TW201542849A - 濺鍍靶材 - Google Patents

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Abstract

本發明提供一種濺鍍靶材，係能藉由直流電源進行放電，且適於形成靜電容量方式的觸控式面板用感測器薄膜的黑化層者。本發明有關一種濺鍍靶材，其係具有銅系金屬相與氧化物相之混合組織，氧含量為5原子%至30原子%，相對密度為85%以上，且體積電阻值為1.0×10-2Ω cm以下。較佳為其銅系金屬相的平均粒徑在0.5μm至10.0μm，且氧化物相的平均粒徑在0.05μm至7.0μm。

Description

濺鍍靶材
本發明係有關於含有銅或銅合金及氧化物之濺鍍靶材，特別是有關於適於形成採用銅網目之觸控面板用感測器薄膜的黑化層的濺鍍靶材。
近年來，於液晶顯示器等的顯示裝置，已提供於市場上很多係直接接觸畫面以實施操作之所謂觸控面板方式。並且，於此種觸控面板，一般周知係採用靜電容量式的觸控面板用感測器薄膜。
於此種靜電容量式的觸控面板用感測器薄膜，係使用例如PET膜基材的透明電極膜(ITO膜：電阻值100Ω/□左右)。使用此種ITO膜之觸控面板用感測器薄膜，由於ITO膜的電阻值的問題，難以被製作大面積的觸控面板。因此，使用可實現低電阻值之銅網目之觸控面板用感測器薄膜的開發遂進展起來。
經採用此種銅網目之觸控面板用感測器薄膜，係於PET膜基材上藉蒸鍍法形成銅膜，並將其銅膜加工成格子狀的網目者。採用此種銅網目之感測器薄膜，係其銅網目之電阻值為1Ω/口左右，故成為可充分對應於大 面積觸控面板者。若說明採用此銅網目之觸控用感測器薄膜的具體性製法，藉由蒸鍍法於PET膜基材上形成銅膜，並於其銅膜表面上，進一步形成被稱為黑化層之用以調整感測器薄膜的亮度之薄膜。
就形成此黑化層之先前技術而言，一般周知：藉電鍍法或濺鍍法進行之表面處理而形成之方法，或採用銅或銅合金的濺鍍靶材，在濺鍍時供給氧氣或氮氣等而藉反應性濺鍍形成之方法(例如，參照專利文獻1至3)。
於此等先前技術之黑化層的形成技術中，在表面處理法係被指出不適合於銅網目的細線化之點，在反應性濺鍍法，因氧氣等的供給的影響，成為成膜速率降低之傾向，被指出放電的不安定化。因此，於反應性濺鍍法中，為能僅以Ar氣形成黑化層，亦在研究增加銅等濺鍍靶材的氧氣含量，惟若增加濺鍍材的氧氣含量，則靶材本身的體積電阻會上升，直流電源的放電(濺鍍)變困難。
[先前技術文獻] [專利文獻]
專利文獻1：日本專利特開2013-129183號公報
專利文獻2：日本專利第3969743號說明書
專利文獻3：日本專利特開2008-311565號公報
本發明係以上述般的情況作為背景所開發 者，目的在於提供一種能以直流電源進行放電之含有銅或者銅合金及氧化物之濺鍍靶材者，並且，提供一種適於形成靜電容量方式的觸控用感測器薄膜的黑化層之濺鍍靶材。
本發明有關一種具有銅系金屬相與氧化物相之混合組織，氧含量為5原子%至30原子%，相對密度為85%以上，體積電阻值為1.0×10-2Ω cm以上之濺鍍靶材。
