WO2017006996A1

WO2017006996A1 - 駆動装置

Info

Publication number: WO2017006996A1
Application number: PCT/JP2016/070152
Authority: WO
Inventors: 賢人山下
Original assignee: アイシン・エィ・ダブリュ株式会社
Priority date: 2015-07-08
Filing date: 2016-07-07
Publication date: 2017-01-12
Also published as: DE112016001924T5; DE112016001924B4; JP6455597B2; JPWO2017006996A1; CN107710354B; US10640059B2; CN107710354A; US20180141506A1

Abstract

駆動装置（９）は、ハイサイドＭＯＳＦＥＴ（１７）を有する第１の電流路（４８）と、ローサイドＭＯＳＦＥＴ（１９）を有する第２の電流路（４９）と、コイル（５）の他端部（５ｂ）に接続されて第１の電流路（４８）と第２の電流路（４９）との間に位置する第３の電流路（５０）とを備えている。更に駆動装置（９）は、ＰＷＭ制御によって駆動信号を生成するＰＷＭ駆動回路（３１，３２）と、上記電流路（４８，４９）に過電流が流れたことを検出する過電流検出回路（４０）とを備える。第１の電流路（４８）及び第２の電流路（４９）のいずれかに過電流が流れたかを検出することによってバッテリショート、グランドショートの発生を精度良く検出することが可能となる。

Description

駆動装置

　この技術は、駆動制御されるソレノイドバルブに接続される駆動装置に関する。

　従来、ソレノイドを励磁、非励磁に切り換えることにより油圧回路を切り換えて変速を行う機構が車両用自動変速機の変速制御に用いられている。このような技術において、ソレノイドの断線障害やショート障害等の異常発生を電気的に検出してソレノイドバルブの故障を検出するように構成した故障検出装置が知られている。この技術では、ＰＷＭ（Pulse　Width　Modulation）制御により通電電流が制御されるリニアソレノイドに端子間ショートが生じた場合に、目標値となる設定デューティ比に基づいて判断用デューティ比を設定し、フィードバック制御により目標値となるように設定された設定デューティ比が判断用デューティ比よりも小さくなった場合に端子間ショートであると判定する検出方法が知られている。

　このような検出方法において、判断用ディーティ比を精度良く設定しようとすると、リニアソレノイドの目標電流を低くすることが困難となり、リニアソレノイドの電流制御範囲に制約を受けるといった不具合を招くことになる。そこで、ＰＷＭ制御のデューティ比に依存することなくリニアソレノイドのショート異常が検出可能で、検出精度を向上可能なソレノイド異常検出装置が提案されている（特許文献１参照）。該ソレノイド異常検出装置は、リニアソレノイドに印加される電圧をモニタする電圧モニタ回路と、該電圧モニタ回路でモニタされた電圧と、リニアソレノイドに給電する電源の電源電圧に基づいて設定される判定しきい値とを比較し、該比較結果に基づいてリニアソレノイドのショート異常を判定するように構成されている。

特開２００６－３４９５２７号公報

　ところで、上記特許文献１に記載のソレノイド異常検出装置では、上記電圧モニタ回路が、電流検出抵抗とリニアソレノイドとの接続点の信号電位を検出し、検出したモニタ信号をマイクロコンピュータ（マイコン）に与え、リニアソレノイドがショート異常を発生している場合には、以下の処理の流れに沿って、ショート異常が判定される。先ずマイコンからＰＷＭ信号が出力されることでリニアソレノイドに電流が流れると、電圧モニタ回路で所定点の信号（モニタ信号）電圧が検出されてマイコンに与えられる。そして、モニタ信号電圧＞判定しきい値Ｖｔｈである場合には、リニアソレノイドは正常であると判定する一方、モニタ信号電圧＜判定しきい値Ｖｔｈである場合には、リニアソレノイドはショート異常であると判定する。しかしながら、該ソレノイド異常検出装置では、ソレノイドに関するショート異常しか検出することができず、しかも、ショート異常として、ソレノイドバルブに係るバッテリショートが発生したのかグランドショートが発生したのかを判別することはできなかった。

　そこで、バッテリショート、グランドショートの発生を精度良く検出することが可能な駆動装置を提供することを目的とするものである。

　本開示に係る駆動装置は、バッテリの負極側に導通するグランドにコイルの一端部が接続され且つ駆動信号が該コイルの他端部に入力されることに応じて駆動制御されるソレノイドバルブに接続される駆動装置において、
　前記バッテリの正極側に接続されたハイサイドスイッチング素子を有する第１の電流路と、
　前記バッテリの負極側に導通するグランドに接続されたローサイドスイッチング素子を有する第２の電流路と、
　前記コイルの前記他端部に接続されて前記第１の電流路と前記第２の電流路との間に位置する第３の電流路と、
　前記ハイサイドスイッチング素子及びローサイドスイッチング素子に夫々制御信号を供給し、前記第１の電流路及び前記第３の電流路と前記第２の電流路及び前記第３の電流路とを交互に導通状態と遮断状態とに切換えて前記駆動信号を生成するように制御する駆動部と、
　前記第１の電流路及び前記第２の電流路に、前記駆動信号の通常供給時に流れる電流値を超える過電流が流れたことを検出する過電流検出部と、を備える。

　これにより、ソレノイドバルブを駆動する駆動装置において、電圧検出による切り分けを行うことなく、第１の電流路及び第２の電流路のいずれかに過電流が流れたかを検出することによってバッテリショート、グランドショートの発生を精度良く検出することが可能になる。

第１の実施の形態に係る駆動装置、及び該駆動装置が接続されるリニアソレノイドバルブを示す構成図。第１の実施の形態に係る駆動装置を部分的に示し且つバッテリショート時の状態を示す回路図。第１の実施の形態に係る駆動装置を部分的に示し且つグランドショート時の状態を示す回路図。第１の実施の形態に係る駆動装置を部分的に示し且つ断線時の状態を示す回路図。図３Ａに示す駆動装置による異常検出ロジックを示す表。第１の実施の形態に係るＰＷＭ制御で用いられるＰＷＭ信号を簡略的に示す図。第１の実施の形態に係る異常種別の判定処理を示すフローチャート。第２の実施の形態に係る駆動装置、及び該駆動装置が接続されるリニアソレノイドバルブを示す構成図。第３の実施の形態に係る駆動装置、及び該駆動装置が接続されるリニアソレノイドバルブを示す構成図。比較例に係る駆動装置の構成を部分的に示す回路図。

　＜第１の実施の形態＞
　以下、第１の実施の形態について図１乃至図５に沿って説明する。なお、第１の実施の形態に係る駆動装置９が駆動制御する誘導性負荷として、リニアソレノイドを用いている。これは、後述する第２の実施の形態においても同様である。

