TWI480355B - 黏合膜 - Google Patents

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TWI480355B
TWI480355B TW102104503A TW102104503A TWI480355B TW I480355 B TWI480355 B TW I480355B TW 102104503 A TW102104503 A TW 102104503A TW 102104503 A TW102104503 A TW 102104503A TW I480355 B TWI480355 B TW I480355B
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Suk Ky Chang
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Description

黏合膜
本發明係關於一種黏合膜,一種製造黏合膜之方法,及一種有機電子裝置。
黏合膜可用於須要黏合性的各種領域。特別地,黏合膜可用於保護易受到外在因素(如濕氣或氧)影響的元件或裝置。
如圖1所示者,製得的黏合膜具有具處於未固化狀態的黏合層3、至少一個保護膜1或2以防止外來物質黏合至黏合層等之結構。此外,用以保護易受到外在因素(如濕氣或氧)影響的元件或裝置之黏合膜大多包括濕氣吸收劑。
但是,通常,黏合膜在製得之後未直接接受以下方法。一般的情況中,黏合膜於用於黏合法之前經散佈或儲存。因此,如圖1所示者,在黏合層的側面暴於外在空氣的情況中,在黏合膜散佈和/或儲存的期間內,黏合層中含括的濕氣吸收劑會因為在空氣中的濕氣而失去其作用。 因此,有著此黏合膜無法在包封元件或裝置中適當地扮演其角色的問題存在。
此外,以黏合膜包封元件或裝置時,黏合膜被置於上面板和下面板之間及之後熱壓。此情況中,會發生黏合層之未固化的部分自黏合膜漏出,而形成厚度不均的黏合層的問題。
本申請案之目的係提供一種黏合膜,一種製造黏合膜之方法,及一種有機電子裝置。
本申請案的一個具體實施例提出包括具有經固化的側部分的黏合層之黏合膜。如圖2所示者,作為例子,此黏合層包括:第一黏合面301和第二黏合面302;及連接第一和第二黏合面的側面303。此外,此黏合層可包括形成於側面303之至少任何部分的側面上之經固化的側部分。但是,本發明不限於此,且黏合層可以不同於圖2的形式形成。
本說明書中,“側面”可以是指未直接與待黏合的物質或黏合物質接觸的面。亦即,其可為黏合層與外側接觸的面。例如,黏合層的第一和第二黏合面可黏合或澱積至保護膜或金屬薄膜10或20以防止外來物質之類黏合,此如 圖3所示者。此情況中,標示S的面暴於外在空氣,且在此例示情況中,側面是指標示S的面。此處,黏合層的側面暴於外在空氣的時間可為散佈、儲存或使用黏合膜的任一時間。此外,所謂“經固化部分”是指能夠藉供熱、老化法、或電磁波照射中之任何者加以固化之組件的部分。此處,經固化的部分是指固化度為例如50%或更高或80%或更高的部分。例如,此處所用的固化度可以定義為在待測定固化度之樣品的固化後期間內產生之固化熱(H2)相對於在未經固化的樣品之固化後的期間內所產生的固化熱(H1)之的百分比(H2/H1×100)。此外,固化熱可藉由使用差示掃描卡計(DSC)測定樣品在加熱速率約10℃/分鐘的加熱期間內所產生的熱而得知。
經固化的側部分存在於黏合層的側面上,並因此,在黏合膜的散佈和儲存期間內,黏合膜可得到長時間可靠性。此外,即使熱壓時的流動性提高,由於黏合膜的經固化的側部分,所以可防止黏合膜之黏合劑組成物的流出現象。因此,此處使用的黏合膜可提供具有一致厚度之固化的黏合層或包封層,即使在結合大面積物件的情況中亦然。
