JPH03147116A - 所持携帯型半導体記憶装置 - Google Patents

所持携帯型半導体記憶装置

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JPH03147116A
JPH03147116A JP1284854A JP28485489A JPH03147116A JP H03147116 A JPH03147116 A JP H03147116A JP 1284854 A JP1284854 A JP 1284854A JP 28485489 A JP28485489 A JP 28485489A JP H03147116 A JPH03147116 A JP H03147116A
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battery
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battery holder
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JP1284854A
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Masatoshi Kimura
正俊 木村
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Mitsubishi Electric Corp
Original Assignee
Mitsubishi Electric Corp
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Publication date
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    • G11INFORMATION STORAGE
    • G11CSTATIC STORES
    • G11C5/00Details of stores covered by group G11C11/00
    • G11C5/14Power supply arrangements, e.g. power down, chip selection or deselection, layout of wirings or power grids, or multiple supply levels
    • G11C5/141Battery and back-up supplies

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  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Battery Mounting, Suspending (AREA)
  • Power Sources (AREA)
  • Techniques For Improving Reliability Of Storages (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 この発明は、所持携帯型半導体記憶装置に係り、特に記
憶データを保持するために内蔵されている電池を安全且
つ容易に交換することのできる半導体記憶装置に関する
〔従来の技術〕
第9図に従来の所持携帯型半導体記憶装置の回路構成を
示す、記憶装置はスタティックRA M (1)を有し
ており、このRA M (1)に電源電圧供給用の内部
電源ライン(9)、逆充電防止ダイオード(5)及び電
流制限抵抗(4)を介して電池(3)が接続されている
。を池(3)はこの記憶装置に着脱自在に設けられた電
池ホルダ(3a)に保持されており、電池ホルダ(3a
)を記憶装置に装着したときには電池(3)が固定電極
端子(6)及び(7)により電気的に接続されるように
なっている。また、内部電源ライン(9)には電源制御
回路(2)を介して電源入力ライン(8)が接続され、
電源入力ライン(8)がコネクタ(10)に接続されて
いる。コネクタ(10)には、RA M (1)からイ
ンタフェースバスク11)が、電池(3)の正極側の固
定電極端子(6)から電池モニタ出力ライン(12)が
