机绝缘膜51使用感光性树脂通过感光蚀刻形成以外，具有与图12所示的例子相同的结构。即，在形成无机绝缘膜41c之前先进行感光性树脂膜的感光(曝光)和蚀刻(显影处理)，图案形成有机绝缘膜51。接着，进行有机绝缘膜51的烘烤工序(例如200℃、30分钟)。由此，有机绝缘膜51的开口部(孔部)的形状变得平缓，能够减小接触孔31j的纵横比。此外，在最初除去有机绝缘膜51的接触部(成为接触孔31j的部分)时，不需要灰化(剥离)工序。之后，形成无机绝缘膜41c，并通过使用四氟化碳(CF4)等的干蚀刻，将以与有机绝缘膜51被除去后的区域重叠的方式，除去成为接触孔31j的区域的无机绝缘膜41c。通过利用干蚀刻对无机绝缘膜41c进行图案形成，能够进行接触孔31j的微细加工，并且能够实现位于下层的第二配线层62的微细化。之后，将无机绝缘膜41c作为阻止部件，通过O2等离子体将抗蚀剂掩模灰化除去。由此，形成贯通有机绝缘膜51和无机绝缘膜41c的接触孔31j。
这样，通过在由感光性树脂构成的有机绝缘膜51上形成无机绝缘膜41c(钝化膜)，能够抑制由于干处理而引发的损伤。更具体而言，在利用干蚀刻对无机绝缘膜41c进行蚀刻时，有机绝缘膜51的液晶层侧的整个面被无机绝缘膜41c覆盖。即，有机绝缘膜51的液晶层侧的上表面和侧面(例如开口部的壁面)被无机绝缘膜41c覆盖。因此，能够抑制在有机绝缘膜51发生由于干蚀刻而引起的损伤。此外，在进行接触孔31j的形成工序的抗蚀剂灰化时，能够使得有机绝缘膜51不受到氧等离子体的损伤。从这样的观点出发，优选有机绝缘膜51的开口部的壁面的全部被无机绝缘膜41c覆盖。
此外，此时无机绝缘膜41c也可以被湿蚀刻。在这种情况下，抗蚀剂掩模利用剥离液剥离即可。因此能够使有机绝缘膜51不受灰化、干蚀刻的损伤。
图14是表示实施方式3的液晶显示装置的变形例的截面示意图，(a)表示边框区域的端子部，(b)表示边框区域的周边电路部。图15是表示实施方式3的液晶显示装置的变形例的像素区域的截面示意图。
在本变形例中，如图14、15所示，有机绝缘膜51a被回蚀(etch back)。更具体而言，在形成有机绝缘膜51a后，利用干蚀刻回蚀有机绝缘膜51a至第一配线层61露出。接着，形成无机绝缘膜41a，并通过使用四氟化碳(CF4)等的干蚀刻除去成为接触孔31c、31g的区域的无机绝缘膜41a。在本变形例中，垫部27和垫部27以外的区域的台阶降低与有机绝缘膜51a的厚度相应的量，因此垫部27与垫部27以外的区域的ACF80中的导电性微粒子81的变形量被缓和，能够更加提高ACF的接触性。
此外，在端子部，如图14(a)所示，在垫部27的最上层配线层的下面设置有最接近下层配线层69。
图16是表示实施方式3的液晶显示装置的变形例的截面示意图，(a)表示边框区域的端子部，(b)表示边框区域的周边电路部。图17是表示实施方式3的液晶显示装置的变形例的像素区域的截面示意图。
在本变形例中，如图17所示，在与辅助电容上电极66a重叠的区域，设置有由第一配线层61形成的第二辅助电容下电极67和由第二配线层62形成的第二辅助电容上电极66b。而且，辅助电容下电极67和辅助电容上电极66b重叠的区域的有机绝缘膜51a被除去，辅助电容下电极67和辅助电容上电极66b隔着无机绝缘膜41a相对配置。这样，在各个像素，不仅设置有包括半导体层23、栅极绝缘膜24和辅助电容上电极66a的像素辅助电容68a，而且设置有包括辅助电容下电极67、无机绝缘膜41a和辅助电容上电极66b的第二像素辅助电容68b。由此，与在一个像素内仅形成一个像素辅助电容68a的情况相比，能够将像素辅助电容68a和像素辅助电容68b的大小(面积)变小，因此能够提高像素开口率。
此外，如图16、17所示，有机绝缘膜51a、51使用感光性树脂通过感光蚀刻而形成，之后，通过成膜和蚀刻，图案形成无机绝缘膜41a、41c。此外，在端子部，如图16(a)所示，在有机绝缘膜51a上层叠有无机绝缘膜41a、41c的层叠体。进一步，在垫部27的最上层配线层的下面设置有最接近下层配线层69。
(实施方式4)
图18是表示实施方式4的液晶显示装置的边框区域的截面示意图，(a)表示端子部，(b)表示周边电路区域。另外，对于本实施方式与实施方式3中重复的内容，省略其说明。
本实施方式的液晶显示装置200构成为，在实施方式3的液晶显示装置的有机绝缘膜51a和无机绝缘膜41的层叠体上，进一步形成有有机绝缘膜51b和无机绝缘膜41b的层叠体。
更具体而言，如图18(a)所示，本实施方式的TFT基板12具有如下结构，即，在端子部，在作为层间绝缘膜和平坦化膜发挥作用的有机绝缘膜51a和无机绝缘膜41a的层叠体上，从绝缘基板21侧起依次层叠有：由第二配线层62构成的引绕配线30c；和作为保护膜发挥作用的有机绝缘膜51b和无机绝缘膜41b的层叠体。由第二配线层62构成的引绕配线30c经设置在有机绝缘膜51a和无机绝缘膜41a的接触孔(通孔)31d与由第一配线层61构成的连接端子(外部连接端子)26连接。
