JP6582698B2 - 酸化物焼結体及びスパッタリングターゲット - Google Patents
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Description
(1)構成元素として、亜鉛、ニオブ及び酸素を有する酸化物焼結体において、亜鉛、ニオブの含有量をそれぞれZn、Nbとしたときに、原子比でNb/(Zn+Nb)が0.064〜0.334であり、相対密度が98%を超え、バルク抵抗値が1.0〜5000Ω・cmであることを特徴とする酸化物焼結体。
(2)酸化物焼結体中のZnO結晶相の平均粒径が1.5μm以上6μm以下であることを特徴とする(1)に記載の酸化物焼結体。
(3)酸化物焼結体の酸素欠損量が5%以下であることを特徴とする(1)または(2)に記載の酸化物焼結体。
(4)酸化物焼結体の抵抗率のばらつき幅が70%以内であることを特徴とする(1)〜(3)のいずれかに記載の酸化物焼結体。
(5)X線回折における入射角(2θ)が、32.3°〜33.8°の間に存在する回折ピークの最大強度をI1、35.8°〜37.3°の間に存在する回折ピークの最大強度をI2とした時の、回折強度比I2/I1の値が0.65以上であることを特徴とする(1)〜(4)のいずれかに記載の酸化物焼結体。
(6)ターゲット面の面積が961cm2以上である平板形状であることを特徴とする(1)〜(5)のいずれかに記載の酸化物焼結体。
(7)ターゲット面の面積が486cm2以上である円筒形状であることを特徴とする(1)〜(5)のいずれかに記載の酸化物焼結体。
(8)(1)から(7)のいずれかに記載の酸化物焼結体をターゲット材として用いることを特徴とするスパッタリングターゲット。
(9)(8)に記載のスパッタリングターゲットを用いてスパッタリング法で成膜したことを特徴とする薄膜。
に関するものである。
((量論値[wt%]−分析値[wt%])/量論値[wt%])×100[%] ・・・(1)式
酸素含有量の量論値[wt%]は、ZnO/(ZnO+Nb2O5)で表されるZnOのモル比をxとしたとき、
((MO×1×x+MO×5×(1−x))/(MZnO×x+MNb2O5×(1−x)))×100 ・・・(2)式 により算出される。
ここで、MOは酸素の原子量でMO=16、MZnOはZnOの分子量でMZnO=81.38、MNb2O5はNb2O5の分子量であり、MNb2O5=265.81を用いる。本願発明の焼結体においては、酸素欠損量が5%以下であることが好ましい。
原料粉末は取り扱い性を考慮すると酸化亜鉛、五酸化ニオブの各酸化物粉末が好ましい。各原料粉末の純度は99.9%以上が好ましく、より好ましくは99.99%以上である。不純物が含まれると、焼成工程における異常粒成長の原因となる。
成形方法は、原料粉末を目的とした形状に成形できる成形方法を適宜選択することが可能であり、特に限定されるものではない。プレス成形法、鋳込み成形法、射出成形法等が例示できる。
次に得られた成形体を焼成する。焼成方法は、一般的な抵抗加熱式の電気炉を使用すればよい。焼成雰囲気は、酸化性雰囲気である大気雰囲気または酸素雰囲気いずれも可能である。特別な雰囲気制御を必要とせず、大気雰囲気中での焼成が可能となることから、酸化物焼結体の酸素欠損量は、ホットプレスや非酸化性雰囲気で焼成した焼結体に存在する酸素欠損量と比べて少なくなる。
得られた焼結体は、平面研削盤、円筒研削盤、旋盤、切断機、マシニングセンター等の機械加工機を用いて、板状、円状、円筒状等の所望の形状に研削加工する。さらに、必要に応じて無酸素銅やチタン等からなるバッキングプレート、バッキングチューブにインジウム半田等を用いて接合(ボンディング)することにより、本発明の焼結体をターゲット材としたスパッタリングターゲットを得ることができる。
(1)焼結体の密度
焼結体の相対密度は、JIS R 1634に準拠して、アルキメデス法によりかさ密度を測定し、真密度で割って相対密度を求めた。焼結体の真密度は、焼結体中のNb2O5相がすべてZn3Nb2O8相として反応したと仮定し計算したときのZnO相の重量a[g]およびZn3Nb2O8相の重量b[g]と、それぞれの真密度5.606[g/cm3]、5.734[g/cm3]を用いて、下記式で表される相加平均より算出した。
d=(a+b)/((a/5.606)+(b/5.734)) ・・・(3)式
(2)X線回折試験
鏡面研磨した焼結体試料の2θ=20〜70°の範囲のX線回折パターンを測定した。
走査方法 :ステップスキャン法(FT法)
X線源 :CuKα
パワー :40kV、40mA
ステップ幅:0.01°
(3)結晶粒径
鏡面研磨し、EPMAによる組成分析によりZnO相とZn3Nb2O8相を同定した後、SEM像から直径法で結晶粒径を測定した。サンプルは任意の3点以上を観察し、各々300個以上の粒子の測定を行った。
(EPMA分析条件)
装置 :波長分散型電子線マイクロアナライザー
加速電圧 :15kV
照射電流 :30nA
(4)抗折強度
JIS R 1601に準拠して測定した。
(抗折強度の測定条件)
試験方法 :3点曲げ試験
支点間距離:30mm
試料サイズ:3mm×4mm×40mm
ヘッド速度:0.5mm/min
(5)抵抗率の測定
焼成後の焼結体表面より1mm以上研削した後の任意の部分より切り出した10サンプルの平均値を測定データとした。
