JP6447761B2 - スパッタリングターゲット及びスパッタリングターゲットの製造方法 - Google Patents
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Description
本発明は、酸化銅膜を形成する際に用いられるスパッタリングターゲット及びスパッタリングターゲットの製造方法に関するものである。
一般に、タッチセンサ等に用いられる導電性フィルムとしては、フィルムの両面に形成された透明導電体層と、各透明導電体層の表面に形成された金属層と、を有するものが知られている。
ここで、上述の導電性フィルムにおいては、ロール状に巻いた際に、隣接する導電性フィルム同士が密着してしまい、密着した導電性フィルムを剥がした際に、透明導電体層に傷が生じるといった問題があった。
ここで、上述の導電性フィルムにおいては、ロール状に巻いた際に、隣接する導電性フィルム同士が密着してしまい、密着した導電性フィルムを剥がした際に、透明導電体層に傷が生じるといった問題があった。
そこで、特許文献１には、フィルム基材に無機ナノコーティング層を形成したフィルムが提案されている。このフィルムにおいては、無機ナノコーティング層によって隣接するフィルム同士の密着を抑制することが可能となる。なお、この無機ナノコーティング層として、酸化銅膜を適用することができる。
フィルム等の基材の表面に酸化銅膜を形成する方法としては、例えば、酸化銅ターゲットを用いてスパッタリングを行う方法、や、無酸素銅ターゲットを用いて酸素ガスの存在下でスパッタリング（反応性スパッタ）を行う方法が開示されている。
例えば、特許文献２には、酸素含有銅膜を成膜するための酸素含有銅ターゲットが提案されている。
また、特許文献３には、ＮｉとＣｕとＣｕＯとからなるスパッタリングターゲットが開示されている。
例えば、特許文献２には、酸素含有銅膜を成膜するための酸素含有銅ターゲットが提案されている。
また、特許文献３には、ＮｉとＣｕとＣｕＯとからなるスパッタリングターゲットが開示されている。
ところで、無酸素銅ターゲットを用いて酸素ガスの存在下でスパッタリングを行う場合には、銅と酸素との反応を十分に制御することができず、均一な酸化銅膜を成膜することが困難であった。
また、酸化銅ターゲットを用いた場合には、ターゲット自体の抵抗が非常に高く、ＤＣ（直流）スパッタが困難であることから、通常、ＲＦ（高周波）スパッタを行っている。このＲＦ（高周波）スパッタにおいては、成膜速度が遅く、生産性が低下するといった問題があった。
また、酸化銅ターゲットを用いた場合には、ターゲット自体の抵抗が非常に高く、ＤＣ（直流）スパッタが困難であることから、通常、ＲＦ（高周波）スパッタを行っている。このＲＦ（高周波）スパッタにおいては、成膜速度が遅く、生産性が低下するといった問題があった。
さらに、特許文献２に記載された酸素含有銅ターゲットにおいては、酸素の含有量が少ないため、成膜された酸素含有銅膜が金属銅膜と同様の特性を有しており、酸化銅膜としての特性が不十分であった。
また、特許文献３においては、通電焼結法によって焼結を実施しているが、ＣｕＯの含有量が多くなると、ＣｕとＣｕＯの反応が十分に進行せず、焼結体の強度が不足してしまい、製造時に割れが生じるおそれがあった。また、焼結体内において比抵抗のばらつきが生じるおそれがあった。さらに、Ｎｉを含有すると、膜のエッチング性が劣化し、配線パターン等を精度良く形成することが困難となるおそれがあった。また、エッチング液にＣｕ以外にＮｉが混入し、エッチング液の再利用が困難となるおそれがあった。
また、特許文献３においては、通電焼結法によって焼結を実施しているが、ＣｕＯの含有量が多くなると、ＣｕとＣｕＯの反応が十分に進行せず、焼結体の強度が不足してしまい、製造時に割れが生じるおそれがあった。また、焼結体内において比抵抗のばらつきが生じるおそれがあった。さらに、Ｎｉを含有すると、膜のエッチング性が劣化し、配線パターン等を精度良く形成することが困難となるおそれがあった。また、エッチング液にＣｕ以外にＮｉが混入し、エッチング液の再利用が困難となるおそれがあった。
この発明は、前述した事情に鑑みてなされたものであって、安定してＤＣスパッタが可能であり、ターゲットの製造時における割れの発生を抑制して歩留り良く製造することが可能なスパッタリングターゲット及びこのスパッタリングターゲットの製造方法を提供することを目的とする。
上記課題を解決するために、本発明のスパッタリングターゲットは、金属銅相と酸化銅相とを有し、前記金属銅相は、ターゲット中に島状に分散しており、前記酸化銅相の体積率が８０ｖｏｌ％を超えて９０ｖｏｌ％以下の範囲内とされており、Ｘ線光電子分光分析の結果、ＣｕＯのピーク強度ＩＰ１とＣｕ及びＣｕ２Ｏのピーク強度ＩＰ２との比ＩＰ１／ＩＰ２が、０．０３以上０．４以下の範囲内とされていることを特徴としている。
本発明のスパッタリングターゲットによれば、酸化銅相の体積率が８０ｖｏｌ％を超えているので、酸化銅相が十分に存在しており、酸素ガス存在下でスパッタを行わなくても、酸化銅膜を成膜することができる。また、酸化銅相の体積率が９０ｖｏｌ％以下の範囲内とされているので、比抵抗が低くなり、ＤＣスパッタによって酸化銅膜を成膜することが可能となる。
そして、Ｘ線光電子分光分析の結果、ＣｕＯのピーク強度ＩＰ１とＣｕ及びＣｕ２Ｏのピーク強度ＩＰ２との比ＩＰ１／ＩＰ２が０．０３以上とされており、酸化銅相においてＣｕＯが存在しているので、焼結体の強度が向上し、製造時における割れの発生を抑制することができる。一方、ＣｕＯのピーク強度ＩＰ１とＣｕ及びＣｕ２Ｏのピーク強度ＩＰ２との比ＩＰ１／ＩＰ２が０．４以下とされているので、酸化銅相においてＣｕＯの存在比率が多くなり過ぎず、ターゲット内における抵抗値のばらつきを抑えることができる。よって、安定してＤＣスパッタを行うことができる。
そして、Ｘ線光電子分光分析の結果、ＣｕＯのピーク強度ＩＰ１とＣｕ及びＣｕ２Ｏのピーク強度ＩＰ２との比ＩＰ１／ＩＰ２が０．０３以上とされており、酸化銅相においてＣｕＯが存在しているので、焼結体の強度が向上し、製造時における割れの発生を抑制することができる。一方、ＣｕＯのピーク強度ＩＰ１とＣｕ及びＣｕ２Ｏのピーク強度ＩＰ２との比ＩＰ１／ＩＰ２が０．４以下とされているので、酸化銅相においてＣｕＯの存在比率が多くなり過ぎず、ターゲット内における抵抗値のばらつきを抑えることができる。よって、安定してＤＣスパッタを行うことができる。
