WO2010116887A1 - 絶縁ゲート型電界効果トランジスタ - Google Patents

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Definitions

  • an object of the present invention is to provide a MOSFET capable of reducing on-resistance by reducing channel mobility even when the gate voltage is high.
  • the present inventor has studied a measure for reducing the channel mobility of the storage MOSFET when the gate voltage is high. As a result, the following knowledge was obtained and the present invention was conceived.
  • the ⁇ 11-20> direction is a typical off orientation in the SiC substrate. Then, by setting the variation in the off orientation due to slicing variations in the substrate manufacturing process to ⁇ 5 °, the formation of an epitaxial layer on the SiC substrate is facilitated, and the MOSFET is easily manufactured. be able to.
  • the ⁇ 01-10> direction is a typical off orientation in the SiC substrate, similar to the ⁇ 11-20> direction. Then, by setting the variation in the off orientation due to slicing variations in the substrate manufacturing process to ⁇ 5 °, the formation of an epitaxial layer on the SiC substrate is facilitated, and the MOSFET is easily manufactured. be able to.
  • the main surface of the substrate may have an off angle of ⁇ 3 ° to + 5 ° with respect to the (0-33-8) plane in the ⁇ 01-10> direction.
  • Channel region 17 is arranged between well region 14 and gate oxide film 18 so as to be in contact with well region 14 and gate oxide film 18, and connects n-type contact region 15 and breakdown voltage holding layer 13. . Further, the channel region 17 has an n-type conductivity by containing an n-type impurity at a lower concentration than the n-type contact region 15. From another viewpoint, the channel region 17 is arranged along the gate oxide film 18 so as to extend from the n-type contact region 15 to the side opposite to the p-type contact region 16 adjacent to the n-type contact region 15. The n-type contact region 15 and the breakdown voltage holding layer 13 are connected.
  • the maximum value of the nitrogen concentration in a region within 10 nm from the interface between the channel region 17 and the gate oxide film 18 is 1 ⁇ 10 21 cm ⁇ 3 or more. Thereby, channel mobility can be further improved.
  • a SiC layer into which n-type impurities are introduced at a concentration of about 5 ⁇ 10 17 cm ⁇ 3 is formed to a thickness of about 0.5 ⁇ m to form the buffer layer 12, and then the concentration of the n-type impurities to be introduced is changed.
  • the SiC layer can be formed with a thickness of about 10 ⁇ m to form the breakdown voltage holding layer 13.
  • a well region forming step is performed as a step (S30).
  • the first main surface 13A which is the main surface on the substrate 11 side, is on the opposite side.
  • a pair of well regions 14 are formed by ion implantation in a region including the second main surface 13B which is the main surface.
  • a second activation annealing step is performed as a step (S80).
  • step (S80) referring to FIG. 6, activation annealing is performed by heating the breakdown voltage holding layer 13 in which the ion implantation is performed in steps (S60) and (S70).
