CN102869966B - 包括热敏元件的温度传感器 - Google Patents

包括热敏元件的温度传感器 Download PDF

Info

Publication number
CN102869966B
CN102869966B CN201180020816.5A CN201180020816A CN102869966B CN 102869966 B CN102869966 B CN 102869966B CN 201180020816 A CN201180020816 A CN 201180020816A CN 102869966 B CN102869966 B CN 102869966B
Authority
CN
China
Prior art keywords
sensing element
thermal sensing
electrode film
temperature sensor
wire
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Fee Related
Application number
CN201180020816.5A
Other languages
English (en)
Other versions
CN102869966A (zh
Inventor
佐藤元树
堀恒円
葛冈馨
小川千明
井之口和宏
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Denso Corp
Original Assignee
Denso Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Denso Corp filed Critical Denso Corp
Publication of CN102869966A publication Critical patent/CN102869966A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN102869966B publication Critical patent/CN102869966B/zh
Expired - Fee Related legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01K—MEASURING TEMPERATURE; MEASURING QUANTITY OF HEAT; THERMALLY-SENSITIVE ELEMENTS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • G01K7/00—Measuring temperature based on the use of electric or magnetic elements directly sensitive to heat ; Power supply therefor, e.g. using thermoelectric elements
    • G01K7/02—Measuring temperature based on the use of electric or magnetic elements directly sensitive to heat ; Power supply therefor, e.g. using thermoelectric elements using thermoelectric elements, e.g. thermocouples
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01K—MEASURING TEMPERATURE; MEASURING QUANTITY OF HEAT; THERMALLY-SENSITIVE ELEMENTS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • G01K1/00—Details of thermometers not specially adapted for particular types of thermometer
    • G01K1/08—Protective devices, e.g. casings
    • G01K1/12—Protective devices, e.g. casings for preventing damage due to heat overloading
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01K—MEASURING TEMPERATURE; MEASURING QUANTITY OF HEAT; THERMALLY-SENSITIVE ELEMENTS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • G01K7/00—Measuring temperature based on the use of electric or magnetic elements directly sensitive to heat ; Power supply therefor, e.g. using thermoelectric elements
    • G01K7/16—Measuring temperature based on the use of electric or magnetic elements directly sensitive to heat ; Power supply therefor, e.g. using thermoelectric elements using resistive elements
    • G01K7/22—Measuring temperature based on the use of electric or magnetic elements directly sensitive to heat ; Power supply therefor, e.g. using thermoelectric elements using resistive elements the element being a non-linear resistance, e.g. thermistor
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01C—RESISTORS
    • H01C1/00—Details
    • H01C1/14—Terminals or tapping points or electrodes specially adapted for resistors; Arrangements of terminals or tapping points or electrodes on resistors
    • H01C1/148—Terminals or tapping points or electrodes specially adapted for resistors; Arrangements of terminals or tapping points or electrodes on resistors the terminals embracing or surrounding the resistive element
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01C—RESISTORS
    • H01C7/00—Non-adjustable resistors formed as one or more layers or coatings; Non-adjustable resistors made from powdered conducting material or powdered semi-conducting material with or without insulating material
    • H01C7/008—Thermistors

Abstract

一种温度传感器1包括：热敏元件2，该热敏元件由具有3×10-6/℃到5×10-6/℃的线性膨胀系数并且其电气特性取决于温度而改变的低热膨胀陶瓷构成；设置在热敏元件2的表面上的一对电极膜20；以及具有15×10-6/℃或更小的线性膨胀系数并且接合到电极膜20的一对引线。当热敏元件2、电极膜20和引线21的线性膨胀系数分别为Ta（/℃）、Tb（/℃）和Td（/℃）时，温度传感器1满足关系Ta≤Tb≤Td。

