CN107429386A - 基板保持机构、成膜装置、及基板的保持方法 - Google Patents

Abstract

基板保持机构(20)具备：保持部(21、22)，具有载置面(21S)，基板(S)的外周部被载置于载置面(21S)，保持部(21、22)将基板保持于该载置面上。保持部(21、22)在第一位置(P1)与不同于该第一位置(P1)的第二位置(P2)之间变更载置面(21S)的位置。保持部(21、22)具备：吸附部，将基板(S)静电吸附于载置面(21S)的至少一部分。

Description

基板保持机构、成膜装置、及基板的保持方法

技术领域

本发明涉及保持基板的基板保持机构，在基板形成预定膜的成膜装置以及基板保持方法。

背景技术

作为在基板上形成预定膜的成膜装置，已知有例如枚叶式溅镀装置。枚叶式溅镀装置提出有如下结构：具备进行成膜处理的处理室，处理室具备大致垂直配置的靶材以及保持基板且改变基板相对于靶材的姿势的基板保持机构。基板保持机构将基板的姿势改变为相对于靶材为大致垂直的状态和与靶材大致平行的状态。在这样的溅镀装置中，基板保持机构使用夹持机构将基板的外周保持于载置台的载置面(例如参照专利文献1)。

现有技术文献

专利文献

专利文献1:特开2004-332117号公报

发明内容

发明所要解决的课题

然而，近年来，在使具备用溅镀装置形成的膜的制品轻量化，赋予制品可挠性或柔软性的目的下，需要成膜对象的基板厚度更小。

在此，用夹持机构将基板保持于载置台时，在夹持机构中，在夹片的基端对基板施加的力最大，越朝向夹片的前端则对基板施加的力会变得越小。然后，基板厚度变得越小，夹片对基板施加越大的力的话，在与夹片的基端抵接的基板部分应力集中，使基板破裂。因此，夹片施加基板的力有其极限。结果，有时夹片施加于基板的力变弱到如下程度：基板姿势从相对于靶材大致垂直的状态变成大致平行的状态时基板位置改变的程度，甚至基板弯曲的程度。

并且，这种状况并不限于基板姿势改变几乎90°的基板保持机构，在通过使基板摇动或使基板表背反转而改变基板姿势的基板保持机构中也同样存在，而且，不限于上述溅镀装置，在其他基板处理装置，例如蒸镀或蚀刻装置等中也同样存在。

本发明的目的在于提供一种基板保持机构、成膜装置以及基板保持方法，抑制随着基板姿势改变而相对于载置面的基板位置改变。

用以解决课题之手段

根据一方式的基板保持机构，具备保持部，所述保持部具有载置面，基板的外周部被载置于所述载置面，所述保持部将所述基板保持于所述载置面上，在第一位置和不同于所述第一位置的第二位置之间变更所述载置面的位置；所述保持部具备：吸附部，静电吸附所述基板于所述载置面的至少一部分。

根据此结构，因为基板的外周部被载置于载置面，基板被吸附于载置面的至少一部分，所以通过基板与载置面的面接触，能够抑制用来保持基板位置的力集中在基板边缘等。因此，相较于用来保持基板位置的力集中于基板边缘等的仅由夹持片来保持基板，基板相对于载置面的位置随着基板姿势改变而改变的状况被抑制。

在上述基板保持机构的其他方式中，优选为还具备：温度调节部，调节所述基板的温度；所述载置面具有环状；所述温度调节部位于所述载置面的内侧。

根据此结构，可以用温度调节部来调节被基板保持机构所保持的基板的温度。

在上述基板保持机构的其他方式中，优选为所述温度调节部被构成为位于所述载置面的内侧并与所述基板分离。

根据此结构，因为基板温度可被与基板分离的温度调节部的辐射热所调节，所以基板面内的温度分布偏差被抑制。

在上述基板保持机构的其他方式中，优选为所述温度调节部被构成为位于所述载置面的内侧并与所述基板相接。

根据此结构，因为基板温度可被接于基板的温度调节部所调节，所以提高基板的温度调节效率。

在上述基板保持机构的其他方式中，优选为基板保持机构还具备：第一支承部，配置于所述载置面的内侧，支承所述基板。

根据此结构，因为第一支承部接于比位于载置面靠内侧的基板内侧部分，所以基板内侧部分的弯曲的状况被抑制。

在上述基板保持机构的其他方式中，优选为所述第一支承部具备：前端部，与所述基板相接；所述前端部具备：支承吸附部，静电吸附所述基板。

根据此结构，因为基板的一部分被支承吸附部吸附，所以载置面的位置改变时，载置于载置面的基板被适当保持。

在上述基板保持机构的其他方式中，优选为所述保持部还具备：第二支承部，机械地支承所述基板的边缘。

根据此结构，因为除了基板的载置面被吸附部吸附以外，基板边缘被第二支承部所支承，所以相对于载置面的基板位置改变的状况更被抑制。

根据一方式的成膜装置，具备：成膜部，向基板放出成膜种；以及保持部，具有载置面，基板的外周部被载置于所述载置面，所述保持部将所述基板保持于所述载置面上，在面对所述成膜部的第一位置和不同于所述第一位置的第二位置之间变更所述载置面的位置；所述保持部具备：吸附部，将所述基板静电吸附于所述载置面的至少一部分。

根据此结构，因为基板的外周部被载置于载置面，基板被吸附于载置面的至少一部分，所以通过基板与载置面的面接触，能够抑制用来保持基板位置的力集中在基板边缘等。因此，相较于用来保持基板位置的力集中于基板边缘等的仅由夹持片来保持基板，基板相对于载置面的位置随着基板姿势改变而改变的状况被抑制。

在成膜处理中，因为越靠近基板中心，以成膜种施加于基板的热难以释放至基板外部，所以在基板中心部的温度，甚至与基板中心部重叠的保持部的中心部的温度会变高。藉此，保持部的温度会有变得比吸附部可运作的温度更高温的状况。

在这点，根据上述成膜装置的结构，因为吸附部位于基板外周部相接的载置面，所以相较于吸附部位于保持部的其他部分的结构，吸附部的温度提高的状况更被抑制。藉此，吸附部的功能降低的状况也被抑制，结果，随着载置面位置改变导致基板姿势改变，相对于载置面的基板位置改变的状况被抑制。

根据一方式的基板保持方法，具备：于能够在第一位置与不同于所述第一位置的第二位置之间变更位置的载置面上，载置所述基板的外周部；以及将所述基板静电吸附于所述载置面的至少一部分。

优选为静电吸附所述基板包含：在所述载置面的至少两处吸附所述基板的外周部。

在一方式中，静电吸附所述基板包含：在所述载置面的至少二处中的一处开始所述基板的外周部的吸附；以及在所述至少二处皆进行所述吸附的状态为止，在开始所述吸附的处所维持所述吸附，依序开始在所述至少二处的各处的所述吸附。

在一方式中，静电吸附所述基板包含：在所述载置面的至少二处的全部皆开始所述基板的外周部的吸附；以及开始所述吸附后，在所述至少二处中的至少一处解除所述吸附。

优选为，静电吸附所述基板包含：从在所述载置面的至少二处的全部皆进行所述吸附的状态，在所述至少二处中的至少一处解除所述吸附；以及通过在解除了所述吸附的处所重新开始所述吸附，从而在所述至少二处皆进行所述吸附。

