CN101937724B - 用于执行拷贝回存操作的方法以及闪存存储设备 - Google Patents

用于执行拷贝回存操作的方法以及闪存存储设备 Download PDF

Info

Publication number
CN101937724B
CN101937724B CN201010213676.0A CN201010213676A CN101937724B CN 101937724 B CN101937724 B CN 101937724B CN 201010213676 A CN201010213676 A CN 201010213676A CN 101937724 B CN101937724 B CN 101937724B
Authority
CN
China
Prior art keywords
flash memories
error recovery
code data
recovery code
data
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
CN201010213676.0A
Other languages
English (en)
Other versions
CN101937724A (zh
Inventor
彭奇伟
吴建中
陈宏庆
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
MediaTek Inc
Original Assignee
MediaTek Inc
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by MediaTek Inc filed Critical MediaTek Inc
Publication of CN101937724A publication Critical patent/CN101937724A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN101937724B publication Critical patent/CN101937724B/zh
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G11—INFORMATION STORAGE
    • G11C—STATIC STORES
    • G11C5/00—Details of stores covered by group G11C11/00
    • G11C5/14—Power supply arrangements, e.g. power down, chip selection or deselection, layout of wirings or power grids, or multiple supply levels
    • G11C5/143—Detection of memory cassette insertion or removal; Continuity checks of supply or ground lines; Detection of supply variations, interruptions or levels ; Switching between alternative supplies
    • G—PHYSICS
    • G06—COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
    • G06F—ELECTRIC DIGITAL DATA PROCESSING
    • G06F12/00—Accessing, addressing or allocating within memory systems or architectures
    • G06F12/02—Addressing or allocation; Relocation
    • G06F12/0223—User address space allocation, e.g. contiguous or non contiguous base addressing
    • G06F12/023—Free address space management
    • G06F12/0238—Memory management in non-volatile memory, e.g. resistive RAM or ferroelectric memory
    • G06F12/0246—Memory management in non-volatile memory, e.g. resistive RAM or ferroelectric memory in block erasable memory, e.g. flash memory
    • G—PHYSICS
    • G11—INFORMATION STORAGE
    • G11C—STATIC STORES
    • G11C16/00—Erasable programmable read-only memories
    • G11C16/02—Erasable programmable read-only memories electrically programmable
    • G11C16/06—Auxiliary circuits, e.g. for writing into memory
    • G11C16/30—Power supply circuits
    • G—PHYSICS
    • G06—COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
    • G06F—ELECTRIC DIGITAL DATA PROCESSING
    • G06F2212/00—Indexing scheme relating to accessing, addressing or allocation within memory systems or architectures
    • G06F2212/72—Details relating to flash memory management
    • G06F2212/7201—Logical to physical mapping or translation of blocks or pages

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Theoretical Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Engineering & Computer Science (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Techniques For Improving Reliability Of Storages (AREA)
  • Power Sources (AREA)

Abstract

本发明提供一种用于执行拷贝回存操作的方法以及闪存存储设备，方法包括：发送拷贝回存命令至闪存存储器，以从第一地址读取第一ECC数据；从闪存存储器接收第一ECC数据；译码第一ECC数据，而不执行错误校正，以计算第一ECC数据的失败计数；比较失败计数与第一阈值；以及若失败计数小于第一阈值，则发送第一程序命令至闪存存储器以将第一ECC数据存储至闪存存储器的第二地址，其中若失败计数小于第一阈值，第一ECC数据则不发送回闪存存储器。通过利用本发明，能够更有效的执行拷贝回存操作，提升了闪存存储设备的性能。

