JPWO2010038514A1 - 表示装置用基板、表示装置用基板の製造方法、表示装置、液晶表示装置、液晶表示装置の製造方法及び有機エレクトロルミネセンス表示装置 - Google Patents

Abstract

本発明は、画素領域内に気泡が発生することによる不良を抑制することができる表示装置用基板、表示装置用基板の製造方法、表示装置、液晶表示装置、液晶表示装置の製造方法及び有機エレクトロルミネセンス表示装置を提供する。本発明は、感光性樹脂膜及び画素電極を絶縁基板側からこの順に備える表示装置用基板であって、上記表示装置用基板は、上記感光性樹脂膜よりも上層側に、上記感光性樹脂膜から発生するガスの進行を妨げるガスバリア絶縁膜を有する表示装置用基板、又は、上記感光性樹脂膜と上記画素電極との間に、上記感光性樹脂膜から発生するガスの進行を妨げるガスバリア絶縁膜を有する表示装置用基板である。

Description

本発明は、表示装置用基板、表示装置用基板の製造方法、表示装置、液晶表示装置、液晶表示装置の製造方法及び有機エレクトロルミネセンス表示装置に関する。より詳しくは、基板上に感光性樹脂膜が設けられた液晶表示装置や有機ＥＬディスプレイに好適な表示装置用基板、表示装置用基板の製造方法、表示装置、液晶表示装置、液晶表示装置の製造方法及び有機エレクトロルミネセンス表示装置に関するものである。

液晶表示装置の表示モードとして、マルチドメイン垂直配向（ＭＶＡ；Ｍｕｌｔｉ−ｄｏｍａｉｎ Ｖｅｒｔｉｃａｌ Ａｌｉｇｎｍｅｎｔ）モードが知られている。ＭＶＡモードの液晶表示装置では、一対の基板間に封止された負の誘電率異方性を有する液晶と、液晶分子を基板面にほぼ垂直に配向させる垂直配向膜と、液晶分子の配向方位を規制する配向規制用構造とが用いられる。配向規制用構造としては、例えば、誘電体からなる線状突起、電極の抜き部（スリット）が挙げられる。このＭＶＡモードの液晶表示装置によれば、配向規制用構造を用いて１画素内に液晶分子の配向方位が互いに異なる複数の領域（ドメイン）を設けることにより、広い視野角が得られる。

一方、ＭＶＡモードの液晶表示装置では、画素内の線状突起やスリットが設けられた領域等のドメインの境界部において白表示時の光透過率の低下が生じやすい。これを抑制するために配向規制用構造の配置間隔を大きくした場合、液晶の応答速度が低下してしまう。したがって、白表示時の光透過率の低下を抑制しつつ、液晶の高速応答を可能とする点から、配向膜に液晶を初期配向させるための配向処理を行うことが考えられる。しかしながら、ＭＶＡモードの液晶表示装置では、配向規制用構造が設けられるため、ラビングによる配向処理は一般に行われない。

これに対し、ＭＶＡモードの液晶表示装置を得るのに有効な技術として、ポリマー配向支持（ＰＳＡ；Ｐｏｌｙｍｅｒ Ｓｕｓｔａｉｎｅｄ Ａｌｉｇｎｍｅｎｔ）技術が知られている。ＰＳＡ技術は、モノマー、オリゴマー等の重合性成分を液晶に混入しておき、液晶に電圧を印加して液晶分子を傾斜配向させた状態で重合性成分を重合することにより、液晶の倒れる方向を記憶した重合体を基板上に設ける方法である（例えば、特許文献１参照。）。

また、有機ＥＬディスプレイにおいてはこれまで、有機ＥＬ素子の外部からの酸素や水分による劣化を防ぐため、掘り込みガラスに乾燥剤を貼り付け、有機ＥＬ素子の外周部の外側を封止樹脂で枠状にシールした缶封止構造が一般に採用されてきた。しかしながら、この缶封止構造では、光をパネル上面から取り出すトップエミッション構造の採用（高開口率化）やパネルの薄型化が困難なため、近年、平らな基板を用いた封止構造（以下、平板封止構造ともいう。）の開発が行われている。すなわち、有機ＥＬ素子上に感光性樹脂からなる接着剤により平らな基板を貼り付けることによって、有機ＥＬ素子を封止する技術が開発されている。

更に、従来の表示装置用基板、特にＴＦＴ（Ｔｈｉｎ Ｆｉｌｍ Ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ）アレイ基板（以下、ＴＦＴ基板ともいう。）には、配線の断線を抑制する観点から、層間絶縁膜として平坦化作用を有する感光性樹脂膜が形成されている。そのような層間絶縁膜に関し、例えば、１分子鎖中にカルボキシル基又は酸無水物とエポキシ基を含有するアルカリ水溶液に可溶な樹脂及び感放射線性酸生成化合物とからなる感放射線性樹脂組成物が開示されている（例えば、特許文献２参照。）。

特開２００３−１４９６４７号公報 特開平５−１６５２１４号公報

しかしながら、従来のＰＳＡモードの液晶表示装置（ＰＳＡ技術を用いて作製された液晶表示装置）や平板基板を有する有機ＥＬディスプレイにおいては、画素領域内に分散するモノマーをＵＶ照射により重合する工程後や、感光性樹脂からなる接着剤をＵＶ照射により硬化する工程後に、画素領域内にガスや気泡が発生し、その結果、不良品となることがあった。図３５は、従来のＰＳＡモードの液晶表示パネルを示す平面模式図である。ＵＶ照射工程後、ＰＳＡモードの液晶表示パネルの衝撃試験を行うと、図３５に示すように、衝撃により画素領域Ｐのセル内に気泡１３９が噴出することがあった。なお、衝撃試験は、高温（８０℃）で、パチンコ球をパネル上方３０ｃｍの高さから落下させた。

本発明は、上記現状に鑑みてなされたものであり、画素領域内にガスや気泡が発生することによる不良を抑制することができる表示装置用基板、表示装置用基板の製造方法、表示装置、液晶表示装置、液晶表示装置の製造方法及び有機エレクトロルミネセンス表示装置を提供することを目的とするものである。

本発明者らは、画素領域内にガスや気泡が発生することによる不良を抑制することができる表示装置用基板について種々検討したところ、ＴＦＴ基板の平坦化膜として使用されている感光性樹脂に着目した。そして、従来においては、図３６に示すように、ＵＶ照射（図３６中の白抜き矢印）によって感光性樹脂膜１５２からガス１３８が発生し、特にそれは高温時のパネルへの機械的な打撃等の衝撃で液晶層１１０内に気泡となって現れることを見出した。この原因については以下が考えられる。まず、感光性樹脂膜には、通常、感光性を持たせるためのナフトキノンジアジド系感光剤と、エポキシ成分とが含まれており、第一露光、現像、第二露光及びベークの工程の内、第一露光工程、第二露光工程及びベーク工程において、これらは、微量の窒素ガスと加水分解による水蒸気とを放出すると考えられる。そのため、モノマー分散液晶（重合性成分が分散した液晶材料）を重合する工程や、感光性樹脂からなる接着剤を硬化する工程におけるＵＶ照射において、ＵＶ光と熱により、感光性樹脂膜内に僅かに残存していた未反応物質が反応し、ガス（気体）が発生することが考えられる。この例としては、感光剤として用いられている感放射線性酸生成化合物（放射線照射によりアルカリ溶解性が高くなる性質を有する化合物）の未反応ジアゾ基が反応して窒素ガスが発生する過程や、反応酸生成物（放射線照射により生成した酸）が再度エステル化（加水分解）して、生成Ｈ_２Ｏが高温で水蒸気になったこと等が考えられる。その結果、それらのガスが衝撃等のストレスにより液晶層や有機層中に噴出したと考えられる。そして、更に検討したところ、感光性樹脂膜よりも上層側や感光性樹脂膜と画素電極との間に、ガスバリア絶縁膜（感光性樹脂膜から発生するガスの進行を妨げる絶縁膜）を設けることにより、モノマー分散液晶を重合する工程や、感光性樹脂からなる接着剤を硬化する工程におけるＵＶ照射により、例え感光性樹脂膜からガスが発生したとしても、このガスが液晶層や有機層に侵入するのをガスバリア絶縁膜により防ぐことができることを見いだし、上記課題をみごとに解決することができることに想到し、本発明に到達したものである。

すなわち、本発明は、感光性樹脂膜及び画素電極を絶縁基板側からこの順に備える表示装置用基板であって、上記表示装置用基板は、上記感光性樹脂膜よりも上層側に、上記感光性樹脂膜から発生するガスの進行を妨げるガスバリア絶縁膜を有する表示装置用基板（以下、「本発明の第一の表示装置用基板」ともいう。）である。これにより、本発明の第一の表示装置用基板を備える表示装置において、画素領域内にガスや気泡が発生することによる不良を抑制することができる。また、感光性樹脂膜が設けられるため、配線の接続不良が発生するのを抑制することができる。

本発明の第一の表示装置用基板の構成としては、このような構成要素を必須として形成されるものである限り、その他の構成要素を含んでいても含んでいなくてもよく、特に限定されるものではない。

本発明はまた、感光性樹脂膜及び画素電極を絶縁基板側からこの順に備える表示装置用基板であって、上記表示装置用基板は、上記感光性樹脂膜と上記画素電極との間に、上記感光性樹脂膜から発生するガスの進行を妨げるガスバリア絶縁膜を有する表示装置用基板（以下、「本発明の第二の表示装置用基板」ともいう。）でもある。これにより、本発明の第二の表示装置用基板を備える表示装置において、画素領域内にガスや気泡が発生することによる不良を抑制することができる。また、ガスバリア絶縁膜は、画素電極より下層側に配置されるため、液晶層や発光層にかかる電圧が降下するのを抑制することができる。更に、ガスバリア絶縁膜は、画素電極より下層側に配置されるため、ガスバリア絶縁膜を画素電極と画素電極より下層の配線層とで挟みこむ構造とすれば、該構造を画素補助容量として利用することも可能である。そして、感光性樹脂膜が設けられるため、配線の接続不良が発生するのを抑制することができる。

なお、本明細書において、上とは、絶縁基板からより遠い方を意味し、一方、下とは、絶縁基板により近い方を意味する。すなわち、上層とは、絶縁基板からより遠い層を意味し、一方、下層とは、絶縁基板により近い層を意味する。

本発明の第二の表示装置用基板の構成としては、このような構成要素を必須として形成されるものである限り、その他の構成要素を含んでいても含んでいなくてもよく、特に限定されるものではない。

本発明の第一及び第二の表示装置用基板における好ましい形態について以下に詳しく説明する。なお、以下に示す各種形態は、適宜組み合わされてもよい。

画素電極の上層側にガスバリア絶縁膜を配置した場合には、ガスバリア絶縁膜の容量成分で電圧降下が生じるおそれがある。それに対して、上記ガスバリア絶縁膜は、上記画素電極の外縁部に重なるとともに、上記画素電極上に（上記画素電極に対応する領域に）開口部を有してもよい。また、上記ガスバリア絶縁膜は、上記感光性樹脂膜の上面（上層側の面）及び側面の上記画素電極で覆われていない領域を選択的に覆ってもよい。更に、上記表示装置用基板は、上記画素電極を複数有し、上記複数の画素電極は、互いに間隔（隙間）を有して設けられ、上記ガスバリア絶縁膜は、上記複数の画素電極間の隙間に選択的に設けられてもよい。これらにより、電圧降下が生じるのを抑制しつつ、画素領域内にガスや気泡が発生するのをより抑制することができる。なお、これらの形態は、本発明の第一及び第二の表示装置用基板のいずれに適用されてもよいが、なかでも本発明の第一の表示装置用基板に好適である。

上記ガスバリア絶縁膜は、熱硬化型樹脂膜を含んでもよい。これにより、ガスバリア絶縁膜は、熱反応により硬化するため、ガスバリア絶縁膜成膜後のＵＶ照射工程において、ＵＶ光に起因してガスが発生するのを効果的に抑制することができる。

上記ガスバリア絶縁膜は、無機絶縁膜を含んでもよい。これにより、ガスバリア絶縁膜成膜後のＵＶ照射工程において、ＵＶ光に起因してガスが発生するのを効果的に抑制することができる。

上記ガスバリア絶縁膜は、酸化シリコン膜を含んでもよい。これにより、ガスバリア絶縁膜で光、なかでもＵＶ光が減衰するのを抑制することができる。

上記表示装置用基板は、上記感光性樹脂膜の直上に上記無機絶縁膜が積層された有機・無機膜積層体を有してもよい。これにより、感光性樹脂膜を機械的強度に優れた無機絶縁膜により保護することができる。したがって、有機・無機膜積層体を端子部に配置することによって、表示装置用基板と、他の回路基板や素子、例えばＦＰＣ基板とを接続する工程においてリワークする必要が生じた場合でも、感光性樹脂膜が剥れたり傷付いたりするのを抑制することができる。そのため、感光性樹脂膜の下層に位置する配線層が剥き出しになり、この配線層が水分等により腐食するのを抑制することができる。また、剥れた感光性樹脂膜のカスに起因して端子とＦＰＣ等の外部接続部品との接触不良が発生するのも抑制することができる。すなわち、端子部の信頼性を向上することができる。また、無機絶縁膜をレジストマスクのアッシングに対するストッパ材として利用することができるため、有機・無機膜積層体にコンタクトホールを形成する方法として、アッシング工程を含む方法、すなわち、微細加工精度の高いドライエッチング等のレジストマスクを利用する方法が可能となる。その結果、有機・無機膜積層体の下層に位置する配線、なかでも微細な加工が求められる周辺回路領域に設けられる引き回し配線等の配線を微細かつ高精度に形成することができる。更に、感光性樹脂膜がアッシングによるダメージを受けにくくすることができるので、有機・無機膜積層体の上層及び下層にそれぞれ配置される配線間で接続不良が発生するのを抑制することができる。

上記感光性樹脂膜は、開口部を有してもよい。そして、上記感光性樹脂膜の開口部は、上記無機絶縁膜より上層の配線により覆われることが好ましい。すなわち、上記表示装置用基板は、上記無機絶縁膜より上層に設けられた配線を有し、上記感光性樹脂膜の開口部は、上記配線（上層の配線）により覆われることが好ましい。これにより、感光性樹脂膜の開口部を上層の配線により覆うとともに、感光性樹脂膜の上層の配線に覆われていない領域を無機絶縁膜により覆うことができるので、感光性樹脂膜がアッシングやドライエッチングによるダメージを受けにくくすることができる。その結果、有機・無機膜積層体の上層及び下層にそれぞれ配置される配線間で接続不良が発生するのを抑制することができる。

上記感光性樹脂膜の開口部の壁面の少なくとも上層側の一部は、上記無機絶縁膜で覆われてもよい。これにより、ウェットエッチングを用いて無機絶縁膜のパターニングを行ったとしても、感光性樹脂膜がアッシングやドライエッチングによるダメージを受けにくくすることができる。その結果、有機・無機膜積層体の上層及び下層にそれぞれ配置される配線間で接続不良が発生するのを抑制することができる。

上記無機絶縁膜は、上記感光性樹脂膜の開口部の壁面の少なくとも下層側の一部を除く、全ての上記感光性樹脂膜を覆うように設けられてもよいし、上記感光性樹脂膜の開口部の壁面の全部は、上記無機絶縁膜で覆われてもよい。なかでも、後者によれば、微細加工精度の高いドライエッチング等のレジストマスクを利用する方法により無機絶縁膜をエッチングすることが可能となるので、有機・無機膜積層体の上層及び下層にそれぞれ配置される配線間で接続不良が発生するのを抑制しつつ、有機・無機膜積層体の下層に位置する配線の微細加工が可能となる。

上記表示装置用基板は、他の外部接続部品を接続するための接続端子が設けられた端子部と、周辺回路が設けられた周辺回路領域との少なくとも一方を備えてもよい。これにより、周辺回路領域の配線の微細加工と、表示装置の信頼性の向上との少なくとも一方が可能になる。

上記表示装置用基板は、上記端子部及び上記周辺回路領域を備えてもよい。すなわち、上記表示装置用基板は、上記絶縁基板上に、他の外部接続部品を接続するための接続端子が設けられた端子部と、周辺回路が設けられた周辺回路領域とを備えてもよい。これにより、周辺回路領域の配線の微細加工と、表示装置の信頼性の向上とが可能になる。

なお、上記外部接続部品としては上記表示装置用基板を用いて構成される表示パネルに接続され得る回路基板や素子であれば特に限定されず、ＦＰＣ（Ｆｌｅｘｉｂｌｅ Ｐｒｉｎｔｅｄ Ｃｉｒｃｕｉｔｓ）基板、ＴＣＰ（Ｔａｐｅ Ｃａｒｒｉｅｒ Ｐａｃｋａｇｅ）、ＣＯＧ（Ｃｈｉｐ ｏｎ Ｇｌａｓｓ）、抵抗素子、容量素子等が挙げられるが、なかでもＦＰＣ基板が好適である。

上記表示装置用基板は、上記端子部に上記有機・無機膜積層体を有してもよい。これにより、表示装置の信頼性の向上が可能になる。

上記表示装置用基板は、上記周辺回路領域に上記有機・無機膜積層体を有してもよい。これにより、微細加工された配線を備えた周辺回路を形成することができる。

上記表示装置用基板は、上記有機・無機膜積層体を複数有してもよい。これにより、配線の多層化が可能になる。

上記表示装置用基板は、上記端子部に上記有機・無機膜積層体を複数有してもよい。これにより、端子部において、微細であり、かつ多層化された配線を形成することができる。

このように、上記複数の有機・無機膜積層体は、互いに積層されることが好ましい。

上記表示装置用基板は、上記複数の有機・無機膜積層体のにそれぞれ設けられた複数の配線層を有し、上記接続端子は、上記複数の配線層のうち、最も下層側に位置する配線層を除く配線層を含んで構成されてもよい。このように、上記表示装置用基板は、複数の配線層を有し、上記複数の有機・無機膜積層体と、上記複数の配線層とは、交互に積層され、上記接続端子は、上記複数の配線層のうち、最も下層側に位置する配線層を除く配線層を含んで構成されてもよい。これにより、表示装置の信頼性を確保しつつ、接続端子の下に配線を形成することができる。より具体的には、パッド部とパッド部以外の領域とにおける導電性微粒子の変形量の差を緩和することができ、応力の不均一化に起因する接続不良の発生を抑制することができる。

上記接続端子は、上記複数の配線層のうち、最も上層側に位置する配線層を含んで構成されてもよい。これにより、表示装置の信頼性を確保しつつ、接続端子の下に更に多くの配線を形成することができる。

上記表示装置用基板は、上記端子部において、上記接続端子の直上に上記無機絶縁膜が積層された領域を有してもよいし、上記表示装置用基板は、上記端子部に上記感光性樹脂膜が設けられなくてもよい。これらにより、表示装置の機械的な信頼性を特に向上することができる。

なお、上記端子部は、より具体的には、本発明の表示装置用基板と、他の外部接続部品（好適には回路基板）とを接続するための導電材料（好適には、ＡＣＦ（ａｎｉｓｏｔｒｏｐｉｃ ｃｏｎｄｕｃｔｉｖｅ ｆｉｌｍ）等の異方性導電材料）が配置される領域であることが好ましい。このように、上記無機絶縁膜は、上記感光性樹脂膜が上記導電材料と少なくとも接触しないように上記感光性樹脂膜を覆ってもよい。

上記表示装置用基板は、上記周辺回路領域に上記複数の有機・無機膜積層体を有してもよい。これにより、微細であり、かつ多層化された配線を備えた周辺回路を形成することができる。また、上記無機絶縁膜は、上記周辺回路領域において、上記感光性樹脂膜の少なくとも上層側の面（上面）を覆うように設けられてもよい。更に、上記無機絶縁膜は、周辺回路領域において、上記感光性樹脂膜の開口部の壁面の少なくとも下層側の一部を除く、全ての上記感光性樹脂膜を覆うように設けられてもよいし、周辺回路領域において、上記感光性樹脂膜の開口部の壁面を含む、全ての上記感光性樹脂膜を覆うように設けられてもよい。

