KR20040045013A - 스퍼터링 타겟 및 투명 도전막 - Google Patents

스퍼터링 타겟 및 투명 도전막 Download PDF

Info

Publication number
KR20040045013A
KR20040045013A KR10-2004-7004553A KR20047004553A KR20040045013A KR 20040045013 A KR20040045013 A KR 20040045013A KR 20047004553 A KR20047004553 A KR 20047004553A KR 20040045013 A KR20040045013 A KR 20040045013A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
oxide
mass
sputtering target
transparent conductive
conductive film
Prior art date
Application number
KR10-2004-7004553A
Other languages
English (en)
Inventor
이노우에가즈요시
마츠자키시게오
Original Assignee
이데미쓰 고산 가부시키가이샤
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 이데미쓰 고산 가부시키가이샤 filed Critical 이데미쓰 고산 가부시키가이샤
Publication of KR20040045013A publication Critical patent/KR20040045013A/ko

Links

Classifications

    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
    • C23C14/34—Sputtering
    • C23C14/3407—Cathode assembly for sputtering apparatus, e.g. Target
    • C23C14/3414—Metallurgical or chemical aspects of target preparation, e.g. casting, powder metallurgy
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
    • C23C14/34—Sputtering
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/06—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the coating material
    • C23C14/08—Oxides
    • C23C14/086—Oxides of zinc, germanium, cadmium, indium, tin, thallium or bismuth

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Physical Vapour Deposition (AREA)
  • Compositions Of Oxide Ceramics (AREA)

Abstract

본 발명은, 스퍼터링법에 의한 투명 도전막 제막시의 노듈 발생을 억제하여 안정성이 좋게 제막할 수 있는 스퍼터링 타겟, 및 에칭 가공성이 우수한 투명 도전막에 관한 것으로, (1) 산화인듐, 산화갈륨 및 산화아연으로 이루어진 특정한 금속 산화물의 소결체, 또는 (2) 산화인듐, 산화갈륨 및 산화게르마늄으로 이루어진 특정한 금속 산화물의 소결체로 이루어진 것이다.