在一方式中，所述基板在所述载置面位于所述第二位置时被接收于所述载置面上，所述载置面位于所述第一位置时进行成膜；静电吸附所述基板包括：所述载置面位于所述第二位置时，在所述载置面的至少二处的一处或全部开始所述吸附；以及所述载置面位于所述第二位置或所述第一位置时，在所述载置面的至少二处中的至少一处解除所述吸附。

并且，优选为，在所述载置面的至少二处中的至少一处解除所述吸附包括：在所述基板被成膜之前、所述基板被成膜的期间、以及所述基板被成膜后之中的至少一者，在所述载置面的所述第一位置解除所述吸附。

在一方式中，所述基板被成膜且所述载置面从所述第一位置回到所述第二位置后，依序解除在所述载置面的至少二处的所述吸附。

在一方式中，在所述载置面的至少二处中的至少一处解除所述吸附包括：在所述载置面的至少二处中的至少一处维持所述吸附，并在所述至少二处中的剩下的至少一处解除所述吸附。

在一方式中，在所述载置面的至少二处中的至少一处解除所述吸附包括：在所述吸附被解除的期间，由夹持部机械地保持所述基板的所述外周部。

附图说明

图1表示作为成膜装置的一例的溅镀装置的第一实施方式的概略结构图。

图2是第一实施方式的溅镀腔的概略结构图。

图3是基板保持机构的俯视图。

图4是第一实施方式的变形例的基板保持机构的局部剖视图。

图5是第一实施方式的另一变形例的基板保持机构的局部剖视图。

图6是第一实施方式的变形例的成膜装置的概略结构图。

图7是第一实施方式的另一变形例的基板保持装置的概略结构图。

图8是第二实施方式的基板保持机构的局部剖视图。

图9是第二实施方式的变形例的基板保持机构的局部剖视图。

图10是第三实施方式的基板保持机构的俯视图。

图11是第三实施方式的基板保持机构的局部剖视图。

图12是表示第三实施方式的支承部的概略结构的局部放大图。

图13是表示第四实施方式的基板保持机构的俯视图。

图14是表示夹持部的一部分与基板的一部分的局部放大图。

图15是说明第四实施方式的基板保持机构的作用的图。

图16是第四实施方式的变形例的吸附部的俯视图。

具体实施方式

[第一实施方式]

参照图1～3来说明第一实施方式的基板保持机构、成膜装置以及基板保持方法。在第一实施方式中，说明作为成膜装置的一例的溅镀装置、以及该溅镀装置所具备的基板保持机构。以下依次说明溅镀装置的整体结构、溅镀腔的结构、基板保持机构的结构以及溅镀装置的作用。

[溅镀装置的整体结构]

参照图1来说明溅镀装置的整体结构。

如图1所示，溅镀装置10具备：一个搬送腔11；两个负载锁定腔12，连接于搬送腔11；以及两个溅镀腔13，连接于搬送腔11。在各负载锁定腔12与搬送腔11之间，以及各溅镀腔13与搬送腔11之间，各配置有一个闸阀14。各闸阀14在连通状态与非连通状态之间改变搬送腔11与相应的腔之间的连接路。

负载锁定腔12将在溅镀装置10中作为处理对象的基板 S从溅镀装置10的外部搬入到内部，且从溅镀装置10的内部搬出至外部。负载锁定腔12在将基板S搬入搬出时，在不与搬送腔11连通的状态下将负载锁定腔12的内部对大气开放。另一方面，负载锁定腔12在将基板S转交给搬送腔11时以及从搬送腔11接受基板S时，在与搬送腔11连通的状态下与搬送腔11一起形成减压至预定压力的内部空间。

再者，溅镀装置10也可以是具备一个负载锁定腔12的结构，也可以是具备三个以上的负载锁定腔12的结构。

溅镀腔13具备阴极15，通过阴极15在基板S的一个面形成预定膜。溅镀腔13在形成膜于基板S时，形成被减压至与搬送腔11的内部压力相同或更低的压力的内部空间。

并且，溅镀装置10的两个溅镀腔13，也可以分别具备用于在基板S上形成彼此相同的膜的阴极15，也可以具备用于在基板S上形成彼此不同的膜的阴极15。并且，溅镀装置10也可以是具备一个溅镀腔13的结构，也可以是具备三个以上的溅镀腔13的结构。

搬送腔11具备搬送基板S的搬送机器人16。搬送机器人16将成膜前的基板S穿过搬送腔11而从负载锁定腔12搬送至溅镀腔13，且将成膜后的基板S穿过搬送腔11而从溅镀腔13搬送至负载锁定腔12。

并且，溅镀装置10除了上述负载锁定腔12以及溅镀腔 13以外的腔，也可以具备例如用于进行在基板S上形成膜之前的处理的前处理腔或用于进行形成膜于基板S后的处理的后处理腔等。

[溅镀腔的结构]

参照图2进一步说明溅镀腔13的结构。并且，以下为了方便说明，仅说明关于溅镀腔13的构成中，保持基板S的基板保持机构20 和用于形成膜于基板S的阴极15。

如图2所示，溅镀腔13具备真空槽13a，在真空槽13a 的内部配置有保持基板S的基板保持机构20和用来形成膜于基板S 的阴极15。

真空槽13a具有箱体形状，具有形成为能收纳基板保持机构20和阴极15的大小的内部空间。真空槽13a的内部空间通过连接于真空槽13a的排气部来排气而减压至预定压力(例如真空)。

阴极15被固定于真空槽13a的内周面。阴极15为成膜部的一例，具备：垫板31，固定于真空槽13a的内周面；以及靶材 32，固定于垫板31。

基板保持机构20具备：载置台21，载置基板S；以及变更部22，改变载置台21相对于阴极15的位置。载置台21和变更部 22构成保持部的一例。载置台21具有：载置面21S，载置基板S的外周部。基板保持机构20保持载置于载置面21S上的基板S。

变更部22在载置台21相对于阴极15大致垂直的位置与载置台21相对于阴极15大致平行的位置之间，改变载置台21相对于阴极15的位置。也就是说，变更部22是在载置面21S位于沿着大致水平方向的状态与载置面21S位于沿着大致铅直方向的状态之间，改变载置台21的位置。

然后，在载置台21位于相对于阴极15大致平行的位置时，载置面21S位于面对阴极15的第一位置P1。另一方面，在载置台21位于相对于阴极15大致垂直的位置时，载置面21S位于不同于第一位置P1的位置，即、位于不面对阴极15的第二位置P2。

如此，变更部22通过改变载置台21相对于阴极15的位置，从而在第一位置P1与第二位置P2之间改变载置面21S的位置，藉由载置面21S的位置改变，载置于载置面21S的基板S的姿势会改变。然后，当载置面21S位于第一位置P1时，基板保持机构20所保持的整个基板S，在基板S与靶材32相面对的方向，被靶材32覆盖。也就是说，基板S的面积比靶材32的面积小。

