CN101937318A - 用于存储介质的存储控制装置及其数据访问的控制方法 - Google Patents

用于存储介质的存储控制装置及其数据访问的控制方法 Download PDF

Info

Publication number
CN101937318A
CN101937318A CN201010158315.0A CN201010158315A CN101937318A CN 101937318 A CN101937318 A CN 101937318A CN 201010158315 A CN201010158315 A CN 201010158315A CN 101937318 A CN101937318 A CN 101937318A
Authority
CN
China
Prior art keywords
storage medium
controller
control device
memory control
storage
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
CN201010158315.0A
Other languages
English (en)
Inventor
林子杰
洪自立
赵冠华
刘学欣
陈宏庆
杜立群
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
MediaTek Inc
Original Assignee
MediaTek Inc
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by MediaTek Inc filed Critical MediaTek Inc
Publication of CN101937318A publication Critical patent/CN101937318A/zh
Pending legal-status Critical Current

Links

Images

Classifications

    • GPHYSICS
    • G11INFORMATION STORAGE
    • G11CSTATIC STORES
    • G11C5/00Details of stores covered by group G11C11/00
    • G11C5/14Power supply arrangements, e.g. power down, chip selection or deselection, layout of wirings or power grids, or multiple supply levels
    • G11C5/143Detection of memory cassette insertion or removal; Continuity checks of supply or ground lines; Detection of supply variations, interruptions or levels ; Switching between alternative supplies
    • GPHYSICS
    • G06COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
    • G06FELECTRIC DIGITAL DATA PROCESSING
    • G06F12/00Accessing, addressing or allocating within memory systems or architectures
    • G06F12/02Addressing or allocation; Relocation
    • G06F12/0223User address space allocation, e.g. contiguous or non contiguous base addressing
    • G06F12/023Free address space management
    • G06F12/0238Memory management in non-volatile memory, e.g. resistive RAM or ferroelectric memory
    • G06F12/0246Memory management in non-volatile memory, e.g. resistive RAM or ferroelectric memory in block erasable memory, e.g. flash memory
    • GPHYSICS
    • G11INFORMATION STORAGE
    • G11CSTATIC STORES
    • G11C16/00Erasable programmable read-only memories
    • G11C16/02Erasable programmable read-only memories electrically programmable
    • G11C16/06Auxiliary circuits, e.g. for writing into memory
    • G11C16/30Power supply circuits
    • GPHYSICS
    • G06COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
    • G06FELECTRIC DIGITAL DATA PROCESSING
    • G06F2212/00Indexing scheme relating to accessing, addressing or allocation within memory systems or architectures
    • G06F2212/72Details relating to flash memory management
    • G06F2212/7201Logical to physical mapping or translation of blocks or pages

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Theoretical Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Engineering & Computer Science (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Techniques For Improving Reliability Of Storages (AREA)
  • Power Sources (AREA)

Abstract

本发明提供一种用于存储介质的存储控制装置及其数据访问的控制方法。其中用于第一存储介质的存储控制装置,包括:控制器,用于控制所述第一存储介质的数据访问;以及电压侦测器,耦接于所述控制器,用于监视功率信号并在侦测到所述功率信号的异常时使能一侦测信号以告知所述控制器。通过利用本发明,能够及时侦测到功率信号的异常,避免了功率信号异常对存储子系统的数据访问造成的损害。

