CN101794081A - 浸没光刻用真空系统 - Google Patents

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Abstract

一种用于从光刻机具抽取多相流体流的真空系统(30)，包括用于从所述机具抽取所述流体的泵吸设备(36、38)，以及设置在所述泵吸设备的上游、用于将从所述机具抽取的所述流体分离为气相及液相的分离罐(32)。所述泵吸设备包括用于从所述罐抽取气体的第一泵(36)以及用于从所述罐(32)抽取液体的第二泵(38)。为了最小化从真空系统回传至机具内流体的任何压力波动，压力控制系统(54、56)通过调节所述罐(32)内的液体及气体的量来在罐(32)内维持大体恒定的压力。

Description

浸没光刻用真空系统
本申请是申请号为200580019979.6(PCT/GB2005/002205)、申请日为2005年6月6日、发明名称为“浸没光刻用真空系统”的分案申请。
技术领域
本发明涉及用于从浸没光刻曝光机具抽取多相流体的真空系统。
背景技术
在半导体器件制造中光刻是非常重要的处理步骤。大体而言，在光刻处理中，将电路设计通过成像在光阻材料层(其沉积在晶片表面上)上的图案而转移至晶片。然后，在新设计转移至晶片表面之前，晶片经过各种蚀刻及沉积处理。持续循环该处理以形成半导体器件的多个层。
由通过以下瑞利(Rayleigh)公式界定的分辨率限值W来确定可利用光刻印刷的最小特征：
w = k 1 λ NA - - - ( 1 )
其中K1为分辨率系数，λ为曝光射线波长，而NA为数值孔径。因此在用于制造半导体器件的光刻处理中，为了提高光学分辨率，由此可精确再现器件中极小的特征，使用较短波长射线是有利的。在现有技术中，已经采用了各种波长的单色可见光，且近来已采用了落入纵深紫外线(DUV)范围内的射线，包括利用ArF准分子激光器产生的193nm射线。
NA的值由透镜的接收角(α)以及包围透镜的介质的折射率(n)确定，并由以下公式给定：
NA＝nsinα(2)
对于洁净干燥空气(CDA)，n的值为1，因此对采用CDA作为透镜与晶片之间的介质的光刻技术而言，NA的物理限值为1，而目前实践中的限值为约0.9。
浸没光刻是已知的通过增加NA的值并增加聚焦深度(DOF)或竖直处理幅度来提高光学分辨率的技术。参考图1，在该技术中，具有折射率n＞1的液体10被置于投影装置14的物镜12的下表面与位于可移动晶片载台18上的晶片16的上表面之间。理想的是，置于透镜12与晶片16之间的液体应当具有在193nm的较低的光学吸收、与透镜材料及沉积在晶片表面上的光阻材料相容、并具有良好的均匀性。超纯脱气水满足这些要求，其对在193nm的光具有n≈1.44的折射率。相较于透镜与晶片之间的介质为CDA的技术，增大的n值增大了NA的值，并由此减小了分辨率限值W，使得能够再现更小的特征。
由于从光阻材料层放气、在光刻期间产生微粒、并维持均匀的晶片温度，需要维持透镜12与晶片16之间的稳定的水流。例如，如美国专利申请2004/0075895中所描述的，可将透镜及晶片浸入由晶片载台支撑的水浴器中，其中泵被用来循环水浴器中的水。但是，因为水浴器的重量作用在晶片载台上，故该技术并非理想。
如图1所示，另一技术采用连接至水源及真空系统(总体表示为22)的喷嘴或喷头装置20以在透镜12与晶片16之间产生局部的超纯脱气水流。为了防止水进入机具的其他部件(例如，用于移动晶片载台18的机构)中，使用了一个或更多差动气体密封件24。由此，真空系统22从机具抽取水及CDA的多相混合物。但是，使用单一真空泵(特别是在段塞或腾涌流型中)从机具对这种多相混合物进行抽取会在泵的上游产生不希望的压力及流率波动，该压力及流率波动会传回至机具。例如归咎于置于透镜与晶片之间的介质的折射率的变化或机械振动传递至机具，这将导致光刻处理中的缺陷。
发明内容
本发明的至少一个优选实施例的目的在于提供一种用于从光刻机具抽取多相流体流并可最小化由此作用至机具内的流体的压力波动的真空系统。
根据第一方面，本发明提供了一种系统，用于从光刻机具抽取多相流体流，所述系统包括用于从所述机具抽取所述流体的泵吸设备，设置在所述泵吸设备的上游、用于将从所述机具抽取的所述流体分离为气相及液相的分离装置(例如，抽取罐)，所述泵吸设备包括用于从所述罐抽取气体的第一泵吸单元以及用于从所述罐抽取液体的第二泵吸单元，以及用于通过调节所述罐内的气体及液体的量来控制所述罐内的压力的压力控制系统。
为了减小从系统回传至机具内流体的任何压力波动，压力控制系统可通过调节所述罐内的液体及气体的量来在罐内维持大体恒定的压力。
为了控制罐内气体的量，压力控制系统优选地包括用于从其气源将气体供应至罐的装置，以及用于控制至罐的气体流率的控制装置。例如，在流入罐内的液体流率改变时，及/或在从罐内流出的液体流率改变时，可从外部气源将气体引入罐内以补偿这种改变。在优选实施例中，压力控制系统包括诸如蝶形阀或其他控制阀的可变流率控制装置，气体通过该可变流率控制装置供应至罐，同时控制装置被设置为改变阀的电导来控制罐内的压力。例如，可设置控制器来接收表示罐内压力的信号，并根据所接收的信号来控制阀的电导。可从压力传感器、电容压力计、或其他形式的具有足够灵敏度以实现所需压力控制水平的传感器来接收该信号。
此外，或可替换地，为了控制到罐的气体供应，优选地设置控制器以根据所接收的信号来控制离开罐的气体流率。例如，可以设置另一可变流率控制装置，由第一泵吸单元经由该另一可变流率控制装置从罐抽取气体，同时设置控制器以控制该可变流率控制装置的电导。
