JP2001283750A - 発光素子用アノード基板およびその製造方法 - Google Patents
発光素子用アノード基板およびその製造方法Info
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- Formation Of Various Coating Films On Cathode Ray Tubes And Lamps (AREA)
- Cathode-Ray Tubes And Fluorescent Screens For Display (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 管内へのガスの持ち込み量を低減させ、真空
度の向上による寿命改善を図り、ＩＴＯ膜による吸収、
反射を無くして発光強度の向上を図る。 【解決手段】 ＦＥＤ１は、電界放出形陰極２９が形成
されたカソード基板４と、アノード基板３の外周部分が
スペーサ部材５を介して封着され、内部が真空状態に保
持された外囲器２を構成する。アノード基板３上には、
表示領域を取り囲む枠状部６ａと、枠状部６ａに連続し
て基板３の端部まで引き出される帯状部６ｂからなるア
ノード電極６が形成される。基板３上には、アノード電
極６の枠状部６ａを覆い、かつ表示領域内の発光部をな
す位置に開口部７ａを有するブラックマトリクス層７が
黒鉛材料により形成される。ブラックマトリクス層７の
基板３の表面が露出する開口部７ａ内には、ドット状の
蛍光体層８が被着形成される。
度の向上による寿命改善を図り、ＩＴＯ膜による吸収、
反射を無くして発光強度の向上を図る。 【解決手段】 ＦＥＤ１は、電界放出形陰極２９が形成
されたカソード基板４と、アノード基板３の外周部分が
スペーサ部材５を介して封着され、内部が真空状態に保
持された外囲器２を構成する。アノード基板３上には、
表示領域を取り囲む枠状部６ａと、枠状部６ａに連続し
て基板３の端部まで引き出される帯状部６ｂからなるア
ノード電極６が形成される。基板３上には、アノード電
極６の枠状部６ａを覆い、かつ表示領域内の発光部をな
す位置に開口部７ａを有するブラックマトリクス層７が
黒鉛材料により形成される。ブラックマトリクス層７の
基板３の表面が露出する開口部７ａ内には、ドット状の
蛍光体層８が被着形成される。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、電界放出形表示装
置（ＦＥＤ：Field Emission Display）、蛍光表示管
（ＶＦＤ）、高圧発光セル、大型表示装置（ジャンボト
ロン）等の発光素子に用いられる発光素子用アノード基
板およびその製造方法に関する。
置（ＦＥＤ：Field Emission Display）、蛍光表示管
（ＶＦＤ）、高圧発光セル、大型表示装置（ジャンボト
ロン）等の発光素子に用いられる発光素子用アノード基
板およびその製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】図５は従来のアノード基板の平面図、図
６は図５のアノード基板を用いたＦＥＤの拡大側断面図
である。なお、図５において表示領域に形成されるドッ
トマトリクス状の発光部、すなわち図６におけるブラッ
クマトリクス層２７及び蛍光体層２８については省略し
ている。
６は図５のアノード基板を用いたＦＥＤの拡大側断面図
である。なお、図５において表示領域に形成されるドッ
トマトリクス状の発光部、すなわち図６におけるブラッ
クマトリクス層２７及び蛍光体層２８については省略し
ている。
【０００３】図６に示すＦＥＤ２１は、内部が高真空状
態とされた薄型パネル状の外囲器２２を有している。外
囲器２２は、アノード基板２３とカソード基板２４を微
小な間隔をおいて対面させ、両基板２３，２４の外周部
分にスペーサ部材２５（例えば低融点ガラス等の接着剤
からなる封着剤）を設けて封着した構造となっている。
外囲器２２のアノード基板２３の内面には、酸化インジ
ウムと錫の複合酸化物であるＩＴＯ(Indium Tin Oxide)
からなる透明導電膜（以下、ＩＴＯ膜という）２６が形
成されている。
態とされた薄型パネル状の外囲器２２を有している。外
囲器２２は、アノード基板２３とカソード基板２４を微
小な間隔をおいて対面させ、両基板２３，２４の外周部
分にスペーサ部材２５（例えば低融点ガラス等の接着剤
からなる封着剤）を設けて封着した構造となっている。
外囲器２２のアノード基板２３の内面には、酸化インジ
ウムと錫の複合酸化物であるＩＴＯ(Indium Tin Oxide)
からなる透明導電膜（以下、ＩＴＯ膜という）２６が形
成されている。
【０００４】図５に示すように、ＩＴＯ膜２６は、一点
鎖線で示す表示領域Ｓよりも若干広めにベタ状に形成さ
れた矩形のアノード導体２６ａと、このアノード導体２
６ａからアノード基板２３の端部に引き出された帯状の
引出し電極であるアノード配線２６ｂからなる。ＩＴＯ
膜２６のアノード導体２６ａの表面の表示領域内には、
図６に示すように、マトリクス状の開口部２７ａを有す
る黒鉛材料からなるブラックマトリクス層２７が形成さ
れている。図６に示すように、ブラックマトリクス層２
７のＩＴＯ膜２６が露出する開口部２７ａ内には、Ｒ
（赤色），Ｇ（緑色），Ｂ（青色）のドット状の蛍光体
層２８が被着されている。そして、上記アノード導体２
６ａとアノード配線２６ｂと蛍光体層２８によりアノー
ド電極が構成される。
鎖線で示す表示領域Ｓよりも若干広めにベタ状に形成さ
れた矩形のアノード導体２６ａと、このアノード導体２
６ａからアノード基板２３の端部に引き出された帯状の
引出し電極であるアノード配線２６ｂからなる。ＩＴＯ
膜２６のアノード導体２６ａの表面の表示領域内には、
図６に示すように、マトリクス状の開口部２７ａを有す
る黒鉛材料からなるブラックマトリクス層２７が形成さ
れている。図６に示すように、ブラックマトリクス層２
７のＩＴＯ膜２６が露出する開口部２７ａ内には、Ｒ
（赤色），Ｇ（緑色），Ｂ（青色）のドット状の蛍光体
層２８が被着されている。そして、上記アノード導体２
６ａとアノード配線２６ｂと蛍光体層２８によりアノー
ド電極が構成される。
【０００５】図６に示すように、カソード基板２４の内
面には、電界放出形陰極２９が設けられている。電界放
出形陰極２９は、カソード基板２４の内面に設けられた
カソード導体３０と、カソード導体３０に設けられたコ
ーン形状のエミッタ３１と、エミッタ３１の先端に近接
して設けられたゲート電極３２とを有しており、カソー
ド導体３０とゲート電極３２は絶縁層３３で絶縁されて
いる。
面には、電界放出形陰極２９が設けられている。電界放
出形陰極２９は、カソード基板２４の内面に設けられた
カソード導体３０と、カソード導体３０に設けられたコ
ーン形状のエミッタ３１と、エミッタ３１の先端に近接
して設けられたゲート電極３２とを有しており、カソー
