WO2015118768A1 - 負荷駆動回路 - Google Patents

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WO2015118768A1
WO2015118768A1 PCT/JP2014/082357 JP2014082357W WO2015118768A1 WO 2015118768 A1 WO2015118768 A1 WO 2015118768A1 JP 2014082357 W JP2014082357 W JP 2014082357W WO 2015118768 A1 WO2015118768 A1 WO 2015118768A1
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circuit
low
gate signal
load
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Inventor
理仁 曽根原
洋一郎 小林
Original Assignee
日立オートモティブシステムズ株式会社
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    • H03K17/08Modifications for protecting switching circuit against overcurrent or overvoltage
    • H03K17/082Modifications for protecting switching circuit against overcurrent or overvoltage by feedback from the output to the control circuit
    • H03K17/0822Modifications for protecting switching circuit against overcurrent or overvoltage by feedback from the output to the control circuit in field-effect transistor switches
    • HELECTRICITY
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    • H03K2217/0063High side switches, i.e. the higher potential [DC] or life wire [AC] being directly connected to the switch and not via the load
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    • H03K2217/00Indexing scheme related to electronic switching or gating, i.e. not by contact-making or -breaking covered by H03K17/00
    • H03K2217/0072Low side switches, i.e. the lower potential [DC] or neutral wire [AC] being directly connected to the switch and not via the load

