WO2018146816A1 - 電子機器 - Google Patents

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WO2018146816A1
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electronic
electronic element
heat dissipation
insulating substrate
dissipation layer
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純弥 湧口
康亮 池田
鈴木 健一
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新電元工業株式会社
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    • H01L2924/1306Field-effect transistor [FET]
    • H01L2924/13091Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor [MOSFET]

Definitions

  • the present invention relates to an electronic device having an electronic module and a cooling body.
  • an electronic module such as a transfer power module is provided with a heat radiating plate (heat radiating layer) made of copper or the like on the back surface of the electronic module in order to cool a built-in electronic element or the like (for example, Japanese Patent Laid-Open No. 2015-212524). reference).
  • a heat radiating plate heat radiating layer
  • the conductor layer, the insulating substrate, and the heat dissipation layer may serve as a capacitor (capacitor function may be formed).
  • capacitor function When the capacitor function is formed in this way, noise due to electronic elements in the electronic module may be emitted to the outside of the electronic module through the heat dissipation layer.
  • the present invention provides an electronic device that can reduce noise.
  • An electronic device includes: An electronic module having an insulating substrate, a conductor layer provided on the insulating substrate, an electronic element provided on the conductor layer, and a heat dissipation layer provided on the opposite side of the insulating substrate from the electronic element.
  • a cooling body in contact with the heat dissipation layer; With The cooling body may be provided in a portion that comes into contact with the heat dissipation layer, and may include a divided portion that is divided into a plurality of regions.
  • the dividing portion may include a contact portion that contacts the heat dissipation layer and a groove portion provided between the contact portions.
  • the division unit may include a plurality of division units.
  • the electronic element may include a switching element.
  • the division part may cover the entirety of the electronic element when viewed from the cooling body side.
  • the division part may have a lattice shape.
  • a cooling fluid may be allowed to flow through the dividing portion.
  • a lubricant may be provided in the divided portion.
  • the insulating substrate has a first insulating substrate and a second insulating substrate
  • the electronic element has a first electronic element and a second electronic element
  • the heat dissipation layer has a first heat dissipation layer and a second heat dissipation layer
  • a first electronic element is provided on one side of the first insulating substrate;
  • a first heat dissipation layer provided on the other side of the first insulating substrate;
  • a second electronic element is provided on one side of the first electronic element;
  • a second insulating substrate is provided on one side of the second electronic element;
  • a second heat dissipation layer is provided on one side of the second insulating substrate;
  • At least one of the first electronic element and the second electronic element is a switching element, and when the first electronic element is a switching element, the divided portion contacts the first heat dissipation layer.
  • the second electronic element is a switching element provided in the portion
  • the dividing portion may be provided in a portion in contact with the second heat
  • the cooling body has a divided portion that is provided in a portion in contact with the heat dissipation layer and divided into a plurality of regions. For this reason, the contact area between a cooling body and a thermal radiation layer can be made small, and the resistance formed between a thermal radiation layer and a cooling body can be enlarged. As a result, noise emitted from the electronic device can be suppressed.
  • FIG. 1 is a longitudinal sectional view showing an electronic apparatus according to a first embodiment of the present invention.
  • FIG. 2 is a longitudinal cross-sectional view showing a mode in which the cooling body has a division unit in the first embodiment of the present invention.
  • FIG. 3 is a plan view showing a divided portion of the cooling body in the first embodiment of the present invention.
  • FIG. 4 is a plan view showing an aspect in which the cooling body according to the first embodiment of the present invention has a division unit.
  • FIG. 5 is a plan view showing the positional relationship between the electronic element and the conductor layer and the division unit in the first embodiment of the present invention, and is a plan view showing the electronic element and the conductor layer with broken lines.
  • FIG. 6 is a plan view corresponding to FIG.
  • FIG. 5 is a plan view showing an aspect different from FIG. 5.
  • FIG. 7 is a plan view corresponding to FIG. 5, and is a plan view showing a mode different from FIGS. 5 and 6.
  • FIG. 8 is an enlarged plan view showing a modification of the contact portion and the groove portion in the first embodiment of the present invention.
  • FIG. 9 is a plan view showing a plurality of examples of division unit modes that can be used in the first embodiment of the present invention.
  • FIG. 10 is a longitudinal sectional view corresponding to FIG. 2, and is a longitudinal sectional view showing a mode different from FIG. 2.
  • FIG. 11 is a plan view showing a cooling body in the second embodiment of the present invention.
  • FIG. 12 is a plan view showing a cooling body in another aspect of the second embodiment of the present invention.
  • FIG. 11 is a plan view showing a cooling body in the second embodiment of the present invention.
  • FIG. 13 is a longitudinal sectional view showing an electronic apparatus according to the third embodiment of the present invention.
  • FIG. 14 is a longitudinal sectional view showing an electronic apparatus according to Modification 1 of the third embodiment of the present invention.
  • FIG. 15 is the longitudinal cross-sectional view which showed the electronic device by the modification 2 of the 3rd Embodiment of this invention.
  • FIG. 16 is the longitudinal cross-sectional view which showed the electronic device by the modification 3 of the 3rd Embodiment of this invention.
  • the electronic device may include an electronic module and a cooling body 100 that includes a heat radiating fin and the like, and comes into contact with a heat radiating layer 10 of the electronic module described later.
  • the electronic module includes an insulating substrate 60, a conductor layer 20 provided on the front surface side (upper side in FIG. 1) of the insulating substrate 60, and an electron provided on the conductor layer 20.
  • the heat dissipation layer 10 a heat dissipation plate made of a metal such as copper can also be used.
  • the cooling body 100 may be provided in a portion in contact with the heat dissipation layer 10 and may have a divided portion 110 divided into a plurality of regions. As shown in FIG. 3, the divided portion 110 divided into a plurality of regions as described above has a contact portion 115 that contacts the heat dissipation layer 10 and a groove portion 116 provided between the contact portions 115. May be.
  • a semiconductor module can be cited as an example of the electronic module, and a semiconductor element can be cited as an example of the electronic element 40.
  • the present invention is not limited to this, and a “semiconductor” is not necessarily used.
  • the insulating substrate 60, the conductor layer 20, and the electronic element 40 may be covered with a sealing portion 90 made of a sealing resin or the like.
  • the back surface of the sealing portion 90 may be at the same height as the back surface of the insulating substrate 60.
  • the heat dissipation layer 10 is provided on the back surface of the insulating substrate 60, and the heat dissipation layer 10 protrudes from the back surface of the sealing portion 90.
  • 60 may be embedded in the sealing portion 90, and the back surface of the heat dissipation layer 10 may be at the same height as the back surface of the sealing portion 90.
  • the electronic element 40 may include a switching element.
  • the switching element include an FET such as a MOSFET, a bipolar transistor, and an IGBT.
  • FET such as a MOSFET
  • bipolar transistor such as a MOSFET
  • IGBT an IGBT
  • a typical example is a MOSFET.
  • the conductor layer 20 may be patterned on the insulating substrate 60 to form a circuit.
  • the heat dissipation layer 10 may be a metal plate.
  • the conductor layer 20 and the heat dissipation layer 10 may be made of copper, for example.
  • the division part 110 may cover the whole of one or a plurality of electronic elements 40 when viewed from the cooling body 100 side (when viewed from the lower side in FIG. 1).
  • the dividing unit 110 may include a plurality of dividing units 120. As shown in FIGS. 5 and 6, at least a part of the plurality of division units 120 covers one or a plurality of electronic elements 40 when viewed from the cooling body 100 side. Also good.
