TWI338720B - - Google Patents

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1338720 九、發明說明： 、 【發明所屬之技術領域】 本發明係關於一種用以製得可維持良好的可見光穿透 率之透明導電膜的氧化鎵（Ga2〇3)·氧化鋅（ZnO)系濺鍍靶 (GZO系靶），及使用該靶以形成透明導電膜的方法，以及 藉此所形成之透明導電膜。 【先前技術】 以往，作為透明導電膜之ITO(於氧化銦中以錫摻雜者） % 膜’由於透明且導電性優異，故使用於液晶顯示器、電致 發光顯示器等顯示器的透明電極（膜）或太陽電池等廣泛的 用途中。然而，此ITO ’其主成分銦甚昂貴，故製造成本 兩為其問題。 因此乃有以GZO臈代替ITO之提議。此GZO為以氧 化鎵（Ga2〇3)-氧化鋅（ZnO)作為主成分之氧化辞系膜，故廉 價是其優點* GZO膜，其導電性因主成分之Ζη〇之氧缺陷 而增加乃周知者’只要導電性與透光性之膜特性可近似於 ΙΤΟ ’則其可利用性可能增大。 此GZO膜之形成方法，主要係用濺鍍法來進行，尤其， 就操作性與棋安定性考量，可用直流（DC)濺鍍或高頻（RF) 滅銀或磁控濺鍍法來形成。 使用賤鍵法之膜形成，係對設置於陰極之靶材以Ar 離子墓下缺 離子進行物理性衝擊，以該衝擊的能量使構成靶 材之材料經 出’在對向的陽極側的基板積層與靶材大致相 同組成的膜„ 1338720 又’此使用濺鍍法之被覆法，其特徵為，藉由調整處 理時間與供應電力等，可於安定的成膜速度下形成由埃單 位之薄膜至數十之厚膜。 有關用以形成此等GZ0膜之燒結物濺鍍靶或藉由其所 形成之透明導電膜之提議，曾有下述數種被提出。 例如，於專利文獻丨中，曾提出一種以氧化鋅為主成 分之靶，其為不會異常放電、可形成具安定性的薄膜之氧 化鋅系燒結物靶，其一部分之靶材料為Ga2〇3_Zn〇耙燒結 物，並選擇性地添加有二氧化鈦、氧化鍺、氧化鋁、氧化 鎂、氧化銦、氧化錫1〜5重量％。 於專利文獻2中，曾提出一種技術，係使氧化鋅與氧 化鍺粉末之粒徑微細化至丨y m以下，調整燒結溫度至 13 00 15 50 C，於邊導入氧氣下進行燒結以提高密度來 得到不會發生異常放電、可形成安定性的薄膜之Gz〇燒結 物滅鍍乾。 於專利文獻3中曾提出一種添加有& 3〜7原子。、選 自 A卜 B、In、Ge、Si、Sn、TifM3MG3〜3^ %之ZnO系、燒結物’做為長期間鮮少發生異常放電、穿透 率尚、電阻低之GZO燒結物濺鍍靶。 於專利文獻4中曾揭不一種賤鑛技術，係於由氣氣與 惰性氣體所構成之環境氣氛下進行濺鍍，以防止氧化鋅與 水反應導致電氣特性、光學特性變化。 通常於形成GZO膜時特別容易成為問題者，為隨著 減鍵產生之稱為結球（nQdule)之微細突起物發生於乾表面 1338720 的濺蝕部，進而肇因於此結球之異常放電與濺斑（spiash)而 導致在濺鍍室内有粗大粒子（particle)浮游而附著於形成的 膜上，使品質降低。又，上述異常放電會使電漿放電不安 定’致無法安定地成膜，是問題所在。 因而於基板上形成導電膜時，必須定期地除去發生 於濺鍍靶上之結球，因而會顯著地降低生產性，故結球產 生少、不會發生異常放電現象之靶備受期盼。 尤其，最近顯示器有大型化的傾向而須要求大面積的 成膜’故尤其期盼可安定地成膜之靶。 於上述專利文獻中，異常放電的問題被詬病作為降 低異常放電的對策，如上述般，於專利文獻丨十曾提出選 擇性地添加氧化鈦、氧化鍺、氧化鋁、氧化鎂、氧化銦、 氧化錫1〜5重量。