TW201708586A - 基板保持機構、成膜裝置、及基板的保持方法 - Google Patents

Abstract

基板保持機構(20)具備：保持部(21、22)，具有載置面(21S)載置基板(S)的外周部，保持基板於該載置面上。保持部(21、22)在第一位置(P1)與相異於該第一位置(P1)的第二位置(P2)之間變更載置面(21S)的位置。保持部(21、22)具備：吸附部，靜電吸附基板(S)於載置面(21S)的至少一部份。

Description

基板保持機構、成膜裝置、及基板的保持方法

本發明是關於保持基板的基板保持機構，在基板形成特定膜的成膜裝置以及基板保持方法。

形成特定膜於基板的成膜裝置，已知例如枚葉式濺鍍裝置。枚葉式濺鍍裝置具備進行成膜處理的處理室，處理室具備大致垂直配置的靶材以及保持基板且改變相對於靶材的基板姿勢的基板保持機構的結構被提出。基板保持機構在相對於靶材為大致垂直狀態以及與靶材大致平行狀態改變基板姿勢。如此，在濺鍍裝置是基板保持機構在載置台的載置面用夾鉗機構機械地保持基板外周(例如參照專利文獻1)。

【先前技術文獻】

【專利文獻】

【專利文獻1】特開2004-332117號公報

然而，近年，在具備用濺鍍裝置形成的膜的製品輕量化，賦予製品可撓性或柔軟性的目的下，需要成膜對象的基板厚度更小。

在此，用夾鉗機構保持基板於載置台時，在夾鉗機構的夾鉗片基端對基板施加的力最大，越向夾鉗片的前端則對基板施加的力會變得越小。然後，基板厚度變得越小夾鉗片對基板施加越大的力，接於夾鉗片基端的基板部分應力集中，使基板破裂。因此，夾鉗片施加基板的力有其極限。結果，基板姿勢從對於靶材大致垂直的狀態變成大致平行的狀態時，基板位置變化程度以及基板彎曲程度，會有夾鉗片施加於基板的力變弱的情況。

又，這種狀況並不限於基板姿勢改變幾乎90°的基板保持機構，因使基板搖動，使基板表背反轉，在改變基板姿勢的基板保持機構都是一樣，又，不限於上述濺鍍裝置，其他基板處理裝置，例如蒸鍍或蝕刻裝置等也一樣。

本發明的目的在於提供一種基板保持機構、成膜裝置以及基板保持方法，抑制隨著基板姿勢改變而相對於載置面的基板位置改變。

根據一態樣的基板保持機構，具備：保持部，具有載置基板的外周部的載置面，保持前述基板於前述載置面上，在第一位置與相異於前述第一位置的第二位置之間變更前述載置面的位置；前述保持部具備：吸附部，靜電吸附前述基板於前述載置面的至少一部份。

根據此結構，因為基板外周部被載置於載置面，基板被吸附於載置面的至少一部份，所以用來保持基板位置的力雖然集中在基板邊緣等，但會被基板與載置面的面接觸所抑制。因此，相較於只以用來保持基板位置的力集中於基板邊緣等的夾鉗片來保持基板，隨著基板姿勢改變而相對於載置面的基板位置改變的狀況被抑制。

在上述基板保持機構的其他態樣中，較佳為更具備：溫度調節部，調節前述基板的溫度；前述載置面具有環狀；前述溫度調節部位於前述載置面的內側。

根據此結構，可以用溫度調節部來調節被基板保持機構所保持的基板的溫度。

在上述基板保持機構的其他態樣中，較佳為前述溫度調節部被構成為位於前述載置面的內側並與前述基板分離。

根據此結構，因為基板溫度可被與基板分離的溫度調節部的輻射熱所調節，所以基板面內的溫度分佈偏離被抑制。

在上述基板保持機構的其他態樣中，較佳為前述溫度調節部被構成為位於前述載置面的內側並接於前述基板。

根據此結構，因為基板溫度可被接於基板的溫度調節部所調節，所以提高基板的溫度調節效率。

在上述基板保持機構的其他態樣中，較佳為基板保持機構更具備：第一支持部，配置於前述載置面的內側，支持前述基板。

根據此結構，因為第一支持部接於比位於載置面更內側的基板內側部分，所以基板內側部分的彎曲的狀況被抑制。

在上述基板保持機構的其他態樣中，較佳為前述第一支持部具備：前端部，接於前述基板；前述前端部具備：支持吸附部，靜電吸附前述基板。

根據此結構，因為基板的一部分被支持吸附部吸附，所以載置面的位置改變時，載置於載置面的基板被適當保持。

在上述基板保持機構的其他態樣中，較佳為前述保持部更具備：第二支持部，機械地支持前述基板的邊緣。

根據此結構，因為除了基板的載置面被吸附部吸附以外，基板邊緣被第二支持部所支持，所以相對於載置面的基板位置改變的狀況更被抑制。

根據一態樣的成膜裝置，具備：成膜部，向基板放出成膜種；以及保持部，具有載置基板的外周部的載置面，保持前述基板於前述載置面上，在面對前述成膜部的第一位置與相異於前述第一位置的第二位置之間變更前述載置面的位置；前述保持部具備：吸附部，靜電吸附前述基板於前述載置面的至少一部份。

根據此結構，因為基板的外周部被載置於載置面，基板被吸附於載置面的至少一部分，所以用來保持基板位置的力雖然集中在基板邊緣等，但會被基板與載置面的面接觸所抑制。因此，相較於只以用來保持基板位置的力集中於基板邊緣等的夾鉗片來保持基板，隨著基板姿勢改變而相對於載置面的基板位置改變的狀況被抑制。

在成膜處理中，因為越靠近基板中心，以成膜種施加於基板的熱難以釋放至基板外部，所以在基板中心部的溫度，甚至與基板中心部重疊的保持部的中心部的溫度會變高。藉此，保持部的溫度會有變得比吸附部可運作的溫度更高溫的狀況。

在這點，根據上述成膜裝置的結構，因為吸附部位於基板外周部相偕的載置面，所以相較於吸附部位於保持部的其他部分的結構，吸 附部的溫度提高的狀況更被抑制。藉此，吸附部的功能降低的狀況也被抑制，結果隨著載置面位置改變導致基板姿勢改變，相對於載置面的基板位置改變的狀況被抑制。

根據一態樣的基板保持方法，具備：在第一位置與相異於前述第一位置的第二位置之間可變更位置的載置面上載置前述基板的外周部；以及靜電吸附前述基板於前述載置面的至少一部份。

較佳為靜電吸附前述基板包含：在前述載置面的至少兩處吸附前述基板的外周部。

在一態樣中，靜電吸附前述基板包含：在前述載置面的至少二處中的一處開始前述基板的外周部的吸附；以及在前述至少二處皆進行前述吸附的狀態為止，在前述開始吸附處維持前述吸附，依序開始在前述至少二處的各處的前述吸附。

在一態樣中，靜電吸附前述基板包含：在前述載置面的至少二處的全部皆開始前述基板的外周部的吸附；以及開始前述吸附後，在前述至少二處中的至少一處解除前述吸附。

較佳為，靜電吸附前述基板包含：從在前述載置面的至少二處的全部皆進行前述吸附的狀態，在前述至少二處中的至少一處解除前述吸附；以及藉由在解除前述吸附處重新開始前述吸附，來在前述至少二處皆進行前述吸附。

