CN104253234B - 电光学装置、电光学装置的制造方法以及电子设备 - Google Patents

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Abstract

本发明涉及电光学装置、电光学装置的制造方法以及电子设备。提供一种有机EL装置(1)，其特征在于，具备：元件基板(10)；设置在元件基板(10)上且包括发光功能层(26)的发光元件(27)；设置为覆盖发光元件(27)的密封层(30)；以及设置在密封层(30)上且由树脂材料形成的滤色层(50)，密封层(30)具有凸状部(35)，该凸状部以包围密封层(30)的中央部的方式配置在外边缘部且被形成为膜厚比中央部厚。

Description

电光学装置、电光学装置的制造方法以及电子设备
技术领域
本发明涉及电光学装置、电光学装置的制造方法以及电子设备。
背景技术
有机EL(电致发光)装置在元件基板上具备在阳极和阴极之间夹持有发光功能层的发光元件。发光功能层的材料多数容易与大气中的水分或者氧反应而劣化。因此，使用以覆盖发光元件的方式配置缓冲层和气体阻挡层来防止水分或者氧的侵入的被称为薄膜密封结构的技术。薄膜密封结构(缓冲层、气体阻挡层)例如配置在元件基板上的比排列有发光元件的发光区域更广的范围。另外，滤色器例如设置在与元件基板上的发光元件对置配置的对置基板。
在有机EL装置作为例如头戴式显示器(HMD)等小型的电子设备的显示装置而使用的情况下，对于有机EL装置要求像素的高精细化、边框区域(发光区域的周围的实际上无助于发光的区域)的极小化。为了使像素高精细化，需要将发光元件和滤色器的位置偏移抑制为更小。因此，提出了不在对置基板而在元件基板的薄膜密封结构上形成滤色器的单片(on-chip)滤色器的结构(例如，参照专利文献1)。
专利文献1所述的有机EL装置中，在包括由树脂材料构成的平坦化层(缓冲层)和由无机材料构成的密封层(气体阻挡层)的薄膜密封结构上形成具有多个着色层的滤色器。多个着色层和划分着色层(像素的区域)彼此的隔壁由丙烯酸等树脂材料构成。在形成滤色器时，着色层被涂覆到元件基板上的整面即比薄膜密封结构的外周端部更外侧，之后，除去着色层中发光区域以外的部分。
专利文献1：日本特开2012－38677号公报
然而，在专利文献1所述的具有单片滤色器结构的有机EL装置中，在使被涂覆在薄膜密封结构上的整面的着色层的树脂材料湿式扩散进行整平时，在薄膜密封结构的外周端部中的与元件基板的阶梯差的附近，树脂材料的膜厚变薄。若减小有机EL装置的边框区域，则发光区域的外周端部和元件基板的外周端部的距离变小，所以发光区域的外周端部和薄膜密封结构的外周端部的距离即滤色器的外周端部和薄膜密封结构的外周端部的距离也变小。其结果，发光区域内的着色层(滤色器)的膜厚与中央部相比，在外边缘部变薄，所以存在在发光区域内产生发光不均匀(颜色不均匀或者亮度不均匀)而有机EL装置的显示品质下降这样的技术问题。
发明内容
本发明是为了解决上述的课题的至少一部分而提出的，能够作为以下的方式或者应用例来实现。
(应用例1)本应用例的电光学装置的特征在于，具备：基板；发光元件，其设置在上述基板上且包括第1电极、与上述第1电极对置配置的第2电极、以及配置在上述第1电极和上述第2电极之间的有机发光层；密封层，其以覆盖上述发光元件的方式设置在上述发光元件上；以及光学层，其设置在上述密封层上且由树脂材料形成，其中，上述密封层具有凸状部，该凸状部以包围上述密封层的中央部的方式配置在外边缘部且被形成为膜厚比上述中央部厚。
根据本应用例的结构，覆盖发光元件的密封层在外边缘部具有被形成为膜厚比中央部厚的凸状部，在密封层上设置有由树脂材料形成的光学层。因此，在形成光学层时，若将树脂材料涂覆在元件基板上的整面，则树脂材料以横跨密封层的凸状部的方式配置，但是即使配置在凸状部的外侧的树脂材料在外周端部中的与元件基板的阶梯差附近被整平，配置在凸状部的内侧的树脂材料的向外侧的湿式扩散也被凸状部抑制。因此，与没有凸状部的情况相比，能够使形成在凸状部的内侧的光学层的膜厚更均匀。由此，因为凸状部的内侧的发光不均匀被抑制，所以能够提高电光学装置的显示品质。
(应用例2)是上述应用例所涉及的电光学装置，优选地，上述密封层包括由树脂材料形成的第1密封层、以及由无机材料以覆盖上述第1密封层的方式形成的第2密封层，上述密封层的上述凸状部反映以包围上述第1密封层的中央部的方式配置在上述第1密封层的外边缘部的凸状部的形状。
根据本应用例的结构，密封层的凸状部是反映构成密封层的第1密封层的凸状部的形状的部件。第1密封层由树脂材料形成，所以与用无机材料形成第1密封层的情况相比，能够容易地形成凸状部。
(应用例3)是上述应用例所涉及的电光学装置，优选地，上述密封层的上述凸状部以在俯视时包围配置有上述发光元件的区域的周围的方式设置，上述光学层与上述密封层的上述凸状部相比被配置在内侧。
根据本应用例的结构，以在俯视时包围配置有发光元件的发光区域的周围的方式设置有密封层的凸状部，光学层与凸状部相比被配置在内侧。由此，能够在发光区域内使光学层的膜厚均匀。
(应用例4)是上述应用例所涉及的电光学装置，优选地，上述密封层的上述凸状部的厚度为上述光学层的厚度的50％以上且400％以下。
若密封层的凸状部的厚度小于光学层的厚度的50％，则为了形成光学层而配置在凸状部的内侧的树脂材料的向外侧的湿式扩散变得难以被抑制。另一方面，若密封层的凸状部的厚度变厚到超过光学层的厚度的400％的程度，则凸状部的宽度变大，所以密封层的外周端部向更外侧扩大，且边框区域变大。根据本应用例的结构，密封层的凸状部的厚度为光学层的厚度的50％以上且400％以下，所以能够抑制配置在凸状部的内侧的用于形成学层的树脂材料的向外侧的湿式扩散，并且将边框区域抑制为较小。
(应用例5)是上述应用例所涉及的电光学装置，上述光学层也可以包括被层叠的两层以上的层。
根据本应用例的结构，光学层包括被层叠的两层以上的层，所以能够提供光学层由具有不同功能的两层以上的层构成的电光学装置。
(应用例6)是上述应用例所涉及的电光学装置，上述光学层也可以包括滤色层。
根据本应用例的结构，通过具备滤色器作为光学层，从而能够提供能够进行利用特定的颜色光或者全彩色的显示或者发光的电光学装置。
(应用例7)是上述应用例所涉及的电光学装置，上述光学层可以包括微透镜阵列。
根据本应用例的结构，通过具备微透镜阵列作为光学层，从而能够提供能够对来自发光元件的光进行聚光来射出的电光学装置。例如，具备微透镜阵列和滤色器的电光学装置的情况下，通过利用微透镜对被遮光层遮光的光进行聚光，从而能够使其入射至滤色器的开口部(像素的区域)，所以能够提高光的利用效率。
(应用例8)本应用例的电子设备的特征在于，具备上述应用例所述的电光学装置。
根据本应用例的结构，能够提供具备发光不均匀被抑制且具有高显示品质的电光学装置的电子设备。
(应用例9)本应用例所述的电光学装置的制造方法的特征在于，具备：在基板上配置第1电极、有机发光层以及第2电极而形成发光元件的工序；在上述发光元件上以覆盖上述发光元件的方式层叠第1密封层和第2密封层来形成密封层的工序；以及在上述密封层上涂覆树脂材料而形成光学层的工序，其中，在上述形成第1密封层的工序中，在上述第1密封层的上述外边缘部形成膜厚比上述中央部厚的凸状部。
根据本应用例的制造方法，在第1密封层的上述外边缘部形成膜厚比上述中央部厚的凸状部。因此，在形成光学层的工序中，配置在凸状部的内侧的树脂材料的向外侧的湿式扩散被凸状部抑制，所以与不形成凸状部的情况相比，能够使形成在凸状部的内侧的光学层的膜厚更均匀。
(应用例10)是上述应用例所涉及的电光学装置的制造方法，优选地，在上述形成第1密封层的工序中，隔着具有上述树脂材料通过的第1部分、和被配置成包围上述第1部分且上述树脂材料不通过的第2部分的印网掩模(Screen mask)涂覆上述树脂材料。