本発明はまた、本発明の表示装置用基板の製造方法であって、上記製造方法は、上記感光性樹脂膜をエッチングする感光性樹脂膜エッチング工程と、上記感光性樹脂膜エッチング工程の後に、上記無機絶縁膜を成膜する無機絶縁膜成膜工程と、上記無機絶縁膜成膜工程の後に、上記無機絶縁膜をエッチングする無機絶縁膜エッチング工程とを含む表示装置用基板の製造方法（以下、「本発明の第一の表示装置用基板の製造方法」ともいう。）でもある。これにより、配線の接続不良が発生するのを抑制しつつ、配線の微細加工が可能になる。

本発明の第一の表示装置用基板の製造方法は、上記工程を有するものである限り、その他の工程により特に限定されるものではない。

本発明の第一の表示装置用基板の製造方法における好ましい態様について以下に詳しく説明する。なお、以下に示す各種態様は、適宜組み合わされてもよい。

上記無機絶縁膜は、上記無機絶縁膜エッチング工程において、第一レジストを介してドライエッチングされてもよい。これにより、配線の微細加工をより確実に行うことができる。

上記無機絶縁膜は、上記無機絶縁膜エッチング工程において、上記感光性樹脂膜のエッチング除去された領域と重なる領域がエッチング除去されてもよい。これにより、微細なコンタクトホールを形成することができる。

上記表示装置用基板の製造方法は、上記感光性樹脂膜エッチング工程の前に、第一フォトマスクを介して上記感光性樹脂膜を感光する感光性樹脂膜感光工程を含んでもよい。これにより、配線の接続不良が発生するのをより確実に抑制することができる。このように、上記感光性樹脂膜は、感光及びエッチング（現像）、すなわち感光エッチングされることが好ましい。

上記表示装置用基板の製造方法は、上記無機絶縁膜成膜工程の後に、上記無機絶縁膜上に第二レジストを成膜するレジスト成膜工程と、上記レジスト成膜工程の後に、上記第一フォトマスクを介して上記第二レジストを感光するレジスト感光工程とを含んでもよい。これにより、感光性樹脂膜感光工程及びレジスト感光工程において共通の第一フォトマスクを用いることができるので、製造工程における必要なフォトマスクの枚数を一枚削減でき、製造コストを削減することができる。また、異なるフォトマスクを使用した場合、異なるフォトマスク間の仕上がりのズレに起因して感光性樹脂膜及び無機絶縁膜それぞれの開口部の位置がずれてしまうことがあるが、これによれば、この感光性樹脂膜及び無機絶縁膜それぞれの開口部の位置ズレの発生を抑制することができる。

本発明はまた、本発明の表示装置用基板の製造方法であって、上記製造方法は、第三レジストをマスクとしてウェットエッチングにより上記無機絶縁膜をエッチングする無機絶縁膜エッチング工程と、上記無機絶縁膜エッチング工程の後に、上記第三レジストを除去するレジスト除去工程と、上記レジスト除去工程の後に、上記無機絶縁膜をマスクとして上記感光性樹脂膜をエッチングする感光性樹脂膜エッチング工程とを含む表示装置用基板の製造方法（以下、「本発明の第二の表示装置用基板の製造方法」ともいう。）でもある。このように、無機絶縁膜をウェットエッチングによりエッチングするため、アッシング処理ではなく剥離液により第三レジストを剥離することができる。したがって、コンタクトホール内に露出する感光性樹脂膜の壁面部に対してアッシングのダメージが与えられるのを防ぐことができる。その結果、配線の接続不良が発生するのを抑制することができる。

本発明の第二の表示装置用基板の製造方法は、上記工程を有するものである限り、その他の工程により特に限定されるものではない。

本発明はまた、本発明の表示装置用基板を備える表示装置（以下、「本発明の第一の表示装置」ともいう。）でもある。これにより、画素領域内に気泡が発生することによる不良を抑制することができる。

本発明の第一の表示装置としては、このような構成要素を必須として形成されるものである限り、その他の構成要素を含んでいても含んでいなくてもよく、特に限定されるものではない。

本発明はまた、本発明の表示装置用基板を備える液晶表示装置でもある。これにより、画素領域内に気泡が発生することによる不良を抑制することができる。

本発明の液晶表示装置の構成としては、このような構成要素を必須として形成されるものである限り、その他の構成要素を含んでいても含んでいなくてもよく、特に限定されるものではない。

上記液晶表示装置は、モノマー分散型液晶を含む液晶層を有してもよい。これにより、ＰＳＡモードの液晶表示装置において、画素領域内に気泡が発生することによる不良を効果的に抑制することができる。同様の観点から、上記液晶表示装置は、本発明の表示装置用基板に対向する基板と、上記両基板間に狭持された液晶層とを備え、上記両基板の少なくとも一方（好適には上記両基板）の上記液晶層側の表面には、上記液晶層に電圧を印加しながら上記液晶層中の重合性成分を重合させることにより、上記液晶層中の液晶分子のプレチルト角を規定する重合体が形成されてもよい。

上記液晶表示装置は、上記表示装置用基板に対向する対向基板と、上記表示装置用基板及び上記対向基板の間に封止された液晶材料と、上記表示装置用基板及び上記対向基板の間に上記液晶材料を封止するためのシール材とを備え、上記ガスバリア絶縁膜は、上記シール材にかかる（接する）まで形成されてもよい。これにより、ＰＳＡモードの液晶表示装置において、画素領域内にガスや気泡が発生することによる不良をより効果的に抑制することができる。

本発明はまた、本発明の液晶表示装置の製造方法であって、上記製造方法は、液晶注入工程以降に、上記液晶層に光照射を行う工程を含む液晶表示装置の製造方法でもある。これにより、画素領域内に気泡が発生することによる不良を効果的に抑制しつつ、ＰＳＡモードの液晶表示装置を作製することができる。

本発明の液晶表示装置の製造方法は、上記工程を有するものである限り、その他の工程により特に限定されるものではない。

本発明はまた、本発明の表示装置用基板を備える有機エレクトロルミネセンス表示装置（以下、有機ＥＬディスプレイともいう。）であって、上記有機エレクトロルミネセンス表示装置は、上記表示装置用基板に光硬化型接着剤により貼り付けられた基板を有する有機エレクトロルミネセンス表示装置でもある。これにより、平板封止構造を有する有機ＥＬディスプレイにおいて、画素領域内にガスが発生することによる不良を効果的に抑制することができる。

本発明の有機エレクトロルミネセンス表示装置の構成としては、このような構成要素を必須として形成されるものである限り、その他の構成要素を含んでいても含んでいなくてもよく、特に限定されるものではない。なお、上記基板としては、封止用基板が好適である。

本発明はまた、本発明の表示装置用基板の製造方法により作製された表示装置用基板を備える表示装置（以下、「本発明の第二の表示装置」ともいう。）でもある。これにより、画素領域内にガスや気泡が発生することによる不良を抑制することができる。

本発明の第二の表示装置の構成としては、このような構成要素を必須として形成されるものである限り、その他の構成要素を含んでいても含んでいなくてもよく、特に限定されるものではない。

本発明の表示装置用基板、表示装置用基板の製造方法、表示装置、液晶表示装置、液晶表示装置の製造方法及び有機エレクトロルミネセンス表示装置によれば、画素領域内にガスや気泡が発生することによる不良を抑制することができる。

実施形態１の液晶表示装置の画素領域における断面模式図である。 実施形態１の液晶表示装置の画素領域における変形例を示す断面模式図である。 実施形態１の別の液晶表示装置の画素領域における断面模式図である。 実施形態２の有機ＥＬディスプレイの画素領域における断面模式図である。 実施形態３の液晶表示装置の額縁領域における断面模式図であり、（ａ）は、端子部を示し、（ｂ）は、周辺回路領域を示す。 実施形態３の液晶表示装置の画素領域における断面模式図である。 実施形態３の液晶表示装置に係る変形例の周辺回路領域を示す断面模式図である。 実施形態３の液晶表示装置に係る変形例の画素領域を示す断面模式図である。 実施形態３の液晶表示装置に係る変形例を示す断面模式図であり、（ａ）は、額縁領域における端子部を示し、（ｂ）は、額縁領域における周辺回路部を示す。 実施形態３の液晶表示装置に係る変形例の画素領域を示す断面模式図である。 実施形態３の液晶表示装置に係る変形例を示す断面模式図であり、（ａ）は、額縁領域における端子部を示し、（ｂ）は、額縁領域における周辺回路部を示す。 実施形態３の液晶表示装置に係る変形例の画素領域を示す断面模式図である。 実施形態３の液晶表示装置に係る変形例の画素領域を示す断面模式図である。 実施形態３の液晶表示装置に係る変形例を示す断面模式図であり、（ａ）は、額縁領域における端子部を示し、（ｂ）は、額縁領域における周辺回路部を示す。 実施形態３の液晶表示装置に係る変形例の画素領域を示す断面模式図である。 実施形態３の液晶表示装置に係る変形例を示す断面模式図であり、（ａ）は、額縁領域における端子部を示し、（ｂ）は、額縁領域における周辺回路部を示す。 実施形態３の液晶表示装置に係る変形例の画素領域を示す断面模式図である。 実施形態４の液晶表示装置の額縁領域における断面模式図であり、（ａ）は、端子部を示し、（ｂ）は、周辺回路領域を示す。 実施形態４の液晶表示装置に係る変形例を示す断面模式図であり、（ａ）は、額縁領域における端子部を示し、（ｂ）は、額縁領域における周辺回路部を示す。 実施形態５の液晶表示装置の端子部における断面模式図である。 実施形態５の液晶表示装置に係る変形例を示す断面模式図であり、額縁領域における端子部を示す。 実施形態５の液晶表示装置に係る変形例を示す断面模式図であり、（ａ）は、額縁領域における端子部を示し、（ｂ）は、額縁領域における周辺回路部を示す。 実施形態３の液晶表示装置に係る変形例の画素領域を示す断面模式図である。 実施形態６の液晶表示装置の端子部における断面模式図である。 実施形態６の液晶表示装置に係る変形例を示す断面模式図であり、額縁領域における端子部を示す。 実施形態６の液晶表示装置の変形例の端子部における断面模式図である。 実施形態１〜６に係るの液晶表示装置の周辺回路領域における断面模式図である。 （ａ）〜（ｄ）は、製造工程における実施形態１〜６に係る液晶表示装置の周辺回路領域における断面模式図である。 （ｅ）〜（ｇ）は、製造工程における実施形態１〜６に係る液晶表示装置の周辺回路領域における断面模式図である。 図２８−２（ｇ）で示される周辺回路領域の別の形態の断面模式図である。 （ａ）〜（ｄ）は、製造工程における実施形態１〜６に係る液晶表示装置の変形例の周辺回路領域における断面模式図である。 （ｅ）〜（ｈ）は、製造工程における実施形態１〜６に係る液晶表示装置の変形例の周辺回路領域における断面模式図である。 （ａ）〜（ｃ）は、製造工程における実施形態１〜６に係る液晶表示装置の変形例の周辺回路領域における断面模式図である。 （ｄ）〜（ｆ）は、製造工程における実施形態１〜６に係る液晶表示装置の変形例の周辺回路領域における断面模式図である。 （ａ）及び（ｂ）は、製造工程における実施形態１〜６に係る液晶表示装置の変形例の周辺回路領域における断面模式図である。 比較形態１の液晶表示装置の画素領域における断面模式図である。 比較形態２の液晶表示装置の額縁領域における断面模式図であり、（ａ）は、端子部を示し、（ｂ）は、周辺回路領域を示す。 従来のＰＳＡモードの液晶表示パネルを示す平面模式図である。 従来のＰＳＡモードの液晶表示パネルを示す断面模式図である。 実施形態１の液晶表示装置の平面模式図である。

以下に実施形態を掲げ、本発明を図面を参照して更に詳細に説明するが、本発明はこれらの実施形態のみに限定されるものではない。

（実施形態１）
図１は、実施形態１の液晶表示装置の画素領域における断面模式図である。本実施形態の液晶表示装置７００は、透過型の液晶表示装置であり、図１、３７に示すように、表示装置用基板であるＴＦＴ基板１５と、ＴＦＴ基板１５に対向配置されたＣＦ基板９０とを有し、更に、両基板１５、９０の周囲に設けられたシール材３９により両基板１５、９０間に液晶材料が封止されることによって液晶層１０が形成されている。

ＴＦＴ基板１５は、画素領域（複数の画素が配列された表示領域）において、絶縁基板２１上に、ベースコート膜２２と、半導体層２３と、ゲート絶縁膜２４と、ゲート電極２５と、層間絶縁膜として機能する無機絶縁膜４１と、第一配線層６１からなるソース電極３４及びドレイン電極３５と、層間絶縁膜及び平坦化膜として機能する感光性樹脂膜５２及びガスバリア絶縁膜として機能する無機絶縁膜４１ａの積層体と、画素毎に設けられた画素電極３６と、画素領域を覆うように設けられた配向膜３７とが絶縁基板２１側からこの順に積層された構造を有する。このように、ＴＦＴ基板１５を構成する絶縁基板２１上には、半導体層２３、ゲート絶縁膜２４及びゲート電極２５を含み、かつ画素スイッチング素子として機能するＴＦＴ２９が画素毎に直接作り込まれている。第一配線層６１からなるソース電極３４及びドレイン電極３５は、無機絶縁膜４１ａに設けられたコンタクトホール３１ｆを介して半導体層２３のソース・ドレイン領域に接続されている。また、画素電極３６は、感光性樹脂膜５２及び無機絶縁膜４１ａに設けられたコンタクトホール（ビアホール）３１ｇを介して第一配線層６１からなるドレイン電極３５と接続されている。

感光性樹脂膜５２等の有機膜は、柔らかいために剥れが発生したり傷が付いたりしやすいが、平坦性に優れている。一方、無機絶縁膜４１ａ等の無機膜は、平坦性は悪いが、固いために剥れにくいとともに傷が付きにくい。

なお、本明細書において、平坦化膜とは、段差を平坦化（小さく）する平坦化作用を有する膜である。平坦化膜の表面は、実質的に平坦であることが好ましいが、高さ５００ｎｍ（好ましくは２００ｎｍ）程度以下の段差を有してもよい。平坦化膜が表面に段差部を有する場合、段差部の曲率半径は、段差の高さよりも大きいことが好ましく、これにより、平坦化膜の上層の配線層を形成するためのエッチング時に、エッチング残渣が発生するのを効果的に抑制することができる。平坦化膜としては、感光性樹脂膜５２等の有機膜の他、（ＳＯＧ：Ｓｐｉｎ ｏｎ Ｇｌａｓｓ）膜も挙げられる。

一方、ＣＦ基板９０は、画素領域において、絶縁基板９１上に、各画素間に設けられた遮光部材からなるブラックマトリクス９２と、画素毎に設けられた赤、緑及び青のカラーフィルタ９３と、透明導電膜からなる共通電極９４と、配向膜９５とが絶縁基板９１側からこの順に形成されている。

以下に、実施形態１の液晶表示装置７００の製造方法について説明する。

ＴＦＴ基板１５の作製方法について説明する。
まず、絶縁基板２１に対して、前処理として、洗浄とプレアニールとを行う。絶縁基板２１としては特に限定されないが、コスト等の観点からは、ガラス基板、樹脂基板等が好適である。次に、以下（１）〜（１４）の工程を行う。

（１）ベースコート膜の形成工程
絶縁基板２１上に、プラズマ化学気相成長（Ｐｌａｓｍａ Ｅｎｈａｎｃｅｄ Ｃｈｅｍｉｃａｌ Ｖａｐｏｒ Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ：ＰＥＣＶＤ）法により膜厚５０ｎｍのＳｉＯＮ膜と、膜厚１００ｎｍのＳｉＯｘ膜とをこの順に成膜し、ベースコート膜２２を形成する。ＳｉＯＮ膜形成のための原料ガスとしては、モノシラン（ＳｉＨ_４）、亜酸化窒素ガス（Ｎ_２Ｏ）及びアンモニア（ＮＨ_３）の混合ガス等が挙げられる。なお、ＳｉＯｘ膜は、原料ガスとして正珪酸四エチル（Ｔｅｔｒａ Ｅｔｈｙｌ Ｏｒｔｈｏ Ｓｉｌｉｃａｔｅ：ＴＥＯＳ）ガスを用いて形成されることが好ましい。また、ベースコート膜２２は、原料ガスとしてモノシラン（ＳｉＨ_４）及びアンモニア（ＮＨ_３）の混合ガス等を用いて形成された窒化シリコン（ＳｉＮｘ）膜を含んでもよい。

（２）半導体層の形成工程
ＰＥＣＶＤ法により、膜厚５０ｎｍのアモルファスシリコン（ａ−Ｓｉ）膜を形成する。ａ−Ｓｉ膜形成のための原料ガスとしては、例えば、ＳｉＨ_４、ジシラン（Ｓｉ_２Ｈ_６）等が挙げられる。ＰＥＣＶＤ法により形成したａ−Ｓｉ膜には水素が含まれているため、約５００℃でａ−Ｓｉ膜中の水素濃度を低減する処理（脱水素処理）を行う。続いて、レーザアニールを行い、ａ−Ｓｉ膜を溶融、冷却及び結晶化させることにより、ｐ−Ｓｉ膜を形成する。レーザアニールには、例えば、エキシマレーザを用いる。ｐ−Ｓｉ膜の形成には、レーザアニールの前処理として、（連続粒界結晶シリコン（ＣＧ−シリコン）化するため）、脱水素処理せずニッケル等の金属触媒を塗布して、熱処理による固相成長を行ってもよい。また、ａ−Ｓｉ膜の結晶化としては、熱処理による固相成長のみを行ってもよい。次に、四フッ化炭素（ＣＦ_４）及び酸素（Ｏ_２）の混合ガスによるドライエッチングを行い、ｐ−Ｓｉ膜をパターニングし、半導体層２３を形成する。

（３）ゲート絶縁膜の形成工程
次に、原料ガスとしてＴＥＯＳガスを用いて、膜厚４５ｎｍの酸化シリコンからなるゲート絶縁膜２４を形成する。ゲート絶縁膜２４の材質としては特に限定されず、ＳｉＮｘ膜、ＳｉＯＮ膜等を用いてもよい。ＳｉＮｘ膜及びＳｉＯＮ膜形成のための原料ガスとしては、ベースコート膜の形成工程で述べたものと同様の原料ガスが挙げられる。また、ゲート絶縁膜２４は、上記複数の材料からなる積層体でもよい。

（４）イオンドーピング工程
ＴＦＴ２９の閾値を制御するために、イオンドーピング法、イオン注入法等により、半導体層２３に対してボロン等の不純物をドーピングする。より具体的には、Ｎチャネル型ＴＦＴ又はＰチャネル型ＴＦＴとなる半導体層に対してボロン等の不純物をドーピングした後（第一のドーピング工程）、Ｐチャネル型ＴＦＴとなる半導体層をレジストによりマスクした状態で、Ｎチャネル型となる半導体層に対して更にボロン等の不純物をドーピングする（第二のドーピング工程）。なお、Ｐチャネル型ＴＦＴの閾値制御が必要でない場合は、第一のドーピング工程は行わなくてもよい。

