WO2018008242A1 - 無電解白金めっき浴 - Google Patents

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electroless
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platinum plating
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哲也 笹村
田邉　克久
洋樹 大久保
立志 染矢
絵理子 古矢
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上村工業株式会社
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    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C18/00—Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating
    • C23C18/16—Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating by reduction or substitution, e.g. electroless plating
    • C23C18/31—Coating with metals
    • C23C18/42—Coating with noble metals
    • C23C18/44—Coating with noble metals using reducing agents
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
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    • C23C18/16—Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating by reduction or substitution, e.g. electroless plating
    • C23C18/1601—Process or apparatus
    • C23C18/1633—Process of electroless plating
    • C23C18/1655—Process features
    • C23C18/1662—Use of incorporated material in the solution or dispersion, e.g. particles, whiskers, wires

Definitions

  • the present disclosure relates to an electroless platinum plating bath and a method for forming a platinum film.
  • the platinum film is chemically extremely stable and hardly oxidized, and has excellent heat resistance and durability. For this reason, it is widely used for parts exposed to harsh environments such as automobile spark plugs and exhaust sensors. In addition, since it exhibits good electrical conductivity, application to electronic parts is also expected.
  • the electroless platinum plating bath using hydrazine as a reducing agent has a problem that the stability is not sufficient.
  • substrate etc. are easy to melt
  • the problem of the present disclosure is to realize an electroless platinum plating bath with high stability.
  • One aspect of the electroless platinum plating bath of the present disclosure includes a water-soluble platinum compound, a complexing agent, a reducing agent, and a halide ion supply agent, and the reducing agent is formic acid.
  • the halide ion supply agent can be contained in a molar ratio of 10 times or more with respect to platinum.
  • the halide ion supply agent can be an alkali metal halide.
  • the pH can be 9 or less.
  • the object to be plated is immersed in the electroless platinum plating bath of the present disclosure to form a platinum film on the object to be plated.
  • an electroless platinum plating bath having high stability can be realized.
  • the electroless platinum plating bath of the present embodiment includes a water-soluble platinum compound, a complexing agent, a reducing agent, and a halide ion supplier, and the reducing agent is formic acid.
  • the reducing agent is formic acid.
  • formic acid includes those in the form of a salt such as sodium salt or potassium salt.
  • the electroless platinum plating bath of this embodiment includes a halogen ion supply agent.
  • the halogen ion supply agent functions as a reaction accelerator for promoting the platinum precipitation reaction, and even when the reducing agent is formic acid, it is possible to cause a sufficient precipitation reaction. Further, halogen ions have an effect of improving the stability of the plating bath, and a more stable electroless platinum plating bath can be realized.
  • the halogen ion supply agent may be a compound containing halide ions.
  • alkali metal halides such as sodium chloride, potassium chloride, sodium iodide, potassium iodide, sodium bromide and potassium bromide can be used.
  • sodium chloride and potassium chloride are preferable because of easy handling.
  • the addition amount of the halogen ion supply agent is preferably 10 times or more, more preferably 15 times or more, and further preferably 20 times or more, in terms of molar ratio to the amount of platinum contained in the bath. It is.
  • the addition amount of the halogen ion supply agent is preferably 500 times or less, more preferably 400 times or less in terms of molar ratio with respect to the amount of platinum contained in the bath. It is.
  • a general platinum salt can be used.
  • dinitrodiammine platinum, chloroplatinate, tetraammine platinum salt, hexaammine platinum salt and the like can be used. These metal compounds can be used alone or in combination of two or more.
  • the amount of the water-soluble platinum compound added is preferably 0.1 g / L or more from the viewpoint of productivity as the concentration of platinum in the bath. Moreover, from the viewpoint of the stability of the plating bath, it is preferably 3 g / L or less, more preferably 2 g / L or less.
  • a general compound can be used as the complexing agent.
  • aminocarboxylic acid or polycarboxylic acid can be mentioned.