根据本应用例的制造方法，能够容易地在第1密封层的外边缘部设置凸状部。
(应用例11)是上述应用例所涉及的电光学装置的制造方法，优选地，使上述印网掩模的上述第2部分的厚度变化。
根据本应用例的制造方法，通过使印网掩模的第2部分的厚度变化，来使第1部分的外边缘部中的树脂材料的凸起量变化，所以能够调整形成的第1密封层的凸状部的膜厚。
(应用例12)是上述应用例所涉及的电光学装置的制造方法，优选地，使开口率在上述印网掩模的上述第1部分的外边缘部和中央部中不同。
根据本应用例的制造方法，通过使开口率即每单位面积的开口面积的比率在印网掩模的第1部分的外边缘部和中央部中不同，从而能够使树脂材料的每单位面积的涂覆量在第1部分的外边缘部和中央部中不同。由此，能够调整形成的第1密封层的凸状部的膜厚和凸状部的内侧的部分的膜厚的差。
(应用例13)是上述应用例所涉及的电光学装置的制造方法，优选地，上述形成光学层的工序包括形成多个着色层的工序，在上述形成多个着色层的工序中，最后形成上述多个着色层中的膜厚最厚的上述着色层。
例如，在形成以三个颜色的着色层作为多个着色层排列的方式配置的光学层的情况下，若除去最初形成的着色层中的必要的部分以外，则下层的密封层在残留的部分的两侧露出。而且，若将接下来形成的着色层中的必要的部分以外除去，则下层的密封层在残留的部分的单侧露出，但是在将最后形成的着色层中的必要的部分以外除去时，先形成的着色层存在于残留的部分的两侧。这里，在将必要的部分以外除去时，下层的密封层在残留的部分的至少单侧露出的情况下，有可能产生残留的着色层的脱落，着色层的厚度越厚其风险越大。根据本应用例的制造方法，因为最后形成多个着色层中的膜厚最厚的着色层，所以能够将产生着色层的脱落的风险抑制为较小。
附图说明
图1是表示第1实施方式的有机EL装置的电气结构的等效电路图。
图2是表示第1实施方式的有机EL装置的结构的示意俯视图。
图3是沿着图2的A－A’线的概要剖视图。
图4是图3的B部的放大图。
图5是图3的C部的放大图。
图6是对第1实施方式的有机EL装置的制造方法进行说明的示意图。
图7是对第1实施方式的有机EL装置的制造方法进行说明的示意图。
图8是对印网掩模的构成进行说明的示意图。
图9是对印网掩模的构成进行说明的示意图。
图10是表示第2实施方式的有机EL装置的结构的概要剖视图。
图11是表示作为第3实施方式的电子设备的头戴式显示器的结构的概要图。
图12是表示具备现有的密封层的有机EL装置的比较例的图。
具体实施方式
以下，参照附图对将本发明具体化的实施方式进行说明。使用的附图以说明的部分成为能够识别的状态的方式适当地放大或者缩小地显示。另外，有时省略说明所必要的构成要素以外的图示。
此外，在以下的方式中，例如记载为“在基板上”的情况，表示以与基板的上面接触的方式配置的情况、或者经由其他的构成物配置在基板上的情况、或者一部分以与基板的上面接触的方式配置且一部分经由其他的构成物配置的情况。
(第1实施方式)
＜有机EL装置＞
首先，参照附图对作为第1实施方式的电光学装置的有机EL装置的结构进行说明。图1是表示第1实施方式的有机EL装置的电气结构的等效电路图。图2是表示第1实施方式的有机EL装置的结构的示意俯视图。此外，图2中，省略对置基板40以及粘合层41(参照图3)的图示。
如图1所示，有机EL装置1是使用晶体管作为开关元件的有源矩阵型的有机EL装置。晶体管例如是使用薄膜半导体层的薄膜晶体管(Thin Film Transistor，以下，称为TFT)。
有机EL装置1具备作为基板的元件基板10(参照图2)、设置在元件基板10上的扫描线12、在与扫描线12交叉的方向延伸的信号线13、以及与信号线13平行延伸的电源线14。信号线13连接有具备移位寄存器、电平转换器、视频线以及模拟开关的信号线驱动电路15。另外，扫描线12连接有具备移位寄存器以及电平转换器的扫描线驱动电路16。
利用扫描线12和信号线13划分子像素39(参照图2)的区域。子像素39是有机EL装置1的显示的最小单位，例如，沿着扫描线12的延伸方向和信号线13的延伸方向排列成矩阵状。在各子像素39设置有开关用晶体管21、驱动用晶体管23、保持电容22、作为第1电极的阳极24、作为第2电极的阴极25、以及包括有机发光层的发光功能层26。
由阳极24、阴极25、以及发光功能层26构成发光元件(有机EL元件)27。在发光元件27中，从阳极24侧注入的空穴和从阴极25侧注入的电子在发光功能层26的有机发光层再结合从而发光。
在有机EL装置1中，若扫描线12被驱动而开关用晶体管21成为接通状态，则经由信号线13供给的图像信号被保持电容22保持，根据保持电容22的状态来决定驱动用晶体管23的源极和漏极之间的导通状态。而且，在阳极24经由驱动用晶体管23与电源线14电连接时，电流从电源线14流向阳极24，而且电流通过发光功能层26流向阴极25。
该电流成为与驱动用晶体管23的源极和漏极之间的导通状态对应的电平。此时，驱动用晶体管23的源极和漏极之间的导通状态即驱动用晶体管23的沟道的导通状态被驱动用晶体管23的栅极电位控制。而且，发光功能层26的有机发光层以与阳极24和阴极25之间流通的电流量对应的亮度发光。
换言之，在利用驱动用晶体管23控制发光元件27的发光状态时，驱动用晶体管23的源极以及漏极的任意一方与电源线14电连接，驱动用晶体管23的源极以及漏极的任意另一方与发光元件27电连接。
如图2所示，有机EL装置1在元件基板10上具有：具有大致矩形的平面形状的发光区域E、和包围发光区域E的周围的边框区域F。发光区域E在有机EL装置1中，是实际上有助于发光的区域。边框区域F在有机EL装置1中，是实际上无助于发光的区域。
此外，在便携式设备等电子设备中，为了使设备的外形小型化，要求使显示部相对于电子设备的外形尽量大(宽)。因此，在有机EL装置1使用于便携式设备等小型的电子设备的显示部的情况下，优选发光区域E相对于元件基板10的外形尽量大(宽)，边框区域F尽量小(窄)。
在发光区域E例如呈矩阵状地排列有子像素39(发光元件27)。子像素39具有例如大致矩形的平面形状。子像素39的大致矩形状的四个角也可以较圆地形成。该情况下，子像素39的平面形状由与四个边和四个角对应的弯曲部构成。
本实施方式的有机EL装置1具有发出红色(R)光的子像素39R、发出绿色(G)光的子像素39G、以及发出蓝色(B)光的子像素39B。以下，在不区别对应的颜色的情况下，仅记载为子像素39。在各子像素39设置有发光元件27。
在发光元件27上以覆盖发光元件27的方式设置有密封层30。密封层30配置在比发光区域E更广的范围。换言之，密封层30的外周端部配置在边框区域F。密封层30具有俯视时呈框状地设置在其外边缘部的凸状部35。凸状部35优选被设置成包围发光区域E的周围。
密封层30上设置有作为光学层的滤色层50。滤色层50在俯视时与密封层30的凸状部35相比更内侧，以与配置有发光元件27的发光区域E重叠的方式配置。
发光区域E的周围配置有两个扫描线驱动电路16(参照图1)和检查电路(省略图示)。检查电路是用于检查有机EL装置1的工作状况的电路。元件基板10的外周边缘部配置有阴极用布线(省略图示)。另外，元件基板10的一边侧设置有端子部37。有机EL装置1在端子部37中，例如与具备驱动用IC的软性基板等连接。
在本实施方式的有机EL装置1中，由子像素39R、39G、39B构成形成图像时的一个单位亦即像素38。有机EL装置1通过在各个像素38中适当地改变子像素39R、39G、39B的各自的亮度，能够射出各种颜色的光。由此，有机EL装置1能够进行全彩色显示或者全彩色发光。