形成膜于基板S时，首先，变更部22使载置面21S位于载置台21的载置面21S与阴极15相面对的第一位置P1。然后，供给预定的溅镀气体至真空槽13a的内部，接下来，从与垫板31连接的电源，经由垫板31施加电压至靶材32。

藉此，藉由在靶材32周围产生电浆，电浆中的离子与靶材32冲突，从而靶材32将作为成膜种的溅镀粒子Sp向基板S放出。然后，溅镀粒子Sp到达基板S，从而在与阴极15面对的基板S的成膜面形成预定膜。

[基板保持机构的结构]

参照图3更详细地说明基板保持机构20的结构。并且，在图3中，为了图示方便，仅表示基板保持机构20的载置台21的平面构造，保持于基板保持机构20的基板S的外周部是以双点划线表示。并且，在图3中，与纸面垂直的方向中的上方是铅直方向中的上方。

如图3所示，从面对载置面21S的方向来看，载置台21 具有矩形板形状，载置于载置面21S的基板S具有比载置台21小的矩形板形状。并且，从面对载置面21S的方向来看，载置台21及基板S 也可以各自具有与矩形板状不同的形状，例如圆形或多角形。

载置台21包含对向面21a，在载置面21S位于第一位置 P1时，对向面21a面对阴极15。载置面21S被规定成基板S的外周部 Sa被载置的对向面21a的部分。基板S的外周部Sa是包含基板S的外周缘的预定宽度的带状部分。也就是说，基板S的外周部Sa具有包围基板S中央部的矩形环状。

载置台21具有矩形板状，载置台21的对向面21a是大致平坦面。因此，被载置面21S所包围的对向面21a的内侧部分的几乎全部与基板S的非成膜面的一部分相接。即，载置台21的对向面 21a中，载置面21S和包围载置面21S的内侧部分与基板S相接。

基板保持机构20还具备吸附部23，吸附部23将基板S 静电吸附于载置面21S的至少一部分。载置面21S包括分别与基板S 的外周部Sa的四个边对应的第一～第四侧部21Sa～21Sd。在载置台 21位于沿着大致铅直方向的状态下，载置面21S的第一侧部21Sa与铅直方向上的基板S的上端的几乎全部相接，第二侧部21Sb与基板S 的下端的几乎全部相接，第三侧部21Sc与铅直方向上的基板S的右端的的几乎全部相接，第四侧部21Sb与基板S的左端的几乎全部相接。吸附部23包含：第一部分23a，设于载置面21S的第一侧部Sa；以及第二部分23b，设于第二侧部21Sb。

并且，虽然吸附部23的第一部分23a和第二部分23b，在图3的例子中分别配置于与基板S的上端和下端对应的载置面21S的第一侧部21Sa和第二侧部21Sb，但吸附部23的配置并不受限于此。例如，代替第一及第二部分23a、23b，吸附部23也可以是包含设于与基板 S右端对应的载置面21S的第三侧部21Sc的第三部分以及设于与基板S左端对应的载置面21S的第四侧部21Sd的第四部分的结构。或者是，吸附部23也可以包含这些第三及第四部分和第一及第二部分 23a、23b，在与基板S的上下左右端对应的第一～第四侧部21Sa～ 21Sd分别安排有吸附部。

当载置台21的载置面21S位于第一位置P1时，基板S在位于沿着大致铅直方向的状态。因此，因基板S的自重，基板S的上端向着铅直方向的下方移动，并且，基板S的下端也要向着铅直方向的下方移动。

在这一点，吸附部23位于与在铅直方向上的基板S的上端的几乎全部对应的载置面21S的第一侧部21Sa以及与基板S的下端的几乎全部对应的载置面21S的第二侧部21Sb的结构，在抑制如上述的基板S的移动方面为优选的结构。

吸附部23构成对向面21a的一部分，即载置面21S的一部分。因此，当基板S的外周部Sa被载置于载置面21S时，基板S的外周部Sa与吸附部23直接面接触。

如此，因为基板S的外周部Sa被载置于载置面21S，基板S被吸附于载置面21S的至少一部分，所以用来保持基板S的位置的力集中于基板S的边缘等情况被基板S与载置面21S的面接触所抑制。因此，相较于仅以用来保持基板S的位置的力集中于基板S的边缘等的夹片来保持基板S，随着基板S的姿势改变而基板S相对于载置面21S的位置改变被抑制。再者，因为吸附部23的静电力直接作用于基板S，基板S容易被吸附部23吸附。

并且，吸附部23的整个表面也可以不直接接于基板S，例如在吸附部23的表面的一部分也可以被用来防止成膜种附着的防附板所覆盖。吸附部23也可以是吸附部23的表面整体不直接接于基板S的结构，也可以是产生仅吸附被载置于载置面21S的基板S的静电力的结构。

吸附部23是例如以静电力吸附基板S的静电夹头。吸附部23也可以是单极型的静电夹头，也可以是双极型的静电夹头。并且，吸附部23也可以是以库仑力吸附基板S的静电夹头，也可以是以约翰逊-拉贝克力(Johnson-Rahbek force)吸附基板S的静电夹头，也可以是以梯度力吸附基板S的静电夹头。

[溅镀装置的作用]

说明上述溅镀装置10的作用。

变更部22从搬送机器人16接受成膜前的基板S时，藉由使载置台21移动至与阴极15大致垂直的状态，从而使载置面21S位于第二位置P2。然后，当基板S被载置于载置台21时，吸附部23的第一及第二部分23a、23b(即整个吸附部23)吸附基板S，变更部22使载置台21移动至与阴极15大致平行的状态，来使载置面21S位于第一位置P1。并且，在基板S上开始形成膜到结束的期间，变更部22将载置台21保持为与阴极15大致平行的状态。

当在基板S上的膜形成结束时，变更部22藉由使载置台21移动至与阴极大致垂直的状态，使载置面21S再次位于第二位置P2。然后，吸附部23的第一及第二部分23a、23b解除基板S的吸附。如此，在本例中，不只是在基板S上的成膜中，从由搬送机器人16搬送的基板S被基板保持机构20接受，到已成膜的基板S被搬送机器人16从基板保持机构20搬出至搬送腔11为止，所有的吸附部23 吸附基板S的外周部Sa。

在形成膜于基板S的成膜处理中，由于越接近基板S的中心，以溅镀粒子Sp施加于基板S的热越难以放出至基板S外部，所以基板S的中心部的温度，甚至与基板S的中心部重叠的对向面21a 的中心部的温度会变高。藉此，对向面21a的温度会有比吸附部23 的构成部件的耐热温度更高温的状况。

在此，在吸附部23是以库仑力吸附基板S的静电夹头的情况下，吸附部23的构成部件包含形成静电夹头表面并埋入有电极的绝缘层以及支承该绝缘层的基部等。然后，绝缘层的形成材料采用例如聚酰亚胺等树脂，基部的形成材料采用例如铝。

这些形成材料的耐热温度为例如200℃程度，耐热温度是可保持构成部件的形状及维持机械功能的温度。当在成膜处理中吸附部23受到热，吸附部23的温度变得比构成部件的耐热温度更高时，绝缘层会从基部剥离，或基部变形，从而吸附部23稳定保持基板S的功能会降低，即吸附部23的功能降低。