为了控制罐内的液体量，压力控制系统优选地包括用于将液体从液源供应至罐的装置以及用于控制至罐的液体流率的装置。例如，为了减小通过第二泵吸单元从罐抽取液体所导致的压力改变，优选地设置控制装置以维持罐内的大体恒定的液体水平。在优选实施例中，液体供应装置包括诸如蝶形阀或其他控制阀的可变流率控制装置，液体经由该可变流率控制装置供应至罐，同时设置控制装置以改变阀的电导来控制罐内的液体水平。例如，可设置控制器以接收表示罐内液体水平的信号，并取决于接收的信号来控制阀的电导。可从液体计、浮标检测器、或其他形式的具有充分灵敏度的传感器接收该信号以允许在罐内维持大体恒定的液体水平。优选地使用一个或更多挠性管路来在系统的组件之间传送流体(单相及/或多相)。例如，可使用挠性管路来将多相流体传送至抽取罐。还可采用其他挠性管路将单相流从罐传送于各个泵吸单元。这可减小在使用该系统期间所产生的振动回传至机具内的流体。
根据第二方面，本发明提供了一种从光刻机具抽取多相流体流的方法，所述方法包括以下步骤：经由抽取罐将泵吸设备连接至所述机具；操作所述泵吸设备以从所述机具抽取所述流体；在所述抽取罐内将从所述机具抽取的所述流体分离为气相及液相，所述泵吸设备从所述抽取罐内分别抽取气体及液体；并通过调节其中的气体及液体量来控制所述抽取罐内的压力。
上述相关于本发明的系统方面的特征同样适用于方法方面，反之亦然。
附图说明
以示例的方式，现将参考以下附图对本发明的实施例进行描述，其中：
图1示意性地示出了用于浸没光刻的已知系统；及
图2示意性地示出了用于从浸没光刻机具抽取多相流体的真空系统的实施例。
具体实施方式
参考图2，用于从浸没光刻机具抽取多相流体的系统30包括抽取罐32，其用于接收通过布置在罐32下游侧的泵吸设置从机具抽取的多流流体。罐32通过挠性管路34连接至机具以最小化系统30与机具之间的机械耦合程度，且由此最小化在使用系统30期间产生的振动回传至机具。
罐32设置为将从机具接收到的流体内的液相与气相分离。在此示例中，从机具接收到的流体包括洁净干燥空气(CDA)与超纯水的混合物，由此罐32容纳用于使CDA从水分离的任何合适的材料及/或结构。但是，罐32可设置为分离从机具接收到的不同的气液混合物。例如，液体可包括水溶液或非水溶液，而气体可以不是CDA。
泵吸设备包括用于从罐32抽取气体的第一泵吸单元36，以及用于从罐32抽取液体的第二泵吸单元38。
第一泵吸单元36可包括用于从罐32抽取气体的任何合适的泵，优选地选择该泵以与从罐32抽取的气体(很可能饱和有液体蒸气)相适应，用于使回传至容纳在罐32中的气体的压力波动最小化，并用于使养护周期相对较长。在本实施例中，第一泵吸单元36可方便地包括用于从罐32抽取CDA的气动喷射泵或水基液体环式泵。为了防止在使用期间振动传递至罐32，利用挠性管路40将第一泵吸单元36连接至罐。因为从第一泵吸单元36的排气可能会饱和有或过度饱和有液体蒸气，在本实施例中，可将水蒸气分离容器42连接至第一泵吸单元36的排气口，容器42包含用于使水蒸气从CDA分离的任何合适材料及/或结构。从CDA抽取的水排出至排出口，而CDA排放至大气。
第二泵吸单元38可包括用于从罐32抽取液体的任何合适的泵，优选地选择该泵以与从罐32抽取的液体相适应，并用于使养护周期相对较长。在本实施例中，在液体为水的情况下，第二泵吸单元38可方便地包括用于从罐32抽取水的水动喷射泵或隔膜式泵。为了防止在使用期间振动传递至罐32，利用挠性管路44将第二泵吸单元38连接至罐。可选择挠性管路44的内径以限制从罐32至第二泵吸单元38的液体流率。可替换地或可附加地，可在罐32与第二泵吸单元38之间设置不变或可变流率限制器。
为了最小化从系统30回传至机具内的流体的任何压力波动，系统30包括用于维持罐32内大体恒定压力的压力控制系统。在本实施例中，通过调节罐32内的液体及气体的量来实现此目的。
通过控制器46将容纳在罐32内的液体量维持在大体恒定水平，由此维持罐32内大体恒定量的气体。控制器46连接至用于检测罐32内液体水平的传感器48。传感器48例如可包括液体计、浮标测量计或其他形式的合适传感器。传感器48向控制器46输出表示罐32内液体水平的信号。响应于该信号，控制器46向设置在罐32与连接至罐32的加压外部液体源52之间的可变流率控制装置50输出使得装置50改变至罐32的液体(在本实施例中为水)流率的信号。例如，装置50可以是具有关联于(优选地比例于)从控制器46接收的信号而改变电导的蝶形阀或其他控制阀。通过改变从外部源52至罐的水的流率，控制器46可通过第二泵吸单元38补偿从机具至罐32的液体流率的任何改变，以及/或从罐32的液体抽取速率的任何改变，并由此将罐32内的液体维持在大体恒定的水平。可设置控制器46以处理从传感器48接收的信号以补偿在使用期间在液面中产生的任何波动。
在气体占据罐32内大体恒定体积的情况下，包含在从罐接收的多相流体内的气体量的任何改变，以及/或通过第一泵吸单元36的气体抽取速率的任何改变，以及罐32内的任何温度波动，都会改变罐32内气体的压力，并将压力及流率波动传递至机具内的流体。因此，设置压力控制系统以通过还调节罐32内的气体量来维持罐32内大体恒定的压力。
为实现此目的，压力控制系统包括连接至用于检测罐32内气体压力的传感器56的控制器54。传感器56例如可包括压力传感器、电容压力计或其他形式的具有足够灵敏度以实现所需的压力控制水平的传感器。传感器56向控制器54输出表示罐32内气体压力的信号。响应于该信号，控制器54向设置在罐32与连接至罐32的加压外部气体源60之间的可变流率控制装置58输出使得装置58改变到罐32的气体(在本实施例中为CDA)流率的信号。可在罐32与第一泵吸单元36之间设置另一可变流率控制装置62，并将其设置为从控制器54接收信号以改变从罐32的气体的流率。例如，装置58、62也可以是具有关联于(优选地比例于)从控制器54接收的信号而改变电导的蝶形阀或其他控制阀。通过控制流入罐32及从罐32流出的气体的流率，控制器54可维持罐32内大体恒定的气体压力。
