WO2011136193A1 - 感温素子を備えた温度センサ - Google Patents

感温素子を備えた温度センサ Download PDF

Info

Publication number
WO2011136193A1
WO2011136193A1 PCT/JP2011/060099 JP2011060099W WO2011136193A1 WO 2011136193 A1 WO2011136193 A1 WO 2011136193A1 JP 2011060099 W JP2011060099 W JP 2011060099W WO 2011136193 A1 WO2011136193 A1 WO 2011136193A1
Authority
WO
WIPO (PCT)
Prior art keywords
temperature
temperature sensor
electrode film
lead wire
bonding material
Prior art date
Application number
PCT/JP2011/060099
Other languages
English (en)
French (fr)
Inventor
元樹 佐藤
堀　恒円
馨 葛岡
千明 小川
Original Assignee
株式会社デンソー
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 株式会社デンソー filed Critical 株式会社デンソー
Priority to DE112011101480.5T priority Critical patent/DE112011101480B4/de
Priority to CN201180020816.5A priority patent/CN102869966B/zh
Priority to US13/695,078 priority patent/US9714869B2/en
Publication of WO2011136193A1 publication Critical patent/WO2011136193A1/ja

Links

Images

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01K—MEASURING TEMPERATURE; MEASURING QUANTITY OF HEAT; THERMALLY-SENSITIVE ELEMENTS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • G01K7/00—Measuring temperature based on the use of electric or magnetic elements directly sensitive to heat ; Power supply therefor, e.g. using thermoelectric elements
    • G01K7/02—Measuring temperature based on the use of electric or magnetic elements directly sensitive to heat ; Power supply therefor, e.g. using thermoelectric elements using thermoelectric elements, e.g. thermocouples
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01K—MEASURING TEMPERATURE; MEASURING QUANTITY OF HEAT; THERMALLY-SENSITIVE ELEMENTS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • G01K1/00—Details of thermometers not specially adapted for particular types of thermometer
    • G01K1/08—Protective devices, e.g. casings
    • G01K1/12—Protective devices, e.g. casings for preventing damage due to heat overloading
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01K—MEASURING TEMPERATURE; MEASURING QUANTITY OF HEAT; THERMALLY-SENSITIVE ELEMENTS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • G01K7/00—Measuring temperature based on the use of electric or magnetic elements directly sensitive to heat ; Power supply therefor, e.g. using thermoelectric elements
    • G01K7/16—Measuring temperature based on the use of electric or magnetic elements directly sensitive to heat ; Power supply therefor, e.g. using thermoelectric elements using resistive elements
    • G01K7/22—Measuring temperature based on the use of electric or magnetic elements directly sensitive to heat ; Power supply therefor, e.g. using thermoelectric elements using resistive elements the element being a non-linear resistance, e.g. thermistor
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01C—RESISTORS
    • H01C1/00—Details
    • H01C1/14—Terminals or tapping points or electrodes specially adapted for resistors; Arrangements of terminals or tapping points or electrodes on resistors
    • H01C1/148—Terminals or tapping points or electrodes specially adapted for resistors; Arrangements of terminals or tapping points or electrodes on resistors the terminals embracing or surrounding the resistive element
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01C—RESISTORS
    • H01C7/00—Non-adjustable resistors formed as one or more layers or coatings; Non-adjustable resistors made from powdered conducting material or powdered semi-conducting material with or without insulating material
    • H01C7/008—Thermistors

