WO2008026649A1 - Élément à électroluminescence organique - Google Patents

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WO2008026649A1
WO2008026649A1 PCT/JP2007/066792 JP2007066792W WO2008026649A1 WO 2008026649 A1 WO2008026649 A1 WO 2008026649A1 JP 2007066792 W JP2007066792 W JP 2007066792W WO 2008026649 A1 WO2008026649 A1 WO 2008026649A1
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organic
array
auxiliary electrode
layer
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PCT/JP2007/066792
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Shin-Ya Tanaka
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Sumitomo Chemical Company, Limited
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    • H10K50/856—Arrangements for extracting light from the devices comprising reflective means

Definitions

  • the present invention relates to an organic electoluminescence element useful as a light-emitting element used in a planar light source, a segment display device, a dot matrix display device, a liquid crystal display device and the like.
  • organic fluorescent dyes are used as light emitting layers, and organic materials having a two-layer structure in which organic charge transport compounds used in electrophotographic photoreceptors are laminated.
  • organic EL elements electoric luminescence elements
  • Patent Document Japanese Patent Laid-Open No. 2004-14128
  • Patent Document 1 Japanese Unexamined Patent Application Publication No. 2004-14128
  • the present invention has been made in view of the above-described problems of the prior art, and can reduce the voltage drop due to the resistance of the transparent electrode or the translucent electrode, and can emit light uniformly, and can reflect external light.
  • An object is to provide an oral luminescence element.
  • the present inventor has made a first electrode composed of a transparent electrode or a semi-transparent electrode, a second electrode facing the first electrode, and the first electrode.
  • an organic electoluminescence device comprising an electrode and at least one organic layer provided between the second electrode, a specific order having no periodic regularity on the surface of the first electrode
  • the auxiliary electrode By forming the auxiliary electrode with the opening based on the arrangement, it is possible to reduce the voltage drop due to the resistance of the transparent electrode or the semi-transparent electrode and to emit light uniformly, and to add color when reflecting external light.
  • the inventors have found that generation of moire fringes due to interference can be sufficiently suppressed, and have completed the present invention.
  • the organic electoluminescence device of the present invention includes a first electrode made of a transparent electrode or a semitransparent electrode, a second electrode facing the first electrode, the first electrode, and the second electrode.
  • An organic-electric-luminescence element comprising at least one organic layer provided between
  • An auxiliary electrode that is electrically connected to the first electrode, has an electrical resistance value lower than that of the first electrode, and has a material force;
  • the auxiliary electrode is formed on the surface of the first electrode such that a region defined based on a lattice point defined by a quasi-periodic two-dimensional array is the opening. That is the ecstasy.
  • the auxiliary electrode has a Polonoi boundary by the Voronoi division so that the Polonoi region by the Polonoi division having the lattice point as a generating point is an opening. Formed on! /
  • the auxiliary electrode has the Delaunay one in which the region of the Delaunay triangle by the Delaunay triangulation with the lattice point as a generating point is an opening. It may be formed on one side of the Delaunay by triangulation.
  • the quasi-periodic two-dimensional array is arranged similar to or similar to the Fibonacci sequence, that is, an array using a Fibonacci array. I prefer to be there. Furthermore, in the organic electoluminescence device of the present invention, the quasi-periodic two-dimensional array is extracted from the Fibonacci array so that the average inter-lattice distance of the lattice points is in the range of 10 to 30 m. It is preferable that the unit arrays are arranged in such a manner that the unit arrays do not overlap each other! /.
  • the unit array may be an array extracted from the Fibonacci array so that the order in the Fibonacci sequence is 300 to 1000. preferable.
  • the auxiliary electrode is disposed on the surface of the first electrode opposite to the organic layer.
  • the first electrode is partitioned into a plurality of electrically separated cells, and each of the plurality of cells is electrically connected by the auxiliary electrode. Connected to! /, The power of being S preferred.
  • a planar light source of the present invention is characterized by including the organic electoluminescence device.
  • a segment display device of the present invention is characterized by including the organic-elect mouth luminescence element.
  • the dot matrix display device of the present invention is characterized by comprising the organic electoluminescence device.
  • a liquid crystal display device of the present invention includes the organic electoluminescence device.
  • the voltage drop due to the resistance of the transparent electrode or the semi-transparent electrode can be reduced, and the light can be emitted uniformly, and also due to coloring or interference during reflection of external light. Generation of moire fringes can be sufficiently suppressed.
  • an auxiliary electrode electrically connected to the first electrode is formed on the surface of the first electrode made of a transparent electrode or a semitransparent electrode. . Since the auxiliary electrode is made of a material having a low electric resistance value (high electric conductivity) compared to the first electrode, according to the present invention, the voltage drop due to the resistance of the first electrode Can be reduced.
  • the auxiliary electrode is usually made of a material that blocks light, such as a metal, The light emitted from the mechanical layer is blocked by the auxiliary electrode, and the light is extracted from the opening provided in the auxiliary electrode. Then, when the auxiliary electrode having the openings periodically formed on the surface of the first electrode is formed, as in the case where the auxiliary electrode is formed in a lattice shape, a stripe shape, or the like. Due to the periodic regularity, moire fringes due to coloring or interference during external light reflection occur.
  • the auxiliary electrode is formed such that an area defined based on a lattice point defined by a quasi-periodic two-dimensional array is an opening. There is no periodic regularity on the surface of the electrode! / Auxiliary electrodes with openings are formed on the basis of a specific ordered arrangement. Generation of moire fringes due to interference is sufficiently suppressed.
  • the openings are provided based on the specific order arrangement as described above, unlike the case where the openings are provided randomly, the openings are provided in the auxiliary electrode.
  • the unevenness of the light emission luminance due to the uneven density (aperture ratio) of the openings is also sufficiently suppressed. Therefore, according to the organic electoluminescence device of the present invention, uniform light emission is possible.
  • the first electrode is cut into a plurality of electrically separated cells, and the plurality of cells are electrically connected to each other by the auxiliary electrode.
  • the emission luminance can be improved. That is, by dividing the first electrode into a plurality of electrically separated cells, it is possible to suppress the light emitting component that is guided in the surface direction of the first electrode, and to improve the light emission luminance. .
  • the plurality of cells are electrically connected to each other by the auxiliary electrode, unevenness in light emission luminance among the plurality of cells is sufficiently suppressed.
  • the organic electoluminescence device of the present invention includes a first electrode composed of a transparent electrode or a translucent electrode, a second electrode facing the first electrode, and between the first electrode and the second electrode.
  • An organic electoluminescence device comprising at least one organic layer provided,
  • An auxiliary electrode that is electrically connected to the first electrode, has an electrical resistance value lower than that of the first electrode, and has a material force;
  • the auxiliary electrode is formed on the surface of the first electrode such that a region defined based on a lattice point defined by a quasi-periodic two-dimensional array is the opening. That's what you do.
  • the first electrode according to the present invention is an electrode composed of a transparent electrode or a semi-transparent electrode and serves as an anode of the organic electoluminescence device of the present invention.
  • a metal oxide, metal sulfide or metal thin film with high electrical conductivity can be used, and a high transmittance can be suitably used, and it can be appropriately selected depending on the organic layer to be used.
  • the power S can be used.
  • the material for the first electrode include indium oxide, zinc oxide, tin oxide, and conductive glass composed of indium 'tin' oxide (ITO), indium 'zinc oxide, etc., which are composites thereof. (NESA, etc.), gold, platinum, silver and copper are used. Of these, ITO, indium / zinc / oxide, and tin oxide are preferable.
  • the film thickness of the first electrode is a force that can be appropriately selected in consideration of light transmission and electrical conductivity, for example, 101 111 to 10 111, preferably 201 111 to 1 111. More preferably, it is 50 nm to 500 nm.
  • the interval between adjacent cells is;! -50 m, preferably 5 ⁇ 30 111. If the distance between adjacent cells is less than the lower limit, the light guided in the surface direction of the first electrode tends not to be sufficiently suppressed. On the other hand, if the upper limit is exceeded, the actual light emitting area is reduced. Since it becomes smaller, the luminous efficiency tends to decrease.
  • the shape of the plurality of cells thus electrically separated is not particularly limited. Examples thereof include a rectangular shape such as a stripe shape, a triangular shape, and a quadrangular shape.
  • the shape of the plurality of cells is preferably a shape similar to the shape of the opening of the auxiliary electrode described later, from the viewpoint of ensuring electrical connection between adjacent cells.
  • a first electrode was formed in producing the organic electoluminescence device of the present invention.
  • the material to be formed later (for example, auxiliary electrode, organic layer) is filled between adjacent cells.
  • Examples of the method for forming the first electrode as described above include a vacuum deposition method, a sputtering method, an ion plating method, and a plating method.
  • Examples of a method of partitioning such a first electrode into a plurality of electrically separated cells include a method of forming a pattern by an etching method using a photoresist after forming the first electrode.
  • a transparent conductive film made of an organic material such as polyaniline or a derivative thereof, polythiophene, or a derivative thereof may be used.
  • a conductive polymer such as a phthalocyanine derivative or a polythiophene derivative, Mo oxide, amorphous carbon is formed on the surface of the first electrode on the organic layer side.
  • a 1 to 200 nm layer of carbon fluoride, polyamine compound or the like, or a layer having an average film thickness of 10 nm or less made of metal oxide, metal fluoride, organic insulating material, or the like may be provided.
  • an auxiliary electrode electrically connected to the first electrode and provided with an opening.
  • Such an auxiliary electrode is formed on the surface of the first electrode so that a region defined based on a lattice point defined by a quasi-periodic two-dimensional array is the opening. It is necessary.
  • by providing such an auxiliary electrode it is possible to reduce the voltage drop due to the resistance of the transparent electrode or the semi-transparent electrode and to emit light uniformly, and further, coloring and interference when reflecting external light. It is possible to sufficiently suppress the occurrence of moire fringes.
  • the quasi-periodic two-dimensional array according to the present invention refers to an ordered array of a type different from the periodic array, and includes, for example, a Fibonacci array.
  • Fibonacci arrays are arrays that are similar or similar to the Fibonacci sequence, such as sunflower seeds and pinecone arrays, which are roughly spirals as shown in Fig. 1. This refers to an array that exhibits a shape.
  • the grid points defined by the Fibonacci array include those obtained by removing some of the grid points from the Fibonacci sequence.
  • Fibonacci array is an integer n
  • the quasi-periodic two-dimensional array according to the present invention has an average inter-lattice distance of 10 to 30 m, preferably 10 to 20 111). It is preferable that the unit array is extracted from the Fibonacci array so as to be in the range, and the unit arrays are arranged so as not to overlap each other.
  • an opening of the auxiliary electrode in a region defined based on the lattice point defined by such a quasi-periodic two-dimensional array an increase in the wiring resistance between the auxiliary electrodes is suppressed, and the auxiliary electrode is formed. The periodic regularity of the provided opening can be eliminated.
  • the interstitial distance between adjacent lattice points among the lattice points defined by the Fibonacci arrangement is in the range of 5 to ⁇ ⁇ ⁇ .
  • the shape of the unit array extracted from the Fibonacci array is not particularly limited, but from the viewpoint of laying out the unit arrays so as not to overlap each other, a polygonal shape is used. Triangles, squares, rectangles, regular hexagons, etc. are preferred (see FIGS. 2 to 4).
  • A represents the region of order 300 or less in the Fibonacci sequence
  • B represents the region of order 1000 or less in the Fibonacci sequence.
  • such a unit array has an order of 300 to 1000 in the Fibonacci sequence.
  • Fibonacci preferably, it is a sequence extracted from the Fibonacci sequence so as to be in the range of 500 to 800.
  • the order in the Fibonacci sequence is in the above range, it is possible to suppress the dispersion of the distance between the lattice points defined by one unit array, and the variation in the wiring resistance between the auxiliary electrodes can be suppressed.
  • unevenness in light emission luminance due to deviation in the density (aperture ratio) of the openings can be more reliably suppressed.
  • such a unit array is extracted from the Fibonacci array so that the number of lattice points defined by one unit array is in the range of 50 to 200 (more preferably, 50 to; 100).
  • the sequence is Furthermore, in the present invention, from the viewpoint of more reliably eliminating the periodic regularity of the openings provided in the auxiliary electrode, a plurality of different unit arrays extracted from different locations in the Fibonacci array are provided. It's better to lay out so that they overlap each other!
  • the auxiliary electrode according to the present invention is formed such that an area defined based on a lattice point defined by the quasi-periodic two-dimensional array as described above is an opening. Such a region is determined by a force S determined by Polonoy division, Delaunay triangulation, etc. with the lattice point as a generating point.
  • Polonoi division is V, a region (polonoi region) that is formed by connecting a vertical bisector between any adjacent generating points to a plane on which several points (generating points) are arranged. It means dividing.
  • the boundary line of the Polonoi region is called the Polonoi boundary.
  • the auxiliary electrode according to the present invention is based on the Polonoi division so that the Polonoy region by the Polonoi division having the lattice point as a generating point becomes an opening. Formed on (along) the Poronoi boundary.
  • Delaunay triangulation is a triangular region formed by connecting a line (Drone's side) connecting the base points of adjacent Voronoi regions to a plane on which several points (base points) are arranged. This is to divide into (Droney triangle area). Due to such Delaunay triangulation, In the case of defining an area, the auxiliary electrode according to the present invention is based on the Delaunay triangulation so that the Delaunay triangulation area by the Delaunay triangulation with the lattice point as a generating point becomes an opening. Formed on (along) one side of the Delaunay.
  • the line width of such an auxiliary electrode is preferably in the range of 1 to 200 Hm, and more preferably in the range of 10 to 100 m, from the viewpoint of light utilization efficiency.
