JP2019151916A - Cu−Ni合金スパッタリングターゲット - Google Patents
Cu−Ni合金スパッタリングターゲット Download PDFInfo
- Publication number
- JP2019151916A JP2019151916A JP2019000734A JP2019000734A JP2019151916A JP 2019151916 A JP2019151916 A JP 2019151916A JP 2019000734 A JP2019000734 A JP 2019000734A JP 2019000734 A JP2019000734 A JP 2019000734A JP 2019151916 A JP2019151916 A JP 2019151916A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- alloy
- sputtering target
- alloy sputtering
- oxide
- oxide phase
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Landscapes
- Physical Vapour Deposition (AREA)
- Powder Metallurgy (AREA)
- Electrodes Of Semiconductors (AREA)
Abstract
Description
さらに、40〜50mass%のNiを含む銅ニッケル合金においては、抵抗温度係数が小さいことから、例えば特許文献5に示すように、ひずみゲージ用薄膜抵抗体として使用されている。
また、この銅ニッケル合金は、起電力が大きいことから、例えば特許文献6−8に示すように、薄膜熱電対及び補償導線として使用されている。
さらに、22mass%以下のNiを含む銅ニッケル合金においても、一般電気抵抗体や低温発熱体等として利用されている。
また、特許文献11には、Cu−Ni合金の焼結体の製造方法が提案されている。
ここで、Cu―Ni合金スパッタリングターゲットにおいて結晶粒が粗大化した場合には、スパッタが進行した際にスパッタ面に凹凸が生じ、膜厚や組成の均一な膜を成膜できなくなるおそれがあった。また、異常放電が発生しやすくなり、スパッタ成膜を安定して実施することができなくなるおそれがあった。
よって、結晶粒の粗大化が抑制され、膜厚や組成が均一化されたCu―Ni合金膜を安定して成膜することが可能となる。
この場合、Niの含有量が16mass%以上とされているので、耐食性に優れたCu−Ni合金膜を成膜することができる。また、Niの含有量が55mass%以下とされているので、電気抵抗が低いCu−Ni合金膜を成膜することができる。
よって、耐食性及び導電性が求められる用途に特に適したCu−Ni合金膜を、安定して成膜することができる。
この場合、前記Ni酸化物相の最大粒径が10μm未満に制限されているので、Ni酸化物相に起因した異常放電の発生をさらに抑制することができ、安定してスパッタ成膜することが可能となる。
この場合、CuとNiの固溶体からなる母相の平均粒径が100μm以下とされているので、スパッタ成膜時における異常放電の発生を十分に抑制することができる。また、CuとNiの固溶体からなる母相の平均粒径が5μm以上とされているので、製造コストを低く抑えることができる。
本実施形態であるCu−Ni合金スパッタリングターゲットは、配線膜、銅配線の下地膜、ひずみゲージ用薄膜抵抗体、薄膜熱電対及び補償導線、一般電気抵抗体や低温発熱体等として使用されるCu−Ni合金薄膜を成膜する際に用いられるものである。
ここで、本実施形態のCu−Ni合金スパッタリングターゲットにおいては、Niの含有量が16mass%以上55mass%以下の範囲内とされ、残部がCuと不可避不純物からなる組成としている。
さらに、本実施形態であるCu−Ni合金スパッタリングターゲットにおいては、CuとNiの固溶体からなる母相の平均粒径が5μm以上100μm以下の範囲内とされている。
本実施形態であるCu−Ni合金スパッタリングターゲットにおいては、CuとNiの固溶体からなる母相の結晶粒界に、Ni酸化物相が存在している。このNi酸化物相により、母相の結晶粒の成長が抑制されることになり、結晶粒の粗大化が抑制される。
ここで、Ni酸化物相の面積率が0.1%未満の場合には、上述した結晶粒の成長を抑制する効果を十分に得ることができないおそれがある。一方、Ni酸化物相の面積率が5.0%を超える場合には、絶縁体であるNi酸化物相を起因とした異常放電が発生するおそれがある。
このため、本実施形態であるCu−Ni合金スパッタリングターゲットにおいては、Ni酸化物相の面積率を0.1%以上5.0%以下の範囲内としている。