在一態樣中，前述基板在前述載置面位於前述第二位置時被接收於前述載置面上，前述載置面位於前述第一位置時進行成膜；靜電吸附前述基板包括：前述載置面位於前述第二位置時，在前述載置面的至少二處的一處或全部開始前述吸附；以及前述載置面位於前述第二位置或前述第一位置時，在前述載置面的至少二處中的至少一處解除前述吸附。

又，較佳為，在前述載置面的至少二處中的至少一處解除前述吸附包括：前述在基板被成膜前，前述基板被成膜間，以及前述基板被成膜後之中的至少一者，在前述載置面的前述第一位置解除前述吸附。

在一態樣中，前述基板被成膜且前述載置面從前述第一位置回到前述第二位置後，依序解除在前述載置面的至少二處的前述吸附。

在一態樣中，在前述載置面的至少二處中的至少一處解除前述吸附包括：在前述載置面的至少二處中的至少一處維持前述吸附，並在前述至少二處中的剩下的至少一處解除前述吸附。

在一態樣中，在前述載置面的至少二處中的至少一處解除前述吸附包括：在前述吸附被解除間，以夾鉗部機械地保持前述基板的前述外周部。

10‧‧‧濺鍍裝置

11‧‧‧搬送腔

12‧‧‧負載鎖定腔

13‧‧‧濺鍍腔

13a‧‧‧真空槽

14‧‧‧閘閥

15‧‧‧陰極

16‧‧‧搬送電動機

20、40、50‧‧‧基板保持機構

21‧‧‧平台

21S、41S、51S‧‧‧載置面

21Sa~21Sd‧‧‧第一~第四側部

21a‧‧‧對向面

21b‧‧‧凹溝

21c‧‧‧溝部

21c1、24c‧‧‧水路

21c2‧‧‧蓋用溝

21d‧‧‧溫度調節部分

22‧‧‧變更部

23、91‧‧‧吸附部

23a‧‧‧第一部分

23b‧‧‧第二部分

24‧‧‧溫度調節部

24a‧‧‧蓋部件

24b‧‧‧基體

31‧‧‧背板

32‧‧‧靶材

41、51‧‧‧托架

42‧‧‧搬送部

52‧‧‧反轉部

61‧‧‧墊

70‧‧‧支持部

70a‧‧‧支持端

70b‧‧‧基端部

71‧‧‧支持吸附部

72‧‧‧支持柱

81‧‧‧夾鉗部

D‧‧‧搬送方向

P1‧‧‧第一位置

P2‧‧‧第二位置

S‧‧‧基板

Sa‧‧‧外周部

Sp‧‧‧濺鍍粒子

第一圖表示成膜裝置的一例的濺鍍裝置的第一實施形態的概略結構圖。

第二圖是第一實施形態的濺鍍腔的概略結構圖。

第三圖是基板保持機構的平面圖。

第四圖是第一實施形態的變形例的基板保持機構的部分剖面圖。

第五圖是第一實施形態的另一變形例的基板保持機構的部分剖面圖。

第六圖是第一實施形態的變形例的成膜裝置的概略結構圖。

第七圖是第一實施形態的另一變形例的基板保持裝置的概略結構圖。

第八圖是第二實施形態的基板保持機構的部分剖面圖。

第九圖是第二實施形態的變形例的基板保持機構的部分剖面圖。

第十圖是第三實施形態的基板保持機構的平面圖。

第十一圖是第三實施形態的基板保持機構的部分剖面圖。

第十二圖表示第三實施形態的支持部的概略結構的部分擴大圖。

第十三圖表示第四實施形態的基板保持機構的平面圖。

第十四圖表示夾鉗部的一部份與基板的一部份的部分擴大圖。

第十五圖說明第四實施形態的基板保持機構的作用的圖。

第十六圖是第四實施形態的變形例的吸附部的平面圖。

〔第一實施形態〕

參照第一~三圖來說明第一實施形態的基板保持機構、成膜裝置以及基板保持方法。在第一實施形態，說明成膜裝置的一例的濺鍍裝置與該濺鍍裝置所具備的基板保持機構。以下依序說明濺鍍裝置的整體結構、濺鍍腔的結構、基板保持機構的結構以及濺鍍裝置的作用。

〔濺鍍裝置的整體結構〕

參照第一圖來說明濺鍍裝置的整體結構。

如第一圖所示，濺鍍裝置10具備：一個搬送腔11；兩個負載鎖定腔12，連接於搬送腔11；以及兩個濺鍍腔13，連接於搬送腔11。在各負載鎖定腔12與搬送腔11之間，以及各濺鍍腔13與搬送腔11之間，各配置一個閘閥14。各閘閥14在連通狀態與非連通狀態間改變對應搬送腔11的腔之間的接續路。

負載鎖定腔12從濺鍍裝置10的外部將在濺鍍裝置10的處理對象的基板S搬入內部，且從濺鍍裝置10的內部搬出至外部。負載鎖定腔12在搬出入基板S時，在不連通搬送腔11的狀態下將負載鎖定腔12的內部對大氣開放。另一方面，負載鎖定腔12在搬送腔11傳遞基板S時以及從搬送腔11接受基板S時，在連通搬送腔11的狀態下與搬送腔11一起形成減壓至特定壓力的內部空間。

再者，濺鍍裝置10也可以是具備一個負載鎖定腔12的結構，也可以是具備三個以上的負載鎖定腔12的結構。

濺鍍腔13具備陰極15，藉由陰極15在基板S的一面形成特定膜。濺鍍腔13在形成膜於基板S時，形成減壓至與搬送腔11的內部壓力相同或更低的壓力的內部空間。

又，濺鍍裝置10的兩個濺鍍腔13，也可以分別具備用來形成彼此相同的膜於基板S的陰極15，也可以具備用來形成彼此相異的膜於基板S的陰極15。又，濺鍍裝置10也可以是具備一個濺鍍腔13的結構，也可以是具備三個以上的濺鍍腔13的結構。

搬送腔11具備搬送基板S的搬送電動機16。搬送電動機16通過搬送腔11從負載鎖定腔12搬送成膜前的基板S至濺鍍腔13，且通過搬送腔11從濺鍍腔13搬送成膜後的基板S至負載鎖定腔12。

又，濺鍍裝置10除了上述負載鎖定腔12以及濺鍍腔13以外的腔，也可以具備例如用來進行形成膜於基板S前的處理的前處理腔或用來進行形成膜於基板S後的處理的後處理腔等。

〔濺鍍腔的結構〕

參照第二圖進一步說明濺鍍腔13的結構。又，以下為了方便說明，僅說明關於濺鍍腔13的構成中，保持基板S的基板保持機構20與用來形成膜於基板S的陰極15。

第二圖所示，濺鍍腔13具備真空槽13a，在真空槽13a的內部配置有保持基板S的基板保持機構20與用來形成膜於基板S的陰極15。

真空槽13a具有箱體形狀，具有能收容基板保持機構20與陰極15大小的內部空間。真空槽13a的內部空間是以連接於真空槽13a的排氣部來排氣，減壓至特定壓力(例如真空)。

陰極15被固定於真空槽13a的內周面。陰極15為成膜部的一例，具備：背板31，固定於真空槽13a的內周面；以及靶材32，固定於背板31。

基板保持機構20具備：平台21，載置有基板S；以及變更部22，改變相對於陰極15的平台21的位置。平台21與變更部22構成保持部的一例。平台21具有：載置面21S，載置基板S的外周部。基板保持機構20保持載置於載置面21S上的基板S。

