JPWO2006095733A1 - 非晶質透明導電膜、ターゲット及び非晶質透明導電膜の製造方法 - Google Patents

非晶質透明導電膜、ターゲット及び非晶質透明導電膜の製造方法 Download PDF

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Abstract

酸素６配位である金属酸化物を主成分とする非晶質透明導電膜であって、非晶質透明導電膜の、Ｘ線散乱測定により求められる動径分布関数（ＲＤＦ）において、原子間距離が０．３０ｎｍから０．３６ｎｍの間のＲＤＦの最大値をＡ、原子間距離が０．３６ｎｍから０．４２ｎｍの間のＲＤＦの最大値をＢとした場合に、Ａ／Ｂ＞１の関係を満たす非晶質透明導電膜。

Description

本発明は、非晶質透明導電膜、ターゲット及び非晶質透明導電膜の製造法に関する。
近年、表示装置の発展は目覚ましく、液晶表示装置やＥＬ表示装置等、種々の表示装置がパソコンやワ−プロ等のＯＡ機器へ活発に導入されている。これらの表示装置は、いずれも表示素子を透明導電膜で挟み込んだサンドイッチ構造を有している。
透明導電膜としては、現在、インジウム錫酸化物膜（ＩＴＯ膜）が主流を占めている。それは、ＩＴＯ膜の高透明性、低抵抗性の他、基板への付着性等が良好なためである。このＩＴＯ膜は、一般にスパッタリング法により作製されている。
しかしながら、ＩＴＯ膜はエッチングに強酸を使用する為に、他の膜や下地の構造物、例えば、薄膜トランジスタ型液晶表示装置（ＴＦＴ−ＬＣＤ）の場合には、ゲート線やソース・ドレイン線に使用されるＡｌ等の配線にダメージを与える難点を有している。一方、ＩＴＯ膜を低温で非晶成膜して弱酸でのエッチングを可能にする試みがされているが、ＩＴＯは非晶状態では抵抗が高くなり、また、ＩＴＯの非晶成膜を行なうスパッタリングの条件制御は非常に難しく、製造工程上の問題となっている。
この課題に対し、特許文献１には、酸化インジウムと酸化亜鉛からなるスパッタリングターゲットが開示されている。また、特許文献２には、酸化インジウムと酸化亜鉛からなる非晶質透明導電膜が開示されている。
この非晶質透明導電膜は、弱酸でのエッチング加工性に富み、エッチング残渣のない良好な特性を示すが、その非晶質性のために、導電膜の表面が高抵抗な層を有する薄膜になることが知られている。
その表面の高抵抗層の存在のため、ＴＦＴ−ＬＣＤ基板と外部回路を接続するための異方導電フィルム（ＡＣＦ）や検査用プローブとの間に接触抵抗を発生する等の問題を生じる可能性があった。
特開平６−２３４５６５号公報 特開平７−２３５２１９号公報
本発明は上述の問題に鑑みなされたものであり、導電膜表面の抵抗層の抵抗が少なく、導電性の高い非晶質透明導電膜及びその製造方法を提供することを目的とする。
本発明者らは、上記課題を解決するために鋭意研究したところ、酸素６配位である金属酸化物を主成分とする非晶質透明導電膜において、その動径分布関数（ＲＤＦ）が、一定の要件を満たしている場合、又はＸ線光電子分光測定（ＸＰＳ）において、酸素２ｐ軌道に起因する価電子帯ピークと伝導帯電子に起因するピークの間（バンドギャップ間）にピーク成分を含まない場合に、非晶質透明導電膜の表面にある抵抗層の抵抗値を低減できることを見出し、本発明を完成させた。
本発明によれば、以下の非晶質透明導電膜及びその製造方法が提供できる。
１．酸素６配位である金属酸化物を主成分とする非晶質透明導電膜であって、前記非晶質透明導電膜の、Ｘ線散乱測定により求められる動径分布関数（ＲＤＦ）において、原子間距離が０．３０ｎｍから０．３６ｎｍの間のＲＤＦの最大値をＡ、原子間距離が０．３６ｎｍから０．４２ｎｍの間のＲＤＦの最大値をＢとした場合に、Ａ／Ｂ＞１の関係を満たす非晶質透明導電膜。