Description

包括热敏元件的温度传感器
技术领域
本发明涉及一种包括热敏元件的温度传感器，所述热敏元件由具有低线性膨胀系数并且其电气特性取决于温度而改变的低热膨胀陶瓷构成。
背景技术
已知使用热敏元件（热敏电阻元件）的温度传感器，作为测量汽车等的排出气体的温度的温度传感器，所述热敏元件的电阻值取决于温度而改变。
温度传感器包括热敏元件、电极线、护套销（sheath pin）和保护层。热敏元件由诸如Y2O3·Ycr/MnO3之类的氧化物构成。在热敏元件的表面上提供由Pt等构成的电极膜。由Pt等构成的电极线连接到电极膜。护套销在其中包括信号线，该信号线电连接到电极线。保护层具有由覆盖热敏电阻元件的玻璃模具构成的两层结构（参考JP-A-2009-115789）。
如上所述，以此方式配置的温度传感器具有由氧化物构成的热敏元件。因此，在还原条件下使用的温度传感器中，例如，用于测量汽车的排出气体温度，出于避免热敏元件的还原降解和减小内应力的角度，如上所述地形成两层结构的保护层。
然而，当形成具有两层结构的保护层时，温度传感器的结构变得复杂且制造成本增加。
另外，在具有上述常规结构的温度传感器中，在热敏元件上形成由铂Pt构成的电极膜。因此，护套销内的信号线与电极膜被由Pt构成的互连电极线相连接。然而，因为使用了铂Pt，制造成本增加。
另外，对于在排出气体等的温度测量中的使用，可以将温度传感器设置在内燃机附近。在此情况下，来自内燃机的较大振动易于传送到温度传感器。结果，温度传感器的热敏元件会振动，在热敏元件与电极线之间的接合部会变得断开连接。具体地，断开连接易于出现在由铂Pt构成的电极线中。
鉴于上述的情况，近年来使用宽量程热敏电阻材料的热敏元件已经受到关注（参考JP-A-H08-273904）。由第一相和第二相来配置热敏元件。第一相由绝缘基质颗粒构成，绝缘基质颗粒由非氧化物构成。第二相由以三维网格形状不连续地散布在第一相中的半导电或导电颗粒构成。诸如这样的宽量程热敏电阻材料由非氧化物构成。因此，即使在还原性气氛中也不易还原热敏电阻材料。不需要诸如上述的两层结构的保护层。可以实现温度传感器的成本降低。
引用列表：
专利文献：
[PTL 1]JP-A-2009-115789
[PTL 2]JP-A-H08-273904
发明内容
技术问题：
然而，即使在使用宽量程热敏电阻材料时，仍不能解决由铂Pt构成的电极线中的断开连接的问题。另外，当使用诸如铂Pt之类的贵重金属时增加了制造成本。因此，期望开发不使用由Pt构成的电极线的温度传感器。
由宽量程热敏电阻材料构成的热敏元件通常具有低线性膨胀系数。用于诸如这样的具有低线性膨胀系数的热敏元件与电极膜的，以及电极膜与引线的接合结构仍是未知的。不适当的组合会导致由于振动造成的断开连接，以及由于宽量程环境中热应力造成的热敏元件受损。
鉴于上述问题而实现本发明。本发明的目的在于提供一种温度传感器，其包括具有低热膨胀的热敏元件，其中可以避免断开连接，宽量程环境中的可靠性优异，且能够以低成本进行制造。
技术方案：
根据本发明的温度传感器的基本方面，温度传感器包括热敏元件、一对电极膜和一对引线。热敏元件由具有3×10-6/℃到5×10-6/℃的线性膨胀系数并且其电气特性取决于温度而改变的低热膨胀陶瓷构成。所述一对电极膜设置在热敏元件的表面上。所述一对引线具有15×10-6/℃或更小的线性膨胀系数并且接合到电极膜。当热敏元件、电极膜和引线的线性膨胀系数分别为Ta、Tb和Td时，线性膨胀系数被设定为满足关系Ta≤Tb≤Td。
发明的有益效果：
因此，本发明的温度传感器包括由低热膨胀陶瓷构成的热敏元件。当热敏元件、电极膜和引线的线性膨胀系数分别为Ta、Tb和Td时，满足关系Ta≤Tb≤Td。换句话说，选择性地使用热敏元件、电极膜和引线，以满足关系Ta≤Tb≤Td。因此，可以在逐步改变的同时，使热敏元件、电极膜和引线的线性膨胀系数彼此更为接近。
换句话说，经由电极膜，在由低热膨胀陶瓷构成的热敏元件与引线之间形成线性膨胀系数的渐变梯度。因此，即使在宽量程环境中也可以减小热应力。断开连接等不容易发生。温度传感器可以表现出优异的可靠性。
另外，在本发明的温度传感器中，将具有15×10-6/℃或更小的线性膨胀系数的引线用作接合到电极膜的引线。因此，在温度传感器中，可以进一步减小热敏元件、电极膜和引线之间在线性膨胀系数上的差异。结果，断开连接等更不太可能发生。
另外，在温度传感器中，可以选择性地使用热敏元件、电极膜与引线，以满足关系Ta≤Tb≤Td。可以使用除了诸如Pt之类的贵重金属以外的金属电极作为电极膜和引线。因此，可以实现避免使用贵重金属。能够以低成本制造温度传感器。
以此方式，在本发明中，在包括具有低热膨胀的热敏元件的温度传感器中，可以避免断开连接。另外，可以提供在宽量程环境中具有优异可靠性，且能够以低成本制造的温度传感器。
上述基本方面可以修改为各种有利方面。
如上所述，本发明的温度传感器包括热敏元件、电极膜和引线。当热敏元件、电极膜和引线的线性膨胀系数分别为Ta（/℃）、Tb（/℃）和Td（/℃）时，满足关系Ta≤Tb≤Td。另一方面，当不满足关系Ta≤Tb≤Td时，在诸如-50℃到1050℃的宽量程环境中的热应力的充分减小会变得困难。
当以由金属构成的接合材料接合电极膜与引线，且接合材料的线性膨胀系数是Tc（/℃）时，优选满足关系Ta≤Tb≤Tc≤Td。
在此情况下，由于接合材料包括在电极膜与引线之间，线性膨胀系数可以形成更为渐变的梯度。因此，在温度传感器中，在宽量程环境中进一步减小了热应力。能够进一步提高温度传感器的可靠性。
温度传感器包括护套销，在其中包括引线。可以形成从护套销的尖端侧暴露的引线连接到电极膜的结构。
在此情况下，本发明的避免断开连接的操作效果变得更加显著。换句话说，在以从护套销延伸出的引线直接连接到电极膜的方式配置的温度传感器中，当使用由Pt构成的电极线时，容易发生断开连接。由于使用本发明的结构，可以避免使用由Pt构成的电极线。即使在使用从护套销延伸出的引线直接连接到电极膜的结构时，也能够充分防止断开连接。
另外，温度传感器包括护套销，在其中包括信号线。也可以形成从护套销的尖端侧暴露的信号线连接到与电极膜相连的引线的结构。
热敏元件由具有3×10-6/℃到5×10-6/℃的线性膨胀系数的低热膨胀陶瓷构成。具有4×10-6/℃到5×10-6/℃的线性膨胀系数的低热膨胀陶瓷是优选的。
具体地，可以由具有例如由绝缘基质颗粒构成的基质相的低热膨胀陶瓷来配置热敏元件，该绝缘基质颗粒由非氧化物构成。
热敏元件优选具有由基质颗粒构成的基质相，该基质颗粒由氮化硅构成。在此情况下，可以实现具有令人满意的灵敏度的温度传感器。
更优选地，使用低热膨胀陶瓷，其以由基质颗粒构成的基质相（第一相），以及以三维网格形状不连续地散布在第一相中的半导电或导电的第二相颗粒来配置，其中基质颗粒由氮化硅构成。
在此情况下，可以实现具有令人满意的灵敏度的温度传感器。另外，能够实现具有优异耐热性且能够避免还原降解的温度传感器。
作为以第一相和第二相颗粒配置的低热膨胀陶瓷，具体地，可以使用例如在JP-A-2000-348907、JP-A-H08-273904、JP-A-H07-331358和JP-A-H06-227870中说明的宽量程热敏电阻材料或复合材料。
更具体地，例如可以使用由氮化硅或氧氮化物陶瓷构成的颗粒作为基质颗粒。由氮化硅陶瓷构成的颗粒是优选的。
另外，可以使用由碳化硅等构成的颗粒作为第二相颗粒。
具体地，例如，可以使用如下制造的低热膨胀陶瓷。换句话说，混合30vol%到50vol%的碳化硅（SiC）粉末（平均颗粒尺寸0.2μm或更小），作为烧结助剂的4vol%到7vol%的氧化钇（Y2O3）粉末（平均颗粒尺寸0.5μm或更小），作为添加剂的0.6vol%到4vol%的硼化钛粉末（TiB2）（平均颗粒尺寸0.4μm或更小），以及剩余部分（vol%）的氮化硅（Si3N4）粉末（平均颗粒尺寸0.7μm或更小）。在诸如水或乙醇的分散介质中混合该混合物。随后，将混合的原材料模制并加热，从而获得低热膨胀陶瓷。
接下来，优选以至少包含Cr和Fe的合金来构成电极膜、引线和接合材料。在包含Cr和Fe的合金中，随着Cr含量增大，合金变成具有更低线性膨胀系数的材料。线性膨胀系数可以更接近于热敏元件的线性膨胀系数。另外，与诸如Pt的贵重金属相比，包含Cr的合金具有高强度并且不易发生断开连接。此外，通过添加Fe，可以改进材料的展延性。可以调整线性膨胀系数。
电极膜可以由Cr-Fe合金构成。具体地，电极膜优选由主要成分是Cr或Fe的合金构成。电极膜更优选由主要成分是Cr的Cr-Fe合金构成。
电极膜的线性膨胀系数Tb（/℃）优选是Tb≤11×10-6。
在此情况下，可以进一步减小热敏元件、引线与电极膜之间在线性膨胀方面的差异。另外，当包括接合材料时，可以进一步减小热敏元件、接合材料、引线与电极膜之间在线性膨胀方面的差异。因此，在此情况下，即使在宽量程应用环境下也可以进一步减小热应力。可以进一步提高可靠性。