（５）ゲート電極の形成工程
次に、スパッタリング法を用いて、膜厚３０ｎｍの窒化タンタル（ＴａＮ）膜と膜厚３７０ｎｍのタングステン（Ｗ）膜とをこの順に成膜し、続いて、フォトリソグラフィ法によりレジスト膜を所望の形状にパターニングすることによってレジストマスクを形成した後、アルゴン（Ａｒ）、六フッ化硫黄（ＳＦ_６）、四フッ化炭素（ＣＦ_４）、酸素（Ｏ_２）、塩素（Ｃｌ_２）等の混合ガス分量を調整したエッチングガスを用いてドライエッチングを行い、ゲート電極２５を形成する。ゲート電極２５の材料としては、タンタル（Ｔａ）、モリブデン（Ｍｏ）、モリブデンタングステン（ＭｏＷ）等の表面が平坦で特性の安定した高融点金属や、アルミニウム（Ａｌ）等の低抵抗金属が挙げられる。また、ゲート電極２５は、上記複数の材料からなる積層体であってもよい。

（６）ソース・ドレイン領域の形成工程
次に、ＴＦＴ２９のソース・ドレイン領域を形成するため、ゲート電極２５をマスクとして、半導体層２３に対して、Ｎチャネル型ＴＦＴではリン等の不純物を、Ｐチャネル型ＴＦＴではボロン等の不純物をイオンドーピング法、イオン注入法等により高濃度にドーピングする。このとき、必要に応じて、ＬＤＤ（Ｌｉｇｈｔｌｙ Ｄｏｐｅｄ Ｄｒａｉｎ）領域を形成してもよい。続いて、半導体層２３中に存在している不純物イオンを活性化させるために、約７００℃、６時間の熱活性化処理を行う。これにより、ソース・ドレイン領域の電気伝導性を向上させることができる。なお、活性化の方法としては、エキシマレーザを照射する方法等も挙げられる。

（７）無機絶縁膜の形成工程
次に、絶縁基板２１全面にＰＥＣＶＤ法により、膜厚１００〜４００ｎｍ（好適には、２００〜３００ｎｍ）のＳｉＮｘ膜と、膜厚５００〜１０００ｎｍ（好適には、６００〜８００ｎｍ）のＴＥＯＳ膜とを成膜することによって、無機絶縁膜４１を形成する。無機絶縁膜４１としては、ＳｉＯＮ膜等を用いてもよい。また、トランジェント劣化（ホットキャリアによる劣化）等によりＴＦＴ特性が低下するのを抑制するとともに、ＴＦＴ２９の電気特性を安定化するため、無機絶縁膜４１の下層には５０ｎｍ程度の薄いキャップ膜（例えば、ＴＥＯＳ膜等）を形成してもよい。

（８）コンタクトホールの形成工程
次に、フォトリソグラフィ法によりレジスト膜を所望の形状にパターニングすることによってレジストマスクを形成した後、フッ酸系のエッチング溶液を用いてゲート絶縁膜２４及び無機絶縁膜４１のウェットエッチングを行い、コンタクトホール３１ｆを形成する。なお、エッチングには、ドライエッチングを用いてもよい。この後、無機絶縁膜４１のＳｉＮｘ膜から供給される水素によって結晶Ｓｉの欠陥補正を行うため、約４００℃で１時間、熱処理を行う。

（９）第一配線層の形成工程
次に、スパッタ法等で、膜厚１００ｎｍのチタン（Ｔｉ）膜と、膜厚５００ｎｍのアルミニウム（Ａｌ）膜と、膜厚１００ｎｍのＴｉ膜とをこの順で成膜する。次に、フォトリソグラフィ法によりレジスト膜を所望の形状にパターニングすることによってレジストマスクを形成した後、ドライエッチングによりＴｉ／Ａｌ／Ｔｉの金属積層膜をパターニングし、第一配線層６１を形成する。これにより、ソース電極３４及びドレイン電極３５が形成される。なお、第一配線層６１を構成する金属としては、Ａｌに代えてＡｌ−Ｓｉ合金等を用いてもよい。なお、ここでは、配線の低抵抗化のためにＡｌを用いたが、高耐熱性が必要であり、かつ抵抗値のある程度の増加が許される場合（例えば、短い配線構造にする場合）は、第一配線層６１を構成する金属として、上述したゲート電極材料（Ｔａ、Ｍｏ、ＭｏＷ、Ｗ、ＴａＮ等）を用いてもよい。

（１０）有機・無機積層体の形成工程
次に、基板２１全面にスピンコート法等により、膜厚１〜５μｍ（好適には、２〜３μｍ）の感光性アクリル樹脂、例えばナフトキノンジアジド系の紫外線硬化型樹脂を塗布することによって、感光性樹脂膜５２を形成する。感光性樹脂膜５２の材料としては、感光性のポリアルキルシロキサン系の樹脂を用いてもよい。続いて、所望の形状の遮光パターンが形成されたフォトマスクを通して感光性樹脂膜５２を感光（露光）した後、エッチング（現像処理）を行うことによってコンタクトホール３１ｇとなる領域の感光性樹脂膜５２を除去する。続いて、感光性樹脂膜５２のベーク工程（例えば、２００℃、３０分間）を行う。これにより、感光性樹脂膜５２の開口部（孔部）の形状がなだらかとなり、コンタクトホール３１ｇのアスペクト比を低減することができる。また、感光性樹脂膜５２のコンタクト部（コンタクトホール３１ｇとなる部分）を最初に除去する際、アッシング（剥離）工程が不要になる。

次に、絶縁基板２１全面にスパッタ法やＰＥＣＶＤ法により膜厚１０〜２００ｎｍ（好適には、２０〜１００ｎｍ）のＳｉＮｘ膜、又は、ＴＥＯＳガスを原料ガスとして膜厚１０〜２００ｎｍ（好適には、２０〜１００ｎｍ）のＳｉＯ_２膜を成膜することによって、無機絶縁膜４１ａを形成する。無機絶縁膜４１ａとしては、ＳｉＯＮ膜等を用いてもよい。その他、無機絶縁膜４１ａとしては、スパッタ法、ＣＡＴ−ＣＶＤ法、ＩＣＰプラズマＣＶＤ法（例えば、セルバック社製、ＩＣＰ−ＣＶＤ装置を用いる方法）、オゾン酸化法（例えば、明電舎社製、明電ピュアオゾンジェネレータを用いる方法）等により形成されたＳｉＯ_２膜やＳｉＮ膜を成膜してもよい。これらの方法によれば、低温で高品質な膜の形成が可能である。なかでも、ＳｉＯ_２膜は、ＵＶ光の減衰が少ない絶縁基板と同一基材であることから、無機絶縁膜４１ａとしてＳｉＯ_２膜を用いた場合には、後述するＵＶ照射工程において、ＵＶ光が減衰するのを効果的に抑制することができる。他方、ガスバリア絶縁膜としては、無機絶縁膜４１ａの代わりに、膜厚０．１〜３．０μｍ（好適には、０．５〜２．０μｍ）の熱硬化型樹脂、例えば、熱硬化型エポキシ樹脂膜や、熱硬化型ポリイミド樹脂膜、熱硬化型パリレン樹脂膜を形成してもよい。

このように、ガスバリア絶縁膜は、パネル封止後やパネル封止時等のパネル内からガスの逃げ場がない状況で感光性樹脂膜５２が光照射されたときに発生するガスの進行を妨げ、かつ光照射（なかでもＵＶ照射）により自身からガスが発生しない絶縁膜であればその材質は特に限定されない。

続いて、フォトリソグラフィ法によりレジスト膜を所望の形状にパターニングすることによってレジストマスクを形成する。このとき、感光性樹脂膜５２を露光するために用いたフォトマスクと同じものを用いて無機絶縁膜４１ａパターニング用のレジストを露光してもよい。このように、感光性樹脂膜５２と、無機絶縁膜４１ａパターニング用のレジストとの露光に同一のフォトマスクを用いることによって、必要なフォトマスクの枚数を一枚削減でき、製造コストを削減することができる。また、異なるフォトマスク間の仕上がりのズレに起因して発生し得る感光性樹脂膜５２及び無機絶縁膜４１ａそれぞれの開口の位置ズレの発生を抑制することができる。なお、この場合は、感光性樹脂膜５２をオーバー露光（適度な光量よりも過度の光量で露光すること）するとともに、無機絶縁膜４１ａパターニング用のレジストを通常の露光量で露光することが好ましい。これにより、感光性樹脂膜５２の開口部の壁面に無機絶縁膜４１ａを残すことができる。

その後、四フッ化炭素（ＣＦ_４）等を用いたドライエッチングにより、感光性樹脂膜５２が除去された領域と重なるようにコンタクトホール３１ｇとなる領域の無機絶縁膜４１ａを除去する。無機絶縁膜４１ａをドライエッチングによりパターニングすることによって、コンタクトホール３１ｇの微細加工が可能になるとともに、下層にある第一配線層６１の微細化が可能になる。その後、無機絶縁膜４１ａをストッパ材として、Ｏ_２プラズマによりレジストマスクをアッシング除去する。これにより、感光性樹脂膜５２及び無機絶縁膜４１ａを貫通するコンタクトホール３１ｇが形成される。

このように、感光性樹脂膜５２上に無機絶縁膜４１ａ（パッシベーション膜）を形成することによって、ドライプロセスによるダメージが発生するのを抑制することができる。より具体的には、無機絶縁膜４１ａや画素電極３６をドライエッチングによりエッチングする際に、感光性樹脂膜５２の液晶層１０側の全面が無機絶縁膜４１ａに覆われている。すなわち、感光性樹脂膜５２の液晶層１０側の上面及び側面（例えば、開口部の壁面）が無機絶縁膜４１ａに覆われている。そのため、感光性樹脂膜５２にドライエッチングによるダメージが発生するのを抑制することができる。また、コンタクトホール３１ｇの形成工程と、画素電極３６の形成工程とおけるレジストアッシング時に、感光性樹脂膜５２が酸素プラズマによるダメージを受けないようにすることができる。このような観点から、感光性樹脂膜５２の開口部の壁面の全部は、無機絶縁膜４１ａで覆われていることが好ましい。

また、無機絶縁膜４１ａは、ウェットエッチングされてもよい。この場合は、レジストマスクは剥離液により剥離すればよい。したがって、感光性樹脂膜５２がアッシングやドライエッチングのダメージを受けなくすることができる。また、無機絶縁膜４１ａをウェットエッチングする場合は、感光性樹脂膜５２の開口部よりも無機絶縁膜４１ａの開口部を大きくすることによって、図２に示すように、感光性樹脂膜５２の開口部の壁面の下層側の一部が露出していてもよい。これによっても、同様に、感光性樹脂膜５２がアッシングやドライエッチングのダメージを受けなくすることができる。

なお、図２に示す形態を形成するには、まず、感光性樹脂膜５２を露光するために用いたフォトマスクとは異なるフォトマスクで無機絶縁膜４１ａパターニング用のレジストをパターン形成し、次に、無機絶縁膜４１ａパターニング用のレジストをマスクとして、フッ酸（ＨＦ）等を用いたウェットエッチングにより、感光性樹脂膜５２の開口部の壁面の下層側の一部が露出するように無機絶縁膜４１ａをエッチングすることによってコンタクトホール３１ｇを形成し、最後に、剥離液により無機絶縁膜４１ａパターニング用のレジストを剥離すればよい。

なお、ガスバリア絶縁膜として、熱硬化型樹脂膜を形成した場合には、ＣＯ_２レーザ等のレーザを用いて熱硬化型樹脂膜に穴を形成すればよい。

また、感光性樹脂膜５２及び無機絶縁膜４１ａはそれぞれ、異なる材料からなる複数の膜が積層されてもよい。すなわち、ガスバリア絶縁膜も、異なる材料からなる複数の膜が積層されてもよい。

これらの工程により、感光性樹脂膜５２上に無機絶縁膜４１ａが積層された有機・無機積層体が形成される。なお、無機絶縁膜４１ａ（ガスバリア絶縁膜）は、少なくとも画素領域を覆うように形成されればよく、必ずしも絶縁基板２１全面に形成される必要はないが、図３７に示すように、少なくともシール材３９にかかる（重なる）まで形成されることが好ましい。これにより、感光性樹脂膜５２から発生するガス３８の進行をより効果的に防ぐことができる。また、後述する実施形態３以降のようにＴＦＴ基板１５に端子部及び周辺回路領域を設ける場合は、無機絶縁膜４１ａ（ガスバリア絶縁膜）は、端子部及び周辺回路領域にまで形成されることが好ましい。

他方、感光性樹脂膜５２及び無機絶縁膜４１ａは、以下のようにして形成してもよい。すなわち、まず、感光性樹脂膜５２及び無機絶縁膜４１ａをこの順に形成する。次に、フォトリソグラフィ法によりレジスト膜を所望の形状にパターニングすることによってレジストマスクを形成した後、四フッ化炭素（ＣＦ_４）及び酸素（Ｏ_２）の混合ガスを用い、かつ両ガスの流量を調整しながらドライエッチングを行い、コンタクトホール３１ｇを形成する。そして、無機絶縁膜４１ａをストッパ材として、レジストマスクのアッシング（剥離）を行う。これにより、コンタクトホール３１ｇの微細加工が可能になることから、下層にある第一配線層６１の微細化が可能になる。

ただし、この場合、感光性樹脂膜５２の膜厚は、例えば２μｍ以上と厚いため、感光性樹脂膜５２及び無機絶縁膜４１ａの積層体に形成されるコンタクトホール３１ｇのアスペクト比が高くなり、上下の配線層間のコンタクトが取りにくくなることがある。それに対して、上述の感光性樹脂膜５２を開口した後に、無機絶縁膜４１ａの成膜及び開口を行う手法によれば、コンタクトホール３１ｇのアスペクト比を低減することができる。

またこの場合、レジストマスクのＯ_２アッシング時に、コンタクトホール３１ｇ内に露出した感光性樹脂膜５２の開口部の壁面も同時にアッシングされ、感光性樹脂膜５２の開口部の壁面が上層の無機絶縁膜４１ａの開口部の壁面に対して後退し、コンタクトホール３１ｇがオーバーハング状（突き出た形状）となり、コンタクトホール３１ｇ内で上層の画素電極３６と下層の第一配線層６１とが断線することが懸念される。それに対して、上述の感光性樹脂膜５２を開口した後に、無機絶縁膜４１ａの成膜及び開口を行う手法によれば、コンタクトホール３１ｇ内で上層の画素電極３６と下層の第一配線層６１とが断線するのを効果的に抑制することができる。

（１１）画素電極及び配向膜の形成工程
次に、スパッタリング法等によって、膜厚５０〜２００ｎｍ（好適には、１００〜１５０ｎｍ）のＩＴＯ膜やＩＺＯ膜を形成した後、フォトリソグラフィ法によって所望の形状にパターニングし、画素電極３６を形成する。その後、少なくとも画素領域を覆うように、配向膜３７として例えば印刷法によりポリイミド膜を画素電極３６上に塗布するとともに、配向膜３７の配向処理を行うことにより、ＴＦＴ基板１５が完成する。

（１２）ＣＦ基板の形成工程
ＣＦ基板９０については、初めに絶縁基板２１と同様の絶縁基板９１を用意する。そして、遮光膜をスパッタリング法により成膜し、その膜をパターニングして、ブラックマトリクス９２を形成する。次に、赤の顔料が分散された樹脂フィルム（ドライフィルム）を画素領域全面にラミネートし、露光、現像及びベーク（熱処理）を行って、赤のカラーフィルタ９３を形成する。次に、赤のカラーフィルタ９３に重ねて、緑色の顔料が分散された樹脂フィルムを画素領域全面にラミネートし、露光、現像及びベーク（熱処理）を行って、緑のカラーフィルタ９３を形成する。同様に、青のカラーフィルタ９３を形成する。またこのとき、画素開口部以外の遮光領域に、上記遮光膜及び上記樹脂フィルムの積層体からなる柱状スペーサ（図示せず）が形成される。次に、カラーフィルタ９３の上層にＩＴＯを蒸着して共通電極９４を形成する。次に、少なくとも画素領域を覆うように、配向膜９５として例えば印刷法によりポリイミド膜を共通電極９４上に塗布するとともに、配向膜９５の配向処理を行うことにより、ＣＦ基板９０が完成する。なお、カラーフィルタ９３は、カラーレジストを用いたフォトリソグラフィ法によって形成してもよい。また、ＣＦ基板９０には、カラーレジストを用いたフォトリソグラフィ法によってフォトスペーサを形成してもよい。更に、ブラックマトリクス９２を形成せず、ＴＦＴ基板１５のソースラインやＣＳライン等の配線で代用してもよい。

（１３）パネル貼り合わせ工程及び液晶注入工程
次に、ＴＦＴ基板１５の画素領域の外周にシール材３９を塗布した後、ディスペンサ等を用いて、負の誘電率を有する液晶分子に重合性成分を添加した液晶材料をシール材３９の内側に滴下する。重合性成分として使用できる材料は特に限定されず、例えば、光重合性モノマーや光重合性オリゴマーを用いることができる。次に、液晶材料が滴下されたＴＦＴ基板１５にＣＦ基板９０を貼り合わせる。ここまでの工程は真空中で行われる。次に、貼り合わせた両基板１５、９０を大気中に戻すと、貼り合わされた両基板１１、９０間を液晶材料が大気圧により拡散する。次に、シール材３９の塗布領域に沿ってＵＶ光源を移動させながらＵＶ光をシール材３９に照射し、シール材３９を硬化させる。このようにして、拡散した液晶材料が２枚の基板１１、９０間に封止されて液晶層１０が形成される。

なお、液晶材料を注入する方法としては、両基板１１、９０の側方に液晶注入口を設け、そこから液晶材料を注入し、その後、液晶注入口を紫外線硬化樹脂等で封止する方法であってもよい。

（１４）重合性成分の光照射工程
次に、ＴＦＴ２９がオンとなる電圧をゲート電極２５に印加した状態でソース電極３４と共通電極９４との間に交流電圧を印加し、液晶分子をチルトさせながら液晶層１０にＴＦＴ基板１５側からＵＶ光（図１中の白抜き矢印）を照射する。これにより、液晶材料に添加された光重合性モノマーが重合され、配向膜３７、９５の液晶層１０側の表面に液晶分子のプレチルト角を規定する重合体が形成される。

その後、パネル分断工程、偏光板の貼り付け工程、ＦＣＰ基板の貼り付け工程、液晶表示パネル及びバックライトユニットの組み合わせ工程等を経て、本実施形態の液晶表示装置１００を完成することができる。

以上、本実施形態の液晶表示装置７００によれば、感光性樹脂膜５２と画素電極３６との間にガスバリア絶縁膜が設けられていることから、図１に示すように、重合性成分の光照射工程において、感光性樹脂膜５２にＵＶ光が照射され、画素電極３６より下層にある感光性樹脂膜５２からガス３８が発生したとしても、ガス３８が液晶層１０に侵入するのをガスバリア絶縁膜により防ぐことができる。したがって、液晶層１０中に気泡が発生するのを抑制することができ、その結果、気泡による不良の発生を抑制することができる。

また、ガス３８は、隣接する画素電極３６間の隙間から液晶層１０に特に侵入しやすいと考えられるが、ガスバリア絶縁膜は、感光性樹脂膜５２の上面及び側面（例えば、開口部の壁面）の画素電極３６で覆われていない領域を覆うことから、ガス３８をより効果的に遮断することができる。

また同様に、ガスバリア絶縁膜は、画素電極３６間の隙間に設けられることから、ガス３８をより効果的に遮断することができる。

図３は、実施形態１の別の液晶表示装置の画素領域における断面模式図である。
本実施形態においては、画素電極３６及び無機絶縁膜４１ａをこの順に形成し、ガスバリア絶縁膜として機能する無機絶縁膜４１ａを画素電極３６よりも上層側、具体的には直上に形成してもよく、この場合も気泡による不良の発生を抑制することができる。しかしながら、画素電極３６の全てを無機絶縁膜４１ａで覆ってしまうと、ガスバリア絶縁膜の容量成分で電圧降下が生じるおそれがあるので、図３に示すように、無機絶縁膜４１ａを画素電極３６がない領域に選択的に形成することが好ましい。すなわち、無機絶縁膜４１ａは、画素電極３６の外縁部に重なるとともに、画素電極３６上に開口部を有することが好ましく、感光性樹脂膜５２の上面の画素電極３６で覆われていない領域を選択的に覆うことが好ましく、互いに間隔を有して設けられた画素電極３６間の隙間に選択的に設けられることが好ましい。これにより、ガスバリア絶縁膜の容量成分で電圧降下が生じるのを抑制しつつ、気泡による不良の発生を抑制することができる。なお、感光性樹脂膜５２の側面（例えば、額縁領域に位置する感光性樹脂膜５２の外縁部）に画素電極３６で覆われていない領域がある場合には、無機絶縁膜４１ａによりこの領域も選択的に覆うことが好ましい。また、ガスバリア絶縁膜を画素電極３６にどの程度重ねるかについては、電圧降下の許容範囲内であれば、パターニング精度やガスバリア絶縁膜の材質に応じて適宜設定することができる。

