CN101487961B - 具有提高电子迁移率的量子阱的显示基板和显示装置 - Google Patents

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Abstract

本发明提供一种显示基板以及包括该显示基板的显示装置。所述显示基板包括：栅极布线；第一半导体图案，所述第一半导体图案形成在所述栅极布线上并且具有第一能带隙；第二半导体图案，所述第二半导体图案形成在所述第一半导体图案上并且具有第二能带隙，所述第二能带隙大于所述第一能带隙；数据布线，所述数据布线形成在所述第一半导体图案上；以及像素电极，所述像素电极与所述数据布线电连接。由于所述第二能带隙大于所述第一能带隙，因此在所述第一半导体图案中形成量子阱，从而提高其中的电子迁移率。

Description

具有提高电子迁移率的量子阱的显示基板和显示装置
本申请要求2008年1月15日提交给韩国知识产权局的韩国专利申请10-2008-0004464的优先权，该韩国专利申请的全部内容通过引用结合在此。
技术领域
本发明涉及一种显示基板和包含该显示基板的显示装置。更具体地，本发明涉及具有提高电子迁移率的量子阱的显示基板，以及包含这种显示基板的显示装置。
背景技术
人们一直在持续努力通过增加显示尺寸和质量来改进显示装置。尤其是，一直在努力改善通常被用于驱动液晶显示器(LCD)的薄膜晶体管(TFT)的电特性。
常规TFT通常使用沟道结构，该沟道结构是借助于氢化非晶硅(a-Si:H)图案形成的。包含这种氢化非晶硅的常规TFT具有较低的电子迁移率，并且具有由它们的电特性劣化引起的操作可靠性问题。因此，人们一直在持续努力改进TFT，以提高显示装置的质量和性能。
发明内容
本发明的各个方面提供一种显示基板，所述显示基板包括具有优良的操作特性的薄膜晶体管(TFT)。
本发明的各个方面还提供显示质量得到提高的显示装置。
然而，本发明的各个方面并不限于本文中描述的这些。对于本发明所属领域的普通技术人员，通过参考下面给出的本发明的详细描述，本发明的上述和其它方面将变得更加明显。
根据本发明的一个方面，提供一种显示基板，该显示基板包括：栅极布线；第一半导体图案，所述第一半导体图案形成在所述栅极布线上并且具有第一能带隙；第二半导体图案，所述第二半导体图案形成在所述第一半导体图案上并且具有第二能带隙，所述第二能带隙大于所述第一能带隙；数据布线，所述数据布线形成在所述第一半导体图案上；以及像素电极，所述像素电极与所述数据布线电连接。
根据本发明的另一方面，提供一种包括薄膜晶体管的显示基板，所述薄膜晶体管包括：栅极电极；第一半导体图案，所述第一半导体图案形成在所述栅极电极上，并且包含非晶硅；第二半导体图案，所述第二半导体图案形成在所述第一半导体图案上并且包含氧化物；源极电极，所述源极电极形成在所述第二半导体图案上；以及漏极电极，所述漏极电极形成在所述第二半导体图案上而与所述源极电极分开。
根据本发明的另一方面，提供一种显示装置，所述显示装置包括：第一显示基板；第二显示基板，所述第二显示基板面对所述第一显示基板；以及液晶层，所述液晶层置于所述第一显示基板和所述第二显示基板之间，其中所述第一显示基板包括：栅极布线；第一半导体图案，所述第一半导体图案形成在所述栅极布线上并且具有第一能带隙；第二半导体图案，所述第二半导体图案形成在所述第一半导体图案上并且具有第二能带隙，所述第二能带隙大于所述第一能带隙；数据布线，所述数据布线形成在所述第一半导体图案上；以及像素电极，所述像素电极与所述数据布线电连接。
附图说明
通过参考下列附图，详细地描述本发明的示例性实施方案，本发明的上述和其它方面以及特征将变得更加明显，在附图中：
图1是根据本发明的一个实施方案的显示基板的布置图；
图2是沿图1的线II-II’截取的显示装置的横截面图；
图3A是用于说明图2所示的薄膜晶体管(TFT)的操作的能带图；
图3B是图2的部分A的放大图；