  • the material of such an auxiliary electrode wherein if the electrical conductivity is higher than the material of the first electrode (if the electrical resistance is lower) is not particularly limited, usually 10 7 S / cm or more electrical A conductive material having conductivity is used, and metal materials such as aluminum, silver, chromium, gold, copper, and tantalum are preferably used. Among these, aluminum, chromium, copper, and silver are more preferable from the viewpoints of high electrical conductivity and ease of material handling.
  • the ratio of the area covered by the auxiliary electrode to the light emitting area of the element is 20 to 20 A range of 90% is preferred. A range of 30-80% is more preferred.
  • the thickness of such an auxiliary electrode is a force that can be appropriately selected so that the sheet resistance becomes a desired value, for example, 10 to 500 nm, preferably 20 to 300 nm, and more preferably 50-150.
  • auxiliary electrode is arranged on the surface of the first electrode on the surface of the organic layer side! /, May! /, But the first electrode and the auxiliary electrode From the standpoint of ensuring the electrical connection of! /, It is preferable to be disposed on the surface opposite to the organic layer.
  • a method of forming the auxiliary electrode as described above for example, after forming a film of the material of the auxiliary electrode by a vacuum deposition method, a scoring method, or a laminating method in which a metal thin film is thermocompression bonded, A method of forming a pattern by an etching method using a photoresist is mentioned.
  • the 2nd electrode concerning this invention is an electrode arrange
  • a material for such a second electrode a material having a low work function is preferable.
  • One or more alloys; or one or more of them and one or more of gold, silver, platinum, copper, mangan, titanium, cobalt, nickel, tungsten, tin; a graph item or a graph Aito intercalation compounds are used.
  • these alloys include magnesium-silver alloy, magnesium-indium alloy, magnesium-aluminum alloy, indium-mug alloy, lithium-aluminum alloy, lithium-magnesium alloy, lithium-indium alloy, and calcium-aluminum alloy.
  • the film thickness of such a second electrode can be appropriately selected in consideration of electric conductivity and durability.
  • lOnm ⁇ ; lO ⁇ m preferably 20nm ⁇ lm. More preferably, it is 50 nm to 500 nm.
  • Examples of the method for forming the second electrode as described above include a vacuum deposition method, a sputtering method, and a laminating method in which a metal thin film is thermocompression bonded.
  • a second electrode may have a laminated structure of two or more layers.
  • a layer made of a conductive polymer or a layer made of a metal oxide, a metal fluoride, an organic insulating material or the like with an average film thickness of lOnm or less may be provided between the second electrode and the organic layer.
  • the organic layer according to the present invention is a layer provided between the first electrode and the second electrode.
  • Such an organic layer is usually a layer containing at least one luminescent material, but may be composed of a plurality of layers.
  • the operation of an organic electoluminescence device essentially consists of the process of injecting electrons and holes from the electrode, the process of electrons and holes moving through the organic layer, and the recombination of electrons and holes into a singlet. It consists of a process of generating excitons or triplet excitons and a process of emitting the excitons.
  • the organic layer is composed of multiple layers, the functions required in each process are And can be optimized independently for each material.
  • examples of the light emission color of such an organic layer include intermediate color and white light emission.
  • Full color The element preferably emits three primary colors, and the planar light source emits white or intermediate colors.
  • a polymer light emitting material (ii) which is composed only of the low molecular light emitting material (i) can be used as the light emitting material used in such an organic layer.
  • the other materials used in the organic layer are different. Therefore, the case of using the low molecular weight light emitting material ⁇ and the case of using the polymer light emitting material ( ⁇ ) are described below. Each will be explained separately.
  • the organic layer material in the case of using low-molecular-weight luminescent materials is “Organic EL Display” (Co-authored by Shizuo Tokito, Chinamiya Adachi, Hideyuki Murata, Ohm Co., Ltd., 2004, first edition, first edition) Fluorescent and phosphorescent materials, hole transport materials, electron block materials, hole block materials, and electron transport materials described on pages 48, 83 to 99, 10;! To 120 are listed. Specifically, as hole transport materials, JP-A-63-70257, JP-A-63-175860, JP-A-2-135359, JP-A-2-135361, JP-A-2-209988. 2-315991, 3-37992, 3-152184, 11-35687, 11-217392, and JP 2000-80167! / Are exemplified.
  • examples of the low molecular weight light emitting material include Ir (ppy), Btp Ir (acac) having iridium as a central metal, PtOEP having euro as a central metal, and europium.
  • the thickness of the layer containing the material of these organic layers is generally a force of 5 to 200 nm that is appropriately selected so that the light emission efficiency and the driving voltage have desired values.
  • the thickness of the hole transport layer is, for example, 10 to 100 nm, preferably 20 to 80 nm.
  • Light emitting layer thickness Is for example, 10 to 100 nm, preferably 20 to 80 nm.
  • the thickness of the hole blocking layer is, for example, 5 to 50 nm, preferably 10 to 30 nm.
  • the thickness of the electron injection layer is, for example, 10 to;! OOnm, preferably 20 to 80 nm.
  • a material in which these layers are soluble can form a emulsion.
  • a method of forming a film by a coating method or a printing method described later can be mentioned.
  • an organic electroluminescence device can be constructed with a structure in which the charge injection layer and the charge transport layer are laminated.
  • a layer containing a conductive polymer or provided between the first electrode and the hole transport layer, the material of the first electrode and the hole transport layer are provided.
  • a layer including a material having an ionization potential of an intermediate value with respect to the included hole transporting material, provided between the second electrode and the electron transport layer, and included in the material of the second electrode and the electron transport layer examples include a layer containing a material having an electron affinity that is intermediate to that of the electron transporting material.
  • a charge injection layer is a layer containing a conductive polymer
  • the layer containing the conductive polymer is between at least one electrode (first electrode, second electrode) and the light emitting layer. Next to the electrode.
  • Such a conductive polymer in order to reduce the leakage current between the preferred instrument emitting pixels that 10-7 is a S / cm or more and is 10 3 S / cm or less, 10 - it is particularly preferred 3 ⁇ 4 / possible cm or more at and and equal to or less than 10 2 S / cm is at more preferred instrument 10_ 5 S / cm or more and is less lC ⁇ S / cm.
  • such a conductive polymer is doped with an appropriate amount of ions so that the electric conductivity of such a conductive polymer is 10_ / cm or more and 10 3 S / cm or less.
  • anion is used for the hole injection layer
  • force thione is used for the electron injection layer.
  • anions include polystyrene sulfonate ions, alkylbenzene sulfonate ions, camphor sulfonate ions, etc.
  • cations include lithium ions, sodium ions, potassium ions, tetraptyl ammonium ions. Etc.
  • the material used for the charge injection layer may be appropriately selected in relation to the material of the electrode and the adjacent layer, but polyaniline and its derivatives, polythiophene and its derivatives, polypirine. Rolls and derivatives thereof, polyphenylene vinylene and derivatives thereof, polyphenylene vinylene and derivatives thereof, polyquinoline and derivatives thereof, polyquinoxaline and derivatives thereof, polymers having an aromatic amine structure in the main chain or side chain, etc. Molecule; metal phthalocyanine (copper phthalocyanine and the like); carbon and the like.
  • an insulating layer having a thickness of 10 nm or less may be provided adjacent to the first electrode and / or the second electrode.
  • an insulating layer material include metal fluorides, metal oxides, organic insulating materials, and the like, and metal fluorides and metal oxides such as alkali metals and alkali earth metals are preferable.
  • the electron transporting polymer material contained in the organic layer near the second electrode is not particularly limited as long as it is a polymer material in which electrons are injected and transported from the electrode. And ⁇ conjugated polymer and the force of using a polymer material containing an electron transporting group in the polymer as appropriate.
  • a low molecular electron transporting material can be used in combination.
  • these hole transporting materials and electron transporting materials in addition to charge transport, those having a light emitting mechanism can also be used suitably.
  • these layers are doped with the light emitting material. It can also be used.
  • the thickness of the layer containing the material of the organic layer as described above has an optimum value depending on the material to be used, but can be appropriately selected so that the driving voltage and the light emission efficiency become appropriate values.
  • the thickness of the light emitting layer is, for example, 5 to 300 nm, preferably 30 to 200 nm, more preferably 40 to 150 nm.
  • the thickness of the charge injection layer is, for example, 1 nm to 100 ⁇ m, preferably 2 nm to Onm.
  • the thickness of the electron transporting layer is, for example, 1 nm to l in, preferably 2 nm to 500 nm, more preferably 5 nm to 200 nm.
  • a method of forming a layer containing a polymer material (light emitting layer, charge transport layer, charge injection layer) among the materials of the organic layer described so far for example, coating from a solution is possible.
  • a method of forming a film by a printing method or a printing method Such a method can also be employed as a method of forming a layer (light emitting layer, charge transport layer, charge injection layer) that does not contain the polymer material.
  • the solution is applied and then dried. The same technique can be applied by simply removing the solvent and mixing the charge transport material and the light emitting material, which is very advantageous in production.
  • coating and printing methods include spin coating, casting, micro gravure coating, gravure coating, bar coating, roll coating, wire bar coating, dip coating, spray coating, and screen.
  • coating methods such as a printing method, a flexographic printing method, an offset printing method, a chiral coating method, a nozzle coating method, and an inkjet printing method.
  • the charge injection material can be formed into a film in the same manner as a solution by dispersing it in water or alcohol in the form of emulsion.
  • the solvent used for the material of the organic layer is not particularly limited, but a solvent capable of dissolving or uniformly dispersing the polymer material is preferable.
  • a solvent capable of dissolving or uniformly dispersing the polymer material is preferable.
  • examples of such a solvent include chlorine solvents such as chloroform, methylene chloride, and dichloroethane; ether solvents such as tetrahydrofuran and the like; toluene , Xylene, tetralin, anisole, n-hexylbenzene, cyclohexylbenzene and other aromatic hydrocarbon solvents; decalin, bicyclohexyl and other aliphatic hydrocarbon solvents; acetone, methyl ethyl ketone, 2- Examples include ketone solvents such as heptanone; ester solvents such as ethyl acetate, butyl acetate, ethyl cellosolve a
  • insolubilize the first formed layer in order to prevent mixing of the upper and lower layers.
  • a method for insolubilization in this way, a soluble precursor or a polymer having a soluble group is used, and the precursor is converted into a synergistic polymer by heat treatment or dissolved by decomposing the soluble group.
  • a method of insolubilizing by lowering the property, a method of using a hole transporting polymer having a crosslinking group in the molecule, a method of mixing a monomer or a macromer that causes a crosslinking reaction by heat, light, electron beam, etc. are listed.
  • Examples of such a cross-linking group include polymers having a bur group, a (meth) acrylate group, an oxetane group, a cyclobutadiene group, a gen group and the like in the side chain.
  • the introduction rate of these groups is
  • the monomer or macromer that causes a crosslinking reaction is a compound having a weight average molecular weight of 2000 or less in terms of polystyrene, such as a bur group, a (meth) acrylate group, an oxetane group, a cyclobutadiene group, and a gen group. Those having two or more groups are exemplified. Furthermore, compounds that can undergo a cross-linking reaction between molecules such as acid anhydride groups and cinnamic acid are also exemplified. As examples of these, those described in “Current Status and Prospects of UV'EB Curing Technology” (supervised by Kunihiro Kashimura, CMC Publishing 2002, 1st edition, 1st edition, 2nd chapter) are preferably used. it can.
  • the monomer before polymerization is distilled, sublimated and purified
  • Polymerization is preferably performed after purification by a column chromatography method such as recrystallization.
  • acid washing, alkali washing, neutralization, water washing, organic solvent washing, reprecipitation, centrifugation, extraction, column chromatography, dialysis, and other conventional separation operations, purification operations, drying, and other operations It is preferable to carry out a purification treatment by the above.
  • the organic electoluminescence device of the present invention can be usually produced by forming the above-described first electrode, second electrode, auxiliary electrode, and organic layer on a support substrate.
  • a supporting substrate a substrate made of glass, plastic, polymer film, silicon or the like may be used as long as it does not change when the organic electroluminescence device is produced.
  • the element structure of the organic electoluminescence element of the present invention is not particularly limited, and may be a top emission type or a bottom emission type. Further, the order in which the first electrode and the like are formed on the support substrate can be appropriately selected according to such an element structure.
  • a protective layer may be provided as necessary.
  • the material for such a protective layer include glass, plastic, polymer film, silicon, and photocurable resins such as acrylic resins. These protective layer materials can be used alone or in combination of two or more. When light from the organic layer is extracted from such a protective layer side, the protective layer material is used. It is preferable to use a transparent material.
  • the organic-electric-luminescence device of the present invention as described above is a curved or flat surface light source for a backlight or illumination of a liquid crystal display; a segment display device used for interiors or advertisements, dots It can be suitably used as a light emitting element used in a matrix display device, a liquid crystal display device or the like, and can be particularly suitably used as a curved or flat surface light source for illumination.
  • the obtained reaction solution was cooled, and then a mixed solution of 25% by mass ammonia water 200m 1 / methanol 900ml / ion-exchanged water 900ml was poured into the solution and stirred for about 1 hour. Thereafter, the produced precipitate was collected by filtration, and this precipitate was dried under reduced pressure and then dissolved in toluene.
  • the obtained toluene solution was filtered to remove insoluble matters, and the toluene solution was purified by passing through a column filled with alumina.
  • the purified toluene solution was washed with a 1N aqueous hydrochloric acid solution, allowed to stand and liquid-separated, and then the toluene solution was recovered. Then, this toluene solution was washed with about 3% by mass ammonia water, allowed to stand and liquid-separated, and then the toluene solution was recovered. Thereafter, this toluene solution was washed with ion-exchanged water, allowed to stand and separated, and the washed toluene solution was recovered.
  • the washed toluene solution was poured into methanol to form a precipitate.
  • the precipitate was washed with methanol and then dried under reduced pressure to obtain polymer compound 2.