２．さらに、原子間距離が０．１８ｎｍから０．２６ｎｍの間のＲＤＦの最大値をＣとした場合に、Ａ／Ｃ＞２．８の関係を満たす１に記載の非晶質透明導電膜。
３．酸素６配位である金属酸化物を主成分とする非晶質透明導電膜であって、Ｘ線光電子分光測定（ＸＰＳ）における前記非晶質透明導電膜の酸素２ｐ軌道に起因する価電子帯ピークと伝導帯電子に起因するピークの間（バンドギャップ間）にピーク成分を含まない非晶質透明導電膜。
４．前記主成分の酸素６配位である金属酸化物が、酸化インジウムであり、さらに酸化亜鉛を含有する１〜３のいずれかに記載の非晶質透明導電膜。
５．前記酸化インジウムの非晶質透明導電膜中に占める割合が、７０〜９５質量％である４に記載の非晶質透明導電膜。
６．前記非晶質透明導電膜が、さらに正三価以上の金属酸化物を含む１〜５のいずれかに記載の非晶質透明導電膜。
７．酸素量を金属酸化物の化学量論量以下とした酸素６配位である金属酸化物を主成分とするターゲット。
８．上記７に記載のターゲットを使用し、スパッタリング系内の水の分圧を１×１０−４Ｐａ以下としてスパッタリングする工程を有する、１〜６のいずれかに記載の非晶質透明導電膜の製造方法。
９．酸素６配位である金属酸化物を主成分とするターゲットを用い、スパッタリングして非晶質透明導電膜を成膜する工程と、前記非晶質透明導電膜を大気に接触させる前に、前記非晶質透明導電膜の表面に水素を接触させる工程と、を有する１〜６のいずれかに記載の非晶質透明導電膜の製造方法。
本発明によれば、導電膜の表面の抵抗層の抵抗値を低減して導電性を向上した非晶質透明導電膜及びその透明導電膜の製造方法を提供できる。
酸素６配位金属酸化物の構造を示す概念図である。 実施例１で作製した非晶質透明導電膜の動径分布関数（ＲＤＦ）を示す図である。 実施例１及び比較例１で作製した透明導電膜のＸ線光電子分光測定のチャートである。
以下、本発明の非晶質透明導電膜を具体的に説明する。
本発明の非晶質透明導電膜は、酸素６配位である金属酸化物を主成分とする。
酸素６配位である金属原子としては、Ｉｎ，Ｓｎ，Ｇａ，Ｔｉ，Ｖ等が挙げられる。これらは、金属原子が八面体の中心に配置し、酸素原子が、八面体の頂点に位置する配位構造をとる。好ましい金属原子としては、Ｉｎ，Ｓｎが挙げられる。
酸素６配位である金属酸化物を主成分とするとは、非晶質透明導電膜に占める酸素６配位金属酸化物の含有量が７０質量％以上であることを意味する。
非晶質透明導電膜は、上述した金属酸化物の１種単体から形成されていてもよく、また、２種以上から形成されていてもよい。非晶質透明導電膜の非晶安定性を増すために、酸化インジウムと酸化亜鉛を含んで形成されることが好ましい。
非晶質透明導電膜に占める酸化インジウムの割合は、７０〜９５質量％であることが好ましく、８０〜９５質量％であることがより好ましい。７０質量％未満では、非晶質透明導電膜の抵抗値が高くなったり、耐久性が小さい等の問題が発生するおそれがあり、一方、９５質量％を越えると、導電膜が結晶化するため、抵抗値が大きく上昇したり、耐久性の無い膜となる場合がある。
本発明の非晶質透明導電膜は、正三価以上の金属酸化物を含むことができる。これにより、異種元素の置換による欠陥ができ、キャリア電子の発生に寄与するため好ましい。
正三価以上の金属酸化物としては、Ｇａ、Ｇｅ、Ｓｎ等の金属酸化物が挙げられる。
正三価以上の金属酸化物（Ｍと示す）の添加量としては、非晶質透明導電膜に含まれる金属の総量に対する質量比［Ｍ／（金属原子の総量＋Ｍ）］が０．０１〜０．２程度であることが好ましく、０．１〜０．１５であることがより好ましい。０．０１未満では、添加効果が発現しなかったり、０．２を超えると、導電膜の抵抗が増大する場合がある。
尚、上記の金属酸化物以外のものも、導電膜の表面の抵抗層に影響しない範囲で添加することができる。