系统30因此可提供一种能够从浸光刻机具抽取多相流体同时最小化因此传递至机具内流体的任何压力波动的系统。

Claims (19)

1.一种光刻设备，其包括用于从所述光刻设备抽取多相流体流的系统，所述系统包括：
用于从所述设备抽取所述流体的泵吸设备；
设置在所述泵吸设备的上游、用于将从所述设备抽取的所述流体分离为气相及液相的分离装置；
所述泵吸设备还包括用于从所述分离装置抽取气体的第一泵吸单元以及用于从所述分离装置抽取液体的第二泵吸单元；以及
压力控制系统，其用于通过调节所述分离装置内的气体及液体的量来控制所述分离装置内的压力的压力控制系统。
2.如权利要求1所述的光刻设备，其中所述压力控制系统包括用于从气源将气体供应至所述分离装置的气体供应装置，以及用于控制到所述分离装置的气体流率的控制装置。
3.如权利要求2所述的光刻设备，其中所述气体供应装置包括可变流率控制装置，气体通过该可变流率控制装置供应至所述分离装置，所述控制装置被设置为改变所述可变流率控制装置的电导来控制所述分离装置内的压力。
4.如权利要求3所述的光刻设备，其中所述控制装置包括控制器，所述控制器被设置为接收表示所述分离装置内的压力的信号，并根据所接收的信号来控制所述可变流率控制装置的电导。
5.如权利要求4所述的光刻设备，其中所述控制器还被设置为根据所接收的信号来控制来自所述分离装置的气体的流率。
6.如权利要求5所述的光刻设备，其中所述压力控制系统包括另一可变流率控制装置，由所述第一泵吸单元从所述分离装置通过所述另一可变流率控制装置抽取气体，所述控制器被设置为根据所接收的信号来控制所述另一可变流率控制装置的电导。
7.根据上述权利要求中任一项所述的光刻设备，其中所述压力控制系统包括用于控制来自所述分离装置的气体的流率的控制装置。
8.如权利要求7所述的光刻设备，其中所述压力控制系统包括可变流率控制装置，由所述第一泵吸单元从所述分离装置通过所述可变流率控制装置抽取气体，所述控制装置被设置为控制所述可变流率控制装置的电导来控制所述分离装置内的压力。
9.如权利要求8所述的光刻设备，其中所述控制装置包括控制器，所述控制器被设置为接收表示所述分离装置内的所述压力的信号，并根据所接收的信号来控制所述可变流率控制装置的所述电导。
10.根据上述权利要求中任一项所述的光刻设备，其中所述压力控制系统包括用于将液体从液源供应至所述分离装置的液体供应装置，以及用于控制至所述分离装置的液体的流率的控制装置。
11.如权利要求10所述的光刻设备，其中所述控制装置被设置为控制所述分离装置内的液体水平。
12.如权利要求11所述的光刻设备，其中所述液体供应装置包括可变流率控制装置，液体通过所述可变流率控制装置供应至所述分离装置，所述控制装置被设置为改变所述可变流率控制装置的电导来控制所述分离装置内的液体水平。
13.如权利要求12所述的光刻设备，其中所述控制装置包括控制器，所述控制器被设置为接收表示所述分离装置内的所述液体水平的信号，并根据所接收的信号来控制所述可变流率控制装置的所述电导。
14.根据上述权利要求中任一项所述的光刻设备，其中所述分离装置包括抽取罐。
15.根据上述权利要求中任一项所述的光刻设备，包括用于将气体从所述分离装置传送至所述第一泵吸单元的挠性管路。
16.根据上述权利要求中任一项所述的光刻设备，包括用于将液体从所述分离装置传送至所述第二泵吸单元的挠性管路。
17.根据上述权利要求中任一项所述的光刻设备，包括用于将液体从所述光刻设备传送至所述分离装置的挠性管路。
18.一种光刻设备，包括：
喷头装置，其配置成去除液体和气体的混合物；和
一种用于抽取多相流体的系统，其配置成通过所述出口抽取所述混合物，所述抽取系统包括分离装置，所述分离装置布置成将被去除的混合物中的液体和气体分离，和压力控制系统，其配置成将所述分离装置内的压力保持基本上稳定。
19.一种设备，包括：
投影系统，其配置成将图案化辐射束通过液体投影到辐射敏感的衬底；
分离装置，其配置成将通过泵吸设备抽取到所述分离装置的流体分离成气相和液相，所述泵吸设备还包括用以从所述分离装置抽取气体的第一泵和用以从所述分离装置抽取液体的第二泵；和
压力控制系统，其配置成通过调节所述分离装置内的气体和液体量来控制所述分离装置内的压力。
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TW (1) TWI339131B (zh)
WO (1) WO2005124464A2 (zh)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN103176367A (zh) * 2011-12-20 2013-06-26 Asml荷兰有限公司 泵系统、二氧化碳供给系统、抽取系统、光刻设备和器件制造方法

Families Citing this family (32)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2005006415A1 (ja) 2003-07-09 2005-01-20 Nikon Corporation 露光装置及びデバイス製造方法