此外，有机EL装置1也可以在发光区域的外侧即边框区域F具备配置有发光元件27的虚设区域。该情况下，配置在虚设区域的发光元件27也可以不具备阳极24。另外，在有机EL装置1具备虚设区域的情况下，密封层30的凸状部35以包围发光区域E的外侧的虚设区域的周围的方式设置，在密封层30的凸状部35的内侧，滤色层50也可以不仅配置在发光区域E还配置在虚设区域。
接下来，参照图3、图4以及图5对第1实施方式的有机EL装置1的结构进行说明。图3是沿着图2的A－A’线的概要剖视图。图4是图3的B部的放大图。图5是图3的C部的放大图。
参照图3，对有机EL装置1的概要结构进行说明。如图3所示，有机EL装置1具备设置有发光元件(有机EL元件)27的元件基板10、以在与元件基板10之间夹持发光元件27方式配置的对置基板40、以及配置在元件基板10和对置基板40之间的粘合层41。
在元件基板10上设置有发光元件27、隔壁28(参照图4)、阴极保护层29、密封层30、以及滤色层50。有机EL装置1具有在元件基板10上具备滤色层50的所谓的单片滤色器结构。
在本说明书中，将与元件基板10的上表面平行的方向设为X方向，将与上表面平行且与X方向交叉的方向设为Y方向。另外，将与X方向以及Y方向交叉的元件基板10的厚度方向设为Z方向。此外，如图2所示，将从元件基板10的上表面的法线方向(Z方向)观察有机EL装置1的情况称为“俯视”，如图3所示，将从Y方向观察有机EL装置1的剖面的情况称为“剖视”。另外，将图3中的有机EL装置1的对置基板40侧(+Z方向)称为“上方”，将元件基板10侧(－Z方向)称为“下方”。
本实施方式的密封层30在元件基板10上以覆盖阴极保护层29的方式设置。密封层30由作为第1密封层的缓冲层32、和作为第2密封层的气体阻挡层34构成。
缓冲层32设置在阴极保护层29上。缓冲层32形成为与发光区域E重叠且其外周端部到达边框区域F。优选缓冲层32的外周端部与阴极保护层29的外周端部相比配置在内侧。缓冲层32在外边缘部具有朝向上方鼓起的凸状部33。凸状部33是在缓冲层32被形成为膜厚比中央部厚的部分。凸状部33被设置成包围发光区域E的周围。优选凸状部33配置在发光区域E的外侧即边框区域F。
气体阻挡层34以覆盖阴极保护层29和缓冲层32的方式设置。优选气体阻挡层34的外周端部与缓冲层32的外周端部相比配置在外侧。气体阻挡层34以大致均匀的膜厚形成在缓冲层32上。因此，气体阻挡层34的表面成为反映具有凸状部33的缓冲层32的表面的形状。即密封层30在外边缘部具有反映缓冲层32的凸状部33的形状的凸状部35，凸状部35以包围发光区域E的周围的方式配置。将从凸状部35的发光区域E侧的一端到缓冲层32的一端的宽度(X方向上的长度)设为H。
滤色层50设置在密封层30(气体阻挡层34)上。滤色层50与密封层30的凸状部35相比在内侧以与发光元件27重叠的方式配置。
设置到有滤色层50的元件基板10和对置基板40经由粘合层41粘合固定。粘合层41例如配置在与密封层30重叠的范围。
在有机EL装置1是从发光元件27发出的光射出至元件基板10的下方侧的底部发射型的情况下，元件基板10使用透光性材料。另外，在有机EL装置1是从发光元件27发出的光射出至上方的对置基板40侧的顶部发光型的情况下，对置基板40使用透光性材料。在本实施方式中，有机EL装置1是顶部发光型。
参照图4对有机EL装置1的详细结构进行说明。如图4所示，元件基板10具有基板主体11和电路元件层17。基板主体11例如由玻璃、石英、树脂、陶瓷等构成。基板主体11的材料也可以是硅(Si)。对置基板40例如由玻璃、石英、树脂、陶瓷等具有透光性的材料构成。
电路元件层17设置在基板主体11上。电路元件层17包括驱动用晶体管23和未图示的层间绝缘层以及平坦化层。驱动用晶体管23设置在每一子像素39(39R、39G、39B)。驱动用晶体管23具备半导体膜、栅极绝缘层、栅电极、漏电极以及源电极。栅电极按照将覆盖半导体膜的栅极绝缘层夹持在中间在半导体膜的沟道区域平面地重叠的方式配置。
漏电极经由设置在覆盖栅电极和栅极绝缘层的层间绝缘层的接触孔，与半导体膜的漏极区域导电连接。源电极相同地经由接触孔，与半导体膜的源极区域导电连接。平坦化层以覆盖漏电极以及源电极的方式设置，缓和由这些电极或者其他的布线部造成的表面的凹凸。
阳极24在元件基板10上设置在每一子像素39(39R、39G、39B)。阳极24例如由ITO(Indium Tin Oxide：铟锡氧化物)、IZO(Indium Zinc Oxide：铟氧化锌)等金属氧化物或者合金等构成。阳极24例如形成为俯视呈大致矩形状。阳极24经由设置在电路元件层17的接触孔，与驱动用晶体管23的漏电极电连接。
隔壁(bank)28在元件基板10上以俯视时呈大致格子状的方式设置。隔壁28例如是剖面形状具有倾斜面的梯形状，为了确保相邻的阳极24间的绝缘性且使子像素39的形状成为所期望的形状(例如，轨道形状)，而以规定宽度接触阳极24的周边部的方式形成。
隔壁28的开口部成为子像素39的区域。另外，与隔壁28重叠的区域即子像素39的区域以外的区域成为遮光区域53。隔壁28例如由丙烯酸树脂、聚酰亚胺树脂等具有耐热性、耐溶剂性的有机材料构成。隔壁28也可以由例如硅氧化膜(SiO2)等无机材料形成。
发光功能层26例如设置在被隔壁28划分的各子像素39(39R、39G、39B)的区域中的阳极24上。发光功能层26具备例如发出白色光的有机发光层。发光功能层26也可以以覆盖阳极24和隔壁28的方式设置在发光区域E的整面。
发光功能层26具有由有机材料构成的有机发光层(电致发光层)。发光功能层26也可以是除了有机发光层以外还具备空穴输送层、空穴注入层、电子注入层、电子输送层、空穴阻止层、电子阻止层等其他层的结构。在有机EL装置1是顶部发光型的情况下，从发光功能层26发出的各色光如图4箭头所示向上方射出。
在发光功能层26上以覆盖隔壁28以及发光功能层26的方式设置有阴极25。阴极25例如由钙(Ca)、镁(Mg)、钠(Na)、锂(Li)等金属或者这些金属的金属化合物构成。
阴极保护层29以覆盖阴极25、阴极用布线(省略图示)的方式设置。阴极保护层29具有保护发光元件27隔离氧、水分的功能。另外，也具有保护包括阴极25的发光元件27隔离上层的缓冲层32所包含的有机成分的功能。阴极保护层29例如由硅氧化膜(SiO2)、硅氮化膜(SiN)、硅酸氮化膜(SiON)等无机材料构成。阴极保护层29例如使用ECR溅射法、离子镀法等高密度等离子体成膜法来形成。
缓冲层32设置在阴极保护层29上。缓冲层32具有缓和由于元件基板10的弯曲或者体积膨胀而产生的应力或者从外部施加的机械式冲击以及应力而防止在上层的气体阻挡层34以及下层的阴极保护层29产生裂纹、脱落的功能。另外，缓冲层32具有通过缓和在发光区域E中由于隔壁28的形状而产生的阴极保护层29表面的阶梯差或者凹凸而使气体阻挡层34被成膜的面大致平坦化来减少气体阻挡层34中的应力集中的部位的功能。
作为缓冲层32的材料，例如能够使用环氧树脂、丙烯酸树脂、聚氨基甲酸乙酯树脂、有机硅树脂等具有透光性的树脂材料。其中，优选使用固化时的收缩(体积变化)程度较少的环氧树脂。
气体阻挡层34以覆盖阴极保护层29和缓冲层32的方式设置。气体阻挡层34具有防止氧、水分浸入其内侧的功能。由此，氧、水分向阴极25或者发光功能层26的浸入被抑制，所以能够抑制阴极25或者发光功能层26的劣化等。气体阻挡层34例如由硅氧化膜(SiO2)、硅氮化膜(SiN)、硅酸氮化膜(SiON)等无机化合物构成。气体阻挡层34例如使用ECR溅射法、离子镀法等高密度等离子体成膜法而被形成为较硬的致密的膜。
滤色层50设置在密封层30上(气体阻挡层34上)。滤色层50由滤色器51和隔壁52构成。滤色层50作为滤色器51具有透过红色(R)光的滤色器51R、透过绿色(G)光的滤色器51G、以及透过蓝色(B)光的滤色器51B。