  • the activation annealing can be performed, for example, in the same manner as in the step (S40).
  • channel mobility was measured by fabricating a TEG (Test Element Group) -MOSFET.
  • ion implantation is performed to thereby correspond to the source region 35A and the drain region 35B corresponding to the n-type contact region 15 and the p-type contact region 16.
  • a p-type contact region 36 and a channel region 37 corresponding to the channel region 17 are formed in the same manner, a gate oxide film 38 corresponding to the gate oxide film 18, an ohmic contact electrode 39 corresponding to the ohmic contact electrode 19, and a gate A gate electrode 40 corresponding to the electrode 20, a source electrode 41A and a drain electrode 41B corresponding to the source electrode 21 were formed (storage type MOSFET on (03-38) and storage type MOSFET on (0001)).
  • the channel length L was 100 ⁇ m
  • the channel width the width of the channel in the direction perpendicular to the paper surface in FIG. 9 was 150 ⁇ m.

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Abstract

　ゲート電圧が高い場合でも、チャネル移動度を低減することによりオン抵抗を低減することが可能なＭＯＳＦＥＴ（１）は、ＳｉＣからなり、｛０００１｝面に対するオフ角が５０°～６５°の主面を有するｎ型の基板（１１）と、ＳｉＣからなり、基板（１１）の主面（１１Ａ）上に形成されたｎ型の耐圧保持層（１３）と、耐圧保持層（１３）において、第１の主面（１３Ａ）から離れて形成されたｐ型のウェル領域（１４）と、ウェル領域（１４）上に形成されたゲート酸化膜（１８）と、ウェル領域（１４）とゲート酸化膜（１８）との間に配置されたｎ型コンタクト領域（１５）と、ｎ型コンタクト領域（１５）と耐圧保持層（１３）とを接続するチャネル領域（１７）と、ゲート酸化膜（１８）上に配置されたゲート電極（２０）とを備えている。そして、チャネル領域（１７）とゲート酸化膜（１８）との界面を含む領域には、高窒素濃度領域（２３）が形成されている。

Description

絶縁ゲート型電界効果トランジスタ
　本発明は絶縁ゲート型電界効果トランジスタに関し、より特定的には、チャネル移動度を向上させることが可能な絶縁ゲート型電界効果トランジスタに関するものである。
　近年、半導体装置の高耐圧化、低損失化、高温環境下での使用などを可能とするため、半導体装置を構成する材料として炭化珪素（ＳｉＣ）の採用が進められつつある。炭化珪素は、従来から半導体装置を構成する材料として広く使用されている珪素（Ｓｉ）に比べてバンドギャップが大きいワイドバンドギャップ半導体である。そのため、半導体装置を構成する材料として炭化珪素を採用することにより、半導体装置の高耐圧化、オン抵抗の低減などを達成することができる。また、炭化珪素を材料として採用した半導体装置は、珪素を材料として採用した半導体装置に比べて、高温環境下で使用された場合の特性の低下が小さいという利点も有している。
　しかし、近年の半導体装置への要求特性は高く、たとえばＭＯＳＦＥＴ（Ｍｅｔａｌ　Ｏｘｉｄｅ　Ｓｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒ　Ｆｉｅｌｄ　Ｅｆｆｅｃｔ　Ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ）において、ＳｉＣを材料として採用した場合でも、さらなるオン抵抗の低減が求められている。ここで、オン抵抗の低減には、チャネル移動度の向上が有効である。
　これに対し、ＭＯＳＦＥＴにおける動作モードを蓄積モードとするＭＯＳＦＥＴの構造が提案されている。これにより、チャネル移動度を向上させ、オン抵抗を低減することができるとされている（たとえば、特開平１０－３０８５１０号公報（特許文献１）および特開平１１－３３０４６４号公報（特許文献２）参照）。
特開平１０－３０８５１０号公報 特開平１１－３３０４６４号公報
　しかしながら、近年、ＭＯＳＦＥＴの特性に対する要求は益々高くなっている。そして、上記要求を考慮すると、上記特許文献１および２に開示のＭＯＳＦＥＴを含め、従来のＭＯＳＦＥＴはチャネル移動度が十分に高いとはいえず、オン抵抗が十分に低減されていないという問題があった。より具体的には、ゲート電圧が低い場合、上記特許文献１および２に開示された蓄積型ＭＯＳＦＥＴのチャネル移動度は大きい。しかし、ゲート電圧が高くなるとチャネルを形成するＳｉＣとゲート酸化膜であるＳｉＯ２との界面の影響が大きくなり、従来の反転型ＭＯＳＦＥＴと同等の移動度となる（Ｓ．Ｈａｒａｄａ　ｅｔ　ａｌ．、“Ｉｍｐｒｏｖｅｄ　Ｃｈａｎｎｅｌ　Ｍｏｂｉｌｉｔｙ　ｉｎ　Ｎｏｒｍａｌｌｙ－Ｏｆｆ　４Ｈ－ＳｉＣ　ＭＯＳＦＥＴｓ　ｗｉｔｈ　Ｂｕｒｉｅｄ　Ｃｈａｎｎｅｌ　Ｓｔｒｕｃｔｕｒｅ”、Ｍａｔｅｒｉａｌｓ　Ｓｃｉｅｎｃｅ　Ｆｏｒｕｍ、２００２年、　Ｖｏｌｓ．３８９－３９３、ｐ１０６９－１０７２参照）。そのため、ゲート電圧が高い場合におけるチャネル移動度の向上が不十分であるという問題があった。
　そこで、本発明の目的は、ゲート電圧が高い場合でも、チャネル移動度を低減することによりオン抵抗を低減することが可能なＭＯＳＦＥＴを提供することである。
　本発明に従った絶縁ゲート型電界効果トランジスタであるＭＯＳＦＥＴは、基板と、耐圧保持層と、ウェル領域と、酸化膜と、第１導電型コンタクト領域と、チャネル領域と、電極とを備えている。基板は、炭化珪素（ＳｉＣ）からなり、｛０００１｝面に対するオフ角が５０°以上６５°以下である主面を有し、第１導電型となっている。耐圧保持層は、ＳｉＣからなり、基板の上記主面上に形成され、第１導電型となっている。ウェル領域は、耐圧保持層において、基板側の主面である第１の主面から離れて形成され、第１導電型とは導電型の異なる第２導電型となっている。
