JP2019053172A - 表示装置 - Google Patents

Abstract

【課題】表示領域に設けられたトランジスタの特性と、周辺領域に設けられたトランジスタの特性とを互いに異ならせることが可能な表示装置を提供する。【解決手段】表示領域および前記表示領域の外側の周辺領域が設けられた基板と、前記基板上の前記表示領域に設けられ、酸化物半導体材料を含む第１半導体層を有する第１トランジスタと、前記基板上の前記周辺領域に設けられ、前記第１半導体層に含まれる前記酸化物半導体材料と同じ酸化物半導体材料を含む第２半導体層を有し、かつ、前記第１トランジスタの移動度よりも高い移動度を有する第２トランジスタと、前記基板上の前記表示領域に設けられ、前記第１トランジスタおよび前記第２トランジスタにより駆動される、複数の有機電界発光素子とを備えた表示装置。【選択図】図４Ａ

Description

本技術は、有機電界発光素子を有する表示装置に関する。

表示装置は、表示領域、周辺領域各々に複数のトランジスタを有している。（例えば、特許文献１参照）。表示領域に設けられたトランジスタは例えば、画素回路を構成しており、周辺領域に設けられたトランジスタは例えば、周辺回路を構成している。即ち、表示領域に設けられたトランジスタの役割と、周辺領域に設けられたトランジスタの役割とが互いに異なっている。

特開平９−２３６８２８号公報

このような表示装置では、表示領域に設けられたトランジスタの特性と、周辺領域に設けられたトランジスタの特性とを互いに異ならせることが望まれている。

したがって、表示領域に設けられたトランジスタの特性と、周辺領域に設けられたトランジスタの特性とを互いに異ならせることが可能な表示装置を提供することが望ましい。

本技術の一実施の形態に係る表示装置は、表示領域および表示領域の外側の周辺領域が設けられた基板と、基板上の表示領域に設けられ、酸化物半導体材料を含む第１半導体層を有する第１トランジスタと、基板上の周辺領域に設けられ、第１半導体層に含まれる酸化物半導体材料と同じ酸化物半導体材料を含む第２半導体層を有し、かつ、第１トランジスタの移動度よりも高い移動度を有する第２トランジスタと、基板上の表示領域に設けられ、第１トランジスタおよび第２トランジスタにより駆動される、複数の有機電界発光素子とを備えたものである。

本技術の一実施の形態に係る表示装置では、第２トランジスタの移動度が第１トランジスタの移動度よりも高いので、表示領域に設けられた第１トランジスタの特性と、周辺領域に設けられた第２トランジスタの特性とが異なる。

本技術の一実施の形態に係る表示装置によれば、第２トランジスタの移動度を第１トランジスタの移動度よりも高くするようにしたので、表示領域に設けられた第１トランジスタの特性と、周辺領域に設けられた第２トランジスタの特性とを互いに異ならせることが可能となる。なお、ここに記載された効果は必ずしも限定されるものではなく、本開示中に記載されたいずれの効果であってもよい。

本開示の第１の実施の形態に係る表示装置の概略構成を表す平面模式図である。 図１に示した表示装置の全体構成を表すブロック図である。 図２に示した画素の配置を表す模式図である。 図１に示したＡ−Ａ’線に沿った断面構成を表す模式図である。 図１に示したＢ−Ｂ’線に沿った断面構成を表す模式図である。 図４Ａに示した第１トランジスタを製造する工程を表す断面模式図である。 図４Ｂに示した第２トランジスタを製造する工程を表す断面模式図である。 比較例に係る第１トランジスタの構成を表す断面模式図である。 比較例に係る第２トランジスタの構成を表す断面模式図である。 変形例１に係る第１トランジスタの概略構成を表す断面模式図である。 本開示の第２の実施の形態に係る表示装置（第１トランジスタ）の概略構成を表す断面模式図である。 図８Ａに示した表示装置の第２トランジスタの構成を表す断面模式図である。 変形例２に係る第２トランジスタの概略構成を表す断面模式図である。 変形例３に係る表示装置（第１トランジスタ）の構成を表す断面模式図である。 図１０Ａに示した表示装置の第２トランジスタの構成を表す断面模式図である。 電子機器の構成を表すブロック図である。

以下、本技術の実施の形態について、図面を参照して詳細に説明する。なお、説明は以下の順序で行う。
１．第１の実施の形態（基板と第１半導体層との間にレーザ光吸収層を有する表示装置）
２．変形例１（基板とレーザ光吸収層との間にレーザ光干渉層が設けられた例）
３．第２の実施の形態（基板と第２半導体層との間に酸素取込層を有する表示装置）
４．変形例２（第２半導体層に接する無機絶縁膜の水素供与性を高めた例）
５．変形例３（第２半導体層に接するＵＣ膜の厚みを大きくした例）
６．適用例（電子機器の例）

＜１．第１の実施の形態＞
［構成］
図１は、本開示の第１の実施の形態に係る表示装置（表示装置１）の全体構成を模式的に表したものである。表示装置１は、例えば、有機電界発光素子を用いた有機ＥＬディスプレイ等であり、例えばＲ（赤），Ｇ（緑），Ｂ（青）のいずれかの色の光が上面側から出射される、上面発光型（トップエミッション型）の表示装置である。この表示装置１は、中央の表示領域１Ａと、この表示領域１Ａの外側の周辺領域１Ｂとを有している。表示領域１Ａは、例えば四角形状である。周辺領域１Ｂは、この表示領域１Ａを囲むように枠状に設けられている。

図２は、表示領域１Ａおよび周辺領域１Ｂの機能構成の一例を表している。表示領域１Ａは、２次元配置された複数の画素ｐｒ，ｐｇ，ｐｂを有している。この表示領域１Ａには、例えばアクティブマトリクス方式により、外部から入力される映像信号に基づいて画像が表示される。周辺領域１Ｂには、例えば、表示領域１Ａを駆動するための回路部（走査線駆動部３、信号線駆動部４および電源線駆動部５）が設けられている。表示領域１Ａから周辺領域１Ｂにわたって、例えば、画素配列の行方向に沿って延在する複数の走査線ＷＳＬと、列方向に沿って延在する複数の信号線ＤＴＬと、行方向に沿って延在する複数の電源線ＤＳＬとが設けられている。各画素ｐｒ，ｐｇ，ｐｂは、走査線ＷＳＬを介して走査線駆動部３に、信号線ＤＴＬを介して信号線駆動部４に、電源線ＤＳＬを介して電源線駆動部５に各々電気的に接続されている。画素ｐｒ，ｐｇ，ｐｂは、例えばそれぞれがサブピクセルに相当し、これらの画素ｐｒ，ｐｇ，ｐｂの組が１つのピクセル（画素Ｐｉｘ）を構成する。

図３は、図２に示した画素Ｐｉｘ（画素ｐｒ，ｐｇ，ｐｂ）の平面構成の一例を表したものである。画素ｐｒ、ｐｇ、ｐｂの各面形状は、例えば矩形状を有し、全体としてストライプ状を成して配置されている。画素ｐｒ、ｐｇ、ｐｂの矩形状の長辺に沿った方向（図３の列方向）では、同じ発光色の画素が並んで配置されている。画素ｐｒは、赤色（Ｒ）の表示を行うものであり、画素ｐｇは、例えば緑色（Ｇ）の表示を行うものであり、画素ｐｂは、例えば青色（Ｂ）の表示を行うものである。これらの画素ｐｒ，ｐｇ，ｐｂはそれぞれ、有機ＥＬ素子３０を含む画素回路ＰＸＬＣを有している（図２）。