ここで、本発明のスパッタリングターゲットにおいては、Ｘ線回折分析の結果、ＣｕＯの回折強度ＩＲ１とＣｕ２Ｏの回折強度ＩＲ２との比ＩＲ１／ＩＲ２が０．１５以下であることが好ましい。
この場合、酸化銅相においてＣｕＯの存在比率が少なく、Ｃｕ２Ｏの存在比率が高い。ここで、ＣｕＯは金属銅と反応してＣｕ２Ｏを生成することから、ＣｕＯの存在比率が高い場合には、金属銅とＣｕＯとが十分に反応していないことになる。このため、酸化銅相においてＣｕＯの存在比率を０．１５以下とすることにより、均一にＣｕ２Ｏが分散していることになり、ターゲット内における抵抗値のばらつきを抑えることができる。
この場合、酸化銅相においてＣｕＯの存在比率が少なく、Ｃｕ２Ｏの存在比率が高い。ここで、ＣｕＯは金属銅と反応してＣｕ２Ｏを生成することから、ＣｕＯの存在比率が高い場合には、金属銅とＣｕＯとが十分に反応していないことになる。このため、酸化銅相においてＣｕＯの存在比率を０．１５以下とすることにより、均一にＣｕ２Ｏが分散していることになり、ターゲット内における抵抗値のばらつきを抑えることができる。
本発明のスパッタリングターゲットの製造方法は、金属銅相と酸化銅相とを有し、前記酸化銅相の体積率が８０ｖｏｌ％を超えて９０ｖｏｌ％以下の範囲内とされたスパッタリングターゲットの製造方法であって、少なくともＣｕ粉とＣｕＯ粉とを含有する原料粉を準備する原料粉準備工程と、前記原料粉を焼結して焼結体を得る焼結工程と、を備えており、前記ＣｕＯ粉の平均粒径を３μｍ以上とし、焼結温度を７２０℃以上とすること特徴としている。
本発明のスパッタリングターゲットの製造方法によれば、原料粉としてＣｕ粉と平均粒径３μｍ以上のＣｕＯ粉を用いており、焼結工程における焼結温度を７２０℃以上に設定しているので、焼結工程においてＣｕとＣｕＯとが反応してＣｕ２Ｏが生成する際に、ＣｕＯが一部残存することになる。これにより、ＣｕＯのピーク強度ＩＰ１とＣｕ及びＣｕ２Ｏのピーク強度ＩＰ２との比ＩＰ１／ＩＰ２が０．０３以上０．４以下の範囲内となるように調整することができる。よって、焼結体の強度を確保することができ、製造時における割れの発生を抑制することができる。また、比抵抗のばらつきを抑制し、安定してＤＣスパッタを行うことができる。
本発明によれば、安定してＤＣスパッタが可能であり、ターゲットの製造時における割れの発生を抑制して歩留り良く製造することが可能なスパッタリングターゲット及びこのスパッタリングターゲットの製造方法を提供することができる。
以下に、本発明の一実施形態であるスパッタリングターゲット及びスパッタリングターゲットの製造方法について説明する。なお、本実施形態であるスパッタリングターゲットは、酸化銅膜を成膜する際に用いられるものである。
本実施形態であるスパッタリングターゲットは、金属銅相と酸化銅相とを有し、酸化銅相の体積率が８０ｖｏｌ％を超えて９０ｖｏｌ％以下の範囲内とされている。なお、本実施形態では、Ｃｕの含有量が７０原子％以上７４原子％以下の範囲内とされている。
本実施形態であるスパッタリングターゲットは、金属銅相と酸化銅相とを有し、酸化銅相の体積率が８０ｖｏｌ％を超えて９０ｖｏｌ％以下の範囲内とされている。なお、本実施形態では、Ｃｕの含有量が７０原子％以上７４原子％以下の範囲内とされている。
そして、本実施形態であるスパッタリングターゲットにおいては、Ｘ線光電子分光分析（ＸＰＳ）の結果、ＣｕＯのピーク強度ＩＰ１とＣｕ及びＣｕ２Ｏのピーク強度ＩＰ２との比ＩＰ１／ＩＰ２が、０．０３以上０．４以下の範囲内とされている。すなわち、本実施形態においては、酸化銅相は、Ｃｕ２Ｏを主体としており、一部にＣｕＯが存在していることになる。
また、本実施形態であるスパッタリングターゲットにおいては、Ｘ線回折分析（ＸＲＤ）の結果、ＣｕＯの回折強度ＩＲ１と、Ｃｕ２Ｏの回折強度ＩＲ２との比ＩＲ１／ＩＲ２が０．１５以下とされている。すなわち、本実施形態においては、酸化銅相におけるＣｕＯの存在比率が必要以上に多くなっておらず、Ｃｕ２Ｏが十分に存在していることになる。
そして、本実施形態であるスパッタリングターゲットにおいては、ターゲット全体としてｐ型半導体の性質を有している。
また、本実施形態であるスパッタリングターゲットの抵抗値は、１０Ω・ｃｍ以下とされている。
さらに、本実施形態であるスパッタリングターゲットにおいては、ターゲットスパッタ面における抵抗値の平均値に対するばらつきが５０％以下とされている。
また、本実施形態であるスパッタリングターゲットにおいては、金属銅相は、ターゲット中に島状に分散しており、金属銅相の平均粒径は、１０μｍ以上２００μｍ以下の範囲内とされている。
また、本実施形態であるスパッタリングターゲットの抵抗値は、１０Ω・ｃｍ以下とされている。
さらに、本実施形態であるスパッタリングターゲットにおいては、ターゲットスパッタ面における抵抗値の平均値に対するばらつきが５０％以下とされている。
また、本実施形態であるスパッタリングターゲットにおいては、金属銅相は、ターゲット中に島状に分散しており、金属銅相の平均粒径は、１０μｍ以上２００μｍ以下の範囲内とされている。
以下に、本実施形態であるスパッタリングターゲットにおける酸化銅相の体積率、Ｘ線回折分析（ＸＲＤ）の回折強度、Ｘ線光電子分光分析（ＸＰＳ）のピーク強度、抵抗値のばらつき、金属銅相の平均粒径を、上述のように規定した理由について説明する。
（酸化銅相の体積率：８０ｖｏｌ％超え、９０ｖｏｌ％以下）
本実施形態であるスパッタリングターゲットにおいては、酸化銅膜をＤＣスパッタによって成膜するものであり、金属銅相と酸化銅相の存在比が特に重要となる。
ここで、酸化銅相の体積率が８０ｖｏｌ％以下では、成膜された酸化銅膜中に金属銅が比較的多く存在し、酸化銅としての特性を有する酸化銅膜を成膜することができなくなるおそれがある。