  • the obtained polymer compound 2 had a polystyrene equivalent weight average molecular weight of 8.2 ⁇ 10 5 and a polystyrene equivalent number average molecular weight of 1.0 ⁇ 10 5 .
  • a photomask for forming the auxiliary electrode was produced as follows. That is, first, extract multiple unit arrays from the Fibonacci layout IJ (nearest interstitial distance: ⁇ ⁇ ) such that the average interstitial distance is 14! 11 and the order in the Fibonacci sequence is 500 to 800. did. Next, grid points were defined from an array that was laid out so that these unit arrays did not overlap each other, and Polonoi partitioning was performed using such grid points as mother points.
  • a glass substrate (200 mm ⁇ 200 mm) was used as the support substrate, Cr was deposited on the support substrate by Cr sputtering at 120 ° C. using Cr target and Ar as the sputtering gas.
  • the film forming pressure at this time was 0.5 Pa, and the sputtering power was 2. OkW.
  • beta for 90 seconds at 110 ° C then manufacturing Through the resulting photomask example, exposed at an energy of 200 mJ, after development with water oxidation of an aqueous solution of potassium 0.5 mass 0/0, and post beta 110 seconds at 130 ° C.
  • immerse in Cr etching solution at 40 ° C for 120 seconds perform Cr patterning
  • immerse in 2% by weight aqueous potassium hydroxide solution was formed.
  • a first electrode was formed on the substrate on which the auxiliary electrode was formed.
  • ITO having a film thickness of 3000 nm was deposited by a DC sputtering method at 120 ° C. using an ITO firing target as the first electrode material and Ar as the sputtering gas.
  • the film forming pressure was 0.25 Pa
  • the sputtering power was 0.25 kW.
  • annealing was performed in an oven at 200 ° C for 40 minutes.
  • the substrate on which the first electrode is formed is ultrasonically cleaned using a weak alkaline detergent at 60 ° C, cold water, and hot water at 50 ° C, pulled up from the hot water at 50 ° C and dried, and then UV-treated for 20 minutes. / O cleaning was performed.
  • the polymer compound 1 and the polymer compound 2 obtained in Synthesis Examples 1 and 2 were dissolved in toluene to prepare a 1% by mass polymer solution, and the hole injection layer was formed from the prepared solution.
  • a light-emitting layer was formed by spin-coating onto a substrate having a thickness of 80 nm and heat-treating on a hot plate in a nitrogen atmosphere at 130 ° C. for 60 minutes. Thereafter, LiF, Ca, and A1 were sequentially deposited to a thickness of 2 nm, 5 nm, and 200 nm by vacuum deposition on the substrate on which the light emitting layer was formed, thereby forming a second electrode. Degree of vacuum metal vapor deposition was initiated after reaching below 1 X 10- 4 Pa.
  • the surface of the second electrode on the substrate on which the second electrode is formed is covered with a glass plate in an inert gas, and then the four sides of the substrate are covered with a photocurable resin, and then the photocurable resin is cured.
  • a protective layer was formed, and an organic EL light emitting device was produced.
  • Fig. 5 shows the organic EL light-emitting device thus obtained. That is, the organic EL device shown in FIG. 5 includes a support substrate 1, an auxiliary electrode 2, a first electrode 3, a charge injection layer 4, a light emitting layer 5, a second electrode. A pole 6 and a protective layer 7 are provided. An organic layer 11 composed of the charge injection layer 4 and the light emitting layer 5 is sandwiched between the first electrode 3 and the second electrode 6. An auxiliary electrode 2 is formed on the surface of the first electrode 3 opposite to the organic layer 11.
  • the organic electroluminescent device of the present invention When the voltage of 8 V was applied to the entire organic EL light-emitting device obtained in the example, the appearance of the light-emitting surface was visually observed, and the light-emitting surface had no uneven emission luminance and was colored when reflecting external light. No phenomenon or moire fringes occurred. Therefore, in the organic electroluminescent device of the present invention, the voltage drop due to the resistance of the transparent electrode or the semi-transparent electrode can be reduced, and the light can be emitted uniformly. It was confirmed that occurrence of the fringe pattern can be sufficiently suppressed.
  • the present invention it is possible to reduce the voltage drop due to the resistance of the transparent electrode or the translucent electrode, and to emit light uniformly, and to add moire due to coloring or interference when reflecting external light.
  • the ability to provide organic-electrical luminescence elements with sufficiently reduced streaking is possible.
  • the organic electoluminescence device of the present invention is useful as a light-emitting element used in a planar light source, a segment display device, a dot matrix display device, a liquid crystal display device, and the like.
  • FIG. 1 is a plan view showing a Fibonacci arrangement.
  • FIG. 2 is a schematic plan view showing one embodiment of a unit array extracted from a Fibonacci array.
  • FIG. 3 is a schematic plan view showing another embodiment of the unit array extracted from the Fibonacci array.
  • FIG. 4 is a schematic plan view showing another embodiment of the unit array extracted from the Fibonacci array.
  • FIG. 5 is a schematic cross-sectional view showing the laminated structure of the organic electoluminescence device obtained in the example. Explanation of symbols

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Description

明 細 書
有機エレクト口ルミネッセンス素子
技術分野
[0001] 本発明は、面状光源、セグメント表示装置、ドットマトリックス表示装置、液晶表示装 置等に用いられる発光素子として有用な有機エレクト口ルミネッセンス素子に関する。 背景技術
[0002] 近年、表示装置や照明装置において、有機蛍光色素を発光層とし、これと電子写 真の感光体等に用いられている有機電荷輸送化合物とを積層した二層構造を有す る有機エレクト口ルミネッセンス素子（以下、有機 EL素子ということがある。）を用いる ことが検討されている。
[0003] しかしながら、これら有機 EL素子等を用いた表示装置や照明装置においては、そ の発光面積が大きくなるにつれて、透明電極又は半透明電極の配線抵抗による電 圧低下が無視できなくなり、発光輝度のムラが大きくなつてしまうという問題点がある。
[0004] このような問題を解決するために、例えば、特開 2004— 14128号公報（特許文献
1)には、有機 EL素子を用いた面状発光装置において、前記有機 EL素子の透明電 極に、前記透明電極より低抵抗な補助電極を電気的に接続した面状発光装置が開 示され、その明細書中において、前記補助電極が格子状に形成された面状発光装 置が記載されている。
[0005] しかしながら、特許文献 1に記載されているような有機 EL素子を用いた場合は、外 光反射時に色付きや干渉によるモアレ縞が発生し、視認性が悪化するという問題が あった。
特許文献 1 :特開 2004— 14128号公報
発明の開示
発明が解決しょうとする課題
[0006] 本発明は、上記従来技術の有する課題に鑑みてなされたものであり、透明電極又 は半透明電極の抵抗による電圧低下を軽減して均一に発光させることができ、しかも 外光反射時の色付きや干渉によるモアレ縞の発生が十分に抑制された有機エレクト 口ルミネッセンス素子を提供することを目的とする。
課題を解決するための手段
[0007] 本発明者は、上記目的を達成すべく鋭意研究を重ねた結果、透明電極又は半透 明電極からなる第一電極と、該第一電極に対向する第二電極と、該第一電極及び該 第二電極の間に設けられた少なくとも 1層の有機層とを備える有機エレクト口ルミネッ センス素子において、該第一電極の表面上に周期的な規則性を有さない特定の秩 序配列に基づいて開口部が設けられた補助電極を形成することにより、透明電極又 は半透明電極の抵抗による電圧低下を軽減して均一に発光させることができ、しかも 外光反射時の色付きや干渉によるモアレ縞の発生を十分に抑制できることを見出し、 本発明を完成するに至った。
[0008] すなわち、本発明の有機エレクト口ルミネッセンス素子は、透明電極又は半透明電 極からなる第一電極と、該第一電極に対向する第二電極と、該第一電極及び該第二 電極の間に設けられた少なくとも 1層の有機層とを備える有機エレクト口ルミネッセン ス素子であって、
該第一電極に電気的に接続され、該第一電極と比較して電気抵抗値の低!/、材料 力 なる、開口部が設けられた補助電極を備え、
該補助電極が、準周期的な 2次元配列により規定される格子点に基づいて定めら れる領域が前記開口部となるように、該第一電極の表面上に形成されていることを特 ί毁とするあのである。
[0009] また、本発明の有機エレクト口ルミネッセンス素子においては、前記補助電極が、前 記格子点を母点とするポロノィ分割によるポロノィ領域が開口部となるように、前記ボ ロノィ分割によるポロノィ境界上に形成されて!/、てもよレ、。
[0010] さらに、本発明の有機エレクト口ルミネッセンス素子においては、前記補助電極が、 前記格子点を母点とするドロネ一三角形分割によるドロネ一三角形の領域が開口部 となるように、前記ドロネ一三角形分割によるドロネ一辺上に形成されてもよい。
[0011] また、本発明の有機エレクト口ルミネッセンス素子においては、前記準周期的な 2次 元配列が、フィボナッチ数列に相似又は類似して配列されていること、即ちフイボナツ チ配列を用いた配列であることが好ましレ、。 [0012] さらに、本発明の有機エレクト口ルミネッセンス素子においては、前記準周期的な 2 次元配列が、前記格子点の平均格子間距離が 10〜30 mの範囲となるように前記 フィボナッチ配列から抽出された単位配列を有し、且つ該単位配列がそれぞれ重な り合わな!/、ように敷き詰められた配列であることが好ましレ、。
[0013] また、本発明の有機エレクト口ルミネッセンス素子においては、前記単位配列が、前 記フィボナッチ数列における次数が 300〜； 1000の範囲となるように前記フィボナッチ 配列から抽出された配列であることが好ましい。