  • the aminocarboxylic acid include glycine, ethylenediaminetetraacetic acid (EDTA), triethylenediaminetetraacetic acid, glutamic acid, and aspartic acid.
  • the polycarboxylic acid include malonic acid, maleic acid, succinic acid, citric acid, and malic acid.
  • Aminocarboxylic acids and polycarboxylic acids include those in the form of salts. These compounds can be used alone or in combination of two or more.
  • the concentration of the complexing agent is preferably 2 g / L or more, more preferably 4 g / L or more from the viewpoint of stability. Moreover, from an economical viewpoint, Preferably it is 50 g / L or less, More preferably, it is 30 g / L or less.
  • the pH of the plating bath of the present embodiment can be appropriately set as necessary, and there is no need to increase the pH as in the case of using hydrazine or a boron compound as a reducing agent.
  • the pH is preferably 3 or more.
  • the pH is preferably 9 or less.
  • conditions near neutrality of about pH 6 to pH 8 are more preferable.
  • acid or alkali can be added as a pH adjuster.
  • a component having a buffering action can be added as a buffering agent.
  • the buffering agent can be appropriately selected according to the pH to be adjusted, but in the case of neutrality, sodium dihydrogen phosphate or potassium dihydrogen phosphate can be used.
  • the optional component may be added as necessary, and may not include the optional component.
  • the electroless platinum plating bath of this embodiment has high stability, and it is not necessary to add stabilizers such as lead monoxide and thiols. However, it is possible to add a stabilizer or the like.
  • the working temperature and plating time of the plating bath of the present embodiment may be selected according to the required thickness of the catalyst film.
  • the use temperature is preferably 10 ° C. or higher, and preferably 95 ° C. or lower.
  • the plating time is preferably 5 seconds or longer, and preferably 30 minutes or shorter.
  • the thickness of the platinum film formed by the plating bath of the present embodiment is not particularly limited, and a platinum film having a thickness as required can be formed. By using the plating bath of this embodiment, a platinum film having a film thickness of about 0.001 ⁇ m to 0.5 ⁇ m can be easily formed.
  • a platinum film can be formed by immersing a base material to be plated in the plating bath of the present embodiment.
  • the substrate for forming the platinum film is not particularly limited. For example, a printed circuit board on which an electronic component is mounted, a semiconductor element mounting substrate on which a semiconductor element is mounted, or a conductor circuit provided on the mounted electronic component or the like. be able to. Since the electroless platinum plating bath of the present embodiment can make the pH near neutral, a pattern is formed by a dry film resist (DFR) that tends to cause elution under a high pH condition and easily deteriorate the plating solution. Plating can be easily performed on a wiring board or the like.
  • DFR dry film resist
  • ⁇ Base material> A ball grid array (BGA) substrate manufactured by Uemura Kogyo Co., Ltd. was used.
  • the substrate was used after degreasing, soft etching, pickling, pre-dip and activation before use.
  • Degreasing was carried out at 50 ° C. for 5 minutes using a commercially available cleaning solution (ACL-007, manufactured by Uemura Kogyo Co., Ltd.).
  • Soft etching was performed at 25 ° C. for 1 minute using a solution containing 10 g / L sulfuric acid and 100 g / L sodium persulfate.
  • the pickling was performed at 25 ° C. for 1 minute using 50 g / L sulfuric acid.
  • the pre-dip was performed at 25 ° C. for 1 minute using 20 g / L sulfuric acid.
  • the activation was performed at 30 ° C. for 2 minutes using a commercially available strong acid activator containing palladium (manufactured by Uemura Kogyo, MNK-4).
  • ⁇ Measurement of film thickness> The thickness of the plating film formed on the substrate was evaluated by an X-ray fluorescence spectrometer (XDV- ⁇ , manufactured by Fisher Instruments).
