WO2015170534A1 - Matériau de cible de pulvérisation cathodique - Google Patents

Matériau de cible de pulvérisation cathodique Download PDF

Info

Publication number
WO2015170534A1
WO2015170534A1 PCT/JP2015/060441 JP2015060441W WO2015170534A1 WO 2015170534 A1 WO2015170534 A1 WO 2015170534A1 JP 2015060441 W JP2015060441 W JP 2015060441W WO 2015170534 A1 WO2015170534 A1 WO 2015170534A1
Authority
WO
WIPO (PCT)
Prior art keywords
copper
sputtering target
target material
powder
phase
Prior art date
Application number
PCT/JP2015/060441
Other languages
English (en)
Japanese (ja)
Inventor
池田 真
Original Assignee
三井金属鉱業株式会社
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Family has litigation
First worldwide family litigation filed litigation Critical https://patents.darts-ip.com/?family=54392387&utm_source=google_patent&utm_medium=platform_link&utm_campaign=public_patent_search&patent=WO2015170534(A1) "Global patent litigation dataset” by Darts-ip is licensed under a Creative Commons Attribution 4.0 International License.
Application filed by 三井金属鉱業株式会社 filed Critical 三井金属鉱業株式会社
Priority to KR1020167001775A priority Critical patent/KR20160017101A/ko
Priority to JP2015533359A priority patent/JP5808513B1/ja
Priority to CN201580001209.2A priority patent/CN105358734B/zh
Publication of WO2015170534A1 publication Critical patent/WO2015170534A1/fr

Links

Images

Classifications

    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C22METALLURGY; FERROUS OR NON-FERROUS ALLOYS; TREATMENT OF ALLOYS OR NON-FERROUS METALS
    • C22CALLOYS
    • C22C1/00Making non-ferrous alloys
    • C22C1/04Making non-ferrous alloys by powder metallurgy
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C22METALLURGY; FERROUS OR NON-FERROUS ALLOYS; TREATMENT OF ALLOYS OR NON-FERROUS METALS
    • C22CALLOYS
    • C22C9/00Alloys based on copper
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C23COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23CCOATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/22Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
    • C23C14/34Sputtering

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Physical Vapour Deposition (AREA)
  • Powder Metallurgy (AREA)

Abstract

La présente invention concerne un matériau de cible de pulvérisation cathodique qui est adapté à la formation d'une couche noircie d'un film de capteur pour des panneaux tactiles capacitifs, et qui peut être déchargé au moyen d'une alimentation en courant continu. La présente invention concerne un matériau de cible de pulvérisation cathodique qui est caractérisé en ce qu'il comprend : une structure mélangée composée d'une phase métallique à base de cuivre et d'une phase d'oxyde ; une teneur en oxygène de 5 % par atome à 30 % par atome ; une densité relative supérieure ou égale à 85 % ; et une résistivité apparente inférieure ou égale à 1,0 × 10-2 Ωcm. Il est préférable que la phase métallique à base de cuivre présente un diamètre de particule moyen de 0,5 µm à 10,0 µm et que la phase d'oxyde présente un diamètre moyen de particule de 0,05 µm à 7,0 µm.
PCT/JP2015/060441 2014-05-08 2015-04-02 Matériau de cible de pulvérisation cathodique WO2015170534A1 (fr)

Priority Applications (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020167001775A KR20160017101A (ko) 2014-05-08 2015-04-02 스퍼터링 타깃재
JP2015533359A JP5808513B1 (ja) 2014-05-08 2015-04-02 スパッタリングターゲット材
CN201580001209.2A CN105358734B (zh) 2014-05-08 2015-04-02 溅镀靶材

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2014096515 2014-05-08
JP2014-096515 2014-05-08

Publications (1)

Publication Number Publication Date
WO2015170534A1 true WO2015170534A1 (fr) 2015-11-12

Family

ID=54392387

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
PCT/JP2015/060441 WO2015170534A1 (fr) 2014-05-08 2015-04-02 Matériau de cible de pulvérisation cathodique

Country Status (5)