　まず、本実施の形態に係る駆動装置９及びその関連する構成部分について、図１に沿って説明する。なお、図１は、本実施の形態に係る駆動装置、及び該駆動装置が接続されるリニアソレノイドバルブを示す構成図である。

　車両に用いて好適な自動変速機（不図示）には、ＥＣＵ（Electronic　Control　Unit）から構成される駆動装置９が備えられている。図１において、駆動装置９には、コネクタＣｏ１，Ｃｏ２を介して、ソレノイドバルブであるリニアソレノイドバルブＳＬのソレノイド部１が接続されている。リニアソレノイドバルブＳＬは、バッテリＶＢの負極側に導通するグランドｇｒ２にコイル５の一端部５ａが接続され、且つ駆動信号が該コイル５の他端部５ｂに入力されることに応じて駆動制御される。なお、符号３５は、バッテリＶＢの正極側（＋Ｂ）を駆動装置９に接続するコネクタを示している。

　コネクタＣｏ１には、コイル５の他端部５ｂがハーネスＨａ及びコネクタＣｏ２を介して接続されているが、このコイル５を有するリニアソレノイドバルブＳＬは、以下の構成を備えている。すなわち、リニアソレノイドバルブＳＬは、例えば油圧制御装置に設けられた場合には、供給される油圧を、入力される駆動信号に応じた制御油圧として出力可能であり、ソレノイド部１及び調圧バルブ部（不図示）から構成される。

　ソレノイド部１では、ステータコア（不図示）の外径側にコイル５が嵌合され、該ステータコアの先端に対向してプランジャ６が配置され、該プランジャ６と一体に固定されているシャフト７が、ステータコア（不図示）に支持されている。該シャフト７は、ステータコアの中心孔を貫通して調圧バルブ部のスプール（不図示）に当接している。該ソレノイド部１は、駆動信号を供給されてコイル５に流れる電流に基づき、プランジャ６及びステータコアを通る磁気回路を形成し、プランジャ６及びステータコアの吸引部により、コイル５に流れる電流値に応じた磁気吸引力をプランジャ６に発生させ、該磁気吸引力によるプランジャ６の移動が、シャフト７を介してスプールに伝達され、調圧バルブ部（不図示）を操作する。これにより、出力ポート（不図示）からの出力圧がリニアに調圧される。シャフト７及びプランジャ６からなる可動子は、コイル５に対して矢印Ｘ方向に進退移動する。

　なお、コネクタＣｏ１は、駆動装置９であるＥＣＵの不図示の基板（マザーボード）に設けられており、該コネクタＣｏ１に接続されたハーネスＨａの先端に取り付けられたコネクタＣｏ２が、リニアソレノイドバルブＳＬにおけるソレノイド部１に備えた不図示のターミナルの端子に接続される。従って、後述する断線（ＯＰＥＮ）は、コネクタＣｏ１からハーネスＨａが外れたり、ハーネスＨａの先端に取り付けられたコネクタＣｏ２がソレノイド部１の上記端子から外れたり、ハーネスＨａが絡まったりしてハーネスＨａそのものが切断されたりすることで引き起こされる。また、後述するバッテリショートやグランドショートは、コネクタＣｏ１やコネクタＣｏ２の僅かな隙間に異物が入り込んだ状態で絶縁が損なわれてバッテリＶＢの正極側もしくはバルブボディに短絡するなどで引き起こされる。

　なお、リニアソレノイドバルブＳＬ等が設けられた油圧制御装置（不図示）を備えたバルブボディ（不図示）は、車両フレーム等を介してバッテリＶＢの負極側に接続されているため、バルブボディ及び車両フレーム等を介して負極側に接続される上記グランドｇｒ２は、僅かながら抵抗値を有していて電位は０［Ｖ］ではない。また、ＥＣＵの不図示の基板の端子には不図示の配線を介してバッテリＶＢの負極側に接続されているため、後述するグランドｇｒ１は、抵抗値が限りなく低くて電位は０［Ｖ］とみなされる。

　一方、上記駆動装置９（ＥＣＵ）は、不図示の車両の運転席近傍に設置されたシフト操作レバー（不図示）等に接続されており、ＣＰＵ，ＲＡＭ，ＲＯＭを有する１つの制御部１６と、該制御部１６に接続された複数の制御駆動部９ａとを有している。すなわち、該駆動装置９は、リニアソレノイドバルブＳＬに対応する図１の制御駆動部９ａに加え、他のリニアソレノイドバルブＳＬがある場合にはそれら夫々に対応する個数の制御駆動部９ａを有する。制御部１６は、それら複数の制御駆動部９ａを介してリニアソレノイドバルブＳＬをそれぞれに駆動制御することが可能である。

　図１に示すように、リニアソレノイドバルブＳＬの、駆動信号の供給方向の上流側に接続された駆動装置９は、制御駆動部９ａ内に、バッテリＶＢの正極側（＋Ｂ）と負極側に導通するグランドｇｒ１との間に直列に設けられた第１の電流路４８及び第２の電流路４９を有している。該駆動装置９は、上記シフト操作レバー（不図示）の操作に応じて、Ｐ（パーキング）レンジ、Ｒ（リバース）レンジ、Ｎ（ニュートラル）レンジ、Ｄ（ドライブ）レンジに切換え可能に構成されている。なお、上記シフト操作レバーは、その移動方向の順に、Ｐレンジ、Ｒレンジ、Ｎレンジ、Ｄレンジを選択操作可能に構成されている。

　駆動装置９における制御部１６には、シフトポジションセンサ（不図示）からのシフト位置信号が入力される。該シフトポジションセンサは、シフト操作レバー（不図示）のＰレンジ、Ｒレンジ、Ｎレンジ、Ｄレンジへの操作に連動して、その操作位置を検出してシフト位置信号を出力するように構成される。また、制御部１６には、出力軸７５（図１参照）の回転に基づいて出力軸回転速度（車速）センサ（不図示）で検出される出力軸回転速度信号が入力される。

　上記第１の電流路４８には、バッテリＶＢの正極側（＋Ｂ）に接続されたハイサイドスイッチング素子としてのＭＯＳＦＥＴ（Metal　oxide　semiconductor　field　effect　transistor）１７が設けられている（以下、ハイサイドＭＯＳＦＥＴ１７という）。また、第２の電流路４９には、バッテリの負極側に導通するグランドｇｒ１に接続されたローサイドスイッチング素子としてのローサイドＭＯＳＦＥＴ１９が設けられている。ハイサイドＭＯＳＦＥＴ１７及びローサイドＭＯＳＦＥＴ１９は、互いに同じ導電型であるＮチャネル型ＭＯＳＦＥＴから構成されている。これらＭＯＳＦＥＴは、パワーＭＯＳＦＥＴから構成されており、後述する第１の判定用ＭＯＳＦＥＴ１８及び第２の判定用ＭＯＳＦＥＴ２０も同様である。なお、本実施の形態では、ＭＯＳＦＥＴを用いた回路構成について説明するが、これに限らず、ＭＩＳＦＥＴ（Metal　insulator　semiconductor　field　effect　transistor）やバイポーラトランジスタ等を用いた回路構成とすることも可能である。その場合にも、同様の効果を得ることが可能である。

