WO2010008095A1 - 電子写真感光体、プロセスカートリッジおよび電子写真装置 - Google Patents

Abstract

　接触部材等との接触ストレスの緩和効果を持続的に発揮することができ、かつ、繰り返し使用時の電位安定性にも優れた電子写真感光体、ならびに、該電子写真感光体を有するプロセスカートリッジおよび電子写真装置を提供する。電子写真感光体の表面層である電荷輸送層が電荷輸送物質とシロキサン部位を含有するポリエステル樹脂Ａとポリエステル樹脂Ｃおよびポリカーボネート樹脂Ｄの少なくとも一方の樹脂とを含有し、ポリエステル樹脂Ａ中のシロキサン部位の含有量がポリエステル樹脂Ａの全質量に対して１０質量％以上４０質量％以下であり、電荷輸送層が電荷輸送物質ならびに該ポリエステル樹脂Ｃおよび該ポリカーボネート樹脂Ｄの少なくとも一方の樹脂により形成されたマトリックスとマトリックス中にポリエステル樹脂Ａにより形成されたドメインとを有するマトリックス－ドメイン構造を有する。

Description

光体、プ セスカ ト ッジおよび電子 術分野

本 、電子 光体ならびに電子 光体を有するプ セスカ ト ッジおよび電子 置に関する。

置に搭 される電子 光体に用 られる光導電 物質 ( 生物質や電荷 )として、有機光導電 物質の 発が盛ん に行われて る。

機光導電 物質を用 た電子 光体( 光体)は、 有機光導電 物質や樹脂( )を 剤に溶解・ さ て得られる を支持 上に 布し、これを させるこ によ て 成された感光 を有するものが通常である。また、感光 の 構成に ては、支持 側 ら電荷 生層、電荷 層の順に積層してなる ( )のものが 一般的である。

機光導電 物質を用 た電子 光体は、電子 光体として 要と れる特性のす てを高 元で満足して るわけではな 。

プ セスにお て、電子 光体の 面には、現像 、帯電部 、ク ング ド、紙、転写 のよ のもの( も 。 )が接触する。 光体に要求 れる特性には、これら との ス スによる画像 化の 減が挙げられる。特に、近年、電子 光体の 久性が向上するのに伴 、上記 スト スによる画像 化の 減効果の 続性が望まれて る。 スト スの 和に関して、 キサ 造を分子 中に有する キサ 脂を上記 の 接触する電子 光体の に 含有させるこ が提案されて る。たとえば、 43 6 (

)および 2００7 99688 ( 2)には、ポ カ ボ ネ シ キサ 造を組み込んだ 開示されて る。 3 8545 ( 3)には、ボ ステ キサン 造を 組み込んだ 開示されて る。また、ポ ステ 環状シ キサン 造を組み込んだ 94522 ( 4)に、分 岐したシ キサン 造を組み込んだ 2 ００ ０75533 ( 5)に開示されて る。また、ポ ステ の 端にシ キサン 造を組み込んだ 2 2 28883 ( 6)に開示さ れて る。また、電子 光体の キサ 造を有するポ ステ 重合性 を有する化合物を含有

3 278 ( 7)に開示されて る。

また、 2００7 ００4 33 ( 8)には、 キサン 造を有 するブ ック 重合 料を用 て電子 光体の ドメイ を形成する 術が開示されて る。

様に、 2０ 5 242373 ( 9)には、電子 光 体の 料を 子状に分散 た状態で用 る 術が開示されており、放電 壊が効果的に阻止され、画像 ( )を 抑制できるこ が示されて る。

し しながら、特許 および2に開示されて る カ ボネ

ポ ステ 脂、とりわけ ポ ステ 比較すれば、機械的 度に劣るため、近年 められる 久性向上 の 立の 点 ら十分であると は えな 。また、特許 および2に開示されて る樹脂の中には、表面 に複数 の 脂を混合した場合、 キサ 造を組み込まれた カ ネ 表面 の 面に移行する場合があ た。これは、電子 光体の 期の ス スの 和には有効な手法であるが、効果 の 続性の点で十分である は えな 。

また、電荷 に含有される電荷 質として、 格を有 する化合物は、高 性を有するものの である。し しながら、 特許 および2に開示されて る樹脂の中には、ベ ジジ 格を有す る化合物との 分離を起こし、繰 返し使用時の 定性を低下させる場 合があ た。

また、特許 3に開示 れて るポ ステ 、 キサ 造

ポ ステ 造を ック 重合した樹脂であるが、この では、電 荷 質と 分離を起こし、 に電荷 質の が形 成され、繰り返し使用時の 定性に劣 。

また、特許 4に開示されて る樹脂は、機械的 度の面では優れて るが、上記 ス スの 十分である は えな 。

また、特許 5に開示 れて る樹脂では、上記 スト スの 和の 、 で優れて るが、電荷 質との 離を起こし、繰り返し使用時の 定性を低下させる場合があ た。

また、特許 6に開示されて る樹脂では、上記 スト スの 果 が十分でな 。また、表面 に複数 の 脂を混合した場合、特許 6に 示されて る樹脂は表面 の 面に移行しやす ため、効果の 続性の 点で十分であるとは えな 。

また、特許 7に開示 れて る樹脂では、上記 スト スの 和の点 で十分ではな 、また、電荷 質との 分離を起こし、繰り返し使用時 定性を低下さ る場合があ た。

また、特許 8に開示されて る材料は、同一樹脂 に低 ネ ギ 性を有する成分 ックス 分を有する樹脂であり、この 性を有する成分がドメインを形成し、 ネ ギ 態が形成され ることが示 れて る。し しながら、表面 が積層 の

である場合、低 ネ ギ 性を発現する キサ 行性 が高 、電荷 と電荷 生層との 面に存在しやす ため、電子 光体の 動が大き なることがある。 8に記載の 料を用 て作製された電子 光体にお ても、上記 同様の 由により、電位 動が大き なる場合があ た。 また、特許 9に開示 れて る電荷

シ ン 料を 子状に分散させた電子 光体にお ても、 上記 同様の 由により、電位 動が大き なる場合があ た。 明の

明の 、接触 との ス スの 果を持続的に発 揮するこ ができ、 、繰り返し使用時の 定性にも優れた電子 光体、ならびに、 光体を有するプ セスカ ッジおよび 置を提供することにある。

、支持 、 上に設けられた電荷 生層ならびに 生層上に設けられた電荷 および ( )を含有する電 荷 を有し、 、 が表面 である電子 光体にお て、

、電荷 質と、下記 ( )で示される繰り返し構造 および ( 2)で示される繰り返し構造 位を有するポ ステ 、下記 (C)で示される繰 返し構造 位を有するポ ステ Cお よび ( )で示される構造 位を有する カ ボネ の な も一方の 、を含有し、

ポ ステ 中の キサ 位の 有量が、 ポ ステ の 量に対して ０ 。 上4０ 。 下であ 、 、 質ならびに ポ ステ Cおよび ボ カ ボ の な も一方の により 成された ック ト ックス中に ポ ステ により 成されたドメインとを有する ト ックス ドメイ 造を有する

こ を特徴 する電子 光体である。

( ( ) 、Xは、 2価の有 を示す。RおよびR2は、それぞれ 立に、置 換もし は 換のア キ または置換もし は 換のア 基を示 す。 Zは、炭素原子数が 4 下である 換もし は 換のア キ 基を示す。 は、 の 造の り返し数の平均値を示し、 2 上 5０ 下である。

( (2) 、R ～R は、それぞれ 立に、水素原子、置換もし は 換の ア キ 、置換もし は 換のア または置換もし は 換のア キ 基を示す。X2は、 2価の有 を示す。 は、単結合、置換もし は 換のア キ 、置換もし は 換のア 、酸素原子または 子を示す。

( (C) 、R ～R 8は、それぞれ 立に、水素原子、置換もし は 換 のア キ 、置換もし は 換 ア または置換もし は 換の ア キ 基を示す。X3は、 2価の有 を示す。Yは、単結合、置換もし は 換のア キ 、置換もし は 換のア ン 、酸素原子また は 子を示す。

( ( ) 、R ～R は、それぞれ 立に、水素原子、置換もし は 換 のア キ 、置換もし は 換のア または置換もし は 換の ア キ 基を示す。 3は、単結合、置換もし は 換のア キ 、置 換もし は 換のア ン 、酸素原子または 子を示す。 ) また、 、上記 光体 、帯電 段、現像 段、転写 およびク グ 段 らなる より選択される少な も の 段とを 一体に支持し、電子 体に着脱 在であるプ セスカ ト ッジで ある。

また、 、上記 光体、帯電 段、露光 段、現像 および 段を有する電子 置である。

明によれば、接触 との ス スの 果を持続的に発揮 するこ ができ、 、繰り返し使用時の 定性にも優れた電子 光体、ならびに、 光体を有するプ セスカ ッジおよび電子 置を提供するこ ができる。 面の 単な説明

は、 明の 光体を有するプ セスカ ッジを備えた電 子 置の 成の 例を示す図である。

2は、 明の 光体を有するプ セスカ ッジを備えたカ ラ (イ ライン 式)の 成の 例を示す図である。 明を実施するための 良の

明の 光体は、上記の おり、支持 、 上に設け られた電荷 生層ならびに 生層上に設けられた電荷 およ び ( )を含有する電荷 を有し、 、

である電子 光体である。そして、 、電荷 質 、下記 ( )で示 れる繰 返し構造 および (2)で示され る繰り返し構造 位を有するポ ステ ( ポ ステ も 。 )と、下記 (C)で示される繰り返し構造 位を有するポ ス テ ( ポ ステ C とも 。 )および ( )で れる構造 位を有する カ ボネ ト ( ポ カ ボネ も 。 )の な とも一方の 、を含有する。そして、 ポ ス テ 中の キサン 位の 有量は、 ポ ステ の 量 に対して ０ 。 上4０ 下である。そして、 、 質ならびに ポ ステ Cおよび ポ カ ボネ ト の な も一方の により 成 れた ト ック 、 ックス中に ポ ステ により 成されたドメイ を有する ト ックス ドメイ 造を有する。

0

も し

(C) 、 R ～R は、それぞれ 立に、水素原子、置換もし は 換のア キ 、置換もし は 換のアリ または置換もし は 換のア キ 基を示す。 X3は、 2価の有 を示す。 は、単結合、置換 もし は 換のア キ ン 、置換もし は 換のア ン 、酸素原 子または 子を示す。

( ) 、 R ～R は、それぞれ 立に、水素原子、置換もし は 換のア キ 、置換もし は 換のア または置換もし は 換のア キ 基を示す。 Y3は、単結合、置換もし は 換のア キ 、置換もし は 換のア 、酸素原子または 子を示す。

( )中のXは、 2価の有 を示す。

2価の有 としては、た えば、置換もし は 換のア キ ン 、置換 もし は 換の ク ア キ 、置換もし は 換のア ン 、置 換もし は 換のビ 、ある は、複数の 基がア キ 、酸素原子もし は 子を介して結合した2価の基などが挙げられる これらの中でも、置換もし は 換のア キ 、置換もし は 換の ア 、複数の 基がア キ 、酸素原子もし は 子を介して結合した2価の基が好ま 。

ア キ ン としては、 を構成する 素原子数が3 上 ０ 下のア 基が好まし 、プ ピ 、 チ ン 、ペンチ ン 、 キシ 、 チ 、オクチ ン 、 、 ン基が挙げられる。これらの 中でも、 チ 、 キシ ン基が好まし 。 ク ア キ としては、環を構成する 素原子数が5 上 ０ 下の ク ア キ 基が好まし 、 ク ペンチ 、 ク キシ 、 ク チ 、シク オ チ ン 、 ク ノ 、 ク シ 基が挙 げられる。これらの中でも、 ク キ 基が好まし 。

ア としては、たとえば、 ( フ ン 、

、 P フ )、 チ 基などが挙げられる。これらの中でも、 フ ン 、 基が好まし 。

数の ン基がア キ ン 、酸素原子もし は 子を介して結 合した2価の基 ン しては、 、 フ 、 ン基が挙げられる。これらの中でも、 P フ ン基が好まし 。 数のフ ン基を結合さ るア キ しては、 を構成する 素 原子数が 4 下 換もし は 換のア キ 基が好まし 。この 中でも、メチ 、 チ 基が好まし 。

が有してもよ 置換 しては、た えば、ア キ 、ア 、ア 基などが挙げられる。ア キ しては、た えば、メチ 、 チ 、プ ピ 、 チ 基などが挙げられる。ア キ しては、たと えば、メトキシ 、 トキ 、プ ポキ 、 トキ 基などが挙げられる。ア しては、たとえば、 基が挙げられる。これらの中でも、メチ 墓が好まし 。

下に、上記 ( )中のXの 体例を示す。 )