Description

用于执行拷贝回存操作的方法以及闪存存储设备
相关申请的交叉引用
本申请的权利要求要求2009年6月30日递交的美国临时申请案No.61/221,569的优先权，且将此申请作为参考。
技术领域
本发明有关于闪存存储器，尤其有关于闪存存储器的拷贝回存(copy back)运作。
背景技术
闪存存储设备(比如存储器卡)为主机存储数据。当主机想要存储数据时，主机则将数据发送到闪存存储设备进行存储。当主机需要数据时，闪存存储设备则检索其存储器储的数据并将数据发送到主机。闪存存储设备通常包括一控制器和一闪存存储器，其中闪存存储器用于数据存储，控制器用于从主机接收存取命令并根据存取命令对闪存存储器中存储的数据进行存取。
若闪存存储设备的控制器想要将存储在闪存存储器第一地址的数据拷贝到闪存存储器的第二地址，控制器则通常发送拷贝回存命令至闪存存储器。为了避免损害数据，通常将数据以错误校正码(Error Correction Code，ECC)格式存储。参照图1，图1是执行拷贝回存命令的方法100的流程图。控制器首先向闪存存储器发送一个拷贝回存命令(步骤102)。当闪存存储器接收到拷贝回存命令时，闪存存储器则根据拷贝回存命令从第一地址检索第一ECC数据，并将第一ECC数据发送到控制器。控制器接着从闪存存储器接收第一ECC数据(步骤106)。于步骤108，控制器对第一ECC数据译码并执行错误校正以获得与第一ECC数据对应的已校正原始数据(source data)。然后，控制器根据已校正原始数据编码一奇偶校验位(parity)，并接着将已校正原始数据与奇偶校验位结合来获取一第二ECC数据(步骤110)。控制器随后将第二ECC数据发送到闪存存储器(步骤112)。闪存存储器接收第二ECC数据后，控制器发送程序命令至闪存存储器以指示闪存存储器将第二ECC数据存储到第二地址(步骤114)。
参照图2，图2是在控制器和闪存存储器之间传送的用于执行拷贝回存命令的信号时序架构示意图。在时间段T21期间，控制器经由输入/输出总线发送拷贝回存命令，该拷贝回存命令例如拷贝回存读取命令(图中所示拷贝回存读取1和拷贝回存读取2)，包括第一地址。在时间段T22期间，闪存存储器从第一地址读取第一ECC数据，并在读取第一ECC数据时，将在控制器和闪存存储器间传送的就绪/忙(ready/busy)信号(如图中所示RY/BY)拉低(图中所示tR)。在时间段T23期间，闪存存储器经由I/O总线将第一ECC数据发送到控制器(如图所示数据输出)。接着在时间段T24期间，控制器根据第一ECC数据产生第二ECC数据后，控制器经由I/O总线将第二ECC数据和第二地址发送到第一闪存存储器。操作202用于将第二ECC数据从控制器发送到闪存存储器，第二ECC数据可以为连续输入，也可为跳跃输入，例如图中所示随机数据输入。随后在时间段T25期间，控制器经由I/O总线将程序命令发送到闪存存储器，拷贝回存程序1和拷贝回存程序2构成完整的拷贝回存命令。在时间段T26期间，闪存存储器将第二ECC数据存储到第二地址，并在存储第二ECC数据时，拉低就绪/忙信号(图中所示tPROG)。
然而，在操作202将第二ECC数据从控制器发送到闪存存储器需要很长一个时间段，并造成对拷贝回存命令的延迟执行。此外，若闪存存储器输出的第一ECC数据不包括错误位，则第一ECC数据与控制器发送闪存存储器的第二ECC数据相同，传送第二ECC数据就成为多余。因此需要一种执行拷贝回存命令的方法来提升闪存存储设备的性能。
发明内容
有鉴于此，本发明提供一种用于执行拷贝回存操作的方法以及闪存存储设备。
本发明一个实施例提供一种用于执行拷贝回存操作的方法，包括：发送拷贝回存命令至闪存存储器，以从第一地址读取第一ECC数据；从闪存存储器接收第一ECC数据；译码第一ECC数据，而不执行错误校正，以计算第一ECC数据的失败计数；比较失败计数与第一阈值；以及若失败计数小于第一阈值，则发送第一程序命令至闪存存储器以将第一ECC数据存储至闪存存储器的第二地址，其中若失败计数小于第一阈值，第一ECC数据则不发送回闪存存储器。
本发明另一个实施例提供一种闪存存储设备，包括：闪存存储器，用于在第一地址存储第一ECC数据；以及控制器，用于将拷贝回存命令发送至闪存存储器以读取第一ECC数据、从闪存存储器接收第一ECC数据、译码第一ECC数据而不执行错误校正以计算第一ECC数据的失败计数、比较失败计数与第一阈值，以及若失败计数小于第一阈值则发送第一程序命令至闪存存储器以将第一ECC数据存储至第二地址，其中若失败计数小于第一阈值，控制器则不将第一ECC数据发送回闪存存储器。
本发明另一个实施例提供一种用于执行拷贝回存操作的方法，包括：发送2-平面拷贝回存命令至第一闪存存储器和第二闪存存储器，以读取第一ECC数据和第二ECC数据；从第一闪存存储器接收第一ECC数据；从第二闪存存储器接收第二ECC数据；译码第一ECC数据，以计算第一ECC数据的第一失败计数；若第一失败计数小于一第一阈值，则发送第一程序命令至第一闪存存储器以将第一ECC数据存储至第一闪存存储器；译码第二ECC数据，以计算第二ECC数据的第二失败计数；以及若第二失败计数小于第一阈值，则发送第二程序命令至第二闪存存储器以将第二ECC数据存储至第二闪存存储器；其中若第一失败计数小于第一阈值，第一ECC数据则不发送回第一闪存存储器，若第二失败计数小于第二阈值，第二ECC数据则不发送回第二闪存存储器。
通过利用本发明，能够更有效的执行拷贝回存操作，提升了闪存存储设备的性能。
如下详述其他实施例和优势。本部分内容并非对发明作限定，本发明范围由权利要求所限定。
附图说明
图1是执行拷贝回存命令的方法的流程图。
图2是在控制器和闪存存储器之间传送的用于执行拷贝回存命令的信号时序架构示意图。
图3是根据本发明的闪存存储设备的方块示意图。
图4是根据本发明执行拷贝回存操作的方法的流程图。
图5是控制器和闪存存储器之间传送的信号的时序示意图，其中该信号系根据图4所示的方法执行拷贝回存操作。
图6是根据本发明执行拷贝回存操作的方法的另一实施例流程图，分图6A和图6B。
图7是控制器和闪存存储器之间传送的信号的时序示意图，其中该信号系根据图6所示的方法执行拷贝回存操作。
图8是以2-平面模式运作的两个闪存存储器的架构示意图。
图9是在控制器和运作于双机模式下的两个闪存存储器之间传送的信号时序的实施例示意图，分图9A和图9B，其中信号系根据本发明的一实施例执行拷贝回存操作。
具体实施方式
如下详述其他实施例和优势。本部分内容并非对发明作限定，本发明范围由申请专利范围所限定。
参照图3，图3是根据本发明的闪存存储设备304的方块示意图。闪存存储设备304耦接于主机302并为主机302存储数据。在一个实施例中，闪存存储设备304包括控制器312和闪存存储器314。闪存存储器314用于数据存储。控制器312从主机302接收存取命令或根据存取命令对闪存存储器314中存储的数据进行存取，其中闪存存储器中的数据以ECC格式存储。举例来说，ECC格式为BCH(Bose and Ray-Chaudhuri)码格式或李德所罗门(Reed-Solomon，RS)码格式或低密度奇偶校验位码(Low Density Parity Check，LDOC)格式。在一个实施例中，控制器312包括ECC单元322和存储器(即控制器缓冲器324)。ECC单元322负责对错误校正码编码和译码。当主机302发送写原始数据至控制器312时，ECC单元322则根据写原始数据对ECC数据编码。接着将ECC数据发送到闪存存储器，且闪存存储器314存诸ECC数据。当闪存存储器314读取其内存储的ECC数据且将ECC数据发送到控制器312时，ECC单元322则对ECC数据译码来获取读原始数据，且控制器312发送读原始数据至主机302。
有时控制器312必须将第一地址中存储的ECC数据拷贝到闪存存储器314的第二地址中。控制器312发送拷贝回存命令至闪存存储器314以指示闪存存储设备304执行前述操作。注意，控制器缓冲器324可作为用来将从闪存存储器314拷贝的数据进行存储的控制器缓冲器。控制器缓冲器324不同于闪存存储器314中实施的缓冲器(图中未示)，控制器缓冲器324可在控制器312外部或内部实现。
参照图4，图4是根据本发明执行拷贝回存操作的方法400的流程图。其中从步骤402至410再到414的处理可看作“没有缓冲过程”，步骤410至422的处理可看作“错误处理过程”。首先，控制器312发送拷贝回存命令至闪存存储器314(步骤402)。当闪存存储器314接收拷贝回存命令时，闪存存诸器314根据拷贝回存命令从第一地址检索第一ECC数据，并将第一ECC数据发送至控制器312。控制器312从闪存存储器314接收第一ECC数据(步骤406)。
控制器312的ECC单元322接着译码第一ECC数据(步骤408)。不同于图1所示的步骤108，ECC单元322不执行错误校正来校正第一ECC数据的原始数据错误。而是ECC单元322根据第一ECC数据的译码结果计算第一ECC数据的失败计数(步骤408)。控制器312接着将失败计数与阈值比较(步骤410)。当失败计数小于阈值时，第一ECC数据则包括很少错误或者没有错误。因此，控制器312判定第一ECC数据不需要错误校正。然后，控制器312直接发送程序命令至闪存存储器314(步骤414)。由于闪存存储器314将第一ECC数据存储在闪存存储器314的内部闪存缓冲器中(图中未示)，因此当闪存存储器314从控制器312接收程序命令时，闪存存储器314根据该程序命令直接将闪存缓冲器中存储的第一ECC数据写入第二地址。
当失败计数大于阈值时(步骤410)，控制器312则需要再次从闪存存储器314中接收第一ECC数据(步骤406’)，然后ECC单元322译码第一ECC数据并执行错误校正(步骤408’)。ECC单元322接着获取与第一ECC数据对应的已校正原始数据(步骤418)。ECC单元322随后根据已校正原始数据编码一奇偶校验位，并将已校正原始数据与奇偶校验位结合来获取第二ECC数据(步骤420)。控制器312随后将第二ECC数据发送到闪存存储器314(步骤422)。闪存存储器314接收第二ECC数据后，控制器312发送程序命令至闪存存储器314，以指示闪存存储器314将第二ECC数据存储到第二地址(步骤414)。需注意，若在步骤406控制器312接收的第一ECC数据已存储在了控制器缓冲器324中，则控制器312不需再次接收第一ECC数据，因此可忽略步骤406’。而且，若于步骤408译码第一ECC数据的结果已存储在了控制器缓冲器324中，则控制器312不需在步骤408’对第一ECC数据译码，因此步骤408’仅执行错误校正。
于是，相较于图1所示的传统方法100，若失败计数小于阈值，控制器312则不对第一ECC数据执行错误校正，也不根据与第一ECC数据对应的已校正原始数据对第二ECC数据编码，并且也不将第二ECC数据发送到闪存存储器314。因此通过控制器312完成拷贝回存操作的时间减少了。同时，相较于传统方法，能够更有效的执行拷贝回存操作，提升了闪存存储设备304的性能。
参照图5，图5是控制器312和闪存存储器314之间传送的信号的时序示意图，其中该信号系根据图4所示的方法400执行拷贝回存操作。在时间段T51期间，控制器312经由I/O总线发送拷贝回存命令至闪存存储器314，该拷贝回存命令包括第一地址。在时间段T52期间，闪存存储器314从第一地址读取第一ECC数据，并在读取第一ECC数据时，将在控制器312和闪存存储器314间传送的就绪/忙信号拉低。在时间段T53期间，闪存存储器314接着经由I/O总线将第一ECC数据发送到控制器312。控制器312计算第一ECC数据的失败计数。若第一ECC数据的失败计数小于阈值，控制器312则在时间段T54期间直接经由I/O总线将程序命令发送至闪存存储器314，其中程序命令包括第二地址。在时间段T55期间，闪存存储器314将第一ECC数据存储到第二地址，并在存储第一ECC数据时，拉低就绪/忙信号。相较于图2所示的信号时序，忽略了用于将第二ECC数据从控制器发送到闪存存储器的操作202。因此，图5所示的拷贝回存操作相较于传统方法能够更有效的执行。
