CN100551454C - 套管的护套、含该护套的注射部件和配备该护套的针 - Google Patents

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Abstract

本发明涉及用于注射针或套管(2)的护套(1),该套管(2)布置在套管支架(3)上,所述护套含有至少可将所述套管支架(3)从完全缩进位置移至注射位置的导向装置(14),其特征在于所述护套还含有初步锁定装置(6),该装置可将所述套管支架(3)临时锁定于缩进预使用位置。本发明还涉及配备有护套(1)的注射部件(4)以及针。

Description

套管的护套、含该护套的注射部件和配备该护套的针
技术领域
本发明涉及用于注射器,特别是用于牙齿用注射器的保护装置。
本发明更具体地涉及用于注射针或套管的护套,该套管设置在可安装于注射器上的套管支架上,所述护套含有导向装置,该导向装置至少可将所述套管支架从完全缩进位置移至注射位置,反过来也成立,其中,在所述完全缩进位置时,所述套管完全位于所述护套内,在所述注射位置时,所述套管至少部分伸出所述护套外,所述护套还含有可将所述套管支架永久锁定于缩进使用后位置的最终锁定装置。
背景技术
现有技术已经公开了用于套管的护套,所述套管设置在可安装于注射器上的套管支架上。
美国专利4 772 272提出用于一次性或非一次性注射器的保护套筒。
上述发明的目的在于简化套筒10相对于套管支架的移动,使得无需旋转所述保护套筒,而仅仅平移所述保护套筒来释放或罩住所述套管。
所述套筒配备有可将所述套筒可逆地保持在针缩进位置的第一装置和可将所述套筒可逆地保持在针伸出位置的第二装置。
所述第一装置由附加的帽形成,但此种技术方案产生了额外的制造成本,且并未表现出所需的可靠性。如果使用者用力过大,针可能露出而刺伤他。
此外,上述技术方案不可能将所述套筒永久锁定在使用后保护所述套管的位置。
发明内容
本发明旨在克服现有技术的缺点,为可安装在非一次性注射器上的套管提供一种保护装置,该保护装置易于制造和使用、便宜,能将所述套管连接于注射器且在该操作中没有露出套管的风险,其特征在于该保护装置具有一个最终保护位置,在该位置内再不可能将所述套管拔出。
为了达到上述目的,本发明具有上述特点,从最广义的意义来说,本发明的引人注目之处在于所述护套还含有可将所述套管支架临时锁定于缩进预使用位置的初步锁定装置。
本发明提供了一种用于注射针或套管的护套,该套管设置于可安装在注射器上的套管支架上,所述护套含有导向装置,该导向装置至少可将套管支架从完全缩进位置移至注射位置,反过来也成立,在所述完全缩进位置,套管完全位于所述护套内,在所述注射位置,套管至少部分伸出护套外,所述护套还含有可将所述套管支架永久锁定于缩进使用后位置的最终锁定装置,其特征在于所述护套还含有可将所述套管支架临时锁定于缩进预使用位置的初步锁定装置,而且,所述护套含有传动装置,在套管支架已从其临时锁定位置释放之后,该传动装置可使套管支架从缩进预使用位置引入缩进使用位置,所述护套含有伸向所述护套内部的爪,并且所述套管支架含有至少一个第一纵向槽和至少一个第二纵向槽,设计所述纵向槽以与所述爪配合。
所述护套优选含有:
第一传动装置,该装置可将套管支架引入缩进预使用位置;
第二传动装置,该装置可将套管支架从缩进预使用位置引入到缩进使用位置;
第三传动装置,该装置可将套管支架从缩进使用位置引入到缩进使用后位置。
所述第一、第二和第三传动装置优选为单向传动装置,也就是说,只允许单一装置或多个装置从一个特定位置到另一个特定位置进行单向通过。
所述第一传动装置和/或所述第二传动装置和/或所述第三传动装置各自优选至少由传动部分形成,该传动部分在纵截面上具有位于所述护套内表面的凹进部位,所述单一或所述多个传动装置在其每个末端具有孔,并且在这些孔之间具有斜平段,该斜平段从所述凹进部位的深度p逐渐延伸至深度为零或甚至负值。
所述传动部分优选在纵截面上还含有直平段,该直平段位于所述斜平段和所述孔之间。
在一种变换中,所述孔位于深度为零或甚至负值的附近,深度p至少局部地由纵向槽在斜平段的各侧面上延伸。
在另外一种变换中,所述第一和/或第二和/或第三传动装置各自由耳状物形成的传动部分形成,所述耳状物优选沿径向取向。
所述护套优选在其近端含有接收装置,该接收装置可将所述套管支架定位于引入位置。
所述接收装置和/或所述导向装置优选至少由纵向的狭缝部分形成,所述狭缝部分至少在所述护套的内表面上开口。
所述第一传动装置和/或所述第二传动装置和/或所述第三传动装置和/或所述导向装置优选由两个相同的部分形成,所述两个相同的部分定位为以所述护套的轴为中心沿径向相对。
所述初步锁定装置优选由耳状物形成,所述耳状物优选沿径向取向。
本发明还涉及由本发明的护套形成的注射部件,注射针或设置于套管支架之上的套管被引入该护套中。
所述套管支架优选含有至少两个纵向凸起部,这两个纵向凸起部定位为以所述套管支架的轴为中心沿径向相对。
本发明还涉及一种含有注射针或套管的注射器,所述注射器配备有本发明的护套。
有利的是,本发明的特征在于有这样一个位置,即缩进预使用位置,该位置可使注射器的远端绝对安全地夹紧或可能是旋紧于套管支架上,且在此操作中没有套管弹出的风险。
当注射部件在套管支架位于缩进预使用位置被售出时,套管不会意外地从护套中向护套的近端或远端脱出,因为初步锁定装置防止其如此。
为了能将套管用作针,必须蓄意地将套管支架向护套的近端缩回,然后必须将套管支架推向护套的远端以激活第二传动装置。随后套管支架到达缩进使用位置,且可在导向装置中将其推动以带出套管。只要没有越过第三传动装置,就可以将套管缩回护套内或从护套内带出,如此操作愿意进行多少次,就可以进行多少次。
还有利的是,本发明的特征在于这样一个位置,即缩进使用后位置,在该位置时不再可能抽出套管。在该位置,护套壁阻止套管支架向护套远端的任何推进移动,当将套管支架向所述护套的近端拔出时,形成于内螺纹区侧边的槽能够让套管支架和注射器分离,所述内螺纹用于将套管支架连接至注射器远端。
因此,在此缩进使用后位置内,不能再次使用所述套管。
附图说明
下面参照附图解释说明本发明的实施例,会更好地理解本发明。
图1示出本发明的由护套、套管和套管支架构成的注射部件的前视图;
图2示出套管支架的前视图;
图3示出图2的套管支架相对于其纵轴旋转90°后的前视图;
图4示出沿图3中AA′所得的纵剖视图;
图5示出套管支架的顶视图;
图6示出套管支架的底视图;
图7示出相对于所述护套,所述套管支架不同位置的流程图;
图8示出所述护套和所述套管支架的凸起部不同位置的前视图;
图9示出沿图8中CC′所得的纵剖视图;
图10示出沿图8中DD′所得的纵剖视图;
图11示出沿图8中FF′所得的纵剖视图;
图12示出局部放大的另一实施例的第三传动装置的前视图;
图13示出沿图12中GG′所得的截面图;
图14示出图12这种变换情况下的所述套管支架的前视图;
图15示出图14的套管支架的顶视图。
具体实施方式
例如,用于注射局部麻醉剂的牙齿用注射器,可以配备图1所示的用于保护注射针或设置于图2-6所示套管支架3上的套管2的护套1。由此,护套1、套管2和套管支架3形成注射部件4。
本发明的注射部件4仅由护套1以及用于支持套管2的套管支架3形成。除了所述护套1之外,没有设置用于保护套管2的其他部件。
护套1为具有纵轴线X的圆柱管的基本形状。所述护套在其近端21和远端22开口。例如,所述护套由透明塑料制成,且在其整个长度范围上具有基本不变的厚度。然而,为了节省材料,可以在不含有任何要特殊给予保护部件的部位,也就是图1中的顶部和底部,减小护套1的厚度。
护套1关于X轴具有内表面23和外表面24。护套1还具有内径25和外径26。
套管支架3设计得临时位于注射器的远端。所述套管支架3在含有待注射液体的针筒和所述套管2之间提供流体流通。
