RU2008122925A - Галлийоксид/цинкоксидная распыляемая мишень, способ формирования прозрачной электропроводной пленки и прозрачная электропроводная пленка - Google Patents

Галлийоксид/цинкоксидная распыляемая мишень, способ формирования прозрачной электропроводной пленки и прозрачная электропроводная пленка Download PDF

Info

Publication number
RU2008122925A
RU2008122925A RU2008122925/02A RU2008122925A RU2008122925A RU 2008122925 A RU2008122925 A RU 2008122925A RU 2008122925/02 A RU2008122925/02 A RU 2008122925/02A RU 2008122925 A RU2008122925 A RU 2008122925A RU 2008122925 A RU2008122925 A RU 2008122925A
Authority
RU
Russia
Prior art keywords
oxide
gallium
less
conductive film
target
Prior art date
Application number
RU2008122925/02A
Other languages
English (en)
Other versions
RU2389824C2 (ru
Inventor
Кодзо ОСАДА (JP)
Кодзо ОСАДА
Original Assignee
Ниппон Майнинг Энд Металз Ко., Лтд. (Jp)
Ниппон Майнинг Энд Металз Ко., Лтд.
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Ниппон Майнинг Энд Металз Ко., Лтд. (Jp), Ниппон Майнинг Энд Металз Ко., Лтд. filed Critical Ниппон Майнинг Энд Металз Ко., Лтд. (Jp)
Publication of RU2008122925A publication Critical patent/RU2008122925A/ru
Application granted granted Critical
Publication of RU2389824C2 publication Critical patent/RU2389824C2/ru

