JPWO2007034749A1

JPWO2007034749A1 - 酸化物材料、及びスパッタリングターゲット

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Publication number: JPWO2007034749A1
Application number: JP2007536471A
Authority: JP
Inventors: 矢野　公規; 公規矢野; 井上　一吉; 一吉井上; 田中　信夫; 信夫田中
Original assignee: Idemitsu Kosan Co Ltd
Current assignee: Idemitsu Kosan Co Ltd
Priority date: 2005-09-22
Filing date: 2006-09-15
Publication date: 2009-03-26
Anticipated expiration: 2026-09-15
Also published as: JP4960244B2; TWI401234B; KR101211747B1; CN101268026B; WO2007034749A1; TW200724516A; CN101268026A; US20100266787A1; US8637124B2; KR20080058346A

Abstract

インジウム（Ｉｎ）、錫（Ｓｎ）、及び金属元素Ｍを含有し、イルメナイト構造化合物を含むことを特徴とする酸化物材料；それからなるスパッタリングターゲット；それを用いて成膜した透明導電膜；それからなる透明電極。

Description

本発明は、酸化物材料及びスパッタリングターゲット、スパッタリングターゲットをスパッタリング法により成膜してなる透明導電膜に関する。

錫を含むイルメナイト構造化合物（ＺｎＳｎＯ_３等）は、ガスセンサー、湿度センサー、太陽電池電極、透明導電材料等多くの用途で関心を集めている。一方、ＺｎＳｎＯ_３等を含むイルメナイト構造化合物は生成させることが困難で、また７００℃を超える温度条件下では、「２ＺｎＳｎＯ_３→Ｚｎ_２ＳｎＯ_４＋ＳｎＯ_２」で表される反応が生じ安定して存在しないといわれている（非特許文献１〜４）。そのため、熱安定性のある錫を含むイルメナイト構造化合物が求められていた。

また、ＺｎＳｎＯ_３等の錫を含むイルメナイト構造化合物はＺｎ_２ＳｎＯ_３等のスピネル構造化合物よりも抵抗が低いと言われている（非特許文献５）。しかし上記のように錫を含むイルメナイト構造化合物は７００℃以上の温度条件下では不安定なため高温で処理して製造される焼結ターゲットに用いることに関しては検討されていなかった。またそのターゲットを利用しスパッタリング法やパルスレーザーデポジション法やイオンプレーティング法等により成膜した透明導電膜の検討も行われていなかった。
さらに、ガスセンサー、湿度センサー、太陽電池電極等の用途ではインジウムを一定量以上含ませた錫を含むイルメナイト構造化合物については検討されていなかった。

近年、表示装置の発展はめざましく、液晶表示装置（ＬＣＤ）や、エレクトロルミネッセンス表示装置（ＥＬ）、あるいはフィールドエミッションディスプレイ（ＦＥＤ）等が、パーソナルコンピュータや、ワードプロセッサ等の事務機器や、工場における制御システム用の表示装置として使用されている。そして、これら表示装置は、いずれも表示素子を透明導電性酸化物により挟み込んだサンドイッチ構造を備えている。

このような透明導電性酸化物としては、非特許文献１に開示されているように、スパッタリング法、イオンプレーティング法、あるいは蒸着法によって成膜されるインジウム錫酸化物（以下、ＩＴＯと略称することがある）が主流を占めている。

かかるＩＴＯは、所定量の酸化インジウムと、酸化錫とからなり、透明性や導電性に優れるほか、強酸によるエッチング加工が可能であり、さらに基板との密着性にも優れているという特徴がある。

ＩＴＯ（インジウム・錫の複酸化物、通常錫が５〜１５原子％程度含まれる）は、透明導電性酸化物の材料として優れた性能を有するものの、希少資源であるうえ、生体にとって有害でもあるインジウムを大量に含有（９０原子％程度）させなければならないという問題があった。また、インジウム自体がスパッタ時のノジュール（突起物）の原因となり、このターゲット表面に発生したノジュールは異常放電の原因の一つにもなっていた。特に、エッチング性の改良を目的としたアモルファスＩＴＯ膜の成膜に際しては、そのスパッタリングチャンバー内に微量の水や水素ガスを導入するために、ターゲット表面のインジウム化合物が還元されてノジュールがさらに発生しやすいという問題が見られた。そして、異常放電が発生すると飛散物が成膜中又は成膜直後の透明導電性酸化物に異物として付着するという問題が見られた。

このように、供給の不安定性（希少性）、有害性、スパッタ時のノジュールの発生の問題からＩＴＯ中のインジウムを減らす必要があった。しかし、ＩＴＯ中のインジウムの含有量を８０原子％以下に削減しようとするとターゲット中の高抵抗の錫化合物が電荷（チャージ）を持ち異常放電が起こりやすくなる、酸性水溶液でのエッチングが困難となる等の問題が発生していた。

また、Ｉｎ_２Ｏ_３（ＺｎＯ）_ｍ（ただし、ｍは２〜２０の整数である。）で表される六方晶層状化合物を含有し、かつ、該六方晶層状化合物の結晶粒径を５μｍ以下の値とするすることでノジュールの発生を防ぎ異常放電を抑える方法も検討されている（特許文献１、特許文献２）。しかし、この方法ではインジウムを７０原子％以下まで削減するとターゲットの焼結密度や導電性が低下し、異常放電や成膜速度が遅くなる原因となる、ターゲットの強度が低く割れやすい、スパッタリングで成膜した透明導電膜の空気存在下での耐熱性が劣る等の問題があった。

ＷＯ０１／０３８５９９パンフレット特開平０６−２３４５６５号公報 Solid State Ionics Volume 109, Issues 3-4, 2 June 1998, Pages 327-332 Z. Anorg. Allg. Chem. 527 (1985), p.193 Z. Anorg. Allg. Chem. 527 (1985) 193-202 Kh.S. Valeev, E.I. Medvedovskaya, S.D. Notkina, T. Gosudarst, Issledovatel. Elektrokeram. Inst. 4 (1960) 80 (in Russian) 「透明導電膜の技術」（（株）オーム社出版、日本学術振興会、透明酸化物・光電子材料第１６６委員会編、１９９９）

本発明の目的は、錫を含むイルメナイト構造化合物を含有する材料及びその製造方法、並びにそれを利用した、理論相対密度が高く、抵抗が低く、強度が高いターゲット、インジウム含有量の少ないターゲット、スパッタリング法を用いて透明導電膜を成膜する際に発生する異常放電を抑制し安定にスパッタリングを行うことのできるターゲット、それらのターゲットを用いて作製した比抵抗の面内分布の少ない透明導電膜、及び透明電極を提供することである。

