JP2011077240A - 光起電力装置 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】 この発明は、n単結晶シリコン基板1と、このn型単結晶シリコン基板1表面に真性な非晶質シリコン層2を介して形成されたp型非晶質シリコン層3と、このp型非晶質シリコン3層上に形成された透明導電膜4と、を備えた光起電力装置であって、単結晶シリコン基板1の非晶質シリコン層2が設けられる表面は、表面の凹凸を近似直線からの標準偏差が1.0nm未満になるように規定している。
【選択図】 図2
Description
2 i型非晶質シリコン層
3 p型非晶質シリコン層
4 透明導電膜
5 電極
6 i型非晶質シリコン層
7 n型非晶質シリコン層
8 透明導電膜
9 電極
Claims (2)
- 第1導電型の単結晶シリコン基板と、
この単結晶シリコン基板表面に真性な非晶質シリコン層を介して形成された他導電型の非晶質シリコン層と、
この非晶質シリコン層上に形成された透明導電膜と、を備えた光起電力装置であって、
前記単結晶シリコン基板の非晶質シリコン層が設けられる表面は、表面の凹凸を近似直線からの標準偏差が1.0nm未満になるように規定したことを特徴とする光起電力装置。 - 前記単結晶シリコン基板の表面には、ピラミッド状の凹凸が形成されており、前記ピラミッド状の凹凸の表面上に、非晶質シリコン層が形成されていることを特徴とする請求項1に記載の光起電力装置。
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