Definitions

  • the present invention relates to a load driving circuit.
  • a common method for detecting a failure in a load drive circuit is to insert a current detection resistor in series between the load drive circuit to be detected and the load, and measure the voltage across the current detection resistor to drive the load.
  • There is a method for detecting a short circuit state of a circuit has a problem that power loss occurs due to the current detection resistor. Therefore, by connecting in parallel a current detection circuit composed of a small current detection transistor or the like to the driver transistor that drives the electric actuator to be controlled, and detecting the current flowing through this current detection circuit, A method for realizing failure detection of a low-loss load driving circuit is known.
  • a switching element by a P-channel MOS transistor (hereinafter referred to as “PMOS”) connected to a positive electrode side (hereinafter referred to as “high side”) of a DC power source and a ground side (hereinafter referred to as “low side”).
  • PMOS P-channel MOS transistor
  • high side positive electrode side
  • low side ground side
  • NMOS N channel type MOS transistor
  • faults that can be detected by overcurrent of the PMOS used on the high side are faults in which the inductor that is the load and the connection terminal of the switching element that drives the load are short-circuited to the ground side (hereinafter referred to as a ground fault) Limited to.
  • a fault other than a ground fault there is a fault (hereinafter referred to as a power fault) in which the connection terminal of the inductor and the switching element is short-circuited to the positive electrode side of the DC power supply.
  • a power fault an overcurrent is generated in the NMOS used on the low side, but no overcurrent is generated in the PMOS used on the high side, so the failure cannot be detected.
  • a main object of the present invention is to provide a failure detection circuit capable of detecting a plurality of failure states.
  • a load driving circuit that receives a power supply from a power source and drives a load
  • the load driving circuit includes: A high-side switching element connected to the positive side of the power supply and outputting a high-side drive current; A low-side switching element connected to the negative side of the power supply and outputting a low-side drive current; A high-side current detection circuit that is connected in parallel with the high-side switching element and detects a high-side drive current; A failure detection circuit for detecting a failure state of the load drive circuit from an output result of the high-side current detection circuit,
  • the high side current detection circuit includes: The high-side sensing switching element that operates according to a gate signal different from the high-side switching element, and is configured by the same type of device as the high-side switching element, The failure detection circuit is Using the output result of the high-side current detection circuit, the gate signal of the high-side switching
  • a failure detection circuit capable of detecting a plurality of failure states. Problems, configurations, and effects other than those described above will be clarified by the following description of embodiments.
  • 1 is a block diagram showing a load driving circuit according to a first embodiment of the present invention. It is a block diagram which shows an example of a structure of the current detection circuit by the 1st Embodiment of this invention. It is a block diagram which shows an example of a structure of the failure detection circuit by the 1st Embodiment of this invention.
  • 3 is a timing chart illustrating an example of circuit operation according to the first embodiment of the present invention. It is a block diagram which shows an example of a structure of the load drive circuit by the 2nd Embodiment of this invention. It is a timing chart which shows an example of circuit operation by a 2nd embodiment of the present invention. It is a block diagram which shows the load drive circuit by the 3rd Embodiment of this invention.
  • FIG. 1 is a block diagram showing a configuration of a load driving circuit 1A and an electromagnetic load 2 according to the first embodiment of the present invention.
  • a load driving circuit 1A shown in FIG. 1 is connected to an electromagnetic load 2 via a terminal OUT, receives power from a positive side VH of a DC power supply, controls on / off with a gate signal INH_M, and is a high side composed of an NMOS.
  • a current detection circuit 5H that outputs a sense current IsH proportional to the voltage between the drain and source of the switching element 3 and a failure detection circuit 6H that detects a failure state of the load drive circuit 1A from the sense current IsH are provided. Further, the other terminal of the electromagnetic load 2 is connected to GND (hereinafter referred to as a high-side driver configuration).
  • FIG. 2 is a block diagram showing an example of the configuration of the current detection circuit 5H according to the first embodiment of the present invention.
  • the current detection circuit 5H shown in FIG. 2 controls ON / OFF with INH_S, and includes a high-side sense MOS 5H1 made of NMOS of the same process as the high-side switching element 3, and a source terminal (OUT terminal) of the high-side switching element 3.
  • a virtual short circuit 5H2 including an operational amplifier and a PMOS for setting the source terminal voltage of the sense MOS 5H1 to the same potential is provided.
  • FIG. 3 is a block diagram showing an example of the configuration of the failure detection circuit 6H according to the first embodiment of the present invention.
  • the failure detection circuit 6H shown in FIG. 3 is a circuit that detects a failure state in which the OUT terminal is short-circuited to GND (hereinafter referred to as a ground fault) and a state in which the OUT terminal is short-circuited to VH (hereinafter referred to as a power fault).
  • a circuit 6H3 is provided.
  • the comparison detection circuit 6H1 includes a low-pass filter LPF1 with a time constant D1 that removes the influence of noise and outputs a DET_H signal, and the generation circuit 6H2 for the detection period Td includes a low-pass filter LPF2 with a time constant D2.
  • FIG. 4 is a timing chart for explaining the operation of the load driving circuit 1A according to the first embodiment of the present invention.
  • the timing chart shown in FIG. 4 includes operations defined in FIGS. 1 to 3 for operations in three states: a power fault that can be detected in the present embodiment, a ground fault, and a state without a failure (hereinafter, normal). It is indicated by the operation waveform at the contact.
  • the gate signal INH_M of the high-side switching element 3 and the gate signal INL_M of the low-side switching element 4 are alternately turned on and off alternately during a period other than the dead time period Tdead that is simultaneously turned off.
  • the dead time period from when INH_M transitions to OFF until INL_M transitions to ON is the GND terminal due to the return current flowing through the body diode of the low-side switching element. Lower potential.
  • the timing chart in this application describes each failure state such as normal, power fault, ground fault, etc. in one timing chart, but there is no temporal continuity in the failure state, each of which is independent and the previous failure Status detection results are not inherited.
  • FIG. 5 is a block diagram showing the configuration of the load drive circuit 1B and the electromagnetic load 2 according to the second embodiment of the present invention.
  • the pre-driver circuit 7H that outputs the gate signal INH_S of the high-side sense MOS 5H1 and the gate signal INL_M of the low-side switching element 4.
  • the pre-driver circuit 7H changes INH_M from on to off when the IN signal changes from H to L, and changes INH_S from on to off after the delay time DH.
  • INL_M is changed from OFF to ON after the dead time period Tdead.
  • FIG. 6 is a timing chart for explaining the operation of the load driving circuit 1B according to the second embodiment of the present invention.
  • the timing chart shown in FIG. 6 is the same as the timing chart of FIG. 4 because the operation of the output signals (DET_H, VH_SHH, GND_SHH) of the fault detection circuit 6 in normal, power fault, and ground fault is the load by the pre-driver 7.
  • the operation and effect of the drive circuit 1B will be described.
  • the pre-driver 7H fixes INL_M to OFF regardless of the IN signal. Thereby, an overcurrent generated when the low-side switching element is turned on can be prevented, which is advantageous in improving the safety of the load driving circuit 1B.
  • FIG. 7 is a block diagram showing the configuration of the load drive circuit 1C and the electromagnetic load 2 according to the third embodiment of the present invention.
  • the terminal OUT receives power from the ground side GND of the DC power supply, controls on / off with the gate signal INL_M, and is low-side switching composed of NMOS.
  • the power is supplied from the element 4 and the positive side VH of the DC power supply, and is controlled to be turned on / off by the gate signal INH_M, and connected in parallel with the high-side switching element 3 and the low-side switching element 4 made of NMOS.
  • 4 includes a current detection circuit 5L that outputs a sense current IsL proportional to the voltage between the drain and the source 4 and a failure detection circuit 6L that detects a failure state of the load drive circuit 1C from the sense current IsL.
  • the other terminal of the electromagnetic load 2 has a configuration connected to VH (hereinafter, a low-side driver configuration).
  • FIG. 8 is a block diagram showing an example of the configuration of the current detection circuit 5L according to the third embodiment of the present invention.
  • the current detection circuit 5L shown in FIG. 8 controls ON / OFF with INL_S, and includes a low-side sense MOS 5L1 made of NMOS of the same process as the low-side switching element 4, a drain terminal (OUT terminal) of the low-side switching element 4, and a low-side sense MOS 5L1.
  • a virtual short circuit 5L2 composed of an operational amplifier and NMOS for setting the drain terminal voltage to the same potential, and a current mirror circuit 5L3 for turning back the current flowing through the low-side sense MOS 5L1 and outputting IsL.
  • FIG. 9 is a block diagram showing an example of the configuration of the failure detection circuit 6L according to the third embodiment of the present invention.
  • the failure detection circuit 6L shown in FIG. 9 is a circuit that detects a failure state in which the OUT terminal is short-circuited to GND (hereinafter referred to as a ground fault) and a state in which the OUT terminal is short-circuited to VH (hereinafter referred to as a power fault).
  • a circuit 6L3 is provided.
  • the comparison detection circuit 6L1 includes a low-pass filter LPF1 with a time constant D1 that removes the influence of noise and outputs a DET_L signal, and the generation circuit 6L2 for the detection period Td includes a low-pass filter LPF2 with a time constant D2.
  • FIG. 10 is a timing chart for explaining the operation of the load driving circuit 1C according to the third embodiment of the present invention.
  • the timing chart shown in FIG. 10 shows each operation defined in FIGS. 7 to 9 with respect to operations in three states: a power fault that can be detected in the present embodiment, a ground fault, and a state that does not have a failure (hereinafter, normal). It is indicated by the operation waveform at the contact.
  • the gate signal INL_M of the low-side switching element 4 and the gate signal INH_M of the high-side switching element 3 are alternately turned on and off alternately during periods other than the dead time period Tdead at which they are simultaneously turned off.
  • the OUT terminal When the load drive circuit 1C is in a power supply fault state, the OUT terminal is at a potential near VH even when INL_M is on, and at the moment when INL_M and INL_S transition from off to on, a sense current IsL greater than the threshold IrefL is generated.
  • Td the detection period
  • FIG. 11 is a block diagram showing the configuration of the load drive circuit 1D and the electromagnetic load 2 according to the fourth embodiment of the present invention.
  • the load drive circuit 1D shown in FIG. 11 receives the output of the failure detection circuit 6L and the control signal IN of the load drive circuit 1D as inputs in addition to the load drive circuit 1C shown in FIG.
  • a pre-driver circuit 7L that outputs the gate signal INL_S of the low-side sense MOS 5L1 and the gate signal INH_M of the high-side switching element 3. If there is no input signal from the failure detection circuit 6L, the pre-driver circuit 7L transitions INL_M from on to off when the IN signal transitions from H to L, and transitions INL_S from on to off after the delay time DL. , INH_M is changed from OFF to ON after the dead time period Tdead. When the IN signal transitions from L to H, INH_M is transitioned from on to off, and INL_M and INL_S are transitioned from off to on after the dead time period Tdead.
  • FIG. 12 is a timing chart for explaining the operation of the load driving circuit 1D according to the fourth embodiment of the present invention.
  • the operation of the output signals (DET_L, VH_SHL, GND_SHL) of the fault detection circuit 6L in normal, power fault, and ground fault is the same as the timing chart in FIG. The operation and effect of the drive circuit 1D will be described.
  • the pre-driver 7L fixes INH_M and INH_S off regardless of the IN signal. Thus, it is possible to prevent overcurrent that occurs when the high-side switching element is turned on. This is advantageous in improving the safety of the load driving circuit 1D.
  • FIG. 13 is a block diagram showing the configuration of the load drive circuit 1E and the electromagnetic load 2 according to the fifth embodiment of the present invention. A load driving circuit 1E shown in FIG.
  • 13 is connected to the electromagnetic load 2 via a terminal OUT, receives power supply from the positive side VH of the DC power supply, controls on / off with a gate signal INH_M, and is composed of an NMOS high side. Power supply is received from the switching element 3 and the ground side GND of the DC power supply, and on / off is controlled by the gate signal INL_M, and the low side switching element 4 made of NMOS and the high side switching element 3 are connected in parallel.
  • a current detection circuit 5H that outputs a sense current IsH proportional to the voltage between the drain and the source of the switching element 3 and a low-side switching element 4 connected in parallel, and a sense proportional to the voltage between the drain and the source of the low-side switching element 4
  • a current detection circuit 5L that outputs a current IsL, and a high-side sense current IsH
  • a failure detection circuit 6 that detects a failure state of the load drive circuit 1E from the low-side sense current IsL is provided.
  • the other terminal of the electromagnetic load 2 has a configuration in which a low side driver configuration connected to VH and a high side driver configuration connected to GND can be selected by a CONFIG signal.
  • the high-side current detection circuit 5H and the low-side current detection circuit 5L in FIG. 13 have the same configurations and operations as the high-side current detection circuit 5H in FIG. 2 and the low-side current detection circuit 5L in FIG.
  • FIG. 14 is a block diagram showing an example of the configuration of the failure detection circuit 6 according to the fifth embodiment of the present invention.
  • the failure detection circuit 6 shown in FIG. 14 includes the high-side failure detection circuit 6H in FIG. 3, the low-side failure detection circuit 6L in FIG. 9, and the input of the detection period Td generation circuit 6H2 of the high-side failure detection circuit 6H by the CONFIG signal. And a selector 62 for switching the input of the detection period Td generation circuit 6L2 of the low-side failure detection circuit 6L.
  • the load driving circuit 1E is in a normal state with no failure, in the high side driver configuration, after INL_M transitions from on to off, INH_M and INH_S transition from off to on in the dead time period Tdead, and the delay time DL Later, INL_S transitions from on to off.
  • the load driving circuit 1E is in a normal state with no failure, in the low-side driver configuration, after INH_M transitions from on to off, INL_M and INL_S transition from off to on in the dead time period Tdead, and the delay time DH , INH_S transitions from on to off.
  • the OUT terminal is at a potential near GND, so that the low-side sense current IsL is less than or equal to the threshold current IrefL when INL_S is on.
  • FIG. 1E shows a power fault and a ground fault using the high side fault detection circuit 6H and the low side fault detection circuit 6L, respectively. Therefore, by comparing the mutual fault detection results, it is possible to detect an abnormality in the fault detection circuit, which is advantageous for further increasing the reliability of the load driving circuit 1E. Further, by switching between the high-side driver configuration and the low-side driver configuration with the CONFIG signal, failure detection that does not depend on the power source to which the electromagnetic load 2 is connected becomes possible, which is advantageous in making the load drive circuit 1E flexible. . (Sixth embodiment) FIG.
  • FIG. 17 is a block diagram showing configurations of a load driving circuit 1F and an electromagnetic load 2 according to the sixth embodiment of the present invention.
  • the load drive circuit 1F shown in FIG. 17 receives the output of the failure detection circuit 6, the control signal IN of the load drive circuit 1F, and the driver configuration signal CONFIG in addition to the load drive circuit 1E shown in FIG.