若依據本發明之濺鍍靶材，由於靶材本身的體積電阻值較低，故可以低廉的直流電源進行放電，可提升成膜速率。又，由於濺鍍靶材中含有高濃度的氧，故可降低濺鍍氣體中的氧量而進行濺鍍，並形成穩定的黑化層。於本發明之濺鍍靶材中之銅系金屬相，係指僅銅的單相或者銅合金相，就銅合金相而言，可例舉：銅-鎳合金相、銅-鈦合金相等。氧化物相係指僅具有銅之氧化物相(氧化銅相)或含有銅合金作為成分之氧化物相(銅合金氧化物相)。銅合金氧化物相時，其金屬成分可為與銅合金相同，亦可為相異。如此之氧化物相，可例舉：氧化銅相、銅-鎳合金的銅合氧化物相、銅-鈦合金的銅合金氧化物相等。並且，藉由成為此氧化物相與銅系金屬相混合而成之組織，於濺渡靶材的組織中，形成銅系金屬相所產生之網絡，且其網絡成為導電路徑，即使氧含量為5原子%至30原子%，仍能實現低的體積電阻值。
有關本發明之濺鍍靶材的氧含量，為5原子 %至30原子%，較佳為10原子%至25原子%，更佳為10原子%至20原子%。若氧含量成為5原子%以下，必須於濺鍍氣體中大量導入氧，若超過50原子%，則以直流電源之放電變困難。於本發明之濺鍍靶材中含有鎳時，鎳含量較佳為61.0原子%以下，更佳為57.0原子%以下。若鎳含量超過61.0原子%，則銅-鎳合金相顯示強磁性，與濺鍍時的成膜速率降低有關。又，本發明之濺鍍靶材中含有鈦時，則鈦含量較佳為7.50原子%以下，更佳為6.25原子%以下。若鈦含量超過7.50原子%，則形成氧化鈦相，在燒結時容易產生龜裂。
並且，有關本發明之濺鍍靶材的相對密度為85%以上者，較佳為90%，更佳為95%以上。相對密度愈接近100%愈良好。若相對密度成為85%以下，測濺鍍靶材中空隙增多，以致容易吸收大氣中的氣體。又，以其空隙作為起點之異常放電或濺鍍靶材的裂紋現象容易發生。
再者，有關本發明之濺鍍靶材，為穩定地實施直流電源之放電，體積電阻值為1.0×10-2Ω cm以下。較佳為1.0×10-3Ω cm以下，更佳為5.0×10-4Ω cm以下。
有關本發明之濺鍍靶材，較佳為銅系金屬相的平均粒徑在0.5μm至10.0μm，氧化物相的平均粒徑在0.05μm至7.0μm。更佳為銅系金屬相的平均粒徑在1.0μm至8.0μm，氧化物相的平均粒徑在0.5μm至6.0μm。為使銅系金屬相的平均粒徑為0.5μm以下，必須使使用來作為濺鍍靶材的原料之銅或銅合金、能與銅形成合金之金 屬原料粉設為小直徑，惟若使用過於小直徑的平均粒徑的原料粉，則因在原料粉表面所形成之氧化膜的影響，在製造濺鍍靶材時的燒結變成不完全，以致濺鍍靶材的氧含量容易變動。若銅系金屬相的平均粒徑超過10.0μm，則容易產生氧化物相的凝聚，以致以銅系金屬相的網絡難以形成導電路徑。又，若產生氧化物相的凝聚，則以其為起因而容易在濺鍍中產生異常放電。並且，為使氧化物相的平均粒徑為0.05μm以下，必須使使用來作為濺鍍靶材的原料之氧化物粉設為小直徑，惟由於過於小直徑的平均粒徑的氧化物粉容易發生凝聚，故難以進行濺鍍靶材之製造。若氧化物相的平均粒徑超過7.0μm以上，在濺鍍中容易產生異常放電。若具有此種平均粒徑的銅系金屬相與氧化物相經混合之組織，則可穩定地實現體積電阻值為1.0×10-2Ω cm以下之濺鍍靶材。又，為形成前述的銅系金屬相的網絡構造，於濺鍍靶材的剖面觀察中，於60μm×60μm的範圍之銅系金屬相的面積比較佳為0.32以上，更佳為0.44以上。若面積比為0.32以下，則難以形成銅系金屬相的網絡構造。