ド導体３０とゲート電極３２は絶縁層３３で絶縁されて
いる。
【０００６】上記構成のＦＥＤ２１のアノード基板２３
を作製する場合には、絶縁性及び透光性を有するガラス
基板（アノード基板２３）に対し、Ａｒガス雰囲気中で
スパッタ法によりＩＴＯ膜を成膜し、フォトリソ法で図
５に示すパターン形状にＩＴＯ膜によるアノード導体２
６ａ及びアノード配線２６ｂをパターニングする。次
に、黒鉛材料からなるブラックマトリクス層２７を矩形
のアノード導体２６ａの表面に形成する。その後、ブラ
ックマトリクス層２７のＩＴＯ膜２６が露出する開口部
２７ａ内にＲ，Ｇ，Ｂの蛍光体層２８を形成してドット
マトリクス状の発光部３４を形成する。
を作製する場合には、絶縁性及び透光性を有するガラス
基板（アノード基板２３）に対し、Ａｒガス雰囲気中で
スパッタ法によりＩＴＯ膜を成膜し、フォトリソ法で図
５に示すパターン形状にＩＴＯ膜によるアノード導体２
６ａ及びアノード配線２６ｂをパターニングする。次
に、黒鉛材料からなるブラックマトリクス層２７を矩形
のアノード導体２６ａの表面に形成する。その後、ブラ
ックマトリクス層２７のＩＴＯ膜２６が露出する開口部
２７ａ内にＲ，Ｇ，Ｂの蛍光体層２８を形成してドット
マトリクス状の発光部３４を形成する。
【０００７】このように、従来のＦＥＤ２１に用いられ
るアノード基板２３は、図６の断面図で示すように、発
光部３４がガラス基板（アノード基板２３）／ＩＴＯ膜
２６／蛍光体層２８の順に積層された層構造をなし、非
発光部３５がガラス基板（アノード基板２３）／ＩＴＯ
膜２６／ブラックマトリクス層２７の順に積層された層
構造をなしている。そして、ＩＴＯ膜２６が表示領域全
体に存在してアノード電極を形成している。
るアノード基板２３は、図６の断面図で示すように、発
光部３４がガラス基板（アノード基板２３）／ＩＴＯ膜
２６／蛍光体層２８の順に積層された層構造をなし、非
発光部３５がガラス基板（アノード基板２３）／ＩＴＯ
膜２６／ブラックマトリクス層２７の順に積層された層
構造をなしている。そして、ＩＴＯ膜２６が表示領域全
体に存在してアノード電極を形成している。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】上述した従来のＦＥＤ
２１のアノード基板２３の非発光部３５は、ガラス基板
（アノード基板２３）／ＩＴＯ膜２６／ブラックマトリ
クス層２７の順に積層された層構造になっており、ブラ
ックマトリクス層２７の下にＩＴＯ膜２６が存在する。
２１のアノード基板２３の非発光部３５は、ガラス基板
（アノード基板２３）／ＩＴＯ膜２６／ブラックマトリ
クス層２７の順に積層された層構造になっており、ブラ
ックマトリクス層２７の下にＩＴＯ膜２６が存在する。
【０００９】図７はガラス基板／ブラックマトリクス層
の層構造（ＢＭ／Ｇｌａｓｓ）と、ガラス基板／ＩＴＯ
膜／ブラックマトリクス層の順に積層された層構造（Ｂ
Ｍ／ＩＴＯ／Ｇｌａｓｓ）の外光反射率を示している。
の層構造（ＢＭ／Ｇｌａｓｓ）と、ガラス基板／ＩＴＯ
膜／ブラックマトリクス層の順に積層された層構造（Ｂ
Ｍ／ＩＴＯ／Ｇｌａｓｓ）の外光反射率を示している。
【００１０】図７に示すように、ガラス基板／ブラック
マトリクス層の層構造では可視光領域の外光反射率が安
定しているのに対し、ガラス基板／ＩＴＯ膜／ブラック
マトリクス層の順に積層された層構造では、ＩＴＯ膜に
よって外光反射率が変わり、緑色系の波長５００ｎｍ付
近の反射が弱くなっているのが判る。
マトリクス層の層構造では可視光領域の外光反射率が安
定しているのに対し、ガラス基板／ＩＴＯ膜／ブラック
マトリクス層の順に積層された層構造では、ＩＴＯ膜に
よって外光反射率が変わり、緑色系の波長５００ｎｍ付
近の反射が弱くなっているのが判る。
【００１１】したがって、従来のガラス基板／ＩＴＯ膜
／ブラックマトリクス層の順に積層された層構造では、
ガラス基板（アノード基板２３）を外側から観察する
と、その部分が赤紫色に着色して見え、表示品位が低下
するという問題があった。
／ブラックマトリクス層の順に積層された層構造では、
ガラス基板（アノード基板２３）を外側から観察する
と、その部分が赤紫色に着色して見え、表示品位が低下
するという問題があった。
【００１２】ところで、ＩＴＯ膜をガラス基板（アノー
ド基板２３）上にスパッタ法により成膜する際、スパッ
タガスとしてはＡｒガスが使用される。このため、成膜
時にＡｒガスがＩＴＯ膜中に入り込んでＩＴＯ膜に吸着
される。
ド基板２３）上にスパッタ法により成膜する際、スパッ
タガスとしてはＡｒガスが使用される。このため、成膜
時にＡｒガスがＩＴＯ膜中に入り込んでＩＴＯ膜に吸着
される。
【００１３】また、図８は昇温脱ガス分析（ＴＤＳ）に
よるＩＴＯ膜とブラックマトリクス層のＡｒガス放出量
を示しているが、この図を見ても明らかなように、ブラ
ックマトリクス層では、温度を上昇させてもそれほどＡ
ｒガスの放出量は多くないが、ＩＴＯ膜では、温度が上
昇するに連れてＡｒガスの放出量が増していることが判
る。このことは、成膜されたＩＴＯ膜自身にＡｒガスを
含有しているを意味している。
よるＩＴＯ膜とブラックマトリクス層のＡｒガス放出量
を示しているが、この図を見ても明らかなように、ブラ
ックマトリクス層では、温度を上昇させてもそれほどＡ
ｒガスの放出量は多くないが、ＩＴＯ膜では、温度が上
昇するに連れてＡｒガスの放出量が増していることが判
る。このことは、成膜されたＩＴＯ膜自身にＡｒガスを
含有しているを意味している。
【００１４】そして、図５及び図６に示す従来のスパッ
タ法で形成したＩＴＯ膜２６からなるアノード電極は、
その面積が表示領域全体と広いので、その分だけＦＥＤ
２１管内へのＡｒガスの持ち込み量が増える。加えて、
ＩＴＯ膜２６上のブラックマトリクス層２７がポーラス
な膜からなるため、駆動時に電界放出形陰極２９から放
出された電子がブラックマトリクス層２７を通過してＩ
ＴＯ膜２６まで到達し、ＩＴＯ膜２６に吸着されたＡｒ
ガスが電子により叩かれて放出される。この現象は、Ｆ
ＥＤの輝度を向上させるべく、アノードを高圧駆動（例
えば３〜５ｋＶ程度）するに従って電子のエネルギー量
が増し、ＩＴＯ膜２６中を通過する電子量の割合が増す
ために顕著に現れる。そして、上述したように、Ａｒガ
スが放出されると、ＦＥＤ２１管内の真空度が低下し、
寿命を低下させるという問題を招く。
タ法で形成したＩＴＯ膜２６からなるアノード電極は、
その面積が表示領域全体と広いので、その分だけＦＥＤ
２１管内へのＡｒガスの持ち込み量が増える。加えて、
ＩＴＯ膜２６上のブラックマトリクス層２７がポーラス
な膜からなるため、駆動時に電界放出形陰極２９から放
出された電子がブラックマトリクス層２７を通過してＩ
ＴＯ膜２６まで到達し、ＩＴＯ膜２６に吸着されたＡｒ
ガスが電子により叩かれて放出される。この現象は、Ｆ