Links

Classifications

    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
    • C23C14/34—Sputtering
    • C23C14/3407—Cathode assembly for sputtering apparatus, e.g. Target
    • C23C14/3414—Metallurgical or chemical aspects of target preparation, e.g. casting, powder metallurgy
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
    • C23C14/34—Sputtering
    • C23C14/3407—Cathode assembly for sputtering apparatus, e.g. Target
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
    • C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
    • C04B35/00—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products
    • C04B35/01—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on oxide ceramics
    • C04B35/453—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on oxide ceramics based on zinc, tin, or bismuth oxides or solid solutions thereof with other oxides, e.g. zincates, stannates or bismuthates
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
    • C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
    • C04B35/00—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products
    • C04B35/622—Forming processes; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products
    • C04B35/626—Preparing or treating the powders individually or as batches ; preparing or treating macroscopic reinforcing agents for ceramic products, e.g. fibres; mechanical aspects section B
    • C04B35/62605—Treating the starting powders individually or as mixtures
    • C04B35/6261—Milling
    • C04B35/62615—High energy or reactive ball milling
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
    • C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
    • C04B35/00—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products
    • C04B35/622—Forming processes; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products
    • C04B35/626—Preparing or treating the powders individually or as batches ; preparing or treating macroscopic reinforcing agents for ceramic products, e.g. fibres; mechanical aspects section B
    • C04B35/62605—Treating the starting powders individually or as mixtures
    • C04B35/62695—Granulation or pelletising
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/06—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the coating material
    • C23C14/08—Oxides
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/06—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the coating material
    • C23C14/08—Oxides
    • C23C14/081—Oxides of aluminium, magnesium or beryllium
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/06—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the coating material
    • C23C14/08—Oxides
    • C23C14/086—Oxides of zinc, germanium, cadmium, indium, tin, thallium or bismuth
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
    • C23C14/54—Controlling or regulating the coating process
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
    • C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
    • C04B2235/00—Aspects relating to ceramic starting mixtures or sintered ceramic products
    • C04B2235/02—Composition of constituents of the starting material or of secondary phases of the final product
    • C04B2235/30—Constituents and secondary phases not being of a fibrous nature
    • C04B2235/32—Metal oxides, mixed metal oxides, or oxide-forming salts thereof, e.g. carbonates, nitrates, (oxy)hydroxides, chlorides
    • C04B2235/3217—Aluminum oxide or oxide forming salts thereof, e.g. bauxite, alpha-alumina
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
    • C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
    • C04B2235/00—Aspects relating to ceramic starting mixtures or sintered ceramic products
    • C04B2235/02—Composition of constituents of the starting material or of secondary phases of the final product
    • C04B2235/30—Constituents and secondary phases not being of a fibrous nature
    • C04B2235/32—Metal oxides, mixed metal oxides, or oxide-forming salts thereof, e.g. carbonates, nitrates, (oxy)hydroxides, chlorides
    • C04B2235/3231—Refractory metal oxides, their mixed metal oxides, or oxide-forming salts thereof
    • C04B2235/3244—Zirconium oxides, zirconates, hafnium oxides, hafnates, or oxide-forming salts thereof
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
    • C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
    • C04B2235/00—Aspects relating to ceramic starting mixtures or sintered ceramic products
    • C04B2235/02—Composition of constituents of the starting material or of secondary phases of the final product
    • C04B2235/30—Constituents and secondary phases not being of a fibrous nature
    • C04B2235/32—Metal oxides, mixed metal oxides, or oxide-forming salts thereof, e.g. carbonates, nitrates, (oxy)hydroxides, chlorides
    • C04B2235/3284—Zinc oxides, zincates, cadmium oxides, cadmiates, mercury oxides, mercurates or oxide forming salts thereof
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
    • C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
    • C04B2235/00—Aspects relating to ceramic starting mixtures or sintered ceramic products
    • C04B2235/02—Composition of constituents of the starting material or of secondary phases of the final product
    • C04B2235/30—Constituents and secondary phases not being of a fibrous nature
    • C04B2235/32—Metal oxides, mixed metal oxides, or oxide-forming salts thereof, e.g. carbonates, nitrates, (oxy)hydroxides, chlorides
    • C04B2235/3286—Gallium oxides, gallates, indium oxides, indates, thallium oxides, thallates or oxide forming salts thereof, e.g. zinc gallate
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
    • C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
    • C04B2235/00—Aspects relating to ceramic starting mixtures or sintered ceramic products
    • C04B2235/02—Composition of constituents of the starting material or of secondary phases of the final product
    • C04B2235/50—Constituents or additives of the starting mixture chosen for their shape or used because of their shape or their physical appearance
    • C04B2235/54—Particle size related information
    • C04B2235/5418—Particle size related information expressed by the size of the particles or aggregates thereof
    • C04B2235/5436—Particle size related information expressed by the size of the particles or aggregates thereof micrometer sized, i.e. from 1 to 100 micron
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
    • C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
    • C04B2235/00—Aspects relating to ceramic starting mixtures or sintered ceramic products
    • C04B2235/02—Composition of constituents of the starting material or of secondary phases of the final product
    • C04B2235/50—Constituents or additives of the starting mixture chosen for their shape or used because of their shape or their physical appearance
    • C04B2235/54—Particle size related information
    • C04B2235/5418—Particle size related information expressed by the size of the particles or aggregates thereof
    • C04B2235/5445—Particle size related information expressed by the size of the particles or aggregates thereof submicron sized, i.e. from 0,1 to 1 micron
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
    • C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
    • C04B2235/00—Aspects relating to ceramic starting mixtures or sintered ceramic products
    • C04B2235/70—Aspects relating to sintered or melt-casted ceramic products
    • C04B2235/74—Physical characteristics
    • C04B2235/77—Density

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Ceramic Engineering (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Structural Engineering (AREA)
  • Inorganic Chemistry (AREA)
  • Physical Vapour Deposition (AREA)
  • Compositions Of Oxide Ceramics (AREA)
  • Non-Insulated Conductors (AREA)
  • Manufacturing Of Electric Cables (AREA)