Description

用于存储介质的存储控制装置及其数据访问的控制方法
相关申请的交叉引用
本申请的权利要求要求2009年6月30日递交的美国临时申请案No.61/221,569的优先权,且将此申请作为参考。
技术领域
本发明有关于访问一存储介质,尤其有关于具有一控制器的存储控制装置及其相关方法,其中控制器由监视功率信号所得到的侦测信号来运作。
背景技术
一般来说,存储子系统的电源(supply power)由主机提供,主机还向存储子系统发出读取和写入请求,以从存储子系统中读取数据或者将数据写入存储子系统。从外部电源获取的功率信号输入到存储子系统的内部功率元件(power element)。因此,功率信号的异常可能会严重损害存储子系统的数据存储。
以将非易失性存储器(比如闪存)作为存储介质的一个存储子系统为例,出于对性能的考虑,用于将主机的逻辑地址转换为非易失性存储器的物理地址的列表通常暂时保存在存储子系统的易失性存储器中,其中列表比如闪存转换层(Flash Translation Layer,FTL)列表,易失性存储器比如动态随机存取存储器。然而,存储子系统所用功率信号的异常可能会损害易失性存储器中存储的列表的完整性,导致用户数据的缺失。
以将光盘作为存储介质的另一存储子系统为例,存储子系统的记录(编码)和读取(译码)质量极大地受到功率稳定性的控制。因此,存储子系统(比如光驱)所用功率信号的异常可能会使数据访问性能严重退化。此外,当存储子系统运作于写入模式下以在光盘上通过不稳定的写入功率发出激光束时,功率信号的异常可能还会损害光盘。
发明内容
有鉴于此,本发明提供一种用于存储介质的存储控制装置及其数据访问的控制方法。
本发明一个实施例提供一种用于第一存储介质的存储控制装置,包括:控制器,用于控制所述第一存储介质的数据访问;以及电压侦测器,耦接于所述控制器,用于监视功率信号并在侦测到所述功率信号的异常时使能一侦测信号以告知所述控制器。
本发明另一个实施例提供一种用于第一存储介质的存储控制装置,包括:电压侦测器,用于监视功率信号以产生侦测信号;以及控制器,耦接于所述电压侦测器,用于控制所述第一存储介质的数据访问;其中当所述侦测信号表明所述功率信号的电压电平落入第一电压范围内时,所述控制器则进入第一运作状态,当所述侦测信号表明所述功率信号的电压电平落入不同于所述第一电压范围的第二电压范围内时,所述控制器则进入不同于所述第一运作状态的第二运作状态。
本发明另一个实施例提供一种对存储介质的数据访问进行控制的控制器的控制方法,包括:监视功率信号;当所述功率信号的电压电平落入第一电压范围内时,则使所述控制器运作于第一运作状态;以及当所述功率信号的电压电平从所述第一电压范围落入第二电压范围内时,则使所述控制器运作于不同于所述第一运作状态的第二运作状态。
通过利用本发明,能够及时侦测到功率信号的异常,避免了功率信号异常对存储子系统的数据访问造成的损害。
如下详述其他实施例和优势。本部分内容并非对发明作限定,本发明范围由权利要求所限定。
附图说明
图1是根据本发明的存储子系统的第一实施例的示意图。
图2是图1所示的电压侦测器的一个示范性实施例的电路示意图。
图3是侦测信号与功率信号之间的关系示意图。
图4是包含电压侦测器和控制器的控制器芯片的示意图。
图5是根据本发明的存储子系统的第二实施例的示意图。
图6是包含电压侦测器和控制器的控制器芯片的示意图。
图7是根据本发明一存储子系统中控制器的通用控制方法流程图。
具体实施方式
在权利要求书及说明书当中使用了某些词汇来指称特定的元件。所属领域中的普通技术人员应可理解,硬件制造商可能会用不同的名词来称呼同一个元件。本发明的权利要求书及说明书并不以名称的差异来作为区分元件的方式,而是以元件在功能上的差异来作为区分的准则。在通篇说明书及后续的请求项当中所提及的“包含”为开放式的用语,故应解释成“包含但不限定于”。以外,“耦接”一词在此包含任何直接及间接的电气连接手段。因此,若文中描述第一装置耦接于第二装置,则代表该第一装置可直接电气连接于该第二装置,或通过其它装置或连接手段间接地电气连接至该第二装置。
本发明通过监视功率信号来侦测其异常,且在侦测到功率信号的异常时告知存储子系统的控制器。这样,存储子系统的控制器能够通过接收功率异常通知来采取动作。为了更加清楚的理解本发明,如下例举多个示范性实施例对发明进行说明。
图1是根据本发明的存储子系统的第一实施例的示意图。示范性存储子系统100包括存储控制装置102、第一存储介质104和调节器106,其中存储控制装置102包括控制器108、电压侦测器110和第二存储介质112。举例来说,第一存储介质104可以是非易失性存储介质(例如闪存),第二存储介质112可以是易失性存储介质,其中易失性存储介质例如是动态随机存取存储器(DRAM),控制器108是闪存存储器控制器。调节器106从主机116处接收外部电源Pext,并相应地产生功率信号Pin,以便为存储子系统100中包含的其他元件提供动力。控制器108经由主机接口114与主机116通信,且控制器108用于控制第一存储介质104的数据访问(读取/记录)。举例来说,若控制器108自主机116接收一读取请求,作为对读取请求的响应,控制器108则通过从第一存储介质104中读取存储的数据并将读出的数据传送至主机116。此外,若控制器108自主机116接收一写入请求和需要记录的数据,作为对写入请求的响应,控制器108则将接收的数据写入第一存储介质104。
电压侦测器110耦接于控制器108,用于监视存储子系统100的功率状态(power status)。在本示范性实施例中,电压侦测器110通过监视调节器106所产生的功率信号Pin(即控制器108接收的功率信号)来识别存储子系统100的实时功率状态。若侦测到功率信号Pin的异常,电压侦测器110则输出侦测信号SD至控制器108,若未侦测到功率信号Pin的异常,电压侦测器110则不输出侦测信号SD。
图2是图1所示的电压侦测器110的一个示范性实施例的电路示意图。电压侦测器110包括分压器202、电压产生器204和比较器206。分压器202根据电阻器R1和R2的电阻值对功率信号Pin的电压电平Vin进行分压,并产生一监视电压VM至比较器206。监视电压VM可简单表示如下:
Figure GSA00000082778200041
电压产生器204用于提供独立供应的(supply-independent)参考电压VREF至比较器206。比较器206比较监视电压VM与参考电压VREF以使侦测信号SD有效/无效(assert/deassert)。举例来说,若发现监视电压VM低于参考电压VREF,则意味着电压电平Vin低于预设阈值VTH(图中未示),比较器206产生逻辑高(logic-high)输出以使能侦测信号SD(使侦测信号SD有效)。然而,若发现监视电压VM高于参考电压VREF,则意味着电压电平Vin高于预设阈值VTH,比较器206产生逻辑低(logic-low)输出以使侦测信号SD无效。这样,侦测信号SD可用于表明功率信号Pin的电压电平Vin是在第一电压范围内(比如VTH<Vin≤VR,其中VR代表功率信号Pin的常规电压电平)还是第二电压范围内(比如0<Vin<VTH)。
在上述的例子中,当发现功率信号Pin的电压电平Vin低于预设阈值VTH时,电压侦测器110则侦测到功率异常的发生。然而,在电压侦测器110的另一设计中,当发现功率信号Pin的电压电平Vin高于预设阈值VTH时才能侦测到功率异常的发生。此仍遵循本发明的精神,属于发明所保护的范畴。
控制器108参考侦测信号SD以将其运作状态转换至正常状态或者功率异常状态。图3是侦测信号SD与功率信号Pin之间的关系示意图。从图中可以看到,在功率信号Pin的电压电平Vin低于预设阈值VTH之前,控制器108运作在正常状态下。当功率信号Pin的电压电平Vin低于预设阈值VTH时,电压侦测器110判定侦测到功率信号Pin的异常并使能侦测信号SD以告知控制器108。因此,通过接收电压侦测器110使能的侦测信号SD,控制器108离开正常状态,进入功率异常状态。在使能侦测信号SD之后,若功率信号Pin的电压电平Vin增加到超过默认阈值VTH,电压侦测器110则判定未侦测到功率信号Pin的异常并相应地使侦测信号SD无效。因此,当控制器108获知侦测信号SD被电压侦测器110无效时,控制器108则离开异常状态,进入功率正常状态。
在本实施例中,为了避免由于功率异常导致存储子系统100中存储的数据缺失,控制器108进一步对电压侦测器110使能的侦测信号SD作出响应。举例来说,作为缓冲器的第二存储介质112可由一易失性存储介质实现。因此,系统信息和用户数据DATA_U在第二存储介质112中缓冲以实现更好的性能,其中系统信息比如用于将主机116的逻辑地址转换为第一存储介质104的物理地址的列表TB,DATA_U比如等待记录到第一存储介质104中的数据或者等待传递至主机116的读出数据。一种情况中,第一存储介质104是一闪存存储器,列表TB是闪存的FTL列表。控制器108的预设动作可包括将第二存储介质112中存储的数据的备份记录到第一存储介质104中及/或拒绝请求,比如主机116发出的用于访问第一存储介质104的读请求或写请求。第二存储介质112中存储的数据的备份可包括列表TB及/或用户数据DATA_U。
此外,若第一存储介质104包括至少具有不同固有访问速度的第一存储区域SR_1和第二存储区域SR_2。第二存储介质112中存储的数据的备份将存储至具有较快访问速度的一个存储区域中(例如第一存储区域SR_1)。举例来说,第一存储介质104可由一闪存存储器实现,该闪存在相同区块中具有第一页群组(page group)和第二页群组,其中第一页群组中包含的每个页的程序时间(program time)短于第二页群组中包含的每个页的程序时间。因此,第二存储介质112中存储的数据的备份将存储在第一页群组中选择的页中。
如图1所示,电压侦测器110和控制器108是存储子系统100中的独立元件(individual element)。然而,电压侦测器110可嵌入到控制器108中形成一个单独元件。请参照图4,图4是包含电压侦测器110和控制器108的控制器芯片400的示意图。因此,控制器芯片400具有电压侦测器110和控制器108的功能,且可用于图1所示的存储子系统100中。此种存储子系统的设计仍遵循本发明的精神,属于本发明保护的范畴。
图5是根据本发明的存储子系统的第二实施例的示意图。存储子系统500包括存储控制装置502、存储介质504、前述调节器106和访问机构506。其中存储控制装置502包括控制器508和前述电压侦测器110。调节器106从主机116处接收电源Pext,并相应地产生功率信号Pin,以便为存储子系统500中包含的其他元件提供动力。控制器508经由主机接口114与主机116通信,且控制器508用于控制第一存储介质104的数据访问。存储子系统100和500的主要区别在于控制器508不能直接访问存储介质504。举例来说,需要机械装置来访问存储介质504。因此,控制器508通过存储机构506从存储介质504中读取数据或将数据写入存储介质504。在本示范性实施例中,存储介质104是一光存储介质(比如光盘),访问机构506包括光学读取头(opticalpick-up unit,OPU)510和伺服系统512。然而,此仅为说明发明的目的。任何其他已知架构均可用于实现对光存储介质进行访问的访问机构506。此外,光存储领域的技术人员可轻易了解将数据记录到光存储介质上和从光存储介质中读取数据的细节,此处为简洁,对访问机构506不作赘述。
如上所述,电压侦测器110能够用于监视存储子系统的功率状态(powerstatus),并告知控制器508存储子系统的实时功率状态。在本示范性实施例中,电压侦测器110通过监视调节器106所产生的功率信号Pin(即控制器508接收的功率信号Pin)。相似地,在侦测到功率信号Pin异常时,电压侦测器110会使能侦测信号SD以告知控制器508。电压侦测器110的细节已于上述段落中描述,此处为简洁,不再赘述。
相似于图1所示的控制器108,控制器508从电压侦测器110处接收侦测信号SD,并根据侦测信号SD将其运作状态转换至正常状态或者功率异常状态,如图3所示。在本实施例中,为了提升存储子系统500的数据访问性能及/或防止由于功率异常导致的存储介质(如光盘)504的损坏,控制器508进一步对电压侦测器110使能的侦测信号SD作出默认动作。举例来说,控制器508所采取的预设动作包括降低对访问存储介质504的请求的处理速度、暂停存储介质504的当前数据访问及/或拒绝请求,其中降低动作比如降低记录(编码)或读取(译码)速度以减少总体系统功率损耗;暂停动作比如假使由于不规则的写入功率导致光盘损坏,则暂停记录处理;拒绝动作比如拒绝主机116发出的用于访问第一存储介质504的读取请求或写入请求。
如图5所示,电压侦测器110和控制器508是存储子系统500中的独立元件。然而,电压侦测器110可嵌入到控制器508中形成一个单独元件。请参照图6,图6是包含电压侦测器110和控制器508的控制器芯片600的示意图。因此,控制器芯片600具有电压侦测器110和控制器508的功能,且可用于图5所示的存储子系统500中。此种存储子系统的设计仍遵循本发明的精神,属于本发明保护的范畴。
请注意,存储介质104可以是磁存储介质,比如硬盘,访问机构506可包含访问磁存储介质所需的元件。此种设计仍遵循本发明的精神,属于本发明保护的范畴。
图7是根据本发明一存储子系统中控制器的通用控制方法的流程图。若结果实质上相同,则并不需完全按照图7所示的步骤执行。控制示范性控制器108或508操作的通用控制方法包括如下步骤:
步骤700:开始。
步骤702:控制器进入第一运作状态(比如正常状态)以控制存储介质(比如非易失性存储介质)的数据访问。
步骤704:电压侦测器监视功率信号以侦测其异常,并相应地产生侦测信号,其中,当侦测到功率信号的异常时使能侦测信号,在未侦测到功率信号的异常时使侦测信号无效。
步骤706:控制器接收侦测信号,并检查侦测信号的逻辑电平。若侦测信号有效,则表明发生了功率异常,流程进行至步骤708;若侦测信号无效,则表明未发生功率异常,流程返回至步骤702。
步骤708:控制器进入第二运作状态(比如功率异常状态)以采取预设行动。流程进行至步骤704。
在阅读了如上段落关于示范性存储子系统100和500的内容后,习知技艺者可轻易了解图7所示的每个步骤的详细情况,此处为简洁,不再赘述。
虽然本发明已就较佳实施例揭露如上,然其并非用以限定本发明。本发明所属技术领域中普通技术人员,在不脱离本发明的精神和范围内,当可作各种的变更和润饰。因此,本发明的保护范围当视之前的权利要求书所界定为准。