これらの中でも、上記 (3 2) (3 4) (3 2) (3 3) (3 8) で示される基が好まし 。

( )中のX は、 種である 要はな 、ポ ステ の 解性 械的 度を向上させるために、 2 以上のXを用 て よ 。たとえば、 (3 2)または(3 3)で示される基を用 る場合には、 種のみで 用 るよりも、他の基を併用するこ が樹脂の 解性の 上の点で好まし 。

(3 2)で示される および上記 (3 3)で示される基を併用す る場合、ポ ステ 中の上 (3 2)で示される基 上記 (3 3)で示される基との (モ )は 9～9 であるこ が好まし 、 3 7～ 7 3であることがより好まし 。

( )中のRおよびR2は、それぞれ 立に、置換もし は 換のア キ または置換もし は 換のア 基を示す。

ア キ しては、た えば、メチ 、 チ 、プ ピ 、 チ などが挙げられる。

ア としては、たとえば、 基が挙げられる。

これらの中でも、RおよびR2は、上記 スト スの 和の点で、メチ 基 であることが好まし 。

( ) 、 Zは、炭素原子数が 4 下である 換もし は のア キ 基を示す。

素原子数が 4 下であるア キ としては、メチ ン 、 チ 、プ ピ 、 チ 基が挙げられる。これらの中でも、ポ ステ 電荷 質との ( 離のしに さのこ 。 。 )の 点で、プ ピ 基が好まし 。

E ( ) 、 は、 の ( S R R )の 返し数の平均 値を示し、 2０ 5０ 下である。 が2 5 下である 、電荷 質ならびにポ ステ Cおよび カ ボネ の な も一 方の により 成された ック 、 ックス中にポ ステ により 成されたドメイ を有する ックス ドメイ 造が効率的に形 れる。特に、 は、 25 8０ 下であることが好まし 。

下に、上記 ( )で示 れる繰 返し構造 位の 体例を示す。 4

これらの中でも、上記 ( 6 ( 7) ( 8) ( ０)、は 2 ( 3) ( 4) ( 6) ( 2 ) ( 22)で示 れる繰り返し構 造 位が好まし 。

(2)中のR ～R は、それぞれ 立に、水素原子、置換もし は 換のア キ 、置換もし は 換のア または置換もし は 換のア キシ基を示す。

ア キ しては、たとえば、メチ 、 チ 、プ ピ 、 チ 基 などが挙げられる。ア としては、たとえば、 、 チ 基など が挙げられる。ア キ しては、メトキ 、 キ 、プ ポキ 、 トキ 基などが挙げられる。これらの中でも、メチ 、 チ 、メトキ ・ キ 、 基が好まし 、メチ 基がより好まし 。

(2)中のX2は、 2価の有 を示す。

2価の有 しては、た えば、置換もし は 換のア キ ン 、置換 もし は 換の ク ア キ 、置換もし は 換のア 、置 換もし は 換のビ ン 、ある は、複数の ン基がア キ ン 、酸素原子もし は 子を介して結合した2価の基などが挙げられる これらの中でも、置換もし は 換のア キ 、置換 し は 換の ア 、複数のフ 基がア キ 、酸素原子もし は 子を介して結合した2価の基が好まし 。

ア キ としては、 を構成する 素原子数が3 ０ 下のア キ 基が好まし 、プ ピ ン 、 チ 、ペンチ ン 、 キ ン 、 チ 、オクチ 、 、 基が挙げられる。これらの 中でも、 チ ン 、 キ ン基が好まし 。

ク ア キ ン しては、環を構成する 素原子数が5 下の シク ア キ 基が好まし 、シク ペ チ ン 、 ク キ ン 、シク チ 、 ク オ チ ン 、 ク ノ 、 ク シ ン基が挙 げられる。これらの中でも、 ク キ 基が好まし 。

ア しては、た えば、 ( 、 フ 、 P フ ン )、 チ ン基などが挙げられる。これらの中でも、 、 ン基が好まし 。

数の 基がア キ 、酸素原子もし は 子を介して結 合した2価の基のフ ン しては、 、 フ ン 、 ン基が挙げられる。これらの中でも、 P ン基が好まし 。 数の ン基を結合 るア キ しては、 を構成する 素 原子数が 4 下の 換もし は 換のア キ 基が好まし 。この 中でも、メチ 、 チ 基が好まし 。

が有してもよ 置換 としては、たとえば、ア キ 、ア キ 、ア 基などが挙げられる。ア キ としては、たとえば、メチ 、 チ 、プ ピ 、 チ 基などが挙げられる。ア キ しては、た えば、メ キ 、 キ 、プ ポキ 、 キ 基などが挙げられる。ア しては、た えば、フ 基が挙げられる。これらの中でも、メチ 基が好まし 。

(2)中のX2の 体例 しては、上記 ( )中のXの 体例 同じも のが挙げられる。それらの中でも、上記 (3 2) (3 4) (3 2) (3 3) (3 8)で示される基が好まし 。

(2)中のYは、単結合、置換もし は 換のア キ 、置換も し は 換のア ン 、酸素原子または 子を示す。 ア キ ン しては、 を構成する 素原子数が 上4 下のア キ 基が好まし 、メチ 、 チ ン 、プ ピ ン 、 チ ン基が挙げら れる。これらの中でも、機械的 度の点で、メチ 基が好まし 。

ア ン としては、たとえば、 ( フ 、

ン 、 フ )、ビ ン 、 チ 基などが挙げられる。

が有してもよ 置換 しては、たとえば、ア キ 、ア キ 、ア 基などが挙げられる。ア キ しては、た えば、メチ 、 チ 、プ ピ 、 チ 基などが挙げられる。ア キ しては、た えば、メ キシ 、 トキ 、プ ポキ 、 トキ 基などが挙げられる。ア しては、たとえば、 基が挙げられる。

( 2)中の は、置換もし は 換の チ ン基が好まし が、その 中でも、下記 (5)で示される基がより好まし 。

(5) 、 R およびR5 は、それぞれ 立に、水素原子、置換もし は 換のア キ 、置換もし は 換のア または置換もし は 換のア キ 基を示す、ある は、 R R とが結合して 成される 換 もし は 換の ク ア キ デン または オ デン基を示す。

ア キ としては、た えば、 メチ 、 チ 、プ ピ 、 チ 基 などが挙げられ、これらの中でも、メチ 基が好まし 。また、ア キ 基の中 でも置換のア キ としては、たとえば、 ト オ メチ 、ペンタ オ チ 基などの オ ア キ 基などが挙げられる。

ア としては、たとえば、フ 、 チ 基などが挙げられる。 ア キシ しては、た えば、メ キ 、 キ 、プ ポキシ 、 ト キ 基などが挙げられる。 ク ア キ デン しては、た えば、 ク ペ チ デ 、 ク キ デ 、 ク デン基などが挙げられ、これらの中でも、シク キ デン基が好まし 。

下に、上記 (5)で示 れる基の具体例を示す。

これらの中でも、上記 (5 ) (5 2) (5 3) (5 8)で示される基が 好まし 。

下に、上記 (2)で示される繰り返し構造 位の 体例を示す。



これらの中でも、上記 (2 ) (2 2) (2 8) (2 9) (2 ０) (2 2) (2 7) (2 2０) (2 2 ) (2 22) (2 24) (2 29) (2 33) (2 34) (2 35)で示される繰り返し構造 位が好まし 。

また、 明におけるポ ステ は、ボ ステ の 量 に対して キサ 位を ０ 4０ 。 下で 有するポ ス テ である。 明にお て、 キサ 位とは、シ キサン 分を構成する両端のケ イ 原子およびそれらに結合する基 、 端のケイ 原子に まれた 素 原子、ケイ 原子およびそれらに結合する基を含む 位である。 体的に えば、 明にお て、 キサ 位 は、た えば、下記 ( 6 s )で 示される繰り返し構造 位の 合、下記 線で囲まれた部位のこ である。

明のポ ステ の 量に対する キサン 位の 有量が ０ 上である 、接触スト スの 果が持続的に発揮 れ、 質ならびにポ ステ Cおよび カ ボネ の な とも一方の により 成 れた ックス中に効率的にドメインが形成 される。また、シ キサ 位の 有量が4 下であると、ポ ステ により 成されたドメイ 中で電荷 質が を形成するこ とが抑制され、電位 動が抑制される。

明のポ ステ の 量に対する キ の 有量は 的な分析 法で解析 能である。 下に、分析 法の例を示す。

光体の である電荷 剤で 解さ た後、サイ ズ ク グラフィ 高速 ク トグラ ィ の 各組成 分を 分離 能な分取装置で、表面 である電荷 に含有される の 料を分取する。 取 れたポ ステ をア カ 下などで 分解させ、 ボ 分と スフ ノ 分に分解する。 られた ス ノ 分に対し、 スペクト 析や 量分析によ 、 キ サン 分の り返し数や 比を算出し、 有量( )に 算する。 明に用 られる上記ポ ステ は、上記 ( )で示される繰り 返し構造 位と上記 (2)で示される繰り返し構造 位 の 重合体である が、その 重合 、ブ ック 重合、ランダム 重合、交互 重合など の ずれの 態であ てもよ 。特には、ランダム 重合であることが好まし 。

明に用 られる上記ボ ステ の 均分子 、電荷 質ならびにポ ステ Cおよび カ ボネ の な も一方の により 成された ト ックス中でドメインを形成する点で、 3 ０ 2００ ０００ 下であることが好まし 。さらには、4０ ０ 5 ０００ 下であることがより好まし 。

明にお て、 の 均分子 は、常法に従 、以下のよ に して 定されたボ スチ 算の 均分子 である。

すなわち、測定 脂をテ ラ ド ラン中に入れ、数時間放置した後、 振 しながら テ ラ ド ラ とよ 合し、 さらに 2 間以 した。その 、東 (株)製のサンプ フィ タ イ ョ ディス 25 5を通過さ たものをGPC(ゲ ョ ク トグラ ィ 料とした。

。

次に、 4０Cのヒ チヤ 中で を安定化させ、この 度における に、 してテトラ ド ラ を毎分 の 速で流し、上記GPC用 料を ０は 入した。カラ には、 )製の S e S e を用 る。

の 均分子 の 定にあた ては、測定

有する分子 分布を、複数 の ポ スチ 料によ 作成され た 線の 数値 カウ ト数 の 係 ら 出した。 の ポ スチ 料には、ア ド ッチ 製の ポ スチ ンの 、 3 5００ 2 ０００ ０ ０００ 75 ０００ 8 ００ 2０ ０００ 4０ ０００ ０ 0 ００ ００ ０および 8００ ０ のものを ０ た。 には R ( 折率) を用 た。

明に用 られる上記ポ ステ の 重合 、一般的な手去 である樹脂の R 定による水素原子( 脂を構成して る水素原 )のビ ク による 算法によ て確認するこ ができる。

明に用 られる上記ポリ ステ は、た え 、ジカ ボ ステ ジオ 合物 の ステ 換法によ て合成するこ が可能であ る。また、ジカ ボン ライドなどの2価の酸 ゲ 物 ジオ 合物 の 応によ て合成するこ も可能である。

次に、上記 (C)で示される繰り返し構造 位を有するポ ステ C に て説明する。

(C)中のR ～R は、それぞれ 立に、水素原子、置換もし は 換のア キ 、置換もし は 換のア または置換もし は 換のア キ 基を示す。

ア キ しては、た えば、メチ 、 チ 、プ ピ 、 チ 基 などが挙げられる。ア しては、たとえば、 、 チ 基など が挙げられる。ア キシ しては、たとえば、メトキ 、 キ 、プ ポ キシ 、 トキ 基などが挙げられる。これらの中でも、メチ 、 チ 、メ トキ 、 トキシ 、フ 基が好まし 、メチ 基がより好まし 。

(C)中のX3は、 2価の有 を示す。

2価の有 しては、た えば、置換もし は 換のア ン 、置換 もし は 換のビフ ン 、ある は、複数の 基がア キ 、酸素原子もし は 子を介して結合した2価の基などが挙げられる。 これらの中でも、置換もし は 換のア 、複数の 基が 、酸素原子もし は 子を介して結合した2価の基が好まし ア としては、た えば、 ( 、

ン 、 P ン )、 チ 基などが挙げられる。これらの中でも、 、 基が好まし 。

数の 基がア キ ン 、酸素原子もし は 子を介して結 合した2価の基の しては、たとえば、 、

、 P ン基などが挙げられる。これらの中でも、 ン 基が好まし 。 数の ン基を結合さ るア キ しては、 好まし 。この中でも、メチ 、 チ 基が好まし 。

が有してもよ 置換 しては、たとえば、ア キ 、ア キシ 、ア 基などが挙げられる。ア キ としては、た えば、メチ 、 チ 、プ ピ 、 チ 基などが挙げられる。ア キ しては、た えば、メトキ 、 トキ 、プ ポキ 、 キ 基などが挙げられる。ア しては、たとえば、 基などが挙げられる。これらの中でも、メチ 基が好まし 。

(C)中のX3の 体例としては、上記 ( )中のXの 体例 同じも のが挙げられる。それらの中でも、上記 (3 2) (3 3) (3 8)で示 される基が好まし 。