Description

스퍼터링 타겟 및 투명 도전막{SPUTTERING TARGET AND TRANSPARENT ELECTROCONDUCTIVE FILM}
액정 표시장치 또는 전자발광 표시장치는 표시 성능이 우수하고 또한 소비 전력이 적기 때문에, 휴대 전화 또는 퍼스널 컴퓨터, 워드 프로세서, 텔레비젼 등의 표시기기에 널리 이용되고 있다. 그리고, 이들 표시기기는 어느 기기에 있어서도 표시 소자를 투명 도전막에 의해 협지한 샌드위치 구조를 가지고 있다. 이들 표시기기에 사용되는 투명 도전막으로서는 인듐 주석 산화물(이하, ITO라 약칭함)막이 주류를 차지하고 있다. 이것은 이 ITO막이 투명성 또는 도전성이 우수한 것 외에도 에칭 가공이 가능하고, 게다가 기판과의 밀착성도 우수하기 때문이다. 그리고, 이 ITO막은 통상적으로 스퍼터링법에 의해 제조되고 있다.
이와 같이, ITO막은 투명 도전막으로서 우수한 성능을 가지고 있지만, 타겟을 이용하여 스퍼터링법에 의해 제막할 때, 타겟 표면에 노듈이라 불리는 흑색 석출물(돌기물)이 발생하여, 제막 속도의 저하를 초래하기도 하고, 방전 전압이 상승하여 이상 방전하고, 이 때 노듈이 비산하여 제막 기판에 부착되어, 투명 도전막으로의 이물질 혼입의 원인이 된다는 문제가 있다. 이 노듈이 발생하였을 경우에는 제막 조작을 중단하고, 타겟 표면의 노듈을 연마에 의해 제거해야 하며, 이 때문에 투명 도전막 생산성의 대폭적인 저하를 초래하게 된다.
이에, 투명 도전막의 제조 조작을 중단하지 않고, 노듈의 비산에 따른 투명 도전막으로의 이물질 혼입을 저지하기 위해, 제막 장치의 전원 회로에 이상 방전의 발생을 억제하는 수단을 마련하는 것이 검토되고 있지만, 노듈의 발생을 완전히 억제할 수 있을 정도까지는 이르지 않았다. 또한, 이 노듈의 발생을 억제하기 위해, 고온 소결하여 고밀도화함으로써 세공을 줄임으로써, 이론 밀도비의 99% 정도로 타겟이 제조되고 있지만, 이 경우에도 노듈의 발생을 완전히 억제할 수는 없다. 이러한 상황에서, 스퍼터링법에 의한 제막시에 노듈의 발생이 없고 안정하게 제막할 수 있는 투명 도전막 형성용 타겟의 개발이 요구되고 있다.
또한, ITO막은 제막후 회로 패턴의 형성시에 있어서, 강산 또는 왕수 등을 이용하여 에칭 가공되고 있지만, 박막형 트랜지스터의 배선 재료인 알루미늄이 부식될 우려가 크다고 하는 문제가 있다. 이에, 이와 같은 배선 재료에 악영향을 미치지 않고 에칭 가공을 할 수 있는 투명 도전막의 개발이 요구되고 있다.
본 발명은 스퍼터링법에 의한 투명 도전막의 제조시 노듈 발생을 억제하여 안정성이 좋게 제막할 수 있는 스퍼터링 타겟, 및 에칭 가공성이 우수한 투명 도전막을 제공하는 것을 목적으로 한다.
발명의 요약
본 발명자들은 상기 과제를 해결하기 위해 예의 검토를 거듭한 결과, 기본적으로 ITO막 형성용 타겟에 발생하는 노듈은 타겟 표면의 스퍼터링시 비스퍼터링화된 잔사이며, 이 비스퍼터링화된 잔사가 생기는 원인은 그 타겟을 구성하는 금속 산화물의 결정 입경에 의존하고 있음을 발견하였다. 즉, 이 타겟을 구성하는 금속 산화물인 산화인듐의 결정이 일정한 입경을 초과하여 증대되면, 타겟 표면으로의 노듈의 발생이 급격히 증대함을 발견하였고, 이러한 지견에 기초하여 본 발명을 완성하기에 이르렀다. 본 발명은 제 1 발명 및 제 2 발명으로 이루어진다.
즉, 제 1 발명의 요지는 다음과 같다.
(1) 산화인듐, 산화갈륨 및 산화아연으로 이루어진 금속 산화물의 소결체로서, 상기 금속 산화물이 In2O3(ZnO)m[여기서, m은 2 내지 10의 정수임], In2Ga2ZnO7, InGaZnO4, InGaZn2O5, InGaZn3O6, InGaZn4O7, InGaZn5O8, InGaZn6O9및 InGaZn7O10의 군에서 선택된 1종 또는 2종 이상의 육방정 층상 화합물을 함유하며, 또한 산화인듐 90 내지 99 질량%, 및 산화갈륨과 산화아연의 합계 1 내지 10 질량%의 조성을 갖는 소결체로 이루어진 스퍼터링 타겟.
(2) 금속 산화물의 소결체가 산화인듐 90 내지 98 질량%, 및 산화갈륨과 산화아연의 합계 2 내지 10 질량%의 조성을 갖는 것인, 상기 (1)에 기재된 스퍼터링 타겟.
(3) 금속 산화물의 소결체가 산화인듐 92 내지 97 질량%, 및 산화갈륨과 산화아연의 합계 3 내지 8 질량%의 조성을 갖는 것인, 상기 (1)에 기재된 스퍼터링 타겟.
(4) 육방정 층상 화합물의 결정의 최대 입경이 5㎛ 이하인, 상기 (1) 내지 (3) 중 어느 하나에 기재된 스퍼터링 타겟.
(5) 최대 입경이 3㎛ 이하인, 상기 (4)에 기재된 스퍼터링 타겟.
(6) 산화인듐, 산화주석, 산화갈륨 및 산화아연으로 이루어진 금속 산화물의 소결체로서, 상기 금속 산화물이 In2O3(ZnO)m[여기서, m은 2 내지 10의 정수임.], In2Ga2ZnO7, InGaZnO4, InGaZn2O5, InGaZn3O6, InGaZn4O7, InGaZn5O8, InGaZn6O9및 InGaZn7O10의 군에서 선택된 1종 또는 2종 이상의 육방정 층상 화합물을 함유하며, 또한 산화인듐 70 내지 94 질량%, 산화주석 5 내지 20 질량%, 및 산화갈륨과 산화아연의 합계 1 내지 10 질량%의 조성을 갖는 소결체로 이루어진 스퍼터링 타겟.
(7) 금속 산화물의 소결체가 산화인듐 75 내지 93 질량%, 산화주석 5 내지 15 질량%, 및 산화갈륨과 산화아연의 합계 2 내지 10 질량%의 조성을 갖는 것인, 상기 (6)에 기재된 스퍼터링 타겟.
(8) 금속 산화물의 소결체가, 산화인듐 80 내지 90질량%, 산화주석 7 내지 12 질량%, 및 산화갈륨과 산화아연의 합계 3 내지 8 질량%의 조성을 갖는 것인, 상기 (6)에 기재된 스퍼터링 타겟.
(9) 육방정 층상 화합물의 결정의 최대 입경이 5㎛ 이하인, 상기 (6) 내지 (8) 중 어느 하나에 기재된 스퍼터링 타겟.
(10) 최대 입경이 3㎛ 이하인, 상기 (9)에 기재의 스퍼터링 타겟.
(11) 산화인듐, 산화갈륨 및 산화아연으로 이루어진 금속 산화물로서, 산화인듐 90 내지 99 질량%, 및 산화갈륨과 산화아연의 합계 1 내지 10 질량%의 조성을 갖는 금속 산화물로 이루어진 투명 도전막.
(12) 금속 산화물의 조성이, 산화인듐 90 내지 98 질량%, 및 산화갈륨과 산화아연의 합계 2 내지 10 질량%인, 상기 (11)에 기재된 투명 도전막.
(13) 금속 산화물의 조성이, 산화인듐 92 내지 97 질량%, 및 산화갈륨과 산화아연의 합계 3 내지 8 질량%인, 상기 (11)에 기재된 투명 도전막.
(14) 산화인듐, 산화주석, 산화갈륨 및 산화아연으로 이루어진 금속 산화물로서, 산화인듐 70 내지 94 질량%, 산화주석 5 내지 20 질량%, 및 산화갈륨과 산화아연의 합계 1 내지 10 질량%의 조성을 갖는 금속 산화물로 이루어진 투명 도전막.
(15) 금속 산화물의 조성이, 산화인듐 75 내지 93 질량%, 산화주석 5 내지 15 질량%, 및 산화갈륨과 산화아연의 합계 2 내지 10질량%인, 상기 (14)에 기재된 투명 도전막.
(16) 금속 산화물의 조성이, 산화인듐 80 내지 90 질량%, 산화주석 7 내지 12 질량%, 및 산화갈륨과 산화아연의 합계 3 내지 8 질량%인, 상기 (14)에 기재된 투명 도전막.
(17) 상기 (14) 내지 (16) 중 어느 하나에 따른 투명 도전막을, 230℃ 이상의 온도에서 열 처리하여 이루어진 투명 도전막.
(18) 상기 (14) 내지 (16) 중 어느 하나에 따른 투명 도전막을, 패턴화 처리한 후,230℃ 이상의 온도에서 열 처리하여 이루어진 투명 도전막.
(19) 상기 (1) 내지 (10) 중 어느 하나에 따른 스퍼터링 타겟을 이용하여, 스퍼터링법에 의해 제막하는 것을 특징으로 하는, 투명 도전막의 제조방법.
또한, 제 2 발명의 요지는 하기와 같다.
(1) [A1](al) 산화인듐 85 내지 99 질량%, 및 [B] 산화갈륨과 [C] 산화게르마늄의 합계 1 내지 15 질량%로 이루어진 금속 산화물의 소결체로 이루어진 스퍼터링 타겟으로서, 적어도 상기 소결체 중의 산화인듐 성분에, 갈륨 원자가 치환-고용된 산화인듐 및 게르마늄 원자가 치환-고용된 산화인듐이 존재하여 이루어진 스퍼터링 타겟.
(2) [A1] 성분의 함유 비율이 90 내지 97 질량%이며, [B] 성분과 [C] 성분의 함유 비율의 합계가 3 내지 10 질량%인 금속 산화물의 소결체로 이루어진, 상기 (1)에 기재된 스퍼터링 타겟.
(3) 갈륨 원자가 치환-고용된 산화인듐 또는 게르마늄 원자가 치환-고용된 산화인듐 결정의 각각의 최대 입경이 5㎛ 이하인, 상기 (1) 또는 (2)에 기재된 스퍼터링 타겟.
(4) 최대 입경이 3㎛ 이하인, 상기 (3)에 기재된 스퍼터링 타겟.
(5) [A2](a2) 산화인듐과 (a3) 산화주석의 합계 90 내지 99 질량%, 및 [B] 산화갈륨과 [C] 산화게르마늄의 합계 1 내지 10 질량%로 이루어진 금속 산화물의 소결체로 이루어진 스퍼터링 타겟으로서, 적어도 상기 소결체 중의 산화인듐 성분에, 주석 원자가 치환-고용된 산화인듐, 갈륨 원자가 치환-고용된 산화 인듐 및 게르마늄원자가 치환-고용된 산화인듐이 존재하여 이루어진 스퍼터링 타겟.
(6) [A2] 성분의 함유 비율이 90 내지 98 질량%이며, [B] 성분과 [C] 성분의 함유 비율의 합계가 2 내지 10 질량%인 금속 산화물의 소결체로 이루어진, 상기 (5)에 기재된 스퍼터링 타겟.
(7) [A2] 성분의 함유 비율이 92 내지 97 질량%이며, [B] 성분과 [C] 성분의 함유 비율의 합계가 3 내지 8 질량%인 금속 산화물의 소결체로 이루어진, 상기 (5)에 기재된 스퍼터링 타겟.
(8) 주석 원자가 치환-고용된 산화인듐, 갈륨 원자가 치환-고용된 산화인듐 또는 게르마늄 원자가 치환-고용된 산화인듐 결정의 각각의 최대 입경이 5㎛ 이하인, 상기 (5) 내지 (7) 중 어느 하나에 기재된 스퍼터링 타겟.
(9) 최대 입경이 3㎛ 이하인, 상기 (8)에 기재된 스퍼터링 타겟.
(10) [A1](a1) 산화인듐 85 내지 99 질량%, 및 [B] 산화갈륨과 [C] 산화게르마늄의 합계 1 내지 10 질량%로 이루어진 금속 산화물로 이루어진 투명 도전막으로서, 적어도 상기 소결체 중의 산화인듐 성분에, 갈륨 원자가 치환-고용된 산화인듐 및 게르마늄 원자가 치환-고용된 산화인듐이 존재하여 이루어진 투명 도전막.
(11) [A1] 성분의 함유 비율이 90 내지 97 질량%이며, [B] 성분과 [C] 성분의 함유 비율의 합계가 3 내지 10 질량%인 금속 산화물로 이루어진, 상기 (10)에 기재된 투명 도전막.
(12) [A2](a2) 산화인듐과 (a3) 산화주석의 합계 90 내지 99 질량%, 및 [B] 산화갈륨과 [C] 산화게르마늄의 합계 1 내지 10 질량%로 이루어진 금속 산화물로 이루어진 투명 도전막으로서, 적어도 상기 소결체 중의 산화인듐 성분에, 주석 원자가 치환-고용된 산화인듐, 갈륨 원자가 치환-고용된 산화 인듐 및 게르마늄 원자가 치환-고용된 산화인듐이 존재하여 이루어진 투명 도전막.
(13) [A2] 성분의 함유 비율이 90 내지 98 질량%이며, [B] 성분과 [C] 성분의 함유 비율의 합계가 2 내지 10 질량%인 금속 산화물로 이루어진, 상기 (12)에 기재된 투명 도전막.
(14) [A2] 성분의 함유 비율이 92 내지 97 질량%이며, [B] 성분과 [C] 성분의 함유 비율의 합계가 3 내지 8 질량%인 금속 산화물로 이루어진, 상기 (12)에 기재된 투명 도전막.
(15) 상기 (12) 내지 (14) 중 어느 하나에 따른 투명 도전막을 230℃ 이상의 온도에서 열 처리하여 이루어진 투명 도전막.
(16) 상기 (1) 내지 (9) 중 어느 하나에 따른 스퍼터링 타겟을 이용하여 스퍼터링법에 의해 제막하는 것을 특징으로 하는 투명 도전막의 제조방법.
본 발명은 스퍼터링법에 의한 투명 도전막 제조시 노듈(nodule) 발생을 억제하여 안정성이 좋게 제막(製膜)할 수 있는 스퍼터링 타겟, 및 에칭 가공성이 우수한 투명 도전막에 관한 것이다.
이하에, 본 발명의 실시 형태에 대하여 설명한다.
[I] 제 1 발명
본 제 1 발명(이하, 본 항에 있어서 단순히 "본 발명"이라 지칭할 수 있다)의 스퍼터링 타겟은 산화인듐, 산화갈륨 및 산화아연으로 이루어진 금속 산화물의소결체로서, 상기 금속 산화물이 In2O3(ZnO)m[여기서, m은 2 내지 10의 정수임], In2Ga2ZnO7, InGaZnO4, InGaZn2O5, InGaZn3O6, InGaZn4O7, InGaZn5O8, InGaZn6O9및 InGaZn7O10의 군에서 선택된 1종 또는 2종 이상의 육방정 층상 화합물을 함유하며, 또한 산화인듐 90 내지 99 질량%, 및 산화갈륨과 산화아연의 합계 1 내지 10 질량%의 조성을 갖는 소결체로 이루어진 스퍼터링 타겟이다.
여기에서, 산화인듐, 산화갈륨 및 산화아연으로 이루어진 금속 산화물이, 함유하는 육방정 층상 화합물 중, 화학식 In2O3(ZnO)m으로 표시되는 금속 산화물에 대해서는, 이 식 중의 m의 값이 2 내지 10인 화합물 중 어느 하나일 수 있지만, 이들 중에서도 이 m의 값이 2 내지 7인 것이 부피 저항율이 낮기 때문에 바람직하다.
그리고, 이들 산화인듐, 산화갈륨 및 산화아연으로 이루어진 금속 산화물의 조성에 대해서는, 산화인듐을 90 내지 99 질량%로 하고, 산화갈륨과 산화아연의 합계를 1 내지 10 질량%로 한다. 이는 산화갈륨과 산화아연의 함유 비율의 합계가 1질량% 미만이면, 그 스퍼터링 타겟을 이용하여 얻어지는 투명 도전막의 에칭 가공성이 저하되게 된다. 또한, 산화갈륨과 산화아연의 함유 비율의 합계가 10 질량%를 초과하면, 그 경우에 얻어지는 투명 도전막의 도전성의 저하를 초래하게 되기 때문이다. 그리고, 이 금속 산화물의 조성에 대해서는, 산화인듐이 90 내지 98 질량%이며, 산화갈륨과 산화아연의 합계가 2 내지 10 질량%인 것이 더욱 바람직하고, 산화인듐이 92 내지 97 질량%이며, 산화갈륨과 산화아연의 합계가 3 내지 8 질량%인 것이 더욱 바람직하다.
또한, 이 금속 산화물에 포함되는 산화갈륨과 산화아연에 대해서는, 산화갈륨의 함유 비율이 산화아연의 함유 비율과 동일하거나 또는 큰 것이, 그 스퍼터링 타겟을 이용하여 얻어지는 투명 도전막의 투명성이 우수하기 때문에 바람직하다. 이 산화갈륨의 함유 비율은 산화아연의 1.5배 이상인 것이 더욱 바람직하고, 2배 이상인 것이 더욱 바람직하다.
그리고, 이 금속 산화물에 함유되어 있는 육방정 층상 화합물에 대해서는, 그 결정의 최대 입경이 5㎛ 이하인 것이 바람직하다. 이는 이 금속 산화물의 소결체에 있어서, 산화인듐 결정의 입계에 존재하는 육방정 층상 화합물 결정의 최대 입경을 5㎛ 이하로 제어함으로써, 여기에 인접하는 산화인듐 결정의 성장이 억제되어, 그 최대 입경을 10㎛ 이하로 제어할 수 있기 때문이다. 따라서, 이 육방정 층상 화합물의 결정의 최대 입경은 추가로 3㎛ 이하로 제어하는 것이 더욱 바람직하고, 그 경우 소결체 중에 존재하는 산화인듐 결정의 최대 입경을 7㎛ 이하로 제어할 수 있다. 이와 같이, 이 금속 산화물의 소결체 중에 존재하는 결정의 입경을 감소시킴으로써, 그 소결체로 이루어진 스퍼터링 타겟을 이용하여 제막할 때 노듈의 발생을 억제할 수 있게 되는 것이다. 또한, 이 육방정 층상 화합물은 그 함유 비율을 높일 수록 산화인듐 결정의 입경 억제 효과를 향상시킬 수 있지만, 그 스퍼터링 타겟을 이용하여 얻어지는 투명 도전막의 도전성이 저하되기 때문에, 산화갈륨과 산화아연의 함유 비율의 합계가 10 질량% 이내의 조성 범위에 있어서 육방정 층상 화합물을 형성시키도록 한다.
여기에서, 이 금속 산화물 중의 육방정 층상 화합물은, 예컨대 X선 회절법및 EPMA(Electron Prove Micro Analysis)법에 의한 분석에 의해 확인할 수 있다. 그리고, 이들 육방정 층상 화합물 결정의 최대 입경은, 스퍼터링 타겟의 형상이 원형인 경우, 원의 중심점(1 군데)과, 그 중심점에서 직교하는 2개의 중심선 상의 중심점과 주연부의 중간점(4 군데)의 합계 5 군데에서, 또한 스퍼터링 타겟의 형상이 사각형인 경우에는 그 중심점(1 군데)과, 사각형의 대각선 상의 중심점과 모서리부의 중간점(4 군데)의 합계 5 군데에서, 이 타겟 표면의 연마면을 주사형 전자 현미경에 의해 2,500배로 확대하고 50㎛ 사방의 범위내에서 관찰되는 최대 입자에 대하여 그 최대 직경을 측정하여, 이들 5군데의 범위내의 각각에 존재하는 최대 입자의 입경 평균치이다.