  • the area where the dividing part 110 is not provided may be a flat surface 150.
  • a flat surface 150 may be provided between the division units 120, and the flat surface 150 may come into contact with the heat dissipation layer 10.
  • FIG. shows that when it becomes the recessed part 130, between the division
  • the dividing unit 110 may have a lattice shape.
  • the groove portions 116 between the contact portions 115 are provided in the orthogonal direction.
  • the division unit 120 may be provided so as to include the entire portion where the conductor layer 20 is disposed.
  • the upper left and lower left divided units 120 in FIG. 5 cover the entire portion where the conductor layer 20 and the electronic element 40 are arranged when viewed from the divided unit 120 side.
  • the division unit 120 may be provided so as to include the entire portion where the electronic element 40 is disposed.
  • the upper left, lower left, and upper right divided units 120 in FIG. 5 cover the entire portion where the electronic elements 40 are disposed when viewed from the divided unit 120 side.
  • the contact portion 115 may be provided regardless of the positions of the electronic element 40 and the conductor layer 20. That is, the contact part 115 may be provided in a predetermined pattern, and the division part 110 may be arranged regardless of whether it is positioned at a position that covers the electronic element 40 or the conductor layer 20. In the case of adopting such an aspect, it is advantageous in that the dividing unit 110 can be easily provided.
  • the shape of the division unit 120 may be different from each other, or may be the same shape. As shown in FIGS. 4 and 5, the dividing unit 120 may be rectangular, or as shown in FIG. 6, at least one of the plurality of dividing units 120 may be L-shaped. Good. 5 and 6 do not show the configuration of the dividing unit 120, the dividing unit 120 in FIGS. 5 and 6 may have a lattice shape as shown in FIG.
  • the dividing portion 110 or the dividing unit 120 does not have to be in a lattice shape.
  • a rectangular contact portion 115 and an L-shaped contact portion 115 may be mixed, and other shapes may be used. It may be.
  • the groove 116 may be provided in a straight line so that the groove 116 does not have a tolerance, or in the lower left divided unit 120 in FIG. 9.
  • the grooves 116 may be arranged at different intervals, or the grooves 116 may be provided so as to be inclined as shown by the division unit 120 at the lower right in FIG.
  • the cooling body 100 in the case of adopting an aspect in which the cooling body 100 is provided in a portion in contact with the heat dissipation layer 10 and has a divided portion 110 divided into a plurality of regions, the cooling body 100 and the heat dissipation The contact area with the layer 10 can be reduced, and the resistance formed between the heat dissipation layer 10 and the cooling body 100 can be increased. As a result, noise emitted from the electronic device can be suppressed.
  • the term “electronic element 40” (including “first electronic element 41” and “second electronic element 42” described later) is a general term for one or more electronic elements 40. It is. For this reason, “the electronic element 40 has a switching element” means that at least one of the electronic elements 40 is a switching element. The switching element not only causes noise but also generates high heat. For this reason, it is an important subject to efficiently release the heat generated from the switching element.
  • the dividing unit 110 or the dividing unit 120 is provided so as to include the entire portion where the electronic elements 40 are arranged when viewed from the cooling body 100 side (on the upper left, lower left and upper right in FIG. 5).
  • the resistance between the heat radiation layer 10 and the cooling body 100 can be increased at a position corresponding to the electronic element 40 where noise is generated (between the electronic element 40 and the cooling body 100), It is possible to make it difficult for noise to be emitted from the electronic device.
  • the division unit 110 or the division unit 120 is provided so as to include at least the entire portion where the switching element is arranged. Also good. When such an aspect is adopted, it is possible to increase the resistance at a position corresponding to a switching element that is likely to cause noise problems, and more reliably to prevent noise from being emitted from the electronic device. .
  • the resistance between the heat radiation layer 10 and the cooling body 100 is directly set at a position corresponding to the conductor layer 20 that transmits noise from the electronic element 40 (between the conductor layer 20 and the cooling body 100).
  • the size can be increased, and noise can be hardly emitted from the electronic device.
  • the electronic element 40 includes a switching element
  • the entire portion where the conductor layer 20 provided with at least the switching element is disposed in the divided portion 110 or the divided unit 120 when viewed from the cooling body 100 side. You may make it provide so that it may contain. When such an aspect is adopted, it is possible to increase the resistance at a position corresponding to a switching element that is likely to cause noise problems, and more reliably to prevent noise from being emitted from the electronic device. .
  • the dividing unit 110 or the dividing unit 120 when viewed from the cooling body 100 side, is not provided at the place where the electronic element 40 is arranged, and the electronic The portion where the element 40 is disposed may be a flat surface 150 so that the heat dissipation layer 10 and the cooling body 100 may contact each other.
  • noise due to the electronic element 40 can be suppressed only indirectly, but it is beneficial in that heat generated by the electronic element 40 can be efficiently released.
  • the divided portion 110 or the divided unit 120 is provided at a place where the conductor layer 20 provided with the electronic element 40 is disposed.
  • the heat dissipation layer 10 and the cooling body 100 may be in contact with each other at the place where the conductor layer 20 is disposed, so that the flat surface 150 is formed.
  • the dividing unit 110 or the dividing unit 120 is provided at a place where a specific electronic element 40 (for example, a switching element) is arranged. Also good.
  • a specific electronic element 40 for example, a switching element
  • the resistance between the heat dissipation layer 10 and the cooling body 100 is increased in correspondence with a specific electronic element 40 (for example, a switching element) that is likely to generate noise, and noise is generated from the electronic device. It can be made difficult to release.
  • the division unit 120 When viewed from the cooling body 100 side, the division unit 120 has the same shape as the conductor layer 20 provided with the electronic element 40 or the conductor layer 20 provided with the switching element, and each of the division units 120 corresponds to the corresponding conductor layer 20. May be provided so as to face each other. When such an aspect is adopted, the resistance between the electronic element 40 and the cooling body 100 can be directly reduced in the region where the conductor layer 20 is provided.
  • a cooling fluid such as cooling water may be allowed to flow through the dividing section 110. More specifically, as shown in FIGS. 11 and 12, the cooling fluid may flow in the groove portion 116 of the dividing portion 110 or the dividing unit 120.
  • the heat resistance is maintained to some extent by the cooling fluid while suppressing the generation of noise by the electronic device by increasing the resistance value as compared with the region including the contact portion 115. It is beneficial in that it can be done.
  • the dividing portion 110 may be provided with a lubricant such as heat dissipating grease. More specifically, a lubricant such as heat dissipating grease may be provided in the groove part 116 of the dividing part 110.
  • a cooling fluid and a lubricant may be used in combination. More specifically, as shown in FIG. 12, a mode in which a cooling fluid is allowed to flow in a part of the groove 116 and a lubricant is provided in another part may be employed. In this case, it is advantageous in that the heat dissipation can be maintained to some extent by the cooling fluid or the lubricant while suppressing the generation of noise by the electronic device by increasing the resistance value as compared with the region including the contact portion 115. . Further, the groove 116 through which the cooling fluid flows and the groove 116 provided with the lubricant are not communicated with each other, and the cooling fluid may be prevented from flowing into the groove 116 provided with the lubricant. As an example, the groove 116 of the upper left and lower right split units 120 in FIG. 12 and the groove 116 of the upper right and lower left split units 120 in FIG.