それぞれ接続されている。また、電源制御回路(2)と
RA M (1)との間が制御ライン(13)により接
続されている。
このような構成の記憶装置は、使用時にはコネクタ(1
0)を介して端末!R(図示せず)に装着される。
そして、電源入力ライン(8)に規定値以上の電源電圧
が印加されると、電源制御回#1(2)はこの電源入力
ライン(8)と内部電源ラインク9)とを導通させると
共に制御ライン(13)を介してRA M (1)にハ
イレベルの制御信号を送出する。これにより、RA M
 (1)には内部電源ライン(9)を介して電源電圧が
供給されると共にハイレベルの制御信号によりイネーブ
ル(動作可能)状態となる。すなわち、端末機はインタ
フェースバスク11)を介してRA M(1)の読み出
し及び書き込み等のアクセスが可能となる。
RA M (1)のアクセスが終了して電源入力ライン
(8)に所定の電源電圧が印加されなくなると、電源制
御回路(2)は電源入力ライン(8)の電圧値が規定値
以下となったことを検出し、電源入力ライン(8)と内
部電源ライン(9)との間を遮断すると共に制御ライン
(13)を介してRA M (1)にローレベルの制御
信号を送出する。この制御信号により、RA M (1
)はディセイブル(非動作)状態となり、インタフェー
スバス(11)によるアクセスは禁止される。また、こ
のときRA M (1)には電源入力ライン(8)から
の電源電圧は供給されなくなるが、電池(3)の電圧が
抵抗(4)及びダイオード(5)を介して供給される。
従って、この記憶装置を端末機から取り外しても、RA
 M (1)内の記憶データは消滅せずに保持されるこ
ととなる。
電池(3)はRA M (1)に電圧を供給することに
より次第に消耗するが、この電池(3)の電圧は記憶装
置を端末機に装着した際に電池モニタ出力ライン(12
)を介して端末機でチエツクされる。そして、電池(3
)の端子電圧が所定値以下になり、電池(3)の交換の
必要が生じた場合には、電池(3)を電池ホルダ(3a
)と共に記憶装置から外して新品と交換することができ
る。
電池ホルダ(3a)の−例を第10図に示す。電池ホル
ダ(3a)の側部には凸部(3b)が形成されており、
第11図に示すように電池ホルダ(3a)を記憶装置に
挿入すると、電池ホルダ(3a)の凸部(3b)が記憶
装置のフレーム(14)に形成された凹部(15)内に
嵌合して電池ホルダ(3a)が固定される。このとき、
固定電極端子(6)及び(7)は電池ホルダ(3a)に
保持された電池り3)の正極及び負極にそれぞれ接触す
る。尚、第11図において、(16)はプリント基板を
示し、このプリント基板(16)上に第9図に示した各
回路素子が形成されている。
〔発明が解決しようとする課題〕
しかしながら、電源入力ライン(8)に所定の電源電圧
が印加されない状態で電池ホルダ(3a)e外して電池
(3)を交換しようとすると、RA M (1)への電
源供給が途絶えてRA M (1)内の記憶データが消
滅してしまう。このため、記憶装置を端末機に装着して
コネクタ(10)を介し電源入力ライン(8)に所定の
電源電圧を印加した状態で電池<3)の交換を行わなけ
ればならなかった。従って、電池交換の作業性が極めて
悪く不便であるという問題点があった。
また、電子装置の小型化及び薄型化に伴って、端末機に
記憶装置を装着したまま電池交換を行うことが実質上不
可能である場合もある。
この発明はこのような問題点を解消するためになされた
もので、記憶データを消滅することなく内蔵された電池
を安全且つ容易に交換することができる所持携帯型半導
体記憶装置を提供することを目的とする。
〔課題を解決するための手段〕
この発明に係る所持携帯型半導体記憶装置は、装置本体
と、データを記憶するための記憶回路と、記憶回路に電
源電圧を供給する主電池と、主電池を保持すると共に装
置本体に着脱自在に設けられた主電池ホルダと、主電池
の交換時に記憶回路に電源電圧を供給する補助電池と、
主電池ホルダの着脱動作に機械的に連動して作動すると
共に主電池ホルダを装置本体に装着したときには補助電
池を記憶回路から電気的に遮断し、主電池ホルダを装置
本体から外したときには補助電池を記憶回路に電気的に
接続させるスイッチ手段とを備えたものである。
尚、スイッチ手段としては、回転スライドスイッチある
いはプッシュオフスイッチを用いることができる。
