WO2016167233A1 - 基板保持機構、成膜装置、および基板の保持方法 - Google Patents

基板保持機構、成膜装置、および基板の保持方法 Download PDF

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placement surface
suction
holding
adsorption
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明史 江上
俊則 金子
哲宏 大野
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Ulvac Inc
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    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
    • C23C14/50—Substrate holders
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10P—GENERIC PROCESSES OR APPARATUS FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10P72/00—Handling or holding of wafers, substrates or devices during manufacture or treatment thereof
    • H10P72/70—Handling or holding of wafers, substrates or devices during manufacture or treatment thereof for supporting or gripping

Definitions

  • the present invention relates to a substrate holding mechanism that holds a substrate, a film forming apparatus that forms a predetermined film on the substrate, and a substrate holding method.
  • a single-wafer type sputtering apparatus is known as a film forming apparatus for forming a predetermined film on a substrate.
  • a single wafer type sputtering apparatus includes a processing chamber for performing a film forming process, and the processing chamber includes a target that is disposed substantially vertically and a substrate holding mechanism that holds the substrate and changes the posture of the substrate with respect to the target.
  • the substrate holding mechanism changes the posture of the substrate between a state substantially perpendicular to the target and a state substantially parallel to the target.
  • the substrate holding mechanism mechanically holds the outer periphery of the substrate on the mounting surface of the mounting table using the clamp mechanism (see, for example, Patent Document 1).
  • the thickness of a substrate to be deposited is smaller for the purpose of reducing the weight of a product including a film formed by using a sputtering apparatus or imparting flexibility or flexibility to the product. It is demanded.
  • the force applied to the substrate is the largest at the base end of the clamp piece, and the force applied to the substrate decreases toward the tip of the clamp piece.
  • the clamp piece applies a larger force to the substrate as the thickness of the substrate is smaller, stress concentrates on the substrate portion in contact with the base end of the clamp piece and the substrate is cracked. For this reason, there is a limit to the force with which the clamp piece can be applied to the substrate.
  • the force that the clamp piece applies to the substrate to such an extent that the position of the substrate changes when the substrate posture is changed from a state substantially perpendicular to the target to a state substantially parallel to the target, and further, the substrate is buckled. May become weaker.
  • the present invention is not limited to the above-described sputtering apparatus, and is common to other substrate processing apparatuses such as a vapor deposition apparatus and an etching apparatus.
  • the substrate holding mechanism is a holding unit that holds a substrate having a placement surface on which an outer peripheral portion of the substrate is placed, and the position of the placement surface is defined as a first position and the first A holding unit that changes between a second position different from the position is provided, and the holding unit includes an adsorption unit that electrostatically adsorbs the substrate to at least a part of the placement surface.
  • the outer peripheral portion of the substrate is placed on the placement surface, and the substrate is attracted to at least a part of the placement surface, so that the force for maintaining the position of the substrate is concentrated on the edge of the substrate.
  • This is suppressed by the surface contact between the substrate and the mounting surface. Therefore, the position of the substrate relative to the mounting surface changes as the posture of the substrate changes compared to holding the substrate only with clamp pieces where the force for maintaining the position of the substrate concentrates on the edge of the substrate, etc. Is suppressed.
  • the substrate holding mechanism further includes a temperature adjustment unit that adjusts the temperature of the substrate, the mounting surface has an annular shape, and the temperature control unit is the mounting surface described above. It is preferable that it is located inside. According to this configuration, the temperature of the substrate held by the substrate holding mechanism can be adjusted by the temperature adjustment unit.
  • the temperature adjustment unit may be configured to be located inside the placement surface and away from the substrate.
  • the temperature adjustment unit may be configured to be located inside the placement surface and to contact the substrate. According to this configuration, since the temperature of the substrate is adjusted by the temperature adjustment unit in contact with the substrate, the efficiency of adjusting the temperature of the substrate is increased.
  • the substrate holding mechanism further includes a first support portion that is disposed inside the placement surface and supports the substrate. According to this structure, since the 1st support part contacts the inner side part of the board
  • the first support portion includes a tip portion that contacts the substrate, and the tip portion includes a support suction portion that electrostatically sucks the substrate.
  • the substrate placed on the placement surface is suitably held when the position of the placement surface changes.
  • the holding portion further includes a second support portion that mechanically supports an edge of the substrate.
  • the edge of the substrate is supported by the second support portion, so that the change in the position of the substrate with respect to the placement surface is further suppressed. It is done.
  • a film forming apparatus includes a film forming unit that releases a film forming species toward a substrate, and a mounting surface on which an outer peripheral part of the substrate is mounted, and holds the substrate on the mounting surface
  • a holding unit that changes the position of the mounting surface between a first position facing the film forming unit and a second position different from the first position.
  • the holding unit includes an adsorption unit that electrostatically adsorbs the substrate to at least a part of the mounting surface.
  • the outer peripheral portion of the substrate is placed on the placement surface, and the substrate is attracted to at least a part of the placement surface, so that the force for maintaining the position of the substrate is concentrated on the edge of the substrate.
  • This is suppressed by the surface contact between the substrate and the mounting surface. Therefore, the position of the substrate relative to the mounting surface changes as the posture of the substrate changes compared to holding the substrate only with clamp pieces where the force for maintaining the position of the substrate concentrates on the edge of the substrate, etc. Is suppressed.
  • the temperature of the holding unit may be higher than the temperature at which the adsorption unit can function.
  • the suction portion is located on the mounting surface where the outer peripheral portion of the substrate contacts, the suction portion is compared with the configuration in which the suction portion is located in the other part of the holding portion. An increase in the temperature of the part is suppressed. As a result, a decrease in the function of the suction portion is also suppressed, and as a result, a change in the position of the substrate relative to the placement surface due to a change in the posture of the substrate due to a change in the position of the placement surface is suppressed.
  • the substrate holding method includes mounting the outer peripheral portion of the substrate on a mounting surface whose position can be changed between a first position and a second position different from the first position, Electrostatically adsorbing the substrate to at least a portion of the mounting surface.
  • electrostatically adsorbing the substrate includes adsorbing an outer peripheral portion of the substrate at at least two places on the mounting surface.
  • electrostatically adsorbing the substrate includes starting adsorption of the outer peripheral portion of the substrate at one of at least two locations on the placement surface, and at all of the at least two locations.
  • the method includes sequentially starting the adsorption at each of the at least two locations while maintaining the adsorption at the location where the adsorption is started until the adsorption is performed.
  • electrostatically adsorbing the substrate includes starting attraction of the outer peripheral portion of the substrate at all of at least two locations on the mounting surface, and at least two locations after starting the adsorption. Releasing the adsorption with at least one of the above.
  • the electrostatic chucking of the substrate is canceled by at least one of the at least two locations from a state where the suction is performed at all of at least two locations of the placement surface.
  • the substrate is received on the mounting surface when the mounting surface is in the second position, and is formed when the mounting surface is in the first position.
  • the electrostatic adsorption of the substrate starts the adsorption at one or all of at least two places on the placement surface when the placement surface is in the second position.
  • the suction is released at at least one of at least two locations of the placement surface.
  • At least one of at least two places on the mounting surface is released from the adsorption before the substrate is formed, while the substrate is formed, and the substrate At least one of after the film is formed, including releasing the suction at the first position of the placement surface.
  • the substrate holding method sequentially performs the suction at at least two places on the mounting surface after the substrate is deposited and the mounting surface is returned from the first position to the second position.
  • releasing the adsorption at at least one of at least two locations of the placement surface maintains the attraction at one of at least two locations of the placement surface, And releasing the adsorption at at least one of the remaining two locations.
  • releasing the suction at at least one of at least two places on the placement surface mechanically holds the outer peripheral portion of the substrate by a clamp portion while the suction is released. Including doing.
  • a substrate holding mechanism, a film forming apparatus, and a substrate holding method according to the first embodiment will be described with reference to FIGS.
  • a sputtering apparatus as an example of a film forming apparatus and a substrate holding mechanism provided in the sputtering apparatus will be described.
  • the overall configuration of the sputtering apparatus, the configuration of the sputtering chamber, the configuration of the substrate holding mechanism, and the operation of the sputtering apparatus will be described in order.
  • the sputtering apparatus 10 includes one transfer chamber 11, two load lock chambers 12 connected to the transfer chamber 11, and two sputter chambers 13 connected to the transfer chamber 11.
  • One gate valve 14 is arranged between each load lock chamber 12 and the transfer chamber 11 and between each sputter chamber 13 and the transfer chamber 11.
  • Each gate valve 14 changes the connection path between the transfer chamber 11 and the corresponding chamber between a communication state and a non-communication state.
  • the load lock chamber 12 carries the substrate S to be processed in the sputtering apparatus 10 from the outside to the inside of the sputtering apparatus 10 and carries it out from the inside of the sputtering apparatus 10.
  • the load lock chamber 12 opens the interior of the load lock chamber 12 to the atmosphere without being in communication with the transfer chamber 11.
  • the load lock chamber 12 is connected to the transfer chamber 11 and is reduced to a predetermined pressure together with the transfer chamber 11. Create a space.
  • the sputtering apparatus 10 may be configured to include one load lock chamber 12 or may be configured to include three or more load lock chambers 12.
  • the sputter chamber 13 includes a cathode 15, and a predetermined film is formed on one surface of the substrate S by the cathode 15. When a film is formed on the substrate S, the sputter chamber 13 forms an internal space whose pressure is reduced to a pressure equal to or lower than the pressure inside the transfer chamber 11.
  • Each of the two sputtering chambers 13 of the sputtering apparatus 10 may include a cathode 15 for forming the same film on the substrate S, or a cathode for forming different films on the substrate S. 15 may be provided. Further, the sputtering apparatus 10 may be configured to include one sputtering chamber 13 or may be configured to include three or more sputtering chambers 13.
  • the transfer chamber 11 includes a transfer robot 16 that transfers the substrate S.
  • the transfer robot 16 transfers the substrate S before film formation from the load lock chamber 12 to the sputter chamber 13 through the transfer chamber 11, and after film formation from the sputter chamber 13 to the load lock chamber 12 through the transfer chamber 11.
  • the substrate S is transported.
  • the sputtering apparatus 10 is a chamber other than the load lock chamber 12 and the sputtering chamber 13 described above, for example, a pretreatment chamber for performing processing before forming a film on the substrate S, or after forming a film on the substrate S.
  • a post-processing chamber or the like for performing the above processing may be provided.
  • the sputtering chamber 13 includes a vacuum chamber 13a, and a substrate holding mechanism 20 for holding the substrate S and a cathode 15 for forming a film on the substrate S are arranged inside the vacuum chamber 13a. Has been.
  • the vacuum chamber 13a has a box shape, and has an internal space having a size capable of accommodating the substrate holding mechanism 20 and the cathode 15.
  • the internal space of the vacuum chamber 13a is evacuated by an exhaust unit connected to the vacuum chamber 13a, so that the pressure is reduced to a predetermined pressure, for example, a vacuum.
  • the cathode 15 is fixed to the inner peripheral surface of the vacuum chamber 13a.
  • the cathode 15 is an example of a film forming unit, and includes a backing plate 31 fixed to the inner peripheral surface of the vacuum chamber 13 a and a target 32 fixed to the backing plate 31.
  • the substrate holding mechanism 20 includes a stage 21 on which the substrate S is placed, and a changing unit 22 that changes the position of the stage 21 with respect to the cathode 15.
  • the stage 21 and the changing unit 22 constitute an example of a holding unit.
  • the stage 21 has a placement surface 21S on which the outer peripheral portion of the substrate S is placed.
  • the substrate holding mechanism 20 holds the substrate S placed on the placement surface 21S.
  • the changing unit 22 changes the position of the stage 21 with respect to the cathode 15 between a position where the stage 21 is substantially orthogonal to the cathode 15 and a position where the stage 21 is substantially parallel to the cathode 15. That is, the changing unit 22 changes the position of the stage 21 between a state where the placement surface 21S is positioned substantially along the horizontal direction and a state where the placement surface 21S is positioned substantially along the vertical direction.
  • the placement surface 21 ⁇ / b> S When the stage 21 is in a position substantially parallel to the cathode 15, the placement surface 21 ⁇ / b> S is located at the first position P ⁇ b> 1 facing the cathode 15. On the other hand, when the stage 21 is at a position substantially orthogonal to the cathode 15, the placement surface 21 ⁇ / b> S is located at a second position P ⁇ b> 2 that is different from the first position P ⁇ b> 1 and does not face the cathode 15.
  • the changing unit 22 changes the position of the mounting surface 21S between the first position P1 and the second position P2 by changing the position of the stage 21 with respect to the cathode 15, and the position of the mounting surface 21S is changed.
  • the posture of the substrate S placed on the placement surface 21S changes.
  • the placement surface 21S is at the first position P1
  • the entire substrate S held by the substrate holding mechanism 20 is covered with the target 32 in the direction in which the substrate S and the target 32 face each other. That is, the area of the substrate S is smaller than the area of the target 32.
  • the changing unit 22 positions the placement surface 21S at the first position P1 where the placement surface 21S of the stage 21 and the cathode 15 face each other. Then, a predetermined sputtering gas is supplied into the vacuum chamber 13 a, and then a voltage is applied to the target 32 from the power source connected to the backing plate 31 through the backing plate 31.
  • FIG. 3 for convenience of illustration, only the planar structure of the stage 21 of the substrate holding mechanism 20 is shown, and the outer peripheral portion of the substrate S held by the substrate holding mechanism 20 is indicated by a two-dot chain line.
  • the upper side in the direction orthogonal to the paper surface is the upper side in the vertical direction.
  • the stage 21 has a rectangular plate shape when viewed from the direction facing the mounting surface 21 ⁇ / b> S, and the substrate S placed on the mounting surface 21 ⁇ / b> S has a rectangular plate shape smaller than the stage 21.
  • each of the stage 21 and the substrate S may have a shape different from the rectangular shape, for example, a circular shape or a polygonal shape when viewed from the direction facing the placement surface 21S.
  • the stage 21 includes a facing surface 21a that faces the cathode 15 when the mounting surface 21S is located at the first position P1.
  • the placement surface 21S is defined as a portion of the facing surface 21a on which the outer peripheral portion Sa of the substrate S is placed.
  • the outer peripheral portion Sa of the substrate S is a band-shaped portion having a predetermined width including the outer peripheral edge of the substrate S. That is, the outer peripheral portion Sa of the substrate S has a rectangular ring shape surrounding the central portion of the substrate S.
  • the stage 21 has a rectangular plate shape, and the opposing surface 21a of the stage 21 is a substantially flat surface. Therefore, almost the entire inner portion of the facing surface 21a surrounded by the mounting surface 21S is in contact with a part of the non-film-forming surface of the substrate S. In other words, the mounting surface 21S and the inner portion surrounded by the mounting surface 21S out of the facing surface 21a of the stage 21 are in contact with the substrate S.
  • the substrate holding mechanism 20 further includes an adsorbing portion 23 that electrostatically adsorbs the substrate S to at least a part of the placement surface 21S.
  • the placement surface 21S includes first to fourth side portions 21Sa to 21Sd corresponding to the four sides of the outer peripheral portion Sa of the substrate S. In a state where the stage 21 is positioned substantially along the vertical direction, the first side portion 21Sa of the placement surface 21S is in contact with substantially the entire upper end of the substrate S in the vertical direction, and the second side portion 21Sb is approximately the lower end of the substrate S.
  • the third side portion 21Sc is in contact with substantially the entire right end of the substrate S in the vertical direction, and the fourth side portion 21Sb is in contact with substantially the entire left end of the substrate S.