또한, 본 발명의 스퍼터링 타겟은 산화인듐, 산화주석, 산화갈륨 및 산화아연으로 이루어진 금속 산화물의 소결체로서, 상기 금속 산화물이 In2O3(ZnO)m[여기서, m은 2 내지 10의 정수임.], In2Ga2ZnO7, InGaZnO4, InGaZn2O5, InGaZn3O6, InGaZn4O7, InGaZn5O8, InGaZn6O9및 InGaZn7O10의 군에서 선택된 1종 또는 2종 이상의 육방정 층상 화합물을 함유하며, 또한 산화인듐 70 내지 94 질량%, 산화주석 5 내지 20 질량%, 및 산화갈륨과 산화아연의 합계 1 내지 10 질량%의 조성을 갖는 4성분계의 금속 산화물의 소결체로 이루어진 것일 수 있다.
그리고, 이 4성분계의 금속 산화물의 소결체로 이루어진 스퍼터링 타겟에 있어서는, 산화주석 성분의 함유 비율을 5 내지 20 질량%로 하지만, 이는 산화주석의 함유 비율이 5 질량% 미만이면, 스퍼터링 타겟의 전기 저항이 충분히 내려가지 않게 될 수 있고, 또한 산화주석의 함유 비율이 20 질량%를 초과하면, 그 전기 저항이 높아질 수 있기 때문이다. 이 소결체 중의 산화주석 성분의 함유 비율에 대해서는, 5 내지 15 질량%인 것이 더욱 바람직하고, 7 내지 12 질량%인 것이 더욱 바람직하다. 또한, 이 스퍼터링 타겟에 있어서의 산화갈륨 성분과 산화아연 성분에 대해서는, 이들의 합계가 1 내지 10 질량%가 되도록 한다. 이는 산화갈륨과 산화아연의 함유 비율의 합계가 1 질량% 미만이면, 얻어지는 투명 도전막이 결정화하여, 에칭 가공성이 저하되게 되고, 또한 산화갈륨과 산화아연의 함유 비율의 합계가 10 질량%를 초과하면, 얻어지는 투명 도전막의 도전성의 저하를 초래하게 되기 때문이다.
그리고, 이 4성분계의 금속 산화물의 소결체로 이루어진 스퍼터링 타겟에 있어서의 금속 산화물의 조성에 대해서는, 산화인듐이 75 내지 93 질량%, 산화주석이 5 내지 15 질량%, 산화갈륨과 산화아연의 합계가 2 내지 10 질량%인 것이 바람직하다. 또한, 이 금속 산화물은 산화인듐이 80 내지 90 질량%, 산화주석이 7 내지 12 질량%, 산화갈륨과 산화아연의 합계가 3 내지 8 질량%인 것이 더욱 바람직하다.
또한, 이 스퍼터링 타겟 중의 산화주석과 산화아연의 함유 비율에 대해서는, 산화주석의 함유 비율이 산화아연의 함유 비율보다 큰 것이, 얻어지는 투명 도전막의 도전성을 향상시킬 수 있는 점에서 바람직하다. 이 산화주석의 함유 비율은 산화아연의 함유 비율의 1.5배 이상인 것이 바람직하고, 2배 이상인 것이 더욱 바람직하다.
또한, 이 스퍼터링 타겟에 함유되어 있는 육방정 층상 화합물은 그 결정의최대 입경이 5㎛ 이하인 것이 바람직하다. 이는 이 금속 산화물의 소결체에 있어서, 산화인듐 결정의 입계에 존재하는 육방정 층상 화합물 결정의 최대 입경을 5㎛ 이하로 제어함으로써, 여기에 인접하는 산화인듐 결정의 성장이 억제되어, 그 최대 입경을 10㎛ 이하로 억제할 수 있게 되기 때문이다. 그리고, 이 육방정 층상 화합물의 결정의 최대 입경은 3㎛ 이하로 더욱 제어하는 것이 바람직하고, 그 경우, 소결체 중의 산화인듐 결정의 최대 입경을 7㎛ 이하로 억제할 수 있다. 이와 같이, 스퍼터링 타겟을 구성하는 소결체 중의 산화인듐 결정의 입경을 작게 함으로써, 제막시 노듈의 발생을 억제할 수 있게 되는 것이다.
다음에, 이 스퍼터링 타겟을 제조하는 방법에 대해서는, 예컨대 산화인듐, 산화갈륨 및 산화아연, 또는 추가로 산화주석 분말을 혼합 분쇄하고, 수득된 미분말을 주물 또는 분무 건조기에 의해 과립화하고, 그 과립화물을 프레스 성형하여 성형체를 소결한 후, 그 소결체를 절삭 가공함으로써 제조할 수 있다. 여기에서, 원료의 각 금속 산화물의 혼합 또는 분쇄는 습식 혼합 분쇄기, 예컨대 습식 볼밀 또는 비이드 밀, 초음파 등에 의해 실시할 수 있다. 이 경우, 원료 분말의 분쇄는 그 분쇄물의 평균입경이 1㎛ 이하가 되도록 하는 것이 좋다.
그리고, 이 금속 산화물의 소성 조건은 공기 또는 산소 가스 분위기하에서, 소성 온도를 1,300 내지 1,700℃, 바람직하게는 1,450 내지 1,600℃로 하고, 소성 시간을 2 내지 36 시간, 바람직하게는 4 내지 24 시간으로 한다. 소성시의 승온 속도는 2 내지 10℃/분간으로 하는 것이 좋다. 또한, 수득된 소결체로부터 스퍼터링 타겟을 제작하기 위해서는, 이 소결체를 스퍼터링 장치로의 장착에 적합한 형상으로 절삭 가공하고, 여기에 장착용 지그(jig)를 부착하면 바람직하다.
이어서, 본 발명의 투명 도전막은 상기 스퍼터링 타겟을 이용하여, 스퍼터링법에 의해 기판상에 형성시킨다. 여기에서 사용하는 기판으로서는, 투명성이 높은 기판이 바람직하고, 종래부터 사용되고 있는 유리 기판이나, 투명 합성 수지제의 필름, 시트를 이용할 수 있다. 이러한 합성 수지로서는, 폴리카보네이트 수지, 폴리메틸 메타크릴레이트 수지, 폴리에스테르 수지, 폴리에테르설폰 수지, 폴리아크릴레이트 수지 등이 사용된다.
그리고, 이 스퍼터링법에 의한 제막을 행할 때에는, 각종 스퍼터링 장치를 이용하여 실시할 수 있지만, 특히 마그네트론(magnetron) 스퍼터링 장치가 바람직하게 이용된다. 그리고, 이 마그네트론 스퍼터링 장치를 이용하여 스퍼터링에 의해 제막할 때의 조건으로서는, 사용하는 타겟의 표면적 또는 생산하는 투명 도전막의 막 두께에 의해 플라즈마의 출력은 변동하지만, 보통 이 플라즈마 출력을, 타겟의 표면적 1㎠당 0.3 내지 4W의 범위로 하고, 또한 제막 시간을 5 내지 120분간으로 함으로써,원하는 막 두께를 갖는 투명 도전막을 얻을 수 있다. 이 투명 도전막의 막 두께는 표시장치의 종류에 따라 다르지만, 보통, 200 내지 6,000Å, 바람직하게는 300 내지 2,000Å이다.
이렇게 해서 수득되는 본 발명의 투명 도전막은 산화인듐, 산화갈륨 및 산화아연으로 이루어진 금속 산화물로서, 산화인듐 90 내지 99 질량%, 및 산화갈륨과 산화아연의 합계 1 내지 10 질량%의 조성을 갖는 금속 산화물로 구성된 것이다.
그리고, 이 투명 도전막은 산화인듐 90 내지 99 질량%에 대하여, 산화갈륨과산화아연의 합계 1 내지 10 질량%의 조성을 갖는 금속 산화물로 구성되어 있기 때문에, 우수한 투명성과 도전성을 발현하는 동시에, 비정질이기 때문에 에칭 특성이 우수하다. 여기에서, 이들 산화갈륨과 산화아연의 함유 비율의 합계가 1 질량% 미만이면, 그 투명 도전막이 결정성이 되어 에칭 특성이 떨어지게 되고, 또한 산화갈륨과 산화아연의 함유 비율의 합계가 10 질량%를 초과하면, 그 투명 도전막의 도전성이 저하되게 된다. 또한, 이 투명 도전막으로서는, 산화인듐 90 내지 98 질량%, 및 산화갈륨과 산화아연의 합계 2 내지 10 질량%의 조성을 갖는 것이, 도전성 또는 에칭 특성이 더욱 우수하기 때문에 바람직하고, 산화인듐 92 내지 97 질량%, 및 산화갈륨과 산화아연의 합계 3 내지 8 질량%의 조성을 갖는 것이 더욱 바람직하다.
또한, 본 발명의 투명 도전막은 산화인듐, 산화주석, 산화갈륨 및 산화아연으로 이루어진 금속 산화물로서, 산화인듐 70 내지 94 질량%, 산화주석 5 내지 20 질량%, 및 산화갈륨과 산화아연의 합계 1 내지 10 질량%의 조성을 갖는 4성분의 금속 산화물로 구성되어 있는 것일 수 있다.
그리고, 이 4성분계의 금속 산화물로 이루어진 투명 도전막은 산화인듐 70 내지 94 질량%, 산화주석 5 내지 20 질량%, 및 산화갈륨과 산화아연의 합계 1 내지 10 질량%의 조성을 갖는 금속 산화물로 구성함으로써, 우수한 투명성과 도전성을 발현하는 동시에, 비정질로서 에칭 특성이 우수하다. 여기에서, 이 투명 도전막 중의 산화주석의 함유 비율을 5 내지 20 질량%로 하는 것은 이 산화주석의 함유 비율이 5 질량% 미만이면, 투명 도전막의 전기 저항이 내려가지 않을 수 있고, 또한 산화주석의 함유 비율이 20 질량%를 초과하면, 그 전기 저항이 높아질 수 있기 때문이다. 이 소결체 중의 산화주석의 함유 비율에 대해서는, 5 내지 15 질량%인 것이 더욱 바람직하고, 7 내지 12 질량%인 것이 더욱 바람직하다.
또한, 이 4성분계의 금속 산화물로 이루어진 투명 도전막에 대해서는, 산화주석의 함유 비율이 산화아연의 함유 비율보다 큰 것이 도전성이 우수하기 때문에 바람직하다. 그리고, 이 투명 도전막 중의 산화주석의 함유 비율은 산화아연의 함유 비율의 1.5배 이상인 것이 더욱 바람직하고, 2배 이상인 것이 더욱 바람직하다.
또한, 이 금속 산화물로 이루어진 투명 도전막 중의 산화갈륨과 산화아연의 합계의 함유 비율을 1 내지 10 질량%로 하지만, 이는 이들의 함유 비율이 1 질량% 미만이면, 투명 도전막이 결정성이 되어 에칭 특성이 떨어지게 되고, 또한 이들의 함유 비율이 10 질량%를 초과하면, 투명 도전막의 도전성이 떨어지게 되기 때문이다. 또한, 이 투명 도전막 중의 산화갈륨과 산화아연의 합계의 함유 비율은 2 내지 10 질량%인 것이 바람직하고, 3 내지 8 질량%인 것이 더욱 바람직하다.
또한, 이 4성분계의 금속 산화물로 이루어진 비정질의 투명 도전막은 그 제막 후에 230℃ 이상의 온도에서 열 처리함으로써 결정성을 가져, 더욱 도전성이 높은 투명 도전막을 얻을 수 있다. 이 경우의 열처리 온도는, 바람직하게는 250℃ 이상이고, 더욱 바람직하게는 260℃ 이상이다. 또한, 이 경우의 열 처리 시간은 0.1 내지 5시간으로 하면 바람직하다. 그리고, 이 열 처리는 스퍼터링 타겟을 이용하여 스퍼터링법에 의해 수득된 비정질 투명 도전막을 패턴화 처리한 후에 실시하는 것이 바람직하다. 이 패턴화 처리는, 예컨대 포토리소그래피법 등의 통상 실시되고 있는 방법으로 실시할 수 있다.
이렇게 해서 수득되는 투명 도전막은 파장 400nm의 빛에 대한 광선 투과율이 약 75%, 파장 550nm의 빛에 대한 광선투과율이 약 90%로써 투명성이 우수하고, 또한 높은 도전성을 갖는 것 외에도 일함수가 4.6전자 볼트 이하이기 때문에, 유기 전기발광 소자의 전자주입층과의 접속 저항을 낮게 억제할 수 있다. 따라서, 이 투명 도전막은 높은 투명성과 도전성이 요구되는 액정 표시 소자 또는 유기 전기발광 소자 표시 등의 각종 표시장치의 투명 전극에 바람직하게 사용된다.
이어서, 실시예 및 비교예에 의해 본 발명을 더욱 구체적으로 설명한다.
실시예 I-1
(1) 스퍼터링 타겟의 제조
원료로서, 산화인듐 분말을 93 질량%, 산화갈륨 분말을 4 질량%, 산화아연 분말을 3 질량%의 비율이 되도록 혼합하고, 이들 금속 산화물의 혼합 분말을 습식 볼 밀에 공급하여, 10 시간 혼합 분쇄함으로써 평균입경 1.8 내지 2㎛의 원료 분말을 수득하였다. 이어서, 수득된 원료 분말을 스프레이 건조기에 의해 건조하여 과립화하고, 수득된 과립화물을 금형에 충전하여, 프레스기에 의해 가압 성형하여 직경 10㎝, 두께 5㎜의 원반형의 성형체를 수득하였다.
이어서, 이 성형체를 소결로에 넣고, 산소 가스 가압 분위기하에 소결 온도를 1420 내지 1480℃의 범위내로 제어하면서 6시간 소결하였다.
여기에서 수득된 소결체에 대하여, X선회절법 및 EPMA법에 의해 분석한 결과, In2O3(ZnO)4및 InGaZnO4로 표시되는 육방정 층상 화합물이 생성되었음이 확인되었다. 또한, 이 원반형의 소결체의 중심점(1 군데)과, 그 중심점에서 직교하는 2개의 중심선 상의 중심점과 주연부의 중간점(4 군데)의 합계 5 군데에서, 주사형 전자현미경에 의해 2,500배의 확대 사진을 촬영하여, 그 50㎛ 사방의 범위내에서 관찰되는 최대의 결정 입자에 대하여 그 최대 직경을 측정하고, 이들 5 군데의 범위내에 존재하는 최대 결정 입자의 최대 직경의 평균치를 산출한 결과 2.8㎛였다. 또한, 이 소결체는 그 밀도가 6.6 g/㎤이며, 이는 이론 밀도비로 94%에 상당하는 것이었다. 또한, 이 소결체의 4 탐침법에 의해 측정한 벌크 저항치는 2.4×10-3Ω·㎝였다.
이렇게 해서 수득된 소결체를 절삭 가공하여, 직경 약 10㎝, 두께 약 5㎜의 스퍼터링 타겟을 제조하였다.
(2) 노듈 발생 유무의 관찰
상기 (1)에서 수득된 스퍼터링 타겟을, 구리제의 플레이트에 붙여서 DC 마그네트론 스퍼터링 장치에 장착하고, 분위기로서는, 아르곤 가스에 3%의 수소 가스를 첨가한 혼합 가스를 이용하여, 30 시간 연속하여 스퍼터링을 실시하였다. 이 경우의 스퍼터링 조건은 압력 3×10-1Pa, 도달 압력 5×10-4Pa, 기판 온도 25℃, 투입 전력 100W로 하였다. 또한, 분위기 가스에 첨가한 수소 가스는 노듈의 발생을 촉진하기 위해서이다.
그리고, 스퍼터링 후의 타겟 표면의 변화를 실체 현미경에 의해 50배로 확대하여 관찰하고, 시야 3㎟ 중에 발생한 20㎛ 이상의 노듈에 대하여 수평균을 계측하는 방법을 채용하였다. 그 결과, 여기에서 사용한 스퍼터링 타겟의 표면에는 노듈의 발생은 관찰되지 않았다.
여기에서 제조한 스퍼터링 타겟의 조성과 물성 및 노듈 발생 유무의 관찰 결과를 표 I-1에 나타내었다.
한편, 표 중, 예컨대 "실시예 I-1"에 대해서는 편의상 "실시예 1"로 하고 있다. 비교예에 대해서도 동일하다. 또한, 표 I-1 내지 표 I-6에 대해서도 마찬가지이다.
(3) 투명 도전막의 제조
상기 (1)에서 수득된 스퍼터링 타겟을, DC 마그네트론 스퍼터링 장치에 장착하고, 실온에서 유리 기판 상에 투명 도전막을 제막하였다. 여기에서의 스퍼터링 조건은 분위기로서 아르곤 가스에 소량의 산소 가스를 혼입한 혼합 가스를 이용하였고, 스퍼터링 압력 3×10-1Pa, 도달 압력 5×10-4Pa, 기판 온도 25℃, 투입 전력 100W, 제막 시간 20분간으로 하였다.
이 결과, 유리 기판 상에 막 두께 약 2,000Å의 투명 도전막이 형성된 투명 도전 유리가 수득되었다.
(4) 투명 도전막의 평가
상기 (3)에서 수득된 투명 도전 유리 상의 투명 도전막에 대하여 하기 항목에 대하여 평가하였다. 이들 결과를 표 I-2에 나타내었다.
1) 도전성
도전성에 대해서는 4 탐침법에 의해 투명 도전막의 비저항을 측정하였다. 그 결과, 비저항 값은 290×10-6Ω·㎝였다.
2) 투명성
투명성에 대해서는 분광광도계에 의해 광선 투과율을 측정하였다. 그 결과, 파장 400nm의 광선에 대한 광선 투과율이 75%이며, 또한 파장 550nm의 광선에 대한 광선 투과율이 91%였다.
3) 결정성
결정성에 대해서는 X선 회절법에 의해 측정하였다. 그 결과, 이 투명 도전막은 비정질이었다.
4) 에칭 특성
에칭 특성에 대해서는, 에칭액으로서 농도 3.5 질량%의 옥살산 수용액을 이용하여, 30℃에서 실시하였다. 그리고, 에칭 후의 투명 도전막의 에칭면의 상태를, 실체 현미경에 의해 관찰하였다. 그 결과, 투명 도전막의 에칭면에 막의 잔사가 존재하지 않음이 확인되었다.
또한, 에칭액으로서, 질산:인산:아세트산:물 = 2:17:1800:1000의 혼합산을 이용한 것 외에는 상기와 동일 조작을 하여 에칭 특성을 평가하였다. 그 결과, 투명 도전막의 에칭면에 막의 잔사가 존재하지 않음이 확인되었다.
5) 일함수
일함수에 대해서는 대기 자외광 전자분광법에 의해 측정하였다. 그 결과,이 투명 도전막의 일함수는 4.38전자 볼트였다.
실시예 I-2
(1) 스퍼터링 타겟의 제조 및 노듈 발생 유무의 관찰
원료의 사용 비율을 산화인듐 91 질량부, 산화갈륨 6 질량부, 산화아연 3 질량부로 변경한 것 외에는 실시예 I-1의 (1)과 동일하게 하여 스퍼터링 타겟을 제조하였다. 수득된 스퍼터링 타겟 중에는 In2Ga2ZnO7로 표시되는 육방정 층상 화합물이 생성되었음이 확인되었다.
이어서, 이 스퍼터링 타겟에 대하여, 스퍼터링시의 노듈 발생 유무의 관찰을, 실시예 I-1의 (2)와 동일하게 실시하였다.
이 스퍼터링 타겟의 조성과 물성 및 노듈 발생 유무의 관찰 결과를 표 I-1에 나타내었다.
(2) 투명 도전막의 제조 및 그 평가
상기 (1)에서 수득된 스퍼터링 타겟을 이용한 것 외에는 실시예 I-1의 (3)과 동일하게 하여 투명 도전막을 제조하였다.
이어서, 이 투명 도전막에 대하여, 실시예 I-1의 (4)와 동일하게 하여 투명 도전막을 평가하였다. 여기에서의 평가 결과를 표 I-2에 나타내었다.
실시예 I-3
(1) 스퍼터링 타겟의 제조 및 노듈 발생 유무의 관찰
