CN110556486B - 有机发光二极管发光装置及其制造方法 - Google Patents

有机发光二极管发光装置及其制造方法 Download PDF

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Abstract

一种有机发光二极管发光装置可以包括：基板，具有发射区、第一非发射区和第二非发射区；在所述基板上的所述第一非发射区中的辅助电极；在所述基板上的所述发射区和所述第二非发射区中的覆盖涂层，所述覆盖涂层具有微透镜，所述微透镜包括多个凸出部分和多个凹入部分；在所述辅助电极和所述覆盖涂层上的第一电极，所述第一电极包括暴露所述第二非发射区中的所述覆盖涂层的至少一个开口部分；覆盖所述至少一个开口部分的气体阻挡图案；以及布置于所述第一电极和所述气体阻挡图案上的发光层和第二电极。

Description

有机发光二极管发光装置及其制造方法
相关申请的交叉引用
本申请要求享有于2018年5月31日在韩国提交的第10-2018-0062431号韩国专利申请的优先权权益，为了所有目的在此将该申请引入以供参考，如同在此完全阐述一样。
技术领域
本发明涉及有机发光二极管发光装置，尤其涉及其中改善了光提取效率和可靠性的有机发光二极管发光装置以及有机发光二极管发光装置的制造方法。
背景技术
有机发光二极管(OLED)显示设备在基板上包括两个电极以及在两个电极之间的发光层，并且通过将电信号提供至两个电极而显示图像。
OLED显示设备具有出色的视角、出色的对比率和快速的响应速度。另外，OLED显示设备还具有功耗上的优越性。由于OLED显示设备包括固态的内部元件，所以OLED显示设备对于外部撞击具有强抵抗性，并且具有宽的工作温度范围。结果，使用有机发光二极管作为发光装置的有机发光二极管(OLED)发光装置最近成为研究主题。
尽管OLED发光装置是平面光源，但是从发光层射出的光可能在穿过OLED发光装置的元件时丢失或者被阻挡。结果，OLED发光装置具有相对较小的光提取效率。
例如，由于被阳极全反射或者吸收而被约束在OLED发光装置内部的光量大约为从发光层射出的总光量的50％，由于被基板全反射或者吸收而被约束在OLED发光装置内部的光量大约为从发光层射出的总光量的30％。结果，从发光层射出的光的约80％被约束在OLED发光装置的内部而从未离开该设备，并且仅仅从发光层射出的光的约20％被提取到外部。据此，OLED发光装置具有相对较小的光提取效率。
因为从发光层射出的光量根据施加到OLED发光装置的电流而增加，所以OLED发光装置的亮度可以由于将相对较高的电流施加到发光层而升高。然而，OLED发光装置的功耗增加，并且OLED发光装置的使用寿命缩短。
具体来讲，由于在电极下方的有机层中产生了气体化合物而未释放到外部，因此发光层可能由于有机层的脱气而劣化。结果，OLED发光装置的使用寿命缩短，并且OLED发光装置的可靠性降低。
发明内容
据此，本发明涉及一种有机发光二极管发光装置以及有机发光二极管发光装置的制造方法，其基本上避免了由于现有技术的局限性和不足而引起的一个或多个问题。
本发明的一个目的是提供一种改善了光提取效率并且防止由于脱气导致的可靠性降低的有机发光二极管发光装置以及有机发光二极管发光装置的制造方法。
本发明的附加的特点和有益效果，一部分将在随后的说明书中阐述，一部分根据本说明书将是明显的，或者可以通过实践本发明而被了解。可以通过在所撰写的说明书及其权利要求书以及所附附图中具体指明的结构来实现和获得本发明的这些及其他优点。
为了实现这些及其他益处、并根据本发明的目的，正如此处所具体实现和概括描述的，一种有机发光二极管发光装置包括：基板，具有发射区、第一非发射区和第二非发射区；在所述基板上的所述第一非发射区中的辅助电极；在所述基板上的所述发射区和所述第二非发射区中的覆盖涂层，所述覆盖涂层具有微透镜，所述微透镜包括多个凸出部分和多个凹入部分；在所述辅助电极和所述覆盖涂层上的第一电极，所述第一电极包括暴露所述第二非发射区中的所述覆盖涂层的至少一个开口部分；覆盖所述至少一个开口部分的气体阻挡图案；以及位于所述第一电极和所述气体阻挡图案上的发光层和第二电极。
在另一方面，一种有机发光二极管发光装置的制造方法包括：在基板上的第一非发射区中形成辅助电极；在所述基板上的发射区和第二非发射区中形成覆盖涂层，所述覆盖涂层具有微透镜，所述微透镜包括多个凸出部分和多个凹入部分；在所述辅助电极和所述覆盖涂层上形成第一电极，所述第一电极包括暴露所述第二非发射区中的所述覆盖涂层的至少一个开口部分；形成覆盖所述至少一个开口部分的气体阻挡图案；在所述第一电极和所述气体阻挡图案上形成发光层；以及在所述发光层上形成第二电极。
应理解的是，本发明的上述概括说明及随后的详细说明都是解释性的，旨在为所请求保护的本发明提供进一步的解释。
附图说明
附图被包括在内以提供对于本发明的进一步的理解，它们被并入并构成本说明书的一部分，附图图示出本发明的实施例并与描述内容一起用于解释本发明的原理。在附图中：
图1是示出根据本公开第一实施方式的有机发光二极管发光装置的透视图；