/。的做法；χ，於專利文獻3中曾提出添 加選自Al、B、In、Ge、Si、Sn、Ti中之第3元素〇.3〜3 原子％的做法。 此等皆為企圖提高燒結物密度，減少燒結物中的空孔， 藉以防止異常放電者。然而，即使用此等添加材，仍有無 法充分提高燒結密度，及體（體積）電阻高的問題存在。 又亦有在乾之製程中謀求改善者，惟’製程若較複 雜，會導致成本增高；再者，若欲藉由改良燒結方法或裝 置以期提高密度，設備須大型化’亦為問題，並非工業上 效率良好的方法。 又，GZO燒結物靶材依燒結條件而異，會發生體電 阻值及密度的大幅變化致安定性差，以及於燒結時與 7 1338720 等容易反應導致組成偏差之發生，是其缺點。 紅合觀之，藉由添加微量元素（亦即改變GZ〇燒結物 成分組成），以提高靶之密度，防止結球形成，以抑制異常 放電現象及粒子之產生，可謂簡便有效的方法，惟，成分 組成之改變會有使靶之體電阻值惡化之情形，且燒結密度 未必可得到改善，故於上述專利文獻中所示之例子尚未能 說是理想的對策’是問題所在。 專利文獻1 :曰本專利特開平10_306367號公報 專利文獻2 :日本專利特開平丨〇_297964號公報 專利文獻3 :日本專利特開平丨uwwo號公報 專利文獻4 :日本專利特開2〇〇2_363732號公報 【發明内容】 鑑於上述之習知技術的問題點，本發明之氧化鎵 (Gaed-氧化鋅（Zn〇)系濺鍍靶（Gz〇系濺鍍靶），藉由微量 添加特定的元素可改善導電性與密度(亦即，?文善成分組

成），使GZO乾之燒結性安定化，故可得到高密度、低體 電阻、組成不均少之靶。 - 藉此，可得到可抑制結球之形成並防止異常放電及粒 子之產生的靶，’並提供用該靶來形成透明導電膜的方法， 及藉此形成之透明導電臈。 基於上述者，本發明係如下述： 系燒結物減鍍乾， 為20質量ppm以 (1)提供一種高密度氧化鎵_氧化辞 其特徵在於，含有氧化錯與氧化鋁分別 上，此等之合計量為未滿250ppm。 8 1338720 (2) 提供（1)之氧化鎵_氧化鋅系燒結物濺鍍靶其中， 氧化鋅中含有之鎵濃度，換算為氧化鎵為卜7質量％。 靶 (3) 提供⑴或⑺之⑤密度氧化鎵·氧化鋅系燒結物滅鑛 其燒結密度為5.45g/cm3以上。 靶 (4) 提供（1)或⑺之南密度氧化鎵·氧化鋅系燒結物減鑛 其體積電阻值為3·0ηιΩ以下。 (5) 提供（3)之高密度氧化鎵·氧化鋅系燒結物㈣把， 其體積電阻值為3.0m Ω以下。 (6) 提供一種透明導電膜之形成方法其特徵在於係 使2含有氧化錯與氧化鋁分別為2〇質量ppm以上，其等 之合计量為未滿250ppm之氧化鎵_氧化鋅系靶藉由濺鍍 法在基板上形成由含有氧化鍅與氧化紹分別為2G質量ppm 乂上其等之合計量為未滿250ppm之氧化鎵-氧化辞所構 成之薄膜。 (7) 提供（6)之透明導電膜之形成方法，其中，於透明導 、 氧化鋅中含有之鎵濃度換算為氧化鎵為1〜7質量 %。 ^ 提供一種透明導電膜，係由經濺鍍在基板上形成之 ，化鎵-氧化鋅系所構成之導電性優異者；其含有氧化锆與 虱化鋁分別為20質量ppm以上’其等之合計量為未滿 25〇PPm 。 Θ)提供（8)之導電性優異之透明導電膜，於透明導電膜 中，虱化鋅中含有之鎵濃度換算為氧化鎵為1〜7質量％。 (發明效果） 9 1338720 本發明之氧化鎵（GhO3)-氧化鋅（Zn〇)系濺鍍靶（GZ〇 系濺鍍靶），含有氧化錯與氧化鋁分別為2〇質量叩m以上 且合計量為未滿250質量ppm,藉此使GZ〇靶之燒結性安 疋化，可得到高密度、低體電阻、組成不均少之靶。