원료의 사용 비율을 산화인듐 94 질량부, 산화갈륨 4 질량부 및 산화아연 2질량부로 변경한 것 외에는 실시예 I-1의 (1)과 동일하게 하여 스퍼터링 타겟을 제조하였다. 수득된 스퍼터링 타겟 중에는 InGaZnO4로 표시되는 육방정 층상 화합물이 생성되었음이 확인되었다.
이어서, 이 스퍼터링 타겟에 대하여, 스퍼터링시의 노듈 발생 유무의 관찰을, 실시예 I-1의 (2)와 동일하게 실시하였다.
이 스퍼터링 타겟의 조성과 물성 및 노듈 발생 유무의 관찰 결과를 표 I-1에 나타내었다.
(2) 투명 도전막의 제조 및 그 평가
상기 (1)에서 수득된 스퍼터링 타겟을 이용한 것 외에는 실시예 I-1의 (3)과 동일하게 하여 투명 도전막을 제조하였다.
이어서, 여기에서 수득된 투명 도전막에 대하여, 실시예 I-1의 (4)와 동일하게 하여 투명 도전막을 평가하였다. 여기에서의 평가 결과를 표 I-2에 나타내었다.
실시예 I-4
(1) 스퍼터링 타겟의 제조 및 노듈 발생 유무의 관찰
원료의 사용 비율을 산화인듐 92 질량부, 산화갈륨 6 질량부 및 산화아연 2 질량부로 변경한 것 외에는 실시예 I-1의 (1)과 동일하게 하여 스퍼터링 타겟을 제조하였다. 수득된 스퍼터링 타겟 중에는 In2Ga2ZnO7로 표시되는 육방정 층상 화합물이 생성되었음이 확인되었다.
이어서, 이 스퍼터링 타겟에 대하여, 스퍼터링시의 노듈 발생 유무의 관찰을, 실시예 I-1의 (2)와 동일하게 실시하였다.
이 스퍼터링 타겟의 조성과 물성 및 노듈 발생 유무의 관찰 결과를 표 I-1에 나타내었다.
(2) 투명 도전막의 제조 및 그 평가
상기 (1)에서 수득된 스퍼터링 타겟을 이용한 것 외에는 실시예 I-1의 (3)과 동일하게 하여 투명 도전막을 제조하였다.
이어서, 여기에서 수득된 투명 도전막에 대하여, 실시예 I-1의 (4)와 동일하게 하여 투명 도전막을 평가하였다. 여기에서의 평가 결과를 표 I-2에 나타내었다.
비교예 I-1
(1) 스퍼터링 타겟의 제조 및 노듈 발생 유무의 관찰
원료로서 산화인듐 90 질량부 및 산화갈륨 10 질량부를 이용한 것 외에는 실시예 I-1의 (1)과 동일하게 하여 스퍼터링 타겟을 제조하였다. 수득된 스퍼터링 타겟 중에는 육방정 층상 화합물이 생성되어 있는 것은 확인되지 않았다.
이어서, 이 스퍼터링 타겟에 대하여, 스퍼터링시의 노듈 발생 유무의 관찰을, 실시예 I-1의 (2)와 동일하게 실시하였다. 이 스퍼터링 타겟 표면에는 30 시간의 연속 스퍼터링 후에 50배로 확대한 시야 3㎟ 중에 21개의 노듈이 관찰되었다.
이 스퍼터링 타겟의 조성과 물성 및 노듈 발생 유무의 관찰 결과를 표 I-1에나타내었다.
(2) 투명 도전막의 제조 및 그 평가
상기 (1)에서 수득된 스퍼터링 타겟을 이용한 것 외에는 실시예 I-1의 (3)과 동일하게 하여 투명 도전막을 제조하였다.
이어서, 여기에서 수득된 투명 도전막에 대하여 실시예 I-1의 (4)와 동일하게 하여 투명 도전막을 평가하였다. 여기에서의 평가 결과를 표 I-2에 나타내었다.
비교예 I-2
(1) 스퍼터링 타겟의 제조 및 노듈 발생 유무의 관찰
원료의 사용 비율을 산화인듐 90 질량부 및 산화아연 10 질량부로 한 것 외에는 실시예 I-1의 (1)과 동일하게 하여 스퍼터링 타겟을 제조하였다. 수득된 스퍼터링 타겟 중에는, In2O3(ZnO)7로 표시되는 육방정 층상 화합물이 생성되었음이 확인되었다.
이어서, 이 스퍼터링 타겟에 대하여, 스퍼터링시의 노듈 발생 유무의 관찰을 실시예 I-1의 (2)와 동일하게 실시하였다. 이 스퍼터링 타겟 표면에는 30 시간의 연속 스퍼터링 후에 50배로 확대한 시야 3㎟ 중에 노듈은 관찰되지 않았다.
이 스퍼터링 타겟의 조성과 물성 및 노듈 발생 유무의 관찰 결과를 표 I-1에 나타내었다.
(2) 투명 도전막의 제조 및 그 평가
상기 (1)에서 수득된 스퍼터링 타겟을 이용한 것 외에는 실시예 I-1의 (3)과 동일하게 하여 투명 도전막을 제조하였다.
이어서, 여기에서 수득된 투명 도전막에 대하여 실시예 I-1의 (4)와 동일하게 하여 투명 도전막을 평가하였다. 여기에서의 평가 결과를 표 I-2에 나타내었다.
비교예 I-3
(1) 스퍼터링 타겟의 제조 및 노듈 발생 유무의 관찰
원료의 사용 비율을 산화인듐 95 질량부 및 산화갈륨 5 질량부로 한 것 외에는 실시예 I-1의 (1)과 동일하게 하여 스퍼터링 타겟을 제조하였다. 수득된 스퍼터링 타겟 중에는 육방정 층상 화합물이 생성되어 있는 것은 확인되지 않았다.
이어서, 이 스퍼터링 타겟에 대하여, 스퍼터링시의 노듈 발생 유무의 관찰을 실시예 I-1의 (2)와 동일하게 실시하였다. 이 스퍼터링 타겟 표면에는 30 시간의 연속 스퍼터링 후에 50배로 확대한 시야 3㎟ 중에 32개의 노듈이 관찰되었다.
이 스퍼터링 타겟의 조성과 물성 및 노듈 발생 유무의 관찰 결과를 표 I-1에 나타내었다.
(2) 투명 도전막의 제조 및 그 평가
상기 (1)에서 수득된 스퍼터링 타겟을 이용한 것 외에는 실시예 I-1의 (3)과 동일하게 하여 투명 도전막을 제조하였다.
이어서, 여기에서 수득된 투명 도전막에 대하여, 실시예 I-1의 (4)와 동일하게 하여 투명 도전막을 평가하였다. 여기서의 평가 결과를 표 I-2에 나타내었다.
비교예 I-4
(1) 스퍼터링 타겟의 제조 및 노듈 발생 유무의 관찰
원료의 사용 비율을 산화인듐 97 질량부 및 산화아연 3 질량부로 한 것 외에는 실시예 I-1의 (1)과 동일하게 하여 스퍼터링 타겟을 제조하였다. 수득된 스퍼터링 타겟 중에는 In2O3(ZnO)4로 표시되는 육방정 층상 화합물이 생성되었음이 확인되었다.
이어서, 이 스퍼터링 타겟에 대하여, 스퍼터링시의 노듈 발생 유무의 관찰을 실시예 I-1의 (2)와 동일하게 실시하였다. 이 스퍼터링 타겟 표면에는 30 시간의 연속 스퍼터링 후에, 50배로 확대한 시야 3㎟ 중에 12개의 노듈이 관찰되었다.
이 스퍼터링 타겟의 조성과 물성 및 노듈 발생 유무의 관찰 결과를 표 I-1에 나타내었다.
(2) 투명 도전막의 제조 및 그 평가
상기 (1)에서 수득된 스퍼터링 타겟을 이용한 것 외에는 실시예 I-1의 (3)과 동일하게 하여 투명 도전막을 제조하였다.
이어서, 여기에서 수득된 투명 도전막에 대하여, 실시예 I-1의 (4)와 동일하게 하여 투명 도전막을 평가하였다. 여기에서의 평가 결과를 표 I-2에 나타낸다.
실시예 I-5
(1) 스퍼터링 타겟의 제조 및 노듈 발생 유무의 관찰
원료의 사용 비율을 산화인듐 86 질량부, 산화주석 6 질량부, 산화갈륨 6 질량부 및 산화아연 2 질량부로 한 것 외에는 실시예 I-1의 (1)과 동일하게 하여 스퍼터링 타겟을 제조하였다. 수득된 스퍼터링 타겟 중에는 In2Ga2ZnO7로 표시되는 육방정 층상 화합물이 생성되었음이 확인되었다.
이어서, 이 스퍼터링 타겟에 대하여, 스퍼터링시의 노듈 발생 유무의 관찰을, 실시예 I-1의 (2)와 동일하게 실시하였다.
이 스퍼터링 타겟의 조성과 물성 및 노듈 발생 유무의 관찰 결과를 표 I-3에나타내었다.
(2) 투명 도전막의 제조 및 그 평가
상기 (1)에서 수득된 스퍼터링 타겟을 이용한 것 외에는 실시예 I-1의 (3)과 동일하게 하여 투명 도전막을 제조하였다.
이어서, 수득된 투명 도전막에 대하여, 실시예 I-1의 (4)와 동일하게 하여 투명 도전막을 평가하였다. 여기에서의 평가 결과를 표 I-4에 나타내었다.
실시예 I-6
(1) 스퍼터링 타겟의 제조 및 노듈 발생 유무의 관찰
원료의 사용 비율을 산화인듐 86 질량부, 산화주석 6 질량부, 산화갈륨 4 질량부 및 산화아연 2 질량부로 한 것 외에는 실시예 I-1의 (1)과 동일하게 하여 스퍼터링 타겟을 제조하였다. 수득된 스퍼터링 타겟 중에는 In2Ga2ZnO7로 표시되는 육방정 층상 화합물이 생성되었음이 확인되었다.
이어서, 이 스퍼터링 타겟에 대하여, 스퍼터링시의 노듈 발생 유무의 관찰을, 실시예 I-1의 (2)와 동일하게 실시하였다.
이 스퍼터링 타겟의 조성과 물성 및 노듈 발생 유무의 관찰 결과를 표 I-3에 나타내었다.
(2) 투명 도전막의 제조 및 그 평가
상기 (1)에서 수득된 스퍼터링 타겟을 이용한 것 외에는 실시예 I-1의 (3)과 동일하게 하여 투명 도전막을 제조하였다.
이어서, 여기에서 수득된 투명 도전막에 대하여, 실시예 I-1의 (4)와 동일하게 하여 투명 도전막을 평가하였다. 여기에서의 평가 결과를 표 I-4에 나타내었다.
실시예 I-7
(1) 스퍼터링 타겟의 제조 및 노듈 발생 유무의 관찰
원료의 사용 비율을 산화인듐 84 질량부, 산화주석 8 질량부, 산화갈륨 5 질량부 및 산화아연 3 질량부로 한 것 외에는 실시예 I-1의 (1)과 동일하게 하여 스퍼터링 타겟을 제조하였다. 수득된 스퍼터링 타겟 중에는 InGaZnO4로 표시되는 육방정 층상 화합물이 생성되었음이 확인되었다.
이어서, 이 스퍼터링 타겟에 대하여, 스퍼터링시의 노듈 발생 유무의 관찰을, 실시예 I-1의 (2)와 동일하게 실시하였다.
이 스퍼터링 타겟의 조성과 물성 및 노듈 발생 유무의 관찰 결과를 표 I-3에 나타내었다.
(2) 투명 도전막의 제조 및 그 평가
상기 (1)에서 수득된 스퍼터링 타겟을 이용한 것 외에는 실시예 I-1의 (3)과 동일하게 하여 투명 도전막을 제조하였다.
이어서, 여기에서 수득된 투명 도전막에 대하여, 실시예 I-1의 (4)와 동일하게 하여 투명 도전막을 평가하였다. 여기에서의 평가 결과를 표 I-4에 나타내었다.
실시예 I-8
(1) 스퍼터링 타겟의 제조 및 노듈 발생 유무의 관찰
원료의 사용 비율을 산화인듐 85 질량부, 산화주석 8 질량부, 산화갈륨 4 질량부 및 산화아연 3 질량부로 한 것 외에는 실시예 I-1의 (1)과 동일하게 하여 스퍼터링 타겟을 제조하였다. 수득된 스퍼터링 타겟 중에는 InGaZnO4로 표시되는 육방정 층상 화합물이 생성되었음이 확인되었다.
이어서, 이 스퍼터링 타겟에 대하여, 스퍼터링시의 노듈 발생 유무의 관찰을, 실시예 I-1의 (2)와 동일하게 실시하였다.
이 스퍼터링 타겟의 조성과 물성 및 노듈 발생 유무의 관찰 결과를 표 I-3에 나타내었다.
(2) 투명 도전막의 제조 및 그 평가
상기 (1)에서 수득된 스퍼터링 타겟을 이용한 것 외에는 실시예 I-1의 (3)과 동일하게 하여 투명 도전막을 제조하였다.
이어서, 여기에서 수득된 투명 도전막에 대하여, 실시예 I-1의 (4)와 동일하게 하여 투명 도전막을 평가하였다. 여기에서의 평가 결과를 표 I-4에 나타내었다.
실시예 I-9
(1) 스퍼터링 타겟의 제조 및 노듈 발생 유무의 관찰
원료의 사용 비율을 산화인듐 85 질량부, 산화주석 8 질량부, 산화갈륨 3 질량부 및 산화아연 4 질량부로 한 것 외에는 실시예 I-1의 (1)과 동일하게 하여 스퍼터링 타겟을 제조하였다. 수득된 스퍼터링 타겟 중에는 InGaZn2O5로 표시되는 육방정 층상 화합물이 생성되었음이 확인되었다.
이어서, 이 스퍼터링 타겟에 대하여, 스퍼터링시의 노듈 발생 유무의 관찰을, 실시예 I-1의 (2)와 동일하게 실시하였다.
이 스퍼터링 타겟의 조성과 물성 및 노듈 발생 유무의 관찰 결과를 표 I-3에 나타내었다.
(2) 투명 도전막의 제조 및 그 평가
상기 (1)에서 수득된 스퍼터링 타겟을 이용한 것 외에는 실시예 I-1의 (3)과 동일하게 하여 투명 도전막을 제조하였다.
이어서, 여기에서 수득된 투명 도전막에 대하여, 실시예 I-1의 (4)와 동일하게 하여 투명 도전막을 평가하였다. 여기에서의 평가 결과를 표 I-4에 나타내었다.
실시예 I-10
(1) 스퍼터링 타겟의 제조 및 노듈 발생 유무의 관찰
원료의 사용 비율을 산화인듐 86 질량부, 산화주석 8 질량부, 산화갈륨 2 질량부 및 산화아연 4 질량부로 한 것 외에는 실시예 I-1의 (1)과 동일하게 하여 스퍼터링 타겟을 제조하였다. 수득된 스퍼터링 타겟 중에는 In2O3(ZnO)4및 InGaZnO4로 표시되는 육방정 층상 화합물이 생성되었음이 확인되었다.
이어서, 이 스퍼터링 타겟에 대하여, 스퍼터링시의 노듈 발생 유무의 관찰을, 실시예 I-1의 (2)와 동일하게 실시하였다.
이 스퍼터링 타겟의 조성과 물성 및 노듈 발생 유무의 관찰 결과를 표 I-3에 나타내었다.
(2) 투명 도전막의 제조 및 그 평가
상기 (1)에서 수득된 스퍼터링 타겟을 이용한 것 외에는 실시예 I-1의 (3)과 동일하게 하여 투명 도전막을 제조하였다.
이어서, 여기에서 수득된 투명 도전막에 대하여, 실시예 I-1의 (4)와 동일하게 하여 투명 도전막을 평가하였다. 여기에서의 평가 결과를 표 I-4에 나타내었다.
비교예 I-5
(1) 스퍼터링 타겟의 제조 및 노듈 발생 유무의 관찰
원료의 사용 비율을 산화인듐 90 질량부 및 산화주석 10 질량부로 한 것 외에는 실시예 I-1의 (1)과 동일하게 하여 스퍼터링 타겟을 제조하였다. 수득된 스퍼터링 타겟 중에는 육방정 층상 화합물이 생성되어 있는 것은 확인되지 않았다.
이어서, 이 스퍼터링 타겟에 대하여, 스퍼터링시의 노듈 발생 유무의 관찰을, 실시예 I-1의 (2)와 동일하게 하여 실시하였다. 이 스퍼터링 타겟 표면에는 30 시간의 연속 스퍼터링 후에, 50배로 확대한 시야 3㎟ 중에 43개의 노듈이 관찰되었다.
이 스퍼터링 타겟의 조성과 물성 및 노듈 발생 유무의 관찰 결과를 표 I-5에 나타내었다.
(2) 투명 도전막의 제조 및 그 평가
상기 (1)에서 수득된 스퍼터링 타겟을 이용한 것 외에는 실시예 I-1의 (3)과 동일하게 하여 투명 도전막을 제조하였다.
이어서, 여기에서 수득된 투명 도전막에 대하여, 실시예 I-1의 (4)와 동일하게 하여 투명 도전막을 평가하였다. 여기에서의 평가 결과를 표 I-6에 나타내었다.
비교예 I-6
(1) 스퍼터링 타겟의 제조 및 노듈 발생 유무의 관찰
원료의 사용 비율을 산화인듐 88 질량부, 산화주석 9 질량부 및 산화아연 3 질량부로 한 것 외에는 실시예 I-1의 (1)과 동일하게 하여 스퍼터링 타겟을 제조하였다. 수득된 스퍼터링 타겟 중에는 육방정 층상 화합물이 생성되어 있는 것은 확인되지 않았다.
이어서, 이 스퍼터링 타겟에 대하여, 스퍼터링시의 노듈 발생 유무의 관찰을, 실시예 I-1의 (2)와 동일하게 실시하였다.
이 스퍼터링 타겟의 조성과 물성 및 노듈의 발생 유무의 관찰 결과를 표 I-5에 나타내었다.
(2) 투명 도전막의 제조 및 그 평가
상기 (1)에서 수득된 스퍼터링 타겟을 이용한 것 외에는 실시예 I-1의 (3)과동일하게 하여 투명 도전막을 제조하였다.
이어서, 여기에서 수득된 투명 도전막에 대하여, 실시예 I-1의 (4)와 동일하게 하여 투명 도전막을 평가하였다. 여기에서의 평가 결과를 표 I-6에 나타내었다.
[I] 제 2 발명
본 제 2 발명(이하, 본 항에 있어서 단순히 "본 발명"이라 지칭할 수 있다)의 스퍼터링 타겟은 [A1](al) 산화인듐 85 내지 99 질량%, 및 [B] 산화갈륨과 [C] 산화게르마늄의 합계 1 내지 15 질량%로 이루어진 금속 산화물의 소결체로 이루어진 스퍼터링 타겟으로서, 적어도 상기 소결체 중의 산화인듐 성분에, 갈륨 원자가 치환-고용된 산화인듐 및 게르마늄 원자가 치환-고용된 산화인듐이 존재하여 이루어진 스퍼터링 타겟이다.
여기에서, 이 소결체 중의 산화인듐 성분에 갈륨 원자가 치환-고용된 산화인듐 및 게르마늄 원자가 치환-고용된 산화인듐은, 원료인 산화인듐, 산화갈륨 및 산화게르마늄의 미분말을 소결할 때, 일부의 산화인듐 결정에, 갈륨 원자 및 게르마늄 원자가 치환-고용된 것이다. 이 경우, 소결 원료로서 사용하는 산화갈륨 및 산화게르마늄 모두가 산화인듐 결정에 치환-고용되면, 산화인듐 결정이 성장하게 된다. 그리고, 이 산화인듐 결정이 성장하여, 그 입경이 약 10㎛를 초과하게 되면, 노듈의 발생이 증가한다.
이에, 본 발명의 스퍼터링 타겟에 있어서는, 소결 원료 중, 산화갈륨 및 산화게르마늄의 일부가, 산화인듐 결정에 치환-고용되어 산화인듐 결정의 성장을 억제하고, 나머지 산화갈륨 및 산화게르마늄은 산화인듐의 결정 입계에 존재하여, 산화인듐 결정의 성장을 더욱 억제하는 작용을 하는 구성으로 함으로써, 스퍼터링시의 노듈 발생을 억제할 수 있도록 한 것이다.
그리고, 이 스퍼터링 타겟에 있어서의 (a1) 성분은 주로 산화인듐에 의해 구성되어 있지만, 그 중의 일부는 갈륨 원자가 치환-고용된 산화 인듐 및 게르마늄 원자가 치환-고용된 산화인듐에 의해 구성되어 있다. 이들 갈륨 원자가 치환-고용된 산화인듐 또는 게르마늄 원자가 치환-고용된 산화인듐에 대해서는, 예컨대 EPMA(Electron Prove Micro Analysis)법에 의한 분석에 의해 확인할 수 있다.