Abstract

1. Высокоплотная галлийоксид/цинкоксидная спеченная распыляемая мишень для формирования прозрачной электропроводной пленки, содержащей 20 млн-1 по массе или более каждого из оксида циркония и оксида алюминия, в которой общее содержание таковых составляет менее чем 250 млн-1, а величина объемного сопротивления мишени составляет 3,0 мОм или менее. ! 2. Высокоплотная галлийоксид/цинкоксидная спеченная распыляемая мишень по п.1, в которой концентрация галлия в оксиде цинка составляет от 1 до 7 мас.%, в пересчете на оксид галлия. ! 3. Высокоплотная галлийоксид/цинкоксидная спеченная распыляемая мишень по п.1 или 2, в которой спеченная плотность составляет 5,45 г/см3 или больше. ! 4. Способ формирования прозрачной электропроводной пленки для формирования тонкой пленки, состоящей из оксида галлия/оксида цинка, содержащей 20 млн-1 по массе или более каждого из оксида циркония и оксида алюминия, в которой общее содержание таковых составляет менее чем 250 млн-1, на субстрате путем проведения напыления с использованием галлийоксид/цинкоксидной мишени, содержащей 20 млн-1 по массе или более каждого из оксида циркония и оксида алюминия, в которой общее содержание таковых составляет менее чем 250 млн-1, и величина объемного сопротивления мишени составляет 3,0 мОм или менее. ! 5. Способ по п.4, в котором концентрация галлия в оксиде цинка в прозрачной электропроводной пленке составляет от 1 до 7 мас.%, в пересчете на оксид галлия. ! 6. Прозрачная электропроводная пленка, превосходная по электрической проводимости, состоящая из оксида галлия/оксида цинка, в которой галлийоксид/цинкоксидная прозрачная электропроводная пленка, сформированная на субстрат

Claims (7)

1. Высокоплотная галлийоксид/цинкоксидная спеченная распыляемая мишень для формирования прозрачной электропроводной пленки, содержащей 20 млн-1 по массе или более каждого из оксида циркония и оксида алюминия, в которой общее содержание таковых составляет менее чем 250 млн-1, а величина объемного сопротивления мишени составляет 3,0 мОм или менее.
2. Высокоплотная галлийоксид/цинкоксидная спеченная распыляемая мишень по п.1, в которой концентрация галлия в оксиде цинка составляет от 1 до 7 мас.%, в пересчете на оксид галлия.
3. Высокоплотная галлийоксид/цинкоксидная спеченная распыляемая мишень по п.1 или 2, в которой спеченная плотность составляет 5,45 г/см3 или больше.
4. Способ формирования прозрачной электропроводной пленки для формирования тонкой пленки, состоящей из оксида галлия/оксида цинка, содержащей 20 млн-1 по массе или более каждого из оксида циркония и оксида алюминия, в которой общее содержание таковых составляет менее чем 250 млн-1, на субстрате путем проведения напыления с использованием галлийоксид/цинкоксидной мишени, содержащей 20 млн-1 по массе или более каждого из оксида циркония и оксида алюминия, в которой общее содержание таковых составляет менее чем 250 млн-1, и величина объемного сопротивления мишени составляет 3,0 мОм или менее.
5. Способ по п.4, в котором концентрация галлия в оксиде цинка в прозрачной электропроводной пленке составляет от 1 до 7 мас.%, в пересчете на оксид галлия.
6. Прозрачная электропроводная пленка, превосходная по электрической проводимости, состоящая из оксида галлия/оксида цинка, в которой галлийоксид/цинкоксидная прозрачная электропроводная пленка, сформированная на субстрате путем напыления с использованием галлийоксид/цинкоксидной мишени, содержащей 20 млн-1 по массе или более каждого из оксида циркония и оксида алюминия, в которой общее содержание таковых составляет менее чем 250 млн-1, и величина объемного сопротивления мишени составляет 3,0 мОм или менее, содержит 20 млн-1 по массе или более каждого из оксида циркония и оксида алюминия, и общее содержание таковых составляет менее чем 250 млн-1.
7. Прозрачная электропроводная пленка, превосходная по электрической проводимости, по п.6, в которой концентрация галлия в оксиде цинка в прозрачной электропроводной пленке составляет от 1 до 7 мас.%, в пересчете на оксид галлия.
RU2008122925/02A 2005-12-08 2006-11-17 Галлийоксид/цинкоксидная распыляемая мишень, способ формирования прозрачной электропроводной пленки и прозрачная электропроводная пленка RU2389824C2 (ru)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2005354918 2005-12-08
JP2005-354918 2005-12-08