Definitions

  • the present invention relates to a temperature sensor provided with a temperature sensitive element made of a low thermal expansion ceramic having a low linear expansion coefficient whose electrical characteristics change with temperature.
  • thermosensor element As a temperature sensor for measuring the temperature of exhaust gas of a car, there is a temperature sensor using a temperature sensitive element (thermistor element) whose resistance value changes with temperature.
  • This temperature sensor includes a temperature sensitive element made of an oxide such as Y 2 O 3 ⁇ Y cr / MnO 3 provided with an electrode film made of Pt etc. on its surface, and an electrode wire made of Pt etc. connected to the electrode film. And a sheath layer containing a signal line electrically connected to the electrode line, and a protective layer of a two-layer structure formed of a glass mold covering the thermistor element (see Patent Document 1).
  • the temperature sensor of this configuration has the temperature sensitive element made of oxide as described above. Therefore, for example, in a temperature sensor used under reducing conditions such as measurement of exhaust gas temperature of a car, the protective layer having a two-layer structure as described above from the viewpoint of preventing reduction of the temperature sensitive element and reducing internal stress. Was formed.
  • the protective layer is formed in a two-layer structure, the structure of the temperature sensor becomes complicated and the manufacturing cost increases.
  • the signal line inside the sheath pin and the electrode film are connected by the intermediary electrode wire made of Pt.
  • the use of platinum Pt increases the manufacturing cost.
  • a temperature sensor may be installed near the internal combustion engine.
  • a large vibration of the internal combustion engine is easily transmitted to the temperature sensor.
  • the temperature sensing element of the temperature sensor may vibrate, and the junction between the temperature sensing element and the electrode wire may be broken.
  • disconnection easily occurs in the electrode wire made of platinum Pt.
  • a first phase consisting of insulating matrix particles consisting of non-oxides
  • a second phase consisting of semiconductor or conductive particles dispersed discontinuously in a three-dimensional network shape in this first phase.
  • a temperature sensitive device using a wide range thermistor material composed of a phase and a phase is attracting attention (see Patent Document 2).
  • Such a wide-range thermistor material is non-oxide, so it is difficult to be reduced even in a reducing atmosphere, and the cost of the temperature sensor can be reduced without the need for a protective layer having a double structure as described above. it can.
  • a temperature sensitive element made of a wide range thermistor material generally has a low linear expansion coefficient.
  • Such a junction structure of the temperature sensing element having a low linear expansion coefficient and the electrode film, and the junction structure of the electrode film and the lead wire is not known yet. Improper combination may cause breakage due to vibration disconnection and thermal stress under wide range environment.
  • the present invention has been made in view of such problems, and a temperature sensor having a low thermal expansion temperature sensing element can prevent disconnection and is excellent in reliability in a wide range environment and manufactured at low cost.
  • the purpose is to provide a temperature sensor that can
  • the temperature sensor according to the present invention is a temperature-sensitive element made of low thermal expansion ceramic having a linear expansion coefficient of 3 ⁇ 10 ⁇ 6 to 5 ⁇ 10 ⁇ 6 / ° C. whose electric characteristics change with temperature. It has a pair of electrode films provided on the surface of the temperature sensitive element, and a pair of lead wires joined to the electrode film and having a linear expansion coefficient of 15 ⁇ 10 ⁇ 6 or less.
  • the linear expansion coefficients of the temperature sensing element, the electrode film, and the lead wire are set to satisfy the relationship of T a ⁇ T b ⁇ T d where T a , T b and T d respectively. There is.
  • the temperature sensor according to the present invention includes the temperature sensing element made of the low thermal expansion ceramic, and the linear expansion coefficients of the temperature sensing element, the electrode film, and the lead wire are T a , T b , and T, respectively.
  • T a ⁇ T b ⁇ T d the relationship of T a ⁇ T b ⁇ T d is satisfied. That is, the temperature sensitive device, the electrode film, and the lead wire are selectively adopted so as to satisfy the relationship of T a ⁇ T b ⁇ T d . Therefore, the linear expansion coefficients of the temperature sensing element, the electrode film, and the lead wire can be made to approach each other while being changed stepwise.
  • the temperature sensor can relieve the thermal stress even in the wide range environment, and the breakage and the like are less likely to occur, so that the excellent reliability can be exhibited.
  • a lead wire having a linear expansion coefficient of 15 ⁇ 10 ⁇ 6 / ° C. or less is employed as the lead wire joined to the electrode film. Therefore, in the temperature sensor, the linear expansion coefficient difference between the temperature sensing element, the electrode film, and the lead wire can be further reduced. Therefore, it is even less likely to break.
  • the temperature sensitive device, the electrode film, and the lead wire may be selectively adopted so as to satisfy the relationship of T a ⁇ T b ⁇ T d.
  • the wire it becomes possible to use a metal electrode other than an expensive noble metal such as Pt. For this reason, it becomes possible to attain demetalization, and it becomes possible to manufacture the temperature sensor at low cost.
  • a temperature sensor provided with a low thermal expansion temperature sensing element, it is possible to provide a temperature sensor which can prevent disconnection and has excellent reliability in a wide range environment and can be manufactured at low cost.
  • the temperature sensor of the present invention includes the temperature sensitive element, the electrode film, and the lead wire as described above.
  • T a linear expansion coefficients of the temperature sensing element, the electrode film, and the lead wire
  • T b linear expansion coefficients of the temperature sensing element, the electrode film, and the lead wire
  • T d / ° C.
  • the temperature sensor may have a sheath pin incorporating the lead wire, and the lead wire exposed at the tip end side of the sheath pin may be connected to the electrode film.
  • the function and effect of the present invention that the disconnection can be prevented becomes more remarkable. That is, in the temperature sensor having a configuration in which the lead wire extending from the sheath pin is directly connected to the electrode film, disconnection is likely to occur when using the electrode wire made of Pt.
  • the configuration of the present invention it is possible to avoid the use of an electrode wire made of Pt, and even if a configuration in which a lead wire extending from the sheath pin is directly connected to the electrode film, disconnection is sufficiently achieved. It becomes possible to prevent.
  • the temperature sensor may have a sheath pin incorporating a signal line, and the signal line exposed at the tip end side of the sheath pin may be connected to a lead wire connected to the electrode film.
  • the temperature sensitive element is made of low thermal expansion ceramic having a linear expansion coefficient of 3 ⁇ 10 ⁇ 6 to 5 ⁇ 10 ⁇ 6 / ° C.
  • a low thermal expansion ceramic having a linear expansion coefficient of 4 ⁇ 10 ⁇ 6 to 5 ⁇ 10 ⁇ 6 / ° C. is preferable.
  • the temperature sensitive element can be made of, for example, low thermal expansion ceramics having a matrix phase composed of non-oxide insulating matrix particles.
  • the temperature sensitive device has a matrix phase composed of silicon nitride matrix particles.
  • a sensitive temperature sensor can be realized.
  • first phase a matrix phase comprising silicon nitride matrix particles, and a semiconductor or conductive second phase particle discontinuously dispersed in a three-dimensional network shape in the first phase. It is preferable to use low thermal expansion ceramics.
  • a temperature sensor with high sensitivity can be realized, and a temperature sensor excellent in heat resistance that can prevent reduction deterioration can be realized.
  • low thermal expansion ceramics composed of the first phase and the second phase particles are specifically disclosed in JP-A-2000-348907, JP-A-8-273904, JP-A-7-331358,
  • the wide range thermistor material or composite material described in JP-A-6-227870 can be employed.
  • particles made of, for example, silicon nitride or oxynitride ceramics can be adopted.
  • particles made of silicon nitride ceramics are preferable.
  • the second phase particles particles made of silicon carbide or the like can be adopted.
  • the low thermal expansion ceramic for example, one manufactured as follows can be adopted. That is, 30 to 50 vol% of silicon carbide (SiC) powder (average particle size 0.2 ⁇ m or less) and 4 to 7 vol of yttrium oxide (Y 2 O 3 ) powder (average particle size 0.5 ⁇ m or less) as a sintering aid %, Titanium boride powder (TiB 2 ) (average particle size 0.4 ⁇ m or less) as additive, 0.6 to 4 vol%, silicon nitride (Si 3 N 4 ) powder (average particle size 0.7 ⁇ m or less) The remainder (vol%) is mixed and mixed in a dispersion medium such as water or alcohol. Subsequently, it can obtain by shape
  • a dispersion medium such as water or alcohol.
  • the electrode film, the lead wire, and the bonding material be made of an alloy containing at least Cr and Fe.
  • an alloy containing Cr and Fe the larger the content of Cr, the lower the linear expansion coefficient material, which can be made closer to the linear expansion coefficient of the temperature sensitive element.
  • alloys containing Cr have high strength and are less likely to break.
  • the ductility of the material can be improved, and the linear expansion coefficient can be adjusted.
  • the electrode film can be made of a Cr—Fe alloy.
  • the electrode film is preferably made of an alloy containing Cr or Fe as a main component, and more preferably a Cr—Fe alloy containing Cr as a main component.
  • the linear expansion coefficient T b (/ ° C.) of the electrode film is preferably T b ⁇ 11 ⁇ 10 ⁇ 6 .
  • the linear expansion difference between the temperature sensitive element and the lead wire and the electrode film can be further reduced.
  • the bonding material is provided, the linear expansion difference between the temperature sensitive device, the bonding material, and the lead wire and the electrode film can be further reduced. Therefore, in this case, the thermal stress can be further alleviated even in the use environment in the wide range, and the reliability can be further improved.
  • the linear expansion coefficient of the electrode film at a temperature of 0 to 100 ° C. can be, for example, 4 ⁇ 10 ⁇ 6 to 9 ⁇ 10 ⁇ 6 / ° C.
  • the thermal expansion difference between the temperature sensing element, the lead wire and the electrode film, or the thermal expansion difference between the temperature sensing element, the bonding material, and the lead wire and the electrode film is further enhanced. It can be made smaller. Therefore, the durability of the temperature sensor in a high temperature environment can be further improved. In addition, even in the wide-range use environment, thermal stress can be further alleviated, and reliability can be further improved.
  • the linear expansion coefficient T d (/ ° C.) of the lead wire is preferably 15 ⁇ 10 ⁇ 6 / ° C. or less, that is, T d ⁇ 15 ⁇ 10 ⁇ 6 , more preferably T d ⁇ 14 ⁇ 10 ⁇ 6. Is good.
  • the linear expansion coefficient of the lead wire can be, for example, 4 ⁇ 10 ⁇ 6 to 14 ⁇ 10 ⁇ 6 / ° C.
  • the thermal expansion difference between the temperature sensing element and the electrode film and the lead wire or the thermal expansion difference between the temperature sensing element, the electrode film, the bonding material, and the lead wire is further reduced. be able to. Therefore, the durability of the temperature sensor in a high temperature environment can be further improved. In addition, even in the wide-range use environment, thermal stress can be further alleviated, and reliability can be further improved.
  • the lead wire can be made of a Ni-based alloy or a ferritic stainless steel. As described above, these preferably contain Cr and Fe.
  • NCF601 JIS G4901
  • NCF601 JIS G4901
  • the following composition has a composition of Ni: 58.00-63.00 wt%, Cr: 21.00-25.00 wt%, Cu: 1.00 wt%, Al: 1.00-1.70 wt%, and Fe: balance.
  • SUH21 (JIS G4312) made of an Fe-Cr-Al alloy or the like can be adopted.
  • SUH21 JIS G4312
  • the composition has a composition of 0 wt% or less, P: 0.040 wt% or less, S: 0.030 wt% or less, and Fe: balance.
  • the bonding material is preferably made of an alloy containing Cr and Fe.
  • the bonding material is formed by baking a paste-like metal powder.
  • the bonding material T c (/ ° C.) preferably satisfies T c ⁇ 12 ⁇ 10 ⁇ 6 .
  • the linear expansion difference between the temperature sensitive element, the electrode film, the bonding material, and the lead wire can be further reduced. Therefore, the temperature sensor can relieve the thermal stress even in a wide range environment, and can improve the reliability.