또한, 이들 갈륨 원자 또는 게르마늄 원자가 치환-고용된 산화 인듐 결정의 최대 입경은, 스퍼터링 타겟의 형상이 원형인 경우, 원의 중심점(1 군데)과, 그 중심점에서 직교하는 2개의 중심선 상의 중심점과 주연부의 중간점(4 군데)의 합계 5 군데에서, 또한 스퍼터링 타겟의 형상이 사각형인 경우에는, 그 중심점(1 군데)과, 사각형의 대각선 상의 중심점과 모서리부의 중간점(4 군데)의 합계 5 군데에서, 이타겟 표면의 연마면을 주사형 전자현미경에 의해 2,500배로 확대하고 50㎛ 사방의 범위내에서 관찰되는 최대의 입자에 대하여 그 최대 직경을 측정하여, 이들 5군데 범위내의 각각에 존재하는 최대 입자 입경의 평균치이다.
그리고, 이 스퍼터링 타겟에 존재하는 갈륨 원자 또는 게르마늄 원자가 치환-고용된 산화인듐 결정의 최대 입경은 5㎛ 이하로 제어된 것이 바람직하게 사용된다. 이는, 갈륨 원자 또는 게르마늄 원자가 치환-고용된 산화인듐 결정의 최대 입경이 5㎛를 초과하면, 이들 금속 원자가 치환-고용되어 있지 않은 산화 인듐 결정이 성장하기 때문이다. 즉, 갈륨 원자 또는 게르마늄 원자가 치환-고용된 산화인듐 결정의 최대 입경을 5㎛ 이하로 해 둠으로써, 산화인듐 결정의 성장을 억제할 수 있는 것이다. 이들 갈륨 원자 또는 게르마늄 원자가 치환-고용된 산화인듐 결정의 최대 입경은 3㎛ 이하인 것이 더욱 바람직하다.
또한, 이 스퍼터링 타겟의 제조에 사용하는 소결체를 구성하는 각 성분의 함유 비율에 대해서는, [A1] 성분의 함유 비율을 85 내지 99 질량%로 하고, [B] 성분과 [C] 성분의 함유 비율을 이들의 합계로 1 내지 15 질량%로 한다. 이와 같이, [B] 성분과 [C] 성분의 함유 비율을 이들의 합계가 1 내지 15 질량%가 되도록 하는 것은 이들 양 성분의 함유 비율이 1 질량% 미만이면, 갈륨 원자 또는 게르마늄 원자의 산화 인듐 결정으로의 치환-고용의 비율이 작아, 산화인듐 결정의 성장을 충분히 억제할 수 없기 때문이다. 또한, 이들 양 성분의 함유 비율이 15 질량%를 초과하면, 갈륨 원자가 치환-고용된 산화인듐 또는 게르마늄 원자가 치환-고용된 산화인듐 결정의 입경 제어가 곤란해지는 외에, 얻어지는 투명 도전막의 도전성이 저하되게 되기 때문이다. 또한, 이 소결체를 구성하는 각 성분의 함유 비율에 대해서는, [A1] 성분의 함유 비율이 90 내지 97 질량%이며, 또한 [B] 성분과 [C] 성분의 함유 비율의 합계가 3 내지 10 질량%인 것이 더욱 바람직하다.
그리고, 이들 [B] 성분과 [C] 성분의 함유 비율에 대해서는, [B] 성분의 산화갈륨계 성분의 함유 비율이 [C] 성분의 산화게르마늄계 성분의 함유 비율과 동일하거나 크면, 광선 투과율이 우수한 투명 도전막을 얻을 수 있기 때문에 바람직하다. 이 [B] 성분의 함유 비율은 [C] 성분의 1.5배 이상인 것이 바람직하고, [C] 성분의 2배 이상인 것이 더욱 바람직하다.
또한, 본 발명의 스퍼터링 타겟은 [A2](a2) 산화인듐과 (a3) 산화주석의 합계 90 내지 99 질량%, 및 [B] 산화갈륨과 [C] 산화게르마늄의 합계 1 내지 10 질량%로 이루어진 금속 산화물의 소결체로 이루어진 스퍼터링 타겟으로서, 적어도 상기 소결체 중의 산화인듐 성분에, 주석 원자가 치환-고용된 산화인듐, 갈륨 원자가 치환-고용된 산화인듐 및 게르마늄 원자가 치환-고용된 산화인듐이 존재하는 4성분계의 금속 산화물의 소결체로 구성된 것일 수 있다.
여기에서, 주석 원자가 치환-고용된 산화인듐, 갈륨 원자가 치환-고용된 산화인듐 및 게르마늄 원자가 치환-고용된 산화인듐은 원료인 산화인듐, 산화주석, 산화갈륨 및 산화게르마늄의 미분말을 소결할 때, 일부의 산화인듐 결정에, 주석 원자, 갈륨 원자, 게르마늄 원자가 치환-고용된 것이다.
그리고, 이들 소결 원료 중, 산화주석, 산화갈륨및 산화게르마늄은 이들 원료의 모두가 산화인듐 결정에 치환-고용되면, 산화인듐 결정이 성장하여, 노듈의발생이 증가하게 된다. 이에, 이들 산화주석과 산화갈륨 및 산화게르마늄의 일부가, 산화인듐 결정에 치환-고용되어 산화인듐 결정의 성장을 억제하고, 나머지의 산화주석, 산화갈륨 및 산화게르마늄은 산화인듐의 결정 입계에 존재하여 산화인듐의 결정 성장을 억제하도록 구성하여, 스퍼터링시의 노듈 발생을 억제할 수 있도록 한 것이다.
또한, 이 4성분계의 금속 산화물로 이루어진 스퍼터링 타겟에 존재하는 주석 원자 또는 갈륨 원자, 게르마늄 원자가 치환-고용된 산화인듐 결정의 최대 입경은 5㎛ 이하로 제어된 것이 바람직하게 사용된다. 이는 이들 금속 원자가 치환-고용된 산화인듐의 결정입경이 5㎛을 초과하면, 이들 원자가 치환-고용되어 있지 않은 산화인듐 결정이 성장하기 때문이다. 즉, 주석 원자 또는 갈륨 원자, 게르마늄 원자가 치환-고용된 산화인듐 결정의 최대 입경을 5㎛ 이하로 해 둠으로써, 산화인듐 결정의 성장을 억제할 수 있는 것이다. 그리고, 이들 주석 원자 또는 갈륨 원자, 게르마늄 원자가 치환-고용된 산화인듐 결정의 최대 입경은 3㎛ 이하인 것이 더욱 바람직하다.
또한, 이 스퍼터링 타겟의 제조에 사용하는 소결체를 구성하는 각 성분의 함유 비율에 대해서는, [A2] 성분의 함유 비율을 90 내지 99 질량%로 하고, [B] 성분과 [C] 성분의 함유 비율을 이들 합계로 1 내지 10 질량%로 한다. 이와 같이, [B] 성분과 [C] 성분의 함유 비율의 합계가 1 내지 10 질량%가 되도록 하는 것은 이들 양 성분의 함유 비율이 1 질량% 미만이면, 주석 원자 또는 갈륨 원자, 게르마늄원자의 산화인듐 결정으로의 치환-고용 비율이 작아, 산화인듐 결정의 성장을 충분히억제할 수 없게 되는 외에, 그 스퍼터링 타겟을 이용하여 제막한 투명 도전막의 에칭 특성이 저하되게 되기 때문이다. 또한, 이들 양 성분의 함유 비율이 10 질량%를 초과하면, 주석 원자 또는 갈륨 원자, 게르마늄 원자가 치환-고용된 산화인듐 결정의 입경 제어가 곤란해지는 외에, 얻어지는 투명 도전막의 도전성이 저하되게 되기 때문이다.
그리고, 이 소결체를 구성하는 각 성분의 함유 비율에 대해서는, [A2] 성분의 함유 비율이 90 내지 98 질량%이며, 또한 [B] 성분과 [C] 성분의 함유 비율의 합계가 2 내지 10 질량%인 것이 더욱 바람직하고, 또한 [A2] 성분의 함유 비율이 92 내지 97 질량%이면서, [B] 성분과 [C] 성분의 함유 비율의 합계가 3 내지 8 질량%인 것이 더욱 바람직하다.
또한, [A2] 성분 중의 (a3) 성분인 산화주석계 성분의 함유 비율에 대해서는 3 내지 20 질량%인 것이 바람직하다. 이는 이 산화주석계 성분의 함유 비율이 3 질량% 미만이면, 그 스퍼터링 타겟을 이용하여 제막한 투명 도전막의 열 처리시의 도핑 효과를 충분히 얻을 수 없어, 도전성이 향상되지 않을 수 있고, 또한 이 함유 비율이 20 질량%를 초과하면, 투명 도전막의 열 처리시에 결정화도가 향상되지 않기 때문에, 열처리 온도를 높일 필요가 생기기 때문이다. 그리고, 이 (a3) 성분의 함유 비율은 5 내지 15 질량%인 것이 더욱 바람직하고, 5 내지 12 질량%인 것이 더욱 바람직하다.
또한, 이 스퍼터링 타겟의 구성 성분인 [B] 성분과 [C] 성분의 함유 비율에 대해서는, [B] 성분의 산화갈륨계 성분의 함유 비율이 [C] 성분의 산화게르마늄계성분의 함유 비율과 동일하거나 크면, 광선투과율이 우수한 투명 도전막의 광선투과율을 얻을 수 있기 때문에 바람직하다. 이 [B] 성분의 함유 비율로서는, [C] 성분의 1.5배 이상인 것이 더욱 바람직하고, [C] 성분의 2배 이상인 것이 더욱 바람직하다.
이어서, 본 발명의 스퍼터링 타겟을 제조하는 방법은, 예컨대 산화인듐, 산화갈륨 및 산화게르마늄, 또는 추가로 산화주석의 혼합물을 분쇄하고, 수득된 혼합 분말을 주물 또는 스프레이 건조기에 의해 과립화하고, 그 과립화물을 프레스 성형하고, 성형체를 소결한 후, 수득된 소결체를 절삭 가공함으로써 제조할 수 있다. 여기에서, 원료의 각 금속 산화물의 혼합 또는 분쇄는 습식 혼합 분쇄기, 예컨대 습식 볼 밀 또는 비드 밀, 초음파 등에 의해 실시할 수 있다. 여기에서, 원료 분말의 분쇄는 분쇄물의 평균입경이 1㎛ 이하가 되도록 하는 것이 바람직하다.
그리고, 이 금속 산화물의 소성 조건은 공기 또는 산소 가스 분위기하에서, 소성 온도를 1,300 내지 1,700℃, 바람직하게는 1,450 내지 1,600℃로 하고, 소성 시간을 2 내지 36 시간, 바람직하게는 4 내지 24 시간으로 한다. 소성시의 승온 속도는 2 내지 10℃/분간으로 하는 것이 좋다. 또한, 수득된 소결체로부터 스퍼터링 타겟을 제조하기 위해서는, 이 소결체를 스퍼터링 장치로의 장착에 적합한 형상으로 절삭 가공하고, 여기에 장착용 지그를 부착하면 좋다.
다음에, 본 발명의 투명 도전막은 상기 스퍼터링 타겟을 이용하여, 스퍼터링법에 의해 기판 상에 형성시킨다. 여기에서 사용하는 기판으로서는 제 1 발명 부분에서 설명한 것이 적용된다.
또한, 이 스퍼터링법에 의한 제막을 실시할 때에는, 각종 스퍼터링 장치를 이용하여 실시할 수 있지만, 특히 마그네트론 스퍼터링 장치가 바람직하게 사용된다. 그리고, 이 마그네트론 스퍼터링 장치를 이용하여 스퍼터링에 의해 제막할 때의 조건으로서는, 제 1 발명 부분에서 설명한 내용이 적용된다.
이렇게 해서 수득되는 본 발명의 투명 도전막은 [A1](al) 산화인듐 85 내지 99 질량%, 및 [B] 산화갈륨과 [C] 산화게르마늄의 합계 1 내지 15 질량%의 금속 산화물로 이루어진 투명 도전막으로서, 적어도 상기 소결체 중의 산화인듐 성분에, 갈륨 원자가 치환-고용된 산화인듐 및 게르마늄 원자가 치환-고용된 산화인듐이 존재하여 이루어진 투명 도전막이다.
그리고, 이 투명 도전막은 [A1] 성분의 함유 비율을 85 내지 99 질량%로 하고, [B] 성분과 [C] 성분의 함유 비율의 합계를 1 내지 15 질량%로 하고 있기 때문에, 우수한 투명성과 도전성을 발현하는 동시에, 비정질이기 때문에 에칭 특성이 우수하다. 여기에서, 이들 [B] 성분과 [C] 성분의 함유 비율의 합계가 1 질량% 미만이면, 그 투명 도전막은 결정성이 되어, 에칭 특성이 떨어지게 되며, 또한 [B] 성분과 [C] 성분의 함유 비율의 합계가 15 질량%를 초과하면, 그 투명 도전막의 도전성이 저하되게 된다. 그리고, 이 투명 도전막으로서는, [A1] 성분의 함유 비율이 90 내지 97 질량%이며, [B] 성분과 [C] 성분의 함유 비율의 합계가 3 내지 10 질량%인 것이, 더욱 도전성 또는 에칭 특성이 우수하기 때문에 바람직하다.
또한, 본 발명의 투명 도전막은 [A2](a2) 산화인듐과 (a3) 산화주석의 합계 90 내지 99 질량%, 및 [B] 산화갈륨과 [C] 산화게르마늄의 합계 1 내지 10 질량%의금속 산화물로 이루어진 투명 도전막으로서, 적어도 상기 소결체 중의 산화인듐 성분에, 주석 원자가 치환-고용된 산화인듐, 갈륨 원자가 치환-고용된 산화인듐 및 게르마늄 원자가 치환-고용된 산화인듐이 존재하는 4성분계의 금속 산화물로 구성된 투명 도전막이다.
그리고, 이 4성분계의 금속 산화물로 이루어진 투명 도전막에 있어서는, [A2] 성분, 즉 (a2) 성분과 (a3)의 합계의 함유 비율을 90 내지 99 질량%로 하고, [B] 성분과 [C] 성분의 함유 비율의 합계를 1 내지 10 질량%로 함으로써, 우수한 투명성과 도전성을 발현하는 동시에, 비정질이기 때문에 에칭 특성이 우수하다. 여기에서, 이들 [B] 성분과 [C] 성분의 함유 비율의 합계가 1 질량% 미만이면, 그 투명 도전막은 결정성이 되어, 에칭 특성이 덜어지게 되고, 또한 [B] 성분과 [C] 성분의 함유 비율의 합계가 10 질량%를 초과하면, 그 투명 도전막의 도전성이 저하되게 된다. 그리고, 이 투명 도전막으로서는, [A2] 성분의 함유 비율이 90 내지 98 질량%이며, [B] 성분과 [C] 성분의 함유 비율의 합계가 2 내지 10 질량%인 것이 더욱 바람직하고, [A2] 성분의 함유 비율이 92 내지 97 질량%이며, [B] 성분과 [C] 성분의 함유 비율의 합계가 3 내지 8 질량%인 것이 더욱 바람직하다.
또한, 이 4성분계의 금속 산화물로 이루어진 투명 도전막은 제막한 후, 230℃ 이상의 온도에서 열 처리함으로써 결정성이고 도전성이 우수한 투명 도전막을 얻을 수 있다. 그리고, 이 경우의 열 처리 온도는, 바람직하게는 250℃ 이상이고, 더욱 바람직하게는 260℃ 이상이다. 또한, 이 경우의 열 처리 시간에 대해서는 0.1 내지 5 시간으로 하면 좋다. 이 열처리는 스퍼터링 타겟을 이용하여 제막한비정질의 투명 도전막을 패턴화 처리한 후에 실시하도록 하는 것이 바람직하다. 이 투명 도전막의 패턴화 처리에 대해서는, 예컨대, 포토리소그래피 등의 통상의 방법으로 실시할 수 있다.
이렇게 해서 수득되는 투명 도전막은 파장 400nm의 빛에 대한 광선투과율이 75 내지 80%이며, 파장 550nm의 빛에 대한 광선투과율이 90% 이상이다. 또한, 이 투명 도전막은 높은 도전성을 가지며, 일함수가 4.6전자 볼트보다 낮기 때문에, 유기 전기발광 소자의 전자 주입층과의 접속 저항을 낮게 억제할 수 있다. 따라서, 이 투명 도전막은 높은 투명성과 도전성이 요구되는 액정 표시 소자 또는 유기 전기발광 표시 소자 등의 각종 표시장치의 투명 전극에 바람직하게 사용된다.
다음에, 실시예 및 비교예에 의해, 본 발명을 더욱 상세히 설명한다.
실시예 II-1
(1) 스퍼터링 타겟의 제조
원료인 산화인듐 분말을 86 질량부, 산화갈륨 분말을 10 질량부, 산화게르마늄 분말을 4 질량부로 하는 비율에 있어서, 이들 금속 산화물을 습식 볼 밀에 공급하여, 10 시간 혼합 분쇄함으로써 평균입경 1.8 내지 2㎛의 원료 분말을 수득하였다. 이어서, 수득된 원료 분말을 스프레이 건조기에 의해 건조하여 과립화하고, 수득된 입자를 금형에 충전하고 프레스기에 의해 가압 성형하여, 직경 10㎝, 두께 5㎜의 원반형의 성형체를 얻었다.
다음에, 이 성형체를 소결로에 넣고, 산소 가스 가압 분위기하에 소결 온도를 1420 내지 1480℃의 범위내로 제어하면서, 6시간 소결하였다.
이렇게 해서 수득된 소결체에 대하여, 그 조성을 분석한 결과, [A1] 성분의 함유 비율이 86 질량%, [B] 성분의 함유 비율이 10 질량%, [C] 성분의 함유 비율이 4 질량%였다. 또한, 이 소결체에 대하여, EPMA법에 의한 분석을 실시한 결과, 갈륨 원자가 치환-고용된 산화인듐 결정 및 게르마늄 원자가 치환-고용된 산화인듐 결정이 존재하는 것이 확인되었다. 그 밖에, 인듐 원자가 치환-고용된 산화갈륨 및 인듐 원자가 치환-고용된 산화게르마늄이 존재하는 것도 확인되었다. 또한, 이 원반형의 소결체의 중심점(1 군데)과, 그 중심점에서 직교하는 2개의 중심선 상의 중심점과 주연부의 중간점(4 군데)의 합계 5 군데에서, 주사형 전자현미경에 의해 2,500배의 확대 사진을 촬영하고 그 50㎛ 사방의 범위내에서 관찰되는 최대 결정 입자에 대하여 그 최대 직경을 측정하고, 이들 5 군데의 범위내에 존재하는 최대 결정 입자의 최대 직경의 평균치를 산출한 결과, 2.3㎛였다. 또한, 이 소결체는 그 밀도가 6.65g/㎤이며, 이는 이론 밀도비로 96%에 상당하는 것이었다. 또한, 이 소결체의 4 탐침법에 의해 측정한 벌크 저항치는 3.8×10-3Ω·㎝였다.
이렇게 해서 수득된 소결체를 절삭 가공하여, 직경 약 10㎝, 두께 약 5㎜의 스퍼터링 타겟을 제조하였다.
(2) 노듈 발생 유무의 관찰
제 1 발명 부분에서 설명한 것과 동일한 방법으로 실시하였다.
그 결과, 여기에서 사용한 스퍼터링 타겟의 표면에는 노듈 발생은 관찰되지 않았다.
여기에서 제조한 스퍼터링 타겟의 조성과 물성 및 노듈 발생 유무의 관찰 결과를 표 II-1에 나타낸다.
한편, 표 중, 예컨대 "실시예 II-1"에 대해서는 편의상, "실시예 1"로 하고 있다. 비교예에 대해서도 동일하다. 또한, 표 II-1 내지 표 II-6에 대해서도 마찬가지이다.
(3) 투명 도전막의 제조
제 1 발명 부분에서 설명한 것과 동일한 방법으로 실시하였다.
이 결과, 유리 기판 상에, 막 두께 약 2,000Å의 투명 도전막이 형성된 투명도전 유리가 얻어졌다.
(4) 투명 도전막의 평가
상기 (3)에서 수득된 투명 도전 유리 상의 투명 도전막에 대하여 하기 항목에 대하여 평가하였다. 이들 결과를 표 II-2에 나타낸다.
1) 도전성
도전성에 대해서는 4 탐침법에 의해 투명 도전막의 비저항을 측정하였다. 그 결과, 비저항의 값은 480×10-6Ω·㎝이었다.
