JPH0448701A - 自己復帰形過電流保護素子 - Google Patents
自己復帰形過電流保護素子Info
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- JPH0448701A JPH0448701A JP2156917A JP15691790A JPH0448701A JP H0448701 A JPH0448701 A JP H0448701A JP 2156917 A JP2156917 A JP 2156917A JP 15691790 A JP15691790 A JP 15691790A JP H0448701 A JPH0448701 A JP H0448701A
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01C—RESISTORS
- H01C1/00—Details
- H01C1/02—Housing; Enclosing; Embedding; Filling the housing or enclosure
- H01C1/028—Housing; Enclosing; Embedding; Filling the housing or enclosure the resistive element being embedded in insulation with outer enclosing sheath
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01C—RESISTORS
- H01C7/00—Non-adjustable resistors formed as one or more layers or coatings; Non-adjustable resistors made from powdered conducting material or powdered semi-conducting material with or without insulating material
- H01C7/02—Non-adjustable resistors formed as one or more layers or coatings; Non-adjustable resistors made from powdered conducting material or powdered semi-conducting material with or without insulating material having positive temperature coefficient
- H01C7/027—Non-adjustable resistors formed as one or more layers or coatings; Non-adjustable resistors made from powdered conducting material or powdered semi-conducting material with or without insulating material having positive temperature coefficient consisting of conducting or semi-conducting material dispersed in a non-conductive organic material
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の目的〕
(産業上の利用分野)
本発明は有機質正温度特性組成物を用いた自己復帰形過
電流保護素子に関する。
電流保護素子に関する。
(従来の技術)
従来、この種の自己復帰形過電流保護素子は、一般に第
6図に示されるように有機質正温度特性組成物より成る
素子本体1の両側に電極2を取付け、さらに電極2にリ
ード線3を接続したものであり、さらにこれらの周囲は
外装材4で被覆された構造となっている。
6図に示されるように有機質正温度特性組成物より成る
素子本体1の両側に電極2を取付け、さらに電極2にリ
ード線3を接続したものであり、さらにこれらの周囲は
外装材4で被覆された構造となっている。
外装材4の材質としてはエポキシ樹脂、フェノール樹脂
、エポキシ変性フェノール樹脂がある。
、エポキシ変性フェノール樹脂がある。
これらの樹脂はいずれも引張試験において伸び率10%
での引張応力が大きく、破壊時の伸び率も極めて小さい