套管支架3为具有纵轴线X′的圆柱管的基本形状。从图4可见,在所述套管2上或在用于接收套管的圆柱腔体上,所述套管支架3在其近端31开口且在其远端32闭合。所述套管支架3关于X′轴还具有内表面33和外表面34。
所述内表面33优选具有螺纹以能将套管支架3夹紧或者甚至旋紧于注射器上。由图6可见,所述螺纹优选被两个纵向槽35,35′隔开,当将套管支架安置在注射器远端的螺纹上时,通过两个各形成一个钳夹的螺纹部位的分离运动实现夹紧过程。
所述套管支架3还具有外径36,所述外径36略小于护套1的内径25。
所述套管支架3还含有至少一个,优选两个凸起部30,30′,所述凸起部30,30′定位为以X′轴为中心沿径向相对。在这些凸起部的区域,套管支架3具有这样一个总宽度37,所述总宽度37大于护套1的内径25,并且基本等于或甚至略小于所述护套1的外径26。
优选所述凸起部30,30′的远端不垂直于X′轴,而是向套管支架3的近端倾斜。
所述套管支架3设计得经过护套1的近端21以这样的方式引入,即护套的X轴与套管支架3的X′轴重合。
一方面含有套管2和套管支架3、另一方面还含有护套1的注射部件4的特征在于具有如图7示意性示出的一系列位置:
-分离位置S,在该位置,套管支架3以及套管2与护套1完全分离;
-引入位置I,在该位置,套管支架3刚被引入护套1的近端,套管2当然位于护套1内,套管支架3的凸起部30,30′位于接收装置10的凹槽内;
-完全缩进位置R,在该位置,套管支架3和套管2完全位于所述护套1内,此位置具有以下三种不同情况:
1.缩进预使用位置RPU,在该位置,通过初步锁定装置6将套管支架3和套管2临时锁定;在此位置,套管支架3在纵向远端附近,也就是说,抵靠于所述护套1的壁的耳状物30,30′,阻止套管支架3向护套1的远端进一步移动;
2.缩进使用位置RU,在该位置,套管支架3和套管2位于护套1内,但套管支架3在纵向上没有受阻;
3.缩进使用后位置RAU,在该位置,套管支架3和套管2位于护套1内,通过最终锁定装置9将其永久锁定;在此位置,相对于护套1,无论向前还是向后均不再能移动套管支架3;
-注射位置E,在该位置,套管支架3基本位于护套1的远端,且在该位置时,套管2基本上完全伸出于护套1外。只有在移入缩进使用位置RU后,才可能到达注射位置E,而在移入缩进使用后位置RAU后,不再可能到达注射位置E。
应该注意的是,根据本发明,对于“激活”注射部件亦即预备该注射部件使其能够使用而言,位置S和I是十分重要的,但是优选这些位置对最终使用者来说是隐蔽的。换句话说,所述注射部件优选在套管支架3和套管2位于缩进预使用位置RAU时直接售出。
如图8所示,为了从一个位置移至另一位置,所述护套1含有:
-第一传动装置11,该装置用于将套管支架和套管从引入位置I移至缩进预使用位置RPU;
-第二传动装置12,该装置用于将套管支架和套管从缩进预使用位置RPU移至缩进使用位置RU;
-导向装置14,该装置用于将套管支架和套管从缩进使用位置RU移至注射位置E,反之亦然。这样的操作愿意进行多少次,就可以进行多少次;
-第三传动装置13,该装置用于将套管支架和套管从缩进使用位置RU移至缩进使用后位置RAU;
-最终锁定装置9,该装置用于将所述套管支架3永久锁定于缩进使用后位置RAU。
例如,导向装置14由两个纵向槽形成,所述槽彼此平行且与X轴平行,优选上述两个槽在护套1的内表面23上开口,而不在外表面24上开口,以依靠所述槽的底部材料获得加固,并由此形成凹槽;但是,也可以形成在护套1的内表面23和外表面24上均开口的槽。
所述护套1还含有位于导向装置14远端的远端止动部。所述止动部由构成导向装置14的槽的远端部和/或由护套壁在其远端向护套内部的返回部形成。
第一传动装置11、第二传动装置12和第三传动装置13优选为单向传动装置,也就是说,它们只允许从前一位置向后一位置的一次传动或一次移动,不允许在另一方向即返回至前一位置的方向上传动或移动。
图8-11所示的实施例中,第一传动装置11、第二传动装置12和第三传动装置13都是由传动部分在相对于X轴的各侧面上独立形成,所述传动部分在纵截面上具有:
-凹进部位15,所述凹进部位15位于所述护套1内表面23中且只在护套1的内表面23上开口;
-所述传动装置在其各端具有的孔16,16′,所述孔16,16′在护套1的内表面23和外表面24上开口;以及
-在这些孔16,16′之间,向内倾斜的平段17从所述凹进部位15的深度p逐渐延伸至深度为零。
如图9所示的关于第一传动装置11的一种变换中,所述传动装置在纵截面上还含有直平段18′,该直平段18′与X轴基本平行,且位于斜平段17和孔16′之间。
如图10所示的关于第二传动装置12的一种变换中,所述传动装置在纵截面上还含有两个独立的直平段18,18′,所述两个直平段18,18′与X轴基本平行,且一个位于孔16和斜平段17之间,另一个位于斜平段17和孔16′之间。
如图11所示的基本变换中,所述传动装置的传动部分只含有一个向内倾斜、位于孔16,16′之间的斜平段17。
在上述所有的变换中,当深度p约为1mm时,所述斜平段17的长度约5mm,也就是说,坡度约为20%±5%。缓的坡度促使从一个位置向另一位置更平滑地通过。
图9、10和11所示的每种变换可应用于第一传动装置11、第二传动装置12或第三传动装置13的一个或另一传动部分。
图13和14所示的变换中,第三传动装置13的传动部分在孔16,16′之间含有向护套内部倾斜从而形成了爪20的平段17,孔16′延伸形成纵向槽25,25′,该纵向槽25,25′位于斜平段17的两侧并大约超过其长度的三分之一。所述纵向槽25,25′在护套1的内表面23和外表面24上均开口,从而为最后的转移运动提供更大的灵活性,而为返回至位置RU提供更大阻力。在该变换中,凹进部位15的深度p因此达到负值。
所述爪20可更强烈地阻止返回至前一位置,即返回至缩进使用位置。然而,为了不阻止套管支架3的移动,因此给套管支架设置了:
-两个第一纵向槽38,38′,所述两个第一纵向槽38,38′未延伸过套管支架的全长,从而能在缩进预使用位置RPU提供辅助锁定,以协助初步锁定装置6;
-两个第二纵向槽39,39′,所述两个第二纵向槽延伸过套管支架的全长,使得爪20不会阻止第二传动装置12的横移。
如图14和15所示的上述两对槽38,39与38′,39′,形成于套管支架3的外表面34上并分别位于凸起部30,30′的附近。所述两对槽的深度至少等于或甚至大于爪20相对于护套1的内表面23的厚度。
所示样式中,所述初步锁定装置6由耳状物19形成,该耳状物19位于在护套1的内表面23和外表面24上均开口的两个孔之间。
所述耳状物设置得让凸起部30,30′更利于保持在缩进预使用位置RPU中,即促进向缩进预使用位置RPU的转移运动,并阻止从缩进预使用位置RPU向缩进使用位置RU的转移运动。为达到上述目的,所述耳状物19具有近端倾斜平段和远端附件。
可以理解的是,上述各种情况中形成的第一传动装置11和/或第二传动装置12和/或第三传动装置13也可以由这样的传动部分形成,该传动部分是由与耳状物19相同的耳状物形成的。这时,所述倾斜平段定位于需要促进传动移动的那一侧,所述附件定位于需要阻止传动移动的那一侧。
所示样式中,所述最终锁定装置9由两个沿径向相对的孔形成,所述孔在护套1的内表面23和外表面24上开口。
本发明的护套1优选在其近端还含有接收装置10,该接收装置10能让所述套管支架3定位于引入位置I。所述接收装置10优选由孔16形成,由图9可见,所述孔16以X轴为中心沿径向相对,且至少在护套1的内表面23上开口。
当本发明的注射部件在套管支架处于缩进预使用位置RPU被售出时,要么通过手动或要么通过使用自动装置,在制造地都要用上第一传动装置11,其目的在于,在紧紧地握住所述护套的同时,通过将配备有套管的套管支架推入护套中,从而将套管支架和套管从引入位置I移至缩进预使用位置RPU。