参照图6，图6是根据本发明执行拷贝回存操作的方法600的另一实施例流程图，分图6A和图6B。其中从步骤602至610再到614的处理可看作“没有缓冲过程”，步骤610至624或630的处理可看作“错误处理过程”。首先，控制器312发送拷贝回存命令至闪存存储器314(步骤602)。当闪存存储器314接收拷贝回存命令时，闪存存储器314根据拷贝回存命令从第一地址检索第一ECC数据，并发送第一ECC数据至控制器312。控制器312接着从闪存存储器314接收第一ECC数据(步骤606)。控制器312的ECC单元322译码第一ECC数据，且ECC单元322根据第一ECC数据的译码结果计算第一ECC数据的失败计数(步骤608)。控制器312接着将失败计数与阈值比较(步骤610)。当失败计数小于第一阈值时，第一ECC数据则包括很少错误或者没有错误，控制器312判定第一ECC数据不需要错误校正。因此，控制器312直接将程序命令发送至闪存存储器314(步骤614)。由于闪存存储器314将第一ECC数据存储在缓冲器中，因此当闪存存储器314从控制器312接收程序命令时，闪存存储器314根据该程序命令直接将缓冲器中存储的第一ECC数据写入第二地址。
当失败计数大于阈值时(步骤610)，第一ECC数据报括一些错误或很多错误。因此，控制器312将错误计数与第二阈值比较(步骤618)，其中第二阈值大于第一阈值。若失败计数小于第二阈值(步骤618)，控制器312则判定第一ECC数据报括一些需要校正的错误区段(error segment)。首先，控制器312再次接收闪存存储器314输出的第一ECC数据(步骤606’)，然后ECC单元322对第一ECC数据译码并执行部分错误校正以从第一ECC数据判定至少一个包括错误位的错误区段(步骤608’)。ECC单元322接着校正至少一个错误区段的错误位，以获取至少一个已校正数据区段(步骤620)。ECC单元322随后根据已校正数据区段编码一部分奇偶校验位(步骤622)。控制器312将已校正数据区段与部分奇偶校验位发送至闪存存储器314(步骤624)，并接着发送程序命令至闪存存储器314(步骤614)。若闪存存储器314接收程序命令，闪存存储器314根据已校正数据区段对缓冲器中存储的第一ECC数据作修正，以及根据程序命令对部分奇偶校验位作修正，并将已修正的第一ECC数据存储到第二地址。由于ECC单元322仅需要校正第一ECC数据的一些错误区段，并仅编码与已校正数据区段对应的部分奇偶校验位，因此ECC单元322的工作量降低了。此外，由于控制器312仅需要将已校正数据区段和部分奇偶校验位传送到闪存存储器314，因此，用于执行拷贝回存操作的整个时间段也降低了。
若失败计数增加，则意味着第一ECC数据大于第二阈值(步骤618)，控制器312判定第一ECC数据报括很多错误，并再次接收闪存存储器314输出的第一ECC数据(步骤606”)。ECC单元322随后译码第一ECC数据并执行全部错误校正(步骤608”)，以及获取与第一ECC数据对应的已校正原始数据(步骤626)。ECC单元322接着相应于已校正原始数据编码一奇偶校验位并将已校正原始数据与奇偶校验位结合获得第二ECC数据(步骤628)。控制器312接着将第二ECC数据发送到闪存存储器314(步骤630)。闪存存储器314接收第二ECC数据后，控制器312发送程序命令至闪存存储器314以指示闪存存储器314将第二ECC数据存储到第二地址(步骤614)。
从上述描述可知，若失败计数增加，则方法600中“错误处理过程”的错误校正从部分错误校正转变为全部错误校正。需注意，步骤610至624的“错误处理过程”与步骤610至630的“错误处理过程”处理相同数据(即第一ECC数据)，因此，在两个错误处理过程分别处理部分错误校正或全部错误校正后，步骤624中的已校正数据区段、部分奇偶校验位与步骤630中的第二ECC数据相同。
于是，相较于图1所示的传统方法100，若失败计数小于第一阈值，控制器312则不对第一ECC数据执行错误校正，也不根据与第一ECC数据对应的已校正原始数据对第二ECC数据编码，而且也不将第二ECC数据发送到闪存存储器314。因此，通过控制器312完成拷贝回存操作的时间段减少了。同时，相较于传统方法，能够更有效的执行拷贝回存操作，提升了闪存存储设备304的性能。需注意，若在步骤606控制器312接收的第一ECC数据已存储在了控制器缓冲器324中，则控制器312不需再次接收第一ECC数据，因此可忽略步骤606’和606”。而且，若于步骤608译码第一ECC数据的结果已存储在了控制器缓冲器324中，则控制器312不需在步骤608’和608”对第一ECC数据译码，因此步骤608’仅执行部分错误校正，步骤608”仅执行全部错误校正。比较图6所示的方法600和图4所示的方法400，方法600比方法400利用更多阈值，因此方法600能够更精确地控制处理且更有效。
根据图6所示的方法600，控制器312计算第一ECC数据的失败计数并将失败计数与第一阈值和第二阈值比较，以决定第一ECC数据的后续处理方式。若失败计数小于第一阈值，则没有数据发送回闪存存储器314执行拷贝回存命令，且用于执行拷贝回存命令的信号时序如图5所示。若失败计数大于第二阈值，则执行全部错误校正以产生第二ECC数据并发送回闪存存储器314，且用于执行拷贝回存命令的信号时序如图2所示。若失败计数大于第一阈值且小于第二阈值，则执行部分错误校正以产生错误数据区段并发送回闪存存储器314，且用于执行拷贝回存命令的信号时序如图7所示。
参照图7，图7是控制器312和闪存存储器314之间传送的信号的时序示意图，其中该信号系根据图6所示的方法600执行拷贝回存操作。在时间段T71期间，控制器312经由一I/O总线发送一拷贝回存命令至闪存存储器314，该拷贝回存命令包括第一地址。在时间段T72期间，闪存存储器314从第一地址读取第一ECC数据，并在读取第一ECC数据时，将在控制器312和闪存存储器314间传送的就绪/忙信号拉低。在时间段T73期间，闪存存储器314经由I/O总线将第一ECC数据发送到控制器312。控制器312接着计算第一ECC数据的失败计数。若第一ECC数据的失败计数大于第一阈值并小于第二阈值，ECC单元322则产生第一ECC数据的已校正数据区段和部分奇偶校验位。在时间段T74期间，控制器312发送已校正数据区段和部分奇偶校验位至闪存存储器314。在时间段T75期间，控制器312经由I/O总线发送程序命令至闪存存储器314。在时间段T76期间，闪存存储器314根据已校正数据区段和部分奇偶校验位对第一ECC数据作修正，以及将已修正的第一ECC数据存储到第二地址，并在存储第一ECC数据时拉低就绪/忙信号。相较于图2所示的信号时序，以操作702取代了操作202，其中操作702用于仅传送已校正数据区段和部分奇偶校验位，操作202用于将全部第二ECC数据从控制器发送到闪存存储器。因此，操作702比操作202需要更短的时间段，且图7所示的拷贝回存操作相较于图2所示的拷贝回存操作更加有效。
在一个实施例中，闪存存储设备包括控制器806和两个闪存存储器，控制器806对2-平面模式(two-plane mode)的闪存存储器中存储的数据进行存取。参照图8，图8是以2-平面模式运作的闪存存储器802和804的架构示意图。平面-0闪存存储器802和平面-1闪存存储器804具有相同的容量。假设控制器806想要在两个闪存存储器802和804上执行拷贝回存操作，控制器806则首先发送2-平面(2-plane)拷贝回存命令至闪存存储器802和804。闪存存储器802和804接着分别从原始页(source page)812和822中读取数据并将读出的数据存储在缓冲器816和826(步骤S1)。平面-0闪存存储器802的缓冲器816接着输出其内储存的读出数据至控制器806(步骤S2)。控制器806随后对平面-0闪存存储器802的读出数据的错误进行校正，以获取已校正数据并将已校正数据发送回平面-0闪存存储器802的缓冲器816(步骤S3)。平面-1闪存存储器804的缓冲器826输出其内储存的读出数据至控制器806(步骤S4)。控制器806接着对平面-1闪存存储器804的读出数据的错误进行校正，以获取已校正数据并接着将已校正数据发送回平面-1闪存存储器804的缓冲器826(步骤S5)。最终，控制器806发送2-平面程序命令至闪存存储器802和804，且闪存存储器802和804将存储在缓冲器816和826中的已校正数据存储至目标页814和824(步骤S6)。
需注意，若缓冲器816和826是控制器实现的控制器缓冲器，则上述步骤顺序可以是“步骤S2、步骤S3、步骤S4和步骤S5”。若缓冲器816和826是位于闪存存储器内部的闪存缓冲器，则上述步骤顺序可以是“步骤S2、步骤S4、步骤S3和步骤S5”。
以2-平面模式操作的闪存存储器根据本发明(图4和图6所示)也可执行拷贝回存操作。参照图9，图9是在控制器和运作于双机模式下的两个闪存存储器802与804之间传送的信号时序的实施例示意图，分图9A和图9B，其中信号系根据本发明的一实施例执行拷贝回存操作。在时间段T1期间，控制器经由一I/O总线发送一拷贝回存命令至闪存存储器802和804，图中所示的2-平面拷贝回存读取1-1、2-平面拷贝回存读取1-2和2-平面拷贝回存读取2构成第一ECC数据和第二ECC数据的拷贝回存读取命令，列地址1和列地址2分别为第一ECC数据和第二ECC数据的列位。在时间段T2期间，闪存存储器802和804分别从原始页812和822读取第一ECC数据和第二ECC数据，并在读取第一ECC数据时，将传送至控制器的就绪/忙信号拉低。在时间段T3和T4期间，闪存存储器802经由I/O总线将第一ECC数据发送到控制器，图中所示的2-平面随机数据输出1-1、2-平面随机数据输出1-2和2-平面随机数据输出2构成第一ECC数据的输出。在时间段T5和T6期间，闪存存储器804还经由I/O总线将第二ECC数据发送到控制器，图中所示的2-平面随机数据输出1-1、2-平面随机数据输出1-2和2-平面随机数据输出2构成第二ECC数据的输出。
控制器接着计算第一ECC数据的失败计数。若第一ECC数据的失败计数小于第一阈值，控制器则在时间段T7和T9期间经由I/O总线直接发送程序命令至闪存存储器802，跳过在时间段T8期间的数据传送操作。闪存存储器802接着将第一ECC数据存储至平面-0的目标页814，图中所示的2-平面拷贝回存程序1-1和2-平面拷贝回存程序1-2构成第一ECC数据的拷贝回存命令。在时间段T10期间，闪存存储器将操作平面从平面-0转换为平面-1，并拉低就绪/忙信号。若第一ECC数据的第一失败计数大于第一阈值而小于第二阈值，则在时间段T8期间，控制器也发送已校正数据区段和部分奇偶校验位至闪存存储器802，并在时间段T9期间，发送程序命令至闪存存储器802。闪存存储器802根据已校正数据区段和部分奇偶校验位校正第一ECC数据后，闪存存储器802则将已校正第一ECC数据存储至目标页814，并在时间段T10期间存储已校正的第一ECC数据时拉低就绪/忙信号。
控制器接着计算第二ECC数据的第二失败计数。若第二ECC数据的第二失败计数小于第一阈值，则在时间段T11和T13期间，控制器经由I/O总线直接发送程序命令至闪存存储器804，跳过在时间段T12期间的数据传送操作，图中所示的2-平面拷贝回存程序2-1和2-平面拷贝回存程序2-2构成第二ECC数据的拷贝回存命令。在时间段T14期间，闪存存储器804将第二ECC数据存储至目标页824，并在存储第二ECC数据时拉低就绪/忙信号。若第二ECC数据的第二失败计数大于第一阈值而小于第二阈值，则在时间段T12期间，控制器也发送已校正数据区段和部分奇偶校验位至闪存存储器804，并接着在时间段T13期间，发送程序命令至闪存存储器804。闪存存储器804根据已校正数据区段和部分奇偶校验位校正第二ECC数据后，闪存存储器804则将已校正第二ECC数据存储至目标页824。在时间段T14期间拉低就绪/忙信号，并将操作平面转换回平面-0。图中所示操作902和904为略过或部分校正。
虽然本发明已就较佳实施例揭露如上，然其并非用以限定本发明。本发明所属技术领域中普通技术人员，在不脱离本发明的精神和范围内，当可作各种的变更和润饰。因此，本发明的保护范围当视之前的权利要求书所界定为准。