Claims (24)

1.一种用于第一存储介质的存储控制装置,其特征在于,包括:
控制器,用于控制所述第一存储介质的数据访问;以及
电压侦测器,耦接于所述控制器,用于监视功率信号并在侦测到所述功率信号的异常时使能侦测信号以告知所述控制器。
2.如权利要求1所述用于第一存储介质的存储控制装置,其特征在于,所述控制器在被告知所述侦测信号时进一步对所述功率信号的异常采取默认动作。
3.如权利要求2所述用于第一存储介质的存储控制装置,其特征在于,所述存储控制装置更包括:
第二存储介质,耦接于所述控制器,用于存储所述控制器可访问的数据;
其中所述预设动作包括将存储在所述第二存储介质中的所述数据的备份记录到所述第一存储介质中。
4.如权利要求3所述用于第一存储介质的存储控制装置,其特征在于,所述第二存储介质中的所述数据的所述备份包括列表,所述列表用于将主机的逻辑地址转换为所述第一存储介质的物理地址。
5.如权利要求3所述用于第一存储介质的存储控制装置,其特征在于,所述第二存储介质中的所述数据的所述备份包括用户数据。
6.如权利要求3所述用于第一存储介质的存储控制装置,其特征在于,所述第一存储介质包括第一存储区域和第二存储区域,所述第一存储区域的固有访问速度快于所述第二存储区域的固有访问速度;且所述第二存储介质中存储的所述数据的所述备份存储至所述第一存储区域中。
7.如权利要求2所述用于第一存储介质的存储控制装置,其特征在于,所述默认动作包括降低对访问所述第一存储介质的请求的处理速度、暂停所述第一存储介质的当前数据访问及/或拒绝所述主机发出的用于访问所述第一存储介质的请求。
8.如权利要求2所述用于第一存储介质的存储控制装置,其特征在于,所述控制器经由主机接口与主机通信。
9.如权利要求1所述用于第一存储介质的存储控制装置,其特征在于,在使能所述侦测信号之后,若未侦测到所述功率信号的异常,所述电压侦测器进一步使所述侦测信号无效。
10.如权利要求1所述用于第一存储介质的存储控制装置,其特征在于,当监视的功率信号的电压电平低于预设阈值时,所述电压侦测器判定侦测到所述功率信号的异常。
11.如权利要求1所述用于第一存储介质的存储控制装置,其特征在于,所述控制器和所述电压侦测器整合在一个控制器芯片中。
12.如权利要求1所述用于第一存储介质的存储控制装置,其特征在于,所述第一存储介质是非易失性存储介质。
13.如权利要求12所述用于第一存储介质的存储控制装置,其特征在于,所述非易失性存储介质是非易失性存储器或光存储介质。
14.一种用于第一存储介质的存储控制装置,其特征在于,包括:
电压侦测器,用于监视功率信号以产生侦测信号;以及
控制器,耦接于所述电压侦测器,用于控制所述第一存储介质的数据访问;其中当所述侦测信号表明所述功率信号的电压电平落入第一电压范围内时,所述控制器则进入第一运作状态;当所述侦测信号表明所述功率信号的电压电平落入不同于所述第一电压范围的第二电压范围内时,所述控制器则进入不同于所述第一运作状态的第二运作状态。
15.如权利要求14所述用于第一存储介质的存储控制装置,其特征在于,所述存储控制装置更包括:
第二存储介质,耦接于所述控制器,用于存储所述控制器可访问的数据;
其中当所述控制器运作于所述第二运作状态下时,所述控制器则将所述第二存储介质中存储的所述数据的备份记录到所述第一存储介质中。
16.如权利要求15所述用于第一存储介质的存储控制装置,其特征在于,所述第二存储介质中存储的所述数据的所述备份包括列表,所述列表用于将主机的逻辑地址转换为所述第一存储介质的物理地址。
17.如权利要求15所述用于第一存储介质的存储控制装置,其特征在于,所述第二存储介质中存储的所述数据的所述备份包括用户数据。
18.如权利要求15所述用于第一存储介质的存储控制装置,其特征在于,所述第一存储介质包括第一存储区域和第二存储区域,所述第一存储区域的固有访问速度快于所述第二存储区域的固有访问速度;且所述第二存储介质中存储的所述数据的所述备份存储至所述第一存储区域。
19.如权利要求14所述用于第一存储介质的存储控制装置,其特征在于,当所述控制器运作于所述第二运作状态下时,所述控制器降低对访问所述第一存储介质的请求的处理速度、暂停所述第一存储介质的当前数据访问及/或拒绝所述主机发出的用于访问所述第一存储介质的请求。
20.如权利要求14所述用于第一存储介质的存储控制装置,其特征在于,所述控制器经由主机接口与主机通信。
21.如权利要求14所述用于第一存储介质的存储控制装置,其特征在于,所述控制器和所述电压侦测器整合在一个控制器芯片中。
22.如权利要求14所述用于第一存储介质的存储控制装置,其特征在于,所述第一存储介质是非易失性存储介质。
23.如权利要求22所述用于第一存储介质的存储控制装置,其特征在于,所述非易失性存储介质是非易失性存储器或光存储介质。
24.一种数据访问的控制方法,用于控制控制器对存储介质的数据访问,其特征在于,所述数据访问的控制方法包括:
监视功率信号;
当所述功率信号的电压电平落入第一电压范围内时,则使所述控制器运作于第一运作状态;以及
当所述功率信号的电压电平从所述第一电压范围落入第二电压范围内时,则使所述控制器运作于不同于所述第一运作状态的第二运作状态。
CN201010158315.0A 2009-06-30 2010-04-28 用于存储介质的存储控制装置及其数据访问的控制方法 Pending CN101937318A (zh)

Applications Claiming Priority (4)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US22156909P 2009-06-30 2009-06-30
US61/221,569 2009-06-30
US12/727,256 2010-03-19
US12/727,256 US20100332887A1 (en) 2009-06-30 2010-03-19 Storage control device having controller operated according to detection signal derived from monitoring power signal and related method thereof

Publications (1)

Publication Number Publication Date
CN101937318A true CN101937318A (zh) 2011-01-05