  • a pre-driver circuit 7 is provided that outputs the gate signal INH_M of the element 3, the gate signal INH_S of the high side sense MOS 5H1, the gate signal INL_M of the low side switching element 4, and the gate signal INL_S of the low side sense MOS 5L1.
  • the pre-driver circuit 7 When the pre-driver circuit 7 is configured as a high-side driver and there is no input signal from the failure detection circuit 6, when the IN signal transitions from H to L, INH_M is transitioned from on to off, and INH_S is set after delay DH. Transition from ON to OFF is performed, and INL_M and INL_S are transitioned from OFF to ON after the dead time period Tdead. Further, when the IN signal transits from L to H, INL_M is transited from on to off, INH_M and INH_S are transited from off to on after the dead time period Tdead, and INL_S is transited from on to off after the delay DL.
  • FIG. 18 shows an example of a timing chart for explaining the operation of the load driving circuit 1F in the high-side driver configuration according to the sixth embodiment of the present invention. Since the operation of the failure detection circuit 6 in the timing chart shown in FIG. 18 is normal, a power fault, and a ground fault is the same as the timing chart of FIG. 15, the operation and effect of the load driving circuit 1F by the pre-driver 7 will be described. .
  • the conventional dead time period Tdead can be shortened by changing INH_S from ON to OFF and INL_M and INL_S from OFF to ON.
  • the dead time period heat is increased due to the current flowing through the body diode of the low-side switching element 4, so shortening the dead time period is advantageous for reducing the amount of heat generated in the load drive circuit.
  • the pre-driver 7 fixes INL_M and INL_S to OFF regardless of the IN signal. Since the overcurrent generated when the low-side switching element is turned on can be prevented, it is advantageous in improving the safety of the load driving circuit 1F.
  • the pre-driver 7 changes INH_M and INH_S to OFF regardless of the IN signal. Since the overcurrent that occurs when the high-side switching element is kept on can be prevented, it is advantageous in improving the safety of the load driving circuit 1F.
  • FIG. 19 shows an example of a timing chart in the low-side driver configuration according to the sixth embodiment of the present invention. Since the operation of the failure detection circuit 6 in the timing chart shown in FIG. 19 in normal, power fault, and ground fault is the same as that in FIG. 16, the operation and effect of the load driving circuit 1F by the pre-driver 7 will be described. .
  • the conventional dead time period Tdead can be shortened by changing INL_S from on to off and INH_M and INH_S from off to on.
  • heat is increased due to the current flowing through the body diode of the high-side switching element 3, so that shortening the dead time period is advantageous for reducing the amount of heat generated in the load drive circuit.
  • the pre-driver 7 fixes INH_M and INH_S to OFF regardless of the IN signal. Since the overcurrent generated when the high-side switching element is turned on can be prevented, it is advantageous in improving the safety of the load driving circuit 1F.
  • FIG. 20 is a block diagram showing configurations of a load driving circuit 1G and an electromagnetic load 2 according to the seventh embodiment of the present invention.
  • a load driving circuit 1G shown in FIG. 20 is connected to the electromagnetic load 2 via a terminal OUT, receives power supply from the positive side VH of the DC power supply, controls on / off with a gate signal INH_M, and is a high side composed of NMOS. Power supply is received from the switching element 3 and the ground side GND of the DC power supply, and on / off is controlled by the gate signal INL_M, and the low side switching element 4 made of NMOS and the high side switching element 3 are connected in parallel.
  • a current detection circuit 10H that outputs a sense current IsH proportional to the voltage between the drain and source of the switching element 3 is connected in parallel with the low-side switching element 4, and is proportional to the voltage between the drain and source of the high-side switching element 4.
  • a current detection circuit 10L that outputs a sense current IsL, and a high-side sense current
  • a failure detection circuit 6A that detects a failure state of the load driving circuit 1G from IsH and the low-side sense current IsL, and a period during which the load driving circuit 1G is not driving the load outputs H during a diagnosis period set at an arbitrary timing.
  • the logic circuit 9 is provided to fix the gate signal INH_M of the high-side switching element 3 and the gate signal INL_M of the low-side switching element 4 to OFF.
  • the other terminal of the electromagnetic load 2 has a configuration in which a low-side driver configuration connected to VH and a high-side driver configuration connected to GND can be selected by a CONFIG signal.
  • FIG. 21 is a block diagram showing an example of the configuration of the high-side current detection circuit 10H according to the seventh embodiment of the present invention.
  • the high-side current detection circuit 10H shown in FIG. 21 is always on and is connected in series between the first high-side sense MOS 10H1 made of NMOS and the same process as the high-side switching element 3, and between the first high-side sense MOS 10H1 and the terminal OUT. Are connected in parallel with the second high-side sense MOS 10H2 made of NMOS of the same process as the high-side switching element 3 controlled on / off by the gate signal INH_S, and the first high-side sense MOS 10H1.
  • the third high-side sense MOS 10H3 which is always on and made of NMOS in the same process as the high-side switching element 3, the middle point of the first high-side sense MOS 10H1 and the second high-side sense MOS 10H2, and the third high-side sense MOS To the same potential It has a virtual short circuit 10H4 consisting because of the op amp and PMOS.
  • FIG. 22 is a block diagram showing an example of the configuration of a low-side current detection circuit 10L according to the seventh embodiment of the present invention.
  • a high-side current detection circuit 10L shown in FIG. 22 is always on and inserted in series between the first low-side sense MOS 10L1 made of NMOS of the same process as the low-side switching element 4, and the first low-side sense MOS 10L1 and the terminal OUT.
  • the second low-side sense MOS 10L2 made of NMOS of the same process as the low-side switching element 4 controlled to be turned on / off by the gate signal INL_S is connected in parallel with the first low-side sense MOS 10L1, and the low-side switching element is always on.
  • the middle point of the third low-side sense MOS 10 ⁇ / b> L ⁇ b> 3 the middle point of the first low-side sense MOS 10 ⁇ / b> L ⁇ b> 1, the second low-side sense MOS 10 ⁇ / b> L ⁇ b> 2, and the drain terminal of the third low-side sense MOS have the same potential.
  • an operational amplifier and a virtual short circuit 10L4 consisting NMOS for.
  • FIG. 23 is a block diagram showing an example of the configuration of a failure detection circuit 6A according to the seventh embodiment of the present invention.
  • the failure detection circuit 6A shown in FIG. 23 is requested by the system in a period when the load driving circuit 1G is not driving a load, with the failure detection circuit 6 shown in FIG. 14 which is a failure detection circuit during normal load driving.
  • An OFF-time failure detection circuit 6A1 that operates during the diagnosis period is provided.
  • the off-time failure detection circuit 6A1 compares the high-side sense current IsH and the threshold current IrefH with the logic circuit 6A2 that fixes the output (VH_SHH, VH_SHL, GND_SHH, GND_SHL) of the failure detection circuit 6 to L during the diagnosis period.
  • a determination circuit 6A5 for determining a failure is provided.
  • FIG. 24 shows an example of a timing chart in the high-side driver configuration according to the seventh embodiment of the present invention.
  • the timing chart shown in FIG. 24 explains the operation and effect in normal, power fault, and disconnection fault.
  • the gate signal INH_M of the high-side switching element 3 and the gate signal INL_M of the low-side switching element 4 are off.
  • the gate signal INH_S of the high side sense MOS 10H3 and the gate signal INL_S of the low side sense MOS 10L3 are alternately turned on / off.
  • the determination circuit 6A5 determines that the load driving circuit 1G is in a normal state from the outputs of the latch circuit 6A3 and the latch circuit 6A4.
  • the OUT terminal When the load driving circuit 1G is in a disconnected state, the OUT terminal is in a high impedance state, so that the potential is near VH when INH_S is on, and is near GND when INL_S is on.
  • the OUT terminal transitions from a potential near VH to a potential near GND, so a current of IrefL or more is instantaneously generated in INL_S, and the latch circuit 6A4 H is output.
  • INL_S transitions from on to off and INH_S transitions from off to on the OUT terminal transitions from a potential near GND to a potential near VH.
  • FIG. 25 shows an example of a timing chart in the low-side driver configuration according to the seventh embodiment of the present invention.
  • the timing chart shown in FIG. 25 explains the operation and effect in normal, ground fault, and disconnection fault.
  • the gate signal INH_M of the high-side switching element 3 and the gate signal INL_M of the low-side switching element 4 are output. Is fixed off, and the gate signal INH_S of the high-side sense MOS 10H3 and the gate signal INL_S of the low-side sense MOS 10L3 are turned on / off mutually.
  • the OUT terminal is at a potential near VH. Therefore, when INL_S is on, the low-side sense current IsL becomes equal to or higher than the threshold current IrefL, and the latch circuit 6A4 outputs H and INH_S is on. In this case, the high-side sense current IsH becomes equal to or less than the threshold current IrefH, and the latch circuit 6A3 outputs L. At this time, the determination circuit 6A5 determines that the load driving circuit 1G is in a normal state from the outputs of the latch circuit 6A3 and the latch circuit 6A4.
  • the OUT terminal is at a potential near GND. Therefore, when INL_S is ON, the low-side sense current IsL becomes equal to or lower than the threshold current IrefL, and the latch circuit 6A4 outputs L, and INH_ Is on, the high-side sense current IsH becomes equal to or higher than the threshold current IrefH, and the latch circuit 6A3 outputs H.
  • the OUT terminal When the load drive circuit 1G is in a disconnected state, the OUT terminal has a high impedance, so that the potential is near VH when INH_S is on, and near GND when INL_S is on.
  • the OUT terminal transitions from a potential near VH to a potential near GND, so a current of IrefL or more is instantaneously generated in INL_S, and the latch circuit 6A4 H is output.
  • INL_S transitions from on to off and INH_S transitions from off to on the OUT terminal transitions from a potential near GND to a potential near VH.
  • the load driving circuit 1G it is possible to detect a failure before the load driving operation in addition to the failure detection during the normal load driving operation. Since it is possible to detect a failure without causing it to occur, it is advantageous in further improving reliability and improving safety.
  • FIG. 26 is a block diagram showing a configuration of the failure detection circuit 6B in the load driving circuit 1G according to the eighth embodiment of the present invention.
  • the failure detection circuit 6B shown in FIG. 26 is requested from the failure detection circuit 6 shown in FIG. 14 which is a failure detection circuit during normal load driving operation by the load drive circuit 1G during the period when the load is not driven.
  • An OFF-time failure detection circuit 6B1 that operates during the diagnosis period is provided.
  • the off-time failure detection circuit 6B1 compares the high-side sense current IsH and the threshold current IrefH with the logic circuit 6B2 that fixes the output of the failure detection circuit 6 to L during the diagnosis period.
  • a latch circuit 6B3 that outputs H with respect to the rising edge that has detected that IrefH is equal to or greater than IrefH, and a result of detecting that IsH is equal to or greater than IrefH, with respect to the rising edge of the output that is multiplied by the low-pass filter,
  • the latch circuit 6B6 that outputs H, the latch circuit 6B4 that outputs H at the rising edge that detects that the low-side sense current IsL is equal to or greater than the threshold current IrefL, and the detection that IsL is equal to or greater than IrefL Latch circuit that outputs H to the rising edge of the output multiplied by the low-pass filter Comprising a B7, a latch circuit 6B3, a latch circuit 6B4, a latch circuit 6
  • FIG. 27 shows an example of a timing chart in the high-side driver configuration according to the eighth embodiment of the present invention.
  • the timing chart shown in FIG. 27 explains the actions and effects in normal, power fault, ground fault, and disconnection fault.
  • the CONFIG signal outputs H. Since the DIAG signal is H during the diagnosis period, the gate signal INH_M of the high-side switching element 3 and the gate signal INL_M of the low-side switching element 4 are fixed to OFF, the gate signal INH_S of the high-side sense MOS 10H3, and the low-side sense The gate signal INL_S of the MOS 10L3 is simultaneously turned on / off.
  • the OUT terminal becomes a potential near GND, so that IsH generates a current higher than IrefH, and IsL becomes a current lower than IrefL. Therefore, the latch circuit 6B6 outputs H, and the latch circuit 6B7 L is output. At this time, the determination circuit 6B5 determines the normal state from the outputs of the latch circuit 6B3, the latch circuit 6B4, the latch circuit 6B6, and the latch circuit 6B7.
  • the OUT terminal is at a potential near VH. Therefore, at the moment when INH_S and INL_S are simultaneously turned on, IsL generates a current equal to or higher than IrefL, so that the latch circuit 6B4 sets H. Since IsH becomes a current equal to or lower than IrefH, the latch circuit 6B3 outputs L. Even after the filter time has elapsed, IsL generates a current equal to or higher than IrefL, so that the latch circuit 6B7 outputs H, and IsH becomes a current equal to or lower than IrefH, so that the latch circuit 6B6 outputs L. At this time, the determination circuit 6B5 determines VH_SHD from the outputs of the latch circuit 6B3, the latch circuit 6B4, the latch circuit 6B6, and the latch circuit 6B7, and determines that there is a power fault state.
  • FIG. 28 shows an example of a timing chart in the low-side driver configuration according to the eighth embodiment of the present invention.
  • the timing chart shown in FIG. 28 explains the actions and effects in normal, power fault, ground fault, and disconnection fault.
  • the gate signal INH_M of the high-side switching element 3 and the gate signal INL_M of the low-side switching element 4 are turned off.
  • the gate signal INH_S of the high side sense MOS 10H3 and the gate signal INL_S of the low side sense MOS 10L3 are simultaneously turned on / off.
  • the OUT terminal becomes a potential near VH, so that IsL generates a current greater than or equal to IrefL, so that the latch circuit 6B7 outputs H, IsH becomes a current equal to or lower than IrefH, and the latch circuit 6B6 decreases L. Output.
  • the determination circuit 6B5 determines the normal state from the outputs of the latch circuit 6B3, the latch circuit 6B4, the latch circuit 6B6, and the latch circuit 6B7.
  • the failure detection is performed by distinguishing the power fault, the ground fault, and the disconnection failure before the load drive operation. Since it is possible to detect a fault without generating a large current, it is advantageous in further improving reliability and improving safety.
  • failure detection during the load driving operation is not an essential element. It is also possible to carry out the failure detection before the load driving operation only with the components necessary for detecting the failure before the load driving operation.
  • the present invention is not limited to the above-described embodiments, and includes various modifications.
  • the above-described embodiments have been described in detail for easy understanding of the present invention, and are not necessarily limited to those having all the configurations described.
  • a part of the configuration of one embodiment can be replaced with the configuration of another embodiment, and the configuration of another embodiment can be added to the configuration of one embodiment.
  • the control lines and information lines indicate what is considered necessary for the explanation, and not all the control lines and information lines on the product are necessarily shown.
  • the example in which the high-side switching element 3, the low-side switching element 4, the high-side sense MOS 5H, and the low-side sense MOS 5L are configured by NMOS is shown, but even when configured by PMOS, on / off If the polarity of the high level and low level of the gate signal for controlling the signal is inverted, the same effect as in the case of the NMOS can be obtained.
  • the high-side current detection circuit 5H and the low-side current detection circuit 6L described in the first to sixth embodiments are replaced with the high-side current detection circuit 10H and the high-side current detection circuit 10L described in the seventh to eighth embodiments. It is also possible to apply.
  • the high-side current detection circuit 10H and the low-side current detection circuit 10L described in the seventh to eighth embodiments are replaced with the high-side current detection circuit 5H and the low-side current detection circuit 10L described in the first to sixth embodiments.