Claims (13)

1.一种用于执行拷贝回存操作的方法，其特征在于，包括：
发送拷贝回存命令至闪存存储器，以从第一地址读取第一错误校正码数据；
从所述闪存存储器接收所述第一错误校正码数据；
译码所述第一错误校正码数据，而不执行错误校正，以计算所述第一错误校正码数据的失败计数；
比较所述失败计数与第一阈值；以及
若所述失败计数小于所述第一阈值，则发送第一程序命令至所述闪存存储器以将所述第一错误校正码数据存储至所述闪存存储器的第二地址，
其中若所述失败计数小于所述第一阈值，所述第一错误校正码数据则不发送回所述闪存存储器；
若所述失败计数大于所述第一阈值，则比较所述失败计数与第二阈值，其中所述第二阈值大于所述第一阈值；
若所述失败计数小于所述第二阈值，则执行部分错误校正，并将第二错误校正码数据存储至所述闪存存储器的所述第二地址。
2.如权利要求1所述的用于执行拷贝回存操作的方法，其特征在于，所述方法还包括：
对所述第一错误校正码数据的至少一个错误区段进行校正，以获取至少一个已校正数据区段；
根据所述已校正数据区段编码一部分奇偶校验位；
将所述已校正数据区段和所述部分奇偶校验位发送至所述闪存存储器；以及
在所述闪存存储器根据所述已校正数据区段和所述部分奇偶校验位对所述第一错误校正码数据进行修正以获取所述第二错误校正码数据之后，发送第二程序命令至所述闪存存储器以将所述第二错误校正码数据存储至所述闪存存储器的所述第二地址。
3.如权利要求2所述的用于执行拷贝回存操作的方法，其特征在于，所述方法还包括：
若所述失败计数大于所述第二阈值，则执行全部错误校正；
对所述第一错误校正码数据的原始数据的错误进行校正，以获取已校正原始数据；
根据所述已校正原始数据编码奇偶校验位，并将所述已校正原始数据和所述奇偶校验位结合来获取所述第二错误校正码数据；
将所述第二错误校正码数据发送至所述闪存存储器；以及
将所述第二程序命令发送至所述闪存存储器以将所述第二错误校正码数据存储至所述闪存存储器的所述第二地址。
4.如权利要求1所述的用于执行拷贝回存操作的方法，其特征在于，将所述拷贝回存命令发送至所述闪存存储器的步骤还包括将所述第一地址发送至所述闪存存储器，以从所述第一地址读取所述第一错误校正码数据。
5.如权利要求1所述的用于执行拷贝回存操作的方法，其特征在于，将所述第一程序命令发送至所述闪存存储器的步骤还包括将所述第二地址发送至所述闪存存储器，以将所述第一错误校正码数据存储至所述第二地址。
6.如权利要求1所述的用于执行拷贝回存操作的方法，其特征在于，所述第一错误校正码数据和所述第二错误校正码数据是BCH码或李德所罗门码或低密度奇偶校验位码。
7.一种闪存存储设备，其特征在于，包括：
闪存存储器，用于在第一地址存储第一错误校正码数据；以及
控制器，用于将拷贝回存命令发送至所述闪存存储器以读取所述第一错误校正码数据、从所述闪存存储器接收所述第一错误校正码数据、译码所述第一错误校正码数据而不执行错误校正以计算所述第一错误校正码数据的失败计数、比较所述失败计数与第一阈值，以及若所述失败计数小于所述第一阈值则发送第一程序命令至所述闪存存储器以将所述第一错误校正码数据存储至第二地址，
其中若所述失败计数小于所述第一阈值，所述控制器则不将所述第一错误校正码数据发送回所述闪存存储器；
若所述失败计数大于所述第一阈值，则所述控制器比较所述失败计数与第二阈值，其中所述第二阈值大于所述第一阈值；
若所述失败计数小于所述第二阈值，则所述控制器执行部分错误校正，并将第二错误校正码数据存储至所述闪存存储器的所述第二地址。
8.如权利要求7所述的闪存存储设备，其特征在于，若所述失败计数小于所述第二阈值，所述控制器则执行部分错误校正，对所述第一错误校正码数据的至少一个错误区段进行校正以获取至少一个已校正数据区段、根据所述已校正数据区段编码部分奇偶校验位、将所述已校正数据区段和所述部分奇偶校验位发送至所述闪存存储器，以及在所述闪存存储器根据所述已校正数据区段和所述部分奇偶校验位对所述第一错误校正码数据进行修正以获取所述第二错误校正码数据之后，发送第二程序命令至所述闪存存储器以将所述第二错误校正码数据存储至所述闪存存储器的所述第二地址。
9.如权利要求8所述的闪存存储设备，其特征在于，若所述失败计数大于所述第二阈值，所述控制器则执行全部错误校正，对所述第一错误校正码数据的原始数据的错误进行校正以获取已校正原始数据、根据所述已校正原始数据编码奇偶校验位并将所述已校正原始数据和所述奇偶校验位结合来获取所述第二错误校正码数据、将所述第二错误校正码数据发送至所述闪存存储器，以及将所述第二程序命令发送至所述闪存存储器以将所述第二错误校正码数据存储至所述闪存存储器的所述第二地址。
10.如权利要求7所述的闪存存储设备，其特征在于，当所述控制器将所述拷贝回存命令发送至所述闪存存储器时，所述控制器还将所述第一地址发送至所述闪存存储器，以从所述第一地址读取所述第一错误校正码数据。
11.如权利要求7所述的闪存存储设备，其特征在于，当所述控制器将所述第一程序命令发送至所述闪存存储器时，所述控制器还将所述第二地址发送至所述闪存存储器，以将所述第一错误校正码数据存储至所述第二地址。
12.如权利要求7所述的闪存存储设备，其特征在于，所述第一错误校正码数据和所述第二错误校正码数据是BCH码或李德所罗门码或低密度奇偶校验位码。
13.一种用于执行拷贝回存操作的方法，其特征在于，包括：
发送2-平面拷贝回存命令至第一闪存存储器和第二闪存存储器，以读取第一错误校正码数据和第二错误校正码数据；
从所述第一闪存存储器接收所述第一错误校正码数据；
从所述第二闪存存储器接收所述第二错误校正码数据；
译码所述第一错误校正码数据，以计算所述第一错误校正码数据的第一失败计数；
若所述第一失败计数小于第一阈值，则发送第一程序命令至所述第一闪存存储器以将所述第一错误校正码数据存储至所述第一闪存存储器；
译码所述第二错误校正码数据，以计算所述第二错误校正码数据的第二失败计数；以及
若所述第二失败计数小于所述第一阈值，则发送第二程序命令至所述第二闪存存储器以将所述第二错误校正码数据存储至所述第二闪存存储器；
其中若所述第一失败计数小于所述第一阈值，所述第一错误校正码数据则不发送回所述第一闪存存储器，若所述第二失败计数小于第二阈值，所述第二错误校正码数据则不发送回所述第二闪存存储器；
若所述第一失败计数或所述第二失败计数大于所述第一阈值，则比较所述第一失败计数或所述第二失败计数与所述第二阈值，其中所述第二阈值大于所述第一阈值；
若所述第一失败计数或所述第二失败计数小于所述第二阈值，则执行部分错误校正，并将执行错误校正后的数据存储至对应的闪存存储器。
CN201010213676.0A 2009-06-30 2010-06-30 用于执行拷贝回存操作的方法以及闪存存储设备 Active CN101937724B (zh)

Applications Claiming Priority (4)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US22156909P 2009-06-30 2009-06-30
US61/221,569 2009-06-30
US12/759,822 2010-04-14
US12/759,822 US8458566B2 (en) 2009-06-30 2010-04-14 Method for performing copy back operations and flash storage device

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN101937724A CN101937724A (zh) 2011-01-05
CN101937724B true CN101937724B (zh) 2013-11-06

Family

ID=43382094

Family Applications (3)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201010158315.0A Pending CN101937318A (zh) 2009-06-30 2010-04-28 用于存储介质的存储控制装置及其数据访问的控制方法
CN2010101671467A Pending CN101937710A (zh) 2009-06-30 2010-05-10 固态磁盘驱动和管理存储装置的方法
CN201010213676.0A Active CN101937724B (zh) 2009-06-30 2010-06-30 用于执行拷贝回存操作的方法以及闪存存储设备

Family Applications Before (2)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201010158315.0A Pending CN101937318A (zh) 2009-06-30 2010-04-28 用于存储介质的存储控制装置及其数据访问的控制方法
CN2010101671467A Pending CN101937710A (zh) 2009-06-30 2010-05-10 固态磁盘驱动和管理存储装置的方法

Country Status (3)

Country Link
US (3) US20100332922A1 (zh)
CN (3) CN101937318A (zh)
TW (3) TWI406126B (zh)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN111324283A (zh) * 2018-12-14 2020-06-23 北京兆易创新科技股份有限公司 一种存储器
CN111324291A (zh) * 2018-12-14 2020-06-23 北京兆易创新科技股份有限公司 一种存储器

Families Citing this family (150)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
FR2847695B1 (fr) * 2002-11-25 2005-03-11 Oberthur Card Syst Sa Entite electronique securisee integrant la gestion de la duree de vie d'un objet
US8307180B2 (en) 2008-02-28 2012-11-06 Nokia Corporation Extended utilization area for a memory device
US8261158B2 (en) 2009-03-13 2012-09-04 Fusion-Io, Inc. Apparatus, system, and method for using multi-level cell solid-state storage as single level cell solid-state storage
US8266503B2 (en) 2009-03-13 2012-09-11 Fusion-Io Apparatus, system, and method for using multi-level cell storage in a single-level cell mode
KR101586047B1 (ko) 2009-03-25 2016-01-18 삼성전자주식회사 불휘발성 메모리 장치 및 그것의 프로그램 방법
US8874824B2 (en) 2009-06-04 2014-10-28 Memory Technologies, LLC Apparatus and method to share host system RAM with mass storage memory RAM
KR101062755B1 (ko) * 2009-07-29 2011-09-06 주식회사 하이닉스반도체 Ｅｃｃ 회로를 포함하는 반도체 메모리 시스템 및 그 제어 방법
US8854882B2 (en) 2010-01-27 2014-10-07 Intelligent Intellectual Property Holdings 2 Llc Configuring storage cells
US8661184B2 (en) 2010-01-27 2014-02-25 Fusion-Io, Inc. Managing non-volatile media
KR101663158B1 (ko) * 2010-01-29 2016-10-06 삼성전자 주식회사 반도체 메모리 시스템
US9245653B2 (en) 2010-03-15 2016-01-26 Intelligent Intellectual Property Holdings 2 Llc Reduced level cell mode for non-volatile memory
US8656256B2 (en) * 2010-07-07 2014-02-18 Stec, Inc. Apparatus and method for multi-mode operation of a flash memory device
JP5651457B2 (ja) * 2010-12-15 2015-01-14 株式会社東芝 半導体記憶装置
KR20120097862A (ko) * 2011-02-25 2012-09-05 삼성전자주식회사 데이터 저장 시스템 및 그의 데이터 맵핑 방법
CN102693760B (zh) * 2011-03-24 2015-07-15 扬智科技股份有限公司 Nand快闪存储器的错误校正方法
US9176810B2 (en) * 2011-05-27 2015-11-03 SanDisk Technologies, Inc. Bit error reduction through varied data positioning
US8886911B2 (en) * 2011-05-31 2014-11-11 Micron Technology, Inc. Dynamic memory cache size adjustment in a memory device
CN102890645B (zh) * 2011-07-20 2015-11-25 群联电子股份有限公司 存储器储存装置、存储器控制器与数据写入方法
US8995196B2 (en) * 2011-08-15 2015-03-31 Skymedi Corporation Method of sorting a multi-bit per cell non-volatile memory and a multi-mode configuration method
KR20130052971A (ko) 2011-11-14 2013-05-23 삼성전자주식회사 비휘발성 메모리 장치의 동작 방법
JP5942512B2 (ja) * 2012-03-19 2016-06-29 富士通株式会社 ストレージ制御装置およびストレージシステム
US9311226B2 (en) 2012-04-20 2016-04-12 Memory Technologies Llc Managing operational state data of a memory module using host memory in association with state change
US9021337B1 (en) 2012-05-22 2015-04-28 Pmc-Sierra, Inc. Systems and methods for adaptively selecting among different error correction coding schemes in a flash drive
US8788910B1 (en) 2012-05-22 2014-07-22 Pmc-Sierra, Inc. Systems and methods for low latency, high reliability error correction in a flash drive
US9176812B1 (en) 2012-05-22 2015-11-03 Pmc-Sierra, Inc. Systems and methods for storing data in page stripes of a flash drive
US9021336B1 (en) 2012-05-22 2015-04-28 Pmc-Sierra, Inc. Systems and methods for redundantly storing error correction codes in a flash drive with secondary parity information spread out across each page of a group of pages
US8996957B1 (en) 2012-05-22 2015-03-31 Pmc-Sierra, Inc. Systems and methods for initializing regions of a flash drive having diverse error correction coding (ECC) schemes
US9021333B1 (en) 2012-05-22 2015-04-28 Pmc-Sierra, Inc. Systems and methods for recovering data from failed portions of a flash drive
US9047214B1 (en) 2012-05-22 2015-06-02 Pmc-Sierra, Inc. System and method for tolerating a failed page in a flash device
US8972824B1 (en) 2012-05-22 2015-03-03 Pmc-Sierra, Inc. Systems and methods for transparently varying error correction code strength in a flash drive
US9183085B1 (en) 2012-05-22 2015-11-10 Pmc-Sierra, Inc. Systems and methods for adaptively selecting from among a plurality of error correction coding schemes in a flash drive for robustness and low latency
US8793556B1 (en) 2012-05-22 2014-07-29 Pmc-Sierra, Inc. Systems and methods for reclaiming flash blocks of a flash drive
TWI477104B (zh) * 2012-09-13 2015-03-11 Mstar Semiconductor Inc 錯誤校正裝置與錯誤校正方法
KR102025263B1 (ko) * 2012-10-05 2019-09-25 삼성전자주식회사 메모리 시스템 및 그것의 읽기 교정 방법
KR101997794B1 (ko) 2012-12-11 2019-07-09 삼성전자주식회사 메모리 제어기 및 그것을 포함한 메모리 시스템
CN103116550A (zh) * 2013-01-11 2013-05-22 深圳市硅格半导体有限公司 切换闪存中物理块工作模式的方法和装置
US9043668B2 (en) * 2013-02-08 2015-05-26 Seagate Technology Llc Using ECC data for write deduplication processing
US9009565B1 (en) 2013-03-15 2015-04-14 Pmc-Sierra, Inc. Systems and methods for mapping for solid-state memory
US9026867B1 (en) 2013-03-15 2015-05-05 Pmc-Sierra, Inc. Systems and methods for adapting to changing characteristics of multi-level cells in solid-state memory
US9053012B1 (en) 2013-03-15 2015-06-09 Pmc-Sierra, Inc. Systems and methods for storing data for solid-state memory
US9208018B1 (en) 2013-03-15 2015-12-08 Pmc-Sierra, Inc. Systems and methods for reclaiming memory for solid-state memory
US9081701B1 (en) 2013-03-15 2015-07-14 Pmc-Sierra, Inc. Systems and methods for decoding data for solid-state memory
US10042750B2 (en) 2013-03-15 2018-08-07 Micron Technology, Inc. Apparatuses and methods for adaptive control of memory using an adaptive memory controller with a memory management hypervisor
CN104217762B (zh) * 2013-05-31 2017-11-24 慧荣科技股份有限公司 数据储存装置及其错误校正方法以及数据读取方法
US9442670B2 (en) 2013-09-03 2016-09-13 Sandisk Technologies Llc Method and system for rebalancing data stored in flash memory devices
US9519577B2 (en) 2013-09-03 2016-12-13 Sandisk Technologies Llc Method and system for migrating data between flash memory devices
US8838936B1 (en) * 2013-11-27 2014-09-16 NXGN Data, Inc. System and method for efficient flash translation layer
US20150169406A1 (en) * 2013-12-16 2015-06-18 Sandisk Technologies Inc. Decoding techniques for a data storage device
US9553608B2 (en) 2013-12-20 2017-01-24 Sandisk Technologies Llc Data storage device decoder and method of operation
CN103927262A (zh) * 2014-03-21 2014-07-16 深圳市硅格半导体有限公司 闪存物理块的控制方法及装置
US9495232B2 (en) * 2014-03-28 2016-11-15 Intel IP Corporation Error correcting (ECC) memory compatibility
JP6269253B2 (ja) * 2014-03-29 2018-01-31 富士通株式会社 分散ストレージシステム、記憶装置制御方法、および記憶装置制御プログラム
CN103942151A (zh) * 2014-04-10 2014-07-23 深圳市硅格半导体有限公司 闪存的数据存储方法及装置
CN103984506B (zh) * 2014-04-30 2017-06-30 深圳市江波龙电子有限公司 闪存存储设备数据写的方法和系统
US8891303B1 (en) 2014-05-30 2014-11-18 Sandisk Technologies Inc. Method and system for dynamic word line based configuration of a three-dimensional memory device
US9645749B2 (en) 2014-05-30 2017-05-09 Sandisk Technologies Llc Method and system for recharacterizing the storage density of a memory device or a portion thereof
US9972393B1 (en) * 2014-07-03 2018-05-15 Avago Technologies General Ip (Singapore) Pte. Ltd. Accelerating programming of a flash memory module
CN105320464B (zh) * 2014-07-21 2018-07-31 群联电子股份有限公司 防止读取干扰的方法、存储器控制电路单元与存储装置
US20160041760A1 (en) * 2014-08-08 2016-02-11 International Business Machines Corporation Multi-Level Cell Flash Memory Control Mechanisms
US9582212B2 (en) * 2014-09-02 2017-02-28 Sandisk Technologies Llc Notification of trigger condition to reduce declared capacity of a storage device
US9582202B2 (en) 2014-09-02 2017-02-28 Sandisk Technologies Llc Process and apparatus to reduce declared capacity of a storage device by moving data
US9582193B2 (en) * 2014-09-02 2017-02-28 Sandisk Technologies Llc Triggering a process to reduce declared capacity of a storage device in a multi-storage-device storage system
US9563370B2 (en) 2014-09-02 2017-02-07 Sandisk Technologies Llc Triggering a process to reduce declared capacity of a storage device
US9519427B2 (en) 2014-09-02 2016-12-13 Sandisk Technologies Llc Triggering, at a host system, a process to reduce declared capacity of a storage device
US9552166B2 (en) 2014-09-02 2017-01-24 Sandisk Technologies Llc. Process and apparatus to reduce declared capacity of a storage device by deleting data
US9524105B2 (en) 2014-09-02 2016-12-20 Sandisk Technologies Llc Process and apparatus to reduce declared capacity of a storage device by altering an encoding format
US9582203B2 (en) * 2014-09-02 2017-02-28 Sandisk Technologies Llc Process and apparatus to reduce declared capacity of a storage device by reducing a range of logical addresses
US9582220B2 (en) * 2014-09-02 2017-02-28 Sandisk Technologies Llc Notification of trigger condition to reduce declared capacity of a storage device in a multi-storage-device storage system
US9665311B2 (en) 2014-09-02 2017-05-30 Sandisk Technologies Llc Process and apparatus to reduce declared capacity of a storage device by making specific logical addresses unavailable
US9563362B2 (en) 2014-09-02 2017-02-07 Sandisk Technologies Llc Host system and process to reduce declared capacity of a storage device by trimming
US9652153B2 (en) 2014-09-02 2017-05-16 Sandisk Technologies Llc Process and apparatus to reduce declared capacity of a storage device by reducing a count of logical addresses
US9524112B2 (en) 2014-09-02 2016-12-20 Sandisk Technologies Llc Process and apparatus to reduce declared capacity of a storage device by trimming
US9852799B2 (en) 2014-11-19 2017-12-26 Sandisk Technologies Llc Configuration parameter management for non-volatile data storage
TWI578320B (zh) * 2014-11-25 2017-04-11 旺宏電子股份有限公司 記憶體的操作方法及應用其之記憶體裝置
CN105843748B (zh) * 2015-01-15 2019-06-11 华为技术有限公司 一种对内存中内存页的处理方法及装置
TWI573142B (zh) * 2015-02-02 2017-03-01 慧榮科技股份有限公司 資料儲存裝置以及資料維護方法
CN105988716A (zh) * 2015-02-09 2016-10-05 深圳市硅格半导体有限公司 存储装置及其模式转换的方法
US9606737B2 (en) 2015-05-20 2017-03-28 Sandisk Technologies Llc Variable bit encoding per NAND flash cell to extend life of flash-based storage devices and preserve over-provisioning
US9639282B2 (en) 2015-05-20 2017-05-02 Sandisk Technologies Llc Variable bit encoding per NAND flash cell to improve device endurance and extend life of flash-based storage devices
CN106356093B (zh) * 2015-07-17 2019-11-01 旺宏电子股份有限公司 存储器的操作方法及应用其的存储器装置
US10096355B2 (en) * 2015-09-01 2018-10-09 Sandisk Technologies Llc Dynamic management of programming states to improve endurance
WO2017075747A1 (en) * 2015-11-02 2017-05-11 Shine Bright Technology Limited Methods, systems, and media for programming storage device
