KR101431338B1 - 유기발광 표시장치 및 그의 제조방법 - Google Patents
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Abstract
기판 상기 기판 상에 형성된 제 1 전극 상기 제 1 전극 상에 형성된 발광층 및 상기 발광층 상에 형성된 제 2 전극을 포함하며, 상기 제 1 전극의 모서리(edge)부에는 화소정의막이 배치되어, 상기 제 1 전극을 화소단위로 구분하여 화소영역을 정의하며, 상기 화소정의막 상에 기체포집층이 형성되는 것을 특징으로 하는 유기발광 표시장치를 제공한다.
Description
본 발명은 유기발광 표시장치 및 그의 제조방법에 관한 것으로, 보다 상세하게는, 화소정의막 상에 기체포집층을 형성하여 유기발광 표시장치 내부에서 발생하는 아웃 가스를 흡수할 수 있도록 한 유기발광 표시장치 및 그의 제조방법에 관한 것이다.
유기발광 표시장치(Organic Light Emitting Display Device)는 빛을 방출하는 유기발광소자(Organic Light Emitting Diode)를 가지고 화상을 표시하는 자발광형 표시 장치이다. 유기발광 표시장치는 액정표시장치(Liquid Crystal Display)와는 달리 별도의 광원을 필요로 하지 않기 때문에 상대적으로 두께와 무게를 줄일 수 있고, 소비전력이 낮고, 휘도가 높으며, 반응속도가 빠르다는 장점이 있다.
상기 유기발광 표시장치는 발광이 이루어지는 각 화소들 사이를 화소정의막에 의해 구분한다. 이러한, 화소정의막은 아크릴과 같은 유기물로 주로 형성되는데, 상기 아크릴은 소성과정 또는 구동과정에서 아웃가스를 배출한다. 또한, 유기발광 표시장치 하부 기판에서도 아웃가스가 배출된다.
상기 아웃가스는 유기발광 표시장치의 특성을 열화시키고, 화소정의막을 박리시키며, 유기발광 표시장치의 수명을 단축시키는 문제점이 있었다.
한편, 유기발광 표시장치는 외부에서 침투하는 산소나 수분을 차단하기 위한 흡수층을 일반적으로 구비한다. 상기 흡수층은 내부에 포함된 흡습제 등으로 인하여 빛을 산란시키게 되고, 이로 인하여 전면 발광형 유기발광 표시장치에는 적용하지 못하는 문제점도 있었다.
본 발명의 일례에서는 상기 화소정의막 상에 기체포집층을 형성하여 유기발광 표시장치 내부에 발생된 아웃가스를 흡수함으로써 수명이 향상된 유기발광 표시장치를 제안하고자 한다.
본 발명의 일례에서는 또한, 상기 화소정의막 상에 기체포집층을 형성하여 유기발광 표시장치 내부에 발생된 아웃가스를 흡수함으로써 수명이 향상된 유기발광 표시장치의 제조방법을 제안하고자 한다.
본 발명의 일예에서는 기판 상기 기판 상에 형성된 제 1 전극 상기 제 1 전극 상에 형성된 발광층 및 상기 발광층 상에 형성된 제 2 전극을 포함하며, 상기 제 1 전극의 모서리(edge)부에는 화소정의막이 배치되어, 상기 제 1 전극을 화소단위로 구분하여 화소영역을 정의하며, 상기 화소정의막 상에 기체포집층이 형성되는 것을 특징으로 하는 유기발광 표시장치를 제공한다.
본 발명의 일예에 따르면 상기 기체포집층은 유기발광 표시장치 내부에서 발생하는 기체와 반응할 수 있다.
본 발명의 일예에 따르면 상기 기체포집층은 금속 또는 금속 산화물을 포함할 수 있다.
본 발명의 일예에 따르면 상기 금속은 알칼리 금속 또는 알칼리토 금속일 수 있다.
본 발명의 일예에 따르면 상기 금속 산화물은 알칼리 금속 산화물 또는 알칼리토 금속 산화물일 수 있다.
본 발명의 일예에 따르면 상기 금속 산화물은 산화리튬(Li2O), 산화나트륨(Na2O), 산화칼륨(K2O), 산화바륨(BaO), 산화칼슘(CaO) 및 산화마그네슘(MgO)으로 이루어진 군에서 선택될 수 있다.
본 발명의 일예에 따르면 상기 금속은 칼륨(K), 바륨(Ba), 칼슘(Ca) 및 마그네슘(Mg)으로 이루어진 군에서 선택될 수 있다.