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  • Power Conversion In General (AREA)

Abstract

電源からの電力供給を受けて負荷を駆動する負荷駆動回路であって、ハイサイドスイッチング素子と、ローサイドスイッチング素子と、前記ハイサイドスイッチング素子と並列に接続され、ハイサイド駆動電流を検出するハイサイド電流検出回路と、前記ハイサイド電流検出回路の出力結果から、前記負荷駆動回路の故障状態を検出する故障検出回路とを備え、前記ハイサイド電流検出回路は、前記ハイサイドスイッチング素子と異なるゲート信号に応じて動作し、前記ハイサイドスイッチング素子と同種類のデバイスで構成されたハイサイドセンス用スイッチング素子を備え、前記故障検出回路は、前記ハイサイド電流検出回路の出力結果と、前記ハイサイドスイッチング素子のゲート信号と、前記ハイサイドセンス用スイッチング素子のゲート信号と、を入力として、前記負荷駆動回路と前記負荷の接続端子が、前記電源の正極側と短絡状態、又は、前記電源の負極側と短絡状態であった場合に、それぞれの故障状態を区別して検出する。

Description

負荷駆動回路
  本発明は、負荷駆動回路に関する。
  従来、車両に搭載される各種機器の電子制御化が進んでおり、これに伴って、電気信号を機械的運動や油圧に変換するために、モータやソレノイドなどの電動アクチュエータが広く用いられるようになっている。これらの電動アクチュエータを安全に制御するためには、電動アクチュエータに流れる電流を駆動する負荷駆動回路の故障を検出する必要がある。
  負荷駆動回路の故障を検出する一般的な方法としては、電流検出抵抗を検出対象の負荷駆動回路と負荷の間に直列に挿入し、その電流検出抵抗の両端電圧を測定することで、負荷駆動回路の短絡状態を検出する方法がある。しかし、このような方法では、電流検出抵抗による電力損失が生じるという問題がある。そこで、制御対象の電動アクチュエータを駆動するドライバ用トランジスタに対して、小型の電流検出用トランジスタ等により構成される電流検出回路を並列に接続し、この電流検出回路に流れる電流を検出することで、低損失な負荷駆動回路の故障検出を実現する方法が知られている。
特開2007-78427号公報
  特許文献1の過電流検出回路では、直流電源の正極側(以下、ハイサイドという)に接続されたPチャネル型MOSトランジスタ(以下、PMOSという)によるスイッチング素子と、グランド側(以下、ローサイドという)に接続されたNチャネル型MOSトランジスタ(以下、NMOSという)によるスイッチング素子において、PMOSに流れるスイッチング電流が過電流になったことを検出する回路であることが記載されている。しかし、ハイサイドに用いられるPMOSの過電流により検出が可能な故障は、負荷であるインダクタと、負荷を駆動するスイッチング素子の接続端子が、グランド側に短絡した故障(以下、地絡故障という)に限られる。地絡故障以外の故障の一例として、インダクタとスイッチング素子の接続端子が、直流電源の正極側に短絡する故障(以下、天絡故障という)がある。しかし、天絡故障では、ローサイドに用いられるNMOSに過電流が発生するが、ハイサイドに用いられるPMOSに過電流が発生しないため、故障が検出出来ない。
  このように、従来の故障検出回路では単一の故障状態を検出することは可能であるが、複数の故障状態を検出することは考慮されていなかった。
  上記課題に鑑みて、本発明の主な目的は、複数の故障状態を検出可能な故障検出回路を提供することにある。
  上記課題を解決するために、例えば特許請求の範囲に記載の構成を採用する。本願は上記課題を解決する手段を複数含んでいるが、その一例を挙げるならば、
 電源からの電力供給を受けて負荷を駆動する負荷駆動回路であって、前記負荷駆動回路は、
 前記電源の正極側に接続され、ハイサイド駆動電流を出力するハイサイドスイッチング素子と、
 前記電源の負極側に接続され、ローサイド駆動電流を出力するローサイドスイッチング素子と、
 前記ハイサイドスイッチング素子と並列に接続され、ハイサイド駆動電流を検出するハイサイド電流検出回路と、
 前記ハイサイド電流検出回路の出力結果から、前記負荷駆動回路の故障状態を検出する故障検出回路と、を備え、
 前記ハイサイド電流検出回路は、
 前記ハイサイドスイッチング素子と異なるゲート信号に応じて動作し、前記ハイサイドスイッチング素子と同種類のデバイスで構成されたハイサイドセンス用スイッチング素子と、を備え、
 前記故障検出回路は、
 前記ハイサイド電流検出回路の出力結果と、前記ハイサイドスイッチング素子のゲート信号と、前記ハイサイドセンス用スイッチング素子のゲート信号と、を入力として、前記負荷駆動回路と前記負荷の接続端子が、前記電源の正極側と短絡状態、又は、前記電源の負極側と短絡状態であった場合に、それぞれの故障状態を区別して検出すること、
  を、特徴とする。
  本発明によれば、複数の故障状態を検出可能な故障検出回路を提供できる。上記した以外の課題、構成及び効果は、以下の実施形態の説明により明らかにされる。
本発明の第1の実施形態による負荷駆動回路を示すブロック図である。 本発明の第1の実施形態による電流検出回路の構成の一例を示すブロック図である。 本発明の第1の実施形態による故障検出回路の構成の一例を示すブロック図である。 本発明の第1の実施形態による回路動作の一例を示すタイミングチャートである。 本発明の第2の実施形態による負荷駆動回路の構成の一例を示すブロック図である。 本発明の第2の実施形態による回路動作の一例を示すタイミングチャートである。 本発明の第3の実施形態による負荷駆動回路を示すブロック図である。 本発明の第3の実施形態による電流検出回路の構成の一例を示すブロック図である。 本発明の第3の実施形態による故障検出回路の構成の一例を示すブロック図である。 本発明の第3の実施形態による回路動作の一例を示すタイミングチャートである。 本発明の第4の実施形態による負荷駆動回路の構成の一例を示すブロック図である。 本発明の第4の実施形態による回路動作の一例を示すタイミングチャートである。 本発明の第5の実施形態による負荷駆動回路の構成の一例を示すブロック図である。 本発明の第5の実施形態による故障検出回路の構成の一例を示すブロック図である。 本発明の第5の実施形態によるハイサイドドライバ構成の回路動作の一例を示すタイミングチャートである。 本発明の第5の実施形態によるローサイドドライバ構成の回路動作の一例を示すタイミングチャートである。 本発明の第6の実施形態による負荷駆動回路の構成の一例を示すブロック図である。 本発明の第6の実施形態によるハイサイドドライバ構成の回路動作の一例を示すタイミングチャートである。 本発明の第6の実施形態によるローサイドドライバ構成の回路動作の一例を示すタイミングチャートである。 本発明の第7の実施形態による負荷駆動回路の構成の一例を示すブロック図である。 本発明の第7の実施形態によるハイサイド電流検出回路の構成の一例を示すブロック図である。 本発明の第7の実施形態によるローサイド電流検出回路の構成の一例を示すブロック図である。 本発明の第7の実施形態による故障検出回路の構成の一例を示すブロック図である。 本発明の第7の実施形態によるハイサイドドライバ構成の回路動作の一例を示すタイミングチャートである。 本発明の第7の実施形態によるローサイドドライバ構成の回路動作の一例を示すタイミングチャートである。 本発明の第8の実施形態による故障検出回路の構成の一例を示すブロック図である。 本発明の第8の実施形態によるハイサイドドライバ構成の回路動作の一例を示すタイミングチャートである。 本発明の第8の実施形態によるローサイドドライバ構成の回路動作の一例を示すタイミングチャートである。
  以下の各実施形態では、複数の故障状態を検出可能な故障検出回路の構成及び動作について説明する。
(第1の実施形態)
  図1は、本発明の第1の実施形態による負荷駆動回路1Aと電磁負荷2の構成を示すブロック図である。図1に示す負荷駆動回路1Aは、電磁負荷2と端子OUTで接続しており、直流電源の正極側VHから電力供給を受け、ゲート信号INH_Mでオン/オフを制御し、NMOSからなるハイサイドスイッチング素子3と、直流電源のグランド側GNDから電力供給を受け、ゲート信号INL_Mでオン/オフを制御し、NMOSからなるローサイドスイッチング素子4と、ハイサイドスイッチング素子3と並列に接続し、ハイサイドスイッチング素子3のドレインとソース間の電圧に比例したセンス電流IsHを出力する電流検出回路5Hと、センス電流IsHから負荷駆動回路1Aの故障状態を検出する故障検出回路6Hを備えている。また、電磁負荷2のもう一方の端子はGNDと接続した構成(以下、ハイサイドドライバ構成)となっている。
  図2は、本発明の第1の実施形態による電流検出回路5Hの構成の一例を示すブロック図である。図2に示す電流検出回路5Hは、INH_Sでオン/オフを制御し、ハイサイドスイッチング素子3と同じプロセスのNMOSからなるハイサイドセンスMOS5H1と、ハイサイドスイッチング素子3のソース端子(OUT端子)とセンスMOS5H1のソース端子の電圧を同電位にするためのオペアンプとPMOSからなる仮想短絡回路5H2を備えている。
  図3は、本発明の第1の実施形態による故障検出回路6Hの構成の一例を示すブロック図である。図3に示す故障検出回路6Hは、OUT端子がGNDと短絡した状態(以下、地絡)と、OUT端子がVHと短絡した状態(以下、天絡)の故障状態を検出する回路であり、電流検出回路5Hが出力するセンス電流IsHが閾値電流IrefH以上になったことを検出する比較回路6H1と、検出期間Tdの生成回路6H2と、天絡状態と地絡状態と正常状態を判定する判定回路6H3を備える。
  比較検出回路6H1は、ノイズなどの影響を除去しDET_H信号を出力する時定数D1のローパスフィルタLPF1を備え、検出期間Tdの生成回路6H2は、時定数D2のローパスフィルタLPF2を備える。
  図4は、本発明の第1の実施形態による負荷駆動回路1Aの作用を説明するタイミングチャートである。図4に示すタイミングチャートは、本実施形態で検出可能な天絡故障と、地絡故障と、故障の無い状態(以下、正常)の3状態における動作を、図1から図3で定義した各接点における動作波形によって示す。
  ハイサイドスイッチング素子3のゲート信号INH_Mと、ローサイドスイッチング素子4のゲート信号INL_Mは同時にオフするデッドタイム期間Tdead以外の期間は交互にオンとオフを繰り返す。ハイサイドセンスMOS5Hのゲート信号INH_Sは、INH_Mがオンからオフに遷移してから、遅延時間DHだけ遅れてオンからオフに遷移する。そのため、検出期間TdはINH_M=LかつINH_S=Hの期間DHからローパスフィルタLPF2で発生する遅延D2だけ減じた期間のパルスとなる。
  負荷駆動回路1Aが故障の無い正常状態であれば、INH_Mがオフに遷移して、INL_Mがオンに遷移するまでのデッドタイム期間は、OUT端子はローサイドスイッチング素子のボディダイオードに流れる還流電流によりGNDより低い電位になる。検出期間TdによりINH_Sがオンしていると、閾値IrefH以上のセンス電流IsHが発生し、ローパスフィルタLPF1の時定数D1だけ遅延が発生して、DET_H=Hとなる。
  負荷駆動回路1Aが天絡故障の状態であると、INH_Mがオフの期間でもOUT端子はVH付近の電位となり、検出期間TdによりINH_Sがオンしてもセンス電流IsHは発生しないため、DET_H=Lとなる。すなわち、検出期間Tdにおいて、DET_H=Lのとき、VH_SHH=Hとなり、天絡故障を検出できる。
  負荷駆動回路1Aが地絡故障の状態であると、INH_Mがオンの期間でもOUT端子はGND付近の電位となり、INH_MとINH_Sがオフからオンに遷移した瞬間、閾値IrefH以上のハイサイドセンス電流IsHが発生し、検出期間Tdで無いにも関わらず、ローパスフィルタLPF1の時定数D1だけ遅延が発生して、DET_H=Hとなる。すなわち、INH_M=Hかつ、DET_H=Hのとき、GND_SHH=Hとなり地絡故障を検出できる。
  なお、本願におけるタイミングチャートは正常、天絡、地絡などの各故障状態をひとつのタイミングチャートに記載したが、故障状態に時間的な連続性は無く、それぞれが独立した状態で、前の故障状態の検出結果などは引き継がない。
  以上、説明したように、本実施形態による負荷駆動回路1Aにおいて、ハイサイドスイッチング素子3のゲート信号INH_Mと、ハイサイドセンスMOS5H1のゲート信号INH_Sを分離し、INH_SをINH_Mに比べて長い期間オンさせることで、地絡故障に加えて、天絡故障も検出が可能となり、負荷駆動回路の安全性の向上や高信頼化に優位である。

(第2の実施形態)
  図5は、本発明の第2の実施形態による負荷駆動回路1Bと電磁負荷2の構成を示すブロック図である。図5に示す負荷駆動回路1Bは、図1に示す負荷駆動回路1Aに加え、故障検出回路6Hの出力と、負荷駆動回路1Bの制御信号INを入力として、ハイサイドスイッチング素子3のゲート信号INH_Mと、ハイサイドセンスMOS5H1のゲート信号INH_Sと、ローサイドスイッチング素子4のゲート信号INL_Mを出力するプリドライバ回路7Hを備えている。プリドライバ回路7Hは、故障検出回路6Hからの入力信号が無ければ、IN信号がHからLに遷移するとき、INH_Mをオンからオフに遷移させ、遅延時間DH後にINH_Sをオンからオフに遷移させ、デッドタイム期間Tdead後にINL_Mをオフからオンに遷移させる。また、IN信号がLからHに遷移するとき、INL_Mをオンからオフに遷移させ、デッドタイム期間Tdead後にINH_MとINH_Sをオフからオンに遷移させる。
  図6は、本発明の第2の実施形態による負荷駆動回路1Bの作用を説明するタイミングチャートである。図6に示すタイミングチャートは正常、天絡故障、地絡故障における故障検出回路6の出力信号(DET_H、VH_SHH、GND_SHH)の作用は図4のタイミングチャートと同様であるため、プリドライバ7による負荷駆動回路1Bの作用と効果について説明する。
  負荷駆動回路1Bが正常であるとき、すなわちINH_M=Lかつ、INH_S=HのときにDET_H=Hを検出し、VH_SHH=Lかつ、GND_SHH=Lであれば、正常状態と判定し、プリドライバ7Hは、INH_Sをオンからオフに、INL_Mをオフからオンに遷移させる。これにより、従来のデッドタイム期間Tdeadを短縮できる。デッドタイム期間はローサイドスイッチング素子4のボディダイオードを電流が流れることで発熱が大きくなるため、デッドタイム期間の短縮は負荷駆動回路の発熱量低減に優位である。
  負荷駆動回路1Bが天絡故障であるとき、すなわちVH_SHH=Hにより天絡故障を検出したとき、プリドライバ7HはIN信号に関わらず、INL_Mをオフに固定する。これにより、ローサイドスイッチング素子がオンしたことで発生する過電流を防止できるため、負荷駆動回路1Bの安全性の向上に優位である。
  負荷駆動回路1Bが地絡故障であるとき、すなわちGND_SHH=Hにより地絡故障を検出したとき、プリドライバ7HはIN信号に関わらず、INH_MとINH_Sをオフに遷移させることで、ハイサイドスイッチング素子がオンし続けることで発生する過電流を防止できるため、負荷駆動回路1Bの安全性の向上に優位である。

(第3の実施形態)
  図7は、本発明の第3の実施形態による負荷駆動回路1Cと電磁負荷2の構成を示すブロック図である。図7に示す負荷駆動回路1Cは、電磁負荷2と端子OUTで接続しており、直流電源のグランド側GNDから電力供給を受け、ゲート信号INL_Mでオン/オフを制御し、NMOSからなるローサイドスイッチング素子4と、直流電源の正極側VHから電力供給を受け、ゲート信号INH_Mでオン/オフを制御し、NMOSからなるハイサイドスイッチング素子3と、ローサイドスイッチング素子4と並列に接続し、ローサイドスイッチング素子4のドレインとソース間の電圧に比例したセンス電流IsLを出力する電流検出回路5Lと、センス電流IsLから負荷駆動回路1Cの故障状態を検出する故障検出回路6Lを備えている。また、電磁負荷2のもう一方の端子はVHと接続した構成(以下、ローサイドドライバ構成)となっている。
  図8は、本発明の第3の実施形態による電流検出回路5Lの構成の一例を示すブロック図である。図8に示す電流検出回路5Lは、INL_Sでオン/オフを制御し、ローサイドスイッチング素子4と同じプロセスのNMOSからなるローサイドセンスMOS5L1と、ローサイドスイッチング素子4のドレイン端子(OUT端子)とローサイドセンスMOS5L1のドレイン端子の電圧を同電位にするためのオペアンプとNMOSからなる仮想短絡回路5L2と、ローサイドセンスMOS5L1を流れた電流を折り返してIsLを出力するカレントミラー回路5L3を備えている。
  図9は、本発明の第3の実施形態による故障検出回路6Lの構成の一例を示すブロック図である。図9に示す故障検出回路6Lは、OUT端子がGNDと短絡した状態(以下、地絡)と、OUT端子がVHと短絡した状態(以下、天絡)の故障状態を検出する回路であり、電流検出回路5Lが出力するセンス電流IsLが閾値電流IrefL以上になったことを検出する比較回路6L1と、検出期間Tdの生成回路6L2と、天絡状態と地絡状態と正常状態を判定する判定回路6L3を備える。
  比較検出回路6L1は、ノイズなどの影響を除去しDET_L信号を出力する時定数D1のローパスフィルタLPF1を備え、検出期間Tdの生成回路6L2は、時定数D2のローパスフィルタLPF2を備える。
  図10は、本発明の第3の実施形態による負荷駆動回路1Cの作用を説明するタイミングチャートである。図10に示すタイミングチャートは、本実施形態で検出可能な天絡故障と、地絡故障と、故障の無い状態(以下、正常)の3状態における動作を、図7から図9で定義した各接点における動作波形によって示す。
  ローサイドスイッチング素子4のゲート信号INL_Mと、ハイサイドスイッチング素子3のゲート信号INH_Mは同時にオフするデッドタイム期間Tdead以外の期間は交互にオンとオフを繰り返す。ローサイドセンスMOS5L1のゲート信号INL_Sは、INL_Mがオンからオフに遷移してから、遅延時間DLだけ遅れてオンからオフに遷移する。そのため、検出期間TdはINL_M=LかつINL_S=Hの期間DLからローパスフィルタLPF2で発生する遅延D2だけ減じた期間のパルスとなる。
  負荷駆動回路1Cが故障の無い正常状態であれば、INL_Mがオフに遷移して、INH_Mがオンに遷移するまでのデッドタイム期間は、OUT端子はハイサイドスイッチング素子のボディダイオードに流れる還流電流によりVHより高い電位になるため、検出期間TdによりINL_Sがオンしていると、閾値IrefL以上のセンス電流IsLが発生し、ローパスフィルタLPF2の時定数D2だけ遅延が発生して、DET_L=Hとなる。
  負荷駆動回路1Cが天絡故障の状態であると、INL_Mがオンの期間でもOUT端子はVH付近の電位となり、INL_MとINL_Sがオフからオンに遷移した瞬間、閾値IrefL以上のセンス電流IsLが発生し、検出期間Tdで無いにも関わらず、ローパスフィルタLPF1の時定数D1だけ遅延が発生して、DET_L=Hとなる。すなわち、INL_M=Hかつ、DET_L=Hのとき、VH_SHL=Hとなり天絡故障を検出できる。
  負荷駆動回路1Cが地絡故障の状態であると、INL_Mがオフの期間でもOUT端子はGND付近の同電位となり、検出期間TdによりINL_Sがオンしてもセンス電流IsLは発生しないため、DET_L=Lとなる。すなわち、検出期間Tdにおいて、DET_L=Lのとき、GND_SHL=Hとなり、地絡故障を検出できる。
  以上、説明したように、本実施形態による負荷駆動回路1Cにおいて、ローサイドスイッチング素子のゲート信号INL_Mと、ローサイドセンスMOSのゲート信号INL_Sを分離し、INL_SをINL_Mに比べて長い期間オンさせることで、天絡故障に加えて、地絡故障も検出が可能となり、負荷駆動回路の安全性の向上や高信頼化に優位である。

