JP5651457B2 - 半導体記憶装置 - Google Patents
半導体記憶装置 Download PDFInfo
- Publication number
- JP5651457B2 JP5651457B2 JP2010279074A JP2010279074A JP5651457B2 JP 5651457 B2 JP5651457 B2 JP 5651457B2 JP 2010279074 A JP2010279074 A JP 2010279074A JP 2010279074 A JP2010279074 A JP 2010279074A JP 5651457 B2 JP5651457 B2 JP 5651457B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- error correction
- data
- semiconductor memory
- code
- correction code
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
Images
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G06—COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
- G06F—ELECTRIC DIGITAL DATA PROCESSING
- G06F11/00—Error detection; Error correction; Monitoring
- G06F11/07—Responding to the occurrence of a fault, e.g. fault tolerance
- G06F11/08—Error detection or correction by redundancy in data representation, e.g. by using checking codes
- G06F11/10—Adding special bits or symbols to the coded information, e.g. parity check, casting out 9's or 11's
- G06F11/1008—Adding special bits or symbols to the coded information, e.g. parity check, casting out 9's or 11's in individual solid state devices
- G06F11/1044—Adding special bits or symbols to the coded information, e.g. parity check, casting out 9's or 11's in individual solid state devices with specific ECC/EDC distribution
-
- G—PHYSICS
- G06—COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
- G06F—ELECTRIC DIGITAL DATA PROCESSING
- G06F11/00—Error detection; Error correction; Monitoring
- G06F11/07—Responding to the occurrence of a fault, e.g. fault tolerance
- G06F11/08—Error detection or correction by redundancy in data representation, e.g. by using checking codes
- G06F11/10—Adding special bits or symbols to the coded information, e.g. parity check, casting out 9's or 11's
-
- G—PHYSICS
- G06—COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
- G06F—ELECTRIC DIGITAL DATA PROCESSING
- G06F11/00—Error detection; Error correction; Monitoring
- G06F11/07—Responding to the occurrence of a fault, e.g. fault tolerance
- G06F11/08—Error detection or correction by redundancy in data representation, e.g. by using checking codes
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03M—CODING; DECODING; CODE CONVERSION IN GENERAL
- H03M13/00—Coding, decoding or code conversion, for error detection or error correction; Coding theory basic assumptions; Coding bounds; Error probability evaluation methods; Channel models; Simulation or testing of codes
- H03M13/03—Error detection or forward error correction by redundancy in data representation, i.e. code words containing more digits than the source words
- H03M13/05—Error detection or forward error correction by redundancy in data representation, i.e. code words containing more digits than the source words using block codes, i.e. a predetermined number of check bits joined to a predetermined number of information bits
- H03M13/13—Linear codes
- H03M13/15—Cyclic codes, i.e. cyclic shifts of codewords produce other codewords, e.g. codes defined by a generator polynomial, Bose-Chaudhuri-Hocquenghem [BCH] codes
- H03M13/151—Cyclic codes, i.e. cyclic shifts of codewords produce other codewords, e.g. codes defined by a generator polynomial, Bose-Chaudhuri-Hocquenghem [BCH] codes using error location or error correction polynomials