樹脂である。
での引張応力が大きく、破壊時の伸び率も極めて小さい
樹脂である。
また特公平1−21601号公報に記載されている正特
性サーミスタは第7図に示すように外装材としてケース
5を用い、そのケース5の中にばね性を有するリード線
3を挿入してリード線3と電極2を接触させ、ばねの力
によって素子本体1と電極2とを密着させた構造となっ
ている。
性サーミスタは第7図に示すように外装材としてケース
5を用い、そのケース5の中にばね性を有するリード線
3を挿入してリード線3と電極2を接触させ、ばねの力
によって素子本体1と電極2とを密着させた構造となっ
ている。
(発明が解決しようとする課題)
まず、自己復帰形過電流保護素子の限流動作の原理につ
いて簡単に説明する。
いて簡単に説明する。
自己復帰形過電流保護素子を用いた回路に過電流や過電
圧などの異常が生じた場合、回路内の自己復帰形過電流
保護素子はジュール熱によって発熱し、高分子物質に導
電性粒子を分散した素子本体はその熱によって膨張する
。その結果、素子本体中に分散されて各々接触していた
導電性粒子間は引き離されるので接触数は少なくなり素
子の抵抗値は増大し、回路電流は小さくなり限流動作が
行なわれる。そこで、限流後の回路電流を小さくするよ
うに限流動作を確実に行なうには、限流動作時の抵抗値
の増大する割合、すなわち正温度係数(Posiliw
e Tempe+tlu+e Corflicienl
以下PTCと略)の特性(以下PTC特性と略)が大き
いほど良いということになる。
圧などの異常が生じた場合、回路内の自己復帰形過電流
保護素子はジュール熱によって発熱し、高分子物質に導
電性粒子を分散した素子本体はその熱によって膨張する
。その結果、素子本体中に分散されて各々接触していた
導電性粒子間は引き離されるので接触数は少なくなり素
子の抵抗値は増大し、回路電流は小さくなり限流動作が
行なわれる。そこで、限流後の回路電流を小さくするよ
うに限流動作を確実に行なうには、限流動作時の抵抗値
の増大する割合、すなわち正温度係数(Posiliw
e Tempe+tlu+e Corflicienl
以下PTCと略)の特性(以下PTC特性と略)が大き
いほど良いということになる。
以上より、PTC特性が小さいと限流後の回路電流を小
さくすることができないので、過電流保護素子として適
切ではない。
さくすることができないので、過電流保護素子として適
切ではない。
第6図に示す従来の過電流保護素子の外装材としてのエ
ポキシ樹脂は引張試験における伸び率10%での引張応
力が大きく、破壊時の伸び率が極めて小さいため次のよ
うな問題が生ずる。
ポキシ樹脂は引張試験における伸び率10%での引張応
力が大きく、破壊時の伸び率が極めて小さいため次のよ
うな問題が生ずる。
(1)限流動作時、素子本体1の膨張を妨害しないよう
に外装材4を膨張させるためには大きな弓張応力は不都
合である。また伸び率が小さいために保護素子の熱膨張
が抑制される。そのために素子本体1の中の導電性粒子
間の接触数の減少率は小さく、それによって限流時の素
子抵抗値は大きく変化しないのでPTC特性が抑えこま
れる。
に外装材4を膨張させるためには大きな弓張応力は不都
合である。また伸び率が小さいために保護素子の熱膨張
が抑制される。そのために素子本体1の中の導電性粒子
間の接触数の減少率は小さく、それによって限流時の素
子抵抗値は大きく変化しないのでPTC特性が抑えこま
れる。
(2)素子本体1の熱膨張が大きい場合には、外装材4
の伸び率が小さいために外装材4にクラックが生ずる。
の伸び率が小さいために外装材4にクラックが生ずる。
このため素子本体1は外気に触れるため耐電圧の低下な
どの劣化を速めることになる。
どの劣化を速めることになる。
また特公平1−21601号公報に記載の正特性サーミ
スタは、リード線3のばね力によりPTC素子本体1の
膨張を抑えてしまうおそれがある。
スタは、リード線3のばね力によりPTC素子本体1の
膨張を抑えてしまうおそれがある。
本発明は上記問題点に鑑み素子本体のスイッチング温度
において素子本体の熱膨張を抑制せず素子本体の限流時
に抵抗を大きく変化させることができ、かつ、素子本体
の熱膨張時に外装材にクラック等を生ずるおそれのない
自己復帰形過電流保護素子を提供するものである。
において素子本体の熱膨張を抑制せず素子本体の限流時
に抵抗を大きく変化させることができ、かつ、素子本体
の熱膨張時に外装材にクラック等を生ずるおそれのない
自己復帰形過電流保護素子を提供するものである。
(課題を解決するための手段)