CN102012641B (zh) * 2003-07-28 2015-05-06 株式会社尼康 曝光装置、器件制造方法
EP1660925B1 (en) * 2003-09-03 2015-04-29 Nikon Corporation Apparatus and method for providing fluid for immersion lithography
EP1747499A2 (en) 2004-05-04 2007-01-31 Nikon Corporation Apparatus and method for providing fluid for immersion lithography
US20070216889A1 (en) * 2004-06-04 2007-09-20 Yasufumi Nishii Exposure Apparatus, Exposure Method, and Method for Producing Device
US8717533B2 (en) * 2004-06-10 2014-05-06 Nikon Corporation Exposure apparatus, exposure method, and method for producing device
US8508713B2 (en) * 2004-06-10 2013-08-13 Nikon Corporation Exposure apparatus, exposure method, and method for producing device
US20070139628A1 (en) * 2004-06-10 2007-06-21 Nikon Corporation Exposure apparatus, exposure method, and method for producing device
EP2624282B1 (en) 2004-06-10 2017-02-08 Nikon Corporation Immersion exposure apparatus and method, and methods for producing a device
US8373843B2 (en) * 2004-06-10 2013-02-12 Nikon Corporation Exposure apparatus, exposure method, and method for producing device
US7481867B2 (en) 2004-06-16 2009-01-27 Edwards Limited Vacuum system for immersion photolithography
US7701550B2 (en) * 2004-08-19 2010-04-20 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US7379155B2 (en) 2004-10-18 2008-05-27 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US7397533B2 (en) 2004-12-07 2008-07-08 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
SG124351A1 (en) 2005-01-14 2006-08-30 Asml Netherlands Bv Lithographic apparatus and device manufacturing method
KR20180125636A (ko) 2005-01-31 2018-11-23 가부시키가이샤 니콘 노광 장치 및 디바이스 제조 방법
US8692973B2 (en) 2005-01-31 2014-04-08 Nikon Corporation Exposure apparatus and method for producing device
US8018573B2 (en) * 2005-02-22 2011-09-13 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US7433016B2 (en) 2005-05-03 2008-10-07 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US8514365B2 (en) * 2007-06-01 2013-08-20 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US7924404B2 (en) * 2007-08-16 2011-04-12 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
NL1036306A1 (nl) 2007-12-20 2009-06-23 Asml Netherlands Bv Lithographic apparatus and in-line cleaning apparatus.
NL2003226A (en) 2008-08-19 2010-03-09 Asml Netherlands Bv Lithographic apparatus, drying device, metrology apparatus and device manufacturing method.