根据上述溅镀装置10，因为吸附部23位于与基板S的外周部Sa相接的载置面21S，所以与吸附部23位于对向面21a的其他部分的结构相比，吸附部23的温度升高的状况被抑制。也就是说，吸附部23所在的对向面21a的部分的温度，难以变得比吸附部23的构成部件的耐热温度高，所以因吸附部23的温度变得比吸附部23的构成部件的耐热温度高而导致吸附部23的功能降低的状况被抑制。结果，随着载置面21S的位置改变而基板S的姿势改变，基板S相对于载置面21S的位置改变的状况被抑制。

如以上说明，根据第一实施方式，可以获得以下记载的效果。

(1)因为基板S的外周部Sa被载置于载置面21S，基板S被吸附于载置面21S的至少一部分，所以用来保持基板S的位置的力集中于基板S的边缘等的情况通过基板S与载置面21S的面接触而被抑制。因此，与用于保持基板S的位置的力集中于基板S的边缘等的仅由夹片来保持基板S的情况相比，随着基板S的姿势改变而基板S相对于载置面21S的位置改变被抑制。

(2)因为吸附部23的温度升高的状况被抑制，所以吸附部23的功能降低的状况被抑制，结果随着基板S的姿势改变，基板S相对于载置面21S的位置改变的状况被抑制。

并且，上述的第一实施方式也可以按照如下方式适当变更来实施。

基板保持机构20也可以具备调节基板S温度的温度调节部，温度调节部优选为位于载置面21S内侧。并且，温度调节部也可以包含位于与载置面21S同一平面上的面，从而温度调节部直接接于基板S，也可以是温度调节部整体位于载置台21的内部，从而温度调节部经由载置台21间接地接于基板S的结构。

参照图4及图5，来说明温度调节部直接接于基板S的结构例。并且，图4及图5表示载置台21位于沿着大致水平方向的状态下的载置台21的剖面构造，载置台21的对向面21a是沿着大致水平方向的面。

如图4所示，金属制的载置台21，在载置面21S的内侧具有从对向面21a凹陷的沟部21c，沟部21c由水路21c1和盖用沟21c2构成，塞住水路21c1开口的金属制的盖部件24a嵌入盖用沟21c2。作为温媒或冷媒的热介质被供给至水路21c1。沿着铅直方向的盖用沟21c2 的深度与盖部件24a的厚度大致相等，盖部件24a通过被嵌入盖用沟 21c2而与载置面21S位于同一平面上。

划分水路21c1的载置台21的部分，作为被热介质加热或冷却的温度调节部分21d来发挥作用。因此，在具备这样的载置台21的基板保持机构20中，温度调节部分21d及盖部件24a构成与载置台21一体的温度调节部24。

图5表示另一温度调节部24的构成例。基板保持机构20的载置面21S，从面对载置面21S的方向来看具有环状。在载置台21，在比载置面21S靠内侧的对向面21a的部分，形成有从对向面21a凹陷的一个凹沟21b。温度调节部24位于凹沟21b的内部，具有与被凹沟21b 划定的空间大致相同大小。因此，温度调节部24的上表面与载置面 21S位于同一平面上。温度调节部24具备相对于载置台21分体的金属制的基体24b，基体24b具有供给热媒的水路24c。

并且，基体24b的厚度与凹沟21b的深度大致相等，同时，基体 24b的俯视大小也可以比凹沟21b所划定的空间小。也就是说，温度调节部24与基板S相接，同时也可以是在与划定凹沟21b的载置台21 的内壁面之间具有空隙的大小。

并且，与载置台21分体的温度调节部24，也可以是具备基体和盖部件的结构，在此情况下，基板具有在基体的一个面开口的水路，盖部件塞住水路的开口。

如此，若构成为载置台21的载置面21S具有环状，温度调节部 24位于载置面21S的内侧并与基板S相接，便可获得以下记载的效果。

(3)基板S的温度被接于基板S的温度调节部24所调节，所以基板S的温度调节效率提高。

吸附部23也可以构成为，当载置面21S位于第一位置 P1时，在与基板S上端相接的载置面21S的第一侧部21Sa隔着间隔排列的多个吸附部位吸附基板S。并且，吸附部23也可以构成为，当载置面21S位于第一位置P1时，在与基板S下端相接的载置面21S的第二侧部21Sb隔着间隔排列的多个吸附部位吸附基板S。再者，吸附部23也可以组合在离散地位于载置面21S的第一侧部21Sa的多个吸附部位吸附基板S的结构与在离散地位于载置面21S的第二侧部 21Sb的多个吸附部位吸附基板S的结构来实施。

并且，离散地位于吸附部23的多个吸附部位吸附基板 S的结构为例如可具体化作为分别沿着载置面21S的第一侧部21Sa 及第二侧部21Sb隔着间隔配置多个静电夹头的结构。

在载置面21S位于第一位置P1时，吸附部23除了在与基板S的上端相接的载置面21S的第一侧部21Sa和与基板S的下端相接的载置面21S的第二侧部21Sb静电吸附基板S之外，也可以在与基板S的右端相接的载置面21S的第三侧部21Sc和与基板S的左端相接的载置面21S的第四侧部21Sd静电吸附基板S。在此情况下，吸附部 23也可以构成为一个以上的静电夹头位于载置面21S的第一～第四侧部21Sa～21Sd的各个侧部。或者是，吸附部23也可以由能够静电吸附基板S于整个载置面21S的一个静电夹头所构成。

阴极15也可以不固定于真空槽13a，阴极15也可以是具备在载置面21S位于第一位置P1时，改变阴极15相对于基板S的位置的阴极搬送机构的结构。以这样的结构，分别在构成阴极15的垫板31及靶材32，阴极15的搬送方向，即沿着基板S的四边中的一个方向的宽度优选为比基板S窄。

吸附部23也可以是第一部分23a和第二部分23b能够在彼此独立的时机吸附基板S的结构。以这样的结构，在变更部22使载置面 21S位于第一位置P1或第二位置P2的状态下，例如吸附部23的第一部分23a维持基板S的吸附，同时，第二部分23b可以暂时解除基板S 的吸附。

基板S被载置于载置面21S时，即载置台21的载置面21S位于不面对阴极15的第二位置P2时，在此位置以吸附部23吸附基板S的外周部Sa时，若想要一次以所有的吸附部23(图3的例中的第一部分 23a及第二部分23b)吸附基板S，则会有因吸附时机的偏差，在基板S的一部分从载置面21S突出的状态(即基板S变形的状态)下被吸附部23所吸附的状况。

并且，因在基板S上形成膜而产生膜应力，载置面21S所载置的基板S会有变形的情况。

如此，在基板S上形成膜之前与形成膜之后，基板S会有变形的状况。在这样的情况下，在变更部22使载置面21S位于第一位置P1 或第二位置P2的状态下，藉由暂时解除以第二部分23b进行基板S的吸附，可以解除基板S的变形，可使载置于载置面21S的基板S保持不弯曲。

并且，在变更部22使载置面21S位于第一位置P1或第二位置P2 的状态下，吸附部23的第一部分23a维持基板S的吸附，同时第二部分23b暂时解除基板S的吸附后，也可以再次吸附基板S。