  • Example 1 In water, potassium tetrachloride platinum (II) (K 2 PtCl 4 ) as a water-soluble platinum compound as a platinum concentration of 0.5 g / L, ethylenediaminetetraacetic acid (EDTA) as a complexing agent at 10 g / L, reducing agent A potassium salt of formic acid was dissolved at 10 g / L, and potassium chloride (KCl) as a halide ion supplier was dissolved at 50 g / L to prepare an electroless platinum plating bath. The molar ratio of halide ion supplier to platinum is about 260 times. To the electroless platinum plating bath, 10 g / L of potassium dihydrogen phosphate was added as a buffer. Further, the pH was adjusted to 7 by adding a pH adjuster. As the pH adjuster, sulfuric acid or potassium hydroxide was used according to the pH before the adjustment.
  • pH adjuster sulfuric acid or potassium hydroxide was used according to the pH before the adjustment.
  • the obtained electroless platinum plating bath was evaluated for the bath stability and the influence of the dry film resist. Both the bath stability and the influence of the dry film resist were rated A. In addition, the film thickness of the platinum plating film after immersing the immersion substrate was 0.05 ⁇ m.
  • Example 2 Example 1 was repeated except that the halide ion supply agent was changed to 5 g / L KCl.
  • the molar ratio of halide ion supplier to platinum is about 26 times. Both the bath stability and the influence of the dry film resist were rated A.
  • the film thickness of the platinum plating film after immersing the immersion substrate was 0.04 ⁇ m.
  • Example 3 Example 1 was repeated except that the pH was adjusted to 4 with a pH adjuster. Both the bath stability and the influence of the dry film resist were rated A. In addition, the film thickness of the platinum plating film after immersing the immersion substrate was 0.05 ⁇ m.
  • Example 4 The procedure of Example 1 was repeated except that the halide ion supply agent was 50 g / L of potassium iodide (KI). The molar ratio of halide ion supplier to platinum is about 120 times. Both the bath stability and the influence of the dry film resist were rated A. In addition, the film thickness of the platinum plating film after immersing the immersion substrate was 0.05 ⁇ m.
  • Example 5 Example 1 was repeated except that the halide ion supply agent was 50 g / L of potassium bromide (KBr). The molar ratio of halide ion supplier to platinum is about 160 times. Both the bath stability and the influence of the dry film resist were rated A. In addition, the film thickness of the platinum plating film after immersing the immersion substrate was 0.05 ⁇ m.
  • Example 6 The procedure was the same as Example 1 except that the water-soluble platinum compound was changed to a platinum concentration of 0.5 g / L of tetraammineplatinum (II) dichloride (Pt (NH 3 ) 4 Cl 2 ). Both the bath stability and the influence of the dry film resist were rated A. In addition, the film thickness of the platinum plating film after immersing the immersion substrate was 0.05 ⁇ m.
  • Example 7 The same procedure as in Example 1 was conducted except that the water-soluble platinum compound was changed to a platinum concentration of 0.5 g / L of tetraammineplatinum (II) hydrochloride (Pt (NH 3 ) 4 (OH) 2 ). Both the bath stability and the influence of the dry film resist were rated A. In addition, the film thickness of the platinum plating film after immersing the immersion substrate was 0.05 ⁇ m.
  • Example 8 The same procedure as in Example 1 was conducted except that the water-soluble platinum compound was used as a platinum concentration of 0.5 g / L of dinitrodiammineplatinum (II) (Pt (NO) 2 (NH 3 ) 2 ). Both the bath stability and the influence of the dry film resist were rated A. In addition, the film thickness of the platinum plating film after immersing the immersion substrate was 0.05 ⁇ m.
  • Example 1 Example 1 was repeated except that the pH was adjusted to 10 with a pH adjuster. Although the bath stability was evaluated as A, the influence of the dry film resist was evaluated as C. In addition, the film thickness of the platinum plating film after the immersion substrate was immersed was 0.01 ⁇ m.
  • Example 2 (Comparative Example 2) Example 1 was repeated except that the halide ion supply agent was changed to 0.5 g / L KCl.
  • the molar ratio of halide ion supplier to platinum is about 2.6 times.
  • the effect of the dry film resist was A evaluation, but the bath stability was B evaluation.