以下では、画素ｐｒ，ｐｇ，ｐｂのそれぞれを特に区別する必要のない場合には、「画素Ｐ」と称して説明を行う。

画素回路ＰＸＬＣは、各画素ｐｒ，ｐｇ，ｐｂにおける発光および消光を制御するものであり、例えば有機ＥＬ素子３０（有機電界発光素子）と、保持容量Ｃｓと、書き込みトランジスタＷｓＴｒと、駆動トランジスタＤｓＴｒとを含んで構成されている。尚、ここでは、画素回路ＰＸＬＣとして、２Ｔｒ１Ｃの回路構成を例示するが、画素回路ＰＸＬＣの構成はこれに限定されるものではない。画素回路ＰＸＬＣは、この２Ｔｒ１Ｃの回路に対して、更に各種容量やトランジスタ等を付加した回路構成を有していてもよい。

書き込みトランジスタＷｓＴｒは、駆動トランジスタＤｓＴｒのゲート電極に対する、映像信号（信号電圧）の印加を制御するものである。具体的には、書き込みトランジスタＷｓＴｒは、走査線ＷＳＬへの印加電圧に応じて信号線ＤＴＬの電圧（信号電圧）をサンプリングすると共に、その信号電圧を駆動トランジスタＤｓＴｒのゲート電極に書き込むものである。駆動トランジスタＤｓＴｒは、有機ＥＬ素子３０に直列に接続されており、書き込みトランジスタＷｓＴｒによってサンプリングされた信号電圧の大きさに応じて有機ＥＬ素子３０に流れる電流を制御するものである。これらの駆動トランジスタＤｓＴｒおよび書き込みトランジスタＷｓＴｒは、例えば、ｎチャネルＭＯＳ型またはｐチャネルＭＯＳ型の薄膜トランジスタ（ＴＦＴ：Thin Film Transistor）により形成される。これらの駆動トランジスタＤｓＴｒおよび書き込みトランジスタＷｓＴｒは、また、シングルゲート型であってもよいし、デュアルゲート型であってもよい。保持容量Ｃｓは、駆動トランジスタＤｓＴｒのゲート電極およびソース電極間に所定の電圧を保持するものである。

書き込みトランジスタＷｓＴｒのゲート電極は、走査線ＷＳＬに接続されている。書き込みトランジスタＷｓＴｒのソース電極およびドレイン電極のうちの一方の電極が信号線ＤＴＬに接続され、他方の電極が駆動トランジスタＤｓＴｒのゲート電極に接続されている。駆動トランジスタＤｓＴｒのソース電極およびドレイン電極のうちの一方の電極が電源線ＤＳＬに接続され、他方の電極が有機ＥＬ素子３０のアノード（後述の第１電極３１）に接続されている。保持容量Ｃｓは、駆動トランジスタＤｓＴｒのゲート電極と有機ＥＬ素子３０側の電極との間に挿入されている。

走査線ＷＳＬは、表示領域１Ａに配置された複数の画素Ｐを行毎に選択するための選択パルスを、各画素Ｐに供給するためのものである。この走査線ＷＳＬは、走査線駆動部３の出力端（図示せず）と、後述の書き込みトランジスタＷｓＴｒのゲート電極とに接続されている。信号線ＤＴＬは、映像信号に応じた信号パルス（信号電位Ｖsigおよび基準電位Ｖofs）を、各画素Ｐへ供給するためのものである。この信号線ＤＴＬは、信号線駆動部４の出力端（図示せず）と、後述の書き込みトランジスタＷｓＴｒのソース電極またはドレイン電極とに接続されている。電源線ＤＳＬは、各画素Ｐに、電力として固定電位（Ｖcc）を供給するためのものである。この電源線ＤＳＬは、電源線駆動部５の出力端（図示せず）と、後述の駆動トランジスタＤｓＴｒのソース電極またはドレイン電極とに接続されている。尚、有機ＥＬ素子３０のカソード（後述の第２電極３４）は、共通電位線（カソード線）に接続されている。

走査線駆動部３は、各走査線ＷＳＬに所定の選択パルスを線順次で出力することにより、例えばアノードリセット、Ｖth補正、信号電位Ｖsigの書き込み、移動度補正および発光動作等の各動作を、各画素Ｐに所定のタイミングで実行させるものである。信号線駆動部４は、外部から入力されたデジタルの映像信号に対応するアナログの映像信号を生成し、各信号線ＤＴＬに出力するものである。電源線駆動部５は、各電源線ＤＳＬに対して、定電位を出力するものである。これらの走査線駆動部３、信号線駆動部４および電源線駆動部５は、図示しないタイミング制御部により出力されるタイミング制御信号により、それぞれが連動して動作するように制御される。また、外部から入力されるデジタルの映像信号は、図示しない映像信号受信部により補正された後、信号線駆動部４に入力される。

以下に、表示装置１の具体的な構成を説明する。

図４Ａは表示装置１の表示領域１Ａの断面構成、図４Ｂは周辺領域１Ｂの断面構成を模式的に表したものであり、各々、図１に示したＡ−Ａ’線、Ｂ−Ｂ’線に沿った断面構成に対応する。表示領域１Ａでは、基板１１上に複数の第１トランジスタ１０および複数の有機ＥＬ素子３０が設けられ、周辺領域１Ｂでは、基板１１上に複数の第２トランジスタ４０が設けられている。基板１１と第１トランジスタ１０および第２トランジスタ４０との間には、ＵＣ（Under Coat）膜１２が設けられている。

第１トランジスタ１０は、例えば、トップゲート型の薄膜トランジスタであり、駆動トランジスタＤｓＴｒまたは書き込みトランジスタＷｓＴｒ（図２）として機能するものである。この第１トランジスタ１０は、基板１１に近い位置から、レーザ光吸収層１３、半導体層１４（第１半導体層）、ゲート絶縁膜１５、ゲート電極１６（第１ゲート電極）、およびソース・ドレイン電極１９Ａ，１９Ｂ（第１ソース・ドレイン電極）をこの順に有している（図４Ａ）。ゲート電極１６とソース・ドレイン電極１９Ａ，１９Ｂとの間には、無機絶縁膜１７および有機絶縁膜１８が設けられている。無機絶縁膜１７および有機絶縁膜１８は、半導体層１４、ゲート絶縁膜１５およびゲート電極１６を覆っており、有機絶縁膜１８上にソース・ドレイン電極１９Ａ，１９Ｂが設けられている。ソース・ドレイン電極１９Ａ，１９Ｂは、有機絶縁膜１８および無機絶縁膜１７を貫通する接続孔を介して半導体層１４（後述の低抵抗領域１４ｂ）に電気的に接続されている。ソース・ドレイン電極１９Ａ，１９Ｂを覆うように、有機絶縁膜１８上に平坦化膜２１が設けられ、この平坦化膜２１を介して第１トランジスタ１０上に有機ＥＬ素子３０が配置されている。

有機ＥＬ素子３０は、平坦化膜２１に近い位置から順に、第１電極３１、有機層３３および第２電極３４を有している。隣り合う有機ＥＬ素子３０の間には、素子分離膜３２が設けられている。