  • the resistance value and the cooling effect are different between the cooling fluid and the lubricant, they may be appropriately selected and used. For example, in a place including a region where the electronic element 40 is provided when viewed from the cooling body 100 side, the one having the larger resistance value is selected from the cooling fluid and the lubricant, and the electronic element 40 is provided when viewed from the cooling body 100 side. In a place that does not include the region, the generation of noise may be efficiently suppressed by selecting the cooling fluid and the lubricant having the smaller resistance value.
  • the one having the larger resistance value is selected from the cooling fluid and the lubricant, and the switching element is provided when viewed from the cooling body 100 side.
  • the generation of noise may be efficiently suppressed by selecting the one having the smaller resistance value among the cooling fluid and the lubricant at a location that does not include the region.
  • the cooling fluid and the lubricant having the larger heat dissipation are selected, and the electronic element 40 is provided when viewed from the cooling body 100 side.
  • the heat dissipation efficiency may be improved by selecting the cooling fluid and the lubricant having the smaller heat dissipation properties.
  • the cooling fluid and the lubricant having the larger heat dissipation are selected and the switching element is provided when viewed from the cooling body 100 side.
  • the heat dissipation efficiency may be improved by selecting the cooling fluid and the lubricant having the smaller heat dissipation.
  • any configuration (including modifications) described in the first embodiment can be adopted.
  • the electronic elements 40 are stacked and arranged to form a stack structure. More specifically, as shown in FIG. 13, the insulating substrate 60 includes a first insulating substrate 61 and a second insulating substrate 62, and the electronic element 40 includes a first electronic element 41 and a second electronic element 42.
  • the heat dissipation layer 10 may have a first heat dissipation layer 11 and a second heat dissipation layer 12.
  • the first electronic element 41 is provided on one side of the first insulating substrate 61 (upper side in FIG. 13), and the first heat radiation layer 11 is provided on the other side of the first insulating substrate 61 (lower side in FIG. 13). May be.
  • a second electronic element 42 is provided on one side of the first electronic element 41, a second insulating substrate 62 is provided on one side of the second electronic element 42, and a second heat dissipation is provided on one side of the second insulating substrate 62.
  • a layer 12 may be provided.
  • the conductor layer 20 includes a first conductor layer 21 and a second conductor layer 22, the first electronic element 41 is provided on one side of the first conductor layer 21, and the first conductor layer 21 is provided on one side of the second conductor layer 22.
  • a two-electron element 42 may be provided.
  • At least one of the first electronic element 41 and the second electronic element 42 may have a switching element.
  • the division part 110 may be provided in the 1st cooling body 101 provided in the 1st thermal radiation layer 11 side (refer FIG. 13). In this case, the division part 110 is provided in the part which contact
  • the division part 110 may be provided in the 2nd cooling body 102 provided in the 2nd thermal radiation layer 12 side (refer FIG. 14). In this case, the division part 110 is provided in the part which contact
  • the division unit 110 provided in the first cooling body 101 is referred to as a first division unit 111
  • the division unit 110 provided in the second cooling body 102 is referred to as a second division unit 112.
  • the conductor column 29 is provided on one side of the first electronic element 41 (upper side of FIGS. 13 and 14), and one side of the conductor column 29 (upper side of FIGS. 13 and 14).
  • the second conductor layer 22 is provided.
  • the electronic element 40 has a switching element, noise tends to increase. For this reason, the generation
  • the division part 110 is provided irrespective of whether the 1st electronic element 41 and the 2nd electronic element 42 have a switching element. That is, regardless of whether or not the first electronic element 41 has a switching element, and regardless of whether or not the second electronic element 42 has a switching element, only the first dividing section 111 is provided and the second dividing section 112 is provided. May not be provided (see FIG. 13), only the second dividing unit 112 may be provided and the first dividing unit 111 may not be provided (see FIG. 14), or the first dividing unit 111 and the second dividing unit 111 may be provided. Both of the dividing units 112 may be provided (see FIG. 15).
  • the 13 to 15 may include a plurality of dividing units 120 as shown in the first embodiment. That is, the first division unit 111 may include a plurality of first division units, the second division unit 112 may include a plurality of second division units, or the first division unit 111 may include a plurality of The first division unit may be included, and the second division unit 112 may include a plurality of second division units.
  • the switching elements may be collected on one side or the other side, and the dividing unit 110 may be provided on the side where the switching elements are collected. More specifically, when the first electronic element 41 has a switching element and the second electronic element 42 does not have a switching element, only the first dividing portion 111 is provided as shown in FIG. The second division unit 112 may not be provided. In this case, the flat surface 150 comes into contact with the second heat dissipation layer 12. When the second electronic element 42 has a switching element and the first electronic element 41 does not have a switching element, as shown in FIG. 14, only the second division unit 112 is provided, and the first division unit 111 is It may not be provided. In this case, the flat surface 150 comes into contact with the first heat dissipation layer 11.
  • the switching elements may be collected on one side or the other side, and the dividing unit 110 may not be provided on the side where the switching elements are collected. More specifically, when the first electronic element 41 has a switching element and the second electronic element 42 does not have a switching element, only the second dividing portion 112 is provided as shown in FIG. The first division unit 111 may not be provided. In this case, the flat surface 150 comes into contact with the first heat dissipation layer 11. When the second electronic element 42 has a switching element and the first electronic element 41 does not have a switching element, as shown in FIG. 13, only the first dividing unit 111 is provided, and the second dividing unit 112 is It may not be provided. In this case, the flat surface 150 comes into contact with the second heat dissipation layer 12.
  • a first electronic element 41 is provided on one side of the first conductor layer 21, and on the one side of the first electronic element 41.
  • the conductor pillar 29 may be provided, the second electronic element 42 may be provided on one side of the conductor pillar 29, and the second conductor layer 22 may be provided on one side of the second electronic element 42.
  • any configuration (including modifications) described in the first embodiment and the second embodiment can be employed.