又， 藉由使用此靶進行濺鍍可得到GZ〇成膜性安定之效果。 又，伴隨於此，本發明具有之優異效果為，所得之靶可抑 制濺鍍成膜時之結球的形成，可長期間減少異常放電，並 可防止粒子產生。 再者，本發明之卓越效果&，用_可形成穿透率高 且電阻值低之透明導電肖’並$供用肖此形成之透明導電 臈。 【實施方式】 通*，透明導電臈之導電性係以面積電阻（◦ /□)表 通常要求約Α 5Ω/□的面積電阻β於使用於上述之液 晶顯示器畫面之情況，於液晶畫面之高精細化之外，亦要 • 求有低的面積電阻。面積電阻係以比電阻除以透明導電膜 的厚度得到之值表示。 透明導電膜之面積導電率，係以導電率（比電阻之倒數） 與犋厚之乘積表示，此導電率σ(Ω-ι. cm，係以膜中所含 有的載子（電洞或電子）所帶的電荷e(庫余）與載子遷移“ W/V· sec)及載子濃度n(cm.3)的乘積表示（口⑸丨.⑽ )-e · // η) 〇 因而’為提高透明導電膜之導電率，降低比電阻(亦稱 為電阻率)與面積電阻，須增大載子遷移度一"V.㈣ 1338720 1〜5小時的燒結，製 1000〜1600°c的程度之溫度下進行約 得燒結物。

又，燒結條件可任意變 上述以外亦可變更，並無特 成燒結後、度5.45g/cm3以上 一步達成5.50g/cm3以上。 對此燒結物進行研磨、 用起’可得到含有氧化鎵 結物賤鑛纪。 更，又，粉末之製造方法除了 別限定》ϋ由上述方式，可達 ，而藉由選擇燒結溫度，可進 切斷，加工為既定形狀的濺鍍 -7質量％的氧化鎵_氧化鋅系燒 然後，用此等燒結物濺鍍靶，用Dc濺鍍、RF濺鍍、 磁控濺鍍等，在玻璃基板等上形成透明導電膜。基板通常 用透光性的玻璃，惟，並非特別限定於玻璃是不言而喻者。 由於氧化鎵-氧化鋅系燒結物濺鍍靶具有導電性，故可 用DC濺鍍容易地成膜。因而，以使用簡單且可靠性高之

最女疋的DC濺鍍裝置來成膜為佳^ DC濺鑛條件之代表例 示如下述： 濺鍍氣體 ：Ar90〜100%、〇〜1〇%〇2 濺鑛壓力 ：0.1〜5Pa 電量 ：0.2〜6W/em2 成膜速度：約100〜30〇A/min 基板溫度：室溫〜300它 此濺鍵條件亦可作任意的變更。 (實施例） 其次’就本發明之實施例作說明《又’本實施例僅為 13 1338720 例示者，並非限定於此等實施例中。亦即，只要在本發明 之技術精神的範圍内，實施例以外之形態或變形皆屬本發 明之範_。 (實施例1) 分別种量平均粒徑為以下的氧化鍅（Zr〇2)B 5〇 質量PPm、平均粒徑為以下的氧化鋁（Ai2〇3)粉2〇質 量PPm，並科量氧化鎵（Ga2〇3)粉末5質量％，及剩餘部分 之氧化鋅（ZnO)。 用氧化鍅（Zr〇2)球或珠作為粉碎介質，對此等以微粉 碎機進行混合及微粉碎，得到中值粒徑為〇 8#m之混合 粉體漿料。 σ 對此漿料進行造粒，得到球狀之造粒粉。再對此造粒 粉進行加㈣形，並進—步進行CIp(冷均壓卜又使此 成形物於大氣中，於145〇、15⑽。c之溫度下進行約5小時