上述したように、ＺｎＳｎＯ_３等の錫を含むイルメナイト構造化合物は生成させること自体が困難であり、また７００℃を超える温度条件下では、「２ＺｎＳｎＯ_３→Ｚｎ_２ＳｎＯ_４＋ＳｎＯ_２」等の反応を起こし安定して存在しないといわれている。
つまり、例えば酸化亜鉛と酸化錫を混合し７００℃以上の温度で焼結を行った場合、Ｚｎ_２ＳｎＯ_４、ＺｎＯ、ＳｎＯ_２が生成してしまい、イルメナイト構造を持つＺｎＳｎＯ_３化合物を得ることは従来できなかった。

本発明者らは、錫、及び元素Ｍを含む酸化物焼結体中において、インジウムを適量含有させることで、ＡＢＯ_３で表されるイルメナイト構造化合物が安定して生成することを見出した。さらにこの材料は、ガスセンサー、温度センサー、太陽電池、電界効果トランジスター等や、粉体化する等して各種電子材料や透明導電材料に応用可能であることを見出した。
また、本発明者らは、この材料からなる焼結体は、インジウム含有量が一般のＩＴＯに比べて少ないにも関わらず、イルメナイト構造化合物の効果により、バルク抵抗が低く、理論相対密度が低いことからスパッタリングターゲットとして適していることを見出した。

さらに、本発明者らは、このターゲットを用いてスパッタリング法によって成膜した透明導電膜は導電性、面内均一性、耐熱性等に優れ、液晶ディスプレイに代表されるディスプレイやタッチパネル、相変化型光記録媒体の誘電体保護層等各種の用途に適していることを見出し、本発明を完成させた。

本発明によれば、以下のスパッタリングターゲット等が提供される。
［１］インジウム（Ｉｎ）、錫（Ｓｎ）、及び金属元素Ｍを含有し、イルメナイト構造化合物を含むことを特徴とする酸化物材料。
［２］金属元素Ｍが亜鉛（Ｚｎ）であることを特徴とする上記［１］記載の酸化物材料。
［３］Ｘ線回折（ＸＲＤ）におけるイルメナイト構造化合物の最大ピーク強度が、ルチル構造化合物の最大ピーク強度の６倍以上であることを特徴とする上記［１］又は［２］記載の酸化物材料。
［４］Ｉｎ／（Ｉｎ＋Ｓｎ＋Ｍ）で表わされる原子比が０．２５〜０．５５の範囲内、Ｓｎ／（Ｉｎ＋Ｓｎ＋Ｍ）で表わされる原子比が０．２５〜０．５の範囲内、Ｍ／（Ｉｎ＋Ｓｎ＋Ｍ）で表わされる原子比が０．２〜０．５の範囲内であることを特徴とする上記［１］〜［３］のいずれか記載の酸化物材料。
［５］イルメナイト構造化合物のＸ線回折（ＸＲＤ）における最大ピーク位置が錫及び金属元素Ｍからなるイルメナイト構造化合物の粉末の最大ピーク位置からマイナス方向（狭角側）にシフトしていることを特徴とする上記［１］〜［４］のいずれか記載の酸化物材料。
［６］バルク抵抗が０．２〜１０ｍΩ・ｃｍの範囲内の焼結体であることを特徴とする上記［１］〜［５］のいずれか記載の酸化物材料。
［７］理論相対密度が９０％以上の焼結体であることを特徴とする上記［１］〜［６］のいずれか記載の酸化物材料。
［８］イルメナイト構造化合物の結晶粒径が２０μｍ以下であることを特徴とする上記［１］〜［７］のいずれか記載の酸化物材料。
［９］上記［１］〜［８］のいずれか記載の酸化物材料からなるスパッタリングターゲット。
［１０］インジウム化合物、錫化合物、及び金属元素Ｍの化合物を原料とし、原料総量中のインジウムの原子比（Ｉｎ／（Ｉｎ＋Ｓｎ＋Ｍ））が０．２５〜０．５５であり、錫の原子比Ｓｎ／（Ｉｎ＋Ｓｎ＋Ｍ）が０．２５〜０．５であり、かつ７００℃以上の温度で熱処理する工程を含むことを特徴とする、イルメナイト構造化合物を含む酸化物材料の製造方法。
［１１］上記［９］記載のスパッタリングターゲットをスパッタリング法により成膜してなることを特徴とする透明導電膜。
［１２］ＴＦＴ駆動液晶パネルのカラーフィルター側に設けられた、上記［１１］記載の透明導電膜からなることを特徴とする透明共通電極。
［１３］上記［１１］記載の透明導電膜をドライエッチングして作製されたことを特徴とする透明電極。

本発明によれば、錫を含むイルメナイト構造化合物含有材料及びその製造方法、並びにそれを利用した理論相対密度が高く、抵抗が低く、強度が高いターゲットを提供できる。
本発明によれば、各種透明導電材料に応用可能な酸化物材料を提供できる。
本発明によれば、導電性、面内均一性、耐熱性等に優れた透明導電膜を提供できる。

実施例１で得られたターゲットのＸ線回折のチャートを示す図である。実施例２で得られたターゲットのＸ線回折のチャートを示す図である。

以下、本発明を詳細に説明する。
Ｉ．酸化物材料及びスパッタリングターゲット
（Ｉ−１）酸化物材料及びスパッタリングターゲットの構成
本発明のスパッタリングターゲットは、本発明の焼結体である酸化物材料であるため、その構成は同じである。そこで、以下、これらを併せて単に、スパッタリングターゲット、あるいはターゲットと称する場合がある。
本発明のターゲットは、インジウム、錫、金属元素Ｍを含有し、イルメナイト構造化合物を含むことを特徴とする。
金属元素Ｍとしては、正２価のイオン半径が１．１Å以下のものが好ましく、１．０Å以下のものがより好ましい。そのような金属元素としては、Ｚｎ、Ｃｏ、Ｍｇ、Ｍｎ、Ｎｉ等が挙げられ、Ｚｎであることが好ましい。