图4至6是显示图2的TFT的特性的图；
图7是根据本发明的另一个示例性实施方案的第一显示基板的横截面图；
图8是根据本发明的另一个示例性实施方案的显示基板的横截面图；以及
图9是根据本发明的另一个示例性实施方案的显示基板的横截面图。
具体实施方式
通过参考下面的示例性实施方案和附图的详细描述，可以更容易地理解本发明的优点和特征以及实现本发明的方法。然而，本发明可以以很多不同的形式具体化，并且不应当将本发明解释为限于本文描述的实施方案。而是，提供这些实施方案使得本公开是详尽和完整的，并且这些实施方案将本发明的构思充分传达给本领域技术人员。因此，本发明只是受后附权利要求的限定。在一些实施方案中，为了避免本发明的含糊说明，熟知的加工方法、熟知的结构和熟知的技术将不具体描述。在整个说明书中，相同标记指相同的元件。
应当理解，当元件或层被提到″在″、″连接至″或“联接至”另一个元件或层上时，它可以直接在、连接或联接至该另一个元件或层上，或可以存在介于其间的元件或层。相反，当元件被提到“直接在”、“直接连接至”或″直接联接至″另一个元件或层上时，不存在介于其间的元件或层。如此处使用的，术语″和/或″包括有关列出的项目中的任一个，或一个以上的所有组合。
应当理解，尽管术语第一、第二、第三等在本文中可以被用于描述各种元件、部件、区域、布线、层和/或部分，但是这些元件、部件、区域、布线、层和/或部分应当不受这些术语的限制。这些术语只是被用于区别一个元件、部件、区域、布线、层或部分与另一个元件、部件、区域、布线、层或部分。因此，在不偏离本发明的教导的情况下，下面论述的第一元件、部件、区域、布线、层或部分可以称为第二元件、部件、区域、布线、层或部分。
为了容易描述，本文中可以使用空间上的相对术语比如″下面″“之下”“下部”“之上”“上部”等，以描述在附图中示出的一个装置或元件与另外的装置或元件的关系。应当理解，除附图中所示的方位之外，空间上的相对术语意在还包括在使用或操作中的装置的不同方位。例如，如果在附图中的装置被翻转，则被描述为在其它元件或特征″下面″或″之下″的元件将定向为在其它元件或特征“之上”。因此，示例性术语″下面″或“之下”可以包括之上和下面的方位。装置可以另外定向(旋转90度或处于其它方位)，因此可以解释本文中使用的空间上相对的叙词。
本文中使用的术语只是为了描述具体实施方案，并不意在限制本发明。如此处使用的，单数形式意在还包括复数形式，除非上下文另有清楚的说明。还应当理解，当本说明书中使用时，术语″包括″和/或″包含″是指存在所述的部件、步骤、操作和/或装置，但是并不排除存在或增加一个或多个其它部件、步骤、操作、装置和/或它们的组合。
除非另有限定，否则本文中使用的所有术语(包括技术和科学术语)具有本发明所属领域的普通技术人员通常所理解的相同意义。还应当理解，术语比如在通常使用的词典中定义的那些术语应当被解释为具有与它们在相关领域的范围中的含义一致的含义，并且不应当在理想化的或过于形式化的意义上进行解释，除非本文中特意这样限定。
本发明的实施方案在此参考横截面图进行描述，所述横截面图是本发明的理想化实施方案(以及中间结构)的示意性说明。同样，由于例如制造技术和/或公差，预期图中的形状有变化。因此，本发明的实施方案不应当被解释为限于本文所示区域的具体形状或尺寸，而包括由例如制造所导致的形状和尺寸的偏差。
例如，图示为矩形的插入区域典型地具有圆形或弯曲的特征。因此，在图中所示的区域是示意性的，并且它们的形状不意在说明装置的区域的实际形状，并且不意在限制本发明的范围。
下面，作为一个实例，将描述根据本发明的显示装置为液晶显示器(LCD)的方案。然而，本发明并不限于此。
现在，将参考图1至6描述根据本发明的一个示例性实施方案的显示基板和包含该显示基板的显示装置。图1是根据本发明的一个实施方案的第一显示基板100的布局图。图2是沿着图1的线II-II’截取的显示装置1的横截面图。图3A是用于说明图2所示的薄膜晶体管(TFT)TR1的操作的能带图。图3B是图2的部分A的放大图。图4至6是显示图2的TFTTR1的特性的图。