  • the film thickness of the platinum plating film after the immersion substrate was immersed was 0.03 ⁇ m.
  • Example 3 (Comparative Example 3) Example 1 was repeated except that the reducing agent was 1 g / L hydrazine and the pH was adjusted to 4 with a pH adjuster.
  • the effect of the dry film resist was A evaluation, but the bath stability was C evaluation.
  • the film thickness of the platinum plating film after immersing the immersion substrate was 0.05 ⁇ m.
  • Comparative Example 4 It was the same as Comparative Example 3 except that the pH was adjusted to 10 with a pH adjuster. Both the bath stability and the influence of the dry film resist were evaluated as C. In addition, the film thickness of the platinum plating film after the immersion substrate was immersed was 0.01 ⁇ m.
  • Comparative Example 5 The same as Comparative Example 4 except that the reducing agent was 1 g / L sodium borohydride. Both the bath stability and the influence of the dry film resist were evaluated as C. In addition, the film thickness of the platinum plating film after the immersion substrate was immersed was 0.01 ⁇ m.
  • Table 1 shows the plating bath compositions and evaluation results of the examples and comparative examples.
  • the electroless platinum plating bath of the present disclosure has high stability and is particularly useful as an electroless platinum plating bath for forming a platinum plating film in applications such as electronic parts.

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Abstract

無電解白金めっき浴は、水溶性白金化合物と、錯化剤と、還元剤と、ハロゲン化物イオン供給剤とを含み、還元剤は、ギ酸である。

Description

無電解白金めっき浴
　本開示は、無電解白金めっき浴及び白金皮膜の形成方法に関する。