第２トランジスタ４０は、例えば、トップゲート型の薄膜トランジスタであり、走査線駆動部３、信号線駆動部４または電源線駆動部５を構成するものである（図２）。この第２トランジスタ４０は、基板１１に近い位置から、半導体層４４（第２半導体層）、ゲート絶縁膜４５、ゲート電極４６（第２ゲート電極）、およびソース・ドレイン電極４９Ａ，４９Ｂ（第２ソース・ドレイン電極）をこの順に有している（図４Ｂ）。ゲート電極４６とソース・ドレイン電極１４Ａ，４９Ｂとの間には、表示領域１Ａから延在する無機絶縁膜１７および有機絶縁膜１８が設けられている。無機絶縁膜１７および有機絶縁膜１８は、半導体層４４、ゲート絶縁膜４５およびゲート電極４６を覆っており、有機絶縁膜１８上にソース・ドレイン電極４９Ａ，４９Ｂが設けられている。ソース・ドレイン電極４９Ａ，４９Ｂは、有機絶縁膜１８および無機絶縁膜１７を貫通する接続孔を介して半導体層４４（後述の低抵抗領域４４ｂ）に電気的に接続されている。このように、第２トランジスタ４０の構成は、レーザ光吸収層（例えば、図４Ａのレーザ光吸収層１３）が設けられていないことを除き、第１トランジスタ１０の構成と略同じである。

基板１１は、例えばガラス，石英，シリコン，樹脂材料または金属板等により構成されている。樹脂材料としては、例えばＰＥＴ（ポリエチレンテレフタレート），ＰＩ（ポリイミド），ＰＣ（ポリカーボネート）またはＰＥＮ（ポリエチレンナフタレート）などが挙げられる。

ＵＣ膜１２は、基板１１から、上層に例えばナトリウムイオン等の物質が移動するのを防ぐためのものであり、窒化シリコン（ＳｉＮ）膜および酸化シリコン（ＳｉＯ）膜等の絶縁材料により構成されている。例えば、ＵＣ膜１２は、基板１１に近い位置から順に窒化シリコン（ＳｉＮ）膜および酸化シリコン（ＳｉＯ）膜を含む積層膜により構成されている。ＵＣ膜１２は、基板１１全面にわたって設けられている。

第１トランジスタ１０のレーザ光吸収層１３は、ＵＣ膜１２上の選択的な領域に設けられている。このレーザ光吸収層１３は所定波長の光のレーザ光を吸収して発熱するものであり、この高温化されたレーザ光吸収層１３に接する半導体層１４が酸化されるようになっている。本実施の形態では、このレーザ光吸収層１３が表示領域１Ａに配置された第１トランジスタ１０のみに設けられ、周辺領域１Ｂに配置された第２トランジスタ４０には設けられていない。換言すれば、レーザ光吸収層１３は、半導体層１４，４４のうち、半導体層１４と基板１１との間に設けられている。詳細は後述するが、これにより、半導体層１４，４４のうち、半導体層１４のみが選択的に酸化され、第１トランジスタ１０の移動度が、第２トランジスタ４０の移動度よりも低くなる。

レーザ光吸収層１３は、ＵＣ膜１２と半導体層１４との間に設けられ、例えば、半導体層１４の下面（基板１１との対向面）に接している。このレーザ光吸収層１３は、例えば、ゲート電極１６の平面（ＸＹ）形状と略同じ平面形状を有し、平面視でゲート電極１６に重なる位置に配置されている。レーザ光吸収層１３の端面は、ゲート電極１６の端面と平面視で重なる位置に配置されている。レーザ光吸収層１３は、例えばモリブデン（Ｍｏ）およびタングステン（Ｗ）などの高融点金属を含んでいる。

レーザ光吸収層１３上の半導体層１４は、レーザ光吸収層１３を覆うようにしてＵＣ膜１２上にパターン形成されている。この半導体層１４は、ゲート電極１６に対向するチャネル領域１４ａと、チャネル領域１４ａの外側の低抵抗領域１４ｂとを有している。例えば、半導体層１４のチャネル領域１４ａ以外の部分は、低抵抗領域１４ｂである。低抵抗領域１４ｂの電気抵抗は、チャネル領域１４ａの電気抵抗よりも小さくなっている。低抵抗領域１４ｂは、第１トランジスタ１０のソース・ドレイン領域として機能する。半導体層１４のチャネル領域１４ａには、レーザ光吸収層１３が接している。

この半導体層１４は、例えば、インジウム（Ｉｎ），ガリウム（Ｇａ），亜鉛（Ｚｎ），スズ（Ｓｎ），チタン（Ｔｉ）およびニオブ（Ｎｂ）等のうちの少なくとも１種の元素の酸化物を主成分として含む酸化物半導体から構成されている。具体的には、酸化インジウム錫亜鉛（ＩＴＺＯ），酸化インジウムガリウム亜鉛（ＩＧＺＯ: ＩｎＧａＺｎＯ），酸化亜鉛（ＺｎＯ），酸化インジウム亜鉛（ＩＺＯ），酸化インジウムガリウム（ＩＧＯ），酸化インジウム錫（ＩＴＯ）および酸化インジウム（ＩｎＯ）等が挙げられる。レーザ光吸収層１３に接して設けられた半導体層１４は、半導体層４４と比較してより高度に酸化されており、半導体層１４の酸素空孔の数は、半導体層４４の酸素空孔の数よりも少なくなっている。

第２トランジスタ４０の半導体層４４は、第１トランジスタ１０の半導体層１４と同じ酸化物半導体材料により構成されている。この半導体層４４は、ＵＣ膜１２上にパターン形成されており、半導体層４４の下面はＵＣ膜１２に接している。半導体層４４は、ゲート電極４６に対向するチャネル領域４４ａと、チャネル領域４４ａの外側の低抵抗領域４４ｂとを有している。例えば、半導体層４４のチャネル領域４４ａ以外の部分は、低抵抗領域４４ｂである。低抵抗領域４４ｂの電気抵抗は、チャネル領域４４ａの電気抵抗よりも小さくなっている。低抵抗領域４４ｂは、第２トランジスタ４０のソース・ドレイン領域として機能する。

半導体層１４とゲート電極１６との間のゲート絶縁膜１５および半導体層４４とゲート電極４６との間のゲート絶縁膜４５は、例えば、ゲート電極１６，４６各々と同一の平面形状を有しており、ゲート絶縁膜１５，４５の端面は、ゲート電極１６，４６の端面と平面視で重なる位置に配置されている。即ち、第１トランジスタ１０，第２トランジスタ４０はセルフアライン構造を有するＴＦＴである。ゲート絶縁膜１５，４５は、例えば酸化シリコン（ＳｉＯ_x）、窒化シリコン（ＳｉＮ_x）、酸窒化シリコン（ＳｉＯＮ）および酸化アルミニウム（ＡｌＯ_x）等のうちの１種よりなる単層膜、またはそれらのうちの２種以上よりなる積層膜から構成されている。

ゲート電極１６は、ゲート絶縁膜１５を間にして半導体層１４（チャネル領域１４ａ）に対向し、ゲート電極４６は、ゲート絶縁膜４５を間にして半導体層４４（チャネル領域４４ａ）に対向している。このゲート電極１６，４６は、印加されるゲート電圧（Ｖｇ）によって半導体層１４，４４中のキャリア密度を制御すると共に、電位を供給する配線としての機能を有するものである。ゲート電極１６，４６の構成材料は、例えば、チタン（Ｔｉ），タングステン（Ｗ），タンタル（Ｔａ），アルミニウム（Ａｌ），モリブデン（Ｍｏ），銀（Ａｇ），ネオジウム（Ｎｄ）および銅（Ｃｕ）のうちの１種を含む単体および合金が挙げられる。あるいは、それらのうちの少なくとも１種を含む化合物および２種以上を含む積層膜であってもよい。また、例えばＩＴＯ等の透明導電膜が用いられても構わない。