본 발명의 일예에 따르면 상기 금속 산화물은 Ca0x이며, 상기 X는 0.5≤X<1 의 범위일 수 있다.
본 발명의 일예에 따르면 상기 기체포집층의 두께는 1㎚ 내지 4000㎚의 범위일 수 있고, 상기 기체포집층의 굴절률은 1.55 내지 1.8 일 수 있다.
본 발명의 일예에서는 기판 상에 제 1 전극을 형성하는 단계 상기 제 1 전극의 모서리(edge)부에 상기 제 1 전극을 화소단위로 구분하여 화소영역을 정의하는 화소정의막을 형성하는 단계 상기 화소정의막 상에 기체포집층을 형성하는 단계 상기 제 1 전극 상에 상기 화소 영역에 대응되도록 발광층을 형성하는 단계 및 상기 발광층 상에 제 2 전극을 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 유기발광 표시장치의 제조방법을 제공한다.
본 발명의 일예에 따르면 상기 기체포집층은 유기발광 표시장치 내부에서 발생하는 기체와 반응할 수 있다.
본 발명의 일예에 따르면 상기 기체포집층은 금속 또는 금속 산화물을 포함할 수 있다.
본 발명의 일예에 따르면 상기 금속은 알칼리 금속 또는 알칼리토 금속일 수 있다.
본 발명의 일예에 따르면 상기 금속 산화물은 알칼리 금속 산화물 또는 알칼리토 금속 산화물일 수 있다.
본 발명의 일예에 따르면 상기 금속 산화물은 산화리튬(Li2O), 산화나트륨(Na2O), 산화칼륨(K2O), 산화바륨(BaO), 산화칼슘(CaO) 및 산화마그네슘(MgO)으로 이루어진 군에서 선택될 수 있다.
본 발명의 일예에 따르면 상기 금속은 칼륨(K), 바륨(Ba), 칼슘(Ca) 및 마그네슘(Mg)으로 이루어진 군에서 선택될 수 있다.
본 발명의 일예에 따르면 상기 금속 산화물은 Ca0x이며, 상기 X는 0.5≤X<1 의 범위일 수 있다.
본 발명의 일예에 따르면 상기 기체포집층의 두께는 1㎚ 내지 4000㎚의 범위일 수 있고, 상기 기체포집층의 굴절률은 1.55 내지 1.8일 수 있다.
본 발명의 일례에 따른 유기발광 표시장치 및 그 제조방법은 기체포집층으로 인하여 광 투과율이 저하되지 않아 전면 발광형에도 적용이 가능하고, 화소정의막 및 하부기판에서 발생한 아웃가스를 흡수함으로써 유기발광 표시장치의 수명을 향상시킬 수 있다.
도 1은 본 발명의 일실시예에 따른 유기발광 표시장치의 단면도이다.
도 2는 본 발명의 일실시예에 따른 기체포집층의 표면 사진을 나타낸 것이다.
도 3은 본 발명의 일실시예에 따른 Ca0x를 포함한 기체포집층의 대기 분위기에서의 굴절율을 나타낸 것이다.
도 4는 본 발명의 일실시예에 따른 Ca0x를 포함한 기체포집층의 투과율 결과를 나타낸 것이다.
도 5a 내지 도5f는 본 발명의 일실시예에 따른 유기발광 표시장치의 제조공정을 도식적으로 보여준다.
도 2는 본 발명의 일실시예에 따른 기체포집층의 표면 사진을 나타낸 것이다.
도 3은 본 발명의 일실시예에 따른 Ca0x를 포함한 기체포집층의 대기 분위기에서의 굴절율을 나타낸 것이다.
도 4는 본 발명의 일실시예에 따른 Ca0x를 포함한 기체포집층의 투과율 결과를 나타낸 것이다.
도 5a 내지 도5f는 본 발명의 일실시예에 따른 유기발광 표시장치의 제조공정을 도식적으로 보여준다.
이하, 구체적인 도면을 참조하여 본 발명의 예들을 보다 상세히 설명한다. 그러나, 본 발명의 범위가 하기 설명하는 실시예나 도면들로 한정되는 것은 아니다. 이하에서 설명되는 내용과 도면에 도시된 실시예들로부터 다양한 균등물과 변형예들이 있을 수 있다.
본 명세서에서 사용되는 용어(terminology)들은 본 발명의 실시예를 표현하기 위해 사용된 용어들로써, 이는 사용자, 운용자의 의도 또는 본 발명이 속하는 분야의 관례 등에 따라 달라질 수 있다. 따라서 본 용어들에 대한 정의는 본 명세서 전반에 걸친 내용을 토대로 내려져야 할 것이다.