- H03M13/1515—Reed-Solomon codes
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03M—CODING; DECODING; CODE CONVERSION IN GENERAL
- H03M13/00—Coding, decoding or code conversion, for error detection or error correction; Coding theory basic assumptions; Coding bounds; Error probability evaluation methods; Channel models; Simulation or testing of codes
- H03M13/03—Error detection or forward error correction by redundancy in data representation, i.e. code words containing more digits than the source words
- H03M13/05—Error detection or forward error correction by redundancy in data representation, i.e. code words containing more digits than the source words using block codes, i.e. a predetermined number of check bits joined to a predetermined number of information bits
- H03M13/13—Linear codes
- H03M13/15—Cyclic codes, i.e. cyclic shifts of codewords produce other codewords, e.g. codes defined by a generator polynomial, Bose-Chaudhuri-Hocquenghem [BCH] codes
- H03M13/151—Cyclic codes, i.e. cyclic shifts of codewords produce other codewords, e.g. codes defined by a generator polynomial, Bose-Chaudhuri-Hocquenghem [BCH] codes using error location or error correction polynomials
- H03M13/152—Bose-Chaudhuri-Hocquenghem [BCH] codes
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03M—CODING; DECODING; CODE CONVERSION IN GENERAL
- H03M13/00—Coding, decoding or code conversion, for error detection or error correction; Coding theory basic assumptions; Coding bounds; Error probability evaluation methods; Channel models; Simulation or testing of codes
- H03M13/29—Coding, decoding or code conversion, for error detection or error correction; Coding theory basic assumptions; Coding bounds; Error probability evaluation methods; Channel models; Simulation or testing of codes combining two or more codes or code structures, e.g. product codes, generalised product codes, concatenated codes, inner and outer codes
- H03M13/2906—Coding, decoding or code conversion, for error detection or error correction; Coding theory basic assumptions; Coding bounds; Error probability evaluation methods; Channel models; Simulation or testing of codes combining two or more codes or code structures, e.g. product codes, generalised product codes, concatenated codes, inner and outer codes using block codes
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03M—CODING; DECODING; CODE CONVERSION IN GENERAL
- H03M13/00—Coding, decoding or code conversion, for error detection or error correction; Coding theory basic assumptions; Coding bounds; Error probability evaluation methods; Channel models; Simulation or testing of codes
- H03M13/29—Coding, decoding or code conversion, for error detection or error correction; Coding theory basic assumptions; Coding bounds; Error probability evaluation methods; Channel models; Simulation or testing of codes combining two or more codes or code structures, e.g. product codes, generalised product codes, concatenated codes, inner and outer codes