(C)中の 2は、単結合、置換もし は 換のア キ ン 、置換 もし は 換のア 、酸素原子または 子を示す。

ア キ としては、 を構成する 素原子数が 4 下のア キ ン基が好まし 、メチ 、 チ ン 、プ ピ 、 チ 基が挙げら れる。これらの申でも、機械的 度の点で、メチ 基が好まし 。

ア としては、たとえば、フ ( フ 、

、 フ )、ビフ ン 、 チ ン基などが挙げられる。

が有してもよ 置換 しては、た えば、ア キ 、ア 、ア 基などが挙げられる。ア キ しては、たとえば、メチ 、 チ 、プ ピ 、 チ 基などが挙げられる。ア キ しては、たと えば、メトキシ 、 キ 、プ ポキ 、 キ 基などが挙げられる。ア としては、た えば、 基などが挙げられる。

( )中のY2は、置換もし は 換の チ ン基が好まし が、そ 中でも、上記 (5)で示される基がより好まし 。これらの中でも、上記 (5 ) (5 2) (5 3) (5 8)で示される基が好まし 。

( )で示 れる繰り返し構造 位の 体例としては、上記 (2 7) (2 4０)で示 れる繰り返し構造 位が挙げられる。

これらの中でも E (2 8) (2 9) (2 ０) (2 2) (2 7) (2 2０) (2 2 ) (2 22) (2 24) (2 29) (2 33) (2 34) (2 35)で示される繰り返し構造 位が好まし 。

次に、上記 ( )で示される繰り返し構造 位を有する カ ボネ ト に て説明する。

( )中のR ～ 38は、それぞれ 立に、水素原子、置換もし は 換のア キ 、置換もし は 換 ア または置換もし は 換のア キシ基を示す。

ア キ しては、た えば、メチ 、 チ 、プ ピ 、 チ 基 などが挙げられる。ア しては、たとえば、 、 チ 基など が挙げられる。ア キ しては、た えば、メ キシ 、 キ 、プ ポ キシ 、 キ 基がなど げられる。これらの中でも、メチ 、 チ 、メ キ 、 キ 、 基が好まし 、メチ 基がより好まし 。

( )中の 3は、単結合、置換もし は 換のア キ ン 、置換 し は 換のア 、酸素原子または 子を示す。

ア キ しては、 を構成する 素原子数が 上4 下のア キ ン基が好まし 、メチ 、 チ 、プ ピ ン 、 チ 基が挙げら れる。これらの中でも、機械的 度の点で、メチ 基が好まし 。

ア しては、た えば、 ( ン 、 フ ン 、 )、ビフ 、 チ 基などが挙げられる。

が有してもよ 置換 しては、たとえば、ア キ 、ア キ 、ア 基などが挙げられる。ア キ としては、た えば、メチ 、 チ 、プ ピ 、 チ 基などが挙げられる。ア キ しては、たと えば、メ キ 、 トキ 、プ ポキ 、 トキ 基などが挙げられる。ア しては、たとえば、 基などが挙げられる。

( )中のY3は、置換もし は 換の チ 基が好まし が、その 中でも、上記 (5)で示される基がより好まし 。これらの中でも、上記 (5 ) (5 2) (5 3) (5 8)で示 れる基が好まし 。

下に、上記 ( )で示される繰り返し構造 位を有する カ ボネ の り返し構造 位の 体例を示す。

これらの中で 、上記 (9 ) (9 4) (9 6)で示される繰 返し構造 位が好まし 。

明における電荷 、電荷 質ならびに ステ

Cおよび カ ボネ ト の な も一方の により 成された ト ック 、 ト ックス中にポ ステ により 成されたドメイ を 有する ックス ドメイン 造を有して る。 明における ト ックス ド メイ 、 で ならば、 ト ック が海に相当し、ドメインが 島に相当する。

ポ ステ により 成されたドメイ は、電荷 質ならびにポ ステ Cおよび カ ボネ ト の な も一方の により 成された ックス中に形成された ( ) 造を示す。ボ ステ により 成されたドメイ は、前記 ト ックス中にドメイ が独立して 在して る。このよ な ト ックス ドメイン 、電荷 の ある は電荷 の 察を行 こ により確認するこ ができる。

ト ックスードメイン 造の ある はドメイ の 、た えば、 市販の ザ 微鏡、光学 微鏡、電子顕微鏡、原子力間 微鏡を用 て 能である。

ザ 微鏡 しては、たとえば、 微鏡V 855 ((株) ス製)、 微鏡V 9０００((株) ス 製)、 微鏡 95００((株) ンス製)、表面

ステムS face o e SX 52 R型 ((株) システム製)、 走査 ザ 微鏡 S3０００(オ ス(株) )、 ア ラ ン ォ 微鏡オプ テクスC 3０( ザ テック(株) )などの 器 が利用 能である。

微鏡としては、た えば、デジタ イク ス プ X 5００((株) ンス製)、デジタ イク ス プ X 2０ (株) ンス製)、 3 デジタ イク ス プ C 77００(オム (株) )などの 器が利用 能である。

子顕微鏡としては、た えば、 3 リア サ スビ 微鏡 98 ００((株) ス製)、 3 ア サ フ スビ 微鏡 88００((株) ス製)、走査 子顕微鏡 ョナ a ab e P ess e S ( スアイアイ・ ノテクノ ジ (株) )、走査 子顕微鏡S P RSC SS 55０((株) 津製作所 )などの 器が利用 能である。

子力間 微鏡としては、た えば、 スケ イブ ッド 微鏡V 8００ ((株) ンス製)、走査 プ ブ 微鏡 a o a ステ ョ ( スアイアイ・ ノテクノ ジ (株) )、走査 プ ブ 微鏡SP 96０ ０((株) 津製作所 )などの 器が利用 能である。

微鏡を用 て、所定の 率により、 ト ックスードメイン 造の ある はドメインの 測するこ ができる。 明におけるポ ステ により 成されたドメインの数

、 O 上5 ０ 下であるこ が好まし 。また、 ドメインの 径の 分布は ほ が およびス ス 和の 果の 一性の 点 ら 好まし 。

明における数 、 明の 直に切断した 面の 微鏡観察により観測されるドメイ の 意に ００ 択し、切断 されたドメイ の 平均 するこ によ 算出して る。

明における ト ソクスードメイン 造を形成するためには、ポ ステ の キサン 位の 有量は、電荷 の (

) 量に対して 2０ 下であるこ が好まし 。ま た、上記 スト スの 和 り返し使用時の 定性の 立の 点 らもポ ステ の キサン 位の 有量は、電荷 の

( )の 量に対して 2０ 下であるこ が 好まし 。 さらには、 2 ０ 下であることがより好まし 、 スト スの 和と り返し使用時の 定性をさらに高めるこ が可能に なる。

明の 光体の ト ックス ドメイ 、電 荷 質、ポ ステ 、ならびに、ポ ステ Cおよび カ ボネ の な も一方の 脂を含有する電荷

用 て 成するこ ができる。また、上記 ックスードメイン 、ドメイ を形成するポ ステ 、 ト ック を形成するポ ステ Cお よび カ ボネ の な も一方の のみを含有する を 用 て 形成した場合にお ても 成するこ ができる。 方、電荷 形成する 、電荷 質がシ キサ 位を有するポ ステ を形成する場合がある。 明における ックスードメイ 造 、上記の 質の 形成 は異なる状態である。 明の、電荷 質ならびにポ ステ Cおよび カ ボネ

の な も一方の により 成された ト ック 、 ト ックス中にポ ステ により 成されたドメイン を有する ックス ドメイン を有する電荷 を有する電子 光体は、電位 安定的に 持される。この 由の 不明であるが、 らは、以下に示す現象 によるもの 考えて る。

すなわち、 明の ト ックスードメイン 、電荷 質ならびにポ ステ Cおよび カ ボネ の な とも一方の により 成された ックス中に、 ステ (ある はポ ステ 中に含有 れる キサ )がドメインを形成して る構造である。この 、 ト ック が電荷 質ならびにポ ステ Cおよび カ ボネ の な とも一方の により 成されて るため、良好な電 荷 を保持するこ が可能にな て る。また、ポ ステ によ 成されて るドメイ 中に、電荷 質の が確認 れなければ、 電荷 質の 集による電荷 の 引き起こ れな と考えら れる。また、電荷 ポ ステ によ 成されて るドメイン が形成 れて るこ により、スト ス 和の 果が持続的に発現して る 考 えられる。

下に、 明に用 られる上記ボ ステ の を示す。 ( )

・ ( 6) ( 2) (2 2)および(2 24)で示される繰り返し 構造 位を有するポ ステ ( )の 成

下記 (6 )

示されるジカ ボン ライド24 6 および (6 2)

示されるジカ ボ ライド24 6 を ク メタ に溶解さ 、 ゲ ン 液を調製した。

また、 ゲン 液 は別に、下記 (7 )

示される キサ 造を有するジオ 2 7 および (8 )

示されるジオ 43 g を 酸化ナ ウム 溶液に溶解 た。 らに、重合 として チ ジ ア ウム ライドを添加して 、ジオ 合物 液を調製した。

次に、上記 ゲ 液を上記ジオ 合物 しなが ら 。

加え、重合を開始した。 、反応 度を25C 下に保ち、 しなが ら、 3 た。

その 、 の 加により重合 応を終 さ 、 が中性になるまで水 での 繰り返した。 、 メタノ に して、重合物を沈 さ 、この 合物を真空 て、上記 ( 6) ( 2) (2 2) および(2 24)で示される繰り返し構造 位を有するポ ステ ( )を8０9 。 に示す。 記のとおりにしてポ ステ ( )中の キサ 位の 有量 を算出した ころ、 2０ であ た。また、ポ ステ ( )の 均分子 3０ ０であ た。

( 2～の

・ ( 6) ( 2) 2 2)および(2 24)で示される繰り返し 構造 位を有するポ ステ ( 2～ 7)の

で用 たジカ ボン ライドの(6 )および(6 2)ならびにジ オ 合物の(7 )および(8 )の 成時の 用量を調整し、 に 示すポ ステ ( 2～ 7)を合成した。

また、合成 同様にして、ポ ステ A( 2～ 7)中の キサ 位の 有量を算出した。 に示す。

また、合成 同様にして、ポ ステ ( 2～ 7)の 均分 子 を測定した。 均分子 はそれぞれ

ポ ステ ( 2) 2

ポ ステ ( 3) ００ ０００

ステ ( 4) 8０ ０ ０

ポ ステ ( 5) 3

ポ ステ ( 6) 5０ ００

ポ ステ ( 7) 6０ ０００

であ た。

( 8)

・ ( 7) 3) (2 2)および(2 24)で示される繰り返し 構造 位を有するポ ステ (B )の 成

上記 (6 )で示されるジカ ボ ライド24 4 および上記 (62)で示 れるジカ ボン ライド24 49を ク メタ に溶解さ 、 ゲン 液を調製した。 また、

ゲン 液 は別に、下記 (7 )

示される キサ 造を有するジオ 2 O および上記 (8 )で 示 れるジオ 44 2 を用 て、合成 同様の 作を行 、上記 ( 7) ( 3) 2 2)および(2 24)で示される繰り返し構造 位を有 するポ ステ (B )を7０ 。 に示す。

また、合成 同様にして、 ステ ( )中の キサ 位 の 有量を算出した。 に示す。

また、合成 同様にして、ポ ステ (B )の 均分子 を測定した。ポ ステ (B )の 均分子 25 00であ た

( 9～ )

・ ( 7) ( 3) (2 2)および(2 24)で示される繰り返し 構造 位を有するポ ステ ( 2～ 4)の

8で用 たジカ ボ ライドの(6 )および(6 2)ならびにジ オ 合物の(7 2)および(8 )の 成時の 用量を調整し、 に 示すポ ステ (B2～ 4)を合成した。

また、合成 同様にして、ポ ステ (B2 B4)中のシ キサ 位の 有量を算出した。 に示す。

また、合成 同様にして、ポ ステ ( 2～B4)の 均分 子 を測定した。 均分子 はそれぞれ

ポ ステ (B2) 3０ 0 O

ポ ステ (B3) 9０ 0OO ポ ステ ( 4) 4 ０００

であ た。

( 2)

・ ( 8) ( 4) 2 9)および(2 2 )で示 れる繰り返し構 造 位を有するポ ステ (C)の 成

上記 (6 )で示されるジカ ボ ライド24 9 および上記 (6 2)で示されるジカ ボン ライド24 g を ク メタンに溶解

ゲン 液を調製した。

また、 ゲン 液とは別に、下記 (7 3)

で示される キサン 造を有するジオ 2 8 および (8 2)

で示されるジオ 43 5 を用 て、合成 同様の 作を行 、上記 ( 8) ( 4) (2 9)および(2 2 )で示 れる繰り返し構造 位を するポ ステ ( )を7 。 に示す。