2) 투명성
투명성에 대해서는 분광광도계에 의해 광선 투과율을 측정하였다. 그 결과, 파장 400nm의 광선에 대한 광선 투과율이 78%이며, 또한 파장 550nm의 광선에 대한 광선 투과율이 91%였다.
3) 결정성
결정성에 대해서는 X선 회절법에 의해 측정하였다. 그 결과, 이 투명 도전막은 비정질이었다.
4) 에칭 특성
제 1 발명 부분에서 설명한 것과 동일한 방법으로 실시하였다.
그 결과, 투명 도전막의 에칭면에 막의 잔사가 존재하지 않음이 확인되었다.
5) 일함수
일함수에 대해서는 대기 자외광 전자 분광법에 의해 측정하였다. 그 결과, 이 투명 도전막의 일함수는 4.4전자 볼트였다.
실시예 II-2
(1) 스퍼터링 타겟의 제조 및 노듈 발생 유무의 관찰
원료의 사용 비율을 산화인듐 91 질량부, 산화갈륨 6 질량부 및 산화게르마늄 3 질량부로 변경한 것 외에는 실시예 II-1의 (1)과 동일하게 하여 스퍼터링 타겟을 제조하였다.
이어서, 수득된 스퍼터링 타겟에 대한 스퍼터링시의 노듈 발생 유무의 관찰을, 실시예 II-1의 (2)와 동일하게 실시하였다.
이 스퍼터링 타겟의 조성과 물성 및 관찰 결과를 표 II-1에 나타내었다.
(2) 투명 도전막의 제조 및 그 평가
상기 (1)에서 수득된 스퍼터링 타겟을 이용한 것 외에는 실시예 II-1의 (3)과 동일하게 하여 투명 도전막을 제조하였다.
다음에, 이 투명 도전막에 대하여 실시예 II-(4)와 동일하게 하여 투명 도전막을 평가하였다. 여기에서의 평가 결과를 표 II-2에 나타내었다.
실시예 II-3
(1) 스퍼터링 타겟의 제조 및 노듈 발생 유무의 관찰
원료의 사용 비율을 산화인듐 93 질량부, 산화갈륨 4 질량부 및 산화게르마늄 3 질량부로 변경한 것 외에는 실시예 II-1의 (1)과 동일하게 하여 스퍼터링 타겟을 제조하였다.
이어서, 수득된 스퍼터링 타겟에 대한 스퍼터링시의 노듈 발생 유무의 관찰을, 실시예 II-1의 (2)와 동일하게 실시하였다.
이 스퍼터링 타겟의 조성과 물성 및 노듈 발생 유무의 관찰 결과를 표 II-1에 나타내었다.
(2) 투명 도전막의 제조 및 그 평가
상기 (1)에서 수득된 스퍼터링 타겟을 이용한 것 외에는 실시예 II-1의 (3)과 동일하게 하여 투명 도전막을 제조하였다.
이어서, 여기에서 수득된 투명 도전막에 대하여, 실시예 II-1의 (4)와 동일하게 하여 투명 도전막을 평가하였다. 여기에서의 평가 결과를 표 II-2에 나타내었다.
실시예 II-4
(1) 스퍼터링 타겟의 제조 및 노듈 발생 유무의 관찰
원료의 사용 비율을 산화인듐 95 질량부, 산화갈륨 3 질량부 및 산화게르마늄 2 질량부로 변경한 것 외에는 실시예 II-1의 (1)과 동일하게 하여 스퍼터링 타겟을 제조하였다.
이어서, 수득된 스퍼터링 타겟에 대한 스퍼터링시의 노듈 발생 유무의 관찰을, 실시예 II-1의 (2)와 동일하게 실시하였다.
이 스퍼터링 타겟의 조성과 물성 및 노듈 발생 유무의 관찰 결과를 표 II-1에 나타내었다.
(2) 투명 도전막의 제조 및 그 평가
상기 (1)에서 수득된 스퍼터링 타겟을 이용한 것 외에는 실시예 II-1의 (3)과 동일하게 하여 투명 도전막을 제조하였다.
이어서, 여기에서 수득된 투명 도전막에 대하여, 실시예 II-1의 (4)와 동일하게 하여 투명 도전막을 평가하였다. 여기에서의 평가 결과를 표 II-2에 나타내었다.
비교예 II-1
(1) 스퍼터링 타겟의 제조 및 노듈 발생 유무의 관찰
원료로서, 산화인듐의 분말만을 이용한 것 외에는 실시예 II-1의 (1)과 동일하게 하여 스퍼터링 타겟을 제조하였다.
이어서, 수득된 스퍼터링 타겟에 대한 스퍼터링시의 노듈 발생 유무의 관찰을, 실시예 II-1의 (2)와 동일하게 하여 실시하였다. 이 스퍼터링 타겟 표면에는 30 시간의 연속 스퍼터링 후에 50배로 확대한 시야 3㎟ 중에 45개의 노듈이 관찰되었다.
여기에서 제조한 스퍼터링 타겟의 조성과 물성 및 노듈 발생 유무의 관찰 결과를 표 II-1에 나타내었다.
(2) 투명 도전막의 제조 및 그 평가
상기 (1)에서 수득된 스퍼터링 타겟을 이용한 것 외에는 실시예 II-1의 (3)과 동일하게 하여 투명 도전막을 제조하였다.
이어서, 여기에서 수득된 투명 도전막에 대하여, 실시예 II-1의 (4)와 동일하게 하여 투명 도전막을 평가하였다. 여기서의 평가 결과를 표 II-2에 나타내었다.
비교예 II-2
(1) 스퍼터링 타겟의 제조 및 노듈 발생 유무의 관찰
원료의 사용 비율을 산화인듐 94 질량부 및 산화갈륨 6 질량부로 한 것 외에는 실시예 II-1의 (1)과 동일하게 하여 스퍼터링 타겟을 제조하였다.
이어서, 수득된 스퍼터링 타겟에 대한 스퍼터링시의 노듈 발생 유무의 관찰을, 실시예 II-1의 (2)와 동일하게 하여 실시하였다. 이 스퍼터링 타겟 표면에는 30 시간의 연속 스퍼터링 후에 50배로 확대한 시야 3㎟ 중에 24개의 노듈이 관찰되었다.
여기에서 제조한 스퍼터링 타겟의 조성과 물성 및 노듈 발생 유무의 관찰 결과를 표 II-1에 나타내었다.
(2) 투명 도전막의 제조 및 그 평가
상기 (1)에서 수득된 스퍼터링 타겟을 이용한 것 외에는 실시예 II-1의 (3)과 동일하게 하여 투명 도전막을 제조하였다.
이어서, 여기에서 수득된 투명 도전막에 대하여, 실시예 II-1의 (4)와 동일하게 하여 투명 도전막을 평가하였다. 여기서의 평가 결과를 표 II-2에 나타내었다.
비교예 II-3
(1) 스퍼터링 타겟의 제조 및 노듈 발생 유무의 관찰
원료의 사용 비율을 산화인듐 94 질량부 및 산화게르마늄 6 질량부로 한 것 외에는 실시예 II-1의 (1)과 동일하게 하여 스퍼터링 타겟을 제조하였다.
이어서, 수득된 스퍼터링 타겟에 대한 스퍼터링시의 노듈 발생 유무의 관찰을, 실시예 II-1의 (2)와 동일하게 하여 실시하였다. 이 스퍼터링 타겟 표면에는 30 시간의 연속 스퍼터링 후에 50배로 확대한 시야 3㎟ 중에 21개의 노듈이 관찰되었다.
여기에서 제조한 스퍼터링 타겟의 조성과 물성 및 노듈 발생 유무의 관찰 결과를 표 II-1에 나타내었다.
(2) 투명 도전막의 제조 및 그 평가
상기 (1)에서 수득된 스퍼터링 타겟을 이용한 것 외에는 실시예 II-1의 (3)과 동일하게 하여 투명 도전막을 제조하였다.
다음에, 여기에서 수득된 투명 도전막에 대하여, 실시예 II-1의 (4)와 동일하게 하여 투명 도전막을 평가하였다. 여기서의 평가 결과를 표 II-2에 나타내었다.
실시예 II-5
(1) 스퍼터링 타겟의 제조 및 노듈 발생 유무의 관찰
원료의 사용 비율을 산화인듐 86 질량부, 산화주석 6 질량부, 산화갈륨 6 질량부 및 산화게르마늄 2 질량부로 한 것 외에는 실시예 II-1의 (1)과 동일하게 하여 소결체를 얻었다. 이 소결체에 대하여, EPMA법에 의한 분석을 한 결과, 주석 원자가 치환-고용된 산화인듐 결정, 갈륨 원자가 치환-고용된 산화인듐 결정 및 게르마늄 원자가 치환-고용된 산화인듐 결정이 존재하는 것이 확인되었다. 이 밖에, 인듐 원자가 치환-고용된 산화주석, 인듐 원자가 치환-고용된 산화갈륨 및 인듐 원자가 치환-고용된 산화게르마늄이 존재하는 것도 확인되었다. 이어서, 이 소결체는 실시예 II-1의 (1)과 동일하게 가공하여 스퍼터링 타겟을 제조하였다.
다음에, 수득된 스퍼터링 타겟에 대한 스퍼터링시의 노듈 발생 유무의 관찰을, 실시예 II-1의 (2)와 동일하게 실시하였다.
이 스퍼터링 타겟의 조성과 물성 및 노듈 발생 유무의 관찰 결과를 표 II-3에 나타내었다.
(2) 투명 도전막의 제조 및 그 평가
상기 (1)에서 수득된 스퍼터링 타겟을 이용한 것 외에는 실시예 II-1의 (3)과 동일하게 하여 투명 도전막을 제조하였다.
이어서, 여기에서 수득된 투명 도전막에 대하여, 실시예 II-1의 (4)와 동일하게 하여 투명 도전막을 평가하였다. 여기에서의 평가 결과를 표 II-4에 나타낸다.
실시예 II-6
(1) 스퍼터링 타겟의 제조 및 노듈 발생 유무의 관찰
원료의 사용 비율을 산화인듐 88 질량부, 산화 주석 6 질량부, 산화갈륨 4 질량부 및 산화게르마늄 2 질량부로 한 것 외에는 실시예 II-1의 (1)과 동일하게 하여 스퍼터링 타겟을 제조하였다.
이어서, 수득된 스퍼터링 타겟에 대한 스퍼터링시의 노듈 발생 유무의 관찰을, 실시예 II-1의 (2)와 동일하게 실시하였다.
이 스퍼터링 타겟의 조성과 물성 및 노듈 발생 유무의 관찰 결과를 표 II-3에 나타내었다.
(2) 투명 도전막의 제조 및 그 평가
상기 (1)에서 수득된 스퍼터링 타겟을 이용한 것 외에는 실시예 II-1의 (3)과 동일하게 하여 투명 도전막을 제조하였다.
이어서, 여기서 수득된 투명 도전막에 대하여 실시예 II-1의 (4)와 동일하게 하여 투명 도전막을 평가하였다. 여기에서의 평가 결과를 표 II-4에 나타내었다.
실시예 II-7
(1) 스퍼터링 타겟의 제조 및 노듈 발생 유무의 관찰
원료의 사용 비율을 산화인듐 83 질량부, 산화주석 8 질량부, 산화갈륨 6 질량부 및 산화게르마늄 3 질량부로 한 것 외에는 실시예 II-1의 (1)과 동일하게 하여 스퍼터링 타겟을 제조하였다.
다음에, 여기에서 수득된 스퍼터링 타겟에 대한 스퍼터링시의 노듈 발생 유무의 관찰을, 실시예 II-1의 (2)와 동일하게 실시하였다.
이 스퍼터링 타겟의 조성과 물성 및 노듈 발생 유무의 관찰 결과를 표 II-3에 나타내었다.
(2) 투명 도전막의 제조 및 그 평가
상기 (1)에서 수득된 스퍼터링 타겟을 이용한 것 외에는 실시예 II-1의 (3)과 동일하게 하여 투명 도전막을 제조하였다.
이어서, 여기에서 수득된 투명 도전막에 대하여, 실시예 II-1의 (4)와 동일하게 하여 투명 도전막을 평가하였다. 여기에서의 평가 결과를 표 II-4에 나타내었다.
실시예 II-8
(1) 스퍼터링 타겟의 제조 및 노듈 발생 유무의 관찰
원료의 사용 비율을 산화인듐 85 질량부, 산화주석 8 질량부, 산화갈륨 4 질량부 및 산화게르마늄 3 질량부로 한 것 외에는 실시예 II-1의 (1)과 동일하게 하여 스퍼터링 타겟을 제조하였다.
이어서, 수득된 스퍼터링 타겟에 대한 스퍼터링시의 노듈 발생 유무의 관찰을, 실시예 II-1의 (2)와 동일하게 실시하였다.
이 스퍼터링 타겟의 조성과 물성 및 노듈 발생 유무의 관찰 결과를 표 II-3에 나타내었다.
(2) 투명 도전막의 제조 및 그 평가
상기 (1)에서 수득된 스퍼터링 타겟을 이용한 것 외에는 실시예 II-1의 (3)과 동일하게 하여 투명 도전막을 제조하였다.
이어서, 여기에서 수득된 투명 도전막에 대하여, 실시예 II-1의 (4)와 동일하게 하여 투명 도전막을 평가하였다. 여기에서의 평가 결과를 표 II-4에 나타내었다.
실시예 II-9
(1) 스퍼터링 타겟의 제조 및 노듈 발생 유무의 관찰
원료의 사용 비율을 산화인듐 82 질량부, 산화주석 8 질량부, 산화갈륨 6 질량부 및 산화게르마늄 4 질량부로 한 것 외에는 실시예 II-1의 (1)과 동일하게 하여 스퍼터링 타겟을 제조하였다.
이어서, 수득된 스퍼터링 타겟에 대한 스퍼터링시의 노듈 발생 유무의 관찰을, 실시예 II-1의 (2)와 동일하게 실시하였다.
이 스퍼터링 타겟의 조성과 물성 및 노듈 발생 유무의 관찰 결과를 표 II-3에 나타내었다.
(2) 투명 도전막의 제조 및 그 평가
상기 (1)에서 수득된 스퍼터링 타겟을 이용한 것 외에는 실시예 II-1의 (3)과 동일하게 하여 투명 도전막을 제조하였다.
이어서, 여기에서 수득된 투명 도전막에 대하여 실시예 II-1의 (4)와 동일하게 하여 투명 도전막을 평가하였다. 여기에서의 평가 결과를 표 II-4에 나타내었다.
실시예 II-10
(1) 스퍼터링 타겟의 제조 및 노듈 발생 유무의 관찰
원료의 사용 비율을 산화인듐 84 질량부, 산화주석 8 질량부, 산화갈륨 4 질량부 및 산화게르마늄 4 질량부로 한 것 외에는 실시예 II-1의 (1)과 동일하게 하여 스퍼터링 타겟을 제조하였다.
이어서, 수득된 스퍼터링 타겟에 대한 스퍼터링시의 노듈 발생 유무의 관찰을, 실시예 II-1의 (2)와 동일하게 실시하였다.
이 스퍼터링 타겟의 조성과 물성 및 노듈 발생 유무의 관찰 결과를 표 II-3에 나타내었다.
(2) 투명 도전막의 제조 및 그 평가
상기 (1)에서 수득된 스퍼터링 타겟을 이용한 것 외에는 실시예 II-1의 (3)과 동일하게 하여 투명 도전막을 제조하였다.
이어서, 여기에서 수득된 투명 도전막에 대하여 실시예 II-1의 (4)와 동일하게 하여 투명 도전막을 평가하였다. 여기에서의 평가 결과를 표 II-4에 나타내었다.
비교예 II-4
(1) 스퍼터링 타겟의 제조 및 노듈 발생 유무의 관찰
원료의 사용 비율을 산화인듐 90 질량부 및 산화주석 10 질량부로 한 것 외에는 실시예 II-1의 (1)과 동일하게 하여 스퍼터링 타겟을 제조하였다.
이어서, 수득된 스퍼터링 타겟에 대한 스퍼터링시의 노듈 발생 유무의 관찰을, 실시예 II-1의 (2)와 동일하게 실시하였다.
이 스퍼터링 타겟의 조성과 물성 및 노듈 발생 유무의 관찰 결과를 표 II-5에 나타내었다.
(2) 투명 도전막의 제조 및 그 평가
상기 (1)에서 수득된 스퍼터링 타겟을 이용한 것 외에는 실시예 II-1의 (3)과 동일하게 하여 투명 도전막을 제조하였다.
이어서, 여기에서 수득된 투명 도전막에 대하여 실시예 II-1의 (4)와 동일하게 하여 투명 도전막을 평가하였다. 여기에서의 평가 결과를 표 II-6에 나타내었다.
비교예 II-5
(1) 스퍼터링 타겟의 제조 및 노듈 발생 유무의 관찰
원료의 사용 비율을 산화인듐 90 질량부, 산화주석 5 질량부 및 산화갈륨 5 질량부로 한 것 외에는 실시예 II-1의 (1)과 동일하게 하여 스퍼터링 타겟을 제조하였다.
이어서, 수득된 스퍼터링 타겟에 대한 스퍼터링시의 노듈 발생 유무의 관찰을, 실시예 II-1의 (2)와 동일하게 실시하였다.
이 스퍼터링 타겟의 조성과 물성 및 노듈 발생 유무의 관찰 결과를 표 II-5에 나타내었다.
(2) 투명 도전막의 제조 및 그 평가
상기 (1)에서 수득된 스퍼터링 타겟을 이용한 것 외에는 실시예 II-1의 (3)과 동일하게 하여 투명 도전막을 제조하였다.
이어서, 여기에서 수득된 투명 도전막에 대하여 실시예 II-1의 (4)와 동일하게 하여 투명 도전막을 평가하였다. 여기에서의 평가 결과를 표 II-6에 나타내었다.
비교예 II-6
(1) 스퍼터링 타겟의 제조 및 노듈 발생 유무의 관찰
원료의 사용 비율을 산화인듐 90 질량부, 산화주석 5 질량부 및 산화게르마늄 5 질량부로 한 것 외에는 실시예 II-1의 (1)과 동일하게 하여 스퍼터링 타겟을 제조하였다.
이어서, 수득된 스퍼터링 타겟에 대한 스퍼터링시의 노듈 발생 유무의 관찰을, 실시예 II-1의 (2)와 동일하게 실시하였다.
이 스퍼터링 타겟의 조성과 물성 및 노듈 발생 유무의 관찰 결과를 표 II-5에 나타내었다.
(2) 투명 도전막의 제조 및 그 평가
상기 (1)에서 수득된 스퍼터링 타겟을 이용한 것 외에는 실시예 II-1의 (3)과 동일하게 하여 투명 도전막을 제조하였다.
이어서, 여기에서 수득된 투명 도전막에 대하여 실시예 II-1의 (4)와 동일하게 하여 투명 도전막을 평가하였다. 여기에서의 평가 결과를 표 II-6에 나타내었다.
비교예 II-7
(1) 스퍼터링 타겟의 제조 및 노듈 발생 유무의 관찰
원료의 사용 비율을 산화인듐 70 질량부, 산화주석 10 질량부, 산화갈륨 10 질량부 및 산화게르마늄 10 질량부로 한 것 외에는 실시예 II-1의 (1)과 동일하게 하여 스퍼터링 타겟을 제조하였다.
이어서, 수득된 스퍼터링 타겟에 대한 스퍼터링시의 노듈 발생 유무의 관찰을, 실시예 II-1의 (2)와 동일하게 실시하였다.
이 스퍼터링 타겟의 조성과 물성 및 노듈 발생 유무의 관찰 결과를 표 II-5에 나타내었다.
(2) 투명 도전막의 제조 및 그 평가
상기 (1)에서 수득된 스퍼터링 타겟을 이용한 것 외에는 실시예 II-1의 (3)과 동일하게 하여 투명 도전막을 제조하였다.
이어서, 여기에서 수득된 투명 도전막에 대하여 실시예 II-1의 (4)와 동일하게 하여 투명 도전막을 평가하였다. 여기에서의 평가 결과를 표 II-6에 나타내었다.
본 발명의 스퍼터링 타겟에 따르면, 투명 도전막의 제조에 있어서 노듈의 발생이 억제되기 때문에, 그 제막을 안정적이면서, 생산성 좋게 실시할 수 있다. 또한, 본 발명의 투명 도전막은 약산에 의해 에칭 가공을 실시할 수 있기 때문에, 박막 트랜지스터 등의 배선 재료에 악영향을 미치지 않고 전극 가공을 실시할 수 있다.