Publications (2)

Publication Number Publication Date
RU2008122925A true RU2008122925A (ru) 2009-12-20
RU2389824C2 RU2389824C2 (ru) 2010-05-20

Family

ID=38122640

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
RU2008122925/02A RU2389824C2 (ru) 2005-12-08 2006-11-17 Галлийоксид/цинкоксидная распыляемая мишень, способ формирования прозрачной электропроводной пленки и прозрачная электропроводная пленка

Country Status (7)

Country Link
US (1) US7674404B2 (ru)
JP (1) JP4926977B2 (ru)
KR (1) KR101006037B1 (ru)
CN (1) CN101326304B (ru)
RU (1) RU2389824C2 (ru)
TW (1) TW200730646A (ru)
WO (1) WO2007066490A1 (ru)

Families Citing this family (18)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7010002B2 (en) 2001-06-14 2006-03-07 At&T Corp. Broadband network with enterprise wireless communication method for residential and business environment
RU2380455C2 (ru) * 2005-06-28 2010-01-27 Ниппон Майнинг Энд Металз Ко., Лтд. Распыляемая мишень на основе оксид галлия-оксид цинка, способ формирования прозрачной проводящей пленки и прозрачная проводящая пленка
US8252206B2 (en) * 2007-06-26 2012-08-28 Jx Nippon Mining & Metals Corporation Amorphous film of composite oxide, crystalline film of composite oxide, method of producing said films and sintered compact of composite oxide
CN101687708B (zh) * 2007-07-13 2013-01-02 Jx日矿日石金属株式会社 复合氧化物烧结体、非晶复合氧化膜及其制造方法和晶体复合氧化膜及其制造方法
KR101342721B1 (ko) * 2007-09-27 2013-12-18 미쓰비시 마테리알 가부시키가이샤 ＺｎＯ 증착재와 그 제조 방법, 및 ＺｎＯ 막
JP5202630B2 (ja) * 2008-06-10 2013-06-05 Ｊｘ日鉱日石金属株式会社 スパッタリング用酸化物焼結体ターゲット及びその製造方法
JP4295811B1 (ja) * 2008-09-17 2009-07-15 三井金属鉱業株式会社 酸化亜鉛系ターゲット
CN101851745B (zh) * 2009-04-02 2012-12-26 宜兴佰伦光电材料科技有限公司 一种透明导电膜用izgo溅射靶材及制造方法
CN102459122B (zh) 2009-06-05 2014-02-05 吉坤日矿日石金属株式会社 氧化物烧结体、其制造方法以及氧化物烧结体制造用原料粉末
CN102191466A (zh) * 2010-03-18 2011-09-21 中国科学院福建物质结构研究所 镓掺杂氧化锌靶材及其透明导电膜的制备方法
JP5887819B2 (ja) 2010-12-06 2016-03-16 東ソー株式会社 酸化亜鉛焼結体、それから成るスパッタリングターゲットおよび酸化亜鉛薄膜
CN102212781B (zh) * 2011-05-10 2013-09-11 孔伟华 一种氧化锌铝溅射靶材的制造方法
JP2014005538A (ja) * 2012-06-26 2014-01-16 Samsung Corning Precision Materials Co Ltd 酸化亜鉛系スパッタリングターゲット、その製造方法、およびこれを通じて蒸着された遮断膜を有する薄膜トランジスタ
KR20150018728A (ko) 2013-08-09 2015-02-24 삼성디스플레이 주식회사 액정 표시 장치 및 이의 제조 방법
US9287106B1 (en) 2014-11-10 2016-03-15 Corning Incorporated Translucent alumina filaments and tape cast methods for making
CN107428616B (zh) 2015-02-27 2020-10-23 捷客斯金属株式会社 氧化物烧结体和包含该氧化物烧结体的溅射靶
JP6023920B1 (ja) 2015-02-27 2016-11-09 Ｊｘ金属株式会社 酸化物焼結体、酸化物スパッタリングターゲット及び酸化物薄膜
WO2016152349A1 (ja) 2015-03-23 2016-09-29 Ｊｘ金属株式会社 酸化物焼結体及び該酸化物焼結体からなるスパッタリングターゲット