  • the adsorption part 23 includes a first part 23a provided on the first side part 21Sa of the placement surface 21S and a second part 23b provided on the second side part 21Sb.
  • the first portion 23a and the second portion 23b of the suction portion 23 are respectively connected to the first side portion 21Sa and the second side portion 21Sb of the placement surface 21S corresponding to the upper end and the lower end of the substrate S in the example of FIG.
  • the arrangement of the suction portion 23 is not limited to this.
  • the suction portion 23 instead of the first and second portions 23a and 23b, the suction portion 23 includes a third portion provided on the third side portion 21Sc of the placement surface 21S corresponding to the right end of the substrate S, and the left end of the substrate S.
  • the adsorbing portion 23 includes the third and fourth portions together with the first and second portions 23a and 23b, and adsorbs the first to fourth side portions 21Sa to 21Sd corresponding to the upper, lower, left and right ends of the substrate S, respectively. May be arranged.
  • the substrate S When the mounting surface 21S of the stage 21 is positioned at the first position P1, the substrate S is in a state of being positioned substantially along the vertical direction. Therefore, due to the weight of the substrate S, the upper end of the substrate S moves downward in the vertical direction, and the lower end of the substrate S also tries to move downward in the vertical direction.
  • the suction portion 23 includes the first side portion 21Sa of the placement surface 21S corresponding to substantially the entire upper end of the substrate S in the vertical direction, and the first of the placement surface 21S corresponding to substantially the entire lower end of the substrate S.
  • the configuration located at the two side portions 21Sb is a preferable configuration for suppressing the movement of the substrate S as described above.
  • the adsorption part 23 constitutes a part of the facing surface 21a, that is, a part of the placement surface 21S. Therefore, when the outer peripheral portion Sa of the substrate S is placed on the placement surface 21S, the outer peripheral portion Sa of the substrate S and the suction portion 23 are in direct surface contact.
  • the substrate S with respect to the mounting surface 21S is changed as the posture of the substrate S is changed as compared with the holding of the substrate S only by the clamp piece where the force for maintaining the position of the substrate S is concentrated on the edge of the substrate S or the like. It is possible to prevent the position of S from changing. Furthermore, since the electrostatic force of the adsorption part 23 acts directly on the substrate S, the substrate S is easily adsorbed by the adsorption part 23.
  • the entire surface of the adsorption unit 23 does not have to be in direct contact with the substrate S.
  • a part of the surface of the adsorption unit 23 is covered with an adhesion-preventing plate for preventing deposition of film forming species. It may be.
  • the suction part 23 Even if the suction part 23 has a configuration in which the entire surface of the suction part 23 is not in direct contact with the substrate S, the suction part 23 only needs to be configured to generate an electrostatic force sufficient to suck the substrate S placed on the placement surface 21S. .
  • the suction unit 23 is, for example, an electrostatic chuck that sucks the substrate S by electrostatic force.
  • the adsorption unit 23 may be a monopolar electrostatic chuck or a bipolar electrostatic chuck.
  • the attracting unit 23 may be an electrostatic chuck that attracts the substrate S by a Coulomb force, an electrostatic chuck that attracts the substrate S by a Johnson-Rahbek force, or a substrate S by a gradient force. It may be an electrostatic chuck that adsorbs.
  • the changing unit 22 receives the substrate S before film formation from the transport robot 16, the changing unit 22 moves the stage 21 to a state substantially orthogonal to the cathode 15 to position the mounting surface 21 ⁇ / b> S at the second position P ⁇ b> 2.
  • the first and second portions 23 a and 23 b of the suction unit 23 that is, all the suction units 23
  • the change unit 22 moves the stage 21.
  • the mounting surface 21S is moved to a state substantially parallel to the cathode 15 so as to be positioned at the first position P1.
  • the change unit 22 keeps the stage 21 substantially parallel to the cathode 15 from the start to the end of film formation on the substrate S.
  • the changing unit 22 moves the stage 21 to a state substantially orthogonal to the cathode 15 to position the placement surface 21S again at the second position P2. Then, the first and second portions 23a and 23b of the suction unit 23 release the suction of the substrate S.
  • the formed substrate S is transferred to the transfer robot 16. All the adsorbing portions 23 adsorb the outer peripheral portion Sa of the substrate S until they are unloaded from the substrate holding mechanism 20 to the transfer chamber 11.
  • the temperature at the central portion of the facing surface 21a that overlaps the central portion of the substrate S increases.
  • the temperature of the opposing surface 21a may become higher than the heat-resistant temperature of the structural member of the adsorption
  • the constituent member of the attracting portion 23 forms an electrostatic chuck surface, and an insulating layer in which an electrode is embedded, And a base portion for supporting the insulating layer.
  • a resin such as polyimide is used as a material for forming the insulating layer, and aluminum is used as a material for forming the base portion.
  • the heat-resistant temperature of these forming materials is, for example, about 200 ° C., and the heat-resistant temperature is a temperature at which the shape of the constituent members can be maintained and the mechanical function can be maintained.
  • the adsorption part 23 receives heat during the film forming process and the temperature of the adsorption part 23 becomes higher than the heat resistance temperature of the constituent members, the insulating layer is peeled off from the base part or the base part is deformed.
  • the function of the suction unit 23 to stably hold the substrate S is reduced, that is, the function of the suction unit 23 is reduced.
  • the suction portion 23 is located on the placement surface 21S in contact with the outer peripheral portion Sa of the substrate S, compared to the configuration in which the suction portion 23 is located at the other part of the facing surface 21a, It is suppressed that the temperature of the adsorption part 23 increases. That is, the temperature of the portion of the facing surface 21a where the suction portion 23 is located is unlikely to be higher than the heat resistance temperature of the constituent members of the suction portion 23, so the temperature of the suction portion 23 is higher than the heat resistance temperature of the constituent members of the suction portion 23. It becomes possible to suppress that the function of the adsorption
  • the following effects can be obtained. (1) Since the outer peripheral portion Sa of the substrate S is placed on the placement surface 21S, and the substrate S is attracted to at least a part of the placement surface 21S, a force for maintaining the position of the substrate S is applied to the edge of the substrate S. Concentration on the surface is suppressed by surface contact between the substrate S and the mounting surface 21S. Therefore, the substrate S with respect to the mounting surface 21S is changed as the posture of the substrate S is changed as compared with the holding of the substrate S only by the clamp piece where the force for maintaining the position of the substrate S is concentrated on the edge of the substrate S or the like. It is possible to prevent the position of S from changing.
  • the first embodiment described above can be implemented with appropriate modifications as follows.
  • maintenance mechanism 20 may be provided with the temperature control part which adjusts the temperature of the board
  • the temperature control unit may include a surface located on the same plane as the mounting surface 21S, so that the temperature control unit may be in direct contact with the substrate S, or the entire temperature control unit is inside the stage 21.
  • the temperature control part may be in contact with the substrate S indirectly through the stage 21. With reference to FIG. 4 and FIG. 5, an example of a configuration in which the temperature adjustment unit is in direct contact with the substrate S will be described.
  • the metal stage 21 has a groove portion 21c recessed from the facing surface 21a on the inner side of the mounting surface 21S.
  • the groove portion 21c is made of metal that closes the water channel 21c1 and the opening of the water channel 21c1. It is comprised from the groove
  • a heat medium that is a heating medium or a refrigerant is supplied to the water channel 21c1.
  • the depth of the lid groove 21c2 along the vertical direction is substantially equal to the thickness of the lid member 24a, and the lid member 24a is positioned on the same plane as the placement surface 21S by being fitted into the lid groove 21c2.
  • the portion of the stage 21 in which the water channel 21c1 is partitioned functions as a temperature adjustment portion 21d that is heated or cooled by the heat medium. Therefore, in the substrate holding mechanism 20 including such a stage 21, the temperature adjustment portion 21 d and the lid member 24 a constitute a temperature adjustment unit 24 that is integral with the stage 21.
  • FIG. 5 shows a configuration example of another temperature control unit 24.
  • the placement surface 21S of the substrate holding mechanism 20 has an annular shape when viewed from the direction facing the placement surface 21S.
  • one recess 21 b that is recessed from the facing surface 21 a is formed in a portion of the facing surface 21 a that is located on the inner side of the placement surface 21 ⁇ / b> S.
  • the temperature control part 24 is located inside the recess 21b and has substantially the same size as the space defined by the recess 21b. Therefore, the upper surface of the temperature control part 24 is located on the same plane as the placement surface 21S.
  • the temperature control unit 24 includes a metal base 24b that is a separate body from the stage 21, and the base 24b has a water channel 24c to which a heat medium is supplied.
  • the size of the base 24b in plan view may be smaller than the space defined by the recess 21b. That is, the temperature control unit 24 may be in a size having a gap between the temperature control unit 24 and the inner wall surface of the stage 21 that partitions the depression 21b while contacting the substrate S.
  • the temperature control unit 24 that is a separate body from the stage 21 may be configured to include a base and a lid member.
  • the base has a water channel that opens to one surface of the base. The lid member closes the opening of the water channel.
  • the temperature control unit 24 is configured to be located inside the mounting surface 21S and in contact with the substrate S, the following effects are provided. Can be obtained. (3) Since the temperature of the substrate S is adjusted by the temperature adjustment unit 24 in contact with the substrate S, the temperature adjustment efficiency of the substrate S is increased.
  • the adsorption unit 23 is configured such that when the placement surface 21S is located at the first position P1, the substrate S is placed at a plurality of adsorption sites arranged at intervals on the first side portion 21Sa of the placement surface 21S in contact with the upper end of the substrate S.
  • sucks may be sufficient.
  • the adsorbing unit 23 is configured such that when the mounting surface 21S is located at the first position P1, the substrate is placed at a plurality of adsorbing sites arranged at intervals on the second side portion 21Sb of the mounting surface 21S that is in contact with the lower end of the substrate S.
  • sucks S may be sufficient.
  • the suction unit 23 is configured to suck the substrate S at a plurality of suction sites discretely located on the first side 21Sa of the placement surface 21S, and discretely on the second side 21Sb of the placement surface 21S. It may be implemented in combination with a configuration in which the substrate S is adsorbed at a plurality of adsorbing sites located at the same position.
  • suction part 23 is, for example, several static electricity along each of the 1st side part 21Sa and 2nd side part 21Sb of the mounting surface 21S. It can be embodied as a configuration in which the electric chucks are arranged at intervals.
  • the adsorbing unit 23 is configured such that when the placement surface 21S is located at the first position P1, the first side portion 21Sa of the placement surface 21S in contact with the upper end of the substrate S and the first of the placement surface 21S in contact with the lower end of the substrate S.
  • the third side portion 21Sc of the placement surface 21S in contact with the right end of the substrate S and the fourth side of the placement surface 21S in contact with the left end of the substrate S The substrate S may be electrostatically attracted by the portion 21Sd.
  • the attracting portion 23 may be configured such that one or more electrostatic chucks are positioned on each of the first to fourth side portions 21Sa to 21Sd of the placement surface 21S.
  • suction part 23 may be comprised by one electrostatic chuck which can adsorb
  • the cathode 15 may not be fixed to the vacuum chamber 13a, and the cathode 15 is a cathode transport mechanism that changes the position of the cathode 15 relative to the substrate S when the placement surface 21S is located at the first position P1.
  • the structure provided may be sufficient.
  • the width along the transport direction of the cathode 15, that is, one direction of the four sides of the substrate S is smaller than that of the substrate S. preferable.
  • suction part 23 may be the structure in which the 1st part 23a and the 2nd part 23b can adsorb
  • the first portion 23a of the suction unit 23 maintains the suction of the substrate S in a state where the changing unit 22 positions the placement surface 21S at the first position P1 or the second position P2.
  • the second portion 23b may once cancel the adsorption of the substrate S.
  • the suction portion 23 may be sucked in a state of protruding from the placement surface 21S (that is, a state where the substrate S is deformed). Further, film stress is generated by the formation of a film on the substrate S, and the substrate S placed on the placement surface 21S may be deformed. Thus, the substrate S may be deformed before and after the film is formed on the substrate S. Even in such a case, the change of the substrate S can be performed by once releasing the adsorption of the substrate S by the second portion 23b in a state where the changing unit 22 positions the placement surface 21S at the first position P1 or the second position P2.
  • the substrate S placed on the placement surface 21S can be held without bending.
  • the first portion 23a of the suction portion 23 maintains the suction of the substrate S while the changing portion 22 positions the placement surface 21S at the first position P1 or the second position P2, while the second portion 23b.
  • the substrate S may be adsorbed again.
  • the adsorption of the substrate S by the second portion 23b of the adsorption unit 23 is once released, and the substrate S is adsorbed again. It becomes possible to adsorb the substrate S without bending after eliminating the deformation of the substrate S placed on the surface 21S.
  • the first portion 23a of the suction portion 23 may maintain the suction of the substrate S, while the second portion 23b may release the suction of the substrate S. Then, after the formation of the film on the substrate S is completed, the second portion 23b may adsorb the substrate S again in a state where the changing unit 22 positions the mounting surface 21S at the first position P1. . Thereby, even if the substrate S is deformed by heat input to the substrate S, the adsorption of the substrate S by the second portion 23b is released, so the substrate S is deformed along the mounting surface 21S (heat stretched). ), A flat state can be maintained with respect to the mounting surface 21S.
  • the substrate S placed on the placement surface 21S can be adsorbed without bending while the substrate S is flat.
  • Such a configuration is effective even when the temperature of the substrate S is adjusted by the temperature adjustment unit 24 and the substrate S is thermally deformed in a state where the mounting surface 21S is located at the second position P2.
  • the first portion 23a of the adsorption unit 23 maintains the adsorption of the substrate S, while the second portion 23b releases the adsorption of the substrate S. Therefore, the substrate S is deformed (thermally stretched) along the placement surface 21S, and a flat state with respect to the placement surface 21S can be maintained.
  • the deformation of the substrate S is eliminated while the second portion 23b releases the adsorption of the substrate S by utilizing the thermal elongation of the substrate S generated during temperature adjustment. Then, after the deformation of the substrate S is eliminated, the substrate S is adsorbed by the second portion 23b.
  • the substrate S may be sucked only from the first portion 23a of the suction portion 23 from the beginning. That is, it is not necessary to suck the substrate S by the whole suction part 23 from the beginning.
  • suction is started only with a part of the suction portions 23 (for example, the first portion 23a in FIG. 3), and then in order.
  • the remaining suction unit 23 also starts to suck the substrate S, so that the substrate S can be held flat while the deformation of the substrate S is eliminated.
  • Such a configuration is also effective when releasing the adsorption of the substrate S after film formation.
  • the substrate S after film formation may be deformed while being placed on the placement surface 21S at the second position P2.
  • the deformation of the substrate S is canceled at the same time as the release of the suction, so that the positional deviation such as the substrate S slips with respect to the mounting surface 21S. May occur.
  • the sputtering apparatus may be configured to transfer the substrate S in a state where the substrate S is set up substantially in the vertical direction.
  • FIG. 6 shows a schematic configuration of the sputtering apparatus as viewed from the direction facing the upper end of the substrate S.
  • the substrate holding mechanism 40 may include a tray 41 that holds the substrate S, a transport unit 42 that transports the tray 41 along the transport direction D, and a suction unit 23.
  • a placement surface 41S on which the outer peripheral portion Sa of the substrate S is placed is formed on one surface of the tray 41, and the suction portion 23 electrostatically attracts the substrate S to at least a part of the placement surface 41S. .