参考图1和2，本实施方案的显示装置1包括第一显示基板100、第二显示基板200和液晶层300。为了简便，图1只显示第一显示基板100的布局。
现在，将在下面描述第一显示基板100。栅极线22在绝缘基板10上水平延伸。此外，在绝缘基板10上形成TFT TR1的栅极电极26，该栅极电极26与栅极线22连接并且具有突起形状。栅极线22和栅极电极26统称为栅极布线。
在绝缘基板10上还形成存储电极线28和存储电极27。存储电极线28水平延伸跨过像素区域并且与栅极线22基本平行。存储电极27连接至存储电极线28并且具有宽的宽度。存储电极27与连接至像素电极82(将在下面描述)的漏极电极延伸部分67交叠，以形成改善像素的电荷存储能力的存储电容器。存储电极27和存储电极线28统称为存储布线。
存储布线的形状和设置可以变化。此外，如果通过像素电极82和栅极线22的交叠而产生足够的存储电容，则不需要形成专用存储布线。
栅极布线和存储布线中的每一个可以由以下材料制成：铝(Al)-基金属比如Al或Al合金、银(Ag)-基金属如Ag或Ag合金、铜(Cu)-基金属如Cu或Cu合金、钼(Mo)-基金属如Mo或Mo合金、铬(Cr)、钛(Ti)或钽(Ta)。
此外，栅极布线和存储布线中的每一个可以具有由两个具有不同物理特性的导电层(未显示)构成的多层结构。在这种情况下，两个导电层中的一个可以由具有低电阻率的金属比如Al-基金属、Ag-基金属或Cu-基金属制成，以降低在栅极布线和存储布线的每一个中的信号延迟或电压降。导电层中的另一个可以由不同材料制成，尤其是，由与氧化锡铟(ITO)和氧化锌铟(IZO)具有优良接触特性的材料比如Mo-基金属、铬、钛或钽制成。多层结构的良好实例包括Cr下层和Al上层的组合，以及Al下层和Mo上层的组合。然而，本发明并不限于这些。栅极布线和存储布线可以由各种金属和导体形成。
在栅极布线和存储布线上形成由氮化硅(SiNx)制成的栅极绝缘膜30。此外，在栅极绝缘膜30上形成与栅极电极26交叠的第一半导体图案42，并且在第一半导体图案42上形成与栅极电极26交叠的第二半导体图案44。
第二半导体图案44的能带隙可以大于第一半导体图案42的能带隙。即，第一半导体图案42可以在栅极绝缘膜30和第二半导体图案44之间形成量子阱。在这种情况下，可以提高在第一半导体图案42中的电子迁移率，这将在下面参考图3A和3B详细地描述。
第一半导体图案42可以包含非晶硅。具体地，第一半导体图案42可以包含氢化非晶硅。第二半导体图案44可以包含氧化物，所述氧化物包含选自Zn、In、Ga、Sn或它们的组合中的至少一种材料。例如，第二半导体图案44可以包含复合氧化物，比如InZnO、InGaO、InSnO、ZnSnO、GaSnO、GaZnO、GaInZnO、In2O3Co、TiO2Co或MgOCo。如果半导体图案仅包含氧化物，则TFT的电特性可能由于氧缺陷而劣化。但是，如果第一半导体图案42包含非晶硅，并且如果第二半导体图案44包含氧化物，则TFT TR1的电特性并不劣化。因此，TFT TR1可以具有优良的稳定性和操作可靠性。此外，可以提高显示装置1的显示质量。稍后将参考图4至6进行更详细的描述。
在第一半导体图案42和第二半导体图案44以及栅极绝缘膜30上形成数据布线。数据布线包括数据线62、源极电极65、漏极电极66和漏极电极延伸部分67。数据线62垂直延伸并且跨过栅极线22，从而限定像素。源极电极65从数据线62分支并且延伸到第一半导体图案42和第二半导体图案44上。漏极电极66与源极电极65分开，并且形成在第一半导体图案42和第二半导体图案44上，从而与源极电极65面对。漏极电极延伸部分67具有从漏极电极66延伸并且与存储电极27交叠的部分。