變更部22在平台21相對於陰極15大致垂直的位置與平台21相對於陰極15大致平行的位置之間，改變相對於陰極15的平台21的位置。也就是說，變更部22是在載置面21S位於沿著大致水平方向的狀態與載置面21S位於沿著大致鉛直方向的狀態之間，改變平台21的位置。

然後在平台21位於相對於陰極15大致平行的位置時，載置面21S位於面對陰極15的第一位置P1。另一方面，在平台21位於相對於陰極15大致垂直的位置時，載置面21S位於不同於第一位置P1的位置，即位於不面對陰極15的第二位置P2。

如此，變更部22藉由改變相對於陰極15的平台21的位置，在第一位置P1與第二位置P2之間改變載置面21S的位置，藉由載置面21S的位置改變，載置於載置面21S的基板S的姿勢會改變。然後，載置面21S位於第一位置P1時，基板保持機構20所保持的整個基板S，在基板S與靶材32相面對的方向，被靶材32覆蓋。也就是說，基板S的面積比靶材 32的面積更小。

形成膜於基板S時，首先，變更部22使載置面21S位於平台21的載置面21S與陰極15相面對的第一位置P1。然後，供給特定濺鍍氣體至真空槽13a的內部，接下來，從連接於背板31的電源，經由背板31施加電壓至靶材32。

藉此，藉由在靶材32周圍產生電漿，電漿中的離子對靶材32衝突，靶材32將做為成膜種的濺鍍粒子Sp向基板S放出。然後，由於濺鍍粒子Sp到達基板S，所以在面對陰極15的基板S的成膜面形成特定膜。

〔基板保持機構的結構〕

參照第三圖更詳細地說明基板保持機構20的結構。又，在第三圖，為了圖示方便，僅表示基板保持機構20的平台21的平面構造，保持於基板保持機構20的基板S的外周部是以兩點虛線表示。又，在第三圖中，在與紙面垂直的方向的上方是在鉛直方向的上方。

如第三圖所示，從面對載置面21S的方向來看，平台21具有矩形板狀，載置於載置面21S的基板S具有比平台21更小的矩形板形狀。又，從面對載置面21S的方向來看，平台21及基板S也可以各具有與矩形板狀不同的形狀，例如圓形或多角形。

平台21包含：對向面21a，在載置面21S位於第一位置P1時面對陰極15。載置面21S被規定成載置基板S的外周部Sa的對向面21a的部分。基板S的外周部Sa是包含基板S的外周緣的特定寬度的帶狀部分。也就是說，基板S的外周部Sa具有包圍基板S中央部的矩形環狀。

平台21具有矩形板狀，平台21的對向面21a是大致平坦面。因此，被載置面21S所包圍的對向面21a的內側部分的幾乎全部接於基板S的非成膜面的一部分。即平台21的對向面21a中，載置面21S與包圍載置面21S的內側部分接於基板S。

基板保持機構20更具備：吸附部23，靜電吸附基板S於載置面21S的至少一部分。載置面21S對應基板S的外周部Sa的四個邊，包含第一~第四側部21Sa~21Sd。在平台21位於沿著大致鉛直方向的狀態 下，載置面21S的第一側部21Sa接於在鉛直方向的基板S的上端的幾乎全部，第二側部21Sb接於基板S的下端的幾乎全部，第三側部21Sc接於在鉛直方向的基板S的右端的的幾乎全部，第四側部21Sb接於基板S的左端的幾乎全部。吸附部23包含：第一部分23a，設於載置面21S的第一側部Sa；以及第二部分23b，設於第二側部21Sb。

又，雖然吸附部23的第一部分23a與第二部分23b，在第三圖的例中分別安排於對應基板S的上端與下端的載置面21S的第一側部21Sa與第二側部21Sb，但吸附部23的配置並不受限於此。例如代替第一及第二部分23a、23b，吸附部23也可以是包含設於對應基板S右端的載置面21S的第三側部21Sc的第三部分以及設於對應基板S左側的載置面21S的第四側部21Sd第四部分的結構。或者是，吸附部23也可以包含這些第三及第四部分與第一及第二部分23a、23b，在對應基板S的上下左右端的第一~第四側部21Sa~21Sd分別安排有吸附部。

平台21的載置面21S位於第一位置P1時，基板S在位於沿著大致鉛直方向的狀態。因此，因基板S的自體重量，基板S的上端向著鉛直方向的下方移動，又，基板S的下端也向著鉛直方向的下方移動。

在這點，吸附部23位於對應在鉛直方向的基板S的上端的幾乎全部的載置面21S的第一側部21Sa以及對應基板S的下端的幾乎全部的載置面21S的第二側部21Sb的結構，在抑制如上述的基板S的移動的範圍內為較佳結構。

吸附部23構成對向面21a的一部分，即載置面21S的一部分。因此，當基板S的外周部Sa被載置於載置面21S時，基板S的外周部Sa與吸附部23直接面接觸。

如此，因為基板S的外周部Sa被載置於載置面21S，基板S被吸附於載置面21S的至少一部分，所以用來保持基板S的位置的力集中於基板S的邊緣等，被基板S與載置面21S的面接觸所抑制。因此，相較於僅只以用來保持基板S的位置的力集中於基板S的邊緣等的夾鉗片來保持基板S，隨著基板S的姿勢改變而相對於載置面21S的基板S的位置改變更被抑制。再者，因為吸附部23的靜電力直接作用於基板S，基板S 容易被吸附部23吸附。

又，吸附部23的整個表面也可以不直接接於基板S，例如在吸附部23的表面的一部分也可以被用來防止成膜種附著的防附板所覆蓋。吸附部23也可以是吸附部23的表面整體不直接接於基板S的結構，也可以是產生僅吸附被載置於載置面21S的基板S的靜電力的結構。

吸附部23為例如以靜電力吸附基板S的靜電夾頭。吸附部23也可以是單極型的靜電夾頭，也可以是雙極型的靜電夾頭。又，吸附部23也可以是以庫侖力吸附基板S的靜電夾頭，也可以是以强森拉伯克力(Johnson-Rahbek force)吸附基板S的靜電夾頭，也可以是以梯度力吸附基板S的靜電夾頭。

〔濺鍍裝置的作用〕

說明上述濺鍍裝置10的作用。

變更部22從搬送電動機16接受成膜前的基板S時，藉由使平台21移動至與陰極15大致垂直的狀態，來使載置面21S位於第二位置P2。然後，當基板S被載置於平台21，吸附部23的第一及第二部分23a、23b(即整個吸附部23)吸附基板S，變更部22使平台21移動至與陰極15大致平行的狀態，來使載置面21S位於第一位置P1。又，基板S的膜形成開始到結束間，變更部22保持在平台21與陰極15大致平行的狀態。

當對基板S的膜形成結束，變更部22藉由使平台21移動至與陰極大致垂直的狀態，使載置面21S再次位於第二位置P2。然後，吸附部23的第一及第二部分23a、23b解除基板S的吸附。如此，在本例中，不只是在對基板S的成膜中，從以搬送電動機16搬送的基板S在基板保持機構20被接受，到已成膜的基板S被搬送電動機16從基板保持機構20搬出至搬送腔11為止，所有的吸附部23吸附基板S的外周部Sa。