一方、酸化銅相の体積率が９０ｖｏｌ％を超えると、ターゲット全体の抵抗値が上昇し、ＤＣスパッタを行うことができなくなるおそれがある。本実施形態では、金属銅相が島状に分散しており、これらの間に存在する酸化銅相が金属銅相と反応して縮退したｐ型半導体として作用することから、金属銅相が十分に分散していないとターゲット全体での抵抗値が上昇してしまうと考えられる。
このような理由から、本実施形態では、酸化銅相の体積率を８０ｖｏｌ％超え、９０ｖｏｌ％以下の範囲内に設定している。
なお、特性に優れた酸化銅膜を確実に成膜するためには、酸化銅相の体積率を８５ｖｏｌ％以上とすることが好ましい。一方、スパッタリングターゲットの抵抗値をさらに低く抑えるためには、酸化銅相の体積率を８５ｖｏｌ％以下とすることが好ましい。すなわち、酸化銅相の体積率を８０ｖｏｌ％超え、９０ｖｏｌ％以下の範囲内において、要求される特性又は抵抗値を考慮して、酸化銅相の体積率を適宜調整することが好ましい。
本実施形態であるスパッタリングターゲットにおいては、酸化銅膜をＤＣスパッタによって成膜するものであり、金属銅相と酸化銅相の存在比が特に重要となる。
ここで、酸化銅相の体積率が８０ｖｏｌ％以下では、成膜された酸化銅膜中に金属銅が比較的多く存在し、酸化銅としての特性を有する酸化銅膜を成膜することができなくなるおそれがある。
一方、酸化銅相の体積率が９０ｖｏｌ％を超えると、ターゲット全体の抵抗値が上昇し、ＤＣスパッタを行うことができなくなるおそれがある。本実施形態では、金属銅相が島状に分散しており、これらの間に存在する酸化銅相が金属銅相と反応して縮退したｐ型半導体として作用することから、金属銅相が十分に分散していないとターゲット全体での抵抗値が上昇してしまうと考えられる。
このような理由から、本実施形態では、酸化銅相の体積率を８０ｖｏｌ％超え、９０ｖｏｌ％以下の範囲内に設定している。
なお、特性に優れた酸化銅膜を確実に成膜するためには、酸化銅相の体積率を８５ｖｏｌ％以上とすることが好ましい。一方、スパッタリングターゲットの抵抗値をさらに低く抑えるためには、酸化銅相の体積率を８５ｖｏｌ％以下とすることが好ましい。すなわち、酸化銅相の体積率を８０ｖｏｌ％超え、９０ｖｏｌ％以下の範囲内において、要求される特性又は抵抗値を考慮して、酸化銅相の体積率を適宜調整することが好ましい。
（Ｘ線光電子分光分析（ＸＰＳ）におけるＣｕＯのピーク強度ＩＰ１とＣｕ及びＣｕ２Ｏのピーク強度ＩＰ２との比ＩＰ１／ＩＰ２：０．０３以上０．４以下）
スパッタリングターゲットを焼結によって製造する場合、ＣｕＯと金属銅とが反応してＣｕ２Ｏが生成する。ここで、Ｘ線光電子分光分析（ＸＰＳ）におけるＣｕＯのピーク強度ＩＰ１とＣｕ及びＣｕ２Ｏのピーク強度ＩＰ２との比ＩＰ１／ＩＰが０．０３未満である場合には、焼結体の強度が低くなり、製造時に割れが発生するおそれがある。一方、ＩＰ１／ＩＰが０．４を超える場合には、金属銅とＣｕＯとが十分に反応しておらず、ターゲット内において抵抗値のばらつきが大きくなり、安定してＤＣスパッタを行うことができなくなるおそれがある。
以上のことから、本実施形態では、Ｘ線光電子分光分析（ＸＰＳ）におけるＣｕＯのピーク強度ＩＰ１とＣｕ及びＣｕ２Ｏのピーク強度ＩＰ２との比ＩＰ１／ＩＰ２を０．０３以上０．４以下の範囲内に設定している。なお、焼結体の強度を向上させて製造時の割れを抑制するためには、上述のＩＰ１／ＩＰ２の下限を０．０５以上とすることが好ましく、０．１以上とすることがさらに好ましい。また、抵抗値のばらつきを抑え、異常放電の発生を抑制するためには、上述のＩＰ１／ＩＰ２の上限を０．３以下とすることが好ましく、０．２以下とすることがさらに好ましい。
なお、図５に示すように、Ｘ線光電子分光分析（ＸＰＳ）におけるＣｕのピークとＣｕ２Ｏのピークとを分離することが困難であることから、Ｃｕ及びＣｕ２Ｏのピーク強度ＩＰ２を用いてＣｕＯの存在比率を規定している。
スパッタリングターゲットを焼結によって製造する場合、ＣｕＯと金属銅とが反応してＣｕ２Ｏが生成する。ここで、Ｘ線光電子分光分析（ＸＰＳ）におけるＣｕＯのピーク強度ＩＰ１とＣｕ及びＣｕ２Ｏのピーク強度ＩＰ２との比ＩＰ１／ＩＰが０．０３未満である場合には、焼結体の強度が低くなり、製造時に割れが発生するおそれがある。一方、ＩＰ１／ＩＰが０．４を超える場合には、金属銅とＣｕＯとが十分に反応しておらず、ターゲット内において抵抗値のばらつきが大きくなり、安定してＤＣスパッタを行うことができなくなるおそれがある。
以上のことから、本実施形態では、Ｘ線光電子分光分析（ＸＰＳ）におけるＣｕＯのピーク強度ＩＰ１とＣｕ及びＣｕ２Ｏのピーク強度ＩＰ２との比ＩＰ１／ＩＰ２を０．０３以上０．４以下の範囲内に設定している。なお、焼結体の強度を向上させて製造時の割れを抑制するためには、上述のＩＰ１／ＩＰ２の下限を０．０５以上とすることが好ましく、０．１以上とすることがさらに好ましい。また、抵抗値のばらつきを抑え、異常放電の発生を抑制するためには、上述のＩＰ１／ＩＰ２の上限を０．３以下とすることが好ましく、０．２以下とすることがさらに好ましい。
なお、図５に示すように、Ｘ線光電子分光分析（ＸＰＳ）におけるＣｕのピークとＣｕ２Ｏのピークとを分離することが困難であることから、Ｃｕ及びＣｕ２Ｏのピーク強度ＩＰ２を用いてＣｕＯの存在比率を規定している。
（ＣｕＯの回折強度ＩＲ１とＣｕ２Ｏの回折強度ＩＲ２との比ＩＲ１／ＩＲ２：０．１５以下）
上述のようにスパッタリングターゲットを焼結によって製造する場合、ＣｕＯと金属銅とが反応してＣｕ２Ｏが生成する。ここで、ＣｕＯの回折強度ＩＲ１とＣｕ２Ｏの回折強度ＩＲ２との比ＩＲ１／ＩＲ２が０．１５以下である場合には、ＣｕＯの存在比率が低く、金属銅とＣｕＯとが十分に反応していることになる。このため、ターゲット内において抵抗値のばらつきが抑えられ、異常放電の発生が抑制される。
以上のことから、本実施形態では、ＣｕＯの回折強度ＩＲ１とＣｕ２Ｏの回折強度ＩＲ２との比ＩＲ１／ＩＲ２を０．１５以下に設定している。なお、抵抗値のばらつきを確実に抑制して異常放電の発生を抑制するためには、ＣｕＯの回折強度ＩＲ１とＣｕ２Ｏの回折強度ＩＲ２との比ＩＲ１／ＩＲ２を０．１以下とすることが好ましく、０．０５以下とすることがさらに好ましい。