ＥＤの輝度を向上させるべく、アノードを高圧駆動（例
えば３〜５ｋＶ程度）するに従って電子のエネルギー量
が増し、ＩＴＯ膜２６中を通過する電子量の割合が増す
ために顕著に現れる。そして、上述したように、Ａｒガ
スが放出されると、ＦＥＤ２１管内の真空度が低下し、
寿命を低下させるという問題を招く。
【００１５】さらに、Ａｒガス量の増加により管内の真
空度が低下すると、アノードを高電圧駆動した際により
放電しやすくなり、さらにこの放電が引き金となって電
界放出形陰極が焦げつくなど、素子が破壊して使い物に
ならないといった現象を引き起こす問題があった。
空度が低下すると、アノードを高電圧駆動した際により
放電しやすくなり、さらにこの放電が引き金となって電
界放出形陰極が焦げつくなど、素子が破壊して使い物に
ならないといった現象を引き起こす問題があった。
【００１６】また、ＩＴＯ膜の可視領域の透過率は約８
３％であるが、上述した従来のアノード基板２３の構成
では、発光部３４がガラス基板（アノード基板２３）／
ＩＴＯ膜２６／蛍光体層２８の順に積層された層構造な
ので、蛍光体層の発光の約１０％がＩＴＯ膜２６で吸収
または反射され、発光強度が低下するという問題があっ
た。
３％であるが、上述した従来のアノード基板２３の構成
では、発光部３４がガラス基板（アノード基板２３）／
ＩＴＯ膜２６／蛍光体層２８の順に積層された層構造な
ので、蛍光体層の発光の約１０％がＩＴＯ膜２６で吸収
または反射され、発光強度が低下するという問題があっ
た。
【００１７】図９はガラス基板とＩＴＯ膜付きガラス基
板の透過率を示している。この図を見ても明らかなよう
に、ガラス基板のみの場合では、その透過率が約９０％
である。これに対し、ＩＴＯ膜付きガラス基板の場合、
波長５００ｎｍ以下の透過率が低下している。つまり、
可視光領域の透過率は、ＩＴＯ膜が存在すると低下して
いるのが判る。
板の透過率を示している。この図を見ても明らかなよう
に、ガラス基板のみの場合では、その透過率が約９０％
である。これに対し、ＩＴＯ膜付きガラス基板の場合、
波長５００ｎｍ以下の透過率が低下している。つまり、
可視光領域の透過率は、ＩＴＯ膜が存在すると低下して
いるのが判る。
【００１８】そこで、本発明は、上記問題点に鑑みてな
されたものであり、管内へのガスの持ち込み量を低減さ
せ、真空度の向上による寿命改善が図れ、ＩＴＯ膜によ
る吸収、反射を無くして発光強度の向上が図れる発光素
子用アノード基板およびその製造方法を提供することを
目的としている。
されたものであり、管内へのガスの持ち込み量を低減さ
せ、真空度の向上による寿命改善が図れ、ＩＴＯ膜によ
る吸収、反射を無くして発光強度の向上が図れる発光素
子用アノード基板およびその製造方法を提供することを
目的としている。
【００１９】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するた
め、請求項１の発明は、内部が真空状態に保持された外
囲器を有する発光素子の前記外囲器の一部を構成する発
光素子用アノード基板において、基板と、表示領域内の
発光部をなす位置に開口部を有して前記基板上に形成さ
れた黒鉛材料からなるアノード導体を兼ねたブラックマ
トリクス層と、前記ブラックマトリクス層の前記基板の
表面が露出する前記開口部内に被着形成された蛍光体層
とを備えたことを特徴とする。
め、請求項１の発明は、内部が真空状態に保持された外
囲器を有する発光素子の前記外囲器の一部を構成する発
光素子用アノード基板において、基板と、表示領域内の
発光部をなす位置に開口部を有して前記基板上に形成さ
れた黒鉛材料からなるアノード導体を兼ねたブラックマ
トリクス層と、前記ブラックマトリクス層の前記基板の
表面が露出する前記開口部内に被着形成された蛍光体層
とを備えたことを特徴とする。
【００２０】請求項２の発明は、内部が真空状態に保持
された外囲器を有する発光素子の前記外囲器の一部を構
成する発光素子用アノード基板において、基板と、表示
領域から前記基板の端部まで引き出されるように前記基
板上に形成された帯状のアノード配線と、一部が前記ア
ノード配線を覆い、かつ前記表示領域内の発光部をなす
位置に開口部を有して前記基板上に形成された黒鉛材料
からなるアノード導体を兼ねたブラックマトリクス層
と、前記ブラックマトリクス層の前記基板の表面が露出
する前記開口部内に前記ブラックマトリクス層に接する
ように被着形成された蛍光体層とを備えたことを特徴と
する。
された外囲器を有する発光素子の前記外囲器の一部を構
成する発光素子用アノード基板において、基板と、表示
領域から前記基板の端部まで引き出されるように前記基
板上に形成された帯状のアノード配線と、一部が前記ア
ノード配線を覆い、かつ前記表示領域内の発光部をなす
位置に開口部を有して前記基板上に形成された黒鉛材料
からなるアノード導体を兼ねたブラックマトリクス層
と、前記ブラックマトリクス層の前記基板の表面が露出
する前記開口部内に前記ブラックマトリクス層に接する
ように被着形成された蛍光体層とを備えたことを特徴と
する。
【００２１】請求項３の発明は、内部が真空状態に保持
された外囲器を有する発光素子の前記外囲器の一部を構
成する発光素子用アノード基板において、基板と、表示
領域を取り囲むように前記基板上に形成された枠状部
と、該枠状部に連続して前記基板の端部まで引き出され
るように前記基板上に形成された帯状部とからなるアノ
ード配線と、前記アノード配線の前記枠状部を覆い、か
つ前記表示領域内の発光部をなす位置にドット状の開口
部を有して前記基板上に形成された黒鉛材料からなるア
ノード導体を兼ねたブラックマトリクス層と、前記ブラ
ックマトリクス層の前記基板の表面が露出する前記開口
部内にドット状に被着形成された蛍光体層とを備えたこ
とを特徴とする。
された外囲器を有する発光素子の前記外囲器の一部を構
成する発光素子用アノード基板において、基板と、表示
領域を取り囲むように前記基板上に形成された枠状部
と、該枠状部に連続して前記基板の端部まで引き出され
るように前記基板上に形成された帯状部とからなるアノ
ード配線と、前記アノード配線の前記枠状部を覆い、か
つ前記表示領域内の発光部をなす位置にドット状の開口
部を有して前記基板上に形成された黒鉛材料からなるア
ノード導体を兼ねたブラックマトリクス層と、前記ブラ
ックマトリクス層の前記基板の表面が露出する前記開口
部内にドット状に被着形成された蛍光体層とを備えたこ
とを特徴とする。
【００２２】請求項４の発明は、請求項２又は３の発光
素子用アノード基板において、前記アノード配線が透明
導電膜又は金属膜からなることを特徴とする。
素子用アノード基板において、前記アノード配線が透明
導電膜又は金属膜からなることを特徴とする。
【００２３】請求項５の発明は、請求項１〜３の何れか
の発光素子用アノード基板において、アノード駆動電圧
が１〜７ｋＶであることを特徴とする。