[0014] さらに、本発明の有機エレクト口ルミネッセンス素子においては、前記補助電極が、 前記第一電極の表面のうち、前記有機層と反対側の表面上に配置されていることが 好ましい。
[0015] また、本発明の有機エレクト口ルミネッセンス素子においては、前記第一電極が電 気的に分離された複数のセルに仕切られており、該複数のセルがそれぞれ前記補 助電極によって電気的に接続されて!/、ること力 S好ましレ、。
[0016] 本発明の面状光源は、前記有機エレクト口ルミネッセンス素子を備えることを特徴と するものである。また、本発明のセグメント表示装置は、前記有機エレクト口ルミネッセ ンス素子を備えることを特徴とするものである。さらに、本発明のドットマトリックス表示 装置は、前記有機エレクト口ルミネッセンス素子を備えることを特徴とするものである。 また、本発明の液晶表示装置は、前記有機エレクト口ルミネッセンス素子を備えること を特徴とするものである。
[0017] なお、本発明の有機エレクト口ルミネッセンス素子によれば、透明電極又は半透明 電極の抵抗による電圧低下を軽減して均一に発光させることができ、しかも外光反射 時の色付きや干渉によるモアレ縞の発生を十分に抑制することが可能となる。すなわ ち、本発明の有機エレクト口ルミネッセンス素子においては、透明電極又は半透明電 極からなる第一電極の表面上に、前記第一電極に電気的に接続された補助電極が 形成されている。そして、前記補助電極は、前記第一電極と比較して電気抵抗値の 低い（電気伝導度の高い)材料からなるものであるので、本発明によれば、前記第一 電極の抵抗による電圧低下を軽減することが可能となる。
[0018] また、前記補助電極として通常は金属等の光を遮断する材料を用いることから、有 機層から発せられた光が前記補助電極によって遮断され、前記補助電極に設けられ た開口部からその光が取り出されることとなる。そして、前記補助電極が格子状、スト ライプ状等に形成されている場合のように、前記第一電極の表面上に周期的に開口 部が設けられた補助電極が形成されている場合には、その周期的な規則性に起因し て外光反射時の色付きや干渉によるモアレ縞が発生する。これに対し、本発明にお いては、前記補助電極が、準周期的な 2次元配列により規定される格子点に基づい て定められる領域が開口部となるように形成されており、前記第一電極の表面上に周 期的な規則性を有さな!/、特定の秩序配列に基づレ、て開口部が設けられた補助電極 が形成されているため、外光反射時の色付きや干渉によるモアレ縞の発生が十分に 抑制される。
[0019] また、本発明においては、このように特定の秩序配列に基づいて開口部が設けられ ているため、無秩序に開口部が設けられている場合と異なり、前記補助電極に設けら れた開口部の密度（開口率）の偏りによる発光輝度のムラも十分に抑制される。その ため、本発明の有機エレクト口ルミネッセンス素子によれば、均一な発光が可能となる
[0020] さらに、本発明においては、前記第一電極を電気的に分離された複数のセルに仕 切り、該複数のセルをそれぞれ前記補助電極で電気的に接続をとるような構造とする ことにより、発光輝度の向上を図ることができる。すなわち、前記第一電極を電気的に 分離された複数のセルに仕切ることにより、前記第一電極の面方向に導波する発光 成分を抑制することが可能となり、発光輝度の向上が可能となる。また、前記複数の セルはそれぞれ前記補助電極で電気的に接続されて!/、るため、前記複数のセル間 での発光輝度のムラも十分に抑制される。
発明の効果
[0021] 本発明によれば、透明電極又は半透明電極の抵抗による電圧低下を軽減して均 一に発光させることができ、し力、も外光反射時の色付きや干渉によるモアレ縞の発生 が十分に抑制された有機エレクト口ルミネッセンス素子を提供することが可能となる。 発明を実施するための最良の形態
[0022] 以下、本発明の有機エレクト口ルミネッセンス素子をその好適な実施形態に即して 詳細に説明する。
[0023] 本発明の有機エレクト口ルミネッセンス素子は、透明電極又は半透明電極からなる 第一電極と、該第一電極に対向する第二電極と、該第一電極及び該第二電極の間 に設けられた少なくとも 1層の有機層とを備える有機エレクト口ルミネッセンス素子であ つて、
該第一電極に電気的に接続され、該第一電極と比較して電気抵抗値の低!/、材料 力 なる、開口部が設けられた補助電極を備え、
該補助電極が、準周期的な 2次元配列により規定される格子点に基づいて定めら れる領域が該開口部となるように、該第一電極の表面上に形成されていることを特徴 とするあのである。
[0024] (第一電極）
本発明に力、かる第一電極は、透明電極又は半透明電極からなる電極であって、本 発明の有機エレクト口ルミネッセンス素子の陽極となるものである。このような第一電 極としては、電気伝導度の高い金属酸化物、金属硫化物や金属の薄膜を用いること ができ、透過率が高いものが好適に利用でき、用いる有機層により適宜選択して用 いること力 Sできる。このような第一電極の材料としては、例えば、酸化インジウム、酸化 亜鉛、酸化スズ、及びそれらの複合体であるインジウム'スズ 'オキサイド（ITO)、イン ジゥム '亜鉛 ·オキサイド等からなる導電性ガラス（NESA等）、金、白金、銀、銅が用 いられる。これらの中でも、 ITO、インジウム ·亜鉛 ·オキサイド、酸化スズが好ましい。
[0025] このような第一電極の膜厚は、光の透過性と電気伝導度とを考慮して適宜選択する ことができる力 例えば 101 111〜10 111であり、好ましくは 201 111〜1 111であり、より 好ましくは 50nm〜500nmである。
[0026] また、このような第一電極を電気的に分離された複数のセルに仕切る構造とする場 合には、隣接するセルの間の間隔は;!〜 50 mであり、好ましくは 5〜30 111である 。隣接するセルの間の間隔が前記下限未満では、第一電極の面方向に導波する光 を十分に抑制することができない傾向にあり、他方、前記上限を超えると、実際の発 光面積が小さくなるため、発光効率が低下する傾向にある。
[0027] さらに、このように電気的に分離された複数のセルの形状としては、特に限定されず 、例えば、ストライプ状、三角形状、四角形状等の矩形状が挙げられる。また、このよ うな複数のセルの形状は、隣接するセルの間の電気的な接続をより確実にするという 観点から、後述する補助電極の開口部の形状と相似する形状とすることが好ましい。 なお、このような第一電極を電気的に分離された複数のセルに仕切る構造とする場 合においては、本発明の有機エレクト口ルミネッセンス素子を作製するにあたり、この ような第一電極を形成した後に形成されるもの（例えば、補助電極、有機層）の材料 が隣接するセルの間に充填されることとなる。
[0028] 以上説明したような第一電極を形成させる方法としては、真空蒸着法、スパッタリン グ法、イオンプレーティング法、メツキ法等が挙げられる。また、このような第一電極を 電気的に分離された複数のセルに仕切る方法としては、例えば、第一電極を形成し た後に、フォトレジストを用いたエッチング法によりパターン形成する方法が挙げられ
[0029] なお、このような第一電極として、ポリア二リン若しくはその誘導体、ポリチォフェン若 しくはその誘導体等の有機物の透明導電膜を用いてもよい。また、有機層への電荷 注入を容易にするという観点から、このような第一電極の有機層側の表面上に、フタ ロシアニン誘導体、ポリチォフェン誘導体等の導電性高分子、 Mo酸化物、ァモルフ ァスカーボン、フッ化カーボン、ポリアミン化合物等の l〜200nmの層、或いは金属 酸化物や金属フッ化物、有機絶縁材料等からなる平均膜厚 10nm以下の層を設け てもよい。
[0030] (補助電極）
本発明の有機エレクト口ルミネッセンス素子においては、前記第一電極に電気的に 接続され、開口部が設けられた補助電極を備えることが必要である。そして、このよう な補助電極が、準周期的な 2次元配列により規定される格子点に基づいて定められ る領域が前記開口部となるように、前記第一電極の表面上に形成されていることが必 要である。本発明においては、このような補助電極を備えることにより、透明電極又は 半透明電極の抵抗による電圧低下を軽減して均一に発光させることが可能となり、さ らに外光反射時の色付きや干渉によるモアレ縞の発生を十分に抑制することが可能 となる。 [0031] 本発明にかかる準周期的な 2次元配列とは、周期配列とは異なる種類の秩序配列 のことをいい、例えば、フィボナッチ配列を挙げることができる。また、このようなフイボ ナツチ配列とは、フィボナッチ数列に相似若しくは類似して配列されている配列のこと をいい、ひまわりの種や松ぼっくりの配列等に例えられ、図 1に示すような略々渦巻 状を呈する配列のことをいう。なお、本発明においてフィボナッチ配列により規定され る格子点には、フィボナッチ数列による配列から一部の格子点を抜いたもの等も含ま れるものとする。
[0032] また、フィボナッチ配列は、整数 nに対して、
(X, y) = (^n X cos ( (137. 5 Χ η π ) /180)、 X sin ( (137. 5 Χ η π ) /180) ) 力、らなる数列のことをいい、この整数 nをフィボナッチ数列における次数と称する。
[0033] このようなフィボナッチ配列においては、フィボナッチ数列における次数が大きくな るとフィボナッチ配列により規定される格子点の粗密が大きくなる。そのため、補助電 極に設けられる開口部の間隔の粗密も大きくなり、補助電極間の配線抵抗が大きくな るという問題が生じる可能性がある。
[0034] 本発明においては、上記のような観点から、本発明にかかる準周期的な 2次元配列 は、前記格子点の平均格子間距離が 10〜30 mはり好ましくは、 10〜20 111)の 範囲となるように前記フィボナッチ配列から抽出された単位配列を有し、且つ前記単 位配列がそれぞれ重なり合わないように敷き詰められた配列であることが好ましい。こ のような準周期的な 2次元配列により規定される格子点に基づいて定められる領域に 補助電極の開口部を設けることにより、補助電極間の配線抵抗の増大を抑制しつつ 、補助電極に設けられた開口部の周期的な規則性を解消することができる。また、前 記格子点の平均格子間距離が前記下限未満では、開口率が低下するため、発光輝 度が十分に得られない傾向にあり、他方、前記上限を超えると補助電極間の配線抵 抗が大きくなるために発光輝度のムラを十分に抑制できない傾向にある。なお、前記 フィボナッチ配列により規定される格子点のうちの最も近接している格子点どうしの格 子間距離、すなわち最近接格子間距離は 5〜； ί δ ΐηの範囲であることが好ましい。
[0035] また、前記フィボナッチ配列から抽出される単位配列の形状としては特に制限はな いが、単位配列をそれぞれ重なり合わないように敷き詰めるという観点から、多角形 状が好ましぐ三角形、正方形、長方形、正六角形等がより好ましい（図 2〜4参照）。 図 2〜4中、 Aはフィボナッチ数列における次数 300以下の領域を、 Bはフィボナッチ 数列における次数 1000以下の領域を表す。
[0036] さらに、このような単位配列は、前記フィボナッチ数列における次数が 300〜； 1000
(より好ましくは、 500〜800)の範囲となるように前記フィボナッチ配列から抽出され た配列であることが好ましレ、。前記フィボナッチ数列における次数が上記の範囲とな る場合には、一つの単位配列により規定される格子点の格子点間距離の分散を抑 制すること力 Sでき、補助電極間の配線抵抗のバラツキや開口部の密度（開口率）の偏 りによる発光輝度のムラをより確実に抑制することができる。
[0037] また、このような単位配列は、一つの単位配列により規定される格子点の数が 50〜 200 (より好ましくは、 50〜； 100)の範囲となるように前記フィボナッチ配列から抽出さ れた配列であることが好ましい。さらに、本発明においては、補助電極に設けられた 開口部の周期的な規則性をより確実に解消するという観点から、前記フィボナッチ配 列のうちの異なる箇所から抽出された複数の異なる単位配列をそれぞれ重なり合わ なレ、ように敷き詰めることが好まし!/、。
[0038] 本発明にかかる補助電極は、以上説明したような準周期的な 2次元配列により規定 される格子点に基づいて定められる領域が開口部となるように形成される。そして、こ のような領域は、前記格子点を母点とするポロノィ分割、ドロネ一三角形分割等により 定めること力 Sでさる。
[0039] ポロノィ分割とは、 V、くつかの点（母点）が配置された平面を、隣り合う任意の母点 間の垂直 2等分線を結んで形成される領域 (ポロノィ領域）に分割することをいう。な お、ポロノィ領域の境目の線をポロノィ境界という。このようなポロノィ分割により前記 領域を定める場合においては、本発明に力、かる補助電極は、前記格子点を母点とす るポロノィ分割によるポロノィ領域が開口部となるように、前記ポロノィ分割によるポロ ノィ境界上に（に沿って)形成される。
[0040] ドロネ一三角形分割とは、いくつかの点（母点）が配置された平面を、隣り合うボロノ ィ領域の母点どうしをつなぐ線（ドロネ一辺）を結んで形成される三角形の領域（ドロ ネー三角形の領域）に分割することをいう。このようなドロネ一三角形分割により前記 領域を定める場合においては、本発明に力、かる補助電極は、前記格子点を母点とす るドロネ一三角形分割によるドロネ一三角形の領域が開口部となるように、前記ドロネ 一三角形分割によるドロネ一辺上に（に沿って)形成される。
[0041] このような補助電極の線幅は、光の利用効率の観点から、 1 -200 H mの範囲であ ること力好ましく、 10〜； 100 mの範囲であることがより好ましい。
[0042] このような補助電極の材料としては、前記第一電極の材料より電気伝導度が高けれ ば (電気抵抗値が低ければ)特に制限はないが、通常は 107S/cm以上の電気伝導 度を有する導電材料が使用され、アルミニウム、銀、クロム、金、銅、タンタル等の金 属材料が好適に利用される。これらの中でも、電気伝導度の高さ、材料のハンドリン グの容易さの観点から、アルミニウム、クロム、銅、銀がより好ましい。
[0043] また、補助電極の材料として金属を用いた場合には、後述する有機層からの光が 遮断されることから、素子の発光する面積に対する補助電極で被われる面積の割合 は、 20〜90%の範囲であることが好ましぐ 30〜80%の範囲であることがより好まし い。
[0044] さらに、このような補助電極の厚みは、面抵抗が所望の値となるように適宜選択する ことができる力 例えば 10〜500nmであり、好ましくは 20〜300nmであり、より好ま しくは 50〜 150應である。
[0045] また、このような補助電極は、前記第一電極の表面のうち、有機層側の表面上に配 置されて!/、てもよ!/、が、第一電極と補助電極との電気的な接続をより確実にすると!/、 う観点から、有機層と反対側の表面上に配置されていることが好ましい。
[0046] 以上説明したような補助電極を形成させる方法としては、例えば、真空蒸着法、ス ノ クタリング法、又は金属薄膜を熱圧着するラミネート法等により補助電極の材料の 膜を形成した後に、フォトレジストを用いたエッチング法によりパターン形成する方法 が挙げられる。
[0047] (第二電極）
本発明にかかる第二電極は、前記第一電極に対向して配置される電極であって、 本発明の有機エレクト口ルミネッセンス素子の陰極となるものである。このような第二 電極の材料としては、仕事関数の小さい材料が好ましぐ例えば、リチウム、ナトリウム 、カリウム、ノレビジゥム、セシウム、ベリリウム、マグネシウム、カノレシゥム、ストロンチウ ム、ノ リウム、ァノレミニゥム、スカンジウム、ノ ナジゥム、亜 イットリウム、インジウム、 セリウム、サマリウム、ユーロピウム、テルビウム、イッテルビウム等の金属、及びそれら のうちの 2つ以上の合金；或いはそれらのうちの 1つ以上と、金、銀、白金、銅、マンガ ン、チタン、コバルト、ニッケル、タングステン、錫のうちの 1つ以上との合金；グラフアイ ト又はグラフアイト層間化合物が用いられる。これらの合金としては、マグネシウム一 銀合金、マグネシウム インジウム合金、マグネシウム アルミニウム合金、インジゥ ムー銀合金、リチウム アルミニウム合金、リチウム マグネシウム合金、リチウムーィ ンジゥム合金、カルシウム アルミニウム合金等が挙げられる。
[0048] このような第二電極の膜厚は、電気伝導度や耐久性を考慮して、適宜選択すること ができるが、例えば lOnm〜； lO ^ mであり、好ましくは 20nm〜l mであり、さらに 好ましくは 50nm〜500nmである。
[0049] 以上説明したような第二電極を形成させる方法としては、真空蒸着法、スパッタリン グ法、また金属薄膜を熱圧着するラミネート法等が挙げられる。なお、このような第二 電極を 2層以上の積層構造としてもよい。また、第二電極と有機層との間に、導電性 高分子からなる層、或いは金属酸化物や金属フッ化物、有機絶縁材料等からなる平 均膜厚 lOnm以下の層を設けてもよい。
[0050] (有機層）
本発明にかかる有機層は、前記第一電極及び前記第二電極の間に設けられた層 である。
このような有機層は、通常、少なくとも 1層の発光材料を含有する層であればよいが、 複数の層により構成されていてもよい。有機エレクト口ルミネッセンス素子の動作は、 本質的に、電子及び正孔を電極から注入する過程と、電子及び正孔が有機層を移 動する過程と、電子及び正孔が再結合し、一重項励起子又は三重項励起子を生成 する過程と、その励起子が発光する過程とからなるが、有機層が複数の層により構成 される場合には、各過程において要求される機能を複数の材料に分担させるとともに 、それぞれの材料を独立して最適化できる。また、このような有機層の発光色としては 、赤、青、緑の 3原色の発光以外に、中間色や白色の発光が例示される。フルカラー 素子には、 3原色の発光色が、平面光源では白色や中間色の発光が好ましい。