　酸化膜は、ウェル領域上に形成され、酸化物からなっている。第１導電型コンタクト領域は、ウェル領域と酸化膜との間に配置され、耐圧保持層よりも高濃度の第１導電型の不純物を含むことにより、第１導電型となっている。チャネル領域は、ウェル領域と酸化膜との間に、ウェル領域および酸化膜に接触するように配置され、第１導電型コンタクト領域と耐圧保持層とを接続し、第１導電型コンタクト領域よりも低濃度の第１導電型の不純物を含むことにより第１導電型となっている。電極は、酸化膜上に配置されている。そして、チャネル領域と酸化膜との界面を含む領域には、チャネル領域および酸化膜よりも窒素濃度の高い高窒素濃度領域が形成されている。
　本発明者は、ゲート電圧が高い場合における蓄積型ＭＯＳＦＥＴのチャネル移動度を低減する方策について検討を行なった。その結果、以下の知見が得られ、本発明に想到した。
　すなわち、ＳｉＣを材料として採用した蓄積型ＭＯＳＦＥＴにおいて用いられるＳｉＣ基板は、面方位｛０００１｝に対するオフ角が８°程度である主面を有していることが一般的である。そして、当該主面上に耐圧保持層、ウェル領域、チャネル領域、酸化膜、電極などが形成され、蓄積型ＭＯＳＦＥＴが得られる。しかし、このような構造を有する蓄積型ＭＯＳＦＥＴにおいては、基板の主面の面方位｛０００１｝に対するオフ角が８°程度であることに起因して、チャネル領域と酸化膜との界面付近において多くの界面準位が形成され、電子の走行の妨げとなる。低ゲート電圧下では界面準位の影響が小さいため、高いチャネル移動度が得られるが、高ゲート電圧下では界面準位の影響を受け、チャネル移動度が低下していた。
　これに対し、本発明のＭＯＳＦＥＴにおいては、面方位｛０００１｝に対するオフ角が５０°以上６５°以下である主面を有するＳｉＣ基板が採用されるため、上記界面準位の形成が低減され、高ゲート電圧下でのチャネル移動度が向上する。
　さらに、チャネル領域と酸化膜との界面を含む領域に高窒素濃度領域を形成することにより、高ゲート電圧下におけるチャネル移動度が向上することが明らかとなった。そのため、本発明のＭＯＳＦＥＴにおいては、チャネル移動度が一層向上する。
　以上のように、本発明のＭＯＳＦＥＴによれば、ゲート電圧が高い場合でも、チャネル移動度を低減することによりオン抵抗を低減することが可能なＭＯＳＦＥＴを提供することができる。
　ここで、オフ角の下限を５０°としたのは、オフ角と、蓄積型ＭＯＳＦＥＴにおける高ゲート電圧下でのチャネル移動度を決める反転型ＭＯＳＦＥＴのチャネル移動度との関係を検討した結果、オフ角が４３．３°の（０１－１４）面からオフ角が５１．５°の（０１－１３）面にかけてオフ角の増大とともにチャネル移動度の顕著な増大が見られたこと、および上記（０１－１４）面から（０１－１３）面の間のオフ角の範囲には自然面が存在しないこと、に基づいている。また、オフ角の上限を６５°としたのは、オフ角が６２．１°の（０１－１２）面からオフ角が９０°の（０１－１０）面にかけてオフ角の増大とともにキャリア移動度の顕著な減少が見られたこと、および上記（０１－１２)面から（０１－１０）面の間のオフ角の範囲には自然面が存在しないこと、に基づいている。
　上記ＭＯＳＦＥＴにおいて好ましくは、上記チャネル領域と酸化膜との界面から１０ｎｍ以内の領域における窒素濃度の最大値が１×１０２１ｃｍ－３以上である。
　本発明者による検討の結果、蓄積型ＭＯＳＦＥＴの高ゲート電圧下でのチャネル移動度の向上には、反転型ＭＯＳＦＥＴのチャネル移動度の向上が必要であり、反転型ＭＯＳＦＥＴのチャネル移動度の向上には、ウェル領域と酸化膜との界面から１０ｎｍ以内の領域における窒素濃度の最大値が重要であることが明らかとなった。そして、当該領域における窒素濃度の最大値を１×１０２１ｃｍ－３以上とすることにより、チャネル移動度の顕著な向上が得られることが分かった。したがって、上記構成により、チャネル移動度を一層向上させることができる。
　上記ＭＯＳＦＥＴにおいては、上記基板の主面のオフ方位が＜１１－２０＞方向±５°以下の範囲であってもよい。
　＜１１－２０＞方向は、ＳｉＣ基板における代表的なオフ方位である。そして、基板の製造工程におけるスライス加工のばらつき等に起因したオフ方位のばらつきを±５°とすることにより、ＳｉＣ基板上へのエピタキシャル層の形成などを容易とし、ＭＯＳＦＥＴの製造を容易に実施することができる。
　上記ＭＯＳＦＥＴにおいては、上記基板の主面のオフ方位が＜０１－１０＞方向±５°以下の範囲であってもよい。
　＜０１－１０＞方向は、上記＜１１－２０＞方向と同様に、ＳｉＣ基板における代表的なオフ方位である。そして、基板の製造工程におけるスライス加工のばらつき等に起因したオフ方位のばらつきを±５°とすることにより、ＳｉＣ基板上へのエピタキシャル層の形成などを容易とし、ＭＯＳＦＥＴの製造を容易に実施することができる。
　上記ＭＯＳＦＥＴにおいては、基板の上記主面の面方位は、面方位{０３－３８}に対してオフ角が－３°以上＋５°以下とすることができる。
　これにより、チャネル移動度をより一層向上させることができる。ここで、面方位{０３－３８}に対するオフ角を－３°以上＋５°以下としたのは、チャネル移動度と当該オフ角との関係を調査した結果、この範囲内で特に高いチャネル移動度が得られたことに基づいている。
　ここで、「面方位{０３－３８}に対してオフ角が－３°以上＋５°以下である」状態とは、＜０００１＞方向およびオフ方位の基準としての＜０１－１０＞方向の張る平面への上記主面の法線の正射影と、{０３－３８}面の法線とのなす角度が－３°以上＋５°以下である状態を意味し、その符号は、上記正射影が＜０１－１０＞方向に対して平行に近づく場合が正であり、上記正射影が＜０００１＞方向に対して平行に近づく場合が負である。
　なお、上記主面の面方位は、実質的に{０３－３８}であることがより好ましく、上記主面の面方位は{０３－３８}であることがさらに好ましい。ここで、主面の面方位が実質的に{０３－３８}であるとは、基板の加工精度などを考慮して実質的に面方位が{０３－３８}とみなせるオフ角の範囲に基板の主面の面方位が含まれていることを意味し、この場合のオフ角の範囲としてはたとえば{０３－３８}に対してオフ角が±２°の範囲である。これにより、上述したチャネル移動度をより一層向上させることができる。
　上記ＭＯＳＦＥＴにおいては、基板の上記主面は、＜０１－１０＞方向における（０－３３－８）面に対するオフ角が－３°以上＋５°以下であってもよい。
　｛０３－３８｝面の中でも特にＣ（カーボン）面側の面である（０－３３－８）面に近い面上に半導体層および絶縁膜を形成する構造を採用することにより、キャリア移動度が大幅に向上する。