の発光素子用アノード基板において、アノード駆動電圧
が１〜７ｋＶであることを特徴とする。
【００２４】請求項６の発明は、内部が真空状態に保持
された外囲器を有する発光素子の前記外囲器の一部を構
成する発光素子用アノード基板の製造方法において、基
板上に、表示領域内の発光部を形成する位置に開口部を
有するアノード導体を兼ねたブラックマトリクス層を黒
鉛材料によって形成する工程と、前記ブラックマトリク
ス層の前記基板の表面が露出する前記開口部内に蛍光体
層を前記ブラックマトリクス層に接するように被着形成
する工程とを含むことを特徴とする。
された外囲器を有する発光素子の前記外囲器の一部を構
成する発光素子用アノード基板の製造方法において、基
板上に、表示領域内の発光部を形成する位置に開口部を
有するアノード導体を兼ねたブラックマトリクス層を黒
鉛材料によって形成する工程と、前記ブラックマトリク
ス層の前記基板の表面が露出する前記開口部内に蛍光体
層を前記ブラックマトリクス層に接するように被着形成
する工程とを含むことを特徴とする。
【００２５】請求項７の発明は、内部が真空状態に保持
された外囲器を有する発光素子の前記外囲器の一部を構
成する発光素子用アノード基板の製造方法において、基
板上に、表示領域から前記基板の端部まで引き出される
ように帯状にアノード配線を導電性薄膜により形成する
工程と、一部が前記アノード配線を覆い、かつ前記表示
領域内の発光部をなす位置に開口部を有するアノード導
体を兼ねたブラックマトリクス層を黒鉛材料によって前
記基板上に形成する工程と、前記ブラックマトリクス層
の前記基板の表面が露出する前記開口部内に蛍光体層を
被着形成する工程とを含むことを特徴とする。
された外囲器を有する発光素子の前記外囲器の一部を構
成する発光素子用アノード基板の製造方法において、基
板上に、表示領域から前記基板の端部まで引き出される
ように帯状にアノード配線を導電性薄膜により形成する
工程と、一部が前記アノード配線を覆い、かつ前記表示
領域内の発光部をなす位置に開口部を有するアノード導
体を兼ねたブラックマトリクス層を黒鉛材料によって前
記基板上に形成する工程と、前記ブラックマトリクス層
の前記基板の表面が露出する前記開口部内に蛍光体層を
被着形成する工程とを含むことを特徴とする。
【００２６】請求項８の発明は、内部が真空状態に保持
された外囲器を有する発光素子の前記外囲器の一部を構
成する発光素子用アノード基板の製造方法において、基
板上に、表示領域を取り囲む枠状部と、該枠状部に連続
して前記基板の端部まで引き出されるようにアノード配
線を導電性薄膜により形成する工程と、前記アノード配
線の前記枠状部を覆い、かつ前記表示領域内の発光部を
なす位置にドット状の開口部を有するアノード導体を兼
ねたブラックマトリクス層を黒鉛材料によって前記基板
上に形成する工程と、前記ブラックマトリクス層の前記
基板の表面が露出する前記開口部内に蛍光体層をドット
状に被着形成する工程とを含むことを特徴とする。
された外囲器を有する発光素子の前記外囲器の一部を構
成する発光素子用アノード基板の製造方法において、基
板上に、表示領域を取り囲む枠状部と、該枠状部に連続
して前記基板の端部まで引き出されるようにアノード配
線を導電性薄膜により形成する工程と、前記アノード配
線の前記枠状部を覆い、かつ前記表示領域内の発光部を
なす位置にドット状の開口部を有するアノード導体を兼
ねたブラックマトリクス層を黒鉛材料によって前記基板
上に形成する工程と、前記ブラックマトリクス層の前記
基板の表面が露出する前記開口部内に蛍光体層をドット
状に被着形成する工程とを含むことを特徴とする。
【００２７】請求項９の発明は、請求項７又は８の発光
素子用アノード基板の製造方法において、前記アノード
配線を透明導電膜又は金属膜で形成することを特徴とす
る。
素子用アノード基板の製造方法において、前記アノード
配線を透明導電膜又は金属膜で形成することを特徴とす
る。
【００２８】
【発明の実施の形態】図１は本発明によるアノード基板
の実施の形態を示す平面図、図２は同アノード基板を用
いたＦＥＤの拡大側断面図（図１のＡ−Ａ’線断面
図）、図３（ａ）〜（ｈ）は同アノード基板の製造工程
を示す図である。
の実施の形態を示す平面図、図２は同アノード基板を用
いたＦＥＤの拡大側断面図（図１のＡ−Ａ’線断面
図）、図３（ａ）〜（ｈ）は同アノード基板の製造工程
を示す図である。
【００２９】なお、図１において表示領域に形成される
ドットマトリクス状の発光部、すなわち図２におけるブ
ラックマトリクス層７及び蛍光体層８については省略し
ている。また、図２に示す本例のＦＥＤ１は、図６に示
す従来のＦＥＤ２１とカソード基板２４側の構成が同一
なので、同一の構成要素には同一番号を付して説明す
る。
ドットマトリクス状の発光部、すなわち図２におけるブ
ラックマトリクス層７及び蛍光体層８については省略し
ている。また、図２に示す本例のＦＥＤ１は、図６に示
す従来のＦＥＤ２１とカソード基板２４側の構成が同一
なので、同一の構成要素には同一番号を付して説明す
る。
【００３０】本例のＦＥＤ１は、フルカラー表示を行う
表示素子であり、内部が高真空状態とされた薄型パネル
状の外囲器２を有している。外囲器２は、絶縁性及び透
光性を有するアノード基板３と、絶縁性を有するカソー
ド基板４とを微小な間隔をおいて対面させ、両基板３，
４の外周部分にスペーサ部材５（例えば低融点ガラス等
の接着材）を設けて封着した構造となっている。外囲器
２のアノード基板３の内面には、アノード配線６が形成
されている。
表示素子であり、内部が高真空状態とされた薄型パネル
状の外囲器２を有している。外囲器２は、絶縁性及び透
光性を有するアノード基板３と、絶縁性を有するカソー
ド基板４とを微小な間隔をおいて対面させ、両基板３，
４の外周部分にスペーサ部材５（例えば低融点ガラス等
の接着材）を設けて封着した構造となっている。外囲器
２のアノード基板３の内面には、アノード配線６が形成
されている。
【００３１】アノード配線６は、図１に一点鎖線で示す
表示領域Ｓを取り囲むように枠状に形成された枠状部分
６ａと、この枠状部分６ａからアノード基板３の端部に
引き出された帯状部分（引出し電極）６ｂからなり、枠
状部分６ａ内はアノード基板３の表面が露出している。
表示領域Ｓを取り囲むように枠状に形成された枠状部分
６ａと、この枠状部分６ａからアノード基板３の端部に
引き出された帯状部分（引出し電極）６ｂからなり、枠
状部分６ａ内はアノード基板３の表面が露出している。
【００３２】アノード配線６の枠状部分６ａの内側に位
置する表示領域Ｓのアノード基板３の表面には、図２に
示すように、マトリクス状の開口部７ａを有するブラッ
クマトリクス層７が形成されている。このブラックマト
リクス層７は、導電性を有する黒鉛材料からなる。
置する表示領域Ｓのアノード基板３の表面には、図２に
示すように、マトリクス状の開口部７ａを有するブラッ