なお、結晶粒の成長を確実に抑制するためには、Ni酸化物相の面積率の下限を0.2%以上とすることが好ましく、0.3%以上とすることがさらに好ましい。一方、Ni酸化物相を起因とした異常放電の発生をさらに抑制するためには、Ni酸化物相の面積率の上限を4.5%以下とすることが好ましく、4.0%以下とすることがさらに好ましい。
上述のように、Ni酸化物相は絶縁体であることから、スパッタ成膜時に異常放電の発生の原因となる。
このため、本実施形態において、さらにNi酸化物相に起因した異常放電の発生を抑制するためには、Ni酸化物相の最大粒径を10μm未満とすることが好ましい。
なお、Ni酸化物相に起因した異常放電の発生をさらに抑制するためには、Ni酸化物相の最大粒径を8μm以下とすることが好ましく、5μm以下とすることがさらに好ましい。また、Ni酸化物相の最大粒径の下限は、0.1μm以上とすることが好ましく、1μm以上とすることがさらに好ましい。
Cu−Ni合金スパッタリングターゲットにおいては、結晶粒径を微細化することにより、スパッタ面全体でスパッタレートを安定させることが可能となる。また、結晶粒が粗大化すると、スパッタ成膜時に異常放電が発生するおそれがある。
このため、本実施形態において、さらにスパッタ面全体でスパッタレートを安定させるとともにスパッタ成膜時の異常放電の発生を抑制するためには、CuとNiの固溶体からなる母相の平均粒径を100μm以下とすることが好ましい。一方、製造コストの増加をさらに抑制するためには、CuとNiの固溶体からなる母相の平均粒径を5μm以上とすることが好ましい。
なお、CuとNiの固溶体からなる母相の平均粒径の下限は8μm以上とすることが好ましく、10μm以上とすることがさらに好ましい。また、CuとNiの固溶体からなる母相の平均粒径の上限は90μm以下とすることが好ましく、70μm以下とすることがさらに好ましい。
上述のように、NiとCuは全率固溶体を形成することから、Ni含有量を調整することで、Cu−Ni合金膜の電気抵抗、耐食性等の特性を制御することが可能となる。このため、成膜したCu−Ni合金膜への要求特性に応じて、Cu−Ni合金スパッタリングターゲットにおけるNi含有量を設定することになる。
ここで、耐食性に十分に優れたCu−Ni合金膜を成膜する場合には、Cu−Ni合金スパッタリングターゲットにおけるNiの含有量を16mass%以上とすることが好ましい。一方、Cu−Ni合金膜の電気抵抗を低く抑えて導電性を確保する場合には、Cu−Ni合金スパッタリングターゲットにおけるNiの含有量を55mass%以下とすることが好ましい。Niの含有量を55mass%以下としたCu−Ni合金スパッタリングターゲットの比抵抗は、5×10−5Ω・cm程度となる。
なお、さらに耐食性に優れたCu−Ni合金膜を成膜する場合には、Cu−Ni合金スパッタリングターゲットにおけるNiの含有量の下限を20mass%以上とすることが好ましく、25mass%以上とすることが好ましい。一方、Cu−Ni合金膜の電気抵抗をさらに低く抑える場合には、Cu−Ni合金スパッタリングターゲットにおけるNiの含有量の上限を50mass%以下とすることが好ましく、45mass%以下とすることが好ましい。
なお、本実施形態においては、粉末焼結法によって、Cu−Ni合金スパッタリングターゲットを製造している。
まず、焼結原料粉を形成する。ここで、Cu粉とNi粉との混合粉を用いてもよいし、Cu−Ni合金粉を用いてもよい。
ここで、本実施形態では、以下のように製造したCu−Ni合金粉を用いている。
まず、Cu原料とNi原料を所定の配合比となるように秤量する。ここで、Cu原料は純度99.99mass%以上のものを用いることが好ましい。また、Ni原料は純度99.9mass%以上のものを用いることが好ましい。具体的には、Cu原料として無酸素銅を用いることが好ましく、Ni原料として電解Niを用いることが好ましい。
なお、Cu原料及びNi原料を溶解した後のCu−Ni合金溶湯を、3分以上15分以下の範囲内で保持することが好ましい。保持時間が短いと、NiとCuの組成が不均一となるおそれがある。また、Niの磁性が残るおそれがある。
なお、ノズルの孔径は0.5mm以上5.0mm以下の範囲内とすることが好ましい。また、Arガスの噴射ガス圧は1MPa以上10MPa以下の範囲内とすることが好ましい。さらに、溶湯温度は1400℃以上1700℃以下の範囲内とすることが好ましい。
上述のようにして得られたガスアトマイズ粉を、冷却後にふるいで分級することにより、所定の粒径のCu―Ni合金粉を得る。本実施形態では、Cu―Ni合金粉の平均粒径を1μm以上300μm以下の範囲内としている。
また、Ni酸化物粉としては、純度が95mass%以上、平均粒径が0.1μm以上10μm未満の範囲内のものを用いることが好ましい。また、Ni酸化物粉の添加量は、Cu−Ni合金スパッタリングターゲットにおけるNi酸化物相の面積率が上述の範囲内となるように、適宜調整することが好ましい。