本発明の請求項1に記載の自己復帰形過電流保護素子は
、結晶性高分子物質中に導電性粒子を分散した組成物よ
りなる有機質正温度特性素子本体と、この素子本体に接
続された電極と、この電極に接続されたリード線と、少
なくとも前記素子本体と前記電極の周縁とを被覆した電
気絶縁性外装材とよりなる自己復帰形過電流保護素子に
おいて、スイッチング温度における前記外装材の、伸び
率10%での引張応力は0.4 kg f / wm7
以下、破壊時の伸び率は5%以上であるものである。
、結晶性高分子物質中に導電性粒子を分散した組成物よ
りなる有機質正温度特性素子本体と、この素子本体に接
続された電極と、この電極に接続されたリード線と、少
なくとも前記素子本体と前記電極の周縁とを被覆した電
気絶縁性外装材とよりなる自己復帰形過電流保護素子に
おいて、スイッチング温度における前記外装材の、伸び
率10%での引張応力は0.4 kg f / wm7
以下、破壊時の伸び率は5%以上であるものである。
本発明の請求項2に記載の自己復帰形過電流保護素子は
、外装材は、弾性エポキシ樹脂またはシリコーン樹脂で
あるものである。
、外装材は、弾性エポキシ樹脂またはシリコーン樹脂で
あるものである。
(作用)
本発明の自己復帰形過電流保護素子は外装材として、伸
び率10%での引張応力が0.4kgf/閣2以下、破
壊時の伸び率5%以上の電気絶縁性材料を用い、限流時
の素子本体の熱膨張が抑制される程度を少なくし、素子
本体の熱膨張を大きくする。
び率10%での引張応力が0.4kgf/閣2以下、破
壊時の伸び率5%以上の電気絶縁性材料を用い、限流時
の素子本体の熱膨張が抑制される程度を少なくし、素子
本体の熱膨張を大きくする。
素子本体の熱膨張が大きくなるため内部の導電性粒子間
の接触数が小さくなり、限流時の抵抗値が大きくなる。
の接触数が小さくなり、限流時の抵抗値が大きくなる。
したがって、限流時のPTC特性が大きくなる。また、
伸び率が大きいため素子本体が熱膨張しても外装材にク
ラックが生じない。
伸び率が大きいため素子本体が熱膨張しても外装材にク
ラックが生じない。
(実施例)
実施例1
結晶性高分子物質として高密度ポリエチレン(ハイゼッ
クス1300J・三井石油化学工業株式会社製)82g
と低密度ポリエチレン(ウルトゼックス2022L・三
井石油化学工業株式会社製)18g、さらに、導電性粒
子としてのカーボンブラック(旭#60H・旭カーボン
株式会社製)36g及び無機充填材として水酸化アルミ
ニウム(B 703・ST・日本軽金属株式会社製)5
0gを加え、さらにカーボンブラック粒子表面にポリエ
チレンをグラフトさせてカーボンブラックの分散を良好
にさせるためにグラフト化剤として有機過酸化物である
ジクミルパーオキサイド(パークミルD−40・日本油
脂株式会社製)0.9gを添加して、混練り温度を13
5℃に保ち、2本ロールで60分間混練りして第1図に
示すように所定の素子形状の成形品8畠を得た。成形品
81に金属箔電極6を熱圧着させた後、γ線を照射して
高分子相互間に架橋構造を与えた。
クス1300J・三井石油化学工業株式会社製)82g
と低密度ポリエチレン(ウルトゼックス2022L・三
井石油化学工業株式会社製)18g、さらに、導電性粒
子としてのカーボンブラック(旭#60H・旭カーボン
株式会社製)36g及び無機充填材として水酸化アルミ
ニウム(B 703・ST・日本軽金属株式会社製)5
0gを加え、さらにカーボンブラック粒子表面にポリエ
チレンをグラフトさせてカーボンブラックの分散を良好
にさせるためにグラフト化剤として有機過酸化物である
ジクミルパーオキサイド(パークミルD−40・日本油
脂株式会社製)0.9gを添加して、混練り温度を13
5℃に保ち、2本ロールで60分間混練りして第1図に
示すように所定の素子形状の成形品8畠を得た。成形品
81に金属箔電極6を熱圧着させた後、γ線を照射して
高分子相互間に架橋構造を与えた。
次に架橋界の電極6の表面にリード線7をスポット溶接
によって取付は素子本体8を得た。さらに、リードlR
7のスポット溶接部を含む素子本体8の周囲に外装材9
としてシリコーン樹脂(KJ R−4013・信越化学
工業株式会社製)を約1−厚でコーティングし室温硬化
させた後、100℃で2hの熱処理を施し第1図に示す
素子Aを得た。この素子Aの抵抗値は約5ΩでPTC特
性は7.11であった。また外装材9にクラックは生じ
なかった。
によって取付は素子本体8を得た。さらに、リードlR
7のスポット溶接部を含む素子本体8の周囲に外装材9