下面将从售出时所处的位置即所述缩进预使用位置RPU开始详细描述所述护套1的使用。在此位置,利用套管支架3的内表面33上形成的螺纹,将注射器的远端夹紧或者可能是旋入套管支架3,因为有凸起部位于其内的孔的远端壁纵向保持着这些凸起部。
由于所述耳状物19的弹性,当所述凸起部30,30′位于所述缩进预使用位置RPU中时,只需要将注射器向后,即向护套1的近端拉动,以使凸起部30,30′横向推动耳状物并进入分别由第一传动装置11和第二传动装置12共用的共有孔16′,16。
在此孔内,凸起部30,30′不再能返回至引入位置,因为如图9所示与平段18′相邻的横向护套壁阻止它们如此。
所述第二传动装置12将套管支架和套管从缩进预使用位置RPU移至缩进使用位置RU的操作,通过用一只手将注射器推入护套,而同时用另一只手紧紧握住所述护套1来完成。
通过用一只手将注射器推进所述护套,同时用另一只手紧紧握住护套1,所述导向装置14可实现从缩进使用位置RU至注射位置E的转移,并且,通过用一只手拉动注射器,同时用另一只手紧紧握住护套1,所述导向装置14可实现从注射位置E至缩进使用位置RU的转移。所有的中间位置当然是可以的。不用说,为了在使用所述导向装置14时不意外地刺伤别人或自己,使用者必须留出护套远端前方的自由空间。
所述第三传动装置13将套管支架和套管从缩进使用位置RU移至缩进使用后位置RAU的操作,通过用一只手拉动注射器,而用另一只手紧紧握住所述护套1来完成。
随后,由最终锁定装置9将套管支架3永久锁定。
为了使注射部件与注射器分离,只需要一只手用力拉动注射器,同时另一只手紧紧握住护套1,以使套管支架3从注射器的远端脱离。在这个拉动运动中,为了松开注射器的远端,位于套管支架3内表面33上、由纵向槽35,35′隔开的两个螺纹部分开。
使用后,套管支架3因而保持锁定于护套1内的缩进使用后位置RAU中,套管2由所述护套1保护;不再可能将套管2从护套的一端带出,甚至通过将注射器再次引入护套并试图再次将注射器的远端夹紧或旋紧于套管支架3之上也不能带出套管2,因为所述第三传动装置13阻止套管支架3的任何移动。
以上结合实施例对本发明进行了描述。但应该理解,本领域技术人员能制造本发明的各种替代形式而不脱离本发明的保护范围。

Claims (16)

1.一种用于注射针或套管(2)的护套(1),该套管(2)设置于可安装在注射器上的套管支架(3)上,所述护套含有导向装置(14),该导向装置(14)至少可将套管支架(3)从完全缩进位置(R)移至注射位置(E),反过来也成立,在所述完全缩进位置,套管(2)完全位于所述护套(1)内,在所述注射位置,套管(2)至少部分伸出护套(1)外,所述护套(1)还含有可将所述套管支架(3)永久锁定于缩进使用后位置(RAU)的最终锁定装置(9),其特征在于所述护套(1)还含有可将所述套管支架(3)临时锁定于缩进预使用位置(RPU)的初步锁定装置(6),而且,所述护套(1)含有传动装置,在套管支架(3)已从其临时锁定位置释放之后,该传动装置可使套管支架(3)从缩进预使用位置(RPU)引入缩进使用位置(RU),所述护套(1)含有伸向所述护套(1)内部的爪(20),并且所述套管支架(3)含有至少一个第一纵向槽(38,38′)和至少一个第二纵向槽(39,39′),设计所述纵向槽以与所述爪(20)配合。
2.如权利要求1的护套(1),其特征在于,所述护套(1)含有第一传动装置(11),该第一传动装置(11)可将所述套管支架(3)引入缩进预使用位置(RPU)。
3.如权利要求1或2的护套(1),其特征在于,所述护套(1)含有第二传动装置(12),该第二传动装置(12)可将所述套管支架(3)从缩进预使用位置(RPU)引入缩进使用位置(RU)。
4.如权利要求1或2的护套(1),其特征在于,所述护套含有第三传动装置(13),该第三传动装置(13)可将所述套管支架(3)从缩进使用位置(RU)引入缩进使用后位置(RAU)。
5.如权利要求2的护套(1),其特征在于,所述第一传动装置(11)、第二传动装置(12)和第三传动装置(13)为单向传动装置。
6.如权利要求2的护套(1),其特征在于,所述第一传动装置(11)和/或所述第二传动装置(12)和/或所述第三传动装置(13)各自至少由传动部分形成,该传动部分在纵截面上具有形成于所述护套(1)内表面中的凹进部位(15),所述单个或所述多个传动装置在其每个末端具有孔(16,16′),并且在这些孔之间具有斜平段(17),该斜平段(17)从所述凹进部位(15)的深度p逐渐延伸至深度为零或甚至负值。
7.如权利要求6的护套(1),其特征在于,所述传动部分在纵截面上还含有直平段(18,18′),该直平段(18,18′)位于斜平段(17)和孔(16,16′)之间。
8.如权利要求7的护套(1),其特征在于,所述孔(16,16′)位于深度为零或甚至负值的附近,深度p至少局部地由纵向槽(23,23′)在斜平段(17)的各侧面上延伸。
9.如权利要求2的护套(1),其特征在于,所述第一传动装置(11)和/或第二传动装置(12)和/或第三传动装置(13)各自由耳状物形成的传动部分形成。
10.如权利要求1或2的护套(1),其特征在于,所述护套在其近端含有接收装置(10),该接收装置(10)可将所述套管支架(3)定位于引入位置(I)。
11.如权利要求1或2的护套(1),其特征在于,所述接收装置(10)和/或所述导向装置(14)至少由纵向的狭缝部分形成,所述狭缝部分至少在所述护套(1)的内表面(23)上开口。
12.如权利要求2的护套(1),其特征在于,所述第一传动装置(11)和/或所述第二传动装置(12)和/或所述第三传动装置(13)和/或所述导向装置(14)由两个相同的部分形成,所述两个相同部分定位为以所述护套(1)的X轴为中心沿径向相对。
13.如权利要求1或2的护套(1),其特征在于,所述初步锁定装置(6)由耳状物(19)形成。
14.一种由如权利要求1-13之任一项的护套(1)形成的注射部件(4),注射针或设置于套管支架(3)之上的套管(2)被引入该护套中。
15.如权利要求14的注射部件(4),其特征在于,所述套管支架(3)含有至少两个纵向凸起部(30,30′),该纵向凸起部(30,30′)定位为以所述套管支架(3)的轴为中心沿径向相对。
16.一种含有注射针或套管(2)的注射器,所述注射器配备有如权利要求1-13之任一项的护套(1)。
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US (2) US8247734B2 (zh)
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DE (1) DE602004023699D1 (zh)
FR (1) FR2852250B1 (zh)
WO (1) WO2004082730A2 (zh)

Families Citing this family (59)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP4659300B2 (ja) * 2000-09-13 2011-03-30 浜松ホトニクス株式会社 レーザ加工方法及び半導体チップの製造方法
TWI326626B (en) 2002-03-12 2010-07-01 Hamamatsu Photonics Kk Laser processing method
DE60313900T2 (de) 2002-03-12 2008-01-17 Hamamatsu Photonics K.K., Hamamatsu Methode zur Trennung von Substraten
ES2356817T3 (es) 2002-03-12 2011-04-13 Hamamatsu Photonics K.K. Método de corte de un objeto procesado.
TWI520269B (zh) 2002-12-03 2016-02-01 Hamamatsu Photonics Kk Cutting method of semiconductor substrate
DE60315515T2 (de) 2003-03-12 2007-12-13 Hamamatsu Photonics K.K., Hamamatsu Laserstrahlbearbeitungsverfahren
KR101119387B1 (ko) * 2003-07-18 2012-03-07 하마마츠 포토닉스 가부시키가이샤 절단방법
JP4563097B2 (ja) 2003-09-10 2010-10-13 浜松ホトニクス株式会社 半導体基板の切断方法
JP4598407B2 (ja) 2004-01-09 2010-12-15 浜松ホトニクス株式会社 レーザ加工方法及びレーザ加工装置
JP4509578B2 (ja) 2004-01-09 2010-07-21 浜松ホトニクス株式会社 レーザ加工方法及びレーザ加工装置
JP4601965B2 (ja) 2004-01-09 2010-12-22 浜松ホトニクス株式会社 レーザ加工方法及びレーザ加工装置
EP1742253B1 (en) 2004-03-30 2012-05-09 Hamamatsu Photonics K.K. Laser processing method
KR101109860B1 (ko) * 2004-08-06 2012-02-21 하마마츠 포토닉스 가부시키가이샤 레이저 가공 방법, 가공 대상물 절단 방법 및 반도체 장치
JP4762653B2 (ja) * 2005-09-16 2011-08-31 浜松ホトニクス株式会社 レーザ加工方法及びレーザ加工装置
JP4907965B2 (ja) * 2005-11-25 2012-04-04 浜松ホトニクス株式会社 レーザ加工方法
JP4804911B2 (ja) * 2005-12-22 2011-11-02 浜松ホトニクス株式会社 レーザ加工装置
JP4907984B2 (ja) 2005-12-27 2012-04-04 浜松ホトニクス株式会社 レーザ加工方法及び半導体チップ
EP1875983B1 (en) 2006-07-03 2013-09-11 Hamamatsu Photonics K.K. Laser processing method and chip
JP5183892B2 (ja) 2006-07-03 2013-04-17 浜松ホトニクス株式会社 レーザ加工方法
JP4954653B2 (ja) 2006-09-19 2012-06-20 浜松ホトニクス株式会社 レーザ加工方法
WO2008035679A1 (fr) * 2006-09-19 2008-03-27 Hamamatsu Photonics K. K. Procédé de traitement au laser et appareil de traitement au laser
JP5101073B2 (ja) * 2006-10-02 2012-12-19 浜松ホトニクス株式会社 レーザ加工装置
JP4964554B2 (ja) * 2006-10-03 2012-07-04 浜松ホトニクス株式会社 レーザ加工方法
JP5132911B2 (ja) * 2006-10-03 2013-01-30 浜松ホトニクス株式会社 レーザ加工方法
CN102357738B (zh) * 2006-10-04 2015-04-15 浜松光子学株式会社 激光加工方法
JP5336054B2 (ja) * 2007-07-18 2013-11-06 浜松ホトニクス株式会社 加工情報供給装置を備える加工情報供給システム
JP5449665B2 (ja) 2007-10-30 2014-03-19 浜松ホトニクス株式会社 レーザ加工方法
JP5134928B2 (ja) * 2007-11-30 2013-01-30 浜松ホトニクス株式会社 加工対象物研削方法
JP5054496B2 (ja) * 2007-11-30 2012-10-24 浜松ホトニクス株式会社 加工対象物切断方法
JP5692969B2 (ja) 2008-09-01 2015-04-01 浜松ホトニクス株式会社 収差補正方法、この収差補正方法を用いたレーザ加工方法、この収差補正方法を用いたレーザ照射方法、収差補正装置、及び、収差補正プログラム
JP5107213B2 (ja) * 2008-11-18 2012-12-26 シャープ株式会社 正極活物質、正極及び非水二次電池
JP5254761B2 (ja) 2008-11-28 2013-08-07 浜松ホトニクス株式会社 レーザ加工装置
JP5241525B2 (ja) 2009-01-09 2013-07-17 浜松ホトニクス株式会社 レーザ加工装置
JP5241527B2 (ja) 2009-01-09 2013-07-17 浜松ホトニクス株式会社 レーザ加工装置
EP2394775B1 (en) 2009-02-09 2019-04-03 Hamamatsu Photonics K.K. Workpiece cutting method
JP5639997B2 (ja) 2009-04-07 2014-12-10 浜松ホトニクス株式会社 レーザ加工装置
JP5491761B2 (ja) 2009-04-20 2014-05-14 浜松ホトニクス株式会社 レーザ加工装置
JP5476063B2 (ja) 2009-07-28 2014-04-23 浜松ホトニクス株式会社 加工対象物切断方法
JP5537081B2 (ja) 2009-07-28 2014-07-02 浜松ホトニクス株式会社 加工対象物切断方法
KR101770836B1 (ko) * 2009-08-11 2017-08-23 하마마츠 포토닉스 가부시키가이샤 레이저 가공장치 및 레이저 가공방법
US9526846B2 (en) 2009-08-19 2016-12-27 Safety Syringes, Inc. Patient-contact activated needle stick safety device
JP5379604B2 (ja) 2009-08-21 2013-12-25 浜松ホトニクス株式会社 レーザ加工方法及びチップ
JP5620669B2 (ja) * 2009-10-26 2014-11-05 東芝機械株式会社 レーザダイシング方法およびレーザダイシング装置
DE102010009015A1 (de) * 2010-02-24 2011-08-25 OSRAM Opto Semiconductors GmbH, 93055 Verfahren zum Herstellen einer Mehrzahl von optoelektronischen Halbleiterchips
US8950217B2 (en) 2010-05-14 2015-02-10 Hamamatsu Photonics K.K. Method of cutting object to be processed, method of cutting strengthened glass sheet and method of manufacturing strengthened glass member
JP5670647B2 (ja) 2010-05-14 2015-02-18 浜松ホトニクス株式会社 加工対象物切断方法
US8722516B2 (en) 2010-09-28 2014-05-13 Hamamatsu Photonics K.K. Laser processing method and method for manufacturing light-emitting device
FR2967355B1 (fr) 2010-11-17 2013-09-27 Jouvin Jean Luc Seringue dentaire securisee
US9174304B2 (en) * 2011-10-25 2015-11-03 Eisuke Minehara Laser decontamination device
USD746442S1 (en) 2012-05-03 2015-12-29 Sofic Safety syringe
WO2013164031A1 (en) 2012-05-03 2013-11-07 Sofic (Sté Francaise D'instruments De Chirurgie) Sheath protecting a cannula, and safety syringe comprising said sheath
US9040389B2 (en) * 2012-10-09 2015-05-26 Infineon Technologies Ag Singulation processes
EP2870975A1 (en) 2013-11-06 2015-05-13 SOFIC (Sté Française d'Instruments de Chirurgie) Sheath comprising a lock ring and safety syringe comprising said sheath
WO2016121932A1 (ja) * 2015-01-30 2016-08-04 テルモ株式会社 保護装置及び医療機器組立体
US20190062196A1 (en) * 2017-08-25 2019-02-28 Corning Incorporated Apparatuses and methods for laser processing transparent workpieces using an afocal beam adjustment assembly
US11024501B2 (en) 2018-12-29 2021-06-01 Cree, Inc. Carrier-assisted method for parting crystalline material along laser damage region
US10562130B1 (en) 2018-12-29 2020-02-18 Cree, Inc. Laser-assisted method for parting crystalline material
US10576585B1 (en) 2018-12-29 2020-03-03 Cree, Inc. Laser-assisted method for parting crystalline material
US10611052B1 (en) 2019-05-17 2020-04-07 Cree, Inc. Silicon carbide wafers with relaxed positive bow and related methods

Family Cites Families (228)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3448510A (en) * 1966-05-20 1969-06-10 Western Electric Co Methods and apparatus for separating articles initially in a compact array,and composite assemblies so formed
US3629545A (en) 1967-12-19 1971-12-21 Western Electric Co Laser substrate parting
GB1246481A (en) 1968-03-29 1971-09-15 Pilkington Brothers Ltd Improvements in or relating to the cutting of glass