Claims (33)

  1. 산화인듐, 산화갈륨 및 산화아연으로 이루어진 금속 산화물의 소결체로서, 상기 금속 산화물이 In2O3(ZnO)m[여기서, m은 2 내지 10의 정수임], In2Ga2ZnO7, InGaZnO4, InGaZn2O5, InGaZn3O6, InGaZn4O7, InGaZn5O8, InGaZn6O9및 InGaZn7O10의 군에서 선택된 1종 또는 2종 이상의 육방정 층상 화합물을 함유하며, 산화인듐 90 내지 99 질량%, 및 산화갈륨과 산화아연의 합계 1 내지 10 질량%의 조성을 갖는 소결체로 이루어진 스퍼터링 타겟.
  2. 제 1 항에 있어서,
    금속 산화물의 소결체가 산화인듐 90 내지 98 질량%, 및 산화갈륨과 산화아연의 합계 2 내지 10 질량%의 조성을 갖는 스퍼터링 타겟.
  3. 제 1 항에 있어서,
    금속 산화물의 소결체가 산화인듐 92 내지 97 질량%, 및 산화갈륨과 산화아연의 합계 3 내지 8 질량%의 조성을 갖는 스퍼터링 타겟.
  4. 제 1 항 내지 제 3 항 중 어느 한 항에 있어서,
    육방정 층상 화합물의 결정의 최대 입경이 5㎛ 이하인 스퍼터링 타겟.
  5. 제 4 항에 있어서,
    최대 입경이 3㎛ 이하인 스퍼터링 타겟.
  6. 산화인듐, 산화주석, 산화갈륨 및 산화아연으로 이루어진 금속 산화물의 소결체로서, 상기 금속 산화물이 In2O3(ZnO)m[여기서, m은 2 내지 10의 정수임.], In2Ga2ZnO7, InGaZnO4, InGaZn2O5, InGaZn3O6, InGaZn4O7, InGaZn5O8, InGaZn6O9및 InGaZn7O10의 군에서 선택된 1종 또는 2종 이상의 육방정 층상 화합물을 함유하며, 산화인듐 70 내지 94 질량%, 산화주석 5 내지 20 질량%, 및 산화갈륨과 산화아연의 합계 1 내지 10 질량%의 조성을 갖는 소결체로 이루어진 스퍼터링 타겟.
  7. 제 6 항에 있어서,
    금속 산화물의 소결체가 산화인듐 75 내지 93 질량%, 산화주석 5 내지 15 질량%, 및 산화갈륨과 산화아연의 합계 2 내지 10 질량%의 조성을 갖는 스퍼터링 타겟.
  8. 제 6 항에 있어서,
    금속 산화물의 소결체가 산화인듐 80 내지 90 질량%, 산화주석 7 내지 12 질량%, 및 산화갈륨과 산화아연의 합계 3 내지 8 질량%의 조성을 갖는 스퍼터링 타겟.
  9. 제 7 항 또는 제 8 항에 있어서,
    육방정 층상 화합물의 결정의 최대 입경이 5㎛ 이하인 스퍼터링 타겟.
  10. 제 9 항에 있어서,
    최대 입경이 3㎛ 이하인 스퍼터링 타겟.
  11. 산화인듐, 산화갈륨 및 산화아연으로 이루어진 금속 산화물로서, 산화인듐 90 내지 99 질량%, 및 산화갈륨과 산화아연의 합계 1 내지 10 질량%의 조성을 갖는 금속 산화물로 이루어진 투명 도전막.
  12. 제 11 항에 있어서,
    금속 산화물의 조성이 산화인듐 90 내지 98 질량%, 및 산화갈륨과 산화아연의 합계 2 내지 10 질량%인 투명 도전막.
  13. 제 11 항에 있어서,
    금속 산화물의 조성이 산화인듐 92 내지 97 질량%, 및 산화갈륨과 산화아연의 합계 3 내지 8 질량%인 투명 도전막.
  14. 산화인듐, 산화주석, 산화갈륨 및 산화아연으로 이루어진 금속 산화물로서, 산화인듐 70 내지 94 질량%, 산화주석 5 내지 20 질량%, 및 산화갈륨과 산화아연의 합계1 내지 10 질량%의 조성을 갖는 금속 산화물로 이루어진 투명 도전막.
  15. 제 14 항에 있어서,
    금속 산화물의 조성이 산화인듐 75 내지 93 질량%, 산화주석 5 내지 15 질량%, 및 산화갈륨과 산화아연의 합계 2 내지 10 질량%인 투명 도전막.
  16. 제 14 항에 있어서,
    금속 산화물의 조성이 산화인듐 80 내지 90 질량%, 산화주석 7 내지 12 질량%, 및 산화갈륨과 산화아연의 합계 3 내지 8 질량%인 투명 도전막.
  17. 제 14 항 내지 제 16 항 중 어느 한 항에 있어서,
    패턴화 처리한 후, 230℃ 이상의 온도에서 열처리하여 이루어진 투명 도전막.
  18. [A1](a1) 산화인듐 85 내지 99 질량%, 및 [B] 산화갈륨과 [C] 산화게르마늄의 합계 1 내지 15 질량%로 이루어진 금속 산화물의 소결체로 이루어진 스퍼터링 타겟으로서, 적어도 상기 소결체 중의 산화인듐 성분에, 갈륨 원자가 치환-고용된 산화인듐 및 게르마늄 원자가 치환-고용된 산화인듐이 존재하여 이루어진 스퍼터링 타겟.
  19. 제 18 항에 있어서,
    [A1] 성분의 함유 비율이 90 내지 97 질량%이며, [B] 성분과 [C] 성분의 함유 비율의 합계가 3 내지 10 질량%인 금속 산화물의 소결체로 이루어진 스퍼터링 타겟.
  20. 제 18 항 또는 제 19 항에 있어서,
    갈륨 원자가 치환-고용된 산화인듐 또는 게르마늄 원자가 치환-고용된 산화인듐 결정의 각각의 최대 입경이 5㎛ 이하인 스퍼터링 타겟.
  21. 제 20 항에 있어서,
    최대 입경이 3㎛ 이하인 스퍼터링 타겟.
  22. [A2](a2) 산화인듐과 (a3) 산화주석의 합계 90 내지 99 질량%, 및 [B] 산화갈륨과 [C] 산화게르마늄의 합계 1 내지 10 질량%로 이루어진 금속 산화물의 소결체로 이루어진 스퍼터링 타겟으로서, 적어도 상기 소결체 중의 산화인듐 성분에, 주석 원자가 치환-고용된 산화인듐, 갈륨 원자가 치환-고용된 산화인듐 및 게르마늄 원자가 치환-고용된 산화인듐이 존재하여 이루어진 스퍼터링 타겟.
  23. 제 22 항에 있어서,
    [A2] 성분의 함유 비율이 90 내지 98 질량%이며, [B] 성분과 [C] 성분의 함유 비율의 합계가 2 내지 10 질량%인 금속 산화물의 소결체로 이루어진 스퍼터링 타겟.
  24. 제 22 항에 있어서,
    [A2] 성분의 함유 비율이 92 내지 97 질량%이며, [B] 성분과 [C] 성분의 함유 비율의 합계가 3 내지 8 질량%인 금속 산화물의 소결체로 이루어진 스퍼터링 타겟.
  25. 제 22 항 내지 제 24 항 중 어느 한 항에 있어서,
    주석 원자가 치환-고용된 산화인듐, 갈륨 원자가 치환-고용된 산화인듐 또는 게르마늄원자가 치환-고용된 산화인듐의 결정의 각각의 최대 입경이 5㎛ 이하인 스퍼터링 타겟.
  26. 제 25 항에 있어서,
    최대 입경이 3㎛ 이하인 스퍼터링 타겟.
  27. [A1](a1) 산화인듐 85 내지 99 질량%, 및 [B] 산화갈륨과 [C] 산화게르마늄의 합계 1 내지 15 질량%로 이루어진 금속 산화물로 이루어진 투명 도전막으로서, 적어도 상기 소결체 중의 산화인듐 성분에, 갈륨 원자가 치환-고용된 산화인듐 및 게르마늄 원자가 치환-고용된 산화인듐이 존재하여 이루어진 투명 도전막.
  28. 제 27 항에 있어서,
    [A1] 성분의 함유 비율이 90 내지 97 질량%이며, [B] 성분과 [C] 성분의 함유 비율의 합계가 3 내지 10 질량%인 금속 산화물로 이루어진 투명 도전막.
  29. [A2](a2) 산화인듐과 (a3) 산화주석의 합계 90 내지 99 질량%, 및 [B] 산화갈륨과 [C] 산화게르마늄의 합계 1 내지 10 질량%로 이루어진 금속 산화물로 이루어진 투명 도전막으로서, 적어도 상기 소결체 중의 산화인듐 성분에, 주석 원자가 치환-고용된 산화인듐, 갈륨 원자가 치환-고용된 산화인듐 및 게르마늄 원자가 치환-고용된 산화인듐이 존재하여 이루어진 투명 도전막.
  30. 제 29 항에 있어서,
    [A2] 성분의 함유 비율이 90 내지 98 질량%이며, [B] 성분과 [C] 성분의 함유 비율의 합계가 2 내지 10 질량%인 금속 산화물로 이루어진 투명 도전막.
  31. 제 29 항에 있어서,
    [A2] 성분의 함유 비율이 92 내지 97 질량%이며, [B] 성분과 [C] 성분의 함유 비율의 합계가 3 내지 8 질량%인 금속 산화물로 이루어진 투명 도전막.
  32. 제 14 항 내지 제 16 항 및 제 29 항 내지 제 31 항 중 어느 한 항에 있어서,
    230℃ 이상의 온도에서 열처리하여 이루어진 투명 도전막.
  33. 제 1 항 내지 제 10 항 및 제 18 항 내지 제 26 항 중 어느 한 항에 따른 스퍼터링 타겟을 이용하여 스퍼터링법에 의해 제막(製膜)하는 것을 특징으로 하는, 투명 도전막의 제조방법.
KR10-2004-7004553A 2001-09-27 2002-09-27 스퍼터링 타겟 및 투명 도전막 KR20040045013A (ko)