　ここで、本願において、六方晶の単結晶炭化珪素の（０００１）面はシリコン面、（０００－１）面はカーボン面と定義される。また、「＜０１－１０＞方向における（０－３３－８）面に対するオフ角」とは、＜０００－１＞方向およびオフ方位の基準としての＜０１－１０＞方向の張る平面への上記主面の法線の正射影と、（０－３３－８）面の法線とのなす角度であり、その符号は、上記正射影が＜０１－１０＞方向に対して平行に近づく場合が正であり、上記正射影が＜０００－１＞方向に対して平行に近づく場合が負である。そして、上記＜０１－１０＞方向における（０－３３－８）面に対するオフ角が－３°以上＋５°以下である主面とは、当該主面が炭化珪素結晶において上記条件を満たすカーボン面側の面であることを意味する。なお、本願において（０－３３－８）面は、結晶面を規定するための軸の設定により表現が異なる等価なカーボン面側の面を含むとともに、シリコン面側の面を含まない。
　以上の説明から明らかなように、本発明のＭＯＳＦＥＴによれば、ゲート電圧が高い場合でも、チャネル移動度を低減することによりオン抵抗を低減することが可能なＭＯＳＦＥＴを提供することができる。
ＭＯＳＦＥＴの構造を示す概略断面図である。 ＭＯＳＦＥＴの製造方法の概略を示すフローチャートである。 ＭＯＳＦＥＴの製造方法を説明するための概略断面図である。 ＭＯＳＦＥＴの製造方法を説明するための概略断面図である。 ＭＯＳＦＥＴの製造方法を説明するための概略断面図である。 ＭＯＳＦＥＴの製造方法を説明するための概略断面図である。 ＭＯＳＦＥＴの製造方法を説明するための概略断面図である。 ＭＯＳＦＥＴの製造方法を説明するための概略断面図である。 ＴＥＧ－ＭＯＳＦＥＴの構造を示す概略断面図である。 ゲート電圧とチャネル移動度との関係を示す図である。 実験の試料として用いた反転型ＭＯＳＦＥＴの構造を示す概略断面図である。 窒素のピーク濃度と反転型ＭＯＳチャネル移動度との関係を示す図である。 基板主面の面方位｛０００１｝に対するオフ角と反転型ＭＯＳチャネル移動度との関係を示す図である。
　以下、図面に基づいて本発明の実施の形態を説明する。なお、以下の図面において同一または相当する部分には同一の参照番号を付し、その説明は繰返さない。
　まず、本発明の一実施の形態におけるＭＯＳＦＥＴの構造について説明する。図１を参照して、本実施の形態におけるＭＯＳＦＥＴ１は、基板１１と、バッファ層１２と、耐圧保持層１３と、ウェル領域１４と、ｎ型コンタクト領域１５と、ｐ型コンタクト領域１６と、チャネル領域１７と、ゲート酸化膜１８とを備えている。
　基板１１は、六方晶ＳｉＣ、たとえば４Ｈ－ＳｉＣからなり、面方位｛０００１｝に対するオフ角が５０°以上６５°以下、たとえば面方位（０３－３８）である主面１１Ａを有し、ｎ型不純物を含有することにより、導電型がｎ型（第１導電型）となっている。また、基板１１の抵抗率は、たとえば０．０２Ωｃｍ程度である。
　バッファ層１２は、たとえば基板１１の主面１１Ａ上にエピタキシャル成長により形成された厚み０．５μｍ程度のＳｉＣ層であり、ｎ型不純物を５×１０１７ｃｍ－３程度の濃度で含むことにより、導電型がｎ型（第１導電型）となっている。
　耐圧保持層１３は、ＳｉＣからなり、基板１１の主面１１Ａ上にバッファ層１２を挟んで形成され、ｎ型不純物を５×１０１５ｃｍ－３程度の濃度で含むことにより導電型がｎ型となっている。また、耐圧保持層１３の厚みは、たとえば１０μｍ程度である。
　ウェル領域１４は、耐圧保持層１３において、基板１１側の主面である第１の主面１３Ａから離れて一対形成され、ｐ型不純物を含むことにより、導電型がｐ型（第２導電型）となっている。
　ゲート酸化膜１８は、ウェル領域１４上（耐圧保持層１３上）に形成され、酸化物である二酸化珪素（ＳｉＯ２）からなっている。ゲート酸化膜１８の厚みは、たとえば４０ｎｍ程度である。
　第１導電型コンタクト領域としてのｎ型コンタクト領域１５は、ウェル領域１４とゲート酸化膜１８との間に、ウェル領域１４およびゲート酸化膜１８に接触するように一対配置され、耐圧保持層１３よりも高濃度のｎ型不純物を含むことにより、導電型がｎ型となっている。このｎ型コンタクト領域１５は、平面的に見て、ウェル領域１４に含まれるように配置されている。すなわち、基板１１の主面１１Ａに垂直に上側（ゲート酸化膜１８側）から見た場合、ｎ型コンタクト領域１５はウェル領域１４に含まれている。
　第２導電型コンタクト領域としてのｐ型コンタクト領域１６は、ｎ型コンタクト領域１５に隣接して配置され、ウェル領域１４よりも高濃度のｐ型不純物を含むことにより導電型がｐ型となっている。より具体的には、ｐ型コンタクト領域１６は、一対のｎ型コンタクト領域１５のうち一方のｎ型コンタクト領域１５から見て他方のｎ型コンタクト領域１５とは反対側のそれぞれに隣接して一対配置されている。また、ｐ型コンタクト領域１６は、ウェル領域１４とオーミックコンタクト電極１９（後述する）との間に、ウェル領域１４およびオーミックコンタクト電極１９に接触して配置されている。
　チャネル領域１７は、ウェル領域１４とゲート酸化膜１８との間に、ウェル領域１４およびゲート酸化膜１８に接触するように配置され、ｎ型コンタクト領域１５と耐圧保持層１３とを接続している。また、チャネル領域１７は、ｎ型コンタクト領域１５よりも低濃度のｎ型の不純物を含むことにより、導電型がｎ型となっている。別の観点から説明すると、チャネル領域１７は、ゲート酸化膜１８に沿って、ｎ型コンタクト領域１５から、当該ｎ型コンタクト領域１５に隣接するｐ型コンタクト領域１６とは反対側に延びるように配置され、ｎ型コンタクト領域１５と耐圧保持層１３とを接続している。
　さらに、本実施の形態におけるＭＯＳＦＥＴ１は、ゲート電極２０と、オーミックコンタクト電極１９と、ソース電極２１と、ドレイン電極２２とを備えている。
　ゲート電極２０は、ゲート酸化膜１８上に接触して配置され、かつｎ型コンタクト領域１５上の領域から、ｎ型コンタクト領域１５から見てｐ型コンタクト領域１６とは反対側に延在することにより、ゲート酸化膜１８を挟んでチャネル領域１７に対向している。ゲート電極２０は、たとえばＡｌ（アルミニウム）やポリシリコンなどの導電体からなっている。
　オーミックコンタクト電極１９は、ｎ型コンタクト領域１５に接触する領域からｐ型コンタクト領域１６に接触する領域にまで延在するように、ｎ型コンタクト領域１５およびｐ型コンタクト領域１６上に配置されている。また、オーミックコンタクト電極１９は、たとえばＮｉ（ニッケル）など、少なくともその一部がシリサイド化することによりｎ型コンタクト領域１５との間でオーミックコンタクトを確保可能な導電体からなっている。
　ソース電極２１は、オーミックコンタクト電極１９上に接触して配置され、たとえばＡｌなどの導電体からなっている。また、ドレイン電極２２は、基板１１において耐圧保持層１３が形成される側とは反対側の主面上に接触して配置され、たとえばＮｉ（ニッケル）など、少なくともその一部がシリサイド化することにより基板１１との間でオーミックコンタクトを確保可能な導電体からなっている。
　そして、チャネル領域１７とゲート酸化膜１８との界面を含む領域には、チャネル領域１７およびゲート酸化膜１８よりも窒素濃度の高い高窒素濃度領域２３が形成されている。