JP2010098172A (ja) * 2008-10-17 2010-04-30 Canon Inc 液体回収装置、露光装置及びデバイス製造方法
JP5001343B2 (ja) 2008-12-11 2012-08-15 エーエスエムエル ネザーランズ ビー．ブイ． 流体抽出システム、液浸リソグラフィ装置、及び液浸リソグラフィ装置で使用される液浸液の圧力変動を低減する方法
NL2004820A (en) 2009-06-30 2011-01-04 Asml Netherlands Bv Lithographic apparatus and a method of measuring flow rate in a two phase flow.
CA2733042A1 (en) * 2010-03-01 2011-09-01 Wavefront Technology Solutions Inc. Method and apparatus for enhancing multiphase extraction of contaminants
US20120012191A1 (en) * 2010-07-16 2012-01-19 Nikon Corporation Liquid recovery apparatus, exposure apparatus, liquid recovering method, device fabricating method, program, and storage medium
CN104035288A (zh) * 2014-06-05 2014-09-10 浙江大学 用于浸没式光刻机中的负压环境下的连续气液分离装置
CN106663622B (zh) * 2014-07-31 2020-01-07 株式会社资源开发研究所 清洗装置
JP6535649B2 (ja) * 2016-12-12 2019-06-26 株式会社荏原製作所 基板処理装置、排出方法およびプログラム
CN112684675B (zh) * 2020-12-30 2023-02-21 浙江启尔机电技术有限公司 真空系统及使用该真空系统的浸没式光刻机

Family Cites Families (136)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3314219A (en) * 1965-03-10 1967-04-18 Bass Brothers Entpr Inc Drilling mud degassers for oil wells
GB1242527A (en) 1967-10-20 1971-08-11 Kodak Ltd Optical instruments
US3573975A (en) 1968-07-10 1971-04-06 Ibm Photochemical fabrication process
US3675395A (en) * 1970-10-09 1972-07-11 Keene Corp Apparatus for the purification of oils and the like
ATE1462T1 (de) 1979-07-27 1982-08-15 Werner W. Dr. Tabarelli Optisches lithographieverfahren und einrichtung zum kopieren eines musters auf eine halbleiterscheibe.
US4315760A (en) * 1980-01-17 1982-02-16 Bij De Leij Jan D Method and apparatus for degasing, during transportation, a confined volume of liquid to be measured
FR2474708B1 (fr) 1980-01-24 1987-02-20 Dme Procede de microphotolithographie a haute resolution de traits
JPS5754317A (en) 1980-09-19 1982-03-31 Hitachi Ltd Method and device for forming pattern
US4346164A (en) 1980-10-06 1982-08-24 Werner Tabarelli Photolithographic method for the manufacture of integrated circuits
US4509852A (en) 1980-10-06 1985-04-09 Werner Tabarelli Apparatus for the photolithographic manufacture of integrated circuit elements
US4390273A (en) 1981-02-17 1983-06-28 Censor Patent-Und Versuchsanstalt Projection mask as well as a method and apparatus for the embedding thereof and projection printing system
JPS57153433A (en) 1981-03-18 1982-09-22 Hitachi Ltd Manufacturing device for semiconductor
JPS58202448A (ja) 1982-05-21 1983-11-25 Hitachi Ltd 露光装置
DD206607A1 (de) 1982-06-16 1984-02-01 Mikroelektronik Zt Forsch Tech Verfahren und vorrichtung zur beseitigung von interferenzeffekten
JPS5919912A (ja) 1982-07-26 1984-02-01 Hitachi Ltd 液浸距離保持装置
US4466253A (en) * 1982-12-23 1984-08-21 General Electric Company Flow control at flash tank of open cycle vapor compression heat pumps
DD242880A1 (de) 1983-01-31 1987-02-11 Kuch Karl Heinz Einrichtung zur fotolithografischen strukturuebertragung
DD221563A1 (de) 1983-09-14 1985-04-24 Mikroelektronik Zt Forsch Tech Immersionsobjektiv fuer die schrittweise projektionsabbildung einer maskenstruktur
FR2557643B1 (fr) 1983-12-30 1986-05-09 Inst Francais Du Petrole Dispositif d'alimentation d'une pompe de fluide diphasique et installation de production d'hydrocarbures comportant un tel dispositif
DD224448A1 (de) 1984-03-01 1985-07-03 Zeiss Jena Veb Carl Einrichtung zur fotolithografischen strukturuebertragung
FI73950C (fi) * 1985-02-15 1987-12-10 Hackman Ab Oy Foerfarande och anordning vid pumpning och volymmaetning av livsmedelsvaetskor.