本発明の非晶質透明導電膜は、そのＸ線散乱測定により求められる動径分布関数（ＲＤＦ）において、原子間距離が０．１８ｎｍから０．２６ｎｍの間のＲＤＦの最大値をＣ、原子間距離が０．３０ｎｍから０．３６ｎｍの間のＲＤＦの最大値をＡ、原子間距離が０．３６ｎｍから０．４２ｎｍの間のＲＤＦの最大値をＢとした場合に、Ａ／Ｂ＞１の関係を満たす。尚、さらにＡ／Ｃ＞２．８の関係を満たすことが好ましい。
図１は、酸素６配位の金属酸化物の構造を示す概念図である。
図１においては、酸素が６配位した金属酸化物を八面体で表現している。隣接する金属原子の配列は、八面体同士が稜を共有する場合（以下、稜共有という：図１においてＡと示す）と、頂点を共有する場合（以下、頂点共有という：図１においてＢと示す）の２通りが考えられる。この２つの共有形態では、頂点共有より稜共有の方が、金属原子間距離が小さい。金属原子間距離が比較的小さい、稜共有している金属原子同士では、その電子軌道の重なりが大きいため、電気伝導に寄与するキャリア電子が動きやすい。
従って、非晶質透明導電膜において、稜共有で連結している酸素６配位金属原子八面体鎖の割合を多くすることにより、そのキャリア移動度を高くできるため、非晶質透明導電膜の表面に生じる抵抗層の高抵抗化を抑制できる。
上述した非晶質透明導電膜における稜共有と頂点共有の比率は、Ｘ線散乱測定により求められる動径分布関数（ＲＤＦ）により把握できる。
図２は、後述する実施例１で作製した非晶質透明導電膜の動径分布関数（ＲＤＦ）を示す図である。
尚、動径分布関数（ＲＤＦ）は、Ｘ線散乱曲線を解析することによって求めることができる。具体的には、基板上に成膜した非晶質透明導電膜について、微小角入射Ｘ線散乱法による測定をし、基板からの散乱を含まない導電膜からの散乱を測定することでＸ線散乱曲線を得る。そして、この散乱曲線をフーリエ変換することにより動径分布関数（ＲＤＦ）が得られる。
図２において、原子間距離が０．３０ｎｍから０．３６ｎｍの間のピーク（Ａ）は、稜共有している２個の金属原子の相関を、原子間距離が０．３６ｎｍから０．４２ｎｍの間のピーク（Ｂ）は、頂点共有している２個の金属原子の相関を示している。また、距離が０．１８ｎｍから０．２６ｎｍの間のピーク（Ｃ）は、金属原子とそれに配位している酸素原子の相関を表している。
結晶状態では、稜共有及び頂点共有の存在比は、その結晶構造によって規定されている。一方、非晶状態は結晶構造が乱れた状態であり、その乱れ方により、稜共有及び頂点共有の存在比が変化する。
本発明では、この存在比をＡ／Ｂ＞１、好ましくは、さらにＡ／Ｃ＞２．８を満たすようにすることによって、電気伝導に寄与するキャリア電子が動きやすくなり、キャリア移動度の高い構造とすることができる。このため、非晶質性であっても、導電膜表面に高抵抗層を有する薄膜とはなりにくく、その結果、ＡＣＦや検査用プローブとの接触抵抗を低減できる。
稜共有と頂点共有の存在比（Ａ／Ｂ）及び金属原子に配位している酸素原子と稜共有している金属元素の存在比（Ａ／Ｃ）は、スパッタリングターゲット中の酸素量やスパッタ時におけるガス組成を調整したり、導電膜を水素中で熱処理する等によって制御できる。
本発明の非晶質透明導電膜は、Ｘ線光電子分光測定（ＸＰＳ）において、酸素２ｐ軌道に起因する価電子帯ピークと伝導帯電子に起因するピークの間（バンドギャップ間）にピーク成分を含まない。ここで、バンドギャップ間にピーク成分を含まないとは、バンドギャップ間強度が価電子帯ピークの最高強度の１％以下であることをいう。
金属酸化物を非晶質成膜する場合、バンドギャップ内にピークを持つ場合が多い。バンドギャップ内ピークは、不安定な構造欠損によるものであり、成膜後に大気中で空気に触れた時に、酸素や水分を吸着するため、特に、導電膜表面において高抵抗な層を形成しやすい。
本発明の非晶質透明導電膜は、Ｘ線光電子分光測定（ＸＰＳ）において、バンドギャップ間にピーク成分を含まないため、非晶質性であっても導電膜表面に高抵抗層を有する薄膜とはなりにくい。