　次に、本実施の形態におけるＭＯＳＦＥＴ１の動作について説明する。図１を参照して、ゲート電極２０に印加される電圧が閾値未満の状態においては、ウェル領域１４とゲート電極２０とに挟まれたチャネル領域１７には空乏層が形成される。その結果、ｎ型コンタクト領域１５と耐圧保持層１３との間が電気的に接続されず、ＭＯＳＦＥＴ１はオフ状態となる。一方、ゲート電極２０に印加される電圧が閾値以上になると、ゲート酸化膜１８下のチャネル領域１７における空乏層が縮小してｎ型コンタクト領域１５と耐圧保持層１３との間が電気的に接続される。その結果、ＭＯＳＦＥＴ１はオン状態となり、ソース電極２１とドレイン電極２２との間に電流が流れる。
　ここで、本実施の形態におけるＭＯＳＦＥＴ１においては、面方位｛０００１｝に対するオフ角が５０°以上６５°以下である主面１１Ａを有する基板１１が採用されている。そして、バッファ層１２、耐圧保持層１３およびチャネル領域１７は、当該主面１１Ａ上にエピタキシャル成長により形成されている。そのため、ゲート酸化膜１８とチャネル領域１７との界面付近におけるの界面準位の形成が低減され、高ゲート電圧下におけるチャネル移動度が向上している。なお、主面１１Ａの面方位を（０－３３－８）とすることにより、チャネル移動度を一層向上させることができる。
　さらに、チャネル領域１７とゲート酸化膜１８との界面を含む領域に高窒素濃度領域２３が形成されていることにより、高ゲート電圧下におけるチャネル移動度が一層向上している。これは以下のような理由によると考えられる。すなわち、ゲート酸化膜１８を熱酸化などによって形成した場合、ゲート酸化膜１８とチャネル領域１７との界面付近には、界面準位が多く形成される。そして、そのままでは、高ゲート電圧下において問題となる当該界面付近におけるチャネル移動度は、理論値に比べて大幅に低下する。これに対し、上述のようにゲート酸化膜１８とチャネル領域１７との界面を含む領域に窒素を導入することにより、上述した界面準位の影響が低減される。
　以上のように、本実施の形態におけるＭＯＳＦＥＴ１は、ゲート電圧が高い場合においても、チャネル移動度を低減することによりオン抵抗を低減したＭＯＳＦＥＴとなっている。
　ここで、上記本実施の形態におけるＭＯＳＦＥＴにおいては、チャネル領域１７とゲート酸化膜１８との界面から１０ｎｍ以内の領域における窒素濃度の最大値が１×１０２１ｃｍ－３以上であることが望ましい。これにより、チャネル移動度を一層向上させることができる。
　なお、上記実施の形態においては、主面の面方位が（０３－３８）である基板１１に代えて、主面のオフ方位が＜１１－２０＞方向±５°以下の範囲である基板を採用してもよい。これにより、ＳｉＣ基板上へのエピタキシャル層の形成などを容易とし、ＭＯＳＦＥＴの製造を容易に実施することができる。
　また、上記実施の形態においては、基板１１の主面１１Ａのオフ方位が＜０１－１０＞方向±５°以下の範囲であってもよい。これにより、ＳｉＣ基板上へのエピタキシャル層の形成などを容易とし、ＭＯＳＦＥＴの製造を容易に実施することができる。そして、基板１１の主面１１Ａの面方位を、面方位{０３－３８}に対してオフ角が－３°以上＋５°以下とすることにより、チャネル移動度をより一層向上させることができる。さらに、基板１１の主面１１Ａの面方位を、面方位{０３－３８}とすることが最も好ましい。
　次に、図２～図８を参照して、本実施の形態におけるＭＯＳＦＥＴ１の製造方法について説明する。図２を参照して、本実施の形態におけるＭＯＳＦＥＴ１の製造方法においては、まず、工程（Ｓ１０）として基板準備工程が実施される。この工程（Ｓ１０）では、図３を参照して、たとえば４Ｈ－ＳｉＣからなり、面方位｛０００１｝に対するオフ角が５０°以上６５°以下、たとえば面方位（０３－３８）である主面１１Ａを有し、ｎ型不純物を含有することにより、導電型がｎ型となっている基板１１が準備される。なお、製造されるＭＯＳＦＥＴ１のチャネル移動度を一層向上させる観点から、面方位が（０－３３－８）である主面１１Ａを有する基板１１が準備されてもよい。
　次に、図２を参照して、工程（Ｓ２０）として第１エピタキシャル成長工程が実施される。この工程（Ｓ２０）では、図３を参照して、工程（Ｓ１０）において準備された基板１１の主面１１Ａ上に、エピタキシャル成長によりバッファ層１２および耐圧保持層１３が形成される。エピタキシャル成長は、たとえば原料ガスとしてＳｉＨ４（シラン）とＣ３Ｈ８（プロパン）との混合ガスを採用し、ｎ型不純物を導入しつつ実施することができる。このとき、まず、たとえばｎ型不純物を５×１０１７ｃｍ－３程度の濃度で導入したＳｉＣ層を０．５μｍ程度の厚みで形成してバッファ層１２とし、その後導入するｎ型不純物の濃度を５×１０１５ｃｍ－３程度に変更してＳｉＣ層を１０μｍ程度の厚みで形成して耐圧保持層１３とすることができる。
　次に、図２を参照して、工程（Ｓ３０）としてウェル領域形成工程が実施される。この工程（Ｓ３０）では、図３および図４を参照して、工程（Ｓ２０）において形成された耐圧保持層１３において、基板１１側の主面である第１の主面１３Ａとは反対側の主面である第２の主面１３Ｂを含む領域に、一対のウェル領域１４がイオン注入により形成される。
　具体的には、まず、第２の主面１３Ｂ上に、たとえばＣＶＤによりＳｉＯ２からなる酸化膜が形成される。そして、酸化膜の上にレジストが塗布された後、露光および現像が行なわれ、所望のウェル領域１４の形状に応じた領域に開口を有するレジスト膜が形成される。そして、当該レジスト膜をマスクとして用いて、たとえばＲＩＥ（Ｒｅａｃｔｉｖｅ　Ｉｏｎ　Ｅｔｃｈｉｎｇ；反応性イオンエッチング）により酸化膜が部分的に除去されることにより、所望のウェル領域１４の形状に応じた開口パターンを有する酸化膜からなるマスク層が形成される。その後、上記レジスト膜を除去した上で、このマスク層をマスクとして用いてｐ型不純物がイオン注入され、ウェル領域１４が形成される。
　次に、図２を参照して、工程（Ｓ４０）として第１活性化アニール工程が実施される。この工程（Ｓ４０）では、図４を参照して、工程（Ｓ３０）においてイオン注入が実施された耐圧保持層１３を加熱することにより、上記イオン注入によって導入された不純物を活性化させる熱処理である活性化アニールが実施される。活性化アニールは、たとえばアルゴンガス雰囲気中において、１７００℃に３０分間保持する熱処理を実施することにより行なうことができる。
　次に、図２を参照して、工程（Ｓ５０）として第２エピタキシャル成長工程が実施される。この工程（Ｓ５０）では、図４および図５を参照して、耐圧保持層１３の第２の主面１３Ｂ上に、エピタキシャル成長によりチャネル領域１７（図１参照）となるべきｎ型ＳｉＣ層１７Ａが形成される。エピタキシャル成長は、たとえば工程（Ｓ２０）と同様の原料ガスを用い、ｎ型不純物を導入しつつ実施することができる。