また、合成 同様にして、ポ ステ ( )中の キサン 位の 有量を算出した。 示す。

また、合成 同様にして、ポ ステ ( )の 均分子 を 測定した。 均分子 2 ０ あ た。

( ) ・ ( 9) ( 5) (2 5)および(2 27)で示 れる繰り返し 構造 位を有するポ ステ ( )の 成

上記 (6 )で示されるジカ ボ ライド24 0 および上記 (6 2)で示されるジカ ボ ライド24 O を ク メタ に溶解

ゲ 液を調製した。

また、 ゲ 液とは別に、下記 (7 4)

で示される キサ 造を有するジオ 23 5 および (8 3)

で示されるジオ 44 5 を用 て、合成 同様の 作を行 、上記 ( 9) ( 5) (2 5)および(2 27)で示 れる繰り返し構造 位を 有するポ ステ ( )を7 。 に示す。

また、合成 同様にして、ポ ステ ( )中の キサン 位の 有量を算出した。 に示す。

また、合成 同様にして、ポ ステ ( )の 均分子 を 測定した。 均分子 ００ ０ であ た。

( 4)

・ ( ０) ( 6) 2 7)および(2 9)で示される繰り返し 構造 位を有するポ ステ ( )の

(6 )で示されるジカ ボン ライド28 0 および上記 (6 2)で示されるジカ ボ ライド28 を ク メタ に溶解 せ、 ゲ 液を調製した。

また、 ゲ 液 は別に、下記 (7 5)

で示される キサ 造を有するジオ 2 3 および (8 3)

で示されるジオ 38 49を用 て、合成 同様の 作を行 、上記 ( ０) ( 6) (2 7)および(2 9)で示 れる繰り返し構造 位を 有するポ ステ ( )を6 。 に示す。

また、合成 同様にして、ポ ステ ( )中の キサ 位の 有量を算出した。 に示す。

また、合成 同様にして、ポ ステ ( )の 均分子 を 測定した。 均分子 5 ０ であ た。

( 5)

・ ( ) ( 7) (2 2)および(2 24)で示 れる繰り返し 位を有するポ ステ ( )の 成

上記 (6 )で示 れるジカ ボ ライド24 39および上記 (6 2)で示 れるジカ ボン ライド24 3 を ク 溶解さ 、 ゲン 液を調製した。

また、 ゲン 液とは別に、下記 (7 6)

示 れる キサ 造を有するジオ 2０ 69および上記 (8 )で 示され ジオ 44 3 を用 て、合成 同様の 作を行 、上記 ( ) 7) (2 2)および(2 24)で示 れる繰り返し構造 位を するポ ステ ( )を6０ 。 に示す。

また、合成 同様にして、ポ ステ 中のシ キサン 位 の 有量を算出した。 に示す。

また、合成 同様にして、ボ ステ ( )の 均分子 を測定した。 均分子 4０ ０であ た。

( 6 7)

・ ( ) ( 7) (2 2)および(2 24 で示される繰り返し 構造 位を有するポ ステ ( 2～ 3)の

で用 たジカ ボ ライドの(6 )および(6 2)ならびにジ オ 合物の(7 6)および(8 )の 成時の 用量を調整し、 に ポ ステ ( 2～ 3)を合成した。

また、合成 同様にして、ポ ステ ( 2～ 3)中のシ キサン 位の 有量を算出した。 示す。

また、合成 同様にして、ポ ステ ( 2～ 3)の 均分 子 を測定した。 均分子 はそれぞれ

ポ ステ ( 2) 5０ ０００

ポ ステ ( 3) 4０ ０

であ た。

( 8) ・ ( 2 )および(2 33)で示される繰り返し構造 位を有するポ ステ 成

下記 (6 3)

示されるジカ ボ ライド5 7 を ク メタンに溶解させ、 ゲ ン 液を調製した。

また、 ゲン 液とは別に、上記 (7 )で示される キサン 造を有するジオ 2 7 および (8 5)

で示されるジオ 4０ 6 を用 て、合成 同様の 作を行 、上記 ( 2 )および(2 33)で示される繰り返し構造 位を有するポ ステ (G)を7 。 に示す。

また、合成 同様にして、ポ ステ (G)中の キサ 位の 有量を算出した。 に示す。

また、合成 同様にして、ポ ステ (G)の 均分子 を 測定した。 均分子 2０ ００であ た。

( 9)

・ ( 22)および(2 33)で示される繰り返し構造 位を有するポ ステ A( )の

(6 3)で示されるジカ ボン ライド5 4 を ク メタ に溶 解さ 、 ゲ 液を調製した。

また、 ゲン 液 は別に、上記 (7 2)で示 れるシ キサン 造を有するジオ 2 O および上記 (8 5)で示されるジオ 4 2 を用 て、合成 同様の 作を行 、上記 ( 22)および 2 3 示す。

また、合成 同様にして、ボ ステ ( )中のシ キサ 位の 有量を算出した。 に示す。

また、合成 同様にして、ポ ステ ( )の 均分子 を 測定した。 均分子 3０ ０ であ た。

( 2０)

・ ( 23)および(2 33)で示される繰り返し構造 位を有する ステ ( )の 成

上記 (6 3)で示されるジカ ボン ライド52 79を ク メタンに溶 解 せ、 ゲン 液を調製した。

また、 ゲ 液 は別に、上記 (7 4)で示 れる キサ 造を有するジオ 23 5 および上記 (8 5)で示されるジオ 4０2 を用 て、合成 同様の 作を行 、上記 ( 23)および(2 3 3)で示される繰り返し構造 位を有するポ ステ (1)を6 。

に示す。

また、合成 同様にして、ポ ステ ( )中の キサ 位の 有量を算出した。 に示す。

また、合成 同様にして、ポ ステ 1)の 均分子 を 測定した。 均分子 ０ であった。

( 2 )

・ ( 24)および(2 33)で示される繰り返し構造 位を有するポ ステ (J)の

(6 3)で示されるジカ ボ ライド5 29を ク メタ に溶 解させ、 ロゲ 液を調製した。 また、 ゲ 液 は別に、上記 (7 6)で示 れる キサ 造を有するジオ 2０ 6 および上記 (8 5)で示されるジオ 4 3 を用 て、合成 同様の 作を行 、上記 ( 23)および(2 3 3)で示される繰 返し構造 位を有する ステ (J)を6０ 。

示す。

また、合成 同様にして、ボ ステ (J)中の キサ 位の 有量を算出した。 に示す。

また、合成 同様にして、ポ ステ (J)の 均分子 を 測定した。 均分子 6０ ００であ た。

( 22)

・ ( 2 ) ( 2) (2 34)および(2 24)で示される繰り返し 構造 位を有するポ ステ A( )の 成

上記 (6 3)で示されるジカ ボ ライド34 6 および上記 (6 2)で示されるジカ ボン ライド 5 4 を ク メタ に溶解さ 、 ゲ 液を調製した。

また、 ゲ 液 は別に、上記 (7 )で示される キサン 造を有するジオ 2 7 および上記 (8 )で示されるジオ 42 7 を用 て、合成 同様の 作を行 、上記 ( 2 ) ( 2) (2 34)および(2 24)で示される繰り返し構造 位を有するポ ステ

( )を65 。 に示す。

また、合成 同様にして、ポ ステ ( )中の キサ 位の 有量を算出した。 に示す。

また、合成 同様にして、ポ ステ ( )の 均分子 を 測定した。 均分子 2０ ００であ た。

( 23)

・ ( 22) ( 3) (2 34)および(2 24)で示される繰り返し 位を有するポ ステ ( )の 成

上記 (6 3)で示されるジカ ボ ライド34 3 および上記 (6 2)で示 れるジカ ボ ライド 5 を ク メタンに溶解 、 ゲン 液を調製した。

また、 ゲン 液とは別に、上記 (7 2)で示される キサン 造を有するジオ 2 および上記 (8 )で示されるジオ 43 を用 て、合成 同様の 作を行 、上記 ( 22) ( 3) (2 34)および(2 24)で示される繰り返し構造 位を有するポ ステ

( )を6０ 。 に示す。

また、合成 同様にして、ポ ステ ( )中のシ キサ 位の 有量を算出した。 に示す。

また、合成 同様にして、ポ ステ ( )の 均分子 を 測定した。 均分子 25 ０００であ た。

( 24)

・ ( 23) ( 5) (2 34)および(2 24)で示される繰り返し 構造 位を有するポ ステ ( )の 成

上記 (6 3)で示されるジカ ボン ライド35 4 および上記 (6 2)で示されるジカ ボ ライド 5 5 を ク メタンに溶解 、 ゲン 液を調製した。

また、 ゲ 液とは別に、上記 (7 4)で示される キサン 造を有するジオ 23 5 および上記 (8 )で示されるジオ 42 9を用 て、合成 同様の 作を行 、上記 ( 23) ( 5) (2 34)および(2 24)で示される繰り返し構造 位を有するポ ステ A( )を6０ 。 に示す。

また、合成 同様にして、ポ ステ ( )中の キサ 位の 有量を算出した。 に示す。 また、合成 同様にして、ポ ステ ( )の 均分子 を 測定した。 均分子 95 ０であ た。

( 25)

・ ( 24) ( 7) (2 34)および(2 24)で示される繰 返し 位を有するポ ステ ( )の 成

上記 (6 3)で示 れるジカ ボ ライド34 2 および上記 (6 2)で示されるジカ ボン ライド 5 を ク 溶解 、 ゲ 液を調製した。

また、 ゲ 液 は別に、上記 (7 6)で示 れる キサ 造を有するジオ 2０ 6 および上記 (8 )で示されるジオ 34 2 を用 て、合成 同様の 作を行 、上記 ( 24) ( 7) 2 34)および(2 24)で示される繰り返し構造 位を有するポ ステ

( )を6 。 に示す。

また、合成 同様にして、ポ ステ ( )中の キサ 位の 有量を算出した。 に示す。

また、合成 同様にして、ポ ステ ( )の 均分子 を 測定した。 均分子 55 ００であ た。

( 26)

・ ( )および(2 )で示 れる繰り返し構造 位を有するポ ステ ( )の 成

下記 (6 4)

示されるジカ ボ ライド4０ 6 を ク メタンに溶解させ、 ゲ 液を調製した。 また、 ゲ 液 は別に、上記 (7 )で示される キサ 造を有するジオ 2 7 お び上記 (8 )で示されるジオ 55 4 を用 て、合成 同様の 作を行 、上記 ( )および(2 )で 示される繰り返し構造 位を有するポ ステ 659 。 に示す。

また、合成 同様にして、ポ ステ ( )中のシ キサ 位の 有量を算出した。 に示す。

また、合成 同様にして、ポ ステ ( )の 均分子 を 測定した。 均分子 ０5 ０００であ た。

( 27)

・ ( 2)および(2 2)で示される繰り返し構造 位を有するポ ステ 成

下記 (6 5)

で示 れるジカ ボ ライド42 7 を ク メタ に溶解さ 、 ゲ ン 液を調製した。

また、 ゲン 液とは別に、上記 (7 )で示 れる キサ 造を有するジオ 2 79および上記 (8 )で示されるジオ 52 を用 て、合成 同様の 作を行 、上記 ( )および(2 )で される繰 返し構造 位を有するポ ステ P 6 。 に示す。

また、合成 同様にして、ポ ステ (P)中のシ キサン 位の 有量を算出した。 示す。

また、合成 同様にして、ポ ステ (P)の 均分子 定した。 均分子 4０ であ た。

( 28)

・ ( ) 2) 2 )および(2 24)で示される繰り返し構 造 位を有するポ ステ (Q)の

(6 4)で示されるジカ ボ ライド 6 0 および上記 (6 2)で示されるジカ ボ ライド3 5 を ク 溶解 、 ゲ 液を調製した。

また、 ゲン 液 は別に、上記 7 )で示 れるシ キサ 造を有するジオ 2 7 および上記 (8 )で示 れるジオ 472 を用 て、合成 同様の 作を行 、上記 ( ) ( 2) (2 )および(2 24)で示 れる繰 返し構造 位を有するポ ステ

(Q)を65 。 に示す。

また、合成 同様にして、ポ ステ (Q)中のシ キサン 位の 有量を算出した。 に示す。

また、合成 同様にして、ポ ステ (Q)の 均分子 を 測定した。 均分子 2０ ００であ た。

( 29)

・ ( 2) ( 2) (2 2)および(2 24)で示される繰 返し構 造 位を有するポ ステ (R)の

(6 5)で示されるジカ ボン ライド 5 2 および上記 (6 2)で示されるジカ ボン ライド32 4 を ク メタ に溶解 、 ゲ 液を調製した。

また、 ゲン 液 は別に、上記 (7 )で示 れる キサ 造を有するジオ 2 7 および上記 (8 )で示されるジオ 463 を用 て、合成 同様の 作を行 、上記 ( 2) ( 2) 2 2)および(2 24)で示される繰り返し構造 位を有するポ ステ (R)を6０ 。 に示す。