참고로, 상기 도면에서는, 이해를 돕기 위하여 각 구성요소와 그 형상 등이 간략하게 그려지거나 또는 과장되어 그려지기도 하였다. 도면상에서 동일한 부호로 표시된 요소는 동일한 요소를 의미한다.
또한, 어떤 층이나 구성요소가 다른 층이나 또는 구성요소의 '상'에 있다 라고 기재되는 경우에는, 상기 어떤 층이나 구성요소가 상기 다른 층이나 구성요소와 직접 접촉하여 배치된 경우뿐만 아니라, 그 사이에 제3의 층이 개재되어 배치된 경우까지 모두 포함하는 의미이다.
도 1은 본 발명의 일실시예에 따른 유기발광 표시장치의 단면도이다.
도 1을 참조하면, 본 발명의 일실시예에 따른 유기발광 표시장치는 기판(100), 표시부(200) 및 봉지층(300)을 포함한다.
상기 기판(100)은 유리 기판, 석영 기판, 투명 수지 기판과 같은 다양한 재질로 형성될 수 있으며, 플렉서블한 재료를 이용하여 형성될 수도 있다. 상기 기판(100)으로 사용될 수 있는 투명 수지 기판은 폴리이미드 수지, 아크릴 수지, 폴리아크릴레이트 수지, 폴리카보네이트 수지, 폴리에테르 수지, 폴리에틸렌 테레프탈레이트 수지, 술폰산 수지 등을 포함할 수 있다.
상기 유기 발광 표시 장치가 상기 기판(100)쪽으로 표시되는 배면 발광인 경우에는 상기 기판(100)은 광투과성 소재로 형성되어야 하지만, 상기 봉지층(300)으로 표시되는 전면 발광인 경우에는 상기 기판(100)은 반드시 광투과성 소재로 형성하지 않아도 무방하다.
상기 표시부(200)는 상기 기판(100)상에 형성된 제 1 전극(210), 상기 제 1 전극(210) 사이에 형성되는 화소정의막(230)(pixel define layer:PDL), 상기 화소정의막 상에 형성되는 기체포집층(240), 상기 제 1 전극(210) 상에 형성된 발광층(220) 및 상기 발광층(220) 상에 형성된 제 2 전극(250)을 포함할 수 있다.
상기 유기발광 표시장치가 전면 발광인 경우, 상기 제 1 전극(210)은 금(Au), 백금(Pt), 니켈(Ni), 텅스텐(W), 크롬(Cr), 몰리브덴(Mo), 철(Fe), 코발트(Co), 구리(Cu), 팔라듐(Pd), 티탄(Ti) 및 이들의 화합물 중 적어도 하나를 포함하여 형성될 수 있으며, 상기 제 2 전극(250)은 투명 전도성 산화물인 산화인듐-산화주석(ITO:Indium Tin Oxide) 및 산화인듐-산화아연(IZO:Indium Zinc Oxide) 중 적어도 하나를 포함하여 형성될 수 있다.
상기 유기발광 표시장치가 배면 발광인 경우, 상기 제 1 전극(210)은 높은 일함수를 갖는 투명 전도성 산화물인 산화인듐-산화주석(ITO:Indium Tin Oxide) 및 산화인듐-산화아연(IZO:Indium Zinc Oxide) 중 적어도 하나를 포함하여 형성될 수 있으며, 상기 제 2 전극(250)은 낮은 일함수를 갖는 금속 즉, 리튬(Li) 및 세슘(Cs)과 같은 알칼리 금속, 마그네슘(Mg), 칼슘(Ca) 및 스트론튬(Sr)과 같은 알칼리 토금속 및 이들의 화합물로 형성될 수 있다.
이외에도 상기 제 1 전극(210) 및 제 2 전극(250)은 당업계에 알려진 물질을 포함하여 형성될 수 있다.
상기 발광층(220)은 적색 발광층, 녹색 발광층 및 청색 발광층을 포함할 수 있다. 상기 발광층(220)은 저분자 유기물 또는 고분자 유기물로 형성될 수 있다.
상기 화소정의막(230)은 절연성을 갖는 재료로 형성되는데, 상기 제 1 전극(210)을 화소단위로 구분한다. 구체적으로, 상기 제 1 전극(210)의 모서리(edge)부에 상기 화소정의막(230)이 배치되어 상기 제 1 전극(210)을 화소단위로 구분함으로써 화소 영역을 정의한다. 상기 화소정의막(230)은 제 1 전극(210)의 가장자리를 덮는다.