なお、本実施形態の液晶表示装置７００は、配向分割されたものであってもよい。また、本実施形態の液晶表示装置７００は、白黒表示であってもよい。更に、本実施形態の液晶表示装置７００は、反射型であってもよいし、半透過型（反射透過両用型）であってもよい。

（実施形態２）
図４は、実施形態２の有機ＥＬディスプレイの画素領域における断面模式図である。なお、本実施形態と実施形態１とで重複する内容についての説明は省略する。

本実施形態の有機ＥＬディスプレイ８００は、アクティブマトリクス型の有機ＥＬディスプレイであり、図４に示すように、表示装置用基板であるＴＦＴ基板１６と、ＴＦＴ基板１６に対向配置された封止用基板７２とを有する。

ＴＦＴ基板１６は、実施形態１のＴＦＴ基板１５と同様に、画素領域において、絶縁基板２１上に、ベースコート膜２２と、半導体層２３と、ゲート絶縁膜２４と、ゲート電極２５と、層間絶縁膜として機能する無機絶縁膜４１と、第一配線層６１からなるソース電極３４及びドレイン電極３５と、層間絶縁膜及び平坦化膜として機能する感光性樹脂膜５２及びガスバリア絶縁膜として機能する無機絶縁膜４１ａの積層体とが絶縁基板２１側からこの順に積層された構造を有する。また、無機絶縁膜４１ａ上には画素毎に、アノード（陽極）として機能する画素電極（下電極）３６が設けられ、画素電極３６上には画素の境界沿ってバンク７３が設けられている。また、各画素に対応するバンク７３の開口部には、正孔注入輸送層及び発光層からなるＥＬ膜（有機膜）７４が設けられている。そして、ＥＬ膜７４上にはカソード（陰極）として機能する上電極７５が設けられている。このように、ＴＦＴ基板１６を構成する絶縁基板２１上には、実施形態１と同様に、半導体層２３、ゲート絶縁膜２４及びゲート電極２５を含み、かつ画素スイッチング素子として機能するＴＦＴ２９が画素毎に直接作り込まれている。第一配線層６１からなるソース電極３４及びドレイン電極３５は、無機絶縁膜４１に設けられたコンタクトホール３１ｈを介して半導体層２３のソース・ドレイン領域に接続されている。更に、画素電極３６は、感光性樹脂膜５２及び無機絶縁膜４１ａに設けられたコンタクトホール（ビアホール）３１ｉを介して第一配線層６１からなるドレイン電極３５と接続されている。

そして、ＴＦＴ基板１６の上電極７５側には、紫外線硬化型接着剤７６により封止用基板７２が貼り合わされている。

以下に、実施形態２の有機ＥＬディスプレイ８００の製造方法について説明する。

ＴＦＴ基板１６の作製方法について説明する。
まず、絶縁基板２１に対して、前処理として、洗浄とプレアニールとを行う。絶縁基板２１としては特に限定されないが、コスト等の観点からは、ガラス基板、樹脂基板、金属基板等が好適である。

次に、実施形態１と同様に、上記（１）〜（１０）の工程を行う。

（１１）画素電極の形成工程
次に、スパッタリング法等によって、膜厚５０〜２００ｎｍ（好適には、１００〜１５０ｎｍ）のＩＴＯ膜やＩＺＯ膜を形成した後、フォトリソグラフィ法によって所望の形状にパターニングし、各画素にアノードとして機能する画素電極３６を形成する。

（１２）バンクの形成工程
基板２１全面にスピンコート法等により、膜厚１〜４μｍ（好適には、２〜３μｍ）の感光性アクリル樹脂、例えばナフトキノンジアジド系の紫外線硬化型樹脂を塗布することによって、感光性樹脂膜を形成する。感光性樹脂膜の材料としては、感光性のポリアルキルシロキサン系の樹脂を用いてもよい。続いて、所望の形状の遮光パターンが形成されたフォトマスクを通して感光性樹脂膜を感光（露光）した後、エッチング（現像処理）を行うことによって各画素に開口を形成する。これにより、画素電極３６が露出する。続いて、感光性樹脂膜のベーク工程（例えば、２００℃、３０分間）を行うことによって、バンク７３が形成される。なお、バンク７３形成前に、発光領域に開口部を有する厚さ５０〜１００ｎｍ程度のＴＥＯＳ等の無機材料からなるバンクを先に形成してもよい。

（１３）ＥＬ膜の形成工程
次に、バンク７３の開口内に、ポリエチレンジオキシチオフェン（Ｐｏｌｙｅｔｈｙｌｅｎｅｄｉｏｘｙｔｈｉｏｐｈｅｎｅ：ＰＥＤＯＴ）とポリスチレンスルホン酸（Ｐｏｌｙｓｔｙｌｅｎｅｓｕｌｆｏｎｉｃ ａｃｉｄ：ＰＳＳ）とを含む混合水溶液をインクジェット装置によってパターン塗布した後、加熱乾燥処理を行う。この加熱乾燥処理により、ＰＥＤＯＴ及びＰＳＳが分散していた溶媒が除去されて、膜厚２０〜７０ｎｍ（好適には、４０〜６０ｎｍ）の電荷注入輸送層が形成される。その後、ポリフルオレン化合物等の赤色、青色及び緑色の高分子発光材料をキシレン等の非極性溶媒にそれぞれ溶解させた３色の液状材料を、バンク７３の開口内の電荷注入輸送層上にインクジェット装置を用いてパターン塗布する。パターン塗布の後、溶媒を除去することによって膜厚５０〜１５０ｎｍ（好適には、８０〜１２０ｎｍ）の発光層が形成される。このように、本実施形態の有機ＥＬディスプレイ８００のカラー表示方式は、３色方式である。

（１４）上電極の形成工程
次に、膜厚５〜３０ｎｍ（好適には、１０〜２０ｎｍ）のカルシウムと、膜厚１００〜４００ｎｍ（好適には、２００〜３００ｎｍ）のアルミニウムとをこの順に発光層上に蒸着し、カソードとして機能する上電極７５を形成する。

（１５）封止用基板の貼り付け工程
次に、ＥＬ膜７４を全て覆うように、上電極７５上に紫外線硬化型接着剤７６を塗布した後、窒素（Ｎ_２）ガス、ドライエア等の不活性ガスが導入された減圧又は真空環境下で、ガラス基板、樹脂基板等の平らな封止用基板７２とＴＦＴ基板１６とを紫外線硬化型接着剤７６を介して貼り合わせる。

なお、紫外線硬化型接着剤７６としては特に限定されないが、特開２００４−２３１９３８号公報に記載の光硬化性接着剤組成物が挙げられる。より具体的には、光カチオン重合性化合物としてビスフェノールＡ型エポキシ樹脂（商品名「エピコート８２８」、ジャパンエポキシレジン社製）７０重量部、同じく光カチオン重合性化合物としてナフタレン型エポキシ樹脂（商品名「エピクロンＨＰ−４０３２」、大日本インキ化学工業社製）３０重量部、光カチオン重合開始剤として波長３４０ｎｍ以上の近紫外線または可視光線で活性化するイオン性光酸発生型（イオン性であり、かつ光により酸を発生する型）の光カチオン重合開始剤（商品名「アデカオプトマーＳＰ１７０」、旭電化工業社製）１重量部、波長３４０ｎｍ以上の近紫外線または可視光線を吸収する光増感剤としてチオキサントン誘導体系光増感剤（商品名「カヤキュアＤＥＴＸ−Ｓ」、日本化薬社製）０．２重量部及び充填剤として合成マイカ（商品名「ミクロマイカＭＫ−１００」、コープケミカル社製）２０重量部を、ホモディスパー型攪拌混合機（型式「ホモディスパーＬ型」、特殊機化社製）を用い、攪拌速度３０００ｒｐｍの条件で均一に攪拌混合することにより調整された光硬化性接着剤組成物が挙げられる。

そして、ＴＦＴ基板１６側からＵＶ光（図４中の白抜き矢印、例えば、波長３６５ｎｍ、照射量６０００ｍＪ／ｃｍ^２）を照射することによって紫外線硬化型接着剤７６を硬化させる。これにより、封止用基板７２を用いてＥＬ膜７４を外気から遮断することができる。なお、ＵＶ光は、封止用基板７２から照射されてもよい。

その後、ＦＣＰ基板の貼り付け工程等を経て、本実施形態の有機ＥＬディスプレイ８００を完成することができる。

以上、本実施形態の有機ＥＬディスプレイ８００によれば、感光性樹脂膜５２と画素電極３６との間にガスバリア絶縁膜が設けられていることから、図４に示すように、封止用基板７２の貼り付け工程において、感光性樹脂膜５２にＵＶ光が照射され、画素電極３６より下層にある感光性樹脂膜５２からガス３８が発生したとしても、ガス３８がＥＬ膜７４に侵入するのをガスバリア絶縁膜により防ぐことができる。したがって、ガス３８による不良の発生を抑制することができる。

また、ガス３８は、隣接する画素電極３６間の隙間からＥＬ膜７４に特に侵入しやすいと考えられるが、ガスバリア絶縁膜は、感光性樹脂膜５２の上面の画素電極３６で覆われていない領域を覆うことから、ガス３８をより効果的に遮断することができる。

また同様に、ガスバリア絶縁膜は、画素電極３６間の隙間に設けられることから、ガス３８をより効果的に遮断することができる。

ただし、上述のように、バンク７３を感光性樹脂により形成した場合には、バンク７３からのガスの発生をガスバリア絶縁膜により遮断することはできないが、ガスの絶対量は、減少するので、従来に比べて不良の発生頻度は低減することができる。

なお、ガスバリア絶縁膜は、画素電極３６の外縁部に重なるとともに、画素電極３６上に開口部を有してもよいし、感光性樹脂膜５２の上面及び／又は側面の画素電極３６で覆われていない領域を選択的に覆ってもよいし、互いに間隔を有して設けられた画素電極３６間の隙間に選択的に設けられてもよい。

また、本実施形態の有機ＥＬディスプレイ８００は、トップエミッション型であってもよいし、ボトムエミッション型であってもよい。また、本実施形態の有機ＥＬディスプレイ８００は、低分子発光材料を含んでもよい。このように、画素電極３６及び上電極７５間の有機層は、上述のように湿式法により形成されてもよいし、蒸着等の乾式法により形成されてもよい。更に、本実施形態の有機ＥＬディスプレイ８００のカラー表示方式は、色変換方式であってもよいし、カラーフィルタ方式であってもよい。

以下に示す実施形態は、上述の無機絶縁膜等のガスバリア絶縁膜を端子部や周辺回路、画素領域にも適用することで、ガスバリア効果のみならず、工程数を増加させることなく付加効果を引き出した実施形態である。

（実施形態３）
図５は、実施形態３の液晶表示装置の額縁領域における断面模式図であり、（ａ）は、端子部を示し、（ｂ）は、周辺回路領域を示す。図６は、実施形態３の液晶表示装置の画素領域における断面模式図である。本実施形態の液晶表示装置１００は、図５（ａ）に示すように、表示装置用基板であるＴＦＴ基板１１と、他の回路基板であるＦＰＣ基板７０とが端子部においてＡＣＦ８０により接続された構造を有する。

なお、液晶表示装置１００は、絶縁基板上に、遮光部材からなるブラックマトリクスと、赤、緑及び青のカラーフィルタと、オーバーコート層と、透明導電膜からなる共通電極と、配向膜とが絶縁基板側からこの順に形成されるとともに、ＴＦＴ基板１１に対向配置されたＣＦ基板（図示せず）を有し、更に、ＴＦＴ基板１１及びＣＦ基板間には液晶材料が充填されている。

ＴＦＴ基板１１は、図５（ａ）に示すように、端子部において、絶縁基板２１上に、ベースコート膜２２と、ゲート絶縁膜２４と、ゲート電極２５と、層間絶縁膜として機能する無機絶縁膜４１と、第一配線層６１からなる接続端子（外部接続端子）２６と、保護膜として機能する有機絶縁膜５１ａ及び無機絶縁膜４１ａの積層体とが絶縁基板２１側からこの順に積層された構造を有する。また、接続端子２６の端部上の有機絶縁膜５１ａ及び無機絶縁膜４１ａは除去されるとともに、接続端子２６の端部上にはパッド部（ＡＣＦ８０中の導電性微粒子８１との当接部）２７が設けられている。このパッド部２７と、ＦＰＣ基板７０の接続端子７１とがＡＣＦ８０中の導電性微粒子８１に接触することによって、ＴＦＴ基板１１とＦＰＣ基板７０とが接続及び固定されている。第一配線層６１からなる接続端子（外部接続端子）２６は、無機絶縁膜４１に設けられたコンタクトホール３１ａを介してゲート電極（ゲート配線）２５に接続されている。

また、ＴＦＴ基板１１は、図５（ｂ）に示すように、周辺回路領域において、絶縁基板２１上に、ベースコート膜２２と、半導体層２３と、ゲート絶縁膜２４と、ゲート電極２５と、層間絶縁膜として機能する無機絶縁膜４１と、第一配線層６１からなるソース・ドレイン電極２８及び引き回し配線（素子や端子間を接続する配線）３０ａと、層間絶縁膜及び平坦化膜として機能する有機絶縁膜５１ａ及び無機絶縁膜４１ａの積層体と、第二配線層６２からなる引き回し配線３０ｂと、保護膜として機能する有機絶縁膜５１とが絶縁基板２１側からこの順に積層された構造を有する。このように、ＴＦＴ基板１１を構成する絶縁基板２１上には、半導体層２３、ゲート絶縁膜２４及びゲート電極２５を含み、かつドライバ回路等の周辺回路を構成するＴＦＴ２９が直接作り込まれている。第一配線層６１からなるソース・ドレイン電極２８は、無機絶縁膜４１に設けられたコンタクトホール３１ｂを介して半導体層２３のソース・ドレイン領域に接続されている。また、第二配線層６２からなる引き回し配線３０ｂは、有機絶縁膜５１ａ及び無機絶縁膜４１ａに設けられたコンタクトホール（ビアホール）３１ｃを介して第一配線層６１からなるソース・ドレイン電極２８及び引き回し配線３０ａと接続されている。なお、周辺回路としては特に限定されず、トランスミッションゲート、ラッチ回路、タイミングジェネレータ、電源回路等によるインバータ等の回路を含むドライバ回路の他、バッファ回路、デジタル−アナログ変換回路（ＤＡＣ回路）、シフトレジスタ、サンプリングメモリ等の回路等であってもよい。

ＴＦＴ基板１５は、図６に示すように、画素領域（複数の画素が配列された表示領域）において、絶縁基板２１上に、ベースコート膜２２と、半導体層２３と、ゲート絶縁膜２４と、ゲート電極２５及び画素補助容量６８ａの上電極として機能する補助容量上電極６６ａと、層間絶縁膜として機能する無機絶縁膜４１と、第一配線層６１からなるソース電極３４及びドレイン電極３５と、層間絶縁膜及び平坦化膜として機能する有機絶縁膜５１ａ及びガスバリア絶縁膜として機能する無機絶縁膜４１ａの積層体と、第二配線層６２からなるドレイン配線６５と、保護膜として機能する有機絶縁膜５１と、画素毎に設けられた画素電極３６と、画素領域を覆うように設けられた配向膜（図示せず）とが絶縁基板２１側からこの順に積層された構造を有する。このように、ＴＦＴ基板１１を構成する絶縁基板２１上には、半導体層２３、ゲート絶縁膜２４及びゲート電極２５を含み、かつ画素スイッチング素子として機能するＴＦＴ２９が画素毎に直接作り込まれている。また、補助容量下電極（画素補助容量の下電極として機能する電極）としても機能する半導体層２３と、ゲート絶縁膜２４と、補助容量上電極６６ａとを含む画素補助容量６８ａが画素毎に直接作り込まれている。第一配線層６１からなるソース電極３４及びドレイン電極３５は、無機絶縁膜４１に設けられたコンタクトホール３１ｆを介して半導体層２３のソース・ドレイン領域に接続されている。また、ドレイン配線６５は、有機絶縁膜５１ａ及び無機絶縁膜４１ａに設けられたコンタクトホール（ビアホール）３１ｇを介して第一配線層６１からなるドレイン電極３５と接続されている。更に、画素電極３６は、有機絶縁膜５１に設けられたコンタクトホール（ビアホール）３１ｊを介して第二配線層６２からなるドレイン配線６５と接続されている。

有機絶縁膜５１ａ等を構成する有機膜は、柔らかいために剥れが発生したり傷が付いたりしやすいが、平坦性に優れている。一方、無機絶縁膜４１ａ等を構成する無機膜は、平坦性は悪いが、固いために剥れにくいとともに傷が付きにくい。

液晶表示装置１００によれば、層間絶縁層及び／又は平坦化層として、有機絶縁膜５１ａの直上に無機絶縁膜４１ａが積層された有機・無機積層体を有する。このように、端子部において、有機絶縁膜５１ａ（有機絶縁膜５１ａの少なくとも上層側の面）を無機絶縁膜４１ａにより覆うことにより、有機絶縁膜５１ａを無機絶縁膜４１ａにより保護することができる。したがって、パネルとＦＰＣ基板７０、より具体的には、ＴＦＴ基板１１とＦＰＣ基板７０とを接続する工程においてリワークする必要が生じた場合でも、有機絶縁膜５１ａが剥れたり傷付いたりするのを抑制することができる。そのため、有機絶縁膜５１ａの下層に位置する第一配線層６１（接続端子２６）が剥き出しになり、第一配線層６１が水分等により腐食するのを抑制することができる。また、剥れた有機絶縁膜５１ａのカスに起因してＦＰＣ基板７０の接触不良が発生するのも抑制することができる。すなわち、液晶表示装置１００によれば、信頼性を向上することができる。

また、無機絶縁膜４１ａをレジストマスクのアッシングに対するストッパ材として利用することができる。そのため、有機絶縁膜５１ａ及び無機絶縁膜４１ａにコンタクトホール３１ｃ、３１ｇを形成する方法として、アッシング工程を含む方法、すなわち、微細加工精度の高いドライエッチング等のレジストマスクを利用する方法が可能となる。その結果、有機絶縁膜５１ａ及び無機絶縁膜４１ａの積層体の下層に位置する配線、なかでも微細な加工が求められる周辺回路領域に設けられる引き回し配線３０ａ等の配線を微細かつ高精度に形成することができる。

更に、平坦性に優れた有機絶縁膜５１ａや有機絶縁膜５１を平坦化膜として用いることによって、下層側の第一配線層６１やＴＦＴ２９の段差を軽減し、短絡が発生するのを効果的に抑制しつつ、上層側に第二配線層６２を引き回すことができる。

以下に、実施形態３の液晶表示装置の製造方法について説明する。
まず、絶縁基板２１に対して、前処理として、洗浄とプレアニールとを行う。絶縁基板２１としては特に限定されないが、コスト等の観点からは、ガラス基板、樹脂基板等が好適である。次に、以下（１）〜（１７）の工程を行う。