(第4の実施形態)
  図11は、本発明の第4の実施形態による負荷駆動回路1Dと電磁負荷2の構成を示すブロック図である。図11に示す負荷駆動回路1Dは、図7に示す負荷駆動回路1Cに加え、故障検出回路6Lの出力と、負荷駆動回路1Dの制御信号INを入力として、ローサイドスイッチング素子4のゲート信号INL_Mと、ローサイドセンスMOS5L1のゲート信号INL_Sと、ハイサイドスイッチング素子3のゲート信号INH_Mを出力するプリドライバ回路7Lを備えている。プリドライバ回路7Lは、故障検出回路6Lからの入力信号が無ければ、IN信号がHからLに遷移するとき、INL_Mをオンからオフに遷移させ、遅延時間DL後にINL_Sをオンからオフに遷移させ、デッドタイム期間Tdead後にINH_Mをオフからオンに遷移させる。また、IN信号がLからHに遷移するとき、INH_Mをオンからオフに遷移させ、デッドタイム期間Tdead後にINL_MとINL_Sをオフからオンに遷移させる。
  図12は、本発明の第4の実施形態による負荷駆動回路1Dの作用を説明するタイミングチャートである。図12に示すタイミングチャートは正常、天絡故障、地絡故障における故障検出回路6Lの出力信号(DET_L、VH_SHL、GND_SHL)の作用は図10のタイミングチャートと同様であるため、プリドライバ7Lによる負荷駆動回路1Dの作用と効果について説明する。
  負荷駆動回路1Dが正常であるとき、すなわちINL_M=Lかつ、INL_S=HのときにDET_L=Hを検出し、GND_SHL=Lかつ、VH_SHL=Lであれば、正常状態と判定し、INL_Sをオンからオフに、INH_Mをオフからオンに遷移させる。これにより、従来のデッドタイム期間Tdeadを短縮できる。デッドタイム期間はハイサイドスイッチング素子3のボディダイオードを電流が流れることで発熱が大きくなるため、デッドタイム期間の短縮は負荷駆動回路の発熱量低減に優位である。
  負荷駆動回路1Dが地絡故障であるとき、すなわち故障検出回路6Lが、GND_SHL=Hにより地絡故障を検出したとき、プリドライバ7LはIN信号に関わらず、INH_MとINH_Sをオフに固定することで、ハイサイドスイッチング素子がオンしたことで発生する過電流を防止できる。これにより、負荷駆動回路1Dの安全性の向上に優位である。
  負荷駆動回路1Dが天絡故障であるとき、すなわち故障検出回路6Lが、VH_SHL=Hにより天絡故障を検出したとき、プリドライバ7LはIN信号に関わらず、INL_MとINL_Sをオフに遷移させることで、ローサイドスイッチング素子がオンし続けることで発生する過電流を防止できる。これにより、負荷駆動回路1Dの安全性の向上に優位である。

(第5の実施形態)
  図13は本発明の第5の実施形態による負荷駆動回路1Eと電磁負荷2の構成を示すブロック図である。図13に示す負荷駆動回路1Eは、電磁負荷2と端子OUTで接続しており、直流電源の正極側VHから電力供給を受け、ゲート信号INH_Mでオン/オフを制御し、NMOSからなるハイサイドスイッチング素子3と、直流電源のグランド側GNDから電力供給を受け、ゲート信号INL_Mでオン/オフを制御し、NMOSからなるローサイドスイッチング素子4と、ハイサイドスイッチング素子3と並列に接続し、ハイサイドスイッチング素子3のドレインとソース間の電圧に比例したセンス電流IsHを出力する電流検出回路5Hと、ローサイドスイッチング素子4と並列に接続し、ローサイドスイッチング素子4のドレインとソース間の電圧に比例したセンス電流IsLを出力する電流検出回路5Lと、ハイサイドセンス電流IsHとローサイドセンス電流IsLから負荷駆動回路1Eの故障状態を検出する故障検出回路6を備えている。
  また、電磁負荷2のもう一方の端子が、VHと接続したローサイドドライバ構成と、GNDと接続したハイサイドドライバ構成をCONFIG信号により選択可能な構成となっている。
  また、図13のハイサイド電流検出回路5Hと、ローサイド電流検出回路5Lは、図2のハイサイド電流検出回路5Hと図8のローサイド電流検出回路5Lと同じ構成と作用である。
  図14に本発明の第5の実施形態による故障検出回路6の構成の一例を示すブロック図である。図14に示す故障検出回路6は、図3のハイサイド故障検出回路6Hと、図9のローサイド故障検出回路6Lと、CONFIG信号によって、ハイサイド故障検出回路6Hの検出期間Td生成回路6H2の入力を切り替えるセレクタ61と、ローサイド故障検出回路6Lの検出期間Td生成回路6L2の入力を切り替えるセレクタ62を備える。CONFIG信号は、負荷駆動回路1Eを制御する装置で、ハイサイドドライバ構成の場合はCONFIG=Hを、ローサイドドライバ構成の場合はCONFIG=Lを設定するため、CONGIF=H時は、セレクタ61及びセレクタ62のH端子の信号を選択し、CONFIG=L時は、セレクタ61及びセレクタ62のL端子の信号を選択する。
  図15に本発明の第5の実施形態によるハイサイドドライバ構成におけるタイミングチャートの一例を示す。ハイサイドドライバ構成のため、CONFIG=Hが設定されている。
  負荷駆動回路1Eの、故障検出回路6のハイサイド故障検出回路6Hの作用は第1の実施形態の図4と同じであるため、ローサイド故障検出回路6Lの作用について説明する。
  負荷駆動回路1Eが故障の無い正常状態であれば、ハイサイドドライバ構成において、INL_Mがオンからオフに遷移した後、デッドタイム期間Tdeadで、INH_MとINH_Sがオフからオンに遷移し、遅延時間DL後に、INL_Sがオンからオフに遷移する。INH_MがオンかつINL_Mがオフのローサイド故障検出回路6Lの検出期間Tdにおいては、OUT端子はVH付近の電位となっているため、INH_Sがオンによりハイサイドセンス電流IsHは閾値電流IrefH以下だが、INL_Sがオンによりローサイドセンス電流IsLは閾値電流IrefL以上となり、LPF1の時定数D1だけ遅延が発生してDET_L=Hとなる。
  負荷駆動回路1Eが天絡故障の状態であると、OUT端子はVH付近の電位となり、ローサイド故障検出回路6Lの検出期間Tdにおいては、正常状態と同様にハイサイドセンス電流IsHは閾値電流IrefH以下だが、ローサイドセンス電流IsLは閾値電流IrefL以上となり、LPF1の時定数D1だけ遅延が発生してDET_L=Hとなるため、故障を検出できない。しかし、INH_Mがオンからオフに遷移して、デッドタイム期間Tdead後にINL_MとINL_Sがオフからオンに遷移した瞬間、ローサイドセンス電流IsLに閾値IrefLを以上の電流が発生し、ローパスフィルタLPF1の時定数D1の遅延の後、検出期間Tdで無いにも関わらず、DET_L=Hとなる。すなわち、INL_M=Hかつ、DET_L=Hのとき、VH_SHL=Hとなり天絡故障を検出できる。
  負荷駆動回路1Eが地絡故障の状態であると、OUT端子はGND付近の電位となり、検出期間TdによりINL_Sがオンしてもセンス電流IsLは発生しないため、DET_L=Lとなる。すなわち、検出期間Tdにおいて、DET_L=Lのとき、GND_SHL=Hとなり、地絡故障を検出できる。
  図16に本発明の第5の実施形態によるローサイドドライバ構成におけるタイミングチャートの一例を示す。ローサイドドライバ構成のため、CONFIG=Lが設定されている。
  負荷駆動回路1Eの、故障検出回路6のローサイド故障検出回路6Lの作用は第1の実施形態の図10と同じであるため、ハイサイド故障検出回路6Hの作用について説明する。
  負荷駆動回路1Eが故障の無い正常状態であれば、ローサイドドライバ構成において、INH_Mがオンからオフに遷移した後、デッドタイム期間Tdeadで、INL_MとINL_Sがオフからオンに遷移し、遅延時間DHで、INH_Sがオンからオフに遷移する。INH_MがオフかつINL_Mがオンのハイサイド故障検出回路6Hの検出期間Tdにおいては、OUT端子はGND付近の電位となっているため、INL_Sがオンによりローサイドセンス電流IsLは閾値電流IrefL以下だが、INH_Sがオンによりハイサイドセンス電流IsHは閾値電流IrefH以上となり、LPF1の時定数D1だけ遅延が発生してDET_H=Hとなる。
  負荷駆動回路1Eが地絡故障の状態であると、OUT端子はGND付近の電位となり、ハイサイド故障検出回路6Hの検出期間Tdにおいては、正常状態と同様にローサイドセンス電流IsLは閾値電流IrefL以下だが、ハイサイドセンス電流IsHは閾値電流IrefH以上となり、LPF1の時定数D1だけ遅延が発生してDET_H=Hとなるため、故障を検出できない。しかし、INL_Mがオンからオフに遷移して、デッドタイム期間Tdead後にINH_MとINH_Sがオフからオンに遷移した瞬間、ハイサイドセンス電流IsHに閾値IrefHを以上の電流が発生し、ローパスフィルタLPF1の時定数D1の遅延の後、検出期間Tdで無いにも関わらず、DET_H=Hとなる。すなわち、INH_M=Hかつ、DET_H=Hのとき、GND_SHH=Hとなり地絡故障を検出できる。
  負荷駆動回路1Eが天絡故障の状態であると、OUT端子はVH付近の電位となり、検出期間TdによりINH_Sがオンしてもセンス電流IsHは発生しないため、DET_H=Lとなる。すなわち、検出期間Tdにおいて、DET_H=Lのとき、VH_SHH=Hとなり、地絡故障を検出できる。
  以上、説明したように、本実施形態による負荷駆動回路1Eにおいては、ハイサイド故障検出回路6Hとローサイド故障検出回路6Lを用いて、それぞれ天絡故障と地絡故障を検出が可能である。よって、相互の故障検出結果を比較することで、故障検出回路の異常を検出することが可能となり、負荷駆動回路1Eの更なる高信頼化に優位である。また、ハイサイドドライバ構成とローサイドドライバ構成をCONFIG信号で切り替えることで、電磁負荷2の接続先の電源に拠らない故障検知が可能になることで、負荷駆動回路1Eのフレキシブル化に優位である。