　ハイサイドＭＯＳＦＥＴ１７は、ＰＷＭ駆動回路３１にゲート（信号入力電極）Ｇが接続され、電流路の一端であるドレインＤがバッテリの正極側（＋Ｂ）に接続され、電流路の他端であるソースＳが接続ノード（接続部）２７に接続されている。また、ローサイドＭＯＳＦＥＴ１９は、ゲート（信号入力電極）ＧがＰＷＭ駆動回路３２に接続され、電流路の一端であるソースＳがグランドｇｒ１に接続され、電流路の他端であるドレインＤが接続ノード２７に接続されている。

　本実施の形態において、主に、ハイサイドＭＯＳＦＥＴ１７は、リニアソレノイドバルブＳＬに駆動信号を供給するために電流を制御するように機能し、ローサイドＭＯＳＦＥＴ１９は、ハイサイドＭＯＳＦＥＴ１７がオフのとき、リニアソレノイドバルブＳＬに蓄えられたエネルギーを放出させるように機能する。すなわち、本駆動装置９では、同期整流方式を採用しており、ハイサイドＭＯＳＦＥＴ１７は、入力をＯＮ、ＯＦＦしてリニアソレノイドバルブＳＬに供給するエネルギー量を制御し、ローサイドＭＯＳＦＥＴ１９は、そのＯＮ、ＯＦＦによりリニアソレノイドバルブＳＬのエネルギーを、ハイサイドＭＯＳＦＥＴ１７からの入力方向とは逆の方向に出力させる。

　また、駆動装置９は、制御駆動部９ａ内に、第１の電流路４８と第２の電流路４９との間の接続ノード２７に接続された第３の電流路５０を有している。該第３の電流路５０は、不図示の基板に設けられてコネクタＣｏと、接続ノード２７と該コネクタＣｏとの間に一方の端子２６ａと他方の端子２６ｂとを夫々接続された抵抗器（シャント抵抗）２５とを有している。

　また、駆動装置９は、ハイサイドＭＯＳＦＥＴ１７及びローサイドＭＯＳＦＥＴ１９と同じ導電型であるＮチャネル型の第１の判定用ＭＯＳＦＥＴ１８及び第２の判定用ＭＯＳＦＥＴ２０を有している。第１の判定用ＭＯＳＦＥＴ１８は、ゲート（信号入力電極）Ｇが、ＰＷＭ駆動回路３１に接続され、電流路の一端であるドレインＤが、第１の電流路４８におけるハイサイドＭＯＳＦＥＴ１７とバッテリの正極（＋Ｂ）との間に接続されている。なお、上記ＰＷＭ駆動回路３１，３２により駆動部が構成される。

　また、第１の判定用ＭＯＳＦＥＴ１８における電流路の他端であるソースＳは、後述の過電流検出回路４０に接続されている。なお、図１における符号５１は、ＰＷＭ駆動回路３１の出力に第１の判定用ＭＯＳＦＥＴ１８及びハイサイドＭＯＳＦＥＴ１７の各ゲートＧを接続する接続ノードを示し、符号３０は、ＰＷＭ駆動回路３１，３２のＰＷＭ駆動回路３２の出力に第２の判定用ＭＯＳＦＥＴ２０及びローサイドＭＯＳＦＥＴ１９の各ゲートＧを接続する接続ノードを示す。

　また、第２の判定用ＭＯＳＦＥＴ２０は、ゲート（信号入力電極）ＧがＰＷＭ駆動回路３２に接続され、電流路の一端であるソースＳが、第２の電流路４９におけるローサイドＭＯＳＦＥＴ１９の電流路の一端であるソースＳとグランドｇｒ１との間の接続ノード２９（接続部）２９に接続されている。第２の判定用ＭＯＳＦＥＴ２０における電流路の他端であるドレインＤは、過電流検出回路４０に接続されている。また、上記接続ノード２７は、配線５３を介して過電流検出回路４０に接続されている。

　なお、駆動装置９に備えられたハイサイドＭＯＳＦＥＴ（ハイサイドトランジスタ）１７、ローサイドＭＯＳＦＥＴ（ローサイドトランジスタ）１９、第１の判定用ＭＯＳＦＥＴ（第１の判定用トランジスタ）１８及び第２の判定用ＭＯＳＦＥＴ（第２の判定用トランジスタ）２０は、いずれもエンハンスメント型のＮチャネル型ＭＯＳＦＥＴから構成されている。この場合、エンハンスメント型は、ゲート電圧が０［Ｖ］では電流が流れないため、駆動制御の実施が簡易になるなどの利点がある。

　また、ハイサイドＭＯＳＦＥＴ１７、ローサイドＭＯＳＦＥＴ１９、第１の判定用ＭＯＳＦＥＴ１８及び第２の判定用ＭＯＳＦＥＴ２０を、エンハンスメント型のＰチャネル型ＭＯＳＦＥＴから構成することも可能である。更に、ハイサイドＭＯＳＦＥＴ１７、ローサイドＭＯＳＦＥＴ１９、第１の判定用ＭＯＳＦＥＴ１８及び第２の判定用ＭＯＳＦＥＴ２０を、エンハンスメント型のＮチャネル型もしくはＰチャネル型のＭＩＳＦＥＴから構成することも可能である。これらの場合も、上記Ｎチャネル型ＭＯＳＦＥＴの場合と同様の効果を得ることができる。

　そして、駆動装置９は、制御部１６に接続された、駆動部としてのＰＷＭ駆動回路３１，３２と、電流検出部としての電流検出回路３４と、過電流検出部としての過電流検出回路４０とを有している。

　ＰＷＭ駆動回路３１はハイサイドＭＯＳＦＥＴ１７に、制御信号としてのＰＷＭ信号（図４参照）を供給し、ＰＷＭ駆動回路３２はローサイドＭＯＳＦＥＴ１９に、制御信号としてのＰＷＭ信号（図４参照）を供給する。ＰＷＭ駆動回路３１，３２は、第１の電流路４８及び第３の電流路５０と、第２の電流路４９及び第３の電流路５０とを交互に導通状態と遮断状態とに切換えて、リニアソレノイドバルブＳＬへの駆動信号を生成するようにＰＷＭ制御する。なお、本実施の形態では、制御信号としてＰＷＭ信号を供給するようにＰＷＭ制御しているが、これに限らず、ＰＷＭ駆動されず単にＯＮ／ＯＦＦ制御される所謂オン・オフソレノイドに対する制御信号を供給するように制御することも可能である。