的燒結，製得燒結物1此燒結物進行研磨、切斷加工 為既定形狀的濺鍍用靶。 後對藉此彳于到之燒結物濺鍍靶的密度及體電阻值 進仃測定。其結果示於m乾令所含有之氧化結㈣2) 及氧化峰12〇3)卩ICP(感應偶合電焚法）载錯及紹量， 求出對乾全體量之旦。&丄 里I以2〇換鼻里。靶中所含有之Zr2〇量與 燒結前之添加量大致相同。 乾欲度係藉由阿某半择、、參带丨中 _ 符® Π丞木“法測疋。又，體電阻值，係於 經鏡面研磨的勒 王£域之55處隨機地決定測定位置， 於自離靶切斷面的矣； 呵如的表面起2mm的深度位置用四探針法測 1338720 依構成靶的成分，由於蒸發量不θ，故有發生組成改變之 顧慮氧化鋅之一部分會自靶表面蒸發’愈高溫愈顯著， 故/員對組成發生改變的層藉由切削加以除去。因高溫下之 燒結所致之表面組成不—之層若增大，須增大切削量，致 有良率降低之問題，故須儘可能於較低溫進行燒結為佳。 如上述叙，以低溫之燒結為佳，惟，該情形下，會朝 向低密度化與高體電阻化方向進行，故須調整其平衡，以 依要求之㈣度與體電阻的錢巾適當地選擇為佳。 表1中係表示於U5(TC下燒結的情況，可知：添加氧 ^錯M f量PPm、氧化@2G質量ppm之本實施例i的高 密度氧化鎵-氡化鋅系燒結物濺鍍靶，肖未添加(後述之比 較例1)之氧化鎵_氧化鋅系燒結物濺鍍靶相比，密度及體 電阻值有顯著的改善。亦即，可得到密度為5.45g/Cm3，且 體電阻值為2.5 7m Ω ♦ em，之較佳的高密度及低體電阻值。 同樣地，如表1所示般，可知：於15〇(rc下進行燒結 的情況，添加氧化鍅50質量ppm、氧化鋁2〇質量ppm之 本實施例1的高密度氧化鎵_氧化鋅系燒結物濺鍍靶，與未 添加（後述之比較例丨）之氧化鎵·氧化鋅系燒結物濺鍍靶相 比’密度及體電阻值有顯著的改善。 亦即，可得到密度為5.55g/cm3，且體電阻值為2.32m Ω · cm’之更佳的高密度及低體電阻值。 然後，用此濺鍍靶，以下述條件在玻璃基板上進行DC 濺鍍進行結球產生量（被覆率）及異常放電之測定及觀察。 結球之產生量（被覆率）係於開始濺鍍1小時進行表面觀 16 1338720 察，異常放電則測定於濺鍍ίο小時後之異常放電。濺鍍 條件如下： 濺鍍氣體 ：Ar(100%) 濺鍍壓力 ：0.6Pa

電量 ：1500W 成膜速度 ：12〇A/min 其結果，於1 450 C下燒結的情況之結球被覆率低，為 0.731%，於150(TC下燒結的情況之結球被覆率亦低，為 0.3 77%。就濺鍍10小時後之濺鍍過程中之異常放電的發 生次數進仃觀察之結果，得知於1 45〇<>c下進行燒結的情況 為398次，而於1500。(：下進行燒結的情況則為222次，此 等與後述之比較例相較確認為較少。 又，對上述成膜之比電阻（Ω . em)及55〇nm下之穿透 率％之膜特性進行調查，得知其較標準的IT〇膜毫不遜色， 顯示有良好的可見光穿透率與高導電性。於上述實施例 中，係就5質量％添加量之氧化鎵-氧化鋅系燒結物 賤練所作的說明，而只要氧化鎵為卜7質量％的範圍， 亦可得到同樣的結果。 (實施例2〜10) 、實知例2〜1 0 ’係將與實施例同樣之成分改變摻配比， 、與貫施例1同樣的條件進行燒結，測定其密度、體電阻 &並t作鞋*’測定用其進行濺鍍的情況下之結球被覆率、 異*放電-人數。靶之製作方法、各種測定方法，係用與實 &例相同之方法。此等結果，同樣地示於表1。 17 1338720 (實施例2之評價結果） 如表1所示般，可知：添加氧化锆1〇〇質量ppm、氧 化鋁20質量ppm(又，氧化鎵（Ga2〇3)添加量：5質量％， 其餘為氧化鋅（Zn0)係與實施例1同。以下之實施例之說 明中，此敘述從略。）之本實施例2之高密度氧化鎵-氧化 鋅系燒結物濺鍍靶，於^“充進行燒結的情況，密度及體 電阻值得到顯著的改善。亦即，可得到密度為5 ， 且體電阻值為2.73m Q · cm，之較佳的高密度及低體電阻 值。 又’於1500 °C進行燒結的情況，可得到密度為 5‘57g/cm3,且體電阻值為2 23ιώΩ . em，之更佳的高密度 及低體電阻值。 然後’用此濺鍍靶’以前述條件在玻璃基板上進行DC 灰鑛’進行結球產生量（被覆率）及異常放電之測定及觀察。