如此，在载置于载置面21S的基板S变形的情况下，暂时解除以吸附部23的第二部分23b进行的基板S的吸附，再次吸附基板S，从而消除载置于载置面21S的基板S的变形，能够不弯曲地吸附基板S。

并且，也可以在基板S2形成膜的过程中，吸附部23的第一部分 23a维持基板S的吸附，第二部分23b解除基板S的吸附。然后，也可以在基板S上形成完膜后，在变更部22使载置面21S位于第一位置P1 的状态下，第二部分23b再次吸附基板S。藉此，即使因向基板S输入热而导致基板变形，因为解除以第二部分23b进行的基板S的吸附，所以基板S沿着载置面21S变形(热膨胀)，能够相对于载置面 21S维持平坦的状态。再者，在载置于载置面21S的基板S为平坦的状态下，能够将基板S不弯曲地吸附。

如此结构，在载置面21S位于第二位置P2的状态下，由温度调节部24调节基板S的温度，即使在基板S产生热变形的情况下也有效。即使在通过温度调节部24调节温度而使基板S热膨胀的情况，因为吸附部23的第一部分23a维持基板S的吸附，另一方面，第二部分23b解除基板S的吸附，所以基板S沿着载置面21S变形(热膨胀)，能够维持相对于载置面21S为平坦的状态。换言之，利用温度调节时所产生的基板S的热膨胀，在第二部分23b解除基板S的吸附的期间解除基板S的变形。然后，在基板S的变形解除后，由第二部分23b 进行基板S的吸附。

并且，在此情况下，基板S被载置于载置面21S时，也可以从一开始就只用吸附部23的第一部分23a来吸附基板S。也就是说，不需要一开始就用所有的吸附部23来吸附基板S。如此，在第二位置P2，基板S被载置于载置面21S时，一开始只用一部分的吸附部23(图3 中，例如第1部分23a)开始吸附，之后用剩下的吸附部23(图3中，例如第2部分23b)也依序开始基板S的吸附，能够解除基板S的变形并平坦地保持基板S。

这样的结构在解除成膜后的基板S的吸附时也有效。例如，成膜后的基板S会有在第二位置P2被载置于载置面21S的状态下变形的情况。在此情况下，当多个吸附部23一次性地解除吸附，则解除吸附的同时一次性地解除基板S的变形，因此，会发生基板S相对于载置面21S滑动等的位置偏离的情况。

在此情况下，由于依序解除多个吸附部23，能够阶段性地解除基板S的变形，解除最后的吸附部23时，基板S已经相对于载置面21S 处于平坦的状态，所以不会产生基板S相对于载置面21S的位置偏离的情况。

如图6所示，溅镀装置也可以是在基板S沿着大致铅直方向站立的状态下搬送基板S的结构。并且，在图6表示从与基板S 的上端面对的方向来看的溅镀装置的概略结构。

例如，基板保持机构40也可以是具备保持基板S的托盘41、沿着搬送方向D搬送托盘41的搬送部42以及吸附部23的结构。在托盘41的一面形成有载置基板S的外周部Sa的载置面41S，吸附部 23静电吸附基板S于载置面41S的至少一部分。

搬送部42在托盘41沿着大致铅直方向的状态下保持托盘41。搬送部42从托盘41与固定于溅镀腔13的真空槽13a内的阴极 15不相面对的位置，沿着搬送方向D搬送至托盘41与阴极15相面对的位置。并且，搬送部42从托盘41与阴极15相面对的位置，沿着搬送方向D搬送托盘41至托盘41与阴极15不相面对的位置。

也就是说，当托盘41与阴极15彼此面对时，载置面41S 位于面对阴极15的第一位置P1。另一方面，托盘41与阴极15彼此不面对时，载置面41S位于与第一位置P1相异的第二位置P2。

并且，在被保持于托盘41的基板S上形成膜时，搬送部42也可以将基板S相对于阴极15的位置固定，也可以沿着搬送方向D改变基板S相对于阴极15的位置。

如图7所示，基板保持机构50也可以是具备保持基板S 的托盘51、使托盘51反转的反转部52以及吸附部23的结构。在托盘 51的一面形成有载置基板S的外周部Sa的载置面51S，吸附部23静电吸附基板S于载置面51S的至少一部分。

反转部52以沿着水平方向的旋转轴为中心使托盘51反转，从而在基板S位于托盘51上方的状态与基板S位于托盘51下方的状态之间改变托盘51的方向。然后，例如基板S位于托盘51上方的状态下，载置面51S位于面对成膜部(阴极15)的第一位置。另一方面，在基板S位于托盘51下方的状态下，载置面51S位于与第一位置不同的位置，即位于不面对成膜部(阴极15)的第二位置。

并且，基板保持机构50的载置面51S也可以是在基板S 位于托盘51下方的状态下位于面对成膜部(阴极15)的第一位置，同时在基板S位于托盘51上方的状态下位于不面对成膜部(阴极15) 的第二位置的结构。

成膜装置不限于上述溅镀装置，也可以是例如真空蒸镀装置等，只要是能够对基板S的一面形成预定膜的装置。

基板保持机构不限于上述溅镀装置等的成膜装置所具备的基板保持机构，也可以具体化为其他基板处理装置、例如蚀刻装置或激光照射装置等所具备的基板保持装置。

第一实施方式及第一实施方式的变形例的结构也可以适当组合来实施。

[第二实施方式]

参照图8，来说明第二实施方式的基板保持机构、成膜装置以及基板保持方法。在第二实施方式，说明成膜装置的一例的溅镀装置、以及该溅镀装置所具备的基板保持机构。并且，第二实施方式相较于第一实施方式，在基板保持机构的载置面的周边结构不同。因此，以下详细说明这个不同点，对于第二实施方式中与第一实施方式共通的结构，赋予与第一实施方式相同的符合，省略其详细说明。

[基板保持机构的结构]

参照图8来说明基板保持机构20的结构。并且，在图8中，为了图示方便，省略基板保持机构20的变更部22的图示。

如图8所示，基板保持机构20的载置面21S，从面对载置面21S 的方向来看具有环状，载置面21S的内侧为中空。也就是说，在基板保持机构20的载置台21，在比载置面21S靠内侧的对向面21a的部分，形成有从对向面21a凹陷的1个凹沟21b。因此，与阴极15面对的基板S的成膜面相反侧的非成膜面，接于载置台21的载置面21S，在载置面21S以外的部分并不接于载置台21。

藉此，因为基板S在载置面21S以外的部分不与基板保持机构20的载置台21相接，所以在基板S与载置台21的接触领域，包含溅镀粒子Sp等的颗粒被基板S与载置台21夹住的状况被抑制。因此，在基板S的非成膜面因颗粒而污染损伤的状况被抑制。

基板保持机构20还具备调节基板S温度的温度调节部 24，温度调节部24被构成为位于载置面21S的内侧并与基板S分离。也就是说，温度调节部24位于载置面21S的内侧，且位于凹沟21b的内部。然后，在载置台21位于沿着大致水平方向的状态下，沿着铅直方向的凹沟21b的深度比沿着铅直方向的温度调节部24的宽度大，所以温度调节部24并未接于基板S的非成膜面。