また、装置本体に着脱自在に補助電池ホルダを取り付け
て、この補助電池ホルダに補助電池を保持させてもよい
〔作用〕
請求項く1)に記載の所持携帯型半導体記憶装置におい
ては、主電池を交換するために主電池ホルダを装置本体
から外すと、この主電池ホルダの動きに機械的に連動し
てスイッチ手段が作動し、補助電池を記憶回路に電気的
に接続させる。
請求項(2)及び(3)に記載の記憶装置では、それぞ
れ回転スライドスイッチ及びプッシュオフスイッチが主
電池ホルダの着脱動作に連動して作動し、補助電池と記
憶回路との間の接続/遮断制御を行う。
請求項(4)に記載の記憶装置では、補助電池が補助電
池ホルダにより装置本体に容易に着脱自在となる。
〔実施例〕
以下、この発明の実施例を添付図面に基づいて説明する
第1図はこの発明の第1実施例に係る所持携帯型半導体
記憶装置の構成を示す回路図である。この記憶装置は記
憶回路を構成するスタティックRA M (21)を有
しており、RA M (21)に電源電圧供給用の内部
電源ライン(29)が接続されている。また、内部電源
ライン(29)には第1の逆充電防止ダイオード(25
)及び第1の電流制限抵抗(24)を介して主電池(2
3)が接続されている。主電池(23)はこの記憶装置
に着脱自在に設けられた主電池ホルダ(23a)に保持
されており、主電池ホルダ(23a)を記憶装置に装着
したときには主電池(23)が固定電極端子(26)及
び(27)により電気的に接続されるようになっている
。さらに、内部電源ライン(29)には第2の逆充電防
止ダイオード(35)、第2の電流制限抵抗(34〉及
びスイッチ手段(36)を介して補助電池(37)が接
続されている。
スイッチ手段(36)は主電池ホルダ(23’a)の着
脱動作に機械的に連動して作動するものであり、主電池
ホルダ(23a)を装置本体く図示せず)に装着して主
電池(23)を固定電極端子(26)及び(27)間に
接続したときには開放状態となり、−力士電池ホルダ(
23a)を装置本体がら外したときには短絡状態となる
また、内部電源ライン(29)には電源制御回路(22
)を介して電源入力ライン(28)が接続され、電源入
力ライン(28)がコネクタ(30)に接続されている
。このコネクタ(30)には、RA M (21)から
インタフェースバス(31)が、主電池(23)の正極
側の固定電極端子<26)から電池モニタ出力ライン(
32)がそれぞれ接続されている。また、電源制御回路
(22)とRA M (21)との間が制御ライン(3
3)により接続されている。
次に、この実施例の動作について説明する。第1図に示
した記憶装置は、使用時にはコネクタ(30)を介して
端末1id(図示せず)に装着される6そして、端末機
から電源入力ライン(28)に所定の電源電圧が印加さ
れると、電源制御回路(22)はこれを検出して電源入
力ライン(28)と内部電源ライン(29)とを導通さ
せると共に制御ライン(33)を介してRA M (2
1)にハイレベルの制御信号を送出する。
これにより、RA M (21)には内部電源ライン(
29)を介して電源電圧が供給されると共にハイレベル
の制御信号によりイネーブル状態となる。すなわち、端
末機はインタフェースバス(31)を介してRA M 
(21)の読み出し及び書き込み等のアクセスが可能と
なる。
RA M (21)のアクセスが終了して電源入力ライ
ン(28〉に所定の電源電圧が印加されなくなると、電
源制御回路(22)は電源入力ライン(28)の電圧値
が規定値以下となったことを検出し、電源入力ライン(
28)と内部電源ライン(29)との間を遮断すると共
に制御ライン<33)を介してRA M <21)にロ
ーレベルの制御信号を送出する。この制御信号により、
RA M (21)はディセイブル状態となりアクセス
は禁止される。また、このときRA M (21)には
電源入力ライン(28)からの電源電圧は供給されなく
なるが、主電池(23)の電圧が抵抗(24)及びダイ
オード(25)を介して供給される。従って、この記憶
装置を端末機から取り外しても、RA M (21)内
の記憶データは消滅せずに保持されることとなる。
このようにして端末機から取り外された記憶装置の記憶
データを保持する主電池(23)はRAM(21)に電
源電圧を印加することにより次第に消耗するが、この主