CN85104763B (zh) * 1985-06-13 1988-08-24 沈汉石 液压系统中消除气穴的方法和装置
JPS6265326A (ja) 1985-09-18 1987-03-24 Hitachi Ltd 露光装置
JPS62121417A (ja) 1985-11-22 1987-06-02 Hitachi Ltd 液浸対物レンズ装置
US4730634A (en) * 1986-06-19 1988-03-15 Amoco Corporation Method and apparatus for controlling production of fluids from a well
JPS63157419A (ja) 1986-12-22 1988-06-30 Toshiba Corp 微細パタ−ン転写装置
US4886530A (en) 1987-10-28 1989-12-12 Sundstrand Corporation Single stage pump and separator for two phase gas and liquid mixtures
US5040020A (en) 1988-03-31 1991-08-13 Cornell Research Foundation, Inc. Self-aligned, high resolution resonant dielectric lithography
JPH03209479A (ja) 1989-09-06 1991-09-12 Sanee Giken Kk 露光方法
JPH04305915A (ja) 1991-04-02 1992-10-28 Nikon Corp 密着型露光装置
JPH04305917A (ja) 1991-04-02 1992-10-28 Nikon Corp 密着型露光装置
JPH0562877A (ja) 1991-09-02 1993-03-12 Yasuko Shinohara 光によるｌｓｉ製造縮小投影露光装置の光学系
JPH06124873A (ja) * 1992-10-09 1994-05-06 Canon Inc 液浸式投影露光装置
JP2753930B2 (ja) * 1992-11-27 1998-05-20 キヤノン株式会社 液浸式投影露光装置
JP2520833B2 (ja) 1992-12-21 1996-07-31 東京エレクトロン株式会社 浸漬式の液処理装置
US5312552A (en) * 1993-02-02 1994-05-17 Norman J M Method and apparatus for removing BTX-type gases from a liquid
JPH07220990A (ja) 1994-01-28 1995-08-18 Hitachi Ltd パターン形成方法及びその露光装置
EP0670558B1 (en) * 1994-03-04 2000-05-03 NCR International, Inc. Modulated backscatter wireless communication system having an extended range
JPH08907A (ja) * 1994-06-17 1996-01-09 Miura Co Ltd 真空脱気における脱気度調整方法
KR960024699U (ko) 1994-12-17 1996-07-22 임항준 스티커
US6033475A (en) 1994-12-27 2000-03-07 Tokyo Electron Limited Resist processing apparatus
JPH08316124A (ja) 1995-05-19 1996-11-29 Hitachi Ltd 投影露光方法及び露光装置
JPH08316125A (ja) 1995-05-19 1996-11-29 Hitachi Ltd 投影露光方法及び露光装置
US6104687A (en) 1996-08-26 2000-08-15 Digital Papyrus Corporation Method and apparatus for coupling an optical lens to a disk through a coupling medium having a relatively high index of refraction
US6001189A (en) * 1996-09-30 1999-12-14 Micron Technology, Inc. Method for reducing gaseous species of contamination in wet processes
US5825043A (en) 1996-10-07 1998-10-20 Nikon Precision Inc. Focusing and tilting adjustment system for lithography aligner, manufacturing apparatus or inspection apparatus
JP3612920B2 (ja) 1997-02-14 2005-01-26 ソニー株式会社 光学記録媒体の原盤作製用露光装置
JPH10255319A (ja) 1997-03-12 1998-09-25 Hitachi Maxell Ltd 原盤露光装置及び方法
JP3747566B2 (ja) 1997-04-23 2006-02-22 株式会社ニコン 液浸型露光装置
JP3817836B2 (ja) 1997-06-10 2006-09-06 株式会社ニコン 露光装置及びその製造方法並びに露光方法及びデバイス製造方法
US5900354A (en) 1997-07-03 1999-05-04 Batchelder; John Samuel Method for optical inspection and lithography
JPH11176727A (ja) 1997-12-11 1999-07-02 Nikon Corp 投影露光装置
WO1999031717A1 (fr) 1997-12-12 1999-06-24 Nikon Corporation Procede d'exposition par projection et graveur a projection
AU2747999A (en) 1998-03-26 1999-10-18 Nikon Corporation Projection exposure method and system
JP2000058436A (ja) 1998-08-11 2000-02-25 Nikon Corp 投影露光装置及び露光方法
US6247903B1 (en) * 1999-03-26 2001-06-19 Lam Research Corporation Pressure fluctuation dampening system
TWI242111B (en) 1999-04-19 2005-10-21 Asml Netherlands Bv Gas bearings for use in vacuum chambers and their application in lithographic projection apparatus
JP4504479B2 (ja) 1999-09-21 2010-07-14 オリンパス株式会社 顕微鏡用液浸対物レンズ
EP1409834A2 (en) * 2000-01-17 2004-04-21 Lattice Intellectual Property Limited Slugging control
JP2001272604A (ja) 2000-03-27 2001-10-05 Olympus Optical Co Ltd 液浸対物レンズおよびそれを用いた光学装置
TW591653B (en) 2000-08-08 2004-06-11 Koninkl Philips Electronics Nv Method of manufacturing an optically scannable information carrier
SE517821C2 (sv) * 2000-09-29 2002-07-16 Tetra Laval Holdings & Finance Metod och anordning för att kontinuerligt avlufta en vätska
KR100866818B1 (ko) 2000-12-11 2008-11-04 가부시키가이샤 니콘 투영광학계 및 이 투영광학계를 구비한 노광장치
JP2002257137A (ja) 2001-02-27 2002-09-11 Koyo Seiko Co Ltd 磁気軸受装置