無機絶縁膜１７は、ゲート電極１６、ゲート絶縁膜１５および半導体層１４とともに、ゲート電極４６、ゲート絶縁膜４５および半導体層４４を覆っており、表示領域１Ａから周辺領域１Ｂにわたって設けられている。この無機絶縁膜１７は、例えば酸化シリコン（ＳｉＯ₂）膜，窒化シリコン（ＳｉＮ）膜，酸化チタン（ＴｉＯ₂）膜または酸化アルミニウム（ＡｌＯ_x）膜等により構成されている。無機絶縁膜１７は、このような膜の単層膜によって構成してもよく、あるいは、複数の膜を含む積層膜によって構成してもよい。無機絶縁膜１７は、例えば、積層膜により構成されており、基板１１に近い位置から順に、酸化アルミニウム膜、酸化シリコン膜および酸化アルミニウム膜を含んでいる。このような無機絶縁膜１７では、半導体層１４，４４の低抵抗領域１４ｂ，４４ｂに下層の酸化アルミニウム膜が接するので低抵抗領域１４ｂ，４４ｂが安定化される。また上層の酸化アルミニウム膜が、外気に対して良好なバリア性を有する保護膜として機能するので、酸素および水分等に起因する半導体層１４，４４の電気的特性の変化を抑えることができる。

有機絶縁膜１８は、無機絶縁膜１７を間にして、ゲート電極１６，４６を覆っており、無機絶縁膜１７とソース・ドレイン電極１９Ａ，１９Ｂ，４９Ａ，４９Ｂとの間に設けられている。即ち、有機絶縁膜１８は、無機絶縁膜１７と同様に、表示領域１Ａおよび周辺領域１Ｂにわたって設けられている。有機絶縁膜１８は、例えば、アクリル系樹脂、ポリイミド（ＰＩ）、ノボラック系樹脂等の有機材料により構成されており、その厚みは２〜３μｍである。このような十分な厚みの有機絶縁膜１８で、ゲート電極１６，４６およびゲート絶縁膜１５，４５を覆うことにより、これらの段差に起因した不具合の発生を抑えることができる。具体的には、ゲート電極１６，４６およびゲート絶縁膜１５，４５の段差に起因したソース・ドレイン電極１９Ａ，１９Ｂ，４９Ａ，４９Ｂの断線および短絡等の発生が抑えられる。

また、有機絶縁膜１８を無機絶縁膜１７とソース・ドレイン電極１９Ａ，１９Ｂ，４９Ａ，４９Ｂとの間に設けることにより、配線間（例えば、ゲート電極１６，４６とソース・ドレイン電極１９Ａ，１９Ｂ，４９Ａ，４９Ｂとの間）の寄生容量を低減することができる。

有機絶縁膜１８上には、ソース・ドレイン電極１９Ａ，１９Ｂ，４９Ａ，４９Ｂが設けられている。有機絶縁膜１８および無機絶縁膜１７には、ソース・ドレイン電極１９Ａ，１９Ｂから半導体層１４の低抵抗領域１４ｂに達する接続孔と、ソース・ドレイン電極４９Ａ，４９Ｂから半導体層４４の低抵抗領域４４ｂに達する接続孔とが設けられている。ソース・ドレイン電極１９Ａ，１９Ｂ，４９Ａ，４９Ｂは、各々第１トランジスタ１０，第２トランジスタ４０のソースまたはドレインとして機能するものであり、例えば、上記ゲート電極１６，４６の構成材料として列挙したものと同様の金属または透明導電膜を含んで構成されている。第１トランジスタ１０のソース・ドレイン電極１９Ａ，１９Ｂのうちの一方（ソース・ドレイン電極１９Ａ）は、例えば、平坦化膜２１に設けられた接続孔を通じて、有機ＥＬ素子３０の第１電極３１に電気的に接続されている。

ソース・ドレイン電極１９Ａ，１９Ｂを覆う平坦化膜２１は、表示領域１Ａから周辺領域１Ｂに延在して設けられていてもよい。この平坦化膜２１には、第１トランジスタ１０のソース・ドレイン電極１９Ａに達する接続孔が設けられており、この接続孔を介して有機ＥＬ素子３０の第１電極３１がソース・ドレイン電極１９Ａに電気的に接続されているようになっている。平坦化膜２１には、例えばポリイミド樹脂，ノボラック樹脂，エポキシ樹脂またはアクリル樹脂等の感光性を有する有機絶縁材料を用いることができる。

この平坦化膜２１上の表示領域１Ａに、画素ｐｒ，ｐｇ，ｐｂ毎に有機ＥＬ素子３０が配置されている。有機ＥＬ素子３０の第１電極３１は、平坦化膜２１上に複数配置されている。これらの複数の第１電極３１は、互いに分離して設けられている。

第１電極３１は、例えばアノードとして機能する反射電極であり、画素Ｐ毎に設けられている。この第１電極３１の構成材料としては、例えばアルミニウム（Ａｌ），ネオジム（Ｎｄ），クロム，金（Ａｕ），白金（Ｐｔ），ニッケル（Ｎｉ），銅（Ｃｕ），タングステンあるいは銀（Ａｇ）などの金属元素の単体または合金が挙げられる。また、第１電極３１は、これらの金属元素の単体または合金よりなる金属膜と、光透過性を有する導電性材料（透明導電膜）との積層膜を含んでいてもよい。透明導電膜としては、例えばＩＴＯ（酸化インジウム錫）、ＩＺＯ（酸化インジウム亜鉛）および酸化亜鉛（ＺｎＯ）系材料等が挙げられる。酸化亜鉛系材料としては、例えばアルミニウム（Ａｌ）を添加した酸化亜鉛（ＡＺＯ）、およびガリウム（Ｇａ）を添加した酸化亜鉛（ＧＺＯ）などが挙げられる。

素子分離膜３２は、複数の第１電極３１を覆い、各々の第１電極３１の表面から隣り合う第１電極３１の間に設けられている。素子分離膜３２は、各第１電極３１に対向して開口を有している。この開口では、素子分離膜３２から第１電極３１が露出されており、この露出された第１電極３１上に有機層３３が配置される。素子分離膜３２は、各画素Ｐの発光領域を規定すると共に、第１電極３１と第２電極３４との絶縁性を確保するためのものである。素子分離膜３２は、有機層３３がウェットプロセスを用いて成膜される場合には、いわゆる隔壁として機能する。素子分離膜３２は、例えば、アクリル系樹脂、ポリイミド系樹脂、フッ素系樹脂、シリコン系樹脂、フッ素系ポリマー、シリコン系ポリマー、ノボラック系樹脂、エポキシ系樹脂、ノルボルネン系樹脂等の感光性樹脂を含んで構成されている。あるいは、これらの樹脂材料に顔料を分散させたものが用いられてもよい。また、素子分離膜３２には、例えば酸化シリコン、窒化シリコンおよび酸窒化シリコン等の無機材料が用いられても構わない。

有機層３３は、例えば第１電極３１に近い位置から、正孔注入層、正孔輸送層、発光層、電子輸送層および電子注入層をこの順に有している。有機層３３は、例えば、画素ｐｒ，ｐｇ，ｐｂ毎に、素子分離膜３２の開口に設けられている。発光層は、例えば、画素ｐｒ，ｐｇ，ｐｂ毎に、互いに異なる色の発光層を有している。例えば、画素ｐｒの発光層は赤色を、画素ｐｇの発光層は緑色を、画素ｐｂの発光層は青色を、それぞれ発生させる。