因此，由于基板S的温度是由与基板S分离的温度调节部24的辐射热所调节，所以在基板S的面内的温度分布的偏差被抑制。

如以上说明，根据第二实施方式，可获得以下记载的效果。

(4)因为颗粒被夹于基板S与载置台21的状况被抑制，所以在基板S的非成膜面被颗粒污染或损伤的状况被抑制。

(5)因为基板S的温度是由与基板S分离的温度调节部24的辐射热所调节，所以在基板S的面内的温度分布的偏离被抑制。

再者，上述第二实施方式也可以如以下方式适当变更来实施。

如图9所示，温度调节部24包含：接于载置台21的第一面(在图9的下面)；以及位于其相反侧并面对基板S的第二面(在图9的上表面)。多个垫61也可以位于此温度调节部24的第二面。在图9 的结构中，各垫61为第一支承部的一例。多个垫61为树脂制，在温度调节部24与基板S之间，经由垫61的热传导几乎不会产生。因此，温度调节部24是由温度调节部24的辐射热来调节基板S的温度。

垫61的厚度大致等同于从温度调节部24的第二面到载置台21 的对向面21a为止的距离，垫61具有端面(前端部)，该端面位于与载置面21S同一平面上。因此，当基板S被载置于载置面21S时，各垫61的端面接于基板S。

垫61因支承面对凹沟21b的基板S的内侧部分，所以该基板S的内侧部分向着温度调节部24弯曲的状况被抑制。因此，基板S接于温度调节部24的状况被抑制，结果，因基板S的温度急速变动而施加于基板S的压力被抑制。并且，因为基板S接于温度调节部24的状况被抑制，所以基板S被温度调节部24损伤的状况被抑制。

在基板保持机构20，也可以省略温度调节部24。即使以这样的结构，在载置台21形成凹沟21b也可以获得上述(4)的效果。

第二实施方式及第二实施方式的变形例的各结构，也可以适当与第一实施方式的变形例的各结构组合来实施。

[第三实施方式]

参照图10～图12来说明第三实施方式的基板保持机构、成膜装置以及基板保持方法。在第三实施方式，说明作为成膜装置的一例的溅镀装置和该溅镀装置所具备的基板保持机构。并且，第三实施方式相较于第二实施方式，在基板保持机构具备支承基板的支承部这点不同。因此，以下详细说明这个不同点，对于与第二实施方式共通的结构，藉由赋予相同的编号，来省略其详细说明。

[基板保持机构的结构]

参照图10～图12来说明基板保持机构20的结构。并且，在图10 中，为了图示方便，与图3同样，仅表示基板保持机构20的载置台 21的平面构造，保持于基板保持机构20的基板S的外周部Sa以双点划线表示。并且，在图10中，垂直纸面的方向的上方为铅直方向的上方。然后，在图11，为了图示方便，与图6同样，省略基板保持机构20的变更部22的图示。并且，在图12，为了图示方便，概略表示基板S的一部分和支承部的一部分。

如图10所示，基板保持机构20还具备作为第一支承部的一例的支承部70，支承部70配置于载置面21S的内侧，支承基板S。基板保持机构20具备多个支承部70，例如四个支承部70，各支承部 70位于凹沟21b的内部。支承部70藉由其前端接于基板S的非成膜面来支承基板S。

支承部70藉由支承位于比载置面21S靠内侧的基板S的内侧部分来抑制基板S的内侧部分的弯曲。也就是说，通过支承部 70来抑制与凹沟21b面对的基板S的内侧部分向着凹沟21b的底部凸出地弯曲的状况。

凹沟21b为有底的矩形孔，各支承部70在矩形孔的四角各配置一个。四个支承部70包围位于凹沟21b内部的温度调节部 24。也就是说，四个支承部70在与载置台21的对向面21a面对的俯视视角，在凹沟21b所包围的空间内被配置于比温度调节部24靠外侧。

并且，各支承部70也可以配置在例如在有底的矩形孔的四角以外的部分，即、配置在凹沟21b的底部的沿着各边的部分。或者是，各支承部70在被凹沟21b包围的空间内，例如在与对向面 21a面对的俯视视角，也可以配置于与温度调节部24重叠的位置。并且，凹沟21b也可以是矩形孔以外的孔，例如圆形孔。重点是各支承部70被配置在载置面21S的内侧能够支承基板S的位置即可。并且，基板保持机构20也可以具备三个以下的支承部70，也可以具备五个以上的支承部70。

如图11所示，各支承部70具有沿着一方向延伸的柱形状，在载置台21的载置面21S沿着大致水平方向的状态时，各支承部70沿着大致铅直方向延伸。凹沟21b的底部为具有矩形状的平面，支承部70的基端部70b位于凹沟21b的底部，支承部70从凹沟21b的底部向凹沟21b的开口延伸。支承部70具有与凹沟21b的深度大致相同的长度，支承部70的前端部70a接于基板S的非成膜面。

如图12所示，支承部70的前端部70a具备：支承吸附部71，静电吸附基板S。支承吸附部71以外的支承部70的部分为对支承吸附部71进行支承的支承柱72。由于支承部70具备支承吸附部 71，所以基板S的一部分被支承吸附部71所吸附。因此，更容易保持载置于载置面21S的基板S。支承吸附部71为例如静电夹头，优选为具有与上述吸附部23同样的吸附功能。

支承吸附部71将支承部70的前端部70a作为前端面来具有。因此，支承吸附部71直接接于基板S的非成膜面，结果，基板S容易被支承吸附部71所吸附。

并且，支承吸附部71位于支承部70的支承柱72的内部，支承柱72也可以是接于基板S的结构，即使是这样的结构，支承吸附部71只要具有能够吸附基板S的程度的静电力即可。

如以上说明，根据第三实施方式，可获得以下记载的效果。

(6)因为支承部70与比载置面21S靠内侧的基板S的内侧部分相接，所以基板S的内侧部分弯曲的状况被抑制。

(7)因为基板S的一部分被支承吸附部71所吸附，所以当载置面21S的位置在第一位置P1与第二位置P2之间改变时，也可以适当保持载置于载置面21S的基板S。

并且，上述第三实施方式也可以如以下方式适当变更来实施。

基板保持机构20若具备多个支承部70，则也可以是多个支承部 70中仅一部分支承部70具备支承吸附部71。

支承部70具备的支承吸附部71也可以省略。即使是这样的结构，只要基板保持机构20具备接于基板S的非成膜面的支承部70，可获得上述(6)的效果。

在基板保持机构20，也可以省略温度调节部24。即使是这样的结构，只要基板保持机构20具备接于基板S的非成膜面的支承部70，可获得上述(6)的效果。

第三实施方式及第三实施方式的变形例的各结构，也可以适当组合第一实施方式的变形例及第二实施方式的变形例的各结构来实施。

[第四实施方式]

参照图13～图15，来说明第四实施方式的成膜装置、基板保持机构以及基板保持方法。在第四实施方式中，说明作为成膜装置的一例的溅镀装置和该溅镀装置所具备的基板保持机构。并且，第四实施方式相较于第一实施方式，在基板保持机构具备夹持部这点不同。因此，以下详细说明这个不同点，对于与第一实施方式相同的结构，藉由赋予相同的编号，来省略其详细说明。

