ATE522311T1 - Laserbearbeitungsverfahren und -vorrichtung - Google Patents

Laserbearbeitungsverfahren und -vorrichtung

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ATE522311T1 AT04806954T AT04806954T ATE522311T1 AT E522311 T1 ATE522311 T1 AT E522311T1 AT 04806954 T AT04806954 T AT 04806954T AT 04806954 T AT04806954 T AT 04806954T AT E522311 T1 ATE522311 T1 AT E522311T1
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Koji Kuno
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Tatsuya Suzuki
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Families Citing this family (63)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP4659300B2 (ja) 2000-09-13 2011-03-30 浜松ホトニクス株式会社 レーザ加工方法及び半導体チップの製造方法
JP4606741B2 (ja) * 2002-03-12 2011-01-05 浜松ホトニクス株式会社 加工対象物切断方法
TWI326626B (en) 2002-03-12 2010-07-01 Hamamatsu Photonics Kk Laser processing method
ATE518242T1 (de) 2002-03-12 2011-08-15 Hamamatsu Photonics Kk Methode zur trennung von substraten
TWI520269B (zh) 2002-12-03 2016-02-01 Hamamatsu Photonics Kk Cutting method of semiconductor substrate
FR2852250B1 (fr) 2003-03-11 2009-07-24 Jean Luc Jouvin Fourreau de protection pour canule, un ensemble d'injection comportant un tel fourreau et aiguille equipee d'un tel fourreau
CN1758985A (zh) 2003-03-12 2006-04-12 浜松光子学株式会社 激光加工方法
KR101119387B1 (ko) * 2003-07-18 2012-03-07 하마마츠 포토닉스 가부시키가이샤 절단방법
JP4563097B2 (ja) 2003-09-10 2010-10-13 浜松ホトニクス株式会社 半導体基板の切断方法
JP4601965B2 (ja) * 2004-01-09 2010-12-22 浜松ホトニクス株式会社 レーザ加工方法及びレーザ加工装置
JP4598407B2 (ja) 2004-01-09 2010-12-15 浜松ホトニクス株式会社 レーザ加工方法及びレーザ加工装置
JP4509578B2 (ja) 2004-01-09 2010-07-21 浜松ホトニクス株式会社 レーザ加工方法及びレーザ加工装置
KR101336523B1 (ko) 2004-03-30 2013-12-03 하마마츠 포토닉스 가부시키가이샤 레이저 가공 방법 및 반도체 칩
WO2006013763A1 (ja) * 2004-08-06 2006-02-09 Hamamatsu Photonics K.K. レーザ加工方法及び半導体装置
JP4754801B2 (ja) 2004-10-13 2011-08-24 浜松ホトニクス株式会社 レーザ加工方法
JP4762653B2 (ja) * 2005-09-16 2011-08-31 浜松ホトニクス株式会社 レーザ加工方法及びレーザ加工装置
JP4907965B2 (ja) * 2005-11-25 2012-04-04 浜松ホトニクス株式会社 レーザ加工方法
JP4804911B2 (ja) * 2005-12-22 2011-11-02 浜松ホトニクス株式会社 レーザ加工装置
JP4907984B2 (ja) 2005-12-27 2012-04-04 浜松ホトニクス株式会社 レーザ加工方法及び半導体チップ
US9889043B2 (en) * 2006-01-20 2018-02-13 Lensar, Inc. System and apparatus for delivering a laser beam to the lens of an eye
JP4781128B2 (ja) * 2006-02-24 2011-09-28 株式会社デンソー 半導体ウェハのダイシング方法
JP4804183B2 (ja) * 2006-03-20 2011-11-02 株式会社デンソー 半導体基板の分断方法およびその分断方法で作製された半導体チップ
ES2428826T3 (es) 2006-07-03 2013-11-11 Hamamatsu Photonics K.K. Procedimiento de procesamiento por láser y chip
JP5183892B2 (ja) 2006-07-03 2013-04-17 浜松ホトニクス株式会社 レーザ加工方法
JP4958506B2 (ja) * 2006-09-15 2012-06-20 株式会社キーエンス レーザ加工装置、３次元レーザ加工における高さ方向のオフセット調整方法及びレーザ加工装置の制御プログラム
JP4954653B2 (ja) 2006-09-19 2012-06-20 浜松ホトニクス株式会社 レーザ加工方法
WO2008035679A1 (fr) * 2006-09-19 2008-03-27 Hamamatsu Photonics K. K. Procédé de traitement au laser et appareil de traitement au laser
JP5101073B2 (ja) * 2006-10-02 2012-12-19 浜松ホトニクス株式会社 レーザ加工装置
JP5132911B2 (ja) * 2006-10-03 2013-01-30 浜松ホトニクス株式会社 レーザ加工方法
JP4964554B2 (ja) * 2006-10-03 2012-07-04 浜松ホトニクス株式会社 レーザ加工方法
KR101428824B1 (ko) * 2006-10-04 2014-08-11 하마마츠 포토닉스 가부시키가이샤 레이저 가공방법
JP5336054B2 (ja) * 2007-07-18 2013-11-06 浜松ホトニクス株式会社 加工情報供給装置を備える加工情報供給システム
JP5449665B2 (ja) * 2007-10-30 2014-03-19 浜松ホトニクス株式会社 レーザ加工方法
JP5134928B2 (ja) * 2007-11-30 2013-01-30 浜松ホトニクス株式会社 加工対象物研削方法
JP5054496B2 (ja) * 2007-11-30 2012-10-24 浜松ホトニクス株式会社 加工対象物切断方法
WO2009078231A1 (ja) * 2007-12-19 2009-06-25 Tokyo Seimitsu Co., Ltd. レーザーダイシング装置及びダイシング方法
JP5692969B2 (ja) 2008-09-01 2015-04-01 浜松ホトニクス株式会社 収差補正方法、この収差補正方法を用いたレーザ加工方法、この収差補正方法を用いたレーザ照射方法、収差補正装置、及び、収差補正プログラム
JP5254761B2 (ja) 2008-11-28 2013-08-07 浜松ホトニクス株式会社 レーザ加工装置
JP5425451B2 (ja) * 2008-12-01 2014-02-26 株式会社ディスコ レーザ加工装置
JP5241527B2 (ja) 2009-01-09 2013-07-17 浜松ホトニクス株式会社 レーザ加工装置
JP5241525B2 (ja) 2009-01-09 2013-07-17 浜松ホトニクス株式会社 レーザ加工装置
CN102307699B (zh) 2009-02-09 2015-07-15 浜松光子学株式会社 加工对象物的切断方法
US9035216B2 (en) 2009-04-07 2015-05-19 Hamamatsu Photonics K.K. Method and device for controlling interior fractures by controlling the laser pulse width
JP5491761B2 (ja) 2009-04-20 2014-05-14 浜松ホトニクス株式会社 レーザ加工装置
JP5775266B2 (ja) * 2010-05-18 2015-09-09 株式会社 オプト・システム ウェハ状基板の分割方法
JP5194076B2 (ja) * 2010-08-27 2013-05-08 三星ダイヤモンド工業株式会社 レーザ割断装置
US8722516B2 (en) 2010-09-28 2014-05-13 Hamamatsu Photonics K.K. Laser processing method and method for manufacturing light-emitting device
JP5656690B2 (ja) * 2011-03-02 2015-01-21 株式会社ディスコ レーザ加工装置
JP5397400B2 (ja) * 2011-03-15 2014-01-22 オムロン株式会社 レーザ加工装置およびレーザ加工方法
US20140353005A1 (en) * 2013-06-04 2014-12-04 E I Du Pont De Nemours And Company Method of making microwave and millimeterwave electronic circuits by laser patterning of unfired low temperature co-fired ceramic (ltcc) substrates
JP6425606B2 (ja) * 2015-04-06 2018-11-21 株式会社ディスコ ウエーハの生成方法
JP6494382B2 (ja) * 2015-04-06 2019-04-03 株式会社ディスコ ウエーハの生成方法
JP6416801B2 (ja) * 2016-01-29 2018-10-31 ファナック株式会社 加工ヘッドのアプローチ機能を有するレーザ加工機
JP6604891B2 (ja) * 2016-04-06 2019-11-13 株式会社ディスコ ウエーハの生成方法
KR102566170B1 (ko) 2016-09-12 2023-08-10 삼성전자주식회사 웨이퍼 타공 장치
JP6959073B2 (ja) * 2017-08-30 2021-11-02 株式会社ディスコ レーザー加工装置
WO2019181063A1 (ja) * 2018-03-20 2019-09-26 株式会社東京精密 レーザ加工装置及びレーザ加工方法
WO2019198512A1 (ja) * 2018-04-09 2019-10-17 東京エレクトロン株式会社 レーザー加工装置、レーザー加工システム、およびレーザー加工方法
US11024501B2 (en) 2018-12-29 2021-06-01 Cree, Inc. Carrier-assisted method for parting crystalline material along laser damage region
US10562130B1 (en) 2018-12-29 2020-02-18 Cree, Inc. Laser-assisted method for parting crystalline material
US10576585B1 (en) 2018-12-29 2020-03-03 Cree, Inc. Laser-assisted method for parting crystalline material
JP7189026B2 (ja) 2019-01-07 2022-12-13 株式会社ディスコ 被加工物の加工方法
US10611052B1 (en) 2019-05-17 2020-04-07 Cree, Inc. Silicon carbide wafers with relaxed positive bow and related methods

Family Cites Families (123)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3629545A (en) 1967-12-19 1971-12-21 Western Electric Co Laser substrate parting
US4546231A (en) * 1983-11-14 1985-10-08 Group Ii Manufacturing Ltd. Creation of a parting zone in a crystal structure
US4562333A (en) 1984-09-04 1985-12-31 General Electric Company Stress assisted cutting of high temperature embrittled materials
US4769523A (en) * 1985-03-08 1988-09-06 Nippon Kogaku K.K. Laser processing apparatus
AU585033B2 (en) * 1986-07-04 1989-06-08 Tosoh Corporation Quantitative dispenser for a liquid
GB2236846B (en) * 1988-11-22 1992-10-14 Fiat Auto Spa Laser welding monitoring systems.
JPH02185602A (ja) * 1989-01-11 1990-07-20 Mitsubishi Heavy Ind Ltd 動翼先端すき間計測装置
US5122648A (en) * 1990-06-01 1992-06-16 Wyko Corporation Apparatus and method for automatically focusing an interference microscope
JPH0740336Y2 (ja) 1990-11-07 1995-09-20 株式会社クボタ 業務用自動炊飯装置の貯米装置
JPH0639572A (ja) * 1991-01-11 1994-02-15 Souei Tsusho Kk ウェハ割断装置
JPH04244910A (ja) 1991-01-31 1992-09-01 Nec Corp 高さ検出装置
JPH04111800U (ja) 1991-03-16 1992-09-29 テイーデイーケイ株式会社 リード線の切断折り曲げ装置におけるリード線挿入検出機構
JP2943499B2 (ja) 1992-04-22 1999-08-30 日本電気株式会社 高さ測定方法および装置
JP3248275B2 (ja) * 1992-12-25 2002-01-21 いすゞ自動車株式会社 レーザー加工装置
JP2720744B2 (ja) * 1992-12-28 1998-03-04 三菱電機株式会社 レーザ加工機
JPH0814968B2 (ja) 1993-02-15 1996-02-14 九州日立マクセル株式会社 ディスククリーナ
JP2868384B2 (ja) 1993-02-23 1999-03-10 株式会社東京精密 ダイシング溝の深さ測定方法及びダイシング装置
US5637244A (en) * 1993-05-13 1997-06-10 Podarok International, Inc. Method and apparatus for creating an image by a pulsed laser beam inside a transparent material
US5594235A (en) * 1993-06-17 1997-01-14 Ultrapointe Corporation Automated surface acquisition for a confocal microscope
JPH07236985A (ja) 1994-02-28 1995-09-12 Mitsubishi Electric Corp レーザ切断方法及びその装置
US5622540A (en) * 1994-09-19 1997-04-22 Corning Incorporated Method for breaking a glass sheet
US5776220A (en) * 1994-09-19 1998-07-07 Corning Incorporated Method and apparatus for breaking brittle materials
US5543365A (en) * 1994-12-02 1996-08-06 Texas Instruments Incorporated Wafer scribe technique using laser by forming polysilicon
JP3162254B2 (ja) 1995-01-17 2001-04-25 三菱電機株式会社 レーザ加工装置
DE69629704T2 (de) * 1995-08-31 2004-07-08 Corning Inc. Verfahren und vorrichtung zum zerbrechen von sprödem material
KR0171947B1 (ko) 1995-12-08 1999-03-20 김주용 반도체소자 제조를 위한 노광 방법 및 그를 이용한 노광장치
JP3660741B2 (ja) * 1996-03-22 2005-06-15 株式会社日立製作所 電子回路装置の製造方法
IL118030A0 (en) * 1996-04-25 1996-08-04 Scitex Corp Ltd A confocal measuring device and method
US5883356A (en) * 1996-05-13 1999-03-16 Tip Engineering Group, Inc. Laser scoring process and apparatus
US5925268A (en) * 1996-06-06 1999-07-20 Engauge Inc. Laser welding apparatus employing a tilting mechanism and seam follower
JP3079042B2 (ja) * 1996-07-19 2000-08-21 浜松ホトニクス株式会社 ストリーク管の掃引方法および掃引装置
DK109197A (da) * 1996-09-30 1998-03-31 Force Instituttet Fremgangsmåde til bearbejdning af et materiale ved hjælp af en laserstråle
JPH10163780A (ja) 1996-12-04 1998-06-19 Ngk Insulators Ltd 圧電単結晶からなる振動子の製造方法
JPH10202381A (ja) 1997-01-21 1998-08-04 Sumitomo Electric Ind Ltd レーザ切断装置
JPH10305420A (ja) * 1997-03-04 1998-11-17 Ngk Insulators Ltd 酸化物単結晶からなる母材の加工方法、機能性デバイスの製造方法
DE19728766C1 (de) * 1997-07-07 1998-12-17 Schott Rohrglas Gmbh Verwendung eines Verfahrens zur Herstellung einer Sollbruchstelle bei einem Glaskörper
JP3208730B2 (ja) 1998-01-16 2001-09-17 住友重機械工業株式会社 光透過性材料のマーキング方法
JP3292294B2 (ja) 1997-11-07 2002-06-17 住友重機械工業株式会社 レーザを用いたマーキング方法及びマーキング装置
JP3449201B2 (ja) 1997-11-28 2003-09-22 日亜化学工業株式会社 窒化物半導体素子の製造方法
JP3604550B2 (ja) 1997-12-16 2004-12-22 日亜化学工業株式会社 窒化物半導体素子の製造方法
JP4132172B2 (ja) 1998-02-06 2008-08-13 浜松ホトニクス株式会社 パルスレーザ加工装置
JPH11345785A (ja) 1998-06-03 1999-12-14 Hitachi Ltd ダイシング方法およびダイシング装置
JP3152206B2 (ja) 1998-06-19 2001-04-03 日本電気株式会社 オートフォーカス装置及びオートフォーカス方法
JP2000015467A (ja) 1998-07-01 2000-01-18 Shin Meiwa Ind Co Ltd 光による被加工材の加工方法および加工装置
US6407360B1 (en) * 1998-08-26 2002-06-18 Samsung Electronics, Co., Ltd. Laser cutting apparatus and method
JP3178524B2 (ja) * 1998-11-26 2001-06-18 住友重機械工業株式会社 レーザマーキング方法と装置及びマーキングされた部材
US6420678B1 (en) * 1998-12-01 2002-07-16 Brian L. Hoekstra Method for separating non-metallic substrates
US6211488B1 (en) * 1998-12-01 2001-04-03 Accudyne Display And Semiconductor Systems, Inc. Method and apparatus for separating non-metallic substrates utilizing a laser initiated scribe
US6252197B1 (en) * 1998-12-01 2001-06-26 Accudyne Display And Semiconductor Systems, Inc. Method and apparatus for separating non-metallic substrates utilizing a supplemental mechanical force applicator
US6259058B1 (en) * 1998-12-01 2001-07-10 Accudyne Display And Semiconductor Systems, Inc. Apparatus for separating non-metallic substrates
US6411838B1 (en) * 1998-12-23 2002-06-25 Medispectra, Inc. Systems and methods for optical examination of samples
JP2000219528A (ja) 1999-01-18 2000-08-08 Samsung Sdi Co Ltd ガラス基板の切断方法及びその装置
JP2000306865A (ja) * 1999-02-17 2000-11-02 Toshiba Electronic Engineering Corp ウェーハ切断方法およびその装置
JP2001093864A (ja) 1999-09-24 2001-04-06 Toshiba Corp 半導体ウェーハ固定治具及び半導体装置の製造方法
ES2304987T3 (es) * 1999-11-24 2008-11-01 Applied Photonics, Inc. Metodo y aparato para separar materiales no metalicos.
JP2001340979A (ja) 2000-03-30 2001-12-11 Toyota Auto Body Co Ltd レーザ加工装置
WO2001085387A1 (en) * 2000-05-11 2001-11-15 Ptg Precision Technology Center Limited Llc System for cutting brittle materials
JP5025876B2 (ja) * 2000-09-13 2012-09-12 浜松ホトニクス株式会社 レーザ加工装置
JP4659300B2 (ja) 2000-09-13 2011-03-30 浜松ホトニクス株式会社 レーザ加工方法及び半導体チップの製造方法
JP4964376B2 (ja) * 2000-09-13 2012-06-27 浜松ホトニクス株式会社 レーザ加工装置及びレーザ加工方法
JP2002107120A (ja) * 2000-10-02 2002-04-10 Sumitomo Heavy Ind Ltd 表面及び背面の位置検出装置、マーキング装置、及びマーキング方法
US6720522B2 (en) * 2000-10-26 2004-04-13 Kabushiki Kaisha Toshiba Apparatus and method for laser beam machining, and method for manufacturing semiconductor devices using laser beam machining
JP2002219591A (ja) 2001-01-22 2002-08-06 Toshiba Corp レーザ光照射装置
US6720567B2 (en) * 2001-01-30 2004-04-13 Gsi Lumonics Corporation Apparatus and method for focal point control for laser machining
US6639177B2 (en) * 2001-03-29 2003-10-28 Gsi Lumonics Corporation Method and system for processing one or more microstructures of a multi-material device
JP4803568B2 (ja) * 2001-03-30 2011-10-26 ルネサスエレクトロニクス株式会社 半導体集積回路の検査装置および検査方法
JP2002321080A (ja) * 2001-04-24 2002-11-05 Tokyo Instruments Inc レーザ微細加工用オートフォーカス装置
KR100701013B1 (ko) * 2001-05-21 2007-03-29 삼성전자주식회사 레이저 빔을 이용한 비금속 기판의 절단방법 및 장치
JP2003002677A (ja) * 2001-06-22 2003-01-08 Seiko Epson Corp レーザ割断用支持テーブル、レーザ割断装置、レーザ割断方法、及び、液晶パネルの製造方法
JP3918583B2 (ja) 2002-03-01 2007-05-23 株式会社デンソー 高密度エネルギー加工装置及び高密度エネルギー加工方法
ATE518242T1 (de) * 2002-03-12 2011-08-15 Hamamatsu Photonics Kk Methode zur trennung von substraten
TWI326626B (en) * 2002-03-12 2010-07-01 Hamamatsu Photonics Kk Laser processing method
JP4606741B2 (ja) * 2002-03-12 2011-01-05 浜松ホトニクス株式会社 加工対象物切断方法
US6580054B1 (en) * 2002-06-10 2003-06-17 New Wave Research Scribing sapphire substrates with a solid state UV laser
US7469160B2 (en) * 2003-04-18 2008-12-23 Banks Perry S Methods and apparatus for evaluating image focus
TWI520269B (zh) * 2002-12-03 2016-02-01 Hamamatsu Photonics Kk Cutting method of semiconductor substrate
ES2381254T3 (es) * 2002-12-05 2012-05-24 Hamamatsu Photonics K.K. Dispositivos de procesamiento con láser
JP2004188422A (ja) 2002-12-06 2004-07-08 Hamamatsu Photonics Kk レーザ加工装置及びレーザ加工方法
FR2852250B1 (fr) 2003-03-11 2009-07-24 Jean Luc Jouvin Fourreau de protection pour canule, un ensemble d'injection comportant un tel fourreau et aiguille equipee d'un tel fourreau
CN1758985A (zh) * 2003-03-12 2006-04-12 浜松光子学株式会社 激光加工方法
JP4180407B2 (ja) * 2003-03-13 2008-11-12 本田技研工業株式会社 灯火器制御装置
JP2004337902A (ja) 2003-05-14 2004-12-02 Hamamatsu Photonics Kk レーザ加工装置及びレーザ加工方法
JP2004337903A (ja) 2003-05-14 2004-12-02 Hamamatsu Photonics Kk レーザ加工装置及びレーザ加工方法
KR101119387B1 (ko) * 2003-07-18 2012-03-07 하마마츠 포토닉스 가부시키가이샤 절단방법
JP4563097B2 (ja) * 2003-09-10 2010-10-13 浜松ホトニクス株式会社 半導体基板の切断方法
JP2005086175A (ja) 2003-09-11 2005-03-31 Hamamatsu Photonics Kk 半導体薄膜の製造方法、半導体薄膜、半導体薄膜チップ、電子管、及び光検出素子
EP1705764B1 (de) * 2004-01-07 2012-11-14 Hamamatsu Photonics K. K. Lichtemittierendes halbleiterbauelement und herstellungsverfahren dafür
JP4601965B2 (ja) * 2004-01-09 2010-12-22 浜松ホトニクス株式会社 レーザ加工方法及びレーザ加工装置
JP4598407B2 (ja) 2004-01-09 2010-12-15 浜松ホトニクス株式会社 レーザ加工方法及びレーザ加工装置
JP4509578B2 (ja) 2004-01-09 2010-07-21 浜松ホトニクス株式会社 レーザ加工方法及びレーザ加工装置
JP3708104B2 (ja) * 2004-01-13 2005-10-19 浜松ホトニクス株式会社 レーザ加工方法及びレーザ加工装置
US7718510B2 (en) * 2004-03-30 2010-05-18 Hamamatsu Photonics K.K. Laser processing method and semiconductor chip
JP4536407B2 (ja) * 2004-03-30 2010-09-01 浜松ホトニクス株式会社 レーザ加工方法及び加工対象物
KR101336523B1 (ko) * 2004-03-30 2013-12-03 하마마츠 포토닉스 가부시키가이샤 레이저 가공 방법 및 반도체 칩
JP4634089B2 (ja) * 2004-07-30 2011-02-16 浜松ホトニクス株式会社 レーザ加工方法
WO2006013763A1 (ja) * 2004-08-06 2006-02-09 Hamamatsu Photonics K.K. レーザ加工方法及び半導体装置
JP4754801B2 (ja) * 2004-10-13 2011-08-24 浜松ホトニクス株式会社 レーザ加工方法
JP4917257B2 (ja) * 2004-11-12 2012-04-18 浜松ホトニクス株式会社 レーザ加工方法
JP4781661B2 (ja) * 2004-11-12 2011-09-28 浜松ホトニクス株式会社 レーザ加工方法
JP4198123B2 (ja) * 2005-03-22 2008-12-17 浜松ホトニクス株式会社 レーザ加工方法
JP4776994B2 (ja) * 2005-07-04 2011-09-21 浜松ホトニクス株式会社 加工対象物切断方法
JP4749799B2 (ja) * 2005-08-12 2011-08-17 浜松ホトニクス株式会社 レーザ加工方法
JP4762653B2 (ja) * 2005-09-16 2011-08-31 浜松ホトニクス株式会社 レーザ加工方法及びレーザ加工装置
JP4237745B2 (ja) * 2005-11-18 2009-03-11 浜松ホトニクス株式会社 レーザ加工方法
JP4907965B2 (ja) * 2005-11-25 2012-04-04 浜松ホトニクス株式会社 レーザ加工方法
JP4804911B2 (ja) * 2005-12-22 2011-11-02 浜松ホトニクス株式会社 レーザ加工装置
JP4907984B2 (ja) 2005-12-27 2012-04-04 浜松ホトニクス株式会社 レーザ加工方法及び半導体チップ
JP5183892B2 (ja) * 2006-07-03 2013-04-17 浜松ホトニクス株式会社 レーザ加工方法
ES2428826T3 (es) * 2006-07-03 2013-11-11 Hamamatsu Photonics K.K. Procedimiento de procesamiento por láser y chip
WO2008035679A1 (fr) * 2006-09-19 2008-03-27 Hamamatsu Photonics K. K. Procédé de traitement au laser et appareil de traitement au laser
JP4954653B2 (ja) * 2006-09-19 2012-06-20 浜松ホトニクス株式会社 レーザ加工方法
JP5101073B2 (ja) * 2006-10-02 2012-12-19 浜松ホトニクス株式会社 レーザ加工装置
JP5132911B2 (ja) * 2006-10-03 2013-01-30 浜松ホトニクス株式会社 レーザ加工方法
JP4964554B2 (ja) * 2006-10-03 2012-07-04 浜松ホトニクス株式会社 レーザ加工方法
KR101428824B1 (ko) * 2006-10-04 2014-08-11 하마마츠 포토닉스 가부시키가이샤 레이저 가공방법
JP5336054B2 (ja) * 2007-07-18 2013-11-06 浜松ホトニクス株式会社 加工情報供給装置を備える加工情報供給システム
JP4402708B2 (ja) * 2007-08-03 2010-01-20 浜松ホトニクス株式会社 レーザ加工方法、レーザ加工装置及びその製造方法
JP5225639B2 (ja) * 2007-09-06 2013-07-03 浜松ホトニクス株式会社 半導体レーザ素子の製造方法
JP5342772B2 (ja) * 2007-10-12 2013-11-13 浜松ホトニクス株式会社 加工対象物切断方法
JP5449665B2 (ja) * 2007-10-30 2014-03-19 浜松ホトニクス株式会社 レーザ加工方法
JP5054496B2 (ja) 2007-11-30 2012-10-24 浜松ホトニクス株式会社 加工対象物切断方法
JP5134928B2 (ja) 2007-11-30 2013-01-30 浜松ホトニクス株式会社 加工対象物研削方法
JP5241525B2 (ja) 2009-01-09 2013-07-17 浜松ホトニクス株式会社 レーザ加工装置

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