試料サイズ:10mm×20mm×1mm
測定方法:4端子法
測定装置:ロレスタHP MCP−T410(三菱油化製)
(6)酸素量の分析
焼成後の焼結体表面より1mm以上研削した後の任意の部分より切り出した5サンプルの分析値の平均値を測定データとした。
(酸素量分析条件)
測定手法 :インパルス炉溶融−赤外線吸収法
装置 :LECO TC436 酸素・窒素分析装置
(7)スパッタリング評価
得られた焼結体を101.6mmΦ×6mmtに加工した後、無酸素銅製のバッキングプレートにインジウムハンダによりボンディングしてスパッタリングターゲットとした。このターゲットを用いて投入パワーを変化させてスパッタリングを行い、アーキング計測およびDC放電の安定性の評価及び下記の条件で成膜した膜の評価を行なった。
(スパッタリング条件)
ガス :アルゴン+酸素(3%)
圧力 :0.6Pa
電源 :DC
投入パワー:400W(4.9W/cm2)
600W(7.4W/cm2)
800W(9.9W/cm2)
放電時間 :各120min
アーキング計測条件(しきい電圧):スパッタ電圧−50[V]
(成膜条件)
ガス :アルゴン+酸素(3%)
圧力 :0.6Pa
電源 :DC
投入パワー:200W(2.4W/cm2)
膜厚 :80nm
基板 :無アルカリガラス(コーニング社製EAGLE XG、厚み0.7mm)
基板温度 :室温。
表1に示す粉末物性の酸化亜鉛粉末及び酸化ニオブ粉末(純度99.9%以上)を、Nb/(Zn+Nb)で0.248の割合となるように秤量した。秤量した粉末を純水10kgにてスラリー化し、ポリアクリレート系分散剤を全粉末量に対して3wt%入れ、固形分濃度60%のスラリーを作成した。内容積2.5Lのビーズミル装置にφ0.3mmジルコニアビーズを75%充填し、ミル周速5.0m/sec、スラリー供給量2.0L/minにてスラリーをミル内に循環させ、粉砕、混合処理を行った。さらに、スラリー供給タンクの温度を8〜9℃、スラリー出口温度を14〜16℃の範囲内で温度管理を行い、ミル内の循環回数(パス回数)は5回とした。その後、得られたスラリーを噴霧乾燥し、乾燥後の粉末を300μmの篩に通し、プレス成形法により300kg/cm2の圧力で120mm×120mm×8mmtの成形体を作製後、2ton/cm2の圧力でCIP処理した。
(焼成条件)
焼成温度:1250℃
保持時間:1時間
昇温速度:950℃〜1050℃ 250℃/h
その他の温度域 100℃/h
雰囲気 :大気雰囲気
降温速度:900℃まで 350℃/h
900℃以降 150℃/h。
使用した粉末、組成を表2の内容に変更した以外は実施例1と同様の方法(実施例4は成形体サイズを310mm×310mm×6mmt、実施例5は形体サイズを内径77mm×外径91mm×170mmLの円筒形状に変更した)で成形体を作製した。次に成形体をそれぞれ表2の条件にて焼成した。得られた焼結体の評価結果を表2に示す。
実施例1〜11で得られた薄膜の抵抗率の測定をロレスタHP MCP−T410(三菱油化製)を用いて4端子法で行った。薄膜抵抗は全て105Ω以上の高抵抗膜であった。
実施例1と同様の方法で成形体を作製し、次に焼成雰囲気を窒素雰囲気とした以外実施例1と同様の方法で焼成した。得られた焼結体の評価結果を表2に示す。また、スパッタリング後のターゲット表面に黒色斑点の発生と、成膜基板上にスプラッシュ状のパーティクルが確認された。
実施例1と同じ組成にて、同様の方法で作製した粉末を用い、成形体を作製した。次に成形体を黒鉛性のホットプレス型に充填し、ホットプレス装置中で真空下1000℃にて1時間保持して焼結した。ホットプレス圧力は19.6MPaとした。得られた焼結体の密度は5.485g/cm3、相対密度で95.7%であった。得られた焼結体の評価結果を表3に示す。
Claims (7)
- 構成元素として、亜鉛、ニオブ及び酸素を有する酸化物焼結体において、亜鉛、ニオブの含有量をそれぞれZn、Nbとしたときに、原子比でNb/(Zn+Nb)が0.064〜0.334であり、相対密度が98%を超え、バルク抵抗値が1.0〜5000Ω・cmであり、酸化物焼結体中のZnO結晶相の平均粒径が1.5μm以上6μm以下であることを特徴とする酸化物焼結体。
- 酸化物焼結体の酸素欠損量が5%以下であることを特徴とする請求項1に記載の酸化物焼結体。
- 酸化物焼結体の抵抗率のばらつき幅が70%以内であることを特徴とする請求項1又は2に記載の酸化物焼結体。
- X線回折における入射角(2θ)が、32.3°〜33.8°の間に存在する回折ピークの最大強度をI1、35.8°〜37.3°の間に存在する回折ピークの最大強度をI2とした時の、回折強度比I2/I1の値が0.65以上であることを特徴とする請求項1〜3のいずれかに記載の酸化物焼結体。
- ターゲット面の面積が961cm2以上である平板形状であることを特徴とする請求項1〜4のいずれかに記載の酸化物焼結体。
- ターゲット面の面積が486cm2以上である円筒形状であることを特徴とする請求項1〜4のいずれかに記載の酸化物焼結体。
- 請求項1〜6のいずれかに記載の酸化物焼結体をターゲット材として用いることを特徴とするスパッタリングターゲット。
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