Country Link
JP (1) JP5808513B1 (fr)
KR (1) KR20160017101A (fr)
CN (1) CN105358734B (fr)
TW (1) TWI525208B (fr)
WO (1) WO2015170534A1 (fr)

Cited By (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2017164168A1 (fr) * 2016-03-22 2017-09-28 三菱マテリアル株式会社 Cible de pulvérisation cathodique
JP2018051784A (ja) * 2016-09-26 2018-04-05 住友金属鉱山株式会社 積層体基板、導電性基板、積層体基板の製造方法、導電性基板の製造方法
WO2018159753A1 (fr) * 2017-03-01 2018-09-07 三菱マテリアル株式会社 Cible de pulvérisation et son procédé de fabrication
JP2018145523A (ja) * 2017-03-01 2018-09-20 三菱マテリアル株式会社 スパッタリングターゲット及びスパッタリングターゲットの製造方法
WO2019167564A1 (fr) * 2018-03-01 2019-09-06 三菱マテリアル株式会社 CIBLE DE PULVÉRISATION EN ALLIAGE Cu-Ni
JP2019151916A (ja) * 2018-03-01 2019-09-12 三菱マテリアル株式会社 Cu−Ni合金スパッタリングターゲット
CN113365763A (zh) * 2019-03-11 2021-09-07 三菱综合材料株式会社 含金属铜-氧化铜的粉末、含金属铜-氧化铜的粉末的制造方法及溅射靶材、溅射靶材的制造方法

Families Citing this family (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP6876268B2 (ja) * 2016-03-22 2021-05-26 三菱マテリアル株式会社 スパッタリングターゲット
JP6533805B2 (ja) * 2017-03-31 2019-06-19 Jx金属株式会社 スパッタリングターゲット、スパッタリングターゲットの製造方法、非晶質膜、非晶質膜の製造方法、結晶質膜及び結晶質膜の製造方法

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2001295034A (ja) * 2000-04-10 2001-10-26 Nikko Materials Co Ltd 光ディスク保護膜形成用スパッタリングターゲット
JP2010077530A (ja) * 2008-08-26 2010-04-08 Hitachi Metals Ltd スパッタリングターゲットの製造方法及びスパタリングターゲット
JP2011084754A (ja) * 2009-10-13 2011-04-28 Hitachi Metals Ltd スパッタリングターゲットの製造方法
JP2011174167A (ja) * 2010-02-01 2011-09-08 Ryukoku Univ 酸化物膜及びその製造方法、並びにターゲット及び酸化物焼結体の製造方法

Family Cites Families (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2010030824A (ja) * 2008-07-28 2010-02-12 Idemitsu Kosan Co Ltd 金属相含有酸化インジウム焼結体及びその製造方法

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2001295034A (ja) * 2000-04-10 2001-10-26 Nikko Materials Co Ltd 光ディスク保護膜形成用スパッタリングターゲット
JP2010077530A (ja) * 2008-08-26 2010-04-08 Hitachi Metals Ltd スパッタリングターゲットの製造方法及びスパタリングターゲット
JP2011084754A (ja) * 2009-10-13 2011-04-28 Hitachi Metals Ltd スパッタリングターゲットの製造方法
JP2011174167A (ja) * 2010-02-01 2011-09-08 Ryukoku Univ 酸化物膜及びその製造方法、並びにターゲット及び酸化物焼結体の製造方法

Cited By (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2017164168A1 (fr) * 2016-03-22 2017-09-28 三菱マテリアル株式会社 Cible de pulvérisation cathodique
JP2018051784A (ja) * 2016-09-26 2018-04-05 住友金属鉱山株式会社 積層体基板、導電性基板、積層体基板の製造方法、導電性基板の製造方法
WO2018159753A1 (fr) * 2017-03-01 2018-09-07 三菱マテリアル株式会社 Cible de pulvérisation et son procédé de fabrication
JP2018145523A (ja) * 2017-03-01 2018-09-20 三菱マテリアル株式会社 スパッタリングターゲット及びスパッタリングターゲットの製造方法
WO2019167564A1 (fr) * 2018-03-01 2019-09-06 三菱マテリアル株式会社 CIBLE DE PULVÉRISATION EN ALLIAGE Cu-Ni
JP2019151916A (ja) * 2018-03-01 2019-09-12 三菱マテリアル株式会社 Cu−Ni合金スパッタリングターゲット
CN113365763A (zh) * 2019-03-11 2021-09-07 三菱综合材料株式会社 含金属铜-氧化铜的粉末、含金属铜-氧化铜的粉末的制造方法及溅射靶材、溅射靶材的制造方法