有機層３３を間にして第１電極３１に対向する第２電極３４は、例えばカソードとして機能するものであり、表示領域１Ａの全面にわたって（全画素Ｐに共通の電極として）形成されている。この第２電極３４は、例えば透明導電膜から構成されている。透明導電膜としては、例えばＩＴＯ（酸化インジウム錫）、ＩＺＯ（酸化インジウム亜鉛）および酸化亜鉛（ＺｎＯ）系材料等が挙げられる。酸化亜鉛系材料としては、例えばアルミニウム（Ａｌ）を添加した酸化亜鉛（ＡＺＯ）、およびガリウム（Ｇａ）を添加した酸化亜鉛（ＧＺＯ）などが挙げられる。第２電極３４の厚みは、特に限定されないが、導電性と光透過性とを考慮して設定されるとよい。第２電極３４には、この他にも、マグネシウムと銀との合金（ＭｇＡｇ合金）が用いられてもよい。

表示装置１では、基板１１と対向基板（図示せず）との間に、この有機ＥＬ素子３０が封止されている。

[製造方法]
このような表示装置１は、例えば、以下のようにして製造する（図５Ａ，図５Ｂ）。

まず、基板１１の全面にＵＣ膜１２を形成する。次いで、このＵＣ膜１２上の表示領域１Ａに、スパッタ法を用いてモリブデン（Ｍｏ）を成膜した後、フォトリソグラフィ法およびドライエッチング法を用いてこれをパターニングする。これにより、レーザ光吸収層１３が形成される。

次に、酸化物半導体材料を例えばスパッタ法等により表示領域１Ａおよび周辺領域１Ｂに成膜した後、例えばフォトリソグラフィおよびエッチングにより、所定の形状にパターニングする。これにより、半導体層１４，４４が同一工程で形成される。半導体層１４はレーザ光吸収層１３上に形成する。

続いて、図５Ａ，図５Ｂに示したように、例えば、基板１１側から所定波長のレーザ光Ｌを照射する。レーザ光Ｌは、レーザ光吸収層１３に吸収され、かつ、半導体層１４，４４には影響を及ぼさない波長を有することが好ましい。レーザ光Ｌの波長は、例えば、４００ｎｍ〜８００ｎｍである。これにより、レーザ光吸収層１３がレーザ光Ｌを吸収して発熱するので、表示領域１Ａでは、高温化したレーザ光吸収層１３により半導体層１４が酸化される。周辺領域１Ｂでは、半導体層４４をレーザ光Ｌが透過し、レーザ光Ｌの照射による半導体層４４の変化は生じない。即ち、レーザ光Ｌの照射により、半導体層１４，４４のうち、半導体層１４のみが選択的に酸化される。

その後、以下のようなフォトリソグラフィ工程を用いて、半導体層１４上に、ゲート絶縁膜１５およびゲート電極１６を形成するとともに、半導体層４４上に、ゲート絶縁膜４５およびゲート電極４６を形成する。まず、基板１１の全面に絶縁膜および導電膜をこの順に成膜する。続いて、この導電膜上に所定のパターンを有するフォトレジストを形成する。このフォトレジストを用いて、まず、導電膜をパターニングした後、続けて、絶縁膜のパターニングを行う。これにより、平面視でゲート電極１６，４６それぞれと同一形状のゲート絶縁膜１５，４５が形成される。このとき、半導体層１４，４４のゲート絶縁膜１５，４５から露出した領域が、例えばドライエッチングにより低抵抗化され、半導体層１４，４４の低抵抗領域１４ｂ，４４ｂが形成される。

次に、基板１１の全面に、無機絶縁膜１７および有機絶縁膜１８をこの順に形成する。続いて、有機絶縁膜１８上に、ソース・ドレイン電極１９Ａ，１９Ｂ，４９Ａ，４９Ｂを形成する。これにより、第１トランジスタ１０，第２トランジスタ４０が形成される。この後、平坦化膜２１および有機ＥＬ素子３０をこの順に形成し、有機ＥＬ素子３０を封止する。このような工程を経て、図４Ａ，４Ｂ等に示した表示装置１が製造される。

［作用、効果］
本実施の形態の表示装置１では、走査線駆動部３から各画素Ｐの書き込みトランジスタＷｓＴｒへ選択パルスが供給されることで、画素Ｐが選択される。この選択された画素Ｐに、信号線駆動部４から映像信号に応じた信号電圧が供給され、保持容量Ｃｓに保持される。保持容量Ｃｓに保持された信号に応じて駆動トランジスタＤｓＴｒがオンオフ制御され、有機ＥＬ素子３０に駆動電流が注入される。これにより、有機ＥＬ素子３０（有機層３３）では、正孔と電子とが再結合して発光を生じる。この光は、例えば第２電極３４および対向基板を透過して取り出される。これにより、各画素Ｐ（画素ｐｒ，ｐｇ，ｐｂ）から赤色光、緑色光および青色光が射出され、これらの色光の加法混色により、カラーの映像表示がなされる。

ここで、本実施の形態では、表示領域１Ａの第１トランジスタ１０および周辺領域１Ｂの第２トランジスタ４０のうち、第１トランジスタ１０のみがレーザ光吸収層１３を有している。換言すれば、半導体層１４，４４のうち、半導体層１４と基板１１との間のみにレーザ光吸収層１３が設けられているので、レーザ光Ｌの照射により、半導体層１４のみが選択的に酸化される。これにより、半導体層１４を有する第１トランジスタ１０の移動度は、半導体層４４を有する第２トランジスタ４０の移動度よりも低くなる。したがって、周辺領域１Ｂでの第２トランジスタ２０のサイズ増加を抑えるとともに、表示領域１Ａでは第１トランジスタ１０により有機ＥＬ素子３０に注入する電流量を調整することが可能となる。以下、これについて説明する。

図６Ａ，６Ｂは、比較例に係る表示装置の要部の模式的な断面構成を表している。この表示装置は、表示領域１Ａに第１トランジスタ（第１トランジスタ１００）を有し、周辺領域１Ｂに、第２トランジスタ４０を有している。この第１トランジスタ１００には、レーザ光吸収層（図４Ａのレーザ光吸収層１３）が設けられておらず、全面がＵＣ膜１２に接する半導体層（半導体層１１４）が設けられている。この第１トランジスタ１００の半導体層１１４の酸化の程度は、第２トランジスタ４０の半導体層４４の酸化の程度と同じであり、第１トランジスタ１００の移動度は、第２トランジスタ４０の移動度と同じである。

有機ＥＬ素子を有する表示装置では、表示領域１Ａに配置される第１トランジスタ１００の移動度を低くし、有機ＥＬ素子に注入する電流量を調整することが必要となる。しかし、周辺領域１Ｂに配置される第２トランジスタ４０の移動度が低いと、第２トランジスタ４０のサイズが大きくなり、周辺領域１Ｂの面積が増える。いわゆる額縁領域が大きくなってしまう。したがって、第１トランジスタ１００の移動度および第２トランジスタ４０の移動度が同じ表示装置では、電流量の調整と、額縁領域の縮小化とを両立させることが困難となる。

第１トランジスタ１００の移動度を低くする方法として、チャネル幅を小さくする方法があるものの、チャネル幅の大きさの限度があり、十分に移動度を低下させることはできない。また、チャネル長を大きくすることにより、第１トランジスタ１００の移動度を低くする方法も考え得るが、この場合には、第１トランジスタ１００のサイズが増加するので、画素サイズに影響を及ぼすことになる。即ち、高精細化が困難となる。