イルメナイト構造とは結晶構造の一種で、一般に最密充填した陰イオン（酸化物では酸素イオン）により形成された八面体隙間の２／３が陽イオンにより占められたものをいい、通常ＡＢＯ_３で表される。詳しくは「結晶化学入門（朝倉書店、佐々木義典・山村博・掛川一幸・山口健太郎・五十嵐香著）」や「結晶化学無機材質研究の主発点（講談社、中平光興著）等に記載されている。

ターゲット中の化合物の結晶状態は、ターゲットから採取した試料をＸ線回折法により観察することによって判定することができる。
例えば、錫及び亜鉛からなるイルメナイト構造化合物（通常ＺｎＳｎＯ_３で表される）とは、Ｘ線回折でＪＣＰＤＳ（Joint Committee on Powder Diffraction Standards）データベースのＮｏ.５２−１３８１のピークパターンか、あるいは類似の（シフトした）パターンを示すものをいう。Ｉｎ、Ｓｎ、Ｚｎが同一サイトに周期的に配置したものに加えランダムに配置したものも含まれる(コランダムと呼ばれることもある）。

本発明のターゲットは、Ｘ線回折（ＸＲＤ）におけるイルメナイト構造化合物の最大ピーク強度が、ルチル構造化合物の６倍以上であることが好ましい。
イルメナイト構造化合物の最大ピーク強度が、ルチル構造化合物の最大ピーク強度の６倍より小さいと、ターゲットの抵抗が大きくなったり、スパッタリング法で成膜した透明導電膜の比抵抗等の物性の面内バラツキが大きくなるおそれがある。

イルメナイト構造化合物の最大ピーク強度がルチル構造化合物の最大ピーク強度の６倍以上であることは、Ｘ線回折のチャートを解析することによって判定することができる。また、イルメナイト構造化合物の最大ピーク強度が、ルチル構造化合物の最大ピーク強度の１０倍以上であるとより好ましい。

また、本発明のターゲットにおいて、イルメナイト構造化合物以外のピークを示す化合物として生成が予想されるものは、Ｚｎ_２ＳｎＯ_４で表されるスピネル構造化合物、ＳｎＯ_２で示されるルチル構造化合物、Ｉｎ_２Ｏ_３で表されるビックスバイト構造化合物、Ｉｎ_２Ｏ_３（ＺｎＯ）_ｍで表される六方晶層状化合物、ＺｎＯで表されるウルツ鉱構造化合物等が挙げられる。本発明の効果を損なわない範囲内でＳｎ_２Ｏで表されるルチル構造化合物を除く上記の構造物を含んでいてもよいが、イルメナイト構造化合物とビックスバイト構造化合物が主成分であることがより好ましく、イルメナイト構造化合物が主成分であることが特に好ましい。イルメナイト構造化合物が主成分であることはＸ線回折ピーク強度から判断できる。
図１は、実施例１で製造されたターゲットのＸ線回折チャートである。このチャートから、実施例１で製造されたターゲットのＺｎＳｎＯ_３で表されるイルメナイト構造化合物の最大ピーク強度が、ＳｎＯ_２で表されるルチル構造化合物の最大ピーク強度の約２０倍であること、イルメナイト構造化合物が主成分であることがわかる。

本発明のターゲットは、Ｉｎ／（Ｉｎ＋Ｓｎ＋Ｍ）で表わされる原子比が０．２５〜０．５５の範囲内、Ｓｎ／（Ｉｎ＋Ｓｎ＋Ｍ）で表わされる原子比が０．２５〜０．５の範囲内、Ｍ／（Ｉｎ＋Ｓｎ＋Ｍ）で表わされる原子比が０．２〜０．５の範囲内であることが好ましい。
ここで、上記各原子比は、誘導結合プラズマ（ＩＣＰ）発光分析によって測定することができる。

Ｉｎ／（Ｉｎ＋Ｓｎ＋Ｍ）で表される原子比は、０．２５未満であると、他の結晶型を持つ化合物が生成し、イルメナイト構造を持つＺｎＳｎＯ_３化合物の生成が困難となったり、ターゲットの抵抗が高くなるおそれがあり、０．５５を超えると、イルメナイト構造を持つＺｎＳｎＯ_３化合物の生成が困難となったり、インジウムの使用量が多くなり過ぎるおそれがある。Ｉｎ／（Ｉｎ＋Ｓｎ＋Ｍ）で表される原子比は、０．２５〜０．４９の範囲内の値であることがより好ましく、０．３〜０．４５の範囲内の値であることがさらに好ましい。

Ｓｎ／（Ｉｎ＋Ｓｎ＋Ｍ）で表わされる原子比が０．２５未満又は０．５を超えると、イルメナイト構造を持つＺｎＳｎＯ_３化合物の生成が困難となったり、ターゲットの抵抗が高くなるおそれがある。Ｓｎ／（Ｉｎ＋Ｓｎ＋Ｍ）で表される原子比は、０．３〜０．５の範囲内の値であることがより好ましく、０．３〜０．４５の範囲内の値であることがさらに好ましく、０．３〜０．４の範囲内の値であることが特に好ましい。

Ｍ／（Ｉｎ＋Ｓｎ＋Ｍ）で表わされる原子比が０．２未満又は０．５を超えると、イルメナイト構造を持つＭＳｎＯ_３化合物の生成が困難となるおそれがある。Ｍ／（Ｉｎ＋Ｓｎ＋Ｍ）で表される原子比は、０．２７〜０．４５の範囲内の値であることがより好ましく、０．３〜０．４の範囲内の値であることがさらに好ましい。

本発明のターゲットは、イルメナイト構造化合物のＸ線回折（ＸＲＤ）における最大ピーク位置がＪＣＰＤＳデータベースのＮｏ.５２−１３８１の最大ピーク位置からマイナス方向（狭角側）にシフトしていることが好ましい。
ピークシフトの角は、Ｘ線回折のチャートを解析することによって測定することができる。図１に、後述する実施例１で得られたターゲットのＸ線回折チャートを示す。このチャートから、イルメナイト構造化合物の最大ピーク位置がマイナス方向（狭角側）に０．５度シフトしていることがわかる。これは、インジウムが含まれている効果で、ＺｎＳｎＯ_３と推察されるイルメナイト構造化合物の格子間距離が広がったものと推定される。

シフト巾が小さいとキャリア発生が不十分となりターゲットの抵抗が高くなるおそれがある。これは、イルメナイト構造化合物中へのインジウムの固溶量（原子数）が不十分でキャリア電子が十分に発生していないためと推察される。また、シフト巾が小さいとインジウムが他の結晶構造をとり、ターゲットのバルク抵抗が高くなったり、強度を弱めるおそれがある。
イルメナイト構造化合物の最大ピーク位置は、マイナス（狭角側）方向にシフトしていることがより好ましく、０．２度以上シフトしていることがさらに好ましく、０．３度以上シフトしていることが特に好ましい。