  • heat dissipation layer 11 first heat dissipation layer 12 second heat dissipation layer 20 conductor layer 40 electronic element 41 first electronic element 42 second electronic element 60 insulating substrate 61 first insulating substrate 62 second insulating substrate 100 cooling body 110 division Part 115 abutting part 116 groove part 120 dividing unit

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Abstract

電子機器は、絶縁性基板60と、前記絶縁性基板60に設けられた導体層20と、前記導体層20に設けられた電子素子40と、前記絶縁性基板の60前記電子素子40と反対側に設けられた放熱層10と、有する電子モジュールと、前記放熱層10と当接する冷却体100と、を有している。前記冷却体100は、前記放熱層10と当接する部分に設けられ、複数の領域に分割された分割部110を有している。

Description

電子機器
 本発明は、電子モジュール及び冷却体を有する電子機器に関する。
 従来から、トランスファーパワーモジュールといった電子モジュールは内蔵された電子素子等を冷却するために、電子モジュールの裏面に銅等からなる放熱板(放熱層)が設けられている(例えば特開2015-211524号参照)。このように放熱層が設けられると、導体層、絶縁性基板及び放熱層によってコンデンサとしての役割を果たすことがある(コンデンサ機能が形成されることがある)。このようにコンデンサ機能が形成されると、電子モジュール内の電子素子によるノイズが放熱層を介して電子モジュールの外部に放出されることがある。
 このような点に鑑み、本発明は、ノイズを低減できる電子機器を提供する。
 本発明の一態様による電子機器は、
 絶縁性基板と、前記絶縁性基板に設けられた導体層と、前記導体層に設けられた電子素子と、前記絶縁性基板の前記電子素子と反対側に設けられた放熱層と、有する電子モジュールと、
 前記放熱層と当接する冷却体と、
 を備え、
 前記冷却体は、前記放熱層と当接する部分に設けられ、複数の領域に分割された分割部を有してもよい。
 本発明の一態様による電子機器において、
 前記分割部は、前記放熱層と当接する当接部と、前記当接部の間に設けられた溝部とを有してもよい。
 本発明の一態様による電子機器において、
 前記分割部は複数の分割ユニットを有してもよい。
 本発明の一態様による電子機器において、
 前記電子素子はスイッチング素子を含んでもよい。
 本発明の一態様による電子機器において、
 前記分割部は、前記冷却体側から見たときに、前記電子素子の全体を覆うようになっていてもよい。
 本発明の一態様による電子機器において、
 前記分割部は、格子形状となっていてもよい。
 本発明の一態様による電子機器において、
 前記分割部に冷却流体が流されてもよい。
 本発明の一態様による電子機器において、
 前記分割部に潤滑剤が設けられていてもよい。
 本発明の一態様による電子機器において、
 前記絶縁性基板は第一絶縁性基板及び第二絶縁性基板を有し、
 前記電子素子は第一電子素子及び第二電子素子を有し、
 前記放熱層は第一放熱層及び第二放熱層を有し、
 前記第一絶縁性基板の一方側に第一電子素子が設けられ、
 前記第一絶縁性基板の他方側に設けられた第一放熱層が設けられ、
 前記第一電子素子の一方側に第二電子素子が設けられ、
 前記第二電子素子の一方側に第二絶縁性基板が設けられ、
 前記第二絶縁性基板の一方側に第二放熱層が設けられ、
 前記第一電子素子及び前記第二電子素子のうちの少なくともいずれか一方はスイッチング素子であり、前記第一電子素子がスイッチング素子である場合には、前記分割部は前記第一放熱層と当接する部分に設けられ、前記第二電子素子がスイッチング素子である場合には、前記分割部は前記第二放熱層と当接する部分に設けられてもよい。
 本発明では、冷却体が放熱層と当接する部分に設けられて複数の領域に分割された分割部を有している。このため、冷却体と放熱層との間の接触面積を小さくすることができ、放熱層と冷却体との間に形成される抵抗を大きくすることができる。この結果、電子機器から放出されるノイズを抑制できる。
図1は、本発明の第1の実施の形態による電子機器を示した縦断面図である。 図2は、本発明の第1の実施の形態において冷却体が分割ユニットを有する態様を示した縦断面図である。 図3は、本発明の第1の実施の形態における冷却体の分割部を示した平面図である。 図4は、本発明の第1の実施の形態における冷却体が分割ユニットを有する態様を示した平面図である。 図5は、本発明の第1の実施の形態における電子素子及び導体層と分割ユニットとの位置関係を示した平面図であり、電子素子及び導体層を破線で示した平面図である。 図6は、図5に対応する平面図であって、図5とは異なる態様を示した平面図である。 図7は、図5に対応する平面図であって、図5及び図6とは異なる態様を示した平面図である。 図8は、本発明の第1の実施の形態における当接部と溝部の変形例を示した拡大平面図である。 図9は、本発明の第1の実施の形態で用いられうる分割ユニットの態様の複数の例を示した平面図である。 図10は、図2に対応する縦断面図であって、図2とは異なる態様を示した縦断面図である。 図11は、本発明の第2の実施の形態における冷却体を示した平面図である。 図12は、本発明の第2の実施の形態の別の態様における冷却体を示した平面図である。 図13は、本発明の第3の実施の形態による電子機器を示した縦断面図である。 図14は、本発明の第3の実施の形態の変形例1による電子機器を示した縦断面図である。 図15は、本発明の第3の実施の形態の変形例2による電子機器を示した縦断面図である。 図16は、本発明の第3の実施の形態の変形例3による電子機器を示した縦断面図である。
第1の実施の形態
《構成》
 本実施の形態の電子機器は、電子モジュールと、放熱フィン等からなり、後述する電子モジュールの放熱層10と当接する冷却体100とを有してもよい。
 図1に示すように、電子モジュールは、絶縁性基板60と、絶縁性基板60のおもて面側(図1の上側)に設けられた導体層20と、導体層20に設けられた電子素子40と、絶縁性基板60の裏面側(電子素子40と反対側)に設けられた放熱層10と、を有してもよい。放熱層10としては、銅等の金属からなる放熱板を用いることもできる。
 冷却体100は、放熱層10と当接する部分に設けられ、複数の領域に分割された分割部110を有してもよい。このように複数の領域に分割された分割部110は、図3に示すように、放熱層10と当接する当接部115と、当接部115の間に設けられた溝部116とを有してもよい。
 本実施の形態では、電子モジュールの一例としては半導体モジュールを挙げることができ、電子素子40の一例として半導体素子を挙げることができる。しかしながら、これに限られるものではなく、必ずしも「半導体」を用いる必要はない。
 図1に示すように、絶縁性基板60、導体層20及び電子素子40は封止樹脂等からなる封止部90で覆われてもよい。図1に示すように、封止部90の裏面は絶縁性基板60の裏面と同じ高さ位置となっていてもよい。図1では、放熱層10が絶縁性基板60の裏面に設けられ、放熱層10が封止部90の裏面から突出している態様となっているが、これに限られることはなく、絶縁性基板60が封止部90内に埋設され、放熱層10の裏面が封止部90の裏面と同じ高さ位置となっていてもよい。
 電子素子40はスイッチング素子を含んでもよい。スイッチング素子としては、例えば、MOSFET等のFET、バイポーラトランジスタ、IGBT等を挙げることができ、典型例を挙げるとするとMOSFETを挙げることができる。
 導体層20は絶縁性基板60上でパターニングされることで回路が形成されてもよい。放熱層10は金属板であってもよい。導体層20及び放熱層10は例えば銅からなっていてもよい。
 分割部110は、冷却体100側から見たときに(図1の下側から見たときに)、一つ又は複数の電子素子40の全体を覆うようになっていてもよい。
 図2及び図4に示すように、分割部110は、複数の分割ユニット120を有してもよい。図5及び図6に示すように、複数の分割ユニット120のうちの少なくとも一部は、冷却体100側から見たときに、一つ又は複数の電子素子40の全体を覆うようになっていてもよい。
 分割部110が設けられていない領域は平坦面150となっていてもよい。このように平坦面150となっている場合で、当該平坦面150に放熱層10が位置するときには、平坦面150と放熱層10とが当接することになる。分割ユニット120が設けられている場合には、分割ユニット120の間に平坦面150が設けられ、この平坦面150が放熱層10と当接してもよい。他方、図10に示すように、分割ユニット120の間は凹部130となっていてもよい。このように凹部130となっている場合には、分割ユニット120の間において、放熱層10と冷却体100とは接触しないようになっている。
 図3及び図4に示すように、分割部110は格子形状となっていてもよい。分割部110が格子形状となっているときには、当接部115の間の溝部116が直交する方向で設けられることになる。