  • the bonding material be formed by baking a paste-like Fe-Cr-Al alloy or a Cr-Fe alloy.
  • the linear expansion coefficient of the bonding material is more preferably 9 ⁇ 10 ⁇ 6 to 12 ⁇ 10 ⁇ 6 / ° C. when a lead wire made of a Ni-based alloy is employed, and the bonding material is in the form of paste. It is preferable to bake the Fe-Cr-Al alloy. In this case, since a passivation film of Al is formed, the oxidation resistance at high temperatures is excellent.
  • Fe-Cr-Al alloy for example, an alloy containing 17 to 21 wt% of Cr and 2 to 6 wt% of Al can be adopted. Specifically, for example, SUH 21 (JIS G4312) or the like can be adopted. Such an alloy contains 17 to 21 wt% of Cr, 2.0 to 4.0 wt% of Al, 0.10 wt% or less of C, 1.50 wt% or less of Si, Mn: 1.0 wt% or less as components other than Fe. Hereinafter, it has a composition that P: 0.040 wt% or less and S: 0.030 wt% or less.
  • the linear expansion coefficient of the bonding material is preferably 9 ⁇ 10 ⁇ 6 to 11 ⁇ 10 ⁇ 6 / ° C., and the bonding material is a paste. It is preferable to bake the above-mentioned Cr-Fe alloy.
  • the Cr—Fe alloy an alloy containing 60 to 90 wt% of Cr and 40 to 10 wt% of Fe is preferable. Specifically, for example, a Cr40Fe alloy or the like can be adopted as the Cr-Fe alloy.
  • the baking temperature of the bonding material is preferably 1000 to 1490 ° C., and more preferably 1000 to 1200 ° C.
  • the baking temperature is less than 1000 ° C., the bonding strength may be insufficient or the sintering of the metal powder may be insufficient.
  • the temperature exceeds 1490 ° C., the alloy melts, which may make it difficult to bond the lead wire and the electrode film.
  • the baking temperature is more preferably 1200 ° C. or less.
  • the electrode film is formed over the entire surface on a pair of opposing surfaces of the temperature sensing element, and an end portion of the temperature sensing element on the bonding surface between the temperature sensing element and the bonding material.
  • the shortest distance to the bonding material is preferably at least 0.1 mm or more. In this case, it is possible to prevent the occurrence of a crack in the temperature sensitive element at the time of manufacture.
  • the electrode film is formed on the entire surface of the pair of surfaces of the temperature sensing element, and the electrode film is formed by heat treatment, tensile stress is applied to the end portion of the temperature sensing element. There is.
  • the bonding material is present up to the end portion of the temperature sensitive element on which the electrode film is formed, the bonding material is also heat treated to be formed, and thus a tensile stress is further applied to the temperature sensitive device. As a result, a crack may occur in the temperature sensitive device.
  • the bonding material if the shortest distance between the end of the temperature-sensitive element and the bonding material is at least 0.1 mm or more, the bonding material The thermal stress on the temperature sensitive element does not affect the end of the temperature sensitive element, and the occurrence of cracks can be prevented.
  • a protective layer which seals the said temperature sensitive element and the said electrode film with a part of said lead wire.
  • the retention power of a junction is improved and the durability to vibration is improved more.
  • the temperature sensor in the case where the electrode film and the lead wire are bonded via the bonding material, the temperature sensitive element, the electrode film, the lead wire, and the bonding are formed by the protective layer. While being able to relieve the thermal stress in a joined part with material, the retention strength of a joined part can be improved and the endurance to vibration can be improved more.
  • the protective layer can be formed of, for example, glass.
  • Sectional drawing of the temperature sensing element vicinity of a temperature sensor in a 1st Example Sectional drawing of a temperature sensor in a 1st Example. Sectional drawing of the front-end
  • Explanatory drawing which shows a mode that the surface of the thermosensitive element which joined the lead wire and the electrode film by the joining material in a 4th example from the side which formed a joined object top view.
  • Explanatory drawing which shows the cross section of the front-end
  • a temperature sensor according to a first embodiment of the present invention will be described.
  • a temperature sensitive element 2 made of low thermal expansion ceramic whose electrical characteristics change with temperature
  • a pair of electrode films 20 provided on the surface
  • a pair of lead wires 21 for connecting external circuits.
  • the lead wire 21 is bonded to the electrode film 20 by a bonding material 22.
  • the low thermal expansion ceramic of the temperature sensing element 2 comprises a first phase comprising insulating non-oxide matrix particles, and a semiconductor or a conductive material dispersed discontinuously in a three-dimensional network shape in the first phase. It is composed of sexual second phase particles.
  • the matrix particles consist of Si 3 N 4 and the second phase particles consist of SiC particles.
  • a glass phase consisting of Y 2 O 3 exists between matrix particles, and second phase particles are dispersed in this glass phase.
  • the linear expansion coefficient of the temperature sensing element 2 made of the low expansion ceramic of this embodiment is 4.5 ⁇ 10 ⁇ 6 / ° C.
  • the electrode film 20 is made of a Cr-40 Fe alloy which is a Cr-Fe alloy.
  • the linear expansion coefficient of the electrode film 20 is 9 ⁇ 10 ⁇ 6 / ° C. (temperature 0 to 100 ° C.).
  • the lead wire 21 is made of "Inconel (registered trademark) 601" manufactured by Daido Special Metals Co., Ltd.
  • the bonding material is formed by baking a paste-like Fe-Cr-Al alloy.
  • NAS4425A5 series steel manufactured by Nippon Metallurgy Co., Ltd.
  • the composition of components other than Fe is as follows: Cr: 19 to 21 wt%, Al: 5.0 to 6.0 wt%, La: 0.06 to 0.12 wt%, C: not more than 0.015 wt%, Si: 1.0 wt % Or less and Mn: 1.0 wt% or less.
  • the linear expansion coefficient of the bonding material is 11 ⁇ 10 ⁇ 6 / ° C.
  • the temperature sensor 1 has a protective layer 52 that seals the temperature sensing element 2, the electrode film 20, and the bonding material 22 together with a part of the lead wire 21.
  • the protective layer 52 is made of a material having an effect of protecting the temperature sensitive device 2 at a high temperature of 1000 ° C. or higher. Examples of the material include inorganic materials, amorphous glass, crystallized glass and the like. Each may be used alone as long as it has a linear thermal expansion coefficient in a desired range, but a mixture of amorphous glass and crystallized glass so as to have a desired linear expansion coefficient, inorganic to glass You may comprise using what added the material powder.
  • thermosensor 2 aluminum oxide (Al 2 O 3 ), magnesium oxide (MgO), yttrium oxide (Y 2 O 3 ), chromium oxide (Cr 2 O 3 ), zirconium oxide (ZrO 2 ),
  • the low thermal expansion ceramics etc. which comprise the thermo sensor 2 are mentioned.
  • a material which comprises the protective layer 52 what added 40 weight% or more of low thermal-expansion ceramics which comprise the thermosensitive element 2 to the crystallized glass stable at high temperature, and adjusted the linear expansion coefficient is more preferable.
  • the composition of the crystallized glass is preferably composed of, for example, silicon oxide, calcium oxide, manganese oxide, and aluminum oxide.
  • the temperature sensor 1 of the present embodiment is a sensor for measuring an exhaust gas temperature of a car. As shown in FIG. 2, in the temperature sensor 1, a guard tube 11 is provided on the rear end side of the cover 4 so as to cover the outer periphery of the sheath pin 3. The guard tube 11 is fixed at its rear end 112 to the rear end 302 of the sheath pin 3.
  • the rear end portion 112 of the guard tube 11 and the rear end portion 302 of the sheath pin 3 are welded all around. Further, although the tip end portion 111 of the guard tube 11 is not fixed to the sheath pin 3, it is formed so as to interfere with the side surface of the sheath pin 3 with almost no clearance provided between the end portions 111. Further, the guard tube 11 is obtained by reducing the diameter of the tip end portion 111 and the rear end portion 112 more than the portion between them, and the guard tube 11 and the tip end portion 111 and the rear end portion 112 A clearance is formed between the sea spin 3. Further, a rib 12 is disposed on the outer periphery of the guard tube 11. The rib 12 holds the sheath pin 3 via the guard tube 11.
  • the rib 12 has a contact portion 121 to be in contact with the tip end surface of the inner wall of the mounting boss to the internal combustion engine, a first extension portion 122 which extends rearward and has a smaller outer diameter than the contact portion 121;
  • the second extension portion 123 extends further rearward than the first extension portion 122 and has a further smaller outer diameter.
  • the guard tube 11 is inserted into the inside of the contact portion 121, the first extending portion 122 and the second extending portion 123.
  • one end of a protective tube 13 for protecting a part of the sheath pin 3, the guard tube 11, and the external lead 17 is welded and fixed to the outer periphery of the first extending portion 122.
  • the rib 12 is welded to the guard tube 11 all around.
  • the cover 4 is welded all around the outer periphery of the distal end portion 301 of the sheath pin 3.
  • Guard tube 11, sheath pin 3, and cover 4 are made of stainless steel or a Ni-based heat-resistant alloy.
  • the rib 12 and the protective tube 13 are also made of stainless steel or a Ni-based heat-resistant alloy.
  • the thickness of the guard tube 11 is larger than the thickness of the outer tube portion 34 of the sheath pin 3, and the guard tube 11 is higher in rigidity than the outer tube portion 34 of the sheath pin 3. Further, as shown in FIG.
  • the sheath pin 3 includes two lead wires 21 made of a Ni-based heat-resistant alloy, an insulating portion 33 made of an insulating powder such as magnesia disposed around the lead wires 21, and the insulation. And an outer tube portion 34 made of stainless steel covering the outer periphery of the portion 33.
  • the sheath pin 3 has a cylindrical shape, and the outer tube portion 34 has a cylindrical shape.
  • the lead wire 21 is exposed from the insulating portion 33 and the outer pipe portion 34 to the front end side and the rear end side.
  • the leading end of the lead wire 21 is bonded to the electrode film 20 of the temperature sensing element 2 by the bonding material 22 (see FIG. 1), and the rear end of the lead wire 21 is connected to the external lead wire 17 (see FIG.
  • the protective layer 52 is always in contact with the inner side surface of the cover 4 in the temperature range from room temperature to 850 ° C.
  • the protective layer 52 is always in contact with the inner surface of the cover 4 in a temperature range from room temperature to 1000 ° C.
  • the protective layer 52 does not chemically react with the cover 4 in the temperature range from room temperature to 850 ° C.
  • the outer protective layer 52 does not cause a chemical reaction with the cover 4 in the temperature range of room temperature to 1000 ° C.
  • the lead wire 21 is joined to the outer surface of the temperature sensitive element 2.
  • the temperature sensing device 2 has a substantially rectangular parallelepiped shape, and a pair of electrode films 20 are formed on a pair of surfaces parallel to each other, and lead wires 21 extending from inside the sheath pin 3 are directly joined to those electrodes. It is done.
  • the temperature sensing element 2 is manufactured as follows.
  • thermosensitive element 2 made of a rectangular parallelepiped (plate-like) sintered body (low thermal expansion ceramic) of 1 mm long ⁇ 1 mm wide ⁇ 0.5 mm high was obtained.
  • a Cr—Fe alloy paste was thick-film printed to a thickness of about 10 ⁇ m on a pair of opposing surfaces in the height direction of the temperature sensing element 2 and baked at a temperature of 1300 ° C. to form an electrode film 20 .
  • the Cr-Fe alloy paste has a particle size of about 30 ⁇ m or less.
  • the lead wire 21 made of a Ni-based alloy extending from inside the sheath pin 3 is joined to the electrode film 20 of the temperature sensing element 2 as follows (see FIG. 1). That is, first, 80 to 85 wt% of steel particles (average particle diameter 10 ⁇ m) of NAS 4425 A5 series, 4 to 6 wt% of acrylic copolymer, 0.1 to 1 wt% of bis (methylhexyl) phthalate, and solvent naphtha
  • a paste-like bonding material was produced by mixing 2 wt%, 5 to 10 wt% of butyl lactate, and 1 wt% or less of a silicone resin.
  • a lead wire 21 made of a Ni-based alloy extending from the sheath pin was brought into contact with the pair of electrode surfaces 20 of the temperature sensing element 2.
  • a paste-like bonding material 220 was applied to the contact portion between the electrode surface 20 and the lead wire by a paste potting method.
  • baking was performed by heating at a temperature of 1200 ° C. for 1 hour.
  • the electrode surface 20 of the temperature sensitive element 2 and the lead wire 21 were joined by the joining material 22.