图2是沿图1的线II-II'获得的剖视图；
图3A是示出根据本公开第一实施方式的有机发光二极管发光装置中的经由开口部分的脱气的剖视图；
图3B是示出根据本公开第一实施方式的有机发光二极管发光装置中的由气体阻挡图案实现的脱气阻挡的剖视图；
图4A和4B是示出由于根据现有技术的有机发光二极管发光装置中的劣化导致的收缩现象的相片；
图4C和4D是示出由于根据本公开第一实施方式的有机发光二极管发光装置中的劣化导致的收缩现象的相片；
图5是示出根据本公开第一实施方式的有机发光二极管发光装置的发射区的平面图；
图6是示出根据本公开第二实施方式的有机发光二极管发光装置的发射区的平面图；
图7是示出根据本公开第三实施方式的有机发光二极管发光装置的剖视图。
具体实施方式
现在将详细参考本公开的实施方式，附图中可图示出这些实施方式的示例。
图1是示出根据本公开第一实施方式的有机发光二极管发光装置的透视图。
在图1中，有机发光二极管(OLED)发光装置100包括基板101，基板101中限定了多个发射区EA和多个非发射区NEA。
可以在相邻的发射区EA之间的非发射区NEA中设置辅助电极116，以防止(图2中的)第一电极111中的电压降(IR压降)。
辅助电极116可以具有格状构造，其中辅助电极116沿着多个非发射区NEA以矩阵形状布置。然而，辅助电极116的结构可以不局限于此。
例如，将电压通过格状构造的辅助电极116从四个方向施加至第一电极111可以比将电压通过带状结构的辅助电极116从一个方向施加至第一电极111在防止第一电极111中的电压降方面更有效。
OLED发光装置100进一步包括基板101上的(图2中的)覆盖涂层108和(图2中的)发光二极管E，覆盖涂层108具有(图2中的)微透镜ML。覆盖涂层108和发光二极管E可以参考图2示出。
图2是沿图1的线II-II'获得的剖视图。
在图2中，(图1中的)OLED发光装置100可以包括基板101、在基板101上的辅助电极116和覆盖涂层108、在覆盖涂层108上的发光二极管E以及在发光二极管E上的用于封装的防护膜102。
例如，可以在基板101上限定多个发射区EA和第一、第二非发射区(NEA-1和NEA-2)。多个发射区EA起到光透过的透光区的作用。结果，从发光层113射出的光穿过多个发射区EA以发射到外部。
辅助电极116可以布置在基板101上以对应于第一非发射区NEA-1。
辅助电极116被连接到第一电极111以防止第一电极111的电压降(IR压降)。
辅助电极116可以具有在基板101的整个表面上沿着第一非发射区NEA-1的格状构造。然而，辅助电极116的结构可以不局限于此。
覆盖涂层108可以布置在基板101上以对应于多个发射区EA和第二非发射区NEA-2。
覆盖涂层108的上表面包括彼此交替以构成微透镜ML的多个凹入部分DP和多个凸出部分CP。多个凹入部分DP中的每一个在剖视图中可以具有半圆形或者半椭圆形。然而，多个凹入部分DP中的每一个的剖视图形状不限于此。
多个凸出部分CP可以分别具有用于限定或者包围多个凹入部分DP的结构，并且可以具有底表面部分、侧表面部分CP2和顶表面部分CP3。侧表面部分CP2可以是构成顶表面部分CP3的整个倾斜表面。侧表面部分CP2的斜率可以从底表面部分CP1至顶表面部分CP3增加，使得侧表面部分CP2可以在邻近于顶表面部分CP3的部分处具有最大斜率。
多个凸出部分CP中的每一个的直径D1被定义为底表面部分CP1的水平长度。例如，多个凸出部分CP中的每一个的直径D1可以在约1μm至约5μm的范围内。然而，多个凸出部分CP中的每一个的直径D1不限于此。
多个凸出部分CP中的每一个的高度“h”被定义为从底表面部分CP1到顶表面部分CP3的垂直长度。例如，多个凸出部分CP中的每一个的高度“h”可以在约0.6μm至约1.3μm的范围内。然而，多个凸出部分CP中的每一个的高度“h”不限于此。尽管在图2中多个凸出部分CP通过多个凹入部分DP而彼此连接，但是在另一实施例中多个凸出部分CP可以通过具有约1μm至约2μm的距离的平坦间隙部分而彼此连接(例如，凸出部分CP可以彼此间隔开)。多个凸出部分CP的底表面部分CP1可以被布置为通过该间隙部分而彼此分隔开。
多个凹入部分DP中的每一个可以在平面图中具有各种形状，比如六角形，半圆形，圆形，半椭圆形和矩形形状。
覆盖涂层108可以包括具有约1.5的折射率的绝缘材料。例如，覆盖涂层108可以包括丙烯酸树脂、环氧树脂、酚醛树脂、聚酰胺树脂、聚酰亚胺树脂、不饱和聚酯树脂、聚苯树脂、苯并环丁烯和光致抗蚀剂之中的一个。
第一电极111可以布置在辅助电极116和覆盖涂层108上。
第一电极111可以是为发光层113提供空穴的阳极或者是为发光层113提供电子的阴极。
这里，在下文中将以其中第一电极111是阳极的OLED发光装置100作为一个例子说明。
第一电极111可以包括具有相对较高的功函数的材料。第一电极111可以包括金属化合物，比如氧化铟锡(ITO)和氧化铟锌(IZO)；金属和氧化物的混合物，比如ZnO:Al和SnO2:Sb；或者导电聚合物，比如聚(3-甲基噻吩)，聚(3,4-(乙撑-1,2-二氧)噻吩(PEDT)，聚吡咯和聚苯胺。另外，第一电极111可以包括碳纳米管(CNT)，石墨烯或者银纳米线。