また、合成 同様にして、ポ ステ ( )中のシ キサン 位の 有量を算出した。 に示す。

また、合成 同様にして、ポ ステ R 均分子 定した。 均分子 3 ００であ た。

( 3０)

・ ( 3０) ( 33) (2 2)および(2 24)で示 れる繰り返し 構造 位を有するポ ステ ( )の 成

ジカ ボ ライド して合成 で用 た上記 (6 )および上記 6 2)を用 、ジオ して下記 (7 )

および上記 (8 )を用 、合成時の 用量を調整し、ポ ステ

( )の 量中の キサ 位が ０ である上記 ( 3０) ( 33) (2 2)および(2 24)で示される繰 返し構造 位を有するポ ス テ (S、重量 均分子 6０ ０ ０)を合成した。

( 3 )

・ ( 28) ( 3 ) (2 2)および(2 24)で示 れる繰り返し 構造 位を有するポ ステ ( 3)の 成

ジカ ボ ライド して合成 で用 た上記 (6 )および上記(6 2)を用 ジオ として下記 (7 )

および上記 (8 )を用 、合成時の 用量を調整し、ポ ステ ( 3)の 量中の キサ 位が ０ である上記 ( 28)、 3 (2 2)および(2 24)で示される繰 返し構造 位を有するポ ステ ( 3、重量 均分子 5０ ０)を合成した。

明の 光体の である電荷 、ポ ステ 、ポ ステ Cおよび カ ボネ ト の な も一方の 脂を含有するが、さらに他の樹脂を混合して てもよ 。 合して てもよ 他の樹 しては、アク 脂、スチ 脂、ポ ステ 脂、ボ カ ボネ ト 脂、ポ ホン 脂、ボ オキ ド 脂、 ポキ 脂、ポ ウ タン 脂、ア キッド 脂、不飽和 挙げられる。

また、ボ ステ Cおよび カ ボネ ト は、上記 ( )で示 される繰り返し構造 位を有さな こ が、上記 ト ックス ドメイン 造の 率的な形成の 点から好まし 。 明の 光体の である電荷 に含有 れる電荷 質 しては、た えば、 ト ア ア 合物、ヒドラゾン 合物、ス チ 合物、スチ 合物、ビラ 合物、オキ ゾ 合物、 チアゾ 合物、 ア メタ 合物などが挙げられる。これら電荷 種のみ用 てもよ 、 2 以上 てもよ 。また、これらの中でも 電荷 質 して ア ア 合物を用 ることが電子 性の 上の点で好まし 。 さらには、 ア ア ン 合物の中でも、下記 (4)

( (4) 、 ～ 4は、それぞれ 立に、置換もし は 換のア 基 を示す。 ～ は、それぞれ 立に、置換もし は 換のア ン基を 。

示される化合物が好まし 。

(4)中の ～ 4は、それぞれ 立に、置換もし は 換のア 基を示す。ア しては、た えば、 チ 基などが 挙げられ、これらの中でも、フ 基が好まし 。ア 基が有してもよ としては、た えば、ア キ 、ア 、ア キ 、不飽和 合を有する 価の基などが挙げられる。

(4)中の 5～ 6は、それぞれ 立に、置換もし は 換のア 基を示す。ア ン としては、た えば、 、 チ 基 などが挙げられ、これらの中でも、 ン基が好まし 。

下に、上記 ( )で示される化合物の例を示す。

これらの中でも、 (4 )または(4 7)が好まし 。

明の 光体の である電荷 、電荷 質 ならびにポ ステ Cおよび カ ボネ ト の な も一方の により ト ック が形成され、 、ボ ステ によりドメインが 成されるこ により、持続的な ス スの 和 良好な電子 性 の 立が図られる。

(4)で示される化合物は高 を有する利点があるが、電 荷 を構成する樹脂の 成により、 性に課題が発生する場合があ る。特に、接触スト スの 和のために キサン 造を含有する樹脂を用 場合、 キサン 位 電荷 質 の 高 な ため、電荷 質が を形成し、電子 性の 化が発生する場合がある。 明の 光体の である電荷 、電荷 質 ならびにポ ステ Cおよび カ ボネ ト の な とも一方の により ト ック を形成するこ で、電荷 質 して上記 (4)で される化合物を用 た場合でも、その 性を損な こ な 、ス ス 和の 果を得るこ ができる。

次に、 明の 光体の 成に て説明する。

記のとおり、 明の 光体は、支持 、 上に設け られた電荷 生層ならびに 生層上に設けられた電荷 を有す 電子 光体である。また、電荷 が電子 光体の ( 上層)である電子 光体である。

また、 明の 光体の 、電荷 質を含有 する。また、電荷 、ポ ステ 、およびポ ステ Cお よび カ ボネ ト の な とも一方の 脂を含有する。

また、電荷 を積層構造 してもよ 、その 、少な とも最も表面 の に上記 ト ックス ドメイ 造を有さ る。 体は、 般的には、円筒状 上に感光 を形成してなる円筒状の 光体が広 られるが、 、 ト状などの 状 可能であ る。

としては、 を有するもの( )が好まし 、ア ウム、ア ウム 金、ステ スのよ な金属製の を用 るこ がで きる。

ア ウム ア ウム 金性の の 、 、 E 、こ れらを切削、電解 合研磨( 用を有する電極 電解質 による電 解および 用を有する 石による研磨)、湿式または乾式ホ グ したものを用 るこ もできる。

また、ア ウム、ア ウム または酸化インジウム 酸化スズ 金 を真空蒸着によ て被膜 成 れた層を有する金属製 や樹脂

を用 るこ もできる。

しては、た えば、ポ チ テ フタ 、ポ チ テ タ ト、 ノ 脂、ボ プ ピ 、ポ スチ ン 脂などの が挙げられる。

また、カ ボ ブラック、酸化スズ 子、酸化 子、銀 子のよ

子を樹脂や紙に含浸した 、 脂を有するプラス チックを用 るこ もできる。

の 、 ザ 光などの 乱による の 止などを目的 して、切削 理、粗面化 理、ア イト 理などを施してもよ 。

の 面が導電 を付与するために設けられた層である場合、その層 の体 、 X ・C 下であることが好まし 、特には X ０6 ・C 下であるこ がより好まし 。

、後述の 間層または電荷 生層 の間には、 ザ 光などの 乱による の 、支持体の傷の被覆を目的 した を設け てもよ 。これは、 子を結 分散 せた を 用 て 成される層である。

子 しては、た えば、カ ボ ラック、アセチ ンブラック 、ア ウム、 ッケ 、鉄、 ク ム、 、 、銀のよ 金属粉 、 ス 、 の 金属 化物 体などが挙げられる。

また、 としては、た えば、ポ スチ ン、スチ アク ト 重合体、スチ ン ブタ 重合体、スチ イ 重 合体、ポ ステ 、 ビ 、塩化ビ ビ 重合体、ポ ビ 、ポ ビ デン、ポ ア ト 脂、 キ 脂、ポ ネ ト、 セ ス 脂、 チ セ ス 脂、ポ ラ 、ポ ホ 、ポ ト ン、ポ ゾ 、アク 脂、 脂、 ポキ 脂、 ラ 脂、ウ タン ノ 脂、ア キッド 脂などが挙げられる。

の 剤 しては、たとえば、テトラ ド ラ 、 チ グ ジメチ テ の テ 系 剤や、メタノ の ア 系 剤や、メチ の ト 系 剤や、 ト ンの

化水素 剤などが挙げられる。

の 、 0・ 2 u 4０は 上であることが好まし 、 上35 4 下であるこ がより好まし 、さらには5 4 3０4 下であ ることがより好まし 。

子や 子を分散さ た 、その 面が 面化さ れる傾向にある。

または導電 、電荷 生層 の間には、 ア 能や接着 能を 有する中間層を設けてもよ 。 間層は、た えば、感光 の 着性 良、 良、支持体 らの 入性 良、感光 の 壊に対す る保護のために形成される。 間層は、 脂を含有する中間層 を導電 上に 布し、こ れを または硬化さ るこ によ て 成するこ ができる。

間層の しては、た えば、ポ ア 、ポ メ チ テ 、 アク 類、メチ セ ス、 チ セ ス、ポ グ タ ン または の 水溶性 脂、ポ ア ド 脂、ボ

ポ ア ド 脂、 ア ド 脂、 ラ ン 脂、 ポキ 脂、ポリウ タ ン 脂、ポ グ タ ン ステ 脂などが挙げられる。

間層の ア性を効果的に発現さ る観点 ら、また、 、 密着性、 、抵抗 適化の 点 ら、中間層の 熱可 好まし 。 体的には、熱可塑性の ア ド 好まし 。ポ ア ド しては、 液状態で塗布できるよ または

の 重合ナイ が好まし 。

間層の 、 ・０5 7は 下であるこ が好まし 、 ・ 上2 下であることがより好まし 。

また、中間層にお て電荷(キヤ ア)の れが らな よ にするため、中 間層には、半導電 子ある は電子 (アクセプタ の 電子 物質)を含有さ てもよ 。

、 または中間層上には、電荷 生層が設けられる。 明の 光体に用 られる電荷 生物質 しては、たとえば、 、ジスア 、 ス の 料や、金属フタ ア 、非金 属フタ ア の ア ン 料や、インジ 、 オインジ の インジ 料や、 ン 水物、 の ン 料や アンスラキノン、 キノンの キノ 料や、スクワ ウム 、 ピ ウム 、チア ウム 、 ト メ 、セ ン、セ テ 、 ァス の 無機物質や、 ナク ド 料や、 ウム 料や、シア 料や、キサ テン 、キノ イ ン 、 素などが挙げられる。これら電荷 生物質は 種のみ用 てもよ 、 2 以上 てもよ 。これらの中でも、特にオキ ウム ア 、 ヒド ガ ウム ア 、ク ガ ウム ア の 金属 タ ア は、高感度であるため まし 。

生層に用 られる しては、たとえば、ポ カ ボネ ト 脂、ポ ステ 脂、ボ ア 脂、 ラ 脂、ボ スチ 脂、 タ 脂、ジア タ ト 脂、アク 脂、メタク 脂、 ビ 脂、 ノ 脂、 脂、ボ ス ホ 脂、 スチ ン ブタ 重合体 脂、ア キッド 脂、 ポキ 脂、

、塩化ビ ビ 重合体 脂などが挙げられる。これらの中で も、特には、 ラ 好まし 。これらは単独、混合または共重合体 して または2 以上 るこ ができる。

生層は、電荷 生物質を結 および 剤と もに分散して得ら れる電荷 生層 を塗布し、これを さ ることによ て 成するこ とができる。また、電荷 生層は、電荷 生物質の してもよ 。

法としては、たとえば、 ナイザ 、超音波、ボ 、サンド 、アトライタ 、 を用 た方法が挙げられる。

生物質 結 の 、 ０～ ０ ( )の 囲が好 まし 、特には ～3 : ( )の 囲がより好まし 。

生層 用 られる 、使用する 電荷 生物質の 解性や 定性 ら選択される。 剤としては、た えば ア 系 剤、ス ド系 剤、 系 剤、 テ 系 剤、 ステ 系 または芳香 化水素 剤が挙げられる。

生層の 、 5 4 下であるこ が好まし 、 0・ 4 上2は 下であるこ がより好まし 。

また、電荷 生層には、 の 、酸化 、紫外線 、可 剤などを必要に応じて 加するこ もできる。また、電荷 生層にお 電 荷(キヤ ア)の れが らな にするために、電荷 生層には、電子

(アクセプタ の 電子 物質)を含有 てもよ 。

生層上には、電荷 が設けられる。

明の 光体に用 られる電荷 質 しては、た えば、 上述のよ に ア ア 合物、ヒドラゾン 合物、スチ 合物、ス チ ン 合物、ピラ 合物、オキ ゾ 合物、チアゾ 合 物、 ア メタ 合物などが挙げられる。これらの中でも、上記 (4)で 示される化合物が好まし 。また、電荷 の (4)で示される 物の 有量は、電荷 の 電荷 質の 量に対して

上であることが好まし 。

明の 光体の である電荷 、ボ ステ を含有し、 、ポ ステ Cおよび カ ボネ ト の な も一方の 脂を含有するが、上述の おり、他の樹脂をさらに混合して てもよ 。 合して てもよ 他の樹 、上述の おりである。

、電荷 および上記 脂を 剤に溶解させるこ によ て得られる電荷 を塗布し、これを さ るこ によ て 成するこ ができる。

質 結 との 、 4 ０～2０ ０( )の 囲が まし 、 5 ０～ 2 ０( )の 囲がより好ま 。

られる 剤 しては、たとえば、アセ 、メチ の トン系 剤や、 メチ 、 チ の ステ 系 剤や、テ ラ ド ラ 、 ラ 、 キ メタン、 キシ タ ンの テ 系 剤や、 、キ ン、ク ゼ の