- H03M13/2906—Coding, decoding or code conversion, for error detection or error correction; Coding theory basic assumptions; Coding bounds; Error probability evaluation methods; Channel models; Simulation or testing of codes combining two or more codes or code structures, e.g. product codes, generalised product codes, concatenated codes, inner and outer codes using block codes
- H03M13/2927—Decoding strategies
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03M—CODING; DECODING; CODE CONVERSION IN GENERAL
- H03M13/00—Coding, decoding or code conversion, for error detection or error correction; Coding theory basic assumptions; Coding bounds; Error probability evaluation methods; Channel models; Simulation or testing of codes
- H03M13/37—Decoding methods or techniques, not specific to the particular type of coding provided for in groups H03M13/03 - H03M13/35
- H03M13/3723—Decoding methods or techniques, not specific to the particular type of coding provided for in groups H03M13/03 - H03M13/35 using means or methods for the initialisation of the decoder
-
- G—PHYSICS
- G06—COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
- G06F—ELECTRIC DIGITAL DATA PROCESSING
- G06F11/00—Error detection; Error correction; Monitoring
- G06F11/07—Responding to the occurrence of a fault, e.g. fault tolerance
- G06F11/08—Error detection or correction by redundancy in data representation, e.g. by using checking codes
- G06F11/10—Adding special bits or symbols to the coded information, e.g. parity check, casting out 9's or 11's
- G06F11/1004—Adding special bits or symbols to the coded information, e.g. parity check, casting out 9's or 11's to protect a block of data words, e.g. CRC or checksum
-
- G—PHYSICS
- G06—COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
- G06F—ELECTRIC DIGITAL DATA PROCESSING
- G06F11/00—Error detection; Error correction; Monitoring
- G06F11/07—Responding to the occurrence of a fault, e.g. fault tolerance
- G06F11/08—Error detection or correction by redundancy in data representation, e.g. by using checking codes
- G06F11/10—Adding special bits or symbols to the coded information, e.g. parity check, casting out 9's or 11's
- G06F11/1076—Parity data used in redundant arrays of independent storages, e.g. in RAID systems
- G06F11/108—Parity data distribution in semiconductor storages, e.g. in SSD
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11C—STATIC STORES
- G11C29/00—Checking stores for correct operation ; Subsequent repair; Testing stores during standby or offline operation
- G11C29/04—Detection or location of defective memory elements, e.g. cell constructio details, timing of test signals
- G11C2029/0411—Online error correction
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03M—CODING; DECODING; CODE CONVERSION IN GENERAL
- H03M13/00—Coding, decoding or code conversion, for error detection or error correction; Coding theory basic assumptions; Coding bounds; Error probability evaluation methods; Channel models; Simulation or testing of codes
- H03M13/03—Error detection or forward error correction by redundancy in data representation, i.e. code words containing more digits than the source words
- H03M13/05—Error detection or forward error correction by redundancy in data representation, i.e. code words containing more digits than the source words using block codes, i.e. a predetermined number of check bits joined to a predetermined number of information bits