(第6の実施形態)
  図17に本発明の第6の実施形態による負荷駆動回路1Fと電磁負荷2の構成を示すブロック図である。図17に示す負荷駆動回路1Fは、図13に示す負荷駆動回路1Eに加え、故障検出回路6の出力と、負荷駆動回路1Fの制御信号INと、ドライバ構成信号CONFIGを入力として、ハイサイドスイッチング素子3のゲート信号INH_Mと、ハイサイドセンスMOS5H1のゲート信号INH_Sと、ローサイドスイッチング素子4のゲート信号INL_Mと、ローサイドセンスMOS5L1のゲート信号INL_Sを出力するプリドライバ回路7を備えている。
  プリドライバ回路7は、ハイサイドドライバ構成のとき、故障検出回路6からの入力信号が無ければ、IN信号がHからLに遷移するとき、INH_Mをオンからオフに遷移させ、遅延DH後にINH_Sをオンからオフに遷移させ、デッドタイム期間Tdead後にINL_MとINL_Sをオフからオンに遷移させる。また、IN信号がLからHに遷移するとき、INL_Mをオンからオフに遷移させ、デッドタイム期間Tdead後にINH_MとINH_Sをオフからオンに遷移させ、遅延DL後にINL_Sをオンからオフに遷移させる。
  ローサイドドライバ構成のとき、故障検出回路6からの入力信号が無ければ、IN信号がHからLに遷移するとき、INL_Mをオンからオフに遷移させ、遅延DL後にINL_Sをオンからオフに遷移させ、デッドタイム期間Tdead後にINH_MとINH_Sをオフからオンに遷移させる。また、IN信号がLからHに遷移するとき、INH_Mをオンからオフに遷移させ、デッドタイム期間Tdead後にINL_MとINL_Sをオフからオンに遷移させ、遅延DH後にINH_Sをオンからオフに遷移させる。
  図18は、本発明の第6の実施形態によるハイサイドドライバ構成における負荷駆動回路1Fの作用を説明するタイミングチャートの一例を示す。図18に示すタイミングチャートは正常、天絡故障、地絡故障における故障検出回路6の作用は図15のタイミングチャートと同様であるため、プリドライバ7による負荷駆動回路1Fの作用と効果について説明する。
  負荷駆動回路1Fが正常状態であるとき、入力信号INがローからハイに遷移し、検出期間TdのときにDET_L=Hを検出し、GND_SHH=Lかつ、GND_SHL=Lかつ、VH_SHH=Lかつ、VH_SHL=Lであれば、正常状態と判定し、INL_Sをオンからオフに遷移させる。入力信号INがハイからローに遷移し、検出期間TdのときにDET_H=Hを検出し、GND_SHH=Lかつ、GND_SHL=Lかつ、VH_SHH=Lかつ、VH_SHL=Lであれば、正常状態と判定し、INH_Sをオンからオフに遷移させ、INL_MとINL_Sをオフからオンに遷移させることで従来のデッドタイム期間Tdeadを短縮できる。デッドタイム期間はローサイドスイッチング素子4のボディダイオードを電流が流れることで発熱が大きくなるため、デッドタイム期間の短縮は負荷駆動回路の発熱量低減に優位である。
  負荷駆動回路1Fが天絡故障の状態で、故障検出回路6が、VH_SHH=Hにより天絡故障を検出したとき、プリドライバ7はIN信号に関わらず、INL_MとINL_Sをオフに固定することで、ローサイドスイッチング素子がオンして発生する過電流を防止できるため、負荷駆動回路1Fの安全性の向上に優位である。
  負荷駆動回路1Fが地絡故障の状態で、故障検出回路6が、GND_SHH=Hにより地絡故障を検出したとき、プリドライバ7はIN信号に関わらず、INH_MとINH_Sをオフに遷移させることで、ハイサイドスイッチング素子がオンし続けることで発生する過電流を防止できるため、負荷駆動回路1Fの安全性の向上に優位である。
  図19に本発明の第6の実施形態によるローサイドドライバ構成におけるタイミングチャートの一例を示す。図19に示すタイミングチャートは正常、天絡故障、地絡故障における故障検出回路6の作用は図16のタイミングチャートと同様であるため、プリドライバ7による負荷駆動回路1Fの作用と効果について説明する。
  負荷駆動回路1Fが正常状態であるとき、入力信号INがローからハイに遷移し、検出期間TdのときにDET_H=Hを検出し、GND_SHH=Lかつ、GND_SHL=Lかつ、VH_SHH=Lかつ、VH_SHL=Lであれば、正常状態と判定し、INH_Sをオンからオフに遷移させる。入力信号INがハイからローに遷移し、検出期間TdのときにDET_L=Hを検出し、GND_SHH=Lかつ、GND_SHL=Lかつ、VH_SHH=Lかつ、VH_SHL=Lであれば、正常状態と判定し、INL_Sをオンからオフに遷移させ、INH_MとINH_Sをオフからオンに遷移させることで従来のデッドタイム期間Tdeadを短縮できる。デッドタイム期間はハイサイドスイッチング素子3のボディダイオードを電流が流れることで発熱が大きくなるため、デッドタイム期間の短縮は負荷駆動回路の発熱量低減に優位である。
  負荷駆動回路1Fが地絡故障の状態で、故障検出回路6が、GND_SHL=Hにより地絡故障を検出したとき、プリドライバ7はIN信号に関わらず、INH_MとINH_Sをオフに固定することで、ハイサイドスイッチング素子がオンして発生する過電流を防止できるため、負荷駆動回路1Fの安全性の向上に優位である。
  負荷駆動回路1Fが天絡故障の状態で、故障検出回路6が、VH_SHL=Hにより天絡故障を検出したとき、プリドライバ7はIN信号に関わらず、INL_MとINL_Sをオフに遷移させることで、ローサイドスイッチング素子がオンし続けることで発生する過電流を防止できるため、負荷駆動回路1Fの安全性の向上に優位である。

(第7の実施形態)
  図20に本発明の第7の実施形態による負荷駆動回路1Gと電磁負荷2の構成を示すブロック図である。
  図20に示す負荷駆動回路1Gは、電磁負荷2と端子OUTで接続しており、直流電源の正極側VHから電力供給を受け、ゲート信号INH_Mでオン/オフを制御し、NMOSからなるハイサイドスイッチング素子3と、直流電源のグランド側GNDから電力供給を受け、ゲート信号INL_Mでオン/オフを制御し、NMOSからなるローサイドスイッチング素子4と、ハイサイドスイッチング素子3と並列に接続し、ハイサイドスイッチング素子3のドレインとソース間の電圧に比例したセンス電流IsHを出力する電流検出回路10Hと、ローサイドスイッチング素子4と並列に接続し、ハイサイドスイッチング素子4のドレインとソース間の電圧に比例したセンス電流IsLを出力する電流検出回路10Lと、ハイサイドセンス電流IsHとローサイドセンス電流IsLから負荷駆動回路1Gの故障状態を検出する故障検出回路6Aと、負荷駆動回路1Gが負荷を駆動していない期間で、任意のタイミングで設定された診断期間にHを出力するDIAG信号を受けて、ハイサイドスイッチング素子3のゲート信号INH_Mとローサイドスイッチング素子4のゲート信号INL_Mをオフに固定する論理回路9を備えている。
  また、電磁負荷2のもう一方の端子が、VHと接続したローサイドドライバ構成と、GNDと接続したハイサイドドライバ構成をCONFIG信号で選択可能な構成となっている。
  図21に本発明の第7の実施形態によるハイサイド電流検出回路10Hの構成の一例を示すブロック図である。
  図21に示すハイサイド電流検出回路10Hは、常時オンでハイサイドスイッチング素子3と同じプロセスのNMOSからなる第一のハイサイドセンスMOS10H1と、第一のハイサイドセンスMOS10H1と端子OUTの間に直列に挿入されて、ゲート信号INH_Sでオン/オフを制御されたハイサイドスイッチング素子3と同じプロセスのNMOSからなる第二のハイサイドセンスMOS10H2と、第一のハイサイドセンスMOS10H1と並列に接続し、常時オンでハイサイドスイッチング素子3と同じプロセスのNMOSからなる第三のハイサイドセンスMOS10H3と、第一のハイサイドセンスMOS10H1と第二のハイサイドセンスMOS10H2の中点と第三のハイサイドセンスMOSのソース端子を同電位にするためのオペアンプとPMOSからなる仮想短絡回路10H4を備えている。
  図22に本発明の第7の実施形態によるローサイド電流検出回路10Lの構成の一例を示すブロック図である。
  図22に示すハイサイド電流検出回路10Lは、常時オンでローサイドスイッチング素子4と同じプロセスのNMOSからなる第一のローサイドセンスMOS10L1と、第一のローサイドセンスMOS10L1と端子OUTの間に直列に挿入されて、ゲート信号INL_Sでオン/オフを制御されたローサイドスイッチング素子4と同じプロセスのNMOSからなる第二のローサイドセンスMOS10L2と、第一のローサイドセンスMOS10L1と並列に接続し、常時オンでローサイドスイッチング素子4と同じプロセスのNMOSからなる第三のローサイドセンスMOS10L3と、第一のローサイドセンスMOS10L1と第二のローサイドセンスMOS10L2の中点と第三のローサイドセンスMOSのドレイン端子を同電位にするためのオペアンプとNMOSからなる仮想短絡回路10L4を備えている。
  図23に本発明の第7の実施形態による故障検出回路6Aの構成の一例を示すブロック図である。
  図23に示す故障検出回路6Aは、負荷駆動回路1Gが通常の負荷駆動中の故障検出回路である、図14に示す故障検出回路6と、負荷を駆動していない期間でシステムから要求された診断期間中に動作する、OFF時故障検出回路6A1を備える。
  OFF時故障検出回路6A1は、診断期間中に故障検出回路6の出力(VH_SHH、VH_SHL、GND_SHH、GND_SHL)をLに固定する論理回路6A2と、ハイサイドセンス電流IsHと閾値電流IrefHを比較して、IsHがIrefH以上を検出した立上りエッジに対してHを出力し、DIAG=LのときはLを出力するラッチ回路6A3と、ローサイドセンス電流IsLと閾値電流IrefLを比較して、IsLがIrefL以上を検出した立上りエッジに対してHを出力し、DIAG=LのときはLを出力するラッチ回路6A4と、ラッチ回路6A3と、ラッチ回路6A4の出力から天絡故障、地絡故障、断線故障の故障を判定する判定回路6A5を備える。
  図24に本発明の第7の実施形態によるハイサイドドライバ構成におけるタイミングチャートの一例を示す。図24に示すタイミングチャートは正常、天絡故障、断線故障における作用と効果について説明する。
  ハイサイドドライバ構成なので、CONFIG信号はHを出力しており、診断期間中なので、DIAG信号はHであるため、ハイサイドスイッチング素子3のゲート信号INH_Mと、ローサイドスイッチング素子4のゲート信号INL_Mはオフに固定され、ハイサイドセンスMOS10H3のゲート信号INH_Sと、ローサイドセンスMOS10L3のゲート信号INL_Sを交互にオン/オフさせる。
  負荷駆動回路1Gが正常状態であるとき、OUT端子はGND付近の電位であるため、INH_Sがオンのとき、ハイサイドセンス電流IsHは閾値電流IrefH以上となり、ラッチ回路6A3はHを出力する。INL_Sがオンのとき、ローサイドセンス電流IsLは閾値電流IrefL以下となり、ラッチ回路6A4はLを出力する。このとき、判定回路6A5にて、ラッチ回路6A3とラッチ回路6A4の出力から、負荷駆動回路1Gを正常状態と判定する。
  負荷駆動回路1Gが天絡状態であるとき、OUT端子はVH付近の電位であるため、INH_Sがオンのとき、ハイサイドセンス電流IsHは閾値電流IrefH以下となり、ラッチ回路6A3はLを出力する。INL_がオンのとき、ローサイドセンス電流IsLは閾値電流IrefL以上となり、ラッチ回路6A4はHを出力する。このとき、判定隘路6A5にて、ラッチ回路6A3とラッチ回路6A4の出力から、VH_SHD=Hとなり、負荷駆動回路1Gを天絡状態と判定する。
  負荷駆動回路1Gが断線状態であるとき、OUT端子はハイインピーダンスであるため、INH_SがオンのときはVH付近の電位に、INL_SがオンのときはGND付近の電位となる。INH_Sがオンからオフに、INL_Sがオフからオンに遷移したとき、OUT端子はVH付近の電位からGND付近の電位に遷移するためINL_Sに瞬間的にIrefL以上の電流が発生し、ラッチ回路6A4はHを出力する。INL_Sがオンからオフに、INH_Sがオフからオンに遷移したとき、OUT端子はGND付近の電位からVH付近の電位に遷移するためINH_Sに瞬間的にIrefH以上の電流が発生し、ラッチ回路6A3はHを出力する。このとき、判定回路6A5にてラッチ回路6A3とラッチ回路6A4の出力から、OPEN=Hとなり、負荷駆動回路1Gを断線状態と判定する。
  図25に本発明の第7の実施形態によるローサイドドライバ構成におけるタイミングチャートの一例を示す。図25に示すタイミングチャートは正常、地絡故障、断線故障における作用と効果について説明する。
  ローサイドドライバ構成なので、CONFIG信号はLを出力しており、診断期間中なので、DIAG信号はHを出力しているため、ハイサイドスイッチング素子3のゲート信号INH_Mと、ローサイドスイッチング素子4のゲート信号INL_Mはオフに固定され、ハイサイドセンスMOS10H3のゲート信号INH_Sと、ローサイドセンスMOS10L3のゲート信号INL_Sを相互にオン/オフさせる。
  負荷駆動回路1Gが正常状態であるとき、OUT端子はVH付近の電位であるため、INL_Sがオンのとき、ローサイドセンス電流IsLは閾値電流IrefL以上となりラッチ回路6A4はHを出力し、INH_Sがオンのとき、ハイサイドセンス電流IsHは閾値電流IrefH以下となりラッチ回路6A3はLを出力する。このとき、判定回路6A5にて、ラッチ回路6A3とラッチ回路6A4の出力から、負荷駆動回路1Gを正常状態と判定する。
  負荷駆動回路1Gが地絡状態であるとき、OUT端子はGND付近の電位であるため、INL_Sがオンのとき、ローサイドセンス電流IsLは閾値電流IrefL以下となりラッチ回路6A4はLを出力し、INH_がオンのとき、ハイサイドセンス電流IsHは閾値電流IrefH以上となりラッチ回路6A3はHを出力する。このとき、判定回路6A5にて、ラッチ回路6A3とラッチ回路6A4の出力から、GND_SHD=Hとなり、負荷駆動回路1Gを地絡状態と判定する。
  負荷駆動回路1Gが断線状態であるとき、OUT端子はハイインピーダンスであるため、INH_SがオンのときはVH付近の電位に、INL_SがオンのときはGND付近の電位になる。INH_Sがオンからオフに、INL_Sがオフからオンに遷移したとき、OUT端子はVH付近の電位からGND付近の電位に遷移するためINL_Sに瞬間的にIrefL以上の電流が発生し、ラッチ回路6A4はHを出力する。INL_Sがオンからオフに、INH_Sがオフからオンに遷移したとき、OUT端子はGND付近の電位からVH付近の電位に遷移するためINH_Sに瞬間的にIrefH以上の電流が発生し、ラッチ回路6A3はHを出力する。このとき、判定回路6A5にてラッチ回路6A3とラッチ回路6A4の出力から、OPEN=Hとなり、負荷駆動回路1Gを断線状態と判定する。
  以上、説明したように、本実施形態による負荷駆動回路1Gにおいては、通常の負荷駆動動作中の故障検出に加え、負荷駆動動作前に、故障検出をすることが可能になるため、大電流を発生させることなく故障を検出できることで、更なる高信頼化、安全性の向上に優位である。
  また、閾値電流IrefHとIrefLを負荷駆動動作前と負荷駆動動作中でそれぞれ最適な値に設定することで、故障検出結果の高信頼度化に優位である。
  また、ハイサイドドライバ構成とローサイドドライバ構成をCONFIG信号で切り替えることで、電磁負荷2の接続先の電源に拠らない故障検知が可能になることで、負荷駆動回路1Gのフレキシブル化に優位である。
  なお、本実施例において、負荷駆動動作中の故障検出は必須の要素では無い。負荷駆動動作前の故障を検出するために必要な構成要素だけで、負荷駆動動作前の故障検出を実施することも可能である。