另外，在温度0℃到100℃下电极膜的线性膨胀系数例如可以是4×10-6/℃到9×10-6/℃。在此情况下，可以进一步减小热敏元件、引线与电极膜之间在热膨胀方面的差异，或者热敏元件、接合材料、引线与电极膜之间在热膨胀方面的差异。因此，可以进一步改进高温环境下温度传感器的耐久性。另外，即使在宽量程应用环境下也可以进一步减小热应力。可以进一步提高可靠性。
引线的线性膨胀系数Td（/℃）优选是15×10-6/℃或更小，或者换句话说，Td≤15×10-6。更优选地，Td≤14×10-6。
引线的线性膨胀系数例如可以是4×10-6/℃到14×10-6/℃。
在此情况下，可以进一步减小热敏元件、引线与电极膜之间在热膨胀方面的差异，或者热敏元件、接合材料、引线与电极膜之间在热膨胀方面的差异。因此，可以进一步改进高温环境下温度传感器的耐久性。另外，即使在宽量程使用环境下也可以进一步减小热应力。可以进一步提高可靠性。
另外，引线可以由基于Ni的合金或者铁氧体型不锈钢构成。如上所述，这些材料优选包含Cr或Fe。
例如，可以使用NCF601（JIS G4901）作为基于Ni的合金。具体地，NCF601(JIS G 4901)的成分包含0.10wt%或更少的C、0.50wt%或更少的Si、1.0wt%或更少的Mn、0.030wt%或更少的P、0.115wt%或更少的S、58.00wt%到63.00wt%的Ni、21.00wt%到25.00wt%的Cr、1.00wt%的Cu、1.00wt%到1.70wt%的Al，以及其余部分的Fe。
另外，例如可以使用由Fe-Cr-Al合金构成的SUH21(JIS G4312)作为铁氧体型不锈钢。具体地，SUH21(JIS G4312)的成分包含17wt%到21wt%的Cr、2.0wt%到4.0wt%的Al、0.10wt%或更少的C、1.50wt%或更少的Si、1.0wt%或更少的Mn、0.040wt%或更少的P、0.030wt%或更少的S，以及其余部分的Fe。
另外，如上所述，接合材料优选由包含Cr或Fe的合金构成。接合材料通过浆状金属粉末烘烤而形成。
接合材料Tc（/℃）优选是Tc≤12×10-6。
在此情况下，可以进一步减小热敏元件、电极膜、接合材料与引线之间在线性膨胀方面的差异。因此，即使在宽量程环境下也可以减小热应力。可以提高温度传感器的可靠性。
具体地，接合材料优选由浆状Fe-Cr-Al合金或Cr-Fe合金烘烤而形成。
当使用由基于Ni的合金构成的引线时，接合材料的线性膨胀系数更优选为9×10-6/℃到12×10-6/℃。接合材料优选通过浆状Fe-Cr-Al合金烘烤而形成。在此情况下，形成Al的钝化膜。因此，高温下的抗氧化性优异。
例如可以使用包含17wt%到21wt%的Cr和2wt%到6wt%的Al的合金作为Fe-Cr-Al合金。除了Fe以外，合金的成分包含17wt%到21wt%的Cr、2.0wt%到4.0wt%的Al、0.10wt%或更少的C、1.50wt%或更少的Si、1.0wt%或更少的Mn、0.040wt%或更少的P、以及0.030wt%的S。
另外，当使用由铁氧体型不锈钢构成的引线时，接合材料的线性膨胀系数更优选是9×10-6/℃到11×10-6/℃。接合材料优选通过浆状Cr-Fe合金烘烤而形成。
在Cr-Fe合金中，线性膨胀系数随着Cr比例的增大而减小。因此，可以进一步减小热应力。
作为Cr-Fe合金，包含60wt%到90wt%的Cr以及40wt%到10wt%的Fe的合金是优选的。具体地，作为Cr-Fe合金，例如可以使用Cr40Fe合金。
用于接合材料的烘烤温度优选是1000℃到1490℃，更优选地为1000℃到1200℃。
当烘烤温度低于1000℃时，接合强度会不够。或者，金属粉末的烧结会不充分。另一方面，当烘烤温度超过1490℃时，合金可以熔化，使引线与电极膜之间难以接合。烘烤温度更优选地是1200℃或更低。
接下来，在热敏元件的一对相对表面的整个表面上形成电极膜。在热敏元件与接合材料的接合表面上，热敏元件的端部与接合材料之间的最短距离优选至少是0.1mm或更大。在此情况下，可以避免制造过程中在热敏元件中出现断裂。
将解释其原因。换句话说，在热敏元件的一对表面的整个表面上形成电极膜。通过热处理形成电极膜。因此，张应力施加到热敏元件的端部。当直到其中形成电极膜的热敏元件的端部都存在接合材料时，因为接合材料也是通过热处理形成的，进一步的张应力被施加到热敏元件。结果，在热敏元件中会出现断裂。
如上所述，在热敏元件与接合材料的接合表面上，当热敏元件的端部与接合材料分离，以使得最短距离至少是0.1mm或更大时，热敏元件上来自接合材料的热应力不再影响热敏元件的端部。可以避免出现断裂。
另外，优选包括保护层，其将热敏元件与电极膜连同一部分引线一起密封。
在此情况下，可以减小热敏元件、电极膜与引线的接合部中的热应力。另外，可以提高接合部的保持力。可以进一步提高对抗振动的耐久性。另外，在温度传感器中，当电极膜和引线由接合材料接合时，保护层减小了热敏元件、电极膜、引线与接合材料的接合部中的热应力。另外，可以提高接合部的保持力。可以进一步提高对抗振动的耐久性。保护层例如可以由玻璃形成。
附图说明
图1是根据第一实施例的温度传感器的热敏元件的外围的截面图；
图2是根据第一实施例的温度传感器的截面图；
图3是温度传感器的尖端部分的截面图；
图4是在将引线设置为与在其上形成有电极膜的热敏元件接触的状态下的截面形状的说明图；
图5是根据第一实施例的在将浆状接合材料涂覆到热敏元件的电极膜与引线之间的接合部的状态下的截面形状的说明图；
图6是沿图5中线A-A得到的截面图；
图7是根据第三实施例的温度传感器的热敏元件的外围的截面的说明图；
图8是根据第四实施例的其中由接合材料接合引线与电极膜的热敏元件的表面的说明图，显示了从其上形成有接合的一侧的顶视图；以及
图9是根据第五实施例的温度传感器的尖端部分的截面的说明图。
具体实施方式
【第一实施例】
接下来，将说明根据本发明的第一实施例的温度传感器。根据本实施例的温度传感器1包括热敏元件2、一对电极膜20和一对引线21，如图1至图3所示。热敏元件2包括低热膨胀陶瓷并且其电气特性取决于温度而改变。在热敏元件2的表面上提供该对电极膜20。将该对引线21接合到电极膜对20，并用于外部电路连接。引线21由接合材料22接合到电极膜20。
根据本实施例，热敏元件2的低热膨胀陶瓷由第一相和第二相颗粒配置。第一相由绝缘基质颗粒构成，绝缘基质颗粒由非氧化物构成。第二相颗粒是半导电或导电的，并以三维网格的形状不连续地散布在第一相中。根据本实施例，基质颗粒由Si3N4构成。第二相颗粒SiC颗粒构成。在基质颗粒之间，存在由Y2O3构成的玻璃相。第二相颗粒散布在玻璃相中。根据本实施例的由低热膨胀陶瓷构成的热敏元件2的线性膨胀系数是4.5×10-6/℃。
另外，电极膜20由Cr-40Fe合金构成，Cr-40Fe合金是Cr-Fe合金。电极膜20的线性膨胀系数是9×10-6/℃（温度0℃到100℃）。
引线21由“INCONEL（注册商标）601”构成，其是由Daido-Special MetalsLtd.制造的基于Ni的合金（NCF601）。引线21的线性膨胀系数是14×10-6/℃。
另外，接合材料由浆状Fe-Cr-Al合金烘烤而形成。根据本实施例，将NAS4425A型钢（由Nippon Yakin Kogyo Co.,Ltd.制造）用作Fe-Cr-Al合金。除了Fe以外的元素成分是19wt%到21wt%的Cr、5.0wt%到6.0wt%的Al、0.06wt%到0.12wt%的La、0.015wt%或更少的C、1.0wt%或更少的Si和1.0wt%或更少的Mn。接合材料的线性膨胀系数是11×10-6/℃。
另外，温度传感器1具有保护层52。保护层52将热敏元件2、电极膜20和接合材料22连同引线21的一部分一起密封。
保护层52由具有在1000℃或更高的温度保护热敏元件2的效果的材料构成。作为该材料，给出了无机材料、非晶玻璃、结晶玻璃等。如果材料自身具有期望范围的线性膨胀系数，则可以单独使用这些材料。然而，可以使用在其中结合了非晶玻璃和结晶玻璃，将无机材料粉末添加到玻璃等的材料来配置保护层52，以获得期望的线性膨胀系数。可以给出氧化铝（Al2O3）、氧化镁（MgO）、氧化钇（Y2O3）、氧化铬（Cr2O3）、氧化锆（ZrO2）、配置热敏元件2的低热膨胀陶瓷等，作为添加到玻璃的无机材料粉末。作为配置保护层52的材料，通过将配置热敏元件2的40wt%或更多的低热膨胀陶瓷添加到在高温下稳定的结晶玻璃来调整其线性膨胀系数的材料是更优选的。
结晶玻璃的成分优选包括例如，氧化硅、氧化钙、氧化锰、和氧化铝。另外，结晶玻璃更优选的成分包括30wt%到60wt%的SiO2、10wt%到30wt%的CaO、5wt%到25wt%的MgO和0wt%到15wt%的Al2O3。
根据本实施例的温度传感器1是用于测量汽车的排出气体温度的传感器。
在温度传感器1中，导管11设置为比端盖4更进一步朝向后端侧，以便覆盖护套销3的外围，如图2所示。导管11的后端部112固定到护套销3的后端部302。导管11的后端部112和护套销3的后端部302在整个周边上焊接。导管11的尖端部111不固定到护套销3。然而，形成尖端部111以便与护套销3的侧表面之间几乎没有间隙地相接。