  • a crystallized glass powder consisting of 30 to 60% by weight of SiO 2 , 10 to 30% by weight of CaO, 5 to 25% by weight of MgO, and 0 to 15% by weight of Al 2 O 3 is mixed with a solvent. Then, the temperature-sensitive element 2 to which the lead wire 21 was bonded was dipped in the paste to make a predetermined amount of glass paste adhere. After drying, heat treatment was performed at 1200 ° C. to simultaneously perform crystallization and baking of the glass, and a protective layer 52 was formed as shown in FIG. The glass paste has a coefficient of linear expansion matched to that of the electrode film 20. Next, as shown in FIGS.
  • the temperature sensitive device 2 joined to the lead wire 21 extending from the sheath pin and covered with the protective layer 52 was inserted into the cover 4 heated to a temperature of 300 ° C. or higher.
  • the cover 4 was then cooled to room temperature and the cover 4 was welded to the side of the sheathpin 3.
  • the temperature sensor 1 was obtained.
  • the temperature sensor 1 of the present embodiment includes a temperature sensitive element 2 made of low thermal expansion ceramic.
  • the electrode film 20 made of a Cr—Fe alloy and the lead wire 21 made of a Ni-based alloy are joined by a bonding material 22 formed by baking a paste-like Fe—Cr—Al alloy. There is.
  • the linear expansion coefficients of the temperature sensitive device 2 can be made close to each other.
  • the linear expansion coefficient of the low thermal expansion ceramic forming the temperature sensing element 2 is T a (/ ° C.)
  • the linear expansion coefficient of the electrode film 20 is T b (/ ° C.)
  • the linear expansion coefficient of the bonding material 22 is T c (T Assuming that the linear expansion coefficient of the lead wire 21 is T d (/ ° C.), it becomes possible to satisfy T a ⁇ T b ⁇ T c ⁇ T d. It can be approached.
  • the temperature sensing element 2 made of low thermal expansion ceramic is formed between the temperature sensing element 2 made of low thermal expansion ceramic and the lead wire 21 via the electrode film 20 and the bonding member 22. Therefore, the temperature sensor 1 is not easily disconnected even in a high temperature environment, and has high reliability. Further, the temperature sensor 1 can relieve the thermal stress even in the use environment in the wide range, and can improve the reliability. Further, in the temperature sensor of the present embodiment, the lead wire 21 made of a Ni-based alloy is adopted, and the strength is higher than that of a conventional lead wire made of Pt. Therefore, the durability against vibration is excellent and it is hard to break.
  • the same effect as that of the present embodiment can be obtained by using a Fe-Cr-Al alloy (for example, "NCA1" manufactured by Nisshin Steel Co., Ltd.) which is a ferritic stainless steel instead of a Ni-based alloy. I have confirmed. Further, in the temperature sensor 1 of the present embodiment, a lead wire made of a Ni-based alloy is adopted, and de-regarding can be achieved. Therefore, the temperature sensor 1 of this embodiment can be manufactured at low cost. Further, in the present embodiment, the low thermal expansion ceramic constituting the temperature sensing element 2 is discontinuous in a first phase consisting of non-oxide insulating matrix particles, and in a three-dimensional mesh form in the first phase.
  • a Fe-Cr-Al alloy for example, "NCA1" manufactured by Nisshin Steel Co., Ltd.
  • the temperature sensor 1 of the present embodiment has a protective layer 52 which seals the temperature sensing element 2, the electrode film 20 and the bonding material 22 together with a part of the lead wire 21. Therefore, while being able to relieve the thermal stress in the joined part of the temperature sensing element 2, the electrode film 20, the lead wire 21, and the bonding material 22, the retention strength of the joined part is improved and the durability to vibration is further improved. be able to.
  • Second Embodiment A temperature sensor according to a second embodiment of the present invention will be described.
  • the same or equivalent components as or to those of the temperature sensor according to the first embodiment described above are designated by the same reference numerals, and the description thereof is omitted or Simplify.
  • the present embodiment is an example in which the temperature sensor is manufactured by changing the method of forming the electrode film on the temperature sensitive element, and the like in the first embodiment.
  • the temperature sensor of the present embodiment has the same configuration as that of the first embodiment except that the method of forming an electrode film described later is changed.
  • a temperature-sensitive element was obtained in producing the temperature sensor of the present embodiment.
  • a Cr-Fe alloy paste was thick-film printed to a thickness of about 10 to 20 ⁇ m on a pair of opposing surfaces in the height direction of the temperature sensitive device, and an electrode film was formed by baking at a temperature of 1200 ° C. .
  • the Cr-Fe alloy paste has a particle size of about 10 ⁇ m or less.
  • a lead wire made of a Ni-based alloy extending from inside the sheath pin is joined to the electrode film of the temperature sensitive element as in the first embodiment.
  • steel particles of NAS4425A5 series equivalent to SUH 21 manufactured by Nippon Metallurgy Co., Ltd., particle size 10 ⁇ m or less
  • 80 to 85 wt%, 4 to 6 wt% of acrylic copolymer, bis (methylhexyl) phthalate 0. 1 to 1 wt%, 1 to 2 wt% of solvent naphtha, 5 to 10 wt% of butyl lactate, and 1 wt% or less of silicone resin were mixed to prepare a paste-like bonding material.
  • a lead wire made of a Ni-based alloy extending from the sheath pin was brought into contact with the pair of electrode films of the temperature sensitive element.
  • a paste-like bonding material was applied to the contact portion between the electrode film and the lead wire by a paste potting method, and then baking was performed by heating at a temperature of 1100 ° C. for 1 hour.
  • the electrode film of the temperature sensitive device and the lead wire were bonded by the bonding material.
  • the temperature-sensitive element to which the lead wires were joined was dipped and dried, followed by heat treatment to form a protective layer.
  • the temperature sensitive element joined to the lead wire extended from the sheath pin and covered with the protective layer is inserted into the heated cover, cooled, and the cover welded to the side face of the sheath pin did.
  • the temperature sensor of this example was obtained. Also in the temperature sensor manufactured in the present embodiment, as in the first embodiment, the linear expansion coefficient of the low thermal expansion ceramic forming the temperature sensing element is T a (/ ° C.), and the linear expansion coefficient of the electrode film is T b Assuming that the linear expansion coefficient of the bonding material is T c (/ ° C.) and the linear expansion coefficient of the lead wire is T d (/ ° C.), T a ⁇ T b ⁇ T c ⁇ T d These linear expansion coefficients can be approached stepwise. That is, a gentle gradient of linear expansion coefficient is formed between the temperature sensing element made of low thermal expansion ceramic and the lead wire through the electrode film and the bonding member.
  • the temperature sensor of the present embodiment is not easily disconnected even in a high temperature environment, and has high reliability. Further, the temperature sensor can relieve the thermal stress even in the use environment in a wide range, and can improve the reliability.
  • the temperature sensor of this embodiment can exhibit the same effects as the first embodiment.
  • Third Embodiment A temperature sensor according to a third embodiment of the present invention will be described with reference to FIG. The present embodiment relates to a temperature sensor having a configuration in which a lead wire joined to an electrode film of a temperature sensitive element is joined to a signal line extending from a sheath pin. Specifically, as shown in FIG.
  • the pair of lead wires 21 joined to the electrode film 20 is joined to a signal line 215 extending from the tip of the sheath pin 3. Joining of the lead wire 21 and the signal wire 215 can be performed by laser welding. The rear end of the signal line 215 is connected to an external lead similar to that of the first embodiment (not shown).
  • the lead wire 21 is made of SUH 21 (JIS G4312) made of an Fe-Cr-Al alloy.
  • the linear expansion coefficient is 11 ⁇ 10 ⁇ 6 / ° C.
  • the signal line 215 is made of "Inconel (registered trademark) 601" manufactured by Daido Special Metals Co., Ltd., which is a Ni-based alloy (NCF 601).
  • the linear expansion coefficient is 14 ⁇ It is 10 -6 / ° C.
  • the other configuration is the same as that of the first embodiment.
  • the linear expansion coefficient of the low thermal expansion ceramic constituting the temperature sensing element 2 is T a (/ ° C.) and the linear expansion coefficient of the electrode film 20 as in the first embodiment and 2.
  • T b (/ ° C.)
  • the linear expansion coefficient of the bonding material 22 is T c (/ ° C.)
  • the linear expansion coefficient of the lead wire 21 is T d (/ ° C.)
  • T a ⁇ T b ⁇ T c ⁇ T d (/ ° C.)
  • thermosensor according to a third embodiment of the present invention will be described with reference to FIG.
  • the relationship between the shortest distance between the end of the temperature sensing element and the outer edge of the bonding material and the occurrence of a crack in the bonding surface of the temperature sensing element and the bonding material is mentioned. That is, a plurality of temperature sensors (samples X1 to X5) having different sizes of the bonding material formed at the contact portion between the electrode surface and the lead wire are manufactured, and cracks generated in the temperature sensitive element after forming the bonding material Examine the presence or absence.
  • a temperature sensitive device is manufactured, and a pair of Cr-Fe alloy paste of about 10 to 20 ⁇ m is formed on a pair of opposing surfaces in the height direction of the temperature sensitive device.
  • An electrode film was formed by thick film printing on a thickness and baking at a temperature of 1200 ° C.
  • the Cr-Fe alloy paste has a particle size of about 10 ⁇ m or less.
  • the temperature sensor can be manufactured in the same manner as in the first embodiment.
  • the shortest distance (a, b, c, or d) between the end 28 of the temperature sensing element 2 and the outer edge 229 of the joining material 22 at the joining surface of the temperature sensing element 2 and the joining material 22 is It was measured.
  • the bonding material 22 has an outer edge 229 thereof. Are formed in a substantially circular shape. Therefore, the above-mentioned shortest distance becomes distance a or b or distance c or d in FIG.
  • the shortest distance between the end portion 28 of the temperature sensitive device 2 and the bonding material 22 in the bonding surface between the temperature sensitive device 2 and the bonding material 22 is at least 0.1 mm or more. It is understood that is preferable.
  • Fifth Embodiment A temperature sensor according to a third embodiment of the present invention will be described with reference to FIG. In this embodiment, an example is described in which the electrode film and the lead wire are bonded without using a bonding material to manufacture a temperature sensor. Specifically, as shown in FIG. 9, the electrode film 20 and the lead wire 21 are joined by laser welding. Moreover, in the present embodiment, the temperature sensor 7 is manufactured without forming the protective layer.
  • the temperature sensor 7 of this embodiment is the same as that of the first embodiment except that the electrode film 20 and the lead wire 21 are joined by laser welding without using a joining material and the protective layer is not formed.
  • the Cr-Fe alloy paste has a particle size of about 10 ⁇ m or less.
  • the lead wire 21 made of a Ni-based alloy extending from the inside of the sheath pin 3 was brought into contact with the electrode film 20 of the temperature sensing element 2, and the electrode film 20 and the lead wire 21 were joined by laser welding at the contact portion.
  • the laser welding is performed, but the welding may be performed, for example, by resistance welding.
  • the temperature sensing element 2 joined to the lead wire 21 extending from the sheath pin 3 was inserted into the heated cover 4 and cooled, and the cover was welded to the side face of the sheath pin .
  • the temperature sensor 7 of this example was obtained.
  • the linear expansion coefficient of the low thermal expansion ceramic forming the temperature sensing element 2 is T a (/ ° C.)
  • the linear expansion coefficient of the electrode film 20 is T b (/ ° C.)
  • T d the linear expansion coefficient of the lead wire
  • the lead wire 21 and the electrode film 20 are joined by laser welding without using a bonding material, and the lead wire 21 and the electrode film 20
  • the weld portion 210 is formed at the joint portion of The welding portion 210 is formed by partially melting and curing the lead wire 21 and the electrode film 20 by laser welding. Therefore, the strength of the bonding portion can be higher than that of so-called diffusion bonding using a bonding material.
  • heat treatment in a vacuum furnace or the like is required.
  • the temperature sensor of this embodiment can exhibit the same effects as the first embodiment.
  • the temperature sensor was manufactured without forming the protective layer, but as in the first embodiment, the temperature sensing element to which the lead wire is joined is dipped and dried after heat treatment. , A protective layer can also be formed.