第一电极111布置在包括多个发射区EA、第一非发射区NEA-1和第二非发射区NEA-2的基板101的整个表面上。另外，第一电极111接触并且被连接到第一非发射区NEA-1中的辅助电极116。
第一电极111可以具有依照覆盖涂层108和辅助电极116的顶表面的形态的形状。例如，第一电极111可以具有与覆盖涂层108的多个凹入部分DP和多个凸出部分CP以及辅助电极116的形态相同的形状(例如，第一电极可以具有遵循覆盖涂层108的轮廓的凹点或者波浪形状)。
具体来讲，第一电极111可以具有开口部分OP，用于暴露出OLED发光装置100中的覆盖涂层108。开口部分OP暴露出多个凸出部分CP和多个凹入部分DP中的至少一个。例如，开口部分OP可以暴露出每个凸出部分CP的一部分和每个凹入部分DP的一部分。
第一电极111的开口部分OP能够释放出由于固化步骤期间的热量或者外部光而在覆盖涂层108中产生的气体化合物。尽管在第一实施方式中开口部分OP可以在平面图中具有条状或者岛状，但是开口部分OP的平面形状不限于此。
可以在第一非发射区NEA-1中的第一电极111上对应于辅助电极116布置堤岸块119。
尽管堤岸块119可以包括具有小于约1.6的折射率的有机材料，比如光丙烯，但是堤岸块119不限于此。
可以在第一电极111上布置气体阻挡图案GBP以覆盖OLED发光装置100中的第一电极111的开口部分OP。
覆盖第一电极111的开口部分OP的气体阻挡图案GBP阻挡在先前的固化步骤中未经由第一电极111的开口部分OP完全释放的残余气体化合物。由于减少了朝着发光层113和第二电极115释放的覆盖涂层108的气体化合物，所以有效地防止了由脱气引起的劣化所导致的发光层113的收缩(例如，开口部分OP可以帮助气体化合物从覆盖涂层108排出，并且气体阻挡图案GBP能够保护发光层113免于受到该危险的排气的影响)。
气体阻挡图案GBP的宽度可以大于开口部分OP的宽度。
气体阻挡图案GBP可以包括与堤岸块119相同的材料。当气体阻挡图案GBP和堤岸块119包括相同材料的时候，气体阻挡图案GBP可以通过堤岸块119的形成步骤形成，而无需额外的步骤。
其中布置有气体阻挡图案GBP的区域被定义为第二非发射区NEA-2。
发光层113可以布置在堤岸块119、气体阻挡图案GBP和第一电极111上。
发光层113可以具有依照堤岸块119、气体阻挡图案GBP和第一电极111的顶表面的形态的形状(例如，发光层113可以跨越堤岸块119、气体阻挡图案GBP和第一电极111布置，并且具有遵循堤岸块119、气体阻挡图案GBP和第一电极111的轮廓的形状)。
发光层113可以具有单层的有机发光材料或者多层的有机发光材料，所述多层的有机发光材料包括空穴注入层、空穴传输层、发光材料层、电子传输层和电子注入层。
第二电极115可以布置在发光层113上。
这里，在下文中将以其中第二电极115是阴极的OLED发光装置100作为一个例子说明。
第二电极115可以具有依照发光层113的顶表面的形态的形状。
第二电极115可以包括具有相对较低的功函数的材料。例如，第二电极115可以具有包括诸如银(Ag)之类的第一金属和诸如镁(Mg)之类的第二金属的单层合金，或者多层合金。
第一电极111、发光层113和第二电极115构成发光二极管E。
当根据信号将电压施加到第一和第二电极111和115的时候，从第一电极111注入的空穴和从第二电极115注入的电子被发送到发光层113以构成激子。当该激子从激发态迁移到基态的时候，光可以作为可见光从发光层113射出。
结果，发光层113的光能够穿过透明的第一电极111，以朝着外部的方向发射。
由于全反射而被约束在发光层113和第二电极115的内部的光可以通过覆盖涂层108的微透镜ML以小于全反射的临界角的角度透射，以通过多次反射被提取至外部。
据此，外部量子效率(EQE)增加，OLED发光装置100的光提取效率得到改善。
在第二电极115上布置薄膜型的防护膜102，在第二电极115和防护膜102之间形成面密封件104。面密封件104可以通过涂敷法形成在第二电极115的整个表面上，防护膜102和基板101可以相互贴合以封装OLED发光装置100。面密封件104可以包括烧结陶瓷合成物、有机绝缘材料和聚合物之中的一个。
OLED发光装置100中，通过辅助电极116防止第一电极111的电压降。
由于发光二极管E的第一电极111包括透明导电材料，所以第一电极111与金属材料相比具有相对较高的电阻率。据此，随着第一电极111的面积增加，流过整个第一电极111的电流变得不均匀。
因此，随着第一电极111的面积增加，从第一和第二电极111和115之间的发光层113射出的光的亮度的均匀性劣化。
由于OLED发光装置100包括具有格状结构的接触第一电极的辅助电极116，所以辅助电极116补充了第一电极111的相对低的导电率，并且防止了从整个OLED发光装置100的发光层113射出的光的亮度的不均匀性。