在形成膜於基板S的成膜處理，由於越接近基板S的中心，以濺鍍粒子Sp施加於基板S的熱越難以放出至基板S外部，所以基板S的中心部的溫度，甚至與基板S的中心部重疊的對向面21a的中心部的溫度會變高。藉此，對向面21a的溫度會有比吸附部23的構成部件的耐熱溫度更高溫的狀況。

在此，在吸附部23是以庫侖力吸附基板S的靜電夾頭的情況下，吸附部23的構成部件包含形成靜電夾頭表面並埋入電極的絕緣層以及支持該絕緣層的基部等。然後，絕緣層的形成材料採用例如聚醯亞胺等樹脂，基部的形成材料採用例如鋁。

這些形成材料的耐熱溫度為例如200℃程度，耐熱溫度是可保持構成部件的形狀及維持機械功能的溫度。當在成膜處理中吸附部23受到熱，吸附部23的溫度變得比構成部件的耐熱溫度更高，由於絕緣層會從基部剝離，且基部變形，吸附部23穩定保持基板S的功能會降低，即吸附部23的功能降低。

根據上述濺鍍裝置10，因為吸附部23位在接於基板S的外周部Sa的載置面21S，所以相較於吸附部23位於對向面21a的其他部分，吸附部23的溫度升高的狀況更被抑制。也就是說，吸附部23位於對向面21a的部分的溫度，難以變得比吸附部23的構成部件的耐熱溫度更高，所以因吸附部23的溫度變得比吸附部23的構成部件的耐熱溫度更高導致吸附部23的功能降低的狀況被抑制。結果，隨著載置面21S的位置改變而基板S得姿勢改變，相對於載置面21S的基板S的位置改變的狀況被抑制。

如以上說明，根據第一實施形態，可以獲得以下記載的效果。

(1)因為基板S的外周部Sa被載置於載置面21S，基板S被吸附於載置面21S的至少一部分，所以用來保持基板S的位置的力集中於基板S的邊緣等，被基板S與載置面21S的面接觸所抑制。因此，相較於僅只以用來保持基板S的位置的力集中於基板S的邊緣等的夾鉗片來保持基板S，隨著基板S的姿勢改變而相對於載置面21S的基板S的位置改變更被抑制。

(2)因為吸附部23的溫度升高的狀況被抑制，吸附部23的功能降低的狀況被抑制，結果隨著基板S的姿勢改變，相對於載置面21S的基板S的位置改變的狀況被抑制。

又，上述第一實施形態，如以下也可以適當變更來實施。

基板保持機構20也可以具備調節基板S溫度的溫度調節部，溫度調節部較佳為位於載置面21S內側。又，溫度調節部也可以藉由包含位於與載置面21S同一平面的面，直接接於基板S，溫度調節部整體也可以是藉由位 於平台21的內部，經由平台21間接地接於基板S的結構。

參照第四圖及第五圖，來說明溫度調節部直接接於基板S的結構例。又，第四圖及第五圖表示平台21位於沿著大致水平方向的狀態下的平台21的剖面構造，平台21的對向面21a是沿著大致水平方向的面。

如第四圖所示，金屬製的平台21，在載置面21S的內側具有從對向面21a凹陷的溝部21c，溝部21c是由水路21c1與嵌入塞住水路21c1開口的金屬製蓋部件24a的蓋用溝21c2所構成。溫媒或冷媒的加熱介質被供給至水路21c1。沿著鉛直方向的蓋用溝21c2的深度與蓋部件24a的厚度大致相等，蓋部件24a藉由嵌入蓋用溝21c2，位於與載置面21S相同平面上。

劃分水路21c1的平台21的部分，做為以加熱介質加熱或冷卻的溫度調節部分21d來運作。因此，在具備這樣的平台21的基板保持機構20，溫度調節部分21d及蓋部件24a構成與平台21一體的溫度調節部24。

第五圖表示另一溫度調節部24的構成例。基板保持機構20的載置面21S，從面對載置面21S的方向來看具有環狀。在平台21，位於比載置面21S更內側的對向面21a的部分，形成有從對向面21a凹陷的一個凹溝21b。溫度調節部24位於凹溝21b的內部，具有與凹溝21b所劃分的空間大致相同大小。因此，溫度調節部24的上面位於與載置面21S相同平面上。溫度調節部24具備與平台21不同體的金屬製基體24b，基體24b具有供給加熱介質的水路24c。

又，基體24b的厚度與凹溝21b的深度大致相等，同時，基體24b的平面視角的大小也可以比凹溝21b所劃分的空間更小。也就是說，溫度調節部24接於基板S，同時也可以是在劃分凹溝21b的平台21的內壁面之間具有空隙的大小。

又，與平台21不同體的溫度調節部24，也可以是具備基體與蓋部件的結構，在此情況下，基板具有在基體的一面開口的水路，蓋部件塞住水路開口。

如此，若平台21的載置面21S具有環狀，溫度調節部24被構成為位於載置面21S的內側並接於基板S，可獲得以下記載的效果。

(3)因為基板S的溫度被接於基板S的溫度調節部24所調節，所以 提高基板S的溫度調節效率。

‧吸附部23也可以是在載置面21S位於第一位置P1時，在接於基板S上端的載置面21S的第一側部21Sa相隔間隔並列的複數個吸附部位吸附基板S的結構。又，吸附部23也可以是在載置面21S位於第一位置P1時，在接於基板S下端的載置面21S的第二側部21Sb相隔間隔並列的複數個吸附部位吸附基板S的結構。再者，吸附部23也可以組合離散地位於載置面21S的第一側部21Sa的複數個吸附部位吸附基板S的結構與離散地位於載置面21S的第二側部21Sb的複數個吸附部位吸附基板S的結構來實施。

又，離散地位於吸附部23的複數個吸附部位吸附基板S的結構為例如可具體化做為沿著載置面21S的各第一側部21Sa及第二側部21Sb相隔間隔配置複數個靜電夾頭的結構。

‧吸附部23在載置面21S位於第一位置P1時，除了在接於基板S上端的載置面21S的第一側部21Sa與接於基板S下端的載置面21S的第二側部21Sb靜電吸附基板S，也可以在接於基板S右端的載置面21S的第三側部21Sc與接於基板S左端的載置面21S的第四側部21Sd靜電吸附基板S。在此情況下，吸附部23也可以構成為一個以上的靜電夾頭位於載置面21S的各第一~第四側部21Sa~21Sd。或者是，吸附部23也可以由可以靜電吸附基板S於整個載置面21S的一個靜電夾頭所構成。

‧陰極15也可以不固定於真空槽13a，陰極15也可以是具備在載置面21S位於第一位置P1時，改變相對於基板S的陰極15的位置的陰極搬送機構的結構。以這樣的結構，分別在構成陰極15的背板31及靶材32，陰極15的搬送方向，即沿著基板S的四邊中的一個方向的寬度較佳為比基板S更窄。

‧吸附部23也可以是在第一部分32a與第二部分32b彼此獨立的時機，可吸附基板S的結構。以這樣的結構，變更部22使載置面21S位於第一位置P1或第二位置P2的狀態下，例如吸附部23的第一部分32a維持基板S的吸附，同時，第二部分32b也可以暫時解除基板S的吸附。

基板S被載置於載置面21S時，即平台21的載置面21S位於不面對陰 極15的第二位置P2時，在此位置以吸附部23吸附基板S的外周部Sa時，若一次想要以所有的吸附部23(第三圖的例中的第一部分32a及第二部分32b)吸附基板S，則會有因吸附時機偏離，在基板S的一部分從載置面21S突出的狀態(即基板S變形的狀態)下被吸附部23所吸附的狀況。