黏合層包括在側面的至少任何部分的側面上之經固化的側部分。根據黏合膜之用途、散佈、和/或儲存方法,具有經固化的側部分的點可經控制。
一個具體實施例中,黏合膜可包括整個側面上具有經固化的側部分30b的黏合層30,此如圖4和5所示者。 黏合層的整個側面上包括經固化的側部分的情況中,可阻斷因為外在因素(如空氣中的濕氣或氧)而使得黏合層功能受損。但是,本發明不限於此。另一具體實施例中,黏合膜可包括黏合層30,其側面的任何部分的側面上具有經固化的側部分30b,此如圖6和7所示者。此情況中,因為外在因素而功能受損程度較小的組件可以作為黏合層的組件。
經固化的側部分可以小寬度形成於黏合層的側面上。當從黏合層的第一和第二黏合面觀察時,此處的經固化的側部分的寬度可為由側面至形成固化部分的點之長度(W),此如圖5和7所示者。經固化的側部分的寬度可經控制,例如,在0.5微米至1000微米,0.5微米至800微米,0.5微米至600微米,0.5微米至400微米,0.5微米至200微米,0.5微米至100微米,0.5微米至70微米,0.5微米至50微米,5微米至1000微米,15微米至1000微米,5微米至400微米,5微米至100微米,5微米至50微米,或15微米至50微米的範圍內。在此範圍內,黏合層可維持極佳的發黏性,且可以有效地保護黏合層不受到外來因素的影響。此外,黏合層包括在細寬度在此範圍內的經固化的側部分,藉此控制例如黏合劑組成物在用於熱壓法之類的期間內流出。
此外,經固化的側部分可以細寬度形成於黏合層的厚度方向中。經固化的側部分形成於黏合層的厚度方向中可意謂當觀察黏合層的截面時,自第一黏合面至第二黏合面 以相同寬度或改變的寬度形成固化部分,此如圖4和6所示者。
使用例如熱熔黏合劑組成物,可形成黏合層。本說明書中,所謂“熱熔黏合劑組成物”是指於室溫維持固態或半固態之黏合劑組成物,其於施熱時因熔化而具有黏合性,並具有在固化之後,能夠作為黏合層或包封層而緊密固定物件的類型。所謂“室溫”是指無加熱或冷卻的自然溫度,且例如,溫度約15℃至35℃,約20℃至25℃,或約25℃。
一個具體實施例中,黏合層之經固化的側部分以外的部分可包括未固化態的膜或片狀黏合劑組成物。本說明書中,此處所用之經固化的側部分以外的黏合層可被稱為未固化部分。所謂“未固化部分”是指未接受人工固化法(如施熱、老化法、或電磁波照射)的部分。特定言之,未固化部分是指固化度低於80%或低於50%的部分。
此技術中之能夠被固化的部分可以無限制地作為黏合層。此黏合層可包括,例如,可固化的樹脂。
可固化的樹脂的特定種類包括,但未特別限於,例如,此技術中已知的各種熱可固化或光可固化的樹脂。但是,本發明不限於此,且可固化的樹脂可為能夠被熱固化和光固化二者之雙重可固化的樹脂。
本說明書中,“熱可固化的樹脂”是指能夠藉由適當供熱或老化法而被固化的樹脂,而所謂“光可固化的樹脂”是指能夠藉電磁波照射而固化的樹脂。此外,此情況中,電 磁波的種類可包括微波、IR、UV、X-射線、γ-射線、和粒子束(如α-粒子束、質子束、中子束、和電子束。
未特別限定可固化的樹脂的特定種類,只要其具有前述性質即可。例如,作為在固化之後具有黏合性之可固化的樹脂,如具有至少一個能夠被熱所固化的官能基(如環氧丙基、異氰酸酯基、羥基、羧基、或醯胺基)之樹脂、或具有至少一個能夠被電磁波射線所固化的官能基(如環氧基、環狀醚基、硫醚基、縮醛基、內酯基)之樹脂。此外,前述樹脂的特定種類可包括丙烯酸系樹脂、聚酯樹脂、異氰酸酯樹脂、或環氧樹脂,但本發明不限於此。