- H03M13/09—Error detection only, e.g. using cyclic redundancy check [CRC] codes or single parity bit
-
- H—ELECTRICITY
- H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
- H04L—TRANSMISSION OF DIGITAL INFORMATION, e.g. TELEGRAPHIC COMMUNICATION
- H04L67/00—Network arrangements or protocols for supporting network services or applications
- H04L67/01—Protocols
- H04L67/10—Protocols in which an application is distributed across nodes in the network
- H04L67/1097—Protocols in which an application is distributed across nodes in the network for distributed storage of data in networks, e.g. transport arrangements for network file system [NFS], storage area networks [SAN] or network attached storage [NAS]
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Theoretical Computer Science (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Probability & Statistics with Applications (AREA)
- Mathematical Physics (AREA)
- Quality & Reliability (AREA)
- General Engineering & Computer Science (AREA)
- Algebra (AREA)
- Pure & Applied Mathematics (AREA)
- Techniques For Improving Reliability Of Storages (AREA)
- Read Only Memory (AREA)
Description
図1は、第1の実施の形態にかかる半導体記憶装置100の構成例を示すブロック図である。本実施の形態の半導体記憶装置(SSD(Solid State Drive))100は、不揮発にデータを記憶する半導体メモリを備えている。本実施の形態では、半導体記憶装置100をSSDとした例について説明するが、本実施の形態の適用対象はSSDに限定しない。例えば、不揮発にデータを記憶する半導体メモリおよびコントローラを搭載したメモリカード等の補助記憶装置に対しても、本実施の形態を適用することが可能である。
F(X)=X8+X7+X6+X4+1 …(1)
(3)有効な符号#2と符号#0´の対応関係表の符号の位置を更新する。
(4)不要になったブロックを解放する。
図22は、第2の実施の形態にかかる半導体記憶装置100の冗長化手順の一例を示すフローチャートである。本実施の形態の半導体記憶装置100の構成は第1の実施の形態の半導体記憶装置100と同様である。第1の実施の形態と同様の機能を有する構成要素は第1の実施の形態と同一の符号を付して重複する説明を省略する。
図24は、第3の実施の形態にかかる半導体記憶装置100aの構成例を示すブロック図である。本実施の形態の半導体記憶装置100aの構成は第1の実施の形態の半導体記憶装置100と同様であるが、一時記憶バッファ4にECC用領域42を設ける代わりにNANDメモリ6にECC用領域61を設けている。第1の実施の形態と同様の機能を有する構成要素は第1の実施の形態と同一の符号を付して重複する説明を省略する。
図30は、SSD100を搭載したパーソナルコンピュータ1200の一例を示す斜視図である。パーソナルコンピュータ1200は、本体1201、及び表示ユニット1202を備えている。表示ユニット1202は、ディスプレイハウジング1203と、このディスプレイハウジング1203に収容された表示装置1204とを備えている。
Claims (18)
- 不揮発性半導体メモリと、
書き込みデータと、所定のサイズの前記書き込みデータである誤り訂正単位データに基づいて生成された誤り訂正符号である確定誤り訂正符号と、を前記不揮発性半導体メモリへ書き込むメモリインタフェースと、
前記書き込みデータと前記確定誤り訂正符号とを前記不揮発性半導体メモリへの書き込み前に一時記憶する一時記憶バッファと、
前記誤り訂正単位データを2つ以上の分割データに分割し、前記一時記憶バッファに記憶されている前記分割データに基づいて誤り訂正符号化処理を実施し、前記誤り訂正符号化処理により得られた誤り訂正符号を中間符号として前記一時記憶バッファへ書き込み、前記誤り訂正符号化処理の対象となる分割データと同一の誤り訂正単位データを構成する分割データに基づいて生成された中間符号が前記一時記憶バッファへ書き込まれている場合には、当該中間符号を前記一時記憶バッファから読み出して前記誤り訂正符号化処理の初期値として用いる符号化処理部と、
前記一時記憶バッファに記憶されている前記書き込みデータを前記不揮発性半導体メモリへ書き込むよう前記メモリインタフェースを制御し、前記中間符号のうち誤り訂正単位データを構成する全ての分割データを用いて誤り訂正符号化処理が実施された結果となる中間符号を前記確定誤り訂正符号として前記不揮発性半導体メモリへ書き込むよう前記メモリインタフェースを制御する制御部と、
を備えることを特徴とする半導体記憶装置。 - 前記符号化処理部は、前記誤り訂正単位データを3つ以上の分割データに分割し、前記誤り訂正符号化処理の対象となる分割データと同一の誤り訂正単位データを構成する分割データに基づいて生成された中間符号が前記一時記憶バッファへ書き込まれている場合には、同一の誤り訂正単位データを構成する分割データに基づいて生成された中間符号のうち最後に生成された中間符号を前記一時記憶バッファから読み出して前記誤り訂正符号化処理の初期値として用いる、
ことを特徴とする請求項1に記載の半導体記憶装置。 - 前記不揮発性半導体メモリから読み出した、前記確定誤り訂正符号と当該確定誤り訂正符に対応する誤り訂正単位データとに基づいて当該誤り訂正単位データの復号化処理を実施する復号化処理部、
をさらに備え、
前記制御部は、電源遮断に備えるよう指示するコマンドを受信した場合に、前記中間符号を前記不揮発性半導体メモリへ書き込むよう前記メモリインタフェースを制御し、前記中間符号の前記不揮発性半導体メモリ内の記憶位置と当該中間符号に対応する書き込みデータの記憶位置との対応を保持し、書き込みデータの復号化処理時に前記中間符号が前記不揮発性半導体メモリに記憶されている場合、当該中間符号を読み出すよう前記メモリインタフェースを制御し、