Cu−Ni合金粉とNi酸化物粉を混合する際には、ミキサーやブレンダー、具体的には、ヘンシェルミキサー、ロッキングミキサー、V型混合機を用いることができる。
以上のようにして、Ni酸化物を含む焼結原料粉を得る。
次に、得られたCu−Ni合金粉及びNi酸化物粉の混合紛からなる焼結原料粉を、加圧及び加熱して、所定形状の焼結体を得る。
なお、焼結工程S02における焼結方法については、例えば熱間等方圧加圧法(HIP)、ホットプレス法(HP)等を適用することができる。
本実施形態では、熱間等方圧加圧法(HIP)を適用している。また、焼結条件は、温度:800℃以上1200℃以下、圧力:10MPa以上200MPa以下、保持時間:1時間以上6時間以下、とすることが好ましい。
焼結工程S02で得られた焼結体に対して、機械加工を行うことにより、所定の形状及び寸法のCu−Ni合金スパッタリングターゲットを得る。
よって、結晶粒の粗大化が抑制され、膜厚や組成が均一化されたCu―Ni合金膜を安定して成膜することが可能となる。
例えば、本実施形態では、Cu−Ni合金粉にNi酸化物粉を混合して焼結原料粉を形成するものとして説明したが、これに限定されることはなく、アトマイズ時の原料にNi酸化物を添加して、Ni酸化物を含むCu−Ni合金粉を製造してもよい。また、アトマイズ中に酸素ガスを導入してNiを酸化させることで、Ni酸化物を含むCu−Ni合金粉を製造してもよい。
Cu原料として純度99.99mass%の無酸素銅を、Ni原料として純度99.9%以上の電解Niを準備し、これをアルミナ製のるつぼに入れてガスアトマイズ装置にセットし、平均粒径50μmのCu−Ni合金粉末を得た。なお、アトマイズ条件は、溶湯温度1550℃、保持時間8分、噴射圧5MPa、ノズル径2.0mmとした。
また、Ni酸化物粉として、純度99mass%以上で、平均粒径10μm未満のNiO粉を準備した。
なお、表1の配合組成のNiの欄においては、添加したNi酸化物粉(NiO粉)のNiも含むものである。すなわち、Ni酸化物紛に含まれるNi量を考慮して、表1の配合組成となるように、Ni原料とCu原料との配合比を決定し、Cu−Ni合金粉末を製造した。
得られた焼結体を機械加工し、直径150.4mm×厚さ6mmの円板形状のCu−Ni合金スパッタリングターゲットを得た。
得られたCu−Ni合金スパッタリングターゲットから測定試料を採取し、これを酸で前処理した後、ICP分析を実施した。
その結果、本発明例1〜7及び比較例1〜4のCu−Ni合金スパッタリングターゲットのCuとNiの含有量については、配合組成と略同等であることを確認した。
図4に示すように、Cu−Ni合金スパッタリングターゲットのスパッタ面(円形面)の中心(1)、および、その中心で互いに直交する2本の直線のそれぞれの両端部(2)、(3)、(4)、(5)の合計5点からサンプルを採取した。採取した各サンプルをエポキシ樹脂に埋め込み、表面(スパッタ面に該当する面)を研磨加工した後、プローブマイクロアナライザ(EPMA)装置(日本電子株式会社製)を用いて、倍率1500倍、0.005mm2の観察面積でCu,Ni,Oの元素マッピング像を撮影し、得られたCu,Ni,Oの元素マッピング像から、NiとOのみが共存している領域をNi酸化物相と判断した。そして、画像全体に占めるNi酸化物相の面積率を算出し、5点のサンプルの結果を平均した。
また、観察されたNi酸化物相の円相当径を、画像解析ソフトWinroofを用いて求め、最も大きな円相当径を、Ni酸化物相の最大粒径として表1に示した。
図4に示すように、Cu−Ni合金スパッタリングターゲットのスパッタ面(円形面)の中心(1)、および、その中心で互いに直交する2本の直線のそれぞれの両端部(2)、(3)、(4)、(5)の合計5点からサンプルを採取した。採取した各サンプルの表面(スパッタ面に該当する面)を研磨加工した後、研磨された表面を、エッチング液を用いてエッチング処理した。
次に、光学顕微鏡を用いて研磨面を観察し、1400倍の倍率、0.040mm2の観察面積にて組織写真を撮影した。そして、組織写真中の結晶粒径を、ASTM E 112に記載の切断法によって計測した。
上述の5つのサンプルでそれぞれ結晶粒径を測定し、CuとNiの固溶体からなる母相の平均粒径を算出した。評価結果を表1に示す。
図4に示すように、Cu−Ni合金スパッタリングターゲットのスパッタ面(円形面)の中心(1)、および、その中心で互いに直交する2本の直線のそれぞれの両端部(2)、(3)、(4)、(5)の合計5点からサンプルを採取した。これらのサンプルを用いて、JIS Z 2613「金属材料の酸素定量方法通則」に記載された赤外線吸収法に準拠して,LECO社製TC600を用いて、酸素含有量を測定した。