Family

ID=43382094

Family Applications (3)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201010158315.0A Pending CN101937318A (zh) 2009-06-30 2010-04-28 用于存储介质的存储控制装置及其数据访问的控制方法
CN2010101671467A Pending CN101937710A (zh) 2009-06-30 2010-05-10 固态磁盘驱动和管理存储装置的方法
CN201010213676.0A Active CN101937724B (zh) 2009-06-30 2010-06-30 用于执行拷贝回存操作的方法以及闪存存储设备

Family Applications After (2)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN2010101671467A Pending CN101937710A (zh) 2009-06-30 2010-05-10 固态磁盘驱动和管理存储装置的方法
CN201010213676.0A Active CN101937724B (zh) 2009-06-30 2010-06-30 用于执行拷贝回存操作的方法以及闪存存储设备

Country Status (3)

Country Link
US (3) US20100332922A1 (zh)
CN (3) CN101937318A (zh)
TW (3) TWI406126B (zh)

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN103377009A (zh) * 2012-04-20 2013-10-30 内存技术有限责任公司 管理存储器模块中的操作状态数据
US9208078B2 (en) 2009-06-04 2015-12-08 Memory Technologies Llc Apparatus and method to share host system RAM with mass storage memory RAM
US9367486B2 (en) 2008-02-28 2016-06-14 Memory Technologies Llc Extended utilization area for a memory device
CN108536622A (zh) * 2017-03-06 2018-09-14 爱思开海力士有限公司 存储装置、数据处理系统以及操作存储装置的方法