クマトリクス層７が形成されている。このブラックマト
リクス層７は、導電性を有する黒鉛材料からなる。
【００３３】ブラックマトリクス層７のアノード基板３
が露出する開口部７ａ内には、少なくともブラックマト
リクス層７の一部に接するようにＲ（赤色），Ｇ（緑
色），Ｂ（青色）の蛍光体層８が被着形成されている。
図２の例に示すＲ，Ｇ，Ｂの蛍光体層８は、ブラックマ
トリクス層７の開口部７ａを埋めるようにドット状に被
着され、直接アノード基板３の表面に形成されている。
本例のＦＥＤ１では、蛍光体層８が被着された部分が発
光部９をなし、その他の部分が非発光部１０となってい
る。そして、上記アノード配線６と蛍光体層８によりア
ノード電極が構成される。また、本例におけるブラック
マトリクス層７は、アノード導体を兼ね、蛍光体層８を
励起発光させるためのアノード電極として機能する。
が露出する開口部７ａ内には、少なくともブラックマト
リクス層７の一部に接するようにＲ（赤色），Ｇ（緑
色），Ｂ（青色）の蛍光体層８が被着形成されている。
図２の例に示すＲ，Ｇ，Ｂの蛍光体層８は、ブラックマ
トリクス層７の開口部７ａを埋めるようにドット状に被
着され、直接アノード基板３の表面に形成されている。
本例のＦＥＤ１では、蛍光体層８が被着された部分が発
光部９をなし、その他の部分が非発光部１０となってい
る。そして、上記アノード配線６と蛍光体層８によりア
ノード電極が構成される。また、本例におけるブラック
マトリクス層７は、アノード導体を兼ね、蛍光体層８を
励起発光させるためのアノード電極として機能する。
【００３４】図２に示すように、カソード基板４の内面
には、電界放出形陰極２９が設けられている。電界放出
形陰極２９は、カソード基板４の内面に設けられたカソ
ード導体３０と、カソード導体３０に設けられたコーン
形状のエミッタ３１と、エミッタ３１の先端に近接して
設けられたゲート電極３２とを有しており、カソード導
体３０とゲート電極３２は絶縁層３３で絶縁されてい
る。そして、本例では、カソード導体３０とゲート電極
３２を選択的に駆動させることにより、発光対象となる
蛍光体層８への電子の出射が制御される。
には、電界放出形陰極２９が設けられている。電界放出
形陰極２９は、カソード基板４の内面に設けられたカソ
ード導体３０と、カソード導体３０に設けられたコーン
形状のエミッタ３１と、エミッタ３１の先端に近接して
設けられたゲート電極３２とを有しており、カソード導
体３０とゲート電極３２は絶縁層３３で絶縁されてい
る。そして、本例では、カソード導体３０とゲート電極
３２を選択的に駆動させることにより、発光対象となる
蛍光体層８への電子の出射が制御される。
【００３５】尚、必要に応じてゲート電極３２上に第２
の絶縁層を介して第２のゲート電極を設ける等により、
集束用電極（特に、高電圧印加時に有効である）を設け
ると良い。
の絶縁層を介して第２のゲート電極を設ける等により、
集束用電極（特に、高電圧印加時に有効である）を設け
ると良い。
【００３６】次に、上記のように構成されるＦＥＤ１の
アノード基板３の作製方法について図１〜図３を参照し
ながらその手順に沿って説明する。
アノード基板３の作製方法について図１〜図３を参照し
ながらその手順に沿って説明する。
【００３７】まず、絶縁性及び透光性を有するガラス基
板（アノード基板３）をウェット洗浄とＵＶ／Ｏ3 ドラ
イ洗浄する（図３（ａ））。その後、Ａｒガス雰囲気中
でスパッタ法により透明導電膜であるＩＴＯ膜をガラス
基板２上に成膜する（図３（ｂ））。その際のＩＴＯ膜
厚は、例えば０．１〜０．１５μｍであり、この時のシ
ート抵抗は数１０Ω／ｃｍである。
板（アノード基板３）をウェット洗浄とＵＶ／Ｏ3 ドラ
イ洗浄する（図３（ａ））。その後、Ａｒガス雰囲気中
でスパッタ法により透明導電膜であるＩＴＯ膜をガラス
基板２上に成膜する（図３（ｂ））。その際のＩＴＯ膜
厚は、例えば０．１〜０．１５μｍであり、この時のシ
ート抵抗は数１０Ω／ｃｍである。
【００３８】次に、フォトリソ法を用いて前記ＩＴＯ膜
をアノード配線６の形状にパターニングする（図３
（ｃ））。この時のＩＴＯ膜によるアノード配線６の形
状は、図１に示すように、表示領域Ｓを取り囲むように
形成された枠状部６ａと、枠状部６ａからガラス基板２
の端部に引き出された帯状部６ｂからなり、表示領域Ｓ
内はＩＴＯ膜を除去したガラス面となっている。
をアノード配線６の形状にパターニングする（図３
（ｃ））。この時のＩＴＯ膜によるアノード配線６の形
状は、図１に示すように、表示領域Ｓを取り囲むように
形成された枠状部６ａと、枠状部６ａからガラス基板２
の端部に引き出された帯状部６ｂからなり、表示領域Ｓ
内はＩＴＯ膜を除去したガラス面となっている。
【００３９】次に、ブラックマトリクス層７の反転現像
用のリフトオフ膜をＰＶＡ−ＳｂＱ，ＰＶＡ−ＡＤＣ等
の感光材水溶液でスピンナーにより形成する（図３
（ｄ））。この時のリフトオフ膜の膜厚は０．３μｍ〜
０．７μｍとする。
用のリフトオフ膜をＰＶＡ−ＳｂＱ，ＰＶＡ−ＡＤＣ等
の感光材水溶液でスピンナーにより形成する（図３
（ｄ））。この時のリフトオフ膜の膜厚は０．３μｍ〜
０．７μｍとする。
【００４０】続いて、前記リフトオフ膜をフォトリソ法
を用いてパターニングする（図３（ｅ））。この時にＩ
ＴＯ膜による枠状部６ａと後工程で形成されるブラック
マトリクス層７とがコンタクトするようにリフトオフ膜
をパターニングする。
を用いてパターニングする（図３（ｅ））。この時にＩ
ＴＯ膜による枠状部６ａと後工程で形成されるブラック
マトリクス層７とがコンタクトするようにリフトオフ膜
をパターニングする。
【００４１】次に、ブラックマトリクス層７の材料であ
る黒鉛水溶液（黒鉛を主成分とし、水ガラスや低融点ガ
ラス等のガラス系接着剤及びバインダーを含有した水溶
液）をスピンナーで形成する（図３（ｆ））。この時の
黒鉛膜の膜厚は０．６μｍ〜１．４μｍとする。
る黒鉛水溶液（黒鉛を主成分とし、水ガラスや低融点ガ
ラス等のガラス系接着剤及びバインダーを含有した水溶
液）をスピンナーで形成する（図３（ｆ））。この時の
黒鉛膜の膜厚は０．６μｍ〜１．４μｍとする。
【００４２】上記のように黒鉛水溶液を塗布した後のガ
ラス基板２を硝酸、硫酸、硝酸過水、硫酸過水等の酸化
性溶液またはアルカリ系水溶液に浸らせてリフトオフ膜
を膨潤させる。
ラス基板２を硝酸、硫酸、硝酸過水、硫酸過水等の酸化
性溶液またはアルカリ系水溶液に浸らせてリフトオフ膜
を膨潤させる。
【００４３】その後、４０℃〜４５℃の温純水を５ｋｇ
ｆ／ｃｍ2 〜８ｋｇｆ／ｃｍ2 の圧力でスプレーする。
このスプレー現像により感光材膜をリフトオフしてブラ
ックマトリクス層７が図１のパターン形状にパターニン
グされる（図３（ｇ））。
ｆ／ｃｍ2 〜８ｋｇｆ／ｃｍ2 の圧力でスプレーする。
このスプレー現像により感光材膜をリフトオフしてブラ