としてシリコーン樹脂(KJ R−4013・信越化学
工業株式会社製)を約1−厚でコーティングし室温硬化
させた後、100℃で2hの熱処理を施し第1図に示す
素子Aを得た。この素子Aの抵抗値は約5ΩでPTC特
性は7.11であった。また外装材9にクラックは生じ
なかった。
PTC特性は次のようにして求めた。すなわち素子Aを
恒温槽中に放置し、恒温槽内の温度を素子Aの温度が十
分に槽内温度と同じになるような昇温速度で150℃ま
で加熱を続け、その時の素子Aの抵抗温度特性を測定し
た。素子抵抗値は、高密度ポリエチレンの結晶融点付近
の130℃前後つまりスイッチング温度で最大になる。
恒温槽中に放置し、恒温槽内の温度を素子Aの温度が十
分に槽内温度と同じになるような昇温速度で150℃ま
で加熱を続け、その時の素子Aの抵抗温度特性を測定し
た。素子抵抗値は、高密度ポリエチレンの結晶融点付近
の130℃前後つまりスイッチング温度で最大になる。
この最大素子抵抗値を次式で示されるように20℃での
素子抵抗値で除した値の対数値をPTC特性とした。
素子抵抗値で除した値の対数値をPTC特性とした。
PTCIR性=log”””
Rzo℃
ここでRmaxは抵抗温度特性での最大素子抵抗値
R20’Cは抵抗温度特性での20℃での素子抵抗値を
示す。
示す。
外装材9に用いたシリコーン樹脂の130℃での引張試
験における伸び率10%での引張応力はO,OG5 k
g f /wn2、破壊時の伸び率は200%であった
。保護素子Aのスイッチング温度130℃で引張試験を
行なった理由は、スイッチング温度において素子本体8
が熱膨張し外装材9の伸び率、引張応力の影響が出るた
めである。
験における伸び率10%での引張応力はO,OG5 k
g f /wn2、破壊時の伸び率は200%であった
。保護素子Aのスイッチング温度130℃で引張試験を
行なった理由は、スイッチング温度において素子本体8
が熱膨張し外装材9の伸び率、引張応力の影響が出るた
めである。
伸び率10%での引張応力(以下M1oと略)と破壊時
の伸び率(以下Eと略)は次のようにして求めた。
の伸び率(以下Eと略)は次のようにして求めた。
外装材9となるシリコーン樹脂(KJR−4013)を
J[5K7113に示されている様なダンベル状試験片
に成形し、この試験片を130℃に加熱しながら10m
/minの引張速度で引張試験を行ない、伸び率と引張
応力の関係を求めた。
J[5K7113に示されている様なダンベル状試験片
に成形し、この試験片を130℃に加熱しながら10m
/minの引張速度で引張試験を行ない、伸び率と引張
応力の関係を求めた。
この関係よりM、。とEを求めた。この関係を第2図に
示す。
示す。
M+o、Hの算出方法はJISK7113により行なっ
た。
た。
M =L旦
+0 S
ここでM、。は伸び率10%での引張応力(kgf/W
112) FIOは伸び率10%での荷重(kg f ”)Sは試
験片の断面積(m2)。
112) FIOは伸び率10%での荷重(kg f ”)Sは試
験片の断面積(m2)。
E = L + L o ×t o 。
ここでEは破壊時の伸び率(%)
Loは元の標線間距離(m)
L、は破壊時の標線間距離(m)
以上よりM、。=0.005 kg f /wa’
E = 200%のシリ−コン樹脂を外装材9として用
いた場合、PTC特性は7.0で、抵抗温度特性測定時
の加熱によって外装材9にはクラックが生じなかった。
E = 200%のシリ−コン樹脂を外装材9として用
いた場合、PTC特性は7.0で、抵抗温度特性測定時
の加熱によって外装材9にはクラックが生じなかった。
実施例2
外装材9として弾性エポキシ樹脂(F E X−010
6、横浜ゴム株式会社製)を使用した以外はすべて実施
例1と同様にして素子Aと引張試験片を作成し、やはり
素子AのPTC特性と外装材9のM、o、Eを測定した
。弾性エポキシ樹脂とは、可撓性を有する主鎖の両端と
エポキシ基をウレタン結合で結合させ、さらにエポキシ
基とアミン系硬化剤とを反応させて網目結合を作らせた
弾性を有するエポキシ樹脂である。
6、横浜ゴム株式会社製)を使用した以外はすべて実施
例1と同様にして素子Aと引張試験片を作成し、やはり
素子AのPTC特性と外装材9のM、o、Eを測定した
。弾性エポキシ樹脂とは、可撓性を有する主鎖の両端と
エポキシ基をウレタン結合で結合させ、さらにエポキシ
基とアミン系硬化剤とを反応させて網目結合を作らせた
弾性を有するエポキシ樹脂である。
この弾性エポキシ樹脂を外装材9として素子本体8の周
囲にコーティングし100℃2hの熱処理を施した素子