又，因對基板S形成膜產生膜應力，載置面21S所載置的基板S會有變形的情況。

如此，在對基板S形成膜前及形成膜後基板S會有變形的狀況。在這樣的情況下，在變更部22使載置面21S位於第一位置P1或第二位置P2的狀態下，藉由暫時解除以第二部分23b進行基板S的吸附，可以解除基板S的變形，可使載置於載置面21S的基板S保持不彎曲。

又，在變更部22使載置面21S位於第一位置P1或第二位置P2的狀態下，吸附部23的第一部分23a維持基板S的吸附，同時第二部分23b暫時解除基板S的吸附後，也可以再次吸附基板S。

如此，在載置於載置面21S的基板S變形的情況下，暫時解除以吸附部23的第二部分23b進行的基板S的吸附，藉由再次吸附基板S，消除載置於載置面21S的基板S的變形，並可以不彎曲地吸附基板S。

又，在對基板S形成膜中，吸附部23的第一部分23a維持基板S的吸附，第二部分23b也可以同時解除基板S的吸附。然後，對基板S形成膜結束後，在變更部22使載置面21S位於第一位置P1的狀態下，第二部分23b也可以再次吸附基板S。藉此，即使對基板S輸入熱導致基板變形，因為解除以第二部分23b進行的基板S的吸附，，所以基板S沿著載置面21S變形(熱膨脹)，可相對於載置面21S維持平坦的狀態。再者，在載置於載置面21S的基板S為平坦的狀態下，可以不彎曲地吸附基板S。

如此結構在載置面21S位於第二位置P2的狀態下，以溫度調節部24調節基板S的溫度，即使在基板S產生熱變形的情況也有效。即使在溫度調節部24因溫度調節使基板S熱膨脹的情況，因為吸附部23的第一部分23a維持基板S的吸附，同時第二部分23b解除基板S的吸附，所以基板S沿著載置面21S變形(熱膨脹)，可維持相對於載置面21S為平坦的狀態。換言之，利用溫度調節時所產生的基板S的熱膨脹，在第二部分23b解除 基板S的吸附間解除基板S的變形。然後，在基板S的變形解除後，以第二部分23b進行基板S的吸附。

又，在此情況下，基板S被載置於載置面21S時，首先也可以僅以吸附部23的第一部分23a來吸附基板S。也就是說，首先不需要以整個吸附部23來吸附基板S。如此，在第二位置P2開始吸附，之後剩下的吸附部23也依序開始基板S的吸附，可解除基板S的變形並平坦地保持基板S。

如此結構在解除成膜後的基板S的吸附時也有效。例如成膜後的基板S會有在第二位置P2被載置於載置面21S的狀態下變形的情況。在此情況下，當複數個吸附部23暫時解除吸附，則解除吸附的同時暫時解除基板S的變形，因此，基板S會有產生相對於載置面21S滑動等的位置偏離之虞。

在此情況下，由於依序解除複數個吸附部23，可以階段性地解除基板S的變形，解除最後的吸附部23時，基板S已經相對於載置面21S做為平坦的狀態，所以基板S不會產生相對於載置面21S的位置偏離。

‧如第六圖所示，濺鍍裝置也可以是在基板S沿著大致鉛直方向站立的狀態下搬送基板S的結構。又，在第六圖表示從面對基板S的上端的方向來看的濺鍍裝置的概略結構。

例如，基板保持機構40也可以是具備保持基板S的托架41、沿著搬送方向D搬送托架41的搬送部42以及吸附部23的結構。在托架41的一面形成有載置基板S的外周部Sa的載置面41S，吸附部23靜電吸附基板S於載置面41S的至少一部分。

搬送部42在托架41沿著大致鉛直方向的狀態下保持托架41。搬送部42從托架41與固定於濺鍍腔13的真空槽13a內的陰極15不相面對的位置，沿著搬送方向D搬送至托架41與陰極15相面對的位置。又，搬送部42從托架41與陰極15相面對的位置，沿著搬送方向D搬送托架41至托架41與陰極15不相面對的位置。

也就是說，托架41與陰極15彼此面對時，載置面41S位於面對陰極15的第一位置P1。另一方面，托架41與陰極15彼此不面對時，載置面41S位於與第一位置P1相異的第二位置P2。

又，搬送部42形成膜於保持在托架41的基板S時，也可 以固定相對於陰極15的基板S位置，也可以沿著搬送方向D改變相對於陰極15的基板S位置。

‧如第七圖所示，基板保持機構50也可以是具備保持基板S的托架51、使托架51反轉的反轉部52以及吸附部23的結構。在托架51的一面形成有載置基板S的外周部Sa的載置面51S，吸附部23靜電吸附基板S於載置面51S的至少一部分。

反轉部52以沿著水平方向的旋轉軸為中心使托架51反轉，在基板S位於托架51上方的狀態與基板S位於托架51下方的狀態之間改變托架51的方向。然後，例如基板S位於托架51上方的狀態下，載置面51S位於面對成膜部(陰極15)的第一位置。另一方面，在基板S位於托架51下方的狀態下，載置面51S位於相異於第一位置的位置，即位於不面對成膜部(陰極15)的第二位置。

又，基板保持機構50的載置面51S也可以是在基板S位於托架51下方的狀態下位於面對成膜部(陰極15)的第一位置，同時在基板S位於托架51上方的狀態下位於不面對成膜部(陰極15)的第二位置的結構。

‧成膜裝置不限於上述濺鍍裝置，也可以是例如真空蒸鍍裝置等，可以是對基板S的一面形成特定膜的裝置。

‧基板保持機構不限於具備上述濺鍍裝置等的成膜裝置者，也可以是其他基板處理裝置，例如具體化為具備蝕刻裝置或雷射照射裝置等的基板保持裝置。

‧第一實施形態及第一實施形態的變形例的結構也可以適當組合來實施。

〔第二實施形態〕

參照第八圖，來說明第二實施形態的基板保持機構、成膜裝置以及基板保持方法。在第二實施形態，說明成膜裝置的一例的濺鍍裝置與具備該濺鍍裝置的基板保持機構。又，第二實施形態相較於第一實施形態，在基板保持機構的載置面的周邊結構不同。因此，以下詳細說明這個相異點，並在第二實施形態中與第一實施形態共通的結構，賦予與第一實施形態相 同的編號，省略其詳細說明。

〔基板保持機構的結構〕

參照第八圖來說明基板保持機構20的結構。又，在第八圖，為了圖示方便，省略基板保持機構20的變更部22的圖示。

如第八圖所示，基板保持機構20的載置面21S，從面對載置面21S的方向來看具有環狀，載置面21S的內側為中空。也就是說，在基板保持機構20的平台21，比載置面21S更內側的對向面21a的部分，形成有從對向面21a凹陷的凹溝21b。因此，面對陰極15的基板S的成膜面的相反側的非成膜面，接於平台21的載置面21S，在載置面21S以外的部分並不接於平台21。

藉此，因為基板S在載置面21S以外的部分不與基板保持機構20的平台21相接，所以在基板S與平台21的接觸領域，包含濺鍍粒子Sp等的顆粒被基板S與平台21夾住的狀況被抑制。因此，在基板S的非成膜面因顆粒而污染損傷的狀況被抑制。