化水素 剤などが挙げられる。これら 、単独で使用してもよ が、 2 上を混合して使用してもよ 。これらの 剤の中でも、 テ 系 、 化水素 剤を使用することが、 解性の 点 ら好まし 電荷 の 、 5 5０は 下であるこ が好まし 、 ０ 上35 下であるこ がより好まし 。

また、電荷 には、酸化 、紫外線 、可塑剤などを必要 に応じて 加するこ もできる。

明の 光体の 層には、各種 を添加するこ ができ る。 しては、た えば、酸化 、紫外線 、対 の よ な 、有機微粒子、無機微粒子などの 粒子が挙げられる。

しては、た えば、ヒンダ ド ノ 系 、ヒ ダ ドア ン系 、 、

が挙げられる。 機微粒子 しては、たとえば、フッ 原子 子、 ポ スチ ン 粒子、ポ チ ン 子のよ な高分子 子が挙げら れる。 機微粒子としては、た えば、 カ、ア ナの 金属 化物が げられる。

層の を塗布する際には、 ( ティング ) スプ ティ グ 、スピンナ ティ グ 、 ラ ティング 、 イヤ ティング 、ブ ド ティ グ法などの 法を用 ることができる。

に、 明の 光体を有するプ セスカ ッジを備えた電 子 置の 成の 例を示す。

にお て、 は円筒状の 光体であり、 2を中心に矢印 向に所定の 度で回転 動される。

動される電子 光体 の 、帯電 (

ラ など) 3により、 または負の所 位に 一に帯電される。 で、ス ッ ザ ビ ム 光などの ( ) ら 力 れる ( )4を受ける。 して電子 光体 の 面に、 目的の 像に対応した静電 像が順次 成 れて 。

光体 の 面に形成 れた静電 、現像 5の に含まれる ナ によ 現像されてトナ となる。 で、電子 光体 の 面に形成 されて る ナ 像が、転写 ( ラ など)6 らの イアスによ て、転写 (紙など)Pに順次 れて 。なお 転写 Pは、転写 ( )から電子 光体 転写 6 との ( )に電子 光体 の 転 同期して取り出されて さ れる。

ナ 像の転写を受けた は、電子 光体 面 ら分離さ れて定着手段8 入されて 着を受けるこ により画像 (プ ト、 ピ )として プ アウト れる。

トナ の 光体 の 、ク グ (ク グ ドなど)7によ て転写 りの ( ナ )の 去を受けて清浄 化される。 で、 ( ) らの ( )により 理された後、繰り返し 成に使用される。なお、 に示すよ に 帯電 3が ラ などを用 た 段である場合は、 必ずしも 、要ではな 。

記の 光体 、帯電 3、現像 5、転写 6および グ 7などの 素の ち、複数のものを容器に納めてプ セス ッジとして一体に結合して構成し、このプ セス ト ッジを

ザ ビ ムプ タ などの 体に対して 在に構成 してもよ 。 では、電子 光体 、帯電 3、現像 5およびク ング 7 を一体に支持して ッジ して、電子

の などの を用 て電子 体に着脱 在なプ セス ト ッジ9 して る。 2に、 明の 光体を有するプ セスカ ッジを備えたカ ラ (イ ライ 式)の 成の 例を示す。

2にお て、 C は円筒状の 光体( ～ 4 光体)であり、それぞれ 2 2 2C 2 を中心に矢 向に所定の 度で回転 動される。

動される 光体 の 、

( ラ など)3 により、 または負の所 位に 一に帯電される。 で、ス ッ ザ ビ ム 光などの ( ) ら出力 れる ( )4 を受ける。

4 は、 目的のカラ 像の (た えばイ 成分 )に対応 した である。 して 光体 Yの 面に、 目的のカ ラ 像の に対応した 分静電 イ 分静 電 )が順次 成 れて 。

2によ て された ( ト) 4は、矢印 向に第 ～ 4 光体 Y C ほ ぼ同じ (たとえば ～ 4 光体 C、 の 度に対して97～ ０3 )で回転 動される。また、転写

7 ら された (紙など)Pは、転写 4に に担 ( )され、 ～ 4 光体 Y C 転写 との ( )に順次 送される。

光体 の 面に形成された 分静電

5 の ナ により現像されて ナ (イ ト ナ ) なる。 で、 光体 の 面に形成 れて る ナ 像が、 ( ラ など)6Y らの イアスによって、 光体

6 の間を通過する 4に された Pに順次 されて 。

トナ の 光体 Yの 、 ク ング (ク グブ ドなど)7 によ て転写 トナ の 去を受けて清浄 化された後、繰 返し トナ 成に使用 れ 。

光体 、 3Y、 に対 応した 4 を出力する 段、第 5Yおよ び 6 をま めて 称する。

2 光体 、 2 3 、 2 に対 した を出力する 2 段、第2 5 およ び 2 6 を有する 2 、第3

光体 C、 3 3C、 3 に対応した 4Cを出 力する 3 段、第3 5Cおよび 3 6 Cを有する 3 、第4 光体 、 4

3 、 4 に対応した 4 を出力する 4

段、第4 5 および 4 6 を有する 4

の 、 の 作と同様であり、転写 4に され、 ナ 像が転写された Pに、 2 ナ ( ゼ タ ナ )、 3 トナ (シアントナ )、 4 トナ (ブラック ナ )が順次 されて 。 して転写

4に れた Pに目的の 像に対応した ナ 像が形成される。

トナ 像が形成 れた Pは、転写 4の 面 ら 分離されて定着手段8 入されて 着を受けるこ により

(プ ト、 ピ ) して プ ン アウ される。

また、 ～ 4 ク グ 7Y 7 7C 7 による 去後の ～ 4 光体 Y C の 面 を、 段 らの により 理してもよ が、 2に示すよ に、 ～ 4 3Y 3 3C 3 が ラ などを用 た 段である場合は、 必ずしも 要ではな 。

述の電 光体、帯電 段、現像 段、転写 およびク ング 段などの 素の 、複数のものを容器に納めてプ セスカ ト 、 して一体に結合して構成し、このプ セスカ ト ッジを ザ ビ ムプ ンタ などの 体に対して 在に構成しても よ 。 2では、画像 ご に、電子 光体 、帯電 段、現像 およびク ング 段 を一体に支持してカ ト ッジ して、電子

体の などの ( )を用 て電子 体に 着脱 在なプ セスカ ト ッジg gV gC g として る。

( ) 下に、具体的な実施 を挙げて 明を らに詳細に説明する。ただし はこれらに限定されるものではな 。なお、実施 中の は を意味する。

( )

3０ 、長さ26 5 のア ウム ダ を支持 した。 次に、 S ト ウム( ) ０部、酸化チタン( 節用 )2部、 ノ ( )6部、シ オイ ( ング )０ ０ 部およびメタノ 4 トキ プ ノ 6部の混 剤を用 て を調製した。

。 この を支持 上に浸 布し、これを3０ 4０Cで ( 硬化) るこ によ て、 5 の を形成した。

次に、 トキ メチ ナイ 3 および 重合ナイ ン3 をメタノ 65部 タノ 3０部 混 剤に溶解さ るこ によ て、中間層 用 を調製した。

。

この 間層 を導電 上に浸 布し、これを ０ ０ Cで乾 燥させるこ によ て、 0・ 7 の 間層を形成した。

。

次に、 C X 折における ラッグ 2０ ０ 。

・ 2 の7・ 5 、 9・9。 、 6・ 3。 、 8・ 6。 、 25 。

・ および28・ 3。

に強 ピ クを有する結晶 形の ガ ウム シア ン( 生物質) ０部を、 ク キサ 25０部に ラ ( 品名 ス ックBX ・ 化学 工業(株) 、 )5部を溶解さ た液に加えた。これを、直径 の 。

ガラスビ を用 たサ ド 置で23 3C 囲気 間分散した。

、 チ 25０部を加えるこ によ て、電荷 生層 を調製 した。

この 生層 を中間層上に浸 布し、これを ０ ０ C で乾燥さ るこ によ て、 0・ 26 の 生層を形成した。

次に、上記 (4 )で示 れる化合物( ) 部、下記 (C )

で示される化合物( )9部、合成 で合成したポ ステ ( )3部および上記 (2 2)で示される繰り返し構造 および 上記 (2 24 れる繰り返し構造 位を5 5の 比で有するポ ステ C( ) ( 均分子 2０ ００)7部を トキ メタン2０部 およびモノク ゼ 6０部の混 剤に溶解させることによ て、電荷 を調製した。

この を電荷 生層上に浸 布し、これを 2 ０Cで乾燥さ ることによ て、 9 4 の を形成した。 された電荷 には電荷 質ならびにポ ステ C )によ り 成 れた ト ックス中に ステ ( )により 成されたドメイ が存在して ることが確認 れた。

この にして、電荷 が表面 である電子 光体を作製した。

実施 同様に行 た。 果を表4に示す。

次に、評価に て説明する。

、 2 ０００ り返し使用時の 電位の ( )ならびに 初期および2 ０００ り返し使用時の クの およびト ク 定時の 光体の 面の 察に て行 た。

しては、キヤノン(株) ザ ビ ムプ タ P 25 ０( ( ) 電方式、プ セススピ ド 94 2 、電 子 光体の 電電位( 部電位)を調整できるよ に改造して た。 また、ポ ウ タン ム製のク ングブ ドを、電子 光体 面に 。

対して、 25 および 35 c となるよ に設定した。

、温度23C、相対 5 で行 た。

電位

置の78０ の ザ の 光量( 光量)に ては、 電子 光体の 面での 量が0・ 3 c 2 なるよ に設定した。

光体の ( 部電位および 電位)の 、電子 光体の 部 ら 3０ の 置に電位 プ ブが 置するよ 固定 れた 現像 を交換して、現像 置で行 た。

光体の の 部電位が 45０V なるよ に設定し、 光を照射して暗部電位 ら させた 電位を測定した。

また、 4サイズの を用 、連続して画像 力を2 ０００ 、その 後での 電位の 動量を評価した。 果を表4中の電 動に示す。 なお、テス チヤ トは、印字 5 のものを用 た。

ト クの

件 同条件にお て、電子 光体の

タ の 動電流 ( )を測定した。この 、電子 光体 ク グブ ド の スト ス量を評価したものである。 られた電流 の きさは、電子 光体とク ング ドとの スト ス量の大 さを示す。

さらに、以下の 法でト ク の となる電子 光体を作製し た。

光体の に用 たポ ステ ( )を、上記 (2 2)で示される繰 返し構造 および上記 (2 24) で示される繰り返し構造 位を5 5の 比で有するポ ステ ( 均分子 2０ ００)に変更した以外は実施 同様にして電子 光体を作製し、これを対照 光体とした。

れた対照 光体を用 て、実施 同様に電子 光体の タ の 動電流 ( )を測定した。

このよ にして得られた 明に係る ステ を用 た電子 光体の 動電流 ( A) 、 明に係るポ ステ を用 な た電子 光体の タ の 動電流 ( B) の比 を算出した。 られた( S ) ( B)の 値を、 クの し て比較した。この クの の 、電子 光体 ク ングブ ド の ス ス量の増減を示し、ト ク の 値が小 ほ が 電子 光体 ク ングブ ドとの ス ス量が小さ こ を示す 果を、 4中の初 ト クの に示す。

て、 4サイズの を用 、連続して画像 力を2 ０００ た。 なお、テス チヤ トは、印字 5 のものを用 た。

その 、 2 ００ り返し使用 クの 定を行 た。 2 ０ ０ り返し使用 ト クの 初期ト クの 同様の 価で行 た。この 合、対照 光体に対しても2 り返し使用 を行 、そのときの 動電流 を用 て2 ００ り返し使用 ト クの を算出した。 果を、 4中の2 ００ クの に示す。 ト ックス ドメイ 造の

記の方法により作製された電子 光体に対して、電荷

直方向に切断した電荷 の 面を超 微鏡 g5０ ０ (株) ス )を用 て断面 察を行 た。その 、対物 ン

5０ とし、電子 光体の 面の ００ ( ００ u 2)を視野 察とし、視野 にあるラ ダムに選択された ００個の形成されたドメイン 位の最 の 定を行 た。 られた最大 より平均値を算出し、

した。 果を表4に示す。

( 2)

にお て、電荷 の 脂を表2に示すよ に変更した以外は 実施 同様にして電子 光体を作製し、評価した。 成された電荷 には電荷 質ならびにポ ステ C )により 成された ト ックス中にポ ステ ( )によ 成 れたドメイ が存在して るこ が確認 れた。 果を表4に示す。

( 3)

にお て、ポ ステ C( )を上記 (9 4)で示される繰り し構造 位を有する ネ ト ) ( 均分子 ００ 0 ００)に変更 、混合 2に示すよ に変更した以外は、実施 同様に して電子 光体を作製し、評価した。 成された電荷 には電荷 質ならびに カ ボネ ト )により 成 れた ックス中 にポ ステ ( )によ 成されたドメインが存在して るこ が確 認 れた。 果を表4に示す。

( 5～ )