此外，如图18(b)所示，TFT基板12在周边电路区域，在第二配线层62上，从绝缘基板21侧其起依次层叠有：作为层间绝缘膜和平坦化膜发挥作用的有机绝缘膜51b和无机绝缘膜41b的层叠体；和由第三配线层63构成的引绕配线30d。由第三配线层63构成的引绕配线30d经设置在有机绝缘膜51b和无机绝缘膜41b的接触孔(通孔)31e与由第二配线层62构成的引绕配线30b连接。
这样，根据本实施方式的液晶显示装置200，能够实现能够进行微细加工的配线的更多层化。
另外，追加的配线层以及有机绝缘膜和无机绝缘膜的层叠体的数量并无特别限定，按照所期望的布局(layout)适当设定即可。
此外，本实施方式的液晶显示装置200能够通过适当地按照需要的次数重复进行实施方式3的(11)有机-无机层叠体的形成工序、(12)接触孔的形成工序和(13)第二配线层的形成工序来制作。另外，有机绝缘膜51b和无机绝缘膜41b的膜厚分别为膜厚1～4μm(优选为2～3μm)和膜厚10～200nm(优选为20～100nm)即可。此外，有机绝缘膜51b和无机绝缘膜41b各自与有机绝缘膜51a和无机绝缘膜41a一样，也可以层叠有由不同的材料构成的多个膜。进一步，有机绝缘膜51a和有机绝缘膜51b、无机绝缘膜41a和无机绝缘膜41b分别由不同的材料形成即可。
而且，在本实施方式中，有机绝缘膜51a、有机绝缘膜51b、有机绝缘膜51也可以为由无机绝缘膜构成的平坦化膜(无机平坦化膜)，在这种情况下，使用由含有Si-H的聚硅氧烷(MSQ)类材料构成的膜、多孔质二氧化硅膜即可。这样，本实施方式的液晶显示装置200也可以具有在平坦化膜的正上方层叠有无机绝缘膜的平坦化膜-无机膜层叠体。
图19是表示实施方式4的液晶显示装置的变形例的截面示意图，(a)表示边框区域的端子部，(b)表示边框区域的周边电路部。
在本变形例中，如图19所示，有机绝缘膜51a、51b使用感光性树脂通过感光蚀刻而形成，之后，通过成膜和蚀刻，图案形成无机绝缘膜41a、41b。此外，在端子部，如图19(a)所示，在由最上层配线层形成的垫部27的下面设置有最接近下层配线层69。
(实施方式5)
图20是表示实施方式5的液晶显示装置的端子部的截面示意图。另外，对于本实施方式与实施方式3和4中重复的内容，省略其说明。
本实施方式的液晶显示装置300除了连接端子(外部连接端子)26不是由第一配线层61而是由更上层的第二配线层62形成以外，与实施方式4的液晶显示装置200具有相同的方式。
更具体而言，如图20所示，本实施方式的TFT基板13具有如下结构，即，在端子部，在无机绝缘膜41上，从绝缘基板21侧起依次层叠有：由第一配线层61构成的引绕配线30e；作为层间绝缘膜和平坦化膜发挥作用的有机绝缘膜51a和无机绝缘膜41a的层叠体；由第二配线层62构成的连接端子(外部连接端子)26；和作为保护膜发挥作用的有机绝缘膜51b和无机绝缘膜41b的层叠体。由第二配线层62构成的连接端子(外部连接端子)26经设置在有机绝缘膜51a和无机绝缘膜41a的接触孔(通孔)31d与由第一配线层61构成的引绕配线30e连接。
在实施方式4的液晶显示装置200中，越增加有机绝缘膜和无机绝缘膜的层叠体与配线层的层叠构造，垫部27与垫部27以外的区域的ACF80中的导电性微粒子81的变形量的差就越增大，因此产生应力的不均，其结果是，存在引起TFT基板12与FPC基板70的连接不良的问题。
对此，如本实施方式的液晶显示装置300所示，在端子部，利用尽量上层、优选最上层的无机绝缘膜和有机绝缘膜的层叠体的正下方的配线层(在本实施方式中为第二配线层62)形成连接端子26，由此，垫部27的槽变小，垫部27与垫部27以外的区域的ACF80中的导电性微粒子81的变形量的差被缓和，因此能够抑制由应力的不均引起的连接不良的发生。
另外，在本实施方式中，有机绝缘膜51a、有机绝缘膜51b也可以为由无机绝缘膜构成的平坦化膜(无机平坦化膜)，在这种情况下，使用由含有Si-H的聚硅氧烷(MSQ)类材料构成的膜、多孔质二氧化硅膜即可。这样，本实施方式的液晶显示装置300也可以具有在平坦化膜的正上方层叠有无机绝缘膜的平坦化膜-无机膜层叠体。
图21是表示实施方式5的液晶显示装置的变形例的截面示意图，表示边框区域的端子部。
在本变形例中，如图21所示，有机绝缘膜51a、51b使用感光性树脂通过感光蚀刻而形成，之后，通过成膜和蚀刻，图案形成无机绝缘膜41a、41b。
图22是表示实施方式5的液晶显示装置的变形例的截面示意图，(a)表示边框区域的端子部，(b)表示边框区域的周边电路部。图23是表示实施方式3的液晶显示装置的变形例的像素区域的截面示意图。