另外，形成导管11以使得尖端部111和后端部112具有比两者之间的部分更小的直径。在除了尖端部111和后端部112之外的部分中，在导管11与护套销3之间形成间隙。
另外，在导管11的外围设置凸缘12。凸缘12容纳护套销3，导管11在两者之间。
凸缘12由接触部121、第一延伸部122和第二延伸部123构成。接触部121布置为与用于连接到内燃机的轮毂的内壁的尖端表面接触。第一延伸部122在接触部121后延伸，并具有比接触部121小的外径。第二延伸部123比第一延伸部122更在后面延伸，并具有更小的外径。将导管11插入并固定在接触部121、第一延伸部122和第二延伸部123内。
另外，将保护管13的一端焊接并固定到第一延伸部122的外围。保护管13保护护套销3、导管11和一部分外部引线17。
在第二延伸部123中将凸缘12在整个周边焊接到导管11。
另外，将端盖4在整个周边焊接到护套销3的尖端部301的外围。
导管11、护套销3和端盖4由不锈钢或基于Ni的耐热合金构成。此外，凸缘12和保护管13也由不锈钢或基于Ni的耐热合金构成。
另外，导管11的厚度大于护套销3的外管部34的厚度。导管11具有比护套销3的外管部34更高的刚度。
护套销3由两个引线21、绝缘部33和外管部34构成，如图2所示。两个引线21由基于Ni的耐热合金构成。绝缘部33由诸如氧化镁的绝缘粉末构成，并设置在引线21的外围。外管部34由不锈钢构成，其覆盖绝缘部33的外围。护套销3具有圆筒形。外管部34具有圆柱形。另外，引线21在尖端侧和后端侧从绝缘部21和外管部34露出。引线21的尖端由接合材料22接合到热敏元件2的电极膜20（见图1）。引线21的后端接合到外部引线17（见图2）。
保护层52在室温到850℃的温度范围内一直与端盖4的内表面接触，如图2和图3所示。优选地，保护层52在室温到1000℃的温度范围内一直与端盖4的内表面接触。
此外，保护层52在室温到850℃的温度范围内不与端盖发生化学反应。优选地，外保护层52在室温到1000℃的温度范围内不与端盖4发生化学反应。
另外，引线21接合到热敏元件2的外表面，如图1所示。换句话说，热敏元件2具有大致长方体形状。在彼此平行的一对表面上形成该对电极膜20。从护套销3内延伸出的引线21分别直接接合到电极。
接下来，将说明根据本实施例的制造温度传感器1的方法的示例。
首先，如下所述地制造热敏元件2。
换句话说，将52.2vol%的氮化硅（Si3N4）粉末（平均颗粒尺寸0.7μm）、40vol%的碳化硅（SiC）粉末（平均颗粒尺寸0.2μm）、作为烧结助剂的5.5vol%的氧化钇（Y2O3）粉末（平均颗粒尺寸0.5μm）、和作为添加剂的2.3vol%的硼化钛（TiB2）粉末（平均颗粒尺寸0.4μm）混合。使用乙醇，由球磨机将混合物混合24小时。
接下来，将混合原材料放置在磨具内。在20MPa的压力下执行单轴模压成型。在1850℃的温度和20MPa的压力条件下，在N2气氛中执行热压一小时。结果，获得热敏元件2，其由具有长度1mm、宽度1mm和高度0.5mm的长方体形状（平板形）的烧结体（低热膨胀陶瓷）构成。
接下来，在热敏元件2的高度方向上彼此相对的一对表面上厚膜印刷厚度约为10μm的Cr-Fe合金浆料。随后在温度1300℃烘烤Cr-Fe合金浆料，从而形成电极膜20。Cr-Fe合金浆料具有约30μm或更少的粒度。
接下来，将由基于Ni的合金构成的从护套销3内延伸出的引线21以如下方式接合到热敏元件2的电极膜20（见图1）。
换句话说，首先，将80wt%到85wt%的NAS4425A5型钢颗粒（平均颗粒尺寸10μm）、4wt%到6wt%的丙烯酸共聚物、0.1wt%到1wt%的邻苯（二甲酸酯）二甲酸二辛酯、1wt%到2wt%的溶剂石脑油、5wt%到10wt%的乳酸丁酯和1wt%或更少的硅树脂混合，从而产生浆状接合材料。
接下来，将由基于Ni的合金构成的从护套销延伸出的引线21布置为接触热敏元件2的该对电极表面20，如图4所示。
随后，借助浆料充填方法，将浆状接合材料220涂敷到电极表面20和引线的接触部，如图5和图6所示。随后在温度1200℃加热所得物一小时并烘烤。结果，由接合材料接合热敏元件2的电极表面20和引线21，如图1所示。
接下来，例如，将由30wt%到60wt%的SiO2、10wt%到30wt%的CaO、5wt%到25wt%的Mg、和0wt%到15wt%的Al2O3构成的结晶玻璃粉末与溶剂混合，并形成浆料。将引线21接合到的热敏元件2浸入浆料中，并沉积预定量的玻璃浆料。在干燥后，在1200℃对所得物进行热处理，从而同时执行玻璃的结晶化和烘烤。形成如图1所示的保护层52。玻璃浆料的线性膨胀系数与电极膜20的线性膨胀系数相匹配。
接下来，将接合到从护套销延伸出的引线21，并由保护层52覆盖的热敏元件2插入到端盖4中，如图2和图3所示。端盖4已加热到温度300℃或更高。接下来，将端盖4冷却到室温，并焊接到护套销3的侧表面。
如上所述地获得温度传感器1。接下来，将说明根据本实施例的操作效果。首先，根据本实施例的温度传感器1包括由低热膨胀陶瓷构成的热敏元件2，如图1所示。在温度传感器1中，由通过烘烤浆状Fe-Cr-Al合金而形成的接合材料22接合由Cr-Fe合金构成的电极膜20和由基于Ni的合金构成的引线21。
作为以此方式规定的引线21与电极膜20的接合部外围中的材料的结果，可以使热敏元件2、电极膜20、接合材料22和引线21的线性膨胀系数彼此更接近。此外，当构成热敏元件2的低热膨胀陶瓷的线性膨胀系数是Ta（/℃）、电极膜20的线性膨胀系数是Tb（/℃）、接合材料22的线性膨胀系数是Tc（/℃），且引线21的线性膨胀系数是Td（/℃）时，可以建立Ta≤Tb≤Tc≤Td。可以逐步使线性膨胀系数彼此更接近。
换句话说，经由电极膜20和接合材料22，在引线21与由低热膨胀陶瓷构成的热敏元件2之间形成线性膨胀系数的渐变梯度。因此，即使在高温环境下也不容易发生断开连接。温度传感器1是非常可靠的。另外，即使在宽量程应用环境下也可以减小热应力。可以提高温度传感器1的可靠性。
另外，在根据本实施例的温度传感器中，使用了由基于Ni的合金构成的引线21。与由Pt构成的常规引线相比，强度更高。因此，对抗振动的耐久性优异，且不易发生断开连接。即使在使用作为铁氧体型不锈钢的Fe-Cr-Al合金（例如，由Nisshin Steel Co.,Ltd.制造的“NCA1”）代替基于Ni的合金时，也证实可以实现与根据本实施例的效果相似的效果。
另外，在根据本实施例的温度传感器1中，使用了由基于Ni的合金构成的引线。可以实现避免使用贵重金属。因此，可以以低成本制造根据本实施例的温度传感器1。
另外，根据本实施例，配置热敏元件2的低热膨胀陶瓷由第一相和半导电或导电的第二相颗粒构成。第一相由绝缘基质颗粒构成，该绝缘基质颗粒由非氧化物构成。第二相颗粒以三维网格形状不连续地散布在第一相中。
因此，可以实现具有令人满意的灵敏度的温度传感器。另外，可以实现能够避免还原降解并具有优良耐热性的温度传感器。
另外，根据本实施例的温度传感器1具有保护层52，其将热敏元件2、电极膜20和接合材料22连同一部分引线21密封在一起。
因此，可以减小热敏元件2、电极膜20与引线21的接合部中的热应力。另外，可以提高接合部的保持强度，并可以进一步提高对抗振动的耐久性。
如上所述，根据本实施例，在包括具有低热膨胀的热敏元件的温度传感器中，可以防止断开连接。另外，可以提供以低成本制造的温度传感器。
【第二实施例】
将说明根据本发明的第二实施例的温度传感器。根据第二及以后的实施例，以相同的参考标记给出与上述根据第一实施例的温度传感器的构成元件相同或等价的构成元件。省略或简化其说明。
根据本实施例，给出的示例中是，通过从根据第一实施例的方法改变在热敏膜上形成电极膜的方法等，来制造温度传感器。除了下文说明的形成电极膜的方法等以外，根据本实施例的温度传感器具有与根据第一实施例的相似的结构。
关于制造根据本实施例的温度传感器，具体而言，首先，以类似于根据第一实施例的方式来获得热敏元件。
接下来，在热敏元件的高度方向上彼此相对的一对表面上厚膜印刷厚度约为10μm到20μm的Cr-Fe合金浆料。随后在温度1200℃下烘烤Cr-Fe合金浆料，从而形成电极膜。Cr-Fe合金浆料具有约10μm或更少的粒度。
接下来，以类似于根据第一实施例的方式，将由基于Ni的合金构成的、从护套销内延伸出的引线接合到热敏元件的电极膜。
换句话说，首先，将等同于SUH21的80wt%到85wt%的NAS4425A5型钢颗粒（由Nippon Yakin Kogyo Co.,Ltd.制造；平均颗粒尺寸10μm或更少）、4wt%到6wt%的丙烯酸共聚物、0.1wt%到1wt%的邻苯（二甲酸酯）二甲酸二辛酯、1wt%到2wt%的溶剂石脑油、5wt%到10wt%的乳酸丁酯和1wt%或更少的硅树脂混合，从而产生浆状接合材料。
接下来，将由基于Ni的合金构成的从护套销延伸出的引线布置为接触热敏元件的该对电极膜。随后，借助浆料充填方法，将浆状接合材料涂敷到电极膜和引线的接触部。随后在温度1100℃下加热所得物一小时并烘烤。结果，由接合材料接合热敏元件的电极膜和引线。