US3613974A (en) 1969-03-10 1971-10-19 Saint Gobain Apparatus for cutting glass
US3610871A (en) 1970-02-19 1971-10-05 Western Electric Co Initiation of a controlled fracture
US3626141A (en) * 1970-04-30 1971-12-07 Quantronix Corp Laser scribing apparatus
US3824678A (en) * 1970-08-31 1974-07-23 North American Rockwell Process for laser scribing beam lead semiconductor wafers
US3790744A (en) * 1971-07-19 1974-02-05 American Can Co Method of forming a line of weakness in a multilayer laminate
US3790051A (en) * 1971-09-07 1974-02-05 Radiant Energy Systems Semiconductor wafer fracturing technique employing a pressure controlled roller
US3970819A (en) * 1974-11-25 1976-07-20 International Business Machines Corporation Backside laser dicing system
US4092518A (en) * 1976-12-07 1978-05-30 Laser Technique S.A. Method of decorating a transparent plastics material article by means of a laser beam
US4242152A (en) 1979-05-14 1980-12-30 National Semiconductor Corporation Method for adjusting the focus and power of a trimming laser
JPS6041478B2 (ja) 1979-09-10 1985-09-17 富士通株式会社 半導体レ−ザ素子の製造方法
US4336439A (en) * 1980-10-02 1982-06-22 Coherent, Inc. Method and apparatus for laser scribing and cutting
JPS5854648A (ja) * 1981-09-28 1983-03-31 Nippon Kogaku Kk <Nikon> 位置合わせ装置
US4475027A (en) 1981-11-17 1984-10-02 Allied Corporation Optical beam homogenizer
US4546231A (en) 1983-11-14 1985-10-08 Group Ii Manufacturing Ltd. Creation of a parting zone in a crystal structure
US4650619A (en) * 1983-12-29 1987-03-17 Toshiba Ceramics Co., Ltd. Method of machining a ceramic member
US4562333A (en) 1984-09-04 1985-12-31 General Electric Company Stress assisted cutting of high temperature embrittled materials
JPS61229487A (ja) * 1985-04-03 1986-10-13 Sasaki Glass Kk レ−ザビ−ムによるガラス切断方法
JPS6240986A (ja) 1985-08-20 1987-02-21 Fuji Electric Corp Res & Dev Ltd レ−ザ−加工方法
AU584563B2 (en) 1986-01-31 1989-05-25 Ciba-Geigy Ag Laser marking of ceramic materials, glazes, glass ceramics and glasses
FR2605310B1 (fr) * 1986-10-16 1992-04-30 Comp Generale Electricite Procede de renforcement de pieces ceramiques par traitement au laser
DE3767668D1 (de) * 1986-11-19 1991-02-28 Sterimatic Holdings Ltd Injektionsvorrichtungen.
US4981525A (en) * 1988-02-19 1991-01-01 Sanyo Electric Co., Ltd. Photovoltaic device
JPH0256987A (ja) * 1988-02-23 1990-02-26 Mitsubishi Electric Corp 混成集積回路の実装方法
JPH01133701U (zh) * 1988-03-07 1989-09-12
JP2680039B2 (ja) 1988-06-08 1997-11-19 株式会社日立製作所 光情報記録再生方法及び記録再生装置
JP2507665B2 (ja) * 1989-05-09 1996-06-12 株式会社東芝 電子管用金属円筒部材の製造方法
US5132505A (en) * 1990-03-21 1992-07-21 U.S. Philips Corporation Method of cleaving a brittle plate and device for carrying out the method
FR2669427B1 (fr) 1990-11-16 1993-01-22 Thomson Csf Dispositif de controle d'alignement de deux voies optiques et systeme de designation laser equipe d'un tel dispositif de controle.
US5211805A (en) * 1990-12-19 1993-05-18 Rangaswamy Srinivasan Cutting of organic solids by continuous wave ultraviolet irradiation
JPH0639572A (ja) 1991-01-11 1994-02-15 Souei Tsusho Kk ウェハ割断装置
US5171249A (en) 1991-04-04 1992-12-15 Ethicon, Inc. Endoscopic multiple ligating clip applier
JP3213338B2 (ja) * 1991-05-15 2001-10-02 株式会社リコー 薄膜半導体装置の製法
US5201721A (en) * 1991-06-28 1993-04-13 Lee Chooi T Medical safety needle and method
US5230184A (en) * 1991-07-05 1993-07-27 Motorola, Inc. Distributed polishing head
GB2263195B (en) * 1992-01-08 1996-03-20 Murata Manufacturing Co Component supply method
RU2024441C1 (ru) * 1992-04-02 1994-12-15 Владимир Степанович Кондратенко Способ резки неметаллических материалов
US5254149A (en) 1992-04-06 1993-10-19 Ford Motor Company Process for determining the quality of temper of a glass sheet using a laser beam
JP3088193B2 (ja) * 1992-06-05 2000-09-18 三菱電機株式会社 Loc構造を有する半導体装置の製造方法並びにこれに使用するリードフレーム
GB9216643D0 (en) * 1992-08-05 1992-09-16 Univ Loughborough Automatic operations on materials
JP3281073B2 (ja) 1992-12-14 2002-05-13 日精エー・エス・ビー機械株式会社 射出延伸吹込成形機
AU5872994A (en) 1992-12-18 1994-07-19 Firebird Traders Ltd. Process and apparatus for etching an image within a solid article
JP2720744B2 (ja) 1992-12-28 1998-03-04 三菱電機株式会社 レーザ加工機
US5382770A (en) * 1993-01-14 1995-01-17 Reliant Laser Corporation Mirror-based laser-processing system with visual tracking and position control of a moving laser spot
US5637244A (en) * 1993-05-13 1997-06-10 Podarok International, Inc. Method and apparatus for creating an image by a pulsed laser beam inside a transparent material
JP3293136B2 (ja) * 1993-06-04 2002-06-17 セイコーエプソン株式会社 レーザ加工装置及びレーザ加工方法
US5580473A (en) 1993-06-21 1996-12-03 Sanyo Electric Co. Ltd. Methods of removing semiconductor film with energy beams
GB2281129B (en) * 1993-08-19 1997-04-09 United Distillers Plc Method of marking a body of glass
US5376793A (en) * 1993-09-15 1994-12-27 Stress Photonics, Inc. Forced-diffusion thermal imaging apparatus and method
GB9402473D0 (en) * 1994-02-09 1994-03-30 Mg Gas Products Ltd Dry ice expanded tobacco
DE4404141A1 (de) * 1994-02-09 1995-08-10 Fraunhofer Ges Forschung Vorrichtung und Verfahren zur Laserstrahlformung, insbesondere bei der Laserstrahl-Oberflächenbearbeitung
FR2716113B1 (fr) * 1994-02-15 1996-05-03 Jouvin Jean Luc Dispositif de sécurité pour seringue à usage dentaire.