如图22(a)所示，有机绝缘膜51b在端子部被除去，在连接端子26上直接形成有无机绝缘膜41b。在本变形例中，垫部27与垫部27以外的区域的台阶减少与有机绝缘膜51b的厚度的相应的量，因此垫部27与垫部27以外的区域的ACF80中的导电性微粒子81的变形量被进一步缓和，能够更加提高ACF的接触性。
此外，垫部27的最上层配线层的下面设置有最接近下层配线层69。进一步，如图22(b)、23所示，有机绝缘膜51a、51b使用感光性树脂通过感光蚀刻而形成，之后，通过成膜和蚀刻，图案形成无机绝缘膜41a、41b。
(实施方式6)
图24是表示实施方式6的液晶显示装置的端子部的截面示意图。另外，对于本实施方式与实施方式3～5中重复的内容，省略其说明。
本实施方式的液晶显示装置400除了在端子部有机绝缘膜全部被除去以外，与实施方式3的液晶显示装置100具有相同的方式。
更具体而言，如图7所示，TFT基板14具有如下结构，即，在端子部，在由第一配线层61构成的连接端子(外部连接端子)26上直接层叠有作为保护膜发挥作用的无机绝缘膜41a。
如实施方式3～5的液晶显示装置100、200、300那样，只要在端子部存在有机绝缘膜，就难以完全地解决由FPC基板70的再加工引起的可靠性的下降。此外，实施方式5的液晶显示装置300虽然能够抑制由应力的不均引起的连接不良的发生，但是，仍然在垫部27和垫部27以外的区域存在与有机绝缘膜51b和无机绝缘膜41b的厚度等量的台阶，因此，垫部27和垫部27以外的区域的ACF80中的导电性微粒子81的变形量不完全相同，ACF的接触性方面存在改善的余地。
对此，本实施方式的液晶显示装置400是在端子部完全不存在由于再加工而成为问题的有机绝缘膜，因此能够完全地改善由于上述再加工引起的可靠性的下降。此外，垫部27和垫部27以外的区域的台阶减少与有机绝缘膜的厚度相应的量，因此垫部27和垫部27以外的区域的ACF80中的导电性微粒子81的变形量被进一步缓和，能够更加提高ACF的接触性。
另外，本实施方式的液晶显示装置400除了在端子部没有设置有机绝缘膜以外，能够与实施方式3的液晶显示装置100一样地制作。
此外，在本实施方式中，有机绝缘膜优选至少不在设置有ACF80等各向异性导电材料的区域形成。
图25是表示实施方式6的液晶显示装置的变形例的截面示意图，表示边框区域的端子部。
如图25所示，本变形例在垫部27的最上层配线层的下面设置有最接近下层配线层69。
图26是表示实施方式6的液晶显示装置的变形例的端子部的截面示意图。
如图26所示，TFT基板14的由与栅极电极(栅极配线)25同一个层构成的连接端子(外部连接端子)26延伸到端子部，并且也可以具有由第一配线层61和ITO膜等透明导电膜构成的垫部27。由此，即使在端子部不设置无机绝缘膜41a，也能够将无机绝缘膜41作为保护膜发挥作用，因此，能够获得与图24所示的情况相同的效果。
另一方面，本实施方式的液晶显示装置400除了在端子部除去有机绝缘膜51b以外，也可以具有与图20所示的实施方式5的液晶显示装置300相同的形态。即，本实施方式的TFT基板14也可以具有如下结构：在端子部，在无机绝缘膜41上，从绝缘基板21侧起依次层叠有：由第一配线层61构成的引绕配线30e；作为层间绝缘膜和平坦化膜发挥作用的有机绝缘膜51a和无机绝缘膜41a；由第二配线层62构成的连接端子(外部连接端子)26；和作为保护膜发挥作用的无机绝缘膜41b。由此，与图24所示的情况一样，也能够更加提高ACF的接触性。另外，在本方式中，有机绝缘膜51a也可以是由无机绝缘膜构成的平坦化膜(无机平坦化膜)，在这种情况下，使用由含有Si-H的聚硅氧烷(MSQ)类材料构成的膜、多孔质二氧化硅膜即可。这样，本实施方式的液晶显示装置400也可以具有在平坦化膜的正上方层叠有无机绝缘膜的平坦化膜-无机膜层叠体。
以下，在上述实施方式1～6中，对在形成无机绝缘膜之前蚀刻有机绝缘膜的实施方式进行更详细的说明。另外，在以下的说明中，以周边电路区域为例进行说明，但是以下的实施方式并不特别限定于周边电路区域，既适用于端子部，也适用于像素区域。
图27是实施方式1～6的液晶显示装置的周边电路区域的截面示意图。此外，图28-1(a)～(d)和图28-2(e)～(g)是制造工序中的实施方式1～6的液晶显示装置的周边电路区域的截面示意图。另外，对在以下的方式和实施方式3～6中重复的内容，省略其说明。
如实施方式3所示的制造方法所示，在将有机绝缘膜和无机绝缘膜层叠后，通过将有机绝缘膜和无机绝缘膜的层叠体一并进行干蚀刻而形成接触孔，在这种情况下，有机绝缘膜的膜厚例如为2μm以上，比较厚，形成于有机绝缘膜和无机绝缘膜的层叠体的接触孔的纵横比变高，存在上下配线层间的接触变困难的情况。此外，在该接触孔的内壁，因为在干蚀刻和抗蚀剂灰化时有机绝缘膜露出，所以，如上所述，存在有机绝缘膜受到蚀刻和抗蚀剂灰化的损伤的情况。
对此，本实施方式的液晶显示装置500使用感光性树脂膜作为有机绝缘膜51a、有机绝缘膜51的材料，并且利用以下所示的方法制作。