有關本發明之濺鍍靶材，較佳為氧化物相為氧化銅相或銅合金氧化物相。以銅系金屬相與氧化物相的混合組織，使用氧含量為5原子%至30原子%，且相對密度為85%以上，體積電阻值為1.0×10-2Ω cm以下者之濺鍍靶材，若於銅表面形成黑化層，則可使所形成之黑化層側的表面亮度L*為40以下。若表面亮度L*超過40，則構 成感測器薄膜之銅網目的表面反射會變強，顯示裝置的對比會降低。
有關本發明之濺鍍靶材，係可藉由將銅粉及/或銅合金粉或銅粉及用以形成銅合金之銅以外的金屬粉、與氧化物粉混合，在真空氣氛下，且在較銅或者銅合金的熔點低450℃至200℃的溫度範圍內之燒結溫度進行燒結而製造。若更低於較銅或銅合金的熔點為低450℃之燒結溫度，則燒結成為不充分，若超過較銅或銅合金的熔點為低200℃之燒結溫度，則由於接近銅或銅合金的熔點，難以形成銅系金屬相與氧化物相成的混合組織。於有關本發明之濺鍍靶材的製造方法中，可進行：僅銅粉與氧化物粉的混合，或僅銅合金粉與氧化物粉的混合，又，銅粉及與銅合金粉與氧化物粉的混合，以及銅粉及用以形成銅合金之銅以外的金屬粉與氧化物粉的混合，進行製造。然後，藉由調整銅粉及/或銅合金粉或用以形成銅合金之銅以外的金屬粉、與氧化物粉之混合量，可製造特定氧含量之濺鍍靶材。在此，就銅合金粉而言，可例舉如銅-鎳合金粉、銅-鈦合金粉等。又，就氧化物粉而言，可例舉如氧化銅粉、銅-鎳合金氧化物粉、銅-鈦合金氧化物粉等。再者，就用以形成銅合金之銅以外的金屬粉而言，可例舉如鎳粉：鈦粉等。
本發明之濺鍍靶材的製造方法，可適用以銅粉及/或銅合金粉與氧化物粉作為原料之粉末冶金法。此種粉末冶金法，可適用在單軸壓塑成型後燒成成型物之方 法、熱壓法、電燒結法等，惟特佳為採用電燒結法。若採用電燒結法，則所混合之原料粉中的導電部分優先流通電流，進行燒結，亦即，成為對銅粉或銅合金粉的部分，或對其兩者的部分優先流通電流，形成銅系金屬相之銅粒子或銅合金粒子容易優先進行粒狀成長。其結果，於構成濺鍍靶材之銅系金屬相與氧化物相的混合組織中，確實形成銅系金屬相之銅粒子或銅合金粒子的連結，可確實地使濺鍍靶材本身的體積電阻值減少。
若依據本發明，可實現能以直流電源進行放電之具有銅或銅合金與氧化物之濺鍍靶材，並能穩定地容易形成用以形成靜電容量方式的觸控面板用感測器薄膜之黑化層。
第1圖係實施例1的剖面觀察。
第2圖係實施例4的剖面觀察。
[發明之最佳實施形態]
以下，說明本發明之實施形態。首先，說明本實施形態的濺鍍靶材的製造。
於本實施形態中，製作各氧含量的濺鍍靶材(實施例1至3)。為了比較，亦製作比較例1至3。表1中，表示各濺鍍靶材的數據。以下，說明各濺鍍靶材的製 造條件。
實施例1：以平均粒徑D50=3.0μm的銅粉、及平均粒徑D50=3.0μm的氧化銅(I)粉作為原料。考量氧化銅(I)粉中的氧含量成為化學計量比(Cu：O=2：1)，以氧含量成為20原子%之方式予以秤量。將所秤量之原料粉與氧化鋯製粉碎介質投入於罐(pot)內，使用球磨機混合3小時。然後，將其混合粉篩分後，填充於直徑174mm的石墨塑模中。將填充有混合粉之石墨塑模安置在電燒結裝置(DR.SINTER/SPS Syntax(股)製)後，依下列條件進行燒結。