（１）ベースコート膜の形成工程
絶縁基板２１上に、プラズマ化学気相成長（Ｐｌａｓｍａ Ｅｎｈａｎｃｅｄ Ｃｈｅｍｉｃａｌ Ｖａｐｏｒ Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ：ＰＥＣＶＤ）法により膜厚５０ｎｍのＳｉＯＮ膜と、膜厚１００ｎｍのＳｉＯｘ膜とをこの順に成膜し、ベースコート膜２２を形成する。ＳｉＯＮ膜形成のための原料ガスとしては、モノシラン（ＳｉＨ_４）、亜酸化窒素ガス（Ｎ_２Ｏ）及びアンモニア（ＮＨ_３）の混合ガス等が挙げられる。なお、ＳｉＯｘ膜は、原料ガスとして正珪酸四エチル（Ｔｅｔｒａ Ｅｔｈｙｌ Ｏｒｔｈｏ Ｓｉｌｉｃａｔｅ：ＴＥＯＳ）ガスを用いて形成されることが好ましい。また、ベースコート膜２２は、原料ガスとしてモノシラン（ＳｉＨ_４）及びアンモニア（ＮＨ_３）の混合ガス等を用いて形成された窒化シリコン（ＳｉＮｘ）膜を含んでもよい。

（２）半導体層の形成工程
ＰＥＣＶＤ法により、膜厚５０ｎｍのアモルファスシリコン（ａ−Ｓｉ）膜を形成する。ａ−Ｓｉ膜形成のための原料ガスとしては、例えば、ＳｉＨ_４、ジシラン（Ｓｉ_２Ｈ_６）等が挙げられる。ＰＥＣＶＤ法により形成したａ−Ｓｉ膜には水素が含まれているため、約５００℃でａ−Ｓｉ膜中の水素濃度を低減する処理（脱水素処理）を行う。続いて、レーザアニールを行い、ａ−Ｓｉ膜を溶融、冷却及び結晶化させることにより、ｐ−Ｓｉ膜を形成する。レーザアニールには、例えば、エキシマレーザを用いる。ｐ−Ｓｉ膜の形成には、レーザアニールの前処理として、（連続粒界結晶シリコン（ＣＧ−シリコン）化するため）、脱水素処理せずニッケル等の金属触媒を塗布して、熱処理による固相成長を行ってもよい。また、ａ−Ｓｉ膜の結晶化としては、熱処理による固相成長のみを行ってもよい。次に、四フッ化炭素（ＣＦ_４）及び酸素（Ｏ_２）の混合ガスによるドライエッチングを行い、ｐ−Ｓｉ膜をパターニングし、半導体層２３を形成する。

（３）ゲート絶縁膜の形成工程
次に、原料ガスとしてＴＥＯＳガスを用いて、膜厚４５ｎｍの酸化シリコンからなるゲート絶縁膜２４を形成する。ゲート絶縁膜２４の材質としては特に限定されず、ＳｉＮｘ膜、ＳｉＯＮ膜等を用いてもよい。ＳｉＮｘ膜及びＳｉＯＮ膜形成のための原料ガスとしては、ベースコート膜の形成工程で述べたものと同様の原料ガスが挙げられる。また、ゲート絶縁膜２４は、上記複数の材料からなる積層体でもよい。

（４）イオンドーピング工程
ＴＦＴ２９の閾値を制御するために、イオンドーピング法、イオン注入法等により、半導体層２３に対してボロン等の不純物をドーピングする。より具体的には、Ｎチャネル型ＴＦＴ及びＰチャネル型ＴＦＴとなる半導体層に対してボロン等の不純物をドーピングした後（第一のドーピング工程）、Ｐチャネル型ＴＦＴとなる半導体層をレジストによりマスクした状態で、Ｎチャネル型となる半導体層に対して更にボロン等の不純物をドーピングする（第二のドーピング工程）。なお、Ｐチャネル型ＴＦＴの閾値制御が必要でない場合は、第一のドーピング工程は行わなくてもよい。

（５）ゲート電極及び補助容量上電極の形成工程
次に、スパッタリング法を用いて、膜厚３０ｎｍの窒化タンタル（ＴａＮ）膜と膜厚３７０ｎｍのタングステン（Ｗ）膜とをこの順に成膜し、続いて、フォトリソグラフィ法によりレジスト膜を所望の形状にパターニングすることによってレジストマスクを形成した後、アルゴン（Ａｒ）、六フッ化硫黄（ＳＦ_６）、四フッ化炭素（ＣＦ_４）、酸素（Ｏ_２）、塩素（Ｃｌ_２）等の混合ガス分量を調整したエッチングガスを用いてドライエッチングを行い、ゲート電極２５及び補助容量上電極６６ａを形成する。ゲート電極２５及び補助容量上電極６６ａの材料としては、タンタル（Ｔａ）、モリブデン（Ｍｏ）、モリブデンタングステン（ＭｏＷ）等の表面が平坦で特性の安定した高融点金属や、アルミニウム（Ａｌ）等の低抵抗金属が挙げられる。また、ゲート電極２５及び補助容量上電極６６ａは、上記複数の材料からなる積層体であってもよい。

（６）ソース・ドレイン領域の形成工程
次に、ＴＦＴ２９のソース・ドレイン領域を形成するため、ゲート電極２５をマスクとして、半導体層２３に対して、Ｎチャネル型ＴＦＴではリン等の不純物を、Ｐチャネル型ＴＦＴではボロン等の不純物をイオンドーピング法、イオン注入法等により高濃度にドーピングする。このとき、必要に応じて、ＬＤＤ（Ｌｉｇｈｔｌｙ Ｄｏｐｅｄ Ｄｒａｉｎ）領域を形成してもよい。続いて、半導体層２３中に存在している不純物イオンを活性化させるために、約７００℃、６時間の熱活性化処理を行う。これにより、ソース・ドレイン領域の電気伝導性を向上させることができる。なお、活性化の方法としては、エキシマレーザを照射する方法等も挙げられる。

（７）無機絶縁膜の形成工程
次に、絶縁基板２１全面にＰＥＣＶＤ法により、膜厚１００〜４００ｎｍ（好適には、２００〜３００ｎｍ）のＳｉＮｘ膜と、膜厚５００〜１０００ｎｍ（好適には、６００〜８００ｎｍ）のＴＥＯＳ膜とを成膜することによって、無機絶縁膜４１を形成する。無機絶縁膜４１としては、ＳｉＯＮ膜等を用いてもよい。また、トランジェント劣化等によりＴＦＴ特性が低下するのを抑制するとともに、ＴＦＴ２９の電気特性を安定化するため、無機絶縁膜４１の下層には５０ｎｍ程度の薄いキャップ膜（例えば、ＴＥＯＳ膜等）を形成してもよい。

（８）コンタクトホールの形成工程
次に、フォトリソグラフィ法によりレジスト膜を所望の形状にパターニングすることによってレジストマスクを形成した後、フッ酸系のエッチング溶液を用いてゲート絶縁膜２４及び無機絶縁膜４１のウェットエッチングを行い、コンタクトホール３１ａ、３１ｂ、３１ｆを形成する。なお、エッチングには、ドライエッチングを用いてもよい。

（９）水素化工程
次に、無機絶縁膜４１のＳｉＮｘ膜から供給される水素によって結晶Ｓｉの欠陥補正を行うため、約４００℃で１時間、熱処理を行う。

（１０）第一配線層の形成工程
次に、スパッタ法等で、膜厚１００ｎｍのチタン（Ｔｉ）膜と、膜厚５００ｎｍのアルミニウム（Ａｌ）膜と、膜厚１００ｎｍのＴｉ膜とをこの順で成膜する。次に、フォトリソグラフィ法によりレジスト膜を所望の形状にパターニングすることによってレジストマスクを形成した後、ドライエッチングによりＴｉ／Ａｌ／Ｔｉの金属積層膜をパターニングし、第一配線層６１を形成する。これにより、接続端子（外部接続端子）２６、ソース・ドレイン電極２８、引き回し配線３０ａ、ソース電極３４及びドレイン電極３５が形成される。なお、第一配線層６１を構成する金属としては、Ａｌに代えてＡｌ−Ｓｉ合金等を用いてもよい。なお、ここでは、配線の低抵抗化のためにＡｌを用いたが、高耐熱性が必要であり、かつ抵抗値のある程度の増加が許される場合（例えば、短い配線構造にする場合）は、第一配線層６１を構成する金属として、上述したゲート電極材料（Ｔａ、Ｍｏ、ＭｏＷ、Ｗ、ＴａＮ等）を用いてもよい。

（１１）有機・無機積層体の形成工程
次に、絶縁基板２１全面にスピンコート法等により、膜厚１〜５μｍ（好適には、２〜３μｍ）の感光性アクリル樹脂膜等の感光性樹脂を成膜（塗布）することによって、有機絶縁膜５１ａを形成する。有機絶縁膜５１ａの材料としては、非感光性アクリル樹脂等の非感光性樹脂や、感光性又は非感光性のポリアルキルシロキサン系やポリシラザン系、ポリイミド系パレリン系の樹脂等を用いてもよい。また、有機絶縁膜５１ａの材料としては、メチル含有ポリシロキサン（ＭＳＱ）系材料や多孔質ＭＳＱ系材料も挙げられる。なかでも、有機絶縁膜５１ａの材料として、感光性樹脂を用いることによって、実施形態１の（１０）有機・無機積層体の形成工程で示したように、無機絶縁膜４１ａを形成するよりも先に感光性樹脂膜の感光（露光）及びエッチング（現像処理）し、有機絶縁膜５１ａをパターン形成することもできる。続いて、絶縁基板２１全面にスパッタ法やＰＥＣＶＤ法により膜厚１０〜２００ｎｍ（好適には、２０〜１００ｎｍ）のＳｉＮｘ膜、又は、ＴＥＯＳガスを原料ガスとして膜厚１０〜２００ｎｍ（好適には、２０〜１００ｎｍ）のＳｉＯ_２膜を成膜することによって、無機絶縁膜４１ａを形成する。無機絶縁膜４１ａとしては、ＳｉＯＮ膜等を用いてもよい。また、無機絶縁膜４１ａとしては、その他、スパッタ法、ＣＡＴ−ＣＶＤ法、ＩＣＰプラズマＣＶＤ法（例えば、セルバック社製、ＩＣＰ−ＣＶＤ装置を用いる方法）、オゾン酸化法（例えば、明電舎社製、明電ピュアオゾンジェネレータを用いる方法）等により形成されたＳｉＯ_２膜やＳｉＮ膜を成膜してもよい。これらの方法によれば、低温で高品質な膜の形成が可能である。これにより、有機絶縁膜５１ａ上に無機絶縁膜４１ａが積層されたの有機・無機積層体が形成される。なお、有機絶縁膜５１ａ及び無機絶縁膜４１ａはそれぞれ、異なる材料からなる複数の膜が積層されてもよい。また、無機絶縁膜４１ａは、少なくとも端子部、周辺回路領域及び画素領域における有機絶縁膜５１ａを覆うように形成されればよく、必ずしも絶縁基板２１全面に形成される必要はない。

（１２）コンタクトホールの形成工程
次に、フォトリソグラフィ法によりレジスト膜を所望の形状にパターニングすることによってレジストマスクを形成した後、四フッ化炭素（ＣＦ_４）及び酸素（Ｏ_２）の混合ガスを用い、かつ両ガスの流量を調整しながらドライエッチングを行い、コンタクトホール３１ｃ、３１ｇを形成するとともに、パッド部２７が設けられる領域の有機絶縁膜５１ａ及び無機絶縁膜４１ａを除去する。そして、無機絶縁膜４１ａをストッパ材として、レジストマスクのアッシング（剥離）を行う。これにより、コンタクトホール３１ｃ、３１ｇの微細加工が可能になることから、下層にある第一配線層６１の微細化が可能になる。

ただし、この場合、レジストマスクのＯ_２アッシング時に、コンタクトホール３１ｃ、３１ｇ内に露出した有機絶縁膜５１ａの開口部の壁面も同時にアッシングされ、有機絶縁膜５１ａの開口部の壁面が上層の無機絶縁膜４１ａの開口部の壁面に対して後退し、コンタクトホール３１ｃ、３１ｇがオーバーハング状（突き出た形状）となり、コンタクトホール３１ｃ、３１ｇ内で上層の第二配線層６２と下層の第一配線層６１とが断線することが懸念される。

（１３）第二配線層の形成工程
次に、スパッタ法等により、膜厚１００ｎｍのチタン（Ｔｉ）膜と、膜厚５００ｎｍのアルミニウム（Ａｌ）膜と、膜厚１００ｎｍのＴｉ膜とをこの順で成膜する。次に、フォトリソグラフィ法によりレジスト膜を所望の形状にパターニングすることによってレジストマスクを形成した後、ドライエッチングによりＴｉ／Ａｌ／Ｔｉの金属積層膜をパターニングし、第二配線層６２を形成する。これにより、引き回し配線３０ｂ及びドレイン配線６５が形成される。なお、第二配線層６２を構成する金属としては、Ａｌに代えてＡｌ−Ｓｉ合金等を用いてもよい。なお、ここでは、配線の低抵抗化のためにＡｌを用いたが、高耐熱性が必要であり、かつ抵抗値のある程度の増加が許される場合（例えば、短い配線構造にする場合）は、第二配線層６２を構成する金属として、上述したゲート電極材料（Ｔａ、Ｍｏ、ＭｏＷ、Ｗ、ＴａＮ等）を用いてもよい。

このとき、有機絶縁膜５１ａの開口部は、無機絶縁膜４１ａより上層の配線である第二配線層６２により覆われる。これにより、有機絶縁膜５１ａの開口部を第二配線層６２により覆うとともに、有機絶縁膜５１ａの第二配線層６２に覆われていない領域を無機絶縁膜４１ａにより覆うことができるので、有機絶縁膜５１ａがアッシングやドライエッチングによるダメージを受けなくすることができる。その結果、有機・無機膜積層体の上層及び下層にそれぞれ配置される配線間で接続不良が発生するのを抑制することができる。

（１４）有機絶縁膜の形成工程
次に、スピンコート法等により、膜厚１〜３μｍ（好適には、２〜３μｍ）の感光性アクリル樹脂膜を成膜することによって、有機絶縁膜５１を形成する。有機絶縁膜５１としては、非感光性アクリル樹脂膜等の非感光性樹脂膜や、感光性又は非感光性のポリアルキルシロキサン系やポリシラザン系、ポリイミド系パレリン系の樹脂等を用いてもよい。また、有機絶縁膜５１の材料としては、メチル含有ポリシロキサン（ＭＳＱ）系材料や多孔質ＭＳＱ系材料も挙げられる。

ここでは、基板２１全面にスピンコート法等により、膜厚１〜５μｍ（好適には、２〜３μｍ）の感光性アクリル樹脂、例えばナフトキノンジアジド系の紫外線硬化型樹脂を塗布することによって、有機絶縁膜５１を形成する。続いて、所望の形状の遮光パターンが形成されたフォトマスクを通して有機絶縁膜５１を感光（露光）した後、エッチング（現像処理）を行うことによってコンタクトホール３１ｊとなる領域の有機絶縁膜５１を除去する。続いて、有機絶縁膜５１のベーク工程（例えば、２００℃、３０分間）を行う。これにより、有機絶縁膜５１の開口部（孔部）の形状がなだらかとなり、コンタクトホール３１ｊのアスペクト比を低減することができる。また、有機絶縁膜５１のコンタクト部（コンタクトホール３１ｊとなる部分）を最初に除去する際、アッシング（剥離）工程が不要になる。

（１５）パッド部及び画素部の形成工程
次に、スパッタリング法等によって、膜厚５０〜２００ｎｍ（好適には、１００〜１５０ｎｍ）のＩＴＯ膜やＩＺＯ膜を形成した後、フォトリソグラフィ法によって所望の形状にパターニングし、パッド部２７及び画素部を形成する。これにより、表示領域の有機絶縁膜５１上には、各画素に画素電極３６が形成される。その後、表示領域に配向膜（図示せず）を塗布するとともに、配向膜の配向処理を行うことにより、ＴＦＴ基板１１が完成する。

（１６）パネル組み立て工程
次に、従来公知の方法と同様にして、ＴＦＴ基板１１及びＣＦ基板の貼り合わせ工程と、液晶材料の注入工程と、偏光板の貼り付け工程とを行うことによって液晶表示パネルを作製する。なお、液晶表示パネルの液晶モードとして特に限定されず、例えば、ＴＮ（Ｔｗｉｓｔｅｄ Ｎｅｍａｔｉｃ）モード、ＩＰＳ（Ｉｎ Ｐｌａｎｅ Ｓｗｉｔｃｈｉｎｇ）モード、ＶＡＴＮ（Ｖｅｒｔｉｃａｌ Ａｌｉｇｎｍｅｎｔ Ｔｗｉｓｔｅｄ Ｎｅｍａｔｉｃ）モード、ＰＳＡモード等が挙げられる。また、液晶表示パネルは、配向分割されたものであってもよい。更に、液晶表示パネルは、透過型であってもよいし、反射型であってもよいし、半透過型（反射透過両用型）であってもよい。そして、液晶表示パネルの駆動方式は、単純マトリクス型であってもよい。

ＰＳＡモードを採用する場合は、パネル貼り合わせ工程及び液晶注入工程として以下の工程を行う。すなわち、まず、ＴＦＴ基板１１の画素領域の外周にシール材を塗布した後、ディスペンサ等を用いて、負の誘電率を有する液晶分子に重合性成分を添加した液晶材料をシール材の内側に滴下する。重合性成分として使用できる材料は特に限定されず、例えば、光重合性モノマーや光重合性オリゴマーを用いることができる。次に、液晶材料が滴下されたＴＦＴ基板１１にＣＦ基板を貼り合わせる。ここまでの工程は真空中で行われる。次に、貼り合わせた両基板を大気中に戻すと、貼り合わされた両基板間を液晶材料が大気圧により拡散する。次に、シール材の塗布領域に沿ってＵＶ光源を移動させながらＵＶ光をシール材に照射し、シール材を硬化させる。このようにして、拡散した液晶材料が２枚の基板間に封止されて液晶層が形成される。

なお、液晶材料を注入する方法としては、両基板の側方に液晶注入口を設け、そこから液晶材料を注入し、その後、液晶注入口を紫外線硬化樹脂等で封止する方法であってもよい。

続いて、重合性成分の光照射工程を行う。まず、ＴＦＴ２９がオンとなる電圧をゲート電極２５に印加した状態でソース電極３４とＣＦ基板の共通電極との間に交流電圧を印加し、液晶分子をチルトさせながら液晶層にＴＦＴ基板１１側からＵＶ光を照射する。これにより、液晶材料に添加された光重合性モノマーが重合され、配向膜の液晶層側の表面に液晶分子のプレチルト角を規定する重合体が形成される。

（１７）ＦＣＰ基板の貼り付け工程
次に、樹脂接着剤（例えば、熱硬化性エポキシ系樹脂等の熱硬化性樹脂）中に導電性微粒子８１が分散されたＡＣＦ（異方性導電膜）８０を介して、ＴＦＴ基板１１とＦＰＣ基板７０とを熱圧着する。これにより、ＴＦＴ基板１１とＦＰＣ基板７０とが接続及び固定される。このとき、リワークする必要が生じたとしても、有機絶縁膜５１ａは、無機絶縁膜４１ａにより保護され、ＡＣＦ８０に直接接していないため、有機絶縁膜５１ａが剥れたり傷付いたりするのを抑制することができる。そのため、有機絶縁膜５１ａの下層に位置する第一配線層６１が剥き出しになり、第一配線層６１が水分等により腐食するのを抑制することができる。また、剥れた有機絶縁膜５１ａのカスに起因してＦＰＣ基板７０の接触不良が発生するのも抑制することができる。

その後、ＴＦＴ基板１１及びＣＦ基板の外側にそれぞれ偏光板を貼り付け、更に、液晶表示パネルとバックライトユニットとを組み合わせることによって、本実施形態の液晶表示装置１００を完成することができる。