本発明のターゲットは、バルク抵抗が０．２〜１０ｍΩ・ｃｍの範囲内である酸化物焼結体からなることが好ましい。
ターゲットのバルク抵抗値の測定は、四探針法によって行うことができる。

バルク抵抗が０．２ｍΩ・ｃｍより小さいと、成膜した膜よりも抵抗が低くなり飛散した膜がノジュールの原因となるおそれがあり、１０ｍΩ・ｃｍより大きいと、安定したスパッタリングが行えないおそれがある。
本発明のターゲットのバルク抵抗は、０．３〜５ｍΩ・ｃｍの範囲内であることがより好ましく、０．４〜３ｍΩ・ｃｍの範囲内であることがさらに好ましい。

本発明のターゲットは、理論相対密度が９０％以上の酸化物焼結体であることが好ましい。
ターゲットの理論相対密度が９０％より小さいと放電中にターゲットが割れる原因となるおそれがある。
本発明のターゲットの理論相対密度は、９０％以上であることがより好ましく、９５％以上であることがさらに好ましく、９８％以上であることが特に好ましい。

ここで、ターゲットの理論相対密度は、次のようにして求める。
ＺｎＯ、ＳｎＯ_２、Ｉｎ_２Ｏ_３の比重を各々５．６６ｇ／ｃｍ^３、６．９５ｇ／ｃｍ^３、７．１２ｇ／ｃｍ^３として、その量比から密度を計算し、アルキメデス法で測定した密度との比率を計算して理論相対密度とする。

本発明のターゲットは、イルメナイト構造化合物の結晶粒径が２０μｍ以下であることが好ましい。
イルメナイト構造化合物の結晶粒径が２０μｍより大きいと、粒界が応力集中点となり強度が低下するおそれがある。イルメナイト構造化合物の結晶粒径は、８μｍ以下であることがより好ましく、４μｍ以下であることが特に好ましい。
ターゲット中のイルメナイト構造化合物の結晶粒径は、電子線マイクロアナライザー（ＥＰＭＡ）によって測定することができる。

本発明のターゲットの抗折力は、１０ｋｇ／ｍｍ^２以上であることが好ましく、１１ｋｇ／ｍｍ^２以上であることがより好ましく、１２ｋｇ／ｍｍ^２以上であることが特に好ましい。ターゲットの運搬、取り付け時に荷重がかかり、ターゲットが破損するおそれがあるという理由で、ターゲットには、一定以上の抗折力が要求され、１０ｋｇ／ｍｍ^２未満では、ターゲットとしての使用に耐えられないおそれがある。
ターゲットの抗折力は、ＪＩＳＲ１６０１に準じて測定することができる。

本発明の酸化物材料は粉体化することもでき、各種透明導電材料に応用可能である。
本発明の酸化物焼結体を粉体化する方法としては、ボールミル等を用いて粉砕する、原料粉を成形せずに焼成し、焼成粉を作製する等が挙げられる。また、溶液中での反応なども利用できる。
粉体化した本発明の酸化物焼結体（透明導電性酸化物粉）の用途としては、導電膜や誘電膜用塗布材料の原料等が挙げられる。

（Ｉ−２）ターゲットの製造方法
本発明のスパッタリングターゲット（イルメナイト構造化合物を含む酸化物材料）の製造方法（以下、本発明のターゲット製造方法ということがある）は、錫化合物、元素Ｍの化合物、インジウム化合物を原料とし、原料総量中のインジウムの原子比（Ｉｎ／（Ｉｎ＋Ｓｎ＋Ｍ））が０．２５〜０．５５であり、錫の原子比Ｓｎ／（Ｉｎ＋Ｓｎ＋Ｍ）が０．２５〜０．５であり、かつ７００℃以上の温度で熱処理する工程を含むことを特徴とする。

従来、７００℃を超える温度条件下では、イルメナイト構造化合物は生成させることが困難であったが、上記本発明のターゲット製造方法によれば、熱安定性のある錫を含むイルメナイト構造化合物を生成させることができる。

以下、本発明のイルメナイト構造化合物を含む酸化物材料からなるターゲット製造方法を工程毎に説明する。
（１）配合工程
配合工程は、スパッタリングターゲットの原料である金属化合物を混合する工程である。
ターゲットの製造原料に用いる各金属化合物は、通常の混合粉砕機、例えば湿式ボールミルやビーズミル、あるいは超音波装置を用いて、均一に混合・粉砕することが好ましい。

ターゲットの原料であるインジウム、亜鉛、金属元素Ｍの化合物は、Ｉｎ／（Ｉｎ＋Ｓｎ＋Ｍ）で表わされる原子比が０．２５〜０．５５範囲内であることが必要であり、好ましくは、Ｓｎ／（Ｉｎ＋Ｓｎ＋Ｍ）で表わされる原子比が０．２５〜０．５の範囲内、Ｍ／（Ｉｎ＋Ｓｎ＋Ｍ）で表わされる原子比が０．２〜０．５の範囲内で配合する。Ｉｎ／（Ｉｎ＋Ｓｎ＋Ｍ）で表わされる原子比が上記範囲をはずれると、前記効果を有する本発明のターゲットは得られない。

また、Ｓｎ／（Ｓｎ＋Ｍ）で表される原子比は、０．３〜０．４５の範囲内であることがより好ましく、０．３〜０．４０の範囲内が特に好ましい。上記範囲内であると、ＺｎＳｎＯ_３化合物を生じやすい。特にＳｎ／（Ｓｎ＋Ｍ）が０．５より大きいとＳｎＯ_２が生成しターゲットの抵抗が高くなるおそれがある。

インジウムの化合物としては、例えば、酸化インジウム、水酸化インジウム等が挙げられる。
錫の化合物としては、例えば、酸化錫、水酸化錫等が挙げられる。
金属元素Ｍとしては、亜鉛が好ましく、亜鉛の化合物としては、例えば、酸化亜鉛、水酸化亜鉛等が挙げられる。
各々の化合物として、焼結のしやすさ、副生成物の残存のし難さから、酸化物が好ましい。
各原料の純度は、通常２Ｎ（９９質量％）以上、好ましくは３Ｎ（９９．９質量％）以上、より好ましくは４Ｎ（９９．９９質量％）以上である。純度が２Ｎより低いと、イルメナイト構造を持つＺｎＳｎＯ_３化合物が生成しづらくなったりターゲットに変色などの不良が発生するおそれがある。