上述のようにスパッタリングターゲットを焼結によって製造する場合、ＣｕＯと金属銅とが反応してＣｕ２Ｏが生成する。ここで、ＣｕＯの回折強度ＩＲ１とＣｕ２Ｏの回折強度ＩＲ２との比ＩＲ１／ＩＲ２が０．１５以下である場合には、ＣｕＯの存在比率が低く、金属銅とＣｕＯとが十分に反応していることになる。このため、ターゲット内において抵抗値のばらつきが抑えられ、異常放電の発生が抑制される。
以上のことから、本実施形態では、ＣｕＯの回折強度ＩＲ１とＣｕ２Ｏの回折強度ＩＲ２との比ＩＲ１／ＩＲ２を０．１５以下に設定している。なお、抵抗値のばらつきを確実に抑制して異常放電の発生を抑制するためには、ＣｕＯの回折強度ＩＲ１とＣｕ２Ｏの回折強度ＩＲ２との比ＩＲ１／ＩＲ２を０．１以下とすることが好ましく、０．０５以下とすることがさらに好ましい。
（抵抗値：１０Ω・ｃｍ以下）
ＤＣスパッタを安定して行うために、本実施形態であるスパッタリングターゲットにおいては、抵抗値を１０Ω・ｃｍ以下とすることが好ましく、１Ω・ｃｍ以下とすることがさらに好ましい。
なお、本実施形態におけるスパッタリングターゲットの抵抗値は、後述する複数の測定点における測定値の平均値とする。
ＤＣスパッタを安定して行うために、本実施形態であるスパッタリングターゲットにおいては、抵抗値を１０Ω・ｃｍ以下とすることが好ましく、１Ω・ｃｍ以下とすることがさらに好ましい。
なお、本実施形態におけるスパッタリングターゲットの抵抗値は、後述する複数の測定点における測定値の平均値とする。
（ターゲットスパッタ面における抵抗値の平均値に対するばらつき：５０％以下）
本実施形態であるスパッタリングターゲットにおいては、金属銅相が分散することによって導電性が確保され、ＤＣスパッタが可能となる。ここで、ターゲットスパッタ面における抵抗値の平均値に対するばらつきを５０％以下とすることにより、金属銅相が均一に分散していることになり、ＤＣスパッタを安定して行うことが可能となる。また、スパッタ時における異常放電の発生を抑制することができる。
このような理由から、本実施形態では、ターゲットスパッタ面における抵抗値の平均値に対するばらつきを５０％以下に設定している。なお、金属銅相を均一に分散させてＤＣスパッタを確実に実施可能とするためには、ターゲットスパッタ面における抵抗値の平均値に対するばらつきを４０％以下とすることが好ましく、３０％以下とすることがさらに好ましい。
本実施形態であるスパッタリングターゲットにおいては、金属銅相が分散することによって導電性が確保され、ＤＣスパッタが可能となる。ここで、ターゲットスパッタ面における抵抗値の平均値に対するばらつきを５０％以下とすることにより、金属銅相が均一に分散していることになり、ＤＣスパッタを安定して行うことが可能となる。また、スパッタ時における異常放電の発生を抑制することができる。
このような理由から、本実施形態では、ターゲットスパッタ面における抵抗値の平均値に対するばらつきを５０％以下に設定している。なお、金属銅相を均一に分散させてＤＣスパッタを確実に実施可能とするためには、ターゲットスパッタ面における抵抗値の平均値に対するばらつきを４０％以下とすることが好ましく、３０％以下とすることがさらに好ましい。
ここで、本実施形態においては、スパッタリングターゲットの形状が平板で、ターゲットスパッタ面が円形をなす場合には、図１に示すように、円の中心（１）、及び、円の中心を通過するとともに互いに直交する２本の直線上の外周部分（２）、（３）、（４）、（５）の５点で抵抗値を測定し、下記式により、ターゲットスパッタ面における抵抗値の平均値に対するばらつきを求めている。なお、外周部分（２）、（３）、（４）、（５）は、外周縁から内側に向かって直径の１０％以内の範囲内とした。
また、スパッタリングターゲットの形状が平板で、ターゲットスパッタ面が矩形をなす場合には、図２に示すように、対角線が交差する交点（１）と、各対角線上の角部（２）、（３）、（４）、（５）の５点で抵抗値を測定し、下記式により、ターゲットスパッタ面における抵抗値の平均値に対するばらつきを求めている。なお、角部（２）、（３）、（４）、（５）は、角部から内側に向かって対角線全長の１０％以内の範囲内とした。
さらに、スパッタリングターゲットの形状が円筒で、ターゲットスパッタ面が円筒外周面である場合は、図３に示すように、軸線Ｏ方向に半分の地点から外周方向に９０°間隔の（１）、（２）、（３）、（４）の４点で抵抗値を測定し、下記式により、ターゲットスパッタ面における抵抗値の平均値に対するばらつきを求めている。
（ばらつき）％＝ 標準偏差／平均値×１００
また、スパッタリングターゲットの形状が平板で、ターゲットスパッタ面が矩形をなす場合には、図２に示すように、対角線が交差する交点（１）と、各対角線上の角部（２）、（３）、（４）、（５）の５点で抵抗値を測定し、下記式により、ターゲットスパッタ面における抵抗値の平均値に対するばらつきを求めている。なお、角部（２）、（３）、（４）、（５）は、角部から内側に向かって対角線全長の１０％以内の範囲内とした。
さらに、スパッタリングターゲットの形状が円筒で、ターゲットスパッタ面が円筒外周面である場合は、図３に示すように、軸線Ｏ方向に半分の地点から外周方向に９０°間隔の（１）、（２）、（３）、（４）の４点で抵抗値を測定し、下記式により、ターゲットスパッタ面における抵抗値の平均値に対するばらつきを求めている。
（ばらつき）％＝ 標準偏差／平均値×１００
（金属銅相の平均粒径：１０μｍ以上２００μｍ以下）
本実施形態では、金属銅相の平均粒径が２００μｍ以下と比較的微細であるので、金属銅相が比較的均一に分散していることになる。ここで、本実施形態では、上述のように、金属銅相が島状に分散しており、これらの間に存在する酸化銅相がｐ型半導体として作用することから、金属銅相が比較的均一に分散していることで、ターゲット全体で導電性を確保でき、ＤＣスパッタを安定して行うことができる。
また、本実施形態であるスパッタリングターゲットを製造する場合、金属銅粉末を用いることになるが、金属銅相の平均粒径を１０μｍ以上に規定することにより、金属銅粉末の粒径を過度に微細にする必要がなく、金属銅粉末の酸化を抑制することができる。