一個具體實施例中,可固化的樹脂可包括芳族或脂族、或直鏈或支鏈環狀樹脂。此環氧樹脂的例子可包括甲酚清漆環氧樹脂、雙酚A環氧樹脂、雙酚A清漆環氧樹脂、酚清漆環氧樹脂、四官能性環氧樹脂、聯苯基環氧樹脂、三酚甲烷環氧樹脂、經烷基改質的三酚甲烷環氧樹脂、萘環氧樹脂、二環戊二烯環氧樹脂、或經二環戊二烯改質的酚環氧樹脂中之一種、或二或更多種之混合物。
黏合層可另包括濕氣吸收劑。藉由黏合層中另包括濕氣吸收劑,可提供具有最大濕氣阻斷效果的黏合膜。本說明書中,所謂“濕氣吸收劑”可為藉由吸附或移除自外部流入的水或濕氣或藉物理或化學反應而中斷水或濕氣自外部流入的通道,而能夠阻斷水或濕氣之組份的一般用語。此濕氣吸收劑的例子可包括濕氣反應性吸附劑或物理阻斷劑,及彼等之混合物。
此處所用的濕氣反應性吸附劑藉由與流入黏合層內部的濕氣、水、氧之類進行化學反應而吸附水、濕氣、氧之類。此處所用的物理阻斷劑可抑制水或濕氣之滲透,其方式係藉由使得滲入包封結構之水或濕氣的移動通道變得較長及藉由與可固化的樹脂、濕氣反應性吸附劑等的基質結構之交互作用而使得阻斷水和濕氣的性質最大化。
未特別限制濕氣反應性吸附劑的特定種類,只要此吸附劑可以化學方式與濕氣反應即可。此處使用的濕氣反應性吸附劑的例子可包括金屬粉末,如氧化鋁;金屬氧化物,如鹼土金屬氧化物或有機金屬氧化物;金屬鹽;或五氧化磷(P2 O5 )中之一種、或二或更多種之混合物。
此情況中,金屬氧化物的例子可包括氧化鋰(Li2 O)、氧化鈉(Na2 O)、氧化鋇(BaO)、氧化鈣(CaO)、或氧化鎂(MgO)。金屬鹽的例子可包括:硫酸鹽,如硫酸鋰(Li2 SO4 )、硫酸鈉(Na2 SO4 )、硫酸鈣(CaSO4 )、硫酸鎂(MgSO4 )、硫酸鈷(CoSO4 )、硫酸鎵(Ga2 (SO4 )3 )、硫酸鈦(Ti(SO4 )2 )或硫酸鎳(NiSO4 );金屬鹵化物,如氯化鈣(CaCl2 )、氯化鎂(MgCl2 )、氯化鍶(SrCl2 )、氯化釔(YCl3 )、氯化銅(CuCl2 )、氟化銫(CsF)、氟化鉭(TaF5 )、氟化鈮(NbF5 )、溴化鋰(LiBr)、溴化鈣(CaBr2 )、溴化銫(CeBr3 )、溴化硒(SeBr4 )、溴化釩(VBr3 )、溴化鎂(MgBr2 )、碘化鋇(BaI2 )或碘化鎂(MgI2 );金屬氯酸鹽,如過氯酸鋇(Ba(ClO4 )2 )或過氯酸鎂(Mg (ClO4 )2 );等,但本發明不限於此。
處於經適當處理狀態的濕氣反應性吸附劑可以混入組成物中。例如,當黏合膜用於包封易受濕氣之類影響的元件或設備時,黏合層的厚度可為約40微米或更低,此視元件或裝置的種類而定。此情況中,濕氣反應性吸附劑須要研磨法。研磨法(如三滾筒研磨、珠磨、或球磨)可用以研磨濕氣反應性吸附劑。此外,使用黏合膜時,例如,用於包封具有頂部發射型之類的有機電子裝置時,固化的黏合層或包封層本身的透光率極重要。因此,須要小尺寸的濕氣反應性吸附劑。據此,此用途須要研磨法。
此外,較佳地,此濕氣吸附劑均勻地分佈在黏合膜的黏合層中。特別地,由於濕氣反應性吸附劑會與空氣中的濕氣反應,並因此而易發生吸附劑的結塊,所以,重要地,濕氣反應性吸附劑均勻地分佈並以適當尺寸混入形成黏合層的樹脂組成物中。
黏合層中含括之濕氣反應性吸附劑的平均粒子直徑可為100奈米至15微米,100奈米至5微米,或0.5微米至15微米,以適當地控制與濕氣之反應性及以免損及待密封的元件或設備,但本發明不限於此。在此範圍中,可以合宜地控制與濕氣的反應速率,並藉此確保儲存安定性及待密封的元件和設備不受損。
此處所用的黏合層所含括之濕氣反應性吸附劑的量為1重量份至100重量份或1重量份至50重量份,此係相對於100重量份可固化的樹脂而言。藉由將濕氣反應性吸 附劑的含量控制在此範圍內,例如,當黏合膜用以包封易受濕氣等影響的元件或裝置時,在元件或裝置未受損的前提下,在此範圍內可使濕氣阻斷性質最大化。