基板保持機構20更具備調節基板S溫度的溫度調節部24，溫度調節部24被構成為位於載置面21S的內側並與基板S分離。也就是說，溫度調節部24位於載置面21S的內側，且位於凹溝21b的內部。然後，在平台21位於沿著大致水平方向的狀態下，沿著鉛直方向的凹溝21b的深度比沿著鉛直方向的溫度調節部24的寬度更大，所以溫度調節部24並未接於基板S的非成膜面。

因此，由於基板S的溫度是由與基板S分離的溫度調節部24的輻射熱所調節，所以在基板S的面內的溫度分佈的偏離被抑制。

如以上說明，根據第二實施形態，可獲得以下記載的效果。

(4)因為顆粒被夾於基板S與平台21的狀況被抑制，所以在基板S的非成膜面被顆粒污染損傷的狀況被抑制。

(5)因為基板S的溫度是由與基板S分離的溫度調節部24的輻射熱所調節，所以在基板S的面內的溫度分佈的偏離被抑制。

再者，上述第二實施形態也可以如以下地適當變更來實施。

‧如第九圖所示，溫度調節部24包含：接於平台21的第一面(在第 九圖的下面)與位於其相反側並面對基板S的第二面(在第九圖的上面)。複數個墊61也可以位於此溫度調節部24的第二面。在第九圖的結構中，各墊61為第一支持部的一例。複數個墊61為樹脂製，在溫度調節部24與基板S之間，經由墊61的熱傳導幾乎不會產生。因此，溫度調節部24是由溫度調節部24的輻射熱來調節基板S的溫度。

墊61的厚度大致等同於從溫度調節部24的第二面到平台21的對向面21a為止的距離，墊61具有：端面(前端部)，位於與載置面21S同一平面上。因此，當基板S被載置於載置面21S時，各墊61的端面接於基板S。

墊61因支持面對凹溝21b的基板S的內側部分，所以該基板S的內側部分向著溫度調節部24彎曲的狀況被抑制。因此，基板S接於溫度調節部24的狀況被抑制，結果，因基板S的溫度急速變動，施加於基板S的壓力被抑制。又，因為基板S接於溫度調節部24的狀況被抑制，所以基板S被溫度調節部24損傷的狀況被抑制。

‧在基板保持機構20，也可以省略溫度調節部24。即使以這樣的結構，在平台21形成凹溝21b也可以獲得上述(4)的效果。

‧第二實施形態及第二實施形態的變形例的各結構，也可以適當組合第一實施形態的變形例的各結構來實施。

〔第三實施形態〕

參照第十圖~第十二圖來說明第三實施形態的基板保持機構、成膜裝置以及基板保持方法。在第三實施形態，說明成膜裝置的一例的濺鍍裝置與具備該濺鍍裝置的基板保持機構。又，第三實施形態相較於第二實施形態，在基板保持機構具備支持基板的支持部這點不同。因此，以下詳細說明這個相異點，並在與第二實施形態共通的結構，藉由賦予相同的編號，來省略其詳細說明。

〔基板保持機構的結構〕

參照第十圖~第十二圖來說明基板保持機構20的結構。又，在第十圖，為了圖示方便，與第三圖同樣，僅表示基板保持機構20的平台21的平面構造，保持於基板保持機構20的基板S的外周部Sa以兩點虛線表示。又，在第十圖中，垂直紙面的方向的上方為鉛直方向的上方。然後，在第十一 圖，為了圖示方便，與第六圖同樣，省略基板保持機構20的變更部22的圖示。又，在第十二圖，為了圖示方便，概略表示基板S的一部份與支持部的一部份。

如第十圖所示，基板保持機構20更具備第一支持部的一例的支持部70，支持部70配置於載置面21S的內側，支持基板S。基板保持機構20具備複數個支持部70，例如四個支持部70，各支持部70位於凹溝21b的內部。支持部70藉由其前端接於基板S的非成膜面來支持基板S。

支持部70藉由支持位於比載置面21S更內側的基板S的內側部分來抑制基板S的內側部分的彎曲。也就是說，以支持部70抑制面對凹溝21b的基板S的內側部分向著凹溝21b的底部凸出地彎曲的狀況。

凹溝21b為有底的矩形孔，各支持部70在矩形孔的四角配置一個。四個支持部70包圍位於凹溝21b內部的溫度調節部24。也就是說，四個支持部70在面對平台21的對向面21a的平面視角，在凹溝21b所包圍的空間內被配置於比溫度調節部24更外側。

又，各支持部70也可以配置在例如在有底的矩形孔的四角以外的部分，即配置在沿著凹溝21b的底部的各邊的部分。或者是，各支持部70在被凹溝21b包圍的空間內，例如在面對對向面21a的平面視角，也可以配置於與溫度調節部24重疊的位置。又，凹溝21b也可以是矩形孔以外的孔，例如圓形孔。重點是各支持部70被配置在載置面21S的內側可支持基板S的位置即可。又，基板保持機構20也可以具備三個以下的支持部70，也可以具備五個以上的支持部70。

如第十一圖所示，各支持部70具有沿著一方向延伸的柱形狀，在平台21的載置面21S沿著大致水平方向的狀態時，各支持部70沿著大致鉛直方向延伸。凹溝21b的底部為具有矩形狀的平面，支持部70的基端部70b位於凹溝21b的底部，支持部70從凹溝21b的底部向凹溝21b的開口延伸。支持部70具有與凹溝21b的深度大致相同的長度，支持部70的前端部70a接於基板S的非成膜面。

如第十二圖所示，支持部70的前端部70a具備：支持吸附部71，靜電吸附基板S。支持吸附部71以外的支持部70的部分為支持支 持吸附部71的支持柱72。由於支持部70具備支持吸附部71，所以基板S的一部份被支持吸附部71所吸附。因此，更容易保持載置於載置面21S的基板S。支持吸附部71為例如靜電夾頭，較佳為具有與上述吸附部23同樣的吸附功能。

支持吸附部71將支持部70的前端部70a做為前端面來具有。因此，支持吸附部71直接接於基板S的非成膜面，結果基板S容易被支持吸附部71所吸附。

又，支持吸附部71位於支持部70的支持柱72的內部，支持柱72也可以是接於基板S的結構，即使是這樣的結構，支持吸附部71若具有可吸附基板S的程度的靜電力即可。

如以上說明，根據第三實施形態，可獲得以下記載的效果。

(6)因為支持部70接於位在比載置面21S更內側的基板S的內側部分，所以基板S的內側部分彎曲的狀況被抑制。

(7)因為基板S的一部分被支持吸附部71所吸附，所以當載置面21S的位置在第一位置P1與第二位置P2之間改變時，也可以適當保持載置於載置面21S的基板S。

又，上述第三實施形態也可以如以下地適當變更來實施。

‧基板保持機構20若具備複數個支持部70，則複數個支持部70中僅一部份支持部70也可以具備支持吸附部71。

‧支持部70具備的支持吸附部71也可以省略。即使是這樣的結構，只要基板保持機構20具備接於基板S的非成膜面的支持部70，可獲得上述(6)的效果。

‧在基板保持機構20，也可以省略溫度調節部24。即使是這樣的結構，只要基板保持機構20具備接於基板S的非成膜面的支持部70，可獲得上述(6)的效果。

‧第三實施形態及第三實施形態的變形例的各結構，也可以適當組合第一實施形態的變形例及第二實施形態的變形例的各結構來實施。

〔第四實施形態〕

參照第十三圖~第十五圖，來說明第四實施形態的成膜裝置、基板保 持機構以及基板保持方法。在第四實施形態，說明成膜裝置的一例的濺鍍裝置與具備該濺鍍裝置的基板保持機構。又，第四實施形態相較於第一實施形態，在基板保持機構具備夾鉗部這點不同。因此，以下詳細說明這個相異點，並在與第一實施形態相同的結構，藉由賦予相同的編號，來省略其詳細說明。