JP2002257138A (ja) 2001-02-28 2002-09-11 Canon Inc 静圧流体軸受装置、およびこれを用いたステージ装置、露光装置ならびにデバイス製造方法
US20020163629A1 (en) 2001-05-07 2002-11-07 Michael Switkes Methods and apparatus employing an index matching medium
US7325047B2 (en) * 2001-05-23 2008-01-29 International Business Machines Corporation Dynamic undeployment of services in a computing network
US6600547B2 (en) 2001-09-24 2003-07-29 Nikon Corporation Sliding seal
WO2003040830A2 (en) 2001-11-07 2003-05-15 Applied Materials, Inc. Optical spot grid array printer
DE10229818A1 (de) 2002-06-28 2004-01-15 Carl Zeiss Smt Ag Verfahren zur Fokusdetektion und Abbildungssystem mit Fokusdetektionssystem
DE10210899A1 (de) 2002-03-08 2003-09-18 Zeiss Carl Smt Ag Refraktives Projektionsobjektiv für Immersions-Lithographie
US20040154641A1 (en) * 2002-05-17 2004-08-12 P.C.T. Systems, Inc. Substrate processing apparatus and method
EP1532489A2 (en) 2002-08-23 2005-05-25 Nikon Corporation Projection optical system and method for photolithography and exposure apparatus and method using same
US6788477B2 (en) * 2002-10-22 2004-09-07 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. Apparatus for method for immersion lithography
CN100568101C (zh) * 2002-11-12 2009-12-09 Asml荷兰有限公司 光刻装置和器件制造方法
CN101382738B (zh) 2002-11-12 2011-01-12 Asml荷兰有限公司 光刻投射装置
SG121822A1 (en) 2002-11-12 2006-05-26 Asml Netherlands Bv Lithographic apparatus and device manufacturing method
EP1420298B1 (en) * 2002-11-12 2013-02-20 ASML Netherlands B.V. Lithographic apparatus
DE60335595D1 (de) 2002-11-12 2011-02-17 Asml Netherlands Bv Lithographischer Apparat mit Immersion und Verfahren zur Herstellung einer Vorrichtung
SG135052A1 (en) * 2002-11-12 2007-09-28 Asml Netherlands Bv Lithographic apparatus and device manufacturing method
SG131766A1 (en) 2002-11-18 2007-05-28 Asml Netherlands Bv Lithographic apparatus and device manufacturing method
EP1424599B1 (en) * 2002-11-29 2008-03-12 ASML Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
TWI255971B (en) 2002-11-29 2006-06-01 Asml Netherlands Bv Lithographic apparatus and device manufacturing method
DE10258718A1 (de) 2002-12-09 2004-06-24 Carl Zeiss Smt Ag Projektionsobjektiv, insbesondere für die Mikrolithographie, sowie Verfahren zur Abstimmung eines Projektionsobjektives
WO2004053957A1 (ja) 2002-12-10 2004-06-24 Nikon Corporation 面位置検出装置、露光方法、及びデバイス製造方法
JP4352874B2 (ja) 2002-12-10 2009-10-28 株式会社ニコン 露光装置及びデバイス製造方法
AU2003302830A1 (en) * 2002-12-10 2004-06-30 Nikon Corporation Exposure apparatus and method for manufacturing device
WO2004053951A1 (ja) 2002-12-10 2004-06-24 Nikon Corporation 露光方法及び露光装置並びにデバイス製造方法
JP4529433B2 (ja) * 2002-12-10 2010-08-25 株式会社ニコン 露光装置及び露光方法、デバイス製造方法
KR20050085026A (ko) 2002-12-10 2005-08-29 가부시키가이샤 니콘 광학 소자 및 그 광학 소자를 사용한 투영 노광 장치
WO2004053955A1 (ja) 2002-12-10 2004-06-24 Nikon Corporation 露光装置及びデバイス製造方法
EP1571694A4 (en) 2002-12-10 2008-10-15 Nikon Corp EXPOSURE APPARATUS AND METHOD FOR MANUFACTURING THE DEVICE
JP4232449B2 (ja) 2002-12-10 2009-03-04 株式会社ニコン 露光方法、露光装置、及びデバイス製造方法
SG150388A1 (en) 2002-12-10 2009-03-30 Nikon Corp Exposure apparatus and method for producing device
KR101101737B1 (ko) 2002-12-10 2012-01-05 가부시키가이샤 니콘 노광장치 및 노광방법, 디바이스 제조방법
DE10257766A1 (de) 2002-12-10 2004-07-15 Carl Zeiss Smt Ag Verfahren zur Einstellung einer gewünschten optischen Eigenschaft eines Projektionsobjektivs sowie mikrolithografische Projektionsbelichtungsanlage
EP1571696A4 (en) 2002-12-10 2008-03-26 Nikon Corp EXPOSURE DEVICE AND METHOD OF MANUFACTURE
EP1429190B1 (en) 2002-12-10 2012-05-09 Canon Kabushiki Kaisha Exposure apparatus and method
JP4608876B2 (ja) 2002-12-10 2011-01-12 株式会社ニコン 露光装置及びデバイス製造方法
EP1573730B1 (en) 2002-12-13 2009-02-25 Koninklijke Philips Electronics N.V. Liquid removal in a method and device for irradiating spots on a layer
US7399978B2 (en) 2002-12-19 2008-07-15 Koninklijke Philips Electronics N.V. Method and device for irradiating spots on a layer