そして、5つのサンプルの酸素含有量の平均値、最小値、最大値を用いて、以下の式によって酸素量のばらつきを求めた。
酸素量のばらつき(%)={(最大値−最小値)/平均値}×100
その結果、本発明例1〜7及び比較例1〜4のCu−Ni合金スパッタリングターゲットの酸素量のばらつきは、いずれも30%以下であることを確認した。
Cu−Ni合金スパッタリングターゲットを無酸素銅製のバッキングプレートにはんだ付けし、これをマグネトロン式のDCスパッタ装置に装着した。
次いで、以下のスパッタ条件にて、60分間連続して、スパッタ法による成膜を実施した。このスパッタ成膜の間、DCスパッタ装置の電源に付属されたアークカウンターを用いて、異常放電の発生回数をカウントした。評価結果を表1に示す。
到達真空度:5×10−5Pa
Arガス圧:0.3Pa
スパッタ出力:直流1000W
Ni酸化物相の面積率が5.0%を超える比較例3,4においては、CuとNiの固溶体からなる母相の平均粒径は小さくなったが、異常放電の発生回数が多くなった。Ni酸化物相を起因とした異常放電が発生したためと推測される。
また、Ni酸化物相の最大粒径が10μm未満とされた本発明例1〜6においては、さらに異常放電の発生が抑制された。
Claims (4)
- Niを含み、残部がCuと不可避不純物からなるCu−Ni合金スパッタリングターゲットであって、
CuとNiの固溶体からなる母相の粒界にNi酸化物相が存在しており、これらNi酸化物相の面積率が0.1%以上5.0%以下の範囲内とされていることを特徴とするCu−Ni合金スパッタリングターゲット。 - Niの含有量が16mass%以上55mass%以下の範囲内とされ、残部がCuと不可避不純物からなる組成とされていることを特徴とする請求項1に記載のCu−Ni合金スパッタリングターゲット。
- 前記Ni酸化物相の最大粒径が10μm未満とされていることを特徴とする請求項1又は請求項2に記載のCu−Ni合金スパッタリングターゲット。
- CuとNiの固溶体からなる母相の平均粒径が5μm以上100μm以下の範囲内とされていることを特徴とする請求項1から請求項3のいずれか一項に記載のCu−Ni合金スパッタリングターゲット。
Priority Applications (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN201980015784.6A CN111788332B (zh) | 2018-03-01 | 2019-02-05 | Cu-Ni合金溅射靶 |
PCT/JP2019/003997 WO2019167564A1 (ja) | 2018-03-01 | 2019-02-05 | Cu-Ni合金スパッタリングターゲット |
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2018036509 | 2018-03-01 | ||
JP2018036509 | 2018-03-01 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2019151916A true JP2019151916A (ja) | 2019-09-12 |
JP6627993B2 JP6627993B2 (ja) | 2020-01-08 |
Family
ID=67948432
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2019000734A Active JP6627993B2 (ja) | 2018-03-01 | 2019-01-07 | Cu−Ni合金スパッタリングターゲット |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP6627993B2 (ja) |
CN (1) | CN111788332B (ja) |
Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2015079941A (ja) * | 2013-09-10 | 2015-04-23 | 日立金属株式会社 | 積層配線膜およびその製造方法ならびにNi合金スパッタリングターゲット材 |
WO2015170534A1 (ja) * | 2014-05-08 | 2015-11-12 | 三井金属鉱業株式会社 | スパッタリングターゲット材 |
CN105734507A (zh) * | 2016-04-05 | 2016-07-06 | 基迈克材料科技(苏州)有限公司 | 成膜均匀的细晶镍合金旋转靶材及其热挤压优化制备方法 |