Aの抵抗値は約5Ωで、PTC特性は6,6であった。
囲にコーティングし100℃2hの熱処理を施した素子
Aの抵抗値は約5Ωで、PTC特性は6,6であった。
また外装材9にクラックは生じなかった。
外装材9のM、。は0.02kg f /mm’ E
は20%であった。
は20%であった。
比較例1
外装材として粉体エポキシ樹脂(ECP−275DA・
住友ベークライト株式会社製)を使用した以外はすべて
実施例1と同様にして素子と引張試験片を作成し、やは
り素子のPTC特性と外装材のM、。、Eを測定した。
住友ベークライト株式会社製)を使用した以外はすべて
実施例1と同様にして素子と引張試験片を作成し、やは
り素子のPTC特性と外装材のM、。、Eを測定した。
この粉体エポキシ樹脂を外装材として素子本体の周囲に
コーティングし100℃2hの熱処理を施した素子の抵
抗値は約5ΩでPTC特性54であった。外装材にクラ
ックを生じる素子もあった。外装材のMloは0,5k
g f / wn ’より大きく、Eは19%であった
。
コーティングし100℃2hの熱処理を施した素子の抵
抗値は約5ΩでPTC特性54であった。外装材にクラ
ックを生じる素子もあった。外装材のMloは0,5k
g f / wn ’より大きく、Eは19%であった
。
比較例2
外装材としてエポキシ変性フェノール樹脂(PR533
65・住友ベークライト株式会社製)を使用した以外は
すべて実施例1と同様にして素子と引張試験片を作成し
、やはり素子のPTC特性と外装材のM+o、Eを測定
した。このエポキシ変性フェノール樹脂を外装材として
素子本体の周囲にコーティングし室温乾燥後100℃2
hの熱処理を施した素子の抵抗値は約5ΩでPTC特性
は4.9であった。外装材にクラックを生じる素子もあ
った。外装材のM、。は0.5 kg f 7m2より
大きく、Eは1.1%であった。
65・住友ベークライト株式会社製)を使用した以外は
すべて実施例1と同様にして素子と引張試験片を作成し
、やはり素子のPTC特性と外装材のM+o、Eを測定
した。このエポキシ変性フェノール樹脂を外装材として
素子本体の周囲にコーティングし室温乾燥後100℃2
hの熱処理を施した素子の抵抗値は約5ΩでPTC特性
は4.9であった。外装材にクラックを生じる素子もあ
った。外装材のM、。は0.5 kg f 7m2より
大きく、Eは1.1%であった。
比較例3
外装材を使用しなかった以外はすべて実施例1と同様に
して素子を作成し、PTC特性を測定した。
して素子を作成し、PTC特性を測定した。
この素子の抵抗値は約5Ωで、PTC特性は71であっ
た。実施例1.2および比較例1〜3で得られた素子の
抵抗値、PTC特性、外装材のM、。、Eを表1に示す
。
た。実施例1.2および比較例1〜3で得られた素子の
抵抗値、PTC特性、外装材のM、。、Eを表1に示す
。
(以下次頁)
表 1
表1より次のことがわかる。
実施例1.2に示されているようにM 1 oが小さく
、Eの大きな外装材を用いた素子はどPTC特性が大き
く、その値は比較例3に示されている外装材無しの素子
とほぼ同じ約7である。またEとPTC特性の関係をよ
り詳細に調べるために、表1の値を使用して、EとPT
C特性をプロットして、EとPTC特性の曲線を作成し
た。これを第3図に示す。第3図かられかるように、E
がある値より小さくなるとPTC特性は急激に低下する
のがわかる。
、Eの大きな外装材を用いた素子はどPTC特性が大き
く、その値は比較例3に示されている外装材無しの素子
とほぼ同じ約7である。またEとPTC特性の関係をよ
り詳細に調べるために、表1の値を使用して、EとPT
C特性をプロットして、EとPTC特性の曲線を作成し
た。これを第3図に示す。第3図かられかるように、E
がある値より小さくなるとPTC特性は急激に低下する
のがわかる。
そこでPTC特性が急激に低下するEを求めるため、第
3図に示すようにEとPTC特性の曲線に接するように
2本の補助直線を作図し、この2本の補助直線の交点を
求めた。この交点の示すE値をPTC特性が急激に低下
するEとした。第3図よりEは5%ということがわかる
。
3図に示すようにEとPTC特性の曲線に接するように
2本の補助直線を作図し、この2本の補助直線の交点を
求めた。この交点の示すE値をPTC特性が急激に低下
するEとした。第3図よりEは5%ということがわかる
。
またEとM 1 oの関係を調べて、Eが5%であった
場合のM 1 oを求めた。EとM、。の関係を第4図
に示す。第4図においてEl、9%でのM、。値は0.