US5656186A (en) 1994-04-08 1997-08-12 The Regents Of The University Of Michigan Method for controlling configuration of laser induced breakdown and ablation
US5776220A (en) * 1994-09-19 1998-07-07 Corning Incorporated Method and apparatus for breaking brittle materials
US5622540A (en) * 1994-09-19 1997-04-22 Corning Incorporated Method for breaking a glass sheet
JP3374880B2 (ja) 1994-10-26 2003-02-10 三菱電機株式会社 半導体装置の製造方法、及び半導体装置
JP3535241B2 (ja) 1994-11-18 2004-06-07 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体デバイス及びその作製方法
US5543365A (en) * 1994-12-02 1996-08-06 Texas Instruments Incorporated Wafer scribe technique using laser by forming polysilicon
US5841543A (en) 1995-03-09 1998-11-24 Texas Instruments Incorporated Method and apparatus for verifying the presence of a material applied to a substrate
US5554122A (en) * 1995-03-23 1996-09-10 Emanuel; Carolina Disposable syringe
US5786560A (en) * 1995-03-31 1998-07-28 Panasonic Technologies, Inc. 3-dimensional micromachining with femtosecond laser pulses
JPH0929472A (ja) 1995-07-14 1997-02-04 Hitachi Ltd 割断方法、割断装置及びチップ材料
DE69629704T2 (de) 1995-08-31 2004-07-08 Corning Inc. Verfahren und vorrichtung zum zerbrechen von sprödem material
US6057525A (en) 1995-09-05 2000-05-02 United States Enrichment Corporation Method and apparatus for precision laser micromachining
US5641416A (en) * 1995-10-25 1997-06-24 Micron Display Technology, Inc. Method for particulate-free energy beam cutting of a wafer of die assemblies
KR0171947B1 (ko) 1995-12-08 1999-03-20 김주용 반도체소자 제조를 위한 노광 방법 및 그를 이용한 노광장치
MY118036A (en) * 1996-01-22 2004-08-30 Lintec Corp Wafer dicing/bonding sheet and process for producing semiconductor device
WO1997035811A1 (en) 1996-03-25 1997-10-02 Nippon Sheet Glass Co., Ltd. A laser processing method for a glass substrate, and a diffraction grating and a microlens array obtained therefrom
JPH09298339A (ja) 1996-04-30 1997-11-18 Rohm Co Ltd 半導体レーザの製法
DK109197A (da) * 1996-09-30 1998-03-31 Force Instituttet Fremgangsmåde til bearbejdning af et materiale ved hjælp af en laserstråle
DE19646332C2 (de) 1996-11-09 2000-08-10 Fraunhofer Ges Forschung Verfahren zur Veränderung des optischen Verhaltens an der Oberfläche und/oder innerhalb eines Werkstückes mittels eines Lasers
US6312800B1 (en) * 1997-02-10 2001-11-06 Lintec Corporation Pressure sensitive adhesive sheet for producing a chip
JPH10305420A (ja) 1997-03-04 1998-11-17 Ngk Insulators Ltd 酸化物単結晶からなる母材の加工方法、機能性デバイスの製造方法
US6529362B2 (en) 1997-03-06 2003-03-04 Applied Materials Inc. Monocrystalline ceramic electrostatic chuck
US5976392A (en) 1997-03-07 1999-11-02 Yageo Corporation Method for fabrication of thin film resistor
US6156030A (en) 1997-06-04 2000-12-05 Y-Beam Technologies, Inc. Method and apparatus for high precision variable rate material removal and modification
BE1011208A4 (fr) 1997-06-11 1999-06-01 Cuvelier Georges Procede de decalottage de pieces en verre.
DE19728766C1 (de) * 1997-07-07 1998-12-17 Schott Rohrglas Gmbh Verwendung eines Verfahrens zur Herstellung einer Sollbruchstelle bei einem Glaskörper
US6294439B1 (en) 1997-07-23 2001-09-25 Kabushiki Kaisha Toshiba Method of dividing a wafer and method of manufacturing a semiconductor device
US6641662B2 (en) * 1998-02-17 2003-11-04 The Trustees Of Columbia University In The City Of New York Method for fabricating ultra thin single-crystal metal oxide wave retarder plates and waveguide polarization mode converter using the same
JP3152206B2 (ja) 1998-06-19 2001-04-03 日本電気株式会社 オートフォーカス装置及びオートフォーカス方法
JP2000015467A (ja) 1998-07-01 2000-01-18 Shin Meiwa Ind Co Ltd 光による被加工材の加工方法および加工装置
US6181728B1 (en) * 1998-07-02 2001-01-30 General Scanning, Inc. Controlling laser polarization
JP3784543B2 (ja) 1998-07-29 2006-06-14 Ntn株式会社 パターン修正装置および修正方法
JP3156776B2 (ja) * 1998-08-03 2001-04-16 日本電気株式会社 レーザ照射方法
US6402004B1 (en) * 1998-09-16 2002-06-11 Hoya Corporation Cutting method for plate glass mother material
JP3605651B2 (ja) 1998-09-30 2004-12-22 日立化成工業株式会社 半導体装置の製造方法
JP2000124537A (ja) 1998-10-21 2000-04-28 Sharp Corp 半導体レーザチップの製造方法とその方法に用いられる製造装置
US6413839B1 (en) 1998-10-23 2002-07-02 Emcore Corporation Semiconductor device separation using a patterned laser projection
US6172329B1 (en) * 1998-11-23 2001-01-09 Minnesota Mining And Manufacturing Company Ablated laser feature shape reproduction control
JP3178524B2 (ja) 1998-11-26 2001-06-18 住友重機械工業株式会社 レーザマーキング方法と装置及びマーキングされた部材
KR100338983B1 (ko) 1998-11-30 2002-07-18 윤종용 웨이퍼분리도구및이를이용하는웨이퍼분리방법
US6420678B1 (en) * 1998-12-01 2002-07-16 Brian L. Hoekstra Method for separating non-metallic substrates
US6211488B1 (en) * 1998-12-01 2001-04-03 Accudyne Display And Semiconductor Systems, Inc. Method and apparatus for separating non-metallic substrates utilizing a laser initiated scribe
US6252197B1 (en) * 1998-12-01 2001-06-26 Accudyne Display And Semiconductor Systems, Inc. Method and apparatus for separating non-metallic substrates utilizing a supplemental mechanical force applicator
US6259058B1 (en) * 1998-12-01 2001-07-10 Accudyne Display And Semiconductor Systems, Inc. Apparatus for separating non-metallic substrates
JP2000195828A (ja) 1998-12-25 2000-07-14 Denso Corp ウエハの切断分離方法およびウエハの切断分離装置
US6127005A (en) 1999-01-08 2000-10-03 Rutgers University Method of thermally glazing an article
JP2000219528A (ja) 1999-01-18 2000-08-08 Samsung Sdi Co Ltd ガラス基板の切断方法及びその装置
JP2000210785A (ja) 1999-01-26 2000-08-02 Mitsubishi Heavy Ind Ltd 複数ビ―ムレ―ザ加工装置
JP3569147B2 (ja) 1999-01-26 2004-09-22 松下電器産業株式会社 基板の切断方法
EP1026735A3 (en) 1999-02-03 2004-01-02 Kabushiki Kaisha Toshiba Method of dividing a wafer and method of manufacturing a semiconductor device
JP2000237885A (ja) 1999-02-19 2000-09-05 Koike Sanso Kogyo Co Ltd レーザー切断方法