〔基板保持機構的結構〕

參照第十三圖~第十五圖來說明基板保持機構20的結構。又，在第十三圖，為了圖示方便，與第三圖同樣，僅表示基板保持機構20的平台21的平面構造，保持於基板保持機構20的基板S的外周部Sa以兩點虛線表示。又，在第十三圖中，垂直紙面的方向的上方為鉛直方向的上方。然後，在第十四圖，擴大表示從夾鉗部與基板面對基板端面的方向來看的結構，即夾鉗部與基板S的一部份的概略結構。

如第十三圖所示，基板保持機構20具備吸附部23，吸附部23在載置面21S位於第一位置P1的狀態下，靜電吸附基板S於與基板S上端相接的載置面21S的第一側部21Sa。也就是說，吸附部23的吸附面露出於載置面21S的第一側部21Sa。

藉此，當基板S被載置於載置面21S時，因為在基板S的非成膜面的一部與吸附部23直接面接觸，所以基板S容易被吸附部23所吸附。又，即使在第一實施形態等，如上述，整個吸附部23也可以位於平台21的內部。

基板保持機構20如上述，具有使載置面21S沿著大致鉛直方向位於第一位置P1的功能。基板保持機構20更具備第二支持部的一例的夾鉗部81，夾鉗部81在載置面21S位於沿著鉛直方向的狀態下，在基板S的鉛直方向的下端，向著載置面壓抵基板S。也就是說，夾鉗部81藉由接於基板S的邊緣來機械地支持基板S。

基板保持機構20具備複數個夾鉗部81，例如三個夾鉗部81，三個夾鉗部81在基板S的下端，空出特定間隔並列。又，基板保持機構20也可以是具備兩個以下的夾鉗部81的結構，也可以是具備四個以上的夾鉗部81的結構。

如第十四圖所示，夾鉗部81藉由改變相對於平台21的夾鉗部81位置的位置變更部，改變成夾鉗部81與平台21之間的距離為小的保持位置與夾鉗部81與平台21之間的距離為大的非保持距離。又，在第十四圖，位於保持位置的夾鉗部81是以實線表示，位於非保持位置的夾鉗部81是以兩點虛線表示。

當基板S的外周部Sa被載置於載置面21S時，以及離開載置面21S時，夾鉗部81是位於非保持位置。另一方面，當基板S被保持在平台21時，夾鉗部81是位於保持位置。

當夾鉗部81位於保持位置時，基板S的下端也可以接於夾鉗部81，基板S的下端與夾鉗部81之間也可以形成空隙。若基板S的下端為接於夾鉗部81的結構，當載置面21S位於第一位置P1時，基板S的下端被夾鉗部81所支持，所以較佳。又，即使基板S因自體重量而要往鉛直方向的下方移動，因為基板S的下端接於夾鉗部81，所以基板S的位置難以向下方位置偏離這點為較佳。

〔基板保持機構的作用〕

參照第十五圖，來說明基板保持機構20的作用。又，在第十五圖，為了圖示方便，載置面21S位於第二位置P2時的平台21及基板S是以兩點虛線表示，載置面21S位於第一位置P1時的平台21及基板S是以實線表示。

如第十五圖所示，在基板S形成膜時，在基板S的外周部Sa被載置於載置面21S的狀態下，變更部22將載置面21S的位置從第二位置P2改變至第一位置P1。當載置面21S位於第一位置P1時，因為基板S是沿著大致鉛直方向站立，所以基板S的自體重量施加於基板S的下端。

此時，基板S的下端是被夾鉗部81壓抵於載置面21S，同時被夾鉗部81機械地保持。然後，因為基板S的下端面接於夾鉗部81，所以即使載置面21S位於第一位置P1，基板S的下端比載置面21S位於第二位置P2時更不會往鉛直方向的下方移動。結果，載置面21S的位置改變，相對於載置面21S的基板S的位置改變的狀況被抑制。

又，當載置面21S位於第二位置P2時，基板S的下端面與 夾鉗部81之間形成有空隙的結構，在載置面21S的位置從第二位置P2改變到第一位置P1時，基板S的下端因基板S的自體重量會有向鉛直方向下方移動的情況。但是，這樣的基板S的移動在鉛直方向，基板S的下端面在接於夾鉗部81的位置停止，所以相對於載置面21S的基板S的位置大幅改變的狀況被抑制。

如以上說明，根據第四實施形態，可獲得以下所記載的效果。

(8)因為基板S的自體重量施加的下端被夾鉗部81機械地保持，所以即使基板S向鉛直方向的下方移動，在鉛直方向基板S接於夾鉗部81的位置，基板S的移動會停止。因此，因為對於載置面21S的靜電的保持力與對於載置面21S的機械的保持力對一個基板S作用，所以相對於載置面21S的基板S的位置改變的狀況被抑制。

再者，上述第四實施形態，也可以如以下適當變更來實施。

‧在對基板S形成膜前，變更部22使載置面21S位於第一位置P1的狀態下，吸附部23暫時解除基板S的吸附後，也可以再次吸附基板S。藉此，例如基板S的下端面與夾鉗部81之間形成有空隙的狀態吸附基板S的情況，藉由吸附部23暫時解除基板S的吸附，可以使基板S的下端面接觸夾鉗部81。因此，用夾鉗部81可將相對於載置面21S的基板S的位置與特定位置配合。

‧如第十六圖所示，吸附部91是在與夾鉗部81重疊的部分以外，接於基板S下端的載置面21S的部分，也可以是靜電吸附基板S的結構。也就是說，基板S的外周部Sa中的下端也可以是藉由夾鉗部81與吸附部91兩者保持於載置面21S的結構。

然後，吸附部91也可以配置成與夾鉗部81重疊的部分以外的部分埋在基板S下端的載置面21S的第二側部21Sb。根據如此結構，載置面21S位於第一位置P1時，在載置面21S的一部分，夾鉗部81與吸附部91的一部分沿著鉛直方向並列。因此，相較於基板S的下端的一部分僅被夾鉗部81所支持的結構，即使載置面21S的位置改變，相對於載置面21S的基板S下端的位置也難以改變。

又，夾鉗部81與吸附部91也可以沿著基板S的下端並列。 即使是如此結構，相較於基板S下端僅被夾鉗部81所支持的結構，隨著載置面21S的位置改變的狀況，相對於載置面21S的基板S的下端位置難以改變。

在這樣的結構中，在對基板S形成膜前，變更部22使載置面21S位於第一位置P1的狀態下，吸附部23、91暫時解除基板S的吸附後，也可以再次吸附基板S。藉此，例如基板S的下端面與夾鉗部81之間形成有空隙的狀態下吸附基板S的情況，藉由吸附部23暫時解除基板S的吸附，可使基板S的下端面接觸夾鉗部81。因此，用夾鉗部81可以將相對於載置面21S的基板S的位置配合特定位置。

又，只有吸附部91暫時解除基板S的吸附後，也可以再次吸附基板S。如此，基板S從載置面21S突出的狀態下被吸附部23所吸附的結構中，藉由暫時解除以吸附部91進行的基板S的吸附，可以無彎曲地吸附載置於載置面21S的基板S。