　またＰＷＭ駆動回路３１には、ハイサイドＭＯＳＦＥＴ１７のゲートＧと共に第１の判定用ＭＯＳＦＥＴ１８のゲートＧが接続されているため、ＰＷＭ駆動回路３１がハイサイドＭＯＳＦＥＴ１７のゲートＧにＰＷＭ信号の例えばHigh（＋）を印加した後にLow（－）を印加したときは、第１の判定用ＭＯＳＦＥＴ１８のゲートＧにもＰＷＭ信号のHigh（＋）が印加された後にLow（－）が印加され、該ＭＯＳＦＥＴ１８がハイサイドＭＯＳＦＥＴ１７と同じタイミング（同じ位相）で作動する。更にＰＷＭ駆動回路３２には、ローサイドＭＯＳＦＥＴ１９のゲートＧと共に第２の判定用ＭＯＳＦＥＴ２０のゲートＧが接続されているため、ＰＷＭ駆動回路３２がローサイドＭＯＳＦＥＴ１９のゲートＧにＰＷＭ信号の例えばHigh（＋）を印加した後にLow（－）を印加したときは、ローサイドＭＯＳＦＥＴ１９のゲートＧにもＰＷＭ信号のHigh（＋）が印加された後にLow（－）が印加され、該ＭＯＳＦＥＴ２０がローサイドＭＯＳＦＥＴ１９と同じタイミング（同じ位相）で作動する。

　過電流検出回路４０は、第１の電流路４８及び第２の電流路４９のいずれかに、リニアソレノイドバルブＳＬへの駆動信号の通常供給時に流れる電流値を超える過電流が流れたことを検出する。過電流検出回路４０は、該通常供給時に流れる電流値を、過電流検出用の所定範囲電流値［ｍＡ］として格納し、第１の判定用ＭＯＳＦＥＴ１８、第２の判定用ＭＯＳＦＥＴ２０を介して流入する電流の値を常に所定電流値［ｍＡ］と比較する。そして、過電流検出回路４０により、所定電流値［ｍＡ］を超えた電流値（過電流）が検出された場合、これを受信した制御部１６が、以下のショート判定処理（判定処理）を実行する。

　つまり、制御部１６は、第１の電流路４８に過電流が流れたことが第１の判定用ＭＯＳＦＥＴ１８を介して過電流検出回路４０で検出された場合には、リニアソレノイドバルブＳＬの正常な動作範囲の電圧より下がっているグランドショートの発生と判定する。一方、制御部１６は、第２の電流路４９に過電流が流れたことが第２の判定用ＭＯＳＦＥＴ２０を介して過電流検出回路４０で検出された場合には、リニアソレノイドバルブＳＬの正常な動作範囲の電圧より上がっているバッテリショートの発生と判定する。

　ここで、第１の電流路４８に過電流が流れた場合には、ＭＯＳＦＥＴ１７と同じ位相で作動する第１の判定用ＭＯＳＦＥＴ１８を介して過電流検出回路４０に該過電流が流れ込むため、過電流検出回路４０によって過電流が適正に検出される。また、第２の電流路４９に過電流が流れた場合、該過電流は、ローサイドＭＯＳＦＥＴ１９を介してグランドｇｒ１に流れ込むと共に、第２の判定用ＭＯＳＦＥＴ２０がローサイドＭＯＳＦＥＴ１９と同じ位相で作動することで、接続ノード２７及び配線５３を介して過電流検出回路４０に流れる過電流が第２の判定用ＭＯＳＦＥＴ２０を介して接続ノード２９からグランドｇｒ１に流れ込む。これにより、第２の電流路４９に流れる過電流は、過電流検出回路４０によって適正に検出される。

　電流検出回路３４は、オペアンプ（Operational　Amplifier）から構成され、第３の電流路５０を経由してコイル５に流れる電流を検出するもので、ハイサイドＭＯＳＦＥＴ１７及びローサイドＭＯＳＦＥＴ１９からコイル５にＰＷＭ信号が供給される際に抵抗器２５の両端に発生した電圧（電圧降下）を差動増幅しつつ電流値を検出し、差動増幅した信号をローパスフィルタ（ＬＰＦ）４７を介して制御部１６に出力する。ここで、第３の電流路５０におけるコネクタＣｏと接続ノード２７との間に接続された抵抗器２５は、一方の端子２６ａが、オペアンプから構成される電流検出回路３４の反転入力端子（－）３４ａに接続され、他方の端子２６ｂが、電流検出回路３４の非反転入力端子（＋）に接続されている。

　リニアソレノイドバルブＳＬでは、抵抗器２５、コネクタＣｏ及びハーネスＨａを介して供給される駆動信号が他端部５ｂからコイル５に供給されると、該コイル５が駆動信号の電流値に応じて励磁し、シャフト７及びプランジャ６から構成される可動子が引き付けられて吸引方向（例えば図１左方）に移動させられる。これにより、不図示のスプールが可動子とともに調圧位置に移動し、出力ポート（不図示）からの出力圧を調圧する。この際、抵抗器２５に接続ノード２７から駆動信号が流れると、電流が流れた方向に電圧降下を生じる。電流検出回路３４は、該抵抗器２５の両端電圧を、差動増幅して、ＧＮＤ基準の電圧にして電流値を検出する。制御部１６は、この電流値を判定する。つまり、制御部１６は、第３の電流路５０に流れる電流が電流検出回路３４で検出されなくなった場合には、リニアソレノイドバルブＳＬがコネクタＣｏ等から外れている断線状態（電気的に外れている断線状態）と判定し、断線フラグをＯＮする断線判定処理（図５のステップＳ７を参照）を実行することができる。

　ついで、本実施の形態における作用について、図２Ａ、図２Ｂ、図３Ａ、図３Ｂ、図４、及び図５を参照して説明する。なお、図２Ａは、本実施の形態に係る駆動装置のバッテリショート時の状態を示す回路図、図２Ｂは、グランドショート時の状態を示す回路図である。図３Ａは、本実施の形態に係る駆動装置を部分的に示し且つ断線時の状態を示す回路図、図３Ｂは、図３Ａに示す駆動装置による異常検出ロジックを示す表である。また、図４は、本実施の形態に係るＰＷＭ制御で用いられるＰＷＭ信号を簡略的に示す図であり、図５は、本実施の形態に係る異常種別の判定処理を示すフローチャートである。