表示領域に配置される第１トランジスタの半導体層と、周辺領域に配置される第２トランジスタの半導体層との互いの成膜条件および加工条件を異ならせることにより、第１トランジスタの移動度を、第２トランジスタの移動度よりも低くする方法も考え得る。しかし、この方法では、工程数の増加に起因してコストがかさむ。

これに対し、本実施の形態では、第１トランジスタ１０および第２トランジスタ４０のうち、第１トランジスタ１０のみにレーザ光吸収層１３を設けるようにしたので、半導体層１４を選択的に酸化することができる。したがって、第１トランジスタ１０の移動度が第２トランジスタ４０の移動度よりも低くなる。もしくは、第２トランジスタ４０の移動度が第１トランジスタ１０の移動度よりも高くなる。

これにより、画素回路ＰＸＬＣを構成する第１トランジスタ１０では、有機ＥＬ素子３０に注入する電流量を調整するとともに、周辺回路を構成する第２トランジスタ４０のサイズ増加を抑えることが可能となる。

また、第１トランジスタ１０のチャネル長を大きくする必要がないので、画素Ｐのサイズを小さくして、高精細化を実現することができる。

更に、半導体層１４，４４は、互いに同じ成膜条件および加工条件で形成されるので、コストの増加を抑えることができる。

以上のように、表示装置１では、第２トランジスタ４０の移動度を第１トランジスタ１０の移動度よりも高くするようにしたので、表示領域１Ａに設けられた第１トランジスタ１０の特性と、周辺領域１Ｂに設けられた第２トランジスタ４０の特性とを互いに異ならせることが可能となる。これにより、画素回路ＰＸＬＣを構成する第１トランジスタ１０では、有機ＥＬ素子３０に注入する電流量を調整するとともに、周辺回路を構成する第２トランジスタ４０のサイズ増加を抑えることができる。したがって、表示特性を向上させるとともに、額縁領域を狭めることが可能となる。

また、半導体層１４，４４は、互いに同じ酸化物半導体材料を含んでいるので、同一工程で形成することができる。よって、製造工程に起因したコストの増加を抑えることができる。

以下、上記第１の実施の形態の変形例および他の実施の形態について説明するが、以降の説明において上記実施の形態と同一構成部分については同一符号を付してその説明は適宜省略する。

＜変形例１＞
図７は、上記第１の実施の形態の変形例１に係る第１トランジスタ（第１トランジスタ１０Ａ）の模式的な断面構成を表している。この第１トランジスタ１０Ａでは、レーザ光吸収層１３と基板１１との間にレーザ光干渉層（レーザ光干渉層５１）が設けられている。この点を除き、第１トランジスタ１０Ａは上記第１の実施の形態の第１トランジスタ１０と同様の構成を有し、その作用および効果も同様である。

レーザ光干渉層５１は、例えば、ＵＣ膜１２とレーザ光吸収層１３との間に、これらに接して設けられている。このレーザ光干渉層５１は、例えば、レーザ光吸収層１３の平面形状を有しており、レーザ光干渉層５１の端面はレーザ光吸収層１３の端面と平面視で重なる位置に配置されている。

レーザ光干渉層５１は、レーザ光吸収層１３に照射されたレーザ光（図５Ａのレーザ光Ｌ）のうち、所定の波長の光を強めるためのものであり、例えば、高屈折率材料と低屈折率材料との積層構造を有している。レーザ光干渉層５１は、例えば、酸化ニオブ（Ｎｂ₂Ｏ₅）および酸化シリコン（ＳｉＯ₂）を含んでいる。レーザ光干渉層５１を設けることにより、照射されたレーザ光のエネルギーをレーザ光吸収層１３に効率的に伝搬させることができる。

このような第１トランジスタ１０Ａも、第１トランジスタ１０と同様に、第２トランジスタ４０の移動度よりも低い移動度を有している。また、第１トランジスタ１０Ａはレーザ光干渉層５１を有しているので、低いエネルギーのレーザ光を用いて、より効率的に半導体層１４を酸化させることができる。

＜第２の実施の形態＞
図８Ａ，８Ｂは、本開示の第２の実施の形態に係る表示装置（表示装置２）の要部の模式的な断面構成を表している。この表示装置２は、表示領域１Ａに第１トランジスタ（第１トランジスタ６０）を有し、周辺領域１Ｂに第２トランジスタ（第２トランジスタ７０）を有している。この点を除き、表示装置２は上記第１の実施の形態の表示装置１と同様の構成を有し、その作用および効果も同様である。

第１トランジスタ６０は、例えば、トップゲート型の薄膜トランジスタであり、基板１１に近い位置から、半導体層１４、ゲート絶縁膜１５、ゲート電極１６、およびソース・ドレイン電極１９Ａ，１９Ｂをこの順に有している（図８Ａ）。第２トランジスタ７０は、例えば、トップゲート型の薄膜トランジスタであり、基板１１に近い位置から、酸素取込層７１、半導体層４４、ゲート絶縁膜４５、ゲート電極４６、およびソース・ドレイン電極４９Ａ，４９Ｂをこの順に有している（図８Ｂ）。即ち、表示装置２では、第１トランジスタ６０および第２トランジスタ７０のうち、第２トランジスタ７０のみに酸素取込層７１が設けられている。第１トランジスタ６０の構成は、酸素取込層（図８Ｂの酸素取込層７１）が設けられていないことを除き、第２トランジスタ７０の構成と略同じである。

酸素取込層７１は、例えば、ＵＣ膜１２と半導体層４４との間に、これらに接して設けられている。この酸素取込層７１は、例えば、ゲート電極４６の平面形状と略同じ平面形状を有し、平面視でゲート電極４６に重なる位置に配置されている。即ち、酸素取込層７１の端面は、ゲート電極４６の端面と平面視で重なる位置に配置され、酸素取込層７１は半導体層４４のチャネル領域４４ａに接している。

この酸素取込層７１は、半導体層４４から酸素を取り込み、半導体層４４のキャリア密度を増加させるようになっている。酸素取込層７１は、例えばアルミニウム（Ａｌ）などの金属を含んでおり、アルミニウム単体，アルミニウムーシリコン（Ｓｉ）系合金または酸化アルミニウム（ＡｌＯ）により構成されている。酸素取込層７１は、酸化されていてもよい。

本実施の形態では、この酸素取込層７１が周辺領域１Ｂに配置された第２トランジスタ７０のみに設けられ、表示領域１Ａに配置された第１トランジスタ６０には設けられていない。換言すれば、酸素取込層７１は、半導体層１４および半導体層４４のうち、半導体層４４と基板１１との間に設けられている。これにより、半導体層１４および半導体層４４のうち、半導体層４４の酸素濃度が選択的に低下し、キャリア密度が増加するので、第２トランジスタ７０の移動度が、第１トランジスタ６０の移動度よりも高くなる。成膜時の酸化物半導体材料の酸素空孔を少なくしておくことにより、第１トランジスタ６０の移動度を調整するようにしてもよい。

このように、表示装置２でも、第２トランジスタ７０の移動度を第１トランジスタ６０の移動度よりも高くするようにしたので、表示領域１Ａに設けられた第１トランジスタ６０の特性と、周辺領域１Ｂに設けられた第２トランジスタ７０の特性とを互いに異ならせることが可能となる。