にお て、電荷 の 脂を表2に示すよ に変更した以外は 実施 同様にして電子 光体を作製し、評価した。 ずれの 合も 成された電荷 には電荷 質ならびにポ ステ C )ま たは カ ボネ ト ( )により 成された ックス中にポ ステ ( 2～ 7)によ 成されたドメイ が存在して ることが確認 れた。 果を表4に示す。

( 2)

生層までは実施 同様に形成した。

次に、上記 (4 )で示される化合物( ) 部、上記 (C )で示される化合物( )9部、合成 8で合成した ステ ( )2部および実施 で用 た ステ C ( 均分子 2０ ００)8部を、 トキ メ 2 部およびオ トキ ン6０ 部の混 剤に溶解させることによ て、電荷 を調製した。 この を電荷 生層上に浸 布し、これを 2 ０Cで乾燥させることによ て、 gは の を形成した。 成された電荷 には電荷 質ならびにポ ステ C )によ 成された ックス中にポ ステ (B )により 成 れたドメイ ンが存在して るこ が確認 れた。

このよ にして、電荷 が表面 である電子 光体を作製した。

実施 同様に行 た。 果を表4に示す。

( 3～28) 4にお て、電荷 の 脂を表2に示すよ に変更した以外 は、実施 2 同様にして電子 光体を作製し、評価した。 ずれの 合も、形成された電荷 には電荷 質ならびにポ ステ C )または カ ボネ ト )により 成された ト ックス中に ステ ( ～B4、 C、 、 、 ～ 3)により 成 れたドメイ が 存在して るこ が確認 れた。 果を表4に示す。

( 29～3 )

生層までは実施 同様に形成した。

次に、上記 (4 7)で示される化合物( )6部、合成 8 で合成したポ ステ (G)3部および上記 (2 33)で示 れる繰り 返し構造 位を有するポリ ステ C 2) ( 均分子 3０ ００ ) 7部を、 キ メタン2０部および ノク ンゼン6０部の混 剤に溶 解さ ることによ て、電荷 を調製した。

この を電荷 生層上に浸 布し、これを 2 Cで乾燥させるこ によ て、 9 4 の を形成した。 成された電荷 には電荷 質ならびにポ ステ C )によ り 成 れた ト ックス中にポ ステ )により 成されたドメイン が存在して るこ が確認ほれた。

このよ にして、電荷 が表面 である電子 光体を作製した。

実施 同様に行 た。 果を表4に示す。

ただし、 ト ク 価で用 た電子 光体は、実施 で用 た対照 光体の の 脂をポ ステ C 変更 、 らに電荷 質を上記 (4 7)で示される化合物に変更して 定した。 果を表4に示す。

( 32～33)

3 にお て、ポ ステ C 上記 (9 )で示される 返し構造 位を有する カ ボネ ト (2) ( 均分子 ０ ０００)に変更 、 2に示すよ な混合 にした以外は実施 32 同様に電 子 光体を作製し、評価した。 成された電荷 には電荷 質ならびに カ ボネ ト (2)により 成 れた ト ックス中に ステ G)により 成されたドメイ が存在して ることが確認 れた。 果を表4に示す。

( 34～36)

29にお て、電荷 の 脂を表2に示すよ に変更 、 2で 示す で使用した以外は、実施 33 同様にして電子 光体を 製し、評価した。 成された電荷 には電荷 質ならびに ステ C(2)により 成された ックス中に ステ ( 、 、J )により 成されたドメインが存在して るこ が確認 れた。 果を表4に示 す。

( 37～48)

にお て、電荷 の 脂を表2に示すよ に変更した以外は 実施 同様にして電子 光体を作製し、評価した。 成された電荷 には電荷 質ならびにポ ステ C( )により 成された ックス中に ステ ( 3)により 成されたドメイ が存在して るこ が確認 れた。 果を表4に示す。

( )

ジカ ボン ライドとして合成 で用 た上記 (6 )で示されるジカ ボ ライドおよび上記 (6 2)で示されるジカ ボン ライドを用 ジオ として合成 で用 た上記 (7 )で示されるジオ 合物 および(8 )で示されるジオ 合物を用 、合成時の 用量を調整し ポ ステ の 量中の キサ 位が であるポ ステ ( 8) ( 均分子 2０ ０００)を合成した。 生層までは実施 同様に形成した。

にお て、 としてポ ステ ( 8)のみを使用した以外 は、実施 同様にして電子 光体を作製し、評価した。 成 れた 電荷 には ト ックス ドメイ 確認 れな った。 3に示す。 果を表5に示す。

2)

生層までは実施 同様に形成した。

にお て、 としてポ ステ ( 7)のみを使用した以 外は、実施 同様にして電子 光体を作製し、評価した。 成され 電荷 には ト ックス ドメイン 確認 れな たが、電荷 質 が確認 れた。 3に示す。 果を表5に示す。

( 3)

ジカ ボン ライド して合成 で用 た上記 (6 )で示 れるジカ ボ ライドおよび上記 (6 2)で示されるジカ ボ ライドを用 ジオ して下記 (7 8)

示されるジオ 合物および上記 (8 )で示され ジオ 合物 を用 、合成時の 用量を調整し、ボ ステ の 量中の キサ 位が2０ であるポ ステ ( ) ( 均分子 2０ ０)を合成した。ポ ステ ( )は下記 (P )

で示される繰り返し構造 および (P )

で示される繰り返し構造 位の 比が5 5であり、上記 (2 2)で示さ れる繰り返し構造 および上記 (2 24)で示される繰り返し構造 位 の 比が5 5である ステ である。

にお て、電荷 の としてポ ステ ( )のみを 使用した以外は、実施 同様にして電子 光体を作製した。 成さ れた電荷 には ト ックス ドメイ 確認 れな た。

同様に評価を行 た。 果を表5に示す。

( 4)

にお て、 キサン 位を有するポ ステ ( )を上 記ボ ステ ( )に変更した以外は、実施 同様にして電子 光体を作製した。 成 れた電荷 には ックスードメイン 確認 れな た。 同様に評価を行 た。 果を表5に示す。 ( 5)

ジカ ボ ライド して合成 で用 た上記 (6 )で示 れるジカ ボ ライドおよび上記 (6 2)で示 れるジカ ボ ライドを用 、 ジオ として下記 (7 ０)

で示されるジオ 合物および上記 (8 )で示されるジオ 合物 を用 、合成時の 用量を調整し、ポ ステ の 量中の キサ ン 位が2０ であるポ ステ ( ) 均分子 2０ ００ 0)を合成した。ポ ステ ( )は下記 (P 5)

示される繰 返し構造 および (P )

で示される繰 返し構造 位 比が5 5であり、上記 (2 2)で示さ れる繰 返し構造 および上記 (2 24)で示 れる繰り返し構造 位 の 比が5 5であるポ ステ である。

にお て、電荷 としてポ ステ ( )のみを 使用した以外は、実施 同様にして電子 光体を作製した。 3に 。 成 れた電荷 には ックス ドメイン 造が確認できな たが、電荷 質の が確認 れた。 同様に評価を行 た。 果を表5に示す。

( 6) にお て、 キサン 位を有するポ ステ ( )を上 記ポ ステ ( )に変更した以外は、実施 同様にして電子 光体を作製し、評価した。 成された電荷 には ト ックスードメイ 造が確認 、ドメイン 部に電荷 質のわず な が確認 れた。 3に示す。 同様に評価を行 た。 果を表5に示す。

( 7)

ジカ ボン ライドとして合 で用 た上記 (6 )で示 れるジカ ボ ライドおよび上記 (6 2)で示されるジカ ボン ライドを用 ジオ として下記 (7 )

示されるジオ 合物および上記 (8 )で示されるジオ 合物 を用 、合成時の 用量を調整し、ポ ステ の 量中の キサ 位が2０ であるポ ステ ( ( 均分子 2０ ０)を合成した。ポ ステ ( )は下記 (P 7)

示される繰り返し構造 および (P 8)

で示される繰り返し構造 位の 比が5 5であ 、上記 (2 2)で示さ れる繰り返し構造 および上記 (2 24)で示される繰り返し構造 位 の 比が5 5であるポ ステ である。

にお て、 キサン 位を有するポ ステ ( )を 上記ポ ステ ( )に変更した以外は、実施 同様にして電子 光体を作製した。 成された電荷 には リックス ドメイ 造 が確認 、ドメイ 部に電荷 質の が確認 れた。 3に示 す。 同様に評価を行 た。 果を表5に示す。

( 8)

ジカ ボ ライド して合成 で用 た上記 (6 )で示されるジカ ボ ライドおよび上記 (6 2)で示されるジカ ボ ライドを用 ジオ として下記 (7 ０)

で示 れるジオ 合物および上記 (8 )で示 れるジオ 合物 を用 、合成時の 用量を調整し、ボ ステ の 量中の キサ 位が2０ であるポ ステ (W ) ( 均分子 ００ ０ ０ 合成した。ポ ステ ( )は下記 (P g)

示される繰り返し構造 (P ０)

で示される繰り返し構造 位の 比が5 5であり、上記 (2 2)で示さ れる繰り返し構造 上記 (2 24)で示される繰 返し構造 位 の 比が5 5であるポ ステ である。

にお て、シ キサ 位を有するポ ステ (A )を上 記ポ ステ ( )に変更した以外は、実施 同様にして電子 光体を作製した。 3に示す。 成された電荷 には ックス ドメイン 確認 れな た。 同様に評価を行った。 果を表 5に示す。

( 9)

ジカ ボ ライド して合成 で用 た上記 (6 )で示される ボン ライドおよび上記 (6 2)で示されるジカ ボ ライドを用 ジオ として下記 (7 3)

で示されるジオ 合物および上記 (8 )で示されるジオ 合物 を用 、合成時 用量を調整し、ポ ステ の 量中の キサ ン 位が2０ であるポ ステ (w ) ( 均分子 8０ ００ ０)を合成した。ポ ステ (w2)は下記 (P )

示される繰 返し構造 および (P 2)

示される繰 返し構造 位の 比が5 5であ 、上記 (2 2)で示さ れる繰り返し構造 および上記 (2 24)で示 れる繰り返し構造 位 の 比が5 5であるポ ステ である。

にお て、 キサン 位を有するポ ステ ( )を上 記ポ ステ (W2)に変更した以外は、実施 同様にして電子 光体を作製した。 3に示す。 成された電荷 には ックス ドメイン 造が確認され、ドメイン 部に電荷 質の が確認ほれ た。 3に示す。 同様に評価を行 た。 果を表5に示す。 ( ０)

にお て、 キサ 位を有するポ ステ ( )を 2００3 3０278０に記載の ステ ( ) ( (P 3)

示される繰り返し構造 および上記 (2 5)で示される繰り返し構造 位の 比が 5 85であるポ ステ 脂を使用した以外は、実施 同様にして電子 光体を作製した。 3に示す。 成された電荷 には ト ックス ドメイ 造が確認 ドメイ 部に電荷 質の が確認 れた。 同様に評価を行 た。 果を表5に示す。 ( )

キサ 位を有する ステ ( )に変えて、下記 (P 4)

で示される繰り返し構造 および (P 5)

示される繰り返し構造 位の 比が5 5であり、上記 (2 )で示さ れる繰り返し構造 および上記 (2 23)で示される繰り返し構造 位 の 比が5 5であるポ ステ (Y)を合成した。 成された樹脂

キサ 3 であ た。

にお て、 キサン 位を有するポ ステ ( )に 変えて、ボ ステ (Y)を使用した以外は、実施 同様にして電子 光体を作製した。 3に示す。 成された電荷 には ックス ドメイ 造が確認 ドメイン 部に電荷 質の が確認 れた。 3に示す。 同様に評価を行 た。 果を表5に示す。 ( 2)

(2 2)で示される繰り返し構造 および上記 (2 24)で示 される繰り返し構造 位を有し、末端に下記 (7 4)

示される構造を導入したポ ステ ( )を合成した。 成された樹脂 シ キサン ・ 2 であ た。

にお て、 キサ 位を有する ステ ( )に変 えて、ポ ステ ( )を使用した以外は、実施 同様にして電子 光体を作製した。 3に示す。 成された電荷 には ックス ドメイ 確認されな た。 同様に評価を行 た。 果を表 5に示す。

( 3)

(9 )で示される繰り返し構造 および (P 6)

で示される繰り返し構造 位 比が5 5である カ ボネ ( ) を合成し、上記 (2 2)で示される繰 返し構造 および上記 (2 2 4)で示される繰り返し構造 位の 比が5 5であるポ ステ C 3に示すよ に混合した以外は、実施 同様にして電子 光体 を作製した。 3に示す。 成された電荷 には ックスードメイン 造は確認 れなか た。 同様に評価を行 た。 果を表5に示す。 ( 4)

(9 4)で示 れる構造 位を有する樹脂の 側の 端に、上記 (7 4)で示される構造を導入した カ ボネ (B)を合成した。 された樹脂 キサン 25 であ た。