  • the transport unit 42 holds the tray 41 with the tray 41 substantially along the vertical direction.
  • the transport unit 42 moves the tray 41 along the transport direction D from a position where the tray 41 and the cathode 15 fixed in the vacuum chamber 13 a of the sputtering chamber 13 do not face to a position where the tray 41 and the cathode 15 face each other.
  • Transport Further, the transport unit 42 transports the tray 41 along the transport direction D from a position where the tray 41 and the cathode 15 face each other to a position where the tray 41 and the cathode 15 do not face each other.
  • the placement surface 41S is positioned at the first position P1 facing the cathode 15.
  • the placement surface 41S is located at a second position P2 different from the first position P1.
  • the transport unit 42 may fix the position of the substrate S with respect to the cathode 15 when a film is formed on the substrate S held on the tray 41, and the position of the substrate S with respect to the cathode 15 may be set in the transport direction D. You may change along.
  • the substrate holding mechanism 50 may include a tray 51 that holds the substrate S, a reversing unit 52 that reverses the tray 51, and a suction unit 23.
  • a placement surface 51S on which the outer peripheral portion Sa of the substrate S is placed is formed on one surface of the tray 51, and the suction portion 23 electrostatically attracts the substrate S to at least a part of the placement surface 51S. .
  • the reversing unit 52 reverses the tray 51 around the rotation axis along the horizontal direction, so that the substrate S is positioned above the tray 51 and the substrate S is positioned below the tray 51.
  • the placement surface 51S is located at a first position facing the film forming unit (cathode 15).
  • the placement surface 51S is located at a second position that is different from the first position and does not face the film forming unit (cathode 15).
  • the placement surface 51 ⁇ / b> S of the substrate holding mechanism 50 is located at a first position facing the film forming unit (cathode 15) in a state where the substrate S is located below the tray 51, while the substrate S is located on the tray 51.
  • the structure located in the 2nd position which does not oppose the film-forming part (cathode 15) in the state located upward may be sufficient.
  • the film forming apparatus is not limited to the above-described sputtering apparatus, and may be any apparatus that can form a predetermined film on one surface of the substrate S, such as a vacuum evaporation apparatus.
  • the substrate holding mechanism is not limited to that provided in the film forming apparatus such as the sputtering apparatus described above, and may be embodied as a substrate holding mechanism provided in another substrate processing apparatus, for example, an etching apparatus or a laser irradiation apparatus. . -The structure of 1st Embodiment and the modification of 1st Embodiment can also be implemented combining suitably.
  • FIG. 8 a substrate holding mechanism, a film forming apparatus, and a substrate holding method according to the second embodiment will be described.
  • a sputtering apparatus as an example of a film forming apparatus and a substrate holding mechanism provided in the sputtering apparatus will be described.
  • the second embodiment differs from the first embodiment described above in the configuration around the mounting surface in the substrate holding mechanism. Therefore, in the following, such differences will be described in detail, while in the second embodiment, the same reference numerals as those in the first embodiment are assigned to the same components as those in the first embodiment, and detailed description thereof will be omitted.
  • the configuration of the substrate holding mechanism 20 will be described with reference to FIG. In FIG. 8, the illustration of the changing unit 22 of the substrate holding mechanism 20 is omitted for convenience of illustration.
  • the mounting surface 21S of the substrate holding mechanism 20 has an annular shape when viewed from the direction facing the mounting surface 21S, and the inside of the mounting surface 21S is hollow. That is, in the stage 21 of the substrate holding mechanism 20, one recess 21 b that is recessed from the facing surface 21 a is formed in the portion of the facing surface 21 a inside the placement surface 21 ⁇ / b> S. Therefore, the non-film-forming surface opposite to the film-forming surface of the substrate S facing the cathode 15 is in contact with the mounting surface 21S of the stage 21, but is not in contact with the stage 21 at a portion other than the mounting surface 21S. .
  • the substrate S does not contact the stage 21 of the substrate holding mechanism 20 at a portion other than the placement surface 21S, particles including the sputtered particles Sp and the like are present in the contact region between the substrate S and the stage 21. It is suppressed that it is pinched by. Therefore, the non-deposition surface of the substrate S is suppressed from being contaminated or damaged by particles.
  • the substrate holding mechanism 20 further includes a temperature adjustment unit 24 that adjusts the temperature of the substrate S, and the temperature adjustment unit 24 is configured to be located inside the placement surface 21S and away from the substrate S. That is, the temperature control unit 24 is located inside the placement surface 21S and inside the recess 21b. In the state where the stage 21 is positioned substantially along the horizontal direction, the depth of the recess 21b along the vertical direction is larger than the width of the temperature adjustment unit 24 along the vertical direction. It is not in contact with the non-deposition surface. For this reason, since the temperature of the substrate S is adjusted by the radiant heat of the temperature adjustment unit 24 located away from the substrate S, variations in temperature distribution in the surface of the substrate S can be suppressed.
  • the following effects can be obtained. (4) Since the particles are prevented from being sandwiched between the substrate S and the stage 21, it is possible to suppress the non-deposition surface of the substrate S from being contaminated or damaged by the particles. (5) Since the temperature of the substrate S is adjusted by the radiant heat of the temperature control unit 24 located away from the substrate S, variations in temperature distribution in the surface of the substrate S can be suppressed.
  • the temperature control unit 24 includes a first surface (the lower surface in FIG. 9) that contacts the stage 21 and a second surface (the upper surface in FIG. 9) that is located on the opposite side and faces the substrate S. ).
  • a plurality of pads 61 may be positioned on the second surface of the temperature control unit 24.
  • each pad 61 is an example of a first support portion.
  • the plurality of pads 61 are made of resin, and heat conduction through the pads 61 hardly occurs between the temperature adjustment unit 24 and the substrate S. Therefore, the temperature adjustment unit 24 adjusts the temperature of the substrate S by the radiant heat of the temperature adjustment unit 24.
  • the thickness of the pad 61 is substantially equal to the distance from the second surface of the temperature control unit 24 to the opposing surface 21a of the stage 21, and the pad 61 is an end surface (tip portion) located on the same plane as the placement surface 21S. have. Therefore, when the substrate S is placed on the placement surface 21 ⁇ / b> S, the end surface of each pad 61 is in contact with the substrate S.
  • the pad 61 supports the inner portion of the substrate S that faces the recess 21b, thereby suppressing the inner portion of the substrate S from being bent toward the temperature control unit 24.
  • the temperature adjustment unit 24 may be omitted. Even with such a configuration, as long as the recess 21b is formed in the stage 21, it is possible to obtain the effect according to the above-described (4). -Each structure of 2nd Embodiment and the modification of 2nd Embodiment can also be implemented in combination with each structure of the modification of 1st Embodiment suitably.
  • a substrate holding mechanism, a film forming apparatus, and a substrate holding method according to the third embodiment will be described with reference to FIGS.
  • a sputtering apparatus as an example of a film forming apparatus and a substrate holding mechanism provided in the sputtering apparatus will be described.
  • the third embodiment differs from the second embodiment described above in that the substrate holding mechanism includes a support portion that supports the substrate. Therefore, in the following, such differences will be described in detail, while the same components as those in the second embodiment are denoted by the same reference numerals, and detailed description thereof is omitted.
  • FIG. 10 for convenience of illustration, only the planar structure of the stage 21 of the substrate holding mechanism 20 is shown as in FIG. 3, and the outer peripheral portion Sa of the substrate S held by the substrate holding mechanism 20 is indicated by a two-dot chain line. It is shown.
  • the upper side in the direction orthogonal to the paper surface is the upper side in the vertical direction.
  • the illustration of the changing unit 22 of the substrate holding mechanism 20 is omitted as in FIG. 6.
  • FIG. 12 for convenience of explanation, a part of the substrate S and a part of the support part are schematically shown.
  • the substrate holding mechanism 20 further includes a support portion 70 that is an example of a first support portion, and the support portion 70 is disposed inside the placement surface 21 ⁇ / b> S and supports the substrate S.
  • the substrate holding mechanism 20 includes a plurality of support portions 70, for example, four support portions 70, and each support portion 70 is located inside the recess 21b.
  • the support portion 70 supports the substrate S by having its tip portion in contact with the non-film-forming surface of the substrate S.
  • the support unit 70 supports the inner part of the substrate S located inside the placement surface 21S, thereby suppressing the inner part of the substrate S from being bent. That is, the support portion 70 prevents the inner portion of the substrate S facing the recess 21b from being bent toward the bottom of the recess 21b.
  • the hollow 21b is a rectangular hole with a bottom, and each support portion 70 is arranged at each of the four corners of the rectangular hole.
  • the four support parts 70 surround the temperature control part 24 located inside the recess 21b. That is, the four support portions 70 are disposed outside the temperature adjustment portion 24 in a space surrounded by the depression 21b in a plan view facing the facing surface 21a of the stage 21.
  • each support part 70 may be arrange
  • each support part 70 may be arrange
  • the recess 21b may be a hole other than the rectangular hole, for example, a circular hole.
  • each support part 70 should just be arrange
  • the substrate holding mechanism 20 may include three or less support portions 70, or may include five or more support portions 70.
  • each support portion 70 has a column shape extending along one direction, and when the placement surface 21 ⁇ / b> S of the stage 21 is substantially along the horizontal direction, each support portion 70 is , Extending substantially along the vertical direction.
  • the bottom portion of the recess 21b is a flat surface having a rectangular shape, the base end portion 70b of the support portion 70 is located at the bottom portion of the recess 21b, and the support portion 70 extends from the bottom portion of the recess 21b toward the opening of the recess 21b.
  • the support part 70 has substantially the same length as the depth of the recess 21 b, and the tip part 70 a of the support part 70 is in contact with the non-film-forming surface of the substrate S.
  • the distal end portion 70a of the support portion 70 includes a support adsorption portion 71 that electrostatically adsorbs the substrate S.
  • the portion of the support portion 70 other than the support suction portion 71 is a support column 72 that supports the support suction portion 71. Since the support unit 70 includes the support adsorption unit 71, a part of the substrate S is adsorbed by the support adsorption unit 71. Therefore, it becomes easier to hold the substrate S placed on the placement surface 21S.
  • the support suction part 71 is, for example, an electrostatic chuck, and preferably has a suction function similar to that of the suction part 23 described above.
  • the support adsorption part 71 has the front-end
  • suction part 71 may be located inside the support pillar 72 of the support part 70, and the support pillar 72 may contact the board
  • the following effects can be obtained. (6) Since the support portion 70 is in contact with the inner portion of the substrate S located on the inner side of the placement surface 21S, the inner portion of the substrate S can be prevented from being bent.
  • the substrate 21 Since a part of the substrate S is adsorbed by the support adsorption unit 71, the substrate 21 is also placed on the placement surface 21S even when the position of the placement surface 21S changes between the first position P1 and the second position P2.
  • the placed substrate S can be suitably held.
  • the third embodiment described above can be implemented with appropriate modifications as follows. As long as the substrate holding mechanism 20 includes a plurality of support portions 70, only a part of the support portions 70 among the plurality of support portions 70 may include the support adsorption portions 71.
  • the support adsorption part 71 with which the support part 70 is provided may be omitted. Even if it is such a structure, as long as the board
  • the temperature adjustment unit 24 may be omitted. Even if it is such a structure, as long as the board
  • the configurations of the third embodiment and the modified example of the third embodiment can be implemented in appropriate combination with the configurations of the modified example of the first embodiment and the modified example of the second embodiment.
  • a film forming apparatus, a substrate holding mechanism, and a substrate holding method according to a fourth embodiment will be described with reference to FIGS.
  • a sputtering apparatus as an example of a film forming apparatus and a substrate holding mechanism provided in the sputtering apparatus will be described.
  • the fourth embodiment differs from the first embodiment described above in that the substrate holding mechanism includes a clamp portion. Therefore, in the following, such differences will be described in detail, while the same components as those in the first embodiment are denoted by the same reference numerals, and detailed description thereof will be omitted.
  • FIG. 13 shows a configuration in which the clamp portion and the substrate are viewed from the direction facing the end surface of the substrate, and the schematic configuration of the clamp portion and a part of the substrate S is shown in an enlarged manner. .
  • the substrate holding mechanism 20 includes a suction unit 23, and the suction unit 23 has a first surface 21 ⁇ / b> S in contact with the upper end of the substrate S in a state where the placement surface 21 ⁇ / b> S is located at the first position P ⁇ b> 1.
  • the substrate S is electrostatically attracted to the one side portion 21Sa. That is, the suction surface of the suction portion 23 is exposed at the first side portion 21Sa of the placement surface 21S.
  • the entire suction unit 23 may be located inside the stage 21.
  • the substrate holding mechanism 20 has a function of positioning the mounting surface 21S at the first position P1 substantially along the vertical direction as described above.
  • the substrate holding mechanism 20 further includes a clamp portion 81 that is an example of a second support portion, and the clamp portion 81 is located at the lower end in the vertical direction of the substrate S with the placement surface 21S positioned substantially along the vertical direction.
  • the substrate S is pressed toward the placement surface 21S. That is, the clamp unit 81 mechanically supports the substrate S by contacting the edge of the substrate S.
  • the substrate holding mechanism 20 includes a plurality of clamp portions 81, for example, three clamp portions 81, and the three clamp portions 81 are arranged at a lower end of the substrate S at a predetermined interval.
  • the substrate holding mechanism 20 may be configured to include two or less clamp portions 81, or may be configured to include four or more clamp portions 81.
  • the clamp unit 81 includes a holding position where the distance between the clamp unit 81 and the stage 21 is small, the clamp unit 81 and the stage 21 by a position changing unit that changes the position of the clamp unit 81 with respect to the stage 21. It is changed to the non-holding position where the distance between is large.
  • the clamp part 81 located at the holding position is indicated by a solid line, while the clamp part 81 located at the non-holding position is indicated by a two-dot chain line.
  • the clamp portion 81 When the outer peripheral portion Sa of the substrate S is placed on the placement surface 21S and removed from the placement surface 21S, the clamp portion 81 is located at the non-holding position. On the other hand, when the substrate S is held on the stage 21, the clamp portion 81 is located at the holding position.
  • the lower end of the substrate S When the clamp part 81 is located at the holding position, the lower end of the substrate S may be in contact with the clamp part 81, or a gap may be formed between the lower end of the substrate S and the clamp part 81.
  • the lower end of the substrate S is supported by the clamp portion 81 when the placement surface 21S is located at the first position P1. Further, even if the substrate S tries to move downward in the vertical direction due to its own weight, the lower end of the substrate S is in contact with the clamp portion 81, which is preferable in that the position of the substrate S is not easily displaced downward.
  • stage 21 and the substrate S when the placement surface 21S is located at the second position P2 are indicated by a two-dot chain line, while the placement surface 21S is located at the first position P1.
  • stage 21 and the substrate S are indicated by solid lines.
  • the change unit 22 changes the position of the placement surface 21 ⁇ / b> S to the second position in a state where the outer peripheral portion Sa of the substrate S is placed on the placement surface 21 ⁇ / b> S. Change from P2 to the first position P1.
  • the substrate S is in a state of standing substantially along the vertical direction, so that the weight of the substrate S is applied to the lower end of the substrate S.
  • the lower end of the substrate S is pressed against the placement surface 21S by the clamp portion 81 and is mechanically held by the clamp portion 81. And since the lower end surface of the board
  • the position of the placement surface 21S is changed from the second position P2 to the second position P2.
  • the lower end of the substrate S may move downward in the vertical direction due to its own weight.