以上のことから、本実施形態では、金属銅相の平均粒径を１０μｍ以上２００μｍ以下の範囲内に設定している。なお、ターゲット全体で導電性を確保し、ＤＣスパッタをさらに安定して行うためには、金属銅相の平均粒径の上限を１５０μｍ以下とすることが好ましく、１００μｍ以下とすることがさらに好ましい。また、原料の金属銅粉末の酸化を確実に抑制するためには、金属銅相の平均粒径の下限を２０μｍ以上とすることが好ましく、３０μｍ以上とすることがさらに好ましい。
本実施形態では、金属銅相の平均粒径が２００μｍ以下と比較的微細であるので、金属銅相が比較的均一に分散していることになる。ここで、本実施形態では、上述のように、金属銅相が島状に分散しており、これらの間に存在する酸化銅相がｐ型半導体として作用することから、金属銅相が比較的均一に分散していることで、ターゲット全体で導電性を確保でき、ＤＣスパッタを安定して行うことができる。
また、本実施形態であるスパッタリングターゲットを製造する場合、金属銅粉末を用いることになるが、金属銅相の平均粒径を１０μｍ以上に規定することにより、金属銅粉末の粒径を過度に微細にする必要がなく、金属銅粉末の酸化を抑制することができる。
以上のことから、本実施形態では、金属銅相の平均粒径を１０μｍ以上２００μｍ以下の範囲内に設定している。なお、ターゲット全体で導電性を確保し、ＤＣスパッタをさらに安定して行うためには、金属銅相の平均粒径の上限を１５０μｍ以下とすることが好ましく、１００μｍ以下とすることがさらに好ましい。また、原料の金属銅粉末の酸化を確実に抑制するためには、金属銅相の平均粒径の下限を２０μｍ以上とすることが好ましく、３０μｍ以上とすることがさらに好ましい。
（スパッタリングターゲットの製造方法）
次に、本実施形態であるスパッタリングターゲットの製造方法について、図４のフロー図を参照して説明する。
まず、金属銅粉及び酸化銅粉を含む原料粉を準備する（原料粉準備工程Ｓ０１）。ここで、金属銅粉としては、質量比で純度９９．９９％以上（４Ｎ）以上のものを使用することが好ましい。また、この金属銅粉の粒径を調整することにより、スパッタリングターゲット中の金属銅相の平均粒径を制御することが可能となる。具体的には、金属銅粉の平均粒径を１０μｍ以上２００μｍ以下の範囲内とすることが好ましい。
酸化銅粉としては、ＣｕＯ粉、及び、ＣｕＯ粉とＣｕ２Ｏ粉の混合粉末を用いる。ＣｕＯ粉及びＣｕ２Ｏ粉は、金属成分中のＣｕの純度が質量比で９９％以上（２Ｎ）以上のものを使用することが好ましい。なお、Ｃｕ２Ｏ粉の平均粒径は１μｍ以上３０μｍ以下の範囲内とすることが好ましい。
そして、ＣｕＯ粉の平均粒径は３μｍ以上とする。なお、ＣｕＯ粉の平均粒径の上限に制限はないが、実質的には１００μｍ以下となる。
また、各粉末の配合量に関して、酸化銅粉にＣｕＯ粉を用いる場合、ＣｕＯ粉の配合量は３６ｍｏｌ％以上４４ｍｏｌ％以下の範囲内が好ましく、酸化銅粉にＣｕＯ粉とＣｕ２Ｏ粉を用いる場合、ＣｕＯ粉とＣｕ２Ｏ粉の合計配合量は５０ｍｏｌ％未満であることが好ましい。
秤量された金属銅粉及び酸化銅粉を、ボールミル、ヘンシェルミキサー、ロッキングミキサー等の混合装置によって混合し、原料粉とする。このとき、金属銅粉の酸化を防ぐために、混合装置内の雰囲気をＡｒ等の不活性ガス雰囲気とすることが好ましい。
次に、本実施形態であるスパッタリングターゲットの製造方法について、図４のフロー図を参照して説明する。
まず、金属銅粉及び酸化銅粉を含む原料粉を準備する（原料粉準備工程Ｓ０１）。ここで、金属銅粉としては、質量比で純度９９．９９％以上（４Ｎ）以上のものを使用することが好ましい。また、この金属銅粉の粒径を調整することにより、スパッタリングターゲット中の金属銅相の平均粒径を制御することが可能となる。具体的には、金属銅粉の平均粒径を１０μｍ以上２００μｍ以下の範囲内とすることが好ましい。
酸化銅粉としては、ＣｕＯ粉、及び、ＣｕＯ粉とＣｕ２Ｏ粉の混合粉末を用いる。ＣｕＯ粉及びＣｕ２Ｏ粉は、金属成分中のＣｕの純度が質量比で９９％以上（２Ｎ）以上のものを使用することが好ましい。なお、Ｃｕ２Ｏ粉の平均粒径は１μｍ以上３０μｍ以下の範囲内とすることが好ましい。
そして、ＣｕＯ粉の平均粒径は３μｍ以上とする。なお、ＣｕＯ粉の平均粒径の上限に制限はないが、実質的には１００μｍ以下となる。
また、各粉末の配合量に関して、酸化銅粉にＣｕＯ粉を用いる場合、ＣｕＯ粉の配合量は３６ｍｏｌ％以上４４ｍｏｌ％以下の範囲内が好ましく、酸化銅粉にＣｕＯ粉とＣｕ２Ｏ粉を用いる場合、ＣｕＯ粉とＣｕ２Ｏ粉の合計配合量は５０ｍｏｌ％未満であることが好ましい。
秤量された金属銅粉及び酸化銅粉を、ボールミル、ヘンシェルミキサー、ロッキングミキサー等の混合装置によって混合し、原料粉とする。このとき、金属銅粉の酸化を防ぐために、混合装置内の雰囲気をＡｒ等の不活性ガス雰囲気とすることが好ましい。
次に、上述の原料粉を用いて、ホットプレス等によって焼結して焼結体を得る（焼結工程Ｓ０２）。なお、このときの焼結温度は７２０℃以上９００℃以下、保持時間は３０ｍｉｎ以上６００ｍｉｎ以下の範囲内、加圧圧力は１０ＭＰａ以上５０ＭＰａ以下の範囲内とすることが好ましい。この焼結工程Ｓ０２においては、焼結温度を７２０℃以上としているので、ＣｕＯとＣｕとが反応してＣｕ２Ｏが形成される。また、本実施形態では、ＣｕＯ粉末の粒径が３μｍ以上とされているので、ＣｕＯとＣｕとが反応してＣｕ２Ｏが形成されてもＣｕＯの一部が残存することになる。
次に、得られた焼結体を機械加工する（機械加工工程Ｓ０３）。これにより、本実施形態であるスパッタリングターゲットが製造される。
以上のような構成とされた本実施形態であるスパッタリングターゲットにおいては、酸化銅相の体積率が８０ｖｏｌ％を超えているので、酸化銅相が十分に存在しており、酸素ガス存在下でスパッタを行わなくても、酸化銅膜を成膜することができる。また、酸化銅相の体積率が９０ｖｏｌ％以下とされているので、ターゲット全体として導電性が確保されることになり、ＤＣスパッタによって酸化銅膜を成膜することができる。
そして、本実施形態であるスパッタリングターゲットにおいては、Ｘ線光電子分光分析の結果、ＣｕＯのピーク強度ＩＰ１とＣｕ及びＣｕ２Ｏのピーク強度ＩＰ２との比ＩＰ１／ＩＰ２が、０．０３以上とされているので、焼結体の強度が向上し、製造時における割れの発生を抑制することができる。また、ＩＰ１／ＩＰ２が０．４以下とされているので、酸化銅相においてＣｕＯの存在比率が少なくなり、ターゲット内における抵抗値のばらつきを抑えることができ、安定してＤＣスパッタを行うことができる。