にお て、電荷 の して リカ ボネ (B)のみ を使用した以外は、実施 同様にして電子 光体を作製した。 3 に示す。 成された電荷 には微小な ト ックスードメイ 造が確認、 れ、さらにドメイン 部に電荷 質の が確認 れた。

様に評価を行 た。 果を表5に示す。

( 5)

生層までは実施 同様に形成した。

次に、上記 (4 )で示される化合物( ) 部、上記 (C )で示される化合物( )9部、ポ ステ C( )9・ 9 およびメチ フ ポ シ キサン ・ 部を、 トキ メタ 2０部および ノク ゼ 6０部の混 剤に溶解させることによ て、電荷

を調製した。

この を電荷 生層上に浸 布し、これを 2 O。

Cで乾燥 ることによ て、 の を形成した。 された電荷 には電荷 質ならびにポ ステ ( )によ り 成された ックス中にメチ フ ポ キサ によ 成されたドメ インが存在して るこ が確認 れた。

このよ にして、電荷 が表面 である電子 光体を作製した。

実施 同様に行 た。 果を表5に示す。

2中の (ポ ステ ) は、上記 ( )で示される繰り返し 構造 および上記 (2)で示される繰り返し構造 位を有するポ ステ を意味する。

2中の キサンの ( ) は、 (ボ ステ ) 中の キサ 位の 有量( )を意味する。

2中の B( 造の ) は、ポ ステ Cおよび カ ボ ネ ト の な も一方の 脂を意味する。

2中の キサ の B( ) は、電荷 の の 量に対する (ポ ステ ) 中の キサ 位の ( )を意味する。

3中の は、シ キサ 位を有する樹脂を意味する。

3中の キサ の ( ) は、 中のシ キサン 位の 有量( )を意味する。

3中の ( 造の ) は、 キサ 位を含有しな 構造の 脂を意味する。 3中の シ キサ の ( ) は、電荷 の の 量に対する 中の キサン 位の 有量( )を意味す る。

比較 の 較により、電荷 キサ 位を含有 するポ ステ に対する キサ 低 場合、十分な スト スの 果が得られてな 。このことは、 の および2， 0 ００ り返し使用 の 価にお てト ク 減の 果がな こ により さ れて る。

また、実施 比較 2 の 較により、電荷 キサ 位を 含有するポ ステ に対する キサン 高 場合、電荷 質 の 性が不十分となり、 キサ 位を含有するポ ステ 中に電荷 質の 発生するこ が見られて る。この 集によ り、電位 動を生じるこ が示唆されて る。

また、実施 比較 3 の 較により、電荷 キサ 位を 、十分な ス スの 果が得られて な 。このこ は、 の および2 ０００ り返し使用 の 価にお てト ク 減の 果が な こ により されて る。 上より、接触ス スの 和の 果が キ の さに依存するこ が示 れて る。

また、実施 と比較 4 の 較によ 、比較 3 同様に電荷 値が小 場合、十分な ス スの 果が得られて な 。また、 シ キサ 位を有するポ ステ キサン 位の り返し数の平 均値が小 場合、本 明のポ ステ は異なり ックスードメ イン 造を形成して な 。 上より、接触スト スの 和の および ト ックス ドメイ 造の 、 キサン の さに依存するこ が示され て る。

また、実施 比較 5 の 較により、 キサン 位とジカ ボン 位 を結合 せる ン 位の 置に関連し、特性差が生じて ること が示されて る。 5で示 れて る 位の ( ラ位 での )では、電荷 質 の 性が キサ 位がポ 鎖に対し、より直線的に配置されることにより、電荷 質 の 性が低 して る 推測される。このことは比較 5の キサン 位を有するポ ステ に電荷 質の が確認、されること ら れる。 方、実施 で示される結合 (オ ト位での )では、 キサン 位が ポ 鎖に対し、屈曲した配置であるため、よ 性が高 、特性が安定 して ると考えられる。

また、実施 と比較 6との 較により、比較 6で用 た キサ 位を 有するポ ステ では 明のポ ステ 同様に ックス ードメイン 造の 見られるが、電位 動が大き 結果 な て る。こ れは、ドメイ 部に電荷 質の が確認、されること ら、比較 5 同様の 由によると考えられる。

また、実施 比較 7との 較により、 キサン 位の 端のア キ 基の有無に関連し、特性差が生じて ることが示されて る。 7で用 同様に ックス ドメイ 造の 見られるが、電位 動が大き 結果 な て る。これは、比較 7で示されて る キサ 位と

位が直接結合した場合、 キサン 位の 質 の 性悪 が顕著に発現し、ドメイン 部に電荷 質の が確認されるこ に起因して る 考えられる。 方、本 明のポ ステ では、 キ サン 位の 端にア キ 基が設けられて る。 比較 7 の 性差は、この 造の によ 来し、 明のポ ステ の 造 では、 性悪化が発現し難 こ を示唆して る。 キサン 分がア キ 基を両端に有することにより、比較的自由に構造を変更しるこ ができる こ で、 性の 善がなされて ると考えられる。

また、実施 比較 8との 較により、 キサン 位が環 造を形成し て る場合は接触スト スの 果が得られに こ が示されて る。 ス スの 、 キサ 分が表面に存在することで発現するこ が一般的に知られて る。 キサン 位が直 状の 造では キサ 分のガラス が低 、 キサ 位の 造が変化しやす ことで、よ り 面に存在する キサ 位を多 するこ が可能 なる。し しながら、 キサ 位が環状 造では、 キサン ほどの 起こりに ため、上記の 性差が生じて る 考えられる。また、比較 8 の キサン 位を有するポ ステ では、 明のポ ステ

は異なり ックス ドメイ 造を形成して な 。 上よ 、接触スト スの 和の および ト ックスードメイ 造の 成には、 キサ 位 の 造にも 存することが示されて る。

また、実施 比較 9 較により、 キサン 位が分岐 造を形成 して る場合は、接触スト スの 果が得られるものの、電位 動を生じ るこ が示 れて る。 9で用 た キサン 位を有するポ ステ では 明のポ ステ 同様に ックス ドメイン 造の 見られるが、ドメイ 部に電荷 質の が確認されること により、電荷 質の 要因であると考えられる。

また、実施 比較 ０ の 較により、ジカ ボン 結合する 基の結 式の によ 、電位 定性および スト スの 果に 差異を生じるこ が示されて る。 動に関しては、比較 ０で用 た シ キサ 位を有するポ ステ では 明のポ ステ

同様に ト ックス ドメイン 造の 見られるが、ドメイ 部に電荷 質の が確認されるこ により、電荷 質の 要因である 考えられる。これらは、 ン基のオ ト位で結合するア キ ン メ チ ( ０) ア キ 酸素原子( ) の 造上の差 異により、ア キ ン メチ ン基では、その 体障害のために比較的 造が固定化されるごとが推測できる。その 果、電位 定性に反映される電 荷 質との 性の や、 キサ 鎖の自 動に伴 ス 果に違 が生じて る 考えられる。

また、実施 比較 の 較により、 ボ 酸 ら直接 キサン 位に結合した場合には、電位 動が大き 結果とな て る。 で 用 た キサ 位を有するポ ステ では 明のポ ステ 同様に ト ックスードメイン 造の 見られるが、ドメイン 内に電荷 質の が確認されることによ 、電荷 質の 要因である 考えられる。これは、比較 で用 た キサ 位を有 するポ ステ 電荷 質との 性悪化が顕著に発現に由来 すると考えられる。

また、実施 比較 2 の 較により、末端にのみ キサ 造を有す ポ ステ の 合には、その 造上、電荷 キサ 位を含有するポ ステ 対する キサ 電荷 の 対する キサ の 低 十分に接触スト スの

得られな こ が示されて る。また、 明のポ ステ とは異な り ト ックスードメイ 造を形成して な 。 上よ 、接触スト スの 和 の および ト ックスードメイ 造の 成には、 キサ 位のポ ステ の 置にも 存するこ が示されて る。

また、実施 と比較 3 の 較により、 キサ 造を有する カ ボネ キサン 位を含有しな ポ ステ 脂を混合して た場合、接触スト スの 果が持続しな こ が示されて る。これは、 キサン 造を有する カ ボネ の 行性が発現するこ に 来すると考えられる。

また、実施 比較 4との 較により、末端にシ キサン 造を有する カ ボネ の 合には、 ト ックスードメイン 造の 見られ、 接触ス スの 果が持続的に見られるものの、電位 動が大き 結果 な て る。 4で用 た キサ 位を有する カ ボネ 脂では、ドメイ 部に電荷 質の が確認 れることにより、電荷 質の 要因である 考えられる。 方、本 明の で は、電荷 送機能を担 質ならびにポ ステ Cおよび カ ボネ の な も一方の により ック が形成されるた め、電位 動の 制が可能 な て る 考えられる。

また、実施 と比較 5 の 較により、フ メチ キサ を含有さ せた電荷 の 合には、 ックスードメイ 造の 見られ、接 触ス スの 果が持続的に見られるものの、電位 動が大き 結果 な て る。フ メチ シ キサ の キサ 造を有する ンオイ 電位に悪影響を及ぼすこ が知られて て、これは、積層感 体における電荷 生層と電荷 の 面に オイ 料が移 行することにより発現すると思われる。 基の導入によ 近 の 行性は抑制されて るものの 分ではな ことによ 、電位 動を生じて ると考えられる。 方、本 明の キサ 造を有するポ ステ の 合には、 キサン 位のみならず、 ステ 造を有する樹脂であるため 面 の 行性は抑制され、 さらにドメイ を形成することによ 動の 制がな れて る 考えられる。

この 2 ０ ０8 7 8日に出願された日本国

2 ０ ０ 8 8 7 8０号からの 先権を主張するものであり、 そ の 容を引用してこの 願の 部とするものである。

Claims

求の

・ 、 上に設けられた電荷 生層ならびに 生層上に設けられた電荷 および 脂を含有する電荷 を有し 、 が表面 である電子 光体にお て、

、電荷 質 、下記 ( )で示される繰り返し構造 および (2)で示される繰り返し構造 位を有するポ ステ と、下記 (C)で示される繰 返し構造 位を有するポ ステ Cお よび ( )で示される構造 位を有する カ ボネ の な も一方の 、を含有し、

ポ ステ 中の キサ 位の 有量が、 ポ ステ の 量に対して ０ 。 上4０ 下であり、

、 質ならびに ボ ステ Cおよび ボ カ ボネ の な も一方の により 成された ック ト ックス中に ポ ステ により 成されたドメイン を有する ト ックス ドメイ 造を有する

こ を特徴 する電子 光体。

( ( ) 、Xは、 2価の有 を示す。 およびR2は、それぞれ 立に、置 換もし は 換のア キ または置換もし は 換のア 基を示 す。 Zは、炭素原子数が 4 下である 換もし は 換のア キ ン 基を示す。 は、 の 造の 返し数の平均値を示し、 2０ 5０ 下である。

( (2) 、R ～Ⅳ 、それぞれ 立に、水素原子、置換もし は 換の ア キ 、置換もし は 換のア または置換もし は 換 ア キ 基を示す。X2は、 2価の有 を示す。Yは、単結合、置換もし は 換のア キ 、置換もし は 換のア 、酸素原子または 子を示す。

( (C) 、R ～ は、それぞれ 立に、水素原子、置換もし は 換 のア キ 、置換もし は 換のア または置換もし は 換の ア キ 基を示す。X3は、 2価の有 を示す。 2は、単結合、置換もし は 換のア キ 、置換もし は 換のア 、酸素原子また は 子を示す。

( ( ) 、R ～R は、それぞれ 立に、水素原子、置換もし は のア キ 、置換もし は 換 ア または置換もし は 換の ア キ 基を示す。Y3は、単結合、置換もし は 換のア キ 、置 換もし は 換のア ン 、酸素原子または 子を示す。 )

2・ の キサン 位の 有量が、前記 の の 量に対して 。 2０ 下である に記載の 光体。

3・ ( )中の が、25 上8 下である または2に記 載の 光体。

4・ ドメインの数 径が OO 5００ 下である 3の ずれ に記載の 光体。

5・ の キサ 位の 有量が、前記 の の 量に対して2 上 ０ 下である 4の ずれ に記載の 光体。

6・ ( )中のXが、下記 (3 2)または(3 3)で示される 造であり、前記 (2)中のX 、下記 (3 2)または(3 3)で示され る構造である 5の ずれ に記載の 光体。

( (4) 、 ～ 。は、それぞれ 立に、置換もし は 換のア 基 を示す。 5～ 6は、それぞれ 立に、置換もし は 換のア ン基を 示す。 )

8・ ～7の ずれ に記載の 光体 、帯電 段、 現像 段、転写 およびク ング 段 らなる よ 選択される少な とも の 段 を一体に支持し、電子 体に着脱 在であるプ セスカ ッジ。

9・ 7の ずれ に記載の 光体、帯電 段、 露光 段、現像 および 段を有する電子 。