滤色器51R、51G、51B分别与子像素39R、39G、39B对应，例如配置成沿着Y方向的条纹状。滤色器51R、51G、51B例如对分散有颜料等的负型丙烯酸等透光性树脂材料刻画图案而形成。以下，在不区别对应的颜色的情况下，仅记载为滤色器51。
在各滤色器51分散有与各子像素39的发光颜色一致的颜料。在滤色器51R分散有使与红色光相当的波长范围的光即波长为约610nm～约750nm的范围内的光透过，但吸收除此以外的波长范围的光的材料。
在滤色器51G分散有使与绿色光相当的波长范围的光即波长为约500nm～约560nm的范围内的光透过，但吸收除此以外的波长范围的光的材料。在滤色器51B分散有使与蓝色光相当的波长范围的光即波长为约435nm～约480nm的范围内的光透过，但吸收除此以外的波长范围的光的材料。
隔壁52划分各子像素39的区域所对应的各滤色器51的区域。换言之，隔壁52配置在子像素39的区域以外的遮光区域53。隔壁52具有对从发光元件27发出的光中从遮光区域53射出的光进行遮光或者减光的功能。隔壁52例如配置成沿着Y方向的条纹状。
隔壁52既可以是滤色器51R、51G、51B的任意一个兼有其功能的结构，也可以是层叠有滤色器51R、51G、51B中的至少两个的结构。此外，滤色器51R、51G、51B可以配置成矩阵状。该情况下，隔壁52也可以与划分子像素39的区域的隔壁28对应地配置成大致格子状。
设置到有滤色层50的元件基板10和对置基板40经由粘合层41粘合固定。粘合层41例如由环氧树脂等具有透光性的粘合剂构成。粘合层41具有固定元件基板10和对置基板40，且缓和来自外部的机械式的冲击的功能。
接着，参照图5，进一步对密封层30的结构进行说明。如图5所示，将缓冲层32的膜厚最厚的部分的厚度(Y方向上的长度)设为L1。缓冲层32的膜厚最厚的部分是凸状部33的顶点部分，厚度L1是阴极保护层29的表面(上面)29a和凸状部33的顶点的Y方向上的距离。
另外，将缓冲层32中凸状部33的内侧的大致平坦的部分的厚度(Y方向上的长度)设为L2，将以大致平坦的部分为基准的凸状部33的厚度(Y方向上的长度)设为L3。厚度L2是将配置在边框区域F的阴极保护层29的表面(缓冲层3两侧的面)29a作为基准面时的阴极保护层29的表面29a和缓冲层32的大致平坦的部分的表面(上面)32a的Y方向上的距离。厚度L3是缓冲层32的大致平坦的部分的表面32a和凸状部33的顶点的Y方向上的距离。
将密封层30的凸状部35的厚度(Y方向上的长度)设为L4。厚度L4是气体阻挡层34的大致平坦的部分的表面(上面)34a和凸状部35的顶点的Y方向上的距离。这里，气体阻挡层34的膜厚与缓冲层32的大致平坦的部分的厚度L2或者凸状部33的厚度L3相比，能够视为在气体阻挡层34的整个区域是均匀的。若将气体阻挡层34的膜厚设为T1，膜厚T1在缓冲层32上的整个区域是均匀的，则成为L4＝L3＝L1－L2。
在密封层30中，若将滤色层50的膜厚设为T2，则优选凸状部35的厚度L4(凸状部33的厚度L3)是滤色层50的膜厚T2的50％以上并且400％以下左右，进一步优选约是滤色层50的膜厚T2的50％以上并且200％以下左右。这是因为以下的理由。
若凸状部35的厚度L4(凸状部33的厚度L3)小于滤色层50的膜厚T2的50％，则在形成滤色层50时，难以抑制配置在凸状部35的内侧的树脂材料的向外侧的湿式扩散。此外，后述形成滤色层50的方法。
另一方面，若凸状部35的厚度L4(凸状部33的厚度L3)增厚到超过滤色层50的膜厚T2的400％，则凸状部35的宽度(X方向上的长度，由图3的H表示)也相对地变大。这样一来，密封层30的外周端部进一步向外侧(元件基板10的外周端部侧)扩散，其结果，边框区域F变大。
另外，优选凸状部35与发光区域E相比配置在外侧(边框区域F)，但是若在凸状部35的宽度较大的情况下减小边框区域F，则成为凸状部35从气体阻挡层34的大致平坦的部分的表面34a突起的部分配置在发光区域E的内侧的情况。
根据本实施方式的结构，由于凸状部35的厚度L4(凸状部33的厚度L3)是滤色层50的膜厚T2的50％以上且400％以下，所以能够在形成滤色层50时，抑制配置在凸状部35的内侧的树脂材料的向外侧的湿式扩散且将边框区域F抑制为较小。另外，若凸状部35的厚度L4(凸状部33的厚度L3)是滤色层50的膜厚T2的200％以下，则能够更小地抑制边框区域F。
此外，缓冲层32的大致平坦的部分的厚度L2适当地设定为，缓和由于隔壁28的形状(厚度)而产生的阴极保护层29表面的阶梯差或者凹凸且缓和元件基板10的弯曲等或者来自外部的应力所需要的厚度。在本实施方式中，例如，使缓冲层32的大致平坦的部分的厚度L2为2μm左右，使凸状部33的厚度L3为2μm左右。因此，凸状部35的厚度L4是2μm左右，缓冲层32的最厚的部分的厚度L1是4μm左右。若使滤色层50的膜厚T2为1.5μm左右，则凸状部35的厚度L4(凸状部33的厚度L3)约为滤色层50的膜厚T2的133％。
＜有机EL装置的制造方法＞
接下来，参照图6、图7、图8、以及图9对第1实施方式的有机EL装置的制造方法进行说明。图6以及图7是对第1实施方式的有机EL装置的制造方法进行说明的示意图。图8以及图9是对印网掩模的结构进行说明的示意图。
此外，有机EL装置1例如在能够获得多个有机EL装置1(元件基板10)的大型的母基板的状态下进行加工。而且，能够通过最终从其母基板切出有机EL装置1(元件基板10)而进行单片化，来获得多个有机EL装置1。在图6以及图7中，示出单个的元件基板10的状态。此外，图6以及图7的各图相当于沿着图2的A－A’线的概要剖视图。
首先，如图6(a)所示，使用公知技术，在元件基板10上形成发光元件27，以覆盖发光元件27的方式形成阴极保护层29。阴极保护层29以其外周端部到达边框区域F的方式形成。阴极保护层29例如使用硅氧化膜(SiO2)、硅氮化膜(SiN)、硅酸氮化膜(SiON)等无机材料，利用ECR溅射法、离子镀法等高密度等离子体成膜法形成。
接下来，如图6(b)所示，在形成有阴极保护层29的元件基板10上涂覆树脂材料来形成缓冲层32。缓冲层32以与发光元件27重叠且其外周端部到达边框区域F的方式形成。此外，优选缓冲层32的外周端部与阴极保护层29的外周端部相比配置在内侧。
作为用于形成缓冲层32的树脂材料，优选使用环氧树脂。通过使用环氧树脂，能够与使用其他的树脂材料的情况相比，将固化时的收缩的程度抑制为较小。若树脂材料固化时的收缩程度较大，则容易产生元件基板10的弯曲或者形变。
作为环氧树脂，能够使用热固化型或者UV固化型的双酚A型环氧树脂或者双酚F型环氧树脂，但在本实施方式中，优选使用热固化型的环氧树脂。UV固化型的树脂由于照射UV(紫外线)光而伴有发光功能层26劣化的风险，但热固化型的树脂因不伴有这样的风险的点而优选。
用于形成缓冲层32的树脂材料例如使用网板印刷法来涂覆。此时，通过控制涂覆面(阴极保护层29)的湿性、配置在印网掩模的乳剂71的厚度T3、以及印网掩模的开口率，能够同时形成缓冲层32和凸状部33，能够调整凸状部33的厚度L3。
作为一个例子，对根据涂覆面(阴极保护层29)的湿性、配置在印网掩模的乳剂71的厚度T3来形成凸状部33并调整其厚度L3的方法进行说明。图8示出本实施方式中使用的印网掩模70的概要结构。图8(a)是印网掩模70的俯视图，图8(b)是沿着图8(a)的D－D’线的概要剖视图。
如图8(a)以及(b)所示，印网掩模70具有第1部分70b和以包围第1部分70b的周围的方式配置的第2部分70a。第1部分70b是设置有树脂材料通过的网孔等的开口部。第2部分70a是以树脂材料不通过的方式配置有乳剂71的非开口部。如图8(b)所示，将配置在第2部分70a的乳剂71的厚度设为T3。