本說明書中,除非特別界定,否則單位“重量份”是指在所有組份中之重量比。
除了濕氣反應性吸附劑以外,黏合膜的黏合層可包括物理阻斷劑(亦稱為無機填料)。物理阻斷劑可抑制水或濕氣的滲透,其方式係藉由使得水或濕氣滲入固化的黏合層或包封層的移動通道變得較長,及藉由與基質結構、濕氣反應性吸附劑等的交互作用而使得阻斷水和濕氣的性質最大化。物理阻斷劑的特定種類可包括,但不限於,例如,黏土、滑石、針狀矽石,層狀矽石、多孔矽石、沸石、氧化鈦、氧化鋯、或蒙脫土中之一種或二或更多種之組合。
物理阻斷劑可以是表面經有機材料處理的產物,例如,黏度經二(十八烷基)甲基氯化銨改質等,或可藉由另添加偶合劑而使用,以改良與可固化的樹脂之相容性。
黏合層可包括,例如,1重量份至50重量份或5重量份或30重量份的物理阻斷劑,此係相對於100重量份可固化的樹脂而言。可提供阻斷水或濕氣的極佳性質及機械性質,且亦可藉由將物理阻斷劑的含量控制於1重量份或更高,以防止濕氣吸收劑之沉降。此外,可製造膜類型,甚至於在形成薄膜的情況中,藉由將物理阻斷劑的含量控制於50重量份或更低,可得到極佳之阻斷濕氣的性 質。
黏合層可另包括黏合劑樹脂。黏合劑樹脂可以在將黏合層模製成膜或片類型時,扮演改良模製性的角色。
未特別限制黏合劑樹脂的種類,只要其與其他樹脂(如可固化的樹脂)相容即可。苯氧基樹脂、丙烯酸酯樹脂、或高分子量環氧樹脂可以作為黏合劑樹脂。此處,高分子量環氧樹脂是指,例如,重量平均分子量約2,000至70,000或約4,000至6,000的樹脂。高分子量環氧樹脂包括固態雙酚A環氧樹脂、固態雙酚F環氧樹脂之類。橡膠組份,如具有高極性官能基的橡膠或具有高極性官能基的反應性橡膠,可以作為黏合劑樹脂。一個具體實施例中,苯氧基樹脂可作為黏合劑樹脂。
在包括黏合劑樹脂的情況中,可視所欲物理性質地控制其比,但未特別限制。例如,黏合劑樹脂的含量可為約200重量份或更低,約150重量份或更低,或約100重量份或更低,此係相對於100重量份可固化的樹脂而言。黏合劑樹脂的比低於或等於200重量份時,黏合層可以有效地維持其與所有組份的相容性及亦扮演作為黏合層的角色。
黏合層可以另包括能夠藉由與可固化的樹脂反應而形成基質(如交聯結構)的固化劑,或能夠引發樹脂之固化反應的引發劑(例如,陽離子光聚合引發劑等)。
固化劑的類型可以合宜地視所用樹脂或可固化的樹脂中所含的官能基種類而選擇,但未特別限制。例如,環氧 樹脂作為可固化的樹脂時,可以使用此技術中已知之作為固化劑之用於一般環氧樹脂的固化劑。其特定例子可包括各種以胺為基礎的化合物、以咪唑為基礎的化合物、以酚為基礎的化合物、以磷為基礎的化合物、以酸酐為基礎的化合物之類中之一種或二或更多種。但是,本發明不在此限。
黏合膜可包括,例如,1重量份至20重量份或1重量份或10重量份的固化劑,此係相對於100重量份可固化的樹脂而言。但是,此含量僅為例子。即,固化劑含量可視可固化的樹脂或官能基的種類、其含量、或待實現的基質結構或交聯密度而改變。
此處使用的引發劑種類,例如,陽離子光聚合引發劑可包括,例如,但未特別限於,已知的陽離子聚合引發劑,如芳族重氮鹽、芳族碘鋁酸鹽、芳族鋶鹽、或鐵芳族烴錯合物。但是,本發明不限於此。
此情況中,引發劑的含量可為,例如,0.01重量份至10重量份或0.1重量份至3重量份,此係相對於100重量份此處使用之可固化的樹脂而言。陽離子光聚合引發劑在此範圍內使用時,足以進行固化法,固化之後留下之陰離子材料的含量可最小化,並藉此確保固化材料的持久性。此外,即使因為引發劑的性質而形成共軛酸,並因此而對光學持久性造成不利的影響,當陽離子光聚合引發劑以此範圍使用時,可確保固化材料的光學持久性及防止薄膜腐蝕,即使固化材料與包括金屬的薄膜接觸亦然。但是,未 限制引發劑的含量,且可以視引發劑和可固化的樹脂之特定種類而加以控制。