[0051] また、本発明においては、このような有機層に用いられる発光材料として、低分子 型発光材料 (i)だけでなぐ高分子型発光材料 (ii)を用いることができる。そして、こ のような発光材料の種類によっては、有機層に用いられる他の材料が異なるので、以 下低分子型発光材料 ωを用レ、る場合と高分子発光材料 (ϋ)を用レ、る場合とに分け てそれぞれ説明する。
[0052] (i)低分子型発光材料を用レ、る場合
低分子型発光材料を用いる場合における有機層の材料としては、「有機 ELデイス プレイ」（時任静夫、安達千波矢、村田英幸 共著 株式会社オーム社 平成 16年刊 第 1版第 1刷発行） 17〜48頁、 83〜99頁、 10；!〜 120頁に記載の蛍光や燐光発 光材料、正孔輸送材料、電子ブロック材料、正孔ブロック材料、電子輸送材料が挙 げられる。具体的には、正孔輸送材料としては、特開昭 63— 70257号公報、同 63 — 175860号公報、特開平 2— 135359号公報、同 2— 135361号公報、同 2— 209 988号公報、同 2— 311591号公報、同 3— 37992号公報、同 3— 152184号公報、 同 11— 35687号公報、同 11— 217392号公報、特開 2000— 80167号公報に記 載されて!/、るもの等が例示される。
[0053] さらに、低分子型発光材料（三重項発光錯体）としては、例えば、イリジウムを中心 金属とする Ir (ppy) , Btp Ir (acac) ,白金を中心金属とする PtOEP、 ユーロピウム
3 2
を中心金属とする Eu (TTA) phenが挙げられる。具体的には、 Nature, (1998) ,
3
395, 151 , Appl. Phys. Lett. (1999) , 75 (1) , 4、 Proc. SPIE— Int. Soc. Op t. Eng. (2001 ) , 4105 (Organic Light― Emitting Materials and Devices IV) , 119、 J. Am. Chem. Soc. , (2001) , 123, 4304、 Appl. Phys. Lett. , ( 1997) , 71 (18) , 2596、 Syn. Met. , (1998) , 94 (1) , 103、 Syn. Met. , (19 99) , 99 (2) , 1361、 Adv. Mater. , (1999) , 11 (10) , 852、 Jpn. J. Appl. Phy s. , 34, 1883 (1995)等に記載されているもの等が例示される。
[0054] これらの有機層の材料を含有する層の厚みとしては、発光効率や駆動電圧が所望 の値になるように適宜選択される力 5〜200nmが一般的である。また、正孔輸送層 の厚みは、例えば 10〜100nmであり、好ましくは 20〜80nmである。発光層の厚み は、例えば 10〜100nmであり、好ましくは 20〜80nmである。正孔ブロック層の厚み は、例えば 5〜50nmであり、好ましくは 10〜30nmである。電子注入層の厚みは、 例えば 10〜； !OOnmであり、好ましくは 20〜80nmである。
[0055] これらの層を形成させる方法としては、真空蒸着、クラスター蒸着、分子線蒸着等の 真空プロセス以外に、これらの層を構成する材料が溶解性をもつものゃェマルジヨン を形成できるものであれば、後述するコーティング法や印刷法にて製膜する方法が 挙げられる。
[0056] (ii)高分子型発光材料を用いる場合
高分子型発光材料を用いる場合における有機層の材料としては、「高分子 EL材料 」（大西敏博、小山珠美 共著 共立出版 2004年刊 初版版第 1刷発行) 33〜58 頁に記載の材料が挙げられ、電荷注入層や電荷輸送層と積層した構造で有機エレ タトロルミネッセンス素子を構築することができる。より具体的には、高分子化合物の 正孔輸送性材料、電子輸送性材料及び発光材料としては、 W099/13692公開明 糸田 ¾、 WO99/48160A j糸田 ¾、 GB2340304A, WO00/53656A j糸田 ·、 WO01/19834A開明糸田 ¾、 WO00/55927A開明糸田 ·、 GB2348316, W O00/46321A開明糸田 ¾、 WO00/06665A開明糸田 ·、 W099/54943A開明 糸田 ¾、 W099/54385A! j糸田 ¾、 US5777070, WO98/06773A j糸田 ¾、 WO97/05184A開明糸田 ¾、 WO00/35987A開明糸田 ·、 WO00/53655A開 曰月糸田 ¾、 WO01/34722A j糸田 ¾、 W099/24526A j糸田 ¾、 WO00/22 027公開明細書、 WO00/22026公開明細書、 W098/27136公開明細書、 US 573636、 W098/21262A開明糸田 ¾、 US5741921 , WO97/09394A開明糸田 ¾、 W096/29356A開明糸田 ¾、 WO96/10617A開明糸田 ¾、 EP0707020, W 095/07955公開明細書、特開 2001— 181618号公報、特開 2001— 123156号 公報、特開 2001— 3045号公報、特開 2000— 351967号公報、特開 2000— 303 066号公報、特開 2000— 299189号公報、特開 2000— 252065号公報、特開 20 00— 136379号公報、特開 2000— 104057号公報、特開 2000— 80167号公報、 特開平 10— 324870号公報、特開平 10_ 114891号公報、特開平 9_ 111233号 公報、特開平 9— 45478号公報等に開示されているポリフルオレン、その誘導体及 び共重合体、ポリアリーレン、その誘導体及び共重合体、ポリアリーレンビニレン、そ の誘導体及び共重合体、芳香族ァミン及びその誘導体の（共)重合体が挙げられる。 これらの高分子型発光材料や電荷輸送材料には、前述した低分子型発光材料を用 V、る場合に有機層に用いられる発光材料や電荷輸送材料を混合して用いてもよ!/、。 また、これらの高分子型発光材料や電荷輸送材料においては、前述した低分子型 発光材料がこれらの材料の構造に含まれてレ、てもよレ、。
[0057] 電荷注入層の具体的な例としては、導電性高分子を含む層又は前記第一電極と 正孔輸送層との間に設けられ、前記第一電極の材料と正孔輸送層に含まれる正孔 輸送性材料との中間の値のイオン化ポテンシャルを有する材料を含む層、前記第二 電極と電子輸送層との間に設けられ、前記第二電極の材料と電子輸送層に含まれる 電子輸送性材料との中間の値の電子親和力を有する材料を含む層等が挙げられる
[0058] また、このような電荷注入層が導電性高分子を含む層である場合、導電性高分子 を含む層は少なくとも一方の電極（第一電極、第二電極）と発光層との間に電極に隣 接して設けられる。
このような導電性高分子の電気伝導度は、 10— 7S/cm以上であり且つ 103S/cm 以下であることが好ましぐ発光画素間のリーク電流を小さくするためには、 10— ¾/ cm以上であり且つ 102S/cm以下であることがより好ましぐ 10_5S/cm以上であり 且つ lC^S/cm以下であることが特に好ましい。また、通常はこのような導電性高分 子の電気伝導度を 10_ /cm以上であり且つ 103S/cm以下とするために、このよ うな導電性高分子に適量のイオンをドープする。
[0059] ドープするイオンとしては、正孔注入層であればァニオン、電子注入層であれば力 チオンが用いられる。ァニオンの例としては、ポリスチレンスルホン酸イオン、アルキ ルベンゼンスルホン酸イオン、樟脳スルホン酸イオン等が挙げられ、カチオンの例と しては、リチウムイオン、ナトリウムイオン、カリウムイオン、テトラプチルアンモニゥムィ オン等が挙げられる。
[0060] 電荷注入層に用いる材料としては、電極や隣接する層の材料との関係で適宜選択 すればよいが、ポリア二リン及びその誘導体、ポリチォフェン及びその誘導体、ポリピ ロール及びその誘導体、ポリフエ二レンビニレン及びその誘導体、ポリチェ二レンビニ レン及びその誘導体、ポリキノリン及びその誘導体、ポリキノキサリン及びその誘導体 、芳香族ァミン構造を主鎖又は側鎖に含む重合体等の導電性高分子;金属フタロシ ァニン (銅フタロシアニン等）；カーボン等が挙げられる。
[0061] また、電荷注入を容易にする目的で、前記第一電極及び/又は前記第二電極に 隣接して厚みが 10nm以下の絶縁層を設けてもよい。このような絶縁層の材料として は、金属フッ化物、金属酸化物、有機絶縁材料等が挙げられ、アルカリ金属又はァ ルカリ土類金属等の金属フッ化物や金属酸化物が好ましい。
[0062] また、第二電極に近い側の有機層に含有される電子輸送性高分子材料としては、 電極から電子が注入され、輸送する高分子材料であればよく特に制限はされないが 、 兀及び σ共役系高分子や電子輸送性の基を高分子中に含む高分子材料を適宜 使用すること力でさる。
さらに、低分子の電子輸送性材料を併用することもできる。
[0063] これらの正孔輸送性材料や電子輸送性材料は電荷の輸送以外に、発光機構を有 しているものも好適に利用できる力 本発明においては、前記発光材料をこれらの層 にドーピングして用いることもできる。
[0064] 以上説明したような有機層の材料を含有する層の厚みは、用いる材料によって最 適値が異なるが、駆動電圧と発光効率が適度な値となるように適宜選択することがで きる。また、発光層の厚みは、例えば 5〜300nmであり、好ましくは 30〜200nmであ り、さらに好ましくは 40〜； 150nmである。電荷注入層の厚みは、例えば lnm〜； 100η mであり、好ましくは 2nm〜； !Onmである。電子輸送性層の厚みは、例えば lnm〜l inであり、好ましくは 2nm〜500nmであり、さらに好ましくは 5nm〜200nmである
[0065] また、ここまで述べてきた有機層の材料のうちの高分子材料を含有する層（発光層 、電荷輸送層、電荷注入層）を形成させる方法としては、例えば、溶液からのコーティ ング法や印刷法にて製膜する方法が挙げられる。なお、このような方法は、前記高分 子材料を含有しない層（発光層、電荷輸送層、電荷注入層）を形成させる方法として も採用すること力できる。このような方法によれば、溶液を塗布後乾燥することにより 溶媒を除去するだけでよぐまた電荷輸送材料や発光材料を混合した場合において も同様な手法が適用でき、製造上非常に有利である。このようなコーティング法及び 印刷法としては、スピンコート法、キャスティング法、マイクログラビアコート法、グラビ ァコート法、バーコート法、ロールコート法、ワイア一バーコート法、ディップコート法、 スプレーコート法、スクリーン印刷法、フレキソ印刷法、オフセット印刷法、キヤビラリ一 コート法、ノズルコート法、インクジェットプリント法等の塗布法が挙げられる。また、電 荷注入材料は、ェマルジヨン状で水やアルコールに分散させたものを溶液と同様な 方法で、製膜すること力できる。
[0066] このようなコーティング法や印刷法において、有機層の材料に用いる溶媒としては 特に限定されないが、前記高分子材料を溶解又は均一に分散できるものが好ましい 。前記高分子材料が非極性溶媒に可溶なものである場合において、このような溶媒 としては、例えば、クロ口ホルム、塩化メチレン、ジクロロェタン等の塩素系溶媒;テトラ ヒドロフラン等のエーテル系溶媒；トルエン、キシレン、テトラリン、ァニソール、 n—へ キシルベンゼン、シクロへキシルベンゼン等の芳香族炭化水素系溶媒；デカリン、ビ シクロへキシル等の脂肪族炭化水素系溶媒；アセトン、メチルェチルケトン、 2—ヘプ タノン等のケトン系溶媒；酢酸ェチル、酢酸ブチル、ェチルセルソルブアセテート、プ ロピレンダリコールモノメチルエーテルアセテート等のエステル系溶媒が挙げられる。
[0067] また、複数の層を積層する場合においては、上下の層の混合を防止するために、 最初に形成された層を不溶化することが好ましい。このように不溶化する方法として は、可溶性の前駆体や可溶基を有する高分子を用いて、熱処理により、前駆体を共 役系高分子に転換したり、可溶基を分解することで溶解性を低下させることで不溶化 する方法や、架橋基を分子内に有する正孔輸送性高分子を用いる方法、或いは、熱 、光、電子線等により架橋反応を生ずるモノマーやマクロマーを混合する方法等が挙 げられる。
[0068] このような架橋基としては、側鎖にビュル基、（メタ）アタリレート基、ォキセタン基、シ クロブタジエン基、ジェン基等を有する高分子が例示される。これらの基の導入率は
、電子輸送性高分子の製膜時に使用する溶媒に対して不溶化すれば特に制限はな いが、例えば 0. 0；!〜 30質量％であり、好ましくは 0. 5〜20質量％であり、より好まし くは;!〜 10質量％である。
[0069] また、架橋反応を生ずるモノマーやマクロマーとしては、ポリスチレン換算の重量平 均分子量 2000以下の化合物で、ビュル基、（メタ）アタリレート基、ォキセタン基、シク 口ブタジエン基、ジェン基等の基を二つ以上有するものが挙げられる。さらに、酸無 水物基や桂皮酸のように分子間で架橋反応し得る化合物も例示される。これらの例と しては、「UV'EB硬化技術の現状と展望」（巿村國宏 監修 株式会社シーエムシー 出版 2002年刊 第 1版第 1刷発行 第 2章）に記載のものが好適に使用できる。
[0070] さらに、高分子化合物を有機層の材料として用いる場合には、その純度が電荷輸 送特性や発光特性等の素子の性能に影響を与えるため、重合前のモノマーを蒸留、 昇華精製、再結晶等、カラムクロマトグラフィーの方法で精製した後に重合することが 好ましい。また重合後、酸洗浄、アルカリ洗浄、中和、水洗浄、有機溶媒洗浄、再沈 殿、遠心分離、抽出、カラムクロマトグラフィー、透析などの慣用の分離操作、精製操 作、乾燥、その他の操作による純化処理をすることが好ましい。
[0071] (有機エレクト口ルミネッセンス素子）
本発明の有機エレクト口ルミネッセンス素子は、通常、前述した第一電極、第二電 極、補助電極、及び有機層を支持基板上に形成させることにより作製することができ る。このような支持基板としては、有機エレクト口ルミネッセンス素子を作製する際に変 化しないものであればよぐ例えば、ガラス、プラスチック、高分子フィルム、シリコン等 の基板が挙げられる。なお、このような支持基板側から前記有機層からの光を取り出 す場合には、支持基板として透明なものを用いることが好ましい。また、本発明の有 機エレクト口ルミネッセンス素子の素子構造は特に限定されず、トップェミッション型で あってもよく、ボトムェミッション型であってもよい。また、このような素子構造に応じて 上記支持基板上に前記第一電極等を形成させる順番を適宜選択することができる。 さらに、本発明の有機エレクト口ルミネッセンス素子においては、必要に応じて保護層 を設けてもよい。このような保護層の材料としては、ガラス、プラスチック、高分子フィ ルム、シリコンの他に、アクリル系樹脂等の光硬化性樹脂が挙げられる。これらの保 護層の材料は、 1種を単独で又は 2種以上を組み合わせて使用することができる。な お、このような保護層側から前記有機層からの光を取り出す場合には、保護層の材 料として透明なものを用いることが好ましい。
[0072] 以上説明したような本発明の有機エレクト口ルミネッセンス素子は、液晶ディスプレ ィのバックライト又は照明用としての曲面状や平面状の面状光源;インテリアや広告 に用いられるセグメント表示装置、ドットマトリックス表示装置、液晶表示装置等に用 いられる発光素子として好適に用いることができ、照明用としての曲面状や平面状の 面状光源として特に好適に用いることができる。
実施例
[0073] 以下、実施例及び比較例に基づいて本発明をより具体的に説明するが、本発明は 以下の実施例に限定されるものではない。なお、合成例 1、 2において用いた下記構 造式 (A)〜（C)で表される化合物 A〜Cとしては、 WO2000/046321公開明細書 に記載された方法に従って合成したものを用いた。
[0074] [化 1]
Figure imgf000018_0001
[0076] [化 3]
Figure imgf000019_0001
[0077] (合成例 1)
先ず、 200mlセパラブルフラスコにメチルトリオクチルアンモニゥムクロリド（アルドリ ツチ社製、商品名： Aliquat336)を 0. 91gと、ィ匕合物 Aを 5. 23gと、ィ匕合物 Cを 4· 5 5gとを反応容器に仕込んだ後、反応系内を窒素ガスで置換した。その後、トルエン 7 Omlを力□え、酢酸パラジウム 2· Omg、トリス（o トリノレ）ホスフィン 15. lmgを加えた 後に、還流させて混合溶液を得た。
[0078] 次に、得られた混合溶液に、炭酸ナトリウム水溶液 19mlを滴下後、還流下終夜攪 拌した後、フエニルホウ酸 0. 12gを加えて 7時間攪拌した。その後、 300mlのトルェ ンを加え、反応液を分液し、有機相を酢酸水溶液及び水で洗浄した後、ナトリウム N , N ジェチルジチォカルバメート水溶液を加えて 4時間攪拌した。