Family Cites Families (20)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS62154411A (ja) * 1985-12-26 1987-07-09 三井金属鉱業株式会社 透明導電膜
JPH06177407A (ja) * 1992-12-02 1994-06-24 Mitsubishi Materials Corp 透明導電膜
US5736267A (en) * 1994-08-17 1998-04-07 Asahi Glass Company Ltd. Transparent conductive film and method for its production, and sputtering target
JPH10306367A (ja) * 1997-05-06 1998-11-17 Sumitomo Metal Mining Co Ltd スパッタリングターゲット用ＺｎＯ−Ｇａ２Ｏ３系焼結体およびその製造方法
JP3636914B2 (ja) * 1998-02-16 2005-04-06 株式会社日鉱マテリアルズ 高抵抗透明導電膜及び高抵抗透明導電膜の製造方法並びに高抵抗透明導電膜形成用スパッタリングターゲット
WO2001013371A1 (fr) * 1999-01-12 2001-02-22 Nikko Materials Company, Limited Film photoemetteur et cible de pulverisation pour former ce film photoemetteur
JP2000195101A (ja) * 1998-12-28 2000-07-14 Japan Energy Corp 光ディスク保護膜及び同保護膜形成用スパッタリングタ―ゲット
JP3904378B2 (ja) * 2000-08-02 2007-04-11 ローム株式会社 酸化亜鉛透明導電膜
KR20040045013A (ko) * 2001-09-27 2004-05-31 이데미쓰 고산 가부시키가이샤 스퍼터링 타겟 및 투명 도전막
JP4198918B2 (ja) * 2002-02-14 2008-12-17 日鉱金属株式会社 硫化亜鉛を主成分とするスパッタリングターゲット及び該スパッタリングターゲットの製造方法
CN1413947A (zh) * 2002-12-20 2003-04-30 清华大学 一种锌镓氧化物陶瓷靶材及其制备方法和应用
US7635440B2 (en) * 2003-03-04 2009-12-22 Nippon Mining & Metals Co., Ltd. Sputtering target, thin film for optical information recording medium and process for producing the same
KR100753329B1 (ko) * 2003-09-30 2007-08-29 닛코킨조쿠 가부시키가이샤 고순도 산화아연 분말 및 그 제조방법과 고순도 산화아연타겟트 및 고순도 산화아연 박막
JP2005219982A (ja) * 2004-02-06 2005-08-18 Mitsubishi Heavy Ind Ltd 透光性導電材料
RU2380455C2 (ru) * 2005-06-28 2010-01-27 Ниппон Майнинг Энд Металз Ко., Лтд. Распыляемая мишень на основе оксид галлия-оксид цинка, способ формирования прозрачной проводящей пленки и прозрачная проводящая пленка
WO2007000867A1 (ja) * 2005-06-28 2007-01-04 Nippon Mining & Metals Co., Ltd. 酸化ガリウム－酸化亜鉛系スパッタリングターゲット、透明導電膜の形成方法及び透明導電膜
KR101028985B1 (ko) * 2006-03-17 2011-04-12 제이엑스 닛코 닛세키 킨조쿠 가부시키가이샤 산화아연계 투명 도전체 및 동 투명 도전체 형성용 스퍼터링 타겟
WO2007141994A1 (ja) * 2006-06-08 2007-12-13 Sumitomo Metal Mining Co., Ltd. 酸化物焼結体、ターゲット、およびそれを用いて得られる透明導電膜、並びに透明導電性基材
JP5358891B2 (ja) * 2006-08-11 2013-12-04 日立金属株式会社 酸化亜鉛焼結体の製造方法
WO2008023482A1 (fr) * 2006-08-24 2008-02-28 Nippon Mining & Metals Co., Ltd. conducteur électrique transparent à base d'oxyde de zinc, cible de pulvérisation cathodique pour former le conducteur et processus de fabrication de la cible