Applications Claiming Priority (5)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JPJP-P-2001-00296089 2001-09-27
JP2001297159 2001-09-27
JP2001296089 2001-09-27
JPJP-P-2001-00297159 2001-09-27
PCT/JP2002/010051 WO2003029512A1 (fr) 2001-09-27 2002-09-27 Cible de pulverisation et film electro-conducteur transparent

Publications (1)

Publication Number Publication Date
KR20040045013A true KR20040045013A (ko) 2004-05-31

Family

ID=26623048

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR10-2004-7004553A KR20040045013A (ko) 2001-09-27 2002-09-27 스퍼터링 타겟 및 투명 도전막

Country Status (4)

Country Link
EP (1) EP1431414A1 (ko)
KR (1) KR20040045013A (ko)
CN (1) CN1558962A (ko)
WO (1) WO2003029512A1 (ko)

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101275801B1 (ko) * 2007-12-18 2013-06-18 삼성전자주식회사 산화물 반도체 타겟
KR101321554B1 (ko) * 2006-02-08 2013-10-22 스미토모 긴조쿠 고잔 가부시키가이샤 산화물 소결체 및, 이를 이용하여 얻어지는 산화물막, 이를포함하는 투명기재
KR101440594B1 (ko) * 2012-12-28 2014-09-17 재단법인 포항산업과학연구원 복합 금속 산화물 소결체 제조방법

Families Citing this family (22)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US8681077B2 (en) 2005-03-18 2014-03-25 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device, and display device, driving method and electronic apparatus thereof
KR101006037B1 (ko) * 2005-12-08 2011-01-06 제이엑스 닛코 닛세키 킨조쿠 가부시키가이샤 산화 갈륨-산화 아연계 스퍼터링 타겟, 투명 도전막의 형성방법 및 투명 도전막
US7867636B2 (en) * 2006-01-11 2011-01-11 Murata Manufacturing Co., Ltd. Transparent conductive film and method for manufacturing the same
JP2007250369A (ja) 2006-03-16 2007-09-27 Sumitomo Chemical Co Ltd 透明導電性膜およびその製造方法
JP5143410B2 (ja) * 2006-12-13 2013-02-13 出光興産株式会社 スパッタリングターゲットの製造方法
JP5288142B2 (ja) * 2008-06-06 2013-09-11 出光興産株式会社 酸化物薄膜用スパッタリングターゲットおよびその製造法
KR101224769B1 (ko) * 2008-06-10 2013-01-21 제이엑스 닛코 닛세키 킨조쿠 가부시키가이샤 스퍼터링용 산화물 소결체 타겟 및 그 제조 방법
JP4295811B1 (ja) * 2008-09-17 2009-07-15 三井金属鉱業株式会社 酸化亜鉛系ターゲット
WO2010070832A1 (ja) * 2008-12-15 2010-06-24 出光興産株式会社 複合酸化物焼結体及びそれからなるスパッタリングターゲット
CN101691651B (zh) * 2009-10-10 2011-07-27 西安交通大学 一种InGaZnO透明导电薄膜的L-MBE制备方法
JP4843083B2 (ja) * 2009-11-19 2011-12-21 出光興産株式会社 Ｉｎ−Ｇａ−Ｚｎ系酸化物スパッタリングターゲット
DE102010047756B3 (de) * 2010-10-08 2012-03-01 Heraeus Materials Technology Gmbh & Co. Kg Sputtertarget mit amorphen und mikrokristallinen Anteilen sowie Verfahren zur Herstellung eines Sputtertargets
TWI447073B (zh) * 2011-11-23 2014-08-01 Ind Tech Res Inst 銦鎵鋅氧化物（ｉｇｚｏ）奈米粉體及其製備方法與濺鍍用靶材
US9885108B2 (en) 2012-08-07 2018-02-06 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method for forming sputtering target
US10557192B2 (en) 2012-08-07 2020-02-11 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method for using sputtering target and method for forming oxide film
CN103304220B (zh) * 2013-06-04 2014-10-22 信利半导体有限公司 靶材及其制备方法、显示装置
CN104353448A (zh) * 2014-11-02 2015-02-18 桂林理工大学 可见光响应的光催化剂InGaZn6O9及其制备方法
JP6254308B2 (ja) * 2016-04-19 2017-12-27 株式会社コベルコ科研 酸化物焼結体およびスパッタリングターゲット、並びにそれらの製造方法
TWI720097B (zh) 2016-07-11 2021-03-01 日商半導體能源硏究所股份有限公司 濺射靶材及濺射靶材的製造方法
JP6364562B1 (ja) * 2017-05-19 2018-07-25 株式会社コベルコ科研 酸化物焼結体およびスパッタリングターゲット
CN107130217B (zh) * 2017-06-01 2019-02-19 安徽拓吉泰新型陶瓷科技有限公司 一种低成本、高密度ito靶材的制备方法
CN107731352B (zh) * 2017-07-14 2019-10-18 无锡舒玛天科新能源技术有限公司 柔性电子玻璃透明导电氧化物薄膜电路制备方法

Family Cites Families (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH04272612A (ja) * 1991-02-26 1992-09-29 Kojundo Chem Lab Co Ltd 透明電極
JPH0794015A (ja) * 1993-06-30 1995-04-07 Chichibu Onoda Cement Corp 導電体製造用組成物
US5407602A (en) * 1993-10-27 1995-04-18 At&T Corp. Transparent conductors comprising gallium-indium-oxide
JPH07333438A (ja) * 1994-06-14 1995-12-22 Idemitsu Kosan Co Ltd 導電性偏光板およびその製造方法
JP3746094B2 (ja) * 1995-06-28 2006-02-15 出光興産株式会社 ターゲットおよびその製造方法
US6042752A (en) * 1997-02-21 2000-03-28 Asahi Glass Company Ltd. Transparent conductive film, sputtering target and transparent conductive film-bonded substrate
JP2000067657A (ja) * 1998-08-26 2000-03-03 Internatl Business Mach Corp <Ibm> 赤外線透過に優れた透明導電膜及びその製造方法

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101321554B1 (ko) * 2006-02-08 2013-10-22 스미토모 긴조쿠 고잔 가부시키가이샤 산화물 소결체 및, 이를 이용하여 얻어지는 산화물막, 이를포함하는 투명기재
KR101275801B1 (ko) * 2007-12-18 2013-06-18 삼성전자주식회사 산화물 반도체 타겟
KR101440594B1 (ko) * 2012-12-28 2014-09-17 재단법인 포항산업과학연구원 복합 금속 산화물 소결체 제조방법

Also Published As

Publication number Publication date
CN1558962A (zh) 2004-12-29
EP1431414A1 (en) 2004-06-23
WO2003029512A1 (fr) 2003-04-10

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR101024177B1 (ko) 스퍼터링 타겟, 투명 전도막 및 이들의 제조방법
KR20040045013A (ko) 스퍼터링 타겟 및 투명 도전막
KR101080527B1 (ko) 스퍼터링 타겟, 투명 도전막 및 투명 전극
JP4054054B2 (ja) 酸化ガリウム−酸化亜鉛系スパッタリングターゲット、透明導電膜の形成方法及び透明導電膜
US20040222089A1 (en) Sputtering target and transparent electroconductive film
KR101004981B1 (ko) 산화갈륨-산화아연계 스퍼터링 타겟, 투명 도전막의 형성방법 및 투명 도전막
KR101738742B1 (ko) 산화물 소결체, 스퍼터링 타깃 및 박막 그리고 산화물 소결체의 제조 방법
KR20140027238A (ko) In₂O₃-SnO₂-ZnO계 스퍼터링 타겟
KR20110039449A (ko) 복합 산화물 소결체, 복합 산화물 소결체의 제조방법, 스퍼터링 타겟 및 박막의 제조방법
JP6229366B2 (ja) 複合酸化物焼結体及び酸化物透明導電膜
KR101214422B1 (ko) 투명 도전막 제조용의 산화물 소결체
EP1422316A1 (en) Method for cleaning reaction container and film deposition system
JP6155919B2 (ja) 複合酸化物焼結体及び酸化物透明導電膜
KR20140006700A (ko) 산화아연계 스퍼터링 타겟, 그 제조방법 및 이를 통해 증착된 차단막을 갖는 박막트랜지스터
WO2013042747A1 (ja) 酸化物焼結体およびその製造方法並びに酸化物透明導電膜

Legal Events

Date Code Title Description
WITN Application deemed withdrawn, e.g. because no request for examination was filed or no examination fee was paid