ターゲットの製造原料である金属酸化物を粉砕する場合、粉砕後の金属酸化物の粒径は、通常１０μｍ以下、好ましくは３μｍ以下とすることが好ましい。金属酸化物の粒径が大きすぎると、ターゲットの密度が上がり難くなるおそれがある。
ターゲットの原料となる金属化合物の粉砕後の粒径は、ＪＩＳＲ１６１９に準じて測定することができる。

（２）仮焼工程
仮焼工程は、インジウム化合物、錫化合物、及び金属元素Ｍの化合物（好ましくは亜鉛化合物）の混合物を得た後、この混合物を仮焼（熱処理）する、必要に応じて設けられる工程である。
仮焼工程においては、上記混合物を、５００〜１，２００℃で、１〜１００時間の条件で熱処理することが好ましい。

この理由は、５００℃未満又は１時間未満の熱処理条件では、インジウム化合物や金属元素Ｍの化合物（好ましくは亜鉛化合物）、錫化合物の熱分解が不十分となる場合があるためである。一方、熱処理条件が、１，２００℃を超えた場合又は１００時間を超えた場合には、粒子の粗大化が起こる場合があるためである。

従って、特に好ましいのは、８００〜１，２００℃の温度範囲で、２〜５０時間の条件で、熱処理（仮焼）することである。

尚、ここで得られた仮焼物は、成形して焼結する前に粉砕するのが好ましい。この仮焼物の粉砕は、ボールミル、ロールミル、パールミル、ジェットミル等を用いて、粒子径が０．０１〜１．０μｍになるようにするのがよい。
仮焼物の粒径は、ＪＩＳＲ１６１９に準じて測定することができる。

（３）成形工程
成形工程は、金属酸化物の混合物（上記仮焼工程を設けた場合には仮焼物）を加圧成形して成形体とする必須の工程である。成形工程において、得られた仮焼物を用いてターゲットとして好適な形状に成形する。仮焼工程を設けた場合には得られた仮焼物の微粉末を造粒した後、プレス成形により所望の形状に成形することができる。
本発明で用いることができる成形処理としては、金型成形、鋳込み成形、射出成形等が挙げられるが、焼結密度の高い焼結体を得るためには、冷間静水圧（ＣＩＰ）等で成形した後、後述する焼結処理するのが好ましい。

尚、成形処理に際しては、ポリビニルアルコールやメチルセルロース、ポリワックス、オレイン酸等の成形助剤を用いてもよい。

（４）焼成工程
焼結工程は、上記成形工程で得られた微粉末を造粒した後、プレス成形により所望の形状に成形した成形体を、７００℃以上の温度で焼成（熱処理）する必須の工程である。
焼成は、熱間静水圧（ＨＩＰ）焼成等によって行うことができる。
この場合の焼成条件は、通常、酸素ガス雰囲気又は酸素ガス加圧下に７００〜１，７００℃、好ましくは１１００〜１，６００℃、さらに好ましくは１，３００〜１，５００℃において、３０分〜３６０時間、好ましくは８〜１８０時間、より好ましくは１２〜９６時間である。

一方、粉末混合物を、酸素ガスを含有しない雰囲気で焼成したり、１，７００℃以上の温度において焼成すると、六方晶層状化合物が優先し、イルメナイト構造化合物の形成が十分でなくなる場合がある。また、７００℃より低いと目的とする結晶型が生成せずターゲットの焼結密度が上がらずターゲットの抵抗が上がったり、強度が低下するおそれがある。また、焼結温度が低いと抵抗の高いＩｎ_２Ｏ_３（ＺｎＯ）_ｍ（ｍは４〜２０の整数）が発生するおそれがある。

焼成時の昇温速度は、通常５〜６００℃／時間の範囲内、好ましくは５０〜５００℃／時間の範囲内、より好ましくは１００〜４００℃／時間の範囲内である。６００℃／時間より速いと六方晶層状化合物が生成し、イルメナイト構造化合物の形成が十分でなくなる場合がある。５℃／時間より遅いと時間がかかりすぎ生産性が低下するおそれがある。

また、降温速度は、通常５〜６００℃／時間の範囲内、好ましくは５０〜５００℃／時間の範囲内、より好ましくは１００〜４００℃／時間の範囲内である。６００℃／時間より速いと六方晶層状化合物が生成し、イルメナイト構造化合物の形成が十分でなくなる場合がある。５℃／時間より遅いと時間がかかりすぎ生産性が低下するおそれがある。

（５）還元工程
還元工程は、上記焼成工程で得られた焼結体のバルク抵抗をターゲット全体として均一化するために還元処理を行う、必要に応じて設けられる工程である。
本工程で適用することができる還元方法としては、例えば、還元性ガスによる方法や真空焼成又は不活性ガスによる還元等が挙げられる。

還元性ガスによる場合、水素、メタン、一酸化炭素や、これらのガスと酸素との混合ガス等を用いることができる。

また、不活性ガス中での焼成による還元の場合、窒素、アルゴンや、これらのガスと酸素との混合ガス等を用いることができる。

還元温度は、通常１００〜８００℃の範囲内、好ましくは２００〜８００℃の範囲内である。また、還元時間は、通常０．０１〜１０時間の範囲内、好ましくは０．０５〜５時間の範囲内である。

（６）加工工程
加工工程は、上記のようにして焼結して得られた焼結体を、さらにスパッタリング装置への装着に適した形状に切削加工し、またバッキングプレート等の装着用治具を取り付けるための、必要に応じて設けられる工程である。

ターゲットの厚みは、通常２〜２０ｍｍの範囲内、好ましくは３〜１２ｍｍの範囲内、特に好ましくは４〜６ｍｍの範囲内である。また、複数のターゲットを一つのバッキングプレートに取り付け実質一つのターゲットとしてもよい。また、表面は８０〜１００００番のダイヤモンド砥石により仕上げを行うことが好ましく、１００〜１０００番のダイヤモンド砥石により仕上げを行うことが特に好ましい。８０番より小さいダイヤモンド砥石を使用するとターゲットが割れやすくなるおそれがある。