[0079] 次!/、で、攪拌後の混合溶液を分液した後、シリカゲル アルミナカラムを通し、トル ェンで洗浄した後に、メタノールに滴下してポリマーを沈殿させ、その後、得られたポ リマーをろ過、減圧乾燥した後にトルエンに溶解させた。そして、得られたトルエン溶 液を再度メタノールに滴下して沈殿物を生じさせ、この沈殿物をろ過、減圧乾燥して 高分子化合物 1を得た。得られた高分子化合物 1のポリスチレン換算の重量平均分 子量 Mwは 3. 2 X 105であり、ポリスチレン換算の数平均分子量 Mnは 8. 8 X 104で あった。
[0080] (合成例 2)
先ず、化合物 Bを 22. 5gと 2, 2 '—ビビリジルを 17. 6gとを反応容器に仕込んだ後 、反応系内を窒素ガスで置換した。その後、あらかじめアルゴンガスでバブリングして 脱気したテトラヒドロフラン (脱水溶媒） 1500gを加え、混合溶液を得た。そして、得ら れた混合溶液に、ビス（1 , 5 シクロォクタジェン）ニッケル（0)を 31g加え、室温で 1 0分間攪拌した後、 60°Cで 3時間反応させた。なお、反応は、窒素ガス雰囲気中で 行った。
[0081] 次に、得られた反応溶液を冷却した後、この溶液に、 25質量％アンモニア水 200m 1/メタノール 900ml/イオン交換水 900ml混合溶液をそそぎ込み、約 1時間攪拌し た。その後、生成した沈殿物を濾過して回収し、この沈殿物を減圧乾燥した後、トノレ ェンに溶解させた。そして、得られたトルエン溶液を濾過して不溶物を除去した後、こ のトルエン溶液を、アルミナを充填したカラムを通過させることにより精製した。
[0082] 次に、精製後のトルエン溶液を、 1規定塩酸水溶液で洗浄し、静置、分液した後、ト ルェン溶液を回収した。そして、このトルエン溶液を、約 3質量％アンモニア水で洗浄 し、静置、分液した後、トルエン溶液を回収した。その後、このトルエン溶液をイオン 交換水で洗浄し、静置、分液した後、洗浄後のトルエン溶液を回収した。
[0083] 次いで、洗浄後のトルエン溶液をメタノール中にそそぎ込み、沈殿物を生じさせ、こ の沈殿物をメタノールで洗浄した後、減圧乾燥して高分子化合物 2を得た。得られた 高分子化合物 2のポリスチレン換算の重量平均分子量は 8. 2 X 105であり、ポリスチ レン換算の数平均分子量は 1. 0 X 105であった。
[0084] (製造例）
補助電極を形成するためのフォトマスクを以下のようにして作製した。すなわち、先 ず、フィボナッチ配歹 IJ (最近接格子間距離： ΙΟ ΐη)から、平均格子間距離が 14 !11 、フィボナッチ数列における次数が 500〜800の範囲となるような単位配列を複数抽 出した。次に、これらの単位配列がそれぞれ重なり合わないように敷き詰められた配 列から格子点を規定し、このような格子点を母点とするポロノィ分割を行った。そして 、ポロノィ分割の結果に基づいて、ポロノィ分割によるポロノィ境界上に線幅 40 in の細線状の遮光部が設けられたフォトマスク（254mm X 254mm)を作製した。
[0085] (実施例）
支持基板としてガラス基板（200mm X 200mm)を用い、前記支持基板上に、 Crタ 一ゲット及びスパッタガスとして Arを用い、 120°Cにおける DCスパッタ法により、膜厚 lOOOnmの Crを堆積させた。このときの製膜圧力は 0. 5Pa、スパッタリングパワーは 2. OkWであった。 Cr膜の上にレジスト塗布後、 110°Cで 90秒間ベータした後、製造 例で得られたフォトマスクを通して、 200mJのエネルギーで露光し、 0. 5質量0 /0の水 酸化カリウム水溶液によって現像後、 130°Cで 110秒間ポストベータした。次いで、 C r用エッチング液に、 40°C、 120秒間浸漬し、 Crのパターユングを行い、最後に 2質 量％水酸化カリウム水溶液に浸漬することで、レジスト残渣を剥離し、 Crからなる補 助電極を形成した。
[0086] 次に、補助電極が形成された基板上に第一電極を形成した。すなわち、第一電極 材料として ITO焼成ターゲット、スパッタガスとして Arを用い、 120°Cにおける DCス パッタ法により、膜厚 3000nmの ITOを堆積させた。このときの製膜圧力は 0. 25Pa 、スパッタリングパワーは 0. 25kWであった。その後、 200°Cのオーブンで 40分間ァ ニール処理を行った。その後、第一電極が形成された基板を 60°Cの弱アルカリ性洗 剤、冷水、 50°Cの温水を用いて超音波洗浄し、 50°Cの温水から引き上げて乾燥した 後、 20分間 UV/O洗浄を行った。
3
[0087] そして、洗浄後の基板に、ポリ（3, 4)エチレンジォキシチォフェン/ポリスチレンス ルホン酸（スタルクヴィテック社製、商品名： BaytronP CH8000)の懸濁液を 0. 45 〃 m径のフィルターでろ過し、さらに 0. 2 m径のフィルターでろ過して得られた溶液 をスピンコートにより 80nmの厚みで製膜し、大気雰囲気下において 200°Cで 15分 間熱処理し、正孔注入層（すなわち、電荷注入層）を形成した。次いで、合成例 1及 び 2で得られた高分子化合物 1及び高分子化合物 2をトルエンに溶解させ、 1質量％ の高分子溶液を調製し、調製された溶液を正孔注入層が形成された基板上にスピン コートして 80nmの膜厚で製膜し、窒素雰囲気下のホットプレート上において 130°C で 60分間熱処理し、発光層を形成した。その後、発光層が形成された基板に真空蒸 着により、 LiF、 Ca、 A1を順次それぞれ、 2nm、 5nm、 200nmの厚みで蒸着し、第 二電極を形成した。なお、真空度が 1 X 10— 4Pa以下に到達した後に金属の蒸着を 開始した。最後に、不活性ガス中で、第二電極が形成された基板における第二電極 の表面をガラス板で覆い、さらに基板の 4辺を光硬化性樹脂で覆った後に、光硬化 性樹脂を硬化させることで保護層を形成して、有機 EL発光素子を作製した。
[0088] このようにして得られた有機 EL発光素子を図 5に示す。すなわち、図 5に示す有機 EL素子は、支持基板 1、補助電極 2、第一電極 3、電荷注入層 4、発光層 5、第二電 極 6、及び保護層 7を備えている。そして、電荷注入層 4及び発光層 5とからなる有機 層 11が、第一電極 3及び第二電極 6に挟持されている。また、第一電極 3の有機層 1 1と反対側の表面上に補助電極 2が形成されている。
[0089] <有機 EL発光素子の評価〉
実施例で得られた有機 EL発光素子全体に 8Vの電圧を印加した際の発光面の様 子を目視にて観察したところ、発光面には発光輝度のムラがなぐまた外光反射時に 生ずる色付き現象やモアレ縞は発生しなかった。したがって、本発明の有機エレクト 口ルミネッセンス素子においては、透明電極又は半透明電極の抵抗による電圧低下 を軽減して均一に発光させることができ、し力、も外光反射時の色付きや干渉によるモ ァレ縞の発生を十分に抑制することが可能となることが確認された。
産業上の利用可能性
[0090] 以上説明したように、本発明によれば、透明電極又は半透明電極の抵抗による電 圧低下を軽減して均一に発光させることができ、しかも外光反射時の色付きや干渉 によるモアレ縞の発生が十分に抑制された有機エレクト口ルミネッセンス素子を提供 すること力 S可倉 となる。
[0091] したがって、本発明の有機エレクト口ルミネッセンス素子は、面状光源、セグメント表 示装置、ドットマトリックス表示装置、液晶表示装置等に用いられる発光素子として有 用である。
図面の簡単な説明
[0092] [図 1]フィボナッチ配列を示す平面図である。
[図 2]フィボナッチ配列から抽出される単位配列の一実施形態を示す概略平面図で ある。
[図 3]フィボナッチ配列から抽出される単位配列の他の実施形態を示す概略平面図 である。
[図 4]フィボナッチ配列から抽出される単位配列の他の実施形態を示す概略平面図 である。
[図 5]実施例において得られた有機エレクト口ルミネッセンス素子の積層構造を示す 概略断面図である。 符号の説明
1 支持基板
2 補助電極
3 第一電極
4 電荷注入層
5 発光層
6 第二電極
7 保護層
11 有機層
A フィボナッチ数列における次数 300以下の領域 B フィボナッチ数列における次数 1000以下の領域

Claims

請求の範囲
[1] 透明電極又は半透明電極からなる第一電極と、該第一電極に対向する第二電極と 、該第一電極及び該第二電極の間に設けられた少なくとも 1層の有機層とを備える有 機エレクト口ルミネッセンス素子であって、
該第一電極に電気的に接続され、該第一電極と比較して電気抵抗値の低!/、材料 力 なる、開口部が設けられた補助電極を備え、
該補助電極が、準周期的な 2次元配列により規定される格子点に基づいて定めら れる領域が前記開口部となるように、該第一電極の表面上に形成されていることを特 徴とする有機エレクト口ルミネッセンス素子。
[2] 前記補助電極が、前記格子点を母点とするポロノィ分割によるポロノィ領域が開口 部となるように、前記ポロノィ分割によるポロノィ境界上に形成されている請求項 1に 記載の有機エレクト口ルミネッセンス素子。
[3] 前記補助電極が、前記格子点を母点とするドロネ一三角形分割によるドロネ一三 角形の領域が開口部となるように、前記ドロネ一三角形分割によるドロネ一辺上に形 成されて!/、る請求項 1に記載の有機エレクト口ルミネッセンス素子。
[4] 前記準周期的な 2次元配列が、フィボナッチ数列に相似又は類似して配列されて いる請求項 1〜3のうちのいずれか一項に記載の有機エレクト口ルミネッセンス素子。
[5] 前記準周期的な 2次元配列が、前記格子点の平均格子間距離が 10〜30 ,i mの 範囲となるように前記フィボナッチ配列から抽出された単位配列を有し、且つ該単位 配列がそれぞれ重なり合わないように敷き詰められた配列である請求項 1〜4のうち のいずれか一項に記載の有機エレクト口ルミネッセンス素子。
[6] 前記単位配列が、前記フィボナッチ数列における次数が 300〜； 1000の範囲となる ように前記フィボナッチ配列から抽出された配列である請求項 5に記載の有機エレク トロルミネッセンス素子。
[7] 前記第一電極が電気的に分離された複数のセルに仕切られており、該複数のセル がそれぞれ前記補助電極によって電気的に接続されている請求項 1〜6のうちのい ずれか一項に記載の有機エレクト口ルミネッセンス素子。
[8] 前記補助電極が、前記第一電極の表面のうち、前記有機層と反対側の表面上に配 置されている請求項 1〜7のうちのいずれか一項に記載の有機エレクト口ルミネッセン ス素子。
[9] 請求項 1〜8のうちのいずれか一項に記載の有機エレクト口ルミネッセンス素子を備 えることを特徴とする面状光源。
[10] 請求項 1〜8のうちのいずれか一項に記載の有機エレクト口ルミネッセンス素子を備 えることを特徴とするセグメント表示装置。
[11] 請求項 1〜8のうちのいずれか一項に記載の有機エレクト口ルミネッセンス素子を備 えることを特徴とするドットマトリックス表示装置。
[12] 請求項 1〜8のうちのいずれか一項に記載の有機エレクト口ルミネッセンス素子を備 えることを特徴とする液晶表示装置。
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Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20120298174A1 (en) * 2010-01-07 2012-11-29 Dai Nippon Printing Co., Ltd. Organic thin film solar cell
JP2012533877A (ja) * 2009-07-16 2012-12-27 エルジー・ケム・リミテッド 伝導体およびその製造方法
US8994044B2 (en) 2009-12-11 2015-03-31 Nederlandse Organisatie Voor Toegepast—Natuurwetenschappelijk Onderzoek Tno Electro-optical device, electrode therefore, and method and apparatus of manufacturing an electrode and the electro-optical device provided therewith

Families Citing this family (14)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101385747B1 (ko) * 2007-09-21 2014-04-21 삼성전자주식회사 전자 종이 표시 유니트 및 이를 갖는 이동 통신 단말기
KR20100090628A (ko) 2009-02-06 2010-08-16 주식회사 엘지화학 절연된 도전성 패턴의 제조 방법
KR101137192B1 (ko) 2009-02-06 2012-04-19 주식회사 엘지화학 절연된 도전성 패턴의 제조 방법 및 적층체
KR101156275B1 (ko) 2009-02-06 2012-06-13 주식회사 엘지화학 터치스크린 및 이의 제조방법
WO2011008055A2 (ko) * 2009-07-16 2011-01-20 주식회사 엘지화학 전도체 및 이의 제조방법
AU2011226985B2 (en) * 2011-09-30 2014-05-01 Canon Kabushiki Kaisha Image retrieval method
EP2720121B1 (en) 2011-12-23 2017-09-06 LG Chem, Ltd. Conductive substrate and electronic device comprising same
TWI674671B (zh) * 2013-05-28 2019-10-11 日商新力股份有限公司 顯示裝置及電子機器
JP6107553B2 (ja) * 2013-09-06 2017-04-05 豊田合成株式会社 Ｌｅｄ発光装置
CN103933657A (zh) * 2014-04-28 2014-07-23 杭州爱光医疗器械有限公司 基于有机发光器件的医用导流管
JP6644486B2 (ja) * 2015-06-24 2020-02-12 パイオニア株式会社 発光装置
KR102456121B1 (ko) * 2015-12-15 2022-10-17 엘지디스플레이 주식회사 광 제어 장치, 그를 포함한 투명표시장치, 및 그의 제조방법
CN111599840B (zh) * 2020-04-16 2023-03-31 北京迈格威科技有限公司 显示面板及电子设备
JP2024049401A (ja) * 2021-02-04 2024-04-10 株式会社ジャパンディスプレイ 電子機器

Citations (60)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS6370257A (ja) 1986-09-12 1988-03-30 Fuji Xerox Co Ltd 電子写真用電荷輸送材料
JPS63175860A (ja) 1987-01-16 1988-07-20 Fuji Xerox Co Ltd 電子写真感光体
JPH02135361A (ja) 1988-11-16 1990-05-24 Fuji Xerox Co Ltd 電子写真感光体
JPH02135359A (ja) 1988-11-16 1990-05-24 Fuji Xerox Co Ltd 電子写真感光体
JPH02209988A (ja) 1989-02-10 1990-08-21 Idemitsu Kosan Co Ltd 薄膜エレクトロルミネッセンス素子
JPH02311591A (ja) 1989-05-25 1990-12-27 Mitsubishi Kasei Corp 有機電界発光素子
JPH0337992A (ja) 1989-07-04 1991-02-19 Idemitsu Kosan Co Ltd 有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法
JPH03152184A (ja) 1989-11-08 1991-06-28 Nec Corp 有機薄膜ｅｌ素子
WO1995007955A1 (de) 1993-09-15 1995-03-23 Hoechst Aktiengesellschaft Verwendung von polymeren mit isolierten chromophoren als elektrolumineszenzmaterialien
WO1996010617A1 (de) 1994-09-30 1996-04-11 Hoechst Aktiengesellschaft Poly(paraphenylenvinylen)-derivate und ihre verwendung als elektrolumineszenzmaterialien
EP0707020A2 (de) 1994-10-14 1996-04-17 Hoechst Aktiengesellschaft Konjugierte Polymere mit Spirozentren und ihre Verwendung als Elektrolumineszenzmaterialien