電池(23)の電圧は記憶装置を端末機に装着した際に
電池モニタ出力ライン(32)を介して端末機でチエツ
クされる。そして、主電池(Z3)の端子電圧が所定値
以下になり、主電池(23)の交換の必要が生じた場合
には、主電池(23)を主電池ホルダ(23a)と共に
装置本体から外して新品と交換する。
このとき、主電池ホルダ(23a)を引き抜く動作に連
動してスイッチ手段(36)が作動し短絡状態となる。
これにより、補助電池(37)と第2の電流制限抵抗(
34)とが接続され、今度は補助電流(37)からスイ
ッチ手段(36)、抵抗(34)及びダイオード(35
)を介してRA M (21)に電圧が供給される。従
って、記憶装置を端末機に装着しない状態で主電池(2
3)を主電池ホルダ(23a)と共に記憶装置から外し
ても、RA M (21)内の記憶データは消滅するこ
となく保持される。取り外した主電池ホルダ(23a)
に新品の主電池(23)を保持させて再び装置本体に装
着すると、今度はこの主電池ホルダ(23a)の挿入動
作に連動してスイッチ手段(36)は開放状官となる。
このため、補助電池(37)はRA M (21)から
切り離され、代わりに新品の主電池(23)が抵抗(2
4)及びダイオード(25)を介してRA M (21
)に電圧を供給することとなる。
このように、記憶装置を端末機に装着しない所持携帯の
状態で記憶データを保持しつつ容易に主電池(23)の
交換を行うことが可能となる。
尚、主電池ホルダ(23g)を装置本体から引き抜く際
にわずかな時間でもRA M (21)への電源供給が
途絶えることを防ぐために、主電池ホルダ(23a)の
着脱動作とこれに連動するスイッチ手段(36)の動作
との間には所定のタイミングが要求される。
すなわち、第2図に示すように、主電池ホルダ(23a
)を引き抜く際には主電池(23)が固定電極端子(2
6)及び(27)から離れる時刻t、より前の時刻t0
にスイッチ手fl(36)が短絡されて補助電池(37
)がRA M (21)に接続され、−力士電池ホルダ
(23m)を挿入する際には主電池(23)が固定$極
端子(26)及び(27)に接続された時刻t2の後の
時刻し、にスイッチ手段(36)が開放されて補助電池
(37)がRAM(21)から遮断されることが必要で
ある。実際には、各接点のチャタリングCI及びC2を
考慮した上でタイミングを設定しなければならず、第2
図に示すようにチャタリングC,及びC3を除いても主
電池(23)及び補助電池(37)の双方が確実にRA
 M (21)に接続される時間T1及びT2を有する
ようなタイミングとすることが好ましい。
ここで、第3図にこの実施例をより具体的に構成した具
体例1の部分平面図を示す、装置本体を構成するフレー
ム(38)内にプリント基板(39)が固定されている
。このプリント基板(39)の−角に切欠き(39a)
が形成されており、この部分のフレーム(38)内に主
電池ホルダ(23a>が挿入されている。
プリント基板(39)の切欠き(39a)内にはその一
端がプリント基板(39)上に固定された固定電極端子
(26)及び(27)が配置され、主電池ホルダ(23
a)に保持された主電池(23)の正極及び負極にそれ
ぞれ接触している。また、プリント基板(39)上で且
つ切欠き(39a)を臨む部分にスイッチ手段(36)
として回転スライドスイッチ(40)が形成されている
この回転スライドスイッチ(40)は、支点(41)を
中心として回転自在に設けられた可動接点(42)とプ
リント基板(39)上に固定された一対の固定接点(4
3)及び(44)から1成されている0回転スライドス
イッチ(40)の近傍には補助電池(37)が配置され
ている。この補助電池(37)には予め正極及び負極に
それぞれ接続されたタブ(45)及び(46)が付着さ
れており、正極側のタブ(45)が回転スライドスイッ
チ(40)の固定接点(43)にハンダ等により接続さ
れている。
また、図示されていないが、プリント基板(39)上に
は第1図に示した各回路素子が形成されており、固定電
極端子(27)と補助電池(37)の負極側のタブ(4
6)とがグランドラインに接続されると共に他方の■定
78. %端子り26)と回転スライドスイッチ(40
)の固定接点(44)とはそれぞれ対応する回路素子に
接続されている。
主電池ホルダ(23a)には回転スライドスイッチ(4