若针对调整成水的接触角成为40度的涂覆面(阴极保护层29)使用印网掩模70涂覆，则在第1部分70b中，树脂材料通过印网掩模70配置在元件基板10上。此时，通过第1部分70b的树脂材料中的与外边缘部70c对应的部分的膜厚与中央部的膜厚相比变厚。其结果，在通过第1部分70b的树脂材料中的与外边缘部70c对应的部分形成有图6(b)所示的凸状部33。此外，优选树脂材料的涂覆面的水的接触角被调整成30度～60度，进一步优选调整成40度～50度。
在本实施方式中，作为涂覆面(阴极保护层29)的湿性，使液体是水的情况的接触角为40度，使乳剂71的厚度T3为20μm，使第1部分70b的开口率为100％。此外，所谓开口率为100％是指在第1部分70b除网孔以外未配置有乳剂等。其结果，得到凸状部33的厚度L3为2μm，缓冲层32的大致平坦的部分的厚度L2为2μm，最厚的部分的厚度L1为4μm的缓冲层32。
这里，通过增厚乳剂71的厚度T3，能够使凸状部33的厚度L3增厚。例如，通过使乳剂71的厚度T3为25μm，能够得到凸状部33的厚度L3为6μm的缓冲层32。该情况下，由于第1部分70b的开口率也不变，所以缓冲层32的大致平坦的部分的厚度L2为2μm，最厚的部分的厚度L1为8μm。这样，通过使乳剂71的厚度T3变化，能够调整缓冲层32中的凸状部33的厚度L3。
另外，在本实施方式中，也能够使用图9所示的印网掩模72。图9(a)是印网掩模72的俯视图，图9(b)是图9(a)的K部的放大图，图9(c)是沿着图9(b)的D－D’线的概要剖视图。
如图9(a)所示，印网掩模72具有树脂材料通过的第1部分72b以及第3部分72c、和以包围第1部分72b的周围的方式配置的树脂材料不通过的第2部分72a。第1部分72b的开口率是100％，以包围第3部分72c的周围的方式配置。
如图9(b)以及图9(c)所示，在第3部分72c局部地配置有乳剂71，与第1部分72b相比，开口率减少。因此，在第3部分72c中，与第1部分72b相比，通过的树脂材料的单位面积的量减少。由此，第3部分72c的开口率减少，从而通过第1部分72b的树脂材料的膜厚与通过第3部分72c的树脂材料的膜厚相比变厚。
在第3部分72c中的开口率根据配置有乳剂71的部分和未配置有乳剂71的部分的平面的面积比而变化。例如，在与上述相同的条件下，若使乳剂71的厚度T3为20μm，使第3部分72c中的开口率为50％，则缓冲层32的大致平坦的部分的厚度L2为1μm。该情况下，缓冲层32的膜厚最厚的部分的厚度L1取决于乳剂71的厚度T3，所以与上述相同成为4μm。其结果，凸状部33的厚度L3(＝L1－L2)为3μm。这样，通过使第3部分72c中的开口率变化，能够调整缓冲层32中的大致平坦的部分的厚度L2和凸状部33的厚度L3。
此外，通过使第1部分72b以及第3部分72c中的网孔的厚度变化，也能够调整缓冲层32中的大致平坦的部分的厚度L2。
接着，对涂覆的树脂材料进行热处理，使其硬化(固化)。由此，形成缓冲层32。
接下来，如图6(c)所示，以覆盖阴极保护层29和缓冲层32的方式形成气体阻挡层34。气体阻挡层34例如使用硅氧化膜(SiO2)、硅氮化膜(SiN)、硅酸氮化膜(SiON)等无机化合物，使用ECR溅射法、离子镀法等高密度等离子体成膜法形成为较硬的致密的膜。由此，由缓冲层32和气体阻挡层34构成密封层30，形成与缓冲层32的凸状部33对应的凸状部35。此外，优选气体阻挡层34形成为其外周端部与缓冲层32的外周端部相比配置在外侧。
接下来，通过实施图6(d)、(e)以及图7(a)、(b)、(c)、(d)所示的各工序，在密封层30上形成滤色层50(滤色器51R、51G、51B以及隔壁52)。
首先，如图6(d)所示，在形成有密封层30的元件基板10上形成透过红色光的着色层(滤色器)51R。作为着色层51R，使用分散有使波长为约610nm～约750nm的范围内的光透过的材料的负型感光性丙烯酸等树脂材料。
例如利用旋转涂覆法、狭缝涂覆法将着色层51R的树脂材料涂覆在元件基板10上的整面。着色层51R的树脂材料被配置成横跨密封层30的凸状部35。将涂覆有树脂材料的元件基板10放置规定的时间，进行用于使树脂材料湿式扩散的整平。此时，即使配置在凸状部35的外侧的树脂材料在密封层30的外周端部中的与元件基板10的阶梯差附近被整平，由于配置在凸状部35的内侧的树脂材料也被凸状部35抑制向外侧的湿式扩散，所以在凸状部35的内侧被整平。由此，在凸状部35的内侧，着色层51R的膜厚大致均匀，能够防止相较于中央部，外边缘部一侧的着色层51R的膜厚变薄。
接下来，如图6(e)所示，利用光刻法对着色层51R刻画图案，从红色的子像素39R的区域(图4参照)以外的区域选择性地除去着色层51R。也选择性地除去着色层51R中与凸状部35重叠的部分以及凸状部35外侧的部分。此时，不除去着色层51R中包围子像素39R的区域的区域即与遮光区域53(参照图4)重叠的部分而使其残留。此外，光刻法是指对成为对象的薄膜依次实施显影工序和蚀刻工序来刻画图案的方法。由于在本实施方式中成为对象的薄膜是感光性丙烯酸，所以显影工序兼作蚀刻工序。
接着，对选择性地残留的着色层51R实施热处理使其硬化。由此，在密封层30上的凸状部35的内侧，残留在红色的子像素39R的区域的着色层51R成为红色的滤色器51R。另外，残留在遮光区域53的着色层51R作为隔壁52而发挥作用。
接下来，如图7(a)所示，在形成有滤色器51R的元件基板10上形成透过绿色光的着色层(滤色器)51G。作为着色层51G，使用分散有使波长为约500nm～约560nm的范围内的光透过的材料的负型感光性丙烯酸等树脂材料。
例如利用旋转涂覆法等将着色层51G的树脂材料涂覆在元件基板10上的整面。着色层51G的树脂材料被配置成横跨密封层30的凸状部35。将涂覆有树脂材料的元件基板10放置规定的时间，进行用于使树脂材料湿式扩散的整平。此时，涂覆在凸状部35的内侧的着色层51G的树脂材料由于被凸状部35抑制向外侧的湿式扩散，所以在凸状部35的内侧被整平。由此，在凸状部35的内侧，着色层51G的膜厚大致均匀。
接下来，如图7(b)所示，利用光刻法对着色层51G刻画图案，从绿色的子像素39G的区域(参照图4)以外的区域选择性地除去着色层51G。此时，使着色层51G中包围子像素39G的区域的区域即与遮光区域53(参照图4)重叠的部分残留。此外，由于在该刻画图案时，形成在着色层51G的下层的红色的滤色器51R以及隔壁52(着色层51R)已经硬化，所以不会因蚀刻而受损。
接着，对选择性地残留的着色层51G实施热处理使其硬化。由此，残留在绿色的子像素39G的区域的着色层51G成为绿色的滤色器51G。另外，残留在遮光区域53的着色层51G作为隔壁52而发挥作用。其结果，滤色器51R和滤色器51G之间的隔壁52的至少一部分成为在着色层51R上层叠有着色层51G的结构。
接下来，如图7(c)所示，在形成有滤色器51R、51G的元件基板10上形成透过蓝色光的着色层(滤色器)51B。作为着色层51B，使用分散有使波长为约435nm～约480nm的范围内的光透过的材料的负型感光性丙烯酸等树脂材料。
例如利用旋转涂覆法等将着色层51B的树脂材料涂覆在元件基板10上的整面。着色层51B的树脂材料被配置成横跨密封层30的凸状部35。将涂覆有树脂材料的元件基板10放置规定的时间，进行用于使树脂材料湿式扩散的整平。此时，涂覆在凸状部35的内侧的着色层51B的树脂材料由于被凸状部35抑制向外侧的湿式扩散，所以在凸状部35的内侧被整平。由此，在凸状部35的内侧，着色层51B的膜厚大致均匀。
