TWI525208B - 濺鍍靶材 - Google Patents

濺鍍靶材 Download PDF

Info

Publication number
TWI525208B
TWI525208B TW104113853A TW104113853A TWI525208B TW I525208 B TWI525208 B TW I525208B TW 104113853 A TW104113853 A TW 104113853A TW 104113853 A TW104113853 A TW 104113853A TW I525208 B TWI525208 B TW I525208B
Authority
TW
Taiwan
Prior art keywords
copper
sputtering target
powder
phase
oxide
Prior art date
Application number
TW104113853A
Other languages
English (en)
Chinese (zh)
Other versions
TW201542849A (zh
Inventor
池田真
Original Assignee
三井金屬鑛業股份有限公司
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Family has litigation
First worldwide family litigation filed litigation Critical https://patents.darts-ip.com/?family=54392387&utm_source=google_patent&utm_medium=platform_link&utm_campaign=public_patent_search&patent=TWI525208(B) "Global patent litigation dataset” by Darts-ip is licensed under a Creative Commons Attribution 4.0 International License.
Application filed by 三井金屬鑛業股份有限公司 filed Critical 三井金屬鑛業股份有限公司
Publication of TW201542849A publication Critical patent/TW201542849A/zh
Application granted granted Critical
Publication of TWI525208B publication Critical patent/TWI525208B/zh

Links

Classifications

    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C22—METALLURGY; FERROUS OR NON-FERROUS ALLOYS; TREATMENT OF ALLOYS OR NON-FERROUS METALS
    • C22C—ALLOYS
    • C22C1/00—Making non-ferrous alloys
    • C22C1/04—Making non-ferrous alloys by powder metallurgy
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C22—METALLURGY; FERROUS OR NON-FERROUS ALLOYS; TREATMENT OF ALLOYS OR NON-FERROUS METALS
    • C22C—ALLOYS
    • C22C9/00—Alloys based on copper
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
    • C23C14/34—Sputtering

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Physical Vapour Deposition (AREA)
  • Powder Metallurgy (AREA)
TW104113853A 2014-05-08 2015-04-30 濺鍍靶材 TWI525208B (zh)

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2014096515 2014-05-08

Publications (2)

Publication Number Publication Date
TW201542849A TW201542849A (zh) 2015-11-16
TWI525208B true TWI525208B (zh) 2016-03-11

Family

ID=54392387

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
TW104113853A TWI525208B (zh) 2014-05-08 2015-04-30 濺鍍靶材

Country Status (5)

Country Link
JP (1) JP5808513B1 (fr)
KR (1) KR20160017101A (fr)
CN (1) CN105358734B (fr)
TW (1) TWI525208B (fr)
WO (1) WO2015170534A1 (fr)

Families Citing this family (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2017164168A1 (fr) * 2016-03-22 2017-09-28 三菱マテリアル株式会社 Cible de pulvérisation cathodique
JP6876268B2 (ja) * 2016-03-22 2021-05-26 三菱マテリアル株式会社 スパッタリングターゲット
JP6932908B2 (ja) * 2016-09-26 2021-09-08 住友金属鉱山株式会社 積層体基板、導電性基板、積層体基板の製造方法、導電性基板の製造方法
JP6447761B2 (ja) * 2017-03-01 2019-01-09 三菱マテリアル株式会社 スパッタリングターゲット及びスパッタリングターゲットの製造方法
WO2018159753A1 (fr) * 2017-03-01 2018-09-07 三菱マテリアル株式会社 Cible de pulvérisation et son procédé de fabrication
JP6533805B2 (ja) * 2017-03-31 2019-06-19 Ｊｘ金属株式会社 スパッタリングターゲット、スパッタリングターゲットの製造方法、非晶質膜、非晶質膜の製造方法、結晶質膜及び結晶質膜の製造方法
JP6627993B2 (ja) * 2018-03-01 2020-01-08 三菱マテリアル株式会社 Ｃｕ−Ｎｉ合金スパッタリングターゲット
WO2019167564A1 (fr) * 2018-03-01 2019-09-06 三菱マテリアル株式会社 CIBLE DE PULVÉRISATION EN ALLIAGE Cu-Ni
JP6853440B2 (ja) * 2019-03-11 2021-03-31 三菱マテリアル株式会社 金属銅及び酸化銅含有粉、金属銅及び酸化銅含有粉の製造方法、及び、スパッタリングターゲット材、スパッタリングターゲット材の製造方法