本発明のターゲットを製造するには、上記本発明ターゲット製造方法を用いることが好ましいが、ターゲットの原料であるインジウム、錫及び金属元素Ｍの化合物を上記特定の原子比で混合し、上記焼成工程における焼成温度条件（熱処理条件）を用いさえすれば、それ以外の工程については、特に限定されず、例えば、特開２００２−６９５４４号公報、特開２００４−３５９９８４号公報、特許第３６２８５５４号等に開示されている公知の方法も利用することもできる。
さらに、実際の工業用のスパッタリングターゲットの製造方法として、次のような方法を採用することもできる。また、これらの方法の一部を組合せた製造方法を用いてもよい。

工業用スパッタリングターゲットの製造方法（１）
(i)秤量された原料を水、助剤とともにボールミル・ビーズミル等で湿式混合・粉砕する。
(ii)得られた原料混合物をスプレードライヤー等で乾燥・造粒し造粒粉末を作る。
(iii)得られた造粒粉末をプレス成型した後、ゴム型でＳＩＰ成型する。
(iv)得られた成型体を酸素加圧下で焼成し焼成体を得る。
(v)得られた焼成体をダイヤモンドカッター・ウォーターカッター等で切削後、ダイヤモンド砥石等で研磨する。
(vi)イタルインジウム等の蝋剤を塗布し銅等でできたバッキングプレートと貼り合わせる。
(vii)蝋剤処理、酸化層除去等のためのバッキングプレート研磨、ターゲット表面処理を行う。

工業用スパッタリングターゲットの製造方法（２）
(i)秤量された原料をボールミル等で乾式混合・粉砕し造粒粉末を作る。
(ii)得られた造粒粉末をプレス成型する。
(iii)得られた成型体を大気圧で焼成し焼成体を得る。

工業用スパッタリングターゲットの製造方法（３）
(i)秤量された原料をボールミル等で乾式混合・粉砕し造粒粉末を作る。
(ii)得られた造粒粉末をボールミル・Ｖブレンダー等で湿式混合・粉砕し造粒分散液を得る。
(iii)得られた造粒分散液から鋳込み成型で成型体を得る。
(iv)得られた成型体を支持体上で空気に接触させ乾燥した後、大気圧で焼成し焼成体を得る。

ＩＩ．透明導電膜
（ＩＩ−１）透明導電膜の構成
本発明の透明導電膜は、上記本発明のスパッタリングターゲットをスパッタリング法により成膜してなることを特徴とする。

本発明の透明導電膜は、非晶質又は微結晶のものであることが好ましく、非晶質のものであることが特に好ましい。結晶性であると、後述する透明電極作製時のエッチング速度が遅くなったり、エッチング後に残渣が残ったりするおそれがある。

本発明の透明導電膜は、金属配線エッチング液であるＰＡＮ（リン酸、酢酸、硝酸の混酸）に対する耐性を有することが好ましい。透明導電膜がＰＡＮ耐性を有すると、透明導電膜上に金属配線を成膜後、透明導電膜を溶かすことなく金属配線のエッチングを行うことができる。

本発明の透明導電膜は、その比抵抗が１８００μΩ・ｃｍ以下であることが好ましく、１３００μΩ・ｃｍ以下であることがより好ましく、９００μΩ・ｃｍ以下であることが特に好ましい。
透明導電膜の比抵抗は、四探針法により測定することができる。

本発明の透明導電膜においては、比抵抗の面内分布（Ｍａｘ／Ｍｉｎ）が、０〜１０の範囲内であることが好ましい。
ここで、比抵抗の面内分布（Ｍａｘ／Ｍｉｎ）とは、四探針法で６〜１００点測定した比抵抗のうち最大のものを最少のもので割った値と定義される。
比抵抗の面内分布（Ｍａｘ／Ｍｉｎ）が１０を超えると、透明導電膜を電極とした場合に、部分的に動作不良を起こしたり、不良率が高くなるおそれがある。比抵抗の面内分布（Ｍａｘ／Ｍｉｎ）は、０〜５の範囲内であることがより好ましく、０〜２の範囲内であることが特に好ましい。

本発明の透明導電膜の膜厚は、通常１〜５００ｎｍの範囲内、好ましくは１０〜２４０ｎｍの範囲内、より好ましくは２０〜１９０ｎｍの範囲内である。
透明導電膜の膜厚は、触針法によって測定することができる。

本発明の透明導電膜は、ＴＦＴ駆動液晶パネルのカラーフィルター側に設けられ、透明共通電極として用いることができる。
ここで、透明共通電極とは、ＴＦＴ駆動液晶パネルのカラーフィルター側の透明電極を言う。透明共通電極として必要とされる特性は、透過率が８５％以上、比抵抗が２０００μΩ・ｃｍ以下であり、本発明の透明電極はそれらの特性を具備するものである。
また、本発明の透明導電膜は、大気下での熱安定性に優れ、耐久性の高い電極として用いることができる。

（ＩＩ−２）透明導電膜の製造方法
本発明の透明導電膜を製造するためのスパッタリング法及びスパッタリング条件に特に制限はないが、直流（ＤＣ）マグネトロン法、交流（ＡＣ）マグネトロン法、高周波（ＲＦ）マグネトロン法が好ましい。液晶（ＬＣＤ）パネル用途では装置が大型化するため、ＤＣマグネトロン法、ＡＣマグネトロン法が好ましく、安定成膜可能なＡＣマグネトロン法が特に好ましい。

スパッタ条件としては、スパッタ圧力が通常０．０５〜２Ｐａの範囲内、好ましくは０．１〜１Ｐａの範囲内、より好ましくは０．２〜０．８Ｐａの範囲内、到達圧力が通常１０^−３〜１０^−７Ｐａの範囲内、好ましくは５×１０^−４〜１０^−６Ｐａの範囲内、より好ましくは１０^−４〜１０^−５Ｐａの範囲内、基板温度が通常２５〜５００℃の範囲内、好ましくは５０〜３００℃の範囲内、より好ましくは１００〜２５０℃の範囲内である。

導入ガスとして、通常Ｎｅ、Ａｒ、Ｋｒ、Ｘｅ等の不活性ガスを用いることができるが、これらのうち、成膜速度が速い点でＡｒ（アルゴン）が好ましい。また、Ｚｎ／Ｓｎ＜１の場合、導入ガスに酸素を０．０１〜５％含ませると、ターゲットのバルク抵抗が下がりやすく好ましい。Ｚｎ／Ｓｎ＞２の場合、導入ガスに水素を０．０１〜５％含ませると、得られる透明導電膜の抵抗が下がりやすく好ましい。