Families Citing this family (148)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
FR2847695B1 (fr) * 2002-11-25 2005-03-11 Oberthur Card Syst Sa Entite electronique securisee integrant la gestion de la duree de vie d'un objet
US8261158B2 (en) 2009-03-13 2012-09-04 Fusion-Io, Inc. Apparatus, system, and method for using multi-level cell solid-state storage as single level cell solid-state storage
US8266503B2 (en) 2009-03-13 2012-09-11 Fusion-Io Apparatus, system, and method for using multi-level cell storage in a single-level cell mode
KR101586047B1 (ko) 2009-03-25 2016-01-18 삼성전자주식회사 불휘발성 메모리 장치 및 그것의 프로그램 방법
KR101062755B1 (ko) * 2009-07-29 2011-09-06 주식회사 하이닉스반도체 Ecc 회로를 포함하는 반도체 메모리 시스템 및 그 제어 방법
US8854882B2 (en) 2010-01-27 2014-10-07 Intelligent Intellectual Property Holdings 2 Llc Configuring storage cells
US8661184B2 (en) 2010-01-27 2014-02-25 Fusion-Io, Inc. Managing non-volatile media
KR101663158B1 (ko) * 2010-01-29 2016-10-06 삼성전자 주식회사 반도체 메모리 시스템
US9245653B2 (en) 2010-03-15 2016-01-26 Intelligent Intellectual Property Holdings 2 Llc Reduced level cell mode for non-volatile memory
US8656256B2 (en) * 2010-07-07 2014-02-18 Stec, Inc. Apparatus and method for multi-mode operation of a flash memory device
JP5651457B2 (ja) * 2010-12-15 2015-01-14 株式会社東芝 半導体記憶装置
KR20120097862A (ko) * 2011-02-25 2012-09-05 삼성전자주식회사 데이터 저장 시스템 및 그의 데이터 맵핑 방법
CN102693760B (zh) * 2011-03-24 2015-07-15 扬智科技股份有限公司 Nand快闪存储器的错误校正方法
US9176810B2 (en) * 2011-05-27 2015-11-03 SanDisk Technologies, Inc. Bit error reduction through varied data positioning
US8886911B2 (en) * 2011-05-31 2014-11-11 Micron Technology, Inc. Dynamic memory cache size adjustment in a memory device
CN102890645B (zh) * 2011-07-20 2015-11-25 群联电子股份有限公司 存储器储存装置、存储器控制器与数据写入方法
US8995196B2 (en) * 2011-08-15 2015-03-31 Skymedi Corporation Method of sorting a multi-bit per cell non-volatile memory and a multi-mode configuration method
KR20130052971A (ko) 2011-11-14 2013-05-23 삼성전자주식회사 비휘발성 메모리 장치의 동작 방법
JP5942512B2 (ja) * 2012-03-19 2016-06-29 富士通株式会社 ストレージ制御装置およびストレージシステム
US9183085B1 (en) 2012-05-22 2015-11-10 Pmc-Sierra, Inc. Systems and methods for adaptively selecting from among a plurality of error correction coding schemes in a flash drive for robustness and low latency
US9021336B1 (en) 2012-05-22 2015-04-28 Pmc-Sierra, Inc. Systems and methods for redundantly storing error correction codes in a flash drive with secondary parity information spread out across each page of a group of pages
US9021333B1 (en) 2012-05-22 2015-04-28 Pmc-Sierra, Inc. Systems and methods for recovering data from failed portions of a flash drive
US9176812B1 (en) 2012-05-22 2015-11-03 Pmc-Sierra, Inc. Systems and methods for storing data in page stripes of a flash drive
US8793556B1 (en) 2012-05-22 2014-07-29 Pmc-Sierra, Inc. Systems and methods for reclaiming flash blocks of a flash drive
US9021337B1 (en) 2012-05-22 2015-04-28 Pmc-Sierra, Inc. Systems and methods for adaptively selecting among different error correction coding schemes in a flash drive
US8972824B1 (en) 2012-05-22 2015-03-03 Pmc-Sierra, Inc. Systems and methods for transparently varying error correction code strength in a flash drive
US8788910B1 (en) 2012-05-22 2014-07-22 Pmc-Sierra, Inc. Systems and methods for low latency, high reliability error correction in a flash drive
US8996957B1 (en) 2012-05-22 2015-03-31 Pmc-Sierra, Inc. Systems and methods for initializing regions of a flash drive having diverse error correction coding (ECC) schemes
US9047214B1 (en) 2012-05-22 2015-06-02 Pmc-Sierra, Inc. System and method for tolerating a failed page in a flash device
TWI477104B (zh) * 2012-09-13 2015-03-11 Mstar Semiconductor Inc 錯誤校正裝置與錯誤校正方法
KR102025263B1 (ko) * 2012-10-05 2019-09-25 삼성전자주식회사 메모리 시스템 및 그것의 읽기 교정 방법
KR101997794B1 (ko) 2012-12-11 2019-07-09 삼성전자주식회사 메모리 제어기 및 그것을 포함한 메모리 시스템
CN103116550A (zh) * 2013-01-11 2013-05-22 深圳市硅格半导体有限公司 切换闪存中物理块工作模式的方法和装置
US9043668B2 (en) * 2013-02-08 2015-05-26 Seagate Technology Llc Using ECC data for write deduplication processing
US9026867B1 (en) 2013-03-15 2015-05-05 Pmc-Sierra, Inc. Systems and methods for adapting to changing characteristics of multi-level cells in solid-state memory
US9053012B1 (en) 2013-03-15 2015-06-09 Pmc-Sierra, Inc. Systems and methods for storing data for solid-state memory
US10042750B2 (en) 2013-03-15 2018-08-07 Micron Technology, Inc. Apparatuses and methods for adaptive control of memory using an adaptive memory controller with a memory management hypervisor
US9208018B1 (en) 2013-03-15 2015-12-08 Pmc-Sierra, Inc. Systems and methods for reclaiming memory for solid-state memory
US9081701B1 (en) 2013-03-15 2015-07-14 Pmc-Sierra, Inc. Systems and methods for decoding data for solid-state memory
US9009565B1 (en) 2013-03-15 2015-04-14 Pmc-Sierra, Inc. Systems and methods for mapping for solid-state memory
CN104217762B (zh) * 2013-05-31 2017-11-24 慧荣科技股份有限公司 数据储存装置及其错误校正方法以及数据读取方法
US9519577B2 (en) 2013-09-03 2016-12-13 Sandisk Technologies Llc Method and system for migrating data between flash memory devices
US9442670B2 (en) 2013-09-03 2016-09-13 Sandisk Technologies Llc Method and system for rebalancing data stored in flash memory devices
US8838936B1 (en) * 2013-11-27 2014-09-16 NXGN Data, Inc. System and method for efficient flash translation layer
US20150169406A1 (en) * 2013-12-16 2015-06-18 Sandisk Technologies Inc. Decoding techniques for a data storage device
US9553608B2 (en) 2013-12-20 2017-01-24 Sandisk Technologies Llc Data storage device decoder and method of operation
CN103927262A (zh) * 2014-03-21 2014-07-16 深圳市硅格半导体有限公司 闪存物理块的控制方法及装置
US9495232B2 (en) * 2014-03-28 2016-11-15 Intel IP Corporation Error correcting (ECC) memory compatibility
JP6269253B2 (ja) * 2014-03-29 2018-01-31 富士通株式会社 分散ストレージシステム、記憶装置制御方法、および記憶装置制御プログラム
CN103942151A (zh) * 2014-04-10 2014-07-23 深圳市硅格半导体有限公司 闪存的数据存储方法及装置
CN103984506B (zh) * 2014-04-30 2017-06-30 深圳市江波龙电子有限公司 闪存存储设备数据写的方法和系统
US9645749B2 (en) 2014-05-30 2017-05-09 Sandisk Technologies Llc Method and system for recharacterizing the storage density of a memory device or a portion thereof
US8891303B1 (en) 2014-05-30 2014-11-18 Sandisk Technologies Inc. Method and system for dynamic word line based configuration of a three-dimensional memory device
US9972393B1 (en) * 2014-07-03 2018-05-15 Avago Technologies General Ip (Singapore) Pte. Ltd. Accelerating programming of a flash memory module
CN105320464B (zh) * 2014-07-21 2018-07-31 群联电子股份有限公司 防止读取干扰的方法、存储器控制电路单元与存储装置
US20160041760A1 (en) * 2014-08-08 2016-02-11 International Business Machines Corporation Multi-Level Cell Flash Memory Control Mechanisms
US9524112B2 (en) 2014-09-02 2016-12-20 Sandisk Technologies Llc Process and apparatus to reduce declared capacity of a storage device by trimming
US9582220B2 (en) * 2014-09-02 2017-02-28 Sandisk Technologies Llc Notification of trigger condition to reduce declared capacity of a storage device in a multi-storage-device storage system
US9563362B2 (en) 2014-09-02 2017-02-07 Sandisk Technologies Llc Host system and process to reduce declared capacity of a storage device by trimming
US9665311B2 (en) 2014-09-02 2017-05-30 Sandisk Technologies Llc Process and apparatus to reduce declared capacity of a storage device by making specific logical addresses unavailable
US9563370B2 (en) 2014-09-02 2017-02-07 Sandisk Technologies Llc Triggering a process to reduce declared capacity of a storage device
US9652153B2 (en) 2014-09-02 2017-05-16 Sandisk Technologies Llc Process and apparatus to reduce declared capacity of a storage device by reducing a count of logical addresses
US9582212B2 (en) * 2014-09-02 2017-02-28 Sandisk Technologies Llc Notification of trigger condition to reduce declared capacity of a storage device
US9582203B2 (en) * 2014-09-02 2017-02-28 Sandisk Technologies Llc Process and apparatus to reduce declared capacity of a storage device by reducing a range of logical addresses
US9519427B2 (en) 2014-09-02 2016-12-13 Sandisk Technologies Llc Triggering, at a host system, a process to reduce declared capacity of a storage device
US9582202B2 (en) 2014-09-02 2017-02-28 Sandisk Technologies Llc Process and apparatus to reduce declared capacity of a storage device by moving data
US9552166B2 (en) 2014-09-02 2017-01-24 Sandisk Technologies Llc. Process and apparatus to reduce declared capacity of a storage device by deleting data
US9524105B2 (en) 2014-09-02 2016-12-20 Sandisk Technologies Llc Process and apparatus to reduce declared capacity of a storage device by altering an encoding format
US9582193B2 (en) * 2014-09-02 2017-02-28 Sandisk Technologies Llc Triggering a process to reduce declared capacity of a storage device in a multi-storage-device storage system
US9852799B2 (en) * 2014-11-19 2017-12-26 Sandisk Technologies Llc Configuration parameter management for non-volatile data storage
TWI578320B (zh) 2014-11-25 2017-04-11 旺宏電子股份有限公司 記憶體的操作方法及應用其之記憶體裝置
CN105843748B (zh) 2015-01-15 2019-06-11 华为技术有限公司 一种对内存中内存页的处理方法及装置
TWI573142B (zh) * 2015-02-02 2017-03-01 慧榮科技股份有限公司 資料儲存裝置以及資料維護方法
CN105988716A (zh) * 2015-02-09 2016-10-05 深圳市硅格半导体有限公司 存储装置及其模式转换的方法
US9639282B2 (en) 2015-05-20 2017-05-02 Sandisk Technologies Llc Variable bit encoding per NAND flash cell to improve device endurance and extend life of flash-based storage devices
US9606737B2 (en) 2015-05-20 2017-03-28 Sandisk Technologies Llc Variable bit encoding per NAND flash cell to extend life of flash-based storage devices and preserve over-provisioning
CN106356093B (zh) * 2015-07-17 2019-11-01 旺宏电子股份有限公司 存储器的操作方法及应用其的存储器装置
US10096355B2 (en) * 2015-09-01 2018-10-09 Sandisk Technologies Llc Dynamic management of programming states to improve endurance
WO2017075747A1 (en) * 2015-11-02 2017-05-11 Shine Bright Technology Limited Methods, systems, and media for programming storage device
CN106843744B (zh) * 2015-12-03 2020-05-26 群联电子股份有限公司 数据程序化方法与存储器储存装置
US9946483B2 (en) 2015-12-03 2018-04-17 Sandisk Technologies Llc Efficiently managing unmapped blocks to extend life of solid state drive with low over-provisioning