상기 화소정의막(230)을 구성하는 절연성을 갖는 재료는 아크릴과 같은 유기물이 주로 쓰일 수 있다. 상기 아크릴은 소성 과정이나 구동 과정에서 가스를 배출할 수 있다. 이러한 가스를 아웃가스라고 한다. 상기 아웃가스는 일반적으로 유기물 성분이 많다. 예를 들어 H2O, CO2, CO, O2 등이 있다. 또한, 상기 발광층(220)도 유기물질로 이루어지므로 상기 발광층(220)도 아웃가스가 배출될 수 있다. 이외에도 하부 기판 내에서 유기물질로 이루어진 구성물은 일반적으로 아웃가스를 배출할 수 있다.
상기 아웃가스는 유기발광 표시장치의 특성을 열화시키고, 결과적으로 유기발광 표시장치의 수명을 단축시키게 된다. 따라서 상기 아웃가스를 흡수하여 유기발광 표시장치의 수명을 향상시킬 필요가 있다.
상기 기체포집층(240)은 상기 아웃가스를 흡수하기 위해 상기 화소정의막(230) 상에 형성될 수 있다.
상기 화소정의막(240)에서 나오는 아웃가스를 효과적으로 흡수하기 위해서, 상기 기체포집층(240)은 화소정의막(230) 바로 위에 형성되는 것이 바람직하다. 또한 상기 기체포집층(240)은 금속 또는 금속산화물을 포함하는데, 상기 금속 또는 금속산화물은 발광층(220)의 전류를 저해하는 요소이므로, 발광부에 해당하는 발광층(220)에는 상기 기체포집층(240)이 형성되지 않는 것이 바람직하다.
상기 기체포집층(240)은 유기발광 표시장치 내부에서 발생하는 기체와 반응할 수 있다. 상기 기체는 아웃가스가 될 수 있고, 주로 화소정의막(230)이나 유기물질로 이루어진 구성물에서 상기 아웃가스가 배출될 수 있다. 상기 기체와 반응함으로써 상기 기체포집층(240)은 상기 아웃가스를 효율적으로 제거할 수 있다.
상기 기체포집층(240)은 상기 기체와 반응하여 상기 기체를 흡수하기 위해 금속 또는 금속 산화물을 포함할 수 있다. 또한, 상기 기체포집층(240)은 금속과 금속 산화물을 혼합하여 두 성분을 함께 포함할 수도 있다.
상기 금속 또는 금속 산화물이 직접 아웃가스와 반응하여 상기 아웃가스를 흡수할 수 있다.
상기 금속은 알칼리 금속 또는 알칼리토 금속일 수 있다.
상기 금속은 칼륨(K), 바륨(Ba), 칼슘(Ca) 및 마그네슘(Mg)으로 이루어진 군에서 선택될 수 있다.
상기 금속 산화물은 알칼리 금속 산화물 또는 알칼리토 금속 산화물일 수 있다.
상기 금속 산화물은 리튬(Li), 나트륨(Na), 산화칼륨(K2O), 칼륨(K), 바륨(Ba), 칼슘(Ca) 및 마그네슘(Mg)의 산화물로 이루어진 군에서 선택될 수 있다.
상기 금속 및 금속 산화물은 아웃가스를 효율적으로 흡수하는 물질들로 선택될 수 있으며, 이외에도 기체포집층(240)은 당업계에 알려진 물질을 포함하여 형성될 수 있다.
도 2는 본 발명의 일실시예에 따른 기체포집층의 표면 사진을 나타낸 것이다. 도 2를 참조하면, 상기 기체포집층(240)은 평균 입경이 100㎚ 이하의 금속 또는 금속 산화물을 포함할 수 있다.
상기 금속 또는 금속 산화물의 평균 입경은 100nm 이하 특히, 1 내지 90nm일 수 있다. 만약 평균 입경이 100nm을 초과하면 이러한 큰 평균 입경을 갖는 입자를 이용하여 만든 기체포집층(240)은 가시광선 영역에서 산란이 발생하여 막이 뿌옇게 보이는 현상(haze)이 야기되고 투과율이 저하될 우려가 있다. 예를 들면, 도 2에서 보는 바와 같이, 금속 또는 금속 산화물은 35㎚ 내지 50㎚의 크기를 가질 수 있다.
상기 금속 또는 금속 산화물 입자가 작을수록 기체포집층(240) 전체 표면적이 넓어지게 되므로 아웃가스의 포집에 유리하다. 그렇지만 입자가 지나치게 작아지면 제조과정에서 기체포집층(240)에 입자를 분산시키기 어렵고, 기체포집층(240)의 형성이 용이하지 않을 수 있다.