0)を作動させるための突起部(47)が形成されてい
る。このため、第3図のように主電池ホルダ(23a)
をフレーム(38)に挿入したときには、主電池ホルダ
(23a)の突起部(47)が回転スライドスイッチ(
40)の可動接点(42)に当接して可動接点(42)
を固定接点(43)及び(44)がら離れた位置に固定
する。
すなわち、回転スライドスイッチ(40)は開放され、
補助電池(37)は図示しないRAMがら電気的に遮断
される。
ところが、主電池(23)e交換しようとして主電池ホ
ルダ(23a)をフレーム(38)から引き抜くと、回
転スライドスイッチ(40)の可動接点(42)は主電
池ホルダ(23a)の突起部(47)により時計回り方
向に回転し、第4図に示すように固定接点(43)及び
(44)上に位置してこれらを電気的に短絡する。すな
わち、回転スライドスイッチ(40)が投入され、補助
電池(37)が図示しないRAMに接続される。
主電池(23)を交換して新品の主電池<23)を保持
した主電池ホルダ(23a)を再びフレーム<38)に
挿入すると、主電池(23)の正極及び負極がそれぞれ
固定電極端子(26)及び(27)に接触して電気的に
接続されると共に今度は主電池ホルダ(23a)の突起
部(47)が回転スライドスイッチ(40)の可動接点
(42)を反時計回り方向に回転させる。このため、第
3図のように、可動接点(42)は固定接点(43)及
び(44)から切り離され、これら固定接点(43)及
び(44)間は開放されることとなる。
尚、固定電極端子(26)及び(27)の主電池(23
)との接触ストロークを、回転スライドスイッチ(4o
)の固定接点(43)及び(44)間の短絡に必要な可
動接点(42)の回転ストロークより長くすることによ
り、主電池(23)及び補助電池(37)のそれぞれの
接続/遮断のタイミングを第2図に示したように設定す
ることができる。
また、以上の具体例1ではプリント基板(39)上に可
動接点(42)と固定接点(43)及び(44)とを設
けて回転スライドスイッチ(4o)を形成したが、第5
ノに示すように、可動接点(48a)と固定接点(48
b)及び<48c)とを組み合わせた回転スライドスイ
ッチ(48)を予め単体として作成し、このスイッチ(
48)をプリント基板(39)上に実装してもよい。尚
、(49b)は主電池(23)を保持する主電池ホルダ
(49a)に形成された突起部を示している。
第6図に具体例2の部分平面図を示す。具体例2は具体
例1において回転スライドスイッチ(4o)の代わりに
スイッチ手段(36)としてプッシュオフスイッチ(5
0)を用いたものである。プッシュオフスイッチ(50
)は直線的に移動自在に設けられた可動接点(51)と
位置固定の固定接点(52)及び(53)とを有し、可
動接点(51)がスプリング(54)により固定接点(
52)及び(53)に向けて付勢されている。
第6図に示すように主電池ホルダ(23a)の挿入時に
は、主電池ホルダ(23a)の突起部(47)がプッシ
ュオフスイッチ(50)の可動接点(51)を移動させ
て固定接点(52)及び(53)がら離れた位置に固定
するため、プッシュオフスイッチ(50)は開放状悪と
なる。すなわち、補助電池(37)は図示しないR、A
Mから電気的に遮断される。
一方、第7図に示すように主電池ホルダ(23a)をフ
レーム(38)から引き抜いたときには、主電池ホルダ
(23a)の突起部(47)がプッシュオフスイッチ(
50)の可動接点(51)から離れるので、可動接点(
51)はスプリング(54)の作用により固定接点(5
2)及び(53)の上に移動し、これによりプッシュオ
フスイッチ(50)は短絡状態となる。従って、補助電
池(37)が図示しないRAMに電気的に接続され、こ
の補助電池(37)からRAMに電源電圧が供給される
こととなる。
この具体例2においても、固定電極端子(26)及び(
27)の主電池(23)との接触ストロークを、プッシ
ュオフスイッチ(50)の固定接点(52)及び(53
)間の短絡に必要な可動接点(51)の移動ストローク
より長くすることに・より、主電池(23)及び補助電
池(37)のそれぞれの接続/遮断のタイミングを第2
図に示したように設定することができる。
具体例1及び2では、タブ付きの補助電池(37)をプ
リント基板(39)上に実装したが、第8図に示す具体