<燒結條件>
‧氣氛(atmosphere)：真空(壓力：40Pa(帕)
‧升溫時間：30℃/min(分鐘)
‧燒結溫度：580℃
‧燒結保持時間：30分鐘
‧壓力：25MPa(兆帕)
‧降溫：自然冷卻
將依上述燒結條件所得之燒結體進行機械加工，製作直徑101.6mm、厚度5mm的濺鍍靶材。
實施例2：以原料粉的氧含量成為15原子%之方式予以秤量。其以外的製造條件，係與實施例1同樣方式。
實施例3：以原料粉的氧含量成為10原子%之方式予以秤量。其以外的製造條件，係與實施例1同樣方式。
實施例4：以平均粒徑D50=9.6μm的鎳粉及平均粒徑D50=2.5μm的氧化銅(II)粉作為原料。考量氧化銅(II)粉中的氧含量成為化學計量比(Cu：O=1：1)，以銅含量成為30原子%、鎳含量成為40原子%、氧含量成為30原子%之方式予以秤量。其以外的製造條件，係與實施例1同樣方式。
實施例5：將平均粒徑D50=9.6μm的鎳粉、平均粒徑D50=3.0μm的銅粉、以及平均粒徑D50=2.5μm的氧化銅(II)粉作為原料。考慮氧化銅(II)粉中的氧含量成為化學計量比(Cu：O=1：1)，以銅含量成為34原子%、鎳含量成為46原子%、氧含量成為20原子%之方式予以秤量。其以外的製造條件係與實施例1同樣方式。
比較例1：至以球磨機之混合為止係與實施例1同樣方式實施，以單軸壓塑成型(加壓機壓力：500kgf(4克力)/cm2)製作直徑140mm的壓粉物。然後，使用燒成爐依下列條件進行燒成。
<燒成條件>
‧氣氛：大氣
‧升溫時間：50℃/hr(約0.83℃/min)
‧燒結溫度：900℃
‧燒結保持時間：4小時
‧降溫：50℃/hr(約0.83℃/min)
將以上述燒結條件所得之燒結體進行機械加工，製作直徑101.6mm、厚度5mm的濺鍍靶材。
比較例2：除使燒成氣氛設為真空(壓力：40Pa)以外，其餘係與比較例1同樣方式。
比較例3：僅使用氧化銅(I)粉作為原料粉。其氧含量為33.3原子%(Cu：O=2：1)。將氧化銅粉直接填充於直徑174mm的石墨塑模中。以後的條件，係與實施例1同樣方式實施。
對於所製作之各濺鍍靶材、實施氧含量、相對密度、體積電阻值、平均粒徑的評價。將其結果，表示於表1及表2中。又，各評價方法係如下。
氧含量：藉由機械加工切削燒結體的表面，從所得之切粉，採用氧氮分析裝置(EMGA-550/(股)堀場製作所製)，測定氧含量。
相對密度：將濺鍍靶材的重量(g)除以其體積(cm3)，算出依下述理論式(數1)之理論密度ρ(g/cm3)之百分率，設為相對密度(%)。
式中，C(Cu)、C(Cu2O)係分別表示濺鍍靶材中的銅系金屬相與氧化物相之含量(重量%)，ρ(Cu)、ρ(Cu2O)分別在表示銅或者銅合金的密度、氧化物的密度。銅系金屬相與氧化物相之含量(重量%)，係假定所實測之燒結體中的氧全部形成氧化銅(I)或銅合金氧化物而算出。
體積電阻值：使用低電阻率計(LorestaHP/(股)三菱化學Analytech製)及四探針法用探測器，測定加工後的濺鍍靶材的體積電阻值。