前記復号化処理部は、前記不揮発性半導体メモリから読み出した、前記中間符号と当該中間符号に対応する前記書き込みデータとに基づいて復号化処理を実施し、
ことを特徴とする請求項1に記載の半導体記憶装置。 - 前記制御部は、同一の誤り訂正単位データを構成する分割データに基づいて生成された複数の中間符号が前記不揮発性半導体メモリに記憶される場合に、前記複数の中間符号のうち最後に記憶された中間符号を有効とし、書き込みデータの読み出し時に前記中間符号を前記不揮発性半導体メモリから読み出す場合、有効な前記中間符号を読み出すよう前記メモリインタフェースを制御する、
ことを特徴とする請求項3に記載の半導体記憶装置。 - 前記不揮発性半導体メモリは、確定誤り訂正符号を記憶するための符号用領域を有し、
前記制御部は、前記中間符号を、前記符号用領域へ書き込むよう前記メモリインタフェースを制御する、
ことを特徴とする請求項3または4に記載の半導体記憶装置。 - 前記不揮発性半導体メモリは、確定誤り訂正符号を記憶するための符号用領域と、前記書き込みデータを格納するデータ用領域を有し、
前記制御部は、前記中間符号を、前記データ用領域へ書き込むよう前記メモリインタフェースを制御する、
ことを特徴とする請求項3または4に記載の半導体記憶装置。 - 前記不揮発性半導体メモリに同一の誤り訂正単位データを構成する分割データに基づいて生成された複数の中間符号が記憶されている場合に、前記複数の中間符号のうち最新の中間符号を前記不揮発性半導体メモリの別の領域に記憶し、前記複数の中間符号が記憶されていた領域を開放する、
ことを特徴とする請求項3〜6のいずれか1つに記載の半導体記憶装置。 - 前記制御部は、対応する前記確定誤り訂正符号が前記不揮発性半導体メモリへ格納されていない前記書き込みデータを前記不揮発性半導体メモリへ多重に書き込むよう前記メモリインタフェースを制御し、前記確定誤り訂正符号が書き込まれた場合、当該確定誤り訂正符号に対応する前記書き込みデータの記憶されている多重の領域のうち1つの領域を除いた領域を開放するよう前記メモリインタフェースを制御する、
ことを特徴とする請求項1〜7のいずれか1つに記載の半導体記憶装置。 - 前記制御部は、対応する前記確定誤り訂正符号または前記中間符号が前記不揮発性半導体メモリへ書き込まれていない前記不揮発性半導体メモリへ書き込み済みの前記書き込みデータのデータ量が、所定の閾値以上となった場合に、前記中間符号を前記不揮発性半導体メモリへ書き込むよう前記メモリインタフェースを制御する、
ことを特徴とする請求項1〜7のいずれか1つに記載の半導体記憶装置。 - 不揮発性半導体メモリと、
書き込みデータを前記不揮発性半導体メモリへ書き込むメモリインタフェースと、
前記書き込みデータを前記不揮発性半導体メモリへの書き込み前に一時記憶する一時記憶バッファと、
所定のサイズの前記書き込みデータである誤り訂正単位データに基づいて誤り訂正処理を実施して得られた誤り訂正符号を確定誤り訂正符号とし、前記誤り訂正単位データを2つ以上の分割データに分割し、前記一時記憶バッファから前記不揮発性半導体メモリへ転送中の分割データに基づいて誤り訂正符号化処理を実施し、分割データの誤り訂正符号化処理により得られた誤り訂正符号を中間符号とする符号化処理部と、
前記中間符号を前記不揮発性半導体メモリへ書き込むよう前記メモリインタフェースを制御し、前記中間符号の前記不揮発性半導体メモリ内の記憶位置と当該中間符号に対応する書き込みデータの記憶位置との対応を保持し、前記対応に基づいて前記誤り訂正符号化処理の対象となる分割データと同一の前記誤り訂正単位データを構成する分割データに基づいて生成された中間符号が前記不揮発性半導体メモリへ書き込まれていると判断した場合には当該中間符号を読み出して前記符号化処理部へ初期値として入力するよう前記メモリインタフェースを制御する制御部と、
を備え、
前記符号化処理部は、分割データの誤り訂正符号化処理を実施する際に、制御部から初期値を入力された場合は、入力された初期値と分割データとに基づいて誤り訂正符号化処理を実施する、
ことを特徴とする半導体記憶装置。 - 前記不揮発性半導体メモリに同一の誤り訂正単位データを構成する分割データに基づいて生成された複数の中間符号が記憶されている場合に、前記複数の中間符号のうち最新の中間符号を前記不揮発性半導体メモリの別の領域に記憶し、前記複数の中間符号が記憶されていた領域を開放する、
ことを特徴とする請求項10に記載の半導体記憶装置。 - 前記不揮発性半導体メモリは複数のブロックで構成され、
前記分割データは、2つ以上の前記ブロック内のデータで構成される、
ことを特徴とする請求項1〜11のいずれか1つに記載の半導体記憶装置。 - 前記不揮発性半導体メモリは、夫々独立に動作可能な複数のメモリ領域を有し、
前記メモリインタフェースは、前記複数のメモリ領域に夫々独立に書き込み可能とし、
前記複数のメモリ領域は夫々1つ以上のブロックを含み、前記ブロックは1つ以上のページを含み、
前記分割データは、互いに異なる前記メモリ領域に属するブロック内のデータで構成される、
ことを特徴とする請求項1〜11のいずれか1つに記載の半導体記憶装置。 - 前記制御部は、前記分割データの前記不揮発性半導体メモリへの書き込みと並行して、当該分割データに対応する誤り訂正符号化処理を実施するよう前記メモリインタフェースおよび前記符号化処理部を制御する、
ことを特徴とする請求項13に記載の半導体記憶装置。 - 前記確定誤り訂正符号の符号化対象データを、互いに異なるブロックの同一のページのデータで構成する、ことを特徴とする請求項13または14に記載の半導体記憶装置。
- 前記分割データ単位で前記不揮発性半導体メモリへの書き込みを制御し、同一ブロックに属するデータで構成される前記分割データをページ順に前記不揮発性半導体メモリへ書き込み、当該ブロック内の全ページの書き込みが終了した後に、当該ブロック以外のデータで構成される前記分割データに対応するブロックへの書き込みを実施する、
ことを特徴とする請求項15に記載の半導体記憶装置。 - 前記確定誤り訂正符号の符号化対象データを、互いに異なるブロックに属する単一でないページのデータで構成する、ことを特徴とする請求項13または14に記載の半導体記憶装置。
- 前記確定誤り訂正符号の符号化対象データを、誤りに対して強いページと、誤りに対して弱いページと、を組み合わせて構成する、ことを特徴とする請求項17に記載の半導体記憶装置。
Priority Applications (4)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2010279074A JP5651457B2 (ja) | 2010-12-15 | 2010-12-15 | 半導体記憶装置 |
TW100146709A TWI472918B (zh) | 2010-12-15 | 2011-12-15 | 半導體儲存裝置及其控制方法 |
US13/820,159 US9189323B2 (en) | 2010-12-15 | 2011-12-15 | Semiconductor storage device and method of controlling the same |