接下来，以类似于根据第一实施例的方式，浸泡引线所接合的热敏元件。在干燥后，对热敏元件进行热处理，从而形成保护层。
接下来，以类似于根据第一实施例的方式，将接合到从护套销延伸出的引线并由保护层覆盖的热敏元件插入加热的端盖中并冷却。随后将端盖焊接到护套销的侧表面。
如上所述地获得根据本实施例的温度传感器。同样在根据本实施例制造的温度传感器中，以类似于根据第一实施例的方式，当构成热敏元件的低热膨胀陶瓷的线性膨胀系数是Ta（/℃）、电极膜的线性膨胀系数是Tb（/℃）、接合材料的线性膨胀系数是Tc（/℃），且引线的线性膨胀系数是Td（/℃）时，可以建立Ta≤Tb≤Tc≤Td。可以逐步使线性膨胀系数彼此更接近。换句话说，经由电极膜和接合材料，在引线与由低热膨胀陶瓷构成的热敏元件之间形成线性膨胀系数的渐变梯度。因此，即使在高温环境下也不容易发生断开连接。根据本实施例的温度传感器是非常可靠的。另外，即使在宽量程应用环境下也可以减小热应力。可以提高根据本实施例的温度传感器的可靠性。
根据本实施例的温度传感器实现了类似于根据第一实施例的其它操作效果。
【第三实施例】
将参考图7来说明根据本发明的第三实施例的温度传感器。根据本实施例，本发明涉及温度传感器，其配置为使得接合到热敏元件的电极膜的引线接合到从护套销延伸出的信号线。
具体地，在根据本实施例的温度传感器6中，以类似于根据第一实施例的方式，包括长方体的热敏元件2、一对电极膜20和引线21，如图7所示。在热敏元件2的表面上提供该对电极膜20。引线21接合到该对电极膜20。引线21由接合材料22接合到电极膜20。
根据本实施例，将接合到电极膜20的该对引线21接合到从护套销3的尖端延伸出的信号线215。可以通过激光焊接来接合引线21和信号线215。以类似于根据第一实施例的方式，将信号线215的后端接合到外部引线（未图示）。
根据本实施例，引线21由SUH21(JIS G4312)构成，该SUH21(JIS G4312)由Fe-Cr-Al合金构成。引线21的线性膨胀系数是11×10-6/℃。
另外，信号线215由“INCONEL（注册商标）601”构成，该INCONEL（注册商标）601是由Daido-Special Metals Ltd.制造的基于Ni的合金（NCF601）。信号线215的线性膨胀系数是14×10-6/℃。
其它配置类似于根据第一实施例的配置。同样在根据本实施例的温度传感器6中，以类似于根据第一实施例和第二实施例的方式，当构成热敏元件2的低热膨胀陶瓷的线性膨胀系数是Ta（/℃）、电极膜21的线性膨胀系数是Tb（/℃）、接合材料22的线性膨胀系数是Tc（/℃），且引线21的线性膨胀系数是Td（/℃）时，可以建立Ta≤Tb≤Tc≤Td。可以逐步使线性膨胀系数彼此更接近（见图7）。换句话说，经由电极膜20和接合材料22，在引线21与由低热膨胀陶瓷构成的热敏元件2之间形成线性膨胀系数的渐变梯度。因此，即使在宽量程应用环境下也可以减小热应力。可以提高根据本实施例的温度传感器6的可靠性。
根据本实施例的温度传感器实现了类似于根据第一实施例的其它操作效果。
【第四实施例】
将参考图8来说明根据第三实施例的温度传感器。根据本实施例，本发明涉及在热敏元件的端部和接合材料的外边缘之间的最短距离与在热敏元件和接合材料的接合表面上发生断裂之间的关系。换句话说，制造多个温度传感器（样品X1到样品X5），它们在电极表面与引线之间的接触部中具有以不同尺寸形成的接合材料。检查了接合材料形成之后发生在热敏元件中的断裂的存在。
具体地，首先，以类似于根据第一实施例的方式制造热敏元件。在热敏元件的高度方向上彼此相对的一对表面上厚膜印刷厚度约为10μm到20μm的Cr-Fe合金浆料。随后在温度1200℃烘烤Cr-Fe合金浆料，从而形成电极膜。Cr-Fe合金浆料具有约10μm或更少的粒度。
接下来，将等同于SUH21的80wt%到85wt%的NAS4425A5型钢颗粒（由Nippon Yakin Kogyo Co.,Ltd.制造；平均颗粒尺寸10μm或更少）、4wt%到6wt%的丙烯酸共聚物、0.1wt%到1wt%的邻苯（二甲酸酯）二甲酸二辛酯、1wt%到2wt%的溶剂石脑油、5wt%到10wt%的乳酸丁酯和1wt%或更少的硅树脂混合，从而产生浆状接合材料。
接下来，以类似于根据第一实施例的方式，将由基于Ni合金构成的引线布置为与热敏元件上形成的该对电极膜接触。随后，借助浆料充填方法，将浆状接合材料涂敷到电极膜和引线的接触部。随后在温度1100℃下加热所得物一小时并烘烤。结果，引线21和热敏元件2的电极膜20由接合材料22接合（见图8）。
根据本实施例，由通过改变涂敷的浆状接合材料的量而改变的电极膜上的接合区域来形成不同尺寸的接合材料。
在其它方面，可以以类似于根据第一实施例的方式来制造温度传感器。根据本实施例，在热敏元件2与接合材料22的接合表面上，测量热敏元件2的端部28与接合材料22的外边缘229之间的最短距离（a、b、c或d）。如图8所示，根据本实施例，在顶视图中，从在其上形成接合材料22的长方体热敏元件2的表面的形成接合的一侧，形成接合材料22，以使得外边缘229大致为圆形。因此，上述的最短距离是距离a、距离b、距离c或距离d，如图8所示。
根据本实施例，在制造的温度传感器的样品X1到X5中，测量距离a、距离b、距离c或距离d，检验最短距离。结果在表1中示出。
另外，关于每一个样品，在形成接合材料后，在显微镜下检查热敏元件中会出现的断裂的存在。对于制造的五个温度传感器中的每一个，在与每一个样品X1到X5（N=5）相似的条件下检查断裂的存在。结果在表1中示出。在表1中，“×”指示可以观察到断裂时，而“○”指示没有观察到断裂时。
【表1】
如表1清楚表明指示的，在热敏元件2与接合材料22的接合表面上，当热敏元件2的端部28与接合材料22之间的最短距离至少是0.1mm或更大时（样品X3到X5），在五个测量中未发生断裂。另一方面，当热敏元件2的端部28与接合材料22之间的最短距离小于0.1mm时（样品X1与X2），在五个测量的至少任意一个中，观察到接合材料形成后热敏元件中断裂的发生。
以此方式，根据本实施例，显然，在热敏元件2与接合材料22的接合表面上，在热敏元件2的端部28与接合材料之间的最短距离优选至少是0.1mm或更大。
【第五实施例】
将参考图9来说明根据本发明的第三实施例的温度传感器。根据本实施例，给出的示例中，由不使用接合材料接合的电极膜和引线制造温度传感器。
具体地，通过激光焊接来接合电极膜20和引线21，如图9所示。另外，根据本实施例，形成温度传感器7而不形成保护层。除了通过激光焊接来接合电极膜20与引线21而不使用接合材料且不形成保护层以外，根据本实施例的温度传感器7具有类似于根据第一实施例的温度传感器的结构。
为了制造根据本实施例的温度传感器7，具体而言，首先，以类似于根据第一实施例的方式制造热敏元件2，如图9所示。接下来，在热敏元件2的高度方向上彼此相对的一对表面上厚膜印刷厚度约为10μm到20μm的Cr-Fe合金浆料。随后在温度1200℃下烘烤Cr-Fe合金浆料，从而形成电极膜20。Cr-Fe合金浆料具有约10μm或更少的粒度。
接下来，将由基于Ni的合金构成的从护套销3内延伸出的引线21接合到热敏元件2的电极膜20。通过激光焊接在接合部中接合电极膜20和引线21。尽管根据本实施例通过激光焊接来接合电极膜20和引线21，但它们也可以由例如电阻焊接来接合。
接下来，以类似于根据第一实施例的方式，将接合到从护套销3延伸出的引线21的热敏元件2插入到加热的端盖4中并冷却。随后将端盖焊接到护套销的侧表面。
如上所述地获得根据本实施例的温度传感器7。在根据本实施例制造的温度传感器7中，当构成热敏元件2的低热膨胀陶瓷的线性膨胀系数是Ta（/℃）、电极膜20的线性膨胀系数是Tb（/℃）、且引线的线性膨胀系数是Td（/℃）时，可以建立Ta≤Tb≤Td。可以逐步使线性膨胀系数彼此更接近。换句话说，经由电极膜20，在引线21与由低热膨胀陶瓷构成的热敏元件2之间形成线性膨胀系数的渐变梯度。因此，即使在宽量程应用环境下也可以减小热应力。可以提高根据本实施例的温度传感器7的可靠性。
另外，在根据本实施例的温度传感器7中，通过激光焊接来接合引线21与电极膜20而不使用接合材料，如图9所示。在引线21与电极膜20的接合部中形成焊接部210。由激光焊接部分熔化并随后硬化的引线21与电极膜20来形成焊接部210。
因此，与使用接合材料的所谓扩散接合的强度相比，接合部的强度可以增大。另外，对于使用接合材料的接合，需要借助真空炉等的热处理。然而，当由根据本实施例的焊接来执行接合时，在接合过程中无需执行热处理。因此，提高了生产率。另外，可以防止残留的热应变的出现。因此，可以提高抗热应力性。
根据本实施例的温度传感器实现了类似于根据第一实施例的其它操作效果。
根据本实施例，在无需形成保护层的情况下制造温度传感器。然而，以类似于根据第一实施例的方式，可以通过浸泡、干燥和热处理引线所连接的热敏元件来形成保护层。
【参考标记列表】
1：温度传感器
2：热敏元件
20：电极膜
21：引线
22：接合材料