平均粒徑：將濺鍍靶材的表面研磨而作成平滑。對於該平滑表面，藉由搭載有能量分散型X光分析(EDS)/電子線後方散射繞射分析(EBSD)裝置(Pegasus System/Ametek(股)製)之FE槍型的掃瞄式電子顯微鏡(SUPRA55VP/Carl Zeiss公司製)而測定銅及鎳及氧的EDS光譜及EBSD圖型。測定條件係設為加速電壓20kV、觀察區域60×60μm、測定間隔0.5μm。附有指數之結晶相係銅系金屬相(銅相或銅合金相)及氧化物相，從EDS光譜區別兩者。對於所得之數據，選擇EBSD解析程式(OIMAnalysis/(股)TSLSolutions製)的分析目錄「Grain Size」，以算出銅系金屬相與氧化物相之各別附面積重量之平均結晶粒徑(μm)。此時，被檢出5°以上的方位差時，辨識為一般粒界者，對於銅，係在<111>軸周圍，在60°旋轉的方位關係之雙晶粒界係不視為一般粒界之方式實施。又，銅系金屬相的面積比，係如下方式予以算出。
銅系金屬相的面積比：採用之值係使用上述的解析程式，以「Color Coded Map Style」選擇「Phase(相)」，其他的設定則藉由設為初期設定而算出之「Total Fraction」的值。
如表1所示，於實施例1至3中，所製作之濺鍍靶材的氧含量，約略成為目的之水準。於比較例1之時，由於在大氣中實施燒成處理，故氧含量顯著增大(相對於原料中的氧含量20.0原子%，製造後係增加至46.8原子%)。在比較例2之時，雖然燒成溫度較高(900℃)、燒成時間較長(4hr)，但仍然成為相對密度低者。相對於此，可知經採用電燒結法之實施例1至3的相對密度成為85%以上，若採用電燒結法，可促進燒結。即使含有鎳之實施例4、5，所製成之濺鍍靶材的氧含量亦略成為目的的水準。但，如與實施例1至3相比較，與原料粉中的氧含量相比，稍為降低。認為此係藉由鎳粉與氧化銦(II)粉之反應所形成 之氧化鎳相具有氧缺損之故。另一方面，關於相對密度，實施例4、5均成為85%以上。
其次，於實施例1至3中，可知體積電阻值在1.0×10-2Ω cm以下的範圍，可以直流電源進行放電。另一方面，比較例1、3成為絕緣物，不能實施體積電阻值的測定。對於比較例2，亦因體積電阻值非常大且測定值不穩定，故未能特定電阻值。又，對於比較例2，雖然具有一定的導電性，惟仍難以藉由直流電源而使其穩定地放電。
第1圖中，表示以電子線後方散射繞射分析裝置(EBSD裝置)觀察實施例1的濺鍍靶材的剖面之結果。認為於第1圖中顯示黑色的部分為銅相，其以外的部分為氧化物相。若看到銅相，為連結成網絡狀之狀態，故於材料內部形成導電路徑者。因此，在實施例的情形，認為體積電阻值變低。再者，經算出第1圖的視野(60μm×60μm)中之銅相的面積比之結果，為0.48。另一方面，在比較例1的情形，由於氧含量較大，故認為靶材全體為以氧化物相所構成之絕緣物。又，在比較例2的情形，為結晶性低的狀態，銅相與氧化物相之區別為不明確的組織狀態。因此，認為體積電阻值亦成為非常高者。再者，在比較例3的情形，成為幾乎不能確認銅合金相之組織，因此，認為已成為接近絕緣物之狀態者。