USRE48515E1 (en) 2002-12-19 2021-04-13 Asml Netherlands B.V. Method and device for irradiating spots on a layer
US6781670B2 (en) 2002-12-30 2004-08-24 Intel Corporation Immersion lithography
JP4428115B2 (ja) 2003-04-11 2010-03-10 株式会社ニコン 液浸リソグラフィシステム
JP2004320016A (ja) 2003-04-11 2004-11-11 Nikon Corp 液浸リソグラフィシステム
JP2005277363A (ja) * 2003-05-23 2005-10-06 Nikon Corp 露光装置及びデバイス製造方法
EP1486827B1 (en) 2003-06-11 2011-11-02 ASML Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US7317504B2 (en) 2004-04-08 2008-01-08 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US6867844B2 (en) 2003-06-19 2005-03-15 Asml Holding N.V. Immersion photolithography system and method using microchannel nozzles
JP4343597B2 (ja) 2003-06-25 2009-10-14 キヤノン株式会社 露光装置及びデバイス製造方法
US6809794B1 (en) 2003-06-27 2004-10-26 Asml Holding N.V. Immersion photolithography system and method using inverted wafer-projection optics interface
WO2005006415A1 (ja) * 2003-07-09 2005-01-20 Nikon Corporation 露光装置及びデバイス製造方法
WO2005015315A2 (de) * 2003-07-24 2005-02-17 Carl Zeiss Smt Ag Mikrolithographische projektionsbelichtungsanlage sowie verfahren zum einbringen einer immersionsflüssigkeit in einem immersionsraum
US7779781B2 (en) * 2003-07-31 2010-08-24 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US6954256B2 (en) 2003-08-29 2005-10-11 Asml Netherlands B.V. Gradient immersion lithography
EP1660925B1 (en) 2003-09-03 2015-04-29 Nikon Corporation Apparatus and method for providing fluid for immersion lithography
JP4378136B2 (ja) 2003-09-04 2009-12-02 キヤノン株式会社 露光装置及びデバイス製造方法
EP2267537B1 (en) 2003-10-28 2017-09-13 ASML Netherlands BV Lithographic apparatus
US7545481B2 (en) 2003-11-24 2009-06-09 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
JP2005175176A (ja) 2003-12-11 2005-06-30 Nikon Corp 露光方法及びデバイス製造方法
US7589818B2 (en) 2003-12-23 2009-09-15 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus, alignment apparatus, device manufacturing method, and a method of converting an apparatus
US7394521B2 (en) 2003-12-23 2008-07-01 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
JP4954444B2 (ja) * 2003-12-26 2012-06-13 株式会社ニコン 流路形成部材、露光装置及びデバイス製造方法
JP2005191393A (ja) 2003-12-26 2005-07-14 Canon Inc 露光方法及び装置
DE602004027162D1 (de) * 2004-01-05 2010-06-24 Nippon Kogaku Kk Belichtungsvorrichtung, belichtungsverfahren und bauelementeherstellungsverfahren
JP4513590B2 (ja) * 2004-02-19 2010-07-28 株式会社ニコン 光学部品及び露光装置
EP1747499A2 (en) * 2004-05-04 2007-01-31 Nikon Corporation Apparatus and method for providing fluid for immersion lithography
US20070139628A1 (en) * 2004-06-10 2007-06-21 Nikon Corporation Exposure apparatus, exposure method, and method for producing device
US8717533B2 (en) 2004-06-10 2014-05-06 Nikon Corporation Exposure apparatus, exposure method, and method for producing device
JP4515335B2 (ja) * 2004-06-10 2010-07-28 株式会社ニコン 露光装置、ノズル部材、及びデバイス製造方法
EP2624282B1 (en) * 2004-06-10 2017-02-08 Nikon Corporation Immersion exposure apparatus and method, and methods for producing a device
US8373843B2 (en) 2004-06-10 2013-02-12 Nikon Corporation Exposure apparatus, exposure method, and method for producing device
US8508713B2 (en) 2004-06-10 2013-08-13 Nikon Corporation Exposure apparatus, exposure method, and method for producing device
US7481867B2 (en) * 2004-06-16 2009-01-27 Edwards Limited Vacuum system for immersion photolithography
US7701550B2 (en) 2004-08-19 2010-04-20 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US7379155B2 (en) * 2004-10-18 2008-05-27 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN103176367A (zh) * 2011-12-20 2013-06-26 Asml荷兰有限公司 泵系统、二氧化碳供给系统、抽取系统、光刻设备和器件制造方法
CN103176367B (zh) * 2011-12-20 2016-02-03 Asml荷兰有限公司 泵系统、二氧化碳供给系统、抽取系统、光刻设备和器件制造方法

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Publication number Publication date
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