首先，进行至实施方式3的(10)第一配线层的形成工序。接着，如图28-1(a)所示，与实施方式3的方法一样，在绝缘基板的整个面利用旋涂法等形成(涂敷)感光性丙烯酸树脂膜等的感光性树脂，由此形成有机绝缘膜51a。由此，第一配线层61被有机绝缘膜51a覆盖，并且TFT基板的表面被平坦化。
接着，进行有机绝缘膜51a的感光蚀刻。即，如图28-1(b)所示，在隔着形成有所期望的形状的遮光图案的光掩模32a对有机绝缘膜51a进行感光(曝光)后，进行蚀刻(显影处理)，由此除去成为接触孔31c的区域的有机绝缘膜51a。
接着，进行有机绝缘膜51a(感光性树脂膜)的烘烤工序(大致为200℃、30分钟)。由此，如图28-1(c)所示，有机绝缘膜51a的开口部(孔部)的形状变得平缓，能够降低接触孔31c的纵横比。
接着，如图28-1(d)所示，与实施方式3的方法一样，在绝缘基板的整个面，利用溅射法、PECVD法等形成无机绝缘膜41a(SiNx膜、SiO2膜)。考虑到腔室内的污染的影响等，无机绝缘膜41a优选利用能够实现使基板温度为低温的状态下的成膜的溅射法来形成。由此，能够提高无机绝缘膜41a的膜质。这是因为，在高温处理中有机成分会飞散，存在膜性能的劣化、发生装置的腔室的污染的可能性。
接着，利用光刻法对抗蚀剂进行图案形成。具体而言，如图28-2(e)所示，在利用与光掩模32a不同的光掩模32b对抗蚀剂33a进行感光后，进行显影处理，由此，除去抗蚀剂33a的成为接触孔31c的区域。
接着，如图28-2(f)所示，利用将抗蚀剂33a作为掩模进行的使用四氟化碳(CF4)等的干蚀刻或使用氢氟酸(HF)等的湿蚀刻，以有机绝缘膜51a的开口部的壁面被无机绝缘膜41a完全覆盖、且无机绝缘膜41a的开口部与被除去有机绝缘膜51a的区域重叠的方式，对无机绝缘膜41a进行蚀刻，形成接触孔31c。
接着，如图28-2(g)所示，将无机绝缘膜41a作为阻止部件，在使用干蚀刻的情况下，利用O2等离子体对抗蚀剂33a进行灰化，另一方面，在使用湿蚀刻的情况下，利用剥离液剥离抗蚀剂33a。
之后，与实施方式3一样，进行上述(13)第二配线层的形成工序以后的工序，如图27所示，完成本实施方式的液晶显示装置500。
这样，因为使用感光性树脂作为有机绝缘膜51a的材料，所以在最初除去有机绝缘膜51a的接触部(成为接触孔31c的部分)时不需要灰化(剥离)工序。因此，如图27所示，利用该感光蚀刻形成的有机绝缘膜51a的接触部(开口部)与利用干处理形成的情况相比，能够形成平缓的形状。因此，能够降低接触孔31c的纵横比，能够有效地抑制在层叠于该上层的第二配线层62发生断线不良的情况。
此外，包括接触部的内壁部分(壁面部)的全部有机绝缘膜51a在接下来的无机绝缘膜的形成工序中被无机绝缘膜41a覆盖。因此，之后在蚀刻无机绝缘膜41a时，能够使得有机绝缘膜51a不受蚀刻的损伤。
进一步，在有机绝缘膜51a的感光蚀刻后层叠的无机绝缘膜41a能够利用能够比感光性蚀刻更微细化的干蚀刻等。因此，根据该方法，也能够实现接触孔31c的微细加工，并且能够实现位于下层的第一配线层61的微细化。
而且，因为使用感光性树脂作为有机绝缘膜51a的材料，所以在将本实施方式适用于实施方式4的情况下，能够在层叠无机绝缘膜41a之前容易地除去不需要高度微细加工的端子部的无机绝缘膜。
图29是图28-2(g)所示的周边电路区域的另一个方式的截面示意图。在对无机绝缘膜41a进行湿蚀刻的情况下，也可以为如下方式，即，使无机绝缘膜41a的开口部比有机绝缘膜51a的开口部大，由此，如图29所示，有机绝缘膜51a的开口部的壁面的下层侧的一部分露出。由此，有机绝缘膜51a也能够不受灰化、干蚀刻的损伤。
另外，在这种情况下，通过上述方法进行有机绝缘膜51a的成膜、有机绝缘膜51a的感光蚀刻、有机绝缘膜51a的烘烤和无机绝缘膜41a的成膜后(图28-1(a)～(d))，利用与光掩模32a不同的光掩模对抗蚀剂进行图案形成，接着，以抗蚀剂为掩模，利用使用氢氟酸(HF)等的湿蚀刻，以使得有机绝缘膜51a的开口部的壁面的下层侧的一部分露出的方式对无机绝缘膜41a进行蚀刻，由此形成接触孔，最后，利用剥离液剥离抗蚀剂即可。
以下，对本实施方式的变形例进行说明。图30-1(a)～(d)和图30-2(e)～(h)是制造工序中的实施方式1～6的液晶显示装置的变形例的周边电路区域的截面示意图。
在本变形例中，首先，进行至实施方式3的(10)第一配线层的形成工序。接着，如图30-1(a)所示，与实施方式3的方法一样，在绝缘基板的整个面利用旋涂法等形成(涂敷)感光性丙烯酸树脂膜等的感光性树脂，由此形成有机绝缘膜51a。由此，第一配线层61被有机绝缘膜51a覆盖，并且TFT基板的表面被平坦化。