상기 기체포집층(240)은 금속 또는 금속 산화물을 포함하므로 복수개의 공극을 가지는 다공성 구조를 가질 수 있다. 예를 들면, 아웃가스는 상기 기체포집층(240)의 공극을 통해서 확산 되고, 금속 또는 금속 산화물 입자들과 결합되어 포집된다.
본 발명의 바람직한 일실시예에 따르면, 상기 아웃가스 흡수 효율 측면에서 상기 금속 산화물 중 칼슘의 산화물을 선택할 수 있다. 상기 칼슘의 산화물은 Ca0x로 표현할 수 있다. Ca와 O이 1:1로 존재하는 경우에는 CaO가 안정화되어 아웃가스와 반응을 하지 않으나, O의 화학량이 Ca에 비해 부족하게 되는 경우에는 아웃가스를 포집하게 될 확률이 높기 때문에 상기 Ca0x의 X 범위는 0.5 내지 1일 수 있다.
도 3은 본 발명의 일실시예에 따른 Ca0x를 포함한 기체포집층의 대기 분위기에서의 굴절률을 나타낸 것이다.
금속 산화물을 포함하는 기체포집층(240)의 굴절률은 약 1.55 내지 1.8 정도의 범위를 가진다. 예를 들어, 상기 Ca0x는 굴절률이 1.55 내지 1.8의 범위를 가지고, 상기 범위에서는 광 투과나 광 추출에 장애가 되지 않는다. 상기 기체포집층(240)의 굴절률은 특히 1.475 내지 1.594의 범위일 수 있다.
도 3은 Ca0x가 CaO인 경우로서, X가 1인 경우이다. 상기 CaO의 두께가 480㎚ 일 때, CaO를 포함하는 기체포집층(240)의 굴절률 n값이 1.55~1.6 사이임을 알 수 있다. 참고로 CaO 벌크 입자의 굴절률은 1.84이고 일반적으로 CaO는 1.8의 굴절율을 가진다. 그렇지만 상기 일반적인 값에 비해 CaO를 포함하는 기체포집층(240)의 실험값이 낮게 나오고 있는 바, 이는 도 2에서 보는 바와 같이, 기체포집층(240)이 다공성(Pros) 형태를 띄기 때문이다. 결국 실험상 상기 기체포집층(240)의 굴절률이 효과적으로 작용하는1.475 내지 1.594의 굴절률 범위 내임을 알 수 있다. 상기 굴절률을 가지는 경우, 기체포집층(240)은 인접한 다른 층과 굴절률에서 특별한 차이가 없게 될 수 있다.
도 4는 본 발명의 일실시예에 따른 Ca0x를 포함한 기체포집층의 투과율 결과를 나타낸 것이다. 도 4를 참조하면, CaO의 두께가 480㎚ 일 때, 가시광선 파장 대역에서 상기 기체포집층(240)의 투과율은 95% 이상이다. 따라서, 기체포집층(240)을 형성하여도, 유기발광 표시장치의 광 투과율은 영향을 거의 받지 않고, 전면발광형 유기발광 표시장치에도 본 발명의 적용이 가능하다. 결국 상기 기체포집층(240)은 투명하면서도 왜곡이 거의 없는 특성을 가진다.
한편, 상기 기체포집층(240)의 두께는 1㎚ 내지 4000㎚의 범위일 수 있다. 만약 기체포집층(240)의 두께가 10Å 미만이면, 충분한 흡수 특성을 갖지 못하고, 40000Å를 초과하면 빛의 투과도가 저하된다. 또한 기체가 침투할 수 있는 두께에는 한계가 있기 때문에 상기 기체포집층(240)의 두께를 크게 하더라도, 기체의 포집 효율은 올라가지 않게 되고 오히려 전체 구조만 두꺼워질 수 있다. 예를 들면, 상기 기체포집층(240)은 10 내지 4000㎚의 범위의 두께를 가질 수 있다.
상기 기체포집층(240)은 마스크를 이용한 진공증착 등의 방법으로 형성될 수 있으며, 잉크젯 또는 그라비아 인쇄와 같은 프린팅법에 의하여 형성될 수도 있다. 알칼리 금속 또는 알칼리토 금속을 산소 분위기 하에서 증착하여 알칼리 금속 산화물 또는 알칼리토 금속 산화물로 된 기체포집층(240)을 형성하거나, 또는 알칼리 금속 산화물 또는 알칼리토 금속 산화물로 된 재료를 진공 분위기에서 증착하여 상기의 재료로 구성된 기체포집층(240)을 형성한다.