‧基板保持機構20也可以更具備：上端夾鉗部，向著載置面21S壓抵基板S的上端，也可以更具備：側端夾鉗部(右端夾鉗部或左端夾鉗部)，向著載置面221S壓抵基板S的側端(右端或左端)。又，在具備上端夾鉗部的結構中，也可以是沿著基板S的上端並列上端夾鉗部與吸附部的結構。又，吸附部也可以是在與上端夾鉗部重疊的部分以外，接於基板S的上端的載置面21S的部分(第一側部21Sa)的整體，靜電吸附基板S的結構。然後，在具備側端夾鉗部的結構中，也可以是沿著基板S的側端並列側端夾鉗部與吸附部的結構。又，吸附部也可以是在與側端夾鉗部重疊的部分以外，接於基板S的側端的載置面21S的部分(第二側部21Sc或第三側部21Sd)的整體，靜電吸附基板S的結構。

又，若為除了上述夾鉗部81以外，更具備上端夾鉗部的結構，則夾鉗部81與上端夾鉗部為第二支持部的一例，若為除了夾鉗部81以外還具備側端夾鉗部的結構，則夾鉗部81與側端夾鉗部為第二支持部的一例。

‧基板保持機構20也可以不具備在上述第四實施形態的夾鉗部81，並具備上端夾鉗部及側端夾鉗部的至少一者的結構。又，在這樣 的結構中，上端夾鉗部及側端夾鉗部的至少一者為第二支持部的一例。

‧第二支持部如上述夾鉗部81，不限於藉由壓抵基板S於載置面21S，將基板S夾於平台21的載置面21S之間的結構，也可以是不壓抵基板S至載置面21S，藉由接於基板S的邊緣，機械地支持基板S的邊緣的結構。即使是這樣的結構，第二支持部藉由支持基板S的邊緣，可抑制沿著平台21的對向面21a改變基板S位置的狀況。又，第二支持部更佳為具備抑制基板S的邊緣便形成與載置面21S分離的狀況的部分。

在此，形成膜於基板S時，藉由對基板S輸入熱，基板S的邊緣會有熱變形成從載置面21S上昇的情況。如上述，第二支持部若具備抑制變形成與載置面21S分離的狀況的部分，則基板的邊緣上昇的狀況被抑制。

具備第二支持部的結構隨著基板S的姿勢變更而相對於基板保持機構20的基板S的位置偏離的狀況，被吸附部23與第二支持部兩者所抑制。

‧第四實施形態及第四實施形態的變形例的各結構，也可以與第一實施形態的變形例、第二實施形態、第二實施形態的變形例、第冤實施形態、第三實施形態的變形例的各結構適當組合來實施。

13‧‧‧濺鍍腔

13a‧‧‧真空槽

15‧‧‧陰極

20‧‧‧基板保持機構

21‧‧‧平台

21S‧‧‧載置面

22‧‧‧變更部

31‧‧‧背板

32‧‧‧靶材

P1‧‧‧第一位置

P2‧‧‧第二位置

S‧‧‧基板

Sp‧‧‧濺鍍粒子

Claims (18)

1. 一種基板保持機構，具備：保持部，具有載置面載置基板的外周部，保持前述基板於前述載置面上，在第一位置與相異於前述第一位置的第二位置之間變更前述載置面的位置；前述保持部具備：吸附部，靜電吸附前述基板於前述載置面的至少一部份。
2. 如申請專利範圍第1項所述之基板保持機構，更具備：溫度調節部，調節前述基板的溫度；前述載置面具有環狀；前述溫度調節部位於前述載置面的內側。
3. 如申請專利範圍第2項所述之基板保持機構，其中前述溫度調節部被構成為位於前述載置面的內側並與前述基板分離。
4. 如申請專利範圍第2項所述之基板保持機構，其中前述溫度調節部被構成為位於前述載置面的內側並接於前述基板。
5. 如申請專利範圍第3項所述之基板保持機構，更具備：第一支持部，配置於前述載置面的內側，支持前述基板。
6. 如申請專利範圍第5項所述之基板保持機構，其中前述第一支持部具備：前端部，接於前述基板；前述前端部具備：支持吸附部，靜電吸附前述基板。
7. 如申請專利範圍第1~6項中任一項所述之基板保持機構，其中前述保持部更具備：第二支持部，機械地支持前述基板的邊緣。
8. 一種成膜裝置，具備：成膜部，向基板放出成膜種；以及保持部，具有載置面載置基板的外周部，保持前述基板於前述載置面上，在面對前述成膜部的第一位置與相異於前述第一位置的第二位置之間變更前述載置面的位置；前述保持部具備：吸附部，靜電吸附前述基板於前述載置面的至少一部份。
9. 一種基板保持方法，具備：於可在第一位置與相異於前述第一位置的第二位置之間變更位置的載 置面上，載置前述基板的外周部；以及靜電吸附前述基板於前述載置面的至少一部份。
10. 如申請專利範圍第9項所述之基板保持方法，其中靜電吸附前述基板包含：在前述載置面的至少兩處吸附前述基板的外周部。
11. 如申請專利範圍第10項所述之基板保持方法，其中靜電吸附前述基板包含：在前述載置面的至少二處中的一處開始前述基板的外周部的吸附；以及在前述至少二處皆進行前述吸附的狀態為止，在前述開始吸附處維持前述吸附，依序開始在前述至少二處的各處的前述吸附。
12. 如申請專利範圍第10項所述之基板保持方法，其中靜電吸附前述基板包含：在前述載置面的至少二處的全部皆開始前述基板的外周部的吸附；以及開始前述吸附後，在前述至少二處中的至少一處解除前述吸附。
13. 如申請專利範圍第10~12項中任一項所述之基板保持方法，其中靜電吸附前述基板包含：從在前述載置面的至少二處的全部皆進行前述吸附的狀態，在前述至少二處中的至少一處解除前述吸附；以及藉由在解除前述吸附處重新開始前述吸附，來在前述至少二處皆進行前述吸附。
14. 如申請專利範圍第10~12項中任一項所述之基板保持方法，其中前述基板在前述載置面位於前述第二位置時被接收於前述載置面上，前述載置面位於前述第一位置時進行成膜；靜電吸附前述基板包括：前述載置面位於前述第二位置時，在前述載置面的至少二處的一處或全部開始前述吸附；以及前述載置面位於前述第二位置或前述第一位置時，在前述載置面的至少二處中的至少一處解除前述吸附。
15. 如申請專利範圍第14項所述之基板保持方法，其中在前述載置面的至少 二處中的至少一處解除前述吸附包括：前述在基板被成膜前，前述基板被成膜間，以及前述基板被成膜後之中的至少一者，在前述載置面的前述第一位置解除前述吸附。
16. 如申請專利範圍第14項所述之基板保持方法，其中前述基板被成膜且前述載置面從前述第一位置回到前述第二位置後，依序解除在前述載置面的至少二處的前述吸附。
17. 如申請專利範圍第13項所述之基板保持方法，其中在前述載置面的至少二處中的至少一處解除前述吸附包括：在前述載置面的至少二處中的至少一處維持前述吸附，並在前述至少二處中的剩下的至少一處解除前述吸附。
18. 如申請專利範圍第13項所述之基板保持方法，其中在前述載置面的至少二處中的至少一處解除前述吸附包括：在前述吸附被解除間，以夾鉗部機械地保持前述基板的前述外周部。