US9946473B2 (en) 2015-12-03 2018-04-17 Sandisk Technologies Llc Efficiently managing unmapped blocks to extend life of solid state drive
KR20170076883A (ko) * 2015-12-24 2017-07-05 에스케이하이닉스 주식회사 메모리 시스템 및 그의 동작방법
US9910772B2 (en) 2016-04-27 2018-03-06 Silicon Motion Inc. Flash memory apparatus and storage management method for flash memory
US10025662B2 (en) 2016-04-27 2018-07-17 Silicon Motion Inc. Flash memory apparatus and storage management method for flash memory
US10110255B2 (en) 2016-04-27 2018-10-23 Silicon Motion Inc. Method for accessing flash memory module and associated flash memory controller and memory device
US10289487B2 (en) 2016-04-27 2019-05-14 Silicon Motion Inc. Method for accessing flash memory module and associated flash memory controller and memory device
US10133664B2 (en) 2016-04-27 2018-11-20 Silicon Motion Inc. Method, flash memory controller, memory device for accessing 3D flash memory having multiple memory chips
US10019314B2 (en) 2016-04-27 2018-07-10 Silicon Motion Inc. Flash memory apparatus and storage management method for flash memory
CN107391026B (zh) 2016-04-27 2020-06-02 慧荣科技股份有限公司 闪存装置及闪存存储管理方法
CN111679787B (zh) 2016-04-27 2023-07-18 慧荣科技股份有限公司 闪存装置、闪存控制器及闪存存储管理方法
US10983865B2 (en) * 2016-08-01 2021-04-20 Hewlett Packard Enterprise Development Lp Adjusting memory parameters
JP6730604B2 (ja) * 2016-11-01 2020-07-29 富士通株式会社 制御回路、半導体記憶装置、及び半導体記憶装置の制御方法
US10452282B2 (en) 2017-04-07 2019-10-22 Micron Technology, Inc. Memory management
US10346335B1 (en) * 2017-07-11 2019-07-09 American Megatrends, Inc. Solid-state drive dock having local and network interfaces
CN107689796B (zh) * 2017-07-28 2021-03-26 同济大学 一种基于先验信息的无损压缩文件容错解压方法
US10877898B2 (en) 2017-11-16 2020-12-29 Alibaba Group Holding Limited Method and system for enhancing flash translation layer mapping flexibility for performance and lifespan improvements
US10496548B2 (en) 2018-02-07 2019-12-03 Alibaba Group Holding Limited Method and system for user-space storage I/O stack with user-space flash translation layer
WO2019222958A1 (en) 2018-05-24 2019-11-28 Alibaba Group Holding Limited System and method for flash storage management using multiple open page stripes
US11209998B2 (en) 2018-06-11 2021-12-28 Western Digital Technologies, Inc. Adjustment of storage device parameters based on workload characteristics
CN111902804B (zh) 2018-06-25 2024-03-01 阿里巴巴集团控股有限公司 用于管理存储设备的资源并量化i/o请求成本的系统和方法
US10921992B2 (en) 2018-06-25 2021-02-16 Alibaba Group Holding Limited Method and system for data placement in a hard disk drive based on access frequency for improved IOPS and utilization efficiency
US10996886B2 (en) 2018-08-02 2021-05-04 Alibaba Group Holding Limited Method and system for facilitating atomicity and latency assurance on variable sized I/O
US11327929B2 (en) 2018-09-17 2022-05-10 Alibaba Group Holding Limited Method and system for reduced data movement compression using in-storage computing and a customized file system
CN109388343B (zh) * 2018-09-26 2020-08-28 深圳市德明利技术股份有限公司 一种数据存储方法及存储器
CN111324283B (zh) * 2018-12-14 2024-02-20 兆易创新科技集团股份有限公司 一种存储器
CN111324291B (zh) * 2018-12-14 2024-02-20 兆易创新科技集团股份有限公司 一种存储器
US10977122B2 (en) 2018-12-31 2021-04-13 Alibaba Group Holding Limited System and method for facilitating differentiated error correction in high-density flash devices
US11061735B2 (en) 2019-01-02 2021-07-13 Alibaba Group Holding Limited System and method for offloading computation to storage nodes in distributed system
US11132291B2 (en) 2019-01-04 2021-09-28 Alibaba Group Holding Limited System and method of FPGA-executed flash translation layer in multiple solid state drives
US11200337B2 (en) 2019-02-11 2021-12-14 Alibaba Group Holding Limited System and method for user data isolation
US10970212B2 (en) 2019-02-15 2021-04-06 Alibaba Group Holding Limited Method and system for facilitating a distributed storage system with a total cost of ownership reduction for multiple available zones
US11061834B2 (en) 2019-02-26 2021-07-13 Alibaba Group Holding Limited Method and system for facilitating an improved storage system by decoupling the controller from the storage medium
US10891065B2 (en) * 2019-04-01 2021-01-12 Alibaba Group Holding Limited Method and system for online conversion of bad blocks for improvement of performance and longevity in a solid state drive
US10922234B2 (en) 2019-04-11 2021-02-16 Alibaba Group Holding Limited Method and system for online recovery of logical-to-physical mapping table affected by noise sources in a solid state drive
US10908960B2 (en) 2019-04-16 2021-02-02 Alibaba Group Holding Limited Resource allocation based on comprehensive I/O monitoring in a distributed storage system
US11169873B2 (en) 2019-05-21 2021-11-09 Alibaba Group Holding Limited Method and system for extending lifespan and enhancing throughput in a high-density solid state drive
US10860223B1 (en) 2019-07-18 2020-12-08 Alibaba Group Holding Limited Method and system for enhancing a distributed storage system by decoupling computation and network tasks
US11074124B2 (en) 2019-07-23 2021-07-27 Alibaba Group Holding Limited Method and system for enhancing throughput of big data analysis in a NAND-based read source storage
CN110473586B (zh) * 2019-07-31 2021-05-14 珠海博雅科技有限公司 一种写失效存储单元的替换方法、装置、设备及存储介质
US11617282B2 (en) 2019-10-01 2023-03-28 Alibaba Group Holding Limited System and method for reshaping power budget of cabinet to facilitate improved deployment density of servers
US11126561B2 (en) 2019-10-01 2021-09-21 Alibaba Group Holding Limited Method and system for organizing NAND blocks and placing data to facilitate high-throughput for random writes in a solid state drive
US11449455B2 (en) 2020-01-15 2022-09-20 Alibaba Group Holding Limited Method and system for facilitating a high-capacity object storage system with configuration agility and mixed deployment flexibility
US11150986B2 (en) 2020-02-26 2021-10-19 Alibaba Group Holding Limited Efficient compaction on log-structured distributed file system using erasure coding for resource consumption reduction
US11200114B2 (en) 2020-03-17 2021-12-14 Alibaba Group Holding Limited System and method for facilitating elastic error correction code in memory
US11385833B2 (en) 2020-04-20 2022-07-12 Alibaba Group Holding Limited Method and system for facilitating a light-weight garbage collection with a reduced utilization of resources
US11281575B2 (en) 2020-05-11 2022-03-22 Alibaba Group Holding Limited Method and system for facilitating data placement and control of physical addresses with multi-queue I/O blocks
US11461262B2 (en) 2020-05-13 2022-10-04 Alibaba Group Holding Limited Method and system for facilitating a converged computation and storage node in a distributed storage system
US11494115B2 (en) 2020-05-13 2022-11-08 Alibaba Group Holding Limited System method for facilitating memory media as file storage device based on real-time hashing by performing integrity check with a cyclical redundancy check (CRC)
US11218165B2 (en) 2020-05-15 2022-01-04 Alibaba Group Holding Limited Memory-mapped two-dimensional error correction code for multi-bit error tolerance in DRAM
US11556277B2 (en) 2020-05-19 2023-01-17 Alibaba Group Holding Limited System and method for facilitating improved performance in ordering key-value storage with input/output stack simplification
US11507499B2 (en) 2020-05-19 2022-11-22 Alibaba Group Holding Limited System and method for facilitating mitigation of read/write amplification in data compression
US11263132B2 (en) 2020-06-11 2022-03-01 Alibaba Group Holding Limited Method and system for facilitating log-structure data organization
US11422931B2 (en) 2020-06-17 2022-08-23 Alibaba Group Holding Limited Method and system for facilitating a physically isolated storage unit for multi-tenancy virtualization
US11354200B2 (en) 2020-06-17 2022-06-07 Alibaba Group Holding Limited Method and system for facilitating data recovery and version rollback in a storage device
US11138071B1 (en) 2020-06-22 2021-10-05 Western Digital Technologies, Inc. On-chip parity buffer management for storage block combining in non-volatile memory
US11354233B2 (en) 2020-07-27 2022-06-07 Alibaba Group Holding Limited Method and system for facilitating fast crash recovery in a storage device
US11372774B2 (en) 2020-08-24 2022-06-28 Alibaba Group Holding Limited Method and system for a solid state drive with on-chip memory integration
US11487465B2 (en) 2020-12-11 2022-11-01 Alibaba Group Holding Limited Method and system for a local storage engine collaborating with a solid state drive controller
US11734115B2 (en) 2020-12-28 2023-08-22 Alibaba Group Holding Limited Method and system for facilitating write latency reduction in a queue depth of one scenario
US11416365B2 (en) 2020-12-30 2022-08-16 Alibaba Group Holding Limited Method and system for open NAND block detection and correction in an open-channel SSD
US11726699B2 (en) 2021-03-30 2023-08-15 Alibaba Singapore Holding Private Limited Method and system for facilitating multi-stream sequential read performance improvement with reduced read amplification
US11461173B1 (en) 2021-04-21 2022-10-04 Alibaba Singapore Holding Private Limited Method and system for facilitating efficient data compression based on error correction code and reorganization of data placement
US11476874B1 (en) 2021-05-14 2022-10-18 Alibaba Singapore Holding Private Limited Method and system for facilitating a storage server with hybrid memory for journaling and data storage
CN115686164A (zh) * 2021-07-26 2023-02-03 瑞昱半导体股份有限公司 供电端装置、供电系统以及非暂态电脑可读取媒体
TWI788161B (zh) * 2021-12-27 2022-12-21 技嘉科技股份有限公司 動態調整單級區塊及三級區塊比例的控制方法
US11687290B1 (en) * 2022-01-13 2023-06-27 Silicon Motion, Inc. Method for improve read disturbance phenomenon of flash memory module and associated flash memory controller and electronic device
CN115657972B (zh) * 2022-12-27 2023-06-06 北京特纳飞电子技术有限公司 固态硬盘写入控制方法、装置与固态硬盘