JP4119028B2 (ja) 1999-02-19 2008-07-16 小池酸素工業株式会社 レーザーピアシング方法
TW428295B (en) 1999-02-24 2001-04-01 Matsushita Electronics Corp Resin-sealing semiconductor device, the manufacturing method and the lead frame thereof
JP3426154B2 (ja) * 1999-02-26 2003-07-14 科学技術振興事業団 グレーティング付き光導波路の製造方法
JP2000247671A (ja) 1999-03-04 2000-09-12 Takatori Corp ガラスの分断方法
TW445545B (en) * 1999-03-10 2001-07-11 Mitsubishi Electric Corp Laser heat treatment method, laser heat treatment apparatus and semiconductor device
JP2000323441A (ja) 1999-05-10 2000-11-24 Hitachi Cable Ltd セラミックス基板上に形成した光導波回路チップの切断方法
US6285002B1 (en) 1999-05-10 2001-09-04 Bryan Kok Ann Ngoi Three dimensional micro machining with a modulated ultra-short laser pulse
US6420245B1 (en) 1999-06-08 2002-07-16 Kulicke & Soffa Investments, Inc. Method for singulating semiconductor wafers
US6562698B2 (en) * 1999-06-08 2003-05-13 Kulicke & Soffa Investments, Inc. Dual laser cutting of wafers
US6344402B1 (en) * 1999-07-28 2002-02-05 Disco Corporation Method of dicing workpiece
TW404871B (en) 1999-08-02 2000-09-11 Lg Electronics Inc Device and method for machining transparent medium by laser
JP2001064029A (ja) 1999-08-27 2001-03-13 Toyo Commun Equip Co Ltd 多層ガラス基板及び、その切断方法
JP4493127B2 (ja) 1999-09-10 2010-06-30 シャープ株式会社 窒化物半導体チップの製造方法
US6229114B1 (en) * 1999-09-30 2001-05-08 Xerox Corporation Precision laser cutting of adhesive members
JP3932743B2 (ja) 1999-11-08 2007-06-20 株式会社デンソー 圧接型半導体装置の製造方法
CN1413136A (zh) 1999-11-24 2003-04-23 应用光子学公司 非金属材料的分离方法和装置
US6612035B2 (en) 2000-01-05 2003-09-02 Patrick H. Brown Drywall cutting tool
JP2001196282A (ja) 2000-01-13 2001-07-19 Hitachi Ltd 半導体装置及びその製造方法
JP2001250798A (ja) 2000-03-06 2001-09-14 Sony Corp ケガキ線で材料を分割する方法及び装置
DE10015702A1 (de) 2000-03-29 2001-10-18 Vitro Laser Gmbh Verfahren zum Einbringen wenigstens einer Innengravur in einen flachen Körper und Vorrichtung zum Durchführen des Verfahrens
WO2001074529A2 (en) * 2000-03-30 2001-10-11 Electro Scientific Industries, Inc. Laser system and method for single pass micromachining of multilayer workpieces
AU2001254866A1 (en) 2000-04-14 2001-10-30 S.O.I.Tec Silicon On Insulator Technologies Method for cutting out at least a thin layer in a substrate or ingot, in particular made of semiconductor material(s)
US6333486B1 (en) * 2000-04-25 2001-12-25 Igor Troitski Method and laser system for creation of laser-induced damages to produce high quality images
US20020006765A1 (en) * 2000-05-11 2002-01-17 Thomas Michel System for cutting brittle materials
JP4697823B2 (ja) 2000-05-16 2011-06-08 株式会社ディスコ 脆性基板の分割方法
TW443581U (en) 2000-05-20 2001-06-23 Chipmos Technologies Inc Wafer-sized semiconductor package structure
JP2001339638A (ja) 2000-05-26 2001-12-07 Hamamatsu Photonics Kk ストリークカメラ装置
JP2001345252A (ja) 2000-05-30 2001-12-14 Hyper Photon Systens Inc レーザ切断機
JP3650000B2 (ja) 2000-07-04 2005-05-18 三洋電機株式会社 窒化物系半導体レーザ素子および窒化物半導体レーザ装置の製造方法
JP3906653B2 (ja) * 2000-07-18 2007-04-18 ソニー株式会社 画像表示装置及びその製造方法
US6376797B1 (en) 2000-07-26 2002-04-23 Ase Americas, Inc. Laser cutting of semiconductor materials
JP2002050589A (ja) 2000-08-03 2002-02-15 Sony Corp 半導体ウェーハの延伸分離方法及び装置
US6726631B2 (en) * 2000-08-08 2004-04-27 Ge Parallel Designs, Inc. Frequency and amplitude apodization of transducers
US6325855B1 (en) 2000-08-09 2001-12-04 Itt Manufacturing Enterprises, Inc. Gas collector for epitaxial reactors
JP3751970B2 (ja) 2000-09-13 2006-03-08 浜松ホトニクス株式会社 レーザ加工装置
JP2003001458A (ja) 2000-09-13 2003-01-08 Hamamatsu Photonics Kk レーザ加工方法
JP3722731B2 (ja) 2000-09-13 2005-11-30 浜松ホトニクス株式会社 レーザ加工方法
JP4837320B2 (ja) 2000-09-13 2011-12-14 浜松ホトニクス株式会社 加工対象物切断方法
JP3761565B2 (ja) 2000-09-13 2006-03-29 浜松ホトニクス株式会社 レーザ加工方法
JP2002192371A (ja) 2000-09-13 2002-07-10 Hamamatsu Photonics Kk レーザ加工方法及びレーザ加工装置
JP4659300B2 (ja) * 2000-09-13 2011-03-30 浜松ホトニクス株式会社 レーザ加工方法及び半導体チップの製造方法
JP3408805B2 (ja) 2000-09-13 2003-05-19 浜松ホトニクス株式会社 切断起点領域形成方法及び加工対象物切断方法
JP3626442B2 (ja) 2000-09-13 2005-03-09 浜松ホトニクス株式会社 レーザ加工方法
JP4762458B2 (ja) 2000-09-13 2011-08-31 浜松ホトニクス株式会社 レーザ加工装置
JP4964376B2 (ja) * 2000-09-13 2012-06-27 浜松ホトニクス株式会社 レーザ加工装置及びレーザ加工方法
JP2003039184A (ja) 2000-09-13 2003-02-12 Hamamatsu Photonics Kk レーザ加工方法
JP3761567B2 (ja) 2000-09-13 2006-03-29 浜松ホトニクス株式会社 レーザ加工方法
JP3660294B2 (ja) 2000-10-26 2005-06-15 株式会社東芝 半導体装置の製造方法
JP3332910B2 (ja) 2000-11-15 2002-10-07 エヌイーシーマシナリー株式会社 ウェハシートのエキスパンダ
JP2002158276A (ja) 2000-11-20 2002-05-31 Hitachi Chem Co Ltd ウエハ貼着用粘着シートおよび半導体装置
US6875379B2 (en) 2000-12-29 2005-04-05 Amkor Technology, Inc. Tool and method for forming an integrated optical circuit
JP2002226796A (ja) 2001-01-29 2002-08-14 Hitachi Chem Co Ltd ウェハ貼着用粘着シート及び半導体装置
TW521310B (en) 2001-02-08 2003-02-21 Toshiba Corp Laser processing method and apparatus
US6770544B2 (en) 2001-02-21 2004-08-03 Nec Machinery Corporation Substrate cutting method
SG118117A1 (en) 2001-02-28 2006-01-27 Semiconductor Energy Lab Semiconductor device and manufacturing method thereof
KR100701013B1 (ko) 2001-05-21 2007-03-29 삼성전자주식회사 레이저 빔을 이용한 비금속 기판의 절단방법 및 장치
JP2003017790A (ja) 2001-07-03 2003-01-17 Matsushita Electric Ind Co Ltd 窒化物系半導体素子及び製造方法
JP2003046177A (ja) 2001-07-31 2003-02-14 Matsushita Electric Ind Co Ltd 半導体レーザの製造方法
US6527742B1 (en) * 2001-11-14 2003-03-04 Robert C. Malenchek Safety syringe
JP2003154517A (ja) 2001-11-21 2003-05-27 Seiko Epson Corp 脆性材料の割断加工方法およびその装置、並びに電子部品の製造方法
US6608370B1 (en) * 2002-01-28 2003-08-19 Motorola, Inc. Semiconductor wafer having a thin die and tethers and methods of making the same
US6908784B1 (en) * 2002-03-06 2005-06-21 Micron Technology, Inc. Method for fabricating encapsulated semiconductor components
ES2356817T3 (es) 2002-03-12 2011-04-13 Hamamatsu Photonics K.K. Método de corte de un objeto procesado.