接下来，如图7(d)所示，利用光刻法对着色层51B刻画图案，从蓝色的子像素39B的区域(参照图4)以外的区域选择性地除去着色层51B。此时，使着色层51B中包围子像素39B的区域的区域即与遮光区域53重叠的部分残留。
接着，对选择性地残留的着色层51B实施热处理使其硬化。由此，残留在蓝色的子像素39B的区域的着色层51B成为蓝色的滤色器51B。另外，残留在遮光区域53的着色层51B作为隔壁52而发挥作用。其结果，滤色器51G和滤色器51B之间的隔壁52的至少一部分成为在着色层51G上层叠有着色层51B的结构。滤色器51B和滤色器51R之间的隔壁52的至少一部分成为在着色层51R上层叠有着色层51B的结构。
此外，上述的工序中，形成着色层51R、51G、51B的工序的顺序并不局限于上述的工序顺序，但优选最后形成着色层51R、51G、51B中的膜厚被形成为最厚的着色层。
例如，在上述的工序顺序中，如图6(e)所示，若将最初形成的着色层51R中的必要的部分以外除去，则下层的密封层30在由残留的着色层51R构成的隔壁52的两侧露出。因此，存在在残留的着色层51R的外周端部产生脱落的可能性，着色层51R的厚度越厚该风险越大。
如图7(b)所示，若将接下来形成的着色层51G中的必要的部分以外除去，则下层的密封层30在由残留的着色层51G构成的隔壁52部分的单侧露出。因此，虽然与最初形成的着色层51R相比风险变小，但存在在残留的着色层51G的外周端部产生脱落的可能性。
如图7(d)所示，在将最后形成的着色层51B中的必要的部分以外除去时，在残留的部分的两侧存在之前形成的着色层51R或者着色层51G的任意一个。因此，最后形成的着色层51B在残留的着色层51B的外周端部产生脱落的可能性最小。因此，在不同着色层彼此之间与下层的密封层30的附着性没有差别的情况下，优选最后形成膜厚被形成为最厚的着色层。在着色层彼此之间与下层的密封层30的附着性有差别的情况下，优选最后形成附着性最低(最容易脱落)的着色层。
通过以上的工序，在子像素39R、39G、39B分别形成滤色器51R、51G、51B，在包围子像素39R、39G、39B的遮光区域53形成隔壁52。其结果，在密封层30上的凸状部35的内侧形成滤色层50。
隔壁52中的滤色器51R和滤色器51G相邻的部分由着色层51R和着色层51G这两层构成。隔壁52中的滤色器51G和滤色器51B相邻的部分由着色层51G和着色层51B这两层构成。隔壁52中的滤色器51B和滤色器51R相邻的部分由着色层51B和着色层51R这两层构成。着色层51R、51G、51B是吸收特定的波长范围的光以外的光的层。因此，层叠有两层着色层的隔壁52与层叠有一层着色层的情况相比具有更高的遮光性。
在本实施方式中，由于使用由树脂材料构成的着色层51R、51G、51B形成隔壁52，所以与使用与着色层51R、51G、51B不同的其他的材料形成隔壁52的情况相比，能够减少成膜以及刻画图案工序的实施次数。另外，与使用金属材料形成隔壁52的情况相比，能够不实施金属成膜工序中的加热处理、以及光刻工序中的湿式处理(蚀刻处理)等而形成隔壁52。因此，能够减少上述的加热处理、湿式处理等给予形成在元件基板10上的发光元件27的影响，所以能够制造进一步提高了可靠性的有机EL装置1。
接下来，在利用上述的工序形成滤色层50之后，使用公知技术，将元件基板10和对置基板40经由粘合层41粘合固定。根据以上，能够制造图3所示的有机EL装置1。
本实施方式的有机EL装置1具有在密封层30上形成有滤色层50的单片滤色器结构，具备在外边缘部设置有凸状部35的密封层30。这里，针对基于具备设置有凸状部35的密封层30的效果，与具备现有的密封层的有机EL装置比较而进行说明。
图12是表示具备现有的密封层的有机EL装置的比较例的图。详细而言，图12(a)是作为比较例的有机EL装置3的概要剖视图，图12(b)是对形成滤色层的工序进行说明的图。此外，在图12(a)中，省略对置基板40以及粘合层41的图示。
如图12(a)所示，有机EL装置3具备设置在元件基板10上的发光元件27、隔壁28(省略图示)、阴极保护层29、密封层36、以及滤色层50。有机EL装置3与本实施方式的有机EL装置1相同具有单片滤色器结构。
密封层36由缓冲层31和气体阻挡层34构成。与本实施方式比较，不同点在于，缓冲层31在外边缘部不具有凸状部即密封层36在外边缘部不具有凸状部。更具体而言，缓冲层31的厚度在中央部大致平坦，但在外边缘部31a朝向外周端部变薄。换言之，缓冲层31的膜厚在中央部中最厚。因此，密封层36的膜厚在中央部中最厚，在外边缘部36a朝向外周端部变薄。
滤色层50设置在密封层36上，以与配置有发光元件27的发光区域E重叠的方式配置。滤色层50中的外边缘部36a侧的部分50a与其中央部相比膜厚变薄。这样，若在发光区域E内存在滤色层50的膜厚不同的部分，则存在在发光区域E内产生发光不均匀(颜色不均匀、亮度不均匀)而有机EL装置3的显示品质下降的技术问题。
有机EL装置3的结构中，参照图12(b)对滤色层50的部分50a中的膜厚变薄的理由进行说明。图12(b)是表示在密封层36上涂覆着色层51R的树脂材料的工序的图，与本实施方式的图6(d)对应。
如图12(b)所示，若例如利用旋转涂覆法等将着色层51R的树脂材料涂覆在元件基板10上的整面，放置规定的时间后进行用于湿式扩散的整平，则树脂材料在元件基板10上湿式扩散。此时，密封层36的膜厚在外边缘部36a朝向外周端部变薄，所以树脂材料从发光区域E向密封层36的外边缘部36a进一步向密封层36的外周端部的与元件基板10的阶梯差的外侧湿式扩散而被整平。因此，形成的着色层51R的膜厚在中央部大致均匀，但密封层36的外边缘部36a侧的部分51a与中央部相比变薄。由此，在发光区域E内，着色层51R的膜厚产生不均匀。
另外，虽然省略图示，但在涂覆着色层51G的树脂材料的工序(与本实施方式的图7(a)对应的工序)、以及涂覆着色层51B的树脂材料的工序(与本实施方式的图7(c)对应的工序)中也相同地，由于着色层51G、51B的树脂材料湿式扩散，而在发光区域E内，着色层51G、51B的膜厚产生不均匀。其结果，如图12(a)所示，形成在与发光区域E重叠的区域的滤色层50的膜厚产生不均匀。
为了减少这样的滤色层50的膜厚不均匀，需要将密封层36(缓冲层31)的外周端部向更外侧(元件基板10的端部一侧)配置，但作为其结果，相对于发光区域E，边框区域F相对地变大。
与此相对的，由于本实施方式的有机EL装置1具备在外边缘部设置有凸状部35的密封层30，所以涂覆在元件基板10上的着色层51R、51G、51B的树脂材料的配置在凸状部35的内侧的树脂材料积存于凸状部35的内侧并被整平。由此，在凸状部35的内侧，着色层51R、51G、51B的膜厚大致均匀，所以能够形成膜厚大致均匀的滤色层50。其结果，能够将边框区域F抑制为较小，并且抑制发光不均匀从而提高有机EL装置1的显示品质。
如以上说明，根据第1实施方式，得到以下所示的效果。
(1)覆盖发光元件27的密封层30在外边缘部具有以膜厚比中央部厚的方式形成的凸状部35，密封层30上设置有由树脂材料形成的滤色层50。因此，在形成滤色层50时，若在元件基板10上的整面涂覆着色层51的树脂材料，则树脂材料以横跨密封层30的凸状部35的方式配置，但即使配置在凸状部35的外侧的树脂材料在密封层30的外周端部中的与元件基板10的阶梯差附近被整平，配置在凸状部35的内侧的树脂材料的向外侧的湿式扩散也被凸状部35抑制。因此，与没有凸状部35的情况相比，能够使形成在凸状部35的内侧的滤色层50的膜厚更均匀。由此，在凸状部35的内侧的发光不均匀被抑制，所以能够提高有机EL装置1的显示品质。
(2)密封层30的凸状部35反映构成密封层30的缓冲层32的凸状部33的形状。由于缓冲层32由树脂材料形成，所以与用无机材料形成缓冲层32的情况相比，能够容易地形成凸状部33。