其結果’於1 450。(：下燒結的情況之結球被覆率低，為 0.665% ’於1500 °C下燒結的情況之結球被覆率亦低，為 0.325°/。。就濺鍍1〇小時後之濺鍍過程中之異常放電的發 生次數進行觀察之結果，得知於1 450°C下進行燒結的情況 為368次，而於1500°C下進行燒結的情況則為202次，顯 著地減少。 如上述般，可知：實施例2之燒結物靶，與後述之比 較例相較，結球被覆率及異常放電之發生次數較少，為良 好的靶。 又，對上述成膜之比電阻（Ω . cm)及550nm下之穿透 1338720 率％之膜特性進行調查，得知其較標準的IT〇膜毫不遜色， 顯示有良好的可見光穿透率與高導電性。於上述實施例 中，係就Ga2〇3 5質量〇/。添加量之氧化鎵_氧化鋅系燒結物 濺鍍靶所作的說明，而只要氧化鎵為丨〜7質量％的範圍， 亦可得到同樣的結果。 (實施例3之評價結果） 如表1所示般，可知：添加氧化锆2〇質量ppm、氧化 鋁50質量ppm之本實施例3之高密度氧化鎵·氧化鋅系燒 結物濺鍍靶，於145〇1進行燒結的情況，密度及體電阻值 得到顯著的改善。亦即，可得到密度為5 46g/cm3，且體電 阻值為2.60mΩ · cm，之較佳的高密度及低體電阻值。 又，於1500 °C進行燒結的情況，可得到密度為 5.55g/cm ，且體電阻值為2·26πιΩ . cm，之更佳的高密度 及低體電阻值。 然後，用此濺鍍靶，以前述條件在玻璃基板上進行DC 濺鑛，進行結球產生量（被覆率）及異常放電之測定及觀察。 其結果，於145〇t下燒結的情況之結球被覆率低，為 0.698%，於150(rc下燒結的情況之結球被覆率亦低為 0.389/。。就濺鑛小時後之濺鍵過程中之異常放電的發 生次數進行觀察之結果，得知於145〇〇c下進行燒結的情況 為383次，而於15〇〇χ：下進行燒結的情況則為231次，顯 著地減少。 如上述般，可知：實施例3之燒結物靶，與後述之比 較例相較’結球被覆率及異常放電之發生次數較少，為良 19 1338720 好的把。 又，對上述成膜之比電阻（Ω . cm)及550nm下之穿透 率％之膜特性進行調查，得知其較標準的IT〇膜毫不遜色， 顯示有良好的可見光穿透率與高導電性。於上述實施例 中，係就Ga2〇3 5質量〇/0添加量之氧化鎵_氧化鋅系燒結物 滅鑛乾所作的說明’而只要氧化鎵為質量％的範圍， 亦可得到同樣的結果。 (實施例4之評價結果） 如表1所不般，可知：添加氧化鍅20質量ppm、氧化 鋁1 00質置ppm之本實施例4之高密度氧化鎵·氧化鋅系 燒釔物濺鍍靶，於145〇〇c進行燒結的情況，密度及體電阻 值仔到顯著的改善。亦即，可得到密度為5 42g/em3，且體 電阻值為2.57m Ω . cm，之較佳的高密度及低體電阻值。 又，於1500 °C進行燒結的情況，可得到密度為 g 01 ，且體電阻值為2‘26mf} . cm,之更佳的高密度 及低體電阻值。 …、後’用此減:鍵’以前述條件在玻璃基板上進行DC 濺鍍進行結球產生量（被覆率）及異常放電之測定及觀察。 