US9946473B2 (en) 2015-12-03 2018-04-17 Sandisk Technologies Llc Efficiently managing unmapped blocks to extend life of solid state drive
US9946483B2 (en) 2015-12-03 2018-04-17 Sandisk Technologies Llc Efficiently managing unmapped blocks to extend life of solid state drive with low over-provisioning
CN106843744B (zh) * 2015-12-03 2020-05-26 群联电子股份有限公司 数据程序化方法与存储器储存装置
KR20170076883A (ko) * 2015-12-24 2017-07-05 에스케이하이닉스 주식회사 메모리 시스템 및 그의 동작방법
US10110255B2 (en) 2016-04-27 2018-10-23 Silicon Motion Inc. Method for accessing flash memory module and associated flash memory controller and memory device
US10025662B2 (en) 2016-04-27 2018-07-17 Silicon Motion Inc. Flash memory apparatus and storage management method for flash memory
CN107391026B (zh) 2016-04-27 2020-06-02 慧荣科技股份有限公司 闪存装置及闪存存储管理方法
US9910772B2 (en) 2016-04-27 2018-03-06 Silicon Motion Inc. Flash memory apparatus and storage management method for flash memory
CN107391296B (zh) 2016-04-27 2020-11-06 慧荣科技股份有限公司 存取闪存模块的方法及相关的闪存控制器与记忆装置
US10019314B2 (en) 2016-04-27 2018-07-10 Silicon Motion Inc. Flash memory apparatus and storage management method for flash memory
US10289487B2 (en) 2016-04-27 2019-05-14 Silicon Motion Inc. Method for accessing flash memory module and associated flash memory controller and memory device
CN111679787B (zh) 2016-04-27 2023-07-18 慧荣科技股份有限公司 闪存装置、闪存控制器及闪存存储管理方法
US10983865B2 (en) * 2016-08-01 2021-04-20 Hewlett Packard Enterprise Development Lp Adjusting memory parameters
JP6730604B2 (ja) * 2016-11-01 2020-07-29 富士通株式会社 制御回路、半導体記憶装置、及び半導体記憶装置の制御方法
KR20180101760A (ko) * 2017-03-06 2018-09-14 에스케이하이닉스 주식회사 저장 장치, 데이터 처리 시스템 및 이의 동작 방법
US10452282B2 (en) * 2017-04-07 2019-10-22 Micron Technology, Inc. Memory management
US10346335B1 (en) * 2017-07-11 2019-07-09 American Megatrends, Inc. Solid-state drive dock having local and network interfaces
CN107689796B (zh) * 2017-07-28 2021-03-26 同济大学 一种基于先验信息的无损压缩文件容错解压方法
US10877898B2 (en) 2017-11-16 2020-12-29 Alibaba Group Holding Limited Method and system for enhancing flash translation layer mapping flexibility for performance and lifespan improvements
US10496548B2 (en) 2018-02-07 2019-12-03 Alibaba Group Holding Limited Method and system for user-space storage I/O stack with user-space flash translation layer
WO2019222958A1 (en) 2018-05-24 2019-11-28 Alibaba Group Holding Limited System and method for flash storage management using multiple open page stripes
US11209998B2 (en) 2018-06-11 2021-12-28 Western Digital Technologies, Inc. Adjustment of storage device parameters based on workload characteristics
US11816043B2 (en) 2018-06-25 2023-11-14 Alibaba Group Holding Limited System and method for managing resources of a storage device and quantifying the cost of I/O requests
US10921992B2 (en) 2018-06-25 2021-02-16 Alibaba Group Holding Limited Method and system for data placement in a hard disk drive based on access frequency for improved IOPS and utilization efficiency
US10996886B2 (en) 2018-08-02 2021-05-04 Alibaba Group Holding Limited Method and system for facilitating atomicity and latency assurance on variable sized I/O
US11327929B2 (en) 2018-09-17 2022-05-10 Alibaba Group Holding Limited Method and system for reduced data movement compression using in-storage computing and a customized file system
CN109388343B (zh) * 2018-09-26 2020-08-28 深圳市德明利技术股份有限公司 一种数据存储方法及存储器
US10977122B2 (en) 2018-12-31 2021-04-13 Alibaba Group Holding Limited System and method for facilitating differentiated error correction in high-density flash devices
US11061735B2 (en) 2019-01-02 2021-07-13 Alibaba Group Holding Limited System and method for offloading computation to storage nodes in distributed system
US11132291B2 (en) 2019-01-04 2021-09-28 Alibaba Group Holding Limited System and method of FPGA-executed flash translation layer in multiple solid state drives
US11200337B2 (en) 2019-02-11 2021-12-14 Alibaba Group Holding Limited System and method for user data isolation
US10970212B2 (en) 2019-02-15 2021-04-06 Alibaba Group Holding Limited Method and system for facilitating a distributed storage system with a total cost of ownership reduction for multiple available zones
US11061834B2 (en) 2019-02-26 2021-07-13 Alibaba Group Holding Limited Method and system for facilitating an improved storage system by decoupling the controller from the storage medium
US10891065B2 (en) * 2019-04-01 2021-01-12 Alibaba Group Holding Limited Method and system for online conversion of bad blocks for improvement of performance and longevity in a solid state drive
US10922234B2 (en) 2019-04-11 2021-02-16 Alibaba Group Holding Limited Method and system for online recovery of logical-to-physical mapping table affected by noise sources in a solid state drive
US10908960B2 (en) 2019-04-16 2021-02-02 Alibaba Group Holding Limited Resource allocation based on comprehensive I/O monitoring in a distributed storage system
US11169873B2 (en) 2019-05-21 2021-11-09 Alibaba Group Holding Limited Method and system for extending lifespan and enhancing throughput in a high-density solid state drive
US10860223B1 (en) 2019-07-18 2020-12-08 Alibaba Group Holding Limited Method and system for enhancing a distributed storage system by decoupling computation and network tasks
US11074124B2 (en) 2019-07-23 2021-07-27 Alibaba Group Holding Limited Method and system for enhancing throughput of big data analysis in a NAND-based read source storage
CN110473586B (zh) * 2019-07-31 2021-05-14 珠海博雅科技有限公司 一种写失效存储单元的替换方法、装置、设备及存储介质
US11617282B2 (en) 2019-10-01 2023-03-28 Alibaba Group Holding Limited System and method for reshaping power budget of cabinet to facilitate improved deployment density of servers
US11126561B2 (en) 2019-10-01 2021-09-21 Alibaba Group Holding Limited Method and system for organizing NAND blocks and placing data to facilitate high-throughput for random writes in a solid state drive
US11449455B2 (en) 2020-01-15 2022-09-20 Alibaba Group Holding Limited Method and system for facilitating a high-capacity object storage system with configuration agility and mixed deployment flexibility
US11150986B2 (en) 2020-02-26 2021-10-19 Alibaba Group Holding Limited Efficient compaction on log-structured distributed file system using erasure coding for resource consumption reduction
US11200114B2 (en) 2020-03-17 2021-12-14 Alibaba Group Holding Limited System and method for facilitating elastic error correction code in memory
US11385833B2 (en) 2020-04-20 2022-07-12 Alibaba Group Holding Limited Method and system for facilitating a light-weight garbage collection with a reduced utilization of resources
US11281575B2 (en) 2020-05-11 2022-03-22 Alibaba Group Holding Limited Method and system for facilitating data placement and control of physical addresses with multi-queue I/O blocks
US11494115B2 (en) 2020-05-13 2022-11-08 Alibaba Group Holding Limited System method for facilitating memory media as file storage device based on real-time hashing by performing integrity check with a cyclical redundancy check (CRC)
US11461262B2 (en) 2020-05-13 2022-10-04 Alibaba Group Holding Limited Method and system for facilitating a converged computation and storage node in a distributed storage system
US11218165B2 (en) 2020-05-15 2022-01-04 Alibaba Group Holding Limited Memory-mapped two-dimensional error correction code for multi-bit error tolerance in DRAM
US11556277B2 (en) 2020-05-19 2023-01-17 Alibaba Group Holding Limited System and method for facilitating improved performance in ordering key-value storage with input/output stack simplification
US11507499B2 (en) 2020-05-19 2022-11-22 Alibaba Group Holding Limited System and method for facilitating mitigation of read/write amplification in data compression
US11263132B2 (en) 2020-06-11 2022-03-01 Alibaba Group Holding Limited Method and system for facilitating log-structure data organization
US11422931B2 (en) 2020-06-17 2022-08-23 Alibaba Group Holding Limited Method and system for facilitating a physically isolated storage unit for multi-tenancy virtualization
US11354200B2 (en) 2020-06-17 2022-06-07 Alibaba Group Holding Limited Method and system for facilitating data recovery and version rollback in a storage device
US11138071B1 (en) 2020-06-22 2021-10-05 Western Digital Technologies, Inc. On-chip parity buffer management for storage block combining in non-volatile memory
US11354233B2 (en) 2020-07-27 2022-06-07 Alibaba Group Holding Limited Method and system for facilitating fast crash recovery in a storage device
US11372774B2 (en) 2020-08-24 2022-06-28 Alibaba Group Holding Limited Method and system for a solid state drive with on-chip memory integration
US11487465B2 (en) 2020-12-11 2022-11-01 Alibaba Group Holding Limited Method and system for a local storage engine collaborating with a solid state drive controller
US11734115B2 (en) 2020-12-28 2023-08-22 Alibaba Group Holding Limited Method and system for facilitating write latency reduction in a queue depth of one scenario
US11416365B2 (en) 2020-12-30 2022-08-16 Alibaba Group Holding Limited Method and system for open NAND block detection and correction in an open-channel SSD
US11726699B2 (en) 2021-03-30 2023-08-15 Alibaba Singapore Holding Private Limited Method and system for facilitating multi-stream sequential read performance improvement with reduced read amplification
US11461173B1 (en) 2021-04-21 2022-10-04 Alibaba Singapore Holding Private Limited Method and system for facilitating efficient data compression based on error correction code and reorganization of data placement
US11476874B1 (en) 2021-05-14 2022-10-18 Alibaba Singapore Holding Private Limited Method and system for facilitating a storage server with hybrid memory for journaling and data storage
CN115686164A (zh) * 2021-07-26 2023-02-03 瑞昱半导体股份有限公司 供电端装置、供电系统以及非暂态电脑可读取媒体
TWI788161B (zh) * 2021-12-27 2022-12-21 技嘉科技股份有限公司 動態調整單級區塊及三級區塊比例的控制方法
US11687290B1 (en) * 2022-01-13 2023-06-27 Silicon Motion, Inc. Method for improve read disturbance phenomenon of flash memory module and associated flash memory controller and electronic device
CN115657972B (zh) * 2022-12-27 2023-06-06 北京特纳飞电子技术有限公司 固态硬盘写入控制方法、装置与固态硬盘