Also Published As

Publication number Publication date
JPWO2015170534A1 (ja) 2017-04-20
CN105358734A (zh) 2016-02-24
TWI525208B (zh) 2016-03-11
TW201542849A (zh) 2015-11-16
KR20160017101A (ko) 2016-02-15
JP5808513B1 (ja) 2015-11-10
CN105358734B (zh) 2017-03-29

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP5808513B1 (ja) スパッタリングターゲット材
TWI338720B (fr)
JP4098345B2 (ja) 酸化ガリウム−酸化亜鉛系スパッタリングターゲット、透明導電膜の形成方法及び透明導電膜
KR100957733B1 (ko) 산화갈륨-산화아연계 스퍼터링 타겟, 투명 도전막의 형성방법 및 투명 도전막
JP5887819B2 (ja) 酸化亜鉛焼結体、それから成るスパッタリングターゲットおよび酸化亜鉛薄膜
KR20130029365A (ko) 투명 도전막
TWI603938B (zh) 氧化鈮濺鍍靶、其製造方法及氧化鈮膜
JP6278229B2 (ja) 透明酸化物膜形成用スパッタリングターゲット及びその製造方法
JP6876268B2 (ja) スパッタリングターゲット
JP6533805B2 (ja) スパッタリングターゲット、スパッタリングターゲットの製造方法、非晶質膜、非晶質膜の製造方法、結晶質膜及び結晶質膜の製造方法
JP4175071B2 (ja) 酸化物焼結体およびスパッタリングターゲット
WO2020044796A1 (fr) Cible de pulvérisation et procédé de production de cible de pulvérisation
WO2019187329A1 (fr) Élément cible à base de siliciure de tungstène et son procédé de fabrication, et procédé de fabrication de film de siliciure de tungstène
JP2018172716A (ja) タングステンターゲット
TW202206401A (zh) 氧化鉬濺鍍靶及氧化鉬濺鍍靶之製造方法
JP6447761B2 (ja) スパッタリングターゲット及びスパッタリングターゲットの製造方法
JP2017193747A (ja) Cu合金配線膜、パターン配線及びCu合金スパッタリングターゲット
JP2017218621A (ja) ターゲット材及びその製造方法
JP2019148007A (ja) スパッタリングターゲット、及び、スパッタリングターゲットの製造方法
JP2019065383A (ja) MoNbターゲット材
JP2019039070A (ja) SiCスパッタリングターゲット
WO2018159753A1 (fr) Cible de pulvérisation et son procédé de fabrication
WO2017164168A1 (fr) Cible de pulvérisation cathodique
JP6800405B2 (ja) 酸化物焼結体、その製造方法及びスパッタリングターゲット
JP2015074789A (ja) 酸化ニオブ系スパッタリングターゲット及びその製造方法

Legal Events

Date Code Title Description
WWE Wipo information: entry into national phase

Ref document number: 201580001209.2

Country of ref document: CN

ENP Entry into the national phase

Ref document number: 2015533359

Country of ref document: JP

Kind code of ref document: A

121 Ep: the epo has been informed by wipo that ep was designated in this application

Ref document number: 15789483

Country of ref document: EP

Kind code of ref document: A1

ENP Entry into the national phase

Ref document number: 20167001775

Country of ref document: KR

Kind code of ref document: A

NENP Non-entry into the national phase

Ref country code: DE

122 Ep: pct application non-entry in european phase

Ref document number: 15789483

Country of ref document: EP

Kind code of ref document: A1