就黏合層的所欲功能之觀點,可以另含括添加劑,添加劑的例子可包括額外的填料(用以改良固化材料的持久性)、塑化劑、UV安定劑、抗氧化劑、或用以改良機械強度和黏合強度之偶合劑。
未特別限制黏合層的厚度,且可就黏合膜的待施用用途而經合宜地控制。一個具體實施例中,黏合層的厚度可為約5微米至200微米或約5微米至100微米。但是,本發明不限於此。
黏合層可具有單層或多層結構。在黏合層具有多層結構的情況中,各層中之可固化的樹脂和濕氣吸收劑的含量或種類可以彼此不同或彼此相同。可以無限制地使此技術中使用的方法作為使得黏合層具有多層結構之方法,只要該方法可形成具有多層結構的黏合層即可。
黏合膜可以另包括保護膜以防止外來物質黏於黏合層。黏合膜可包括至少一個保護膜。至少一個保護膜可存在於黏合層的較上部分和/或較下部分上。
未特別限制此處所用之保護膜的特定種類。保護膜的例子可包括聚對酞酸乙二酯膜、聚四氟乙烯膜、聚乙烯膜、聚丙烯膜、聚丁烯膜、聚丁二烯膜、氯乙烯共聚物膜、聚胺甲酸酯膜、乙烯-乙酸乙烯酯膜、乙烯-丙烯共聚物膜、乙烯-丙烯酸乙酯共聚物膜、乙烯-丙烯酸甲酯共聚物膜、聚醯亞胺膜之類。
此外,可以在保護膜的一面上進行適當的脫模處理。進行保護膜之脫模處理所用脫模劑的例子可包括以醇酸為基礎、以聚矽氧為基礎、以氟化物為基礎、以不飽和酯為基礎、以聚烯烴為基礎、以蠟為基礎的脫模劑之類。其中,就耐熱性而言,可以使用以醇酸為基礎、以聚矽氧為基礎、或以氟化物為基礎的脫模劑,但本發明不限於此。
根據待施用的用途,可以適當地控制保護膜的厚度,但本發明未特別限於此。保護膜的厚度可為,例如,約10微米至500微米或20微米或200微米。在此範圍內,保護膜的形狀未於製造黏合膜的期間內經修飾,且可以經濟地製造黏合膜。此外,使用至少兩個保護膜的情況中,至少兩個保護膜的厚度可控制為彼此相同或彼此不同。一個具體實施例中,就黏合膜的工作特性觀之,任一保護膜的厚度可以設定為比另一保護膜為薄。
此情況中,代替保護膜,金屬薄膜存在於黏合層的一面上。一個具體實施例中,在此處所用金屬薄膜構成氣體阻擋層的情況中,可提供能夠用於撓性顯示器的黏合膜。此氣體阻擋層的例子可包括金屬氧化物薄膜等。此外,此氣體阻擋層的厚度可根據黏合膜的施用領域而經適當控制。一個具體實施例中,在金屬薄膜存在於黏合層的一面上的情況中,黏合層的另一面可以具有前述保護膜。
黏合膜可用於包封並因此而保護各種物件。特別地,此膜可以有效地保護包括易受外在組份(例如,水或濕氣)影響的元件之物件。此情況中,元件是指電子裝置的 任一組件。可施用黏合膜之物件的例子包括:有機電子裝置,如光伏裝置、整流器、發射器、或有機發光二極體(OLED);太陽能電池;或二次電池,但本發明不限於此。
本申請案的另一具體實施例提供用以製造此處所用之黏合膜之方法。此製造黏合膜之方法包括使黏合層固化,以形成接觸第一和第二黏合面之側面的至少任何部分之側面上具有經固化的側部分之黏合層。
一個具體實施例中,製造黏合膜之方法可包括在黏合層固化之前形成黏合層。
黏合層之形成可包括,例如,藉由將黏合劑組成物施用在保護膜上而形成塗膜的第一步驟;及藉由乾燥此塗膜而形成黏合層的第二步驟。此外,可以另外實行將額外的保護膜壓在黏合層上或令金屬薄膜澱積在黏合層上作為第三步驟。
第一步驟可包括藉由將黏合層中含括的組份(如可固化的樹脂)溶解或分佈於適當溶劑中而製造黏合劑組成物。此方法中,根據所欲作用和膜的模製性,可適當地控制黏合劑組成物中所含括之所有組份的種類或含量。