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TWI258074B (en) * 2004-12-24 2006-07-11 Phison Electronics Corp Method for reducing data error when flash memory storage device executing copy back command
US7362611B2 (en) * 2005-08-30 2008-04-22 Micron Technology, Inc. Non-volatile memory copy back
CN101226774A (zh) * 2008-02-15 2008-07-23 祥硕科技股份有限公司 降低闪存装置使用拷贝回去指令时的数据错误的方法

Family Cites Families (68)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5283792A (en) * 1990-10-19 1994-02-01 Benchmarq Microelectronics, Inc. Power up/power down controller and power fail detector for processor
US5315549A (en) * 1991-06-11 1994-05-24 Dallas Semiconductor Corporation Memory controller for nonvolatile RAM operation, systems and methods
US5420798A (en) * 1993-09-30 1995-05-30 Macronix International Co., Ltd. Supply voltage detection circuit
US5438549A (en) * 1994-02-28 1995-08-01 Intel Corporation Nonvolatile memory with volatile memory buffer and a backup power supply system
US5539690A (en) * 1994-06-02 1996-07-23 Intel Corporation Write verify schemes for flash memory with multilevel cells
US5485422A (en) * 1994-06-02 1996-01-16 Intel Corporation Drain bias multiplexing for multiple bit flash cell
US5671388A (en) * 1995-05-03 1997-09-23 Intel Corporation Method and apparatus for performing write operations in multi-level cell storage device
JP3200012B2 (ja) * 1996-04-19 2001-08-20 株式会社東芝 記憶システム
US7107480B1 (en) * 2000-12-22 2006-09-12 Simpletech, Inc. System and method for preventing data corruption in solid-state memory devices after a power failure
US6538923B1 (en) * 2001-02-26 2003-03-25 Advanced Micro Devices, Inc. Staircase program verify for multi-level cell flash memory designs
US7554842B2 (en) * 2001-09-17 2009-06-30 Sandisk Corporation Multi-purpose non-volatile memory card
US6714457B1 (en) * 2001-09-19 2004-03-30 Aplus Flash Technology, Inc. Parallel channel programming scheme for MLC flash memory
TW594466B (en) * 2002-06-10 2004-06-21 Micro Star Int Co Ltd Power management method for microprocessor
US7072135B2 (en) * 2002-11-12 2006-07-04 Fujitsu Limited Disk apparatus, head retracting method and head actuator control circuit
JP4153802B2 (ja) * 2003-02-07 2008-09-24 株式会社ルネサステクノロジ 記憶装置
JP4073799B2 (ja) * 2003-02-07 2008-04-09 株式会社ルネサステクノロジ メモリシステム
JP2004265162A (ja) * 2003-03-03 2004-09-24 Renesas Technology Corp 記憶装置およびアドレス管理方法
US7089461B2 (en) * 2003-03-20 2006-08-08 International Business Machines Corporation Method and apparatus for isolating uncorrectable errors while system continues to run
US6856556B1 (en) * 2003-04-03 2005-02-15 Siliconsystems, Inc. Storage subsystem with embedded circuit for protecting against anomalies in power signal from host
JP3878573B2 (ja) * 2003-04-16 2007-02-07 株式会社東芝 不揮発性半導体記憶装置
TWI231901B (en) * 2003-09-19 2005-05-01 Topro Technology Inc Integration control chip having the power control
US7012835B2 (en) * 2003-10-03 2006-03-14 Sandisk Corporation Flash memory data correction and scrub techniques
KR100719380B1 (ko) * 2006-03-31 2007-05-18 삼성전자주식회사 향상된 신뢰성 특성을 갖는 다치 플래시 메모리 장치 및그것을 포함한 메모리 시스템
JP4170952B2 (ja) * 2004-01-30 2008-10-22 株式会社東芝 半導体記憶装置
JP2006031630A (ja) * 2004-07-21 2006-02-02 Hitachi Ltd ストレージ装置及びストレージ装置の消費電力制御方法
KR100574989B1 (ko) * 2004-11-04 2006-05-02 삼성전자주식회사 데이터 스트로브 버스라인의 효율을 향상시키는메모리장치 및 이를 구비하는 메모리 시스템, 및 데이터스트로브 신호 제어방법
US7221592B2 (en) * 2005-02-25 2007-05-22 Micron Technology, Inc. Multiple level programming in a non-volatile memory device
US7958430B1 (en) * 2005-06-20 2011-06-07 Cypress Semiconductor Corporation Flash memory device and method
KR100616214B1 (ko) * 2005-06-30 2006-08-28 주식회사 하이닉스반도체 멀티-레벨 셀을 가지는 플래시 메모리 장치의 프로그램제어 회로 및 그 프로그램 제어 방법
KR20070076849A (ko) 2006-01-20 2007-07-25 삼성전자주식회사 메모리 카드의 카피백 동작을 수행하는 장치 및 방법
JP2007280554A (ja) * 2006-04-11 2007-10-25 Hitachi Ltd ストレージ装置の電力供給装置及びストレージ装置の管理方法
JP4821426B2 (ja) * 2006-05-11 2011-11-24 富士ゼロックス株式会社 エラー回復プログラム、エラー回復装置及びコンピュータシステム
US8046660B2 (en) * 2006-08-07 2011-10-25 Marvell World Trade Ltd. System and method for correcting errors in non-volatile memory using product codes
KR100919156B1 (ko) * 2006-08-24 2009-09-28 삼성전자주식회사 멀티-비트 플래시 메모리 장치 및 그것의 프로그램 방법
KR100755718B1 (ko) * 2006-09-04 2007-09-05 삼성전자주식회사 멀티 레벨 셀 플래시 메모리에서 런-타임 배드 블록 관리를위한 장치 및 방법
KR100764747B1 (ko) * 2006-09-15 2007-10-08 삼성전자주식회사 플래시 메모리 장치 및 그것의 프로그램 방법
JP2008090354A (ja) * 2006-09-29 2008-04-17 Hitachi Ltd 電源障害監視方法及びその装置
US7692949B2 (en) * 2006-12-04 2010-04-06 Qimonda North America Corp. Multi-bit resistive memory
JP4939234B2 (ja) * 2007-01-11 2012-05-23 株式会社日立製作所 フラッシュメモリモジュール、そのフラッシュメモリモジュールを記録媒体として用いたストレージ装置及びそのフラッシュメモリモジュールのアドレス変換テーブル検証方法
KR100918707B1 (ko) 2007-03-12 2009-09-23 삼성전자주식회사 플래시 메모리를 기반으로 한 메모리 시스템
JP2010522406A (ja) * 2007-03-23 2010-07-01 トムソン ライセンシング 記憶媒体における誤りを防止するシステム及び方法
US20100325342A1 (en) * 2007-07-20 2010-12-23 Panasonic Corporation Memory controller and nonvolatile storage device using same
US8200885B2 (en) * 2007-07-25 2012-06-12 Agiga Tech Inc. Hybrid memory system with backup power source and multiple backup an restore methodology
US7865679B2 (en) * 2007-07-25 2011-01-04 AgigA Tech Inc., 12700 Power interrupt recovery in a hybrid memory subsystem
JP2009087509A (ja) * 2007-10-03 2009-04-23 Toshiba Corp 半導体記憶装置
TWI358068B (en) * 2007-10-19 2012-02-11 Phison Electronics Corp Writing method for non-volatile memory and control
US20090106513A1 (en) 2007-10-22 2009-04-23 Chuang Cheng Method for copying data in non-volatile memory system
JP2009146499A (ja) * 2007-12-13 2009-07-02 Toshiba Corp 不揮発性メモリカード
US8694714B2 (en) * 2008-01-18 2014-04-08 Spansion Llc Retargeting of a write operation retry in the event of a write operation failure
US8271515B2 (en) * 2008-01-29 2012-09-18 Cadence Design Systems, Inc. System and method for providing copyback data integrity in a non-volatile memory system
US8078918B2 (en) * 2008-02-07 2011-12-13 Siliconsystems, Inc. Solid state storage subsystem that maintains and provides access to data reflective of a failure risk
US8060719B2 (en) * 2008-05-28 2011-11-15 Micron Technology, Inc. Hybrid memory management
TWI473117B (zh) * 2008-06-04 2015-02-11 A Data Technology Co Ltd 具資料修正功能之快閃記憶體儲存裝置
US8843691B2 (en) * 2008-06-25 2014-09-23 Stec, Inc. Prioritized erasure of data blocks in a flash storage device
TWI416524B (zh) * 2008-06-25 2013-11-21 Silicon Motion Inc 記憶體裝置和資料儲存方法
US8074012B2 (en) * 2008-07-02 2011-12-06 Silicon Motion, Inc. Flash memory apparatus and method for securing a flash memory from data damage
TWI381274B (zh) * 2008-07-10 2013-01-01 Phison Electronics Corp 用於快閃記憶體的區塊管理方法、儲存系統與控制器
KR101490421B1 (ko) * 2008-07-11 2015-02-06 삼성전자주식회사 메모리 셀 사이의 간섭을 억제할 수 있는 불휘발성 메모리장치, 컴퓨팅 시스템 및 그것의 프로그램 방법
US7864587B2 (en) * 2008-09-22 2011-01-04 Micron Technology, Inc. Programming a memory device to increase data reliability
JP5192352B2 (ja) * 2008-10-30 2013-05-08 株式会社日立製作所 記憶装置及びデータ格納領域管理方法
US8806271B2 (en) * 2008-12-09 2014-08-12 Samsung Electronics Co., Ltd. Auxiliary power supply and user device including the same
CN101446927B (zh) * 2008-12-26 2010-12-01 祥硕科技股份有限公司 闪存系统及其控制方法
US8151137B2 (en) * 2009-05-28 2012-04-03 Lsi Corporation Systems and methods for governing the life cycle of a solid state drive
US9170879B2 (en) * 2009-06-24 2015-10-27 Headway Technologies, Inc. Method and apparatus for scrubbing accumulated data errors from a memory system
US8504860B2 (en) * 2009-06-26 2013-08-06 Seagate Technology Llc Systems, methods and devices for configurable power control with storage devices
US8261136B2 (en) * 2009-06-29 2012-09-04 Sandisk Technologies Inc. Method and device for selectively refreshing a region of a memory of a data storage device
TWI408688B (zh) * 2009-10-12 2013-09-11 Phison Electronics Corp 用於快閃記憶體的資料寫入方法及其控制器與儲存系統
US8656256B2 (en) * 2010-07-07 2014-02-18 Stec, Inc. Apparatus and method for multi-mode operation of a flash memory device