本発明の非晶質透明導電膜は、上述した酸素６配位の金属酸化物を主成分とする焼結体から成る、スパッタリングターゲットを使用して、基板上にスパッタリングすることによって形成できる。
スパッタリングは、本技術分野にて通常使用されているスパッタリング装置を使用して実施できる。
本発明の製造方法においては、スパッタリングターゲットとして、ターゲット中の酸素量が、金属酸化物の化学量論量以下であるものを使用する。ここで、酸素量は、Ｘ線光電子分光法で測定した原子比から求めた値である。（ターゲット中の酸素量）と（金属酸化物の化学量論量）との差は、０．００３以上であることが好ましく、０．００５以上であることがより好ましい。
例えば、酸化インジウム（８９．３質量％）及び酸化亜鉛（１０．７質量％）からなるスパッタリングターゲットの場合、原子量比［Ｏ／（Ｉｎ＋Ｚｎ＋Ｏ）］が０．５８６以下であれば、酸素量は化学量論量以下となる。
このようにすることによって、非晶質透明導電膜中に酸素の欠損ができるため、キャリア電子数を増やすことができる。
このようなスパッタリングターゲットは、焼結時に酸素量を制御することで作製できる。例えば、焼結初期に酸化雰囲気で焼結し、その後、途中からは酸素を遮断するように調整することで作製できる。
尚、スパッタリングターゲット原料の造粒の際の助剤として、ポリビニルアルコールやポリアクリル酸等のポリマー及びステアリン酸やその他の長鎖脂肪酸等を添加しておくことにより、その後の造粒、及び成形時に、加工し易くなる。また、これら炭素分を含む添加剤を混合することにより、焼成時の酸化の進行を制御し、酸素の化学量論以下のターゲットを得易くなる。
本発明においては、非晶質透明導電膜中の酸素量を、上記の化学量論量以下にするため、スパッタリング時（成膜時）における系（室）内の水の分圧を１×１０−４Ｐａ以下とする。尚、系（室）内の水の分圧自体を直接的に測定することはできないため、実際に測定可能な、系（室）内の水、酸素、窒素等を含むスパッタ装置内の到達真空度を以て、系（室）内の水の分圧の指標とする。つまり、到達真空度が１×１０−４Ｐａ以下であれば、水の分圧も１×１０−４Ｐａ以下ということになる。
また、上記の化学量論量に関する条件を満たさない条件で非晶質透明導電膜を成膜した場合でも、非晶質透明導電膜を形成後、大気に接触させる前に、非晶質透明導電膜の表面に水素を接触させる処理を行なうことで、本発明の非晶質透明導電膜を得ることができる。
水素を接触させる具体的な方法としては、スパッタリング装置のスパッタ室内にて、真空下、基板上に非晶質透明導電膜を成膜した後、基板を大気に曝す前に、水素をスパッタ室に供給する方法が挙げられる。この際、水素は不活性ガス（アルゴン等）と混合して使用してもよい。
処理条件は、特に制限はないが、例えば、処理温度は、１５０〜３００℃程度、処理時間は１分〜６０分程度とすればよい。
［実施例］
以下、本発明を実施例によってさらに具体的に説明する。
実施例１
（１）スパッタリングターゲットの作製
原料粉末としては、何れも平均粒径が１μｍ以下の酸化インジウム粉末、酸化亜鉛粉末を使用した。酸化インジウムが８９．３質量％、酸化亜鉛が１０．７質量％となるように所定量を秤量、混合した後、樹脂製ポットに入れて水を媒体として湿式ボールミル混合した。
尚、造粒の際の助剤として、ポリビニルアルコールを添加した。尚、ポリアクリル酸やステアリン酸を添加した場合においても同様に問題なく造粒できた。
粉砕・混合は、硬質酸化ジルコンボールを用い、混合時間を２０時間とした。その後、混合スラリーを取り出し、濾過、乾燥・造粒した。得られた造粒物を成形型に入れ、冷間静水圧プレスで３ｔｏｎ／ｃｍ２の圧力をかけて所定形状に成形して成形体を得た。
次に、得られた成形体を炉内容積０．１ｍ３当たり５リットル／分の割合で焼結炉内に空気を流入させ、１４５０℃で５時間保持して焼結した。この際、１０００℃までは１℃／分、１０００〜１４７０℃の間は３℃／分で昇温した。
その後、空気の流入を停止し、１４５０℃から１３００℃までを１０℃／分で降温した。その後、炉内容積０．１ｍ３当たり１０リットル／分の割合でアルゴンを流入させ、１３００℃で３時間保持した後、放冷した。
得られた焼結体の密度は、水を用いたアルキメデス法に従って測定し、理論密度から相対密度を算出した。尚、この際の理論密度は酸素欠陥のない酸化インジウム結晶（ビックスバイト型構造）と酸化亜鉛の重量分率より算出した。
また、焼結体中の亜鉛含有量をＩＣＰ発光分析法で定量分析したところ、原料粉末を混合する際の仕込み組成が維持されていることが確認できた。
次に、得られた焼結体のスパッタ面となる部分をカップ砥石で磨き、直径１５２ｍｍ、厚み５ｍｍに加工して透明導電性薄膜用焼結体ターゲットを得た。
これを、インジウム系合金を用いてバッキングプレートに貼り合わせてスパッタリング用ターゲットとした。
得られたスパッタリングターゲットの密度は６．８４ｇ／ｃｃ、酸素量（原子量比、以下同じ）は、０．５７８であった。
（２）透明導電膜の形成
上記（１）で作製したスパッタリングターゲットをスパッタリング装置に装填し、シリコン基板上に透明導電膜を成膜した。成膜条件は、到達真空度を０．０００１Ｐａ以下、成膜温度を１５０℃とし、スパッタリングガスとして、酸素１体積％、アルゴン９９体積％（スパッタ圧０．３Ｐａ）を使用して、透明導電膜の膜厚が１５０ｎｍとなるように処理時間等を調整した。
この導電膜について、成膜した後、大気に曝す前に、水素９体積％、アルゴン９１体積％からなる混合ガスをスパッタリング装置内に導入し、１５０℃、１時間の条件で処理を行なった。
（３）透明導電膜の評価
Ａ．動径分布関数（ＲＤＦ）
放射光施設ＳＰｒｉｎｇ−８を使用して得られる放射光から取り出される２０ｋｅＶのエネルギーのＸ線を用いて、微小角入射Ｘ線散乱法によってＸ線散乱測定を行い、Ｘ線散乱曲線を得た。
この散乱曲線をフーリエ変換して動径分布関数（ＲＤＦ）を得た。
Ｂ．Ｘ線光電子分光測定（ＸＰＳ）
放射光施設ＳＰｒｉｎｇ−８を使用して得られる放射光から取り出される８ｋｅＶのエネルギーのＸ線を用いて、光電子分光測定を行い、スペクトルを得た。ピークの基準は、インジウムの３ｄ５／２を４４５ｅＶに設定した。
Ｃ．比抵抗、キャリア濃度及びキャリア移動度
ホール測定装置（ＲＥＳＩＴＥＳＴ８３４０、東陽テクニカ社製）を使用して測定した。
Ｄ．接触抵抗
ロレスタ抵抗測定計（三菱化学社製）で測定したときに、オーバーレンジ（２ＭΩ）にならないものを○とし、それ以外を×とした。
評価結果を表１に示す。
Figure 2006095733
図２に実施例１で作製した透明導電膜の動径分布関数（ＲＤＦ）を示す。
この結果から、原子間距離が０．１８ｎｍから０．２６ｎｍの間のピークの最大値をＣ、距離が０．３０ｎｍから０．３６ｎｍの間のピークの最大値をＡ、距離が０．３６ｎｍから０．４２ｎｍの間のピークの最大値をＢとした場合、Ａ／Ｃ＝３．０、Ａ／Ｂ＝１．２であることがわかった。
また、図３に、実施例１及び後述する比較例１で作製した透明導電膜のＸ線光電子分光測定のチャートを示す。
この結果から実施例１では、酸素２ｐ軌道に起因する価電子帯ピークと伝導帯電子に起因するピーク間、即ち、バンドギャップ間にピーク成分は存在しないことが確認できた。これは、バンドギャップ間強度が、価電子帯ピークの最高強度の１％以下の強度であることで、ピーク成分無しと判断した。
実施例２
成膜温度を室温（２５℃）とし、成膜後の水素−アルゴン混合ガスを使用した処理をしなかった他は、実施例１と同様にして透明導電膜を成膜し、評価した。評価結果を表１に示す。
実施例３
酸化インジウム（６３．０ｗｔ％）、酸化亜鉛（３７．０ｗｔ％）からなるスパッタリングターゲット（密度：５．６６ｇ／ｃｃ、酸素量：０．５５１）を用い、成膜後の水素−アルゴン混合ガスを使用した処理をしなかった他は、実施例１と同様にして透明導電膜を成膜し、評価した。評価結果を表１に示す。
実施例４
酸化インジウム（９７ｗｔ％）、酸化セリウム（３ｗｔ％）からなるスパッタリングターゲット（密度：６．０９ｇ／ｃｃ、酸素量：０．５９３）を用い、成膜後の水素−アルゴン混合ガスを使用した処理をしなかった他は、実施例１と同様にして透明導電膜を成膜し、評価した。評価結果を表１に示す。
比較例１
酸化インジウム（９０ｗｔ％）、酸化錫（１０ｗｔ％）からなるスパッタリングターゲット（密度：７．０ｇ／ｃｃ、酸素量：０．６０９）を用い、到達真空度を０．０１５Ｐａとした他は、実施例２と同様にして透明導電膜を成膜し、評価した。評価結果を表１に示す。
比較例２
酸化インジウム（９４ｗｔ％）、酸化亜鉛（６ｗｔ％）からなるスパッタリングターゲット（密度：５．７４ｇ／ｃｃ、酸素量０．５９６）を用い、実施例２と同様にして透明導電膜を成膜し、評価した。評価結果を表１に示す。
比較例３
酸化インジウムのみからなるスパッタリングターゲット（密度：６．８７ｇ／ｃｃ、酸素量：０．６０５）を用いた他は、比較例１と同様にして透明導電膜を成膜し、評価した。評価結果を表１に示す。
比較例４
比較例３で作成した透明導電膜を空気中で２５０℃、３０分間加熱した。加熱処理後の透明導電膜について、実施例１と同様の評価をした。
本発明の非晶質透明導電膜は、液晶表示装置、ＥＬ表示装置等、種々の表示装置の透明電極として好適に使用できる。

Claims (9)

  1. 酸素６配位である金属酸化物を主成分とする非晶質透明導電膜であって、
    前記非晶質透明導電膜の、Ｘ線散乱測定により求められる動径分布関数（ＲＤＦ）において、原子間距離が０．３０ｎｍから０．３６ｎｍの間のＲＤＦの最大値をＡ、原子間距離が０．３６ｎｍから０．４２ｎｍの間のＲＤＦの最大値をＢとした場合に、Ａ／Ｂ＞１の関係を満たす非晶質透明導電膜。
  2. さらに、原子間距離が０．１８ｎｍから０．２６ｎｍの間のＲＤＦの最大値をＣとした場合に、Ａ／Ｃ＞２．８の関係を満たす請求項１に記載の非晶質透明導電膜。
  3. 酸素６配位である金属酸化物を主成分とする非晶質透明導電膜であって、
    Ｘ線光電子分光測定（ＸＰＳ）における前記非晶質透明導電膜の酸素２ｐ軌道に起因する価電子帯ピークと伝導帯電子に起因するピークの間（バンドギャップ間）にピーク成分を含まない非晶質透明導電膜。
  4. 前記主成分の酸素６配位である金属酸化物が、酸化インジウムであり、さらに酸化亜鉛を含有する請求項１〜３のいずれかに記載の非晶質透明導電膜。
  5. 前記酸化インジウムの非晶質透明導電膜中に占める割合が、７０〜９５質量％である請求項４に記載の非晶質透明導電膜。
  6. 前記非晶質透明導電膜が、さらに正三価以上の金属酸化物を含む請求項１〜５のいずれかに記載の非晶質透明導電膜。
  7. 酸素量を金属酸化物の化学量論量以下とした酸素６配位である金属酸化物を主成分とするターゲット。
  8. 請求項７に記載のターゲットを使用し、
    スパッタリング系内の水の分圧を１×１０−４Ｐａ以下としてスパッタリングする工程を有する、請求項１〜６のいずれかに記載の非晶質透明導電膜の製造方法。
  9. 酸素６配位である金属酸化物を主成分とするターゲットを用い、スパッタリングして非晶質透明導電膜を成膜する工程と、
    前記非晶質透明導電膜を大気に接触させる前に、前記非晶質透明導電膜の表面に水素を接触させる工程と、
    を有する請求項１〜６のいずれかに記載の非晶質透明導電膜の製造方法。
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