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1770061A (zh) * 2004-11-04 2006-05-10 三星电子株式会社 存储系统、存储器、存储控制器及其方法
CN101446927A (zh) * 2008-12-26 2009-06-03 祥硕科技股份有限公司 闪存系统及其控制方法

Family Cites Families (69)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5283792A (en) * 1990-10-19 1994-02-01 Benchmarq Microelectronics, Inc. Power up/power down controller and power fail detector for processor
US5315549A (en) * 1991-06-11 1994-05-24 Dallas Semiconductor Corporation Memory controller for nonvolatile RAM operation, systems and methods
US5420798A (en) * 1993-09-30 1995-05-30 Macronix International Co., Ltd. Supply voltage detection circuit
US5438549A (en) * 1994-02-28 1995-08-01 Intel Corporation Nonvolatile memory with volatile memory buffer and a backup power supply system
US5539690A (en) * 1994-06-02 1996-07-23 Intel Corporation Write verify schemes for flash memory with multilevel cells
US5485422A (en) * 1994-06-02 1996-01-16 Intel Corporation Drain bias multiplexing for multiple bit flash cell
US5671388A (en) * 1995-05-03 1997-09-23 Intel Corporation Method and apparatus for performing write operations in multi-level cell storage device
JP3200012B2 (ja) * 1996-04-19 2001-08-20 株式会社東芝 記憶システム
US7107480B1 (en) * 2000-12-22 2006-09-12 Simpletech, Inc. System and method for preventing data corruption in solid-state memory devices after a power failure
US6538923B1 (en) * 2001-02-26 2003-03-25 Advanced Micro Devices, Inc. Staircase program verify for multi-level cell flash memory designs
US7554842B2 (en) * 2001-09-17 2009-06-30 Sandisk Corporation Multi-purpose non-volatile memory card
US6714457B1 (en) * 2001-09-19 2004-03-30 Aplus Flash Technology, Inc. Parallel channel programming scheme for MLC flash memory
TW594466B (en) * 2002-06-10 2004-06-21 Micro Star Int Co Ltd Power management method for microprocessor
US7072135B2 (en) * 2002-11-12 2006-07-04 Fujitsu Limited Disk apparatus, head retracting method and head actuator control circuit
JP4073799B2 (ja) * 2003-02-07 2008-04-09 株式会社ルネサステクノロジ メモリシステム
JP4153802B2 (ja) * 2003-02-07 2008-09-24 株式会社ルネサステクノロジ 記憶装置
JP2004265162A (ja) * 2003-03-03 2004-09-24 Renesas Technology Corp 記憶装置およびアドレス管理方法
US7089461B2 (en) * 2003-03-20 2006-08-08 International Business Machines Corporation Method and apparatus for isolating uncorrectable errors while system continues to run
US6856556B1 (en) * 2003-04-03 2005-02-15 Siliconsystems, Inc. Storage subsystem with embedded circuit for protecting against anomalies in power signal from host
JP3878573B2 (ja) * 2003-04-16 2007-02-07 株式会社東芝 不揮発性半導体記憶装置
TWI231901B (en) * 2003-09-19 2005-05-01 Topro Technology Inc Integration control chip having the power control
US7012835B2 (en) * 2003-10-03 2006-03-14 Sandisk Corporation Flash memory data correction and scrub techniques
KR100719380B1 (ko) * 2006-03-31 2007-05-18 삼성전자주식회사 향상된 신뢰성 특성을 갖는 다치 플래시 메모리 장치 및그것을 포함한 메모리 시스템
JP4170952B2 (ja) * 2004-01-30 2008-10-22 株式会社東芝 半導体記憶装置
JP2006031630A (ja) * 2004-07-21 2006-02-02 Hitachi Ltd ストレージ装置及びストレージ装置の消費電力制御方法
TWI258074B (en) * 2004-12-24 2006-07-11 Phison Electronics Corp Method for reducing data error when flash memory storage device executing copy back command
US7221592B2 (en) * 2005-02-25 2007-05-22 Micron Technology, Inc. Multiple level programming in a non-volatile memory device
US7958430B1 (en) * 2005-06-20 2011-06-07 Cypress Semiconductor Corporation Flash memory device and method
KR100616214B1 (ko) * 2005-06-30 2006-08-28 주식회사 하이닉스반도체 멀티-레벨 셀을 가지는 플래시 메모리 장치의 프로그램제어 회로 및 그 프로그램 제어 방법
US7362611B2 (en) * 2005-08-30 2008-04-22 Micron Technology, Inc. Non-volatile memory copy back
KR20070076849A (ko) 2006-01-20 2007-07-25 삼성전자주식회사 메모리 카드의 카피백 동작을 수행하는 장치 및 방법
JP2007280554A (ja) * 2006-04-11 2007-10-25 Hitachi Ltd ストレージ装置の電力供給装置及びストレージ装置の管理方法
JP4821426B2 (ja) * 2006-05-11 2011-11-24 富士ゼロックス株式会社 エラー回復プログラム、エラー回復装置及びコンピュータシステム
US8046660B2 (en) * 2006-08-07 2011-10-25 Marvell World Trade Ltd. System and method for correcting errors in non-volatile memory using product codes
KR100919156B1 (ko) * 2006-08-24 2009-09-28 삼성전자주식회사 멀티-비트 플래시 메모리 장치 및 그것의 프로그램 방법
KR100755718B1 (ko) * 2006-09-04 2007-09-05 삼성전자주식회사 멀티 레벨 셀 플래시 메모리에서 런-타임 배드 블록 관리를위한 장치 및 방법
KR100764747B1 (ko) * 2006-09-15 2007-10-08 삼성전자주식회사 플래시 메모리 장치 및 그것의 프로그램 방법
JP2008090354A (ja) * 2006-09-29 2008-04-17 Hitachi Ltd 電源障害監視方法及びその装置
US7692949B2 (en) * 2006-12-04 2010-04-06 Qimonda North America Corp. Multi-bit resistive memory
JP4939234B2 (ja) * 2007-01-11 2012-05-23 株式会社日立製作所 フラッシュメモリモジュール、そのフラッシュメモリモジュールを記録媒体として用いたストレージ装置及びそのフラッシュメモリモジュールのアドレス変換テーブル検証方法
KR100918707B1 (ko) 2007-03-12 2009-09-23 삼성전자주식회사 플래시 메모리를 기반으로 한 메모리 시스템
CN101681278A (zh) * 2007-03-23 2010-03-24 汤姆森许可贸易公司 用于防止存储介质中错误的系统和方法
WO2009013879A1 (ja) * 2007-07-20 2009-01-29 Panasonic Corporation メモリーコントローラ、及びこれを用いた不揮発性記憶装置
US8200885B2 (en) * 2007-07-25 2012-06-12 Agiga Tech Inc. Hybrid memory system with backup power source and multiple backup an restore methodology
US7865679B2 (en) * 2007-07-25 2011-01-04 AgigA Tech Inc., 12700 Power interrupt recovery in a hybrid memory subsystem
JP2009087509A (ja) * 2007-10-03 2009-04-23 Toshiba Corp 半導体記憶装置
TWI358068B (en) * 2007-10-19 2012-02-11 Phison Electronics Corp Writing method for non-volatile memory and control
US20090106513A1 (en) * 2007-10-22 2009-04-23 Chuang Cheng Method for copying data in non-volatile memory system
JP2009146499A (ja) * 2007-12-13 2009-07-02 Toshiba Corp 不揮発性メモリカード
US8694714B2 (en) * 2008-01-18 2014-04-08 Spansion Llc Retargeting of a write operation retry in the event of a write operation failure
US8271515B2 (en) * 2008-01-29 2012-09-18 Cadence Design Systems, Inc. System and method for providing copyback data integrity in a non-volatile memory system
US8078918B2 (en) * 2008-02-07 2011-12-13 Siliconsystems, Inc. Solid state storage subsystem that maintains and provides access to data reflective of a failure risk
CN101226774A (zh) * 2008-02-15 2008-07-23 祥硕科技股份有限公司 降低闪存装置使用拷贝回去指令时的数据错误的方法
US8060719B2 (en) * 2008-05-28 2011-11-15 Micron Technology, Inc. Hybrid memory management
TWI473117B (zh) * 2008-06-04 2015-02-11 A Data Technology Co Ltd 具資料修正功能之快閃記憶體儲存裝置
US8843691B2 (en) * 2008-06-25 2014-09-23 Stec, Inc. Prioritized erasure of data blocks in a flash storage device
TWI416524B (zh) * 2008-06-25 2013-11-21 Silicon Motion Inc 記憶體裝置和資料儲存方法
US8074012B2 (en) * 2008-07-02 2011-12-06 Silicon Motion, Inc. Flash memory apparatus and method for securing a flash memory from data damage
TWI381274B (zh) * 2008-07-10 2013-01-01 Phison Electronics Corp 用於快閃記憶體的區塊管理方法、儲存系統與控制器
KR101490421B1 (ko) * 2008-07-11 2015-02-06 삼성전자주식회사 메모리 셀 사이의 간섭을 억제할 수 있는 불휘발성 메모리장치, 컴퓨팅 시스템 및 그것의 프로그램 방법
US7864587B2 (en) * 2008-09-22 2011-01-04 Micron Technology, Inc. Programming a memory device to increase data reliability
JP5192352B2 (ja) * 2008-10-30 2013-05-08 株式会社日立製作所 記憶装置及びデータ格納領域管理方法
US8806271B2 (en) * 2008-12-09 2014-08-12 Samsung Electronics Co., Ltd. Auxiliary power supply and user device including the same
US8151137B2 (en) * 2009-05-28 2012-04-03 Lsi Corporation Systems and methods for governing the life cycle of a solid state drive
US9170879B2 (en) * 2009-06-24 2015-10-27 Headway Technologies, Inc. Method and apparatus for scrubbing accumulated data errors from a memory system
US8504860B2 (en) * 2009-06-26 2013-08-06 Seagate Technology Llc Systems, methods and devices for configurable power control with storage devices
US8261136B2 (en) * 2009-06-29 2012-09-04 Sandisk Technologies Inc. Method and device for selectively refreshing a region of a memory of a data storage device
TWI408688B (zh) * 2009-10-12 2013-09-11 Phison Electronics Corp 用於快閃記憶體的資料寫入方法及其控制器與儲存系統
US8656256B2 (en) * 2010-07-07 2014-02-18 Stec, Inc. Apparatus and method for multi-mode operation of a flash memory device