PCT/JP2011/079755 WO2012081732A1 (en) | 2010-12-15 | 2011-12-15 | Semiconductor storage device and method of controlling the same |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2010279074A JP5651457B2 (ja) | 2010-12-15 | 2010-12-15 | 半導体記憶装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2012128906A JP2012128906A (ja) | 2012-07-05 |
JP5651457B2 true JP5651457B2 (ja) | 2015-01-14 |
Family
ID=46244821
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2010279074A Active JP5651457B2 (ja) | 2010-12-15 | 2010-12-15 | 半導体記憶装置 |
Country Status (4)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US9189323B2 (ja) |
JP (1) | JP5651457B2 (ja) |
TW (1) | TWI472918B (ja) |
WO (1) | WO2012081732A1 (ja) |
Families Citing this family (13)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2013029882A (ja) | 2011-07-26 | 2013-02-07 | Toshiba Corp | メモリコントローラ、半導体記憶装置および復号方法 |
US8640013B2 (en) | 2011-09-22 | 2014-01-28 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Storage device |
JP5674700B2 (ja) | 2012-03-22 | 2015-02-25 | 株式会社東芝 | 符号化装置および符号化装置の制御方法、ならびに、記憶装置 |
CN104347122B (zh) * | 2013-07-31 | 2017-08-04 | 华为技术有限公司 | 一种消息式内存模组的访存方法和装置 |
US20150193301A1 (en) * | 2014-01-06 | 2015-07-09 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Memory controller and memory system |
US9495261B2 (en) | 2014-03-13 | 2016-11-15 | Qualcomm Incorporated | Systems and methods for reducing memory failures |
US20170161141A1 (en) * | 2015-12-02 | 2017-06-08 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Method and apparatus for correcting data in multiple ecc blocks of raid memory |
JP7023103B2 (ja) * | 2017-12-22 | 2022-02-21 | キオクシア株式会社 | メモリシステム及び制御方法 |
JP6890557B2 (ja) * | 2018-01-17 | 2021-06-18 | 株式会社日立製作所 | 分析モデル作成システム、プログラミング装置および分析モデル作成方法 |
KR20200132566A (ko) * | 2019-05-17 | 2020-11-25 | 에스케이하이닉스 주식회사 | 메모리 장치 및 이의 동작 방법 |
CN112464613B (zh) | 2019-09-09 | 2023-09-15 | 瑞昱半导体股份有限公司 | 数字电路鲁棒性验证方法及系统 |
TWI758867B (zh) * | 2020-09-16 | 2022-03-21 | 英業達股份有限公司 | 基於gpnv的基本輸入輸出系統錯誤訊息記錄方法、系統及終端 |
CN114550806B (zh) * | 2022-04-26 | 2022-08-05 | 杭州阿姆科技有限公司 | 一种应用于ssd上的双层纠错方法 |
Family Cites Families (14)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH03147116A (ja) | 1989-11-02 | 1991-06-24 | Mitsubishi Electric Corp | 所持携帯型半導体記憶装置 |
US5721739A (en) * | 1995-12-14 | 1998-02-24 | Fairchild Semiconductor Corporation | Method for detecting read errors, correcting single-bit read errors and reporting multiple-bit read errors |
US6461916B1 (en) | 1997-03-28 | 2002-10-08 | Hitachi, Ltd. | Non-volatile semiconductor memory and method of making same, and semiconductor device and method of making the device |
JP4956230B2 (ja) * | 2006-04-10 | 2012-06-20 | 株式会社東芝 | メモリコントローラ |
KR101397549B1 (ko) * | 2007-08-16 | 2014-05-26 | 삼성전자주식회사 | 고속 프로그램이 가능한 불휘발성 반도체 메모리 시스템 및그것의 독출 방법 |
JP5166074B2 (ja) | 2008-02-29 | 2013-03-21 | 株式会社東芝 | 半導体記憶装置、その制御方法、および誤り訂正システム |
KR101483190B1 (ko) * | 2008-09-05 | 2015-01-19 | 삼성전자주식회사 | 메모리 시스템 및 그것의 데이터 처리 방법 |
JP2010097600A (ja) * | 2008-09-22 | 2010-04-30 | Panasonic Corp | 半導体記録装置 |
JP4551958B2 (ja) | 2008-12-22 | 2010-09-29 | 株式会社東芝 | 半導体記憶装置および半導体記憶装置の制御方法 |
US8438453B2 (en) * | 2009-05-06 | 2013-05-07 | Apple Inc. | Low latency read operation for managed non-volatile memory |