 分割ユニット120は、導体層20が配置されている箇所の全体を含むようにして設けられてもよい。一例としては、図5の左上及び左下の分割ユニット120は、分割ユニット120側から見たときに、導体層20及び電子素子40が配置されている箇所の全体を覆うようになっている。
 分割ユニット120は、電子素子40が配置されている箇所の全体を含むようにして設けられてもよい。一例としては、図5の左上、左下及び右上の分割ユニット120は、分割ユニット120側から見たときに、電子素子40が配置されている箇所の全体を覆うようになっている。
 当接部115は電子素子40及び導体層20の位置とは全く無関係に設けられてもよい。つまり、予め定まったパターンで当接部115が設けられ、分割部110が電子素子40又は導体層20を覆うような位置に位置づけられているか関係なく配置されてもよい。このような態様を採用する場合には、分割部110を簡易に設けることができる点で有益である。
 また、分割ユニット120の形状は各々異なっていてもよいし、同じ形状となっていてもよい。図4及び図5に示すように、分割ユニット120は矩形状であってもよいし、図6に示すように、複数の分割ユニット120のうちの少なくとも一つはL字形状となっていてもよい。なお、図5及び図6では分割ユニット120の構成を示していないが、図5及び図6における分割ユニット120は図4で示すような格子形状であってもよい。
 分割部110又は分割ユニット120は格子形状である必要はなく、例えば図8に示すように矩形の当接部115とL字形状の当接部115とが混在していてもよく、その他の形状であってもよい。例えば、図9の左上及び右上の分割ユニット120で示すように、溝部116が直線状に設けられており溝部116が公差しないようになっていてもよいし、図9の左下の分割ユニット120で示すように溝部116が異なる間隔で配置されていてもよいし、図9の右下の分割ユニット120で示すように溝部116が傾斜するようにして設けられてもよい。
《作用・効果》
 次に、上述した構成からなる本実施の形態による作用・効果であって、未だ説明していないものについて説明する。「作用・効果」で記載するあらゆる構成も採用することができる。
 図1に示すように、冷却体100が放熱層10と当接する部分に設けられて複数の領域に分割された分割部110を有している態様を採用した場合には、冷却体100と放熱層10との接触面積を小さくすることができ、放熱層10と冷却体100との間に形成される抵抗を大きくすることができる。この結果、電子機器から放出されるノイズを抑制できる。
 特に電子素子40がスイッチング素子を有する場合には、スイッチング素子から発生したノイズは、放熱層10と冷却体100との間に形成される抵抗を大きくすることで、電子機器から放出され難くすることができる。なお、本明細書において、「電子素子40」(後述する「第一電子素子41」及び「第二電子素子42」を含む。)という文言は、一つ又は複数の電子素子40を総称したものである。このため、「電子素子40がスイッチング素子を有する」というのは、電子素子40のうちの少なくとも一つがスイッチング素子であることを意味している。なお、スイッチング素子はノイズの原因になるだけではなく、高い熱を発する。このため、スイッチング素子から発生する熱を効率よく逃がすことも重要な課題となる。
 冷却体100側から見たときに、分割部110又は分割ユニット120が電子素子40の配置されている箇所の全体を含むようにして設ける態様を採用した場合には(図5の左上、左下及び右上の分割ユニット120参照)、ノイズの発生する電子素子40に対応した位置(当該電子素子40と冷却体100との間)で放熱層10と冷却体100との間の抵抗を大きくすることができ、電子機器からノイズが放出され難くすることができる。また、電子素子40がスイッチング素子を有する場合には、冷却体100側から見たときに、分割部110又は分割ユニット120が少なくともスイッチング素子の配置されている箇所の全体を含むようにして設けるようにしてもよい。このような態様を採用する場合には、ノイズの問題が発生しやすいスイッチング素子に対応した位置での抵抗を大きくすることができ、ひいてはより確実に電子機器からノイズが放出され難くすることができる。
 冷却体100側から見たときに、分割部110又は分割ユニット120が導体層20の配置されている箇所の全体を含むようにして設ける態様を採用した場合には(図5の左上及び左下の分割ユニット120参照)、電子素子40からのノイズを伝達する導体層20に対応した位置(当該導体層20と冷却体100との間)で放熱層10と冷却体100との間の抵抗を直接的に大きくすることができ、電子機器からノイズが放出され難くすることができる。また、電子素子40がスイッチング素子を有する場合には、冷却体100側から見たときに、分割部110又は分割ユニット120が少なくともスイッチング素子の設けられた導体層20が配置されている箇所の全体を含むようにして設けるようにしてもよい。このような態様を採用する場合には、ノイズの問題が発生しやすいスイッチング素子に対応した位置での抵抗を大きくすることができ、ひいてはより確実に電子機器からノイズが放出され難くすることができる。
 また、図7の左上、左下及び右上に示すように、冷却体100側から見たときに、分割部110又は分割ユニット120が電子素子40の配置されている箇所に設けられておらず、電子素子40の配置されている箇所では平坦面150となって、放熱層10と冷却体100とが当接するようにしてもよい。このような態様を採用した場合には、電子素子40によるノイズは間接的にしか抑制できないが、電子素子40による発熱を効率よく逃がすことができる点で有益である。
 また、図7の左上及び左下に示すように、冷却体100側から見たときに、分割部110又は分割ユニット120が電子素子40の設けられた導体層20の配置されている箇所に設けられておらず、当該導体層20の配置されている箇所では平坦面150となって、放熱層10と冷却体100とが当接するようにしてもよい。このような態様を採用した場合には、電子素子40によるノイズは間接的にしか抑制できないが、電子素子40による発熱を効率よく逃がすことができる点で有益である。
 図7の右下に示すように、冷却体100側から見たときに、分割部110又は分割ユニット120が特定の電子素子40(例えばスイッチング素子)の配置されている箇所に設けられるようにしてもよい。このような態様を採用することで、ノイズを発生しやすい特定の電子素子40(例えばスイッチング素子)に対応させて放熱層10と冷却体100との間の抵抗を大きくし、電子機器からノイズが放出され難くすることができる。
 冷却体100側から見たときに、分割ユニット120は電子素子40の設けられた導体層20又はスイッチング素子の設けられた導体層20と同じ形状となり、分割ユニット120の各々が対応する導体層20と対向するようにして設けられてもよい。このような態様を採用した場合には、導体層20が設けられた領域において電子素子40と冷却体100との間の抵抗を直接的に小さくすることができる。
第2の実施の形態
 次に、本発明の第2の実施の形態について説明する。第2の実施の形態において、第1の実施の形態と同じ又は同様の部材等については同じ符号を付し、その説明を省略する。
 本実施の形態では、分割部110に冷却水等の冷却流体が流されるようになってもよい。より具体的には、図11及び図12に示すように、分割部110又は分割ユニット120の溝部116内を冷却流体が流れるようになってもよい。このように冷却流体が流れる態様を採用することで、当接部115からなる領域と比較して抵抗値を大きくして電子装置によるノイズの発生を抑制しつつ、冷却流体によって放熱性をある程度維持できる点で有益である。
 また、図12に示すように、分割部110に放熱グリス等の潤滑剤が設けられてもよい。より具体的には、分割部110の溝部116内に放熱グリス等の潤滑剤が設けられてもよい。このように潤滑剤を設ける態様を採用することで、当接部115からなる領域と比較して抵抗値を大きくして電子装置によるノイズの発生を抑制しつつ、潤滑剤によって放熱性をある程度維持できる点で有益である。
 また、冷却流体と潤滑剤とを併用してもよい。より具体的には、図12に示すように、溝部116のうちの一部に冷却流体を流し、別の一部に潤滑剤を設ける態様を採用してもよい。この場合には、当接部115からなる領域と比較して抵抗値を大きくして電子装置によるノイズの発生を抑制しつつ、冷却流体又は潤滑剤によって放熱性をある程度維持できる点で有益である。また、冷却流体が流れる溝部116と潤滑剤が設けられた溝部116とが連通されておらず、冷却流体が潤滑剤の設けられた溝部116内に流れ込まないようにすればよい。一例としては、図12の左上及び右下の分割ユニット120の溝部116と、図12の右上及び左下の分割ユニット120の溝部116とは連通していない。
 なお、冷却流体と潤滑剤とでは、抵抗値及び冷却効果が異なることから、これらを適宜選択して用いてもよい。例えば、冷却体100側から見て電子素子40が設けられている領域を含む箇所では冷却流体及び潤滑剤のうち抵抗値の大きな方を選択し、冷却体100側から見て電子素子40が設けられている領域を含まない箇所では冷却流体及び潤滑剤のうち抵抗値の小さな方を選択することで、ノイズの発生を効率的に抑制するようにしてもよい。また、冷却体100側から見てスイッチング素子が設けられている領域を含む箇所では冷却流体及び潤滑剤のうち抵抗値の大きな方を選択し、冷却体100側から見てスイッチング素子が設けられている領域を含まない箇所では冷却流体及び潤滑剤のうち抵抗値の小さな方を選択することで、ノイズの発生を効率的に抑制するようにしてもよい。