　本実施の形態では、制御部１６によるＰＷＭ駆動回路３１，３２の駆動時、一定周期のパルス信号（ＰＷＭ信号）のハイ（High“１”）とロー（Low“０”）の割合を可変にしてパルスのデューティ比（オン時間の比率）を変え、通過する時間の平均出力を可変制御しつつフィードバック制御を行うことで、リニアソレノイドバルブＳＬのソレノイド部１をリニアに進退駆動させる。

　そのため、ＰＷＭ駆動回路３１，３２は、図４に示すような、一定の周期ｔにてＰＷＭパルス幅Ｔ（つまり、ハイのパルス幅）のＰＷＭ信号を接続ノード５１，３０を介してハイサイドＭＯＳＦＥＴ１７とローサイドＭＯＳＦＥＴ１９の各ゲートＧに与える。すると、ＰＷＭ信号がそれぞれゲートＧに印加されることで、ハイサイドＭＯＳＦＥＴ１７は、ＰＷＭ信号のパルスがHigh（＋）のときにオンし、Low（－）のときにオフするように作動する。一方、ローサイドＭＯＳＦＥＴ１９は、ハイサイドＭＯＳＦＥＴ１７側のＰＷＭ信号とは位相がずれたＰＷＭ信号により、そのパルスがHigh（＋）のときにオンし、Low（－）のときにオフするように作動する。これにより、ＰＷＭ信号に対応した駆動信号が、ハイサイドＭＯＳＦＥＴ１７のドレイン・ソース間の電流路を通り、またローサイドＭＯＳＦＥＴ１９のソース・ドレイン間の電流路を通り、第３の電流路５０とハーネスＨａを介してソレノイド部１の他端部５ｂに供給され、リニアソレノイドバルブＳＬを駆動させる。

　上記リニアソレノイドバルブＳＬの駆動時に、例えば、上段のハイサイドＭＯＳＦＥＴ１７でも下段のローサイドＭＯＳＦＥＴ１９でも過電流が検出されない場合（×）には、図３Ｂに示す故障検出ロジックの表において、過電流検出回路４０による電流検出値（ｉｆｂ）は「異常無し」であり、制御部１６は、正常動作時と判定する。

　また、図２Ａに示すように、ハーネスＨａがバルブボディと噛み込むなどで、バッテリＶＢの正極（＋Ｂ）と短絡するバッテリショートが生じると（矢印Ｆａの部分）、同図における矢印Ｊの方向に過電流が流れた場合には、該過電流は下段のローサイドＭＯＳＦＥＴ１９に流れる。その場合、故障検出ロジックの表において、上段のハイサイドＭＯＳＦＥＴ１７では過電流が検出されず（×）、下段のローサイドＭＯＳＦＥＴ１９での過電流が第２の判定用ＭＯＳＦＥＴ２０を介して検出されることで（○）、過電流検出回路４０による電流検出値（ｉｆｂ）は「逆電流検出」であり、制御部１６は、リニアソレノイドバルブＳＬの正常な動作範囲の電圧より上がっているバッテリショートの発生と判定する。一方、同図における矢印Ｋの方向に過電流が流れてグランドｇｒ２に流入した場合には、過電流検出回路４０による電流検出値は、ｉｆｂ≒０となるが、制御部１６は、バッテリショートの発生と判定する。

　また、図２Ｂに示すように、バッテリＶＢの負極（グランドｇｒ２）と短絡するグランドショートが生じると（矢印Ｆａの部分）、同図における矢印Ｌの方向に過電流が流れることで、上段のハイサイドＭＯＳＦＥＴ１７に過電流が流れる。その場合、故障検出ロジックの表において、上段のハイサイドＭＯＳＦＥＴ１７で過電流が検出され（○）、下段のローサイドＭＯＳＦＥＴ１９では過電流が検出されないことで（×）、過電流検出回路４０による電流検出値はｉｆｂ≒０であり、制御部１６は、リニアソレノイドバルブＳＬの正常な動作範囲の電圧より下がっているグランドショートの発生と判定する。

　また、図２Ａに示すように、コネクタＣｏ（図１参照）からハーネスＨａが外れるなどで、断線が生じると（矢印Ｆａの部分）、故障検出ロジックの表において、上段のハイサイドＭＯＳＦＥＴ１７にも下段のローサイドＭＯＳＦＥＴ１９にも過電流は流れず（×）、過電流検出回路４０による電流検出値はｉｆｂ≒０であり、制御部１６は、端子開放（断線）の発生と判定する。

　以上の作用を、図５のフローチャートに沿って説明する。なお、図５は、本実施の形態に係る異常種別の判定処理を示すフローチャートである。

　すなわち、図５に示すように、制御部１６は、ハイサイドＭＯＳＦＥＴ１７に過電流は流れたか否かを、過電流検出回路４０を介して判定している（ステップＳ１）。その結果、制御部１６は、ハイサイドＭＯＳＦＥＴ１７に過電流が流れたと判定した場合には（ステップＳ１：ＹＥＳ）、ステップＳ５に進んで、グランドショートフラグをＯＮし、ステップＳ８でフェールモードを開始する。制御部１６は、フェールモードの開始に先立ち、グランドショートに対応するリニアソレノイドバルブＳＬ用のＰＷＭ駆動回路３１，３２の駆動を停止してＰＷＭ信号の供給を停止し、リニアソレノイドバルブＳＬへの駆動信号の供給を強制的に遮断する。

　一方、制御部１６は、ステップＳ１においてハイサイドＭＯＳＦＥＴ１７に過電流は流れないと判定した場合（ステップＳ１：ＮＯ）、ステップＳ２に進んで、ローサイドＭＯＳＦＥＴ１９に過電流は流れたか否かを、過電流検出回路４０を介して判定する。その結果、制御部１６は、ローサイドＭＯＳＦＥＴ１９に過電流が流れたと判定した場合には（ステップＳ２：ＹＥＳ）、ステップＳ６に進んで、バッテリショートフラグをＯＮし、ステップＳ８にて上記フェールモードを開始する。

　更に、制御部１６は、ステップＳ２においてローサイドＭＯＳＦＥＴ１９に過電流は流れないと判定した場合（ステップＳ２：ＮＯ）、ステップＳ３に進んで、電流検出回路３４を介して、リニアソレノイドバルブＳＬの断線状態と判定する。つまり、制御部１６は、電流検出回路３４で検出される電流値が０［ｍＡ］である場合（ステップＳ３：ＹＥＳ）には、ステップＳ７にて、リニアソレノイドバルブＳＬに係る断線状態と判定して断線フラグをＯＮし（断線判定処理）、ステップＳ８にて上記フェールモードを開始する。