其結果，於l450t下燒結的情況之結球被覆率低，為 0-83 1%’於15〇〇t下燒結的情況之結球被覆率亦低，為 /〇就漱锻10小時後之賤鍵過程中之異常放電的發 生人數進行觀察之結果，得知於1 450°C下進行燒結的情況 為 4 4 5 〇 -人’而於1500 C下進行燒結的情況則為224次，顯 著地減少。 20 1338720 電阻值為2,64mC]，cm，之龢杜从山〜六 之較佳的尚密度及低體電阻值。 又，於 1500 t進行悼社从比 %仃堤結的情況，可得到密度為 5.55g/cm3，且體電阻值為2 勺厶41ηιΩ . cm ,之更佳的高密度 及低體電阻值。 然後’用此親挺’以前述條件在玻璃基板上進行DC ㈣，進行結球產生量（被覆率）及異常放電之測定及觀察。

其結果，於145〇°C下燒結的情況之結球被覆率低，為 〇·丽msoot下燒結的情況之結球被覆率亦低為 0.388%。就濺㉟10小時後之濺鍍過程中之異常放電的發 生次數進行觀察之結果’得知於⑽。c下進行燒結的情況 為43〇次，而於1500t下進行燒結的情況則為231次顯 著地減少。 如上述般，可知：實施例10之燒結物靶，與後述之比 較例相較，結球被覆率及異常放電之發生次數較少，為良 好的乾。 又，對上述成膜之比電阻（Ω . cm)及55〇nm下之穿透 率之膜特性進行調查，得知其較標準的IT〇臈毫不遜色， 、貝示有良好的可見光穿透率與高導電性。於上述實施例 中，係就Ga2〇3 5質量％添加量之氧化鎵_氧化鋅系燒結物 濺鍍靶所作的說明，而只要氡化鎵為卜7質量％的範圍， 亦可得到同樣的結果。 (比較例1、2、3) 於未添加氧化锆及氧化鋁的情況（比較例丨），及添加平 均粒獲為lym以下的Zr〇2粉200質量ppm、氧化鋁50 27 1338720 質篁PPm的情況（比㈣2)，以及添加平均粒徑以 下之加2粉末5G f量ppm、氧化銘咖質量㈣的情 況（比較例3)中，分別秤量上述者，並种量％ 量％及剩餘部分之氧化鋅（Zn〇)。 然後，用氧化錯（Zr02)球（珠）作為粉碎介質對此等以 微粉碎機進行混合及微粉碎，得到巾值粒徑為…爪之 混合粉體聚料。對此梁料進行造粒，得到球狀之造粒粉。 再對此造粒粉進行加壓成形，並進一步進行dp(冷均 壓）^又，使此成形物於大氣中，於M5〇、㈣代之溫度 下進仃約5小時的燒結，製得燒結物。對此燒結物進行研 磨切斷，加工為既定形狀的減鑛用乾。 …、:後對藉此得到之燒結物濺鍍靶的密度及體電阻值 進仃測疋。其結果同樣地示於表ι。對乾中所含有之氧化 !。（Zr02)及氧化紹⑷2〇3)之含有量、$密度及體電阻值， 以與實施例同樣的方法進行測定。 如表1所般，未添加的情況之氧化錄-氧化辞系燒結 物濺鑛乾之比較例1，μ , d c Λ ^ 例於丨45〇 C進行燒結的情況，燒結密 度為5.3 9g/cm ’且體電阻值為3 17爪〇 .⑽，於i5〇〇t>c 進仃燒結的情況，燒結密度4 5.52g/cm3，且體電阻值為 3 ·00m Ω · cm。

如-卜· > ΙϊΓ 在口 . 士人 _L ’於相同的燒結條件下，任一比較例 車乂實施例&為較低密度及較高體電阻值不適於作為氧化 鎵-氡化鋅系燒結物濺鍍靶。 較例2所不之賤鍵靶，為含有氧化錯200質量PPm、 28 1338720 鑛輕’於1450°C及150〇t下進行燒結所得之靶，雖可進 行DC錢鍵’惟，結球之被覆率分別為〇 925〇/。與〇 42〇0/〇， 以及異常放電次數分別為483次與250次，皆較實施例多， 皆為不良。 比較例2所示之含有氧化锆2〇〇質量ppm、氧化鋁5〇 質量ppm之氧化鎵·氧化鋅系燒結物濺鍍靶，於丨45〇。