　次に、工程（Ｓ６０）および（Ｓ７０）として、ｎ型コンタクト領域形成工程およびｐ型コンタクト領域形成工程が実施される。具体的には、図５および図６を参照して、まず工程（Ｓ６０）において、工程（Ｓ３０）と同様の手順により所望のｎ型コンタクト領域１５の形状に応じた開口パターンを有するマスク層が形成され、ｎ型不純物がイオン注入されることにより、ｎ型コンタクト領域１５が形成される。さらに、工程（Ｓ７０）では、当該マスク層が除去された上で、同様の手順により所望のｐ型コンタクト領域１６の形状に応じた開口パターンを有するマスク層が形成され、ｐ型不純物がイオン注入されることにより、ｐ型コンタクト領域１６が形成される。このとき、イオン注入が実施されることなく残存したｎ型ＳｉＣ層１７Ａ、すなわち一対のｎ型コンタクト領域１５に挟まれた領域に位置するｎ型ＳｉＣ層１７Ａが、チャネル領域１７となる。
　次に、図２を参照して、工程（Ｓ８０）として第２活性化アニール工程が実施される。この工程（Ｓ８０）では、図６を参照して、工程（Ｓ６０）および（Ｓ７０）においてイオン注入が実施された耐圧保持層１３を加熱することにより、活性化アニールが実施される。活性化アニールは、たとえば工程（Ｓ４０）と同様に実施することができる。
　次に、図２を参照して、工程（Ｓ９０）としてゲート酸化膜形成工程が実施される。この工程（Ｓ９０）では、図６および図７を参照して、工程（Ｓ１０）～（Ｓ８０）までが実施されて所望のイオン注入層を含む耐圧保持層１３およびチャネル領域１７が形成された基板１１が、たとえば酸化雰囲気中で１２００℃に加熱されて３０分間保持されることによりドライ酸化される。これにより、ゲート酸化膜１８（図１参照）となるべき熱酸化膜１８Ａが、チャネル領域１７上、ｎ型コンタクト領域１５上およびｐ型コンタクト領域１６上に延在するように形成される。熱酸化膜１８Ａの厚みは、たとえば４０ｎｍ程度である。
　次に、図２を参照して、工程（Ｓ１００）として高窒素濃度領域形成工程が実施される。この工程（Ｓ１００）では、図７を参照して、たとえば一酸化窒素（ＮＯ）ガス雰囲気中において１２００℃に加熱し、１２０分間保持する熱処理が実施される。これにより、チャネル領域１７、ｎ型コンタクト領域１５およびｐ型コンタクト領域１６と熱酸化膜１８Ａとの界面を含む領域に、当該領域に隣接する領域に比べて窒素濃度の高い高窒素濃度領域２３が形成される。
　次に、図２を参照して、工程（Ｓ１１０）として不活性ガスアニール工程が実施される。この工程（Ｓ１１０）では、たとえばＡｒ（アルゴン）などの不活性ガス雰囲気中において１２００℃に加熱し、６０分間保持する熱処理が実施される。
　次に、工程（Ｓ１２０）として、オーミック電極形成工程が実施される。この工程（Ｓ１２０）では、図７および図８を参照して、まず、フォトリソグラフィ法により、熱酸化膜１８Ａ上に、所望のオーミックコンタクト電極１９の形状に応じた開口を有するレジスト膜を形成する。次に、このレジスト膜をマスクとして用いて、上記開口から露出する熱酸化膜１８Ａおよび基板１１において耐圧保持層１３とは反対側の主面上に形成された熱酸化膜１８Ａが除去される。さらに、たとえば蒸着法によりニッケル（Ｎｉ）膜を熱酸化膜１８Ａ上、熱酸化膜１８Ａから露出するｎ型コンタクト領域１５およびｐ型コンタクト領域１６上、ならびに基板１１において耐圧保持層１３とは反対側の主面上に、上記レジスト膜を除去することなく形成する。そして、レジスト膜を当該レジスト膜上のＮｉ膜とともに除去（リフトオフ）することにより、オーミックコンタクト電極１９およびドレイン電極２２を形成すべき領域にＮｉ膜が形成される。その後、たとえばＡｒ雰囲気中で９５０℃に加熱し２分間保持する熱処理を実施することにより、Ｎｉ膜の少なくとも一部がシリサイド化され、オーミックコンタクト電極１９およびドレイン電極２２が完成する。なお、このときチャネル領域１７上およびｎ型コンタクト領域１５上に残存した熱酸化膜１８Ａが、ゲート酸化膜１８となる。
　そして、図２を参照して、工程（Ｓ１３０）として電極形成工程が実施される。この工程（Ｓ１３０）では、図８および図１を参照して、ゲート酸化膜１８上に、たとえば導電体であるＡｌ、ポリシリコンなどからなるゲート電極２０が形成されるとともに、オーミックコンタクト電極１９上に、たとえば導電体であるＡｌからなるソース電極２１が形成される。以上の工程により、本実施の形態におけるＭＯＳＦＥＴ１が完成する。
　（実施例１）
　以下、本発明の実施例１について説明する。本発明のＭＯＳＦＥＴにおけるチャネル移動度の向上およびオン抵抗の低減を確認する実験を行なった。実験の手順は以下の通りである。
　まず、実験方法について説明する。オン抵抗は、上記実施の形態において説明した製造方法を用いてＭＯＳＦＥＴを実際に作製し、測定した。具体的には、図１～図８を参照して、まず、面方位が（０３－３８）である主面１１Ａを有する４Ｈ－ＳｉＣからなる基板１１（ｎ型、抵抗率０．０２Ωｃｍ）を準備し、当該基板上にバッファ層１２（ｎ型、不純物濃度５×１０１７ｃｍ－３、厚み０．５μｍ）および耐圧保持層１３（ｎ型、不純物濃度５×１０１５ｃｍ－３、厚み１０μｍ）をエピタキシャル成長させた。その後、ウェル領域１４をイオン注入により形成した後、Ａｒ雰囲気中において１７００℃に３０分間保持することにより活性化アニールを実施した。
　さらに、ｎ型ＳｉＣ層１７Ａをエピタキシャル成長させた後、ｎ型コンタクト領域１５およびｐ型コンタクト領域１６をイオン注入により形成し、その後Ａｒ雰囲気中において１７００℃に３０分間保持することにより活性化アニールを実施した。
　次に、酸化雰囲気中において１２００℃に３０分間保持するドライ酸化を実施することにより厚み４０ｎｍのゲート酸化膜１８となるべき熱酸化膜１８Ａを形成した後、ＮＯガス雰囲気中において１２００℃に１２０分間保持することにより、高窒素濃度領域２３を形成した。そして、Ａｒガス雰囲気中において１２００℃に６０分間保持する熱処理を行なった後、オーミックコンタクト電極１９、ドレイン電極２２、ゲート電極２０およびソース電極２１を形成することによりＭＯＳＦＥＴ１を完成させた（実施例）。ここで、セルピッチ（図１において、主面１１Ａに沿った方向における基板１１の幅）は２０μｍ、チャネル長（図１において、ゲート酸化膜１８とウェル領域１４に挟まれた領域におけるチャネル領域１７のゲート酸化膜１８に沿った長さ）は２μｍとした。
　また、比較のため、面方位（０００１）に対するオフ角が８°である主面１１Ａを有する４Ｈ－ＳｉＣからなる基板１１（ｎ型、抵抗率０．０２Ωｃｍ）を準備し、以下上記作製方法と同条件で他のＭＯＳＦＥＴ１を作製した（比較例）。
　そして、上記実施例および比較例のＭＯＳＦＥＴを実際に動作させ、ゲート電圧１５Ｖにおけるオン抵抗の測定を行なった。
　一方、チャネル移動度は、ＴＥＧ（Ｔｅｓｔ　Ｅｌｅｍｅｎｔ　Ｇｒｏｕｐ）－ＭＯＳＦＥＴを作製して測定した。具体的には、図９を参照して、上記オン抵抗測定用のＭＯＳＦＥＴの作製に用いた面方位（０３－３８）の基板および面方位（０００１）オフ角８°の基板と同様の基板３１を準備し、上記ＭＯＳＦＥＴと同時に不純物濃度、厚み等が上記ＭＯＳＦＥＴと同じ蓄積型ＴＥＧ－ＭＯＳＦＥＴ３を作製した。つまり、不純物濃度、厚み等が上記ＭＯＳＦＥＴと同じであってバッファ層１２対応するバッファ層３２、耐圧保持層１３に対応するｎ型層３３を基板３１上にエピタキシャル成長させた後、ウェル領域１４に対応するｐ型層３４を同様に形成した。