　（比較例）
　ここで、本実施の形態における第１の判定用ＭＯＳＦＥＴ１８、第２の判定用ＭＯＳＦＥＴ２０及び過電流検出回路４０を有さない、本実施の形態の基礎的な駆動装置の構成を比較例として、図８に沿って説明する。図８は、本比較例に係る駆動装置の構成を部分的に示す回路図である。なお、本比較例では、第１の実施の形態と同一の部材には同一符号を付すと共に、構成、機能が同じものについてはその説明を省略する。

　すなわち、本比較例に係る駆動装置は、図８に示すように、リニアソレノイドバルブＳＬ（図１参照）のコイル５の、駆動信号の供給方向の上流側に接続されており、バッテリＶＢの正極側（＋Ｂ）と負極側に導通するグランドｇｒ１との間に、直列に設けられたハイサイドＭＯＳＦＥＴ１７及びローサイドＭＯＳＦＥＴ１９を有している。そして、該駆動装置は、抵抗器２５の他方の端子２６ｂと接続ノード８９との間に検出端７６が接続された電圧検出回路４３を有しており、リニアソレノイドバルブＳＬに係る過電流などの異常の検出を、出力端子電圧を抵抗器４５，４６で分圧したものを電圧検出回路４３で検出することにより、バッテリショート（ＶＢショート）、グランドショート（ＧＮＤショート）、断線（ＯＰＥＮ）に関する異常モードを切り分け判定するように構成されている。上記抵抗器４５は、ハイサイドＭＯＳＦＥＴ１７のドレインＤとバッテリＶＢの正極（＋Ｂ）との間の接続ノード８８に一端側が接続され、他端側が接続ノード８９に接続されており、上記抵抗器４６は、一端側が接続ノード８９に接続され、他端側がグランドｇｒ１に接続されている。

　以上の構成を備えた本比較例に係る駆動装置は、出力端子電圧を抵抗器４５，４６で分圧した電圧の切り分けのみの検出で異常判定を実施しているため、ショート電圧によっては検出できない場合があり、また、断線時の電圧レベルでバッテリショートが発生した場合には検出することができない場合がある。また、過電流が流れたショート異常時には、設定値以上の電流が流れた場合に異常と判断して出力を遮断するなどの必要があるが、過電流を精度良く検出できなければ、過電流に対する対策が不十分になる虞がある。

　以上説明した比較例に対し、本実施の形態では、第１の判定用ＭＯＳＦＥＴ１８、第２の判定用ＭＯＳＦＥＴ２０及び過電流検出回路４０を有するので、電圧検出による切り分けを行うことなく、制御部１６が、第１の電流路４８と第２の電流路４９のいずれで過電流が検出されたかに応じてグランドショート、バッテリショートのいずれが発生したかを正確に判定するショート判定処理（判定処理）を実行することができる。また、本実施の形態では、第３の電流路５０に流れる電流が電流検出回路３４で検出されなくなった場合、制御部１６が、リニアソレノイドバルブＳＬに係る断線状態と判定する断線判定処理を実行することができる。これらにより、本実施の形態の駆動装置９によると、発生した異常を精度良く判定することができる。

　＜第２の実施の形態＞
　次に、第２の実施の形態に係る駆動装置について、図６に沿って説明する。図６は、本実施の形態に係る駆動装置、及び該駆動装置が接続されるリニアソレノイドバルブを示す構成図である。なお、本実施の形態では、第１の実施形態と同一の部材には同一符号を付すと共に、構成、機能が同じものについてはその説明を省略する。

　すなわち、本実施の形態における駆動装置９は、図１を参照して説明した第１の実施の形態に係る駆動装置９の構成に加え、電圧検出部としての電圧検出回路３３、抵抗器４５と抵抗器４６を備えている。

　本実施の形態に係る駆動装置９は、抵抗器２５の他方の端子２６ｂと接続ノード７７との間に検出端７６が接続された電圧検出回路３３を有しており、リニアソレノイドバルブＳＬに係る過電流などの検出を、出力端子電圧を抵抗器４５，４６で分圧したものを電圧検出回路３３で検出する。上記抵抗器４５は、ハイサイドＭＯＳＦＥＴ１７のドレインＤとバッテリＶＢの正極（＋Ｂ）との間の接続ノード２８に一端側が接続され、他端側が接続ノード７７に接続されており、上記抵抗器４６は、一端側が接続ノード７７に接続され、他端側がグランドｇｒ１に接続されている。

　本実施の形態に係る電圧検出回路（電圧検出部）３３は、第３の電流路５０を経由してコイル５に供給される電圧を検出する。そして、本実施の形態に係る制御部１６は、過電流検出回路（過電流検出部）４０による過電流の検出に基づいてグランドショートまたはバッテリショートの発生と判定した場合、ＰＷＭ制御を停止させる。

　電圧検出回路３３は、駆動信号の通常供給時に流れる電圧値を、異常電圧検出用の所定電圧値［ｍＶ］として格納し、検出端７６の電圧値を常に所定電圧値［ｍＶ］と比較する。そして、電圧検出回路３３により、所定電圧値［ｍＶ］を超えた電圧値が検出された場合、これを受信した制御部１６は、電圧判定は異常となっており明らかにグランドショートかバッテリショートが発生していることを認識する。

　以上の本実施の形態によっても、第１の実施の形態と同様の効果を得ることが可能である。

　＜第３の実施の形態＞
　次に、第３の実施の形態に係る駆動装置について、図７に沿って説明する。図７は、本実施の形態に係る駆動装置、及び該駆動装置が接続されるリニアソレノイドバルブを示す構成図である。なお、本実施の形態では、第１の実施形態と同一の部材には同一符号を付すと共に、構成、機能が同じものについてはその説明を省略する。

　すなわち、本実施の形態における駆動装置９は、図１を参照して説明した第１の実施の形態に係る駆動装置９の構成に対し、バッテリＶＢの正極（＋Ｂ）側にコイル５の一端部５ａが接続され、且つ駆動装置９が該コイル５の他端部５ｂに接続されることで、リニアソレノイドバルブＳＬが駆動制御される。言い換えると、リニアソレノイドバルブＳＬの駆動信号の供給方向の下流側に駆動装置９が接続されている。

　即ち、ハイサイドＭＯＳＦＥＴ１７は、ＰＷＭ信号のパルスがHigh（＋）のときにオンし、Low（－）のときにオフするように作動し、ローサイドＭＯＳＦＥＴ１９は、ハイサイドＭＯＳＦＥＴ１７側のＰＷＭ信号とは位相がずれたＰＷＭ信号により、そのパルスがHigh（＋）のときにオンし、Low（－）のときにオフするように作動する。これにより、バッテリＶＢの正極（＋Ｂ）からコイル５の一端部５ａに印加されている電流が、ソレノイド部１の他端部５ｂからハーネスＨａを介して第３の電流路５０に印加されている状態となり、その電流がＰＷＭ信号に対応した駆動信号として、ハイサイドＭＯＳＦＥＴ１７のドレイン・ソース間の電流路を通り、またローサイドＭＯＳＦＥＴ１９のソース・ドレイン間の電流路を通り、リニアソレノイドバルブＳＬを駆動させる。