Claims (14)

1.一种温度传感器，包括：
热敏元件，所述热敏元件由具有3×10-6/℃到5×10-6/℃的线性膨胀系数并且其电气特性取决于温度而改变的低热膨胀陶瓷构成；
设置在所述热敏元件的表面上的一对电极膜，所述电极膜由包含Cr作为主要成分的Cr-Fe合金构成；以及
具有15×10-6/℃或更小的线性膨胀系数并且接合到所述电极膜的一对引线，
其中，当所述热敏元件、所述电极膜和所述引线的线性膨胀系数分别由Ta(/℃)、Tb(/℃)和Td(/℃)表示时，所述热敏元件、所述电极膜和所述引线的所述线性膨胀系数被设定为满足关系Ta≤Tb≤Td并且所述电极膜的所述线性膨胀系数Tb(/℃)被设定为Tb≤11×10-6。
2.根据权利要求1所述的温度传感器，其中，
所述电极膜和所述引线经由由Fe-Cr-Al合金或Cr-Fe合金构成的接合材料来相互接合，
当所述接合材料的线性膨胀系数由Tc(/℃)表示时，所述热敏元件、所述电极膜、所述引线和所述接合材料的所述线性膨胀系数被设定为满足关系Ta≤Tb≤Tc≤Td，并且
所述接合材料的所述线性膨胀系数Tc(/℃)被设定为在9×10-6≤Tc≤12×10-6的范围内。
3.根据权利要求1或2所述的温度传感器，其中，所述接合材料和所述引线由至少包含Cr和Fe的合金构成。
4.根据权利要求3所述的温度传感器，其中，所述接合材料由包含60-90wt％的Cr和40-10wt％的Fe的合金制成。
5.根据权利要求3所述的温度传感器，其中，所述电极膜形成在所述热敏元件的一对相对表面的整个表面上，并且在接合所述热敏元件和所述接合材料两者的接合表面上，所述热敏元件的端部与所述接合材料之间的最短距离至少是0.1mm。
6.根据权利要求5所述的温度传感器，其中，所述热敏元件包括由基质颗粒构成的基质相，所述基质颗粒由氮化硅构成。
7.根据权利要求6所述的温度传感器，包括保护层，所述保护层将所述热敏元件和所述电极膜连同所述引线的一部分一起密封。
8.根据权利要求4所述的温度传感器，其中，所述热敏元件包括由基质颗粒构成的基质相，所述基质颗粒由氮化硅构成。
9.根据权利要求8所述的温度传感器，包括保护层，所述保护层将所述热敏元件和所述电极膜连同所述引线的一部分一起密封。
10.根据权利要求2所述的温度传感器，其中，所述电极膜形成在所述热敏元件的一对相对表面的整个表面上，并且在接合所述热敏元件和所述接合材料两者的接合表面上，所述热敏元件的端部与所述接合材料之间的最短距离至少是0.1mm。
11.根据权利要求10所述的温度传感器，其中，所述热敏元件包括由基质颗粒构成的基质相，所述基质颗粒由氮化硅构成。
12.根据权利要求11所述的温度传感器，包括保护层，所述保护层将所述热敏元件和所述电极膜连同所述引线的一部分一起密封。
13.根据权利要求1所述的温度传感器，其中，所述热敏元件包括由基质颗粒构成的基质相，所述基质颗粒由氮化硅构成。
14.根据权利要求1所述的温度传感器，包括保护层，所述保护层将所述热敏元件和所述电极膜连同所述引线的一部分一起密封。
CN201180020816.5A 2010-04-28 2011-04-26 包括热敏元件的温度传感器 Expired - Fee Related CN102869966B (zh)