匸及 1 5 00 C下進行燒結之情況，結球之被覆率分別為i 〇68%與 0.631%，以及異常放電次數分別為557次與35〇次與實 此例相較，結球之被覆率及異常放電次數皆增加，皆為不 良。 再者，含有氧化鍅50質量ppm、氧化鋁1〇〇質量ppm 之比較例3的靶，於145(rc及15〇〇它下進行燒結之情況， 結球之被覆率分別為1〇34%與〇 665%，以及異常放電次 數刀引為5 4 2 -人與3 6 7次，與實施例相較，結球之被覆率 及異常放電次數皆增加，皆為不良。 如上述所示般，可知：藉由加入適當量的氧化锆於 难鑛特〖生方面’尤其可抑制結球之被覆率，而可抑制起因 於此結球所致之異常放電與濺斑（spUsh)所導致之粒子的產 生，故可有效地抑制導電膜之品質降低。 片θ然而，氧化錯添加量及氧化鋁添加量，若分別未滿2〇 質ΐ ppm ’則無效果，χ，氧化錯及氧化銘之添加量之合 ^若超過250 f 4 ppm，貝體電阻值會增力口，且燒結密度 亦:再提高，並有產生裂痕之㈣，故氧化锆及氧化銘添 加1合計之上限值以定為250質量ppm為適當。 30 1338720 又 " ，氧化錯可作為微粉碎用介質使用。亦即，可使用 氧化錯珠或氧化錯㈣之容器進行粉碎，粉碎介質本身不 會成為π本源’是其優點，並且可容易地達成耙之高密度 化’亦其優點。如上诫妒备 上述叙軋化锆之適量（少量）添加，於 濺鍍特性之改善極為有效。 (產業上可利用性）

氧化鎵（Ga2〇3)_氧化鋅（Zn0)系濺鍍靶（GZO系靶），藉 由^含有氧化錯與氧化紹20質量ppm以上，其等之合 :量：為未滿250ppm ’可使GZ〇靶之燒結性安定，而可 得到间达度、低體電阻值、組成不均少之乾。 又藉由用此靶進行濺鍍，可得到安定地進行GZO膜 成膜的效果。伴隨於此，可抑制於濺鍍成膜時所發生之 、·’σ求形成，而可減少長期間内之異常放電，且可防止粒子 之發生。藉此，可得到可維持良好的可見光穿透率與導電 性之透明導電膜。 因而’於液晶顯示器、電致發光顯示器等之顯示器的 透月電極（膜）或太陽電池等廣泛的用途方面甚有用。 【圖式簡單說明】 (無） 【主要元件符號說明】 (無） 31

Claims (1)

1338720 第095143673號發明專利申請案申請專利範圍」豐正本⑽〇 7) .十、申請專利範圍： ir • 種高密度氧化鎵·氧化鋅靶—厂$特徵ϋ 在於’含有氧化錄與氧化銘分別為2〇質量ppm以上，盆等 .之合計量為未滿250ppm，氧化辞令含有之鎵濃度，換算為 氧化鎵為1〜7質量％。 , 2.如申請專利範圍第i項之高密度氧化鎵·氧化辞系燒 結物濺鍍靶，其燒結密度為5.45g/cm3以上。 • 3·如中請專利範圍第1或第2項之高密度氧化鎵-氧化 •辞系燒結物濺鍍靶’其體電阻值為3〇mQ以下。 (一種透明導電膜之形成方法，其特徵在於，敍用含 有氧化錯與氧化紹分別為2〇質量_以上，其等之合計量 為未滿25〇Ppm之氧化鎵-氧化辞系乾，藉由濺鑛法在基板 ,形成由：有氧化錯與氧化鋁分別為2〇質量ppm以上，其 專之合計量為未滿25〇ppm之氧化鎵-氧化辞所構成之薄 =於透明導電膜中’氧化辞中含有之鎵濃度換算為氧化 鎵為1〜7質量％。 f 5·-種透明導電膜’係由經減鍵在基板上形成之氧化鎵 蚀氧化鋅系所構成之導電性優異者；其特徵在於，含有氧化 二、氧化紹分別& 20質量ppm以上’其等之合計量為未滿 PP-氧化鋅中含有之鎵濃度換算為氧化鎵為卜7質量 十一、圓式： (無） 32