　そして、ハーネスＨａがバルブボディと噛み込むなどで、バッテリＶＢの正極（＋Ｂ）と短絡するバッテリショートが生じると、過電流は下段のローサイドＭＯＳＦＥＴ１９に流れ、バッテリＶＢの負極（グランド）と短絡するグランドショートが生じると、過電流は上段のハイサイドＭＯＳＦＥＴ１７に流れ、それらを過電流検出回路４０により検出することで、バッテリショート或いはグランドショートの発生と判定することができる。

　従って、以上の本実施の形態によっても、第１の実施の形態と同様の効果を得ることが可能である。

　［実施の形態のまとめ］
　以上説明したように、第１ないし第３の実施の形態に係る駆動装置（９）は、バッテリ（ＶＢ）の負極側に導通するグランド（ｇｒ２）にコイル（５）の一端部（５ａ）が接続され且つ駆動信号が該コイルの他端部（５ｂ）に入力されることに応じて駆動制御されるソレノイドバルブ（ＳＬ）に接続される駆動装置（９）において、
　前記バッテリの正極側（＋Ｂ）に接続されたハイサイドスイッチング素子（１７）を有する第１の電流路（４８）と、
　前記バッテリの負極側に導通するグランド（ｇｒ１）に接続されたローサイドスイッチング素子（１９）を有する第２の電流路（４９）と、
　前記コイル（５）の前記他端部（５ｂ）に接続されて前記第１の電流路（４８）と前記第２の電流路（４９）との間に位置する第３の電流路（５０）と、
　前記ハイサイドスイッチング素子（１７）及びローサイドスイッチング素子（１９）に夫々制御信号を供給し、前記第１の電流路（４８）及び前記第３の電流路（５０）と前記第２の電流路（４９）及び前記第３の電流路（５０）とを交互に導通状態と遮断状態とに切換えて前記駆動信号を生成するように制御する駆動部（３１，３２）と、
　前記第１の電流路（４８）及び前記第２の電流路（４９）に、前記駆動信号の通常供給時に流れる電流値を超える過電流が流れたことを検出する過電流検出部（４０）と、を備える。

　これにより、ソレノイドバルブを駆動する駆動装置において、比較例の場合のような電圧検出による切り分けを行うことなく、第１の電流路及び第２の電流路のいずれかに過電流が流れたかを検出することによってバッテリショート、グランドショートの発生を精度良く検出することが可能になる。

　また、第１ないし第３の実施の形態に係る駆動装置（９）は、前記第１の電流路（４８）に過電流が流れたことが前記過電流検出部（４０）で検出された場合は前記ソレノイドバルブ（ＳＬ）の正常な動作範囲の電圧より下がっているグランドショートの発生と判定し、前記第２の電流路（４９）に過電流が流れたことが前記過電流検出部（４０）で検出された場合は前記ソレノイドバルブ（ＳＬ）の正常な動作範囲の電圧より上がっているバッテリショートの発生と判定する判定処理（Ｓ５，Ｓ６）を実行する制御部（１６）と、を備える。

　これにより、過電流検出回路４０によって第１の電流路及び第２の電流路の電流を監視することで、バッテリショート、グランドショートを精度良く検出することができる。

　また、第１ないし第３の実施の形態に係る駆動装置（９）は、前記第３の電流路（５０）を経由して前記コイル（５）に流れる電流を検出する電流検出部（３４）を備え、
　前記制御部（１６）は、
　前記第３の電流路（５０）に流れる電流が前記電流検出部（３４）で検出されなくなった場合には、前記ソレノイドバルブ（ＳＬ）が電気的に外れている断線状態と判定する断線判定処理（Ｓ７）を実行する。

　これにより、制御部１６は、第３の電流路５０に流れる電流が電流検出回路３４で検出されなくなった場合に、リニアソレノイドバルブＳＬに係る断線状態と判定し、断線フラグをＯＮする断線判定処理を実行することができる。

　さらに、第１ないし第３の実施の形態に係る駆動装置（９）は、前記ハイサイドスイッチング素子及び前記ローサイドスイッチング素子が、互いに同じ導電型のハイサイドトランジスタ（１７）及びローサイドトランジスタ（１９）から構成され、
　前記ハイサイドトランジスタ（１７）及びローサイドトランジスタ（１９）と同じ導電型の第１の判定用トランジスタ（１８）及び第２の判定用トランジスタ（２０）を備え、
　前記ハイサイドトランジスタ（１７）は、信号入力電極（Ｇ）が前記駆動部（３１，３２）に接続され、且つ電流路の一端（Ｄ）が前記バッテリの正極側に接続され、
　前記ローサイドトランジスタ（１９）は、信号入力電極（Ｇ）が前記駆動部（３１，３２）に接続され、且つ電流路の一端（Ｓ）が前記グランド（ｇｒ１）に接続され、
　前記第１の判定用トランジスタ（１８）は、信号入力電極（Ｇ）が前記駆動部（３１，３２）に接続され、且つ電流路の一端（Ｄ）が前記第１の電流路（４８）における前記ハイサイドトランジスタ（１７）と前記バッテリ（ＶＢ）の正極（＋Ｂ）との間に接続され、
　前記第２の判定用トランジスタ（２０）は、信号入力電極（Ｇ）が前記駆動部（３１，３２）に接続され、且つ電流路の一端（Ｓ）が前記第２の電流路（４９）における前記ローサイドトランジスタ（１９）の前記電流路の一端（Ｓ）と前記グランド（ｇｒ１）との間に接続され、
　前記第１の判定用トランジスタ（１８）及び前記第２の判定用トランジスタ（２０）の各電流路の他端（Ｓ，Ｄ）は、前記過電流検出部（４０）に接続されている。

　これにより、第１の電流路のハイサイドＭＯＳＦＥＴと第２の電流路のローサイドＭＯＳＦＥＴとを介してソレノイドバルブを適正に駆動制御することができ、またグランドショート時やバッテリショート時に流れる過電流を、第１の判定用ＭＯＳＦＥＴ及び第２の判定用ＭＯＳＦＥＴを接続した過電流検出回路によって精度良く検出することができる。