상기 증착은 물리 기상 증착에 의하여 이루어질 수 있으며, 봉지 기판에 증착 적용시 기판 온도는 20 내지 400℃에서 이루어질 수 있다. 만약 증착 시 기판 온도가 400℃를 초과하면 기판 파손이나 휨이 발생할 수 있다.
상기 봉지층(300)은 유기막 및 무기막이 교대로 적층된 구조이다. 외부로부터의 산소나 수분의 침투를 막기 위해서는 유기막이 디스플레이부와 인접하는 내측에 위치하고, 무기막은 외곽에 위치한다.
본 발명의 일례에서는 또한, 유기발광 표시장치의 제조방법을 제공한다. 구체적으로 상기 제조방법은 기판(100) 상에 제 1 전극(210)을 형성하는 단계 상기 제 1 전극(210)의 모서리(edge)부에 상기 제 1 전극(210)을 화소단위로 구분하여 화소영역을 정의하는 화소정의막(230)을 형성하는 단계 상기 화소정의막(230) 상에 기체포집층(240)을 형성하는 단계 상기 제 1 전극(210) 상에 상기 화소 영역에 대응되도록 발광층(220)을 형성하는 단계 및 상기 발광층(220) 상에 제 2 전극(250)을 형성하는 단계를 포함한다.
도 5a 내지 도 5f는 본 발명의 일실시예에 따른 유기발광 표시장치의 제조공정을 도식적으로 보여준다.
상기 유기발광 표시장치를 제조하기 위하여 먼저 기판(100) 상에 제 1 전극(210)을 형성한다.(도 5a)
상기 제 1 전극(210) 사이에는 화소정의막(230)이 형성된다(도 5b). 즉, 상기 제 1 전극(210)을 형성하는 단계 후, 상기 제 1 전극(210)의 모서리(edge)부에, 상기 제 1 전극(210)을 화소단위로 구분하여 화소영역을 정의하는 화소정의막(230)을 형성한다.(도 5b)
이어서, 상기 화소정의막(230) 상에 패턴 마스크(400)를 배치하고, 상기 패턴 마스크를 통하여, 상기 화소정의막(230) 상에 상기 기체포집층(240)을 열증착한다.(도 5c)
상기 패턴 마스크(400)에는 상기 기체포칩층(240)을 형성하는 물질이 투과하는 부분과 불투과 부분이 패턴화되어 구분되어 있다.
상기 기체포집층(240)은 마스크를 이용한 진공증착 등의 방법으로 형성될 수 있으며, 잉크젯 또는 그라비아 인쇄와 같은 프린팅법, 스퍼터링 방법에 의하여 형성될 수도 있다.
상기 열증착 과정을 거치면, 화소정의막(230) 상에 기체포집층(240)이 형성된다.(도 5d)
상기 화소정의막(230)에 의하여 형성되는 개구부가 화소영역이 되는데, 발광층(220)을 형성하는 단계에서는, 상기 발광층(220)이 상기 화소영역에 대응되는 부분에 형성되도록 상기 제 1 전극(210) 상에 형성된다.(도 5e)
한편, 상기 기체포집층(240)은 금속 또는 금속산화물로 이루어지므로, 대기 중에 노출되면 아웃가스를 흡수할 능력이 상실된다. 따라서 발광층(220)이 형성되는 단계에서 상기 기체포집층(240)을 진공상태로 만든 후, 유기물질을 증착해야 한다.
이어서 상기 발광층(220) 상에 상기 제 2 전극(250)을 형성하고, 상기 제 2 전극(250) 상에 상기 봉지층(300)을 형성한다.(도 5f)
본 발명의 기체포집층(240) 제조방법에 따르면, 액상 상태로 코팅 되는 것이 아니고 마스크만 있으면 원하는 영역만 선택적으로 증착하여 기체포집층(240)을 형성할 수 있으므로 에칭된 글래스 기판이 불필요하다. 따라서 공정이 매우 간단하다.
이상에서 설명된 유기발광 표시장치 및 그의 제조방법의 실시예는 예시적인 것에 불과하며, 본 발명의 보호범위는 본 발명 기술분야의 통상의 지식을 가진 자라면 이로부터 다양한 변형 및 균등예를 포함할 수 있다.