又，第2圖中，表示觀察實施例4的濺鍍靶材的剖面之結果。第2圖中顯示黑色的部分係銅與鎳的合金相(銅系金屬相)，其以外的部分為氧化物相。從EDS光 譜及EBSD圖型的結果，可知亦含有氧化鎳相。經瞭解作為原料之鎳粉，係一部分形成銅系金屬相，其餘的部分形成銅合金氧化物相。並且，與第1圖的情形同樣，於實施例4中之銅系金屬相係連結成網絡狀之狀態。再者，算出第2圖的視野(60μm×60μm)中之銅系金屬相的面積比之結果，其為0.70。
實施例1的平均粒徑，係銅系金屬相(銅相)為4.8μm、氧化物相為3.9μm。由此，可知較以原料所使用之銅粉的平均粒徑(D50=3.0μm)更稍微進行粒成長。又，亦未確認出氧化物相的凝聚。在比較例2的情形，不知是否因燒結不充分，在EBSD裝置未明確地檢測到菊池圖型，而未能算出銅相的平均粒徑。
接著，說明有關使用所製作之濺鍍靶材，而形成黑化層之結果。黑化層的評價，係於玻璃基板上以銅形成銅配絕層，並製作於其銅層表面形成有黑化層之評價試樣。
黑化層的膜厚雖然無特別限定，惟可設為5nm至100nm。濺鍍亦可僅以氬氣實施，惟就調整所形成之黑化層的光學特性之目的，亦可添加氧氣或氮氣、或兩者作為濺鍍氣體。在此種情形，所添加之氣體流量與氬氣流量之比(所添加之氣體流量/氬氣流量)較佳為20%以下，更佳為15%以下。若添加過多的氧或氮、或其兩者，則有引起成膜速率的降低或放電的不穩定之傾向。
於此之評價試樣中，雖然形成使用純銅之 銅層，惟在感測器薄膜等所構成之銅配線時，對於低電阻的要求係使用純銅，考量與基材之密著性時係亦可使用銅合金。又，為確與基材之密著性之目的，亦可於銅配線的基底形成鈦或鉬等的密著層。銅配線的膜厚雖然無特別限制，惟亦可設為例如50nm至10000nm。
評價試樣的製造條件，為如下所示者。首先，使所製作之各濺鍍靶材與銅製的支撐板相貼合而成為濺鍍靶。將此濺鍍靶及配線用純銅濺鍍靶，裝設於具備有直流電源之濺鍍裝置並進行成膜。成膜條件，為如下所示者。
<成膜條件>
‧積層膜構成：黑化層/銅配線膜/玻璃基板
‧黑化層厚度：20nm
‧銅配線層厚度：200nm
‧玻璃基板：40mm×40mm×0.7mmt
‧到達壓力：5×10-6Torr以下
‧氧流量：0.0至10.0sccm(間隔2.5sccm)
‧氧氣流量/氬氣流量的比率：0.0至20.4%
‧施加電力：100W至300W(1.3W/cm2至3.7W/cm2)
對於所製作之評價試樣，測定其表面的亮度(L*)。L*的測定係使用分光測色計(CM-2500d/Konica Minolta(股)製)，並以L*a*b*表色系，測定評價試樣的積層膜表面的L*。為了比較，亦製作使用市售的韌煉銅(tough-pitch copper)(C110、靶氧含量0.04at%以下)，並形成 黑化層者(比較例4)。於表2中，表示所得之各評價試樣的積層膜的最佳氧流量，及以其條件所成膜之積層膜的L*。在此所稱之最佳氧流量，係當在0.0至10.0sccm(間隔2.5sccm)的範圍形成積層膜時，表示最低的L*之情形的氧流量。
於實施例1至5的黑化層中，係對抑制顯示裝置的對比降低作為目標之亮度L*的值為40以下的範圍者。又，可知若濺鍍靶材中的氧含量增加，即使少的氧氣流量，亮度L*之值亦變小。另一方面，在比較例4的情形，雖然使氧氣流量設為最大的10sccm而形成黑化層，但仍然未能使亮度L*形成40以下。
[產業上的可利用性]