即使当第一电极111的面积变大的时候，流过整个第一电极111的电流也由于辅助电极116而变得均匀。结果，防止了第一电极111的电压降。
据此，防止了由于电压降导致的在相对于输入功率的部分的近区和远区之间的电压差而产生的亮度不均匀性以及功耗增加。
此外，在OLED发光装置100中，覆盖涂层108包括与发射区EA和第二非发射区NEA-2对应的微透镜ML，所述微透镜ML具有凹入部分DP以及连接相邻的凹入部分DP的凸出部分CP。结果，由于全反射而被约束在发光层113和第二电极115的内部的光可以通过覆盖涂层108的微透镜ML以小于全反射临界角的角度透射，以通过多次反射被提取至外部(例如，允许更多的光离开)。
据此，外部量子效率(EQE)增加，OLED发光装置100的光提取效率得到改善。
在OLED发光装置100中，可能由于具有用于改善光提取效率的微透镜ML的覆盖涂层108而导致发生脱气。由于固化步骤期间的热量或者外部光而在覆盖涂层108中产生的气体化合物有效地通过第一电极111的开口部分OP而释放。
此外，覆盖第一电极111的开口部分OP的气体阻挡图案GBP阻挡在先前的固化步骤中未经由第一电极111的开口部分OP完全释放的残余气体化合物。结果，减少了朝着发光层113和第二电极115释放的覆盖涂层108的气体化合物，并且有效地防止了由脱气引起的劣化所导致的发光层113的收缩。
图3A是示出根据本公开第一实施方式的有机发光二极管发光装置中的经由开口部分的脱气的剖视图，图3B是示出根据本公开第一实施方式的有机发光二极管发光装置中的由气体阻挡图案实现的脱气阻挡的剖视图。
在图3A中，辅助电极116可以布置在基板101上以对应于第一非发射区NEA-1，具有微透镜ML的覆盖涂层108可以布置在基板101上，所述微透镜ML与发射区EA和第二非发射区NEA-2对应、并且包括凹入部分DP和连接相邻的凹入部分DP的凸出部分CP。
第一电极111可以具有与覆盖涂层108和辅助电极116的形态相同的形状，并且可以包括暴露出覆盖涂层108的开口部分OP。
其中布置有第一电极111的开口部分OP的区域被定义为第二非发射区NEA-2。
由于覆盖涂层108包括有机材料，所以可能由于固化步骤的热量或者外部光而导致在覆盖涂层108中产生气体化合物G。
在OLED发光装置100中，发光层113可能由于有机材料的覆盖涂层108的脱气而劣化。
邻近于发光层113的覆盖涂层108包括诸如丙烯酸树脂或者聚酰亚胺树脂之类的有机材料。丙烯酸树脂或者聚酰亚胺树脂由于固化步骤期间施加的热量而产生气体化合物G，比如N-甲基-2-吡咯烷酮(NMP)或者部分地具有负电荷的己腈(hexanitrile)。例如，己腈的腈基(-CN)具有其中通过碳原子阻挡正电荷并且负电荷从外壳突出的电荷分布。
具有负电荷的气体化合物G可以沿着图3A的箭头从覆盖涂层108释放到外部。然而，由于第一电极111形成在覆盖涂层108上，所以若干量的气体化合物G可能没有释放到外部，而是保留在覆盖涂层108中。当在固化步骤之后将发光层113形成在第一电极111上的时候，覆盖涂层108中的残余气体化合物G可能与发光层113反应。
气体化合物G可能与发光层113的最下面的空穴注入层的具有正电荷的材料发生反应，并且空穴注入层的材料可能失去正电荷。结果，空穴注入层无法有效地将空穴注入至发光层113。
当由于脱气而产生的气体化合物保留在覆盖涂层108中的时候，发光层113可能劣化，并且可能发生由于发光层113的劣化导致的像素收缩现象。结果，可能减少OLED发光装置100的使用寿命。
在OLED发光装置100中，由于第一电极111具有开口部分OP，所以覆盖涂层108的气体化合物G可以在固化步骤期间通过开口部分OP释放。
因为减少了朝着发光层113和第二电极115释放的覆盖涂层108的气体化合物G，所以有效地防止了由脱气引起的劣化所导致的发光层113的收缩现象。
在图3B中，可以在第一电极111上布置气体阻挡图案GBP以覆盖第二非发射区NEA-2中的第一电极111的开口部分OP。
气体阻挡图案GBP阻挡在先前的固化步骤中未经由第一电极111的开口部分OP完全释放的残余气体化合物。因为减少了朝着发光层113和第二电极115释放的覆盖涂层108的气体化合物G，所以有效地防止了由脱气引起的劣化所导致的发光层113的收缩现象。
在OLED发光装置100中，覆盖涂层108中的气体化合物G在固化步骤期间通过第一电极111的开口部分OP而充分地释放到外部，并且在固化步骤之后通过气体阻挡图案GBP挡住第一电极111的开口部分OP。
OLED发光装置100的覆盖涂层108中产生的大部分气体化合物G可以在固化步骤期间通过第一电极111的开口部分OP释放到外部，并且气体化合物G可以在固化步骤之后不保留在覆盖涂层108中。然而，随着OLED发光装置100被相对长时间地驱动，气体化合物G可能在覆盖涂层108中重新产生。
气体化合物G被慢慢地从覆盖涂层108中释放。例如，气体化合物G可能通过开口部分OP释放而与发光层113反应。在OLED发光装置100中，由于气体阻挡图案GBP布置在第一电极111的开口部分OP上，所以防止了在覆盖涂层108中产生的气体化合物G与发光层113发生反应。