接着，进行有机绝缘膜51a的感光蚀刻。即，如图30-1(b)所示，在隔着形成有所期望的形状的遮光图案的光掩模32a对有机绝缘膜51a进行感光后，进行显影处理，由此除去成为接触孔31c的区域的有机绝缘膜51a。此时，以使得有机绝缘膜51a的开口部(接触部)比后述的无机绝缘膜41a的开口部(接触部)大的方式对有机绝缘膜51a进行过度曝光。
接着，进行有机绝缘膜51a(感光性树脂膜)的烘烤工序(大致为200℃、30分钟)。由此，如图30-1(c)所示，有机绝缘膜51a的开口部的形状变得平缓，能够降低接触孔31c的纵横比。
接着，如图30-1(d)所示，与实施方式3的方法一样，在绝缘基板的整个面，利用溅射法、PECVD法等形成无机绝缘膜41a(SiNx膜、SiO2膜)。考虑到腔室内的污染的影响等，无机绝缘膜41a优选利用能够实现将基板温度降为低温的状态下的成膜的溅射法来形成。由此，能够提高无机绝缘膜41a的膜质。这是因为，在高温处理中有机成分会飞散，有可能发生膜性能的劣化、装置的腔室的污染。
接着，利用光刻法对抗蚀剂进行图案形成。具体而言，如图30-2(e)所示，在利用在有机绝缘膜51a的曝光中使用的光掩模32c对抗蚀剂33b进行感光后，进行显影处理，由此，除去抗蚀剂33b的成为接触孔31c的区域。此时，抗蚀剂33b以通常的曝光量被曝光，使得无机绝缘膜41a的开口部比有机绝缘膜51a的开口部小。
接着，如图30-2(f)所示，通过以抗蚀剂33b为掩模进行的使用四氟化碳(CF4)等的干蚀刻或使用氢氟酸(HF)等的湿蚀刻，以与有机绝缘膜51a已被除去的区域重叠的方式，对无机绝缘膜41a进行蚀刻，形成接触孔31c。此时，如作为图30-2(f)的以虚线包围的区域附近的放大图的图30-2(g)所示，有机绝缘膜51a被无机绝缘膜41a覆盖，能够在上述蚀刻时和后述的灰化时不受损伤。此外，在无机绝缘膜41a的蚀刻中，能够使用能够比感光性蚀刻微细化的干蚀刻等。因此，根据该方法，也能够实现接触孔31c的微细加工，并且能够实现位于下层的第一配线层61的微细化。
接着，如图30-2(h)所示，将无机绝缘膜41a作为阻止部件，在使用干蚀刻的情况下，利用O2等离子体对抗蚀剂33b进行灰化，另一方面，在使用湿蚀刻的情况下，利用剥离液剥离抗蚀剂33b。
这样，根据本变形例，在有机绝缘膜51a和抗蚀剂33b的曝光中使用同一光掩模32c，因此能够将所需要的光掩模的片数削减一片，能够削减制造成本。此外，能够抑制有机绝缘膜51a和无机绝缘膜41a各自的开口部的位置偏移，该位置偏移由于不同的光掩模间的制成时的偏移而可能发生。
图31-1(a)～(c)和图31-2(d)～(f)是制造工序中的实施方式1～6的液晶显示装置的变形例的周边电路区域的截面示意图。
在本变形例中，首先，进行至实施方式3的(10)第一配线层的形成工序。接着，如图31-1(a)所示，与实施方式3的方法一样，在绝缘基板的整个面，利用旋涂法等形成(涂敷)感光性丙烯酸树脂膜等的感光性树脂，由此形成有机绝缘膜51a。由此，第一配线层61被有机绝缘膜51a覆盖，并且TFT基板的表面被平坦化。
接着，在根据需要进行有机绝缘膜51a的感光后，进行烘烤工序(大致200℃、30分钟)。由此，在本比较例中，有机绝缘膜51a既可以是感光性树脂，也可以是非感光性树脂。
接着，如图31-1(b)所示，与实施方式3的方法一样，在绝缘基板的整个面，利用溅射法、PECVD法等形成无机绝缘膜41a(SiNx膜、SiO2膜)。另外，考虑到腔室内的污染的影响等，无机绝缘膜41a优选利用能够实现将基板温度降为低温的状态下的成膜的溅射法来形成。由此，能够提高无机绝缘膜41a的膜质。这是因为，在高温处理中有机成分会飞散，存在发生膜性能的劣化、装置的腔室的污染的可能性。
接着，利用光刻法对抗蚀剂进行图案形成。具体而言，如图31-1(c)所示，在利用光掩模32d对抗蚀剂33c进行感光后，进行显影处理，由此，除去抗蚀剂33c的成为接触孔31c的区域。
接着，如图31-2(d)所示，通过以抗蚀剂33c为掩模进行的使用氢氟酸(HF)等的湿蚀刻，除去无机绝缘膜41a的成为接触孔31c的区域。
接着，如图31-2(e)所示，将无机绝缘膜41a作为阻止部件，利用剥离液剥离抗蚀剂33c。
接着，如图31-2(f)所示，将无机绝缘膜41a作为掩模，利用使用O2等离子体等的干蚀刻对有机绝缘膜51a进行蚀刻，形成接触孔31c。
这样，根据本变形例，利用湿蚀刻对无机绝缘膜41a进行蚀刻，因此能够不进行灰化处理而利用剥离液剥离抗蚀剂33c。因此，对于向接触孔31c内露出的有机绝缘膜51a的开口部的壁面，不会造成灰化的损伤。
图32(a)和(b)是制造工序中的实施方式1～6的液晶显示装置的变形例的周边电路区域的截面示意图。
在本变形例中，首先，与上述的变形例一样，如图31-1(c)所示那样，进行至抗蚀剂33c的图案形成的工序。