(第8の実施形態)
  図26に本発明の第8の実施形態による負荷駆動回路1Gにおける故障検出回路6Bの構成を示すブロック図である。
  図26に示す故障検出回路6Bは、負荷駆動回路1Gが通常の負荷駆動動作中の故障検出回路である図14に示す故障検出回路6と、負荷を駆動していない期間でシステムから要求された診断期間中に動作する、OFF時故障検出回路6B1を備える。
  OFF時故障検出回路6B1は、診断期間中に故障検出回路6の出力をLに固定する論理回路6B2と、ハイサイドセンス電流IsHと閾値電流IrefHを比較して、ハイサイドセンス電流IsHが閾値電流IrefH以上となったことを検出した立上りエッジに対してHを出力するラッチ回路6B3と、IsHがIrefH以上となったことを検出した結果に、ローパスフィルタを掛けた出力の立上りエッジに対して、Hを出力するラッチ回路6B6と、ローサイドセンス電流IsLが閾値電流IrefL以上となったことを検出した立上りエッジに対してHを出力するラッチ回路6B4と、IsLがIrefL以上となったことを検出した結果に、ローパスフィルタを掛けた出力の立上りエッジに対して、Hを出力するラッチ回路6B7と、ラッチ回路6B3と、ラッチ回路6B4と、ラッチ回路6B6と、ラッチ回路6B7の出力から天絡故障、地絡故障、断線故障の故障を判定する判定回路6B5を備える。
  図27に本発明の第8の実施形態によるハイサイドドライバ構成におけるタイミングチャートの一例を示す。図27に示すタイミングチャートは正常、天絡故障、地絡故障、断線故障における作用と効果について説明する。ハイサイドドライバ構成なので、CONFIG信号はHを出力している。診断期間中なので、DIAG信号はHであるため、ハイサイドスイッチング素子3のゲート信号INH_Mと、ローサイドスイッチング素子4のゲート信号INL_Mはオフに固定され、ハイサイドセンスMOS10H3のゲート信号INH_Sと、ローサイドセンスMOS10L3のゲート信号INL_Sを同時にオン/オフさせる。
  負荷駆動回路1Gが正常状態であるとき、INH_SとINL_Sが両方ともオフであるときは、GND付近の電位である。INH_SとINL_Sを同時にオンさせた瞬間は、電磁負荷2は電流の流れを妨げ、OUT端子がGND付近の電位から上昇するため、IsLは瞬間的にIrefL以上の電流が発生し、ラッチ回路6B4はHを出力する。その後、OUT端子はGND付近の電位に戻るため、IsHは閾値電流IrefH以上の電流が発生し、ラッチ回路6B3はHを出力する。また、フィルタ時間経過後はOUT端子はGND付近の電位になるためIsHはIrefH以上の電流が発生し、IsLはIrefL以下の電流となるため、ラッチ回路6B6はHを出力し、ラッチ回路6B7はLを出力する。このとき、判定回路6B5はラッチ回路6B3と、ラッチ回路6B4とラッチ回路6B6とラッチ回路6B7の出力から正常状態と判定する。
  負荷駆動回路1Gが天絡状態であるとき、OUT端子はVH付近の電位であるため、INH_SとINL_Sを同時にオンさせた瞬間は、IsLはIrefL以上の電流が発生するためラッチ回路6B4はHを出力し、IsHはIrefH以下の電流となるため、ラッチ回路6B3はLを出力する。フィルタ時間経過後もIsLはIrefL以上の電流を発生するためラッチ回路6B7はHを出力し、IsHはIrefH以下の電流となるためラッチ回路6B6はLを出力する。このとき、判定回路6B5はラッチ回路6B3とラッチ回路6B4とラッチ回路6B6とラッチ回路6B7の出力から、VH_SHDとなり、天絡状態と判定する。
  負荷駆動回路1G地絡状態であるとき、INH_SとINL_Sを同時にオンさせた瞬間OUT端子はGND付近の電位になるためIsHはIrefH以上の電流が発生しラッチ回路6B3はHを出力し、ISLはIrefL以下の電流となるためラッチ回路6B4はLを出力する。フィルタ時間経過後も、OUT端子はGND付近の電位のため、IsHはIrefH以上の電流が発生しラッチ回路6B6はHを出力し、ISLはIrefL以下の電流となるためラッチ回路6B7はLを出力する。このとき、判定回路6B5はラッチ回路6B3とラッチ回路6B4とラッチ回路6B6とラッチ回路6B7の出力から、GND_SHD=Hとなり、地絡状態と判定する。
  負荷駆動回路1Gが断線状態であるとき、INH_SとINL_Sを同時にオンさせた瞬間OUT端子はGNDとVHの中間電位となるため、IsHはIrefH以上の電流が発生し、ラッチ回路6B3はHを出力し、IsLはIrefL以上の電流が発生し、ラッチ回路6B4はHを出力する。フィルタ時間経過後も、OUT端子はGNDとVHの中間電位となるため、IsHはIrefH以上の電流が発生し、ラッチ回路6B6はHを出力し、IsLはIrefL以上の電流が発生し、ラッチ回路6B7はHを出力する。このとき、判定回路6B5はラッチ回路6B3とラッチ回路6B4とラッチ回路6B6とラッチ回路6B7の出力から、OPEN=Hとなり、断線状態と判定する。
  図28に本発明の第8の実施形態によるローサイドドライバ構成におけるタイミングチャートの一例を示す。図28に示すタイミングチャートは正常、天絡故障、地絡故障、断線故障における作用と効果について説明する。
  ローサイドドライバ構成なので、CONFIG信号はLを出力しており、診断期間中なので、DIAG信号はHであるため、ハイサイドスイッチング素子3のゲート信号INH_Mと、ローサイドスイッチング素子4のゲート信号INL_Mはオフに固定され、ハイサイドセンスMOS10H3のゲート信号INH_Sと、ローサイドセンスMOS10L3のゲート信号INL_Sを同時にオン/オフさせる。
  負荷駆動回路1Gが正常状態であるとき、INH_SとINL_Sが両方ともオフであるときは、VH付近の電位である。INH_SとINL_Sを同時にオンさせた瞬間は、電磁負荷2は電流の流れを妨げ、OUT端子がVH付近の電位から下降するため、IsHは瞬間的にIrefH以上の電流が発生し、ラッチ回路6B3はHを出力する。その後、OUT端子はVH付近の電位に戻るため、IsLはIrefL以上の電流が発生し、ラッチ回路6B4はHを出力する。また、フィルタ時間経過後はOUT端子はVH付近の電位になるためIsLはIrefL以上の電流が発生するためラッチ回路6B7はHを出力し、IsHはIrefH以下の電流となり、ラッチ回路6B6はLを出力する。このとき、判定回路6B5はラッチ回路6B3と、ラッチ回路6B4と、ラッチ回路6B6と、ラッチ回路6B7の出力から正常状態と判定する。
  負荷駆動回路1Gが天絡状態であるとき、OUT端子はVH付近の電位であるため、INH_SとINL_Sを同時にオンさせた瞬間は、IsLはIrefL以上の電流が発生するためラッチ回路6B4はHを出力し、IsHはIrefH以下の電流となるため、ラッチ回路6B3はLを出力する。フィルタ時間経過後もIsLはIrefL以上の電流を発生するためラッチ回路6B7はHを出力し、IsHはIrefH以下の電流となるためラッチ回路6B6はLを出力する。このとき、判定回路6B5はラッチ回路6B3とラッチ回路6B4とラッチ回路6B6とラッチ回路6B7の出力から、VH_SHD=Hとなり、天絡状態と判定する。
  負荷駆動回路1G地絡状態であるとき、INH_SとINL_Sを同時にオンさせた瞬間OUT端子はGND付近の電位になるためIsHはIrefH以上の電流が発生しラッチ回路6B3はHを出力し、ISLはIrefL以下の電流となるためラッチ回路6B4はLを出力する。フィルタ時間経過後も、OUT端子はGND付近の電位のため、IsHはIrefH以上の電流が発生しラッチ回路6B6はHを出力し、ISLはIrefL以下の電流となるためラッチ回路6B7はLを出力する。このとき、判定回路6B5はラッチ回路6B3とラッチ回路6B4とラッチ回路6B6とラッチ回路6B7の出力から、GND_SHD=Hとなり、地絡状態と判定する。
  負荷駆動回路1Gが断線状態であるとき、INH_SとINL_Sを同時にオンさせた瞬間OUT端子はGNDとVHの中間電位となるため、IsHはIrefH以上の電流が発生し、ラッチ回路6B3はHを出力し、IsLはIrefL以上の電流が発生し、ラッチ回路6B4はHを出力する。フィルタ時間経過後も、OUT端子はGNDとVHの中間電位となるため、IsHはIrefH以上の電流が発生し、ラッチ回路6B6はHを出力し、IsLはIrefL以上の電流が発生し、ラッチ回路6B7はHを出力する。このとき、判定回路6B5はラッチ回路6B3とラッチ回路6B4とラッチ回路6B6とラッチ回路6B7の出力から、OPEN=Hとなり、断線状態と判定する。
  以上、説明したように、本実施形態による負荷駆動回路1Gにおいては、負荷駆動動作中の故障検出に加え、負荷駆動動作前に、天絡故障、地絡故障、断線故障を区別して故障検出をすることが可能となり、大電流を発生させることなく故障を検出できることで、更なる高信頼化、安全性の向上に優位である。
  また、閾値電流IrefHとIrefLを負荷駆動動作前と負荷駆動動作中でそれぞれ最適な値に設定することで、より故障検出結果の高信頼度化に優位である。
  また、ハイサイドドライバ構成とローサイドドライバ構成をCONFIG信号で切り替えることで、電磁負荷2の接続先の電源に拠らない故障検知が可能になることで、負荷駆動回路1Gのフレキシブル化に優位である。
  なお、本実施例において、負荷駆動動作中の故障検出は必須の要素では無い。負荷駆動動作前の故障を検出するために必要な構成要素だけで、負荷駆動動作前の故障検出を実施することも可能である。
  なお、本発明は上記した実施例に限定されるものではなく、様々な変形例が含まれる。例えば、上記した実施例は本発明を分かりやすく説明するために詳細に説明したものであり、必ずしも説明した全ての構成を備えるものに限定されるものではない。また、ある実施例の構成の一部を他の実施例の構成に置き換えることが可能であり、また、ある実施例の構成に他の実施例の構成を加えることも可能である。また、各実施例の構成の一部について、他の構成の追加・削除・置換をすることが可能である。また、制御線や情報線は説明上必要と考えられるものを示しており、製品上必ずしも全ての制御線や情報線を示しているとは限らない。例えば、本発明では、ハイサイドスイッチング素子3と、ローサイドスイッチング素子4と、ハイサイドセンスMOS5Hと、ローサイドセンスMOS5Lを、NMOSで構成した例を示したが、PMOSで構成した場合でも、オン/オフを制御するためのゲート信号のハイレベルとローレベルの極性を反転させれば、NMOSで構成した場合と同様の効果が得られる。
  また、実施例1から実施例6で説明したハイサイド電流検出回路5H及び、ローサイド電流検出回路6Lに、実施例7から実施例8で説明したハイサイド電流検出回路10Hとハイサイド電流検出回路10Lを適用することも可能である。
  また、実施例7から実施例8で説明したハイサイド電流検出回路10H及び、ローサイド電流検出回路10Lに、実施例1から実施例6で説明したハイサイド電流検出回路5Hとローサイド電流検出回路10Lを適用することで、断線故障以外の故障を負荷駆動前に検出することが可能である。
1   負荷駆動回路
2   電磁負荷
3   ハイサイドスイッチング素子
4   ローサイドスイッチング素子
5H  ハイサイド電流検出回路
5L  ローサイド電流検出回路
6   故障検出回路
6H  ハイサイド故障検出回路
6L  ローサイド故障検出回路
7   プリドライバ
8   検出結果比較回路
10H ハイサイド電流検出回路
10L ローサイド電流検出回路