  • the position of the substrate S with respect to the placement surface 21S can be suppressed from greatly changing. As described above, according to the fourth embodiment, the following effects can be obtained.
  • the adsorption unit 23 Before the film is formed on the substrate S, the adsorption unit 23 once removes the adsorption of the substrate S in a state where the changing unit 22 positions the mounting surface 21S at the first position P1, and then adsorbs the substrate S again. May be. Thereby, for example, when the substrate S is adsorbed in a state where a gap is formed between the lower end surface of the substrate S and the clamp portion 81, the adsorption unit 23 once releases the adsorption of the substrate S, whereby the substrate It becomes possible to make the lower end surface of S contact the clamp part 81.
  • the suction portion 91 may be configured to electrostatically suck the substrate S at a portion of the mounting surface 21 ⁇ / b> S that is in contact with the lower end of the substrate S except for a portion overlapping the clamp portion 81. . That is, the lower end of the outer peripheral portion Sa of the substrate S may be configured to be held on the placement surface 21S by both the clamp portion 81 and the suction portion 91.
  • suction part 91 may be arrange
  • FIG. According to such a configuration, when the placement surface 21S is located at the first position P1, in the part of the placement surface 21S, the clamp portion 81 and a portion of the suction portion 91 are aligned along the vertical direction. Yes.
  • the position of the lower end of the substrate S with respect to the mounting surface 21S is less likely to change even if the position of the mounting surface 21S changes.
  • the clamp part 81 and the suction part 91 may be arranged along the lower end of the substrate S. Even in such a configuration, the position of the lower end of the substrate S relative to the mounting surface 21S is changed as the position of the mounting surface 21S changes compared to a configuration in which the lower end of the substrate S is supported only by the clamp portion 81. It becomes difficult to change. In such a configuration, before the film is formed on the substrate S, after the suction portions 23 and 91 once release the suction of the substrate S in a state where the changing portion 22 positions the placement surface 21S at the first position P1, The substrate S may be adsorbed again.
  • the adsorption unit 23 once releases the adsorption of the substrate S, whereby the substrate It becomes possible to make the lower end surface of S contact the clamp part 81. Therefore, the position of the substrate S with respect to the mounting surface 21S can be adjusted to a predetermined position using the clamp unit 81. Alternatively, only the suction unit 91 may temporarily suck the substrate S and then suck the substrate S again.
  • the substrate placed on the placement surface 21S is once released by temporarily removing the suction of the substrate S by the suction portion 91. S can be adsorbed without bending.
  • the substrate holding mechanism 20 may further include an upper end clamp portion that presses the upper end of the substrate S toward the placement surface 21S, and the side end (right end or left end) of the substrate S faces the placement surface 21S. You may further provide the side edge clamp part (right end clamp part or left end clamp part) to press. Further, in the configuration including the upper end clamp portion, the upper end clamp portion and the suction portion may be arranged along the upper end of the substrate S. Further, the suction portion electrostatically sucks the substrate S over the entire portion (first side portion 21Sa) of the mounting surface 21S that is in contact with the upper end of the substrate S except for the portion overlapping the upper end clamp portion. Also good.
  • the side end clamp portion and the suction portion may be arranged along the side end of the substrate S.
  • the substrate S is electrostatically applied to the entire portion (second side portion 21Sc or third side portion 21Sd) of the mounting surface 21S that contacts the side end of the substrate S except for the portion where the suction portion overlaps the side end clamp portion.
  • sucks automatically may be sufficient.
  • the clamp part 81 and an upper end clamp part are examples of a 2nd support part, and in addition to the clamp part 81, a side end clamp part is used. If it is the composition provided, the clamp part 81 and the side end clamp part are examples of the 2nd support part.
  • the substrate holding mechanism 20 may be configured to include at least one of the upper end clamp portion and the side end clamp portion while not including the clamp portion 81 in the fourth embodiment described above.
  • at least one of the upper end clamp part and the side end clamp part is an example of the second support part.
  • the second support unit is not limited to the configuration in which the substrate S is pressed between the mounting surface 21S of the stage 21 by pressing the substrate S against the mounting surface 21S as in the clamp unit 81 described above.
  • the configuration may be such that the edge of the substrate S is mechanically supported by contacting the edge of the substrate S without pressing the substrate S against the surface 21S.
  • the second support portion can suppress the position of the substrate S from being changed along the facing surface 21 a of the stage 21 by supporting the edge of the substrate S.
  • the second support portion includes a portion that prevents the edge of the substrate S from being deformed so as to be separated from the placement surface 21S.
  • the edge of the substrate S may be thermally deformed so as to be lifted from the mounting surface 21S due to heat input to the substrate S.
  • the second support portion includes a portion that prevents the second support portion from being deformed away from the placement surface 21 ⁇ / b> S, the edge of the substrate can be suppressed from rising.
  • the position of the substrate S with respect to the substrate holding mechanism 20 can be prevented from being displaced by both the suction portion 23 and the second support portion as the posture of the substrate S is changed.

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Abstract

基板保持機構（２０）は、基板（Ｓ）の外周部が載置される載置面（２１Ｓ）を有してその載置面上に基板を保持する保持部（２１，２２）を備える。保持部（２１，２２）は、載置面（２１Ｓ）の位置を、第１位置（Ｐ１）と、その第１位置とは異なる第２位置（Ｐ２）との間で変更する。保持部（２１，２２）は、載置面（２１Ｓ）の少なくとも一部に基板（Ｓ）を静電的に吸着する吸着部を備える。

Description

基板保持機構、成膜装置、および基板の保持方法
　本発明は、基板を保持する基板保持機構、基板に所定の膜を形成する成膜装置、および基板の保持方法に関する。
　基板に所定の膜を形成する成膜装置には、例えば、枚葉式のスパッタ装置が知られている。枚葉式のスパッタ装置は、成膜処理を行う処理室を備え、処理室には、ほぼ垂直に配置されたターゲットと、基板を保持しかつターゲットに対する基板の姿勢を変える基板保持機構とを備える構成が提案されている。基板保持機構は、ターゲットに対してほぼ垂直な状態と、ターゲットとほぼ平行な状態とに基板の姿勢を変える。こうしたスパッタ装置では、基板保持機構が載置台の載置面にクランプ機構を用いて基板の外周を機械的に保持する（例えば、特許文献１参照）。
特開２００４－３３２１１７号公報
　ところで、近年では、スパッタ装置を用いて形成された膜を備える製品を軽量化したり、製品に可撓性や柔軟性を与えたりする目的で、成膜の対象である基板の厚さがより小さいことが求められている。