在第一步骤中，由于固化步骤中的热量或者外部光而在覆盖涂层108中产生的气体化合物G通过第一电极111的开口部分OP有效地释放到外部。在第二步骤中，没有通过第一电极111的开口部分OP完全释放的残余气体化合物G被气体阻挡图案GBP阻挡(例如，气体阻挡图案GBP能够有效地将发光层113与通过开口部分OP排出的任何残余的气体化合物G分隔开足够远的距离，并且阻止这些气体与发光层113发生反应)。可以通过第一和第二步骤有效地防止由于脱气引起的劣化所导致的发光层113的收缩现象。
图4A和4B是示出由于根据现有技术的有机发光二极管发光装置中的劣化导致的收缩现象的相片，图4C和4D是示出由于根据本公开第一实施方式的有机发光二极管发光装置中的劣化导致的收缩现象的相片。
图4A的样本1是量度OLED发光装置的收缩现象的试验性相片，图4B的样本2是量度包括微透镜的覆盖涂层的OLED发光装置的收缩现象的试验性相片。
图4C的样本3是量度在形成气体阻挡图案之前的包括微透镜的覆盖涂层以及具有开口部分的第一电极的OLED发光装置的收缩现象的试验性相片，图4D的样本4是量度在OLED发光装置被相对长时间驱动之后的包括第一电极的开口部分上的气体阻挡图案的OLED发光装置的收缩现象的试验性相片。
在图4A中，没有在根据现有技术的OLED发光装置中发现收缩现象。在图4B中，在OLED发光装置的边缘区域中发现收缩现象。
结果，当OLED发光装置包括用于改善光提取效率的具有微透镜的覆盖涂层的时候，发生了由覆盖涂层中产生的气体化合物引起的劣化所导致的发光层的收缩现象。
在图4C和4D中，没有在根据本公开第一实施方式的OLED发光装置中发现收缩现象。在根据本公开第一实施方式的OLED发光装置中，由于第一电极包括开口部分，所以即使当OLED发光装置包括用于改善光提取效率的具有微透镜的覆盖涂层的时候，也可以有效地防止由于脱气引起的劣化所导致的发光层113的收缩现象。
在图4D中，具体来讲，由于气体阻挡图案形成在第一电极的开口部分上，所以即使当OLED发光装置被相对长时间驱动的时候，也没有发生收缩现象。
图5是示出根据本公开第一实施方式的有机发光二极管发光装置的发射区的平面图。
在图5中，在(图1中的)OLED发光装置100的(图2中的)基板101上的(图1中的)发射区EA中设置(图2中的)覆盖涂层108，并且(图2中的)第一电极111布置在覆盖涂层108上。覆盖涂层108可以包括与发射区EA和第二非发射区NEA-2对应的多个凹入部分DP和多个凸出部分CP。多个凹入部分DP和多个凸出部分CP能够彼此交替以构成微透镜ML。
多个凸出部分CP中的每一个的直径D1可以在约1μm至约5μm的范围内。然而，多个凸出部分CP中的每一个的直径D1不限于此。
多个凸出部分CP可以彼此分离开约1μm到约2μm的间隙距离D2。多个凸出部分CP的配置不限于此。在另一实施例中，多个凸出部分CP可以彼此连接。
多个凹入部分DP中的每一个在平面图中可以具有圆形。多个凹入部分DP中的每一个的形状不限于此。多个凹入部分DP可以在平面图中具有各种形状，比如六角形，半圆形，半椭圆形和矩形形状。
第一电极111可以包括暴露出覆盖涂层108的第一、第二和第三开口部分OP1、OP2和OP3。
第一、第二和第三开口部分OP1、OP2和OP3中的每一个可以在平面图中具有条状，并且第一、第二和第三开口部分OP1、OP2和OP3可以彼此分离开。
在OLED发光装置100中，第一、第二和第三开口部分OP1、OP2和OP3可以具有小于除了(图2中的)第一非发射区NEA-1之外的整个发射区EA的面积的约10％的面积。当第一、第二和第三开口部分OP1、OP2和OP3的面积大于或等于整个发射区EA的面积的约10％的时候，(图2中的)第二非发射区NEA-2的面积变大而减少了OLED发光装置100的光提取效率。
结果，第一、第二和第三开口部分OP1、OP2和OP3的面积可以小于整个发射区EA的面积的约10％，以便实现能够防止(图2中的)发光层113劣化的有效的脱气和有效的光提取效率。
例如，当发射区EA具有约135μm(d1)×约135μm(d2)的尺寸的时候，第一、第二和第三开口部分OP1、OP2和OP3中的每一个可以具有约4μm至约4.5μm的宽度(w1)，使得第一、第二和第三开口部分OP1、OP2和OP3的面积为整个发射区EA的面积的约8％至约10％。尽管OLED发光装置100包括与第一电极111的开口部分OP对应的第二非发射区NEA-2，但是光提取效率可以通过具有微透镜ML的覆盖涂层108来补偿。据此，OLED发光装置100的最终光提取效率可以不受与第一电极111的开口部分OP对应的第二非发射区NEA-2的影响。
可以分别在第一电极111的第一、第二和第三开口部分OP1、OP2和OP3上布置第一、第二和第三气体阻挡图案GBP1、GBP2和GBP3。第一、第二和第三气体阻挡图案GBP1、GBP2和GBP3能够分别覆盖第一、第二和第三开口部分OP1、OP2和OP3。