　さらに、ｐ型層３４上にｎ型ＳｉＣ層を形成した上で、イオン注入を実施することによりｎ型コンタクト領域１５に対応するソース領域３５Ａおよびドレイン領域３５Ｂと、ｐ型コンタクト領域１６に対応するｐ型コンタクト領域３６と、チャネル領域１７に対応するチャネル領域３７とを同様に形成した、さらに、ゲート酸化膜１８に対応するゲート酸化膜３８、オーミックコンタクト電極１９に対応するオーミックコンタクト電極３９、ゲート電極２０に対応するゲート電極４０、ソース電極２１に対応するソース電極４１Ａおよびドレイン電極４１Ｂを形成した（蓄積型ＭＯＳＦＥＴ　ｏｎ　（０３－３８）および蓄積型ＭＯＳＦＥＴ　ｏｎ　（０００１））。ここで、図９を参照して、チャンネル長Ｌは１００μｍ、チャネル幅（図９において、紙面に垂直な方向におけるチャネルの幅）は１５０μｍとした。
　また、比較のため、上記面方位（０３－３８）の基板３１および面方位（０００１）オフ角８°の基板３１と同様の基板３１を準備し、反転型ＴＥＧ－ＭＯＳＦＥＴも作製した。すなわち、図９のＴＥＧ－ＭＯＳＦＥＴにおいて、チャネル領域３７の領域が省略され、当該領域がｐ型層３４で埋められたＴＥＧ－ＭＯＳＦＥＴも作製した（反転型ＭＯＳＦＥＴ　ｏｎ　（０３－３８）および反転型ＭＯＳＦＥＴ　ｏｎ　（０００１））。
　そして、上記４種類のＴＥＧ－ＭＯＳＦＥＴを動作させて、ゲート電圧とチャネル移動度との関係を調査した。
　次に、実験結果について説明する。上記オン抵抗の測定結果を表１に示す。また、ゲート電圧とチャネル移動度との関係を図１０に示す。図１０において、横軸はゲート電圧、縦軸はチャネル移動度を示している。また、図１０において、太破線、太実線および細破線は、それぞれ（０００１）面８°オフの基板を用いた蓄積型ＭＯＳＦＥＴ、（０００１）面８°オフの基板を用いた反転型ＭＯＳＦＥＴおよび（０３－３８）面の基板を用いた反転型ＭＯＳＦＥＴ（いずれも本発明の範囲外である比較例）に関する測定結果、細実線は（０３－３８）面の基板を用いた蓄積型ＭＯＳＦＥＴ（本発明の実施例）の測定結果を示している。なお、オン抵抗の測定に用いた実施例および比較例におけるＭＯＳＦＥＴの耐圧を測定したところ、いずれも１．２ｋＶ以上という十分な耐圧を有していることが確認された。
　図１０を参照して、同じ基板を用いたＭＯＳＦＥＴ同士を比較すると、蓄積型は反転型に比べてゲート電圧を上昇させていった際のチャネル移動度の立ち上がりが大きく、低ゲート電圧下におけるチャネル移動度において優れていることが確認される。そして、蓄積型同士を比較すると、比較例である（０００１）面８°オフの基板を用いた蓄積型ＭＯＳＦＥＴのチャネル移動度は、たとえばゲート電圧２０Ｖにおけるチャネル移動度が３０ｃｍ２／Ｖｓ程度であるのに対し、本発明の実施例である（０３－３８）面の基板を用いた蓄積型ＭＯＳＦＥＴのチャネル移動度は１００ｃｍ２／Ｖｓ程度となっている。これは、実施例のＭＯＳＦＥＴでは、（０３－３８）面の基板が採用されたことにより、チャネル領域とゲート酸化膜との界面付近における界面準位の形成が低減されていることに起因するものと考えられる。
Figure JPOXMLDOC01-appb-T000001
　さらに、表１を参照して、本発明の実施例である（０３－３８）面の基板を用いた蓄積型ＭＯＳＦＥＴのオン抵抗は、比較例である（０００１）面８°オフの基板を用いた蓄積型ＭＯＳＦＥＴの４０％にまで抑制されている。
　以上の実験結果から、本発明のＭＯＳＦＥＴによれば、ゲート電圧が高い場合でも、チャネル移動度を低減することによりオン抵抗を低減することが可能なＭＯＳＦＥＴを提供できることが確認された。
　（実施例２）
　次に、本発明の実施例２について説明する。チャネル領域と酸化膜との界面から１０ｎｍ以内の領域における窒素濃度の最大値（窒素のピーク濃度）と反転型ＭＯＳＦＥＴチャネル移動度との関係を調査する実験を行なった。実験の手順は以下の通りである。
　まず、試料として図１１に示す横型の反転型ＭＯＳＦＥＴ７１を作製した。より具体的には、厚みが４００μｍのｎ型炭化珪素基板７２上に、厚みが１０μｍのエピタキシャル層７３を形成し、当該エピタキシャル層７３上に厚みが１μｍのｐ型層７４を形成した。そして、ｐ型層７４にｎ型不純物としてリン（Ｐ）を注入し、ｎ型不純物濃度１×１０２０ｃｍ－３のｎ＋領域７５、７６を形成した。このｎ＋領域７５、７６の間の距離であるゲート長（チャネル長Ｌｇ）は１００μｍとした。また、ゲート幅（チャネル幅）は２００μｍとした。
　そして、ドライ酸化処理により酸化膜を形成した後、ＮＯガス雰囲気中において加熱することにより窒素アニールを行なった。このとき、加熱時間を変化させることにより、導入される窒素量を変化させた。その後、上記酸化膜をエッチングすることにより当該酸化膜の形状を酸化膜７７，７８に合わせた形状とするとともに、ソース電極８１、ドレイン電極８２およびゲート酸化膜である酸化膜７８上のゲート電極８０を形成した。ソース電極８１およびドレイン電極８２の材料はニッケル（Ｎｉ）であり、その厚みは０．１μｍとした。また、ゲート電極８０の材料としてはアルミニウム（Ａｌ）を用いて、その厚みは１μｍとした。以上の手順により、試料としての横型の反転型ＭＯＳＦＥＴ７１を完成させた。また、比較のため、上記手順から窒素アニールを省略した試料も作製した。
　次に、チャネル移動度の測定方法を説明する。ソース－ドレイン間電圧ＶＤＳ＝０．１Ｖとし、ゲート電圧ＶＧを印加してソース－ドレイン間電流ＩＤＳを測定した（ゲート電圧依存性を測定した）。そして、ｇｍ＝（δＩＤＳ）／（δＶＧ）として、
チャネル移動度μ＝ｇｍ×（Ｌ×ｄ）／（Ｗ×ε×ＶＤＳ）
（ここで、Ｌ：ゲート長、ｄ：酸化膜厚、Ｗ：ゲート幅、ε：酸化膜の誘電率）
という式からチャネル移動度のゲート電圧に対する最大値を求めた。
　また、上記各試料について、酸化膜７８とｐ型層７４との界面近傍（界面から１０ｎｍ以内の領域）における窒素濃度の深さ方向での分布を測定した。測定は、ＳＩＭＳ（二次イオン質量分析）により実施した。
　次に、実験の結果について図１２を参照して説明する。図１２において、横軸は、各試料において測定された窒素濃度のピーク値（窒素のピーク濃度）を示しており、縦軸は、測定された反転型ＭＯＳＦＥＴのチャネル移動度を示している。
　図１２を参照して、酸化膜７８とｐ型層７４との界面から１０ｎｍ以内の領域における窒素のピーク濃度が高くなるに従って、チャネル移動度が高くなっている。
　ここで、素材として珪素を用いた従来のＭＯＳＦＥＴよりもオン抵抗を低減するためには、チャネル移動度を５０ｃｍ２／Ｖｓ以上とすることが好ましい。したがって、図１２を参照して、製造プロセスのばらつきなどを考慮すると、反転型ＭＯＳＦＥＴのチャネル移動度を５０ｃｍ２／Ｖｓ以上とするためには、窒素のピーク濃度を１×１０２１ｃｍ－３以上とすることが好ましいといえる。そして、反転型ＭＯＳＦＥＴのチャネル移動度を上述のように向上させることにより、蓄積型ＭＯＳＦＥＴの高ゲート電圧下でのチャネル移動度を十分に向上させることができる。したがって、蓄積型ＭＯＳＦＥＴの高ゲート電圧下でのチャネル移動度を十分に向上させるためには、チャネル領域と酸化膜との界面から１０ｎｍ以内の領域における窒素濃度の最大値を１×１０２１ｃｍ－３以上とすることが好ましいといえる。