また、本実施形態では、Ｘ線回折分析（ＸＲＤ）の結果、ＣｕＯの回折強度ＩＲ１と、Ｃｕ２Ｏの回折強度ＩＲ２との比ＩＲ１／ＩＲ２が０．１５以下とされていることから、酸化銅相として均一にＣｕ２Ｏが分散していることになり、ターゲット内における抵抗値のばらつきを抑えることができる。よって、安定してＤＣスパッタにより酸化銅膜を成膜することができる。
さらに、本実施形態では、金属銅相が島状に分散されており、これら金属銅相の間に存在する酸化銅相が金属銅相と反応して縮退したｐ型半導体として作用することにより、ターゲット全体としてｐ型半導体の性質を有しており、導電性が確保されていると考えられる。よって、ＤＣスパッタによって酸化銅膜を成膜することができる。
また、本実施形態では、スパッタリングターゲットの抵抗値が１０Ω・ｃｍ以下とされているので、確実にＤＣスパッタを行うことができる。
さらに、本実施形態では、ターゲットスパッタ面における比抵抗値の平均値に対するばらつきが５０％以下とされていることから、ターゲット全体として導電性が十分に確保されることになり、ＤＣスパッタによって安定して酸化銅膜を成膜することが可能となる。
さらに、本実施形態では、ターゲットスパッタ面における比抵抗値の平均値に対するばらつきが５０％以下とされていることから、ターゲット全体として導電性が十分に確保されることになり、ＤＣスパッタによって安定して酸化銅膜を成膜することが可能となる。
さらに、本実施形態であるスパッタリングターゲットにおいては、密度が５．５ｇ／ｃｍ３以上とされているので、スパッタ時における異常放電の発生を抑制することができる。一方、密度が７．５ｇ／ｃｍ３以下とされているので、加工性が確保されており、このスパッタリングターゲットを良好に成形することができる。
また、本実施形態であるスパッタリングターゲットにおいては、金属銅相の平均粒径が２００μｍ以下とされているので、金属銅相がターゲット中に微細に分散していることになり、ターゲット全体で導電性を確保することができる。これにより、ＤＣスパッタを安定して行うことができる。一方、金属銅相の平均粒径が１０μｍ以上とされているので、ターゲット製造時において金属銅粉末の粒径を過度に小さくする必要がなく、金属銅粉末の酸化を抑制することができ、焼結を良好に行うことができる。
さらに、本実施形態であるスパッタリングターゲットの製造方法によれば、原料粉に含まれるＣｕＯ粉の平均粒径が３μｍ以上とされているので、焼結工程Ｓ０２においてＣｕとＣｕＯとが反応してＣｕ２Ｏが生成された際にＣｕＯを残存させることができ、ＣｕＯのピーク強度ＩＰ１とＣｕ及びＣｕ２Ｏのピーク強度ＩＰ２との比ＩＰ１／ＩＰ２を上述の範囲に調整することができる。すなわち、ＣｕＯ粉末の粒径が比較的大きいため、ＣｕとＣｕＯとの反応が短時間で進行せず、ＣｕＯを残存させることが可能となる。
また、焼結工程Ｓ０２における焼結温度を７２０℃以上に設定しているので、ＣｕとＣｕＯとを確実に反応させてＣｕ２Ｏを生成することができる。
また、焼結工程Ｓ０２における焼結温度を７２０℃以上に設定しているので、ＣｕとＣｕＯとを確実に反応させてＣｕ２Ｏを生成することができる。
以上、本発明の実施形態について説明したが、本発明はこれに限定されることはなく、その発明の技術的思想を逸脱しない範囲で適宜変更可能である。
以下に、本発明の有効性を確認するために行った確認実験の結果について説明する。
（スパッタリングターゲット）
原料粉として、金属銅粉（純度：９９．９ｍａｓｓ％以上、平均粒径は表１に記載）、ＣｕＯ粉（金属成分中のＣｕの純度：９９ｍａｓｓ％以上，平均粒径は表１に記載）、Ｃｕ２Ｏ粉末（金属成分中のＣｕの純度：９９ｍａｓｓ％以上，平均粒径３μｍ）を準備した。
これらの原料を、表１に記載のｍｏｌ比となるように秤量し、Ａｒガス雰囲気とされたボールミル装置の容器内に、秤量した原料と、この原料の３倍の重量のジルコニアボール（直径：５ｍｍ）を投入し、３時間混合した。
得られた原料粉末を篩分けした後、ホットプレスの平板及び円筒形状用の成形型に充填し、２０ＭＰａの加圧下で、表１に示す焼結温度で平板形状は３時間、円筒形状は５時間保持した。
得られた焼結体を機械加工し、評価用のスパッタリングターゲット（平板形状：１２６ｍｍ×１７８ｍｍ×６ｍｍ、円筒形状：（φ１５５ｍｍ−φ１３５ｍｍ）×１５０ｍｍＬ）を製造した。そして、以下の項目について評価した。評価結果を表１、表２に示す。
原料粉として、金属銅粉（純度：９９．９ｍａｓｓ％以上、平均粒径は表１に記載）、ＣｕＯ粉（金属成分中のＣｕの純度：９９ｍａｓｓ％以上，平均粒径は表１に記載）、Ｃｕ２Ｏ粉末（金属成分中のＣｕの純度：９９ｍａｓｓ％以上，平均粒径３μｍ）を準備した。
これらの原料を、表１に記載のｍｏｌ比となるように秤量し、Ａｒガス雰囲気とされたボールミル装置の容器内に、秤量した原料と、この原料の３倍の重量のジルコニアボール（直径：５ｍｍ）を投入し、３時間混合した。
得られた原料粉末を篩分けした後、ホットプレスの平板及び円筒形状用の成形型に充填し、２０ＭＰａの加圧下で、表１に示す焼結温度で平板形状は３時間、円筒形状は５時間保持した。
得られた焼結体を機械加工し、評価用のスパッタリングターゲット（平板形状：１２６ｍｍ×１７８ｍｍ×６ｍｍ、円筒形状：（φ１５５ｍｍ−φ１３５ｍｍ）×１５０ｍｍＬ）を製造した。そして、以下の項目について評価した。評価結果を表１、表２に示す。
（ターゲット中の酸化銅相の体積率）
ターゲット中の銅の濃度（原子％）を滴定法により測定し、残を酸素として算出する。算出した酸素が全量Ｃｕ２Ｏとして存在すると仮定して銅との体積率を算出した。なお、空孔については考慮していないため、ここでの体積率は空孔を除いたものである。
ターゲット中の銅の濃度（原子％）を滴定法により測定し、残を酸素として算出する。算出した酸素が全量Ｃｕ２Ｏとして存在すると仮定して銅との体積率を算出した。なお、空孔については考慮していないため、ここでの体積率は空孔を除いたものである。
（ターゲット中の金属銅相の平均粒径）