以上、本実施形態の液晶表示装置１００によれば、信頼性の向上と、配線の微細加工とが可能になる。

また、有機絶縁膜５１ａと画素電極３６との間にガスバリア絶縁膜として機能する無機絶縁膜４１ａが設けられていることから、ＰＳＡモードにおけるガスや気泡による不良の発生を抑制することができる。すなわち、有機絶縁膜５１ａ等を感光性樹脂により形成し、重合性成分の光照射工程において有機絶縁膜５１ａ等にＵＶ光が照射され、画素電極３６の下層からガスが発生したとしても、有機絶縁膜５１ａよりも下層から発生するガスが液晶層に侵入するのを無機絶縁膜４１ａにより防ぐことができる。したがって、液晶層中に気泡が発生するのを抑制することができる。

なお、本実施形態において、有機絶縁膜５１ａや有機絶縁膜５１は、無機絶縁膜からなる平坦化膜（無機平坦化膜）であってもよく、この場合、Ｓｉ−Ｈ含有ポリシロキサン（ＭＳＱ）系材料からなる膜や多孔質シリカ膜を用いればよい。このように、本実施形態の液晶表示装置１００は、平坦化膜の直上に無機絶縁膜が積層された平坦化膜・無機膜積層体を有してもよい。

以下に、本実施形態の更なる変形例について説明する。
図７は、実施形態３の液晶表示装置に係る変形例の周辺回路領域を示す断面模式図である。図８は、実施形態３の液晶表示装置に係る変形例の画素領域を示す断面模式図である。
本変形例において、有機絶縁膜５１ａは、図７、８に示すように、感光性樹脂を用いて感光エッチングにより形成されている。より具体的には、無機絶縁膜４１ａを形成するよりも先に感光性樹脂膜の感光（露光）及びエッチング（現像処理）し、有機絶縁膜５１ａをパターン形成する。続いて、有機絶縁膜５１ａのベーク工程（例えば、２００℃、３０分間）を行う。これにより、有機絶縁膜５１ａの開口部（孔部）の形状がなだらかとなり、コンタクトホール３１ｃ、３１ｇのアスペクト比を低減することができる。また、有機絶縁膜５１ａのコンタクト部（コンタクトホール３１ｃ、３１ｇとなる部分）を最初に除去する際、アッシング（剥離）工程が不要になる。その後、無機絶縁膜４１ａを成膜し、四フッ化炭素（ＣＦ_４）等を用いたドライエッチングにより、有機絶縁膜５１ａが除去された領域と重なるようにコンタクトホール３１ｃ、３１ｇとなる領域の無機絶縁膜４１ａを除去する。無機絶縁膜４１ａをドライエッチングによりパターニングすることによって、コンタクトホール３１ｃ、３１ｇの微細加工が可能になるとともに、下層にある第一配線層６１の微細化が可能になる。その後、無機絶縁膜４１ａをストッパ材として、Ｏ_２プラズマによりレジストマスクをアッシング除去する。これにより、有機絶縁膜５１ａ及び無機絶縁膜４１ａを貫通するコンタクトホール３１ｃ、３１ｇが形成される。

このように、感光性樹脂からなる有機絶縁膜５１ａ上に無機絶縁膜４１ａ（パッシベーション膜）を形成することによって、ドライプロセスによるダメージが発生するのを抑制することができる。より具体的には、無機絶縁膜４１ａをドライエッチングによりエッチングする際に、有機絶縁膜５１ａの液晶層側の全面が無機絶縁膜４１ａに覆われている。すなわち、有機絶縁膜５１ａの液晶層側の上面及び側面（例えば、開口部の壁面）が無機絶縁膜４１ａに覆われている。そのため、有機絶縁膜５１ａにドライエッチングによるダメージが発生するのを抑制することができる。また、コンタクトホール３１ｃ、３１ｇの形成工程におけるレジストアッシング時に、有機絶縁膜５１ａが酸素プラズマによるダメージを受けないようにすることができる。このような観点から、有機絶縁膜５１ａの開口部の壁面の全部は、無機絶縁膜４１ａで覆われていることが好ましい。

またこのとき、無機絶縁膜４１ａは、ウェットエッチングされてもよい。この場合は、レジストマスクは剥離液により剥離すればよい。したがって、有機絶縁膜５１ａがアッシングやドライエッチングのダメージを受けなくすることができる。

図９は、実施形態３の液晶表示装置に係る変形例を示す断面模式図であり、（ａ）は、額縁領域における端子部を示し、（ｂ）は、額縁領域における周辺回路部を示す。図１０は、実施形態３の液晶表示装置に係る変形例の画素領域を示す断面模式図である。
図９（ｂ）、１０に示すように、本変形例において、有機絶縁膜５１上には、無機絶縁膜４１ａと同様にガスバリア絶縁膜として機能する無機絶縁膜４１ｃが形成される。すなわち、有機絶縁膜５１ａ及び無機絶縁膜４１ａの積層体と同様に、有機絶縁膜５１及び無機絶縁膜４１ｃの積層体が形成される。

このように、画素電極３６よりも下層にガスバリア絶縁膜として機能する無機絶縁膜４１ａ、４１ｃが設けられていることから、ＰＳＡモードにおけるガスや気泡による不良の発生をより抑制することができる。すなわち、有機絶縁膜５１ａ、５１を感光性樹脂により形成し、重合性成分の光照射工程において有機絶縁膜５１ａ、５１にＵＶ光が照射され、画素電極３６の下層からガスが発生したとしても、画素電極３６よりも下層から発生するガスが液晶層に侵入するのを無機絶縁膜４１ａ、４１ｃによりほぼ完全に防ぐことができる。したがって、液晶層中に気泡が発生するのをより抑制することができる。

また、図９（ａ）に示すように、端子部には有機絶縁膜５１は設けられていないことから、端子部において、無機絶縁膜４１ａ上には無機絶縁膜４１ｃが直接積層される。このように、端子部に無機絶縁膜４１ａ、４１ｃの積層体を設けることによって、無機絶縁膜４１ａ単層の場合より、膜の機械的強度を向上することができる。したがって、ＦＰＣ基板７０の熱圧着時のリワークに起因する種々の不良をより効果的に抑制することができる。

更に、画素電極３６と同一層の最上層配線層（ＩＴＯ膜やＩＺＯ膜等の透明導電膜）から形成されたパッド部２７の下には、最上層配線層の直下の配線層（最近接下層配線層６９、本実施形態では第二配線層６２）が配置されている。これにより、パッド部２７の端子抵抗を低減することができる。パッド部２７を最上層配線層のみから形成した場合、最上層配線層は、通常、ＩＴＯ膜等の透明導電膜であり、シート抵抗値が高くなるが、下層の低抵抗配線層（第一配線層６１や第二配線層６２）との積層構造にすることで、パッド部２７のシート抵抗値を低減することが期待できる。しかしながらそのために、ドライエッチ等で最近接下層配線層６９を除去した場合、最近接下層配線層６９の下の配線層（本実施形態では第一配線層６１）の表面がエッチングダメージを受けるため、最近接下層配線層６９の下の配線層（第一配線層６１）と最上層配線層（透明導電膜）とのコンタクト抵抗が増大し、結果的に端子抵抗が増加する。したがって、パッド部２７の最上層配線層の下に最近接下層配線層６９を残した方が好ましい。

図１１は、実施形態３の液晶表示装置に係る変形例を示す断面模式図であり、（ａ）は、額縁領域における端子部を示し、（ｂ）は、額縁領域における周辺回路部を示す。図１２は、実施形態３の液晶表示装置に係る変形例の画素領域を示す断面模式図である。
本変形例において、図１１（ｂ）、１２に示すように、無機絶縁膜４１ａが形成されない代わりに、有機絶縁膜５１上に無機絶縁膜４１ａと同様のガスバリア絶縁膜として機能する無機絶縁膜４１ｃが形成される。

このように、画素電極３６よりも下層にガスバリア絶縁膜として機能する無機絶縁膜４１ｃが設けられていることから、ＰＳＡモードにおける気泡による不良の発生を抑制することができる。すなわち、有機絶縁膜５１ａ、５１を感光性樹脂により形成し、重合性成分の光照射工程において有機絶縁膜５１ａ、５１にＵＶ光が照射され、画素電極３６の下層からガスが発生したとしても、画素電極３６よりも下層から発生するガスが液晶層に侵入するのを無機絶縁膜４１ｃによりほぼ完全に防ぐことができる。したがって、液晶層中に気泡が発生するのをより抑制することができる。また、無機絶縁膜４１ａの形成工程を削減することができるので、製造工程の簡略化が可能となる。

また、端子部においては、図１１（ａ）に示すように、有機絶縁膜５１ａ上に無機絶縁膜４１ｃが積層され、有機絶縁膜５１ａ及び無機絶縁膜４１ｃの積層体が設けられている。これにより、無機絶縁膜４１ａを用いた場合と同様に、ＦＰＣ基板７０の熱圧着時のリワークに起因する種々の不良を抑制することができる。また、パッド部２７の最上層配線層の下には最近接下層配線層６９が設けられている。更に、有機絶縁膜５１ａは、図１１、１２に示すように、感光性樹脂を用いて感光エッチングにより形成されている。

図１３は、実施形態３の液晶表示装置に係る変形例の画素領域を示す断面模式図である。
本変形例は、図１３に示すように、有機絶縁膜５１が感光性樹脂を用いて感光エッチングにより形成されていること以外は、図１２で示した例と同じ構成を有する。すなわち、無機絶縁膜４１ｃを形成するよりも先に感光性樹脂膜の感光（露光）及びエッチング（現像処理）し、有機絶縁膜５１をパターン形成する。続いて、有機絶縁膜５１のベーク工程（例えば、２００℃、３０分間）を行う。これにより、有機絶縁膜５１の開口部（孔部）の形状がなだらかとなり、コンタクトホール３１ｊのアスペクト比を低減することができる。また、有機絶縁膜５１のコンタクト部（コンタクトホール３１ｊとなる部分）を最初に除去する際、アッシング（剥離）工程が不要になる。その後、無機絶縁膜４１ｃを成膜し、四フッ化炭素（ＣＦ_４）等を用いたドライエッチングにより、有機絶縁膜５１が除去された領域と重なるようにコンタクトホール３１ｊとなる領域の無機絶縁膜４１ｃを除去する。無機絶縁膜４１ｃをドライエッチングによりパターニングすることによって、コンタクトホール３１ｊの微細加工が可能になるとともに、下層にある第二配線層６２の微細化が可能になる。その後、無機絶縁膜４１ｃをストッパ材として、Ｏ_２プラズマによりレジストマスクをアッシング除去する。これにより、有機絶縁膜５１及び無機絶縁膜４１ｃを貫通するコンタクトホール３１ｊが形成される。

このように、感光性樹脂からなる有機絶縁膜５１上に無機絶縁膜４１ｃ（パッシベーション膜）を形成することによって、ドライプロセスによるダメージが発生するのを抑制することができる。より具体的には、無機絶縁膜４１ｃをドライエッチングによりエッチングする際に、有機絶縁膜５１の液晶層側の全面が無機絶縁膜４１ｃに覆われている。すなわち、有機絶縁膜５１の液晶層側の上面及び側面（例えば、開口部の壁面）が無機絶縁膜４１ｃに覆われている。そのため、有機絶縁膜５１にドライエッチングによるダメージが発生するのを抑制することができる。また、コンタクトホール３１ｊの形成工程におけるレジストアッシング時に、有機絶縁膜５１が酸素プラズマによるダメージを受けないようにすることができる。このような観点から、有機絶縁膜５１の開口部の壁面の全部は、無機絶縁膜４１ｃで覆われていることが好ましい。

またこのとき、無機絶縁膜４１ｃは、ウェットエッチングされてもよい。この場合は、レジストマスクは剥離液により剥離すればよい。したがって、有機絶縁膜５１がアッシングやドライエッチングのダメージを受けなくすることができる。

図１４は、実施形態３の液晶表示装置に係る変形例を示す断面模式図であり、（ａ）は、額縁領域における端子部を示し、（ｂ）は、額縁領域における周辺回路部を示す。図１５は、実施形態３の液晶表示装置に係る変形例の画素領域を示す断面模式図である。
本変形例において、有機絶縁膜５１ａは、図１４、１５に示すように、エッチバック（ｅｔｃｈ ｂａｃｋ）されている。より具体的には、有機絶縁膜５１ａを成膜した後、第一配線層６１が露出するまで有機絶縁膜５１ａをドライエッチングによりエッチバックする。続いて、無機絶縁膜４１ａを成膜し、四フッ化炭素（ＣＦ_４）等を用いたドライエッチングによりコンタクトホール３１ｃ、３１ｇとなる領域の無機絶縁膜４１ａを除去する。本変形例では、有機絶縁膜５１ａの厚さ分だけパッド部２７とパッド部２７以外の領域とにおける段差が低減するため、パッド部２７とパッド部２７以外の領域とにおけるＡＣＦ８０中の導電性微粒子８１の変形量が緩和され、ＡＣＦの接触性をより向上することができる。

また、端子部においては、図１４（ａ）に示すように、パッド部２７の最上層配線層の下には最近接下層配線層６９が設けられている。

図１６は、実施形態３の液晶表示装置に係る変形例を示す断面模式図であり、（ａ）は、額縁領域における端子部を示し、（ｂ）は、額縁領域における周辺回路部を示す。図１７は、実施形態３の液晶表示装置に係る変形例の画素領域を示す断面模式図である。

本変形例においては、図１７に示すように、補助容量上電極６６ａと重なる領域に、第一配線層６１により形成された第二の補助容量下電極６７と、第二配線層６２により形成された第二の補助容量上電極６６ｂとが設けられている。そして、補助容量下電極６７及び補助容量上電極６６ｂが重なる領域の有機絶縁膜５１ａは除去され、補助容量下電極６７及び補助容量上電極６６ｂは、無機絶縁膜４１ａを介して対向配置されている。このように、各画素には、半導体層２３、ゲート絶縁膜２４及び補助容量上電極６６ａを含む画素補助容量６８ａのみならず、補助容量下電極６７、無機絶縁膜４１ａ及び補助容量上電極６６ｂを含む第二の画素補助容量６８ｂが設けられている。これにより、一つの画素内に一つの画素補助容量６８ａのみを形成する場合に比べて、画素補助容量６８ａ及び画素補助容量６８ｂの大きさ（面積）を小さくすることができるので、画素開口率を向上することができる。

また、有機絶縁膜５１ａ、５１は、図１６、１７に示すように、感光性樹脂を用いて感光エッチングにより形成され、その後、無機絶縁膜４１ａ、４１ｃが成膜及びエッチングされることによってパターン形成されている。また、端子部においては、図１６（ａ）に示すように、有機絶縁膜５１ａ上に無機絶縁膜４１ａ、４１ｃの積層体が積層されている。更に、パッド部２７の最上層配線層の下には最近接下層配線層６９が設けられている。

（実施形態４）
図１８は、実施形態４の液晶表示装置の額縁領域における断面模式図であり、（ａ）は、端子部を示し、（ｂ）は、周辺回路領域を示す。なお、本実施形態と実施形態３とで重複する内容についての説明は省略する。

本実施形態の液晶表示装置２００は、実施形態３の液晶表示装置における有機絶縁膜５１ａ及び無機絶縁膜４１の積層体上に、更に有機絶縁膜５１ｂ及び無機絶縁膜４１ｂの積層体が形成された構造を有する。

より具体的には、本実施形態のＴＦＴ基板１２は、図１８（ａ）に示すように、端子部において、層間絶縁膜及び平坦化膜として機能する有機絶縁膜５１ａ及び無機絶縁膜４１ａの積層体上に、第二配線層６２からなる引き回し配線３０ｃと、保護膜として機能する有機絶縁膜５１ｂ及び無機絶縁膜４１ｂの積層体とが絶縁基板２１側からこの順に更に積層された構造を有する。第二配線層６２からなる引き回し配線３０ｃは、有機絶縁膜５１ａ及び無機絶縁膜４１ａに設けられたコンタクトホール（ビアホール）３１ｄを介して第一配線層６１からなる接続端子（外部接続端子）２６と接続されている。

また、ＴＦＴ基板１２は、図１８（ｂ）に示すように、周辺回路領域において、第二配線層６２上に、層間絶縁膜及び平坦化膜として機能する有機絶縁膜５１ｂ及び無機絶縁膜４１ｂの積層体と、第三配線層６３からなる引き回し配線３０ｄとが絶縁基板２１側からこの順に更に積層された構造を有する。第三配線層６３からなる引き回し配線３０ｄは、有機絶縁膜５１ｂ及び無機絶縁膜４１ｂに設けられたコンタクトホール（ビアホール）３１ｅを介して第二配線層６２からなる引き回し配線３０ｂと接続されている。

このように、本実施形態の液晶表示装置２００によれば、微細加工が可能である配線の更なる多層化が可能になる。

なお、追加される配線層と、有機絶縁膜及び無機絶縁膜の積層体の数は特に限定されず、所望のレイアウトに合わせて適宜設定すればよい。

また、本実施形態の液晶表示装置２００は、実施形態３の（１１）有機・無機積層体の形成工程と、（１２）コンタクトホールの形成工程と、（１３）第二配線層の形成工程とを適宜、必要回数繰り返し行うことによって作製することができる。なお、有機絶縁膜５１ｂ及び無機絶縁膜４１ｂの膜厚はそれぞれ、膜厚１〜４μｍ（好適には、２〜３μｍ）及び膜厚１０〜２００ｎｍ（好適には、２０〜１００ｎｍ）とすればよい。また、有機絶縁膜５１ｂ及び無機絶縁膜４１ｂはそれぞれ、有機絶縁膜５１ａ及び無機絶縁膜４１ａと同様、異なる材料からなる複数の膜が積層されてもよい。更に、有機絶縁膜５１ａ及び有機絶縁膜５１ｂと、無機絶縁膜４１ａ及び無機絶縁膜４１ｂとはそれぞれ、異なる材料から形成されてもよい。

そして、本実施形態において、有機絶縁膜５１ａや有機絶縁膜５１ｂ、有機絶縁膜５１は、無機絶縁膜からなる平坦化膜（無機平坦化膜）であってもよく、この場合、Ｓｉ−Ｈ含有ポリシロキサン（ＭＳＱ）系材料からなる膜や多孔質シリカ膜を用いればよい。このように、本実施形態の液晶表示装置２００は、平坦化膜の直上に無機絶縁膜が積層された平坦化膜・無機膜積層体を有してもよい。

図１９は、実施形態４の液晶表示装置に係る変形例を示す断面模式図であり、（ａ）は、額縁領域における端子部を示し、（ｂ）は、額縁領域における周辺回路部を示す。
本変形例において、有機絶縁膜５１ａ、５１ｂは、図１９に示すように、感光性樹脂を用いて感光エッチングにより形成され、その後、無機絶縁膜４１ａ、４１ｂが成膜及びエッチングされることによってパターン形成されている。また、端子部においては、図１９（ａ）に示すように、最上層配線層により形成されたパッド部２７の下には最近接下層配線層６９が設けられている。

（実施形態５）
図２０は、実施形態５の液晶表示装置の端子部における断面模式図である。なお、本実施形態と実施形態３及び４とで重複する内容についての説明は省略する。

本実施形態の液晶表示装置３００は、接続端子（外部接続端子）２６が第一配線層６１ではなく、より上層の第二配線層６２から形成されたことを除いては、実施形態４の液晶表示装置２００と同様の形態を有する。

より具体的には、本実施形態のＴＦＴ基板１３は、図２０に示すように、端子部において、無機絶縁膜４１上に、第一配線層６１からなる引き回し配線３０ｅと、層間絶縁膜及び平坦化膜として機能する有機絶縁膜５１ａ及び無機絶縁膜４１ａの積層体と、第二配線層６２からなる接続端子（外部接続端子）２６と、保護膜として機能する有機絶縁膜５１ｂ及び無機絶縁膜４１ｂの積層体とが絶縁基板２１側からこの順に積層された構造を有する。第二配線層６２からなる接続端子（外部接続端子）２６は、有機絶縁膜５１ａ及び無機絶縁膜４１ａに設けられたコンタクトホール（ビアホール）３１ｄを介して第一配線層６１からなる引き回し配線３０ｅと接続されている。