Claims (15)

  1.  電源からの電力供給を受けて負荷を駆動する負荷駆動回路であって、前記負荷駆動回路は、
     前記電源の正極側に接続され、ハイサイド駆動電流を出力するハイサイドスイッチング素子と、
     前記電源の負極側に接続され、ローサイド駆動電流を出力するローサイドスイッチング素子と、
     前記ハイサイドスイッチング素子と並列に接続され、ハイサイド駆動電流を検出するハイサイド電流検出回路と、
     前記ハイサイド電流検出回路の出力結果から、前記負荷駆動回路の故障状態を検出する故障検出回路と、を備え、
     前記ハイサイド電流検出回路は、
     前記ハイサイドスイッチング素子と異なるゲート信号に応じて動作し、前記ハイサイドスイッチング素子と同種類のデバイスで構成されたハイサイドセンス用スイッチング素子と、を備え、
     前記故障検出回路は、
     前記ハイサイド電流検出回路の出力結果と、前記ハイサイドスイッチング素子のゲート信号と、前記ハイサイドセンス用スイッチング素子のゲート信号と、を入力として、前記負荷駆動回路と前記負荷の接続端子が、前記電源の正極側と短絡状態、又は、前記電源の負極側と短絡状態であった場合に、それぞれの故障状態を区別して検出すること、
     を、特徴とする負荷駆動回路。
  2.  請求項1に記載の負荷駆動回路において、
     前記ハイサイドスイッチング素子のゲート信号のオン状態にある期間に比べて、前記ハイサイドセンス用スイッチング素子のゲート信号がオン状態にある期間の方が長いこと
     を、特徴とする負荷駆動回路。
  3.  請求項1に記載の負荷駆動回路において、
     前記負荷駆動回路の制御信号と、前記故障検出回路の出力結果と、を元に、前記ハイサイドスイッチング素子のゲート信号と、前記ローサイドスイッチング素子のゲート信号と、前記ハイサイドセンス用スイッチング素子のゲート信号を出力するプリドライバ回路、
     を、備えることを特徴とする負荷駆動回路。
  4.  電源からの電力供給を受けて負荷を駆動する負荷駆動回路であって、前記負荷駆動回路は、
     前記電源の正極側に接続され、ハイサイド駆動電流を出力するハイサイドスイッチング素子と、
     前記電源の負極側に接続され、ローサイド駆動電流を出力するローサイドスイッチング素子と、
     前記ローサイドスイッチング素子と並列に接続され、ローサイド駆動電流を検出するローサイド電流検出回路と、
     前記ローサイド電流検出回路の出力結果から、前記負荷駆動回路の故障状態を検出する故障検出回路と、を備え、
     前記ローサイド電流検出回路は、
     前記ローサイドスイッチング素子と異なるゲート信号に応じて動作し、前記ローサイドスイッチング素子と同種類のデバイスで構成されたローサイドセンス用スイッチング素子と、を備え、
     前記故障検出回路は、
     前記ローサイド電流検出回路の出力結果を入力として、前記ローサイドスイッチング素子のゲート信号と、前記ローサイドセンス用スイッチング素子のゲート信号から、前記負荷駆動回路と前記負荷の接続端子が、前記電源の正極側と短絡状態、又は、前記電源の負極側と短絡状態であった場合に、それぞれの故障状態を区別して検出すること、
     を、特徴とする負荷駆動回路。
  5.  請求項4に記載の負荷駆動回路において、
     前記ローサイドスイッチング素子のゲート信号のオン状態にある期間に比べて、前記ローサイドセンス用スイッチング素子のゲート信号がオン状態にある期間の方が長いこと
     を、特徴とする負荷駆動回路。
  6.   請求項4に記載の負荷駆動回路において、
     前記負荷駆動回路の制御信号と、前記故障検出回路の出力結果と、を元に、前記ローサイドスイッチング素子のゲート信号と、前記ハイサイドスイッチング素子のゲート信号と、前記ローサイドセンス用スイッチング素子のゲート信号を出力するプリドライバ回路、 を、備えることを特徴とする負荷駆動回路。
  7.  電源からの電力供給を受けて負荷を駆動する負荷駆動回路であって、前記負荷駆動回路は、
     前記電源の正極側に接続され、ハイサイド駆動電流を出力するハイサイドスイッチング素子と、
     前記電源の負極側に接続され、ローサイド駆動電流を出力するローサイドスイッチング素子と、
     前記ハイサイドスイッチング素子と並列に接続され、ハイサイド駆動電流を検出するハイサイド電流検出回路と、
     前記ローサイドスイッチング素子と並列に接続され、ローサイド駆動電流を検出するローサイド電流検出回路と、を備え、
     前記ハイサイド電流検出回路は、
     前記ハイサイドスイッチング素子と異なるゲート信号に応じて動作し、前記ハイサイドスイッチング素子と同種類のデバイスで構成されたハイサイドセンス用スイッチング素子と、を備え、
     前記ローサイド電流検出回路は、
     前記ローサイドスイッチング素子と異なるゲート信号に応じて動作し、前記ローサイドスイッチング素子と同種類のデバイスで構成されたローサイドセンス用スイッチング素子と、を備え、
     前記故障検出回路は、
     前記ハイサイド電流検出回路の出力結果と、前記ローサイド電流検出回路の出力結果を入力として、前記ハイサイドスイッチング素子のゲート信号と、前記ハイサイドセンス用スイッチング素子のゲート信号と、前記ローサイドスイッチング素子のゲート信号と、前記ローサイドセンス用スイッチング素子のゲート信号から、前記負荷駆動回路と前記負荷の接続端子が、前記電源の正極側と短絡状態、又は、前記電源の負極側と短絡状態であった場合に、それぞれの故障状態を区別して検出すること、
     を、特徴とする負荷駆動回路。
  8.  請求項7に記載の負荷駆動回路において、
     前記ハイサイドスイッチング素子のゲート信号のオン状態にある期間に比べて、前記ハイサイドセンス用スイッチング素子のゲート信号がオン状態にある期間の方が長いことと、
     前記ローサイドスイッチング素子のゲート信号のオン状態にある期間に比べて、前記ローサイドセンス用スイッチング素子のゲート信号がオン状態にある期間の方が長いことと、
     を、特徴とする負荷駆動回路。
  9.  請求項7に記載の負荷駆動回路において、
     前記負荷駆動回路の制御信号と、前記故障検出回路の出力結果と、を元に、前記ローサイドスイッチング素子のゲート信号と、前記ハイサイドスイッチング素子のゲート信号と、前記ローサイドセンス用スイッチング素子のゲート信号と、前記ハイサイドセンス用スイッチング素子のゲート信号と、を出力するプリドライバ回路、
     を、備えることを特徴とする負荷駆動回路。
  10.  請求項7に記載の負荷駆動回路において、
     前記ハイサイド電流検出回路の出力結果に基づく、前記故障検出回路の出力結果と、前記ローサイドの電流検出回路の出力結果に基づく、前記故障検出回路の出力結果が、
     前記負荷駆動回路の制御周期ごとに一致するか比較することで、前記ハイサイド電流検出回路と、前記ローサイド電流検出回路と、
     が、出力結果が正常であることを、相互に診断する検出結果比較回路
     を、備えることを特徴とする負荷駆動回路。
  11.  請求項7に記載の負荷駆動回路において、
     前記負荷駆動回路が、前記負荷を駆動していない待機状態において、前記負荷駆動回路の故障検出期間を設定し、
     前記故障検出期間中に、前記ハイサイドスイッチング素子のゲート信号と、前記ローサイドスイッチング素子のゲート信号と、をオフに固定するための論理回路と、を備え、
     前記ハイサイドセンス用スイッチング素子のゲート信号と、前記ローサイドセンス用スイッチング素子のゲート信号をオン、オフすることで、前記負荷駆動回路の故障状態を検出する、
     ことを特徴とする負荷駆動回路。
  12.  請求項11に記載の負荷駆動回路において、
     前記ハイサイドセンス用スイッチング素子のゲート信号と、前記ローサイドセンス用スイッチング素子のゲート信号と、
     を、交互にオン、オフさせ、故障状態を検出する、
     ことを特徴とする負荷駆動回路。
  13.  請求項11に記載の負荷駆動回路において、
     前記ハイサイドセンス用スイッチング素子のゲート信号と、前記ローサイドセンス用スイッチング素子のゲート信号と、
     を、同時にオン、オフさせ、故障状態を検出する、
     ことを特徴とする負荷駆動回路。
  14.  請求項13に記載の負荷駆動回路において、
     前記ハイサイドセンス用スイッチング素子のゲート信号と、前記ローサイドセンス用スイッチング素子のゲート信号がオンした瞬間の、前記ハイサイド電流検出回路の出力結果と、前記ローサイド電流検出回路の出力結果と、オンして一定時間が経過後の、前記ハイサイド電流検出回路の出力結果と、前記ローサイド電流検出回路の出力結果と、
     から、前記負荷駆動回路の故障状態を検出をする
     ことを特徴とする負荷駆動回路。
  15.  請求項7に記載の負荷駆動回路において、
     前記負荷の、前記負荷駆動回路と接続する端子と、逆側の端子の接続先が、前記電源の正極側である構成と、前記電源の負極側である構成と、
     に対して、それぞれの構成に対する、前記負荷駆動回路の故障検出を切り替えるための制御端子を有する故障検出回路を備えたことを特徴とする負荷駆動回路。
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