[基板保持机构的结构]

参照图13～图15来说明基板保持机构20的结构。并且，在图13，为了图示方便，与图3同样，仅表示基板保持机构20的载置台21的平面构造，保持于基板保持机构20的基板S的外周部Sa以双点划线表示。并且，在图13中，垂直纸面的方向的上方为铅直方向的上方。然后，在图14，扩大表示从与基板端面面对的方向观看夹持部和基板的结构，即、夹持部和基板S的一部分的概略结构。

如图13所示，基板保持机构20具备吸附部23，吸附部 23在载置面21S位于第一位置P1的状态下，静电吸附基板S于与基板 S上端相接的载置面21S的第一侧部21Sa。也就是说，吸附部23的吸附面露出于载置面21S的第一侧部21Sa。

藉此，当基板S被载置于载置面21S时，因为在基板S 的非成膜面的一部分与吸附部23直接面接触，所以基板S容易被吸附部23所吸附。并且，即使在第一实施方式等，如上述，整个吸附部23也可以位于载置台21的内部。

基板保持机构20如上述，具有使载置面21S沿着大致铅直方向位于第一位置P1的功能。基板保持机构20还具备作为第二支承部的一例的夹持部81，夹持部81在载置面21S位于沿着铅直方向的状态下，在基板S的铅直方向的下端，向着载置面按压基板S。也就是说，夹持部81通过与基板S的边缘相接来机械地支承基板S。

基板保持机构20具备多个夹持部81，例如三个夹持部 81，三个夹持部81在基板S的下端，空出预定间隔排列。并且，基板保持机构20也可以是具备两个以下的夹持部81的结构，也可以是具备四个以上的夹持部81的结构。

如图14所示，夹持部81藉由改变夹持部81相对于载置台21的位置的位置变更部，改变成夹持部81与载置台21之间的距离为小的保持位置和夹持部81与载置台21之间的距离为大的非保持位置。并且，在图14，位于保持位置的夹持部81是以实线表示，位于非保持位置的夹持部81是以双点划线表示。

当基板S的外周部Sa被载置于载置面21S时，以及被从载置面21S取下时，夹持部81是位于非保持位置。另一方面，当基板S被保持在载置台21时，夹持部81是位于保持位置。

当夹持部81位于保持位置时，基板S的下端可以与夹持部81相接，基板S的下端与夹持部81之间也可以形成空隙。若采用基板S的下端与夹持部81相接的结构，当载置面21S位于第一位置 P1时，基板S的下端被夹持部81所支承，所以较佳。并且，即使基板S因自体重量而要往铅直方向的下方移动，因为基板S的下端接于夹持部81，所以基板S的位置难以向下方位置偏离这点为较佳。

[基板保持机构的作用]

参照图15，来说明基板保持机构20的作用。并且，在图15，为了图示方便，载置面21S位于第二位置P2时的载置台21及基板S是以双点划线表示，载置面21S位于第一位置P1时的载置台21及基板S是以实线表示。

如图15所示，在基板S形成膜时，在基板S的外周部Sa 被载置于载置面21S的状态下，变更部22将载置面21S的位置从第二位置P2改变至第一位置P1。当载置面21S位于第一位置P1时，因为基板S处于沿着大致铅直方向站立的状态，所以基板S的自体重量施加于基板S的下端。

此时，基板S的下端被夹持部81按压于载置面21S，同时被夹持部81机械地保持。然后，因为基板S的下端面接于夹持部 81，所以即使载置面21S位于第一位置P1，基板S的下端也不会比载置面21S位于第二位置P2时更往铅直方向的下方移动。结果，因载置面21S的位置改变而导致基板S相对于载置面21S的位置改变的状况被抑制。

并且，当载置面21S位于第二位置P2时，基板S的下端面与夹持部81之间形成有空隙的结构，在载置面21S的位置从第二位置P2改变到第一位置P1时，基板S的下端因基板S的自体重量会有向铅直方向下方移动的情况。但是，这样的基板S的移动在铅直方向，基板S的下端面在接于夹持部81的位置停止，所以基板S相对于载置面21S的位置大幅改变的状况被抑制。

如以上说明，根据第四实施方式，可获得以下所记载的效果。

(8)因为基板S的自体重量施加的下端被夹持部81机械地保持，所以即使基板S向铅直方向的下方移动，在铅直方向上基板S接于夹持部81的位置，基板S的移动会停止。因此，因为对于载置面21S的静电保持力和对于载置面21S的机械保持力作用于一个基板S，所以基板S相对于载置面21S的位置改变的状况被抑制。

再者，上述第四实施方式，也可以如以下方式适当变更来实施。

在对基板S形成膜之前，变更部22使载置面21S位于第一位置P1 的状态下，吸附部23暂时解除基板S的吸附后，也可以再次吸附基板S。藉此，例如在以基板S的下端面与夹持部81之间形成有空隙的状态吸附基板S的情况下，藉由吸附部23暂时解除基板S的吸附，能够使基板S的下端面接触夹持部81。因此，用夹持部81能够将基板S 相对于载置面21S的位置与预定位置对准。

如图16所示，吸附部91是在与夹持部81重叠的部分以外，接于基板S下端的载置面21S的部分，也可以是静电吸附基板S的结构。也就是说，基板S的外周部Sa中的下端也可以是藉由夹持部81与吸附部91两者保持于载置面21S的结构。

然后，吸附部91也可以配置成将与夹持部81重叠的部分以外的部分埋在与基板S下端相接的载置面21S的第二侧部21Sb。根据如此结构，载置面21S位于第一位置P1时，在载置面21S的一部分，夹持部81与吸附部91的一部分沿着铅直方向并列。因此，相较于基板S的下端的一部分仅被夹持部81所支承的结构，即使载置面 21S的位置改变，基板S下端相对于载置面21S的位置也难以改变。

并且，夹持部81与吸附部91也可以沿着基板S的下端并列。即使是如此结构，相较于基板S下端仅被夹持部81所支承的结构，基板S的下端相对于载置面21S的位置不易随着载置面21S的位置改变而改变。

在这样的结构中，在基板S上形成膜之前，变更部22使载置面21S位于第一位置P1的状态下，吸附部23、91暂时解除基板S 的吸附后，也可以再次吸附基板S。藉此，例如在以基板S的下端面与夹持部81之间形成有空隙的状态吸附基板S的情况下，藉由吸附部23暂时解除基板S的吸附，可使基板S的下端面接触夹持部81。因此，能够用夹持部81将基板S相对于载置面21S的位置对准到预定位置。

并且，只有吸附部91暂时解除基板S的吸附后，也可以再次吸附基板S。如此，在基板S从载置面21S突出的状态下被吸附部 23所吸附的结构中，藉由暂时解除以吸附部91进行的基板S的吸附，从而能够无弯曲地吸附载置于载置面21S的基板S。