実施形態４の液晶表示装置２００においては、有機絶縁膜及び無機絶縁膜の積層体と、配線層との積層構造を増やすほど、パッド部２７とパッド部２７以外の領域とにおけるＡＣＦ８０中の導電性微粒子８１の変形量の差が増大するため、応力の不均一化が生じ、その結果、ＴＦＴ基板１２とＦＰＣ基板７０との接続不良に繋がることが懸念される。

それに対して、本実施形態の液晶表示装置３００のように、端子部において、なるべく上層、好ましくは最上層の無機絶縁膜及び有機絶縁膜の積層体の直下の配線層（本実施形態では第二配線層６２）により接続端子２６を形成することによって、パッド部２７の溝が小さくなり、パッド部２７とパッド部２７以外の領域とにおけるＡＣＦ８０中の導電性微粒子８１の変形量の差が緩和されるため、応力の不均一化に起因する接続不良の発生を抑制することができる。

なお、本実施形態において、有機絶縁膜５１ａや有機絶縁膜５１ｂは、無機絶縁膜からなる平坦化膜（無機平坦化膜）であってもよく、この場合、Ｓｉ−Ｈ含有ポリシロキサン（ＭＳＱ）系材料からなる膜や多孔質シリカ膜を用いればよい。このように、本実施形態の液晶表示装置３００は、平坦化膜の直上に無機絶縁膜が積層された平坦化膜・無機膜積層体を有してもよい。

図２１は、実施形態５の液晶表示装置に係る変形例を示す断面模式図であり、額縁領域における端子部を示す。
本変形例において、有機絶縁膜５１ａ、５１ｂは、図２１に示すように、感光性樹脂を用いて感光エッチングにより形成され、その後、無機絶縁膜４１ａ、４１ｂが成膜及びエッチングされることによってパターン形成されている。

図２２は、実施形態５の液晶表示装置に係る変形例を示す断面模式図であり、（ａ）は、額縁領域における端子部を示し、（ｂ）は、額縁領域における周辺回路部を示す。図２３は、実施形態３の液晶表示装置に係る変形例の画素領域を示す断面模式図である。
有機絶縁膜５１ｂは、図２２（ａ）に示すように、端子部において除去され、接続端子２６上には直接、無機絶縁膜４１ｂが形成されている。本変形例では、有機絶縁膜５１ｂの厚さ分だけパッド部２７とパッド部２７以外の領域とにおける段差が低減するため、パッド部２７とパッド部２７以外の領域とにおけるＡＣＦ８０中の導電性微粒子８１の変形量が更に緩和され、ＡＣＦの接触性をより向上することができる。

また、パッド部２７の最上層配線層の下には最近接下層配線層６９が設けられている。更に、有機絶縁膜５１ａ、５１ｂは、図２２（ｂ）、２３に示すように、感光性樹脂を用いて感光エッチングにより形成され、その後、無機絶縁膜４１ａ、４１ｂが成膜及びエッチングされることによってパターン形成されている。

（実施形態６）
図２４は、実施形態６の液晶表示装置の端子部における断面模式図である。なお、本実施形態と実施形態３〜５とで重複する内容についての説明は省略する。

本実施形態の液晶表示装置４００は、端子部において有機絶縁膜が全て除去されていることを除いては、実施形態３の液晶表示装置１００と同様の形態を有する。

より具体的には、ＴＦＴ基板１４は、図７に示すように、端子部において、第一配線層６１からなる接続端子（外部接続端子）２６上に直接、保護膜として機能する無機絶縁膜４１ａが積層された構造を有する。

実施形態３〜５の液晶表示装置１００、２００、３００のように、端子部に有機絶縁膜が存在する限り、ＦＰＣ基板７０のリワークに起因する信頼性の低下を完全に解決することは困難である。また、実施形態５の液晶表示装置３００は、応力の不均一化に起因する接続不良の発生を抑制することができるが、やはり有機絶縁膜５１ｂ及び無機絶縁膜４１ｂの厚さの分だけパッド部２７とパッド部２７以外の領域とにおいて段差が存在するため、パッド部２７とパッド部２７以外の領域とにおけるＡＣＦ８０中の導電性微粒子８１の変形量が完全に同一になることはなく、ＡＣＦの接触性の点が改善の余地がある。

それに対して、本実施形態の液晶表示装置４００は、端子部においてリワークで問題となる有機絶縁膜が全く存在しない構造であるため、上述のリワークに起因する信頼性の低下を完全に改善することができる。また、有機絶縁膜の厚さ分だけパッド部２７とパッド部２７以外の領域とにおける段差が低減するため、パッド部２７とパッド部２７以外の領域とにおけるＡＣＦ８０中の導電性微粒子８１の変形量が更に緩和され、ＡＣＦの接触性をより向上することができる。

なお、本実施形態の液晶表示装置４００は、端子部に有機絶縁膜を設けないことを除いて、実施形態３の液晶表示装置１００と同様にして作製することができる。

また、本実施形態において、有機絶縁膜は、少なくともＡＣＦ８０等の異方性導電材料が設けられた領域に形成されないことが好ましい。

図２５は、実施形態６の液晶表示装置に係る変形例を示す断面模式図であり、額縁領域における端子部を示す。
本変形例は、図２５に示すように、パッド部２７の最上層配線層の下に最近接下層配線層６９が設けられている。

図２６は、実施形態６の液晶表示装置の変形例の端子部における断面模式図である。
ＴＦＴ基板１４は、図２６に示すように、ゲート電極（ゲート配線）２５と同一層からなる接続端子（外部接続端子）２６が端子部にまで延伸されるとともに、第一配線層６１と、ＩＴＯ膜等の透明導電膜とから構成されるパッド部２７を有してもよい。これにより、無機絶縁膜４１ａを端子部に設けずとも、無機絶縁膜４１を保護膜として機能されることができるので、図２４で示した場合と同様の効果を奏することができる。

他方、本実施形態の液晶表示装置４００は、端子部において有機絶縁膜５１ｂが除去されていることを除いては、図２０で示した実施形態５の液晶表示装置３００と同様の形態を有してもよい。すなわち、本実施形態のＴＦＴ基板１４は、端子部において、無機絶縁膜４１上に、第一配線層６１からなる引き回し配線３０ｅと、層間絶縁膜及び平坦化膜として機能する有機絶縁膜５１ａ及び無機絶縁膜４１ａと、第二配線層６２からなる接続端子（外部接続端子）２６と、保護膜として機能する無機絶縁膜４１ｂとが絶縁基板２１側からこの順に積層された構造を有してもよい。これによっても、図２４で示した場合と同様に、ＡＣＦの接触性をより向上することができる。なおこの形態において、有機絶縁膜５１ａは、無機絶縁膜からなる平坦化膜（無機平坦化膜）であってもよく、この場合、Ｓｉ−Ｈ含有ポリシロキサン（ＭＳＱ）系材料からなる膜や多孔質シリカ膜を用いればよい。このように、本実施形態の液晶表示装置４００は、平坦化膜の直上に無機絶縁膜が積層された平坦化膜・無機膜積層体を有してもよい。

以下、上記実施形態１〜６において、無機絶縁膜を形成する前に有機絶縁膜をエッチングする実施形態をより詳細を説明する。なお以下では、周辺回路領域を例に説明するが、以下の実施形態は周辺回路領域に特に限定されず、端子部に適用してもよいし、画素領域に適用してもよい。
図２７は、実施形態１〜６に係る液晶表示装置の周辺回路領域における断面模式図である。また、図２８−１（ａ）〜（ｄ）及び図２８−２（ｅ）〜（ｇ）は、製造工程における実施形態１〜６に係る液晶表示装置の周辺回路領域における断面模式図である。なお、以下の形態と実施形態３〜６とで重複する内容についての説明は省略する。

実施形態３で示した製造方法のように、有機絶縁膜と無機絶縁膜とを積層した後に、有機絶縁膜及び無機絶縁膜の積層体を一括してドライエッチングすることによってコンタクトホールを形成する場合、有機絶縁膜の膜厚は、例えば２μｍ以上と厚く、有機絶縁膜及び無機絶縁膜の積層体に形成されるコンタクトホールのアスペクト比が高くなり、上下の配線層間のコンタクトが取りにくくなることがある。また、このコンタクトホールの内壁では、ドライエッチング及びレジストアッシング時に有機絶縁膜が露出するため、上述のように、有機絶縁膜がエッチング及びレジストアッシングによるダメージを受ける場合がある。

それに対して、本実施形態の液晶表示装置５００は、有機絶縁膜５１ａや有機絶縁膜５１の材料として感光性樹脂膜が用いられるとともに、以下に示す方法により作製される。

まず、実施形態３の（１０）第一配線層の形成工程までを行う。次に、図２８−１（ａ）に示すように、実施形態３の方法と同様にして、絶縁基板の全面にスピンコート法等により感光性アクリル樹脂膜等の感光性樹脂を成膜（塗布）することによって、有機絶縁膜５１ａを形成する。これにより、第一配線層６１が有機絶縁膜５１ａにより被覆されるとともに、ＴＦＴ基板の表面が平坦化される。

次に、有機絶縁膜５１ａの感光エッチングを行う。すなわち、図２８−１（ｂ）に示すように、所望の形状の遮光パターンが形成されたフォトマスク３２ａを介して有機絶縁膜５１ａを感光（露光）した後、エッチング（現像処理）を行うことによってコンタクトホール３１ｃとなる領域の有機絶縁膜５１ａを除去する。

次に、有機絶縁膜５１ａ（感光性樹脂膜）のベーク工程（略２００℃、３０分間）を行う。これにより、図２８−１（ｃ）に示すように、有機絶縁膜５１ａの開口部の（孔部）の形状がなだらかとなり、コンタクトホール３１ｃのアスペクト比を低減することができる。

次に、図２８−１（ｄ）に示すように、実施形態３の方法と同様にして、絶縁基板の全面にスパッタ法やＰＥＣＶＤ法等により無機絶縁膜４１ａ（ＳｉＮｘ膜やＳｉＯ_２膜）を形成する。なお、チャンバー内の汚染の影響等を考慮すると、無機絶縁膜４１ａは、基板温度を低温にした状態での成膜が可能であるスパッタ法により形成されることが好ましい。これにより、無機絶縁膜４１ａの膜質を向上することができる。これは、高温処理では有機成分が飛散し、膜性能の劣化や装置のチャンバーの汚染が発生する可能性があるためである。

次に、フォトリソグラフィ法によりレジストをパターン形成する。具体的には、図２８−２（ｅ）に示すように、フォトマスク３２ａとは異なるフォトマスク３２ｂでレジスト３３ａを感光した後、現像処理することによって、レジスト３３ａのコンタクトホール３１ｃとなる領域を除去する。

次に、図２８−２（ｆ）に示すように、レジスト３３ａをマスクとして、四フッ化炭素（ＣＦ_４）等を用いたドライエッチング、又は、フッ酸（ＨＦ）等を用いたウェットエッチングにより、有機絶縁膜５１ａの開口部の壁面が無機絶縁膜４１ａにより全て覆われ、かつ無機絶縁膜４１ａの開口部が有機絶縁膜５１ａが除去された領域と重なるように無機絶縁膜４１ａをエッチングし、コンタクトホール３１ｃを形成する。

次に、図２８−２（ｇ）に示すように、無機絶縁膜４１ａをストッパ材として、ドライエッチングを用いた場合は、Ｏ_２プラズマによりレジスト３３ａをアッシングし、一方、ウェットエッチングを用いた場合は、剥離液によりレジスト３３ａを剥離する。

その後、実施形態３と同様に、上記（１３）第二配線層の形成工程以降の工程を行い、図２７に示すように、本実施形態の液晶表示装置５００が完成する。

このように、有機絶縁膜５１ａの材料として感光性樹脂を用いるため、有機絶縁膜５１ａのコンタクト部（コンタクトホール３１ｃとなる部分）を最初に除去する際、アッシング（剥離）工程が不要になる。このため、この感光エッチングにより形成された有機絶縁膜５１ａのコンタクト部（開口部）は、図２７に示すように、ドライプロセスにより形成される場合に比べて、なだらかな形状に仕上がる。したがって、コンタクトホール３１ｃのアスペクト比を低減することができ、この上層に積層される第二配線層６２に断線不良が発生するのを効果的に抑制することができる。

また、コンタクト部の内壁部分（壁面部）を含む全ての有機絶縁膜５１ａが次の無機絶縁膜の形成工程において無機絶縁膜４１ａにより覆われる。したがって、その後、無機絶縁膜４１ａをエッチングする際に、有機絶縁膜５１ａがエッチングによるダメージを受けないようにすることができる。

更に、有機絶縁膜５１ａの感光エッチング後に積層される無機絶縁膜４１ａは、感光性エッチングよりも微細化できるドライエッチング等を利用することができる。したがって、この方法によっても、コンタクトホール３１ｃの微細加工が可能であるとともに、下層にある第一配線層６１の微細化が可能である。

そして、有機絶縁膜５１ａの材料として感光性樹脂を用いるため、本実施形態を実施形態４に適用する場合、無機絶縁膜４１ａを積層する前に、高い微細加工を必要としない端子部の有機絶縁膜を容易に除去することが可能となる。

図２９は、図２８−２（ｇ）で示される周辺回路領域の別の形態の断面模式図である。無機絶縁膜４１ａをウェットエッチングする場合は、有機絶縁膜５１ａの開口部よりも無機絶縁膜４１ａの開口部を大きくすることによって、図２９に示すように、有機絶縁膜５１ａの開口部の壁面の下層側の一部が露出していてもよい。これによっても、有機絶縁膜５１ａがアッシングやドライエッチングのダメージを受けなくすることができる。

なお、この場合は、上述の方法により、有機絶縁膜５１ａの成膜、有機絶縁膜５１ａの感光エッチング、有機絶縁膜５１ａのベーク及び無機絶縁膜４１ａの成膜を行った後（図２８−１（ａ）〜（ｄ））、フォトマスク３２ａとは異なるフォトマスクでレジストをパターン形成し、次に、レジストをマスクとして、フッ酸（ＨＦ）等を用いたウェットエッチングにより、有機絶縁膜５１ａの開口部の壁面の下層側の一部が露出するように無機絶縁膜４１ａをエッチングすることによってコンタクトホールを形成し、最後に、剥離液によりレジストを剥離すればよい。

以下に、本実施形態の変形例について説明する。図３０−１（ａ）〜（ｄ）及び図３０−２（ｅ）〜（ｈ）は、製造工程における実施形態１〜６に係る液晶表示装置の変形例の周辺回路領域における断面模式図である。

本変形例では、まず、実施形態３の（１０）第一配線層の形成工程までを行う。次に、図３０−１（ａ）に示すように、実施形態３の方法と同様にして、絶縁基板の全面にスピンコート法等により感光性アクリル樹脂膜等の感光性樹脂を成膜（塗布）することによって、有機絶縁膜５１ａを形成する。これにより、第一配線層６１が有機絶縁膜５１ａにより被覆されるとともに、ＴＦＴ基板の表面が平坦化される。

次に、有機絶縁膜５１ａの感光エッチングを行う。すなわち、図３０−１（ｂ）に示すように、所望の形状の遮光パターンが形成されたフォトマスク３２ｃを介して有機絶縁膜５１ａを感光した後、現像処理を行うことによってコンタクトホール３１ｃとなる領域の有機絶縁膜５１ａを除去する。このとき、有機絶縁膜５１ａの開口部（コンタクト部）が後述する無機絶縁膜４１ａの開口部（コンタクト部）よりも大きくなるように、有機絶縁膜５１ａをオーバー露光する。

次に、有機絶縁膜５１ａ（感光性樹脂膜）のベーク工程（略２００℃、３０分間）を行う。これにより、図３０−１（ｃ）に示すように、有機絶縁膜５１ａの開口部の形状がなだらかとなり、コンタクトホール３１ｃのアスペクト比を低減することができる。

次に、図３０−１（ｄ）に示すように、実施形態３の方法と同様にして、絶縁基板の全面にスパッタ法やＰＥＣＶＤ法等により無機絶縁膜４１ａ（ＳｉＮｘ膜やＳｉＯ_２膜）を形成する。なお、チャンバー内の汚染の影響等を考慮すると、無機絶縁膜４１ａは、基板温度を低温にした状態での成膜が可能であるスパッタ法により形成されることが好ましい。これにより、無機絶縁膜４１ａの膜質を向上することができる。これは、高温処理では有機成分が飛散し、膜性能の劣化や装置のチャンバーの汚染が発生する可能性があるためである。

次に、フォトリソグラフィ法によりレジストをパターン形成する。具体的には、図３０−２（ｅ）に示すように、有機絶縁膜５１ａの露光に用いたフォトマスク３２ｃでレジスト３３ｂを感光した後、現像処理することによって、レジスト３３ｂのコンタクトホール３１ｃとなる領域を除去する。このとき、無機絶縁膜４１ａの開口部が有機絶縁膜５１ａの開口部よりも小さくなるように、レジスト３３ｂは、通常の露光量で露光される。

次に、図３０−２（ｆ）に示すように、レジスト３３ｂをマスクとして、四フッ化炭素（ＣＦ_４）等を用いたドライエッチング、又は、フッ酸（ＨＦ）等を用いたウェットエッチングにより、有機絶縁膜５１ａが除去された領域と重なるように無機絶縁膜４１ａをエッチングし、コンタクトホール３１ｃを形成する。このとき、有機絶縁膜５１ａは、図３０−２（ｆ）の点線で囲まれた領域近傍の拡大図である図３０−２（ｇ）に示すように、無機絶縁膜４１ａに被覆されているため、上記エッチング時と、後述するアッシング時とにおいてダメージを受けないようにすることができる。また、無機絶縁膜４１ａのエッチングに、感光性エッチングよりも微細化できるドライエッチング等を利用することができる。したがって、この方法によっても、コンタクトホール３１ｃの微細加工が可能であるとともに、下層にある第一配線層６１の微細化が可能である。

次に、図３０−２（ｈ）に示すように、無機絶縁膜４１ａをストッパ材として、ドライエッチングを用いた場合は、Ｏ_２プラズマによりレジスト３３ｂをアッシングし、一方、ウェットエッチングを用いた場合は、剥離液によりレジスト３３ｂを剥離する。

このように、本変形例によれば、有機絶縁膜５１ａ及びレジスト３３ｂの露光に同一のフォトマスク３２ｃを用いることにから、必要なフォトマスクの枚数を一枚削減でき、製造コストを削減することができる。また、異なるフォトマスク間の仕上がりのズレに起因して発生し得る有機絶縁膜５１ａ及び無機絶縁膜４１ａそれぞれの開口部の位置ズレの発生を抑制することができる。

図３１−１（ａ）〜（ｃ）及び図３１−２（ｄ）〜（ｆ）は、製造工程における実施形態１〜６に係る液晶表示装置の変形例の周辺回路領域における断面模式図である。

本変形例では、まず、実施形態３の（１０）第一配線層の形成工程までを行う。次に、図３１−１（ａ）に示すように、実施形態３の方法と同様にして、絶縁基板の全面にスピンコート法等により感光性アクリル樹脂膜等の感光性樹脂を成膜（塗布）することによって、有機絶縁膜５１ａを形成する。これにより、第一配線層６１が有機絶縁膜５１ａにより被覆されるとともに、ＴＦＴ基板の表面が平坦化される。

次に、必要に応じて有機絶縁膜５１ａの感光を行った後、ベーク工程（略２００℃、３０分間）を行う。このように、本比較例において、有機絶縁膜５１ａは、感光性樹脂であってもよいし、非感光性樹脂であってもよい。