WO1996029356A2 (de) 1995-03-20 1996-09-26 Hoechst Aktiengesellschaft OLIGO-p-PHENYLEN-EINHEITEN ENTHALTENDE POLYMERE, VERFAHREN ZU IHRER HERSTELLUNG SOWIE IHRE VERWENDUNG
WO1997005184A1 (en) 1995-07-28 1997-02-13 The Dow Chemical Company 2,7-aryl-9-substituted fluorenes and 9-substituted fluorene oligomers and polymers
JPH0945478A (ja) 1995-02-01 1997-02-14 Sumitomo Chem Co Ltd 高分子蛍光体とその製造方法および有機エレクトロルミネッセンス素子
WO1997009394A1 (de) 1995-09-04 1997-03-13 Hoechst Research & Technology Deutschland Gmbh & Co. Kg Polymere mit triarylamin-einheiten als elektrolumineszenzmaterialien
JPH09111233A (ja) 1995-10-16 1997-04-28 Sumitomo Chem Co Ltd 高分子蛍光体、その製造方法及び有機エレクトロルミネッセンス素子
WO1998006773A1 (en) 1996-08-13 1998-02-19 The Dow Chemical Company Poly(arylamines) and films thereof
US5741921A (en) 1994-11-25 1998-04-21 Hoechst Aktiengesellschaft Conjugated polymers containing hetero-spiro atoms and their use as electroluminescence materials
JPH10114891A (ja) 1996-08-21 1998-05-06 Sumitomo Chem Co Ltd 高分子蛍光体および有機エレクトロルミネッセンス素子
WO1998021262A1 (de) 1996-11-13 1998-05-22 Aventis Research & Technologies Gmbh & Co Kg Geordnete poly(arylenvinylen)-terpolymere, verfahren zu ihrer herstellung und ihre verwendung als elektrolumineszenzmaterialien
US5763636A (en) 1995-10-12 1998-06-09 Hoechst Aktiengesellschaft Polymers containing spiro atoms and methods of using the same as electroluminescence materials
WO1998027136A1 (de) 1996-12-16 1998-06-25 Aventis Research & Technologies Gmbh & Co Kg ARYLSUBSTITUIERTE POLY(p-ARYLENVINYLENE), VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG UND DEREN VERWENDUNG IN ELEKTROLUMINESZENZBAUELEMENTEN
US5777070A (en) 1997-10-23 1998-07-07 The Dow Chemical Company Process for preparing conjugated polymers
JPH10324870A (ja) 1997-05-23 1998-12-08 Sumitomo Chem Co Ltd 高分子蛍光体および有機エレクトロルミネッセンス素子
JPH1135687A (ja) 1997-07-17 1999-02-09 Sumitomo Chem Co Ltd ポリシラン共重合体、その製造方法、それを用いた有機エレクトロルミネッセンス素子及び電子写真感光体
WO1999013692A1 (en) 1997-09-05 1999-03-18 Cambridge Display Technology Limited SELF-ASSEMBLED TRANSPORT LAYERS FOR OLEDs
WO1999024526A1 (de) 1997-11-05 1999-05-20 Axiva Gmbh Substituierte poly(arylenvinylene), verfahren zur herstellung und deren verwendung in elektrolumineszenzelementen
JPH11217392A (ja) 1997-02-28 1999-08-10 Sumitomo Chem Co Ltd 含ケイ素化合物およびそれを用いた有機エレクトロルミネッセンス素子
WO1999048160A1 (en) 1998-03-13 1999-09-23 Cambridge Display Technology Ltd. Electroluminescent devices
WO1999054385A1 (en) 1998-04-21 1999-10-28 The Dow Chemical Company Fluorene-containing polymers and electroluminescent devices therefrom
WO1999054943A1 (en) 1998-04-21 1999-10-28 The Dow Chemical Company Organic electroluminescent devices with improved stability in air
WO2000006665A1 (en) 1998-07-28 2000-02-10 The Dow Chemical Company Organic electroluminescent devices
GB2340304A (en) 1998-08-21 2000-02-16 Cambridge Display Tech Ltd Organic light emitters
JP2000080167A (ja) 1997-07-22 2000-03-21 Sumitomo Chem Co Ltd 正孔輸送性高分子とその製造方法および有機エレクトロルミネッセンス素子
JP2000104057A (ja) 1998-07-27 2000-04-11 Sumitomo Chem Co Ltd 高分子蛍光体および高分子発光素子
WO2000022027A1 (de) 1998-10-10 2000-04-20 Celanese Ventures Gmbh Konjugierte polymere enthaltend 2,7-fluorenyleinheiten mit verbesserten eigenschaften
WO2000022026A1 (de) 1998-10-10 2000-04-20 Celanese Ventures Gmbh Konjugierte polymere, enthaltend spezielle fluoren-bausteine mit verbesserten eigenschaften
JP2000136379A (ja) 1998-06-10 2000-05-16 Sumitomo Chem Co Ltd 高分子蛍光体および有機エレクトロルミネッセンス素子
WO2000035987A1 (de) 1998-12-15 2000-06-22 Celanese Ventures Gmbh Verfahren zur herstellung von derivaten des polyarylenvinylen
WO2000046321A1 (en) 1999-02-04 2000-08-10 The Dow Chemical Company Fluorene copolymers and devices made therefrom
JP2000252065A (ja) 1999-02-25 2000-09-14 Sumitomo Chem Co Ltd 高分子発光素子
WO2000053655A1 (de) 1998-02-13 2000-09-14 Celanese Ventures Gmbh Triptycen-polymere und -copolymere
WO2000053656A1 (en) 1999-03-05 2000-09-14 Cambridge Display Technology Limited Polymer preparation
WO2000055927A1 (en) 1999-03-12 2000-09-21 Cambridge Display Technology Limited Polymers, their preparation and uses
GB2348316A (en) 1999-03-26 2000-09-27 Cambridge Display Tech Ltd Organic opto-electronic device
JP2000299189A (ja) 1999-02-09 2000-10-24 Sumitomo Chem Co Ltd 高分子発光素子ならびにそれを用いた表示装置および面状光源
JP2000303066A (ja) 1999-04-21 2000-10-31 Sumitomo Chem Co Ltd 高分子蛍光体およびそれを用いた高分子発光素子
JP2000351967A (ja) 1999-04-09 2000-12-19 Sumitomo Chem Co Ltd 高分子蛍光体およびそれを用いた高分子発光素子
JP2001003045A (ja) 1999-04-21 2001-01-09 Sumitomo Chem Co Ltd 高分子蛍光体およびそれを用いた高分子発光素子
WO2001019834A1 (en) 1999-09-16 2001-03-22 Cambridge Display Technology Limited Preparation of benzenediboronic acid via a disilylated aryl-intermediate
JP2001123156A (ja) 1999-08-03 2001-05-08 Sumitomo Chem Co Ltd 高分子蛍光体およびそれを用いた高分子発光素子
WO2001034722A1 (de) 1999-11-09 2001-05-17 Covion Organic Semiconductors Gmbh Substituierte poly(arylenvinylene), verfahren zur herstellung und deren verwendung in elektrolumineszenzvorrichtungen
JP2001181618A (ja) 1999-12-27 2001-07-03 Sumitomo Chem Co Ltd 高分子蛍光体の製造方法および高分子発光素子
JP2002014211A (ja) * 2000-04-24 2002-01-18 Matsushita Electric Ind Co Ltd 反射板、反射型液晶表示装置及びその製造方法、光学部材、表示装置、照明装置、表示板、並びに波動部材
JP2002156633A (ja) * 2000-11-20 2002-05-31 Stanley Electric Co Ltd 照明付き液晶表示装置および面状発光素子光源の製造方法
JP2002318553A (ja) * 2001-04-20 2002-10-31 Toshiba Corp 自己発光型表示装置
JP2002318556A (ja) * 2001-04-20 2002-10-31 Toshiba Corp アクティブマトリクス型平面表示装置およびその製造方法
JP2004014128A (ja) 2002-06-03 2004-01-15 Toyota Industries Corp 面状発光装置
JP2004279473A (ja) * 2003-03-12 2004-10-07 Shin Sti Technology Kk フォトマスク及び拡散反射板
JP2004354599A (ja) * 2003-05-28 2004-12-16 Toshiba Matsushita Display Technology Co Ltd 反射体及びこれを用いた液晶表示装置

Family Cites Families (15)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH08180974A (ja) 1994-12-26 1996-07-12 Nippondenso Co Ltd Ｅｌ素子およびその製造方法
US6037005A (en) * 1998-05-12 2000-03-14 3M Innovative Properties Company Display substrate electrodes with auxiliary metal layers for enhanced conductivity
JPH11339970A (ja) 1998-05-26 1999-12-10 Tdk Corp 有機ｅｌ表示装置
JP2000091083A (ja) 1998-09-09 2000-03-31 Sony Corp 有機ｅｌディスプレイ
TW572990B (en) * 2000-03-16 2004-01-21 Sumitomo Chemical Co Polymeric fluorescent substance, polymeric fluorescent substance solution and polymer light-emitting device using the same substance
EP1195625A4 (en) * 2000-04-17 2006-06-28 Matsushita Electric Ind Co Ltd REFLECTIVE PANEL, REFLECTING TYPE LIQUID CRYSTAL DISPLAY UNIT AND METHOD FOR PRODUCING THE SAME, OPTICAL ELEMENT, DISPLAY UNIT, LIGHTING DEVICE, DISPLAY PANEL, AND INDULATING ELEMENT
JP3815221B2 (ja) * 2001-01-11 2006-08-30 セイコーエプソン株式会社 照明装置、表示装置、並びに電子機器
JP2002280172A (ja) 2001-03-15 2002-09-27 Seiko Epson Corp 有機ｅｌ表示パネルおよびその製造方法
TWI257496B (en) * 2001-04-20 2006-07-01 Toshiba Corp Display device and method of manufacturing the same
KR100404203B1 (ko) * 2001-08-21 2003-11-03 엘지전자 주식회사 트리플 스캔 구조의 유기 ｅｌ 소자
JP2003092190A (ja) 2001-09-19 2003-03-28 Victor Co Of Japan Ltd 有機エレクトロルミネセンス素子及びその製造方法
JP4058930B2 (ja) 2001-10-09 2008-03-12 セイコーエプソン株式会社 有機エレクトロルミネッセンス装置及びその製造方法、並びに電子機器
KR100465883B1 (ko) * 2002-05-03 2005-01-13 엘지.필립스 엘시디 주식회사 유기전계 발광소자와 그 제조방법
JP4165478B2 (ja) * 2003-11-07 2008-10-15 セイコーエプソン株式会社 発光装置及び電子機器
KR100549984B1 (ko) * 2003-12-29 2006-02-07 엘지.필립스 엘시디 주식회사 듀얼패널타입 유기전계발광 소자 및 그 제조방법

Patent Citations (60)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS6370257A (ja) 1986-09-12 1988-03-30 Fuji Xerox Co Ltd 電子写真用電荷輸送材料
JPS63175860A (ja) 1987-01-16 1988-07-20 Fuji Xerox Co Ltd 電子写真感光体
JPH02135361A (ja) 1988-11-16 1990-05-24 Fuji Xerox Co Ltd 電子写真感光体
JPH02135359A (ja) 1988-11-16 1990-05-24 Fuji Xerox Co Ltd 電子写真感光体
JPH02209988A (ja) 1989-02-10 1990-08-21 Idemitsu Kosan Co Ltd 薄膜エレクトロルミネッセンス素子
JPH02311591A (ja) 1989-05-25 1990-12-27 Mitsubishi Kasei Corp 有機電界発光素子
JPH0337992A (ja) 1989-07-04 1991-02-19 Idemitsu Kosan Co Ltd 有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法