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1770061A (zh) * 2004-11-04 2006-05-10 三星电子株式会社 存储系统、存储器、存储控制器及其方法
CN101446927A (zh) * 2008-12-26 2009-06-03 祥硕科技股份有限公司 闪存系统及其控制方法

Cited By (20)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US10540094B2 (en) 2008-02-28 2020-01-21 Memory Technologies Llc Extended utilization area for a memory device
US11907538B2 (en) 2008-02-28 2024-02-20 Memory Technologies Llc Extended utilization area for a memory device
US11829601B2 (en) 2008-02-28 2023-11-28 Memory Technologies Llc Extended utilization area for a memory device
US9367486B2 (en) 2008-02-28 2016-06-14 Memory Technologies Llc Extended utilization area for a memory device
US11550476B2 (en) 2008-02-28 2023-01-10 Memory Technologies Llc Extended utilization area for a memory device
US11494080B2 (en) 2008-02-28 2022-11-08 Memory Technologies Llc Extended utilization area for a memory device
US11182079B2 (en) 2008-02-28 2021-11-23 Memory Technologies Llc Extended utilization area for a memory device
US9983800B2 (en) 2009-06-04 2018-05-29 Memory Technologies Llc Apparatus and method to share host system RAM with mass storage memory RAM
US10983697B2 (en) 2009-06-04 2021-04-20 Memory Technologies Llc Apparatus and method to share host system RAM with mass storage memory RAM
US11733869B2 (en) 2009-06-04 2023-08-22 Memory Technologies Llc Apparatus and method to share host system RAM with mass storage memory RAM
US11775173B2 (en) 2009-06-04 2023-10-03 Memory Technologies Llc Apparatus and method to share host system RAM with mass storage memory RAM
US9208078B2 (en) 2009-06-04 2015-12-08 Memory Technologies Llc Apparatus and method to share host system RAM with mass storage memory RAM
US10042586B2 (en) 2012-04-20 2018-08-07 Memory Technologies Llc Managing operational state data in memory module
US11226771B2 (en) 2012-04-20 2022-01-18 Memory Technologies Llc Managing operational state data in memory module
CN103377009A (zh) * 2012-04-20 2013-10-30 内存技术有限责任公司 管理存储器模块中的操作状态数据
CN103377009B (zh) * 2012-04-20 2016-12-07 内存技术有限责任公司 管理存储器模块中的操作状态数据
US11782647B2 (en) 2012-04-20 2023-10-10 Memory Technologies Llc Managing operational state data in memory module
US9311226B2 (en) 2012-04-20 2016-04-12 Memory Technologies Llc Managing operational state data of a memory module using host memory in association with state change
CN108536622A (zh) * 2017-03-06 2018-09-14 爱思开海力士有限公司 存储装置、数据处理系统以及操作存储装置的方法
CN108536622B (zh) * 2017-03-06 2023-07-21 爱思开海力士有限公司 存储装置、数据处理系统以及操作存储装置的方法

Also Published As

Publication number Publication date
TW201101320A (en) 2011-01-01
CN101937724B (zh) 2013-11-06
US20100332951A1 (en) 2010-12-30
CN101937710A (zh) 2011-01-05
US20100332887A1 (en) 2010-12-30
TWI406126B (zh) 2013-08-21
TWI449052B (zh) 2014-08-11
TW201101026A (en) 2011-01-01
US20100332922A1 (en) 2010-12-30
TWI457937B (zh) 2014-10-21
US8458566B2 (en) 2013-06-04
TW201101309A (en) 2011-01-01
CN101937724A (zh) 2011-01-05

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN101937318A (zh) 用于存储介质的存储控制装置及其数据访问的控制方法
US8009502B2 (en) Systems, methods and devices for power control in mass storage devices
US7161834B2 (en) Memory card and data processing system
US7461202B2 (en) Method and apparatus using hard disk drive for enhanced non-volatile caching
US20080172519A1 (en) Methods For Supporting Readydrive And Readyboost Accelerators In A Single Flash-Memory Storage Device
US20190258418A1 (en) Data storage device and data storage method thereof
US9165667B2 (en) Electronic device with solid state drive and associated control method
US6775744B2 (en) Disk memory device
KR102547056B1 (ko) 비휘발성 메모리 모듈의 커맨드 어드레스 스누핑
JP2004038290A (ja) 情報処理システムおよび同システムで用いられるディスク制御方法
CN107239368B (zh) 非易失性存储器模块及其操作方法
CN105988726A (zh) 存储装置及用于利用电源无效信号的方法
KR102567279B1 (ko) 비휘발성 듀얼 인 라인 메모리 시스템의 파워 다운 인터럽트
US6671751B1 (en) Raid device for establishing a direct passage between a host computer and a hard disk by a data hub selectively passing only data to be accessed
US11016665B2 (en) Event-based dynamic memory allocation in a data storage device
KR100492773B1 (ko) 확장 메모리 부를 구비한 강유전체 메모리 장치
CN101673229A (zh) 自动备份闪存存储数据的存储系统和方法
JP2012194897A (ja) メモリ装置、情報処理システム、メモリ制御方法、およびプログラム
JP2004103222A (ja) クロックイネーブル信号を利用したデータ経路のリセット回路、リセット方法及びこれを備える半導体メモリ装置
US20110010580A1 (en) Memory apparatus, memory controlling method and program
US7490196B2 (en) Data backup using both tape and disk storage
JP4911449B2 (ja) 記録媒体保護装置
JP2000040037A (ja) データ保護装置、データ保護方法、及び記憶媒体
JP2000122813A (ja) ディスクアレイ装置
JP3356106B2 (ja) 磁気ディスク装置及びそのリトライ処理方法

Legal Events

Date Code Title Description
C06 Publication
PB01 Publication
C10 Entry into substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
C12 Rejection of a patent application after its publication
RJ01 Rejection of invention patent application after publication

Application publication date: 20110105