 また、冷却体100側から見て電子素子40が設けられている領域を含む箇所では冷却流体及び潤滑剤のうち放熱性の大きな方を選択し、冷却体100側から見て電子素子40が設けられている領域を含まない箇所では冷却流体及び潤滑剤のうち放熱性の小さな方を選択することで、放熱効率を高めるようにしてもよい。また、冷却体100側から見てスイッチング素子が設けられている領域を含む箇所では冷却流体及び潤滑剤のうち放熱性の大きな方を選択し、冷却体100側から見てスイッチング素子が設けられている領域を含まない箇所では冷却流体及び潤滑剤のうち放熱性の小さな方を選択することで、放熱効率を高めるようにしてもよい。
 本実施の形態では、第1の実施の形態で説明したあらゆる構成(変形例を含む。)を採用することができる。
第3の実施の形態
 次に、本発明の第3の実施の形態について説明する。第3の実施の形態において、第1の実施の形態又は第2の実施の形態と同じ又は同様の部材等については同じ符号を付し、その説明を省略する。
 第3の実施の形態では、電子素子40が積層されて配置されており、スタック構造となっている。より具体的には、図13に示すように、絶縁性基板60は第一絶縁性基板61及び第二絶縁性基板62を有し、電子素子40は第一電子素子41及び第二電子素子42を有し、放熱層10は第一放熱層11及び第二放熱層12を有してもよい。第一絶縁性基板61の一方側(図13の上側)に第一電子素子41が設けられ、第一絶縁性基板61の他方側(図13の下側)に第一放熱層11が設けられてもよい。第一電子素子41の一方側に第二電子素子42が設けられ、第二電子素子42の一方側に第二絶縁性基板62が設けられ、第二絶縁性基板62の一方側に第二放熱層12が設けられてもよい。また、導体層20は、第一導体層21及び第二導体層22を有し、第一導体層21の一方側に第一電子素子41が設けられ、第二導体層22の一方側に第二電子素子42が設けられてもよい。
 第一電子素子41及び第二電子素子42のうちの少なくともいずれか一方はスイッチング素子を有してもよい。そして、第一電子素子41がスイッチング素子を有する場合には、分割部110は、第一放熱層11側に設けられた第一冷却体101に設けられてもよい(図13参照)。この場合には、分割部110は、第一冷却体101のうち第一放熱層11と当接する部分に設けられることになる。第二電子素子42がスイッチング素子を有する場合には、分割部110は、第二放熱層12側に設けられた第二冷却体102に設けられてもよい(図14参照)。この場合には、分割部110は、第二冷却体102のうち第二放熱層12と当接する部分に設けられることになる。本実施の形態では、第一冷却体101に設けられた分割部110を第一分割部111といい、第二冷却体102に設けられた分割部110を第二分割部112という。
 図13及び図14に示す態様では、第一電子素子41の一方側(図13及び図14の上側)に導体柱29が設けられ、導体柱29の一方側(図13及び図14の上側)に第二導体層22が設けられている。
 前述したように、電子素子40がスイッチング素子を有する場合には、ノイズが大きくなる傾向にある。このため、少なくともスイッチング素子が設けられている側に分割部110が設けられている態様を採用することで、スイッチング素子に由来するノイズの発生を抑制できる。
 また、第一電子素子41及び第二電子素子42がスイッチング素子を有するかどうかに関係なく、分割部110が設けられる態様を採用してもよい。つまり、第一電子素子41がスイッチング素子を有するかどうかに関係なく、また、第二電子素子42がスイッチング素子を有するかどうかに関係なく、第一分割部111だけが設けられ第二分割部112は設けられなくてもよいし(図13参照)、第二分割部112だけが設けられ第一分割部111は設けられなくてもよいし(図14参照)、第一分割部111と第二分割部112の両方が設けられてもよい(図15参照)。図13乃至図15で示された分割部110は、第1の実施の形態で示したような複数の分割ユニット120を有してもよい。つまり、第一分割部111は複数の第一分割ユニットを有してもよいし、第二分割部112は複数の第二分割ユニットを有してもよいし、第一分割部111が複数の第一分割ユニットを有し、かつ、第二分割部112が複数の第二分割ユニットを有してもよい。
 また、スイッチング素子を一方側又は他方側に集め、スイッチン素子が集められた側に分割部110が設けられるようにしてもよい。より具体的には、第一電子素子41がスイッチン素子を有し第二電子素子42がスイッチング素子を有さない場合には、図13に示すように、第一分割部111だけが設けられ第二分割部112は設けられなくてもよい。この場合には、平坦面150が第二放熱層12と当接することになる。第二電子素子42がスイッチン素子を有し第一電子素子41がスイッチング素子を有さない場合には、図14に示すように、第二分割部112だけが設けられ第一分割部111は設けられなくてもよい。この場合には、平坦面150が第一放熱層11と当接することになる。
 放熱性を重視するのであれば、スイッチング素子を一方側又は他方側に集め、スイッチン素子が集められた側に分割部110が設けられないようにしてもよい。より具体的には、第一電子素子41がスイッチン素子を有し第二電子素子42がスイッチング素子を有さない場合には、図14に示すように、第二分割部112だけが設けられ第一分割部111は設けられなくてもよい。この場合には、平坦面150が第一放熱層11と当接することになる。第二電子素子42がスイッチン素子を有し第一電子素子41がスイッチング素子を有さない場合には、図13に示すように、第一分割部111だけが設けられ第二分割部112は設けられなくてもよい。この場合には、平坦面150が第二放熱層12と当接することになる。
 なお、図13乃至図15に示された態様とは異なり、図16に示すように、第一導体層21の一方側に第一電子素子41が設けられ、第一電子素子41の一方側に導体柱29が設けられ、導体柱29の一方側に第二電子素子42が設けられ、第二電子素子42の一方側に第二導体層22が設けられるようになってもよい。
 本実施の形態では、第1の実施の形態及び第2の実施の形態で説明したあらゆる構成(変形例を含む。)を採用することができる。
 上述した実施の形態の記載、変形例の記載及び図面の開示は、請求の範囲に記載された発明を説明するための一例に過ぎず、上述した実施の形態の記載、変形例の記載又は図面の開示によって請求の範囲に記載された発明が限定されることはない。また、出願当初の請求項の記載はあくまでも一例であり、明細書、図面等の記載に基づき、請求項の記載を適宜変更することもできる。
10    放熱層
11    第一放熱層
12    第二放熱層
20    導体層
40    電子素子
41    第一電子素子
42    第二電子素子
60    絶縁性基板
61    第一絶縁性基板
62    第二絶縁性基板
100   冷却体
110   分割部
115   当接部
116   溝部
120   分割ユニット

Claims (9)

  1.  絶縁性基板と、前記絶縁性基板に設けられた導体層と、前記導体層に設けられた電子素子と、前記絶縁性基板の前記電子素子と反対側に設けられた放熱層と、有する電子モジュールと、
     前記放熱層と当接する冷却体と、
     を備え、
     前記冷却体は、前記放熱層と当接する部分に設けられ、複数の領域に分割された分割部を有することを特徴とする電子機器。
  2.  前記分割部は、前記放熱層と当接する当接部と、前記当接部の間に設けられた溝部とを有することを特徴とする請求項1に記載の電子機器。
  3.  前記分割部は複数の分割ユニットを有することを特徴とする請求項1又は2のいずれかに記載の電子機器。
  4.  前記電子素子はスイッチング素子を含むことを特徴とする請求項1乃至3のいずれか1項に記載の電子機器。
  5.  前記分割部は、前記冷却体側から見たときに、前記電子素子の全体を覆うようになっていることを特徴とする請求項1乃至4のいずれかに記載の電子機器。
  6.  前記分割部は、格子形状となっていることを特徴とする請求項1乃至5のいずれか1項に記載の電子機器。
  7.  前記分割部に冷却流体が流されることを特徴とする請求項1乃至6のいずれか1項に記載の電子機器。
  8.  前記分割部に潤滑剤が設けられていることを特徴とする請求項1乃至7のいずれか1項に記載の電子機器。
  9.  前記絶縁性基板は第一絶縁性基板及び第二絶縁性基板を有し、
     前記電子素子は第一電子素子及び第二電子素子を有し、
     前記放熱層は第一放熱層及び第二放熱層を有し、
     前記第一絶縁性基板の一方側に第一電子素子が設けられ、
     前記第一絶縁性基板の他方側に設けられた第一放熱層が設けられ、
     前記第一電子素子の一方側に第二電子素子が設けられ、
     前記第二電子素子の一方側に第二絶縁性基板が設けられ、
     前記第二絶縁性基板の一方側に第二放熱層が設けられ、
     前記第一電子素子及び前記第二電子素子のうちの少なくともいずれか一方はスイッチング素子であり、前記第一電子素子がスイッチング素子である場合には、前記分割部は前記第一放熱層と当接する部分に設けられ、前記第二電子素子がスイッチング素子である場合には、前記分割部は前記第二放熱層と当接する部分に設けられることを特徴とする請求項1乃至8のいずれか1項に記載の電子機器。