数据布线可以直接接触第二半导体图案44以形成欧姆接触。为了与氧化物半导体图案形成欧姆接触，数据布线可以具有包含Ni、Co、Ti、Ag、Cu、Mo、Al、Be、Nb、Au、Fe、Se或Ta的单层结构或多层结构。多层结构的实例可以包括双层结构，比如Ta/Al、Ni/Al、Co/Al或Mo(Mo合金)/Cu，或者三层结构，比如Ti/Al/Ti、Ta/Al/Ta、Ti/Al/TiN、Ta/Al/TaN、Ni/Al/Ni或Co/Al/Co。数据布线的材料并不限于上述材料。此外，数据布线可以不直接接触第二半导体图案44，并且可以进一步将欧姆接触层(未显示)置于数据布线和第二半导体图案44之间，以改善欧姆接触。
源极电极65与栅极电极26至少部分地交叠，并且漏极电极66与栅极电极26至少部分地交叠以面对源极电极65。栅极电极26、第一半导体图案42、第二半导体图案44、源极电极65和漏极电极66共同形成TFT TR1。
漏极电极延伸部分67与存储电极27交叠，由此漏极电极延伸部分67和存储电极27形成存储电容器，其中栅极绝缘膜30置于它们之间。当不形成存储电极27时，不需要形成漏极电极延伸部分67。
在数据布线以及第一半导体图案42和第二半导体图案44上形成钝化层70。钝化层70可以由以下材料形成：例如无机材料比如氮化硅或氧化硅、具有感光性和优良的平面化特性的有机材料，或通过等离子体增强化学气相沉积(PECVD)形成的低k电介质材料如a-Si:C:O或a-Si:O:F。钝化层70可以由下无机层和上有机层构成，以保护第二半导体图案44的暴露部分，同时利用有机层的优良特性。
在钝化层70中形成使漏极电极延伸部分67暴露的接触孔77。
像素电极82被设置在钝化层70上。像素电极82通过接触孔77与漏极电极延伸部分67电连接。像素电极82可以由例如透明导体比如ITO或IZO，或者反射性导体比如Al制成。
现在，在下面描述第二显示基板200。在绝缘基板210上形成用于防止光泄漏的黑底(black matrix)220。黑底220形成在除像素区域以外的区域内，由此限定像素区域。黑底220可以由例如不透明有机材料或不透明金属制成。
为了显示颜色，在绝缘基板210上形成红色(R)、绿色(G)和蓝色(B)滤色器230。R、G和B滤色器230各自通过利用包含在其中的R、G或B颜料，吸收在预定波长带的光或使在预定波长带的光通过，以显示R、G或B颜色。R、G和B滤色器230可以通过相加混合通过其中的R、G和B光产生各种颜色。
可以在黑底220和R、G和B滤色器230上形成外涂层240，以使它们的阶梯高度变平。外涂层240可以由透明有机材料形成，保护黑底220和R、G和B滤色器230，并且使共用电极250(将在下面描述)与黑底220和R、G和B滤色器230绝缘(insulate)。
在外涂层240上形成共用电极250。共用电极250可以由透明导电材料比如ITO或IZO制成。
液晶层300置于第一显示基板100和第二显示基板200之间。在像素电极82和共用电极250之间的电压差决定透射率。
现在，将参考图3A和3B，对图1和2所示的TFT TR1进行更详细的描述。
图3A是显示当对栅极电极26施加正电压，即栅极导通电压(gate-onvoltage)时，栅极电极26、栅极绝缘膜30和第一半导体图案42和第二半导体图案44的能带的能带图。在图3A中，第一能带隙EBG_1是第一半导体图案42的导带C.B和价带V.B之间的能量差，而第二能带隙EBG_2是第二半导体图案44的导带C.B和价带V.B之间的能量差。此外，标记符号EF指的是费米能级。由于费米能级在半导体领域中是广泛已知的，因此将省略对它的详细描述。