ックマトリクス層７が図１のパターン形状にパターニン
グされる（図３（ｇ））。
【００４４】次に、ＰＶＡ−ＳｂＱ，ＰＶＡ−ＡＤＣ蛍
光体スラリー液で蛍光体膜を形成する。この時の蛍光体
膜の層数は１〜３層とする。次に、フォトリソ法でブラ
ックマトリクス層７の開口部７ａの開口幅と同等からそ
れ以上の大きさで蛍光体膜をドット状にパターニングし
て蛍光体層８を形成する（図３（ｈ））。
光体スラリー液で蛍光体膜を形成する。この時の蛍光体
膜の層数は１〜３層とする。次に、フォトリソ法でブラ
ックマトリクス層７の開口部７ａの開口幅と同等からそ
れ以上の大きさで蛍光体膜をドット状にパターニングし
て蛍光体層８を形成する（図３（ｈ））。
【００４５】そして、ＩＴＯ膜（アノード配線６）、ブ
ラックマトリクス層７、蛍光体層８がパターニングされ
たガラス基板を５４５℃、２００ｍｉｎの大気焼成を行
う。その後、５６０℃、６０ｍｉｎの真空焼成を行う。
これにより、アノード基板３の作製工程が完了する。
ラックマトリクス層７、蛍光体層８がパターニングされ
たガラス基板を５４５℃、２００ｍｉｎの大気焼成を行
う。その後、５６０℃、６０ｍｉｎの真空焼成を行う。
これにより、アノード基板３の作製工程が完了する。
【００４６】このように、本例のアノード基板３は、ブ
ラックマトリクス層７がアノード配線６の枠状部６ａと
帯状部６ｂを除いてガラス基板上に直接表示領域Ｓを取
り囲むようにして形成され、ブラックマトリクス層７の
開口部７ａ内のガラス基板上に直接蛍光体層８が被着形
成される。
ラックマトリクス層７がアノード配線６の枠状部６ａと
帯状部６ｂを除いてガラス基板上に直接表示領域Ｓを取
り囲むようにして形成され、ブラックマトリクス層７の
開口部７ａ内のガラス基板上に直接蛍光体層８が被着形
成される。
【００４７】したがって、ＩＴＯ膜の無いブラックマト
リクス層７の部分では、図７に示すように、可視光領域
の外光反射率が安定して黒色になり、従来のようなＩＴ
Ｏ膜により外光反射強度が変わって赤紫色に見えること
がなく、表示品位の向上を図ることができる。しかも、
蛍光体層８が直接ガラス基板２上に形成されるので、Ｉ
ＴＯ膜の反射及び吸収を無視でき、従来のガラス基板／
ＩＴＯ膜／蛍光体層の順に積層された構造よりも発光強
度を向上させることができる（図７参照）。
リクス層７の部分では、図７に示すように、可視光領域
の外光反射率が安定して黒色になり、従来のようなＩＴ
Ｏ膜により外光反射強度が変わって赤紫色に見えること
がなく、表示品位の向上を図ることができる。しかも、
蛍光体層８が直接ガラス基板２上に形成されるので、Ｉ
ＴＯ膜の反射及び吸収を無視でき、従来のガラス基板／
ＩＴＯ膜／蛍光体層の順に積層された構造よりも発光強
度を向上させることができる（図７参照）。
【００４８】また、本例のアノード基板３によれば、導
電性部材である黒鉛材料からなるブラックマトリクス層
７がアノード電極（アノード導体）としての機能も兼ね
るので、図５及び図６に示す従来のアノード基板２３と
比較して、ＩＴＯ膜で形成されるアノード配線６の面積
が大幅に縮小され、ＩＴＯ膜を成膜した際のＡｒガスの
持ち込み量が減るとともに、Ａｒガス放出によるＦＥＤ
管内の真空度の低下を抑えることができる。その結果、
従来に比べて寿命特性が良くなり、放電も発生しずらい
という効果を奏する。
電性部材である黒鉛材料からなるブラックマトリクス層
７がアノード電極（アノード導体）としての機能も兼ね
るので、図５及び図６に示す従来のアノード基板２３と
比較して、ＩＴＯ膜で形成されるアノード配線６の面積
が大幅に縮小され、ＩＴＯ膜を成膜した際のＡｒガスの
持ち込み量が減るとともに、Ａｒガス放出によるＦＥＤ
管内の真空度の低下を抑えることができる。その結果、
従来に比べて寿命特性が良くなり、放電も発生しずらい
という効果を奏する。
【００４９】上記実施の形態におけるアノード配線６
は、表示領域Ｓの外側に形成されるので、ＩＴＯ膜に限
らず、Ａｌ，Ｎｂ，Ｍｏ，Ａｕ，Ｔｉ等の金属膜を使用
することができる。その結果、抵抗率の低いものや抵抗
率の安定な材料を使用できる。なお、その際、反転現像
液がアルカリ系の場合のみに限られる。
は、表示領域Ｓの外側に形成されるので、ＩＴＯ膜に限
らず、Ａｌ，Ｎｂ，Ｍｏ，Ａｕ，Ｔｉ等の金属膜を使用
することができる。その結果、抵抗率の低いものや抵抗
率の安定な材料を使用できる。なお、その際、反転現像
液がアルカリ系の場合のみに限られる。
【００５０】さらに、図１に示すように、アノード配線
６の引出しをアノード基板３上でなく、アノード電極と
しても機能するブラックマトリクス層７に不図示の排気
管内を通されるジメット線等により接触導通させて行う
場合は、図１に示すような表示領域Ｓの外側に形成され
るＩＴＯ膜（又は金属膜）からなるアノード配線６が不
要となる。すなわち、アノード電極の全てをブラックマ
トリクス層７で形成することができる。これにより、従
来の構造において問題とされていたＩＴＯ膜を除去して
アノード基板３を作製することができる。
６の引出しをアノード基板３上でなく、アノード電極と
しても機能するブラックマトリクス層７に不図示の排気
管内を通されるジメット線等により接触導通させて行う
場合は、図１に示すような表示領域Ｓの外側に形成され
るＩＴＯ膜（又は金属膜）からなるアノード配線６が不
要となる。すなわち、アノード電極の全てをブラックマ
トリクス層７で形成することができる。これにより、従
来の構造において問題とされていたＩＴＯ膜を除去して
アノード基板３を作製することができる。
【００５１】なお、アノード基板３側から直接アノード
電極の引出しを行う場合には、引出し電極に当たる部分
（アノード配線６の帯状部６ｂ）をガラス基板（アノー
ド基板３）／ブラックマトリクス層７／封止剤（スペー
サ部材５）の順に積層した構成にすると、アノード基板
３とカソード基板４の封着時にリークが発生する可能性
が生ずる。従って、引出し電極に当たるアノード配線６
の帯状部６ｂは必要となる。
電極の引出しを行う場合には、引出し電極に当たる部分
（アノード配線６の帯状部６ｂ）をガラス基板（アノー
ド基板３）／ブラックマトリクス層７／封止剤（スペー
サ部材５）の順に積層した構成にすると、アノード基板
３とカソード基板４の封着時にリークが発生する可能性
が生ずる。従って、引出し電極に当たるアノード配線６
の帯状部６ｂは必要となる。
【００５２】図４は本発明による構造と従来の構造にお
ける駆動電圧と放電の関係を示している。測定サンプル
としては１型のＦＥＤ（対角１インチのデバイスであ
り、このデバイスのアノード−カソード間ギャップは
１．０ｍｍ）を用いた。
ける駆動電圧と放電の関係を示している。測定サンプル
としては１型のＦＥＤ（対角１インチのデバイスであ
り、このデバイスのアノード−カソード間ギャップは
１．０ｍｍ）を用いた。
【００５３】この図４からも明らかなように、従来の構