スパッタリングターゲットの組織中における金属銅相の粒子についてＥＢＳＤで得られたＩＱマップから、その大きさを確認した。なお、ＩＱマップは５００μｍ×７５０μｍの断面範囲を観察し粒子サイズを定量測定した。
なお、ＥＢＳＤは株式会社ＴＳＬソリューションズのＯＩＭ Ｄａｔａ Ｃｏｌｌｅｃｔｉｏｎを用いてパターンを収集し、同社製ＯＩＭ Ａｎａｌｙｓｉｓ ５．３１を用いて粒子の大きさを算出した。
スパッタリングターゲットの組織中における金属銅相の粒子についてＥＢＳＤで得られたＩＱマップから、その大きさを確認した。なお、ＩＱマップは５００μｍ×７５０μｍの断面範囲を観察し粒子サイズを定量測定した。
なお、ＥＢＳＤは株式会社ＴＳＬソリューションズのＯＩＭ Ｄａｔａ Ｃｏｌｌｅｃｔｉｏｎを用いてパターンを収集し、同社製ＯＩＭ Ａｎａｌｙｓｉｓ ５．３１を用いて粒子の大きさを算出した。
（密度）
スパッタリングターゲットの重量と寸法より密度を算出した。
スパッタリングターゲットの重量と寸法より密度を算出した。
（Ｘ線光電子分光分析）
Ｘ線光電子分光分析（ＸＰＳ）は、以下の条件で行った。なお、測定試料の測定面を研磨紙♯２０００で表面研磨し、最表面からＡｒスパッタを行い分析した。なお、スパッタ開始から２０分後に本測定を行い、Ｃｕ２ｐ３／２スペクトルのデータを用いた。分析結果の一例を図５に示す。
装置：ＵＬＶＡＣ−ＰＨＩ ＰＨＩ５０００ ＶｅｒｓａＰｒｏｂｅII
Ｘ線源：Ｍｏｎｏｃｈｒｏｍａｔｅｄ ＡｌＫα ５０Ｗ
パスエネルギー：１８７．８５ｅＶ（Ｓｕｒｖｅｙ）、４６．９５、５８．７ｅＶ（Ｐｒｏｆｉｌｅ）
測定間隔：０．８ｅＶ／ｓｔｅｐ（Ｓｕｒｖｅｙ）、０．１、０．１２５ｅＶ／ｓｔｅｐ（Ｐｒｏｆｉｌｅ）
試料面に対する光電子取り出し角：４５ｄｅｇ
分析エリア：約２００μｍφ
Ｘ線光電子分光分析（ＸＰＳ）は、以下の条件で行った。なお、測定試料の測定面を研磨紙♯２０００で表面研磨し、最表面からＡｒスパッタを行い分析した。なお、スパッタ開始から２０分後に本測定を行い、Ｃｕ２ｐ３／２スペクトルのデータを用いた。分析結果の一例を図５に示す。
装置：ＵＬＶＡＣ−ＰＨＩ ＰＨＩ５０００ ＶｅｒｓａＰｒｏｂｅII
Ｘ線源：Ｍｏｎｏｃｈｒｏｍａｔｅｄ ＡｌＫα ５０Ｗ
パスエネルギー：１８７．８５ｅＶ（Ｓｕｒｖｅｙ）、４６．９５、５８．７ｅＶ（Ｐｒｏｆｉｌｅ）
測定間隔：０．８ｅＶ／ｓｔｅｐ（Ｓｕｒｖｅｙ）、０．１、０．１２５ｅＶ／ｓｔｅｐ（Ｐｒｏｆｉｌｅ）
試料面に対する光電子取り出し角：４５ｄｅｇ
分析エリア：約２００μｍφ
（Ｘ線回折分析）
Ｘ線回折分析（ＸＲＤ）は、以下の条件で行った。なお、強度比の算出はＣｕＯの１１１面の強度をＩＲ１、Ｃｕ２Ｏの２００面の強度をＩＲ２として算出した。分析結果の一例を図６に示す。
試料の準備：試料はＳｉＣ−Ｐａｐｅｒ（ｇｒｉｔ １８０）にて研磨の後、測定試料とした。
装置：理学電気社製（ＲＩＮＴ−Ｕｌｔｉｍａ／ＰＣ）
管球：Ｃｕ
管電圧：４０ｋＶ
管電流：４０ｍＡ
走査範囲（２θ）：５°〜８０°
スリットサイズ：発散（ＤＳ）２／３度、散乱（ＳＳ）２／３度、受光（ＲＳ）０.８ｍｍ
測定ステップ幅：２θで０.０２度
スキャンスピード：毎分２度
試料台回転スピード：３０ｒｐｍ
Ｘ線回折分析（ＸＲＤ）は、以下の条件で行った。なお、強度比の算出はＣｕＯの１１１面の強度をＩＲ１、Ｃｕ２Ｏの２００面の強度をＩＲ２として算出した。分析結果の一例を図６に示す。
試料の準備：試料はＳｉＣ−Ｐａｐｅｒ（ｇｒｉｔ １８０）にて研磨の後、測定試料とした。
装置：理学電気社製（ＲＩＮＴ−Ｕｌｔｉｍａ／ＰＣ）
管球：Ｃｕ
管電圧：４０ｋＶ
管電流：４０ｍＡ
走査範囲（２θ）：５°〜８０°
スリットサイズ：発散（ＤＳ）２／３度、散乱（ＳＳ）２／３度、受光（ＲＳ）０.８ｍｍ
測定ステップ幅：２θで０.０２度
スキャンスピード：毎分２度
試料台回転スピード：３０ｒｐｍ
（製造時の割れ）
上述の条件でスパッタリングターゲットを２０枚作成し、その際に割れが生じた枚数をカウントした。
上述の条件でスパッタリングターゲットを２０枚作成し、その際に割れが生じた枚数をカウントした。
（ターゲットの抵抗値）
スパッタリングターゲットについて、抵抗測定装置により、抵抗率を測定した。平板形状であれば、図１および図２に示したようなターゲットスパッタ面内の５箇所（１〜５）の測定点について、円筒形状であれば、図３に示したようなターゲットスパッタ面内の４箇所（１〜４）の測定点について、抵抗率を測定した。測定された面内の抵抗率の平均値を、表２に示した。この測定においては、抵抗測定装置として、三菱化学株式会社製の低抵抗率計（Ｌｏｒｅｓｔａ−ＧＰ）を用い、四探針法で、抵抗率（Ω・ｃｍ）測定した。測定時の温度は２３±５℃、湿度は５０±２０％にて測定した。
（ばらつき）％＝ 標準偏差／平均値×１００
スパッタリングターゲットについて、抵抗測定装置により、抵抗率を測定した。平板形状であれば、図１および図２に示したようなターゲットスパッタ面内の５箇所（１〜５）の測定点について、円筒形状であれば、図３に示したようなターゲットスパッタ面内の４箇所（１〜４）の測定点について、抵抗率を測定した。測定された面内の抵抗率の平均値を、表２に示した。この測定においては、抵抗測定装置として、三菱化学株式会社製の低抵抗率計（Ｌｏｒｅｓｔａ−ＧＰ）を用い、四探針法で、抵抗率（Ω・ｃｍ）測定した。測定時の温度は２３±５℃、湿度は５０±２０％にて測定した。
（ばらつき）％＝ 標準偏差／平均値×１００
（ｐｎ判定）
スパッタリングターゲットについて、ｐｎ判定器により、ｐｎ判定を行った。平板形状であれば、図１および図２に示したようなターゲットスパッタ面内の１箇所（１）の測定点について、円筒形状であれば、図３に示したようなターゲットスパッタ面内の１箇所（１）の測定点について、ｐｎ判定した。判定した結果を、表２に示した。この測定においては、ｐｎ判定器として、エヌピイエス株式会社製のｐｎ判定器（ＭＯＤＥＬ ＰＮ−０１）を用い、熱起電力方式プローブにて、ｐｎ判定した。測定時の温度は２３±５℃、湿度は５０±２０％にて測定した。