Abstract

　温度によって電気特性が変化する線膨張係数３×１０-6～５×１０-6／℃の低熱膨張セラミックスからなる感温素子２と、その表面に設けられた一対の電極膜２０と、この電極膜２０に接合された線膨張係数が１５×１０-6以下の一対のリード線２１とを有する温度センサ１である。温度センサ１は、感温素子２、電極膜２０、及びリード線２１の線膨張係数をそれぞれＴa，Ｔb、及びＴdとしたとき、Ｔa≦Ｔb≦Ｔdの関係を満足する。

Description

感温素子を備えた温度センサ
　本発明は、温度によって電気的特性が変化する低線膨張係数を有する低熱膨張セラミックスからなる感温素子を備えた温度センサに関する。
　自動車の排気ガス等の温度を測定する温度センサとして、温度によって抵抗値が変化する感温素子（サーミスタ素子）を用いた温度センサがある。
　この温度センサは、表面にＰｔ等からなる電極膜が設けられたＹ2Ｏ3・Ｙｃｒ／ＭｎＯ3等の酸化物からなる感温素子と、前記電極膜に接続されたＰｔ等からなる電極線と、該電極線に電気的に接続される信号線を内蔵するシースピンと、前記サーミスタ素子を覆うガラスモールドからなる２層構造の保護層とを備える（特許文献１参照）。
　かかる構成の温度センサは、前記のごとく酸化物からなる感温素子を有している。そのため、例えば自動車の排ガス温度の測定のように還元条件下で使用される温度センサにおいては、感温素子の還元劣化の防止及び内部応力の低減という観点から、前記のごとく２層構造の保護層が形成されていた。
　ところが、保護層を２層構造に形成すると、温度センサの構成が複雑になると共に製造コストが増大してしまう。
　また、前記従来構成の温度センサにおいては、感温素子上に白金Ｐｔからなる電極膜を形成していたため、シースピン内部の信号線と電極膜との間をＰｔからなる仲介用の電極線で接続していた。しかし、白金Ｐｔを使用するため、製造コストが高くなる。
　また、排ガスの温度測定などの用途においては、内燃機関付近に温度センサを設置する場合がある。この場合には、内燃機関の大きな振動が温度センサに伝わり易い。その結果、温度センサの感温素子が振動して、感温素子と電極線との接合部が断線してしまうかもしれない。特に、白金Ｐｔからなる電極線において断線が起りやすい。
　かかる状況に鑑みて、近年、非酸化物からなる絶縁性のマトリックス粒子よりなる第１相と、この第１相に三次元網目状に不連続に分散した半導体又は導電性の粒子よりなる第２相とにより構成されたワイドレンジ用サーミスタ材料を用いた感温素子が注目されている（特許文献２参照）。このようなワイドレンジ用サーミスタ材料は、非酸化物からなるため、還元雰囲気においても還元されにくく、前記のような２重構造の保護層を必要とせず、温度センサの低コスト化を図ることができる。
特開２００９－１１５７８９号公報 特開平８－２７３９０４号公報
　しかしながら、ワイドレンジ用サーミスタ材料を用いたとしても、白金Ｐｔからなる電極線における断線という問題を解消することはできない。また、Ｐｔ等の高価な貴金属を用いると製造コストが高くなる。そのため、Ｐｔからなる電極線を用いない温度センサの開発が望まれていた。
　ワイドレンジ用サーミスタ材料からなる感温素子は、一般に線膨張係数が低い。このような線膨張係数の低い感温素子と電極膜、及び電極膜とリード線との接合構造は、未だ知られていない。不適切な組合せでは、振動による断線及びワイドレンジ環境下における熱応力による感温素子の破損が起るかもしれない。
　本発明は、かかる問題点に鑑みてなされたものであって、低熱膨張の感温素子を備える温度センサにおいて、断線を防止できると共に、ワイドレンジ環境下での信頼性に優れ、低コストで作製できる温度センサを提供することを、その目的とする。
　本発明に係る温度センサは、その基礎的な態様として、温度によって電気特性が変化する線膨張係数３×１０-6～５×１０-6／℃の低熱膨張セラミックスからなる感温素子と、該感温素子の表面に設けられた一対の電極膜と、該電極膜に接合された線膨張係数が１５×１０-6以下の一対のリード線とを有する。前記感温素子、前記電極膜、及び前記リード線の線膨張係数をそれぞれＴa，Ｔb、及びＴdとしたとき、Ｔa≦Ｔb≦Ｔdの関係を満足するように設定されている。
　このため、本発明に係る温度センサは、前記低熱膨張セラミックスからなる感温素子を備え、前記感温素子、前記電極膜、及び前記リード線の線膨張係数をそれぞれＴa，Ｔb、及びＴdとしたとき、Ｔa≦Ｔb≦Ｔdの関係を満足している。即ち、Ｔa≦Ｔb≦Ｔdという関係を満足するように、前記感温素子、前記電極膜、及び前記リード線を選択的に採用している。このため、前記感温素子、前記電極膜、及び前記リード線の線膨張係数を段階的に変化させつつ相互に近づけることができる。
　即ち、前記低熱膨張セラミックスからなる感温素子と、前記リード線との間で、前記電極膜を介して線膨張係数のなだらかな勾配が形成される。そのため、前記温度センサは、ワイドレンジ環境下においても熱応力を緩和でき、断線などが起こりにくく、優れた信頼性を発揮することができる。
　また、本発明の温度センサにおいては、前記電極膜に接合されたリード線として、線膨張係数が１５×１０-6／℃以下のリード線を採用している。このため、前記温度センサにおいては、前記感温素子、前記電極膜、前記リード線との線膨張係数差をより一層小さくすることができる。それ故、より一層断線などが起こりにくい。
　また、前記温度センサにおいては、Ｔa≦Ｔb≦Ｔdという関係を満足するように、前記感温素子、前記電極膜、及び前記リード線を選択的に採用すればよく、電極膜及びリード線としては、Ｐｔなどの高価な貴金属以外の金属電極を用いることが可能になる。このため、脱貴金属化を図ることが可能になり、前記温度センサの低コストでの製造が可能になる。
　このように本発明によれば、低熱膨張の感温素子を備える温度センサにおいて、断線を防止できると共にワイドレンジ環境下での信頼性に優れ、低コストで作製できる温度センサを提供することができる。
　上述した基礎的な態様は以下のような様々な好適な態様に変形して実施することもできる。
　本発明の温度センサは、上述のごとく、前記感温素子と前記電極膜と前記リード線とを備える。そして、前記感温素子、前記電極膜、及び前記リード線の線膨張係数をそれぞれＴa（／℃），Ｔb（／℃）、及びＴd（／℃）としたとき、Ｔa≦Ｔb≦Ｔdの関係を満足する。一方、Ｔa≦Ｔb≦Ｔdという関係を満足しない場合には、例えば－５０℃～１０５０℃というワイドレンジ環境下において熱応力を十分に緩和することが困難になることがある。
　そこで、前記電極膜と前記リード線とは金属からなる接合材を介して接合されており、かつ前記接合材の線膨張係数をＴc（／℃）としたとき、Ｔa≦Ｔb≦Ｔc≦Ｔdの関係を満足することが好ましい。
　この場合には、前記電極膜と前記リード線との間に前記接合材を有することにより、線膨張係数がよりなだらかな勾配を形成することができる。そのため、前記温度センサにおいては、ワイドレンジ環境下においてより一層熱応力が緩和され、前記温度センサの信頼性をより向上させることができる。
　前記温度センサは、前記リード線を内蔵するシースピンを有し、該シースピンの先端側において露出する前記リード線が前記電極膜に接続される構造とすることができる。
　この場合には、断線を防止できるという本発明の作用効果がより顕著になる。即ち、前記シースピンから伸びるリード線が直接前記電極膜に接続された構成の温度センサにおいては、Ｐｔからなる電極線を使用すると断線が起りやすくなる。本発明の構成を採用することにより、Ｐｔからなる電極線の使用を回避することが可能になり、前記シースピンから伸びるリード線を直接前記電極膜に接続させる構成を採用しても断線を十分に防止することが可能になる。
　また、前記温度センサは、信号線を内蔵するシースピンを有し、該シースピンの先端側において露出する前記信号線が前記電極膜に接続されたリード線と接合する構造とすることもできる。
　前記感温素子は、線膨張係数３×１０-6～５×１０-6／℃の低熱膨張セラミックスからなる。好ましくは、線膨張係数４×１０-6～５×１０-6／℃の低熱膨張セラミックスがよい。
　具体的には、前記感温素子は、例えば、非酸化物からなる絶縁性のマトリックス粒子よりなるマトリックス相を有する低熱膨張セラミックスにより構成することができる。
　好ましくは、前記感温素子は、窒化珪素のマトリックス粒子よりなるマトリックス相を有することがよい。この場合には、感度の良い温度センサを実現することができる。
　また、より好ましくは、窒化珪素のマトリックス粒子よりなるマトリックス相（第１相）と、該第１相に三次元網目状に不連続に分散した半導体又は導電性の第２相粒子より構成された低熱膨張セラミックスを採用することがよい。
　この場合には、感度の良い温度センサが実現できる共に、還元劣化を防止できる耐熱性に優れた温度センサを実現することができる。
　前記第１相と前記第２相粒子とから構成された低熱膨張セラミックスとしては、具体的には、特開２０００－３４８９０７号公報、特開平８－２７３９０４号公報、特開平７－３３１３５８号公報、特開平６－２２７８７０号公報等に記載のワイドレンジ用サーミスタ材料又は複合材料を採用することができる。
　より具体的には、前記マトリックス粒子としては、例えば窒化珪素又は酸窒化物系セラミックス等からなる粒子を採用することができる。好ましくは窒化珪素系セラミックスからなる粒子がよい。
　また、前記第２相粒子としては、炭化ケイ素等からなる粒子を採用することができる。
　具体的には、前記低熱膨張セラミックスは例えば次のようにして作製したものを採用することができる。即ち、炭化ケイ素（ＳｉＣ）粉末（平均粒径０．２μｍ以下）３０～５０ｖｏｌ％と、焼結助剤としての酸化イットリウム（Ｙ2Ｏ3）粉末（平均粒径０．５μｍ以下）４～７ｖｏｌ％と、添加剤としてのホウ化チタン粉末（ＴｉＢ２）（平均粒径０．４μｍ以下）０．６～４ｖｏｌ％と、窒化珪素（Ｓｉ3Ｎ4）粉末（平均粒径０．７μｍ以下）残部（ｖｏｌ％）とを混合し、水又はアルコール等の分散媒中で混合する。次いで、混合原料を成形し加熱することにより得ることができる。
　次に、前記電極膜と前記リード線と前記接合材は、少なくともＣｒ及びＦｅを含有する合金からなることが好ましい。Ｃｒ及びＦｅを含有する合金においては、Ｃｒの含有量が多いほど低線膨張係数材料となり、前記感温素子の線膨張係数に近づけることが可能になる。また、Ｐｔ等の貴金属と比較して、Ｃｒを含有する合金は、強度が高く断線し難い。さらに、Ｆｅを入れることで材料の延性を改善でき、線膨張係数の調整が可能になる。
　前記電極膜はＣｒ－Ｆｅ合金にて構成することができる。具体的には、前記電極膜は、Ｃｒ又はＦｅを主成分とする合金にて構成することが好ましく、より好ましくはＣｒを主成分とするＣｒ－Ｆｅ合金が好ましい。
　前記電極膜の線膨張係数Ｔb（／℃）は、Ｔb≦１１×１０-6であることが好ましい。
　この場合には、前記感温素子、及び前記リード線と前記電極膜との線膨張差をより小さくすることができる。また、前記接合材を備える場合には、前記感温素子、前記接合材、及び前記リード線と前記電極膜との線膨張差をより小さくすることができる。そのためこの場合には、ワイドレンジでの使用環境化においても熱応力をより一層緩和でき、信頼性をより向上することができる。
　また、前記電極膜の温度０～１００℃における線膨張係数は例えば４×１０-6～９×１０-6／℃にすることができる。この場合には、前記感温素子、及び前記リード線と前記電極膜との熱膨張差、又は前記感温素子、前記接合材、及び前記リード線と前記電極膜との熱膨張差をより一層小さくすることができる。そのため、前記温度センサの高温環境下での耐久性をより向上させることができる。また、ワイドレンジでの使用環境化においても熱応力をさらにより一層緩和でき、信頼性をより向上することができる。
　前記リード線の線膨張係数Ｔd（／℃）は、１５×１０-6／℃以下、即ちＴd≦１５×１０-6であることが好ましく、より好ましくはＴd≦１４×１０-6がよい。
　前記リード線の線膨張係数は例えば４×１０-6～１４×１０-6／℃にすることができる。
　この場合には、前記感温素子及び前記電極膜と前記リード線との熱膨張差又は前記感温素子、前記電極膜、及び前記接合材と前記リード線との熱膨張差をより一層小さくすることができる。そのため、前記温度センサの高温環境下での耐久性をより向上させることができる。また、ワイドレンジでの使用環境化においても熱応力をより緩和でき、信頼性をより向上できる。
　また、前記リード線はＮｉ基合金又はフェライト系ステンレス鋼により構成することができる。これらは、上述のごとく、Ｃｒ及びＦｅを含有することが好ましい。
　Ｎｉ基合金としては、例えばＮＣＦ６０１（ＪＩＳ　Ｇ４９０１）等を採用することができる。ＮＣＦ６０１（ＪＩＳ　Ｇ４９０１）は、具体的には、Ｃ：０．１０ｗｔ％以下、Ｓｉ：０．５０ｗｔ％以下、Ｍｎ：１．０ｗｔ％以下、Ｐ：０．０３０ｗｔ％以下、Ｓ：０．０１５ｗｔ％以下、Ｎｉ：５８．００～６３．００ｗｔ％、Ｃｒ：２１．００～２５．００ｗｔ％、Ｃｕ：１．００ｗｔ％、Ａｌ：１．００～１．７０ｗｔ％、Ｆｅ：残部という組成有する。
　また、フェライト系ステンレス鋼としては、例えばＦｅ－Ｃｒ－Ａｌ合金からなるＳＵＨ２１（ＪＩＳ　Ｇ４３１２）等を採用することができる。ＳＵＨ２１（ＪＩＳ　Ｇ４３１２）は、具体的には、Ｃｒ：１７～２１ｗｔ％、Ａｌ：２．０～４．０ｗｔ％、Ｃ：０．１０ｗｔ％以下、Ｓｉ：１．５０ｗｔ％以下、Ｍｎ：１．０ｗｔ％以下、Ｐ：０．０４０ｗｔ％以下、Ｓ：０．０３０ｗｔ％以下、Ｆｅ：残部という組成を有する。
　また、前記接合材は、上述のごとく、Ｃｒ及びＦｅを含有する合金からなることが好ましい。前記接合材は、ペースト状の金属粉末を焼き付けてなる。
　前記接合材Ｔc（／℃）は、Ｔc≦１２×１０-6であることが好ましい。
　この場合には、前記感温素子、前記電極膜、及び前記接合材と前記リード線との線膨張差をより一層小さくすることができる。そのため前記温度センサは、ワイドレンジ環境下においても熱応力を緩和でき、信頼性を向上できる。
　具体的には、前記接合材は、ペースト状のＦｅ－Ｃｒ－Ａｌ合金又はＣｒ－Ｆｅ合金を焼付けてなることが好ましい。
　前記接合材の線膨張係数は、Ｎｉ基合金からなるリード線を採用した場合には、９×１０-6～１２×１０-6／℃であることがより好ましく、前記接合材はペースト状のＦｅ－Ｃｒ－Ａｌ合金を焼付けてなることが好ましい。この場合には、Ａｌの不動態膜が形成されるため、高温での耐酸化性に優れる。