　白金皮膜は、化学的に極めて安定で酸化され難く、耐熱性及び耐久性能にも優れている。このため、自動車の点火プラグ、排気センサ等の過酷な環境に晒される部品に広く用いられている。また、良好な電気伝導度を示すことから電子部品用途への応用も期待されている。
　白金皮膜の形成に用いる無電解白金めっき浴として、ヒドラジンを還元剤として含む無電解白金めっき浴が検討されている（例えば、特許文献１及び２等を参照。）。
特開２０１６－８９１９０号公報 特開２０１６－８９２０３号公報
　しかしながら、ヒドラジンを還元剤とする無電解白金めっき浴には、安定性が十分ではないという問題がある。また、実用的な析出速度を得るためには、めっき浴のｐＨを高くする必要がある。このため、基板等に用いられているドライフィルムレジスト等が溶解しやすく、電子部品用途への応用が困難であるという問題もある。
　本開示の課題は、安定性が高い無電解白金めっき浴を実現できるようにすることである。
　本開示の無電解白金めっき浴の一態様は、水溶性白金化合物と、錯化剤と、還元剤と、ハロゲン化物イオン供給剤とを含み、還元剤は、ギ酸である。
　無電解白金めっき浴の一態様において、ハロゲン化物イオン供給剤は、白金に対して、モル比で１０倍以上含まれているようにすることができる。
　無電解白金めっき浴の一態様において、ハロゲン化物イオン供給剤は、アルカリ金属のハロゲン化物とすることができる。
　無電解白金めっき浴の一態様において、ｐＨは９以下とすることができる。
　本開示の白金皮膜の形成方法の一態様は、本開示の無電解白金めっき浴中に被めっき物を浸漬して該被めっき物上に白金皮膜を形成する。
　本開示の無電解白金めっき浴によれば、安定性が高い無電解白金めっき浴を実現できる。
　本実施形態の無電解白金めっき浴は、水溶性白金化合物と、錯化剤と、還元剤と、ハロゲン化物イオン供給剤とを含み、還元剤がギ酸である。還元剤にギ酸を用いることにより、ヒドラジン及びホウ素化合物等の一般的な還元剤を用いる場合と比べて、安定なめっき浴を実現することができる。ギ酸はナトリウム塩又はカリウム塩等の塩の状態となっていているものも含む。
　ギ酸は、ヒドラジン等と比べると還元反応が生じにくく、単純に、無電解白金めっき液中のヒドラジンをギ酸に代えただけでは析出反応がほとんど生じない。しかし、本実施形態の無電解白金めっき浴は、ハロゲンイオン供給剤を含んでいる。ハロゲンイオン供給剤は、白金の析出反応を促進する反応促進剤として機能し、還元剤をギ酸とした場合にも、十分な析出反応を生じさせることが可能となる。また、ハロゲンイオンは、めっき浴の安定性を向上させる効果も有しており、より安定な無電解白金めっき浴を実現できる。
　ハロゲンイオン供給剤は、ハロゲン化物イオンを含む化合物であればよい。例えば、塩化ナトリウム、塩化カリウム、ヨウ化ナトリウム、ヨウ化カリウム、臭化ナトリウム及び臭化カリウム等のアルカリ金属のハロゲン化物を用いることができる。中でも、取り扱いの容易さから、塩化ナトリウム及び塩化カリウムが好ましい。
　ハロゲンイオン供給剤の添加量は、析出反応を促進する観点から、浴中に含まれる白金の量に対してモル比で好ましくは１０倍以上、より好ましくは１５倍以上、さらに好ましくは２０倍以上である。また、ハロゲンが皮膜の外観に与える影響を避けるために、ハロゲンイオン供給剤の添加量は、浴中に含まれる白金の量に対してモル比で好ましくは５００倍以下、より好ましくは４００倍以下である。
　水溶性白金化合物は、一般的な白金塩を用いることができ、例えばジニトロジアンミン白金、塩化白金酸塩、テトラアンミン白金塩、及びヘキサアンミン白金塩等を用いることができる。これらの金属化合物は、単独で用いることも２種類以上を組み合わせて用いることもできる。
　水溶性白金化合物の添加量は、浴中における白金の濃度として、生産性の観点から好ましくは０．１ｇ／Ｌ以上である。また、めっき浴の安定性の観点から好ましくは３ｇ／Ｌ以下、より好ましくは２ｇ／Ｌ以下である。
　錯化剤には、一般的な化合物を用いることができる。例えば、アミノカルボン酸又はポリカルボン酸を挙げることができる。アミノカルボン酸としては、例えばグリシン、エチレンジアミン四酢酸（ＥＤＴＡ）、トリエチレンジアミンテトラ酢酸、グルタミン酸、又はアスパラギン酸等を挙げることができる。ポリカルボン酸としては、例えばマロン酸、マレイン酸、コハク酸、クエン酸、又はリンゴ酸等を挙げることができる。アミノカルボン酸及びポリカルボン酸は塩の状態となっているものも含む。これらの化合物は単独で用いることも、２種類以上を組み合わせて用いることもできる。
　錯化剤の濃度は、安定性の観点から好ましくは２ｇ／Ｌ以上で、より好ましくは４ｇ／Ｌ以上ある。また、経済性の観点から好ましくは５０ｇ／Ｌ以下で、より好ましくは３０ｇ／Ｌ以下ある。
　本実施形態のめっき浴のｐＨは、必要に応じて適宜設定することができ、ヒドラジン又はホウ素化合物を還元剤として用いる場合のように、ｐＨを高くする必要はない。めっき浴の安定性の観点から好ましくはｐＨ３以上である。また、析出速度の観点から好ましくはｐＨ９以下である。安定性の観点及び環境負荷の観点からｐＨ６～ｐＨ８程度の中性付近の条件がより好ましい。ｐＨの調整には、酸又はアルカリをｐＨ調整剤として添加することができる。また、緩衝作用を有する成分を緩衝剤として添加することができる。緩衝剤は調整するｐＨ応じて適宜選択することができるが、中性付近にする場合には、リン酸二水素ナトリウム又はリン酸二水素カリウム等を用いることができる。
　この他一般的な無電解白金めっき浴と同様の任意成分を、本実施形態のめっき浴に添加することができる。但し、任意成分は必要に応じて添加すればよく、任意成分を含んでいなくてもよい。特に、本実施形態の無電解白金めっき浴は安定性が高く、一酸化鉛及びチオール類等の安定剤を添加する必要はない。但し、安定剤等を添加することは可能である。
　本実施形態のめっき浴の使用温度及びめっき時間等は、必要とする触媒皮膜の厚さに応じて選択すればよい。使用温度は、好ましくは１０℃以上であり、好ましくは９５℃以下である。また、めっき時間は好ましくは５秒以上であり、好ましくは３０分以下である。
　本実施形態のめっき浴により形成する白金皮膜の厚さは特に限定されず、必要に応じた膜厚の白金皮膜を形成することができる。本実施形態のめっき浴を用いることにより、膜厚が０．００１μｍ～０．５μｍ程度の白金皮膜を容易に形成することができる。
　被めっき物である基材を本実施形態のめっき浴に浸漬することにより白金皮膜を形成することができる。白金皮膜を形成する基材は、特に限定されないが、例えば、電子部品を搭載するプリント基板若しくは半導体素子を搭載する半導体素子搭載基板、又は実装される電子部品等に設けられた導体回路等とすることができる。本実施形態の無電解白金めっき浴は、ｐＨを中性付近とすることができるため、ｐＨが高い条件では溶出が生じやすく、めっき液を劣化させやすいドライフィルムレジスト（ＤＦＲ）によるパターンを形成した配線基板等に容易にめっきをすることができる。
　以下に、実施例を用いて本発明をより詳細に説明する。なお、以下の実施例は例示であり、本発明はこれに限定されない。
　＜基材＞
　上村工業（株）製のボールグリッドアレイ（ＢＧＡ）基板を用いた。
　基材は、使用前に脱脂、ソフトエッチング、酸洗、プレディップ及びアクチベーションを行って用いた。脱脂は、市販の洗浄液（上村工業製、ＡＣＬ－００７）を用い５０℃で５分間行った。ソフトエッチングは、硫酸を１０ｇ／Ｌ、過硫酸ナトリウムを１００ｇ／Ｌ含む溶液を用い、２５℃で１分間行った。酸洗は、５０ｇ／Ｌの硫酸を用い、２５℃で１分間行った。プレディップは、２０ｇ／Ｌの硫酸を用い、２５℃で１分間行った。アクチベーションは、市販のパラジウムを含む強酸性のアクチベータ（上村工業製、ＭＮＫ－４）を用い、３０℃で２分間行った。
　＜皮膜厚さの測定＞
　基材に形成されためっき皮膜の厚さは、蛍光Ｘ線分光分析装置（ＸＤＶ－μ、フィッシャー・インストルメンツ製）により評価した。
　＜浴安定性の評価＞
　めっき浴を建浴した後、４０℃で５０時間保持し、目視によりめっき浴の分解又は、分解の兆候となる白金の析出が生じているかどうかを確認した。分解、析出が無い場合をＡ、白金の析出が認められた場合をＢ、分解が認められた場合をＣとした。
　＜ドライフィルムレジストの影響評価＞
　ドライフィルムレジスト（ＤＦＲ）の浸漬前後における析出速度を比較した。ガラスエポキシ板の表面の全面にソルダレジストを塗布したソルダレジスト基板を作成した。ソルダレジストの面積の５０％に市販のドライフィルムレジストを塗布して浸漬基板を作成した。浸漬基板を５ｄｍ2／Ｌの浴負荷となるように４０℃のめっき浴に８時間浸漬し、浸漬前後の析出速度を比較した。析出速度は、４０℃のめっき浴に基材を１０分間浸漬し、表面に形成された皮膜の厚さにより評価した。浸漬基板を浸漬した後の析出速度の低下が浸漬前の３０％未満の場合をＡ、析出速度の低下が３０％以上、５０％未満の場合をＢ、析出速度の低下が５０％以上の場合をＣとした。
　（実施例１）
　水に、水溶性白金化合物としてテトラクロリド白金（II）酸カリウム（Ｋ2ＰｔＣｌ4）を白金の濃度として０．５ｇ／Ｌ、錯化剤としてエチレンジアミン四酢酸（ＥＤＴＡ）を１０ｇ／Ｌ、還元剤としてギ酸のカリウム塩を１０ｇ／Ｌ、ハロゲン化物イオン供給剤として塩化カリウム（ＫＣｌ）を５０ｇ／Ｌとなるように溶解させて、無電解白金めっき浴を調製した。ハロゲン化物イオン供給剤の白金に対するモル比は約２６０倍である。無電解白金めっき浴には、緩衝剤としてリン酸二水素カリウムを１０ｇ／Ｌを加えた。また、ｐＨ調整剤を加えてｐＨを７に調整した。ｐＨ調整剤は調整前のｐＨに応じて硫酸又は水酸化カリウムを用いた。
　得られた無電解白金めっき浴について、浴安定性及びドライフィルムレジストの影響を評価した。浴安定性及びドライフィルムレジストの影響はいずれもＡ評価であった。なお、浸漬基板を浸漬した後の白金めっき皮膜の膜厚は０．０５μｍであった。
　（実施例２）
　ハロゲン化物イオン供給剤を５ｇ／ＬのＫＣｌとした以外は、実施例１と同様にした。ハロゲン化物イオン供給剤の白金に対するモル比は約２６倍である。浴安定性及びドライフィルムレジストの影響はいずれもＡ評価であった。なお、浸漬基板を浸漬した後の白金めっき皮膜の膜厚は０．０４μｍであった。
　（実施例３）
　ｐＨ調整剤によりｐＨを４とした以外は、実施例１と同様にした。浴安定性及びドライフィルムレジストの影響はいずれもＡ評価であった。なお、浸漬基板を浸漬した後の白金めっき皮膜の膜厚は０．０５μｍであった。
　（実施例４）
　ハロゲン化物イオン供給剤を５０ｇ／Ｌのヨウ化カリウム（ＫＩ）とした以外は、実施例１と同様にした。ハロゲン化物イオン供給剤の白金に対するモル比は約１２０倍である。浴安定性及びドライフィルムレジストの影響はいずれもＡ評価であった。なお、浸漬基板を浸漬した後の白金めっき皮膜の膜厚は０．０５μｍであった。
　（実施例５）
　ハロゲン化物イオン供給剤を５０ｇ／Ｌの臭化カリウム（ＫＢｒ）とした以外は、実施例１と同様にした。ハロゲン化物イオン供給剤の白金に対するモル比は約１６０倍である。浴安定性及びドライフィルムレジストの影響はいずれもＡ評価であった。なお、浸漬基板を浸漬した後の白金めっき皮膜の膜厚は０．０５μｍであった。
　（実施例６）
　水溶性白金化合物を白金濃度として０．５ｇ／Ｌのテトラアンミン白金（II）ジクロライド（Ｐｔ（ＮＨ3）4Ｃｌ2）とした以外は、実施例１と同様にした。浴安定性及びドライフィルムレジストの影響はいずれもＡ評価であった。なお、浸漬基板を浸漬した後の白金めっき皮膜の膜厚は０．０５μｍであった。
　（実施例７）
　水溶性白金化合物を白金濃度として０．５ｇ／Ｌのテトラアンミン白金（II）水酸塩（Ｐｔ（ＮＨ3）4（ＯＨ）2）とした以外は、実施例１と同様にした。浴安定性及びドライフィルムレジストの影響はいずれもＡ評価であった。なお、浸漬基板を浸漬した後の白金めっき皮膜の膜厚は０．０５μｍであった。