基板保持机构20也可以还具备：上端夹持部，向着载置面21S按压基板S的上端，也可以还具备：侧端夹持部(右端夹持部或左端夹持部)，向着载置面221S按压基板S的侧端(右端或左端)。并且，在具备上端夹持部的结构中，也可以是上端夹持部和吸附部沿着基板S的上端并列的结构。并且，吸附部也可以是在与上端夹持部重叠的部分以外，与基板S的上端相接的载置面21S的部分(第一侧部21Sa)的整体，静电吸附基板S的结构。然后，在具备侧端夹持部的结构中，也可以是侧端夹持部和吸附部沿着基板S 的侧端并列的结构。并且，吸附部也可以是在与侧端夹持部重叠的部分以外，与基板S的侧端相接的载置面21S的部分(第二侧部21Sc 或第三侧部21Sd)的整体，静电吸附基板S的结构。

并且，若为除了上述夹持部81以外，还具备上端夹持部的结构，则夹持部81和上端夹持部为第二支承部的一例，若为除了夹持部81以外还具备侧端夹持部的结构，则夹持部81与侧端夹持部为第二支承部的一例。

基板保持机构20也可以不具备在上述第四实施方式的夹持部81，并具备上端夹持部及侧端夹持部的至少一者的结构。并且，在这样的结构中，上端夹持部及侧端夹持部的至少一者为第二支承部的一例。

第二支承部不限于如上述夹持部81那样通过将基板S 按压于载置面21S而将基板S夹于夹持部81与载置台21的载置面21S 之间的结构，也可以是不将基板S按压至载置面21S，而是通过与基板S的边缘相接来机械地支承基板S的边缘的结构。即使是这样的结构，第二支承部能够通过支承基板S的边缘来抑制基板S的位置沿着载置台21的对向面21a改变的状况。并且，第二支承部更优选为具备抑制基板S的边缘变形而从载置面21S分离的状况的部分。

在此，形成膜于基板S时，藉由对基板S输入热，基板 S的边缘会有热变形而从载置面21S上升的情况。如上述，第二支承部若具备抑制变形成与载置面21S分离的状况的部分，则基板的边缘上升的状况被抑制。

在具备第二支承部的结构中，随着基板S的姿势变更而基板S相对于基板保持机构20的位置偏离的状况，被吸附部23与第二支承部两者所抑制。

第四实施方式及第四实施方式的变形例的各结构，也可以与第一实施方式的变形例、第二实施方式、第二实施方式的变形例、第三实施方式、第三实施方式的变形例的各结构适当组合来实施。

附图标记说明

10溅镀装置；11搬送腔；12负载锁定腔；13溅镀腔； 13a真空槽；14闸阀；15阴极；16搬送机器人；20、40、 50基板保持机构；21载置台；21a对向面；21b凹沟；21c沟部；21c1、24c水路；21c2盖用沟；21d温度调节部分；21S、 41S、51S载置面；22变更部；23、91吸附部；24温度调节部；24a盖部件；24b基体；31垫板；32靶材；41、51托盘；42搬送部；52反转部；61垫；70支承部；70a顶端部；70b基端部；71支承吸附部；72支承柱；81夹持部； S基板；Sa外周部；Sp溅镀粒子。

Claims (18)

1.一种基板保持机构，具备保持部，所述保持部具有载置面，基板的外周部被载置于所述载置面，所述保持部将所述基板保持于所述载置面上，在第一位置和不同于所述第一位置的第二位置之间变更所述载置面的位置；

所述保持部具备：吸附部，将所述基板静电吸附于所述载置面的至少一部分。

2.根据权利要求1所述的基板保持机构，还具备：温度调节部，调节所述基板的温度；

所述载置面具有环状；

所述温度调节部位于所述载置面的内侧。

3.根据权利要求2所述的基板保持机构，其中，所述温度调节部被构成为位于所述载置面的内侧并与所述基板分离。

4.根据权利要求2所述的基板保持机构，其中，所述温度调节部被构成为位于所述载置面的内侧并与所述基板相接。

5.根据权利要求3所述的基板保持机构，还具备：第一支承部，配置于所述载置面的内侧，支承所述基板。

6.根据权利要求5所述的基板保持机构，其中，所述第一支承部具备：前端部，与所述基板相接；

所述前端部具备：支承吸附部，静电吸附所述基板。

7.根据权利要求1～6中任意一项所述的基板保持机构，其中，所述保持部还具备：第二支承部，机械地支承所述基板的边缘。

8.一种成膜装置，具备：

成膜部，向基板放出成膜种；以及

保持部，具有载置面，基板的外周部被载置于所述载置面，所述保持部将所述基板保持于所述载置面上，在面对所述成膜部的第一位置和不同于所述第一位置的第二位置之间变更所述载置面的位置；

所述保持部具备：吸附部，将所述基板静电吸附于所述载置面的至少一部分。

9.一种基板保持方法，具备：

于能够在第一位置与不同于所述第一位置的第二位置之间变更位置的载置面上，载置所述基板的外周部；以及

将所述基板静电吸附于所述载置面的至少一部分。

10.根据权利要求9所述的基板保持方法，其中，静电吸附所述基板包含：在所述载置面的至少两处吸附所述基板的外周部。

11.根据权利要求10所述的基板保持方法，其中，静电吸附所述基板包含：

在所述载置面的至少二处中的一处开始所述基板的外周部的吸附；以及

在所述至少二处皆进行所述吸附的状态为止，在开始所述吸附的处所维持所述吸附，依序开始在所述至少二处的各处的所述吸附。

12.根据权利要求10所述的基板保持方法，其中，静电吸附所述基板包含：

在所述载置面的至少二处的全部皆开始所述基板的外周部的吸附；以及

开始所述吸附后，在所述至少二处中的至少一处解除所述吸附。

13.根据权利要求10～12中任意一项所述的基板保持方法，其中，静电吸附所述基板包含：

从在所述载置面的至少二处的全部皆进行所述吸附的状态，在所述至少二处中的至少一处解除所述吸附；以及

通过在解除了所述吸附的处所重新开始所述吸附，从而在所述至少二处皆进行所述吸附。

14.根据权利要求10～13中任意一项所述的基板保持方法，其中，所述基板在所述载置面位于所述第二位置时被接收于所述载置面上，所述载置面位于所述第一位置时进行成膜；

静电吸附所述基板包括：

所述载置面位于所述第二位置时，在所述载置面的至少二处的一处或全部开始所述吸附；以及

所述载置面位于所述第二位置或所述第一位置时，在所述载置面的至少二处中的至少一处解除所述吸附。

15.根据权利要求14所述的基板保持方法，其中，在所述载置面的至少二处中的至少一处解除所述吸附包括：在所述基板被成膜之前、所述基板被成膜的期间、以及所述基板被成膜后之中的至少一者，在所述载置面的所述第一位置解除所述吸附。

16.根据权利要求14或15所述的基板保持方法，其中，所述基板被成膜且所述载置面从所述第一位置回到所述第二位置后，依序解除在所述载置面的至少二处的所述吸附。

17.根据权利要求12～15中任意一项所述的基板保持方法，其中，在所述载置面的至少二处中的至少一处解除所述吸附包括：在所述载置面的至少二处中的至少一处维持所述吸附，并在所述至少二处中的剩下的至少一处解除所述吸附。

18.根据权利要求12～15中任意一项所述的基板保持方法，其中，在所述载置面的至少二处中的至少一处解除所述吸附包括：在所述吸附被解除的期间，由夹持部机械地保持所述基板的所述外周部。