スパッタリングターゲットについて、ｐｎ判定器により、ｐｎ判定を行った。平板形状であれば、図１および図２に示したようなターゲットスパッタ面内の１箇所（１）の測定点について、円筒形状であれば、図３に示したようなターゲットスパッタ面内の１箇所（１）の測定点について、ｐｎ判定した。判定した結果を、表２に示した。この測定においては、ｐｎ判定器として、エヌピイエス株式会社製のｐｎ判定器（ＭＯＤＥＬ ＰＮ−０１）を用い、熱起電力方式プローブにて、ｐｎ判定した。測定時の温度は２３±５℃、湿度は５０±２０％にて測定した。
（異常放電回数）
得られたスパッタリングターゲットについて、平板型であればバッキングプレートに、円筒型であればバッキングチューブにボンディングし、スパッタリング時の異常放電発生回数を以下の手順で測定した。
平板状のスパッタリングターゲットにおいては、以下の成膜条件により、成膜試験を行った。
ターゲットサイズ：１２６ｍｍ×１７８ｍｍ×６ｍｍ
電源：ＤＣ６００Ｗ
全圧：０．４Ｐａ
スパッタリングガス：Ａｒ＝５０ｓｃｃｍ
ターゲット−基板（ＴＳ）距離：７０ｍｍ
また、円筒形状のスパッタリングターゲットにおいては、以下の成膜条件により、成膜試験を行った。
ターゲットサイズ：（φ１５５ｍｍ−φ１３５ｍｍ）×１５０ｍｍＬ（４分割）
電源：ＤＣ２０００Ｗ
全圧：０．４Ｐａ
スパッタリングガス：Ａｒ＝１６０ｓｃｃｍ
ターゲット−基板（ＴＳ）距離：６０ｍｍ
上記成膜条件において１時間のスパッタリングを行い、異常放電の発生回数をスパッタ電源装置に付属したアーキングカウンターにて自動的にその回数を計測した。
得られたスパッタリングターゲットについて、平板型であればバッキングプレートに、円筒型であればバッキングチューブにボンディングし、スパッタリング時の異常放電発生回数を以下の手順で測定した。
平板状のスパッタリングターゲットにおいては、以下の成膜条件により、成膜試験を行った。
ターゲットサイズ：１２６ｍｍ×１７８ｍｍ×６ｍｍ
電源：ＤＣ６００Ｗ
全圧：０．４Ｐａ
スパッタリングガス：Ａｒ＝５０ｓｃｃｍ
ターゲット−基板（ＴＳ）距離：７０ｍｍ
また、円筒形状のスパッタリングターゲットにおいては、以下の成膜条件により、成膜試験を行った。
ターゲットサイズ：（φ１５５ｍｍ−φ１３５ｍｍ）×１５０ｍｍＬ（４分割）
電源：ＤＣ２０００Ｗ
全圧：０．４Ｐａ
スパッタリングガス：Ａｒ＝１６０ｓｃｃｍ
ターゲット−基板（ＴＳ）距離：６０ｍｍ
上記成膜条件において１時間のスパッタリングを行い、異常放電の発生回数をスパッタ電源装置に付属したアーキングカウンターにて自動的にその回数を計測した。
（膜の抵抗値）
この測定においては、抵抗測定装置として、三菱化学株式会社製の低抵抗率計（Ｌｏｒｅｓｔａ−ＧＰ）を用い、四探針法で、シート抵抗（Ω／□（ｓｑｕａｒｅ））を測定した。測定時の温度は２３±５℃、湿度は５０±２０％にて測定した。
測定に使用したサンプルは、上述のスパッタ条件にて作製した。膜はガラス基板上に狙い膜厚を２００ｎｍとして成膜した。
この測定においては、抵抗測定装置として、三菱化学株式会社製の低抵抗率計（Ｌｏｒｅｓｔａ−ＧＰ）を用い、四探針法で、シート抵抗（Ω／□（ｓｑｕａｒｅ））を測定した。測定時の温度は２３±５℃、湿度は５０±２０％にて測定した。
測定に使用したサンプルは、上述のスパッタ条件にて作製した。膜はガラス基板上に狙い膜厚を２００ｎｍとして成膜した。
酸化銅相の体積率が９０ｖｏｌ％を超えた比較例１及び比較例３においては、抵抗値が高く、ＤＣスパッタができなかった。
酸化銅相の体積率が８０ｖｏｌ％以下とされた比較例２及び比較例４においては、成膜された酸化銅膜の抵抗値が低く、酸化銅膜としての特性が不十分であった。
酸化銅相の体積率が８０ｖｏｌ％以下とされた比較例２及び比較例４においては、成膜された酸化銅膜の抵抗値が低く、酸化銅膜としての特性が不十分であった。
また、Ｘ線光電子分光分析の結果、ＣｕＯのピーク強度ＩＰ１とＣｕ及びＣｕ２Ｏのピーク強度ＩＰ２との比ＩＰ１／ＩＰ２が０．０３未満とされた比較例３，４，６−９においては、製造時における割れの発生回数が多かった。なお、比較例３，４、７−９では、原料としてＣｕＯ粉を用いていないため、ＩＰ１／ＩＰ２が０であった。また、比較例６においては、ＣｕＯ粉の平均粒径が２μｍと小さいため、ＣｕＯが十分に残存せず、ＩＰ１／ＩＰ２が０．０２であった。
さらに、ＣｕＯのピーク強度ＩＰ１とＣｕ及びＣｕ２Ｏのピーク強度ＩＰ２との比ＩＰ１／ＩＰ２が０．４を超える比較例５においては、抵抗値のばらつきが大きくなった。また、異常放電の発生回数が多く、安定してＤＣスパッタすることができなかった。この比較例５においては、焼結工程における焼結温度が５８０℃と低いため、ＣｕとＣｕＯとの反応が不十分であったためと推測される。
これに対して、Ｘ線光電子分光分析の結果、ＣｕＯのピーク強度ＩＰ１とＣｕ及びＣｕ２Ｏのピーク強度ＩＰ２との比ＩＰ１／ＩＰ２が０．０３以上０．４以下の範囲内とされた本発明例１−１４によれば、製造時の割れの発生が抑制されていることが確認された。また、抵抗値が低く、ＤＣスパッタが可能であり、特性に優れた酸化銅膜を成膜可能であることが確認された。
Claims (3)
- 金属銅相と酸化銅相とを有し、前記金属銅相は、ターゲット中に島状に分散しており、前記酸化銅相の体積率が８０ｖｏｌ％を超えて９０ｖｏｌ％以下の範囲内とされており、
Ｘ線光電子分光分析の結果、ＣｕＯのピーク強度ＩＰ１とＣｕ及びＣｕ２Ｏのピーク強度ＩＰ２との比ＩＰ１／ＩＰ２が、０．０３以上０．４以下の範囲内とされていることを特徴とするスパッタリングターゲット。 - Ｘ線回折分析の結果、ＣｕＯの回折強度ＩＲ１とＣｕ２Ｏの回折強度ＩＲ２との比ＩＲ１／ＩＲ２が０．１５以下であることを特徴とする請求項１に記載のスパッタリングターゲット。
- 金属銅相と酸化銅相とを有し、前記酸化銅相の体積率が８０ｖｏｌ％を超えて９０ｖｏｌ％以下の範囲内とされたスパッタリングターゲットの製造方法であって、
少なくともＣｕ粉とＣｕＯ粉とを含有する原料粉を準備する原料粉準備工程と、前記原料粉を焼結して焼結体を得る焼結工程と、を備えており、
前記ＣｕＯ粉の平均粒径を３μｍ以上とし、焼結温度を７２０℃以上とすることを特徴とするスパッタリングターゲットの製造方法。
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