　（実施例３）
　次に、本発明の実施例３について説明する。基板のオフ角と反転型ＭＯＳＦＥＴチャネル移動度との関係を調査する実験を行なった。実験の手順は以下の通りである。
　まず、上述した実施例２において最もチャネル移動度が高かった試料の製造方法と同様の製造方法を用いて、試料を作製した。具体的には、主表面の面方位が異なる基板を用いて、比較例としての試料を４種類、本発明の実施例としての試料を３種類作製した。すなわち、比較例Ａとして、面方位（０００１）に対してオフ角が８°となっている主表面を有する炭化珪素基板（（０００１）の８°オフ基板）を用いたもの、比較例Ｂとして基板の主表面の面方位が（０１－１５）で表わされる基板を用いたもの、比較例Ｃとして基板の主表面の面方位が（０１－１４）で表わされる基板を用いたもの、比較例Ｄとして、面方位（０００１）に対してオフ角が７０°となっている主表面を有する基板を用いたものを準備した。また、本発明の実施例としては、実施例Ａとして基板の主表面の面方位が（０１－１３）で表わされる基板を用いたもの、実施例Ｂとして基板の主表面の面方位が（０３－３８）で表わされる基板を用いたもの、実施例Ｃとして基板の主表面の面方位が（０１－１２）で表わされる基板を用いたものを準備した。
　そして、上記各試料について、チャネル移動度を測定した。チャネル移動度の測定方法は、上記実施例２におけるチャネル移動度の測定方法と同様の方法を用いた。
　次に、実験結果について図１３を参照して説明する。ここで、図１３において、横軸は各試料を構成する基板の主表面の、面方位{０００１}に対するオフ角度を示しており、縦軸は反転型ＭＯＳＦＥＴチャネル移動度を示している。
　図１３を参照して、本発明の実施例に対応するオフ角度（５０°以上６５°以下）の範囲の実施例Ａ～Ｃの試料においては、反転型ＭＯＳＦＥＴのチャネル移動度の値が比較例に比べて大きく向上していることがわかる。
　ここで、反転型ＭＯＳＦＥＴのチャネル移動度を上述のように向上させることにより、蓄積型ＭＯＳＦＥＴの高ゲート電圧下でのチャネル移動度を十分に向上させることができる。したがって、蓄積型ＭＯＳＦＥＴの高ゲート電圧下でのチャネル移動度を十分に向上させるためには、面方位｛０００１｝に対するオフ角が５０°以上６５°以下である主面（主表面）を有する基板を採用することが有効であるといえる。
　なお、上記実施例においては、シリコン面側の主面上に半導体層および絶縁膜を形成する構造を採用した実験を行ない、（０３－３８）面に近い主面の採用によりキャリア移動度（チャネル移動度）が向上するとの結果が得られたことについて説明した。一方、発明者はカーボン面側の主面上に半導体層および絶縁膜を形成する構造を採用した実験も行ない、（０－３３－８）面に近い主面の採用によりキャリア移動度（チャネル移動度）が一層向上するとの知見を有している。
　今回開示された実施の形態および実施例はすべての点で例示であって、制限的なものではないと考えられるべきである。本発明の範囲は上記した説明ではなくて請求の範囲によって示され、請求の範囲と均等の意味、および範囲内でのすべての変更が含まれることが意図される。
　本発明の絶縁ゲート型電界効果トランジスタは、オン抵抗の低減が求められる絶縁ゲート型電界効果トランジスタに、特に有利に適用され得る。
　１　ＭＯＳＦＥＴ、３　ＴＥＧ－ＭＯＳＦＥＴ、１１　基板、１１Ａ　主面、１２　バッファ層、１３　耐圧保持層、１３Ａ　第１の主面、１３Ｂ　第２の主面、１４　ウェル領域、１５　ｎ型コンタクト領域、１６　ｐ型コンタクト領域、１７　チャネル領域、１７Ａ　ｎ型ＳｉＣ層、１８　ゲート酸化膜、１８Ａ　熱酸化膜、１９　オーミックコンタクト電極、２０　ゲート電極、２１　ソース電極、２２　ドレイン電極、２３　高窒素濃度領域、３１　基板、３２　バッファ層、３３　ｎ型層、３４　ｐ型層、３５Ａ　ソース領域、３５Ｂ　ドレイン領域、３６　ｐ型コンタクト領域、３７　チャネル領域、３８　ゲート酸化膜、３９　オーミックコンタクト電極、４０　ゲート電極、４１Ａ　ソース電極、４１Ｂ　ドレイン電極、７１　反転型ＭＯＳＦＥＴ、７２　ｎ型炭化珪素基板、７３　エピタキシャル層、７４　ｐ型層、７５，７６　ｎ＋領域、７７，７８　酸化膜、８０　ゲート電極、８１　ソース電極、８２　ドレイン電極。

Claims (6)

  1. 　炭化珪素からなり、｛０００１｝面に対するオフ角が５０°以上６５°以下である主面（１１Ａ）を有する第１導電型の基板（１１）と、
    　炭化珪素からなり、前記基板（１１）の前記主面上（１１Ａ）に形成された前記第１導電型の耐圧保持層（１３）と、
    　前記耐圧保持層（１３）において、前記基板（１１）側の主面である第１の主面（１３Ａ）から離れて形成された、前記第１導電型とは導電型の異なる第２導電型のウェル領域（１４）と、
    　前記ウェル領域（１４）上に形成され、酸化物からなる酸化膜（１８）と、
    　前記ウェル領域（１４）と前記酸化膜（１８）との間に配置され、前記耐圧保持層（１３）よりも高濃度の前記第１導電型の不純物を含む第１導電型コンタクト領域（１５）と、
    　前記ウェル領域（１４）と前記酸化膜（１８）との間に、前記ウェル領域（１４）および前記酸化膜（１８）に接触するように配置され、前記第１導電型コンタクト領域（１５）と前記耐圧保持層（１３）とを接続し、前記第１導電型コンタクト領域（１５）よりも低濃度の前記第１導電型の不純物を含むことにより、前記第１導電型となっているチャネル領域（１７）と、
    　前記酸化膜（１８）上に配置された電極（２０）とを備え、
    　前記チャネル領域（１７）と前記酸化膜（１８）との界面を含む領域には、前記チャネル領域（１７）および前記酸化膜（１８）よりも窒素濃度の高い高窒素濃度領域（２３）が形成されている、絶縁ゲート型電界効果トランジスタ（１）。
  2. 　前記チャネル領域（１７）と前記酸化膜（１８）との界面から１０ｎｍ以内の領域における窒素濃度の最大値が１×１０２１ｃｍ－３以上である、請求の範囲第１項に記載の絶縁ゲート型電界効果トランジスタ（１）。
  3. 　前記基板（１１）の前記主面（１１Ａ）のオフ方位が＜１１－２０＞方向±５°以下の範囲である、請求の範囲第１項に記載の絶縁ゲート型電界効果トランジスタ（１）。
  4. 　前記基板（１１）の前記主面（１１Ａ）のオフ方位が＜０１－１０＞方向±５°以下の範囲である、請求の範囲第１項に記載の絶縁ゲート型電界効果トランジスタ（１）。
  5. 　前記基板（１１）の前記主面（１１Ａ）の面方位は、面方位{０３－３８}に対してオフ角が－３°以上＋５°以下である、請求の範囲第４項に記載の絶縁ゲート型電界効果トランジスタ（１）。
  6. 　前記基板（１１）の前記主面（１１Ａ）は、＜０１－１０＞方向における（０－３３－８）面に対するオフ角が－３°以上＋５°以下である、請求の範囲第４項に記載の絶縁ゲート型電界効果トランジスタ（１）。
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