Applications Claiming Priority (5)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2010104412 2010-04-28
JP2010-104412 2010-04-28
JP2011070783A JP5304822B2 (ja) 2010-04-28 2011-03-28 温度センサ
JP2011-070783 2011-03-28
PCT/JP2011/060099 WO2011136193A1 (ja) 2010-04-28 2011-04-26 感温素子を備えた温度センサ

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN102869966A CN102869966A (zh) 2013-01-09
CN102869966B true CN102869966B (zh) 2015-02-11

Family

ID=44861492

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201180020816.5A Expired - Fee Related CN102869966B (zh) 2010-04-28 2011-04-26 包括热敏元件的温度传感器

Country Status (5)

Country Link
US (1) US9714869B2 (zh)
JP (1) JP5304822B2 (zh)
CN (1) CN102869966B (zh)
DE (1) DE112011101480B4 (zh)
WO (1) WO2011136193A1 (zh)

Families Citing this family (23)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101916238B1 (ko) * 2011-06-28 2019-01-30 엘지이노텍 주식회사 진공 열처리 장치
JP5736348B2 (ja) * 2012-06-21 2015-06-17 立山科学工業株式会社 薄膜抵抗体温度センサとその製造方法
DE102012110822A1 (de) * 2012-11-12 2014-05-15 Epcos Ag Temperatursensorsystem und Verfahren zur Herstellung eines Temperatursensorsystems
DE102012110858A1 (de) * 2012-11-12 2014-05-15 Epcos Ag Temperatursensorsystem und Verfahren zur Herstellung eines Temperatursensorsystems
DE102012110845A1 (de) * 2012-11-12 2014-05-15 Epcos Ag Temperaturfühler und Verfahren zur Herstellung eines Temperaturfühlers
JP6412309B2 (ja) * 2013-03-12 2018-10-24 日本特殊陶業株式会社 サーミスタ素子、温度センサ及びサーミスタ素子の製造方法
CN103398797B (zh) * 2013-08-16 2016-11-09 广东爱晟电子科技有限公司 热敏电阻温度传感器及其制作方法
US10281337B2 (en) * 2013-09-20 2019-05-07 Furuya Metal Co., Ltd. Thermocouple and manufacturing method for same
JP6265001B2 (ja) * 2014-03-28 2018-01-24 株式会社デンソー 温度センサ
JP2015190904A (ja) * 2014-03-28 2015-11-02 日本特殊陶業株式会社 温度センサ
KR101578366B1 (ko) * 2014-04-24 2015-12-29 (주)래트론 온도 센서 소자 및 그 제조 방법
KR101646711B1 (ko) * 2014-04-25 2016-08-09 (주) 래트론 온도 센서 소자 및 그 제조 방법
JP6297914B2 (ja) 2014-05-01 2018-03-20 日本特殊陶業株式会社 感温素子および温度センサ
DE102014110560A1 (de) * 2014-07-25 2016-01-28 Epcos Ag Sensorelement, Sensoranordnung und Verfahren zur Herstellung eines Sensorelements und einer Sensoranordnung
DE102014110553A1 (de) 2014-07-25 2016-01-28 Epcos Ag Sensorelement, Sensoranordnung und Verfahren zur Herstellung eines Sensorelements
JP6453101B2 (ja) * 2015-02-19 2019-01-16 株式会社豊田中央研究所 セラミックス／金属接合体
JP6296081B2 (ja) 2015-04-03 2018-03-20 株式会社デンソー 温度センサ
DE102016107931A1 (de) 2016-04-28 2017-11-02 Epcos Ag Elektronisches Bauelement zur Einschaltstrombegrenzung und Verwendung eines elektronischen Bauelements
DE102017111252A1 (de) 2017-05-23 2018-11-29 Man Truck & Bus Ag Verfahren zur Echtzeit-Detektion von Ablagerungen bei Verbrennungsmotoren mit AGN-Systemen
WO2021065541A1 (ja) * 2019-10-03 2021-04-08 株式会社芝浦電子 温度センサ素子および温度センサ素子の製造方法
DE102020126833A1 (de) * 2020-10-13 2022-04-14 Tdk Electronics Ag Sensoranordnung und Verfahren zur Herstellung einer Sensoranordnung
US11590576B2 (en) 2021-06-24 2023-02-28 Baker Hughes Oilfield Operations Llc Method of forming a high temperature sensor
DE102021123241A1 (de) 2021-09-08 2023-03-09 Tdk Electronics Ag Verfahren zum Aufbringen einer Beschichtung auf mindestens ein elektronisches Bauteil und Sensoranordnung mit einer Beschichtung

Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN87103486A (zh) * 1987-05-07 1988-01-13 中国科学院新疆物理研究所 掺金、掺铂单晶硅互换热敏电阻及其制作方法

Family Cites Families (18)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS62189701A (ja) * 1986-02-15 1987-08-19 宝工業株式会社 炭化硅素焼結体サ−ミスタ
JPH0448701A (ja) * 1990-06-15 1992-02-18 Daito Tsushinki Kk 自己復帰形過電流保護素子
JPH0521208A (ja) * 1991-05-07 1993-01-29 Daito Tsushinki Kk Ｐｔｃ素子
JP3339652B2 (ja) * 1992-10-21 2002-10-28 株式会社豊田中央研究所 複合材料およびその製造方法
JP3461054B2 (ja) * 1994-04-04 2003-10-27 株式会社豊田中央研究所 複合材料
WO1996005151A1 (fr) 1994-08-09 1996-02-22 Kabushiki Kaisha Toyota Chuo Kenkyusho Materiau composite et son procede de fabrication
JP3007281B2 (ja) * 1995-03-31 2000-02-07 株式会社豊田中央研究所 サーミスタ材料およびその製造方法
JPH08162302A (ja) * 1994-12-05 1996-06-21 Matsushita Electric Ind Co Ltd サーミスタとその製造方法
JP4284756B2 (ja) * 1999-06-08 2009-06-24 株式会社豊田中央研究所 ワイドレンジ用サーミスタ材料
US7748898B2 (en) * 2007-02-27 2010-07-06 Denso Corporation Temperature sensor and method of producing the temperature sensor
JP4990256B2 (ja) 2007-10-15 2012-08-01 株式会社デンソー 温度センサ及びその製造方法
JP5347553B2 (ja) * 2009-02-20 2013-11-20 Ｔｄｋ株式会社 サーミスタ素子
JP2010261860A (ja) * 2009-05-08 2010-11-18 Shibaura Electronics Co Ltd 温度センサ及び温度センサシステム
JP5437304B2 (ja) * 2010-04-28 2014-03-12 株式会社デンソー 温度センサ素子及びその製造方法、温度センサ
JP5678520B2 (ja) * 2010-08-26 2015-03-04 Tdk株式会社 サーミスタ素子
DE112011102974B4 (de) * 2010-09-07 2018-06-14 Stoneridge, Inc. Temperatursensor
JP5561292B2 (ja) * 2012-03-06 2014-07-30 株式会社デンソー 温度センサ
JP6292148B2 (ja) * 2014-07-31 2018-03-14 株式会社デンソー 温度センサ

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN87103486A (zh) * 1987-05-07 1988-01-13 中国科学院新疆物理研究所 掺金、掺铂单晶硅互换热敏电阻及其制作方法

Non-Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
JP平8-162302A 1996.06.21 *
JP平8-273904A 1996.10.18 *
JP昭62-189701A 1987.08.19 *

Also Published As

Publication number Publication date
CN102869966A (zh) 2013-01-09
US20130223479A1 (en) 2013-08-29
DE112011101480B4 (de) 2018-11-15
JP5304822B2 (ja) 2013-10-02
DE112011101480T5 (de) 2013-05-29
WO2011136193A1 (ja) 2011-11-03
JP2011247876A (ja) 2011-12-08
US9714869B2 (en) 2017-07-25

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN102869966B (zh) 包括热敏元件的温度传感器
KR100841271B1 (ko) 세라믹 히터 및 그 제조방법
CN102939519A (zh) 温度传感器元件、用于制造温度传感器元件的方法和温度传感器
WO2006109792A1 (ja) 導電性酸化物焼結体、導電性酸化物焼結体を用いたサーミスタ素子、及びサーミスタ素子を用いた温度センサ
JPH0791610B2 (ja) 非酸化物セラミックヒータ用金属ロー材
JPS625604A (ja) 電気的構造要素及びその製法
JP2015534083A (ja) 温度センサシステムおよび温度センサシステムの製造方法
JP5546995B2 (ja) 導電性酸化物焼結体、これを用いたサーミスタ素子、及びこれを用いた温度センサ
JP2007220912A (ja) サーミスタ素子、これを用いた温度センサ、及びサーミスタ素子の製造方法
KR101633170B1 (ko) 땜납, 알루미늄 전선체 및 그것을 사용한 모터
JP2013234105A (ja) 導電性酸化物焼結体、サーミスタ素子及び温度センサ
WO2017104645A1 (ja) サーミスタ及びサーミスタを用いた装置
JP3886699B2 (ja) グロープラグ及びその製造方法
JP5421267B2 (ja) 導電性酸化物焼結体、これを用いたサーミスタ素子、及びこれを用いた温度センサ
JP5503132B2 (ja) 抵抗体ペースト及び抵抗器
JP6545627B2 (ja) 温度センサ
JP2012043911A (ja) 導電性酸化物焼結体、これを用いたサーミスタ素子、及びこれを用いた温度センサ
JP2014099431A (ja) コンポジットｐｔｃサーミスタ部材
JP2003535482A (ja) 材料複合体ならびに複合体の製造方法および用途
JPH09245946A (ja) セラミックヒータ
JP3038039B2 (ja) セラミックスヒータ及びその製造方法
JPH0950904A (ja) 導電性ペースト、およびこれを用いたｎｔｃサーミスタ
WO2000069218A1 (fr) Plaque chauffante et pâte conductrice
JP2001043962A (ja) 窒化ケイ素セラミックヒータ
JP6726802B2 (ja) 物理量測定装置およびその製造方法ならびに物理量測定素子

Legal Events

Date Code Title Description
C06 Publication
PB01 Publication
C10 Entry into substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
C53 Correction of patent of invention or patent application
CB03 Change of inventor or designer information

Inventor after: Satou Motoki

Inventor after: Ku Hengyan

Inventor after: Ge Gangxin

Inventor after: Ogawa Chiaki

Inventor after: Inokuchi Kazuhiro

Inventor before: Satou Motoki

Inventor before: Ku Hengyan

Inventor before: Ge Gangxin

Inventor before: Ogawa Chiaki

COR Change of bibliographic data

Free format text: CORRECT: INVENTOR; FROM: MOTOKI SATOU TSUNENOBU HORI GE GANGXIN CHIAKI OGAWA TO: MOTOKI SATOU TSUNENOBU HORI GE GANGXIN CHIAKI OGAWA KAZUHIRO INOKUCHI

C14 Grant of patent or utility model
GR01 Patent grant
CF01 Termination of patent right due to non-payment of annual fee
CF01 Termination of patent right due to non-payment of annual fee

Granted publication date: 20150211

Termination date: 20210426