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TWI258074B (en) * 2004-12-24 2006-07-11 Phison Electronics Corp Method for reducing data error when flash memory storage device executing copy back command
US7362611B2 (en) * 2005-08-30 2008-04-22 Micron Technology, Inc. Non-volatile memory copy back
CN101226774A (zh) * 2008-02-15 2008-07-23 祥硕科技股份有限公司 降低闪存装置使用拷贝回去指令时的数据错误的方法

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN111324283A (zh) * 2018-12-14 2020-06-23 北京兆易创新科技股份有限公司 一种存储器
CN111324291A (zh) * 2018-12-14 2020-06-23 北京兆易创新科技股份有限公司 一种存储器
CN111324283B (zh) * 2018-12-14 2024-02-20 兆易创新科技集团股份有限公司 一种存储器
CN111324291B (zh) * 2018-12-14 2024-02-20 兆易创新科技集团股份有限公司 一种存储器

Also Published As

Publication number Publication date
US20100332887A1 (en) 2010-12-30
CN101937724A (zh) 2011-01-05
TWI406126B (zh) 2013-08-21
US8458566B2 (en) 2013-06-04
TW201101320A (en) 2011-01-01
TWI449052B (zh) 2014-08-11
US20100332922A1 (en) 2010-12-30
TW201101026A (en) 2011-01-01
TW201101309A (en) 2011-01-01
CN101937318A (zh) 2011-01-05
TWI457937B (zh) 2014-10-21
CN101937710A (zh) 2011-01-05
US20100332951A1 (en) 2010-12-30

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN101937724B (zh) 用于执行拷贝回存操作的方法以及闪存存储设备
US8316280B2 (en) Error correcting device, method of error correction thereof, and memory device and data processing system including of the same
US9454422B2 (en) Error feedback and logging with memory on-chip error checking and correcting (ECC)
CN102203740A (zh) 数据处理方法、装置及系统
JP5076488B2 (ja) 情報処理装置、履歴管理方法、履歴管理プログラム
CN105431905A (zh) 具有内部读取-修改-写入操作的存储部件
US8667365B2 (en) Flash memory system that uses an interleaving scheme for increasing data transfer performance between a memory device and a controller and a method therof
WO2014164134A2 (en) Detecting effect of corrupting event on preloaded data in non-volatile memory
US20150067439A1 (en) Memory controller
US20170123694A1 (en) Memory controller and memory device
US20150261444A1 (en) Memory system and information processing device
US20210042190A1 (en) Enhanced error correcting code capability using variable logical to physical associations of a data block
CN102103558A (zh) 一种带有写重传功能的多通道NANDflash控制器
CN103995785A (zh) 信息处理方法和系统
CN104166629A (zh) 具有有效的软信息接口的nand闪存存储系统
US20110004817A1 (en) Crc management method performed in sata interface and data storage device using crc management method
US9465544B2 (en) Method of processing data and system using the same
KR102468721B1 (ko) 메모리 시스템 및 그의 동작 방법
US8489978B2 (en) Error detection
CN107153510A (zh) 存储器控制器及用于管理存储器的方法
CN105023616A (zh) 一种基于汉明码存取数据的方法及集成随机存取存储器
KR102262550B1 (ko) 복수의 기능 블록들을 포함하는 반도체 장치 및 그것의 동작 방법
CN108762975B (zh) 一种ecc数据存储方法、系统及存储介质
KR101367351B1 (ko) 분산형 ecc 프로세싱 시스템 및 방법
CN112306733B (zh) 存储器装置、存储器控制器及其数据存取方法

Legal Events

Date Code Title Description
C06 Publication
PB01 Publication
C10 Entry into substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
C14 Grant of patent or utility model
GR01 Patent grant