　Ｆｅ－Ｃｒ－Ａｌ合金としては、例えばＣｒを１７～２１重量％、Ａｌを２～６重量％含む合金を採用することができる。具体的には、例えばＳＵＨ２１（ＪＩＳ　Ｇ４３１２）等を採用することができる。かかる合金は、Ｆｅ以外の成分として、Ｃｒ：１７～２１ｗｔ％、Ａｌ：２．０～４．０ｗｔ％、Ｃ：０．１０ｗｔ％以下、Ｓｉ：１．５０ｗｔ％以下、Ｍｎ：１．０ｗｔ％以下、Ｐ：０．０４０ｗｔ％以下、Ｓ：０．０３０ｗｔ％以下という組成を有する。
　また、フェライト系ステンレス鋼からなるリード線を採用した場合には、前記接合材の線膨張係数は９×１０-6～１１×１０-6／℃であることよりが好ましく、前記接合材はペースト状のＣｒ－Ｆｅ合金を焼付けてなることが好ましい。
　Ｃｒ－Ｆｅ合金においては、Ｃｒの比率が大きい程、線膨張係数が低くなるため、より熱応力を緩和できる。
　Ｃｒ－Ｆｅ合金としては、Ｃｒを６０～９０ｗｔ％、Ｆｅを４０～１０ｗｔ％含む合金が好ましい。具体的には、Ｃｒ－Ｆｅ合金として、例えばＣｒ４０Ｆｅ合金等を採用することができる。
　前記接合材の焼付け温度は、１０００～１４９０℃であることが好ましく、１０００～１２００℃であることがより好ましい。
　焼付け温度が１０００℃未満の場合には、接合強度が不足したり、金属粉末の焼結が不十分になったりすることがある。一方、１４９０℃を超える場合には、合金が溶融し、リード線と電極膜との接合が困難になることがある。焼付け温度は１２００℃以下であることがより好ましい。
　次に、前記電極膜は、前記感温素子における対向する一対の表面にそれぞれ全面にわたって形成されており、前記感温素子と前記接合材との接合面においては、前記感温素子の端部と前記接合材との最短距離が少なくとも０．１ｍｍ以上であることが好ましい。この場合には、製造時に感温素子にクラックが発生することを防止することができる。
　この理由を説明する。即ち、前記電極膜は、前記感温素子の一対の表面においてその全面に形成されており、前記電極膜は熱処理を行って形成されるため、前記感温素子端部には引張応力が加わっている。前記接合材が、前記電極膜が形成された前記感温素子の端部まで存在すると、前記接合材も熱処理を行って形成されるため、前記感温素子にさらに引張応力が加わる。その結果、感温素子にクラックが発生するかもしれない。
　上述のように、前記感温素子と前記接合材との接合面においては、前記感温素子の端部と前記接合材との最短距離が少なくとも０．１ｍｍ以上離れていれば、前記接合材から前記感温素子への熱応力は前記感温素子端部へ影響しなくなり、クラックの発生を防止することができる。
　また、前記感温素子と前記電極膜とを前記リード線の一部と共に封止する保護層を有することが好ましい。
　この場合には、前記感温素子と前記電極膜と前記リード線との接合部における熱応力を緩和させることができると共に、接合部の保持力を向上させて振動に対する耐久性をより向上させることができる。
　また、前記温度センサにおいて、前記電極膜と前記リード線とが前記接合材を介して接合されている場合には、前記保護層により、前記感温素子と前記電極膜と前記リード線と前記接合材との接合部における熱応力を緩和させることができると共に、接合部の保持力を向上させて振動に対する耐久性をより向上させることができる。
　前記保護層は、例えばガラスにより形成することができる。
第１の実施例における、温度センサの感温素子付近の断面図。 第１の実施例における、温度センサの断面図。 第１の実施例における、温度センサの先端部の断面図。 第１の実施例における、電極膜を形成した感温素子に、リード線を当接させた状態の断面形状を示す説明図。 第１の実施例における、感温素子の電極膜とリード線との接合部にペースト状の接合材を塗工した状態の断面形状を示す説明図。 図５におけるＡ－Ａ線矢視断面図。 第３の実施例における、温度センサの感温素子付近の断面を示す説明図。 第４の実施例における、リード線と電極膜とを接合材により接合した感温素子の表面を、接合体を形成した側から上面視した様子を示す説明図。 第５の実施例における、温度センサの先端部の断面を示す説明図。
（第１の実施例）
　次に、本発明の第１の実施例にかかる温度センサについて説明する。
　図１～図３に示すごとく、本実施例の温度センサ１は、温度によって電気特性が変化する低熱膨張セラミックスからなる感温素子２と、その表面に設けられた一対の電極膜２０と、これに接合された外部回路接続用の一対のリード線２１とを有する。リード線２１は電極膜２０に接合材２２によって接合されている。
　本実施例において、感温素子２の低熱膨張セラミックスは、非酸化物からなる絶縁性のマトリックス粒子よりなる第１相と、該第１相に三次元網目状に不連続に分散した半導体又は導電性の第２相粒子より構成されている。本実施例においては、マトリックス粒子はＳｉ3Ｎ4からなり、第２相粒子はＳｉＣ粒子からなる。また、マトリックス粒子間には、Ｙ2Ｏ3からなるガラス相が存在し、このガラス相に第２相粒子が分散される。本実施例の低膨張セラミックスからなる感温素子２の線膨張係数は４．５×１０-6／℃である。
　また、電極膜２０はＣｒ－Ｆｅ合金であるＣｒ－４０Ｆｅ合金からなる。電極膜２０の線膨張係数は、９×１０-6／℃（温度０～１００℃）である。
　リード線２１はＮｉ基合金（ＮＣＦ６０１）である大同スペシャルメタル株式会社製の「インコネル（ＩＮＣＯＮＥＬ：登録商標）６０１」からなる。リード線２１の線膨張係数は、１４×１０-6／℃である。
　また、接合材は、ペースト状のＦｅ－Ｃｒ－Ａｌ合金を焼付けてなる。本実施例においては、Ｆｅ－Ｃｒ－Ａｌ合金としては、ＮＡＳ４４２５Ａ５系の鋼（日本冶金工業株式会社製）を採用してある。そのＦｅ以外の成分組成は、Ｃｒ：１９～２１ｗｔ％、Ａｌ：５．０～６．０ｗｔ％、Ｌａ：０．０６～０．１２ｗｔ％、Ｃ：０．０１５ｗｔ％以下、Ｓｉ：１．０ｗｔ％以下、Ｍｎ：１．０ｗｔ％以下である。接合材の線膨張係数は、１１×１０-6／℃である。
　また、温度センサ１は、感温素子２と電極膜２０と接合材２２とをリード線２１の一部と共に封止する保護層５２を有する。
　保護層５２は、１０００℃以上の高温にて感温素子２を保護する効果を有する材料で構成される。その材料としては、無機材料、非晶質ガラス、結晶化ガラス等が挙げられる。それぞれが単独で所望の範囲の線熱膨張係数を有すれば単独で用いてもよいが、所望の線膨張係数を有するように非晶質ガラスと結晶化ガラスとを混合したもの、ガラスに無機材料粉末を添加したもの等を用いて構成してもよい。ガラスに添加する無機材料粉末としては、酸化アルミニウム（Ａｌ2Ｏ3）、酸化マグネシウム（ＭｇＯ）、酸化イットリウム（Ｙ2Ｏ3）、酸化クロム（Ｃｒ2Ｏ3）、酸化ジルコニウム（ＺｒＯ2）、感温素子２を構成する低熱膨張セラミックス等が挙げられる。保護層５２を構成する材料としては、高温で安定な結晶化ガラスに感温素子２を構成する低熱膨張セラミックスを４０重量％以上添加して線膨張係数を調整したものがより好ましい。
　結晶化ガラスの組成は、例えば、酸化ケイ素、酸化カルシウム、酸化マンガン、酸化アルミニウムから構成されるものが好ましい。そして、結晶化ガラスは、ＳｉＯ2：３０～６０重量％、ＣａＯ：１０～３０重量％、ＭｇＯ：５～２５重量％、Ａｌ2Ｏ3：０～１５重量％の組成を有することがより好ましい。
　本実施例の温度センサ１は、自動車の排気ガス温度測定用のセンサである。
　図２に示すごとく、温度センサ１においては、カバー４よりも後端側において、ガードチューブ１１が、シースピン３の外周を覆うように設けられている。そしてガードチューブ１１は、その後端部１１２においてシースピン３の後端部３０２と固定されている。ガードチューブ１１の後端部１１２とシースピン３の後端部３０２とは、全周溶接されている。また、ガードチューブ１１の先端部１１１は、シースピン３に固定されてはいないが、シースピン３の側面との間にほとんどクリアランスを設けずに、シースピン３の側面と干渉するように形成されている。
　また、ガードチューブ１１は、先端部１１１と後端部１１２とを、これらの間の部分よりも縮径したものであり、先端部１１１及び後端部１１２以外の部分においては、ガードチューブ１１とシースピン３との間にクリアランスが形成されている。
　また、ガードチューブ１１の外周にはリブ１２が配されている。そして、リブ１２は、ガードチューブ１１を介してシースピン３を保持している。
　リブ１２は、内燃機関への取付け用ボスの内壁の先端面に当接させる当接部１２１と、その後方に延びると共に当接部１２１よりも外径の小さい第１延設部１２２と、該第１延設部１２２よりも更に後方に延び、更に外径の小さい第２延設部１２３とからなる。これらの当接部１２１と第１延設部１２２と第２延設部１２３との内側に、ガードチューブ１１が挿嵌されている。
　また、第１延設部１２２の外周には、シースピン３、ガードチューブ１１及び外部リード１７の一部を保護する保護チューブ１３の一端が溶接固定されている。
　また、第２延設部１２３においては、リブ１２がガードチューブ１１に対して全周溶接されている。
　また、カバー４は、シースピン３の先端部３０１の外周に対して、全周溶接されている。
　ガードチューブ１１、シースピン３、及びカバー４は、ステンレス鋼またはＮｉ基耐熱合金からなる。更に、リブ１２、保護チューブ１３も、ステンレス鋼またはＮｉ基耐熱合金からなる。
　また、ガードチューブ１１の厚みは、シースピン３の外管部３４の厚みよりも大きくしてあり、ガードチューブ１１は、シースピン３の外管部３４よりも剛性が高い。
　また、図２に示すごとく、前記シースピン３は、Ｎｉ基耐熱合金からなる２本のリード線２１と、該リード線２１の周りに配置したマグネシア等の絶縁粉末からなる絶縁部３３と、該絶縁部３３の外周を覆うステンレス鋼からなる外管部３４とからなる。シースピン３は円柱形状を有し、外管部３４は円筒形状を有する。また、リード線２１は、絶縁部３３及び外管部３４から先端側及び後端側に露出している。そして、リード線２１の先端は感温素子２の電極膜２０に接合材２２によって接合され（図１参照）、リード線２１の後端は外部リード線１７に接続されている（図２参照）。
　また、図２及び図３に示すごとく、保護層５２は、室温から８５０℃の温度範囲においてカバー４の内側面に常に接触している。好ましくは室温から１０００℃の温度範囲において保護層５２がカバー４の内側面に常に接触していることがよい。
　また、保護層５２は、室温から８５０℃の温度範囲においてカバー４と化学反応を生じない。好ましくは、室温から１０００℃の温度範囲において外側保護層５２がカバー４と化学反応を生じないことがよい。
　また、図１に示すごとく、リード線２１は、感温素子２の外表面に接合されている。すなわち、感温素子２は、略直方体形状を有し、互いに平行な一対の面に、一対の電極膜２０が形成されており、それらの電極にそれぞれシースピン３内から伸びるリード線２１が直接接合されている。
　次に、本実施例の温度センサ１の製造方法の一例を説明する。
　まず、以下のように感温素子２を製造する。
　すなわち、窒化珪素（Ｓｉ3Ｎ4）粉末（平均粒径０．７μｍ）５２．２ｖｏｌ％と炭化ケイ素（ＳｉＣ）粉末（平均粒径０．２μｍ）４０ｖｏｌ％と、焼結助剤としての酸化イットリウム（Ｙ2Ｏ3）粉末（平均粒径０．５μｍ）５．５ｖｏｌ％と、添加剤としてのホウ化チタン（ＴｉＢ2）粉末（平均粒径０．４μｍ）２．３ｖｏｌ％とを混合し、エタノールを用いて２４時間ボールミルで混合した。
　次いで、混合原料を金型中に入れ、圧力２０ＭＰａで一軸プレス成形を行い、Ｎ2雰囲気、温度１８５０℃、プレス圧２０ＭＰａという条件でホットプレスを１時間行なった。これにより、縦１ｍｍ×横１ｍｍ×高さ０．５ｍｍの直方体形状（板状）の焼結体（低熱膨張セラミックス）からなる感温素子２を得た。
　次に、感温素子２の高さ方向の対向する一対の面に、Ｃｒ－Ｆｅ合金ペーストを１０μｍ程度の厚さに厚膜印刷し、温度１３００℃にて焼き付けることにより電極膜２０を形成した。Ｃｒ－Ｆｅ合金ペーストは、粒度約３０μｍ以下のものである。
　次に、以下のようにして、シースピン３内から伸びるＮｉ基合金からなるリード線２１を感温素子２の電極膜２０に接合する（図１参照）。
　即ち、まず、ＮＡＳ４４２５Ａ５系の鋼粒子（平均粒径１０μｍ）８０～８５ｗｔ％と、アクリル共重合体４～６ｗｔ％と、フタル酸ビス（メチルヘキシル）０．１～１ｗｔ％と、ソルベントナフサ１～２ｗｔ％と、乳酸ブチル５～１０ｗｔ％と、シリコン樹脂１ｗｔ％以下とを混合して、ペースト状の接合材を作製した。
　次いで、図４に示すごとく、感温素子２の一対の電極面２０に、シースピンから伸びるＮｉ基合金からなるリード線２１を当接させた。
　そして、図５及び図６に示すごとく、電極面２０とリード線との当接部にペースト状の接合材２２０をペーストポッティング方式で塗布した。その後、温度１２００℃で１時間加熱することにより、焼き付けを行なった。これにより、図１に示すごとく、感温素子２の電極面２０とリード線２１とを接合材２２により接合した。
　次に、例えば、ＳｉＯ2：３０～６０重量％、ＣａＯ：１０～３０重量％、ＭｇＯ：５～２５重量％、Ａｌ2Ｏ3：０～１５重量％からなる結晶化ガラス粉末を溶剤と混合してペースト化したものに、リード線２１を接合した感温素子２をディップして、所定量のガラスペーストを付着させた。乾燥後１２００℃にて熱処理することでガラスの結晶化と焼付けとを同時に行い、図１に示すごとく、保護層５２を形成した。ガラスペーストは線膨張係数を電極膜２０に合わせる。
　次いで、図２及び図３に示すごとく、シースピンから伸びるリード線２１に接合され、保護層５２に覆われた感温素子２を、温度３００℃以上に加熱したカバー４内に挿入した。次いで、カバー４を室温まで冷却し、カバー４をシースピン３の側面に溶接した。
　以上により、温度センサ１を得た。
　次に、本実施例の作用効果につき説明する。
　図１に示すごとく、本実施例の温度センサ１は、低熱膨張セラミックスからなる感温素子２を備える。そして、温度センサ１においては、Ｃｒ－Ｆｅ合金からなる電極膜２０と、Ｎｉ基合金からなるリード線２１とを、ペースト状のＦｅ－Ｃｒ－Ａｌ合金を焼付けてなる接合材２２によって接合している。