100 : 기판
200 : 표시부 210 : 제 1 전극
220 : 발광층 230 : 화소정의막
240 : 기체포집층 250 : 제 2 전극
300 : 봉지층 400 : 패턴마스크
200 : 표시부 210 : 제 1 전극
220 : 발광층 230 : 화소정의막
240 : 기체포집층 250 : 제 2 전극
300 : 봉지층 400 : 패턴마스크
Claims (18)
- 기판;
상기 기판 상에 형성된 제 1 전극;
상기 제1 전극의 모서리(edge)부에 배치되며, 상기 제1 전극을 화소단위로 구분하여 화소영역을 정의하는 화소정의막;
상기 제 1 전극 상에 형성된 발광층;
상기 발광층 상에 형성된 제 2 전극; 및
상기 화소정의막 상에 형성된 기체포집층을 포함하고,
상기 기체포집층은 상기 발광층과 이격된 유기발광 표시장치. - 제 1항에 있어서,
상기 기체포집층은 유기발광 표시장치 내부에서 발생하는 기체와 반응하는 것을 특징으로 하는 유기발광 표시장치. - 제 1항에 있어서,
상기 기체포집층은 금속 또는 금속 산화물을 포함하는 것을 특징으로 하는 유기발광 표시장치. - 제 3항에 있어서,
상기 금속은 알칼리 금속 또는 알칼리토 금속인 것을 특징으로 하는 유기발광 표시장치. - 제 3항에 있어서,
상기 금속 산화물은 알칼리 금속 산화물 또는 알칼리토 금속 산화물인 것을 특징으로 하는 유기발광 표시장치. - 제 3항에 있어서,
상기 금속 산화물은 산화리튬(Li2O), 산화나트륨(Na2O), 산화칼륨(K2O), 산화바륨(BaO), 산화칼슘(CaO) 및 산화마그네슘(MgO)으로 이루어진 군에서 선택되는 것을 특징으로 하는 유기발광 표시장치. - 제 3항에 있어서,
상기 금속은 칼륨(K), 바륨(Ba), 칼슘(Ca) 및 마그네슘(Mg)으로 이루어진 군에서 선택되는 것을 특징으로 하는 유기발광 표시장치. - 제 3항에 있어서,
상기 금속 산화물은 Ca0x이며,
상기 X는 0.5≤X<1 의 범위를 갖는 것을 특징으로 하는 유기발광 표시장치. - 제 1항에 있어서,
상기 기체포집층의 두께는 1㎚ 내지 4000㎚의 범위이고,
상기 기체포집층의 굴절률은 1.55 내지 1.8 인 것을 특징으로 하는 유기발광 표시장치. - 기판 상에 제 1 전극을 형성하는 단계;
상기 제 1 전극의 모서리(edge)부에 상기 제 1 전극을 화소단위로 구분하여 화소영역을 정의하는 화소정의막을 형성하는 단계;
상기 화소정의막 상에 기체포집층을 형성하는 단계;
상기 제 1 전극 상에 상기 화소 영역에 대응되고, 상기 기체포집층과 이격되도록 발광층을 형성하는 단계; 및
상기 발광층 상에 제 2 전극을 형성하는 단계;를 포함하는 것을 특징으로 하는 유기발광 표시장치의 제조방법. - 제 10항에 있어서,
상기 기체포집층은 유기발광 표시장치 내부에서 발생하는 기체와 반응하는 것을 특징으로 하는 유기발광 표시장치의 제조방법. - 제 10항에 있어서,
상기 기체포집층은 금속 또는 금속 산화물을 포함하는 것을 특징으로 하는 유기발광 표시장치의 제조방법. - 제 12항에 있어서,
상기 금속은 알칼리 금속 또는 알칼리토 금속인 것을 특징으로 하는 유기발광 표시장치의 제조방법. - 제 12항에 있어서,
상기 금속 산화물은 알칼리 금속 산화물 또는 알칼리토 금속 산화물인 것을 특징으로 하는 유기발광 표시장치의 제조방법. - 제 12항에 있어서,
상기 금속 산화물은 산화리튬(Li2O), 산화나트륨(Na2O), 산화칼륨(K2O), 산화바륨(BaO), 산화칼슘(CaO) 및 산화마그네슘(MgO)으로 이루어진 군에서 선택되는 것을 특징으로 하는 유기발광 표시장치의 제조방법. - 제 12항에 있어서,
상기 금속은 칼륨(K), 바륨(Ba), 칼슘(Ca) 및 마그네슘(Mg)으로 이루어진 군에서 선택되는 것을 특징으로 하는 유기발광 표시장치의 제조방법. - 제 12항에 있어서,
상기 금속 산화물은 Ca0x이며,
상기 X는 0.5≤X<1 의 범위를 갖는 것을 특징으로 하는 유기발광 표시장치의 제조방법. - 제 10항에 있어서,
상기 기체포집층의 두께는 1㎚ 내지 4000㎚의 범위이고,
상기 기체포집층의 굴절률은 1.55 내지 1.8 인 것을 특징으로 하는 유기발광 표시장치의 제조방법.