第１トランジスタ６０にレーザ光吸収層１３が設けられていてもよい。

＜変形例２＞
図９は、上記第２の実施の形態の変形例（変形例２）に係る第２トランジスタ（第２トランジスタ７０Ａ）の模式的な断面構成を表している。この第２トランジスタ７０Ａは、第１トランジスタ６０に設けられた無機絶縁膜１７（図８Ａ）の構成と異なる構成を有する無機絶縁膜（無機絶縁膜７２）を有している。この点を除き、第２トランジスタ７０Ａは上記第２の実施の形態の第２トランジスタ７０と同様の構成を有し、その作用および効果も同様である。

無機絶縁膜７２は、ゲート電極４６、ゲート絶縁膜４５および半導体層４４を覆い、半導体層４４の低抵抗領域４４ｂに接している。この無機絶縁膜７２は、第１トランジスタ６０に設けられた無機絶縁膜１７の水素供与性よりも高い水素供与性を有している。これにより、無機絶縁膜７２から半導体層４４に水素が供給され、半導体層４４のキャリア密度が増加する。

無機絶縁膜７２は、例えば、基板１１に近い位置から順に酸化アルミニウム（ＡｌＯ）膜、窒化シリコン（ＳｉＮ）膜および酸化アルミニウム膜を含む積層構造を有している。このとき、無機絶縁膜１７（図８Ａ）は、例えば、基板１１に近い位置から順に酸化アルミニウム膜、酸化シリコン（ＳｉＯ）膜および酸化アルミニウム膜を含む積層構造を有している。無機絶縁膜１７，７２がともに、例えば、基板１１に近い位置から順に酸化アルミニウム膜、酸化シリコン膜および酸化アルミニウム膜を含む積層構造を有していてもよい。このとき、無機絶縁膜７２を構成する酸化シリコン膜の水素濃度を、無機絶縁膜１７を構成する酸化シリコン膜の水素濃度よりも高くする。

本変形例では、より水素供与性の高い無機絶縁膜７２により、半導体層１４および半導体層４４のうち、半導体層４４の水素濃度が選択的に高まり、キャリア密度が増加する。したがって、第２トランジスタ７０Ａの移動度が、第１トランジスタ６０の移動度よりも高くなる。

第２トランジスタ７０Ａに酸素取込層７１が設けられていてもよい。

＜変形例３＞
図１０Ａ，１０Ｂは、上記第２の実施の形態の変形例（変形例３）に係る表示装置２の模式的な断面構成を表している。この表示装置２では、表示領域１Ａに設けられたＵＣ膜１２（第１ＵＣ膜）の厚み（厚みｔＡ）よりも、周辺領域１Ｂに設けられたＵＣ膜（ＵＣ膜７３，第２ＵＣ膜）の厚み（厚みｔＢ）が大きくなっている。このＵＣ膜７３上に第２トランジスタ（第２トランジスタ７０Ｂ）が配置されている。この点を除き、本変形例に係る表示装置２は上記第２の実施の形態の表示装置２と同様の構成を有し、その作用および効果も同様である。

ＵＣ膜７３は、基板１１と第２トランジスタ７０Ｂの半導体層４４との間に設けられ、半導体層４４に接している。このＵＣ膜７３は、例えば、基板１１に近い位置から順に窒化シリコン（ＳｉＮ）膜および酸化シリコン（ＳｉＯ）膜を含む積層膜により構成されている。

第２トランジスタ７０Ｂは、ＵＣ膜７３上に、半導体層４４、ゲート絶縁膜４５およびゲート電極４６をこの順に有している。

本変形例では、より大きな厚みｔＢを有するＵＣ膜７３により、半導体層１４および半導体層４４のうち、半導体層４４の水素濃度が選択的に高まり、キャリア密度が増加する。したがって、第２トランジスタ７０Ｂの移動度が、第１トランジスタ６０の移動度よりも高くなる。

第２トランジスタ７０Ｂに酸素取込層７１が設けられていてもよく、あるいは無機絶縁膜７２が設けられていてもよい。

＜電子機器の例＞
上記表示装置１，２は、様々なタイプの電子機器に用いることができる。図１１に、電子機器８の機能ブロック構成を示す。電子機器８としては、例えばテレビジョン装置、パーソナルコンピュータ（ＰＣ）、スマートフォン、タブレット型ＰＣ、携帯電話機、デジタルスチルカメラおよびデジタルビデオカメラ等が挙げられる。

電子機器８は、例えば上述の表示装置１，２と、インターフェース部８０とを有している。インターフェース部８０は、外部から各種の信号および電源等が入力される入力部である。このインターフェース部８０は、また、例えばタッチパネル、キーボードまたは操作ボタン等のユーザインターフェースを含んでいてもよい。

以上、実施の形態等を挙げて説明したが、本技術は上記実施の形態等に限定されるものではなく、種々変形が可能である。例えば、上記実施の形態等に記載した各層の材料および厚みは列挙したものに限定されるものではなく、他の材料および厚みとしてもよい。

また、第１トランジスタ１０，１０Ａ，６０および第２トランジスタ４０，７０，７０Ａ，７０Ｂは、ボトムゲート型の薄膜トランジスタであってもよい。

更に、上記実施の形態等では、レーザ光吸収層１３および酸素取込層７１が、ゲート電極１６，４６と同一の平面形状を有する場合について説明したが、レーザ光吸収層１３および酸素取込層７１の平面形状は、ゲート電極１６，４６の平面形状と異なっていてもよい。