5 kg f 7m”より大きいということを示す。
場合のM 1 oを求めた。EとM、。の関係を第4図
に示す。第4図においてEl、9%でのM、。値は0.
5 kg f 7m”より大きいということを示す。
第4図かられかるようにE5%でのM 1o値は0.4
kgf/■2より大きいということがわかる。
kgf/■2より大きいということがわかる。
以上よりE(伸び率)が5%より小さくなり、Nf+o
(伸び率10%での引張応力)が[1,4kgf/m2
より大きくなるとPTC特性が急激に低下すということ
がわかった。
(伸び率10%での引張応力)が[1,4kgf/m2
より大きくなるとPTC特性が急激に低下すということ
がわかった。
なお、以上の実施例においては、第1図に示すように素
子本体8が電極6とリード線7の一部とともに外装材9
に埋設した構造について説明したが、第5図に示すよう
に素子本体8の上下電極6.6の当着面以外の周面8b
を上下電極6.6の周縁61とともに外装材9で被覆し
た構造とすることもできる。
子本体8が電極6とリード線7の一部とともに外装材9
に埋設した構造について説明したが、第5図に示すよう
に素子本体8の上下電極6.6の当着面以外の周面8b
を上下電極6.6の周縁61とともに外装材9で被覆し
た構造とすることもできる。
本発明によれば、素子本体の外装材の伸び率10%での
引張応力が0.4 kg f / m ’以下、破壊時
の伸び率は5%以上にすることにより、PTC特性を大
きく維持させることができる。
引張応力が0.4 kg f / m ’以下、破壊時
の伸び率は5%以上にすることにより、PTC特性を大
きく維持させることができる。
また、外装材の伸び率が大きいため素子本体の熱膨張が
妨害されることがなく、外装材にクラックを生じにくい
。
妨害されることがなく、外装材にクラックを生じにくい
。
さらに、伸び率10%での引張応力が小さく、破壊時の
伸び率が大きい外装材は、弾性を有するため、限流動作
の繰返しによる素子本体の膨張、収縮に追随可能で、電
極剥離を生じに<<、長期に亘って電気的信頼性が期待
できる。
伸び率が大きい外装材は、弾性を有するため、限流動作
の繰返しによる素子本体の膨張、収縮に追随可能で、電
極剥離を生じに<<、長期に亘って電気的信頼性が期待
できる。
第1図は本発明の自己復帰形過電流保護素子の一実施例
を示す斜視図、第2図は同上外装材の伸び率と引張応力
の関係図、第3図はE−PTC特性関係図、第4図はE
−M、。関係図、第5図は本発明の他の実施例を示す自
己復帰形過電流素子の縦断側面図、第6図および第7図
は従来の過電流保護素子の断面図である。 6・・電極、7・・リード線、8・・素子本体、9・・
外装材。 11■( EC〆〕 」しU」
を示す斜視図、第2図は同上外装材の伸び率と引張応力
の関係図、第3図はE−PTC特性関係図、第4図はE
−M、。関係図、第5図は本発明の他の実施例を示す自
己復帰形過電流素子の縦断側面図、第6図および第7図
は従来の過電流保護素子の断面図である。 6・・電極、7・・リード線、8・・素子本体、9・・
外装材。 11■( EC〆〕 」しU」
Claims (2)
- (1)結晶性高分子物質中に導電性粒子を分散した組成
物よりなる有機質正温度特性素子本体と、 この素子本体に接続された電極と、 この電極に接続されたリード線と、 少なくとも前記素子本体と前記電極の周縁とを被覆した
電気絶縁性外装材とよりなる自己復帰形過電流保護素子
において、 スイッチング温度における前記外装材の、伸び率10%
での引張応力は0.4kgf/mm^2以下、破壊時の
伸び率は5%以上であることを特徴とする自己復帰形過
電流保護素子。 - (2)外装材は、弾性エポキシ樹脂またはシリコーン樹
脂であることを特徴とする請求項1に記載の自己復帰形
過電流保護素子。
Priority Applications (5)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2156917A JPH0448701A (ja) | 1990-06-15 | 1990-06-15 | 自己復帰形過電流保護素子 |
CA002043352A CA2043352C (en) | 1990-06-15 | 1991-05-28 | Self-resetting overcurrent protection element |
US07/709,497 US5210517A (en) | 1990-06-15 | 1991-06-03 | Self-resetting overcurrent protection element |
DE69113687T DE69113687T2 (de) | 1990-06-15 | 1991-06-11 | Überstrom-Schutzelement mit selbsttätiger Rückstellung. |
EP91305275A EP0461864B1 (en) | 1990-06-15 | 1991-06-11 | Self-resetting overcurrent protection element |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2156917A JPH0448701A (ja) | 1990-06-15 | 1990-06-15 | 自己復帰形過電流保護素子 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH0448701A true JPH0448701A (ja) | 1992-02-18 |
Family
ID=15638202
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2156917A Pending JPH0448701A (ja) | 1990-06-15 | 1990-06-15 | 自己復帰形過電流保護素子 |