　ここで、クランプ機構を用いて基板を載置台に保持するとき、クランプ機構では、クランプ片の基端において基板にかかる力が最も大きく、クランプ片の先端に向かうほど基板にかかる力が小さくなる。そして、基板の厚さが小さいほど、クランプ片が基板に大きい力をかけると、クランプ片の基端と接する基板部分において応力が集中して基板が割れてしまう。このため、クランプ片が基板にかけられる力には限界がある。結果として、基板の姿勢がターゲットに対してほぼ垂直な状態からほぼ平行な状態に変えられたときに基板の位置が変わる程度、さらには基板が座屈してしまう程度にクランプ片が基板にかける力が弱くなってしまう場合がある。
　なお、こうした事項は、基板の姿勢をほぼ９０°変える基板保持機構に限らず、基板を揺動させたり、基板の表裏を反転させたりすることで、基板の姿勢を変える基板保持機構においても共通し、また、上述したスパッタ装置に限らず、他の基板処理装置、例えば、蒸着装置やエッチング装置などにおいても共通する。
　本発明は、基板の姿勢が変わることに伴って、載置面に対する基板の位置が変わることが抑えられる基板保持機構、成膜装置、および基板の保持方法を提供することを目的とする。
　一態様による基板保持機構は、基板の外周部が載置される載置面を有して前記基板を保持する保持部であって、前記載置面の位置を第１位置と、前記第１位置とは異なる第２位置との間で変える保持部を備え、前記保持部は、前記載置面の少なくとも一部に前記基板を静電的に吸着する吸着部を備える。
　この構成によれば、基板の外周部が載置面に載置され、載置面の少なくとも一部に基板が吸着されるため、基板の位置を保つための力が基板の縁などに集中することが、基板と載置面との面接触によって抑えられる。それゆえに、基板の位置を保つための力が基板の縁などに集中するクランプ片のみによる基板の保持と比べて、基板の姿勢が変わることに伴って、載置面に対する基板の位置が変わることが抑えられる。
　上記基板保持機構の他の態様において、前記基板保持機構は前記基板の温度を温調する温調部をさらに備え、前記載置面は環形状を有し、前記温調部は前記載置面の内側に位置していることが好ましい。
　この構成によれば、基板保持機構によって保持される基板の温度を温調部によって調節することができる。
　上記基板保持機構の他の態様において、前記温調部は、前記載置面の内側に位置して前記基板から離れるように構成されていてもよい。
　この構成によれば、基板の温度が基板から離れて位置する温調部の輻射熱によって調節されるため、基板の面内における温度分布のばらつきが抑えられる。
　上記基板保持機構の他の態様において、前記温調部は、前記載置面の内側に位置して前記基板に接するように構成されていてもよい。
　この構成によれば、基板の温度が基板に接する温調部によって調節されるため、基板の温調される効率が高まる。
　上記基板保持機構の他の態様において、前記基板保持機構は、前記載置面の内側に配置され、前記基板を支持する第１支持部をさらに備えることが好ましい。
　この構成によれば、第１支持部が、載置面よりも内側に位置する基板の内側部分に接するため、基板の内側部分が撓むことが抑えられる。
　上記基板保持機構の他の態様において、前記第１支持部は、前記基板に接する先端部を備え、前記先端部は、前記基板を静電的に吸着する支持吸着部を備えることが好ましい。
　この構成によれば、基板の一部が支持吸着部によって吸着されるため、載置面の位置が変わるとき、載置面に載置された基板が好適に保持される。
　上記基板保持機構の他の態様において、前記保持部は、前記基板の縁を機械的に支持する第２支持部をさらに備えることが好ましい。
　この構成によれば、基板の載置面が吸着部によって吸着されることに加えて、基板の縁が第２支持部によって支持されるため、載置面に対する基板の位置が変わることがより抑えられる。
　一態様による成膜装置は、基板に向けて成膜種を放出する成膜部と、前記基板の外周部が載置される載置面を有して前記載置面上に前記基板を保持する保持部であって、前記載置面の位置を前記成膜部と対向する第１位置と、前記第１位置とは異なる第２位置との間で変える前記保持部とを備える。前記保持部は、前記載置面の少なくとも一部に前記基板を静電的に吸着する吸着部を備える。
　この構成によれば、基板の外周部が載置面に載置され、載置面の少なくとも一部に基板が吸着されるため、基板の位置を保つための力が基板の縁などに集中することが、基板と載置面との面接触によって抑えられる。それゆえに、基板の位置を保つための力が基板の縁などに集中するクランプ片のみによる基板の保持と比べて、基板の姿勢が変わることに伴って、載置面に対する基板の位置が変わることが抑えられる。
　成膜処理では、基板の中心に近いほど、成膜種によって基板に与えられた熱が基板の外部に放出されにくいため、基板の中心部における温度、ひいては、基板の中心部と重なる保持部の中心部における温度が高くなる。これにより、保持部の温度が、吸着部が機能することのできる温度よりも高い温度になる場合がある。
　この点で、上記成膜装置の構成によれば、吸着部が、基板の外周部が接する載置面に位置するため、吸着部が保持部の他の部分に位置する構成と比べて、吸着部の温度が高まることが抑えられる。これにより、吸着部の機能の低下も抑えられ、結果として、載置面の位置が変わることによって基板の姿勢が変わることに伴って、載置面に対する基板の位置が変わることが抑えられる。
　一態様による基板の保持方法は、第１位置と前記第１位置とは異なる第２位置との間で位置を変更可能な載置面上に前記基板の外周部を載置すること、前記載置面の少なくとも一部に前記基板を静電的に吸着することを備える。
　好ましくは、前記基板を静電的に吸着することは、前記載置面の少なくとも２箇所で前記基板の外周部を吸着することを含む。
　一態様では、前記基板を静電的に吸着することは、前記載置面の少なくとも２箇所のうちの１つで前記基板の外周部の吸着を開始すること、前記少なくとも２箇所の全てで前記吸着が行われる状態となるまで、前記吸着を開始した箇所で前記吸着を維持したまま、前記少なくとも２箇所の各々での前記吸着を順番に開始することを含む。
　一態様では、前記基板を静電的に吸着することは、前記載置面の少なくとも２箇所の全てで前記基板の外周部の吸着を開始すること、前記吸着を開始した後、前記少なくとも２箇所のうちの少なくとも１つで前記吸着を解除することを含む。
　好ましくは、前記基板を静電的に吸着することは、前記載置面の少なくとも２箇所の全てで前記吸着が行われている状態から前記少なくとも２箇所のうちの少なくとも１つで前記吸着を解除すること、前記吸着を解除した箇所で前記吸着を再開することによって前記少なくとも２箇所の全てで前記吸着を行うことを含む。
　一態様では、前記基板は、前記載置面が前記第２位置にあるときに前記載置面上に受け取られ、前記載置面が前記第１位置にあるときに成膜が行われる。この場合、好ましくは、前記基板を静電的に吸着することは、前記載置面が前記第２位置にあるとき、前記載置面の少なくとも２箇所の１つまたは全てで前記吸着を開始すること、前記載置面が前記第２位置または前記第１位置にあるとき、前記載置面の少なくとも２箇所のうちの少なくとも１つで前記吸着を解除することを含む。
　また、好ましくは、前記載置面の少なくとも２箇所のうちの少なくとも１つで前記吸着を解除することは、前記基板が成膜される前、前記基板が成膜されている間、および前記基板が成膜された後のうちの少なくとも１つにおいて、前記載置面の前記第１位置で前記吸着を解除することを含む。
　一態様では、前記基板保持方法は、前記基板が成膜されて前記載置面が前記第１位置から前記第２位置に戻された後、前記載置面の少なくとも２箇所における前記吸着を順番に解除することを備える。
　一態様では、前記載置面の少なくとも２箇所のうちの少なくとも１つで前記吸着を解除することは、前記載置面の少なくとも２箇所のうちの１つで前記吸着を維持しつつ、前記少なくとも２箇所のうちの少なくとも１つの残りの箇所で前記吸着を解除することを含む。
　一態様では、前記載置面の少なくとも２箇所のうちの少なくとも１つで前記吸着を解除することは、前記吸着が解除されている間、前記基板の前記外周部をクランプ部によって機械的に保持することを含む。
成膜装置の一例であるスパッタ装置の第１実施形態を示す概略構成図である。 第１実施形態におけるスパッタチャンバの概略構成図である。 基板保持機構の平面図である。 第１実施形態の変形例における基板保持機構の部分断面図である。 第１実施形態の別の変形例における基板保持機構の部分断面図である。 第１実施形態の変形例における成膜装置の概略構成図である。 第１実施形態の別の変形例における基板保持装置の概略構成図である。 第２実施形態における基板保持機構の部分断面図である。 第２実施形態の変形例における基板保持機構の部分断面図である。 第３実施形態における基板保持機構の平面図である。 第３実施形態における基板保持機構の部分断面図である。 第３実施形態における支持部の概略構成を示す部分拡大図である。 第４実施形態における基板保持機構の平面図である。 クランプ部の一部と基板の一部とを示す部分拡大図である。 第４実施形態の基板保持機構の作用を説明する図である。 第４実施形態の変形例における吸着部の平面図である。
　［第１実施形態］
　図１から図３を参照して、第１実施形態の基板保持機構、成膜装置、および基板の保持方法を説明する。第１実施形態では、成膜装置の一例であるスパッタ装置と、そのスパッタ装置に備えられる基板保持機構を説明する。以下では、スパッタ装置の全体構成、スパッタチャンバの構成、基板保持機構の構成、およびスパッタ装置の作用を順番に説明する。
　［スパッタ装置の全体構成］
　図１を参照してスパッタ装置の全体構成を説明する。
　図１が示すように、スパッタ装置１０は、１つの搬送チャンバ１１と、搬送チャンバ１１に接続する２つのロードロックチャンバ１２と、搬送チャンバ１１に接続する２つのスパッタチャンバ１３とを備えている。各ロードロックチャンバ１２と搬送チャンバ１１との間、および各スパッタチャンバ１３と搬送チャンバ１１との間には、仕切弁１４が１つずつ配置されている。各仕切弁１４は、搬送チャンバ１１と対応するチャンバとの間における接続路を連通状態と非連通状態との間で変える。
　ロードロックチャンバ１２は、スパッタ装置１０での処理の対象である基板Ｓをスパッタ装置１０の外部から内部に搬入し、かつスパッタ装置１０の内部から外部に搬出する。ロードロックチャンバ１２は、基板Ｓを搬出入するとき、搬送チャンバ１１に連通していない状態でロードロックチャンバ１２の内部を大気に開放する。一方で、ロードロックチャンバ１２は、基板Ｓを搬送チャンバ１１に受け渡すときおよび基板Ｓを搬送チャンバ１１から受け取るとき、搬送チャンバ１１に連通した状態で搬送チャンバ１１とともに所定の圧力に減圧された内部空間を形成する。
　なお、スパッタ装置１０は、１つのロードロックチャンバ１２を備える構成であってもよいし、３つ以上のロードロックチャンバ１２を備える構成であってもよい。
　スパッタチャンバ１３は、カソード１５を備え、カソード１５によって基板Ｓの１つの面に所定の膜を形成する。スパッタチャンバ１３は、基板Ｓに膜が形成されるとき、搬送チャンバ１１の内部の圧力と同じかあるいはそれよりも低い圧力に減圧された内部空間を形成する。
　なお、スパッタ装置１０の２つのスパッタチャンバ１３の各々は、相互に同じ膜を基板Ｓに形成するためのカソード１５を備えていてもよいし、相互に異なる膜を基板Ｓに形成するためのカソード１５を備えていてもよい。また、スパッタ装置１０は、１つのスパッタチャンバ１３を備える構成であってもよいし、３つ以上のスパッタチャンバ１３を備える構成であってもよい。
　搬送チャンバ１１は、基板Ｓを搬送する搬送ロボット１６を備えている。搬送ロボット１６は、搬送チャンバ１１を通ってロードロックチャンバ１２からスパッタチャンバ１３に成膜前の基板Ｓを搬送し、かつ、搬送チャンバ１１を通ってスパッタチャンバ１３からロードロックチャンバ１２に成膜後の基板Ｓを搬送する。
　なお、スパッタ装置１０は、上述したロードロックチャンバ１２およびスパッタチャンバ１３以外のチャンバ、例えば、基板Ｓに膜を形成する前の処理を行うための前処理チャンバや、基板Ｓに膜を形成した後の処理を行うための後処理チャンバなどを備えていてもよい。
　［スパッタチャンバの構成］
　図２を参照してスパッタチャンバ１３の構成をさらに説明する。なお、以下では、説明の便宜上から、スパッタチャンバ１３の構成のうち、基板Ｓを保持する基板保持機構２０と、基板Ｓに膜を形成するためのカソード１５とについてのみ説明する。
　図２が示すように、スパッタチャンバ１３は真空槽１３ａを備え、真空槽１３ａの内部には、基板Ｓを保持する基板保持機構２０と、基板Ｓに膜を形成するためのカソード１５とが配置されている。
　真空槽１３ａは箱体形状を有し、基板保持機構２０とカソード１５とを収容することが可能な大きさを有する内部空間を有している。真空槽１３ａの内部空間は、真空槽１３ａに接続された排気部によって排気されることで、所定の圧力、例えば真空まで減圧される。
　カソード１５は真空槽１３ａの内周面に固定されている。カソード１５は成膜部の一例であり、真空槽１３ａの内周面に固定されたバッキングプレート３１と、バッキングプレート３１に固定されたターゲット３２とを備えている。
　基板保持機構２０は、基板Ｓが載置されるステージ２１と、カソード１５に対するステージ２１の位置を変える変更部２２とを備えている。ステージ２１と変更部２２とが、保持部の一例を構成している。ステージ２１は、基板Ｓの外周部が載置される載置面２１Ｓを有している。基板保持機構２０は、載置面２１Ｓ上に載置された基板Ｓを保持する。
　変更部２２は、カソード１５に対してステージ２１がほぼ直交する位置と、カソード１５に対してステージ２１がほぼ平行な位置との間で、カソード１５に対するステージ２１の位置を変える。すなわち、変更部２２は、載置面２１Ｓがほぼ水平方向に沿って位置する状態と、載置面２１Ｓがほぼ鉛直方向に沿って位置する状態との間で、ステージ２１の位置を変える。
　そして、カソード１５に対してステージ２１がほぼ平行な位置にあるとき、載置面２１Ｓは、カソード１５と対向する第１位置Ｐ１に位置する。一方で、カソード１５に対してステージ２１がほぼ直交する位置にあるとき、載置面２１Ｓは、第１位置Ｐ１とは異なる位置であって、カソード１５と対向しない第２位置Ｐ２に位置する。
　このように、変更部２２は、カソード１５に対するステージ２１の位置を変えることによって、載置面２１Ｓの位置を第１位置Ｐ１と第２位置Ｐ２との間で変え、載置面２１Ｓの位置が変わることによって、載置面２１Ｓに載置された基板Ｓの姿勢が変わる。そして、載置面２１Ｓが第１位置Ｐ１にあるとき、基板保持機構２０によって保持された基板Ｓの全体が、基板Ｓとターゲット３２とが対向する方向において、ターゲット３２によって覆われる。すなわち、基板Ｓの面積はターゲット３２の面積よりも小さい。
　基板Ｓに膜が形成されるときには、まず、変更部２２が、ステージ２１の載置面２１Ｓとカソード１５とが対向する第１位置Ｐ１に載置面２１Ｓを位置させる。そして、真空槽１３ａの内部に所定のスパッタガスが供給され、次いで、バッキングプレート３１に接続された電源からバッキングプレート３１を介してターゲット３２に電圧が印加される。
　これにより、ターゲット３２の周囲にプラズマが生成され、プラズマ中のイオンがターゲット３２に衝突することによって、ターゲット３２が、成膜種としてのスパッタ粒子Ｓｐを基板Ｓに向けて放出する。そして、スパッタ粒子Ｓｐが基板Ｓに到達することによって、カソード１５と対向する基板Ｓの成膜面に所定の膜が形成される。
　［基板保持機構の構成］
　図３を参照して基板保持機構２０の構成をより詳しく説明する。なお、図３では、図示の便宜上から、基板保持機構２０のステージ２１の平面構造のみが示され、基板保持機構２０に保持された基板Ｓの外周部が二点鎖線で示されている。また、図３において、紙面に直交する方向における上方が、鉛直方向における上方である。
　図３が示すように、載置面２１Ｓと対向する方向から見て、ステージ２１は矩形板形状を有し、載置面２１Ｓに載置される基板Ｓは、ステージ２１よりも小さい矩形板形状を有している。なお、ステージ２１および基板Ｓの各々は、載置面２１Ｓと対向する方向から見て、矩形形状とは異なる形状、例えば、円形状あるいは多角形形状を有していてもよい。
　ステージ２１は、載置面２１Ｓが第１位置Ｐ１に位置するときカソード１５と対向する対向面２１ａを含む。載置面２１Ｓは、基板Ｓの外周部Ｓａが載置される対向面２１ａの部分として規定されている。基板Ｓの外周部Ｓａは、基板Ｓの外周縁を含む所定幅の帯状部分である。すなわち、基板Ｓの外周部Ｓａは、基板Ｓの中央部を囲む矩形環形状を有している。
　ステージ２１は矩形板形状を有し、ステージ２１の対向面２１ａはほぼ平坦面である。そのため、載置面２１Ｓによって囲まれる対向面２１ａの内側部分のほぼ全体が、基板Ｓの非成膜面の一部と接する。つまり、ステージ２１の対向面２１ａのうち、載置面２１Ｓと、載置面２１Ｓに囲まれる内側部分とが、基板Ｓに接している。
　基板保持機構２０はさらに、載置面２１Ｓの少なくとも一部に基板Ｓを静電的に吸着する吸着部２３を備えている。載置面２１Ｓは、基板Ｓの外周部Ｓａの４つの辺に対応して第１～第４側部２１Ｓａ～２１Ｓｄを含む。ステージ２１がほぼ鉛直方向に沿って位置する状態で、載置面２１Ｓの第１側部２１Ｓａは鉛直方向における基板Ｓの上端のほぼ全体に接し、第２側部２１Ｓｂは基板Ｓの下端のほぼ全体に接し、第３側部２１Ｓｃは鉛直方向における基板Ｓの右端のほぼ全体に接し、第４側部２１Ｓｂは基板Ｓの左端のほぼ全体に接する。吸着部２３は、載置面２１Ｓの第１側部２１Ｓａに設けられた第１部分２３ａと、第２側部２１Ｓｂに設けられた第２部分２３ｂとを含む。
　なお、吸着部２３の第１部分２３ａと第２部分２３ｂを、図３の例においては基板Ｓの上端と下端に対応する載置面２１Ｓの第１側部２１Ｓａと第２側部２１Ｓｂにそれぞれ配したが、吸着部２３の配置はこれに限られない。例えば、第１および第２部分２３ａ，２３ｂに代えて、吸着部２３は、基板Ｓの右端に対応する載置面２１Ｓの第３側部２１Ｓｃに設けられた第３部分と、基板Ｓの左端に対応する載置面２１Ｓの第４側部２１Ｓｄに設けられた第４部分とを含む構成であってもよい。あるいは、吸着部２３は、これら第３および第４部分を、第１および第２部分２３ａ，２３ｂと共に含み、基板Ｓの上下左右端に対応する第１～第４側部２１Ｓａ～２１Ｓｄにそれぞれ吸着部が配されてもよい。
　ステージ２１の載置面２１Ｓが第１位置Ｐ１に位置するとき、基板Ｓは、ほぼ鉛直方向に沿って位置する状態である。そのため、基板Ｓの自重によって、基板Ｓの上端が鉛直方向の下方に向けて移動し、また、基板Ｓの下端も鉛直方向の下方に向けて移動しようとする。
　この点で、吸着部２３が、鉛直方向における基板Ｓの上端のほぼ全体に対応する載置面２１Ｓの第１側部２１Ｓａ、および基板Ｓの下端のほぼ全体に対応する載置面２１Ｓの第２側部２１Ｓｂに位置する構成は、上述のような基板Ｓの動きを抑える上で好ましい構成である。
　吸着部２３は、対向面２１ａの一部、つまり載置面２１Ｓの一部を構成している。そのため、載置面２１Ｓに基板Ｓの外周部Ｓａが載置されたとき、基板Ｓの外周部Ｓａと吸着部２３とが直に面接触する。
　このように、基板Ｓの外周部Ｓａが載置面２１Ｓに載置され、載置面２１Ｓの少なくとも一部に基板Ｓが吸着されるため、基板Ｓの位置を保つための力が基板Ｓの縁などに集中することが基板Ｓと載置面２１Ｓとの面接触によって抑えられる。それゆえに、基板Ｓの位置を保つための力が基板Ｓの縁などに集中するクランプ片のみによる基板Ｓの保持と比べて、基板Ｓの姿勢が変わることに伴って、載置面２１Ｓに対する基板Ｓの位置が変わることが抑えられる。さらには、吸着部２３の静電気力が、基板Ｓに直に作用するため、基板Ｓが吸着部２３によって吸着されやすい。
　なお、吸着部２３の表面の全体が基板Ｓに直に接していなくてもよく、例えば、吸着部２３の表面における一部が、成膜種の付着を防止するための防着板によって覆われていてもよい。吸着部２３は、吸着部２３の表面全体が直に基板Ｓに接しない構成であっても、載置面２１Ｓに載置された基板Ｓを吸着するだけの静電気力を生じる構成であればよい。
　吸着部２３は、例えば、静電気力によって基板Ｓを吸着する静電チャックである。吸着部２３は、単極型の静電チャックであってもよいし、双極型の静電チャックであってもよい。また、吸着部２３は、クーロン力によって基板Ｓを吸着する静電チャックであってもよいし、ジョンソン・ラーベック力によって基板Ｓを吸着する静電チャックであってもよいし、グラディエント力によって基板Ｓを吸着する静電チャックであってもよい。
　［スパッタ装置の作用］
　上述したスパッタ装置１０の作用を説明する。
　変更部２２は、成膜前の基板Ｓを搬送ロボット１６から受け取るとき、ステージ２１をカソード１５とほぼ直交する状態に移動させることで載置面２１Ｓを第２位置Ｐ２に位置させる。そして、基板Ｓがステージ２１に載置されると、吸着部２３の第１及び第２部分２３ａ，２３ｂ（つまり全ての吸着部２３）が基板Ｓを吸着し、変更部２２は、ステージ２１をカソード１５とほぼ平行な状態に移動させて載置面２１Ｓを第１位置Ｐ１に位置させる。また、基板Ｓへの膜の形成が開始されてから終了するまでの間にわたって、変更部２２はステージ２１をカソード１５とほぼ平行な状態に保つ。
　基板Ｓへの膜の形成が終了すると、変更部２２は、ステージ２１をカソード１５とほぼ直交する状態に移動させることで載置面２１Ｓを再び第２位置Ｐ２に位置させる。そして、吸着部２３の第１及び第２部分２３ａ，２３ｂが基板Ｓの吸着を解除する。このように、本例では、基板Ｓへの成膜中だけでなく、搬送ロボット１６によって搬送された基板Ｓが基板保持機構２０にて受け取られてから、成膜された基板Ｓが搬送ロボット１６によって基板保持機構２０から搬送チャンバ１１に搬出されるまで、全ての吸着部２３が基板Ｓの外周部Ｓａを吸着する。
　基板Ｓに膜を形成する成膜処理では、基板Ｓの中心に近いほど、スパッタ粒子Ｓｐによって基板Ｓに与えられた熱が、基板Ｓの外部に放出されにくいため、基板Ｓの中心部における温度、ひいては基板Ｓの中心部と重なる対向面２１ａの中心部における温度が高くなる。これにより、対向面２１ａの温度が、吸着部２３の構成部材の耐熱温度よりも高い温度になる場合がある。
　ここで、吸着部２３がクーロン力によって基板Ｓを吸着する静電チャックである場合には、吸着部２３の構成部材には、静電チャックの表面を形成し、電極が埋め込まれた絶縁層、およびその絶縁層を支持するベース部などが含まれる。そして、絶縁層の形成材料には、例えばポリイミドなどの樹脂が用いられ、ベース部の形成材料には、例えばアルミニウムが用いられる。
　これら形成材料の耐熱温度は、例えば２００℃程度であり、耐熱温度とは、構成部材の形状を保持すること、および機械的機能を維持することが可能な温度である。成膜処理中に吸着部２３が熱を受けることにより、吸着部２３の温度が構成部材の耐熱温度よりも高くなると、絶縁層がベース部から剥離したり、ベース部が変形したりすることで、吸着部２３が基板Ｓを安定に保持する機能が低下する、すなわち、吸着部２３の機能が低下する。
　上述したスパッタ装置１０によれば、吸着部２３が、基板Ｓの外周部Ｓａに接する載置面２１Ｓに位置するため、吸着部２３が対向面２１ａの他の部分に位置する構成と比べて、吸着部２３の温度が高まることが抑えられる。つまり、吸着部２３が位置する対向面２１ａの部分の温度は、吸着部２３の構成部材の耐熱温度よりも高くなりにくいため、吸着部２３の温度が吸着部２３の構成部材の耐熱温度よりも高くなることで吸着部２３の機能が低下することが抑えられる。結果として、載置面２１Ｓの位置が変わることによって基板Ｓの姿勢が変わることに伴って、載置面２１Ｓに対する基板Ｓの位置が変わることが抑えられる。
　以上説明したように、第１実施形態によれば、以下に記載の効果を得ることができる。
　（１）基板Ｓの外周部Ｓａが載置面２１Ｓに載置され、載置面２１Ｓの少なくとも一部に基板Ｓが吸着されるため、基板Ｓの位置を保つための力が基板Ｓの縁などに集中することが基板Ｓと載置面２１Ｓとの面接触によって抑えられる。それゆえに、基板Ｓの位置を保つための力が基板Ｓの縁などに集中するクランプ片のみによる基板Ｓの保持と比べて、基板Ｓの姿勢が変わることに伴って、載置面２１Ｓに対する基板Ｓの位置が変わることが抑えられる。
　（２）吸着部２３の温度が高まることが抑えられるため、吸着部２３の機能が低下することが抑えられ、結果として、基板Ｓの姿勢が変わることに伴って、載置面２１Ｓに対する基板Ｓの位置が変われることが抑えられる。
　なお、上述した第１実施形態は、以下のように適宜変更して実施することもできる。
　・基板保持機構２０は、基板Ｓの温度を調節する温調部を備えていてもよく、温調部は、載置面２１Ｓの内側に位置することが好ましい。なお、温調部が、載置面２１Ｓと同一の平面上に位置する面を含むことで、温調部が基板Ｓに直に接してもよいし、温調部の全体がステージ２１の内部に位置することで、温調部がステージ２１を介して基板Ｓと間接的に接する構成でもよい。
　図４および図５を参照して、温調部が基板Ｓに直に接する構成の例を説明する。なお、図４および図５は、ステージ２１がほぼ水平方向に沿って位置する状態でのステージ２１の断面構造を示し、ステージ２１の対向面２１ａは、ほぼ水平方向に沿う面である。
　図４が示すように、金属製のステージ２１は、対向面２１ａから窪んだ溝部２１ｃを載置面２１Ｓの内側に有し、溝部２１ｃは、水路２１ｃ１と、水路２１ｃ１の開口を塞ぐ金属製の蓋部材２４ａが嵌め込まれる蓋用溝２１ｃ２とから構成されている。水路２１ｃ１には、温媒もしくは冷媒である熱媒体が供給される。鉛直方向に沿う蓋用溝２１ｃ２の深さと、蓋部材２４ａの厚さとはほぼ等しく、蓋部材２４ａは、蓋用溝２１ｃ２に嵌め込まれることによって、載置面２１Ｓと同一の平面上に位置する。
　水路２１ｃ１が区画されたステージ２１の部分は、熱媒体によって加熱もしくは冷却される温調部分２１ｄとして機能する。そのため、こうしたステージ２１を備える基板保持機構２０では、温調部分２１ｄおよび蓋部材２４ａが、ステージ２１と一体の温調部２４を構成している。
　図５は別の温調部２４の構成例を示す。基板保持機構２０の載置面２１Ｓは、載置面２１Ｓと対向する方向から見て、環形状を有している。ステージ２１において、載置面２１Ｓよりも内側に位置する対向面２１ａの部分には、対向面２１ａから窪んだ１つの窪み２１ｂが形成されている。温調部２４は窪み２１ｂの内部に位置し、窪み２１ｂによって区画される空間とほぼ同じ大きさを有している。そのため、温調部２４の上面は、載置面２１Ｓと同一の平面上に位置している。温調部２４は、ステージ２１とは別体である金属製の基体２４ｂを備え、基体２４ｂは、熱媒が供給される水路２４ｃを有している。
　なお、基体２４ｂの厚さが窪み２１ｂの深さとほぼ等しい一方で、基体２４ｂの平面視の大きさは、窪み２１ｂによって区画される空間よりも小さくてもよい。すなわち、温調部２４は、基板Ｓに接する一方で、窪み２１ｂを区画するステージ２１の内壁面との間に隙間を有する大きさであってもよい。
　また、ステージ２１と別体である温調部２４は、基体と蓋部材とを備える構成であってもよく、この場合には、基体は、基体の１つの面に開口する水路を有し、蓋部材は、水路の開口を塞いでいる。
　このように、ステージ２１の載置面２１Ｓが環形状を有し、温調部２４が載置面２１Ｓの内側に位置して基板Ｓに接するように構成されていれば、以下に記載の効果を得ることができる。
　（３）基板Ｓの温度が、基板Ｓに接する温調部２４によって調節されるため、基板Ｓの温調される効率が高まる。
　・吸着部２３は、載置面２１Ｓが第１位置Ｐ１に位置するときに、基板Ｓの上端に接する載置面２１Ｓの第１側部２１Ｓａに間隔を開けて並ぶ複数の吸着部位において基板Ｓを吸着する構成であってもよい。また、吸着部２３は、載置面２１Ｓが第１位置Ｐ１に位置するときに、基板Ｓの下端に接する載置面２１Ｓの第２側部２１Ｓｂに間隔を開けて並ぶ複数の吸着部位において基板Ｓを吸着する構成であってもよい。さらに、吸着部２３は、載置面２１Ｓの第１側部２１Ｓａに離散的に位置する複数の吸着部位にて基板Ｓを吸着する構成と、載置面２１Ｓの第２側部２１Ｓｂに離散的に位置する複数の吸着部位にて基板Ｓを吸着する構成とを組み合わせて実施されてもよい。
　なお、吸着部２３において離散的に位置する複数の吸着部位にて基板Ｓを吸着する構成は、例えば載置面２１Ｓの第１側部２１Ｓａおよび第２側部２１Ｓｂの各々に沿って複数の静電チャックが間隔を空けて配置された構成として具体化することができる。
　・吸着部２３は、載置面２１Ｓが第１位置Ｐ１に位置するときに、基板Ｓの上端に接する載置面２１Ｓの第１側部２１Ｓａと基板Ｓの下端に接する載置面２１Ｓの第２側部２１Ｓｂで基板Ｓを静電的に吸着することに加えて、基板Ｓの右端に接する載置面２１Ｓの第３側部２１Ｓｃと基板Ｓの左端に接する載置面２１Ｓの第４側部２１Ｓｄで基板Ｓを静電的に吸着してもよい。この場合には、吸着部２３は、載置面２１Ｓの第１～第４側部２１Ｓａ～２１Ｓｄの各々に１つ以上の静電チャックが位置するように構成されてもよい。あるいは、吸着部２３は、載置面２１Ｓの全体で基板Ｓを静電的に吸着することが可能な１つの静電チャックによって構成されてもよい。
　・カソード１５は、真空槽１３ａに固定されていなくてもよく、カソード１５は、載置面２１Ｓが第１位置Ｐ１に位置しているとき、基板Ｓに対するカソード１５の位置を変えるカソード搬送機構を備える構成であってもよい。こうした構成では、カソード１５を構成するバッキングプレート３１およびターゲット３２の各々において、カソード１５の搬送方向、すなわち、基板Ｓの４辺のうちの１つの方向に沿う幅が、基板Ｓよりも小さいことが好ましい。
　・吸着部２３は、第１部分２３ａと第２部分２３ｂとが、互いに独立したタイミングで、基板Ｓを吸着することが可能な構成でもよい。こうした構成では、変更部２２が載置面２１Ｓを第１位置Ｐ１または第２位置Ｐ２に位置させた状態で、例えば、吸着部２３の第１部分２３ａが基板Ｓの吸着を維持する一方で、第２部分２３ｂは、基板Ｓの吸着を一旦解除してもよい。
　基板Ｓが載置面２１Ｓに載置される際、すなわち、ステージ２１の載置面２１Ｓがカソード１５と対向しない第２位置Ｐ２に位置し、この位置で基板Ｓの外周部Ｓａを吸着部２３によって吸着する際、一度に全ての吸着部２３（図３の例では第１部分２３ａおよび第２部分２３ｂ）で基板Ｓを吸着しようとすると、吸着のタイミングのずれにより、基板Ｓの一部が載置面２１Ｓから突き出る状態（つまり基板Ｓが変形した状態）で吸着部２３によって吸着されることがある。
　また、基板Ｓへの膜の形成によって膜応力が発生し、載置面２１Ｓに載置された基板Ｓが変形する場合もある。
　このように、基板Ｓへの膜の形成前および膜の形成後に基板Ｓが変形することがある。こうした場合にも、変更部２２が載置面２１Ｓを第１位置Ｐ１または第２位置Ｐ２に位置させた状態で、第２部分２３ｂによる基板Ｓの吸着を一旦解除することによって基板Ｓの変形を解消でき、載置面２１Ｓに載置された基板Ｓを撓み無く保持することが可能になる。
　また、変更部２２が載置面２１Ｓを第１位置Ｐ１または第２位置Ｐ２に位置させた状態で、吸着部２３の第１部分２３ａが基板Ｓの吸着を維持する一方で、第２部分２３ｂが基板Ｓの吸着を一旦解除した後、再び基板Ｓを吸着してもよい。
　このように、載置面２１Ｓに載置された基板Ｓが変形した場合に、吸着部２３の第２部分２３ｂによる基板Ｓの吸着を一旦解除し、再び基板Ｓを吸着することによって、載置面２１Ｓに載置された基板Ｓの変形を解消したうえで基板Ｓを撓み無く吸着することが可能になる。
　また、基板Ｓへの膜の形成中に、吸着部２３の第１部分２３ａが基板Ｓの吸着を維持する一方で、第２部分２３ｂは基板Ｓの吸着を解除してもよい。そして、基板Ｓへの膜の形成が終了した後、変更部２２が載置面２１Ｓを第１位置Ｐ１に位置させている状態で、第２部分２３ｂが、再び基板Ｓを吸着してもよい。これにより、基板Ｓへの入熱によって基板Ｓが変形しても、第２部分２３ｂによる基板Ｓの吸着を解除しているため、基板Ｓが載置面２１Ｓに沿って変形し（熱伸びし）、載置面２１Ｓに対して平坦な状態を維持することができる。さらに、載置面２１Ｓに載置された基板Ｓが平坦な状態で基板Ｓを撓み無く吸着することが可能になる。
　このような構成は、載置面２１Ｓが第２位置Ｐ２に位置した状態で、温調部２４により基板Ｓの温度が調節され、基板Ｓに熱変形が発生する場合でも有効である。温調部２４による温度調節により基板Ｓが熱伸びをする場合でも、吸着部２３の第１部分２３ａが基板Ｓの吸着を維持する一方で、第２部分２３ｂが基板Ｓの吸着を解除しているため、基板Ｓが載置面２１Ｓに沿って変形し（熱伸びし）、載置面２１Ｓに対して平坦な状態を維持することができる。言い換えれば、温度調節の際に生じる基板Ｓの熱伸びを利用して、第２部分２３ｂが基板Ｓの吸着を解除している間に基板Ｓの変形を解消する。そして、基板Ｓの変形を解消した後に、第２部分２３ｂによる基板Ｓの吸着を行う。
　なお、この場合には、基板Ｓが載置面２１Ｓに載置される際に、はじめから吸着部２３の第１部分２３ａのみで基板Ｓを吸着すればよい。つまり、はじめから吸着部２３全てで基板Ｓを吸着する必要はない。このように、第２位置Ｐ２で基板Ｓが載置面２１Ｓに載置される際に、はじめに一部の吸着部２３（図３では例えば第１部分２３ａ）のみで吸着を開始し、その後順に残りの吸着部２３（図３では第２部分２３ｂ）も基板Ｓの吸着を開始することで、基板Ｓの変形を解消しながら基板Ｓを平坦に保持することが可能となる。
　このような構成は、成膜後の基板Ｓの吸着を解除する際にも有効である。たとえば、成膜後の基板Ｓが第２位置Ｐ２において載置面２１Ｓに載置された状態で変形している場合がある。その場合において、複数の吸着部２３が一度に吸着を解除すると、吸着の解除と同時に基板Ｓの変形が一度に解消し、このため、基板Ｓが載置面２１Ｓに対して滑るなどの位置ずれが発生する恐れがある。
　このような場合に、複数の吸着部２３を順に解除することによって基板Ｓの変形を段階的に解消することが可能となり、最後の吸着部２３を解除する際には既に基板Ｓは載置面２１Ｓに対して平坦な状態とすることができているため、基板Ｓが載置面２１Ｓに対して位置ずれを発生することがない。
　・図６が示すように、スパッタ装置は、基板Ｓがほぼ鉛直方向に沿って立てられた状態で基板Ｓを搬送する構成であってもよい。なお、図６には、基板Ｓの上端と対向する方向から見たスパッタ装置の概略構成が示されている。
　例えば、基板保持機構４０は、基板Ｓを保持するトレー４１と、搬送方向Ｄに沿ってトレー４１を搬送する搬送部４２と、吸着部２３とを備える構成であってもよい。トレー４１の片面に、基板Ｓの外周部Ｓａが載置される載置面４１Ｓが形成されており、吸着部２３は、載置面４１Ｓの少なくとも一部に基板Ｓを静電的に吸着する。
　搬送部４２は、トレー４１がほぼ鉛直方向に沿った状態でトレー４１を保持する。搬送部４２は、トレー４１とスパッタチャンバ１３の真空槽１３ａ内に固定されたカソード１５とが対向しない位置から、トレー４１とカソード１５とが対向する位置まで、搬送方向Ｄに沿ってトレー４１を搬送する。また、搬送部４２は、トレー４１とカソード１５とが対向する位置から、トレー４１とカソード１５とが対向しない位置まで、搬送方向Ｄに沿ってトレー４１を搬送する。
　すなわち、トレー４１とカソード１５とが互いに対向するとき、カソード１５と対向する第１位置Ｐ１に載置面４１Ｓが位置する。一方で、トレー４１とカソード１５とが互いに対向しないとき、載置面４１Ｓが第１位置Ｐ１とは異なる第２位置Ｐ２に位置する。
　なお、搬送部４２は、トレー４１に保持された基板Ｓに膜が形成されるとき、カソード１５に対する基板Ｓの位置を固定してもよいし、カソード１５に対する基板Ｓの位置を搬送方向Ｄに沿って変えてもよい。
　・図７が示すように、基板保持機構５０は、基板Ｓを保持するトレー５１と、トレー５１を反転させる反転部５２と、吸着部２３とを備える構成であってもよい。トレー５１の片面に、基板Ｓの外周部Ｓａが載置される載置面５１Ｓが形成されており、吸着部２３は、載置面５１Ｓの少なくとも一部に基板Ｓを静電的に吸着する。
　反転部５２は、水平方向に沿った回転軸を中心としてトレー５１を反転させることによって、基板Ｓがトレー５１の上方に位置する状態と、基板Ｓがトレー５１の下方に位置する状態との間でトレー５１の向きを変える。そして、例えば、基板Ｓがトレー５１の上方に位置する状態で、載置面５１Ｓは、成膜部（カソード１５）と対向する第１位置に位置する。一方で、基板Ｓがトレー５１の下方に位置する状態で、載置面５１Ｓは、第１位置とは異なる位置であって、成膜部（カソード１５）と対向しない第２位置に位置する。
　なお、基板保持機構５０の載置面５１Ｓは、基板Ｓがトレー５１の下方に位置する状態で成膜部（カソード１５）と対向する第１位置に位置する一方で、基板Ｓがトレー５１の上方に位置する状態で成膜部（カソード１５）と対向しない第２位置に位置する構成であってもよい。
　・成膜装置は、上述したスパッタ装置に限らず、例えば、真空蒸着装置など、基板Ｓの１つの面に対して所定の膜を形成することの可能な装置であればよい。
　・基板保持機構は、上述したスパッタ装置などの成膜装置に備えられるものに限らず、他の基板処理装置、例えば、エッチング装置やレーザー照射装置などが備える基板保持機構として具体化されてもよい。
　・第１実施形態および第１実施形態の変形例の構成は、適宜組み合わせて実施することもできる。
　［第２実施形態］
　図８を参照して、第２実施形態の基板保持機構、成膜装置、および基板の保持方法を説明する。第２実施形態では、成膜装置の一例であるスパッタ装置と、そのスパッタ装置に備えられる基板保持機構を説明する。なお、第２実施形態は、上述した第１実施形態と比べて、基板保持機構における載置面の周辺の構成が異なる。そのため、以下では、こうした相違点を詳しく説明する一方で、第２実施形態において第１実施形態と共通する構成には、第１実施形態と同じ符号を付すことによって、その詳しい説明を省略する。
　［基板保持機構の構成］
　図８を参照して、基板保持機構２０の構成を説明する。なお、図８では、図示の便宜上から、基板保持機構２０の変更部２２の図示が省略されている。
　図８が示すように、基板保持機構２０の載置面２１Ｓは、載置面２１Ｓと対向する方向から見て環形状を有し、載置面２１Ｓの内側が中空である。すなわち、基板保持機構２０のステージ２１において、載置面２１Ｓよりも内側における対向面２１ａの部分には、対向面２１ａから窪んだ１つの窪み２１ｂが形成されている。そのため、カソード１５と対向する基板Ｓの成膜面とは反対側の非成膜面は、ステージ２１の載置面２１Ｓに接する一方で、載置面２１Ｓ以外の部分でステージ２１に接していない。
　これにより、基板Ｓが載置面２１Ｓ以外の部分で基板保持機構２０のステージ２１と接しないため、基板Ｓとステージ２１との接触領域において、スパッタ粒子Ｓｐなどを含むパーティクルが基板Ｓとステージ２１とによって挟まれることが抑えられる。それゆえに、基板Ｓにおける非成膜面が、パーティクルによって汚染されたり傷付けられたりすることが抑えられる。
　基板保持機構２０は、基板Ｓの温度を調節する温調部２４をさらに備え、温調部２４は、載置面２１Ｓの内側に位置して基板Ｓから離れるように構成されている。すなわち、温調部２４は、載置面２１Ｓの内側であって、かつ、窪み２１ｂの内部に位置している。そして、ステージ２１がほぼ水平方向に沿って位置する状態では、鉛直方向に沿う窪み２１ｂの深さが、鉛直方向に沿う温調部２４の幅よりも大きいため、温調部２４は、基板Ｓの非成膜面には接していない。
　そのため、基板Ｓの温度が、基板Ｓから離れて位置する温調部２４の輻射熱によって調節されるため、基板Ｓの面内における温度分布のばらつきが抑えられる。
　以上説明したように、第２実施形態によれば、以下に記載の効果を得ることができる。
　（４）パーティクルが基板Ｓとステージ２１とによって挟まれることが抑えられるため、基板Ｓにおける非成膜面が、パーティクルによって汚染されたり傷付けられたりすることが抑えられる。
　（５）基板Ｓの温度が、基板Ｓから離れて位置する温調部２４の輻射熱によって調節されるため、基板Ｓの面内における温度分布のばらつきが抑えられる。
　なお、上述した第２実施形態は、以下のように適宜変更して実施することもできる。
　・図９が示すように、温調部２４は、ステージ２１に接する第１面（図９では下面）と、その反対側に位置して、基板Ｓと対向する第２面（図９では上面）とを含む。この温調部２４の第２面に複数のパッド６１が位置してもよい。図９の構成では、各パッド６１が第１支持部の一例である。複数のパッド６１は樹脂製であり、温調部２４と基板Ｓとの間において、パッド６１を介した熱の伝導はほぼ生じない。そのため、温調部２４は、温調部２４の輻射熱によって基板Ｓの温度を調節する。
　パッド６１の厚さは、温調部２４の第２面からステージ２１の対向面２１ａまでの距離とほぼ等しく、パッド６１は、載置面２１Ｓと同一の平面上に位置する端面（先端部）を有している。そのため、載置面２１Ｓに基板Ｓが載置されたとき、各パッド６１の端面は基板Ｓに接する。
　パッド６１は、窪み２１ｂと対向する基板Ｓの内側部分を支持することで、その基板Ｓの内側部分が温調部２４に向けて撓むことを抑える。そのため、基板Ｓが温調部２４に接することが抑えられ、結果として、基板Ｓの温度が急激に変わることによって、基板Ｓにストレスが加わることが抑えられる。また、基板Ｓが温調部２４に接することが抑えられるため、基板Ｓが温調部２４によって傷付けられることが抑えられる。
　・基板保持機構２０において、温調部２４が割愛されてもよい。こうした構成によっても、ステージ２１に窪み２１ｂが形成されている以上は、上述した（４）に準じた効果を得ることはできる。
　・第２実施形態および第２実施形態の変形例の各々の構成は、第１実施形態の変形例の各々の構成と適宜組み合わせて実施することもできる。
　［第３実施形態］
　図１０から図１２を参照して、第３実施形態の基板保持機構、成膜装置、および基板の保持方法を説明する。第３実施形態では、成膜装置の一例であるスパッタ装置と、そのスパッタ装置に備えられる基板保持機構を説明する。なお、第３実施形態は、上述した第２実施形態と比べて、基板保持機構が基板を支持する支持部を備える点が異なる。そのため、以下では、こうした相違点を詳しく説明する一方で、第２実施形態と同じ構成には同じ符号を付すことによって、その詳しい説明を省略する。
　［基板保持機構の構成］
　図１０から図１２を参照して、基板保持機構２０の構成を説明する。なお、図１０では、図示の便宜上から、図３と同様、基板保持機構２０のステージ２１の平面構造のみが示され、基板保持機構２０に保持された基板Ｓの外周部Ｓａが二点鎖線で示されている。また、図１０において、紙面に直交する方向の上方が鉛直方向の上方である。そして、図１１では、図示の便宜上から、図６と同様、基板保持機構２０の変更部２２の図示が省略されている。また、図１２では、説明の便宜上から、基板Ｓの一部と、支持部の一部とが概略的に示されている。
　図１０が示すように、基板保持機構２０は、第１支持部の一例である支持部７０をさらに備え、支持部７０は、載置面２１Ｓの内側に配置され、基板Ｓを支持する。基板保持機構２０は、複数の支持部７０、例えば４つの支持部７０を備え、各支持部７０は、窪み２１ｂの内部に位置している。支持部７０は、その先端部が基板Ｓの非成膜面に接することで、基板Ｓを支持している。
　支持部７０は、載置面２１Ｓよりも内側に位置する基板Ｓの内側部分を支持することで、基板Ｓの内側部分が撓むことを抑える。すなわち、窪み２１ｂと対向する基板Ｓの内側部分が窪み２１ｂの底部に向けて凸に撓むことが、支持部７０によって抑えられる。
　窪み２１ｂは有底の矩形孔であり、各支持部７０は矩形孔における四隅に１つずつ配置されている。４つの支持部７０は、窪み２１ｂの内部に位置する温調部２４を囲んでいる。すなわち、４つの支持部７０は、ステージ２１の対向面２１ａと対向する平面視にて、窪み２１ｂによって囲まれる空間内において温調部２４よりも外側に配置されている。
　なお、各支持部７０は、例えば、有底の矩形孔における四隅以外の部分であって、窪み２１ｂの底部における各辺に沿う部分に配置されてもよい。あるいは、各支持部７０は、窪み２１ｂによって囲まれる空間内において、例えば、対向面２１ａと対向する平面視において、温調部２４と重なる位置に配置されていてもよい。また、窪み２１ｂは、矩形孔以外の孔、例えば、円形孔であってもよい。要は、各支持部７０は、載置面２１Ｓの内側において基板Ｓを支持することが可能な位置に配置されていればよい。また、基板保持機構２０は、３つ以下の支持部７０を備えていてもよいし、５つ以上の支持部７０を備えていてもよい。
　図１１が示すように、各支持部７０は、１つの方向に沿って延びる柱形状を有し、ステージ２１の載置面２１Ｓがほぼ水平方向に沿った状態であるとき、各支持部７０は、ほぼ鉛直方向に沿って延びている。窪み２１ｂの底部は、矩形状を有した平面であり、支持部７０の基端部７０ｂが窪み２１ｂの底部に位置し、支持部７０は窪み２１ｂの底部から窪み２１ｂの開口に向けて延びている。支持部７０は窪み２１ｂの深さとほぼ同じ長さを有して、支持部７０の先端部７０ａが基板Ｓの非成膜面に接している。
　図１２が示すように、支持部７０の先端部７０ａは、基板Ｓを静電的に吸着する支持吸着部７１を備えている。支持吸着部７１以外の支持部７０の部分は、支持吸着部７１を支持する支持柱７２である。支持部７０が支持吸着部７１を備えているため、基板Ｓの一部が支持吸着部７１によって吸着される。そのため、載置面２１Ｓに載置された基板Ｓをさらに保持しやすくなる。支持吸着部７１は、例えば、静電チャックであり、上述した吸着部２３と同様の吸着機能を有することが好ましい。
　支持吸着部７１は、支持部７０の先端部７０ａを先端面として有している。そのため、支持吸着部７１が基板Ｓの非成膜面に直に接し、結果として、基板Ｓが支持吸着部７１によって吸着されやすくなる。
　なお、支持吸着部７１が支持部７０の支持柱７２の内部に位置して、支持柱７２が基板Ｓに接する構成であってもよく、こうした構成であっても、支持吸着部７１が、基板Ｓを吸着できる程度の静電気力を有していればよい。
　以上説明したように、第３実施形態によれば、以下に記載の効果を得ることができる。
　（６）支持部７０が、載置面２１Ｓよりも内側に位置する基板Ｓの内側部分に接するため、基板Ｓの内側部分が撓むことが抑えられる。
　（７）基板Ｓの一部が支持吸着部７１によって吸着されるため、載置面２１Ｓの位置が第１位置Ｐ１と第２位置Ｐ２との間で変わるときにも、載置面２１Ｓに載置された基板Ｓを好適に保持することができる。
　なお、上述した第３実施形態は、以下のように適宜変更して実施することもできる。
　・基板保持機構２０が複数の支持部７０を備える構成であれば、複数の支持部７０のうち、一部の支持部７０のみが支持吸着部７１を備えていてもよい。
　・支持部７０の備える支持吸着部７１が割愛されてもよい。こうした構成であっても、基板保持機構２０が、基板Ｓの非成膜面に接する支持部７０を備える以上は、上述した（６）に準じた効果を得ることはできる。
　・基板保持機構２０において、温調部２４が割愛されてもよい。こうした構成であっても、基板保持機構２０が、基板Ｓの非成膜面に接する支持部７０を備える以上は、上述した（６）に準じた効果を得ることはできる。
　・第３実施形態および第３実施形態の変形例の各々の構成は、第１実施形態の変形例および第２実施形態の変形例の各々の構成と、適宜組み合わせて実施することもできる。
　［第４実施形態］
　図１３から図１５を参照して、第４実施形態の成膜装置、基板保持機構、および基板の保持方法を説明する。第４実施形態では、成膜装置の一例であるスパッタ装置と、そのスパッタ装置に備えられる基板保持機構を説明する。なお、第４実施形態は、上述した第１実施形態と比べて、基板保持機構がクランプ部を備える点が異なる。そのため、以下では、こうした相違点を詳しく説明する一方で、第１実施形態と同じ構成には同じ符号を付すことによって、その詳しい説明を省略する。
　［基板保持機構の構成］
　図１３から図１５を参照して基板保持機構２０の構成を説明する。なお、図１３では、図示の便宜上から、図３と同様、基板保持機構２０のステージ２１の平面構造のみが示され、基板保持機構２０に保持された基板Ｓの外周部Ｓａが二点鎖線で示されている。また、図１３において、紙面に直交する方向の上方が鉛直方向の上方である。そして、図１４には、クランプ部と基板とを基板の端面と対向する方向から見た構成であって、クランプ部と基板Ｓの一部との概略的な構成が拡大して示されている。
　図１３が示すように、基板保持機構２０は吸着部２３を備え、吸着部２３は、載置面２１Ｓが第１位置Ｐ１に位置する状態で、基板Ｓの上端と接する載置面２１Ｓの第１側部２１Ｓａに基板Ｓを静電的に吸着する。すなわち、載置面２１Ｓの第１側部２１Ｓａに、吸着部２３の吸着面が露出している。
　これにより、基板Ｓが載置面２１Ｓに載置されたとき、基板Ｓにおける非成膜面の一部と吸着部２３とが直に面接触するため、基板Ｓが吸着部２３によって吸着されやすい。なお、第１実施形態などでも上述したように、吸着部２３の全体が、ステージ２１の内部に位置していてもよい。