JPH03152184A (ja) 1989-11-08 1991-06-28 Nec Corp 有機薄膜ｅｌ素子
WO1995007955A1 (de) 1993-09-15 1995-03-23 Hoechst Aktiengesellschaft Verwendung von polymeren mit isolierten chromophoren als elektrolumineszenzmaterialien
WO1996010617A1 (de) 1994-09-30 1996-04-11 Hoechst Aktiengesellschaft Poly(paraphenylenvinylen)-derivate und ihre verwendung als elektrolumineszenzmaterialien
EP0707020A2 (de) 1994-10-14 1996-04-17 Hoechst Aktiengesellschaft Konjugierte Polymere mit Spirozentren und ihre Verwendung als Elektrolumineszenzmaterialien
US5741921A (en) 1994-11-25 1998-04-21 Hoechst Aktiengesellschaft Conjugated polymers containing hetero-spiro atoms and their use as electroluminescence materials
JPH0945478A (ja) 1995-02-01 1997-02-14 Sumitomo Chem Co Ltd 高分子蛍光体とその製造方法および有機エレクトロルミネッセンス素子
WO1996029356A2 (de) 1995-03-20 1996-09-26 Hoechst Aktiengesellschaft OLIGO-p-PHENYLEN-EINHEITEN ENTHALTENDE POLYMERE, VERFAHREN ZU IHRER HERSTELLUNG SOWIE IHRE VERWENDUNG
WO1997005184A1 (en) 1995-07-28 1997-02-13 The Dow Chemical Company 2,7-aryl-9-substituted fluorenes and 9-substituted fluorene oligomers and polymers
WO1997009394A1 (de) 1995-09-04 1997-03-13 Hoechst Research & Technology Deutschland Gmbh & Co. Kg Polymere mit triarylamin-einheiten als elektrolumineszenzmaterialien
US5763636A (en) 1995-10-12 1998-06-09 Hoechst Aktiengesellschaft Polymers containing spiro atoms and methods of using the same as electroluminescence materials
JPH09111233A (ja) 1995-10-16 1997-04-28 Sumitomo Chem Co Ltd 高分子蛍光体、その製造方法及び有機エレクトロルミネッセンス素子
WO1998006773A1 (en) 1996-08-13 1998-02-19 The Dow Chemical Company Poly(arylamines) and films thereof
JPH10114891A (ja) 1996-08-21 1998-05-06 Sumitomo Chem Co Ltd 高分子蛍光体および有機エレクトロルミネッセンス素子
WO1998021262A1 (de) 1996-11-13 1998-05-22 Aventis Research & Technologies Gmbh & Co Kg Geordnete poly(arylenvinylen)-terpolymere, verfahren zu ihrer herstellung und ihre verwendung als elektrolumineszenzmaterialien
WO1998027136A1 (de) 1996-12-16 1998-06-25 Aventis Research & Technologies Gmbh & Co Kg ARYLSUBSTITUIERTE POLY(p-ARYLENVINYLENE), VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG UND DEREN VERWENDUNG IN ELEKTROLUMINESZENZBAUELEMENTEN
JPH11217392A (ja) 1997-02-28 1999-08-10 Sumitomo Chem Co Ltd 含ケイ素化合物およびそれを用いた有機エレクトロルミネッセンス素子
JPH10324870A (ja) 1997-05-23 1998-12-08 Sumitomo Chem Co Ltd 高分子蛍光体および有機エレクトロルミネッセンス素子
JPH1135687A (ja) 1997-07-17 1999-02-09 Sumitomo Chem Co Ltd ポリシラン共重合体、その製造方法、それを用いた有機エレクトロルミネッセンス素子及び電子写真感光体
JP2000080167A (ja) 1997-07-22 2000-03-21 Sumitomo Chem Co Ltd 正孔輸送性高分子とその製造方法および有機エレクトロルミネッセンス素子
WO1999013692A1 (en) 1997-09-05 1999-03-18 Cambridge Display Technology Limited SELF-ASSEMBLED TRANSPORT LAYERS FOR OLEDs
US5777070A (en) 1997-10-23 1998-07-07 The Dow Chemical Company Process for preparing conjugated polymers
WO1999024526A1 (de) 1997-11-05 1999-05-20 Axiva Gmbh Substituierte poly(arylenvinylene), verfahren zur herstellung und deren verwendung in elektrolumineszenzelementen
WO2000053655A1 (de) 1998-02-13 2000-09-14 Celanese Ventures Gmbh Triptycen-polymere und -copolymere
WO1999048160A1 (en) 1998-03-13 1999-09-23 Cambridge Display Technology Ltd. Electroluminescent devices
WO1999054943A1 (en) 1998-04-21 1999-10-28 The Dow Chemical Company Organic electroluminescent devices with improved stability in air
WO1999054385A1 (en) 1998-04-21 1999-10-28 The Dow Chemical Company Fluorene-containing polymers and electroluminescent devices therefrom
JP2000136379A (ja) 1998-06-10 2000-05-16 Sumitomo Chem Co Ltd 高分子蛍光体および有機エレクトロルミネッセンス素子
JP2000104057A (ja) 1998-07-27 2000-04-11 Sumitomo Chem Co Ltd 高分子蛍光体および高分子発光素子
WO2000006665A1 (en) 1998-07-28 2000-02-10 The Dow Chemical Company Organic electroluminescent devices
GB2340304A (en) 1998-08-21 2000-02-16 Cambridge Display Tech Ltd Organic light emitters
WO2000022027A1 (de) 1998-10-10 2000-04-20 Celanese Ventures Gmbh Konjugierte polymere enthaltend 2,7-fluorenyleinheiten mit verbesserten eigenschaften
WO2000022026A1 (de) 1998-10-10 2000-04-20 Celanese Ventures Gmbh Konjugierte polymere, enthaltend spezielle fluoren-bausteine mit verbesserten eigenschaften
WO2000035987A1 (de) 1998-12-15 2000-06-22 Celanese Ventures Gmbh Verfahren zur herstellung von derivaten des polyarylenvinylen
WO2000046321A1 (en) 1999-02-04 2000-08-10 The Dow Chemical Company Fluorene copolymers and devices made therefrom
JP2000299189A (ja) 1999-02-09 2000-10-24 Sumitomo Chem Co Ltd 高分子発光素子ならびにそれを用いた表示装置および面状光源
JP2000252065A (ja) 1999-02-25 2000-09-14 Sumitomo Chem Co Ltd 高分子発光素子
WO2000053656A1 (en) 1999-03-05 2000-09-14 Cambridge Display Technology Limited Polymer preparation
WO2000055927A1 (en) 1999-03-12 2000-09-21 Cambridge Display Technology Limited Polymers, their preparation and uses
GB2348316A (en) 1999-03-26 2000-09-27 Cambridge Display Tech Ltd Organic opto-electronic device
JP2000351967A (ja) 1999-04-09 2000-12-19 Sumitomo Chem Co Ltd 高分子蛍光体およびそれを用いた高分子発光素子
JP2000303066A (ja) 1999-04-21 2000-10-31 Sumitomo Chem Co Ltd 高分子蛍光体およびそれを用いた高分子発光素子
JP2001003045A (ja) 1999-04-21 2001-01-09 Sumitomo Chem Co Ltd 高分子蛍光体およびそれを用いた高分子発光素子
JP2001123156A (ja) 1999-08-03 2001-05-08 Sumitomo Chem Co Ltd 高分子蛍光体およびそれを用いた高分子発光素子
WO2001019834A1 (en) 1999-09-16 2001-03-22 Cambridge Display Technology Limited Preparation of benzenediboronic acid via a disilylated aryl-intermediate
WO2001034722A1 (de) 1999-11-09 2001-05-17 Covion Organic Semiconductors Gmbh Substituierte poly(arylenvinylene), verfahren zur herstellung und deren verwendung in elektrolumineszenzvorrichtungen
JP2001181618A (ja) 1999-12-27 2001-07-03 Sumitomo Chem Co Ltd 高分子蛍光体の製造方法および高分子発光素子
JP2002014211A (ja) * 2000-04-24 2002-01-18 Matsushita Electric Ind Co Ltd 反射板、反射型液晶表示装置及びその製造方法、光学部材、表示装置、照明装置、表示板、並びに波動部材
JP2002156633A (ja) * 2000-11-20 2002-05-31 Stanley Electric Co Ltd 照明付き液晶表示装置および面状発光素子光源の製造方法
JP2002318553A (ja) * 2001-04-20 2002-10-31 Toshiba Corp 自己発光型表示装置
JP2002318556A (ja) * 2001-04-20 2002-10-31 Toshiba Corp アクティブマトリクス型平面表示装置およびその製造方法
JP2004014128A (ja) 2002-06-03 2004-01-15 Toyota Industries Corp 面状発光装置
JP2004279473A (ja) * 2003-03-12 2004-10-07 Shin Sti Technology Kk フォトマスク及び拡散反射板
JP2004354599A (ja) * 2003-05-28 2004-12-16 Toshiba Matsushita Display Technology Co Ltd 反射体及びこれを用いた液晶表示装置

Non-Patent Citations (14)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
ADV. MATER., vol. 11, no. 10, 1999, pages 852
APPL. PHYS. LETT., vol. 71, no. 18, 1997, pages 2596
APPL. PHYS. LETT., vol. 75, no. 1, 1999, pages 4
J. AM. CHEM. SOC., vol. 123, 2001, pages 4304
JPN. J. APPL. PHYS., vol. 34, 1995, pages 1883
KUNIHIRO; ICHIMURA: "UV-EB Kokagijutsu No Genjo To Tembo (UV/EB-curing Technology: present and perspective)", 2002, CMC PUBLISHING CO., LTD.
NATURE, vol. 395, 1998, pages 151
ORGANIC LIGHT-EMITTING MATERIALS AND DEVICES IV, vol. 119
PROC. SPIE-INT. SOC. OPT. ENG., vol. 4105, 2001
See also references of EP2059095A4
SHIZUO TOKITO; CHIHAYA ADACHI; HIDEYUKI MURATA: "Yuki EL Display (Organic EL Display)", 2004, OHMSHA LTD., pages: 17 - 48
SYN. MET., vol. 94, no. 1, 1998, pages 103
SYN. MET., vol. 99, no. 2, 1999, pages 1361
TOSHIHIRO ONISHI; TAMAMI KOYAMA: "Kobunshi EL Zairyo (High Molecular EL Materials)", KYORITSU SHUPPAN CO., LTD., pages: 33 - 58

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2012533877A (ja) * 2009-07-16 2012-12-27 エルジー・ケム・リミテッド 伝導体およびその製造方法
JP2014017519A (ja) * 2009-07-16 2014-01-30 Lg Chem Ltd 伝導体およびその製造方法
US8994044B2 (en) 2009-12-11 2015-03-31 Nederlandse Organisatie Voor Toegepast—Natuurwetenschappelijk Onderzoek Tno Electro-optical device, electrode therefore, and method and apparatus of manufacturing an electrode and the electro-optical device provided therewith
US20120298174A1 (en) * 2010-01-07 2012-11-29 Dai Nippon Printing Co., Ltd. Organic thin film solar cell

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