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Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN112994411A (zh) * 2021-02-05 2021-06-18 四川恩巨实业有限公司 一种电源适配器散热结构

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH09275170A (ja) * 1996-04-03 1997-10-21 Fuji Electric Co Ltd 半導体装置
JP2008042124A (ja) * 2006-08-10 2008-02-21 Fuji Electric Holdings Co Ltd 半導体パワーモジュール
JP2015126168A (ja) * 2013-12-27 2015-07-06 三菱電機株式会社 パワーモジュール
WO2016067383A1 (ja) * 2014-10-29 2016-05-06 新電元工業株式会社 放熱構造
JP2016115782A (ja) * 2014-12-15 2016-06-23 三菱電機株式会社 半導体モジュール

Family Cites Families (73)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3921201A (en) * 1972-01-22 1975-11-18 Siemens Ag Improved liquid cooled semiconductor disk arrangement
DE2337694C2 (de) * 1973-07-25 1984-10-25 SEMIKRON Gesellschaft für Gleichrichterbau u. Elektronik mbH, 8500 Nürnberg Halbleitergleichrichteranordnung hoher Strombelastbarkeit
JP2660879B2 (ja) * 1992-05-25 1997-10-08 マンネスマン・アクチエンゲゼルシャフト 半導体スイッチを有する電気機械
JP3094768B2 (ja) * 1994-01-11 2000-10-03 富士電機株式会社 半導体装置
US5504378A (en) * 1994-06-10 1996-04-02 Westinghouse Electric Corp. Direct cooled switching module for electric vehicle propulsion system
FR2809281B1 (fr) * 2000-05-22 2002-07-12 Alstom Dispositif electronique de puissance
JP2002046482A (ja) * 2000-07-31 2002-02-12 Honda Motor Co Ltd ヒートシンク式冷却装置
US7017792B2 (en) * 2001-02-02 2006-03-28 Mitsubishi Heavy Industries, Ltd. Integrated piping plate, machining method for same, machining apparatus for same, and machining equipment for same
JP3946018B2 (ja) * 2001-09-18 2007-07-18 株式会社日立製作所 液冷却式回路装置
DE10317580B4 (de) * 2002-04-18 2010-09-16 Hitachi, Ltd. Elektrische Wechselrichtervorrichtung mit einem Flüssigkeitskanal sowie Elektrofahrzeug mit einer derartigen Wechselrichtervorrichtung
JP3730968B2 (ja) * 2003-03-26 2006-01-05 Tdk株式会社 スイッチング電源
US6903929B2 (en) * 2003-03-31 2005-06-07 Intel Corporation Two-phase cooling utilizing microchannel heat exchangers and channeled heat sink
FR2853808B1 (fr) * 2003-04-09 2006-09-15 Alstom Module de commutation de puissance et ondulateur equipe de ce module
US6992887B2 (en) * 2003-10-15 2006-01-31 Visteon Global Technologies, Inc. Liquid cooled semiconductor device
US7353859B2 (en) * 2004-11-24 2008-04-08 General Electric Company Heat sink with microchannel cooling for power devices
EP1761114A3 (en) * 2005-08-31 2009-09-16 Kabushiki Kaisha Toyota Jidoshokki Circuit board
US7508682B2 (en) * 2005-09-19 2009-03-24 Hitachi, Ltd. Housing for an electronic circuit
JP4759384B2 (ja) * 2005-12-20 2011-08-31 昭和電工株式会社 半導体モジュール
KR101384426B1 (ko) * 2006-03-13 2014-04-10 쇼와 덴코 가부시키가이샤 파워 모듈용 베이스
JP4793037B2 (ja) * 2006-03-13 2011-10-12 株式会社豊田自動織機 電子機器
JP4857017B2 (ja) * 2006-04-27 2012-01-18 日立オートモティブシステムズ株式会社 電力変換装置
US8030760B2 (en) * 2006-12-05 2011-10-04 Kabushiki Kaisha Toyota Jidoshokki Semiconductor apparatus and manufacturing method thereof
JP5120604B2 (ja) * 2007-05-22 2013-01-16 アイシン・エィ・ダブリュ株式会社 半導体モジュール及びインバータ装置
JP4452953B2 (ja) * 2007-08-09 2010-04-21 日立オートモティブシステムズ株式会社 電力変換装置
JP4967988B2 (ja) * 2007-10-25 2012-07-04 株式会社豊田自動織機 半導体冷却装置
JP4819071B2 (ja) * 2008-02-06 2011-11-16 本田技研工業株式会社 電気車両及び車両用dc/dcコンバータの冷却方法
JP4785878B2 (ja) * 2008-02-06 2011-10-05 本田技研工業株式会社 冷却装置及び該冷却装置を備える電気車両
JP5206102B2 (ja) 2008-05-08 2013-06-12 トヨタ自動車株式会社 半導体装置
US7952856B2 (en) * 2008-06-02 2011-05-31 Honda Motor Co., Ltd. Power control unit and hybrid vehicle comprising same
JP4657329B2 (ja) * 2008-07-29 2011-03-23 日立オートモティブシステムズ株式会社 電力変換装置および電動車両
JP5381561B2 (ja) * 2008-11-28 2014-01-08 富士電機株式会社 半導体冷却装置
JP4797077B2 (ja) * 2009-02-18 2011-10-19 株式会社日立製作所 半導体パワーモジュール、電力変換装置、および、半導体パワーモジュールの製造方法
US7898807B2 (en) * 2009-03-09 2011-03-01 General Electric Company Methods for making millichannel substrate, and cooling device and apparatus using the substrate
US8358000B2 (en) * 2009-03-13 2013-01-22 General Electric Company Double side cooled power module with power overlay
US8059418B2 (en) * 2009-04-03 2011-11-15 Trw Automotive U.S. Llc Assembly with a printed circuit board
WO2010136017A1 (de) * 2009-05-27 2010-12-02 Electrovac Ag Gekühlte elektrische baueinheit
DK2259310T3 (da) * 2009-06-05 2020-06-22 Siemens Gamesa Renewable Energy As Integreret varmeveksler