　そして、第１ないし第３の実施の形態に係る駆動装置（９）は、前記ハイサイドトランジスタ、前記ローサイドトランジスタ、前記第１の判定用トランジスタ及び前記第２の判定用トランジスタが、エンハンスメント型のＮチャネル型もしくはＰチャネル型ＭＯＳＦＥＴ、又はエンハンスメント型のＮチャネル型もしくはＰチャネル型ＭＩＳＦＥＴから構成される。

　これにより、ゲート電圧が０［Ｖ］では電流が流れないエンハンスメント型のＭＯＳＦＥＴ又はＭＩＳＦＥＴを使用することで、ＰＷＭ駆動回路によるＰＷＭ制御や過電流検出回路による過電流検出の実施をより簡単に行うことが可能になる。

　＜他の実施の形態の可能性＞
　なお、以上説明した実施の形態においては、駆動装置９を、スイッチング素子としてＮチャネル型のＭＯＳＦＥＴを用いるものを一例として説明したが、これに限らず、例えばＰチャネル型のＭＯＳＦＥＴを用いたもの、或いは、Ｎチャネル型もしくはＰチャネル型のＭＩＳＦＥＴを用いたものであってもよい。また、スイッチング素子としては、これらに代えてバイポーラトランジスタを用いることも可能であり、更には、機械的にスイッチング動作する他のスイッチング素子を用いることも可能である。

　また、以上説明した実施の形態においては、リニアソレノイドバルブを使用する、車両用の伝動装置としての駆動装置９を説明したが、例えばトルクコンバータの代わりにモータ・ジェネレータを搭載した、リニアソレノイドバルブを使用するハイブリッド車両用の伝動装置としての駆動装置であってもよく、更には、電動モータで車両を駆動させる電気自動車（Electric　Vehicle）用の伝動装置としての駆動装置であってもよい。

　本駆動装置は、車両用伝動装置等に備えられるソレノイドバルブを駆動するものに用いることが可能であり、特にバッテリショート、グランドショートの発生の検出精度が求められるものに用いて好適である。

５…コイル
５ａ…コイルの一端部
５ｂ…コイルの他端部
９…駆動装置
１６…制御部
１７…ハイサイドスイッチング素子，ハイサイドトランジスタ（ハイサイドＭＯＳＦＥＴ）
１８…第１の判定用トランジスタ（第１の判定用ＭＯＳＦＥＴ）
１９…ローサイドスイッチング素子，ローサイドトランジスタ（ローサイドＭＯＳＦＥＴ）
２０…第２の判定用トランジスタ（第２の判定用ＭＯＳＦＥＴ）
２７…接続部（接続ノード）
３１，３２…駆動部（ＰＷＭ駆動回路）
３３…電圧検出部（電圧検出回路）
３４…電流検出部（電流検出回路）
４０…過電流検出部（過電流検出回路）
４８…第１の電流路
４９…第２の電流路
５０…第３の電流路
Ｄ…電流路の一端，他端（ドレイン）
Ｇ…信号入力電極（ゲート）
ｇｒ１，ｇｒ２…グランド
Ｓ…電流路の一端，他端（ソース）
Ｓ５，Ｓ６…判定処理（ショート判定処理）
Ｓ７…断線判定処理
ＳＬ…ソレノイドバルブ（リニアソレノイドバルブ）

Claims

　バッテリの負極側に導通するグランドにコイルの一端部が接続され且つ駆動信号が該コイルの他端部に入力されることに応じて駆動制御されるソレノイドバルブに接続される駆動装置において、
　前記バッテリの正極側に接続されたハイサイドスイッチング素子を有する第１の電流路と、
　前記バッテリの負極側に導通するグランドに接続されたローサイドスイッチング素子を有する第２の電流路と、
　前記コイルの前記他端部に接続されて前記第１の電流路と前記第２の電流路との間に位置する第３の電流路と、
　前記ハイサイドスイッチング素子及びローサイドスイッチング素子に夫々制御信号を供給し、前記第１の電流路及び前記第３の電流路と前記第２の電流路及び前記第３の電流路とを交互に導通状態と遮断状態とに切換えて前記駆動信号を生成するように制御する駆動部と、
　前記第１の電流路及び前記第２の電流路に、前記駆動信号の通常供給時に流れる電流値を超える過電流が流れたことを検出する過電流検出部と、を備える、
　駆動装置。
　前記第１の電流路に過電流が流れたことが前記過電流検出部で検出された場合は前記ソレノイドバルブの正常な動作範囲の電圧より下がっているグランドショートの発生と判定し、前記第２の電流路に過電流が流れたことが前記過電流検出部で検出された場合は前記ソレノイドバルブの正常な動作範囲の電圧より上がっているバッテリショートの発生と判定する判定処理を実行する制御部を備える、
　請求項１に記載の駆動装置。
　前記第３の電流路を経由して前記コイルに流れる電流を検出する電流検出部を備え、
　前記制御部は、
　前記第３の電流路に流れる電流が前記電流検出部で検出されなくなった場合には、前記ソレノイドバルブが電気的に外れている断線状態と判定する断線判定処理を実行する、
　請求項２に記載の駆動装置。
　前記ハイサイドスイッチング素子及び前記ローサイドスイッチング素子は、互いに同じ導電型のハイサイドトランジスタ及びローサイドトランジスタから構成され、
　前記ハイサイドトランジスタ及びローサイドトランジスタと同じ導電型の第１の判定用トランジスタ及び第２の判定用トランジスタを備え、
　前記ハイサイドトランジスタは、信号入力電極が前記駆動部に接続され、且つ電流路の一端が前記バッテリの正極側に接続され、
　前記ローサイドトランジスタは、信号入力電極が前記駆動部に接続され、且つ電流路の一端が前記グランドに接続され、
　前記第１の判定用トランジスタは、信号入力電極が前記駆動部に接続され、且つ電流路の一端が前記第１の電流路における前記ハイサイドトランジスタと前記バッテリの正極との間に接続され、
　前記第２の判定用トランジスタは、信号入力電極が前記駆動部に接続され、且つ電流路の一端が前記第２の電流路における前記ローサイドトランジスタの前記電流路の一端と前記グランドとの間に接続され、
　前記第１の判定用トランジスタ及び前記第２の判定用トランジスタの各電流路の他端は、前記過電流検出部に接続されている、
　請求項１ないし３のいずれか１項に記載の駆動装置。
　前記ハイサイドトランジスタ、前記ローサイドトランジスタ、前記第１の判定用トランジスタ及び前記第２の判定用トランジスタは、エンハンスメント型のＮチャネル型もしくはＰチャネル型ＭＯＳＦＥＴ、又はエンハンスメント型のＮチャネル型もしくはＰチャネル型ＭＩＳＦＥＴから構成される、
　請求項４に記載の駆動装置。