Country Status (5)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US5210517A (ja) |
EP (1) | EP0461864B1 (ja) |
JP (1) | JPH0448701A (ja) |
CA (1) | CA2043352C (ja) |
DE (1) | DE69113687T2 (ja) |
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Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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JP2001517371A (ja) * | 1997-03-27 | 2001-10-02 | リッテルフューズ,インコーポレイティド | リセット可能な自動回路保護装置 |
JP2007305870A (ja) * | 2006-05-12 | 2007-11-22 | Tdk Corp | Ptc素子 |
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US5852397A (en) | 1992-07-09 | 1998-12-22 | Raychem Corporation | Electrical devices |
ES2114062T3 (es) * | 1992-07-09 | 1998-05-16 | Raychem Corp | Dispositivos electricos. |
TW309619B (ja) | 1995-08-15 | 1997-07-01 | Mourns Multifuse Hong Kong Ltd | |
DE953992T1 (de) | 1995-08-15 | 2000-04-20 | Bourns, Multifuse (Hong Kong) Ltd. | Oberflächenmontierte leitfähige Polymer-Bauelemente und Verfahren zur Herstellung derselben |
US6059997A (en) * | 1995-09-29 | 2000-05-09 | Littlelfuse, Inc. | Polymeric PTC compositions |
FR2748166B1 (fr) * | 1996-04-26 | 1998-06-05 | Gec Alsthom T & D Sa | Limiteur de courant a polymere a haute tension |
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US6128168A (en) | 1998-01-14 | 2000-10-03 | General Electric Company | Circuit breaker with improved arc interruption function |
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US6236302B1 (en) | 1998-03-05 | 2001-05-22 | Bourns, Inc. | Multilayer conductive polymer device and method of manufacturing same |
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US6429533B1 (en) | 1999-11-23 | 2002-08-06 | Bourns Inc. | Conductive polymer device and method of manufacturing same |
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JPH0690962B2 (ja) * | 1986-03-31 | 1994-11-14 | 日本メクトロン株式会社 | Ptc素子の製造法 |
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JPH01143203A (ja) * | 1987-11-27 | 1989-06-05 | Murata Mfg Co Ltd | 有機正特性サーミスタ |
-
1990
- 1990-06-15 JP JP2156917A patent/JPH0448701A/ja active Pending
-
1991
- 1991-05-28 CA CA002043352A patent/CA2043352C/en not_active Expired - Fee Related
- 1991-06-03 US US07/709,497 patent/US5210517A/en not_active Expired - Fee Related
- 1991-06-11 EP EP91305275A patent/EP0461864B1/en not_active Expired - Lifetime
- 1991-06-11 DE DE69113687T patent/DE69113687T2/de not_active Expired - Fee Related
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EP0461864A1 (en) | 1991-12-18 |
DE69113687T2 (de) | 1996-03-21 |
DE69113687D1 (de) | 1995-11-16 |
US5210517A (en) | 1993-05-11 |
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