US8860210B2 (en) * 2009-06-10 2014-10-14 Toyota Jidosha Kabushiki Kaisha Semiconductor device
US8169780B2 (en) * 2009-06-18 2012-05-01 Honda Motor Co., Ltd. Power conversion device
US8064198B2 (en) * 2009-06-29 2011-11-22 Honda Motor Co., Ltd. Cooling device for semiconductor element module and magnetic part
US8933557B2 (en) * 2009-08-10 2015-01-13 Fuji Electric Co., Ltd. Semiconductor module and cooling unit
US8520389B2 (en) * 2009-12-02 2013-08-27 Hamilton Sundstrand Corporation Power semiconductor module for wide temperature applications
JP5473733B2 (ja) * 2010-04-02 2014-04-16 株式会社日立製作所 パワー半導体モジュール
WO2011132736A1 (ja) * 2010-04-21 2011-10-27 富士電機システムズ株式会社 半導体モジュール及び冷却器
US8966759B1 (en) * 2010-06-25 2015-03-03 Maxq Technology, Llc Method of making a fluid cooled assembly
JP2012060002A (ja) * 2010-09-10 2012-03-22 Mitsubishi Electric Corp 半導体素子の冷却構造
DE102010056010B4 (de) * 2010-12-23 2019-08-01 Volkswagen Ag Gehäuse, Doppelgehäuse und Anordnung zur Aufnahme von elektrischen oder elektronischen Bauteilen und Verfahren zur Kühlung
IT1404289B1 (it) * 2010-12-27 2013-11-15 Itaco S R L Ora Reel S R L Dispositivo di raffreddamento per componenti elettronici nonche' apparato di controllo incorporante tale dispositivo
WO2012147544A1 (ja) * 2011-04-26 2012-11-01 富士電機株式会社 半導体モジュール用冷却器及び半導体モジュール
US9502329B2 (en) * 2011-05-16 2016-11-22 Fuji Electric Co., Ltd. Semiconductor module cooler
JP2012253104A (ja) * 2011-05-31 2012-12-20 Zycube:Kk インターポーザを用いた積層モジュールの実装構造
US9240371B2 (en) * 2011-08-10 2016-01-19 Denso Corporation Semiconductor module, semiconductor device having semiconductor module, and method of manufacturing semiconductor module
JP5716637B2 (ja) * 2011-11-04 2015-05-13 住友電気工業株式会社 半導体モジュール及び半導体モジュールの製造方法
JP5948106B2 (ja) * 2012-03-30 2016-07-06 日立オートモティブシステムズ株式会社 パワー半導体モジュール及びそれを用いた電力変換装置
JP6060553B2 (ja) * 2012-04-06 2017-01-18 株式会社豊田自動織機 半導体装置
CN104145333B (zh) * 2012-04-16 2018-02-02 富士电机株式会社 半导体装置以及半导体装置用冷却器
JPWO2014045766A1 (ja) * 2012-09-19 2016-08-18 富士電機株式会社 半導体装置及び半導体装置の製造方法
TWI482244B (zh) * 2012-11-19 2015-04-21 Ind Tech Res Inst 熱交換器以及半導體模組
DE102013209719B4 (de) 2013-05-24 2016-07-07 Infineon Technologies Ag Leistungshalbleitermodul mit Flüssigkeitskühlung
WO2015005181A1 (ja) 2013-07-08 2015-01-15 株式会社 村田製作所 電力変換部品
DE102013109589B3 (de) * 2013-09-03 2015-03-05 Semikron Elektronik Gmbh & Co. Kg Leistungshalbleitereinrichtung und Verfahren zur Herstellung einer Leistungshalbleitereinrichtung
JP6168152B2 (ja) * 2013-09-05 2017-07-26 富士電機株式会社 電力用半導体モジュール
CN105849903B (zh) * 2013-12-24 2018-05-18 三菱电机株式会社 电力转换装置及电源模块
JP6269296B2 (ja) 2014-04-25 2018-01-31 株式会社デンソー 半導体モジュール
JP6315091B2 (ja) * 2014-06-19 2018-04-25 富士電機株式会社 冷却器及び冷却器の固定方法
DE102014214209B4 (de) * 2014-07-22 2016-05-04 Siemens Aktiengesellschaft Kühlvorrichtung zur zielgerichteten Kühlung von elektronischen und/oder elektrischen Bauelementen, Umrichter mit einer derartigen Kühlvorrichtung sowie Elektro- oder Hybridfahrzeug mit einem derartigen Umrichter
CN105940491B (zh) * 2014-08-06 2019-06-25 富士电机株式会社 半导体装置
WO2016103436A1 (ja) * 2014-12-26 2016-06-30 三菱電機株式会社 半導体モジュール
WO2016194158A1 (ja) * 2015-06-03 2016-12-08 三菱電機株式会社 液冷冷却器、及び液冷冷却器に於ける放熱フィンの製造方法
WO2016203885A1 (ja) * 2015-06-17 2016-12-22 富士電機株式会社 パワー半導体モジュール及び冷却器
JP6463505B2 (ja) * 2015-11-25 2019-02-06 三菱電機株式会社 半導体装置、インバータ装置及び自動車
EP3276658A1 (en) * 2016-07-27 2018-01-31 Infineon Technologies AG Cooler, power semiconductor module arrangement with a cooler and methods for producing the same
US10622909B2 (en) * 2017-01-12 2020-04-14 Ford Global Technologies, Llc Power module for inverter switching devices having gate coils shielded from eddy currents

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH09275170A (ja) * 1996-04-03 1997-10-21 Fuji Electric Co Ltd 半導体装置
JP2008042124A (ja) * 2006-08-10 2008-02-21 Fuji Electric Holdings Co Ltd 半導体パワーモジュール
JP2015126168A (ja) * 2013-12-27 2015-07-06 三菱電機株式会社 パワーモジュール
WO2016067383A1 (ja) * 2014-10-29 2016-05-06 新電元工業株式会社 放熱構造
JP2016115782A (ja) * 2014-12-15 2016-06-23 三菱電機株式会社 半導体モジュール

Also Published As

Publication number Publication date
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NL2020393B1 (en) 2018-10-12
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