　このように、リード線２１と電極膜２０との接合部周辺の材質を特定することにより、感温素子２、電極膜２０、接合材２２、及びリード線２１の線膨張係数を相互に近づけることができる。さらに、感温素子２を構成する低熱膨張セラミックスの線膨張係数をＴa（／℃）、電極膜２０の線膨張係数をＴb（／℃）、接合材２２の線膨張係数をＴc（／℃）、及びリード線２１の線膨張係数をＴd（／℃）とすると、Ｔa≦Ｔb≦Ｔc≦Ｔdとすることが可能になり、これらの線膨張係数を段階的に近づけることができる。
　即ち、低熱膨張セラミックスからなる感温素子２とリード線２１との間で、電極膜２０及び接合部材２２を介して線膨張係数のなだらかな勾配が形成される。そのため、温度センサ１は、高温環境下においても断線し難く、信頼性が高い。また、温度センサ１は、ワイドレンジでの使用環境化においても熱応力を緩和でき、信頼性を向上できる。
　また、本実施例の温度センサにおいては、Ｎｉ基合金からなるリード線２１を採用しており、Ｐｔからなる従来のリード線と比べて強度が高い。そのため、振動に対する耐久性に優れ、断線し難い。なお、Ｎｉ基合金の代わりにフェライト系ステンレス鋼であるＦｅ－Ｃｒ－Ａｌ合金（例えば日新製鋼（株）製の「ＮＣＡ１」）を用いても本実施例と同様の効果が得られることを確認している。
　また、本実施例の温度センサ１においては、Ｎｉ基合金からなるリード線を採用しており、脱貴金属化を図ることができる。そのため、本実施例の温度センサ１は低コストで製造することが可能になる。
　また、本実施例においては、感温素子２を構成する低熱膨張セラミックスは、非酸化物からなる絶縁性のマトリックス粒子よりなる第１相と、該第１相に三次元網目状に不連続に分散した半導体又は導電性の第２相粒子とから構成されている。
　そのため、感度の良い温度センサが実現できると共に、還元劣化を防止できる耐熱性に優れた温度センサを実現することができる。
　また、本実施例の温度センサ１は、感温素子２と電極膜２０と接合材２２とをリード線２１の一部と共に封止する保護層５２を有する。
　そのため、感温素子２と電極膜２０とリード線２１と接合材２２との接合部における熱応力を緩和させることができると共に、接合部の保持力を向上させて振動に対する耐久性をより向上させることができる。
　このように本実施例によれば、低熱膨張の感温素子を備える温度センサにおいて、断線を防止できると共に低コストで作製できる温度センサを提供することができる。
（第２の実施例）
　本発明の第２の実施例に係る温度センサを説明する。
　なお、本第２の実施例及びそれ以降の実施例において、前述した第１の実施例に係る温度センサの構成要素と同一または同等の構成要素には同一符号を付してその説明を省略または簡略化する。
　本実施例は、第１の実施例とは感温素子に対する電極膜の形成方法等を変更して温度センサを作製する例である。本実施例の温度センサは、後述する電極膜の形成方法等を変更した点を除いては、第１の実施例と同様の構成を有する。
　本実施例の温度センサの作製にあたっては、具体的には、まず、第１の実施例と同様にして、感温素子を得た。
　次に、感温素子の高さ方向の対向する一対の面に、Ｃｒ－Ｆｅ合金ペーストを１０～２０μｍ程度の厚さに厚膜印刷し、温度１２００℃にて焼き付けることにより電極膜を形成した。Ｃｒ－Ｆｅ合金ペーストは、粒度約１０μｍ以下のものである。
　次に、以下のようにして、第１の実施例と同様にシースピン内から伸びるＮｉ基合金からなるリード線を感温素子の電極膜に接合する。
　即ち、まず、ＳＵＨ２１相当のＮＡＳ４４２５Ａ５系の鋼粒子（日本冶金工業株式会社製、粒径１０μｍ以下）８０～８５ｗｔ％と、アクリル共重合体４～６ｗｔ％と、フタル酸ビス（メチルヘキシル）０．１～１ｗｔ％と、ソルベントナフサ１～２ｗｔ％と、乳酸ブチル５～１０ｗｔ％と、シリコン樹脂１ｗｔ％以下とを混合して、ペースト状の接合材を作製した。
　次いで、感温素子の一対の電極膜に、シースピンから伸びるＮｉ基合金からなるリード線を当接させた。そして、電極膜とリード線との当接部にペースト状の接合材をペーストポッティング方式で塗布した後、温度１１００℃で１時間加熱することにより、焼き付けを行なった。これにより、感温素子の電極膜とリード線とを接合材により接合した。
　次に、第１の実施例と同様にして、リード線を接合した感温素子をディップして、乾燥後に熱処理することにより、保護層を形成した。
　次いで、第１の実施例と同様にして、シースピンから伸びるリード線に接合され、保護層に覆われた感温素子を、加熱したカバー内に挿入し、冷却し、カバーをシースピンの側面に溶接した。
　このようにして、本実施例の温度センサを得た。
　本実施例において作製した温度センサにおいても、第１の実施例と同様に、感温素子を構成する低熱膨張セラミックスの線膨張係数をＴa（／℃）、電極膜の線膨張係数をＴb（／℃）、接合材の線膨張係数をＴc（／℃）、及びリード線の線膨張係数をＴd（／℃）とすると、Ｔa≦Ｔb≦Ｔc≦Ｔdとすることが可能になり、これらの線膨張係数を段階的に近づけることができる。即ち、低熱膨張セラミックスからなる感温素子とリード線との間で、電極膜及び接合部材を介して線膨張係数のなだらかな勾配が形成される。そのため、本実施例の温度センサは、高温環境下においても断線し難く、信頼性が高い。また、温度センサは、ワイドレンジでの使用環境化においても熱応力を緩和でき、信頼性を向上できる。
　本実施例の温度センサは、その他、第１の実施例と同様の作用効果を示すことができる。
（第３の実施例）
　図７を参照して、本発明の第３の実施例に係る温度センサを説明する。
　本実施例は、感温素子の電極膜に接合したリード線を、シースピンから伸びる信号線に接合した構成の温度センサに関する。
　具体的には、図７に示すごとく、本実施例の温度センサ６においては、第１の実施例と同様に、直方体状の感温素子２と、その表面に設けられた一対の電極膜２０と、これに接合されたリード線２１とを有し、リード線２１は、電極膜２０に接合材２２によって接合されている。
　本実施例においては、電極膜２０に接合された一対のリード線２１は、シースピン３の先端から伸びる信号線２１５に接合されている。リード線２１と信号線２１５との接合は、レーザー溶接により行うことができる。信号線２１５の後端は、第１の実施例と同様の外部リード線に接続されている（図示略）。
　本実施例において、リード線２１は、Ｆｅ－Ｃｒ－Ａｌ合金からなるＳＵＨ２１（ＪＩＳ　Ｇ４３１２）からなる。その線膨張係数は、１１×１０-6／℃である。
　また、信号線２１５は、Ｎｉ基合金（ＮＣＦ６０１）である大同スペシャルメタル株式会社製の「インコネル（ＩＮＣＯＮＥＬ：登録商標）６０１」からなる。その線膨張係数は、１４×
１０-6／℃である。
　その他の構成は、第１の実施例と同様である。
　本実施例の温度センサ６においても、第１の実施例及び２と同様に、感温素子２を構成する低熱膨張セラミックスの線膨張係数をＴa（／℃）、電極膜２０の線膨張係数をＴb（／℃）、接合材２２の線膨張係数をＴc（／℃）、及びリード線２１の線膨張係数をＴd（／℃）とすると、Ｔa≦Ｔb≦Ｔc≦Ｔdとすることが可能になり、これらの線膨張係数を段階的に近づけることができる（図７参照）。即ち、低熱膨張セラミックスからなる感温素子２とリード線２１との間で、電極膜２０及び接合部材２２を介して線膨張係数のなだらかな勾配が形成される。そのため、本実施例の温度センサ６は、ワイドレンジでの使用環境化においても熱応力を緩和でき、信頼性を向上できる。
　本実施例の温度センサは、その他、第１の実施例と同様の作用効果を発揮することができる。
（第４の実施例）
　図８を参照して、本発明の第３の実施例に係る温度センサを説明する。
　本実施例では、感温素子と接合材との接合面において、感温素子の端部と接合材の外縁との最短距離と、クラックの発生との関係について言及する。即ち、電極面とリード線との当接部に形成する接合材の大きさの異なる複数の温度センサ（試料Ｘ１～試料Ｘ５）を作製し、接合材形成後の感温素子に発生するクラックの有無を調べる。
　具体的には、まず、第１の実施例と同様にして、感温素子を作製し、感温素子の高さ方向の対向する一対の面に、Ｃｒ－Ｆｅ合金ペーストを１０～２０μｍ程度の厚さに厚膜印刷し、温度１２００℃にて焼き付けることにより電極膜を形成した。Ｃｒ－Ｆｅ合金ペーストは、粒度約１０μｍ以下のものである。
　次いで、ＳＵＨ２１相当のＮＡＳ４４２５Ａ５系の鋼粒子（日本冶金工業株式会社製、平均粒径１０μｍ）８０～８５ｗｔ％と、アクリル共重合体４～６ｗｔ％と、フタル酸ビス（メチルヘキシル）０．１～１ｗｔ％と、ソルベントナフサ１～２ｗｔ％と、乳酸ブチル５～１０ｗｔ％と、シリコン樹脂１ｗｔ％以下とを混合して、ペースト状の接合材を作製した。
　次いで、第１の実施例と同様に、感温素子に形成された一対の電極膜に、Ｎｉ基合金からなるリード線を当接させた。そして、電極膜とリード線との当接部にペースト状の接合材をペーストポッティング方式で塗布した。その後、温度１１００℃で１時間加熱することにより、焼き付けを行なった。これにより、感温素子２の電極膜２０とリード線２１とを接合材２２により接合した（図８参照）。
　本実施例においては、ペースト状の接合材の塗布量を変更することにより、電極膜上における接合面積を代えて大きさの異なる接合材を形成した。
　その他は、第１の実施例と同様にして、温度センサを作製することができる。
　本実施例においては、感温素子２と接合材２２との接合面において、感温素子２の端部２８と接合材２２の外縁２２９との最短距離（ａ、ｂ、ｃ、又はｄ）を測定した。図８に示すごとく、本実施例においては、接合材２２を形成した直方体状の感温素子２の表面を、接合体を形成した側から上面視したときに、接合材２２は、その外縁２２９が略円形状になるように形成されている。したがって、上述の最短距離は、図８における距離ａ又は距離ｂ又は距離ｃ又は距離ｄになる。
　本実施例において作製した試料Ｘ１～試料Ｘ５の温度センサにおいて、距離ａ又は距離ｂ又は距離ｃ又は距離ｄを測定し、その最短距離を調べた。その結果を表１に示す。
　また、各試料について、接合材を形成した後に、感温素子に発生しうるクラックの有無を顕微鏡により調べた。クラックの有無は、各試料Ｘ１～Ｘ５と同様の条件で作製した温度センサ５つについてそれぞれ行った（Ｎ＝５）。その結果を表１に示す。なお、表１においては、クラックが観察された場合を「×」として表し、クラックが観察されなかった場合を「○」として表す。
Figure JPOXMLDOC01-appb-T000001
 　
　表１より知られるごとく、感温素子２と接合材２２との接合面において、感温素子２の端部２８と接合材２２との最短距離が少なくとも０．１ｍｍ以上である場合（試料Ｘ３～５）には、５回の測定においてもクラックの発生は無かった。これに対し、感温素子２の端部２８と接合材２２との最短距離が０．１ｍｍ未満である場合（試料Ｘ１及びＸ２）には、５回の測定の少なくともいずれかにおいて、接合材の形成後の感温素子にクラックの発生が観察された。
　このように、本実施例によれば、感温素子２と接合材２２との接合面における感温素子２の端部２８と接合材２２との最短距離は、少なくとも０．１ｍｍ以上であることが好ましいことがわかる。
（第５の実施例）
　図９を参照して、本発明の第３の実施例に係る温度センサを説明する。
　本実施例では、接合材を用いずに電極膜とリード線とを接合して温度センサを作製する例を示す。
　具体的には、図９に示すごとく、電極膜２０とリード線２１とをレーザー溶接により接合する。また、本実施例においては、保護層を形成せずに、温度センサ７を作製する。本実施例の温度センサ７は、接合材を用いずにレーザー溶接により電極膜２０とリード線２１とを接合し、保護層を形成していない点を除いては、第１の実施例と同様の構成を有する。
　図９に示すごとく、本実施例の温度センサ７の作製にあたっては、具体的には、まず、第１の実施例と同様にして、感温素子２を作製した。次に、感温素子２の高さ方向の対向する一対の面に、Ｃｒ－Ｆｅ合金ペーストを１０～２０μｍ程度の厚さに厚膜印刷し、温度１２００℃にて焼き付けることにより電極膜２０を形成した。Ｃｒ－Ｆｅ合金ペーストは、粒度約１０μｍ以下のものである。
　次に、シースピン３内から伸びるＮｉ基合金からなるリード線２１を感温素子２の電極膜２０に当接させ、当接部においてレーザー溶接により電極膜２０とリード線２１とを接合した。本実施例においては、レーザー溶接により接合したが、例えば抵抗溶接により接合することもできる。
　次に、第１の実施例と同様にして、シースピン３から伸びるリード線２１に接合された感温素子２を、加熱したカバー４内に挿入し、冷却し、カバーをシースピンの側面に溶接した。
　このようにして、本実施例の温度センサ７を得た。
　本実施例において作製した温度センサ７においては、感温素子２を構成する低熱膨張セラミックスの線膨張係数をＴa（／℃）、電極膜２０の線膨張係数をＴb（／℃）、及びリード線の線膨張係数をＴd（／℃）とすると、Ｔa≦Ｔb≦Ｔdとすることが可能になり、これらの線膨張係数を段階的に近づけることができる。即ち、低熱膨張セラミックスからなる感温素子２とリード線２１との間で、電極膜２０を介して線膨張係数のなだらかな勾配が形成される。そのため、本実施例の温度センサ７は、ワイドレンジでの使用環境化においても熱応力を緩和でき、信頼性を向上できる。
　また、図９に示すごとく、本実施例の温度センサ７においては、接合材を用いずに、レーザー溶接によりリード線２１と電極膜２０とが接合されており、リード線２１と電極膜２０との接合部には、溶接部２１０が形成される。溶接部２１０は、レーザー溶接により、リード線２１及び電極膜２０が部分的に溶融後硬化してなる。
　そのため、接合材を用いた所謂拡散接合よりも接合部の強度を高くすることができる。また、接合材を用いた接合の場合には真空炉等による熱処理が必要になるが、本実施例のように溶接による接合を行った場合には、接合時に熱処理を行う必要がない。そのため、生産性が高くなる。また、残留熱ひずみの発生を防止することができるため、耐熱応力を向上させることができる。
　本実施例の温度センサは、その他、第１の実施例と同様の作用効果を示すことができる。
　なお、本実施例においては、保護層を形成せずに温度センサを作製したが、第１の実施例と同様に、リード線を接合した感温素子をディップして、乾燥後に熱処理することにより、保護層を形成することもできる。
　１　温度センサ
　２　感温素子
　２０　電極膜
　２１　リード線
　２２　接合材