在乾燥溶劑所須時間極長或須於高溫乾燥的情況中,因為可能會有黏合膜的持久性或工作特性之問題,考慮此點,此溶劑可經適當選擇,但本發明未特別限於此。溶劑的例子可包括甲基乙基酮(MEK)、丙酮、甲苯、二甲基甲醯胺(DMF)、甲基溶纖素(MCS)、四氫呋喃 (THF)、N-甲基吡咯烷酮(NMP)之類中之一種或二或更多種之組合。
前述黏合劑組成物施用在保護膜上之方法的例子可包括,但不限於,已知方法,如刮刀塗覆、滾筒塗覆、噴塗、凹版印刷塗覆、簾塗、間隔塗覆(comma coating)或條狀塗覆(rib coating)。
第二步驟中,第一步驟中得到的塗膜經乾燥以形成黏合層。即,第二步驟中,可藉由加熱施於保護膜上的塗膜以乾燥和移除溶劑而形成黏合層。此時,未特別限制乾燥條件,例如,乾燥可於溫度為10℃至200℃,20℃至200℃,30℃至200℃,50℃至200℃,或70℃至200℃進行1至10分鐘。
第二步驟之後,另進行第三步驟以將額外的保護膜壓在形成於膜上的黏合層上或使金屬薄膜澱積在形成於膜上的黏合層上。
一個具體實施例中,保護膜壓在黏合層上可藉熱滾筒層壓或加壓法進行。此處,就效能和連續法的可能性觀之,此加壓可藉熱滾筒層壓法進行。特定言之,加壓可於,例如,溫度約10℃至100℃和壓力約0.1公斤力/平方公分至10公斤力/平方公分進行。但是,本發明不限於此。
作為另一具體實施例,金屬薄膜可澱積在黏合層上。金屬薄膜的例子可包括金屬氧化物薄膜。可以無特定限制地使用此技術中所用之方法作為澱積金屬薄膜之方法。澱 積金屬薄膜之方法可以,例如,藉原子層澱積法或化學蒸鍍法進行。
前述形成之未經處理的黏合膜包括處於未固化狀態的黏合層。之後,進行令黏合層固化以製造具有經固化的側部分的黏合膜之步驟。令黏合層固化的步驟可以無限制地使用此技術習知的方法進行。例如,令黏合層固化的步驟可以藉由將熱施於欲具有固化部分之對應區域的方法、令欲具有固化部分之對應區域老化的方法、以電磁波照射欲具有固化部分之對應區域的方法、或這些方法中之至少兩個方法進行。
一個具體實施例中,令黏合層固化的步驟可藉由將熱施於欲具有固化部分之對應區域的方法進行。此外,另一具體實施例中,可以進行使用雷射施熱的方法。即,用以固化黏合層之步驟可以,例如,藉由以雷射於黏合膜的厚度方向切割黏合膜的方式進行。如圖8所示者,未固化狀態的大區域黏合膜可經雷射切割器100切割以具有所欲尺寸。此處,切割之後,雷射切割器的切割面可為黏合層的側面。此外,一個具體實施例中,黏合膜之與雷射接觸的切割面或側面可藉雷射加以固化。因此,黏合膜之切割和黏合膜形成經固化的側部分可於一個方法(例如,雷射切割法)中進行。藉雷射加工法切割黏合膜的情況中,可避免黏合膜的層之間之切割面的溶脹現象。
特別地,可控制黏合層的側面固化,例如,根據雷射的輸出功率和/或重覆率。一個具體實施例中,雷射的輸 出功率可控制於約0.1瓦特至10瓦特,0.1瓦特至8瓦特,0.1瓦特至5瓦特,1瓦特至10瓦特或1瓦特至5瓦特。藉由將雷射的輸出功率控制在此範圍內,黏合膜的經固化的側部分之形成和切割可同時進行。此外,雷射的輸出功率控制在此範圍內,並藉此防止黏合膜的切割不足或未固化部分留在欲形成經固化的側部分的區域中。
此外,一個例子中,雷射的重覆率可控制為約3kHz至50kHz,3kHz至40kHz,3kHz至30kHz,10kHz至50kHz,10kHz至40kHz,或10kHz至30kHz。藉由將雷射的重覆率控制在此範圍內,可以適當地進行黏合膜之切割和所欲區域之固化。
此技術中已知的雷射可以無限制地作為雷射,只要雷射可輸出前述輸出功率即可。
一個具體實施例中,根據經固化的側部分的寬度,適當地控制雷射的線寬。為了將經固化的側部分的寬度控制在前述範圍內,雷射的線寬可控制於,例如10微米至500微米,10微米至300微米,10微米至100微米,或10微米至80微米。