Also Published As

Publication number Publication date
US20090250669A1 (en) 2009-10-08
CN101326304B (zh) 2011-05-04
KR20080066866A (ko) 2008-07-16
TW200730646A (en) 2007-08-16
CN101326304A (zh) 2008-12-17
WO2007066490A1 (ja) 2007-06-14
US7674404B2 (en) 2010-03-09
KR101006037B1 (ko) 2011-01-06
JPWO2007066490A1 (ja) 2009-05-14
TWI338720B (ru) 2011-03-11
JP4926977B2 (ja) 2012-05-09
RU2389824C2 (ru) 2010-05-20

Similar Documents

Publication Publication Date Title
RU2008122925A (ru) Галлийоксид/цинкоксидная распыляемая мишень, способ формирования прозрачной электропроводной пленки и прозрачная электропроводная пленка
RU2008102934A (ru) Распыляемая мишень на основе оксид галия-оксид цинка, способ формирования прозрачной проводящей пленки и прозрачная проводящая пленка
RU2016119630A (ru) Гибридный электрохимический конденсатор
EP2437271A3 (en) Voltage switchable dielectric material having conductive or semi-conductive organic material
EP1624472A3 (en) Porous Electrodes, Devices including the Porous Electrodes, and Methods for their Production
EP2717396A3 (en) Spark plug
RU2006109415A (ru) Электропроводной лакокрасочный материал для антикоррозионной защиты металлических конструкций
TW200511345A (en) Conductive separator and electrolytic capacitor using the same
JP4278468B2 (ja) 電池の正極材料及びそれを用いた空気電池
CN203312148U (zh) 一种高压真空断路器用真空灭弧室
EP1777763A3 (en) Alkaline battery
AU2003266107A1 (en) Coating of surfaces entering into contact with a liquid in order to prevent biological vegetation
RU2442148C1 (ru) Способ преобразования влажности газов в электрическое напряжение (ток) и устройство для его осуществления
CN2320330Y (zh) 电离式空气净化器
RU2003109339A (ru) Устройство для исследования пережигающего действия электрической дуги при коротком замыкании
RU2008139694A (ru) Электрод твердооксидного топливного элемента и способ его изготовления
RU2018113634A (ru) Проводник с равным нулю электрическим сопротивлением
RU2010154307A (ru) Контактный датчик для регистрации момента подлета поражающего элемента при взрыве осколочного боеприпаса
KR200266334Y1 (ko) 은(銀)의 미립자(微粒子)를 첨가한 은(銀)바닥재
TH1901002707A (th) ขั้วไฟฟ้าสำหรับแบตเตอรีทุติยภูมิที่ใช้อิเล็กโทรไลต์แบบนอนแอคเควียส,และแบตเตอรีทุติยภูมิที่ใช้อิเล็กโทรไลต์แบบนอนแอคเควียสที่ถูกจัดให้มีพร้อมกับขั้วไฟฟ้านั้น
CN105980605A (zh) 具有氧气和氢气释放的使用可饮水的发电机
RU137664U1 (ru) Электрохимическое устройство
AU2009100012A4 (en) 6 volt lantern battery case
KR200332973Y1 (ko) 단극 전위(single electrode potential)차를 이용한 일회용 전지
CN200965179Y (zh) Led路灯

Legal Events

Date Code Title Description
PC43 Official registration of the transfer of the exclusive right without contract for inventions

Effective date: 20110315

PD4A Correction of name of patent owner
PD4A Correction of name of patent owner