如上所述，第一半导体图案42具有第一能带隙EBG_1，而第二半导体图案44具有第二能带隙EBG_2，所述第二能带隙EBG_2大于第一能带隙EBG_1。因此，在栅极绝缘膜30和第二半导体图案44之间，即，在第一半导体图案42中形成量子阱。即，如图3A和3B所示，在第一半导体图案42和第二半导体图案44之间的边界上的能垒使得在第一半导体图案42中的电子难以从第一半导体图案42移动到第二半导体图案44中。因此，第一半导体图案42可以在其中具有高的电子迁移率。如果第一半导体图案42的厚度约为以下，则可以降低量子阱的宽度，由此使得电子更难以移动到第二半导体图案44中。因此，可以进一步提高第一半导体图案42内的电子迁移率。然而，在本发明中，第一半导体图案42的厚度并不限于约
Figure G2009100021223D00082
以下。
如上所述，第一半导体图案42可以包含氢化非晶硅，并且第二半导体图案44可以包含氧化物。根据本实施方案的第一显示基板100的TFT TR1的电子迁移率以及其它形式的TFT的电子迁移率被归纳在下表中。
[表1]
  编号   形式   迁移率(cm2/Vsec)
1 氧化物 3
  2   氢化非晶硅   0.5
  3   氢化非晶硅和氧化物的层压结构   6
参考表1，编号1的TFT的半导体图案包含氧化物，但不包含氢化非晶硅，而编号2的TFT的半导体图案包含氢化非晶硅，但不包含氧化物。编号3的TFT是图1和2所示的TFT TR1的一个实例。即，编号3的TFT包括含有非晶硅的第一半导体图案以及含有氧化物的第二半导体图案。如果每一个TFT的半导体图案的宽度与长度的比率(W/L比)为25/4，则编号1的电子迁移率为3cm2/Vsec，编号2的TFT的电子迁移率为0.5cm2/Vsec，而编号3的TFT的电子迁移率为6cm2/Vsec。即，如果如本实施方案那样TFT包含第一半导体图案42和第二半导体图案44，并且如果在第一半导体图案42内形成量子阱，则可以显著提高电子迁移率。
现在，将参考图4至6更详细地描述TFT TR1的其它特性。下列描述基于在测试TFT TR1的特性之后获得的数据。测试的TFT TR1包括含氢化非晶硅的第一半导体图案42，以及含氧化物的第二半导体图案44。此外，第一半导体图案42的厚度约为
Figure G2009100021223D00091
而第二半导体图案44的厚度约为
Figure G2009100021223D00092
为了获得图4的数据，通过改变测试时间，对栅极电极26施加20V的栅极电压Vg，并且对源极电极65施加10V的栅极电压。然后，对于栅极电压Vg，测量漏极-源极电流Ids。
如图4所示，当TFT TR1包含由氢化非晶硅制成的第一半导体图案42以及由氧化物制成的第二半导体图案44时，即使增加测试时间，I-V曲线也几乎不偏移。
为了获得图5的数据，对表中编号1至3的每一个TFT的栅极电极施加20V的栅极电压Vg，并且对其源极电极施加10V的栅极电压Vg。然后，在每一个测试时间测量域值电压。第一曲线G1表示表1中编号2的TFT的域值电压，第二曲线G2表示表1中编号1的TFT的域值电压，而第三曲线G3表示表1中编号3的TFT的域值电压。
如图5所示，在表1中包含氢化非晶硅的第一半导体图案42以及由氧化物制成的第二半导体图案44的编号3的TFT的情况下，即使测试时间增加，域值电压也几乎不改变。
总之，具有氢化非晶硅的第一半导体图案42和由氧化物制成的第二半导体图案44的TFT TR1具有优异的稳定性和操作可靠性。
图6显示了关于漏极-源极电流Ids和漏极-源极电压Vds之间的关系相对于栅极电压Vg的变化的数据。参考图6，即使当漏极-源极电压Vds低，例如为0V至5V时，漏极-源极电流Ids也根据栅极电压Vg变化。即，很少发生电流拥挤现象。因此，即使当漏极-源极电压Vds低时，与每一个漏极-源极电压Vds对应的漏极-源极电流Ids也仍然产生，并且被提供给像素电极82。以这种方式，通过小的漏极-源极电压Vds来控制漏极-源极电流Ids允许更精确地控制像素电极82的电压，由此提高显示装置1的显示质量。
现在，参考图7描述本发明的另一个示例性实施方案。图7是根据本发明的另一个示例性实施方案的第一显示基板101的横截面图，用于说明显示基板以及包含该显示基板的显示装置。与在上面参考图2描述的前述实施方案的元件基本相同的元件由相同的标记表示，因此对它们的描述将省略。