JP3935186B2 (ja) 2002-03-12 2007-06-20 浜松ホトニクス株式会社 半導体基板の切断方法
TWI326626B (en) 2002-03-12 2010-07-01 Hamamatsu Photonics Kk Laser processing method
JP2003338636A (ja) 2002-03-12 2003-11-28 Hamamatsu Photonics Kk 発光素子の製造方法、発光ダイオード、及び半導体レーザ素子
JP4509720B2 (ja) 2002-03-12 2010-07-21 浜松ホトニクス株式会社 レーザ加工方法
JP2003338468A (ja) 2002-03-12 2003-11-28 Hamamatsu Photonics Kk 発光素子の製造方法、発光ダイオード、及び半導体レーザ素子
JP3670267B2 (ja) 2002-03-12 2005-07-13 浜松ホトニクス株式会社 レーザ加工方法
WO2003076118A1 (fr) 2002-03-12 2003-09-18 Hamamatsu Photonics K.K. Substrat semi-conducteur, puce a semi-conducteur et procede de fabrication d'un dispositif a semi-conducteur
JP4358502B2 (ja) 2002-03-12 2009-11-04 浜松ホトニクス株式会社 半導体基板の切断方法
DE60313900T2 (de) 2002-03-12 2008-01-17 Hamamatsu Photonics K.K., Hamamatsu Methode zur Trennung von Substraten
JP2006135355A (ja) 2002-03-12 2006-05-25 Hamamatsu Photonics Kk 半導体基板の切断方法
US6787732B1 (en) * 2002-04-02 2004-09-07 Seagate Technology Llc Method for laser-scribing brittle substrates and apparatus therefor
US6744009B1 (en) * 2002-04-02 2004-06-01 Seagate Technology Llc Combined laser-scribing and laser-breaking for shaping of brittle substrates
TWI520269B (zh) * 2002-12-03 2016-02-01 Hamamatsu Photonics Kk Cutting method of semiconductor substrate
US7489454B2 (en) 2002-12-05 2009-02-10 Hamamatsu Photonics K.K. Laser processing device
JP2004188422A (ja) * 2002-12-06 2004-07-08 Hamamatsu Photonics Kk レーザ加工装置及びレーザ加工方法
JP4334864B2 (ja) * 2002-12-27 2009-09-30 日本電波工業株式会社 薄板水晶ウェハ及び水晶振動子の製造方法
US7341007B2 (en) 2003-03-05 2008-03-11 Joel Vatsky Balancing damper
DE60315515T2 (de) * 2003-03-12 2007-12-13 Hamamatsu Photonics K.K., Hamamatsu Laserstrahlbearbeitungsverfahren
KR101119387B1 (ko) * 2003-07-18 2012-03-07 하마마츠 포토닉스 가부시키가이샤 절단방법
JP4563097B2 (ja) * 2003-09-10 2010-10-13 浜松ホトニクス株式会社 半導体基板の切断方法
JP2005086175A (ja) 2003-09-11 2005-03-31 Hamamatsu Photonics Kk 半導体薄膜の製造方法、半導体薄膜、半導体薄膜チップ、電子管、及び光検出素子
JP4300084B2 (ja) 2003-09-19 2009-07-22 株式会社リコー 画像形成装置
JP4160597B2 (ja) * 2004-01-07 2008-10-01 浜松ホトニクス株式会社 半導体発光素子及びその製造方法
JP4601965B2 (ja) * 2004-01-09 2010-12-22 浜松ホトニクス株式会社 レーザ加工方法及びレーザ加工装置
JP4598407B2 (ja) 2004-01-09 2010-12-15 浜松ホトニクス株式会社 レーザ加工方法及びレーザ加工装置
JP4509578B2 (ja) 2004-01-09 2010-07-21 浜松ホトニクス株式会社 レーザ加工方法及びレーザ加工装置
JP4829781B2 (ja) * 2004-03-30 2011-12-07 浜松ホトニクス株式会社 レーザ加工方法及び半導体チップ
EP1742253B1 (en) 2004-03-30 2012-05-09 Hamamatsu Photonics K.K. Laser processing method
JP4536407B2 (ja) 2004-03-30 2010-09-01 浜松ホトニクス株式会社 レーザ加工方法及び加工対象物
JP4634089B2 (ja) * 2004-07-30 2011-02-16 浜松ホトニクス株式会社 レーザ加工方法
KR101109860B1 (ko) * 2004-08-06 2012-02-21 하마마츠 포토닉스 가부시키가이샤 레이저 가공 방법, 가공 대상물 절단 방법 및 반도체 장치
JP4754801B2 (ja) 2004-10-13 2011-08-24 浜松ホトニクス株式会社 レーザ加工方法
JP4917257B2 (ja) * 2004-11-12 2012-04-18 浜松ホトニクス株式会社 レーザ加工方法
JP4781661B2 (ja) * 2004-11-12 2011-09-28 浜松ホトニクス株式会社 レーザ加工方法
JP4198123B2 (ja) * 2005-03-22 2008-12-17 浜松ホトニクス株式会社 レーザ加工方法
JP4776994B2 (ja) * 2005-07-04 2011-09-21 浜松ホトニクス株式会社 加工対象物切断方法
JP4749799B2 (ja) * 2005-08-12 2011-08-17 浜松ホトニクス株式会社 レーザ加工方法
JP4762653B2 (ja) 2005-09-16 2011-08-31 浜松ホトニクス株式会社 レーザ加工方法及びレーザ加工装置
JP4237745B2 (ja) 2005-11-18 2009-03-11 浜松ホトニクス株式会社 レーザ加工方法
JP4907965B2 (ja) * 2005-11-25 2012-04-04 浜松ホトニクス株式会社 レーザ加工方法
JP4804911B2 (ja) 2005-12-22 2011-11-02 浜松ホトニクス株式会社 レーザ加工装置
JP4907984B2 (ja) 2005-12-27 2012-04-04 浜松ホトニクス株式会社 レーザ加工方法及び半導体チップ
EP1875983B1 (en) * 2006-07-03 2013-09-11 Hamamatsu Photonics K.K. Laser processing method and chip
JP5183892B2 (ja) * 2006-07-03 2013-04-17 浜松ホトニクス株式会社 レーザ加工方法
WO2008035679A1 (fr) 2006-09-19 2008-03-27 Hamamatsu Photonics K. K. Procédé de traitement au laser et appareil de traitement au laser
JP4954653B2 (ja) * 2006-09-19 2012-06-20 浜松ホトニクス株式会社 レーザ加工方法
JP5101073B2 (ja) * 2006-10-02 2012-12-19 浜松ホトニクス株式会社 レーザ加工装置
JP4964554B2 (ja) * 2006-10-03 2012-07-04 浜松ホトニクス株式会社 レーザ加工方法
JP5132911B2 (ja) * 2006-10-03 2013-01-30 浜松ホトニクス株式会社 レーザ加工方法
CN102357738B (zh) * 2006-10-04 2015-04-15 浜松光子学株式会社 激光加工方法
JP4812599B2 (ja) 2006-11-17 2011-11-09 倉敷紡績株式会社 染料濃度測定方法及び装置
JP5336054B2 (ja) 2007-07-18 2013-11-06 浜松ホトニクス株式会社 加工情報供給装置を備える加工情報供給システム
JP4402708B2 (ja) * 2007-08-03 2010-01-20 浜松ホトニクス株式会社 レーザ加工方法、レーザ加工装置及びその製造方法
JP5225639B2 (ja) 2007-09-06 2013-07-03 浜松ホトニクス株式会社 半導体レーザ素子の製造方法
JP5342772B2 (ja) * 2007-10-12 2013-11-13 浜松ホトニクス株式会社 加工対象物切断方法
JP5449665B2 (ja) 2007-10-30 2014-03-19 浜松ホトニクス株式会社 レーザ加工方法
JP5134928B2 (ja) 2007-11-30 2013-01-30 浜松ホトニクス株式会社 加工対象物研削方法
JP5054496B2 (ja) 2007-11-30 2012-10-24 浜松ホトニクス株式会社 加工対象物切断方法
WO2009125337A1 (fr) * 2008-04-08 2009-10-15 Socorex Isba S.A. Joint pour dispositif de dosage de liquides
JP5241525B2 (ja) 2009-01-09 2013-07-17 浜松ホトニクス株式会社 レーザ加工装置

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