若使用本發明，可有效率地製造一種可實現以直流電源進行放電之濺鍍處理，並不降低顯示裝置的對比，且具備黑化層之觸控面板用感測器薄膜。

Claims (19)

  1. 一種濺鍍靶材，其係具有銅系金屬相與氧化物相之混合組織，氧含量為5原子%至30原子%，且相對密度為85%以上，體積電阻值為1.0×10-2Ω cm以下者。
  2. 如申請專利範圍第1項所述之濺鍍靶材，其中銅系金屬相為銅相、或含有鎳、鈦之中至少一種之銅合金相。
  3. 如申請專利範圍第1項所述之濺鍍靶材，其中銅系金屬相為銅-鎳合金相或銅-鈦合金相。
  4. 如申請專利範圍第1項至第3項中任一項所述之濺鍍靶材，其中氧化物相為氧化銅相或銅合金氧化物相。
  5. 如申請專利範圍第1項至第4項中任一項所述之濺鍍靶材，其中銅合金氧化物相為含有鎳、鈦之中至少一種者。
  6. 如申請專利範圍第1項至第4項中任一項所述之濺鍍靶材，其中銅合金氧化物相為銅-鎳合金氧化物相或銅-鈦合金氧化物相。
  7. 如申請專利範圍第2項至第6項中任一項所述之濺鍍靶材，其中鎳含量為61.0原子%以下，鈦含量為7.50原子%以下。
  8. 如申請專利範圍第1項至第7項中任一項所述之濺鍍靶材，其中銅系金屬相的平均粒徑為0.5μm至10.0μm，氧化物相的平均粒徑為0.05μm至7.0μm。
  9. 如申請專利範圍第1項至第8項中任一項所述之濺鍍靶材，其中於濺鍍靶材的剖面觀察中，於60μm×60μm的範圍中之銅系金屬相的面積比為0.32以上。
  10. 如申請專利範圍第1項至第9項中任一項所述之濺鍍靶材，其係使用於以直流電源之放電。
  11. 如申請專利範圍第1項至第10項中任一項所述之濺鍍靶材，其係使用於用以形成黑化層。
  12. 一種濺鍍靶材的製造方法，係如申請專利範圍第1項至第11項中任一項所述之濺鍍靶材的製造方法，包含如下步驟：將銅粉及/或銅合金粉、或用以形成銅粉及銅合金之銅以外的金屬粉，與氧化物粉進行混合之步驟，及於真空氣氛下，在較銅或銅合金的熔點更低450℃至200℃的溫度範圍內的燒結溫度進行燒結之步驟。
  13. 如申請專利範圍第12項所述之濺鍍靶材的製造方法，其中銅合金粉含有鎳、鈦之中至少一種。
  14. 如申請專利範圍第12項或第13項所述之濺鍍靶材的製造方法，其中銅合金粉為銅-鎳合金粉、或銅-鈦合金粉。
  15. 如申請專利範圍第12項所述之濺鍍靶材的製造方法，其中用以形成銅合金之銅以外的金屬粉含有鎳粉、鈦粉之中至少一種。
  16. 如申請專利範圍第12項至第15項中任一項所述之濺鍍靶材的製造方法，其中氧化物粉為氧化銅粉、或銅合 金氧化物粉。
  17. 如申請專利範圍第12項至第15項中任一項所述之濺鍍靶材的製造方法，其中氧化物粉為含有鎳、鈦之中至少一種之銅合金氧化物粉。
  18. 如申請專利範圍第12項至第15項中任一項所述之濺鍍靶材的製造方法，其中氧化物粉為銅-鎳合金氧化物或銅-鈦合金氧化物粉。
  19. 如申請專利範圍第12項至第18項中任一項所述之濺鍍靶材的製造方法，其中燒結係藉由電燒結法施行。
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