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| KR (1) | KR101431338B1 (ko) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US10868093B2 (en) | 2018-02-02 | 2020-12-15 | Samsung Display Co., Ltd. | Light emitting diode display |
| US11282905B2 (en) | 2017-11-30 | 2022-03-22 | Lg Display Co., Ltd. | Electroluminescent display device |
Families Citing this family (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR101982073B1 (ko) * | 2012-10-12 | 2019-05-27 | 삼성디스플레이 주식회사 | 유기 발광 소자 및 유기 발광 표시 장치 |
| KR102381289B1 (ko) | 2015-02-26 | 2022-03-31 | 삼성디스플레이 주식회사 | 유기 발광 표시 장치 |
| KR101950461B1 (ko) * | 2015-05-13 | 2019-02-20 | 주식회사 엘지화학 | 니켈 원소가 도핑된 산화 마그네슘 입자를 포함하는 게터 조성물 |
| CN108470845A (zh) * | 2018-04-09 | 2018-08-31 | 京东方科技集团股份有限公司 | 一种oled发光器件及其制备方法、显示装置 |
| KR102520567B1 (ko) * | 2018-05-31 | 2023-04-10 | 엘지디스플레이 주식회사 | 유기발광 조명장치 |
| CN109638059A (zh) * | 2018-12-20 | 2019-04-16 | 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 | Oled显示面板及其制备方法、显示装置 |
| CN111403623A (zh) * | 2020-03-26 | 2020-07-10 | 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 | 一种显示面板及其制备方法 |
Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2008103173A (ja) | 2006-10-18 | 2008-05-01 | Toshiba Matsushita Display Technology Co Ltd | 表示装置及び表示装置の製造方法 |
| KR20100067761A (ko) * | 2008-12-12 | 2010-06-22 | 엘지디스플레이 주식회사 | 유기전계발광 표시장치 및 그 제조방법 |
| KR20120007305A (ko) * | 2010-07-14 | 2012-01-20 | 삼성모바일디스플레이주식회사 | 유기 발광 표시 장치 및 그 제조 방법 |
| KR20120077403A (ko) * | 2010-12-30 | 2012-07-10 | 삼성모바일디스플레이주식회사 | 게터패턴이 형성된 유기발광표시장치 및 그 제조방법 |
Family Cites Families (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6605826B2 (en) * | 2000-08-18 | 2003-08-12 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light-emitting device and display device |
| US20040048033A1 (en) * | 2002-09-11 | 2004-03-11 | Osram Opto Semiconductors (Malaysia) Sdn. Bhd. | Oled devices with improved encapsulation |
| KR100637129B1 (ko) | 2005-08-05 | 2006-10-23 | 삼성에스디아이 주식회사 | 유기 발광 표시 소자 및 그 제조방법 |
| KR101296656B1 (ko) | 2008-06-24 | 2013-08-14 | 엘지디스플레이 주식회사 | 유기 발광 표시장치 및 그의 제조 방법 |
| KR101874048B1 (ko) | 2011-01-14 | 2018-07-06 | 삼성디스플레이 주식회사 | 유기 발광 표시장치 |
-
2012
- 2012-11-26 KR KR1020120134414A patent/KR101431338B1/ko active IP Right Grant
-
2013
- 2013-03-26 US US13/842,037 patent/US8829788B2/en active Active
Patent Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2008103173A (ja) | 2006-10-18 | 2008-05-01 | Toshiba Matsushita Display Technology Co Ltd | 表示装置及び表示装置の製造方法 |
| KR20100067761A (ko) * | 2008-12-12 | 2010-06-22 | 엘지디스플레이 주식회사 | 유기전계발광 표시장치 및 그 제조방법 |
| KR20120007305A (ko) * | 2010-07-14 | 2012-01-20 | 삼성모바일디스플레이주식회사 | 유기 발광 표시 장치 및 그 제조 방법 |
| KR20120077403A (ko) * | 2010-12-30 | 2012-07-10 | 삼성모바일디스플레이주식회사 | 게터패턴이 형성된 유기발광표시장치 및 그 제조방법 |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US11282905B2 (en) | 2017-11-30 | 2022-03-22 | Lg Display Co., Ltd. | Electroluminescent display device |
| US10868093B2 (en) | 2018-02-02 | 2020-12-15 | Samsung Display Co., Ltd. | Light emitting diode display |
Also Published As
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| US8829788B2 (en) | 2014-09-09 |
| KR20140067326A (ko) | 2014-06-05 |
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