(3)以俯视时包围配置有发光元件27的发光区域E的周围的方式设置有密封层30的凸状部35，与凸状部35相比，滤色层50配置在内侧。由此，能够在发光区域E内使滤色层50的膜厚均匀。
(4)若密封层30的凸状部35的厚度小于滤色层50的厚度的50％，则变得难以抑制为了形成滤色层50而配置在凸状部35的内侧的树脂材料的向外侧的湿式扩散。另一方面，若密封层30的凸状部35的厚度变厚到超过滤色层50的厚度的400％的程度，则由于凸状部35的宽度变大，密封层30的外周端部向更外侧扩散，边框区域F变大。根据本实施方式的结构，由于密封层30的凸状部35的厚度是滤色层50的厚度的50％以上且400％以下，所以能够抑制用于形成配置在凸状部的内侧的滤色层50的树脂材料的向外侧的湿式扩散且将边框区域F抑制为较小。
(5)通过具备滤色层50作为光学层，能够提供能够进行特定的色光或者全彩色的显示或者发光的有机EL装置1。
(6)使用印网掩模70、72，利用网板印刷法形成缓冲层32。此时，通过调整涂覆面(阴极保护层29)的湿性、印网掩模配置的乳剂71的厚度，来使树脂材料在印网掩模70、72的第1部分70b、72b的外边缘部中凸起，所以能够容易地在缓冲层32的外边缘部设置凸状部33。
(7)通过使印网掩模70的第2部分70a的厚度T3变化，从而第1部分70b的外边缘部70c中的树脂材料的凸起量变化，所以能够调整形成的缓冲层32的凸状部33的膜厚。
(8)印网掩模72的第1部分72b和第3部分72c中，通过使开口率即每单位面积的开口面积的比率不同，能够使在第1部分72b和第3部分72c中树脂材料的每单位面积的涂覆量不同。由此，能够调整形成的缓冲层32的凸状部33的膜厚和凸状部33的内侧的部分的膜厚的差。
(9)在形成以3色的着色层51R、51G、51B排列的方式配置的滤色层50的情况下，若将最初形成的着色层51R中的必要的部分以外除去，则下层的密封层30在残留的部分的两侧露出。而且，若将接下来形成的着色层51G中的必要的部分以外除去，则下层的密封层30在残留的部分的单侧露出，但在将最后形成的着色层51B中的必要的部分以外除去时，在残留的部分的两侧存在之前形成的着色层51R、51G。这里，在将必要的部分以外除去时下层的密封层30在残留的部分的至少单侧露出的情况下，存在残留的着色层51R、51G的脱落的可能性，着色层51R、51G的厚度越厚该风险越大。根据本实施方式的制造方法，由于最后形成着色层51R、51G、51B中的膜厚最厚的着色层，所以能够将产生着色层的脱落的风险抑制为较小。
(第2实施方式)
＜有机EL装置＞
接下来，参照附图对第2实施方式的电光学装置的有机EL装置的结构进行说明。图10是表示第2实施方式的有机EL装置的结构的概要剖视图。此外，图10相当于沿着图2的A－A’线的剖视图。
第2实施方式的有机EL装置2相对于第1实施方式的有机EL装置1，不同点在于作为光学层具备滤色层以及微透镜阵列这两层，其他的结构大致相同。针对与第1实施方式的有机EL装置1共通的结构要素，赋予相同的附图标记省略它们的说明。
如图10所示，第2实施方式的有机EL装置2在元件基板10上具备发光元件27、隔壁28(省略图示)、阴极保护层29、密封层30、微透镜阵列60、以及滤色层50。微透镜阵列60设置在密封层30上的凸状部35的内侧。微透镜阵列60由形成在透镜层61的凸状的微透镜62和光路长调整层64构成。
透镜层61例如由具有透光性的树脂材料构成。透镜层61具有形成为凸状(例如，球面形状)的微透镜62。微透镜62与各子像素39(参照图2)对应地配置。即微透镜62与各发光元件27以及各滤色器51(参照图4)对应地配置。此外，在滤色层50的隔壁52形成为条纹状的情况下，微透镜62也可以是沿着隔壁52的延伸方向延伸并且与延伸方向交叉的方向的剖面形成为凸状的柱面透镜。
微透镜62使从发光元件27发出的光朝向对置基板40侧聚光。在有机EL装置2中，由于通过利用微透镜62对从发光元件27发出的光中被滤色层50的隔壁52(参照图4)遮光(或者减光)的光进行聚光，能够使其入射至滤色器51(各子像素39的区域)，所以能够提高光的利用效率。
例如通过以覆盖密封层30的方式在元件基板10上的整面涂覆树脂材料来形成透镜层61，并且在透镜层61中配置在凸状部35的内侧的部分利用使用了灰度掩模或者多段曝光的光刻法等形成凸状部(微透镜62)来获得微透镜62。透镜层61中凸状部35的内侧的部分以外被除去。此外，在图10所示的透镜层61中，在X方向的中央部省略各个微透镜62的图示。
光路长调整层64以覆盖透镜层61的方式设置。光路长调整层64具有透光性，由具有与透镜层61不同的折射率的树脂材料构成。光路长调整层64具有使从微透镜62到滤色层50的隔壁52(参照图4)的距离与所期望的值一致的功能。因此，光路长调整层64的层厚被基于微透镜62的焦距等光学条件适当地设定。
光路长调整层64通过例如以覆盖透镜层61的方式将树脂材料涂覆在元件基板10上的整面并除去凸状部35的内侧的部分以外来获得。光路长调整层64的表面(上面)大致平坦。滤色层50设置在光路长调整层64上。
滤色层50与第1实施方式相同地，通过以覆盖光路长调整层64的方式在元件基板10上的整面涂覆着色层51R、51G、51B(参照图6(d)、图7(a)、(c))的树脂材料并刻画图案来形成。
第2实施方式的有机EL装置2作为光学层具备微透镜阵列60和滤色层50。优选地，若将合计了微透镜阵列60和滤色层50的膜厚的光学层的总厚设为T4，则凸状部35的厚度L4是光学层的总厚T4的50％以上且400％以下左右，进一步优选是光学层的总厚T4的50％以上且200％以下左右。
在形成透镜层61以及光路长调整层64时，与滤色层50的着色层51R、51G、51B相同地，利用旋转涂覆法等将用于形成各个层的树脂材料涂覆在元件基板10上的整面。因此，涂覆在元件基板10上的透镜层61以及光路长调整层64的树脂材料中配置在凸状部35的内侧的树脂材料积存在凸状部35的内侧并被整平。由此，在凸状部35的内侧，透镜层61以及光路长调整层64的膜厚为大致均匀，所以能够形成膜厚大致均匀的透镜层61以及光路长调整层64。
另外，滤色层50形成在光路长调整层64上，但通过使凸状部35的厚度L4为合计了微透镜阵列60和滤色层50的膜厚的光学层的总厚T4的50％以上且400％以下，来抑制配置在凸状部35的内侧的着色层51R、51G、51B的树脂材料的向外侧的湿式扩散。由此，也能够在形成着色层51R、51G、51B的工序中，在凸状部35的内侧使膜厚大致均匀。
如上所述，根据第2实施方式，得到以下所示的效果。
(1)作为光学层具备微透镜阵列60和滤色层50的第2实施方式的有机EL装置2中也与第1实施方式相同地，能够抑制发光不均匀提高显示品质。
(2)能够提供光学层由如微透镜阵列60以及滤色层50那样具有不同功能的两层以上的层构成的有机EL装置2。
(3)通过作为光学层具备微透镜阵列60，能够对来自发光元件27的光进行聚光并射出。在具备微透镜阵列60和滤色层50的有机EL装置2的情况下，由于能够通过利用微透镜62对被隔壁52遮光的光进行聚光来使其入射至滤色层50的开口部(子像素39的区域)，所以能够提高光的利用效率。
此外，在上述的说明中，虽然为由树脂材料形成微透镜阵列60(透镜层61以及光路长调整层64)的结构，但也可以为由无机材料形成微透镜阵列60(透镜层61以及光路长调整层64)的结构。该情况下，通过使凸状部35的厚度L4成为合计了微透镜阵列60和滤色层50的膜厚的光学层的总厚T4的50％以上且400％以下，也能够在形成着色层51R、51G、51B的工序中，在凸状部35的内侧使膜厚大致均匀。
另外，有机EL装置2也可以为作为光学层仅具备微透镜阵列60一层的结构。例如，在有机EL装置2的发光元件27具有发出红色(R)、绿色(G)、蓝色(B)的各色光的发光功能层26的情况下，也可以没有滤色层50。这样，在光学层仅由微透镜阵列60构成的情况下，只要使凸状部35的厚度L4为微透镜阵列60(透镜层61以及光路长调整层64)的膜厚的50％以上且400％以下(进一步优选，50％以上且200％以下)即可。
(第3实施方式)
＜电子设备＞
接下来，参照图11对第3实施方式的电子设备进行说明。图11是表示作为第3实施方式的电子设备的头戴式显示器的结构的概要图。
如图11所示，第3实施方式的头戴式显示器(HMD)100具备与左右眼对应地设置的两个显示部101。观察者M将头戴式显示器100像眼镜一样安装在头部，从而能够观察显示于显示部101的文字或者图像等。例如，如果显示在左右的显示部101考虑了视差的图像，则也能够观看享受立体的影像。
显示部101安装有第1实施方式的有机EL装置1或者第2实施方式的有机EL装置2。因此，能够提供具有没有显示不均匀的优异的显示品质且小型、轻型的头戴式显示器100。
头戴式显示器100并不局限于具有两个显示部101的结构，也可以构成为具备与左右的任意一个对应的一个显示部101。
此外，安装有第1实施方式的有机EL装置1或者第2实施方式的有机EL装置2的电子设备并不局限于头戴式显示器100。作为安装有有机EL装置1的电子设备，能够列举出例如个人计算机或者便携式信息终端、导航、阅读器、平视显示器等具有显示部的电子设备。
上述的实施方式只不过表示了本发明的一方式，能够在本发明的范围内任意地变形以及应用。作为变形例，例如考虑有以下的方式。
(变形例1)
上述实施方式的有机EL装置1、2是利用网板印刷形成缓冲层32的凸状部33的结构，但本发明并不局限于这样的方式。例如，也可以在利用旋转涂覆法等将缓冲层32的树脂材料涂覆在元件基板10上之后，利用灰度掩模或者多段曝光的光刻法等对涂覆了的树脂材料进行加工来形成凸状部33。
(变形例2)
上述实施方式的有机EL装置1、2是滤色层50的隔壁52由着色层51R、51G、51B的至少一层构成的结构，但本发明并不局限于这样的方式。滤色层50的隔壁52例如也可以通过对使黑色颜料分散等的树脂材料刻画图案来形成。优选地，在使用使黑色颜料分散等的树脂材料形成隔壁52的情况下，在形成着色层51R、51G、51B的工序之前实施形成隔壁52的工序。
即使这样的结构，由于形成隔壁52的工序中，涂覆在元件基板10上的整面的隔壁52的树脂材料中配置在密封层30的凸状部35的内侧的树脂材料积存在凸状部35的内侧并被整平，所以能够使形成的隔壁52的膜厚大致均匀。由此，能够抑制滤色层50的膜厚不均匀且能够使隔壁52的遮光(减光)特性大致均匀。
(变形例3)
上述实施方式的有机EL装置1、2是具备滤色层50或者微透镜阵列60的至少一方作为光学层的结构，但本发明并不局限于这样的方式。光学层也可以是例如校准器等的使特定的波长带域的光选择性地透过的滤光器。即使是这样的结构，由于在由树脂材料形成滤光器的工序中，树脂材料积存在密封层30的凸状部35的内侧并被整平，所以能够使滤光器的透过特性大致均匀。
(变形例4)
以发光功能层26发出白色光的情况或者发光功能层26发出红色(R)、绿色(G)、蓝色(B)的各色光的情况为例对上述实施方式的有机EL装置1、2进行了说明，但本发明并不局限于这样的方式。有机EL装置1、2也可以具有使红色(R)、绿色(G)、蓝色(B)的各波长带域的光共振的光共振构造。
附图标记的说明：1、2、3…有机EL装置(电光学装置)；10…元件基板(基板)；24…阳极(第1电极)；25…阴极(第2电极)；26…发光功能层(有机发光层)；27…发光元件；30、36…密封层；31、32…缓冲层(第1密封层)；33…凸状部；34…气体阻挡层(第2密封层)；35…凸状部；50…滤色层(光学层)；60…微透镜阵列(光学层)；70、72…印网掩模；70a、72a…第2部分；70b、72b…第1部分；100…头戴式显示器(电子设备)。

Claims (18)

1.一种电光学装置，其特征在于，具备：
基板；
发光元件，其包括设置在所述基板上的第1电极、第2电极以及有机发光层，其中，所述第2电极与所述第1电极对置配置，所述有机发光层配置在所述第1电极与第2电极之间；
密封层，其以覆盖所述发光元件的方式设置在所述发光元件上；以及
光学层，其设置在所述密封层上，以树脂材料形成，
所述密封层具有凸状部，该凸状部以包围所述密封层的中央部的方式配置在外边缘部且被形成为膜厚比所述中央部厚，
所述密封层包括第1密封层以及以覆盖所述第1密封层的方式形成的第2密封层，
所述第2密封层的外周端部配置在所述第1密封层的外周端部与所述基板的端部之间，
所述凸状部配置在所述第2密封层的外周端部与配置有所述发光元件的区域之间。
2.根据权利要求1所述的电光学装置，其特征在于，
所述第1密封层由树脂材料形成，所述第2密封层由无机材料形成，
所述密封层的所述凸状部反映以包围所述第1密封层的中央部的方式配置在所述第1密封层的外边缘部的凸状部的形状。
3.根据权利要求2所述的电光学装置，其特征在于，
所述密封层的所述凸状部以在俯视时包围配置有所述发光元件的区域的方式设置，
所述光学层与所述密封层的所述凸状部相比被配置在内侧。
4.根据权利要求2所述的电光学装置，其特征在于，
所述密封层的所述凸状部的厚度为所述光学层的厚度的50％以上且400％以下。
5.根据权利要求3所述的电光学装置，其特征在于，
所述密封层的所述凸状部的厚度为所述光学层的厚度的50％以上且400％以下。
6.根据权利要求1～5中任一项所述的电光学装置，其特征在于，
所述光学层包括被层叠的两层以上的层。
7.根据权利要求1～5中任一项所述的电光学装置，其特征在于，
所述光学层包括滤色层。
8.根据权利要求6所述的电光学装置，其特征在于，
所述光学层包括滤色层。
9.根据权利要求1～5中任一项所述的电光学装置，其特征在于，
所述光学层包括微透镜阵列。
10.根据权利要求6所述的电光学装置，其特征在于，
所述光学层包括微透镜阵列。
11.根据权利要求7所述的电光学装置，其特征在于，
所述光学层包括微透镜阵列。
12.根据权利要求8所述的电光学装置，其特征在于，
所述光学层包括微透镜阵列。
13.一种电子设备，其特征在于，
具备权利要求1～12中任一项所述的电光学装置。
14.一种电光学装置的制造方法，其特征在于，具备：
在基板上配置第1电极、有机发光层以及第2电极而形成发光元件的工序；
在所述发光元件上以覆盖所述发光元件的方式层叠第1密封层和第2密封层而形成密封层的工序；以及
在所述密封层上涂覆树脂材料而形成光学层的工序，
在形成所述第1密封层的工序中，在所述第1密封层的外边缘部形成膜厚比中央部厚的凸状部，
在形成所述第1密封层的工序中，隔着具有所述树脂材料通过的第1部分、和被配置成包围所述第1部分且所述树脂材料不通过的第2部分的印网掩模涂覆所述树脂材料。
15.根据权利要求14所述的电光学装置的制造方法，其特征在于，
使所述印网掩模的所述第2部分的厚度变化。
16.根据权利要求14所述的电光学装置的制造方法，其特征在于，
使开口率在所述印网掩模的所述第1部分的外边缘部和中央部中不同。
17.根据权利要求15所述的电光学装置的制造方法，其特征在于，
使开口率在所述印网掩模的所述第1部分的外边缘部和中央部中不同。
18.根据权利要求14～17中任一项所述的电光学装置的制造方法，其特征在于，
形成所述光学层的工序包括形成多个着色层的工序，
在形成所述多个着色层的工序中，最后形成所述多个着色层中的膜厚最厚的所述着色层。
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