成では、アノードの駆動電圧を５ｋＶとしたときに放電
サンプルが生じ、アノードの駆動電圧が高くなるに従っ
て放電サンプル数も増している。
成では、アノードの駆動電圧を５ｋＶとしたときに放電
サンプルが生じ、アノードの駆動電圧が高くなるに従っ
て放電サンプル数も増している。
【００５４】これに対し、本例の構成では、アノードの
駆動電圧が７ｋＶまでは放電サンプルがなく、アノード
の駆動電圧を高くしても従来の構成に比べて放電サンプ
ル数が少ないことが判る。したがって、本例の構成によ
れば、アノードの駆動電圧が７ｋＶまでにおいては、放
電サンプルを発生させずに表示可能なＦＥＤを提供する
ことができる。
駆動電圧が７ｋＶまでは放電サンプルがなく、アノード
の駆動電圧を高くしても従来の構成に比べて放電サンプ
ル数が少ないことが判る。したがって、本例の構成によ
れば、アノードの駆動電圧が７ｋＶまでにおいては、放
電サンプルを発生させずに表示可能なＦＥＤを提供する
ことができる。
【００５５】ところで、図１及び図２に示す構成では、
アノード配線６が枠状部６ａと帯状部６ｂを有した形状
であり、表示領域Ｓ（パネルサイズ）の小さいものにつ
いては問題ないが、表示領域Ｓが広くなった場合には枠
状部６ａを例えば田の字状に形成して表示領域Ｓを複数
に分割するのが好ましい。これは、ＢＭの抵抗はＩＴＯ
程低くない（１０００Ω／ｃｍ以上のシート抵抗）ため
大型パネルでは電圧降下が大きくなるからである。
アノード配線６が枠状部６ａと帯状部６ｂを有した形状
であり、表示領域Ｓ（パネルサイズ）の小さいものにつ
いては問題ないが、表示領域Ｓが広くなった場合には枠
状部６ａを例えば田の字状に形成して表示領域Ｓを複数
に分割するのが好ましい。これは、ＢＭの抵抗はＩＴＯ
程低くない（１０００Ω／ｃｍ以上のシート抵抗）ため
大型パネルでは電圧降下が大きくなるからである。
【００５６】また、上述した実施の形態のアノード基板
３は、発光素子としてＦＥＤ１に用いた場合を例にとっ
て説明したが、内部が真空状態に保持された外囲器を有
する発光素子であれば、例えば蛍光表示管（ＶＦＤ）、
高圧発光セル、大型表示装置（ジャンボトロン）等に用
いることもできる。
３は、発光素子としてＦＥＤ１に用いた場合を例にとっ
て説明したが、内部が真空状態に保持された外囲器を有
する発光素子であれば、例えば蛍光表示管（ＶＦＤ）、
高圧発光セル、大型表示装置（ジャンボトロン）等に用
いることもできる。
【００５７】
【発明の効果】以上の説明で明らかなように、本発明に
よれば、透明導電膜（ＩＴＯ膜）の無いブラックマトリ
クス層の部分では、可視光領域の外光反射率が安定して
黒色になり、従来のようなＩＴＯ膜により外光反射強度
が変わって赤紫色に見えることがなく、表示品位の向上
を図ることができる。しかも、蛍光体層が直接基板上に
形成されるので、ＩＴＯ膜の反射及び吸収を無視でき、
従来のガラス基板／ＩＴＯ膜／蛍光体層の順に積層され
た構造よりも発光強度を向上させることができる。
よれば、透明導電膜（ＩＴＯ膜）の無いブラックマトリ
クス層の部分では、可視光領域の外光反射率が安定して
黒色になり、従来のようなＩＴＯ膜により外光反射強度
が変わって赤紫色に見えることがなく、表示品位の向上
を図ることができる。しかも、蛍光体層が直接基板上に
形成されるので、ＩＴＯ膜の反射及び吸収を無視でき、
従来のガラス基板／ＩＴＯ膜／蛍光体層の順に積層され
た構造よりも発光強度を向上させることができる。
【００５８】また、導電性部材である黒鉛材料からなる
ブラックマトリクス層が電極を兼ねるので、従来のアノ
ード基板と比較して、ＩＴＯ膜で形成されるアノード電
極の面積が大幅に縮小され、ＩＴＯ膜を成膜した際のＡ
ｒガスの持ち込み量が減るとともに、Ａｒガス放出によ
るＦＥＤ管内の真空度の低下を抑えることができる。そ
の結果、従来に比べて寿命特性が良くなり、放電も発生
しずらいという効果を奏する。
ブラックマトリクス層が電極を兼ねるので、従来のアノ
ード基板と比較して、ＩＴＯ膜で形成されるアノード電
極の面積が大幅に縮小され、ＩＴＯ膜を成膜した際のＡ
ｒガスの持ち込み量が減るとともに、Ａｒガス放出によ
るＦＥＤ管内の真空度の低下を抑えることができる。そ
の結果、従来に比べて寿命特性が良くなり、放電も発生
しずらいという効果を奏する。
【００５９】アノード配線は、表示領域の外側に形成さ
れるので、ＩＴＯ膜に限らず、Ａｌ，Ｎｂ，Ｍｏ，Ａ
ｕ，Ｔｉ等の金属膜を使用することができる。
れるので、ＩＴＯ膜に限らず、Ａｌ，Ｎｂ，Ｍｏ，Ａ
ｕ，Ｔｉ等の金属膜を使用することができる。
【図１】本発明によるアノード基板の実施の形態を示す
平面図
平面図
【図２】本発明によるアノード基板を用いた電界放出形
表示装置の拡大側断面図
表示装置の拡大側断面図
【図３】（ａ）〜（ｈ）本発明によるアノード基板の製
造工程を示す図
造工程を示す図
【図４】本発明による構造と従来の構造における駆動電
圧と放電の関係を示す図
圧と放電の関係を示す図
【図５】従来のアノード基板の平面図
【図６】図５のアノード基板を用いた電界放出形表示装
置の拡大側断面図
置の拡大側断面図
【図７】ブラックマトリクス／ガラス基板の層構造とブ
ラックマトリクス／ＩＴＯ膜／ガラス基板の層構造の外
光反射率を示す図
ラックマトリクス／ＩＴＯ膜／ガラス基板の層構造の外
光反射率を示す図
【図８】ＩＴＯとブラックマトリクスのＡｒガス放出量
を示す図
を示す図
【図９】ガラス基板とＩＴＯ膜付きガラス基板の透過率
を示す図
を示す図
１…ＦＥＤ（発光素子）、２…外囲器、３…アノード基
板、６…アノード配線、６ａ…枠状部、６ｂ…帯状部、
７…ブラックマトリクス層、７ａ…開口部、８…蛍光体
層、９…発光部、１０…非発光部、Ｓ…表示領域。
板、６…アノード配線、６ａ…枠状部、６ｂ…帯状部、
７…ブラックマトリクス層、７ａ…開口部、８…蛍光体
層、９…発光部、１０…非発光部、Ｓ…表示領域。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き Ｆターム(参考） 5C027 BB04 5C028 JJ03 5C036 CC14 EE04 EE14 EF01 EG28 EG36 EH08
Claims (9)
- 【請求項１】 内部が真空状態に保持された外囲器を有
する発光素子の前記外囲器の一部を構成する発光素子用
アノード基板において、 基板と、 表示領域内の発光部をなす位置に開口部を有して前記基
板上に形成された黒鉛材料からなるアノード導体を兼ね
たブラックマトリクス層と、 前記ブラックマトリクス層の前記基板の表面が露出する
前記開口部内に被着形成された蛍光体層とを備えたこと
を特徴とする発光素子用アノード基板。 - 【請求項２】 内部が真空状態に保持された外囲器を有
する発光素子の前記外囲器の一部を構成する発光素子用
アノード基板において、 基板と、 表示領域から前記基板の端部まで引き出されるように前