除了製造黏合膜的前述方法以外,可以藉由進一步含括此技術中常進行之方法而製得黏合膜。
本申請案的另一具體實施例提供經前述黏合膜包封的有機電子裝置。此有機電子裝置可包括基板;形成於基板上的有機電子元件;及藉由以黏合膜包封整個有機電子元件而形成的包封層。
藉由以前述黏合膜形成包封層,有機電子裝置具有極佳的濕氣阻擋性和持久可靠性。
除了使用前述黏合膜之方法以外,可以使用用以包封有機電子元件的方法、此技術中已知的方法形成此包封層。例如,可以藉由使黏合膜附於具有機電子元件形成之基板的面上以覆蓋整個有機電子元件,及之後固化,而形成包封層。可以使用,例如,真空加壓、熱壓、或彼等之組合,進行黏合膜之黏合。一個具體實施例中,黏合膜之黏合可於溫度為50℃至90℃在真空加壓法中進行。此外,黏合膜之固化可藉由在70℃至110℃的溫度範圍內加熱或以電磁波照射的方式進行。一般的情況中,因為黏合膜於高溫的流動性提高,並因此而造成黏合層中含括的黏合劑組成物的一部分流出或漏出,所以難形成一致的包封層。但是,在黏合膜具有前述經固化的側部分的情況中,即使黏合層熔化並因此而於室溫或更高溫度提高流動性,經固化的側部分可避免黏合劑組成物流至外側。因此,具有前述經固化的側部分的黏合膜可具有厚度一致的包封層。
藉切割黏合層而形成包封層中,經固化的側部分於固化之前的固化度與未固化部分於固化之後的固化度可以彼此相同或彼此不同。
除了使用前述的膜建構包封層以外,有機電子裝置可以此技術的一般構造提供。例如,有機電子裝置可以另包括包封基板。此技術中常用的玻璃、金屬、聚合物膜之類 可以作為基板和包封基板。此外,有機電子裝置可包括,例如,一對電極和形成於一對電極之間的有機材料層。此處,一對電極之任何一者可以透明電極建構。此外,有機材料層的例子可包括電洞轉移層、發光層、電子轉移層等。
根據本申請案之例示黏合膜,在將黏合劑施用於待於之後彼此黏合的物件之間及之後熱壓固化側面與外側接觸的黏合層之情況中,可控制黏合劑的流動性。此黏合膜用於,例如,用於組裝面板等,並藉此而可降低在面板組裝等之時的缺陷率及提供良好的工作特性。此外,施於面板之類之前,黏合膜之黏合層內部含括的濕氣吸收劑可以加以保護,使其不會受到外在濕氣之類的影響,藉此易於儲存,且當其施於產物時,亦可確保壽命的可靠性等。
1,2‧‧‧保護膜
3‧‧‧黏合層
10,20‧‧‧保護膜或金屬薄膜
30‧‧‧黏合層
30a‧‧‧未固化部分
30b‧‧‧經固化的側部分
301‧‧‧第一黏合面
302‧‧‧第二黏合面
303‧‧‧側面
100‧‧‧雷射
圖1係截面圖,說明根據慣用技術之黏合膜。
圖2係說明例示黏合層之表面的圖示。
圖3係說明例示黏合層之側面的圖示。
圖4係截面圖,說明根據實例之黏合膜。
圖5係示意圖,說明自頂部觀察時,圖4所示黏合膜之黏合層。
圖6係截面圖,說明根據另一實例之黏合膜。
圖7係示意圖,說明自頂部觀察時,圖6所示黏合膜之黏合層。
圖8係示意圖,說明製造根據實例之黏合膜之方法的一部分。
下文中,將此參考實例和比較例的方式,詳細描述此處所用的黏合膜。但是,此黏合膜之範圍不限於以下實例。
下文中,使用以下方法評估實例和比較例中的物理性質。
1.濕氣阻斷性質之評估
進行鈣試驗,以評估實例或比較例中製造的黏合膜之濕氣阻斷性質。特定言之,面積為80毫米(寬)×80毫米(長)和厚度為100奈米的鈣(Ca)澱積在尺寸為100毫米×100毫米的玻璃基板上。實例和比較例中製得之具有尺寸為90毫米×90毫米的黏合膜之蓋玻璃的黏合膜面放置面對玻璃基板之的鈣澱積面。之後,黏合膜接觸以密封經鈣澱積的全玻璃基板。及之後使用真空加壓機,於80℃加熱和施壓1分鐘。之後,黏合膜在高溫乾燥機中於100℃固化3小時,以製造試樣。藉此而得的試樣置於在溫度85℃和85% R.H.環境下的恆定溫度和濕度室中,之後測定鈣因為濕氣滲透而發生氧化反應而變得透明的起始點。