ＩＩＩ．透明電極
（ＩＩＩ−１）透明電極の構成
本発明の透明電極は、上記本発明の透明導電膜をドライエッチングして作製されたことを特徴とする。従って、本発明の透明電極は、上記本発明の透明導電膜の上記特性を備えている。

本発明の透明電極は、電極端部のテーパー角が６０〜１２０度の範囲内であることが好ましい。電極端部のテーパー角は、断面を電子顕微鏡（ＳＥＭ）により観察することによって測定することができる。

電極端部のテーパー角が６０度より小さいと電極エッジ部分の距離が長くなり、液晶パネルや有機ＥＬパネルを駆動させた場合、画素周辺部と内部とでコントラストに差が出る場合がある。また、１２０度を超えるとエッジ部分の電極割れや剥離が起こり配向膜の不良や断線の原因となるおそれがある。

（ＩＩＩ−２）透明電極の作製方法
本発明の透明電極の作製方法は、上記本発明の透明導電膜をドライエッチングすることを特徴とする。ドライエッチング法を用いることにより、線幅の細いパターンが高い精度で得られるという利点がある。
本発明の透明電極を作製するためのドライエッチング方法には特に制限はなく、目的、状況に応じて適したエッチング条件を選択すればよいが、好ましくは下記の通りである。
非特許文献５等に記載の方法を利用することができる。中でも、反応性イオンエッチングが、テーパー角を調整し易く好ましい。
［実施例］

以下、実施例を挙げて本発明をさらに具体的に説明するが、本発明は、実施例に限定されるものではない。
実施例１
（１）スパッタリングターゲットの製造
原料として、平均粒径が３．４μｍ、純度４Ｎの酸化インジウム、０．６μｍ、純度４Ｎの酸化亜鉛、０．５μｍ、純度４Ｎの酸化錫とを、原子比〔Ｉｎ／（Ｉｎ＋Ｓｎ＋Ｚｎ）〕が０．３６、原子比〔Ｓｎ／（Ｉｎ＋Ｓｎ＋Ｚｎ）〕が０．３３、原子比〔Ｚｎ／（Ｉｎ＋Ｓｎ＋Ｚｎ）〕が０．３１となるように混合して、これを湿式ボールミルに供給し、７２時間混合粉砕して、原料微粉末を得た。

得られた原料微粉末を造粒した後、直径１０ｃｍ、厚さ５ｍｍの寸法にプレス成形して、これを焼成炉に装入し、酸素ガス加圧下に、１，４００℃において、４８時間の条件で焼成して、焼結体（ターゲット）を得た。昇温速度は、１００℃／時間であった。

（２）スパッタリングターゲットの評価
得られたターゲットにつき、理論相対密度、バルク抵抗値、Ｘ線回折分析、結晶粒径及び各種物性を測定した。図１に実施例１で得られたターゲットのＸ線回折チャートを示す。
その結果、理論相対密度は９８％であり、四探針法により測定したバルク抵抗値は、１．０ｍΩ・ｃｍであった。また、作製したターゲットの抗折力の測定を行ったところ、１４ｋｇ／ｍｍ^２であった。抗折力の測定は、ＪＩＳＲ１６０１に準じて行った。

また、この焼結体から採取した試料について、Ｘ線回折法により透明導電材料（ターゲット）中の結晶状態を観察した結果、得られたターゲット中には、主にＺｎＳｎＯ_３で表されるイルメナイト構造化合物が確認された。ＳｎＯ_２で表されるルチル構造化合物も僅かながら確認されたが、その他の化合物に関しては確認されなかった。また、イルメナイト構造化合物を示すピークはマイナス方向（狭角側）へシフトしており、最大ピークのシフト幅は約０．５度であった。
ＺｎＳｎＯ_３で表されるイルメナイト構造化合物とは、Ｘ線回折でＪＣＰＤＳ（Joint Committee on Powder Diffraction Standards）データベースのNo.５２−１３８１のピークパターンか、あるいは類似の（シフトした）パターンを示すものをいう。

さらに、得られた焼結体を樹脂に包埋し、その表面を粒径０．０５μｍのアルミナ粒子で研磨した後、電子線マイクロアナライザー（ＥＰＭＡ）であるＪＸＡ−８６２１ＭＸ（日本電子社製）により５，０００倍に拡大した焼結体表面の３０μｍ×３０μｍ四方の枠内で観察される結晶粒子の最大径を測定した。３個所の枠内で同様に測定したそれぞれの最大粒子径の平均値を算出し、この焼結体の結晶粒径が３．０／μｍであることを確認した。
また、（１）で得られた焼結体を切削加工して、直径約１０ｃｍ、厚さ約５ｍｍのスパッタリングターゲットを作製し、これを用いてスパッタリング法により透明導電膜の製造を行った。

（３）透明導電性酸化物（透明導電膜）の成膜
上記（１）で得られたスパッタリングターゲットを、ＤＣマグネトロンスパッタリング装置に装着し、室温において、ガラス基板上に透明導電膜を成膜した。
ここでのスパッタ条件としては、スパッタ圧力１×１０^−１Ｐａ、到達圧力５×１０^−４Ｐａ、基板温度２００℃、投入電力１２０Ｗ、成膜時間１５分間とした。
この結果、ガラス基板上に、膜厚が約１００ｎｍの透明導電性酸化物が形成された透明導電ガラスが得られた。

また、膜厚分布が平均化されるよう基板フォルダーを回転させたうえ、基板フォルダーの半径上６点の比抵抗を測定し、その最大値を最小値で除し比抵抗の面内分布を評価したところ１．１と非常に面内分布が小さかった。

尚、表１において、ＰＡＮ耐性の評価の表示は、５０℃、２０ｎｍ／分以下を「○」で表し、５０℃、２０ｎｍ／分を超える場合を「×」で表す。

（４）スパッタ状態の評価
(i)異常放電の発生数
（１）で得られたスパッタリングターゲットを、ＤＣマグネトロンスパッタリング装置に装着し、アルゴンガスに３％の水素ガスを添加した混合ガスを用いた他は、上記（３）と同一条件下に、２４０時間連続してスパッタリングを行い異常放電の有無をモニターしたが１度も確認されなかった。表１において、異常放電の有無の表示は、異常放電無しの場合を「○」で表し、異常放電有りの場合を「×」で表す。