記基板上に形成された帯状のアノード配線と、 一部が前記アノード配線を覆い、かつ前記表示領域内の
発光部をなす位置に開口部を有して前記基板上に形成さ
れた黒鉛材料からなるアノード導体を兼ねたブラックマ
トリクス層と、 前記ブラックマトリクス層の前記基板の表面が露出する
前記開口部内に前記ブラックマトリクス層に接するよう
に被着形成された蛍光体層とを備えたことを特徴とする
発光素子用アノード基板。 - 【請求項３】 内部が真空状態に保持された外囲器を有
する発光素子の前記外囲器の一部を構成する発光素子用
アノード基板において、 基板と、 表示領域を取り囲むように前記基板上に形成された枠状
部と、該枠状部に連続して前記基板の端部まで引き出さ
れるように前記基板上に形成された帯状部とからなるア
ノード配線と、 前記アノード配線の前記枠状部を覆い、かつ前記表示領
域内の発光部をなす位置にドット状の開口部を有して前
記基板上に形成された黒鉛材料からなるアノード導体を
兼ねたブラックマトリクス層と、 前記ブラックマトリクス層の前記基板の表面が露出する
前記開口部内にドット状に被着形成された蛍光体層とを
備えたことを特徴とする発光素子用アノード基板。 - 【請求項４】 前記アノード配線が透明導電膜又は金属
膜からなることを特徴とする請求項２又は３記載の発光
素子用アノード基板。 - 【請求項５】 アノード駆動電圧が１〜７ｋＶであるこ
とを特徴とする請求項１〜３の何れかに記載の発光素子
用アノード基板。 - 【請求項６】 内部が真空状態に保持された外囲器を有
する発光素子の前記外囲器の一部を構成する発光素子用
アノード基板の製造方法において、 基板上に、表示領域内の発光部を形成する位置に開口部
を有するアノード導体を兼ねたブラックマトリクス層を
黒鉛材料によって形成する工程と、 前記ブラックマトリクス層の前記基板の表面が露出する
前記開口部内に蛍光体層を前記ブラックマトリクス層に
接するように被着形成する工程とを含むことを特徴とす
る発光素子用アノード基板の製造方法。 - 【請求項７】 内部が真空状態に保持された外囲器を有
する発光素子の前記外囲器の一部を構成する発光素子用
アノード基板の製造方法において、 基板上に、表示領域から前記基板の端部まで引き出され
るように帯状にアノード配線を導電性薄膜により形成す
る工程と、 一部が前記アノード配線を覆い、かつ前記表示領域内の
発光部をなす位置に開口部を有するアノード導体を兼ね
たブラックマトリクス層を黒鉛材料によって前記基板上
に形成する工程と、 前記ブラックマトリクス層の前記基板の表面が露出する
前記開口部内に蛍光体層を被着形成する工程とを含むこ
とを特徴とする発光素子用アノード基板の製造方法。 - 【請求項８】 内部が真空状態に保持された外囲器を有
する発光素子の前記外囲器の一部を構成する発光素子用
アノード基板の製造方法において、 基板上に、表示領域を取り囲む枠状部と、該枠状部に連
続して前記基板の端部まで引き出されるようにアノード
配線を導電性薄膜により形成する工程と、 前記アノード配線の前記枠状部を覆い、かつ前記表示領
域内の発光部をなす位置にドット状の開口部を有するア
ノード導体を兼ねたブラックマトリクス層を黒鉛材料に
よって前記基板上に形成する工程と、 前記ブラックマトリクス層の前記基板の表面が露出する
前記開口部内に蛍光体層をドット状に被着形成する工程
とを含むことを特徴とする発光素子用アノード基板の製
造方法。 - 【請求項９】 前記アノード配線を透明導電膜又は金属
膜で形成することを特徴とする請求項７又は８記載の発
光素子用アノード基板の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000102438A JP2001283750A (ja) | 2000-04-04 | 2000-04-04 | 発光素子用アノード基板およびその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000102438A JP2001283750A (ja) | 2000-04-04 | 2000-04-04 | 発光素子用アノード基板およびその製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2001283750A true JP2001283750A (ja) | 2001-10-12 |
Family
ID=18616319
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2000102438A Pending JP2001283750A (ja) | 2000-04-04 | 2000-04-04 | 発光素子用アノード基板およびその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2001283750A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7271783B2 (en) | 2003-05-21 | 2007-09-18 | Hitachi, Ltd. | Display device |
| CN100411084C (zh) * | 2003-01-17 | 2008-08-13 | 三星Sdi株式会社 | 阳极基板包括由碳基材料制成的导电层的平板显示设备 |
| JP2009272260A (ja) * | 2008-05-09 | 2009-11-19 | Futaba Corp | 蛍光表示管とその製造方法 |
| JP2009541931A (ja) * | 2006-06-21 | 2009-11-26 | トムソン ライセンシング | ディスプレイ向け二つの珪酸塩のマトリクスのコーティング |
-
2000
- 2000-04-04 JP JP2000102438A patent/JP2001283750A/ja active Pending
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
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| US7271783B2 (en) | 2003-05-21 | 2007-09-18 | Hitachi, Ltd. | Display device |
| JP2009541931A (ja) * | 2006-06-21 | 2009-11-26 | トムソン ライセンシング | ディスプレイ向け二つの珪酸塩のマトリクスのコーティング |
| JP2009272260A (ja) * | 2008-05-09 | 2009-11-19 | Futaba Corp | 蛍光表示管とその製造方法 |
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