Claims (8)

  1. 　温度によって電気特性が変化する線膨張係数３×１０-6～５×１０-6／℃の低熱膨張セラミックスからなる感温素子と、該感温素子の表面に設けられた一対の電極膜と、該電極膜に接合された線膨張係数が１５×１０-6／℃以下の一対のリード線とを有する温度センサであって、
    　前記感温素子、前記電極膜、及び前記リード線の線膨張係数をそれぞれＴa（／℃），Ｔb（／℃）、及びＴd（／℃）としたとき、Ｔa≦Ｔb≦Ｔdの関係を満足することを特徴とする温度センサ。
  2. 　請求項１に記載の温度センサにおいて、
    　前記電極膜と前記リード線とは金属からなる接合材を介して接合されており、かつ前記接合材の線膨張係数をＴc（／℃）としたとき、Ｔa≦Ｔb≦Ｔc≦Ｔdの関係を満足することを特徴とする温度センサ。
  3. 　請求項１又は２に記載の温度センサにおいて、
    　前記電極膜と前記リード線と前記接合材は、少なくともＣｒ及びＦｅを含有する合金からなることを特徴とする温度センサ。
  4. 　請求項１～３のいずれか一項に記載の温度センサにおいて、
    　前記電極膜の線膨張係数Ｔb（／℃）は、Ｔb≦１１×１０-6であることを特徴とする温度センサ。
  5. 　請求項２～４のいずれか一項に記載の温度センサにおいて、
    　前記接合材Ｔc（／℃）は、Ｔc≦１２×１０-6であることを特徴とする温度センサ。
  6. 　請求項２～５のいずれか一項に記載の温度センサにおいて、
    　前記電極膜は、前記感温素子における対向する一対の表面にそれぞれ全面にわたって形成されており、前記感温素子と前記接合材との接合面においては、前記感温素子の端部と前記接合材との最短距離が少なくとも０．１ｍｍ以上であることを特徴とする温度センサ。
  7. 　請求項１～６のいずれか一項に記載の温度センサにおいて、
    　前記感温素子は、窒化珪素のマトリックス粒子よりなるマトリックス相を有することを特徴とする温度センサ。
  8. 　請求項１～７のいずれか一項に記載の温度センサにおいて、
    　前記感温素子と前記電極膜とを前記リード線の一部と共に封止する保護層を有することを特徴とする温度センサ。
PCT/JP2011/060099 2010-04-28 2011-04-26 感温素子を備えた温度センサ WO2011136193A1 (ja)

Priority Applications (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DE112011101480.5T DE112011101480B4 (de) 2010-04-28 2011-04-26 Temperatursensor mit einem wärmeempfindlichen Bauteil
CN201180020816.5A CN102869966B (zh) 2010-04-28 2011-04-26 包括热敏元件的温度传感器
US13/695,078 US9714869B2 (en) 2010-04-28 2011-04-26 Temperature sensor including thermosensitive element

Applications Claiming Priority (4)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2010104412 2010-04-28
JP2010-104412 2010-04-28
JP2011-070783 2011-03-28
JP2011070783A JP5304822B2 (ja) 2010-04-28 2011-03-28 温度センサ

Publications (1)

Publication Number Publication Date
WO2011136193A1 true WO2011136193A1 (ja) 2011-11-03

Family

ID=44861492

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
PCT/JP2011/060099 WO2011136193A1 (ja) 2010-04-28 2011-04-26 感温素子を備えた温度センサ

Country Status (5)

Country Link
US (1) US9714869B2 (ja)
JP (1) JP5304822B2 (ja)
CN (1) CN102869966B (ja)
DE (1) DE112011101480B4 (ja)
WO (1) WO2011136193A1 (ja)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2016152395A (ja) * 2015-02-19 2016-08-22 株式会社豊田中央研究所 セラミックス／金属接合体

Families Citing this family (22)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101916238B1 (ko) * 2011-06-28 2019-01-30 엘지이노텍 주식회사 진공 열처리 장치
JP5736348B2 (ja) * 2012-06-21 2015-06-17 立山科学工業株式会社 薄膜抵抗体温度センサとその製造方法
DE102012110822A1 (de) * 2012-11-12 2014-05-15 Epcos Ag Temperatursensorsystem und Verfahren zur Herstellung eines Temperatursensorsystems
DE102012110858A1 (de) * 2012-11-12 2014-05-15 Epcos Ag Temperatursensorsystem und Verfahren zur Herstellung eines Temperatursensorsystems
DE102012110845A1 (de) * 2012-11-12 2014-05-15 Epcos Ag Temperaturfühler und Verfahren zur Herstellung eines Temperaturfühlers
JP6412309B2 (ja) * 2013-03-12 2018-10-24 日本特殊陶業株式会社 サーミスタ素子、温度センサ及びサーミスタ素子の製造方法
CN103398797B (zh) * 2013-08-16 2016-11-09 广东爱晟电子科技有限公司 热敏电阻温度传感器及其制作方法
US10281337B2 (en) * 2013-09-20 2019-05-07 Furuya Metal Co., Ltd. Thermocouple and manufacturing method for same
JP2015190904A (ja) * 2014-03-28 2015-11-02 日本特殊陶業株式会社 温度センサ
JP6265001B2 (ja) * 2014-03-28 2018-01-24 株式会社デンソー 温度センサ
KR101578366B1 (ko) * 2014-04-24 2015-12-29 (주)래트론 온도 센서 소자 및 그 제조 방법
KR101646711B1 (ko) * 2014-04-25 2016-08-09 (주) 래트론 온도 센서 소자 및 그 제조 방법
JP6297914B2 (ja) 2014-05-01 2018-03-20 日本特殊陶業株式会社 感温素子および温度センサ
DE102014110560A1 (de) * 2014-07-25 2016-01-28 Epcos Ag Sensorelement, Sensoranordnung und Verfahren zur Herstellung eines Sensorelements und einer Sensoranordnung
DE102014110553A1 (de) 2014-07-25 2016-01-28 Epcos Ag Sensorelement, Sensoranordnung und Verfahren zur Herstellung eines Sensorelements
JP6296081B2 (ja) 2015-04-03 2018-03-20 株式会社デンソー 温度センサ
DE102016107931A1 (de) 2016-04-28 2017-11-02 Epcos Ag Elektronisches Bauelement zur Einschaltstrombegrenzung und Verwendung eines elektronischen Bauelements
DE102017111252A1 (de) 2017-05-23 2018-11-29 Man Truck & Bus Ag Verfahren zur Echtzeit-Detektion von Ablagerungen bei Verbrennungsmotoren mit AGN-Systemen
CN114097046B (zh) * 2019-10-03 2023-06-06 株式会社芝浦电子 温度传感器元件及温度传感器元件的制造方法
DE102020126833A1 (de) 2020-10-13 2022-04-14 Tdk Electronics Ag Sensoranordnung und Verfahren zur Herstellung einer Sensoranordnung
US11590576B2 (en) 2021-06-24 2023-02-28 Baker Hughes Oilfield Operations Llc Method of forming a high temperature sensor
DE102021123241A1 (de) 2021-09-08 2023-03-09 Tdk Electronics Ag Verfahren zum Aufbringen einer Beschichtung auf mindestens ein elektronisches Bauteil und Sensoranordnung mit einer Beschichtung

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS62189701A (ja) * 1986-02-15 1987-08-19 宝工業株式会社 炭化硅素焼結体サ−ミスタ
JPH08162302A (ja) * 1994-12-05 1996-06-21 Matsushita Electric Ind Co Ltd サーミスタとその製造方法
JPH08273904A (ja) * 1995-03-31 1996-10-18 Toyota Central Res & Dev Lab Inc サーミスタ材料およびその製造方法

Family Cites Families (16)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN87103486B (zh) * 1987-05-07 1988-08-10 中国科学院新疆物理研究所 一种具有负电阻温度系数的单晶硅热敏电阻器及其制造方法
JPH0448701A (ja) * 1990-06-15 1992-02-18 Daito Tsushinki Kk 自己復帰形過電流保護素子
JPH0521208A (ja) * 1991-05-07 1993-01-29 Daito Tsushinki Kk Ｐｔｃ素子
JP3339652B2 (ja) * 1992-10-21 2002-10-28 株式会社豊田中央研究所 複合材料およびその製造方法
JP3461054B2 (ja) * 1994-04-04 2003-10-27 株式会社豊田中央研究所 複合材料
WO1996005151A1 (fr) 1994-08-09 1996-02-22 Kabushiki Kaisha Toyota Chuo Kenkyusho Materiau composite et son procede de fabrication
JP4284756B2 (ja) * 1999-06-08 2009-06-24 株式会社豊田中央研究所 ワイドレンジ用サーミスタ材料
US7748898B2 (en) * 2007-02-27 2010-07-06 Denso Corporation Temperature sensor and method of producing the temperature sensor
JP4990256B2 (ja) * 2007-10-15 2012-08-01 株式会社デンソー 温度センサ及びその製造方法
JP5347553B2 (ja) * 2009-02-20 2013-11-20 Ｔｄｋ株式会社 サーミスタ素子
JP2010261860A (ja) * 2009-05-08 2010-11-18 Shibaura Electronics Co Ltd 温度センサ及び温度センサシステム
JP5437304B2 (ja) * 2010-04-28 2014-03-12 株式会社デンソー 温度センサ素子及びその製造方法、温度センサ
JP5678520B2 (ja) * 2010-08-26 2015-03-04 Tdk株式会社 サーミスタ素子
US8690423B2 (en) * 2010-09-07 2014-04-08 Stoneridge, Inc. Temperature sensor
JP5561292B2 (ja) * 2012-03-06 2014-07-30 株式会社デンソー 温度センサ
JP6292148B2 (ja) * 2014-07-31 2018-03-14 株式会社デンソー 温度センサ

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS62189701A (ja) * 1986-02-15 1987-08-19 宝工業株式会社 炭化硅素焼結体サ−ミスタ
JPH08162302A (ja) * 1994-12-05 1996-06-21 Matsushita Electric Ind Co Ltd サーミスタとその製造方法
JPH08273904A (ja) * 1995-03-31 1996-10-18 Toyota Central Res & Dev Lab Inc サーミスタ材料およびその製造方法

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2016152395A (ja) * 2015-02-19 2016-08-22 株式会社豊田中央研究所 セラミックス／金属接合体

Also Published As

Publication number Publication date
CN102869966B (zh) 2015-02-11
CN102869966A (zh) 2013-01-09
US9714869B2 (en) 2017-07-25
US20130223479A1 (en) 2013-08-29
DE112011101480T5 (de) 2013-05-29
JP5304822B2 (ja) 2013-10-02
JP2011247876A (ja) 2011-12-08
DE112011101480B4 (de) 2018-11-15

Similar Documents

Publication Publication Date Title
WO2011136193A1 (ja) 感温素子を備えた温度センサ
JP5437304B2 (ja) 温度センサ素子及びその製造方法、温度センサ
JP4990256B2 (ja) 温度センサ及びその製造方法
CN103249520B (zh) 大气接合用钎料、接合体以及集电材料
KR102202323B1 (ko) 금속-세라믹 땜납 연결을 생성하는 방법
JP6297914B2 (ja) 感温素子および温度センサ
JP2015534083A (ja) 温度センサシステムおよび温度センサシステムの製造方法
JP5205180B2 (ja) 温度センサ用感温体
JP5388940B2 (ja) 接合体及びその製造方法
JP6404726B2 (ja) 感温素子及び温度センサ
JP5346867B2 (ja) サーミスタ素子及び温度センサ
JP2015534085A (ja) 温度センサシステムおよび温度センサシステムの製造方法
CN108369845B (zh) 热敏电阻及使用热敏电阻的装置
JP5569455B2 (ja) 温度センサ及びその製造方法
JP6545627B2 (ja) 温度センサ
JP5211971B2 (ja) 温度センサ
JP4834264B2 (ja) スパークプラグ
US10302505B2 (en) Temperature sensor
JP3731501B2 (ja) 金属溶湯用熱電対
JP6430910B2 (ja) 感温素子および温度センサ
JP2013197127A (ja) サーミスタ素子
JP6300401B2 (ja) サーミスタ素子、及び、これを用いた温度センサ
JP6404725B2 (ja) 感温素子及び温度センサ
JP2010272805A (ja) サーミスタ素子とその製造方法
JP2011038926A (ja) 温度センサ

Legal Events

Date Code Title Description
WWE Wipo information: entry into national phase

Ref document number: 201180020816.5

Country of ref document: CN

121 Ep: the epo has been informed by wipo that ep was designated in this application

Ref document number: 11774974

Country of ref document: EP

Kind code of ref document: A1

WWE Wipo information: entry into national phase

Ref document number: 1120111014805

Country of ref document: DE

Ref document number: 112011101480

Country of ref document: DE

WWE Wipo information: entry into national phase

Ref document number: 13695078

Country of ref document: US

122 Ep: pct application non-entry in european phase

Ref document number: 11774974

Country of ref document: EP

Kind code of ref document: A1