第一、第二和第三气体阻挡图案GBP1、GBP2和GBP3能够分别对应于第一、第二和第三开口部分OP1、OP2和OP3，第一、第二和第三气体阻挡图案GBP1、GBP2和GBP3中的每一个可以在平面图中具有条状。
第一、第二和第三气体阻挡图案GBP1、GBP2和GBP3可以彼此分离开。
第一、第二和第三气体阻挡图案GBP1、GBP2和GBP3中的每一个的宽度w2可以大于第一、第二和第三开口部分OP1、OP2和OP3中的每一个的宽度w1，使得可以有效地阻挡通过第一、第二和第三开口部分OP1、OP2和OP3释放的覆盖涂层108的(图3B中的)气体化合物G。例如，开口部分能够作为排气口以将活性气体排放远离覆盖涂层，而气体阻挡图案能够作为缓冲层以保护发光层免受该危险的排气的影响。
第一、第二和第三气体阻挡图案GBP1、GBP2和GBP3中的每一个的宽度w2可以具有相对于第一、第二和第三开口部分OP1、OP2和OP3中的每一个的宽度w1的约5μm的裕度，使得第一、第二和第三气体阻挡图案GBP1、GBP2和GBP3分别完全覆盖第一、第二和第三开口部分OP1、OP2和OP3。第一、第二和第三气体阻挡图案GBP1、GBP2和GBP3中的每一个的两侧都可以布置为距第一、第二和第三开口部分OP1、OP2和OP3的两侧约5μm远。
例如，当发射区EA具有约135μm(d1)×约135μm(d2)的尺寸，并且第一、第二和第三开口部分OP1、OP2和OP3中的每一个具有约4μm至约4.5μm的宽度w1的时候，第一、第二和第三气体阻挡图案GBP1、GBP2和GBP3中的每一个可以具有约14μm至约14.5μm的宽度w2。
第一、第二和第三气体阻挡图案GBP1、GBP2和GBP3可以包括与(图2中的)堤岸块119相同的材料。当第一、第二和第三气体阻挡图案GBP1、GBP2和GBP3和堤岸块119包括相同材料时，第一、第二和第三气体阻挡图案GBP1、GBP2和GBP3可以通过堤岸块119的形成步骤而形成，而无需额外的步骤。另外，覆盖涂层已经被固化并且利用该开口部分排气(例如，类似小火山)之后，可以在开口部分的顶部形成气体阻挡图案。换句话说，该开口部分能够排出在发光装置的制造期间产生的危险气体，使得气体不会被困住，也不会在稍后获得与发光层反应的机会，随后，可以在开口部分的顶部形成气体阻挡图案(例如，类似盖住休眠火山)，以防止稍后在发光装置的使用寿命期间产生的任何额外气体到达发光层(例如，在重度使用该显示设备之后从覆盖涂层产生的额外气体)。
图6是示出根据本公开第二实施方式的有机发光二极管发光装置的发射区的平面图。第二实施方式的与第一实施方式的部分相同的部分可以通过相同附图标记表示。
在图6中，(图2中的)第一电极111布置在(图2中的)覆盖涂层108上，并且包括暴露出覆盖涂层108的多个开口部分OP。
多个开口部分OP中的每一个可以在平面图中具有岛形状，并且多个开口部分可以彼此分离开。
多个开口部分OP可以具有小于(图1中的)整个发射区EA的面积的约10％的面积，以实现有效的脱气和有效的光提取效率。然而，多个开口部分OP的面积不限于此。
多个开口部分OP中的每一个在平面图中可以具有矩形形状。多个开口部分OP中的每一个的形状不限于此。多个开口部分OP中的每一个可以在平面图中具有各种形状，比如六角形，半圆形，半椭圆形和圆形。
可以在第一电极111上布置多个气体阻挡图案GBP以分别覆盖第一电极111的多个开口部分OP。
多个气体阻挡图案GBP中的每一个可以具有岛形状。多个气体阻挡图案GBP可以分别对应于多个开口部分OP，并且可以彼此分离开。例如，开口部分OP和气体阻挡图案GBP可以策略性地和周期性地遍布覆盖涂层的微透镜结构而放置，并且根据创意类比，它们可以被视为类似于海底的热液喷口，并且围绕每个喷口具有指定的缓冲区。
多个气体阻挡图案GBP中的每一个在平面图中可以具有与多个开口部分OP对应的矩形形状。然而，多个气体阻挡图案GBP的形状不限于此。多个气体阻挡图案GBP中的每一个可以在平面图中具有各种形状，比如六角形，半圆形，半椭圆形和圆形。
多个气体阻挡图案GBP中的每一个的面积A2可以大于多个开口部分OP中的每一个的面积A1，使得至少防止通过多个开口部分OP释放的覆盖涂层108的(图3B中的)气体化合物G到达发光层113。
由于OLED发光装置100包括具有格状结构的接触第一电极111的(图2中的)辅助电极116，所以辅助电极116补充了第一电极111的相对低的导电率，并且防止了从整个OLED发光装置100的(图2中的)发光层113射出的光的亮度不均匀性。
此外，在OLED发光装置100中，覆盖涂层108包括与发射区EA和第二非发射区NEA-2对应的(图2中的)微透镜ML，所述微透镜ML具有(图2中的)凹入部分DP以及连接相邻的凹入部分DP的(图2中的)凸出部分CP。结果，由于全反射而被约束在发光层113和第二电极115的内部的光可以通过覆盖涂层108的微透镜ML以小于全反射临界角的角度透射，以通过多次反射被提取至外部。据此，外部量子效率(EQE)增加，OLED发光装置100的光提取效率得到改善。
在OLED发光装置100中，由于固化步骤期间的热量或者外部光而在覆盖涂层108中产生的气体化合物有效地通过第一电极111的多个开口部分OP而释放。覆盖第一电极111的多个开口部分OP的多个气体阻挡图案GBP阻挡在先前的固化步骤中未经由第一电极111的多个开口部分OP完全释放的残余气体化合物。结果，减少了朝着发光层113和第二电极115释放的覆盖涂层108的气体化合物G，并且有效地防止了由脱气引起的劣化所导致的发光层113的收缩现象。
另外，第一电极111的多个开口部分OP的面积可以小于整个发射区EA的面积的约10％。随着多个开口部分OP的位置从边缘区域变化到中心区域，多个开口部分OP的数目减小，并且多个开口部分OP的尺寸减小。
由于光实质上没有从多个开口部分OP射出，所以多个开口部分OP可以被定义为(图3B中的)第二非发射区NEA-2。据此，多个开口部分OP的数量和尺寸可以从边缘区域到中心区域减少，使得在OLED发光装置100的中心区域中识别不到第二非发射区NEA-2。
具体来讲，当多个开口部分OP可以邻近于OLED发光装置100的第一非发射区NEA-1布置的时候，由多个开口部分OP定义的第二非发射区NEA-2不会被识别出，并且脱气效果最大化。
由于第一电极111和辅助电极116在第一非发射区NEA-1中彼此接触，所以第一非发射区NEA-1的第一电极111可以具有与其他区域的第一电极111相比相对较小的厚度，或者可以被部分地去除。结果，覆盖涂层108的气体化合物G可以被集中到第一非发射区NEA-1，从而通过第一非发射区NEA-1释放。然而，因为(图3B中的)覆盖涂层108没有布置在第一非发射区NEA-1中，所以气体化合物G通过邻近于第一非发射区NEA-1的区域(比如堤岸块119的端部区域)释放，而不是通过第一非发射区NEA-1释放。
随着第一电极111的多个开口部分OP被进一步邻近于第一非发射区NEA-1布置，与其他区域相比，第一非发射区NEA-1中的多个开口部分OP的数量和尺寸增加。结果，脱气效果最大化。当第二非发射区NEA-2被邻近于第一非发射区NEA-1布置的时候，第一和第二非发射区NEA-1和NEA-2可以具有连接结构。另外，堤岸块119和多个气体阻挡图案GBP可以具有连接结构。
图7是示出根据本公开第三实施方式的有机发光二极管发光装置的剖视图。第三实施方式的与第一实施方式的部分相同的部分可以通过相同附图标记表示。
在图7中，覆盖涂层200可以是包括用于额外光提取的分散颗粒201的光散射层。由于覆盖涂层200，进一步改善了(图1中的)OLED发光装置100的光提取效率。
在OLED发光装置100中，第一电极111包括用于使覆盖涂层200脱气的多个开口部分OP，在多个开口部分OP上布置多个气体阻挡图案GBP。由于多个开口部分OP被定义为第二非发射区NEA-2，所以发射区EA中的实际发光面积可能减少。然而，由于通过包括分散颗粒201的覆盖涂层200补偿了光提取效率，所以OLED发光装置100的最终光提取效率可以不受与第一电极111的多个开口部分OP对应的第二非发射区NEA-2的影响。
光散射层的覆盖涂层200可以包括用于光提取的分散颗粒201和光敏树脂。
例如，该光敏树脂可以包括碱溶性树脂，稀化(ethylenically)不饱和单体，用于光提取的分散溶液，光引发剂和溶剂。
为了散射从发光层113射出的光，覆盖涂层200的光敏树脂的折射率不同于覆盖涂层200的分散颗粒201的折射率。例如，光敏树脂和分散颗粒201可以具有等于或者大于约0.2的折射率差。
当光敏树脂具有约1.4到约1.6的折射率的时候，分散颗粒201可以包括具有等于或者大于约1.8的折射率的金属氧化物，或者可以包括中空颗粒，所述中空颗粒包括具有等于或者小于约1.2的折射率的主体部分。
由于通过曝光步骤对具有光敏树脂的覆盖涂层200进行图案化，可以在没有蚀刻步骤的情况下形成覆盖涂层200。另外，由于OLED发光装置100的其他元件没有由于曝光步骤而劣化，所以可以在其他元件不劣化的情况下形成覆盖涂层200。
因此，在根据本公开的OLED发光装置中，由于具有微透镜的覆盖涂层而有效地改善了光提取效率。
另外，由于通过第一电极的开口部分和覆盖开口部分的气体阻挡图案而防止了由脱气导致的收缩现象，所以改善了可靠性。
对于本领域中普通技术人员来说很清楚的是，可以在本发明中做出各种修改和变动而不会脱离本发明的精神或者范围。因此，其意图是，本发明涵盖对于本发明的修改和变动，只要这些修改和变动归入所附权利要求书及其等效物的范围之内。

Claims (18)

1.一种有机发光二极管发光装置，包括：
基板，具有发射区、第一非发射区和第二非发射区；
在所述基板上的所述第一非发射区中的辅助电极；
在所述基板上的所述发射区和所述第二非发射区中的覆盖涂层，所述覆盖涂层具有微透镜，所述微透镜包括多个凸出部分和多个凹入部分；
在所述辅助电极和所述覆盖涂层上的第一电极，所述第一电极包括暴露所述第二非发射区中的所述覆盖涂层的至少一个开口部分；
覆盖所述至少一个开口部分的气体阻挡图案；以及
布置于所述第一电极和所述气体阻挡图案上的发光层和第二电极，
其中所述至少一个开口部分被布置在第一区域和第二区域中的每一个中，所述第二区域与所述第一区域相比更远离所述第一非发射区，