例3のように、フレーム(38)に着脱自在に補助電池
ホルダ(37a)を設け、この補助電池ホルダ(37a
)に補助電池(37)を保持させてもよい。この補助電
池ホルダ(37a)にはスイッチ手段を連動させる必要
がないので、第10図に示した従来の電池ホルダ(3a
)と同様のホルダ分用いることができる。このように補
助電池ホルダ(37a)を使用することにより、補助電
池(37)の交換が容易となり、さらに利便性が向上す
る。
また、スイッチ手段(36)として多接点構造のスイッ
チを用いてもよい。この場合、−接点を用いて主電池(
23)と補助電池(37)の切り替えを行うと共に他の
接点によりこれら電池の切り替えの情報をコネクタ(3
0)を介して端末機へ出力することが可能となる。従っ
て、例えば補助電池(37)の使用時にこれを表示した
り警報することができる。さらに、回転スライドスイッ
チ(40)あるいはプッシュオフスイッチ(50)をプ
リント基板(39)の両面にそれぞれ実装し、これらの
スイッチを主電池ホルダ(23a)の着脱動作に運動さ
せて同時に作動させることもできる。
〔発明の効果〕
以上説明したように、この発明に係る所持携帯型半導体
記憶装置は、装置本体と、データを記憶するための記憶
回路と、記憶回路に電源電圧を供給する主電池と、主電
池を保持すると共に装置本体に着脱自在に設けられた主
電池ホルダと、主電池の交換時に記憶回路に電源電圧を
供給する補助電池と、主電池ホルダの着脱動作に機械的
に連動して作動すると共に主電池ホルダを装置本体に装
着したときには補助電池を記憶回路から電気的に遮断し
、主電池ホルダを装置本体から外したときには補助電池
を記憶回路に電気的に接続させるスイッチ手段とを備え
ているので、記憶データを消滅することなく主電池を安
全且つ容易に交換することができる。
尚、スイッチ手段は、回転スライドスイッチあるいはプ
ッシュオフスイッチを用いて容易に構成することができ
る。
また、補助電池を保持する補助電池ホルダを装置本体に
着脱自在に設ければ、補助電池の交換が容易となり、さ
らに利便性の優れた所持携帯型半導体記憶装置が得られ
る。
【図面の簡単な説明】
第1図はこの発明の一実施例に係る所持携帯型半導体記
憶装置を示す回路図、第2図は主電池及び補助電池の接
続/遮断のタイミング図、第3図及び第4図はそれぞれ
具体例1の要部を示す平面図、第5図は具体例1の変形
例を示す部分平面図、第6図及び第7図はそれぞれ具体
例2の要部を示す平面図、第8図は具体例3の要部を示
す平面図、第9図は従来例に係る所持携帯型半導体記憶
装置を示す回路図、第10図は従来例の電池ホルダを示
す平面図、第11図は従来例を示す概略平面図である。 図において、(21)はRAM、(23)は主電池、(
23a)は主電池ホルダ、(36)はスイッチ手段、(
37)は補助電池、(37a)は補助電池ホルダ、(3
8)はフレーム、(40)は回転スライドスインチ、(
50)はプッシュオフスイッチである。 なお、各図中同一符号は同一または相当部分を示す。

Claims (4)

    【特許請求の範囲】
  1. (1)装置本体と、 データを記憶するための記憶回路と、 前記記憶回路に電源電圧を供給する主電池と、前記主電
    池を保持すると共に前記装置本体に着脱自在に設けられ
    た主電池ホルダと、 前記主電池の交換時に前記記憶回路に電源電圧を供給す
    る補助電池と、 前記主電池ホルダの着脱動作に機械的に連動して作動す
    ると共に前記主電池ホルダを前記装置本体に装着したと
    きには前記補助電池を前記記憶回路から電気的に遮断し
    、前記主電池ホルダを前記装置本体から外したときには
    前記補助電池を前記記憶回路に電気的に接続させるスイ
    ッチ手段とを備えたことを特徴とする所持携帯型半導体
    記憶装置。
  2. (2)前記スイッチ手段は、回転スライドスイッチであ
    る請求項1記載の記憶装置。
  3. (3)前記スイッチ手段は、プッシュオフスイッチであ
    る請求項1記載の記憶装置。
  4. (4)前記補助電池を保持すると共に前記装置本体に着
    脱自在に設けられた補助電池ホルダを備えた請求項1記
    載の記憶装置。
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