接着，如图32(a)所示，通过以抗蚀剂33c为掩模进行的使用四氟化碳(CF4)等的干蚀刻，除去无机绝缘膜41a的成为接触孔31c的区域。这样，通过利用干蚀刻，能够实现接触孔31c的微细加工。
接着，如图32(b)所示，将无机绝缘膜41a作为掩模，利用使用O2等离子体等的干蚀刻，进行对抗蚀剂33b的灰化和有机绝缘膜51a的蚀刻，形成接触孔31c。
这样，根据本变形例，同时进行抗蚀剂33b的除去(灰化)和有机绝缘膜51a的蚀刻(开口)，因此，能够减轻由于干蚀刻而对有机绝缘膜51a造成的总的损伤。
另外，在本实施方式中，有机绝缘膜51a、有机绝缘膜51也可以是由无机绝缘膜构成的平坦化膜(无机平坦化膜)，在这种情况下，使用由含有Si-H的聚硅氧烷(MSQ)类材料构成的膜、多孔质二氧化硅膜即可。这样，本实施方式的液晶显示装置500也可以具有在平坦化膜的正上方层叠有无机绝缘膜的平坦化膜-无机膜层叠体。
以上，使用实施方式1～6和其它实施方式对本发明进行了说明，各实施方式也可以在不脱离本发明的趣旨的范围内适当地进行组合。例如，本发明的显示装置用基板既可以是没有周边电路区域、有机-无机膜层叠体仅设置在端子部的方式，也可以是在端子部不设置有机绝缘膜、而仅在周边电路区域设置有机-无机膜层叠体的方式，也可以具有实施方式1或2所记载的像素区域和实施方式3～6中的任一个实施方式所记载的端子部和/或周边电路区域。
此外，在实施方式3～6和其它实施方式中，以液晶显示装置为例对本发明进行了说明，但是在实施方式3以后进行说明的实施方式也能够适用于液晶显示装置以外的显示装置、例如有机EL显示器等。
(比较方式1)
图33是比较方式1的液晶显示装置的像素区域的截面示意图。本比较方式的液晶显示装置701除了未设置阻气绝缘膜以外，具有与实施方式1的液晶显示装置700相同的结构。
根据本比较方式的液晶显示装置701，如图33所示，在单体聚合工序中，向感光性树脂膜152照射UV光(图33中的白色中空箭头)，在从位于像素电极136的下层的感光性树脂膜152产生气体138的情况下，存在气体138潜入相邻的像素电极136间的间隙，并进入液晶层110中的情况。其结果是，有时发生由产生气泡引起的不良情况。
(比较方式2)
图34是比较方式2的液晶显示装置的边框区域的截面示意图，(a)表示端子部，(b)表示周边电路区域。如图34(a)所示，比较方式2的液晶显示装置600具有作为显示装置用基板的TFT基板111和FPC基板170在端子部通过ACF180连接的结构。
如图34(a)所示，TFT基板111具有如下结构：在端子部，在绝缘基板121上，从绝缘基板121侧起依次层叠有：基底覆盖膜122；栅极绝缘膜124；栅极电极125；作为层间绝缘膜发挥作用的无机绝缘膜141；由第一配线层161构成的连接端子(外部连接端子)126；和作为保护膜发挥作用的有机绝缘膜151a。此外，在连接端子126的端部设置有垫部127。
此外，如图34(b)所示，TFT基板111具有如下结构：在周边电路区域，在绝缘基板121上，从绝缘基板121侧起依次层叠有：基底覆盖膜122；半导体层123；栅极绝缘膜124；栅极电极125；作为层间绝缘膜发挥作用的无机绝缘膜141；由第一配线层161构成的源极/漏极电极128和引绕配线130a；作为层间绝缘膜发挥作用的有机绝缘膜151a；由第二配线层162构成的引绕配线130b；和作为保护膜发挥作用的有机绝缘膜151。
这样，通过将平坦性卓越的有机绝缘膜151a用作平坦化膜，减小下层侧的第一配线层161、TFT129的台阶，使得即使引绕上层侧的第二配线层162，第二配线层162也不短路。
但是，如图34(b)所示，作为在有机绝缘膜151a形成接触孔(通孔)131c的方法，当不采用利用感光性蚀刻的方法，其中，该感光性蚀刻不需要抗蚀剂掩模，而采用微细加工度高的干蚀刻等利用抗蚀剂掩模的方法时，存在如下情况，即，在抗蚀剂掩模的灰化(剥离)工序中，不能获得抗蚀剂掩模和有机绝缘膜151a的选择比，蚀刻不能顺利进行。这是因为，抗蚀剂掩模和有机绝缘膜151a的双方均为有机膜，两者的选择比为相同程度。具体而言，存在在进行抗蚀剂掩模的灰化时连有机绝缘膜151a也被灰化除去的情况。此外，例如即使能够仅灰化抗蚀剂掩模，有机绝缘膜151a也会受到灰化的损伤，在有机绝缘膜151a上形成的第二配线层162的层积变得不充分，在第一配线层161与第二配线层162发生连接不良的情况。因此，在本比较方式中，有机绝缘膜151a使用感光性树脂形成，并且不使用抗蚀剂掩模而形成接触孔131c，此外，有机绝缘膜151a正上方的第二配线层162使用湿处理进行图案形成。这样，在本比较方式中，能够实现配线的微细加工，并且在抑制上层和下层的配线间的连接不良的发生方面存在改善的余地。此外，在使用无机类的平坦化膜代替有机绝缘膜151a的情况下，也存在同样的问题。
此外，如图34(a)所示，当最上层为有机绝缘膜151a时，在连接面板与FPC基板170的工序中需要再加工的情况下，有机绝缘膜151a等有机膜的剥落(peel)强度、硬度等机械性强度比无机膜低(容易由于外压而受伤)，因此存在有机绝缘膜151a剥落、受伤等情况。而且，存在位于有机绝缘膜151a下层的配线裸露出、结果引起由水分等引起的腐蚀、由剥落的有机绝缘膜151a的渣滓而引起的FPC基板170的连接不良的情况，在可靠性方面存在改善的余地。另外，也能够考虑仅在端子部除去有机绝缘膜151a，并将第一配线层161配置在最上层的方式，在这种情况下，也仍存在以下担心：第一配线层161的可靠性由于来自外部的水分的影响而变差。
本申请以2008年10月2日提出申请的日本专利申请2008-257681号为基础，并主张基于巴黎条约和过渡国的法规的优先权。该申请的全部内容作为参考引入本申请。
附图标记的说明
10：    液晶层
11、12、13、14、15、16：TFT基板
21：    绝缘基板
22：    基底覆盖膜
23：    半导体层
24：    栅极绝缘膜
25：    栅极电极(栅极配线)
26：    连接端子(外部连接端子)
27：    垫部
28：    源极/漏极电极
29：    TFT
30a、30b、30c、30d、30e：引绕配线
31a、31b、31c、31d、31e、31f、31g、31h、31i、31j：接触孔
32a、32b、32c、32d：光掩模
33a、33b、33c：     抗蚀剂
34：    源极电极
35：    漏极电极
36：    像素电极
37：    取向膜
38：    气体
39：    密封材料(密封区域)
41、41a、41b、41c：无机绝缘膜
51、51a、51b：     有机绝缘膜
52：    感光性树脂膜
61：    第一配线层
62：    第二配线层
63：    第三配线层
65：    漏极配线
66a、66b：辅助电容上电极
67：    辅助电容下电极
68a、68b：像素辅助电容
69：    最接近下层配线层
70：    FPC基板
71：    连接端子
72：    密封用基板
73：    堤岸
74：    EL膜
75：    上电极
76：    紫外线固化型粘接剂
80：    ACF
81：    导电性微粒子
90：    CF基板
91：    绝缘基板
92：    黑矩阵
93：    彩色滤光片
94：    共用电极
95：    取向膜
100、200、300、400、500、700：液晶显示装置
800：   有机EL显示器

Claims (37)

1.一种显示装置用基板，其特征在于：
所述显示装置用基板从绝缘基板侧起依次设置有感光性树脂膜和像素电极，
所述显示装置用基板在该感光性树脂膜与该像素电极之间具有阻碍从该感光性树脂膜产生的气体的行进的阻气绝缘膜。
2.一种显示装置用基板，其特征在于：
所述显示装置用基板从绝缘基板侧起依次设置有感光性树脂膜和像素电极，
所述显示装置用基板在该感光性树脂膜的上层侧具有阻碍从该感光性树脂膜产生的气体的行进的阻气绝缘膜。
3.如权利要求1或2所述的显示装置用基板，其特征在于：
所述阻气绝缘膜与所述像素电极的外缘部重叠，并且在所述像素电极上具有开口部。
4.如权利要求1～3中任一项所述的显示装置用基板，其特征在于：
所述阻气绝缘膜有选择地覆盖所述感光性树脂膜的上表面和侧面的未被所述像素电极覆盖的区域。
5.如权利要求1～4中任一项所述的显示装置用基板，其特征在于：
所述显示装置用基板具有多个所述像素电极，
所述多个像素电极以相互具有间隔的方式设置，
所述阻气绝缘膜有选择地设置在所述多个像素电极间的间隙中。
6.如权利要求1～5中任一项所述的显示装置用基板，其特征在于：
所述阻气绝缘膜包括热固化型树脂膜。
7.如权利要求1～6中任一项所述的显示装置用基板，其特征在于：
所述阻气绝缘膜包括无机绝缘膜。
8.如权利要求1～7中任一项所述的显示装置用基板，其特征在于：
所述阻气绝缘膜包括氧化硅膜。
9.如权利要求7或8所述的显示装置用基板，其特征在于：
所述显示装置用基板具有在所述感光性树脂膜的正上方层叠有所述无机绝缘膜的有机-无机膜层叠体。
10.如权利要求7～9中任一项所述的显示装置用基板，其特征在于：
所述感光性树脂膜具有开口部。
11.如权利要求10所述的显示装置用基板，其特征在于：
所述显示装置用基板具有与所述无机绝缘膜相比设置在上层的配线，
所述感光性树脂膜的开口部被该配线覆盖。
12.如权利要求10或11所述的显示装置用基板，其特征在于：
所述感光性树脂膜的开口部的壁面的至少上层侧的一部分被所述无机绝缘膜覆盖。
13.如权利要求10～12中任一项所述的显示装置用基板，其特征在于：
所述感光性树脂膜的开口部的壁面的全部被所述无机绝缘膜覆盖。
14.如权利要求9～13中任一项所述的显示装置用基板，其特征在于：
所述显示装置用基板包括设置有用于连接其它外部连接部件的连接端子的端子部和设置有周边电路的周边电路区域的至少一方。
15.如权利要求14所述的显示装置用基板，其特征在于：
所述显示装置用基板包括所述端子部和所述周边电路区域。
16.如权利要求14或15所述的显示装置用基板，其特征在于：
所述显示装置用基板在所述端子部具有所述有机-无机膜层叠体。
17.如权利要求14～16中任一项所述的显示装置用基板，其特征在于：
所述显示装置用基板在所述周边电路区域具有所述有机-无机膜层叠体。
18.如权利要求9～17中任一项所述的显示装置用基板，其特征在于：
所述显示装置用基板具有多个所述有机-无机膜层叠体。
19.如权利要求14～18中任一项所述的显示装置用基板，其特征在于：
所述显示装置用基板在所述端子部具有多个所述有机-无机膜层叠体。
20.如权利要求18或19所述的显示装置用基板，其特征在于：
所述显示装置用基板具有多个配线层，
所述多个有机-无机膜层叠体与该多个配线层交替层叠，
所述连接端子包括该多个配线层中的除了位于最下层侧的配线层以外的配线层。
21.如权利要求20所述的显示装置用基板，其特征在于：
所述连接端子包括所述多个配线层中的位于最上层侧的配线层。
22.如权利要求18～21中任一项所述的显示装置用基板，其特征在于：
所述显示装置用基板在所述周边电路区域具有所述多个有机-无机膜层叠体。
23.如权利要求14～22中任一项所述的显示装置用基板，其特征在于：
所述显示装置用基板在所述端子部具有在所述连接端子的正上方层叠有所述无机绝缘膜的区域。
24.如权利要求14、15、17、18或22所述的显示装置用基板，其特征在于：
所述显示装置用基板在所述端子部未设置所述感光性树脂膜。
25.一种显示装置，其特征在于：
包括权利要求1～24中任一项所述的显示装置用基板。
26.一种液晶显示装置，其特征在于：
包括权利要求1～24中任一项所述的显示装置用基板。
27.如权利要求26所述的液晶显示装置，其特征在于：
所述液晶显示装置具有包含单体分散型液晶的液晶层。
28.如权利要求26或27所述的液晶显示装置，其特征在于：
所述液晶显示装置包括：
与所述显示装置用基板相对的对置基板；
被密封在所述显示装置用基板与所述对置基板之间的液晶材料；和
用于将该液晶材料密封在所述显示装置用基板与所述对置基板之间的密封材料，
所述阻气绝缘膜形成至与所述密封材料重叠。
29.一种有机电致发光显示装置，其特征在于：
所述有机电致发光显示装置包括权利要求1～24中任一项所述的显示装置用基板，
所述有机电致发光显示装置具有利用光固化型粘接剂粘贴在所述显示装置用基板的基板。
30.一种显示装置用基板的制造方法，其为权利要求7～24中任一项所述的显示装置用基板的制造方法，该制造方法的特征在于，包括：
对所述感光性树脂膜进行蚀刻的感光性树脂膜蚀刻工序；
在所述感光性树脂膜蚀刻工序之后，形成所述无机绝缘膜的无机绝缘膜成膜工序；和
在所述无机绝缘膜成膜工序之后，对所述无机绝缘膜进行蚀刻的无机绝缘膜蚀刻工序。
31.如权利要求30所述的显示装置用基板的制造方法，其特征在于：
在所述无机绝缘膜蚀刻工序中，所述无机绝缘膜隔着第一抗蚀剂被干蚀刻。
32.如权利要求30或31所述的显示装置用基板的制造方法，其特征在于：
在所述无机绝缘膜蚀刻工序中，所述无机绝缘膜的与所述感光性树脂膜的被蚀刻除去的区域重叠的区域被蚀刻除去。
33.如权利要求30～32中任一项所述的显示装置用基板的制造方法，其特征在于：
所述显示装置用基板的制造方法包括：在所述感光性树脂膜蚀刻工序之前，隔着第一光掩模对所述感光性树脂膜进行感光的感光性树脂膜感光工序。
34.如权利要求33所述的显示装置用基板的制造方法，其特征在于：
所述显示装置用基板的制造方法包括：
在所述无机绝缘膜成膜工序之后，在所述无机绝缘膜上形成第二抗蚀剂的抗蚀剂成膜工序；和
在所述抗蚀剂成膜工序之后，隔着所述第一光掩模对该第二抗蚀剂进行感光的抗蚀剂感光工序。
35.一种显示装置用基板的制造方法，其为权利要求7～24中任一项所述的显示装置用基板的制造方法，该制造方法的特征在于，包括：
以第三抗蚀剂为掩模，利用湿蚀刻对所述无机绝缘膜进行蚀刻的无机绝缘膜蚀刻工序；
在所述无机绝缘膜蚀刻工序之后，除去该第三抗蚀剂的抗蚀剂除去工序；和
在所述抗蚀剂除去工序之后，以所述无机绝缘膜为掩模对所述感光性树脂膜进行蚀刻的感光性树脂膜蚀刻工序。
36.一种液晶显示装置的制造方法，其特征在于：
该制造方法是权利要求27或28所述的液晶显示装置的制造方法，
该制造方法包括在液晶注入工序以后对所述液晶层进行光照射的工序。
37.一种显示装置，其特征在于：
包括利用权利要求30～35中任一项所述的显示装置用基板的制造方法制作的显示装置用基板。
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