(ii)ノジュール発生数
上記(i)と同じ条件で８時間連続してスパッタリングを行った。次いで、スパッタリング後のターゲットの表面を実体顕微鏡により３０倍に拡大して観察した。ターゲット上の３点で視野９００ｍｍ^２中における２０μｍ以上のノジュール発生数をそれぞれ測定し、平均化した値を表１に示した。

（５）透明導電膜の物性の評価
上記（３）で得られた透明導電ガラス上の透明導電膜の導電性について、四探針法により比抵抗を測定したところ、７５０μΩ・ｃｍであった。
また、この透明導電膜は、Ｘ線回折分析により非晶質であることを確認した。一方、膜表面の平滑性についても、Ｐ−Ｖ値（ＪＩＳＢ０６０１準拠）が５ｎｍであることから、良好であることを確認した。

さらに、この透明導電膜の透明性については、分光光度計により波長５００ｎｍの光線についての光線透過率が９１％であり、透明性においても優れたものであった。

尚、Ｘ線回折測定（ＸＲＤ）の測定条件は以下の通りであった。
装置：（株）リガク製Ｕｌｔｉｍａ−ＩＩＩ
Ｘ線：Ｃｕ−Ｋα線（波長１．５４０６Å、グラファイトモノクロメータにて単色化）
２θ−θ反射法、連続スキャン（１．０°／分）
サンプリング間隔：０．０２°
スリットＤＳ、ＳＳ：２／３°、ＲＳ：０．６ｍｍ

実施例２及び比較例１〜５
原料の組成比を表１に示す原子比となるように調整し、比較例３〜５は、ＲＦマグネトロンスパッタリングを用いた他は実施例１と同様にターゲット及び透明導電膜を作製し、評価した。結果を表１に示す。また、図２に実施例２で得られたターゲットのＸ線回折チャートを示す。

表１の結果から、実施例と比較例を比べると、イルメナイト構造化合物を含む実施例１は、インジウム含有量が同じである比較例１〜３の結晶型に比べ、ターゲットの抵抗が低く焼結密度が高いことがわかる。また、スパッタリング時にノジュールの発生も無く、成膜された透明導電膜の比抵抗の面内分布も小さいことがわかる。
また、錫、亜鉛比が同じである比較例４、５と比較すると、実施例のみがイルメナイト構造化合物を含有していることがわかる。

実施例３
実施例１と同じ組成で本発明の大型ターゲットを作製し、ロードロック付大型スパッタ装置により透明導電膜を製膜し液晶パネルの透明共通電極を作製した。液晶パネルは問題なく駆動し、ＩＴＯを用いて作成したものと遜色ないことが確認できた。

本発明によれば、ガスセンサー、温度センサー、太陽電池電極に利用可能なイルメナイト構造化合物含有材料及びその製造方法が提供できる。また、それを利用した、理論相対密度が高く、抵抗が低く、強度が高い、インジウム含有量が少なく、スパッタリング法を用いて透明導電膜を成膜する際に発生する異常放電を抑制し安定にスパッタリングを行うことのできるターゲット、それらのターゲットを用いて作製した比抵抗の面内分布の小さい透明導電膜を提供できる。

本発明の透明導電膜は、導電性、面内均一性、耐熱性等に優れ、液晶ディスプレイに代表されるディスプレイやタッチパネル、相変化型光記録媒体の誘電体保護層等各種の用途に有用である。
本発明の透明導電膜は、ＴＦＴ駆動液晶パネルのカラーフィルター側に設けられる透明共通電極として特に有用である。
また、本発明のターゲットは安定にスパッタリングが行なえるため、成膜条件を調整するなどしてＴＦＴ（薄膜トランジスタ）に代表される透明酸化物半導体の成膜にも適用できる。

Claims

インジウム（Ｉｎ）、錫（Ｓｎ）、及び金属元素Ｍを含有し、イルメナイト構造化合物を含むことを特徴とする酸化物材料。
金属元素Ｍが亜鉛（Ｚｎ）であることを特徴とする請求項１記載の酸化物材料。
Ｘ線回折（ＸＲＤ）におけるイルメナイト構造化合物の最大ピーク強度が、ルチル構造化合物の最大ピーク強度の６倍以上であることを特徴とする請求項１又は２記載の酸化物材料。
Ｉｎ／（Ｉｎ＋Ｓｎ＋Ｍ）で表わされる原子比が０．２５〜０．５５の範囲内、Ｓｎ／（Ｉｎ＋Ｓｎ＋Ｍ）で表わされる原子比が０．２５〜０．５の範囲内、Ｍ／（Ｉｎ＋Ｓｎ＋Ｍ）で表わされる原子比が０．２〜０．５の範囲内であることを特徴とする請求項１〜３のいずれか一項記載の酸化物材料。
イルメナイト構造化合物のＸ線回折（ＸＲＤ）における最大ピーク位置が錫及び金属元素Ｍからなるイルメナイト構造化合物の粉末の最大ピーク位置からマイナス方向（狭角側）にシフトしていることを特徴とする請求項１〜４のいずれか一項記載の酸化物材料。
バルク抵抗が０．２〜１０ｍΩ・ｃｍの範囲内の焼結体であることを特徴とする請求項１〜５のいずれか一項記載の酸化物材料。
理論相対密度が９０％以上の焼結体であることを特徴とする請求項１〜６のいずれか一項記載の酸化物材料。
イルメナイト構造化合物の結晶粒径が２０μｍ以下であることを特徴とする請求項１〜７のいずれか一項記載の酸化物材料。
請求項１〜８のいずれか一項記載の酸化物材料からなるスパッタリングターゲット。
インジウム化合物、錫化合物、及び金属元素Ｍの化合物を原料とし、原料総量中のインジウムの原子比（Ｉｎ／（Ｉｎ＋Ｓｎ＋Ｍ））が０．２５〜０．５５であり、錫の原子比Ｓｎ／（Ｉｎ＋Ｓｎ＋Ｍ）が０．２５〜０．５であり、かつ７００℃以上の温度で熱処理する工程を含むことを特徴とする、イルメナイト構造化合物を含む酸化物材料の製造方法。
請求項９記載のスパッタリングターゲットをスパッタリング法により成膜してなることを特徴とする透明導電膜。
ＴＦＴ駆動液晶パネルのカラーフィルター側に設けられた、請求項１１記載の透明導電膜からなることを特徴とする透明共通電極。
請求項１１記載の透明導電膜をドライエッチングして作製されたことを特徴とする透明電極。