CN101908376B (zh) * | 2009-06-04 | 2014-05-21 | 威刚科技(苏州)有限公司 | 非挥发性存储装置及其控制方法 |
US20100332922A1 (en) * | 2009-06-30 | 2010-12-30 | Mediatek Inc. | Method for managing device and solid state disk drive utilizing the same |
JP2011198272A (ja) | 2010-03-23 | 2011-10-06 | Toshiba Corp | 半導体記憶装置および半導体記憶装置の制御方法 |
JP5279785B2 (ja) | 2010-09-17 | 2013-09-04 | 株式会社東芝 | コントローラ、記憶装置、およびプログラム |
-
2010
- 2010-12-15 JP JP2010279074A patent/JP5651457B2/ja active Active
-
2011
- 2011-12-15 WO PCT/JP2011/079755 patent/WO2012081732A1/en active Application Filing
- 2011-12-15 TW TW100146709A patent/TWI472918B/zh active
- 2011-12-15 US US13/820,159 patent/US9189323B2/en active Active
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2012128906A (ja) | 2012-07-05 |
US20130179750A1 (en) | 2013-07-11 |
TW201237622A (en) | 2012-09-16 |
US9189323B2 (en) | 2015-11-17 |
WO2012081732A1 (en) | 2012-06-21 |
TWI472918B (zh) | 2015-02-11 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP5651457B2 (ja) | 半導体記憶装置 | |
US8904261B2 (en) | Data management in solid state storage devices | |
JP5066199B2 (ja) | 半導体記憶装置 | |
US9037951B2 (en) | Data management in solid state storage systems | |
US10157016B2 (en) | Memory management system and method | |
US9135112B2 (en) | Policy for read operations addressing on-the-fly decoding failure in non-volatile memory | |
CN102549554B (zh) | 基于条带的存储器操作 | |
JP4901968B2 (ja) | 半導体記憶装置 | |
KR102279723B1 (ko) | 분산 소거 코딩을 위한 시스템 및 방법 | |
JP4439578B1 (ja) | 不揮発性半導体メモリドライブ装置および不揮発性半導体メモリドライブ装置のデータ管理方法 | |
US20090327802A1 (en) | Storage control device, data recovery device, and storage system | |
JP2012128660A (ja) | 半導体記憶装置 | |
US20160217040A1 (en) | Raid parity stripe reconstruction | |
US20110126045A1 (en) | Memory system with multiple striping of raid groups and method for performing the same | |
US9252810B2 (en) | Memory system and method of controlling memory system | |
JP2014052978A (ja) | 不揮発性半導体メモリの制御方法及びメモリシステム | |
JP5331018B2 (ja) | ソリッド・ステート・ドライブ装置およびミラー構成再構成方法 | |
JP2010020648A (ja) | 記憶装置 | |
JP2008217395A (ja) | ディスクアレイ装置 | |
JP2005107839A (ja) | アレイコントローラ及びディスクアレイ再構築方法 | |
JP2005107676A (ja) | アレイコントローラ及びディスクアレイ再構築方法 | |
US11789643B2 (en) | Memory system and control method | |
KR20190076589A (ko) | 플래시 메모리 컨트롤러의 에러 정정 방법 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20131121 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20140902 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20141002 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20141021 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20141117 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 5651457 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
S111 | Request for change of ownership or part of ownership |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313115 |
|
S111 | Request for change of ownership or part of ownership |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313115 |
|
R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
S111 | Request for change of ownership or part of ownership |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313115 |
|
R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |