JP2015072938A - 光発電素子及びその製造方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】n型結晶半導体基板11と、n型結晶半導体基板11の一側にこの順に積層されるn型非晶質系半導体薄膜13及び第1の透明導電膜14と、n型結晶半導体基板11の他側にこの順に積層されるp型非晶質系半導体薄膜16及び第2の透明導電膜17とを備え、一側が光入射面として用いられる光発電素子10において、第1及び第2の透明導電膜14、17のいずれかは、少なくともタンタルがドープされた酸化インジウムから形成されている透明導電膜(α)である。
【選択図】図1
Description
前記第1及び第2の透明導電膜のいずれかは、少なくともタンタルがドープされた酸化インジウムから形成されている透明導電膜(α)である。
主成分が酸化インジウムであり、酸化タンタルを含むスパッタリングターゲットを用いたスパッタリング法により、前記第1及び第2の透明導電膜の少なくともいずれかを形成する工程を有し、
該工程における形成温度が200℃未満である。
図1に示すように、本発明の第1の実施の形態に係る光発電素子10は、板状の多層構造体である。光発電素子10は、n型結晶半導体基板11と、n型結晶半導体基板11の一側(図1における上側)にこの順で積層される第1の真性非晶質系半導体薄膜12、n型非晶質系半導体薄膜13及び第1の透明導電膜14と、n型結晶半導体基板11の他側(図1における下側)にこの順で積層される第2の真性非晶質系半導体薄膜15、p型非晶質系半導体薄膜16及び第2の透明導電膜17とを有する。さらに、光発電素子10は、第1の透明導電膜14の表面(一側)に配設される集電極18と、第2の透明導電膜17の表面(他側)に配設される集電極19とを有する。
次いで、本発明の第2の実施の形態に係る光発電素子の製造方法について説明する。光発電素子10は、n型結晶半導体基板11の一側に第1の真性非晶質系半導体薄膜12を積層する工程、さらにn型非晶質系半導体薄膜13を積層する工程、さらに第1の透明導電膜14を積層する工程、n型結晶半導体基板11の他側に第2の真性非晶質系半導体薄膜15を積層する工程、さらにp型非晶質系半導体薄膜16を積層する工程、さらに第2の透明導電膜17を積層する工程、及び第1の透明導電膜14の一側表面及び第2の透明導電膜17の他側表面に集電極18、19を配設する工程を有する。なお、各工程の順は、光発電素子10の層構造を得ることができる順である限り特に限定されるものではない。
硝酸インジウム(In(NO3)3)、塩化タンタル及びオルトチタン酸テトライソプロピルが溶解された水溶液に対し、アルカリ添加して水酸化物沈殿物を得た。この水酸化物沈殿物を乾燥及び粉砕後、焼結させて焼結体(スパッタリングターゲット)を得た。なお、このスパッタリングターゲットの酸化タンタル及び酸化チタンの含有量がそれぞれ0.5質量%となるように塩化タンタル及びオルトチタン酸テトライソプロピルの量を調製した。得られたスパッタリングターゲットをDCマグネトロンスパッタに装着させ、チャンバー内の初期真空度を1×10−6Torr以下とし室温で100nmの厚みでガラス基板上にIn−Ta−Ti−O系薄膜を蒸着させた。その後、In−Ta−Ti−O系薄膜を大気雰囲気下で150℃、2時間熱処理し、透明導電膜を得た。得られた透明導電膜の表面はSEM観察により結晶性が確認でき、比抵抗は3.78×10−4Ω・cmであった。SEM画像を元にした面内長軸平均結晶粒径は100nmであった。また、得られた透明導電膜を80℃、85%の室度下で5日間保管した後の抵抗変化を測定した結果、3.2%以内の抵抗変化であった。
酸化インジウムの含有量が90質量%、酸化錫の含有量が10質量%のインジウム錫酸化物スパッタリングターゲットを用い、製造例1と同様の方法により透明導電膜を得た。得られた透明導電膜の表面はSEM観察により結晶性が確認できず、比抵抗は7.19×10−4Ω・cmであった。また、得られた透明導電膜を80℃、85%の室度下で5日間保管した後の抵抗変化を測定した結果、12.9%以内の抵抗変化であった。
n型単結晶シリコン基板の一側に、第1の真性非晶質系シリコン薄膜(膜厚6nm)、n型非晶質系シリコン薄膜(膜厚8nm)及び第1の透明導電膜(膜厚65nm)をこの順に積層した。なお、n型単結晶シリコン基板は、両面に無数のピラミッド形状を有する微細な凹凸構造(テクスチャー構造)が形成されたものを用いた。この凹凸構造は、約3質量%の水酸化ナトリウムを含むエッチング液に基板材料を浸漬し、基板材料の(100)面を異方性エッチングすることにより形成した。
ついで、n型単結晶シリコン基板の他側に、第2の真性非晶質系シリコン薄膜(膜厚6nm)、p型非晶質系シリコン薄膜(膜厚4nm)及び第2の透明導電膜(膜厚65nm)をこの順に積層した。各シリコン薄膜は、プラズマCVD法により積層した。
n型単結晶シリコン基板の一側に、n型非晶質系シリコン薄膜(膜厚8nm)及び第1の透明導電膜(膜厚65nm)をこの順に積層した(第1の真性非晶質系シリコン薄膜を積層しなかった)こと以外は実施例1と同様に行った。
比較例1:ITO(Sn=10質量%)、スパッタリング法
比較例2:ITO(Sn=5質量%)、イオンプレーティング法
実施例1、実施例2:In−Ta−Ti−O材料(製造例1のスパッタリングターゲット)、スパッタリング法(製造例1の成膜条件)
Claims (9)
- n型結晶半導体基板と、該n型結晶半導体基板の一側にこの順に積層されるn型非晶質系半導体薄膜及び第1の透明導電膜と、前記n型結晶半導体基板の他側にこの順に積層されるp型非晶質系半導体薄膜及び第2の透明導電膜とを備え、一側が光入射面として用いられる光発電素子において、
前記第1及び第2の透明導電膜のいずれかは、少なくともタンタルがドープされた酸化インジウムから形成されている透明導電膜(α)であることを特徴とする光発電素子。 - 請求項1記載の光発電素子において、前記透明導電膜(α)における前記タンタルの含有量が酸化物換算で0.1質量%以上5質量%以下であることを特徴とする光発電素子。
- 請求項1又は2記載の光発電素子において、前記酸化インジウムには、チタン、バナジウム及びニオブからなる群より選ばれる少なくとも1種の元素(x)がさらにドープされていることを特徴とする光発電素子。
- 請求項3記載の光発電素子において、前記透明導電膜(α)における前記タンタル及び前記元素(x)それぞれの含有量が酸化物換算で共に0.1質量%以上であり、かつ前記タンタル及び前記元素(x)の合計含有量が酸化物換算で5質量%以下であることを特徴とする光発電素子。
- 請求項1〜4のいずれか1項に記載の光発電素子において、前記第2の透明導電膜が前記透明導電膜(α)であることを特徴とする光発電素子。
- 請求項5記載の光発電素子において、前記第1の透明導電膜も前記透明導電膜(α)であることを特徴とする光発電素子。
- 請求項1〜6のいずれか1項に記載の光発電素子において、前記n型結晶半導体基板がテクスチャー構造を有する面を備えることを特徴とする光発電素子。
- 請求項1〜7のいずれか1項に記載の光発電素子において、前記透明導電膜(α)が形成温度200℃未満のスパッタリング法により形成されていることを特徴とする光発電素子。
- n型結晶半導体基板と、該n型結晶半導体基板の一側にこの順に積層されるn型非晶質系半導体薄膜及び第1の透明導電膜と、前記n型結晶半導体基板の他側にこの順に積層されるp型非晶質系半導体薄膜及び第2の透明導電膜とを備え、一側が光入射面として用いられる光発電素子の製造方法において、
主成分が酸化インジウムであり、酸化タンタルを含むスパッタリングターゲットを用いたスパッタリング法により、前記第1及び第2の透明導電膜の少なくともいずれかを形成する工程を有し、
該工程における形成温度が200℃未満であることを特徴とする光発電素子の製造方法。
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