　（実施例８）
　水溶性白金化合物を白金濃度として０．５ｇ／Ｌのジニトロジアンミン白金（II）（Ｐｔ（ＮＯ）2（ＮＨ3）2）とした以外は、実施例１と同様にした。浴安定性及びドライフィルムレジストの影響はいずれもＡ評価であった。なお、浸漬基板を浸漬した後の白金めっき皮膜の膜厚は０．０５μｍであった。
　（比較例１）
　ｐＨ調整剤によりｐＨを１０とした以外は、実施例１と同様にした。浴安定性はＡ評価であったが、ドライフィルムレジストの影響はＣ評価であった。なお、浸漬基板を浸漬した後の白金めっき皮膜の膜厚は０．０１μｍであった。
　（比較例２）
　ハロゲン化物イオン供給剤を０．５ｇ／ＬのＫＣｌとした以外は、実施例１と同様にした。ハロゲン化物イオン供給剤の白金に対するモル比は約２．６倍である。ドライフィルムレジストの影響はＡ評価であったが、浴安定性はＢ評価であった。なお、浸漬基板を浸漬した後の白金めっき皮膜の膜厚は０．０３μｍであった。
　（比較例３）
　還元剤を１ｇ／Ｌのヒドラジンとし、ｐＨ調整剤によりｐＨを４とした以外は、実施例１と同様にした。ドライフィルムレジストの影響はＡ評価であったが、浴安定性はＣ評価であった。なお、浸漬基板を浸漬した後の白金めっき皮膜の膜厚は０．０５μｍであった。
　（比較例４）
　ｐＨ調整剤によりｐＨを１０とした以外は、比較例３と同様とした。浴安定性及びドライフィルムレジストの影響はいずれもＣ評価であった。なお、浸漬基板を浸漬した後の白金めっき皮膜の膜厚は０．０１μｍであった。
　（比較例５）
　還元剤を１ｇ／Ｌの水素化ホウ素ナトリウムとした以外は、比較例４と同様とした。浴安定性及びドライフィルムレジストの影響はいずれもＣ評価であった。なお、浸漬基板を浸漬した後の白金めっき皮膜の膜厚は０．０１μｍであった。
　各実施例及び比較例のめっき浴組成及び評価結果を表１に示す。還元剤としてギ酸を用い、ハロゲン化イオン供給剤を加えることにより、酸性から弱アルカリ性の条件において使用できる、安定性が高い無電解白金めっき液を実現できる。
Figure JPOXMLDOC01-appb-T000001
　本開示の無電解白金めっき浴は、安定性が高く、特に電子部品用途等における白金めっき皮膜を形成する無電解白金めっき浴として有用である。

Claims (8)

  1. 　水溶性白金化合物と、錯化剤と、還元剤と、ハロゲン化物イオン供給剤とを含み、前記還元剤は、ギ酸である、無電解白金めっき浴。
  2. 　前記ハロゲン化物イオン供給剤は、白金の量に対して、モル比で１０倍以上含まれている、請求項１に記載の無電解白金めっき浴。
  3. 　前記ハロゲン化物イオン供給剤は、白金の量に対して、モル比で４００倍以下である、請求項２に記載の無電解白金めっき浴。
  4. 　前記ハロゲン化物イオン供給剤は、アルカリ金属のハロゲン化物である、請求項１～３のいずれか１項に記載の無電解白金めっき浴。
  5. 　前記アルカリ金属のハロゲン化合物は、塩化ナトリウム、塩化カリウム、ヨウ化ナトリウム、ヨウ化カリウム、臭化ナトリウム及び臭化カリウムのうちの少なくとも１つである、請求項４に記載の無電解白金めっき浴。
  6. 　ｐＨは９以下である、請求項１～５のいずれか１項に記載の無電解白金めっき浴。
  7. 　前記水溶性白金化合物は、ジニトロジアンミン白金、塩化白金酸塩、テトラアンミン白金塩、及びヘキサアンミン白金塩のうちの少なくとも１つである、請求項１～６のいずれか１項に記載の無電解白金めっき浴。
  8. 　請求項１～７のいずれか１項に記載の無電解白金めっき浴中に被めっき物を浸漬して該被めっき物上に白金皮膜を形成する、白金皮膜の形成方法。
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