次に、図３１−１（ｂ）に示すように、実施形態３の方法と同様にして、絶縁基板の全面にスパッタ法やＰＥＣＶＤ法等により無機絶縁膜４１ａ（ＳｉＮｘ膜やＳｉＯ_２膜）を形成する。なお、チャンバー内の汚染の影響等を考慮すると、無機絶縁膜４１ａは、基板温度を低温にした状態での成膜が可能であるスパッタ法により形成されることが好ましい。これにより、無機絶縁膜４１ａの膜質を向上することができる。これは、高温処理では有機成分が飛散し、膜性能の劣化や装置のチャンバーの汚染が発生する可能性があるためである。

次に、フォトリソグラフィ法によりレジストをパターン形成する。具体的には、図３１−１（ｃ）に示すように、フォトマスク３２ｄでレジスト３３ｃを感光した後、現像処理することによって、レジスト３３ｃのコンタクトホール３１ｃとなる領域を除去する。

次に、図３１−２（ｄ）に示すように、レジスト３３ｃをマスクとして、フッ酸（ＨＦ）等を用いたウェットエッチングにより、無機絶縁膜４１ａのコンタクトホール３１ｃとなる領域を除去する。

次に、図３１−２（ｅ）に示すように、無機絶縁膜４１ａをストッパ材として、剥離液によりレジスト３３ｃを剥離する。

次に、図３１−２（ｆ）に示すように、無機絶縁膜４１ａをマスクとして、Ｏ_２プラズマ等を用いたドライエッチングにより有機絶縁膜５１ａをエッチングし、コンタクトホール３１ｃを形成する。

このように、本変形例によれば、無機絶縁膜４１ａをウェットエッチングにエッチングするため、アッシング処理ではなく剥離液によりレジスト３３ｃを剥離することができる。したがって、コンタクトホール３１ｃ内に露出する有機絶縁膜５１ａの開口部の壁面に対してアッシングのダメージを与えることがない。

図３２（ａ）及び（ｂ）は、製造工程における実施形態１〜６に係る液晶表示装置の変形例の周辺回路領域における断面模式図である。

本変形例では、まず、上述の変形例と同様に、図３１−１（ｃ）に示すように、レジスト３３ｃのパターン形成までの工程を行う。

次に、図３２（ａ）に示すように、レジスト３３ｃをマスクとして、四フッ化炭素（ＣＦ_４）等を用いたドライエッチングにより、無機絶縁膜４１ａのコンタクトホール３１ｃとなる領域を除去する。このように、ドライエッチングを用いることによって、コンタクトホール３１ｃの微細加工が可能である。

次に、図３２（ｂ）に示すように、無機絶縁膜４１ａをストッパ材として、Ｏ_２プラズマ等を用いたドライエッチングにより、レジスト３３ｂのアッシングと、有機絶縁膜５１ａのエッチングとを行い、コンタクトホール３１ｃを形成する。

このように、本変形例によれば、レジスト３３ｂの除去（アッシング）と、有機絶縁膜５１ａのエッチング（開口）とを同時に行うため、ドライエッチングにより有機絶縁膜５１ａに与えられるトータルのダメージを軽減することができる。

なお、本実施形態において、有機絶縁膜５１ａや有機絶縁膜５１は、無機絶縁膜からなる平坦化膜（無機平坦化膜）であってもよく、この場合、Ｓｉ−Ｈ含有ポリシロキサン（ＭＳＱ）系材料からなる膜や多孔質シリカ膜を用いればよい。このように、本実施形態の液晶表示装置５００は、平坦化膜の直上に無機絶縁膜が積層された平坦化膜・無機膜積層体を有してもよい。

以上、実施形態１〜６及びその他の実施形態を用いて本発明について説明したが、各実施形態は、本発明の趣旨を逸脱しない範囲で、適宜組み合わされてもよい。例えば、本発明の表示装置用基板は、周辺回路領域を有さず、有機・無機膜積層体が端子部のみに設けられた形態であってもよいし、端子部に有機絶縁膜が設けられず、周辺回路領域のみに有機・無機膜積層体が設けられた形態であってもよいし、実施形態１又は２に記載の画素領域と、実施形態３〜６のいずれかの実施形態に記載の端子部及び／又は周辺回路領域とを有してもよい。

また、実施形態３〜６及びその他の実施形態では液晶表示装置を例にして本発明について説明したが、実施形態３以降で説明した実施形態は、液晶表示装置以外の表示装置、例えば有機ＥＬディスプレイ等に対しても適用可能である。

（比較形態１）
図３３は、比較形態１の液晶表示装置の画素領域における断面模式図である。本比較形態の液晶表示装置７０１は、ガスバリア絶縁膜が設けられていないこと以外は、実施形態１の液晶表示装置７００と同様の構成を有する。

本比較形態の液晶表示装置７０１によれば、図３３に示すように、モノマー重合工程において、感光性樹脂膜１５２にＵＶ光（図３３中の白抜き矢印）が照射され、画素電極１３６より下層にある感光性樹脂膜１５２からガス１３８が発生した場合、ガス１３８は、隣接する画素電極１３６間の隙間を掻い潜って、液晶層１１０中に進入することがある。その結果、気泡発生に起因する不良が発生することがある。

（比較形態２）
図３４は、比較形態２の液晶表示装置の額縁領域における断面模式図であり、（ａ）は、端子部を示し、（ｂ）は、周辺回路領域を示す。比較形態２の液晶表示装置６００は、図３４（ａ）に示すように、表示装置用基板であるＴＦＴ基板１１１と、ＦＰＣ基板１７０とが端子部においてＡＣＦ１８０により接続された構造を有する。

ＴＦＴ基板１１１は、図３４（ａ）に示すように、端子部において、絶縁基板１２１上に、ベースコート膜１２２と、ゲート絶縁膜１２４と、ゲート電極１２５と、層間絶縁膜として機能する無機絶縁膜１４１と、第一配線層１６１からなる接続端子（外部接続端子）１２６と、保護膜として機能する有機絶縁膜１５１ａとが絶縁基板１２１側からこの順に積層された構造を有する。また、接続端子１２６の端部には、パッド部１２７が設けられている。

また、ＴＦＴ基板１１１は、図３４（ｂ）に示すように、周辺回路領域において、絶縁基板１２１上に、ベースコート膜１２２と、半導体層１２３と、ゲート絶縁膜１２４と、ゲート電極１２５と、層間絶縁膜として機能する無機絶縁膜１４１と、第一配線層１６１からなるソース・ドレイン電極１２８及び引き回し配線１３０ａと、層間絶縁膜として機能する有機絶縁膜１５１ａと、第二配線層１６２からなる引き回し配線１３０ｂと、保護膜として機能する有機絶縁膜１５１とが絶縁基板１２１側からこの順に積層された構造を有する。

このように、平坦性に優れた有機絶縁膜１５１ａを平坦化膜として用いることによって、下層側の第一配線層１６１やＴＦＴ１２９の段差を軽減し、上層側の第二配線層１６２を引き回しても第二配線層１６２が短絡しないようにしている。

しかしながら、図３４（ｂ）に示すように、有機絶縁膜１５１ａにコンタクトホール（ビアホール）１３１ｃを形成する方法として、レジストマスクを必要としない感光性エッチングを利用する方法ではなく、微細加工精度の高いドライエッチング等のレジストマスクを利用する方法を採用すると、レジストマスクのアッシング（剥離）工程においてレジストマスク及び有機絶縁膜１５１ａの選択比が取れず、エッチングがうまく行かないことがある。これは、レジストマスク及び有機絶縁膜１５１ａの双方が有機膜であり、両者の選択比が同程度となるためである。具体的には、レジストマスクのアッシング時に、有機絶縁膜１５１ａまでもアッシング除去されてしまうことがある。また、例えレジストマスクのみをアッシングできたとしても有機絶縁膜１５１ａがアッシングによるダメージを受けてしまい、有機絶縁膜１５１ａ上に形成される第二配線層１６２の堆積が不充分となり、第一配線層１６１と第二配線層１６２とで接続不良が発生することがある。したがって、本比較形態においては、有機絶縁膜１５１ａは、感光性樹脂を用いて形成されるとともに、レジストマスクを用いることなくコンタクトホール１３１ｃが形成され、また、有機絶縁膜１５１ａ直上の第二配線層１６２は、ウエットプロセスを用いてパターニングされる。このように、本比較形態においては、配線の微細加工を可能にするとともに、上層及び下層の配線間での接続不良の発生を抑制するという点で改善の余地がある。また、有機絶縁膜１５１ａの代わりに無機系の平坦化膜を用いた場合でも、同様の課題がある。

また、図３４（ａ）に示すように、最上層が有機絶縁膜１５１ａであると、パネルとＦＰＣ基板１７０とを接続する工程においてリワークする必要が生じた場合、有機絶縁膜１５１ａ等の有機膜は、ピール強度や硬度等の機械的強度が無機膜に比べ低い（外圧により傷が入りやすい）ため、有機絶縁膜１５１ａが剥れたり傷付いたりすることがある。そして、有機絶縁膜１５１ａの下層に位置する配線が剥き出しになり、その結果、水分等による腐食や、剥れた有機絶縁膜１５１ａのカスによるＦＰＣ基板１７０の接続不良が発生することがあり、信頼性の面で改善の余地がある。なお、端子部においてのみ有機絶縁膜１５１ａを除去し、第一配線層１６１を最上層に配置することも考えられるが、この場合もやはり、外部からの水分の影響により第一配線層１６１の信頼性が悪化することが懸念される。

本願は、２００８年１０月２日に出願された日本国特許出願２００８−２５７６８１号を基礎として、パリ条約ないし移行する国における法規に基づく優先権を主張するものである。該出願の内容は、その全体が本願中に参照として組み込まれている。

１０：液晶層
１１、１２、１３、１４、１５、１６：ＴＦＴ基板
２１：絶縁基板
２２：ベースコート膜
２３：半導体層
２４：ゲート絶縁膜
２５：ゲート電極（ゲート配線）
２６：接続端子（外部接続端子）
２７：パッド部
２８：ソース・ドレイン電極
２９：ＴＦＴ
３０ａ、３０ｂ、３０ｃ、３０ｄ、３０ｅ：引き回し配線
３１ａ、３１ｂ、３１ｃ、３１ｄ、３１ｅ、３１ｆ、３１ｇ、３１ｈ、３１ｉ、３１ｊ：コンタクトホール
３２ａ、３２ｂ、３２ｃ、３２ｄ：フォトマスク
３３ａ、３３ｂ、３３ｃ：レジスト
３４：ソース電極
３５：ドレイン電極
３６：画素電極
３７：配向膜
３８：ガス
３９：シール材（シール領域）
４１、４１ａ、４１ｂ、４１ｃ：無機絶縁膜
５１、５１ａ、５１ｂ：有機絶縁膜
５２：感光性樹脂膜
６１：第一配線層
６２：第二配線層
６３：第三配線層
６５：ドレイン配線
６６ａ、６６ｂ：補助容量上電極
６７：補助容量下電極
６８ａ、６８ｂ：画素補助容量
６９：最近接下層配線層
７０：ＦＰＣ基板
７１：接続端子
７２：封止用基板
７３：バンク
７４：ＥＬ膜
７５：上電極
７６：紫外線硬化型接着剤
８０：ＡＣＦ
８１：導電性微粒子
９０：ＣＦ基板
９１：絶縁基板
９２：ブラックマトリクス
９３：カラーフィルタ
９４：共通電極
９５：配向膜
１００、２００、３００、４００、５００、７００：液晶表示装置
８００：有機ＥＬディスプレイ

Claims (37)

1. 感光性樹脂膜及び画素電極を絶縁基板側からこの順に備える表示装置用基板であって、
   該表示装置用基板は、該感光性樹脂膜と該画素電極との間に、該感光性樹脂膜から発生するガスの進行を妨げるガスバリア絶縁膜を有することを特徴とする表示装置用基板。
2. 感光性樹脂膜及び画素電極を絶縁基板側からこの順に備える表示装置用基板であって、
   該表示装置用基板は、該感光性樹脂膜よりも上層側に、該感光性樹脂膜から発生するガスの進行を妨げるガスバリア絶縁膜を有することを特徴とする表示装置用基板。
3. 前記ガスバリア絶縁膜は、前記画素電極の外縁部に重なるとともに、前記画素電極上に開口部を有することを特徴とする請求項１又は２記載の表示装置用基板。
4. 前記ガスバリア絶縁膜は、前記感光性樹脂膜の上面及び側面の前記画素電極で覆われていない領域を選択的に覆うことを特徴とする請求項１〜３のいずれかに記載の表示装置用基板。
5. 前記表示装置用基板は、前記画素電極を複数有し、
   該複数の画素電極は、互いに間隔を有して設けられ、
   前記ガスバリア絶縁膜は、該複数の画素電極間の隙間に選択的に設けられることを特徴とする請求項１〜４のいずれかに記載の表示装置用基板。
6. 前記ガスバリア絶縁膜は、熱硬化型樹脂膜を含むことを特徴とする請求項１〜５のいずれかに記載の表示装置用基板。
7. 前記ガスバリア絶縁膜は、無機絶縁膜を含むことを特徴とする請求項１〜６のいずれかに記載の表示装置用基板。
8. 前記ガスバリア絶縁膜は、酸化シリコン膜を含むことを特徴とする請求項１〜７のいずれかに記載の表示装置用基板。
9. 前記表示装置用基板は、前記感光性樹脂膜の直上に前記無機絶縁膜が積層された有機・無機膜積層体を有することを特徴とする請求項７又は８記載の表示装置用基板。
10. 前記感光性樹脂膜は、開口部を有することを特徴とする請求項７〜９のいずれかに記載の表示装置用基板。
11. 前記表示装置用基板は、前記無機絶縁膜より上層に設けられた配線を有し、
    前記感光性樹脂膜の開口部は、該配線により覆われることを特徴とする請求項１０記載の表示装置用基板。
12. 前記感光性樹脂膜の開口部の壁面の少なくとも上層側の一部は、前記無機絶縁膜で覆われることを特徴とする請求項１０又は１１記載の表示装置用基板。
13. 前記感光性樹脂膜の開口部の壁面の全部は、前記無機絶縁膜で覆われることを特徴とする請求項１０〜１２のいずれかに記載の表示装置用基板。
14. 前記表示装置用基板は、他の外部接続部品を接続するための接続端子が設けられた端子部と、周辺回路が設けられた周辺回路領域との少なくとも一方を備えることを特徴とする請求項９〜１３のいずれかに記載の表示装置用基板。
15. 前記表示装置用基板は、前記端子部及び前記周辺回路領域を備えることを特徴とする請求項１４記載の表示装置用基板。
16. 前記表示装置用基板は、前記端子部に前記有機・無機膜積層体を有することを特徴とする請求項１４又は１５記載の表示装置用基板。
17. 前記表示装置用基板は、前記周辺回路領域に前記有機・無機膜積層体を有することを特徴とする請求項１４〜１６のいずれかに記載の表示装置用基板。
18. 前記表示装置用基板は、前記有機・無機膜積層体を複数有することを特徴とする請求項９〜１７のいずれかに記載の表示装置用基板。
19. 前記表示装置用基板は、前記端子部に上記有機・無機膜積層体を複数有することを特徴とする請求項１４〜１８のいずれかに記載の表示装置用基板。
20. 前記表示装置用基板は、複数の配線層を有し、
    前記複数の有機・無機膜積層体と、該複数の配線層とは、交互に積層され、
    前記接続端子は、該複数の配線層のうち、最も下層側に位置する配線層を除く配線層を含んで構成されることを特徴とする請求項１８又は１９記載の表示装置用基板。
21. 前記接続端子は、前記複数の配線層のうち、最も上層側に位置する配線層を含んで構成されることを特徴とする請求項２０記載の表示装置用基板。
22. 前記表示装置用基板は、前記周辺回路領域に前記複数の有機・無機膜積層体を有することを特徴とする請求項１８〜２１のいずれかに記載の表示装置用基板。
23. 前記表示装置用基板は、前記端子部において、前記接続端子の直上に前記無機絶縁膜が積層された領域を有することを特徴とする請求項１４〜２２のいずれかに記載の表示装置用基板。
24. 前記表示装置用基板は、前記端子部に前記感光性樹脂膜が設けられないことを特徴とする請求項１４、１５、１７、１８又は２２記載の表示装置用基板。
25. 請求項１〜２４のいずれかに記載の表示装置用基板を備えることを特徴とする表示装置。
26. 請求項１〜２４のいずれかに記載の表示装置用基板を備えることを特徴とする液晶表示装置。
27. 前記液晶表示装置は、モノマー分散型液晶を含む液晶層を有することを特徴とする請求項２６記載の液晶表示装置。
28. 前記液晶表示装置は、前記表示装置用基板に対向する対向基板と、前記表示装置用基板及び前記対向基板の間に封止された液晶材料と、前記表示装置用基板及び前記対向基板の間に該液晶材料を封止するためのシール材とを備え、
    前記ガスバリア絶縁膜は、該シール材にかかるまで形成されることを特徴とする請求項２６又は２７記載の液晶表示装置。
29. 請求項１〜２４のいずれかに記載の表示装置用基板を備える有機エレクトロルミネセンス表示装置であって、
    該有機エレクトロルミネセンス表示装置は、前記表示装置用基板に光硬化型接着剤により貼り付けられた基板を有することを特徴とする有機エレクトロルミネセンス表示装置。
30. 請求項７〜２４のいずれかに記載の表示装置用基板の製造方法であって、
    該製造方法は、前記感光性樹脂膜をエッチングする感光性樹脂膜エッチング工程と、
    該感光性樹脂膜エッチング工程の後に、前記無機絶縁膜を成膜する無機絶縁膜成膜工程と、
    該無機絶縁膜成膜工程の後に、前記無機絶縁膜をエッチングする無機絶縁膜エッチング工程とを含むことを特徴とする表示装置用基板の製造方法。
31. 前記無機絶縁膜は、前記無機絶縁膜エッチング工程において、第一レジストを介してドライエッチングされることを特徴とする請求項３０記載の表示装置用基板の製造方法。
32. 前記無機絶縁膜は、前記無機絶縁膜エッチング工程において、前記感光性樹脂膜のエッチング除去された領域と重なる領域がエッチング除去されることを特徴とする請求項３０又は３１記載の表示装置用基板の製造方法。
33. 前記表示装置用基板の製造方法は、前記感光性樹脂膜エッチング工程の前に、第一フォトマスクを介して前記感光性樹脂膜を感光する感光性樹脂膜感光工程を含むことを特徴とする請求項３０〜３２のいずれかに記載の表示装置用基板の製造方法。
34. 前記表示装置用基板の製造方法は、前記無機絶縁膜成膜工程の後に、前記無機絶縁膜上に第二レジストを成膜するレジスト成膜工程と、
    該レジスト成膜工程の後に、前記第一フォトマスクを介して該第二レジストを感光するレジスト感光工程とを含むことを特徴とする請求項３３記載の表示装置用基板の製造方法。
35. 請求項７〜２４のいずれかに記載の表示装置用基板の製造方法であって、
    該製造方法は、第三レジストをマスクとしてウェットエッチングにより前記無機絶縁膜をエッチングする無機絶縁膜エッチング工程と、
    該無機絶縁膜エッチング工程の後に、該第三レジストを除去するレジスト除去工程と、
    該レジスト除去工程の後に、前記無機絶縁膜をマスクとして前記感光性樹脂膜をエッチングする感光性樹脂膜エッチング工程とを含むことを特徴とする表示装置用基板の製造方法。
36. 請求項２７又は２８記載の液晶表示装置の製造方法であって、
    該製造方法は、液晶注入工程以降に、前記液晶層に光照射を行う工程を含むことを特徴とする液晶表示装置の製造方法。
37. 請求項３０〜３５のいずれかに記載の表示装置用基板の製造方法により作製された表示装置用基板を備えることを特徴とする表示装置。

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