其中所述第一区域中的至少一个开口部分的尺寸大于所述第二区域中的至少一个开口部分的尺寸。
2.根据权利要求1所述的装置，其中在所述第一电极、所述气体阻挡图案和所述辅助电极上跨越所述发射区、所述第一非发射区和所述第二非发射区布置所述发光层和第二电极，
其中所述至少一个开口部分仅延伸穿过所述第一电极，
其中所述气体阻挡图案布置在所述发光层和所述覆盖涂层之间，
其中所述气体阻挡图案布置在所述发光层和所述第一电极的至少一部分之间。
3.根据权利要求1所述的装置，其中所述第一电极对应于所述基板的整个表面。
4.根据权利要求1所述的装置，其中所述至少一个开口部分暴露出所述多个凸出部分和所述多个凹入部分中的至少一个。
5.根据权利要求1所述的装置，还包括位于所述辅助电极上的堤岸块。
6.根据权利要求1所述的装置，其中所述至少一个开口部分的面积小于所述发射区的面积的10％。
7.根据权利要求6所述的装置，其中所述第一区域中的至少一个开口部分的数量多于所述第二区域中的至少一个开口部分的数量。
8.根据权利要求5所述的装置，其中所述气体阻挡图案和所述堤岸块包括相同的材料，所述气体阻挡图案和所述堤岸块是相同层的一部分。
9.根据权利要求1所述的装置，其中所述至少一个开口部分和所述气体阻挡图案中的每一个具有条状，所述气体阻挡图案的宽度大于所述至少一个开口部分的宽度。
10.根据权利要求1所述的装置，其中所述至少一个开口部分和所述气体阻挡图案中的每一个具有岛状，所述气体阻挡图案的面积大于所述至少一个开口部分的面积。
11.根据权利要求1所述的装置，其中所述覆盖涂层包括光敏树脂和分散颗粒，所述光敏树脂和所述分散颗粒具有大于或等于0.2的折射率差。
12.根据权利要求1所述的装置，其中所述至少一个开口部分被构造为释放从所述覆盖涂层中产生的气体化合物，所述气体阻挡图案被构造为阻挡所述气体化合物到达所述发光层。
13.一种有机发光二极管发光装置，包括：
基板，具有发射区、第一非发射区和第二非发射区；
在所述基板上的所述第一非发射区中的辅助电极；
在所述基板上的所述发射区和所述第二非发射区中的覆盖涂层，所述覆盖涂层具有微透镜，所述微透镜包括多个凸出部分和多个凹入部分；
在所述辅助电极和所述覆盖涂层上的第一电极，所述第一电极包括暴露所述第二非发射区中的所述覆盖涂层的至少一个开口部分；
覆盖所述至少一个开口部分的气体阻挡图案；以及
布置于所述第一电极和所述气体阻挡图案上的发光层和第二电极，
其中所述至少一个开口部分被布置在所述基板的边缘区域和中心区域中，
其中所述边缘区域中的至少一个开口部分的尺寸大于所述中心区域中的至少一个开口部分的尺寸，并且/或者所述边缘区域中的至少一个开口部分的数量多于所述中心区域中的至少一个开口部分的数量。
14.一种有机发光二极管发光装置的制造方法，所述方法包括：
在基板上的第一非发射区中形成辅助电极；
在所述基板上的发射区和第二非发射区中形成覆盖涂层，所述覆盖涂层具有微透镜，所述微透镜包括多个凸出部分和多个凹入部分；
在所述辅助电极和所述覆盖涂层上形成第一电极，所述第一电极包括暴露所述第二非发射区中的所述覆盖涂层的至少一个开口部分；
形成覆盖所述至少一个开口部分的气体阻挡图案；
在所述第一电极和所述气体阻挡图案上形成发光层；以及
在所述发光层上形成第二电极，
其中所述至少一个开口部分被布置在第一区域和第二区域中的每一个中，所述第二区域与所述第一区域相比更远离所述第一非发射区，
其中所述第一区域中的至少一个开口部分的尺寸大于所述第二区域中的至少一个开口部分的尺寸，并且/或者所述第一区域中的至少一个开口部分的数量多于所述第二区域中的至少一个开口部分的数量。
15.根据权利要求14所述的方法，其中形成所述覆盖涂层包括固化步骤，从所述覆盖涂层中产生的气体化合物在所述固化步骤期间通过所述至少一个开口部分释放。
16.根据权利要求14所述的方法，其中在形成所述气体阻挡图案之后从所述覆盖涂层中产生的残余气体化合物被所述气体阻挡图案阻挡。
17.根据权利要求14所述的方法，其中在固化步骤期间从所述覆盖涂层中产生的气体化合物排出之后，在所述至少一个开口部分上形成所述气体阻挡图案。
18.一种有机发光二极管发光装置，包括：
基板，包括发射区、第一非发射区和第二非发射区；
在所述基板上的所述第一非发射区中的辅助电极；
在所述发射区和所述第二非发射区中布置的覆盖涂层，所述覆盖涂层形成微透镜，所述微透镜包括多个凸出部分和多个凹入部分；
在所述辅助电极和所述覆盖涂层上布置的第一电极，所述第一电极包括在所述第二非发射区中的与所述覆盖涂层相重叠的区域中的至少一个开口部分；
布置在所述第一电极上的发光层；
布置在所述发光层上的第二电极；以及
布置在所述第一电极中的所述至少一个开口部分上的气体阻挡图案，
其中所述至少一个开口部分被布置在第一区域和第二区域中的每一个中，所述第二区域与所述第一区域相比更远离所述第一非发射区，
其中所述第一区域中的至少一个开口部分的数量多于所述第二区域中的至少一个开口部分的数量。
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