Family Cites Families (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3779856B2 (ja) * 2000-04-10 2006-05-31 株式会社日鉱マテリアルズ 光ディスク保護膜形成用スパッタリングターゲット
JP2010030824A (ja) * 2008-07-28 2010-02-12 Idemitsu Kosan Co Ltd 金属相含有酸化インジウム焼結体及びその製造方法
JP2010077530A (ja) * 2008-08-26 2010-04-08 Hitachi Metals Ltd スパッタリングターゲットの製造方法及びスパタリングターゲット
JP2011084754A (ja) * 2009-10-13 2011-04-28 Hitachi Metals Ltd スパッタリングターゲットの製造方法
JP5641402B2 (ja) * 2010-02-01 2014-12-17 学校法人 龍谷大学 酸化物膜及びその製造方法、並びにターゲット及び酸化物焼結体の製造方法

Also Published As

Publication number Publication date
WO2015170534A1 (fr) 2015-11-12
KR20160017101A (ko) 2016-02-15
TW201542849A (zh) 2015-11-16
JPWO2015170534A1 (ja) 2017-04-20
JP5808513B1 (ja) 2015-11-10
CN105358734A (zh) 2016-02-24
CN105358734B (zh) 2017-03-29

Similar Documents

Publication Publication Date Title
TWI525208B (zh) 濺鍍靶材
JP5339100B2 (ja) Ｚｎ−Ｓｉ−Ｏ系酸化物焼結体とその製造方法およびスパッタリングターゲットと蒸着用タブレット
TWI338720B (fr)
KR101155358B1 (ko) 복합 산화물 소결체, 아모르퍼스 복합 산화막의 제조 방법, 아모르퍼스 복합 산화막, 결정질 복합 산화막의 제조 방법 및 결정질 복합 산화막
TWI761664B (zh) 氧化物濺鍍靶及其製造方法、以及使用該氧化物濺鍍靶成膜之氧化物薄膜
TWI594970B (zh) ITO sputtering target and manufacturing method thereof, and manufacturing method of ITO transparent conductive film and ITO transparent conductive film
TWI515167B (zh) An oxide sintered body and a sputtering target, and a method for producing the oxide sintered body
KR20100012040A (ko) 아모르퍼스 복합 산화막, 결정질 복합 산화막, 아모르퍼스 복합 산화막의 제조 방법, 결정질 복합 산화막의 제조 방법 및 복합 산화물 소결체
JPWO2007000878A1 (ja) 酸化ガリウム−酸化亜鉛系スパッタリングターゲット、透明導電膜の形成方法及び透明導電膜
TWI603938B (zh) 氧化鈮濺鍍靶、其製造方法及氧化鈮膜
TWI550117B (zh) 濺鍍靶及濺鍍靶之製造方法
JP2014055348A (ja) 透明酸化物膜形成用スパッタリングターゲット及びその製造方法
JP2017172039A (ja) スパッタリングターゲット
CN103849842B (zh) 溅射靶材及导电金属氧化物薄膜
JP4175071B2 (ja) 酸化物焼結体およびスパッタリングターゲット
JP5000230B2 (ja) 酸化ランタン含有酸化物ターゲット
JP2009114538A (ja) 酸化亜鉛系薄膜製造用のイオンプレーティング用ターゲット
JP6064895B2 (ja) 酸化インジウム系酸化物焼結体およびその製造方法
JP6233233B2 (ja) スパッタリングターゲット及びその製造方法
Zhou et al. Conductive ZnO: Zn composites for high-rate sputtering deposition of ZnO thin films
JP2019148007A (ja) スパッタリングターゲット、及び、スパッタリングターゲットの製造方法
JP5761253B2 (ja) Ｚｎ−Ｓｉ−Ｏ系酸化物焼結体とその製造方法およびスパッタリングターゲットと蒸着用タブレット
JP2010084177A (ja) 酸化亜鉛系焼結ターゲットおよびその製造方法
JP5545448B2 (ja) スパッタリングターゲット