JP2016157925A (ja) * | 2015-02-25 | 2016-09-01 | 日立金属株式会社 | 電子部品用積層配線膜および被覆層形成用スパッタリングターゲット材 |
WO2018207770A1 (ja) * | 2017-05-09 | 2018-11-15 | 三菱マテリアル株式会社 | CuNi合金スパッタリングターゲットおよびCuNi合金粉末 |
Family Cites Families (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5301738A (en) * | 1988-11-10 | 1994-04-12 | Lanxide Technology Company, Lp | Method of modifying the properties of a metal matrix composite body |
JPH0551662A (ja) * | 1991-08-22 | 1993-03-02 | Sumitomo Metal Mining Co Ltd | Cu−Ni系合金焼結体の製造方法 |
US5980604A (en) * | 1996-06-13 | 1999-11-09 | The Regents Of The University Of California | Spray formed multifunctional materials |
US20080131735A1 (en) * | 2006-12-05 | 2008-06-05 | Heraeus Incorporated | Ni-X, Ni-Y, and Ni-X-Y alloys with or without oxides as sputter targets for perpendicular magnetic recording |
CN102465265A (zh) * | 2010-11-10 | 2012-05-23 | 光洋应用材料科技股份有限公司 | 靶材及其使用于磁性记录媒体的记录层材料 |
CN104060229A (zh) * | 2014-06-20 | 2014-09-24 | 贵研铂业股份有限公司 | 一种CoCrPt-氧化物磁记录靶材、薄膜及其制备方法 |
CN109923610B (zh) * | 2016-11-01 | 2021-01-29 | 田中贵金属工业株式会社 | 磁记录介质用溅射靶 |
-
2019
- 2019-01-07 JP JP2019000734A patent/JP6627993B2/ja active Active
- 2019-02-05 CN CN201980015784.6A patent/CN111788332B/zh active Active
Patent Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2015079941A (ja) * | 2013-09-10 | 2015-04-23 | 日立金属株式会社 | 積層配線膜およびその製造方法ならびにNi合金スパッタリングターゲット材 |
WO2015170534A1 (ja) * | 2014-05-08 | 2015-11-12 | 三井金属鉱業株式会社 | スパッタリングターゲット材 |
JP2016157925A (ja) * | 2015-02-25 | 2016-09-01 | 日立金属株式会社 | 電子部品用積層配線膜および被覆層形成用スパッタリングターゲット材 |
CN105734507A (zh) * | 2016-04-05 | 2016-07-06 | 基迈克材料科技(苏州)有限公司 | 成膜均匀的细晶镍合金旋转靶材及其热挤压优化制备方法 |
WO2018207770A1 (ja) * | 2017-05-09 | 2018-11-15 | 三菱マテリアル株式会社 | CuNi合金スパッタリングターゲットおよびCuNi合金粉末 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
CN111788332B (zh) | 2021-08-06 |
JP6627993B2 (ja) | 2020-01-08 |
CN111788332A (zh) | 2020-10-16 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
TWI496905B (zh) | A sputtering target having an oxide phase dispersed in a Co or Co alloy phase, a magnetic thin film composed of a Co or Co alloy phase and an oxide phase, and a magnetic recording medium using the magnetic thin film | |