2.結合性評估
以用以評估濕氣阻斷性質而製得的各個試樣,肉眼觀察黏合劑組成物是否漏在黏合膜之與外部空氣接觸的側面上。
<結合性評估標準>
良好:觀察到一致的側面,沒有黏合劑組成物漏在黏合膜的側面上;和
不良:觀察到不一致的側面,黏合劑組成物漏在黏合膜的側面上。
實例1
(1)可固化的黏合劑組成物之製造
50克CaO(Junsei)作為濕氣吸收劑以30重量%濃度加至甲基乙基酮中,製得濕氣吸收劑之溶液。之後,此溶液以球磨法研磨24小時。另外,100克液態環氧樹脂(YD-128,KUKDO CHEMICAL CO.,LTD.製造)和50克苯氧基樹脂(YP-50,DONGDO CHEMICALS CORPORATION製造)於室溫加至反應器,之後以甲基乙基酮稀釋。之後,藉此而得的溶液經均質化。製得的濕氣阻斷溶液加至經均質化的溶液中,4克咪唑(SHIKOKU CHEMICALS CORPORATION)作為固化劑地加至經均質化的溶液中,之後於高速攪拌1小時,以製造可固化的黏合劑組成物。
(2)黏合膜之製造
使用間隔塗覆機,將以前述者製造之可固化的黏合劑組成物施於脫模PET的脫模面,之後在乾燥機中於130℃乾燥3分鐘以形成20微米厚的黏合層。
單獨的脫膜PET層合至黏合層以製造未經加工處理的黏合膜。
欲加工處理以前述方式製造的黏合膜,使用雷射355,在2瓦特和20kHz條件下,以線寬約50微米的雷射照射,黏合膜切割及加工成90毫米×90毫米的正方形。此時,延著黏合膜的切割面形成約30微米寬的經固化的側部分。
比較例1
使用與實例1相同的方法製造黏合膜,但使用木材圖案打孔機切割此未經加工的黏合膜,以對實例1之未經加工的黏合膜進行加工處理。此情況中,由於切割表面未發生固化反應,所以沒有經固化的側部分。
10,20‧‧‧保護膜或金屬薄膜
30‧‧‧黏合層
30a‧‧‧未固化部分
30b‧‧‧側固化部分

Claims (11)

  1. 一種黏合膜,其包含:黏合層,其具有第一黏合面、第二黏合面及連接第一和第二黏合面的側面;及具有形成於該側面之至少一部分側面上之經固化的側部分,其中該黏合層包含未固化狀態之膜或片狀的黏合劑組成物,且該黏合劑組成物包含可固化的樹脂。
  2. 如申請專利範圍第1項之黏合膜,其中該經固化的側部分形成於總側面上。
  3. 如申請專利範圍第1項之黏合膜,其中該經固化的側部分的寬度是0.5微米至1000微米。
  4. 如申請專利範圍第1項之黏合膜,其中該黏合劑組成物另包含濕氣吸附劑。
  5. 如申請專利範圍第1項之黏合膜,其另包含保護膜或金屬薄膜,其中該保護膜或金屬薄膜位於該黏合層的一面或兩面上。
  6. 一種製造如申請專利範圍第1項之黏合膜之方法,包含藉由令具有第一和第二黏合面的黏合層固化,而在連接第一和第二黏合面的側面的至少一部分的側面上形成具有經固化的側部分之黏合層。
  7. 如申請專利範圍第6項之方法,其中黏合層之形成係藉由以雷射在厚度方向上切割該黏合膜的方式進行。
  8. 如申請專利範圍第7項之方法,其中使用線寬10微米至500微米的雷射形成黏合層。
  9. 如申請專利範圍第7項之方法,其中黏合層之形成係在將雷射輸出控制於0.1瓦特至10瓦特的條件下進行。
  10. 如申請專利範圍第9項之方法,其中黏合層之形成係在雷射的重覆率控制於3kHz至50kHz的條件下進行。
  11. 一種有機電子裝置,包含:基板;形成於基板上的有機電子元件;和藉由以如申請專利範圍第1項之黏合膜包封整個有機電子元件而形成的包封層。
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