参考图7，与前述实施方案中不同的是，根据本实施方案的第一显示基板101还包括第三半导体图案46。第三半导体图案46可以形成在栅极绝缘膜30和第一半导体图案42之间。半导体图案46可以具有第三能带隙，所述第三能带隙大于第一半导体图案42的第一能带隙EBG1。在这种情况下，可以在第二半导体图案44和第三半导体图案46之间，即，在第一半导体图案42中形成量子阱。因此，可以提高第一半导体图案42中的电子迁移率。
第三半导体图案46可以包含氧化物。例如，第三半导体图案46可以包含复合氧化物，比如InZnO、InGaO、InSnO、ZnSnO、GaSnO、GaZnO、GaInZnO、In2O3Co、TiO2Co或MgOCo。如果第一显示基板101还包含第三半导体图案46，则可以省略栅极绝缘膜30。即，第三半导体图案46可以起着栅极绝缘膜30的作用，并且可以直接形成在栅极电极26上。
由于根据本实施方案的第一显示基板101的TFT TR2包含第一半导体图案42和第二半导体图案44，因此如上面在前述实施方案中参考图4至6所描述那样，可以提高稳定性、操作安全性和显示质量。
现在，将参考图8描述本发明的另一个示例性实施方案。图8是根据本发明的另一个示例性实施方案的第一显示基板102的横截面图，用于说明显示基板和包含该显示基板的显示装置。与在上面参考图2描述的前述实施方案的元件基本相同的元件由相同的标记表示，因此对它们的描述将省略。
参考图8，与在前述实施方案中不同的是，根据本实施方案的第一显示基板102的第二半导体图案45与第一半导体图案42部分交叠。例如，第二半导体图案45可以形成在源极电极65和漏极电极66之间。此外，第二半导体图案45可以不与源极电极65和漏极电极66交叠。
在这种情况下，在其中第一半导体图案42和第二半导体图案45彼此交叠的第一半导体图案42的交叠区域OL中，形成如图3A所示的能带。以这种方式，可以在交叠区域中形成量子阱，由此提高在这个区域中的电子迁移率。如上面在前述实施方案中参考图4至6所描述的那样，这种量子阱的存在提供提高的稳定性、操作可靠性和显示质量。
现在，参考图9描述本发明的另一个示例性实施方案。图9是根据本发明的另一个示例性实施方案的第一显示基板103的横截面图，用于说明显示基板以及包含该显示基板的显示装置。与在上面参考图2描述的前述实施方案的元件基本相同的元件由相同的标记表示，因此对它们的描述将省略。
参考图9，与在前述实施方案中不同的是，第一显示基板103还可以包含在第一半导体图案42和第二半导体图案45上的欧姆接触层48。即，第二导体图案45与第一半导体图案42在交叠区域OL中交叠，并且在源极电极65和漏极电极66与第一半导体图案42之间形成欧姆接触层48。在这种情况下，通过如上所述由图案42和45形成的量子阱，可以提高在交叠区域OL中的电子迁移率。此外，在源极电极65和漏极电极66与欧姆接触层48之间的欧姆接触提高了欧姆特性，由此提高了电子迁移率。欧姆接触层48由例如掺杂有高浓度的n-型杂质的n+氢化非晶硅制成，并且降低了设置在其上的源极电极65和漏极电极66与设置在其下的第一半导体图案42和第二半导体图案45之间的接触电阻。
由于根据本实施方案的第一显示基板103的TFT TR4包含第一半导体图案42和第二半导体图案45，因此如上面在前述实施方案中参考图4至6所描述的那样，可以提高稳定性、操作可靠性和显示质量。
尽管已经参考本发明的示例性实施方案详细地显示并描述了本发明，但是本领域普通技术人员应当理解，在不偏离如后附权利要求所限定的本发明的精神和范围的情况下，可以在其中进行形式和细节上的各种变化。所述示例性实施方案应当被认为只是说明性的，而非限制性的。

Claims (18)

1.一种显示基板，所述显示基板包括：
栅极布线；