　基板保持機構２０は、上述のように、載置面２１Ｓをほぼ鉛直方向に沿って第１位置Ｐ１に位置させる機能を有している。基板保持機構２０は、第２支持部の一例であるクランプ部８１をさらに備え、クランプ部８１は、載置面２１Ｓがほぼ鉛直方向に沿って位置する状態で、基板Ｓにおける鉛直方向の下端において、基板Ｓを載置面２１Ｓに向けて押し付ける。すなわち、クランプ部８１は、基板Ｓの縁に接することによって基板Ｓを機械的に支持する。
　基板保持機構２０は、複数のクランプ部８１、例えば、３つのクランプ部８１を備え、３つのクランプ部８１は、基板Ｓの下端において、所定の間隔を空けて並んでいる。なお、基板保持機構２０は、２つ以下のクランプ部８１を備える構成であってもよいし、４つ以上のクランプ部８１を備える構成であってもよい。
　図１４が示すように、クランプ部８１は、ステージ２１に対するクランプ部８１の位置を変える位置変更部により、クランプ部８１とステージ２１との間の距離が小さい保持位置と、クランプ部８１とステージ２１との間の距離が大きい非保持位置とに変えられる。なお、図１４では、保持位置に位置するクランプ部８１が実線で示される一方で、非保持位置に位置するクランプ部８１が二点鎖線で示されている。
　基板Ｓの外周部Ｓａが載置面２１Ｓに載置されるとき、および載置面２１Ｓから取り外されるとき、クランプ部８１は非保持位置に位置する。一方、基板Ｓがステージ２１に保持されるとき、クランプ部８１は保持位置に位置する。
　クランプ部８１が保持位置に位置するとき、基板Ｓの下端はクランプ部８１に接していてもよいし、基板Ｓの下端とクランプ部８１との間に隙間が形成されていてもよい。基板Ｓの下端がクランプ部８１と接する構成によれば、載置面２１Ｓが第１位置Ｐ１に位置するとき、基板Ｓの下端がクランプ部８１によって支えられるため好ましい。また、基板Ｓが自重によって鉛直方向における下方に移動しようとしても、基板Ｓの下端がクランプ部８１に接しているため、基板Ｓの位置が下方に向けて位置ずれしにくい点で好ましい。
　［基板保持機構の作用］
　図１５を参照して、基板保持機構２０の作用を説明する。なお、図１５では、図示の便宜上から、載置面２１Ｓが第２位置Ｐ２に位置するときのステージ２１および基板Ｓが二点鎖線で示される一方で、載置面２１Ｓが第１位置Ｐ１に位置するときのステージ２１および基板Ｓが実線で示されている。
　図１５が示すように、基板Ｓに膜が形成されるとき、載置面２１Ｓに基板Ｓの外周部Ｓａが載置された状態で、変更部２２が載置面２１Ｓの位置を第２位置Ｐ２から第１位置Ｐ１に変える。載置面２１Ｓが第１位置Ｐ１に位置するとき、基板Ｓはほぼ鉛直方向に沿って立った状態であるため、基板Ｓの自重が基板Ｓの下端にかかる。
　このとき、基板Ｓの下端はクランプ部８１によって載置面２１Ｓに押し付けられるとともに、クランプ部８１によって機械的に保持されている。そして、基板Ｓの下端面がクランプ部８１に接しているため、基板Ｓの下端は、載置面２１Ｓが第１位置Ｐ１に位置しても、載置面２１Ｓが第２位置Ｐ２に位置しているときよりも鉛直方向における下方に移動しない。結果として、載置面２１Ｓの位置が変わることによって、載置面２１Ｓに対する基板Ｓの位置が変わることが抑えられる。
　なお、載置面２１Ｓが第２位置Ｐ２に位置するとき、基板Ｓの下端面とクランプ部８１との間に隙間が形成される構成では、載置面２１Ｓの位置が第２位置Ｐ２から第１位置Ｐ１に変わったときに、基板Ｓの下端が基板Ｓの自重によって鉛直方向の下方に向けて移動する場合もある。しかしながら、こうした基板Ｓの移動は、鉛直方向において、基板Ｓの下端面がクランプ部８１に接した位置にて止まるため、載置面２１Ｓに対する基板Ｓの位置が大きく変わることが抑えられる。
　以上説明したように、第４実施形態によれば、以下に記載の効果を得ることができる。
　（８）基板Ｓの自重がかかる下端がクランプ部８１によって機械的に保持されるため、仮に、基板Ｓが鉛直方向の下方に向けて移動しても、鉛直方向において、基板Ｓがクランプ部８１と接した位置にて、基板Ｓの移動が止まる。そのため、載置面２１Ｓに対する静電気的な保持力と、載置面２１Ｓに対する機械的な保持力とが１つの基板Ｓに対して作用するため、載置面２１Ｓに対する基板Ｓの位置が変わることが抑えられる。
　なお、上述した第４実施形態は、以下のように適宜変更して実施することもできる。
　・基板Ｓへの膜の形成前において、変更部２２が載置面２１Ｓを第１位置Ｐ１に位置させた状態で、吸着部２３が基板Ｓの吸着を一旦解除した後、再び基板Ｓを吸着してもよい。これにより、例えば、基板Ｓの下端面とクランプ部８１との間に隙間が形成された状態で基板Ｓが吸着された場合に、吸着部２３が基板Ｓの吸着を一旦解除することによって、基板Ｓの下端面をクランプ部８１に接触させることが可能になる。そのため、載置面２１Ｓに対する基板Ｓの位置をクランプ部８１を用いて所定の位置に合わせることが可能になる。
　・図１６が示すように、吸着部９１は、クランプ部８１と重なる部分以外で基板Ｓの下端と接する載置面２１Ｓの部分において、基板Ｓを静電的に吸着する構成であってもよい。すなわち、基板Ｓの外周部Ｓａのうちの下端が、クランプ部８１と吸着部９１との両方によって、載置面２１Ｓに保持される構成であってもよい。
　そして、吸着部９１は、基板Ｓの下端に接する載置面２１Ｓの第２側部２１Ｓｂにおいて、クランプ部８１と重なる部分以外の部分を埋めるように配置されてもよい。こうした構成によれば、載置面２１Ｓが第１位置Ｐ１に位置しているとき、載置面２１Ｓの一部において、鉛直方向に沿ってクランプ部８１と吸着部９１の一部とが並んでいる。そのため、基板Ｓの下端の一部がクランプ部８１のみによって支持される構成と比べて、載置面２１Ｓの位置が変わっても、載置面２１Ｓに対する基板Ｓの下端の位置が変わりにくくなる。
　なお、クランプ部８１と吸着部９１とは、基板Ｓの下端に沿って並ぶ構成であってもよい。こうした構成であっても、基板Ｓの下端がクランプ部８１のみによって支持される構成と比べて、載置面２１Ｓの位置が変わることに伴って、載置面２１Ｓに対する基板Ｓの下端の位置が変わりにくくなる。
　こうした構成では、基板Ｓへの膜の形成前において、変更部２２が載置面２１Ｓを第１位置Ｐ１に位置させた状態で、吸着部２３，９１が基板Ｓの吸着を一旦解除した後、再び基板Ｓを吸着してもよい。これにより、例えば、基板Ｓの下端面とクランプ部８１との間に隙間が形成された状態で基板Ｓが吸着された場合に、吸着部２３が基板Ｓの吸着を一旦解除することによって、基板Ｓの下端面をクランプ部８１に接触させることが可能になる。そのため、載置面２１Ｓに対する基板Ｓの位置をクランプ部８１を用いて所定の位置に合わせることが可能になる。
　また、吸着部９１のみが基板Ｓの吸着を一旦解除した後、再び基板Ｓを吸着してもよい。このように、基板Ｓが載置面２１Ｓから突き出る状態で吸着部２３によって吸着される構成において、吸着部９１による基板Ｓの吸着を一旦解除することによって、載置面２１Ｓに載置された基板Ｓを撓み無く吸着することが可能になる。
　・基板保持機構２０は、基板Ｓの上端を載置面２１Ｓに向けて押し付ける上端クランプ部をさらに備えていてもよいし、基板Ｓの側端（右端または左端）を載置面２１Ｓに向けて押し付ける側端クランプ部（右端クランプ部または左端クランプ部）をさらに備えていてもよい。また、上端クランプ部を備える構成では、基板Ｓの上端に沿って上端クランプ部と吸着部とが並ぶ構成であってもよい。また、吸着部が、上端クランプ部と重なる部分以外で基板Ｓの上端と接する載置面２１Ｓの部分（第１側部２１Ｓａ）の全体において、基板Ｓを静電的に吸着する構成であってもよい。そして、側端クランプ部を備える構成では、基板Ｓの側端に沿って側端クランプ部と吸着部とが並ぶ構成であってもよい。また、吸着部が、側端クランプ部と重なる部分以外で基板Ｓの側端と接する載置面２１Ｓの部分（第２側部２１Ｓｃまたは第３側部２１Ｓｄ）の全体において、基板Ｓを静電的に吸着する構成であってもよい。
　なお、上述したクランプ部８１に加えて上端クランプ部をさらに備える構成であれば、クランプ部８１と上端クランプ部とが第２支持部の一例であり、クランプ部８１に加えて側端クランプ部を備える構成であれば、クランプ部８１と側端クランプ部とが第２支持部の一例である。
　・基板保持機構２０は、上述した第４実施形態におけるクランプ部８１を備えていない一方で、上端クランプ部および側端クランプ部の少なくとも一方を備える構成であってもよい。なお、こうした構成では、上端クランプ部および側端クランプ部の少なくとも一方が、第２支持部の一例である。
　・第２支持部は、上述したクランプ部８１のように、基板Ｓを載置面２１Ｓに押し付けることで、ステージ２１の載置面２１Ｓとの間に基板Ｓを挟む構成に限らず、載置面２１Ｓに基板Ｓを押し付けずに、基板Ｓの縁に接することで、基板Ｓの縁を機械的に支持する構成であってもよい。こうした構成でも、第２支持部は、基板Ｓの縁を支持することで、ステージ２１の対向面２１ａに沿って基板Ｓの位置が変わることを抑えることができる。また、第２支持部は、基板Ｓの縁が載置面２１Ｓから離れるように変形することを抑える部分を備えることがより好ましい。
　ここで、基板Ｓに膜が形成されるとき、基板Ｓに対する入熱によって、基板Ｓの縁が、載置面２１Ｓから浮き上がるように熱変形する場合がある。上述のように、第２支持部が、載置面２１Ｓから離れるように変形することを抑える部分を備えていれば、基板の縁が浮き上がることが抑えられる。
　第２支持部を備える構成では、基板Ｓの姿勢が変更されることに伴って基板保持機構２０に対する基板Ｓの位置がずれることが、吸着部２３と第２支持部との両方によって抑えられる。
　・第４実施形態および第４実施形態の変形例の各々の構成は、第１実施形態の変形例、第２実施形態、第２実施形態の変形例、第３実施形態、および第３実施形態の変形例の各々の構成と、適宜組み合わせて実施することもできる。
　１０…スパッタ装置、１１…搬送チャンバ、１２…ロードロックチャンバ、１３…スパッタチャンバ、１３ａ…真空槽、１４…仕切弁、１５…カソード、１６…搬送ロボット、２０，４０，５０…基板保持機構、２１…ステージ、２１ａ…対向面、２１ｂ…窪み、２１ｃ…溝部、２１ｃ１，２４ｃ…水路、２１ｃ２…蓋用溝、２１ｄ…温調部分、２１Ｓ，４１Ｓ，５１Ｓ…載置面、２２…変更部、２３，９１…吸着部、２４…温調部、２４ａ…蓋部材、２４ｂ…基体、３１…バッキングプレート、３２…ターゲット、４１，５１…トレー、４２…搬送部、５２…反転部、６１…パッド、７０…支持部、７０ａ…先端部、７０ｂ…基端部、７１…支持吸着部、７２…支持柱、８１…クランプ部、Ｓ…基板、Ｓａ…外周部、Ｓｐ…スパッタ粒子。

Claims (18)

  1. 　基板の外周部が載置される載置面を有して前記載置面上に前記基板を保持する保持部であって、前記載置面の位置を、第１位置と、前記第１位置とは異なる第２位置との間で変える前記保持部を備え、
    　前記保持部は、
    　前記載置面の少なくとも一部に前記基板を静電的に吸着する吸着部を備える、
    　基板保持機構。
  2. 　前記基板の温度を温調する温調部をさらに備え、
    　前記載置面は環形状を有し、
    　前記温調部は、前記載置面の内側に位置している、
    　請求項１に記載の基板保持機構。
  3. 　前記温調部は、前記載置面の内側に位置して前記基板から離れるように構成されている、
    　請求項２に記載の基板保持機構。
  4. 　前記温調部は、前記載置面の内側に位置して前記基板に接するように構成されている、
    　請求項２に記載の基板保持機構。
  5. 　前記載置面の内側に配置され、前記基板を支持する第１支持部をさらに備える
    　請求項３に記載の基板保持機構。
  6. 　前記第１支持部は、前記基板に接する先端部を備え、
    　前記先端部は、前記基板を静電的に吸着する支持吸着部を備える、
    　請求項５に記載の基板保持機構。
  7. 　前記保持部は、前記基板の縁を機械的に支持する第２支持部をさらに備える、
    　請求項１から６のうちのいずれか一項に記載の基板保持機構。
  8. 　基板に向けて成膜種を放出する成膜部と、
    　前記基板の外周部が載置される載置面を有して前記載置面上に前記基板を保持する保持部であって、前記載置面の位置を、前記成膜部と対向する第１位置と、前記第１位置とは異なる第２位置との間で変える前記保持部とを備え、
    　前記保持部は、
    　前記載置面の少なくとも一部に前記基板を静電的に吸着する吸着部を備える、
    　成膜装置。
  9. 　基板の保持方法であって、
    　第１位置と前記第１位置とは異なる第２位置との間で位置を変更可能な載置面上に前記基板の外周部を載置すること、
    　前記載置面の少なくとも一部に前記基板を静電的に吸着すること、
    を備える基板の保持方法。
  10. 　前記基板を静電的に吸着することは、前記載置面の少なくとも２箇所で前記基板の外周部を吸着することを含む、
    　請求項９に記載の基板の保持方法。
  11. 　前記基板を静電的に吸着することは、
    　　前記載置面の少なくとも２箇所のうちの１つで前記基板の外周部の吸着を開始すること、
    　　前記少なくとも２箇所の全てで前記吸着が行われる状態となるまで、前記吸着を開始した箇所で前記吸着を維持したまま、前記少なくとも２箇所の各々での前記吸着を順番に開始することを含む、
    　請求項１０に記載の基板の保持方法。
  12. 　前記基板を静電的に吸着することは、
    　　前記載置面の少なくとも２箇所の全てで前記基板の外周部の吸着を開始すること、
    　　前記吸着を開始した後、前記少なくとも２箇所のうちの少なくとも１つで前記吸着を解除することを含む、
    　請求項１０に記載の基板の保持方法。
  13. 　前記基板を静電的に吸着することは、
    　　前記載置面の少なくとも２箇所の全てで前記吸着が行われている状態から前記少なくとも２箇所のうちの少なくとも１つで前記吸着を解除すること、
    　　前記吸着を解除した箇所で前記吸着を再開することによって前記少なくとも２箇所の全てで前記吸着を行うことを含む、
    　請求項１０から１２のうちいずれか一項に記載の基板の保持方法。
  14. 　前記基板は、前記載置面が前記第２位置にあるときに前記載置面上に受け取られ、前記載置面が前記第１位置にあるときに成膜が行われるものであり、
    　前記基板を静電的に吸着することは、
    　　前記載置面が前記第２位置にあるとき、前記載置面の少なくとも２箇所の１つまたは全てで前記吸着を開始すること、
    　　前記載置面が前記第２位置または前記第１位置にあるとき、前記載置面の少なくとも２箇所のうちの少なくとも１つで前記吸着を解除することを含む、
    　請求項１０から１３のうちのいずれか一項に記載の基板の保持方法。
  15. 　前記載置面の少なくとも２箇所のうちの少なくとも１つで前記吸着を解除することは、
    　　前記基板が成膜される前、前記基板が成膜されている間、および前記基板が成膜された後のうちの少なくとも１つにおいて、前記載置面の前記第１位置で前記吸着を解除することを含む、
    　請求項１４に記載の基板の保持方法。
  16. 　前記基板が成膜されて前記載置面が前記第１位置から前記第２位置に戻された後、前記載置面の少なくとも２箇所における前記吸着を順番に解除すること
    　を備える請求項１４または１５に記載の基板の保持方法。
  17. 　前記載置面の少なくとも２箇所のうちの少なくとも１つで前記吸着を解除することは、
    　　前記載置面の少なくとも２箇所のうちの１つで前記吸着を維持しつつ、前記少なくとも２箇所のうちの少なくとも１つの残りの箇所で前記吸着を解除することを含む、
    　請求項１２から１５のうちのいずれか一項に記載の基板の保持方法。
  18. 　前記載置面の少なくとも２箇所のうちの少なくとも１つで前記吸着を解除することは、
    　　前記吸着が解除されている間、前記基板の前記外周部をクランプ部によって機械的に保持することを含む、
    　請求項１２から１５のうちのいずれか一項に記載の基板の保持方法。
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