更に、これまでに説明した各種の例を、任意の組み合わせで適用させるようにしてもよい。

上記実施の形態等において説明した効果は一例であり、本開示の効果は、他の効果であってもよいし、更に他の効果を含んでいてもよい。

尚、本技術は以下のような構成を取ることも可能である。
（１）
表示領域および前記表示領域の外側の周辺領域が設けられた基板と、
前記基板上の前記表示領域に設けられ、酸化物半導体材料を含む第１半導体層を有する第１トランジスタと、
前記基板上の前記周辺領域に設けられ、前記第１半導体層に含まれる前記酸化物半導体材料と同じ酸化物半導体材料を含む第２半導体層を有し、かつ、前記第１トランジスタの移動度よりも高い移動度を有する第２トランジスタと、
前記基板上の前記表示領域に設けられ、前記第１トランジスタおよび前記第２トランジスタにより駆動される、複数の有機電界発光素子と
を備えた表示装置。
（２）
前記第１トランジスタは、更に、前記第１半導体層に対向する第１ゲート電極と、前記第１半導体層に電気的に接続された第１ソース・ドレイン電極とを有し、かつ、前記基板に近い位置から、前記第１半導体層、前記第１ゲート電極および前記第１ソース・ドレイン電極がこの順に設けられ、
前記第２トランジスタは、更に、前記第２半導体層に対向する第２ゲート電極と、前記第２半導体層に電気的に接続された第２ソース・ドレイン電極とを有し、かつ、記基板に近い位置から、前記第２半導体層、前記第２ゲート電極および前記第２ソース・ドレイン電極がこの順に設けられている
前記（１）に記載の表示装置。
（３）
更に、前記第１半導体層および前記第２半導体層のうち、前記第１半導体層と前記基板との間に設けられ、所定波長のレーザ光を吸収するレーザ光吸収層を有する
前記（２）に記載の表示装置。
（４）
前記レーザ光吸収層は金属を含む
前記（３）に記載の表示装置。
（５）
前記レーザ光吸収層は、モリブデン（Ｍｏ）またはタングステン（Ｗ）を含む
前記（３）または（４）に記載の表示装置。
（６）
更に、前記レーザ光吸収層と前記基板との間に設けられ、前記所定波長の光を強めるレーザ光干渉層を有する
前記（３）ないし（５）のうちいずれか１つに記載の表示装置。
（７）
前記レーザ光干渉層は、低屈折率材料および高屈折率材料を含む
前記（６）に記載の表示装置。
（８）
前記レーザ光干渉層は、酸化ニオブ（Ｎｂ₂Ｏ₅）および酸化シリコン（ＳｉＯ₂）を含む
前記（６）または（７）に記載の表示装置。
（９）
更に、前記第１半導体層および前記第２半導体層のうち、前記第２半導体層と前記基板との間に設けられた酸素取込層を有する
前記（２）ないし（８）のうちいずれか１つに記載の表示装置。
（１０）
前記酸素取込層はアルミニウム（Ａｌ）を含む
前記（９）に記載の表示装置。
（１１）
更に、第１ゲート電極および前記第１半導体層を覆い、前記第１半導体層に接する第１無機絶縁膜と、
前記第２ゲート電極および前記第２半導体層を覆い、前記第２半導体層に接し、かつ、前記第１無機絶縁膜の水素供与性よりも高い水素供与性を有する第２無機絶縁膜とを有する
前記（２）ないし（１０）のうちいずれか１つに記載の表示装置。
（１２）
前記第１無機絶縁膜は、酸化シリコン（ＳｉＯ）を含み、
前記第２無機絶縁膜は、窒化シリコン（ＳｉＮ）を含む
前記（１１）に記載の表示装置。
（１３）
前記第１無機絶縁膜は、酸化シリコン（ＳｉＯ）を含み、
前記第２無機絶縁膜は、前記第１無機絶縁膜に含まれる酸化シリコンの水素濃度よりも高い水素濃度を有する酸化シリコンを含む
前記（１１）に記載の表示装置。
（１４）
更に、前記第１半導体層と前記基板との間に設けられた第１ＵＣ膜と、
前記第２半導体層と前記基板との間に設けられ、前記第１ＵＣ膜の厚みよりも大きな厚みを有する第２ＵＣ膜とを有する
前記（２）ないし（１３）のうちいずれか１つに記載の表示装置。
（１５）
前記第１ＵＣ膜および前記第２ＵＣ膜は、酸化シリコン（ＳｉＯ）または窒化シリコン（ＳｉＮ）を含む
前記（１４）に記載の表示装置。

１，２…表示装置、１Ａ…表示領域、１Ｂ…周辺領域、ＤｓＴｒ…駆動トランジスタ、ＷｓＴｒ…書き込みトランジスタ、Ｔｒ…トランジスタ、Ｃｓ…保持容量、１０，１０Ａ，６０…第１トランジスタ、１１…基板、１２，７３…ＵＣ膜、１３…レーザ光吸収層、１４，４４…半導体層、１４ａ，４４ａ…チャネル領域、１４ｂ，４４ｂ…低抵抗領域、１５，４５…ゲート絶縁膜、１６，４６…ゲート電極、１７，７２…無機絶縁膜、１８…有機絶縁膜、１９Ａ，１９Ｂ，４９Ａ，４９Ｂ…ソース・ドレイン電極、２１…平坦化膜、３０…有機ＥＬ素子、３１…第１電極、３２…素子分離膜、３３…有機層、３４…第２電極、３…走査線駆動部、４…信号線駆動部、５…電源線駆動部、７１…酸素取込層、８…電子機器、８０…インターフェース部、Ｐ，ｐｒ，ｐｇ，ｐｂ…画素、ｔＡ，ｔＢ…厚み。

Claims (15)

1. 表示領域および前記表示領域の外側の周辺領域が設けられた基板と、
   前記基板上の前記表示領域に設けられ、酸化物半導体材料を含む第１半導体層を有する第１トランジスタと、
   前記基板上の前記周辺領域に設けられ、前記第１半導体層に含まれる前記酸化物半導体材料と同じ酸化物半導体材料を含む第２半導体層を有し、かつ、前記第１トランジスタの移動度よりも高い移動度を有する第２トランジスタと、
   前記基板上の前記表示領域に設けられ、前記第１トランジスタおよび前記第２トランジスタにより駆動される、複数の有機電界発光素子と
   を備えた表示装置。
2. 前記第１トランジスタは、更に、前記第１半導体層に対向する第１ゲート電極と、前記第１半導体層に電気的に接続された第１ソース・ドレイン電極とを有し、かつ、前記基板に近い位置から、前記第１半導体層、前記第１ゲート電極および前記第１ソース・ドレイン電極がこの順に設けられ、
   前記第２トランジスタは、更に、前記第２半導体層に対向する第２ゲート電極と、前記第２半導体層に電気的に接続された第２ソース・ドレイン電極とを有し、かつ、記基板に近い位置から、前記第２半導体層、前記第２ゲート電極および前記第２ソース・ドレイン電極がこの順に設けられている
   請求項１に記載の表示装置。
3. 更に、前記第１半導体層および前記第２半導体層のうち、前記第１半導体層と前記基板との間に設けられ、所定波長のレーザ光を吸収するレーザ光吸収層を有する
   請求項２に記載の表示装置。
4. 前記レーザ光吸収層は金属を含む
   請求項３に記載の表示装置。
5. 前記レーザ光吸収層は、モリブデン（Ｍｏ）またはタングステン（Ｗ）を含む
   請求項３に記載の表示装置。
6. 更に、前記レーザ光吸収層と前記基板との間に設けられ、前記所定波長の光を強めるレーザ光干渉層を有する
   請求項３に記載の表示装置。
7. 前記レーザ光干渉層は、低屈折率材料および高屈折率材料を含む
   請求項６に記載の表示装置。
8. 前記レーザ光干渉層は、酸化ニオブ（Ｎｂ₂Ｏ₅）および酸化シリコン（ＳｉＯ₂）を含む
   請求項６に記載の表示装置。
9. 更に、前記第１半導体層および前記第２半導体層のうち、前記第２半導体層と前記基板との間に設けられた酸素取込層を有する
   請求項２に記載の表示装置。
10. 前記酸素取込層はアルミニウム（Ａｌ）を含む
    請求項９に記載の表示装置。
11. 更に、第１ゲート電極および前記第１半導体層を覆い、前記第１半導体層に接する第１無機絶縁膜と、
    前記第２ゲート電極および前記第２半導体層を覆い、前記第２半導体層に接し、かつ、前記第１無機絶縁膜の水素供与性よりも高い水素供与性を有する第２無機絶縁膜とを有する
    請求項２に記載の表示装置。
12. 前記第１無機絶縁膜は、酸化シリコン（ＳｉＯ）を含み、
    前記第２無機絶縁膜は、窒化シリコン（ＳｉＮ）を含む
    請求項１１に記載の表示装置。
13. 前記第１無機絶縁膜は、酸化シリコン（ＳｉＯ）を含み、
    前記第２無機絶縁膜は、前記第１無機絶縁膜に含まれる酸化シリコンの水素濃度よりも高い水素濃度を有する酸化シリコンを含む
    請求項１１に記載の表示装置。
14. 更に、前記第１半導体層と前記基板との間に設けられた第１ＵＣ膜と、
    前記第２半導体層と前記基板との間に設けられ、前記第１ＵＣ膜の厚みよりも大きな厚みを有する第２ＵＣ膜とを有する
    請求項２に記載の表示装置。
15. 前記第１ＵＣ膜および前記第２ＵＣ膜は、酸化シリコン（ＳｉＯ）または窒化シリコン（ＳｉＮ）を含む
    請求項１４に記載の表示装置。

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