第一半导体图案，所述第一半导体图案形成在所述栅极布线上并且具有第一能带隙，其中所述第一半导体图案包含非晶硅；
第二半导体图案，所述第二半导体图案形成在所述第一半导体图案上并且具有第二能带隙，所述第二能带隙大于所述第一能带隙，其中所述第二半导体图案包含氧化物；
数据布线，所述数据布线形成在所述第一半导体图案上；以及
像素电极，所述像素电极与所述数据布线电连接；
其中在所述第一半导体图案中形成量子阱。
2.权利要求1所述的显示基板，其中所述第二半导体图案被设置在所述数据布线下面，并且与所述数据布线形成欧姆接触。
3.权利要求1所述的显示基板，其中所述第二半导体图案包含O，以及Ga、In、Zn、Sn、C0、Ti和Mg中的至少一种。
4.权利要求1所述的显示基板，还包括第三半导体图案，所述第三半导体图案形成在所述栅极布线和所述第一半导体图案之问，并且具有第三能带隙，所述第三能带隙大于所述第一能带隙。
5.权利要求1所述的显示基板，还包括栅极绝缘膜，所述栅极绝缘膜形成在所述栅极布线和所述第一半导体图案之问。
6.权利要求1所述的显示基板，还包括欧姆接触层，所述欧姆接触层被设置在所述第一半导体图案上，并且与所述数据布线形成欧姆接触。
7.权利要求1所述的显示基板，其中所述第一半导体图案的厚度为
Figure FDA00002576418300011
以下。
8.一种包括薄膜晶体管的显示基板，所述薄膜晶体管包括：
栅极电极；
第一半导体图案，所述第一半导体图案形成在所述栅极电极上，并且包含非晶硅；
第二半导体图案，所述第二半导体图案形成在所述第一半导体图案上并且包含氧化物；
源极电极，所述源极电极形成在所述第二半导体图案上；以及
漏极电极，所述漏极电极形成在所述第二半导体图案上，并且与所述源极电极分开；
其中在所述第一半导体图案中形成量子阱。
9.权利要求8所述的显示基板，其中所述第二半导体图案与所述源极电极和所述漏极电极中的每一个形成欧姆接触。
10.权利要求8所述的显示基板，其中所述第一半导体图案具有第一能带隙，并且所述第二半导体图案具有第二能带隙，所述第二能带隙大于所述第一能带隙。
11.权利要求8所述的显示基板，还包括栅极绝缘膜，所述栅极绝缘膜形成在所述栅极布线和所述第一半导体图案之间。
12.权利要求8所述的显示基板，其中所述第二半导体图案包含O，以及Ga、In、Zn、Sn、Co、Ti和Mg中的至少一种。
13.权利要求8所述的显示基板，其中所述第一半导体图案的厚度为以下。
14.一种显示装置，所述显示装置包括：
第一显示基板；
第二显示基板，所述第二显示基板面对所述第一显示基板；以及
液晶层，所述液晶层置于所述第一显示基板和所述第二显示基板之间，
其中所述第一显示基板包括：
栅极布线；
第一半导体图案，所述第一半导体图案形成在所述栅极布线上并且具有第一能带隙，其中所述第一半导体图案包含非晶硅；
第二半导体图案，所述第二半导体图案形成在所述第一半导体图案上并且具有第二能带隙，所述第二能带隙大于所述第一能带隙，其中所述第二半导体图案包含氧化物；
数据布线，所述数据布线形成在所述第一半导体图案上；以及
像素电极，所述像素电极与所述数据布线电连接；
其中在所述第一半导体图案中形成量子阱。
15.权利要求14所述的显示装置，其中所述第二半导体图案被设置在所述数据布线的下面，并且与所述数据布线形成欧姆接触。
16.权利要求14所述的显示装置，其中所述第二半导体图案包含O，以及Ga、In、Zn、Sn、Co、Ti和Mg中的至少一种。
17.权利要求14所述的显示装置，还包括第三半导体图案，所述第三半导体图案形成在所述栅极布线和所述第一半导体图案之间，并且具有第三能带隙，所述第三能带隙大于所述第一能带隙。
18.权利要求14所述的显示装置，其中所述第一半导体图案的厚度为
Figure FDA00002576418300031
以下。
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