JP5808513B1 (ja) | スパッタリングターゲット材 | |
JP5761691B2 (ja) | 複合セラミックス、半導体製造装置の構成部材及びこれらの製造方法 | |
WO2011102359A1 (ja) | スパッタリングターゲット-バッキングプレート組立体 | |
JP6783528B2 (ja) | セラミック構造体、その製法及び半導体製造装置用部材 | |
JP2017025348A (ja) | Mo−W酸化物スパッタリングターゲット、及び、Mo−W酸化物スパッタリングターゲットの製造方法 | |
JP2013082998A (ja) | MoTiターゲット材およびその製造方法 | |
WO2018207770A1 (ja) | CuNi合金スパッタリングターゲットおよびCuNi合金粉末 | |
JP4622946B2 (ja) | 抵抗薄膜材料、抵抗薄膜形成用スパッタリングターゲット、抵抗薄膜、薄膜抵抗器およびその製造方法。 | |
JP6627993B2 (ja) | Cu−Ni合金スパッタリングターゲット | |
WO2019167564A1 (ja) | Cu-Ni合金スパッタリングターゲット | |
WO2019203258A1 (ja) | Cu-Ni合金スパッタリングターゲット | |
JP4775140B2 (ja) | スパッタリングターゲット | |
JP2019108571A (ja) | CuNi合金スパッタリングターゲットおよびCuNi合金粉末 | |
JP2019039070A (ja) | SiCスパッタリングターゲット | |
JP2017218621A (ja) | ターゲット材及びその製造方法 | |
JP2021075749A (ja) | スパッタリングターゲット | |
JP3852446B2 (ja) | 抵抗薄膜材料およびこれを用いた抵抗薄膜の製造方法 | |
JP4042714B2 (ja) | 金属抵抗体材料、スパッタリングターゲットおよび抵抗薄膜 | |
JP7087741B2 (ja) | 抵抗体材料、抵抗薄膜形成用スパッタリングターゲット、抵抗薄膜及び薄膜抵抗器、並びに抵抗薄膜形成用スパッタリングターゲットの製造方法及び抵抗薄膜の製造方法 | |
JP7178707B2 (ja) | MgO-TiO系スパッタリングターゲットの製造方法 | |
JP2018188731A (ja) | CuNi合金スパッタリングターゲットおよびCuNi合金粉末 | |
KR20230132862A (ko) | Cr-Si 계 막 | |
JP2004319410A (ja) | マイクロマシンスイッチの接触電極用薄膜およびこの接触電極用薄膜を形成するためのスパッタリングターゲット | |
KR20110047145A (ko) | 저항체 재료, 저항 박막 형성용 스퍼터링 타겟, 저항 박막, 박막 저항기 및 이들의 제조방법 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20190612 |
|
A871 | Explanation of circumstances concerning accelerated examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A871 Effective date: 20190618 |
|
A975 | Report on accelerated examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971005 Effective date: 20190701 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20190709 |
|
A601 | Written request for extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A601 Effective date: 20190909 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20191001 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20191105 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20191118 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 6627993 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |