WO2006095612A1 - 有機エレクトロルミネッセンス用樹脂フィルム基板および有機エレクトロルミネッセンスデバイス - Google Patents

有機エレクトロルミネッセンス用樹脂フィルム基板および有機エレクトロルミネッセンスデバイス Download PDF

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Kazuhiro Fukuda
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Definitions

  • the present invention relates to a resin film substrate for organic-elect mouth luminescence and an organic-elect mouth luminescence device using the resin film substrate.
  • organic EL organic electroluminescence
  • a problem is that light extraction efficiency is low.
  • the refractive index of the light emitting layer is about 1.6 to 1.7 due to the influence of the refractive index of the illuminant, only about 20% of the total amount of emitted light can be extracted. It is totally reflected at the interface formed between the two and is confined in the layer.
  • Patent Document 2 a method has been proposed in which a substrate or a transparent intermediate layer is provided on the substrate to form random irregularities, and a transparent electrode, an organic layer, an electrode, and the like are further formed thereon.
  • Patent Document 4 it has been proposed to use a sheet that diffuses light. Furthermore, a method of improving light extraction by forming a transparent conductive film in contact with one surface of the low refractive index body (see Patent Document 5), or between a light emitting layer containing ITO and a substrate A method of improving the extraction efficiency by providing a hard coat layer having a concavo-convex structure for light diffusion and a low refractive index layer between them (see Patent Document 6) is known.
  • organic EL devices are sensitive to gases such as moisture and oxygen, and have a great influence on the lifetime of organic EL devices. Since the resin film substrate has a low gas barrier property against moisture and oxygen, it is necessary to form a gas noria layer when using the film substrate in order to prevent the influence of gases such as moisture and oxygen.
  • Patent Document 1 Japanese Patent Laid-Open No. 10-81860
  • Patent Document 2 JP-A-1 186588
  • Patent Document 3 Japanese Patent No. 3496492
  • Patent Document 4 Japanese Patent No. 2931211
  • the present invention has been made in view of the above problems, and an object of the present invention is to provide a resin film substrate for organic-electric-mouth luminescence provided with at least one gas layer, and the gas layer.
  • an object of the present invention is to provide a resin film substrate for organic-electric-mouth luminescence provided with at least one gas layer, and the gas layer.
  • the present invention provides a resin film substrate for organic electoluminescence and an organic electoluminescence device that achieves low cost while improving functionality. is there.
  • the surface of the layer constituting the outermost surface on the side having the gas barrier layer on the side of the resin film for organic electoluminescence that has at least one gas barrier layer on the resin film is light.
  • a layer for diffracting or diffusing light on a resin film substrate for organic electricular luminescence having at least one gas nolia layer on the resin film and constituting the outermost surface on the side having the gas barrier layer A resin film substrate for organic electricular luminescence.
  • the layer constituting the outermost surface on the side having the gas barrier layer is a low refractive index layer having a refractive index of 1.50 or less, 1.03 or more, and a thickness of 0.3 m or more. 3.
  • a layer constituting the outermost surface on the side having the gas barrier layer over the resin film substrate for organic electoluminescence having at least one gas barrier layer on the resin film has a refractive index.
  • High refractive index layer of 45 or more and 2. 10 or less, adjacent to the high refractive index layer
  • a layer constituting the outermost surface on the side having the gas barrier layer over the resin film substrate for organic electoluminescence having at least one gas barrier layer on the resin film has a refractive index.
  • a high refractive index layer having a refractive index of 45 or more and 2. 10 or less, and a layer adjacent to the high refractive index layer is a layer that diffracts or diffuses light. substrate.
  • the layer adjacent to the layer constituting the outermost surface on the side having the gas barrier layer is a low refractive index layer having a refractive index of 1.50 or less and 1.03 or more.
  • a low-cost resin film substrate for organic-electrical-mouth luminescence that has a gas-nolia layer having a high gas-noria property and improved light extraction function, and the resin film substrate for organic-electric-mouth luminescence are used.
  • FIG. 1 is a diagram showing an example of a cross-sectional configuration of a resin film substrate for organic electrification with a laminated configuration in which a gas noria layer and a stress relaxation layer are combined.
  • FIG. 2 is a diagram showing an example of an uneven structure that acts as a diffraction grating.
  • FIG. 3 is a cross-sectional view showing an example of a resin film substrate for organic electrification with an optical diffraction structure provided on the stress relaxation layer surface on the gas noria layer.
  • FIG. 4 is a cross-sectional view showing an example of a resin film substrate for organic electroluminescence in which the surface of the stress relaxation layer on the gas barrier layer has a diffusion structure for diffusing light.
  • FIG. 5 is a cross-sectional view showing an example of a resin film substrate for organic electoluminescence with a diffusion layer serving also as a stress relaxation layer provided on the outermost surface.
  • FIG. 6 is a cross-sectional configuration diagram showing an example of a resin film substrate for organic electoluminescence, which has a gas barrier layer formed on the outermost surface with a material having a high refractive index on the diffractive structure.
  • FIG. 7 is a cross-sectional configuration diagram showing an example of a resin film substrate for organic-electric-mouth luminescence in which a light diffusing layer is also provided immediately below the outermost gas barrier layer that also serves as a stress relaxation layer.
  • FIG. 8 is a diagram schematically showing an example of a cross-sectional structure of an organic electoluminescence device in which an organic electoluminescence device is formed and sealed on the resin film substrate for organic electoluminescence of the present invention.
  • the resin film substrate for organic electoluminescence of the present invention is a plastic film.
  • the resin film substrate for organic EL of the present invention is excellent in gas nooricity, and has also been improved to simultaneously improve the light extraction efficiency, which is also a major problem of organic EL elements.
  • the present invention introduces a gas noble layer and a structure for diffracting or diffusing light, and simultaneously achieves improved gas nore and a light extraction efficiency. It is about.
  • the gas barrier layer the water vapor permeability coefficient of 1 X 10- 6 g'm / m 2 / day ⁇ 1 X lO 'g -m / mVday, the oxygen permeability coefficient is 1 X 10- 4 ml 'mZm 2 Zday ⁇ l X 10 _1 ml- mZm 2 Zday is a layer with material strength, and it is measured according to JIS K7129 B method on the resin film substrate produced by forming the gas barrier layer.
  • the water vapor transmission rate is 0.1 lg / m 2 / day or less, preferably 0.01 g / m 2 / day or less, and the oxygen transmission rate is 0.1 mlZm 2 Zday or less, preferably 0.01 mlZm 2 Zday or less.
  • a gas barrier film with excellent gas barrier properties can be obtained.
  • the composition of the gas barrier layer according to the present invention is not particularly limited as long as the gas barrier layer is a film that blocks permeation of oxygen and water vapor, but the gas barrier layer (film) according to the present invention is configured.
  • the material is preferably a ceramic film such as a metal oxide, metal nitride, metal sulfide, or metal carbide. Specifically, an inorganic oxide is more preferable.
  • the method for producing the ceramic film is not particularly limited.
  • the ceramic film is formed by using a wet method such as a sol-gel method using alkoxide such as silicon or titanium as a metal compound raw material.
  • sputtering method, ion assist method, and there is! / which is formed by applying plasma CVD method described later, plasma CVD method under atmospheric pressure or pressure near atmospheric pressure, etc. Even what was done!
  • the base material is an organic material.
  • the usable substrate or solvent is limited, and a plasma CVD method described later and a method using a plasma CVD method under atmospheric pressure or pressure near atmospheric pressure are preferable.
  • the method using atmospheric pressure plasma CVD is particularly preferable because it does not require a decompression chamber or the like, enables high-speed film formation, and has high productivity.
  • the thickness of the ceramic film is in the range of 5 to 2000 nm. Preferably there is. If the thickness is less than 5 nm, a sufficient moisture-proof effect cannot be obtained due to many film defects. If the thickness exceeds 2000 nm, the moisture-proof effect is theoretically high, but if it is too large, the internal stress is large and the crack tends to break, the desired moisture-proof effect cannot be obtained, and the resin film substrate retains flexibility. There is a risk that cracks may occur in the gas layer due to external factors such as bending and tension after film formation.
  • an organic metal compound is used as the raw material compound. It may be in a gas, liquid, or solid state at normal temperature and pressure. In the case of gas, a force that can be introduced into the discharge space as it is. In the case of liquid or solid, once the gas is vaporized by means such as heating, publishing, decompression or ultrasonic irradiation, the force is also used. From such a situation, as the organometallic compound, for example, a metal alkoxide having a boiling point of 200 ° C. or less is suitable.
  • a metal alkoxide as a silicon compound, for example, silane, tetramethoxysilane, tetraethoxysilane (TEOS), tetra n-propoxysilane, etc.
  • titanium compound for example, titanium methoxide, Titanium ethoxide, titanium isopropoxide, titanium tetraisoporopoxide, etc.
  • zirconium compounds for example, zirconium n-propoxide, etc.
  • aluminum compounds for example, aluminum ethoxide, aluminum triisopropoxide, aluminum Isopropoxide isotonic
  • antimony ethoxide, arsenic triethoxide, zinc acetyl cetate, jetyl zinc and the like can be mentioned.
  • a decomposition gas is used in combination to constitute a reactive gas.
  • the cracked gas include hydrogen gas and water vapor.
  • these reactive gases are mixed mainly with a discharge gas that tends to be in a plasma state.
  • a discharge gas nitrogen gas, Group 18 atom of the periodic table, specifically, helium, neon, argon or the like is used. Nitrogen is particularly preferred because of its low cost.
  • the discharge gas and the reactive gas are mixed, and a plasma discharge generator (Blaz).
  • the film is formed by supplying to the generator.
  • the ratio of the discharge gas and the reactive gas varies depending on the properties of the target film.
  • the reactive gas is supplied with the ratio of the discharge gas to 50% or more of the entire mixed gas.
  • a metal alkoxide or silicon alkoxide having a boiling point of 200 ° C or less (tetraalkoxysilane (TEOS)) is used as a raw material compound, oxygen is used as a decomposition gas, rare gas or nitrogen is used as a discharge gas. If an inert gas is used and plasma discharge is performed, a silicon oxide film which is preferable as the gas nootropic film according to the present invention can be formed.
  • TEOS tetraalkoxysilane
  • the gas noble layer is preferably transparent. This is because it can be used for applications such as a transparent substrate of an organic EL element (that is, a substrate on the light extraction side).
  • the light transmittance of the gas barrier film is more preferably 90% or more, preferably a transmittance of 80% or more when the measurement wavelength is 550 nm.
  • FIG. 1 is a diagram showing a cross-sectional configuration of a laminated structure including the gas nolia layer and the stress relaxation layer.
  • a gas layer 3 made of a dense hard ceramic film such as silicon oxide and a stress relaxation layer 4 that is more flexible and can relieve stress, such as a polymer layer using acrylic resin or the like. .
  • FIG. 1 is a diagram showing a cross-sectional configuration of a laminated structure including the gas nolia layer and the stress relaxation layer.
  • a gas layer 3 made of a dense hard ceramic film such as silicon oxide and a stress relaxation layer 4 that is more flexible and can relieve stress, such as a polymer layer using acrylic resin or the like.
  • the stress relaxation layer may be a layer that is more flexible than the gas barrier layer.
  • silicon oxide may be used to change the film composition (for example, carbon concentration in the film) to form a more flexible film.
  • the resin material used for such a stress relaxation layer acrylic resins, methacrylic resin materials, homopolymers such as ethylene, polypropylene and butene, or polyolefins (PO) such as copolymers or copolymers, etc.
  • the film is not particularly limited as long as it is a film formed of an organic material capable of holding a gas noble layer, which is preferably a resin material such as polyethylene resin or polyethylene terephthalate.
  • the thickness of the stress relaxation layer is generally within a range of 5 to 2000 nm, and the thickness of the stress relaxation layer is the same as that of the gas barrier layer according to the present invention, depending on the required bending strength, flexibility, or gas noirality. Selected.
  • the resin film substrate used in the resin film substrate for organic EL of the present invention is a film substrate having an organic material force capable of holding the above-described gas noria layer having barrier properties. If there is, it will not be particularly limited.
  • polyester polyolefin such as polyolefin (PO) resin, amorphous polyolefin resin (APO) such as cyclic polyolefin, polyethylene terephthalate (PET), polyethylene 2,6-naphthalate (PEN), etc.
  • Oil Polyimide (PI) resin, Polyetherimide (PEI) resin, Polysulfone (PS) resin, Polyethersulfone (PES) resin, Polyetheretherketone (PEEK) resin, Polycarbonate (PC) resin Fats, etc.
  • PI Polyimide
  • PS Polysulfone
  • PS Polyethersulfone
  • PES Polyethersulfone
  • PEEK Polyetherketone
  • PC Polycarbonate
  • the resin film substrate according to the present invention may be subjected to a surface treatment such as a corona treatment in order to improve the adhesion to the gas barrier film, and an adhesive layer and an anchor coating agent layer may be provided. Form it.
  • the film thickness is preferably 10 to: more than LOOO ⁇ m forceps ⁇ is 50 to 500 ⁇ m.
  • the concavo-convex structure for diffracting or diffusing light according to the present invention is provided in the substrate or on the totally reflecting surface on the substrate. For example, by providing an uneven structure that diffracts or diffuses the light on the outermost surface of the substrate, for example, each layer of an organic EL element including a transparent electrode (anode) and a light emitting layer, a cathode, and the like are formed on the surface.
  • an organic EL element including a transparent electrode (anode) and a light emitting layer, a cathode, and the like are formed on the surface.
  • the concavo-convex structure that diffracts light is specifically provided at the interface where total reflection occurs and also has a concavo-convex structure force having a constant pitch (period).
  • the pitch (period) of the concavo-convex arrangement corresponds to a wavelength at which extraction efficiency is improved, and is 150 ⁇ ! Must have a constant value in the range of ⁇ 3000nm.
  • the uneven structure acting as a diffraction grating is described in, for example, Japanese Patent Application Laid-Open Nos. 11-283751 and 2003-115377. Since the stripe-shaped diffraction grating does not have a diffraction effect in the direction parallel to the stripe, it preferably operates as a diffraction grating uniformly from any direction in two dimensions.
  • the cross-sectional shape as viewed from the normal direction of the substrate surface or the display surface is preferably such that concave portions and convex portions having a predetermined shape are regularly formed on a plane at predetermined intervals.
  • the concave-convex shape of the hole constituting the concave portion may be a circle, a triangle, a quadrangle, or a polygon.
  • the inner diameter of the hole is preferably in the range of 75 ⁇ m to 1500 nm (assuming a circle with the same area).
  • the cross-sectional shape of the concave portion (dent) viewed from the plane direction may be hemispherical, rectangular, or pyramidal.
  • the depth of the recess is preferably in the range of 50 nm to 1600 nm, more preferably 50 nm to 1200 nm.
  • the arrangement of these concave portions is regularly and repeatedly repeated two-dimensionally, such as a square lattice shape (square lattice shape) or a honeycomb lattice shape.
  • the shape of the protrusion is the same as described above.
  • the shape viewed from the normal direction of the surface is circular, triangular, or quadrangular Or any of polygons.
  • the height of the protrusions and the pitch (cycle) are the same as in the case where the above-mentioned holes are formed.
  • FIG. 1 An example of the concavo-convex structure that functions as a diffraction grating formed in this way is shown in FIG.
  • a transparent electrode is formed on the substrate. Then, each layer of the organic EL element is sequentially formed, a counter electrode is formed, an organic EL element is formed, and light emission is taken out from the substrate side. This improves the light extraction efficiency of the wavelength corresponding to the pitch (period) of the concavo-convex structure.
  • a polymer film such as polymethyl methacrylate (hereinafter abbreviated as PMMA) or the like.
  • PMMA polymethyl methacrylate
  • an imprint technique for transferring the uneven shape of the mold can be used by heating and pressing with a mold provided with the unevenness.
  • a method can be used in which a mold provided with unevenness is brought into close contact, irradiated with ultraviolet light, and cured by photopolymerization to transfer the unevenness of the mold.
  • a metal oxide such as silicon oxide which is a gas barrier layer, is formed by etching, reactive ion etching or the like can be used.
  • the gel-like film is provided with irregularities.
  • An uneven shape can be formed by heating the pressed mold while pressing.
  • the concavo-convex structure for diffusing light is a structure for diffusing light by light diffraction, refraction, or reflection, and has an average pitch (period) of 0.3 ⁇ m to 20 ⁇ m, for example.
  • the unevenness is at least lOOnm or more compared to the amount of light emitted directly to the outside.
  • the pitch (period) of the corrugated shape is too long, light is absorbed by the light emitting layer before the scattering phenomenon occurs.
  • the average height is too large, it is not desirable because it becomes difficult to form a light emitting layer.
  • an imprint method for example, after forming a thermoplastic resin such as PMMA as a polymer film, An imprint method for transferring the waveform shape of the mold can be used by heating and pressurizing with a mold provided with. Alternatively, after applying the ultraviolet curable resin, a mold having a corrugated shape is brought into close contact, irradiated with ultraviolet light, and cured by photopolymerization to transfer the corrugated shape of the mold.
  • Reactive ion etching or the like can be used in the case where the gas barrier layer is formed by etching a metal oxide such as silicon oxide.
  • a mold having a corrugated shape is provided on the gel-like film.
  • a wave shape can be formed by heating with pressing.
  • the layer that diffracts or diffuses light is another structure for improving light extraction efficiency.
  • the layer when forming this on the outermost layer of the substrate, that is, the layer in contact with the organic EL element, the layer is For example, a layer containing spherical particles having a refractive index difference to some extent with a resin material (binder) to be formed and at least a refractive index difference of 0.03 or more, preferably 0.1 or more.
  • examples of such particles include inorganic materials such as glass, silica, and titer, and organic materials such as acrylic resin, polyester resin, and epoxy resin.
  • These particles preferably have a volume ratio of 10 to 90% with respect to a medium forming the layer, for example, a resin material. If these ranges are exceeded, a sufficient light diffusion function cannot be imparted.
  • the thickness of these layers is preferably in the range of 300 ⁇ to 50 / ⁇ ⁇ .
  • the layer medium is a resin material
  • the above-described resin material (polymer) solution a solvent that does not dissolve particles
  • the medium is formed by dispersing the particles and applying them on a coating substrate.
  • the medium of this layer preferably has a low refractive index.
  • fluorinated resin it is preferable to use fluorinated resin as a medium.
  • Fluorine resin contains perfluoroalkyl group, which is preferably curable fluorine resin
  • perfluoroalkyl group which is preferably curable fluorine resin
  • silanic compounds for example, (heptadecafluoro 1, 1, 2, 2-tetradecyl) triethoxysilane
  • fluorine-containing copolymers comprising a fluorine-containing monomer and a monomer for providing a crosslinkable group as constituent units Is mentioned.
  • fluorine-containing monomer unit examples include, for example, fluoroolefins (for example, fluoroethylene, vinylidene fluoride, tetrafluoroethylene, hexafluoroethylene, hexafluoropropylene, Perfluoro-2,2-dimethyl-1,3-dioxole), partially (meth) acrylic acid or fully fluorinated alkyl ester derivatives (for example, Biscoat 6FM (trade name, manufactured by Osaka Organic Chemicals) or M-2020 (product) Name, manufactured by Daikin, etc.), fully or partially fluorinated butyl ethers, etc.
  • fluoroolefins for example, fluoroethylene, vinylidene fluoride, tetrafluoroethylene, hexafluoroethylene, hexafluoropropylene, Perfluoro-2,2-dimethyl-1,3-dioxole
  • a monomer for imparting a crosslinkable group in addition to a (meth) acrylate monomer having a crosslinkable functional group preferentially in the molecule such as glycidylmetatalylate, a carboxyl group, a hydroxyl group, or an amino group
  • (meth) acrylate monomers having a sulfonic acid group and the like for example, (meth) acrylic acid, methylol (meth) acrylate, hydroxyalkyl (meth) acrylate, and arylacrylate.
  • the latter is preferable because a crosslinked structure can be introduced after copolymerization.
  • a copolymer with a monomer that does not contain a fluorine atom such as olefins, acrylates, and the like, which are only polymers having the above-mentioned fluorine-containing monomer as a structural unit, may be used.
  • curable fluorine resins are used for crosslinking by heat curing or irradiation with light (preferably ultraviolet rays, electron beams, etc.).
  • light preferably ultraviolet rays, electron beams, etc.
  • heat-crosslinkable fluorine resin there is a product name JN-7228 manufactured by JSR Corporation.
  • These hollow fine particles refer to particles having a particle wall and a hollow inside.
  • the above-mentioned SiO particles having microvoids inside the fine particles are further converted to an organosilicon compound.
  • the cavity inside the particle wall is a solvent or gas.
  • the refractive index of hollow fine particles is normal silica.
  • the barrier layer and the concavo-convex structure for diffracting or diffusing the light, or the layer for diffracting or diffusing the light are laminated or combined on the resin film substrate, and the gas noria property is obtained.
  • an organic EL element is formed to be high, the efficiency of extracting light from the light emitting layer is high, and a resin film substrate for organic EL is obtained.
  • These resin film substrates are used as the light extraction substrate, on which, for example, a transparent electrode serving as an anode, each layer of an organic EL element (described later), and a metal electrode serving as a cathode are laminated in this order, and the outside air, in particular,
  • the organic EL device of the present invention sealed from a gas that causes deterioration of the organic EL element due to water vapor or oxygen can be obtained.
  • the organic EL element After forming the organic EL element, if another gas-nore film is layered on the cathode, and at least the periphery is closely adhered and sealed, the cause of the deterioration of the organic EL element due to the outside air, especially water vapor or oxygen, etc. will be further increased. It is possible to isolate and protect organic EL devices.
  • FIG. 3 shows one embodiment of the present invention.
  • Figure 3 shows a structure in which a stress relaxation layer 4, a gas barrier layer 3, and further a stress relaxation layer 4 are laminated on a film substrate 1, and a diffractive structure is formed on the surface of the stress relaxation layer on the gas barrier layer, that is, the outermost surface of the resin film substrate. Is provided.
  • An uneven structure for diffracting light is provided on the outermost surface of the gas noble layer, and an ITOZ organic EL layer Z electrode is formed thereon, so that any one of the substrate, gas barrier layer, ITO, and organic EL layer is provided. It can be extracted outside by diffracting the light that is totally reflected and diffracted by the outside.
  • a PES (polyether sulphone) film (thickness: 200 m) is used in the above-mentioned resin film, and first, as a stress relaxation layer or an adhesive layer, A PMMA film is formed.
  • the PMMA film is introduced into the vacuum deposition apparatus according to the method described in the pamphlet of WO00Z36665. Introducing the polymethyl methacrylate oligomer and depositing it on the PES film substrate, the PMMA deposition film is taken out from the vacuum deposition apparatus. Then, ultraviolet rays are irradiated and polymerized in a dry nitrogen stream to form a polymer film of PMMA (film thickness is, for example, 200 nm).
  • a silicon oxide film is formed by an atmospheric pressure plasma CVD method using a thin film forming gas mainly composed of tetraethoxysilane as a gas noble layer and nitrogen as a discharge gas (for example, Film thickness 200nm).
  • a resin layer having the role of a stress relaxation layer in which irregularities having a structure for diffracting light are arranged in a square lattice pattern on the surface is formed.
  • a PMMA film having a thickness of 400 nm is formed by the above method, and an uneven structure is formed by imprint molding on the surface.
  • imprint molding is performed by heating and pressing a pre-formed stainless steel roll having embossing for embossing.
  • the irregularities are formed in a square lattice shape with a diameter of 150 nm, a depth of 120 nm, and a pitch of 300 nm, for example.
  • Light extraction increases the light extraction efficiency in the so-called green region of 530 to 580 nm.
  • It can also be formed by embossing a UV curable resin.
  • FIG. 4 shows an example in which the surface has a diffusion structure for diffusing light.
  • 1 is a substrate film
  • 3 is a gas barrier layer
  • 4 is a stress relaxation layer.
  • a PMMA film formed on the surface is formed with a thickness of a few / zm.
  • the average pitch (pitch L) force S3 ⁇ m and the average height (height H) is 500 nm.
  • the imprint technique is used to form a random waveform.
  • the surface of the gas barrier layer (for example, silicon oxide) uses a photoresist, for example, the trade name Microposit 1400-27 (Shipley), and reactive ion etching (RI E), that is, by reactive ion etching using a mixed gas of CF and H as a reactive gas
  • RIE reactive ion etching
  • a gel-like film using a sol-gel method it may be formed by pressing against a mold and heating.
  • the organic EL device of the present invention can be obtained by forming the transparent electrode, each layer of the organic EL element, and the cathode as the anode on the surface having the diffraction structure or the diffusion structure.
  • FIG. 1 a second embodiment of the present invention is shown in FIG. 1
  • the stress relaxation layer 4 is provided on PES (thickness: 200 m) as an adhesive layer. That is, using a vacuum vapor deposition apparatus, polymethyl methacrylate oligomer was introduced and vapor-deposited, and similarly irradiated with ultraviolet rays to be polymerized to form a polymer film of PMMA (thickness 200 m).
  • a silicon oxide film having a thickness of 200 m is similarly formed by plasma CVD, and this is repeated, and a PMMA layer (stress relaxation layer 4) is also formed on the silicon oxide film ( 200 nm) and a gas barrier layer (silicon oxide layer) 3 having a thickness of 200 nm, for example.
  • a diffusion layer (layer for diffracting or diffusing light) 5 also serving as a stress relaxation layer is provided as an outermost surface layer on the silicon oxide layer.
  • this diffusion layer as a layer for diffracting or diffusing light and forming an organic EL element by forming a Z electrode on the ITOZ organic EL layer, any of the substrate, gas nolia layer, ITO, and organic EL layer can be formed. Light that is totally reflected at the interface and cannot be extracted outside can be extracted outside by diffracting and diffusing.
  • a transparent light such as TiO is expanded.
  • a fluorine-based resin such as a heat-crosslinkable fluorine resin (6% methyl ethyl ketone solution; trade name JN-7228, manufactured by JSR Corporation) is used.
  • the diffusion layer is preferably a layer having a low refractive index, and more preferably a (sufficient) thicker layer (0 or more, preferably 1 micron or more) than the wavelength.
  • the refractive index is preferably 1.50 or less.
  • the refractive index of the layer is lowered by using the above-mentioned fluorine-based resin, or in combination with particles having voids such as hollow silica fine particles. Can be made.
  • hollow silica fine particles are contained in the fluorinated resin, which is a medium constituting a layer for diffracting or diffusing light in the second embodiment.
  • Add P-4) from Kogyo Co. to make this layer.
  • a medium having a refractive index of about 1.37 can be obtained by mixing these hollow microparticles in solid content in the same amount as that of the fluorinated resin.
  • the gas barrier layer having the same strength as silicon oxide silicon is a layer having a relatively high density and a high refractive index
  • the multilayer film is formed by laminating a stress relaxation layer having a function of stress relaxation or the like.
  • the topmost layer of the substrate that will be in contact with the transparent electrode (ITO) is a gas-nore functional layer with a high refractive index, so that a waveguide mode (ITO and organic EL layer It is possible to extract a part of the light confined in the gas nolia layer, and this enables the diffraction and scattering functions for light extraction to be adjacent to each other, which is relatively easy to provide diffraction and diffusion functions. It becomes possible to provide in a stress relaxation layer. Then, by providing the diffraction and diffusion functions in the lower layer that is not the outermost surface, it becomes easy to improve the smoothness of the outermost surface, and it becomes easier to form the light emitting layer.
  • FIG. 6 shows that a stress relaxation layer 4 and a gas nolia layer (each 200 ⁇ m thick) are provided on the resin film substrate 1, and then a stress relaxation layer 4 is further provided, and a diffractive structure is provided on this surface. Furthermore, a gas noria layer 3 is provided thereon, and the gas noria layer 3 formed on the outermost surface is refracted. Part of the light in the waveguide mode (light confined in the ITO and organic EL layers) is extracted to the high refractive index layer by forming it with a material with a high refractive index of 1.45 or more and 2.10 or less. Make it easier.
  • the light extracted to the high refractive index layer can be efficiently extracted to the outside.
  • the effect of taking out the light totally reflected at the interface of the layers can be expected.
  • holes having a pitch (period) of 300 nm, a diameter of 150 nm, and a depth of 120 nm, for example, were arranged in a square lattice pattern on the stress relaxation layer made of PMMA as described above.
  • the surface is formed by the method described above.
  • the gas noria layer which is the outermost surface is formed by plasma CVD.
  • SiN silicon nitride
  • SiN silicon nitride
  • Such a substrate has a silicon nitride layer having a high refractive index of 1.8 as a gas noria layer on the surface, which is preferable.
  • the substrate, the stress relaxation layer, and the gas noria layer are the same as those in FIG.
  • the diffraction structure and the diffusion structure are formed in the same manner.
  • the average pitch is 3 m and the average height is 500 nm, as described above. Form a random, random wavy plane.
  • the fifth mode is a mode in which a light diffraction structure in FIG. 6 is replaced with a layer (diffusion layer) that diffracts or diffuses light instead of the stress relaxation layer having the structure on the surface.
  • fine particles that diffuse light such as transparent TiO are contained in the fluorocarbon resin.
  • the resin layer serving as the medium of the layer is preferably a fluorine-based resin that is more preferable as the refractive index is lower, or one that contains hollow particles such as silica inside.
  • the diffractive structure provided on the stress relaxation layer surface immediately below the outermost surface, with the gas nolia layer being the outermost surface Alternatively, a layer (diffusion layer) that diffracts or diffuses light that also serves as a stress relaxation layer immediately below the outermost surface is bent. This is an embodiment in which a layer is formed with a folding ratio as low as possible.
  • FIG. 7 shows an embodiment in which a layer for diffracting or diffusing light (diffusion layer) is provided immediately below the outermost gas barrier layer that also serves as a stress relaxation layer.
  • the light diffusion layer is made of a material having a sufficiently low refractive index, that is, 1.50 or less and 1.03 or more, and is sufficiently thicker than the wavelength (0.3 ⁇ m or more, preferably 1 ⁇ m or more).
  • a part of the light totally reflected inside the substrate can be taken out to the outside (the light totally reflected inside the substrate is made of the low refractive index layer). Reduced to an amount determined by the critical angle).
  • the layer made of SiN (thickness lOOnm) and the stress relaxation layer 4 immediately adjacent thereto are used as the heat-crosslinkable fluororesin (6% MEK).
  • Solution trade name JN-7228, manufactured by JSR Co., Ltd.
  • synthetic acid titanium particles average particle size 2 .: L m, refractive index 2.5
  • it is dried at 120 ° C., irradiated with ultraviolet light, and further heat-cured at 120 ° C. to form a layer (diffusion layer) that diffracts or diffuses light (thickness is, for example, 800 nm to several m).
  • air silica fine particles (P-4 manufactured by Catalyst Kasei Kogyo Co., Ltd.) are mixed in the same amount as the fluorinated resin to obtain a medium having a refractive index of about 1.37.
  • an electrode material made of a metal, an alloy, an electrically conductive compound or a mixture thereof having a high work function (4 eV or more) is preferably used.
  • electrode materials include metals such as Au, conductive transparent materials such as Cul, indium tinoxide (ITO), SnO, and ZnO. IDIXO (In O—ZnO) etc.
  • amorphous material capable of producing a transparent conductive film may be used.
  • these electrode materials are formed into a thin film by a method such as vapor deposition or sputtering, and a pattern having a desired shape is formed by, for example, a photolithography method.
  • a transmittance of more than 10% When light emission is extracted from the anode, it is desirable to have a transmittance of more than 10%, and the sheet resistance as the anode is preferably several hundred ⁇ or less.
  • the film thickness is a force depending on the material.
  • L000 nm preferably 10 to 200 nm.
  • Materials such as indium tin oxide (ITO), SnO, ZnO
  • a cathode having a work function (4 eV or less) metal referred to as an electron injecting metal
  • an alloy referred to as an electrically conductive compound
  • a mixture thereof is used.
  • electrode materials include sodium, sodium-potassium alloy, magnesium, lithium, aluminum, magnesium Z silver mixture, magnesium Z aluminum mixture, aluminum Z oxide aluminum (Al 2 O 3).
  • lithium Z aluminum mixtures rare earth metals and the like.
  • a mixture of an electron injecting metal and a second metal which is a stable metal having a larger work function value than this, for example, a magnesium Z silver mixture , Magnesium Z-aluminum mixture, aluminum Z-acid aluminum (Al 2 O 3) mixture, lithium
  • a 2 3 Z aluminum mixture, aluminum or the like is preferred.
  • These electrode materials are formed into a thin film by a method such as vapor deposition or sputtering.
  • the sheet resistance as the cathode is preferably several hundred ⁇ or less, and the film thickness is usually selected in the range of 10 nm to 1000 nm, preferably 50 nm to 200 nm.
  • the light emission luminance is improved, which is convenient.
  • the injection layer is provided as necessary, and there are an electron injection layer and a hole injection layer. As described above, the injection layer exists between the anode and the light emitting layer or hole transport layer, and between the cathode and the light emitting layer or electron transport layer. May be present.
  • An injection layer is a layer provided between an electrode and an organic layer in order to reduce drive voltage or improve light emission luminance.
  • OLED and its industrial front line June 30, 1998) Chapter 2 “Electrode materials” (pages 123-166) of “Part 2” of “Tees Co., Ltd.”) describes the details of the hole injection layer (anode buffer layer) and the electron injection layer (cathode buffer). One layer).
  • anode buffer layer (hole injection layer) The details of the anode buffer layer (hole injection layer) are also described in JP-A-9-45479, JP-A-9260062, JP-A-8-288069 and the like.
  • a phthalocyanine buffer layer typified by phthalocyanine, an oxide buffer layer typified by vanadium oxide, an amorphous carbon buffer layer, a polymer buffer layer using a conductive polymer such as polyarene (emeraldine) or polythiophene Etc.
  • cathode buffer layer (electron injection layer) The details of the cathode buffer layer (electron injection layer) are described in JP-A-6-325871, JP-A-9-17574, JP-A-10-74586, and the like.
  • Metal buffer layer typified by aluminum or titanium
  • alkali metal compound buffer layer typified by lithium fluoride
  • alkaline earth metal compound buffer layer typified by magnesium fluoride
  • acid typified by acid aluminum
  • the buffer layer (injection layer) preferably has a very thin film thickness, but the film thickness is preferably in the range of 0.1 nm to 100 nm.
  • the blocking layer is provided as necessary in addition to the basic constituent layer of the organic compound thin film as described above.
  • JP-A-11-204258, JP-A-11-204359, and “Organic E” are examples of JP-A-11-204258, JP-A-11-204359, and “Organic E”
  • the hole-blocking layer is an electron transport layer in a broad sense, and is a mechanism for transporting electrons.
  • the ability to transport holes is extremely small, and the recombination probability of electrons and holes can be improved by blocking holes while transporting electrons.
  • the electron blocking layer in a broad sense, is a hole transport layer, and has a material force that has a function of transporting holes and has a remarkably small ability to transport electrons. By blocking the recombination probability of electrons and holes can be improved.
  • the hole transport layer is made of a material having a function of transporting holes, and in a broad sense, a hole injection layer and an electron blocking layer are also included in the hole transport layer.
  • This injection layer can be formed by thin-filming the above material by a known method such as a vacuum deposition method, a spin coating method, a casting method, an ink jet method, or an LB method.
  • the thickness of the injection layer is not particularly limited, but is usually about 5 to 5000 nm.
  • the injection layer may have a single layer structure that can be one or more of the above materials.
  • the deposition conditions may vary due to kinds of materials used, generally boat temperature 50 to 450 ° C, vacuum degree of 10- 6 Pa ⁇ 10- 2 Pa, Deposition rate 0.01 nm to 50 nm Z second, substrate temperature 50. C ⁇ 300. It is desirable to select appropriately within the range of C, film thickness of 0.1 ⁇ to 5; ⁇ .
  • the type of the light emitting material used for the light emitting layer is not particularly limited.
  • Such a light emitting material is mainly an organic compound, and examples thereof include compounds described in Macromol. Symp. 125 pages 17 to 26 depending on a desired color tone.
  • the light emitting material has both a hole injection function and an electron injection function. Most of the hole injection materials and electron injection materials that can be used can be used as the light emitting material.
  • the light emitting material may be a polymer material such as p-polyphenylene biylene or polyfluorene.
  • the light emitting material is introduced into a polymer chain, or the light emitting material is used as a polymer main chain.
  • a polymer material may be used.
  • a dopant (guest material) may be used in combination in the light emitting layer.
  • any of known materials used as dopants for organic EL devices can be selected and used. [0128] (Light-emitting host and light-emitting dopant)
  • the mixing ratio of the light emitting dopant to the host compound as the main component in the light emitting layer is preferably in the range of 0.1% by mass to less than 30% by mass.
  • the light-emitting dopants are roughly classified into two types: fluorescent dopants that emit fluorescence and phosphorescent dopants that emit phosphorescence.
  • Typical examples of the fluorescent dopant include organic dyes such as coumarin dyes, pyran dyes, cyanine dyes, and rare earth complex phosphors.
  • a complex compound containing a metal of Group 8, Group 9, or Group 10 in the periodic table of elements is preferable, and more preferably, an iridium compound or an osmium compound. Of these, iridium compounds are the most preferred.
  • a phosphorescent compound phosphorescent dopant
  • a phosphorescent dopant in at least one of the light emitting layers in addition to the light emitting host.
  • phosphorescent dopant examples include the compounds described in the following patent publications in addition to the above.
  • JP 2002-100476 JP 2002-173674, JP 2002-359082, JP 2002-175884, JP 2002-363552, JP 2002-184582 Publication, JP 2003-7469, JP 2002-525 808, JP 2003-7471, JP 2002-525833, JP 2003
  • the luminescent host compound used in the present invention is not particularly limited in terms of structure, but is typically a power rubazole derivative (CBP or the like is well known as a power rubazole derivative), triaryl. Having a basic skeleton such as amine derivatives, aromatic borane derivatives (triarylborane derivatives), nitrogen-containing heterocyclic compounds, thiophene derivatives, furan derivatives, oligoarylene compounds, carboline derivatives or diaza-powered rubazoles Derivatives (
  • the diaza force rubazole derivative represents one in which at least one carbon atom of the hydrocarbon ring constituting the carboline ring of the carboline derivative is substituted with a nitrogen atom. ;
  • carboline derivatives diaza force rubazole derivatives and the like are preferably used.
  • the light-emitting host used in the present invention may be a low-molecular compound or a high-molecular compound having a repeating unit, and may be a low-molecular compound having a polymerizable group such as a vinyl group or an epoxy group (evaporation polymerizable light-emitting). (Host)
  • a compound having a hole transporting ability and an electron transporting ability and preventing a long wavelength of light emission and having a high Tg (glass transition temperature) is preferable.
  • the light-emitting layer can be formed by forming the above-mentioned compound into a film by a known thin film method such as a vacuum deposition method, a spin coating method, a casting method, or an LB method.
  • the thickness of the light emitting layer is not particularly limited, but is usually 5 ⁇ ! It is selected in the range of ⁇ 5 ⁇ m.
  • the light emitting layer may have a single layer structure having one or more of these light emitting materials, or may have a laminated structure including a plurality of layers having the same composition or different compositions.
  • the hole transport layer is made of a material having a function of transporting holes, and in a broad sense, a hole injection layer and an electron blocking layer are also included in the hole transport layer.
  • the hole transport layer can be provided as a single layer or a plurality of layers.
  • a hole transport material there is no particular limitation. Conventionally, in a photoconductive material, it is commonly used as a hole charge injection / transport material and used for a hole injection layer or a hole transport layer of an EL element. Any one of known ones used can be selected and used.
  • the hole transport material has either injection or transport of holes and / or a barrier property of electrons, and may be either organic or inorganic.
  • triazole derivatives oxadiazole derivatives, imidazole derivatives, polyarylalkane derivatives, virazoline derivatives and pyrazolone derivatives, fluorenedamine derivatives, arylamine derivatives, amino substituted chalcone derivatives, oxazole derivatives, styrylanthracene derivatives, fluorenone derivatives, hydrazone derivatives And stilbene derivatives, silazane derivatives, aniline copolymers, and conductive polymer oligomers, particularly thiophene oligomers.
  • a hole transporting material As a hole transporting material, the above-mentioned ability to use the above materials is preferably used. Porphyrin compounds, aromatic tertiary amine compounds, and styrylamine compounds, particularly aromatic tertiary amine compounds. ,.
  • aromatic tertiary amine compounds and styrylamine compounds include N, N, N ', N' —tetraphenyl 4,4 '—diaminophenol; N, N' —diphenyl N, N '—bis (3-methylphenol) [1, 1' —biphenyl] 4, 4 '—Diamine (TPD); 2, 2 Bis (4 di-l-tri-laminophenol) propane; 1, 1-bis (4 di-l-tri-laminophenol) cyclohexane; N, N, N' , N '—tetra-p-tolyl-1,4,4'-diaminobiphenyl; 1, 1 bis (4-di-p-tolylaminophenol) 4 ferro-succinate hexane; bis (4-dimethylamino 2-methylphenol) phenylmethane Bis (4-di-p-triaminophenol) phenol methane; N, N'-diphenyl
  • a polymer material in which these materials are introduced into a polymer chain or these materials as a polymer main chain can also be used.
  • Inorganic compounds such as p-type Si and p-type SiC can also be used as the hole injection material and the hole transport material.
  • the hole transport material is preferably a compound having a high Tg.
  • This hole transport layer is also formed by thinning the hole transport material by a known method such as a vacuum deposition method, a spin coating method, a casting method, an ink jet method, or an LB method. be able to. Although there is no restriction
  • This hole transport layer may have a single layer structure composed of one or more of the above materials.
  • the electron transport layer is a material force having a function of transporting electrons, and in a broad sense, an electron injection layer and a hole blocking layer are also included in the electron transport layer.
  • the electron transport layer has a function of transmitting electrons injected from the cathode to the light-emitting layer.
  • the electron transport layer can be formed as a single layer or a plurality of layers.
  • a platinum complex can be used as a hole blocking material (electron transporting material). Therefore, in an organic EL device having a hole blocking layer as a constituent layer, it may be used as a hole blocking material, or may be contained in the electron transport layer as a hole blocking material. In this case, the electron transport layer also serves as the hole blocking layer.
  • any other known compounds can be selected and used.
  • an electron transport material also serving as a hole blocking material used for an electron transport layer adjacent to the light emitting layer on the cathode side is as follows.
  • the following materials are known. That is, nitro-substituted fluorene derivatives, diphenylquinone derivatives, thiopyran dioxide derivatives, heterocyclic tetracarboxylic anhydrides such as naphthaleneperylene, carpositimide, fluorenylidenemethane derivatives, anthraquinodimethane and anthrone derivatives, oxadiazole derivatives Etc.
  • a thiadiazole derivative in which the oxygen atom of the oxaziazole ring is substituted with a sulfur atom, and a quinoxaline derivative having a quinoxaline ring known as an electron-withdrawing group can also be used as an electron transport material. Can do.
  • metal complexes of 8 quinolinol derivatives such as tris (8 quinolinol) aluminum (Alq), tris (5,7-dichloro-1-8-quinolinol) aluminum, tris (5,7-dibromo 1 8 quinolinol) aluminum, tris (2methyl 8-quinolinol) aluminum, tris (5-methyl 8-quinolinol) aluminum, bis (8-quinolinol) zinc (Zn q), and the central metals of these metal complexes
  • Metal complexes in which is replaced with In, Mg, Cu, Ca, Sn, Ga or Pb can also be used as electron transport materials.
  • metal Li or metal phthalocyanine or those having an end substituted with an alkyl group or a sulfonic acid group can be preferably used as the electron transporting material.
  • the distyrylvirazine derivative exemplified as the material for the light-emitting layer can also be used as an electron transport material.
  • n-type 1 Si, n-type 1 SiC, etc. Inorganic semiconductors can also be used as electron transport materials.
  • the preferred compound used for the electron transport layer is a phosphorescent light whose phosphor maximum wavelength is preferably 415 nm or less when applied to a blue or white light emitting device, a display device and a lighting device. — More preferably, the 0 band is 450 nm or less.
  • the compound used for the electron transport layer is preferably a compound having a high Tg.
  • the electron transport layer may be formed by thinning the electron transport material by a known method such as a vacuum deposition method, a spin coating method, a casting method, an ink jet method, or an LB method. it can. Although there is no restriction
  • This electron transport layer may have a single layer structure composed of one or more of the above materials.
  • the vapor deposition conditions vary depending on the type of compound used, etc. Generally, the boat heating temperature is 50 to 450 ° C, and the vacuum is 10 to 6 Pa or higher. : LO- 2 Pa, vapor deposition rate of 0.01 nm to 50 nm Z seconds, substrate temperature of 50 ° C. to 300 ° C., film thickness of 0.1 nm to 5 m are preferable.
  • a thin film having a cathode material force is formed thereon by 1 ⁇ m or less, preferably by a method such as vapor deposition or sputtering so as to have a film thickness in the range of 50 nm to 200 nm.
  • An organic EL device is formed by forming these organic materials on the substrate with the above-described layer configuration, and as a light-emitting material used for the light-emitting layer, a light-emitting host and a dopant are blue, A light emitting material that emits green and red light is selected, and organic EL elements that emit light in three colors are produced, and a full color display device can be configured using these elements as elements. Also, in order to obtain a white light emitting element, it is possible to obtain a plurality of different emission colors by using an organic EL material and simultaneously emitting a plurality of different emission colors to obtain white emission by mixing colors.
  • the organic EL device of the present invention can be used as a white light source in various light-emitting light sources, lighting devices and the like in addition to a full-color display device and display.
  • the driving method may be either a simple matrix (passive matrix) method or an active matrix method.
  • each layer of the organic EL element is formed on the resin substrate for organic EL according to the present invention, and the element or device of the element or device is caused by a gas such as water vapor or oxygen in the surrounding environment.
  • a gas such as water vapor or oxygen in the surrounding environment.
  • the resin film substrate for organic EL provided with a concavo-convex structure for diffracting light on the outermost surface of the gas barrier layer shown in Fig. 3 shown in the first embodiment is a resin film substrate.
  • a PMMA film is formed on a PES (polyethersulfone) film (thickness 200 ⁇ m) substrate as a stress relaxation layer or adhesive layer from a polymethyl methacrylate oligomer by vacuum deposition according to the method described in WO00Z36665.
  • a silicon oxide film is formed thereon by an atmospheric pressure plasma CVD method (thickness: 200 ⁇ m), and a PMMA film with a thickness of 400 nm is further formed by the above method.
  • the unevenness is transferred from the mold by imprinting on the surface to form the unevenness.
  • a pattern is repeatedly formed in a square lattice with a pitch (period) of 300 nm, a diameter of 150 nm, and a depth of 120 nm (light diffraction action). This increases the light extraction efficiency in the so-called green region of 10 to 580 nm.
  • the diffusion structure which is one of the first embodiments is also formed by imprint molding in which the formed outermost PMMA film is heated and pressed using a stainless steel roll having corrugated embossments. By applying the mold, a run with an average pitch of 3 m and an average height of 500 nm A surface with a gentle undulating dam shape is formed.
  • a layer (diffusion layer) for diffracting or diffusing light provided as the outermost layer on the silicon oxide layer is composed of synthetic titanium oxide particles. 10% solid particle concentration (average particle size 2 .: L m, refractive index 2.5), heat-crosslinkable fluorinated resin (6% MEK solution; trade name JN-7228, manufactured by JSR Corporation)
  • the hollow silica fine particles (P-4 manufactured by Catalyst Kasei Kogyo Co., Ltd.) are mixed in the same amount as fluorinated resin in solid form, coated, dried at 120 ° C, irradiated with UV rays, and further 120 °
  • a resin substrate for organic EL was made by thermosetting with C (thickness 3 / ⁇ ⁇ ). The refractive index of the diffusion layer was 1.37.
  • the substrate to be the fourth embodiment has, as a diffraction structure, a hole having a pitch (period) of 300 nm, a diameter of 150 nm, and a depth of 120 nm on the stress relaxation layer made of ⁇ as described above. Is formed by the above-described method, and then SiN (silicon nitride) is formed to a thickness of 150 nm by plasma CV D method. After formation, the surface was made of MIPOX and polished with a polishing tape (# 15000) to make a smooth film without any protrusions. In this substrate, the refractive index of the surface silicon nitride layer was 1.8.
  • a random wave-like plane having an average pitch of 3 m and an average height of 500 nm is formed on the PMMA using the vacuum ultraviolet excimer lamp as described above.
  • a substrate on which a silicon nitride layer is formed can be manufactured.
  • the substrate according to the fifth embodiment is a layer (diffusion layer) for diffracting or diffusing light in place of the stress relaxation layer made of PMMA having a diffractive structure on the surface in the fourth embodiment.
  • Synthetic titanium oxide particles (average particle size 2.1 IX m, refractive index 2.5) at 10% solids concentration, heat-crosslinkable fluorinated resin (6% MEK solution; trade name JN-7228, JSR Corporation) And mixed with the same amount of hollow silica fine particles (C-4 manufactured by Catalytic Kasei Kogyo Co., Ltd.) in the same amount as fluorine-based resin, applied, dried at 120 ° C, irradiated with ultraviolet rays, Further, it was produced in the same manner except that a layer (thickness 3 ⁇ m) thermally cured at 120 ° C. was formed. According to this, the refractive index of the diffusion layer was 1.37. It has a silicon nitride layer (refractive index of 1.8) with an lOO
  • the substrate according to the sixth embodiment has a stress relaxation layer (PMMA, 200 nm) and a gas barrier layer (silicon oxide, 200 nm) alternately on the resin film substrate. 2 layers However, on the second gas noria layer, as a layer that diffuses or diffuses light (diffusion layer), synthetic acid titanium particles (average particle size 2 .: m, refractive index 2.5) are contained in the solid content concentration.
  • SiN silicon nitride
  • an ITO film was formed by sputtering using a noise sputtering method (thickness 150 nm, refractive index 2.0, sheet resistance). About 10 ⁇ ⁇ ⁇ 2 ) After the ITO film is formed, the surface is polished to about lOnm with a polishing tape (made of smoke, polishing tape (# 15000)) and smoothened.
  • a polishing tape made of smoke, polishing tape (# 15000)
  • the organic EL resin film substrate with an ITO film having the light extraction structure obtained above is fixed to a substrate holder of a vacuum deposition apparatus, and holes are injected / transported into a tantalum resistance heating boat.
  • the layer material for example, ⁇ -NPD is used as the light emitting layer host and the light emitting layer dopant, respectively, for example, CBP, Ir-12, hole blocking layer material BCP, and electron transport layer material A lq are sequentially contained.
  • pressure in the vacuum tank was reduced to approximately 4 X 10- 4 Pa, heated, deposition rate 0. lnm /
  • Each material layer is sequentially deposited on the substrate in seconds to 0.2 nmZ seconds.
  • the ratio of CBP, which is a light-emitting host, and light-emitting dopant is appropriately adjusted depending on the deposition rate.
  • one cathode buffer layer was provided, and then, for example, aluminum was deposited as a cathode material to a thickness of about 150 nm to produce a cathode, and an organic EL device was produced.
  • the organic EL device obtained by forming the organic EL element on the resin film substrate for organic EL of the present invention can emit light when a voltage of about 2 to 40 V is applied.
  • the organic EL element can be sealed against moisture and harmful gas power such as oxygen. That is, after forming an organic EL element on the transparent substrate of the present invention, the substrate and another gas barrier film are combined from the side in contact with the cathode to form the organic EL element of the substrate. It can be glued at the part and sealed. As a result, the lifetime of the organic EL device can be further improved.
  • FIG. 8 schematically shows an example of a cross-sectional structure of an organic EL device in which the organic EL resin film substrate of Embodiment 1 is used, an organic EL element is formed on the substrate, and the substrate is sealed.
  • the stress relaxation layer 4, the gas nolia layer 3, and the stress relaxation layer 4 provided with the diffraction structure on the surface are sequentially formed on the resin film substrate 1, and the organic EL film according to the present invention is sequentially formed.
  • An anode (ITO) 5, an organic EL layer 6, and a cathode 7 are provided on the resin film substrate.
  • the other gas noel film 8 and the adhesive 9 are used to bond and seal each other around the resin film substrate. In addition, it has an extra structure.
  • the arrow indicates the light extraction direction.
  • another sealing material (gas barrier film) to be used another film having a gas barrier layer, for example, a known gas noble film used for a packaging material or the like, for example, a plastic film is oxidized.
  • a gas nootropic film having a structure in which silicon, aluminum oxide, or a dense ceramic layer and a flexible impact relaxation polymer layer are alternately laminated can be used.
  • a resin-laminated (polymer film) metal foil cannot be used as a gas-nore film on the light extraction side, but it is a low-cost, low moisture-permeable, sealing material and is preferred as a sealing film.
  • the resin film substrate for organic EL of the present invention is transparent and can be used as a substrate on the light extraction side, even if the other sealing material is a material that does not transmit light, gas transmission Any material with a low rate can be used.
  • the resin film substrate for organic EL in which the diffusion layer is formed together with the barrier layer according to the surface diffusion structure according to another embodiment, the resin film according to embodiment 1 is used.
  • the light extraction side substrate instead of the film substrate, similarly, the light extraction efficiency is improved and an organic EL device sealed with harmful gas power can be obtained.

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Abstract

　本発明は、高いガスバリア性を有するガスバリア層を備えると共に光取り出し機能が向上した低コストの有機エレクトロルミネッセンス用樹脂フィルム基板と、該有機エレクトロルミネッセンス用樹脂フィルム基板を用いた有機エレクトロルミネッセンスデバイスを提供する。この有機エレクトロルミネッセンス用樹脂フィルム基板は、樹脂フィルム上に少なくとも一つのガスバリア層を有する有機エレクトロルミネッセンス用樹脂フィルム基板において、該ガスバリア層を有する側の最表面を構成する層の表面が、光を回折もしくは拡散させる凹凸構造を有することを特徴とする。

Description

明 細 書
有機エレクト口ルミネッセンス用樹脂フィルム基板および有機エレクト口ルミ ネッセンスデバイス
技術分野
[0001] 本発明は、有機エレクト口ルミネッセンス用榭脂フィルム基板、および該榭脂フィル ム基板を用いた有機エレクト口ルミネッセンスデバイスに関する。
背景技術
[0002] フィルム基板を用いる有機エレクト口ルミネッセンス（以下、有機 ELともいう）発光デ バイスにおいては、光取り出し効率が低いことが課題となっている。発光体の屈折率 の影響により、例えば、発光層の屈折率を 1. 6〜1. 7程度とすると、発光量全体の 2 0%程度しか取り出すことができず、多くは、例えば、基板との間に形成される界面に おいて全反射され、層内に閉じ込められてしまう。
[0003] 光取りだし効率を向上させる手段としては、全反射する界面に、光を回折する構造 を設ける方法が提案されて ヽる (特許文献 1参照)。
[0004] また、基板、または基板上に透明な中間層を設けてランダムな凹凸を形成し、その 上に透明電極、有機層、更に電極等を形成する方法が提案されている (特許文献 2 、 3参照)。
[0005] また、光を拡散させるシートを用いることが提案されている (特許文献 4参照)。更に 、低屈折率体の一方の表面に接して、透明導電膜を有する構成とすることで、光取り だしを向上させる方法 (特許文献 5参照）、あるいは、 ITOを含む発光層と基板との間 に光拡散のための凹凸構造を有するハードコート層および低屈折率の層を設けるこ とで取り出し効率が向上させる方法 (特許文献 6参照)等が知られて 、る。
[0006] 一方で、有機 ELデバイスは、湿気や酸素等のガスに敏感で、有機 ELデバイスの 寿命に大きな影響を及ぼす。榭脂フィルム基板は、これらの湿気や酸素に対するガ スバリア性が低いため、湿気や酸素等のガスによる影響を防止するため、フィルム基 板を用いる際にはガスノリア層を形成する必要がある。
[0007] ガスノリア層にカ卩えて、光取り出しの効率を向上させる層を設けることはコストが向 上する、あるいは工程が増えるために品質が低下すると 、う課題を抱えて 、た。 特許文献 1 :特開平 10— 81860号公報
特許文献 2：特開平 1 186588号公報
特許文献 3：特許第 3496492号公報
特許文献 4：特許第 2931211号公報
発明の開示
発明が解決しょうとする課題
[0008] 本発明は、上記課題を鑑みてなされたものであり、その目的は、少なくとも一層のガ スノ リア層を備えた有機エレクト口ルミネッセンス用榭脂フィルム基板にぉ 、て、該ガ スノリア層またはガスノリア層に隣接する層を光取り出し機能を兼ねる構成とすること で、機能向上と同時に低コストィ匕を達成した有機エレクト口ルミネッセンス用榭脂フィ ルム基板および有機エレクト口ルミネッセンスデバイスを提供することにある。
課題を解決するための手段
[0009] 本発明の上記目的は、下記構成により達成された。
[0010] 1.榭脂フィルム上に少なくとも一つのガスバリア層を有する有機エレクト口ルミネッ センス用榭脂フィルム基板にぉ ヽて、該ガスバリア層を有する側の最表面を構成する 層の表面が、光を回折もしくは拡散させる凹凸構造を有することを特徴とする有機ェ レクト口ルミネッセンス用榭脂フィルム基板。
2.榭脂フィルム上に少なくとも一つのガスノリア層を有する有機エレクト口ルミネッセ ンス用榭脂フィルム基板にぉ 、て、該ガスバリア層を有する側の最表面を構成する 層力 光を回折もしくは拡散させる層であることを特徴とする有機エレクト口ルミネッセ ンス用榭脂フィルム基板。
[0011] 3.前記ガスバリア層を有する側の最表面を構成する層は、屈折率が 1. 50以下、 1 . 03以上の低屈折率層であり、かつ厚みが 0. 3 m以上であることを特徴とする前 記 1または 2に記載の有機エレクト口ルミネッセンス用榭脂フィルム基板。
[0012] 4.榭脂フィルム上に少なくとも一つのガスバリア層を有する有機エレクト口ルミネッ センス用榭脂フィルム基板にぉ ヽて、該ガスバリア層を有する側の最表面を構成する 層は、屈折率が 1. 45以上、 2. 10以下の高屈折率層であり、該高屈折率層と隣接し た層との間に、光を回折もしくは拡散させる凹凸構造が設けられたことを特徴とする 有機エレクト口ルミネッセンス用榭脂フィルム基板。
[0013] 5.榭脂フィルム上に少なくとも一つのガスバリア層を有する有機エレクト口ルミネッ センス用榭脂フィルム基板にぉ ヽて、該ガスバリア層を有する側の最表面を構成する 層は、屈折率が 1. 45以上、 2. 10以下の高屈折率層であり、該高屈折率層に隣接 した層が、光を回折もしくは拡散させる層であることを特徴とする有機エレクトロルミネ ッセンス用榭脂フィルム基板。
[0014] 6.前記ガスバリア層を有する側の最表面を構成する層に隣接した層が、屈折率が 1. 50以下、 1. 03以上の低屈折率層であることを特徴とする前記 4または 5に記載の 有機エレクト口ルミネッセンス用榭脂フィルム基板。
[0015] 7.前記 1〜6のいずれか 1項に記載の有機エレクト口ルミネッセンス用榭脂フィルム 基板の上に、透明電極、有機エレクト口ルミネッセンス層及び金属電極を、この順で 積層して形成されることを特徴とする有機エレクト口ルミネッセンスデバイス。
発明の効果
[0016] 本発明により、高いガスノリア性を有するガスノリア層を備えると共に光取り出し機 能が向上した低コストの有機エレクト口ルミネッセンス用榭脂フィルム基板と、該有機 エレクト口ルミネッセンス用榭脂フィルム基板を用いた有機エレクト口ルミネッセンスデ バイスを提供することができた。
図面の簡単な説明
[0017] [図 1]ガスノリア層と応力緩和層とを組み合わせ、積層構成とした有機エレクト口ルミ ネッセンス用榭脂フィルム基板の断面構成の一例を示す図である。
[図 2]回折格子として作用する凹凸構造の例を示す図である。
[図 3]ガスノリア層上の応力緩和層表面に光の回折構造を設けた有機エレクト口ルミ ネッセンス用榭脂フィルム基板の一例を示す断面構成図である。
圆 4]ガスバリア層上の応力緩和層表面を、光を拡散する拡散構造とした有機エレク トロルミネッセンス用榭脂フィルム基板の一例を示す断面構成図である。
[図 5]応力緩和層を兼ねた拡散層を最表面に設けた、有機エレクト口ルミネッセンス 用榭脂フィルム基板の一例を示す断面構成図である。 [図 6]回折構造の上、最表面に屈折率の高い材料で形成したガスバリア層を有する 有機エレクト口ルミネッセンス用榭脂フィルム基板の一例を示す断面構成図である。
[図 7]光の拡散層を、応力緩和層を兼ね最表面のガスバリア層の直下に設けた有機 エレクト口ルミネッセンス用榭脂フィルム基板の一例を示す断面構成図である。
[図 8]本発明の有機エレクト口ルミネッセンス用榭脂フィルム基板上に有機エレクト口 ルミネッセンス素子を形成し封止した有機エレクト口ルミネッセンスデバイスの断面構 造の例を模式的に示す図である。
符号の説明
[0018] 1 榭脂フィルム基板
3 ガスバリア層
4 応力緩和層
5 陽極 (ITO)
6 有機 EL各層
7 陰極
8 ガスバリアフィルム
9 接着剤
発明を実施するための最良の形態
[0019] 以下、本発明を実施するための最良の形態について詳細に説明する。
[0020] 本発明の有機エレクト口ルミネッセンス用榭脂フィルム基板は、プラスチックフィルム
(榭脂フィルム)を基板としており、従来のガラス等の基板に比べ、軽量で、可撓性を 有し、フレキシブルであるため好ましい。し力しながら、榭脂フィルムは、ガラス等に比 較すると、水蒸気、酸素等に対するガスバリア性が劣るため、ガラスに匹敵するガス ノ リア性を備えたガラスに代わる榭脂フィルム基板の開発が行われて 、る。本発明の 有機 EL用榭脂フィルム基板では、ガスノ リア性に優れると共に、やはり有機 EL素子 の大きな課題である光取り出し効率の向上を同時に果たすベぐなされたものである
[0021] 本発明は、ガスノ リア性層および光を回折もしくは拡散する構造の両者を導入し、 ガスノ リア性と光取り出し効率の向上を同時に達成した有機 EL用榭脂フィルム基板 に関するものである。
[0022] 本発明において、ガスバリア層とは、水蒸気透過係数が 1 X 10—6g'm/m2/day〜 1 X lO' g -m/mVday,酸素透過係数が 1 X 10— 4ml'mZm2Zday〜l X 10_1ml- mZm2Zday程度の材料力もなる層であり、これにより、該ガスバリア層を形成するこ とにより作製された榭脂フィルム基板において、 JIS K7129 B法に従って測定した 水蒸気透過率が、 0. lg/m2/day以下、好ましくは 0. 01g/m2/day以下であり、 酸素透過率が 0. lmlZm2Zday以下、好ましくは 0. 01mlZm2Zday以下であるガ スバリア性に優れたガスノ リアフィルムが得られる。
[0023] 本発明に係るガスバリア層は、酸素及び水蒸気の透過を阻止する膜であれば、そ の組成等は特に限定されるものではないが、本発明に係るガスバリア層（膜)を構成 する材料としては、金属酸化物、金属窒化物、金属硫化物、金属炭化物等のセラミツ ク膜であることが好ましぐ具体的には、無機酸ィ匕物であることが更に好ましぐ酸ィ匕 珪素、酸ィ匕アルミニウム、窒化珪素、酸窒化珪素、酸窒化アルミニウム、酸ィ匕マグネ シゥム、酸化亜鉛、酸化インジウム、酸化スズ等を挙げることができ、特に酸化珪素、 窒化珪素、酸窒化珪素、酸ィ匕アルミニウム、酸窒化アルミニウム等のセラミック膜が好 ましい。
[0024] 本発明において、セラミック膜の製造方法としては、特に限定されるものではなぐ 例えば、金属化合物原料として珪素、チタン等のアルコキシド等を用いて、ゾルゲル 法等、湿式法を用いて形成されたものであってもよいが、また、スパッタリング法、ィォ ンアシスト法、ある!/、は後述するプラズマ CVD法や大気圧または大気圧近傍の圧力 下でのプラズマ CVD法等を適用して形成されたものでもよ!/、。
[0025] スプレー法やスピンコ ト法を用いるゾルゲル法等、湿式法は、分子レベル（nmレ ベル)の平滑性を得ることが難しぐまた溶剤を使用するため、基材が有機材料であ る場合など、使用可能な基材または溶剤が限定される、という欠点があり、後述する プラズマ CVD法や大気圧または大気圧近傍の圧力下でのプラズマ CVD法を用いる 方法が好ましい。その中でも、特に、大気圧プラズマ CVDによる方法は、減圧チャン バー等が不要で、高速製膜ができ、生産性の高い製膜方法であり好ましい。
[0026] ガスバリア層として作用するためには、セラミック膜の厚みは 5〜2000nmの範囲で あることが好ましい。厚みが 5nm未満であると膜欠陥が多ぐ充分な防湿効果が得ら れない。厚みが 2000nmを超えた場合、理論的には防湿効果は高いが、余り大きい と、内部応力が大きく割れやすくなり、所望の防湿効果が得られないと共に、榭脂フィ ルム基板にフレキシビリティを保持させることが困難となり、成膜後の折り曲げや引つ 張り等の外的要因により、ガスノ リア層に亀裂が生じる等のおそれがある。
[0027] 大気圧プラズマ CVDによる膜形成方法の詳細は、例えば、特開 2004— 52028号 、特開 2004— 198902号等に記載されており、原料化合物として有機金属化合物 を用いるが、原料化合物は常温常圧下で気体、液体、固体のいずれの状態であって も構わない。気体の場合にはそのまま放電空間に導入できる力 液体、固体の場合 は、一度加熱、パブリング、減圧、超音波照射等の手段により気化させて力も使用す る。その様な状況から、有機金属化合物としては、例えば、沸点が 200°C以下の金属 アルコキシドが好適である。
[0028] このような金属アルコキシドとして、ケィ素化合物としては、例えば、シラン、テトラメト キシシラン、テトラエトキシシラン (TEOS)、テトラ n—プロポキシシラン等力 チタン化 合物としては、例えば、チタンメトキシド、チタンエトキシド、チタンイソプロポキシド、チ タンテトライソポロポキシド等が、ジルコニウム化合物としては、例えば、ジルコニウム n —プロボキシド等が、アルミニウム化合物としては、例えば、アルミニウムエトキシド、 アルミニウムトリイソプロポキシド、アルミニウムイソプロボキシド等力 また、その他に、 アンチモンエトキシド、ヒ素トリエトキシド、亜鉛ァセチルァセトナート、ジェチル亜鉛等 が挙げられる。
[0029] また、これらの有機金属化合物を含む原料ガスと共に、これらを分解して無機化合 物を得るため、分解ガスを併用し、反応性ガスを構成する。この分解ガスとしては、水 素ガス、水蒸気などが挙げられる。
[0030] プラズマ CVD法においては、これらの反応性ガスに対して、主にプラズマ状態にな りやすい放電ガスを混合する。放電ガスとしては、窒素ガス、周期表の第 18属原子、 具体的には、ヘリウム、ネオン、アルゴン等が用いられる。特に、窒素がコストも安く好 ましい。
[0031] 上記放電ガスと反応性ガスを混合し、混合ガスとしてプラズマ放電発生装置 (ブラズ マ発生装置）に供給することで膜形成を行う。放電ガスと反応性ガスの割合は、 目的 とする膜の性質によって異なる力 混合ガス全体に対し、放電ガスの割合を 50%以 上として反応性ガスを供給する。
[0032] 例えば、沸点が 200°C以下の金属アルコキシド、珪素アルコキシド (テトラアルコキ シシラン (TEOS) )を原料ィ匕合物として用い、分解ガスに酸素を用い、放電ガスとし て希ガス、或いは窒素等の不活性ガスを用いて、プラズマ放電させれば、本発明に 係るガスノ リア性膜として好ましい酸ィ匕珪素膜を生成することができる。
[0033] また、本発明においては、上記ガスノ リア層は透明であることが好ましい。これによ り有機 EL素子の透明基板等の用途 (即ち、光取りだし側の基板）にも使用することが 可能となるからである。ガスバリアフィルムの光透過率としては、例えば、測定波長を 5 50nmとしたときの透過率が 80%以上のものが好ましぐ 90%以上が更に好ましい。
[0034] セラミック膜は緻密で、所定の硬度を有して 、るため、所望のガスノ リア性能を達成 するには、ガスノ リア層の厚みを前記の範囲とし、いわゆる応力緩和層と組み合わせ 、複数の層から構成した積層構成とすることが好ましい。図 1は、このガスノ リア層と 応力緩和層から構成される積層構造の断面構成を示す図である。例えば、酸化珪素 等の緻密な硬いセラミック膜からなるガスノ リア層 3と、応力緩和層 4として、より柔軟 性を有し応力を緩和できる、例えば、アクリル系榭脂等を用いたポリマー層を用いる。 図 1には、榭脂フィルム基材 1上に 2つのガスノ リア層 3の間に、応力緩和層 4が設け られた積層構成を示している。応力緩和層は、ガスバリア層よりも柔軟性を有する層 であればよぐ例えば、酸化珪素でも、膜組成を変化 (例えば膜中の炭素濃度等)さ せ、より柔軟な膜を形成すればよい。
[0035] この様な応力緩和層に用いる榭脂材料としては、アクリル系、メタクリル系榭脂材料 、エチレン、ポリプロピレン、ブテン等の単独重合体または共重合体または共重合体 等のポリオレフイン (PO)榭脂、また、ポリエチレンテレフタレート等の榭脂材料が好ま しぐガスノ リア層を保持することができる有機材料で形成された膜であれば特に限 定されるものではない。
[0036] また、応力緩和層の厚みは、概ね 5〜2000nmの範囲内であり、必要とされる折り 曲げ強度や柔軟性、あるいはガスノ リア性に応じて、本発明に係るガスバリア層と共 に選択される。
[0037] 本発明の有機 EL用榭脂フィルム基材にお ヽて用いられる榭脂フィルム基材として は、上述したバリア性を有するガスノリア層を保持することができる有機材料力もなる フィルム基材であれば、特に限定されるものではな 、。
[0038] 具体的には、ポリオレフイン (PO)榭脂、環状ポリオレフイン等の非晶質ポリオレフィ ン榭脂（APO)、ポリエチレンテレフタレート（PET)、ポリエチレン 2, 6—ナフタレート (PEN)等のポリエステル系榭脂、ポリイミド (PI)榭脂、ポリエーテルイミド (PEI)榭脂 、ポリサルホン（PS)榭脂、ポリエーテルサルホン（PES)榭脂、ポリエーテルエーテル ケトン (PEEK)榭脂、ポリカーボネート (PC)榭脂、等を用いることができる。また、こ れらの榭脂の 1または 2種以上をラミネート、コーティング等の手段によって積層させ たものを榭脂フィルム基材として用いることも可能である。
[0039] 本発明に係る榭脂フィルム基材にお ヽては、ガスバリア膜との接着性を向上させる ため、コロナ処理などの表面処理を行ってもよいし、接着層、アンカーコート剤層を形 成してちょい。
[0040] また、本発明に係る榭脂フィルム基材は、フィルム形状である場合、膜厚としては 1 0〜： LOOO μ m力 子ましぐより好まし <は 50〜500 μ mである。
[0041] 次に、有機 EL素子力もの光取りだし効率を向上させ、光を回折もしくは拡散させる 凹凸構造について説明する。
[0042] 本発明に係る光を回折もしくは拡散させる凹凸構造は、基板中あるいは基板上の 全反射する面に設けられる。例えば、基板最表面にこれらの光を回折もしくは拡散さ せる凹凸構造を設けることにより、該表面上に、例えば、透明電極（陽極)、発光層を 含む有機 EL素子各層、陰極等が形成され有機 EL素子を作製した場合、発光層か ら放射される光のうち、通常は界面で全反射され取り出されな ヽ光の一部が取り出さ れるようになり、発光効率が向上する。
[0043] 本発明において、光を回折させる凹凸構造とは、具体的には、全反射が発生する 界面に設けられ、一定のピッチ (周期）を有する凹凸状の構造力もなるものである。
[0044] 可視光の取り出し効率を向上させるためには、可視光の媒質中での光の波長 400 nm〜750nmの範囲の光を回折させるための回折格子であることが必要である。回 折格子への光の入射角と出射角、回折格子間隔 (前記凹凸配列の周期）、光の波長 、媒体の屈折率、回折次数等の間には一定の関係があり、前記可視光およびその近 傍の波長領域の光を回折させるため、本発明においては、前記凹凸配列のピッチ（ 周期）は、取り出し効率が向上する波長に対応して、 150ηπ！〜 3000nmの範囲にあ る一定値をもつ必要がある。
[0045] 回折格子として作用する凹凸状の構造は、例えば、特開 11— 283751号、特開 20 03— 115377号等に記載されている。ストライプ状の回折格子は、ストライプに平行 な方向に対しては回折効果がないため、 2次元的にどの方向からも均一に回折格子 としての作用するものが好ましい。基板表面あるいは表示面の法線方向からみた断 面形状が、所定の形状を有する凹部、凸部が規則的に所定の間隔で平面上に形成 されているものが好ましい。
[0046] この凹凸形状は、例えば、凹部を構成する孔の形状としては、円形でも、三角形で も、四角形でも、また多角形でもよい。その孔の内径は（同面積の円を想定して） 75η m〜1500nmの範囲が好ましい。また、凹部（窪み）の平面方向からみた断面形状と しては、半球状、矩形、あるいはピラミッド形状のものでもよい。この凹部の深さは、 50 nm〜1600nm、更には 50nm〜1200nmの範囲にあることが好ましい。凹部の深さ 力 れより小さい場合には、回折或いは散乱を起こす効果が小さぐまた大きすぎると 表示素子としての平面性が損なわれ好ましくない。また、回折格子とするために、こ れらの凹部の配列は、正方形のラチス状 (正方格子状)、ハニカムラチス状など 2次 元的に規則的に配列が繰り返されることが好ましい。
[0047] また、突起である場合（凸型）、突起の形状は前記と同様であり、例えば、凸部が柱 状突起である場合、表面の法線方向からみた形態は円形、三角形、四角形、多角形 のいずれであってもよい。突起の高さ、またそのピッチ (周期）は、上述の孔を形成し た場合と同様である。これらの凹凸は、全く逆に、凸部が前記の値を有するように形 成されてよい。
[0048] この様にして形成される回折格子として作用する凹凸構造の一例を図 2に示す。凹 部が円形と方形の凹部（孔)を基材表面に形成した例を示して!/ヽる。
[0049] この様な凹凸を、例えば、基板表面に形成することで、該基板に透明電極を形成し て、有機 EL素子各層を順次形成し、対電極を形成し、有機 EL素子を形成して、基 板側から発光を取り出す。これにより、凹凸構造のピッチ (周期）に対応した波長の光 の取りだし効率が向上する。
[0050] これらの回折格子を榭脂材料膜上に形成しょうとする場合には、インプリント手法等 があり、例えば、ポリマー膜としてポリメチルメタタリレート（以下、 PMMAと略記する） 等の熱可塑性榭脂を成膜した後、凹凸が設けられた金型で加熱、加圧することで、 金型の凹凸形状を転写するインプリント手法を用いることができる。また、紫外線硬化 榭脂を塗布した後、凹凸が設けられた金型を密着させて紫外線を照射し、光重合に より硬化して金型の凹凸を転写する手法を用いることができる。
[0051] また、ガスバリア層である酸化珪素等の金属酸化物をエッチングして形成する場合 には、反応性イオンエッチング等を用いることができる。
[0052] また、ガスノリア層である酸ィ匕珪素等の金属酸ィ匕物の膜にっ 、ては、ゾルゲル手 法を用いてゲル状の膜を作成した後、ゲル状膜に凹凸が設けられた金型を押し当て たまま加熱することで、凹凸形状を形成することができる。
[0053] 本発明に係る光を拡散させる凹凸構造とは、光の回折や屈折、反射により光を拡 散させる構造であり、例えば、平均ピッチ（周期）が 0. 3 μ m〜20 μ mの範囲にあり、 平均高さが該ピッチの 1Z5〜1Z3程度である 100nm〜7000nmの範囲にあるよう な波形形状等がある。全反射、また陰極である金属電極による反射によって発光層 内部を伝播する光を拡散して取り出す光量が、直接外部に出射される光量に比べ充 分な量とするには、凹凸は少なくとも lOOnm以上の高さであることが好ましぐまた、 波形形状のピッチ (周期）は長すぎると散乱現象が生じる前に発光層で光が吸収され る。また、平均高さが余り大きくなると、発光層の成膜が困難になるので望ましくない。
[0054] このような拡散構造を榭脂材料膜上に形成しょうとする場合には、インプリント手法 等があり、例えば、ポリマー膜として PMMA等の熱可塑性榭脂を成膜した後、波形 形状が設けられた金型で加熱、加圧することで、金型の波形形状を転写するインプリ ント手法を用いることができる。また紫外線硬化榭脂を塗布した後に、波形形状が設 けられた金型を密着させて紫外線を照射し、光重合により硬化して金型の波形形状 を転写する手法を用いることができる。 [0055] また、ガスバリア層である酸化珪素等の金属酸化物をエッチングして形成する場合 には、反応性イオンエッチング等を用いることができる。また、ガスノ リア層である酸 化珪素等の金属酸化物の膜にっ ヽては、ゾルゲル手法を用いてゲル状の膜を作成 した後、ゲル状膜に波形形状が設けられた金型を押し当てたまま加熱することで、波 形形状を形成することができる。
[0056] 次に、本発明において、光を回折もしくは拡散させる層（拡散層）とする場合につい て説明する。
[0057] 光を回折もしくは拡散させる層とは、光取り出し効率向上の別の構造であり、例えば 、基板の最表面の層、即ち有機 EL素子と接する層に、これを形成する場合、層を形 成する例えば榭脂材料 (バインダー）との屈折率差がある程度あり、少なくとも屈折率 差で 0. 03以上、好ましくは 0. 1以上である球形粒子を含有する層とする。
[0058] これは層媒体と粒子との屈折率の違いにより光を拡散させる層であり、含有される 粒子の粒子径は光の波長よりも大きく（平均粒子径 300ηπ！〜 30 μ m)、透明な粒子 が好ましい。平均粒子径が 30 μ m以下であれば光の拡散性が均一となる。
[0059] 従って、この様な粒子としては、ガラスやシリカ、チタ-ァ等の無機材料、アクリル系 榭脂、ポリエステル系榭脂、エポキシ系榭脂等の有機材料が挙げられる。
[0060] これらの粒子は、層を形成する媒体、例えば榭脂材料に対する体積比で、 10〜90 %であることが好ましい。これらの範囲を超えると充分な光拡散機能を付与することが できない。また、これらの層の厚さは 300ηπι〜50 /ζ πιの範囲が好ましい。
[0061] 従って、これらの層を形成するには、層媒体が例えば榭脂材料の場合、媒体となる 榭脂材料 (ポリマー)溶液 (溶媒としては、粒子の溶解しないものを用いる）に前記の 粒子を分散し、塗布基材上に塗布することで形成する。
[0062] これらの粒子は、実際には、多分散粒子であること、規則的に配置するのは難しい ことから、局部的には、回折効果を有するものの、多くは拡散により光の方向を変化さ せ光取りだしを向上させる層である。
[0063] また、後述の実施態様におけるように、この層の媒体は、低屈折率であることが好ま しい。例えば、フッ素系榭脂を媒体として用いることが好ましい。
[0064] フッ素榭脂としては硬化性のフッ素榭脂が好ましぐパーフルォロアルキル基含有 シランィ匕合物（例えば (ヘプタデカフルォ口一 1, 1, 2, 2—テトラデシル）トリエトキシ シラン)等の他、含フッ素モノマーと架橋性基付与のためのモノマーを構成単位とす る含フッ素共重合体が挙げられる。
[0065] 含フッ素モノマー単位の具体例としては、例えば、フルォロォレフイン類（例えば、フ ルォロエチレン、ビ-リデンフルオライド、テトラフルォロエチレン、へキサフルォロェ チレン、へキサフルォロプロピレン、パーフルオロー 2, 2—ジメチルー 1, 3—ジォキ ソール等）、（メタ)アクリル酸の部分または完全フッ素化アルキルエステル誘導体類 ( 例えば、ビスコート 6FM (商品名、大阪有機化学製)や M— 2020 (商品名、ダイキン 製)等）、完全または部分フッ素化ビュルエーテル類等であり、これらのなかでも低屈 折率、モノマーの扱 、やすさの観点で特にへキサフルォロプロピレンが好まし 、。
[0066] 架橋性基付与のためのモノマーとしてはグリシジルメタタリレートのように分子内に あら力じめ架橋性官能基を有する (メタ)アタリレートモノマーの他、カルボキシル基や ヒドロキシル基、アミノ基、スルホン酸基等を有する (メタ）アタリレートモノマー（例えば 、（メタ）アクリル酸、メチロール (メタ）アタリレート、ヒドロキシアルキル (メタ）アタリレー ト、ァリルアタリレート等）が挙げられる。後者は共重合の後、架橋構造を導入でき好 ましい。
[0067] また、上記含フッ素モノマーを構成単位とするポリマーだけでなぐォレフィン類、ァ クリル酸エステル類等、フッ素原子を含有しな 、モノマーとの共重合体を用いてもよ い。
[0068] これら硬化性のフッ素榭脂を用いて、熱硬化あるいは光 (好ましくは紫外線、電子ビ ーム等)の照射により架橋する。
[0069] 例えば、熱架橋性フッ素榭脂としては、 JSR (株)製、商品名 JN— 7228等がある。
[0070] また、低屈折率とするには、中空微粒子を媒体と混合し、平均として、媒体の屈折 率を低下させる方法がある。
[0071] これらの中空微粒子とは、粒子壁を有しその内部が空洞であるような粒子をいい、 例えば、前述の微粒子内部にミクロボイドを有する SiO粒子を更に有機珪素化合物
2
(テトラエトキシシラン等のアルコキシシラン類)で表面を被覆しその細孔入り口を閉 塞して形成された粒子である。或 、は前記粒子壁内部の空洞が溶媒または気体で 満たされていてもよぐ例えば、空気の場合は中空微粒子の屈折率は、通常のシリカ
(屈折率 = 1. 46)と比較して著しく低くすることができる（屈折率 = 1. 44〜： L 25)。 上記無機微粒子内にミクロボイドを有する粒子を中空にする調製方法は、特開 2001 167637号公報、 2001— 233611号公報【こ記載されて!ヽる方法【こ準じれ ί よく、 また本発明では市販の中空 SiO微粒子を用いることができる。市販の粒子の具体例
2
としては、触媒ィ匕成工業社製 P— 4等が挙げられる。
[0072] 本発明は、榭脂フィルム基材上に、前記バリア層、および前記光を回折もしくは拡 散させる凹凸構造、或いは光を回折もしくは拡散する層とを積層、或いは組み合わ せ、ガスノリア性が高ぐかつ有機 EL素子を形成したときに、発光層からの光取り出 し効率が高 、有機 EL用榭脂フィルム基板を得るものである。光取りだし側の基板とし てこれら榭脂フィルム基板を用い、この上に、例えば、陽極となる透明電極、有機 EL 素子各層 (後述する）、更に陰極である金属電極と順に積層し、外気、特に水蒸気や 酸素等による有機 EL素子の劣化原因となるガスから封止された本発明の有機 ELデ バイスが得られる。有機 EL素子を形成後、陰極上に更にもう一つのガスノリア性フィ ルムを重ねて、少なくとも周囲を密着、封止すれば、より一層、外気特に水蒸気や酸 素等による有機 EL素子の劣化原因となるガス力 有機 EL素子を隔離、保護すること ができる。
[0073] この様なガスノリア層を有する本発明の有機 EL用榭脂フィルム基板について、幾 つかの実施の態様を以下に説明する。
[0074] 図 3に本発明の実施態様の 1つを示す。図 3は、フィルム基板 1上に応力緩和層 4、 ガスバリア層 3、更に応力緩和層 4を積層した構成であり、ガスバリア層上の応力緩和 層表面、即ち、榭脂フィルム基板最表面に回折構造を設けたものである。
[0075] ガスノ リア層の最表面に光を回折する凹凸構造を設け、その上に ITOZ有機 EL 層 Z電極を構成することで、基板、ガスバリア層， ITO、有機 EL層のいずれかの界 面で全反射して、外部に取り出せな力つた光を回折することで外部に取り出すことが できる。
[0076] フィルム基板としては、前記の榭脂フィルム中、例えば、 PES (ポリエーテルスルホ ン)フィルム (厚み 200 m)を用い、この上に先ず、応力緩和層ないし接着層として、 PMMA膜を形成する。 PMMA膜は、 WO00Z36665号パンフレットに記載された 方法に従って真空蒸着装置内に導入ノズル力 ポリメチルメタタリレートオリゴマーを 導入し、 PESフィルム基板上に蒸着し、 PMMA蒸着フィルムを真空蒸着装置から取 り出した後、乾燥窒素気流下、紫外線を照射、重合させて、 PMMAの重合膜を形成 する（膜厚は、例えば、 200nm)。
[0077] この上に、ガスノ リア層として、テトラエトキシシランを主体とする薄膜形成ガスと、放 電ガスとしては窒素を用いて、大気圧プラズマ CVD法により酸化珪素の膜を形成す る（例えば膜厚 200nm)。
[0078] 次いで、表面に光を回折する構造である凹凸が正方格子状に配列された応力緩 和層の役割も有する榭脂層を形成する。榭脂層として、前記の方法で 400nmの厚 みで PMMA膜を形成し、表面にインプリント成型を行つて凹凸構造を形成する。
[0079] 即ち、予め形成した型付けのためのエンボスを有するステンレスロールに加熱、押 圧することで、インプリント成型を行う。凹凸は、例えば、直径 150nm、深さ、 120nm で正方格子状にピッチ 300nmで形成する。光の回折作用により 530〜580nmのい わゆる緑領域の光取り出し効率が高まる。
[0080] また、 UV硬化性榭脂を型押しすることでも形成できる。
[0081] また、表面を、光を拡散する拡散構造とした例を図 4に示す。図 4において、 1は基 板フィルム、 3がガスバリア層、 4が応力緩和層である。拡散構造とするには、表面に 形成した PMMA膜を、数/ z mの厚みで形成しておき、例えば、平均ピッチ (ピッチ L) 力 S3 μ m平均高さ（高さ H)が 500nmとなるようにランダムな波形形状を有するようにィ ンプリント手法で成型する。
[0082] また、最上層に応力緩和層を形成せず、直接ガスバリア層表面に光の回折もしくは 拡散させる表面を形成することもできる（図示して!/ヽな ヽ)。規則的な回折構造を形成 する場合、ガスバリア層（例えば酸ィ匕珪素の場合)表面はフォトレジスト、例えば、商 品名マイクロポジット 1400 - 27 (シプレイ社)等を用 、、反応性イオンエッチング (RI E)、即ち CFと Hの混合ガスを反応ガスとして反応性イオンエッチングすることにより
4 2
パター-ング加工する。
[0083] また、特に、レジストを用いずに、条件を選んで、反応性イオンエッチング (RIE)す ることで、前記の大きな周期での拡散面を有する拡散構造も表面に作製できる。
[0084] また、ゾルゲル手法を用いてゲル状の膜を形成した後、金型に押し当て加熱して形 成してちょい。
[0085] この回折構造、或いは拡散構造を有する面上に陽極である透明電極、有機 EL素 子各層、陰極を形成することで、本発明の有機 ELデバイスが得られる。
[0086] 次に、本発明の第 2の実施態様を図 5に示す。
[0087] これは、応力緩和層を兼ねた前記光を回折もしくは拡散させる層（拡散層）を最表 面に設けた、ガスノリア層を有する榭脂フィルム基板の一例である。
[0088] 実施態様 1と同じぐ榭脂フィルム基板 1として、 PES (厚み 200 m)上に、前記応 力緩和層 4を接着層を兼ねて設ける。即ち、真空蒸着装置を用いて、ポリメチルメタク リレートオリゴマーを導入蒸着し、同様に紫外線を照射し、重合させ PMMAの重合 膜を形成した (厚み 200 m)。次いで、この上にガスノリア層 3として、同じく酸ィ匕珪 素膜をプラズマ CVD法により 200 m厚で形成し、更にこれを繰り返し、酸化珪素膜 の上に同じく応力緩和層 4である PMMA層（200nm)を、更に、ガスバリア層（酸化 珪素層） 3を例えば、 200nm厚で設ける。
[0089] この実施態様においては、酸ィ匕珪素層上に最表面層として、更に応力緩和層を兼 ねた拡散層（光を回折もしくは拡散させる層） 5を設けている。この拡散層を光を回折 もしくは拡散させる層とすることで、その上に ITOZ有機 EL層 Z電極を構成して有機 EL素子を形成すると、基板、ガスノリア層、 ITO、有機 EL層のいずれかの界面で全 反射して外部に取り出せな力つた光を回折、拡散することで外部に取り出すことがで さるようになる。
[0090] 最表層の光を回折もしくは拡散させる層としては、透明な、例えば TiO等の光を拡
2 散させる微粒子を分散させた層であり、媒体としてはフッ素系榭脂、例えば、熱架橋 性フッ素榭脂（6%メチルェチルケトン溶液；商品名 JN— 7228、 JSR (株)製)を用い 、この中に、合成酸ィ匕チタン粒子 (平均粒子径 2.： m、屈折率 2. 5)を固形分濃度 で 10%含有させて塗布した後、 120°Cで乾燥、紫外線照射、更に 120°Cで熱硬化さ せ光を回折もしくは拡散させる層を形成する (厚み 800ηπ！〜 5 μ m)。
[0091] 次に、本発明の第 3の実施態様について説明する。 [0092] 前記第 1,第 2の実施態様（図 3、 4、 5)において、最表面に設けた光を回折する凹 凸構造を有する層、また最表面の光を回折もしくは拡散させる層（拡散層）は、なるベ く低屈折率の層とすること、また更に波長よりも（充分)厚い (0. 以上、好ましく は 1ミクロン以上)層とすることが好ましい態様である。これにより基板内部で全反射す ることになる光の一部を外部に取り出すことが可能となり、光取りだし効率が、より向 上した基板が得られる。
[0093] 即ち、基板との界面で全反射される光は、表面の該低屈折率層の臨界角で決まる 量に低減される。従って、屈折率としては低い方が好ましぐ屈折率 1. 50以下である ことが好ましい。低いほど好ましいが、低屈折率材料といっても限界があることから、 前記、フッ素系榭脂を用いる、また、例えば中空シリカ微粒子等空隙を有する粒子と 併用することにより層の屈折率を低下させることができる。
[0094] この第 3の実施態様においては、例えば、前記第 2の実施態様における光を回折も しくは拡散させる層を構成する媒体である前記フッ素系榭脂中に、中空シリカ微粒子 (触媒化成工業社製 P— 4)を添加し、この層を構成する。これら中空微粒子を固形 分でフッ素系榭脂と同量程混合することでて屈折率 1. 37程度の媒体となる。
[0095] また、酸ィ匕珪素等力もなるガスバリア層は、比較的密度が高く屈折率の高い層であ るため、応力緩和等の機能を有する応力緩和層を積層して作製される多層膜の場合 には、有機 EL素子を形成したとき、透明電極 (ITO)に接することとなる基板最表面 の層を屈折率が高いガスノリア機能層とすることで、導波モード (ITOと有機 EL層に 閉じ込められる光）の一部をガスノリア層に取り出すことが可能となり、また、これによ り光取りだしの為の回折や散乱をする機能を、比較的回折や拡散の機能を設けやす い隣接した応力緩和層に設けることが可能になる。そうすると、回折や拡散の機能を 最表面ではない下の層に設けることで、最表面の平滑性を高めることが容易となり、 発光層を製膜しやすくなる。
[0096] 次に、上記のような効果が期待できる図 6で示される第 4の実施態様について説明 する。図 6は、榭脂フィルム基材 1上に、応力緩和層 4、ガスノリア層（それぞれ 200η m厚）と設けられた後に、更に応力緩和層 4を設け、この表面に回折構造を設けてい る。更にその上に、ガスノリア層 3を設け、最表面に形成されたガスノリア層 3を屈折 率 1. 45以上、 2. 10以下という、屈折率の高い材料で形成することで、導波モード (I TOと有機 EL層に閉じ込められる光）の光の一部を高屈折率層に取り出し易くする。 また、そのすぐ下に隣接する応力緩和層との界面に光を回折もしくは拡散させるよう な凹凸を設けることで、高屈折率の層に取り出された光を外部に効率的に取り出す、 基板やガスバリア層の界面で全反射する光を効率的に取り出す、等の効果が期待で きる。
[0097] 回折構造を形成するために、前記の通りに、 PMMAからなる応力緩和層上に、例 えば、ピッチ（周期） 300nm、直径 150nm、深さ 120nmの孔を正方格子状に配列し た表面を前記の方法で形成する。
[0098] 第 4の実施態様において、最表面であるガスノリア層として、プラズマ CVD法により
SiN (窒化珪素）を、例えば、 200nm厚でその上に形成する。形成後、表面を MIPO
X製、研磨テープ（15000番)で肖 ijり表面突起等を除去し、平滑な膜とする。
[0099] このような基板は、表面にガスノリア層として 1. 8という高い屈折率を有する窒化珪 素層を有しており、好ましい。
[0100] ここにおいて、基板、応力緩和層、ガスノリア層は、前記図 1または 2におけるものと 同様である。また回折構造、拡散構造についても同様に形成される。
[0101] また、拡散構造とするためには、前記同様に、上記回折構造に代えて、 PMMAか らなる応力緩和層上に、例えば、平均ピッチが 3 m、平均高さが 500nmとなるよう なランダムな波状の平面を形成すればょ 、。
[0102] 第 5の態様としては、図 6における光の回折を起こさせる構造を表面に有する応力 緩和層に代えて、光を回折もしくは拡散させる層（拡散層）に、置き換えた態様である
。此処では、前記の通り、透明の TiO等の光を拡散させる微粒子をフッ素系榭脂中
2
に分散させ形成した層を用いるものであり、光の拡散により光の取り出しをはかる。該 層の媒体となる例えば榭脂層は、低屈折率であるほど好ましぐフッ素系榭脂や、内 部にシリカ等の中空粒子を含有するものが好ま 、。
[0103] また、本発明の第 6の態様としては、前記実施の態様 4, 5と同様に、ガスノリア層を 最表面とし、最表面のすぐ下の応力緩和層表面に設けられた回折構造、または、最 表面のすぐ下の応力緩和層を兼ねた光を回折もしくは拡散させる層（拡散層）を、屈 折率のなるべく低 、層とする実施態様である。
[0104] このうち、光を回折もしくは拡散させる層（拡散層）を、応力緩和層を兼ね最表面の ガスバリア層の直下に設けた実施態様を図 7に示す。光拡散層を屈折率の充分低い 、即ち、 1. 50以下、 1. 03以上である材料で構成し、更に波長よりも充分厚い (0. 3 μ m以上、好ましくは 1 μ m以上)層とすることで、前記同様、基板の内部で全反射す ることになる光の一部を外部に取り出すことが可能となる（基板の内部で全反射され る光は、低屈折率の層の臨界角で決まる量に低減される）。
[0105] この態様においては、最表面のガスバリア層 3として、前記 SiN (厚み lOOnm)から なる層、これにすぐ隣接した直下の応力緩和層 4として、前記熱架橋性フッ素榭脂 (6 %MEK溶液;商品名 JN— 7228、 JSR (株)製）中に、合成酸ィ匕チタン粒子（平均粒 子径 2.： L m、屈折率 2. 5)を固形分濃度で 10%含有させ塗布後、 120°Cで乾燥、 紫外線照射、更に 120°Cで熱硬化させ光を回折もしくは拡散させる層（拡散層）を形 成するものである（厚みは、例えば、 800nm〜数 m)。また、フッ素榭脂中には、中 空シリカ微粒子 (触媒化成工業社製 P-4)をフッ素系榭脂と同量混合することで、 屈折率 1. 37程度の媒体とするものである。
[0106] 屈折率は低いほど好ましぐフッ素系榭脂に中空粒子を併用し 1. 25前後となる。
[0107] 以上のような有機 EL用榭脂フィルム基板を用いることで、ガスノリア性に優れかつ 光取り出し効率が向上した有機 ELデバイスが得られる。
[0108] 次 ヽで、これら有機 EL用榭脂フィルム基板と共に本発明の有機 ELデバイスを形成 する有機 EL素子について説明する。
[0109] 本発明に係る有機 EL素子にっ 、て説明する。
[0110] 《有機 EL素子の構成層》
本発明において、有機 EL素子の層構成の好ましい具体例を以下に示すが、本発 明はこれらに限定されない。 (i)陽極 Z発光層 Z電子輸送層 Z陰極 (ϋ)陽極 Z正孔 輸送層 Z発光層 Z電子輸送層 Z陰極 (m)陽極 Z正孔輸送層 Z発光層 Z正孔阻止 層 Z電子輸送層 Z陰極 Gv)陽極 Z正孔輸送層 Z発光層 Z正孔阻止層 Z電子輸送 層 Z陰極バッファ一層 Z陰極 (V)陽極 Z陽極バッファ一層 Z正孔輸送層 Z発光層 Z正孔阻止層 Z電子輸送層 Z陰極バッファ一層 Z陰極 《陽極》
有機 EL素子における陽極としては、仕事関数の大きい (4eV以上)金属、合金、電 気伝導性化合物及びこれらの混合物を電極物質とするものが好ましく用いられる。こ のような電極物質の具体例としては Au等の金属、 Cul、インジウムチンォキシド (ITO ) , SnO、 ZnO等の導電性透明材料が挙げられる。また、 IDIXO (In O— ZnO)等
2 2 3 非晶質で透明導電膜を作製可能な材料を用いてもよい。陽極は、これらの電極物質 を蒸着やスパッタリング等の方法により、薄膜を形成させ、例えば、フォトリソグラフィ 一法で所望の形状のパターンを形成する。陽極より発光を取り出す場合には、透過 率を 10%より大きくすることが望ましぐまた、陽極としてのシート抵抗は数百 ΩΖ口 以下が好ましい。さらに膜厚は材料にもよる力 通常 10〜： L000nm、好ましくは 10〜 200nmの範囲で選ばれる。インジウムチンォキシド（ITO)、 SnO、 ZnO等の材料は
2
光取りだし側の電極として特に好ま 、。
[0111] 《陰極》
一方、陰極としては、仕事関数の小さい (4eV以下)金属 (電子注入性金属と称する )、合金、電気伝導性化合物及びこれらの混合物を電極物質とするものが用いられる 。このような電極物質の具体例としては、ナトリウム、ナトリウム一カリウム合金、マグネ シゥム、リチウム、アルミニウム、マグネシウム Z銀混合物、マグネシウム Zアルミ-ゥ ム混合物、アルミニウム Z酸ィ匕アルミニウム (Al O )
2 3混合物、リチウム Zアルミニウム 混合物、希土類金属等が挙げられる。これらの中で、電子注入性及び酸化等に対す る耐久性の点から、電子注入性金属とこれより仕事関数の値が大きく安定な金属で ある第二金属との混合物、例えばマグネシウム Z銀混合物、マグネシウム Zアルミ- ゥム混合物、アルミニウム Z酸ィ匕アルミニウム (Al O )混合物、リチウム
2 3 Zアルミニウム 混合物、アルミニウム等が好適である。これら電極物質を蒸着やスパッタリング等の方 法で、薄膜を形成させる。また、陰極としてのシート抵抗は数百 ΩΖ口以下が好まし く、また膜厚は通常 10nm〜1000nm、好ましくは 50nm〜200nmの範囲で選ばれ る。なお、発光を透過させるため、有機 EL素子の陽極または陰極のいずれか一方が 、透明または半透明であれば発光輝度が向上し好都合である。
[0112] 次に、本発明に係る有機 EL素子の構成層として用いられる、発光層、注入層、正 孔輸送層、電子輸送層等について説明する。
[0113] 《注入層》:電子注入層、正孔注入層
注入層は必要に応じて設け、電子注入層と正孔注入層があり、上記のごとく陽極と 発光層または正孔輸送層の間、及び、陰極と発光層または電子輸送層との間に存 在させてもよい。
[0114] 注入層とは、駆動電圧低下や発光輝度向上のために電極と有機層間に設けられる 層のことで、「有機 EL素子とその工業ィ匕最前線（1998年 11月 30日 ェヌ'ティー'ェ ス社発行)」の第 2編第 2章「電極材料」（123〜166頁）に詳細に記載されており、正 孔注入層（陽極バッファ一層）と電子注入層（陰極バッファ一層）とがある。
[0115] 陽極バッファ一層（正孔注入層）は、特開平 9— 45479号公報、同 9 260062号 公報、同 8— 288069号公報等にもその詳細が記載されており、具体例として、銅フ タロシアニンに代表されるフタロシアニンバッファ一層、酸ィ匕バナジウムに代表される 酸化物バッファ一層、アモルファスカーボンバッファ一層、ポリア-リン（ェメラルディ ン)やポリチォフェン等の導電性高分子を用いた高分子バッファ一層等が挙げられる
[0116] 陰極バッファ一層（電子注入層）は、特開平 6— 325871号公報、同 9— 17574号 公報、同 10— 74586号公報等にもその詳細が記載されており、具体的にはストロン チウムゃアルミニウム等に代表される金属バッファ一層、フッ化リチウムに代表される アルカリ金属化合物バッファ一層、フッ化マグネシウムに代表されるアルカリ土類金 属化合物バッファ一層、酸ィヒアルミニウムに代表される酸ィヒ物バッファ一層等が挙げ られる。
[0117] 上記バッファ一層（注入層）はごく薄い膜であることが望ましぐ素材にもよるが、そ の膜厚は 0. lnm〜100nmの範囲が好ましい。
[0118] 阻止層は、上記のごとぐ有機化合物薄膜の基本構成層の他に必要に応じて設け られるものである。例えば特開平 11— 204258号、同 11 204359号、及び「有機 E
L素子とその工業ィ匕最前線（1998年 11月 30日 ェヌ 'ティー ·エス社発行)」の 237 頁等に記載されて 、る正孔阻止（ホールブロック)層がある。
[0119] 前記のように、正孔阻止層とは広い意味では電子輸送層であり、電子を輸送する機 能を有しつつ、正孔を輸送する能力が著しく小さい材料力 なり、電子を輸送しつつ 正孔を阻止することで電子と正孔の再結合確率を向上させることができる。
[0120] 一方、電子阻止層とは、広い意味では正孔輸送層であり、正孔を輸送する機能を 有しつつ電子を輸送する能力が著しく小さい材料力 なり、正孔を輸送しつつ電子を 阻止することで電子と正孔の再結合確率を向上させることができる。
[0121] 正孔輸送層とは、正孔を輸送する機能を有する材料からなり、広い意味で正孔注 入層、電子阻止層も正孔輸送層に含まれる。
[0122] この注入層は、上記材料を、例えば真空蒸着法、スピンコート法、キャスト法、インク ジェット法、 LB法等の公知の方法により、薄膜ィ匕することにより形成することができる 。注入層の膜厚については特に制限はないが、通常は 5〜5000nm程度である。こ の注入層は、上記材料の一種または二種以上力もなる一層構造であってもよい。
[0123] 製膜に蒸着法を採用する場合、その蒸着条件は、使用する化合物の種類等により 異なるが、一般にボート加熱温度 50〜450°C、真空度 10—6Pa〜10—2Pa、蒸着速度 0 . 01nm〜50nmZ秒、、基板温度一 50。C〜300。C、膜厚 0. 1ηπι〜5 ;ζ πιの範囲で 適宜選ぶことが望ましい。
[0124] 《発光層》
本発明にお 、て、発光層に用いられる発光材料の種類にっ 、ては特に制限はなく
、従来有機 EL素子における発光材料として公知のものを用いることができる。このよ うな発光材料は主に有機化合物であり、所望の色調により、例えば、 Macromol. Sy mp. 125卷 17頁から 26頁に記載の化合物が挙げられる。
[0125] 発光材料は発光性能の他に、正孔注入機能や電子注入機能を併せ持って!/ヽても 良ぐ正孔注入材料や電子注入材料の殆どが発光材料としても使用できる。
[0126] 発光材料は、 p—ポリフエ-レンビ-レンやポリフルオレンのような高分子材料でも 良ぐさらに前記発光材料を高分子鎖に導入した、または前記発光材料を高分子の 主鎖とした高分子材料を使用しても良い。
[0127] また、発光層には発光ホスト物質に加えて、ドーパント (ゲスト物質)を併用してもよく
、有機 EL素子のドーパントとして使用される公知のものの中から任意のものを選択し て用いることができる。 [0128] (発光ホストと発光ドーパント）
発光層中の主成分であるホストイ匕合物に対する発光ドーパントとの混合比は好まし くは質量で 0. 1質量％〜30質量％未満の範囲である。
[0129] 発光ドーパントは、大きく分けて、蛍光を発光する蛍光性ドーパントと燐光を発光す る燐光性ドーパントの 2種類がある。
[0130] 蛍光性ドーパントの代表例としては、クマリン系色素、ピラン系色素、シァニン系色 素等の有機色素、または希土類錯体系蛍光体等が挙げられる。
[0131] 燐光性ドーパントの代表例としては、好ましくは元素の周期表で 8属、 9属、 10属の 金属を含有する錯体系化合物であり、更に好ましくは、イリジウム化合物、オスミウム 化合物であり、中でも最も好ましいのはイリジウム化合物である。
[0132] 本発明においては、発光ホストに加えて、発光層の少なくとも 1層に、燐光性化合 物 (燐光性ドーパント)を用いることが好ま 、。
[0133] 燐光性ドーパントの具体例としては、前記の他、以下の特許公報に記載されている 化合物がある。
[0134] 国際公開第 00/70655号パンフレット、特開 2002— 280178号公報、特開 2001
— 181616号公報、特開 2002— 280179号公報、特開 2001— 181617号公報、 特開 2002— 280180号公報、特開 2001— 247859号公報、特開 2002— 299060 号公報、特開 2001— 313178号公報、特開 2002— 302671号公報、特開 2001— 345183号公報、特開 2002— 324679号公報、国際公開第 02,15645号パンフ レッド、特開 2002— 332291号公報、特開 2002— 50484号公報、特開 2002— 33 2292号公報、特開 2002— 83684号公報、特表 2002— 540572号公報、特開 20 02— 117978号公報、特開 2002— 338588号公報、特開 2002— 170684号公報 、特開 2002— 352960号公報、国際公開第 01/93642号パンフレット、特開 2002
— 50483号公報、特開 2002— 100476号公報、特開 2002— 173674号公報、特 開 2002— 359082号公報、特開 2002— 175884号公報、特開 2002— 363552号 公報、特開 2002— 184582号公報、特開 2003— 7469号公報、特表 2002— 525 808号公報、特開 2003— 7471号公報、特表 2002— 525833号公報、特開 2003
— 31366号公報、特開 2002— 226495号公報、特開 2002— 234894号公報、特 開 2002— 235076号公報、特開 2002— 241751号公報、特開 2001— 319779号 公報、特開 2001— 319780号公報、特開 2002— 62824号公報、特開 2002— 10 0474号公報、特開 2002— 203679号公報、特開 2002— 343572号公報、特開 2 002— 203678号公報等。
[0135] その具体例の一部を下記に示す。
[0136] [化 1] t Pt 2
Figure imgf000024_0001
[0137] [化 2]
[ε^ ] [8ετο]
Figure imgf000025_0001
9一 J瞧 9-JI
Figure imgf000025_0002
ε— JI
Figure imgf000025_0003
C8C0C/900Zdf/X3d z ZT9S60/900Z OAV
Figure imgf000026_0001
lr-9 lr- 10
Figure imgf000026_0002
lr-11 lr-12
F 一
Figure imgf000026_0003
一 2 lr-13 lr- 14
Figure imgf000026_0004
(発光ホスト化合物）
本発明に用いられる発光ホストイ匕合物としては、構造的には特に制限はないが、代 表的には力ルバゾール誘導体 (力ルバゾール誘導体としては CBP等がよく知られて いる。）、トリアリールァミン誘導体、芳香族ボラン誘導体（トリアリールボラン誘導体）、 含窒素複素環化合物、チォフェン誘導体、フラン誘導体、オリゴァリーレンィ匕合物等 の基本骨格を有するもの、または、カルボリン誘導体やジァザ力ルバゾール誘導体（ ここで、ジァザ力ルバゾール誘導体とは、カルボリン誘導体のカルボリン環を構成す る炭化水素環の少なくとも一つの炭素原子が窒素原子で置換されているものを表す 。；)等が挙げられる。
[0140] 中でもカルボリン誘導体、ジァザ力ルバゾール誘導体等が好ましく用いられる。
[0141] 以下に、カルボリン誘導体、ジァザ力ルバゾール誘導体等の具体例を挙げる力 本 発明はこれらに限定されない。
[0142] [化 4]
[S^ ] [S IO]
Figure imgf000028_0001
C8C0f/900Zdf/X3d LZ il9S60/900l OAV H— 12 H - 13
Figure imgf000029_0001
[0144] また、本発明に用いられる発光ホストは低分子化合物でも、繰り返し単位をもつ高 分子化合物でもよぐビニル基やエポキシ基のような重合性基を有する低分子化合 物 (蒸着重合性発光ホスト)でもよ 、。
[0145] 発光ホストとしては、正孔輸送能、電子輸送能を有しつつ、且つ、発光の長波長化 を防ぎ、高 Tg (ガラス転移温度)である化合物が好ま 、。
[0146] 発光ホストの具体例としては、前記のほか以下の文献に記載されている化合物が 好適である。例えば、特開 2001— 257076号公報、同 2002— 308855号公報、同 2001— 313179号公報、同 2002— 319491号公報、同 2001— 357977号公報、 同 2002— 334786号公報、同 2002— 8860号公報、同 2002— 334787号公報、 同 2002— 15871号公報、同 2002— 334788号公報、同 2002— 43056号公報、 同 2002— 334789号公報、同 2002— 75645号公報、同 2002— 338579号公報 、同 2002— 105445号公報、同 2002— 343568号公報、同 2002— 141173号公 報、同 2002— 352957号公報、同 2002— 203683号公報、同 2002— 363227号 公報、同 2002— 231453号公報、同 2003— 3165号公報、同 2002— 234888号 公報、同 2003— 27048号公報、同 2002— 255934号公報、同 2002— 260861 号公報、同 2002— 280183号公報、同 2002— 299060号公報、同 2002— 3025 16号公報、同 2002— 305083号公報、同 2002— 305084号公報、同 2002— 30 8837号公報等。
[0147] その他、公知の発光ホストとして、後述の電子輸送材料および正孔輸送材料もその 相応 、一例として挙げられる。
[0148] 発光層は、上記化合物を、例えば真空蒸着法、スピンコート法、キャスト法、 LB法 などの公知の薄膜ィ匕法により製膜して形成することができる。発光層としての膜厚は 、特に制限はないが、通常は 5ηπ！〜 5 μ mの範囲で選ばれる。この発光層は、これら の発光材料一種または二種以上力もなる一層構造であってもよいし、あるいは、同一 組成または異種組成の複数層からなる積層構造であってもよい。
[0149] 《正孔輸送層》
正孔輸送層とは正孔を輸送する機能を有する材料からなり、広い意味で正孔注入 層、電子阻止層も正孔輸送層に含まれる。正孔輸送層は単層もしくは複数層設ける ことができる。
[0150] 正孔輸送材料としては、特に制限はなぐ従来、光導伝材料において、正孔の電荷 注入輸送材料として慣用されて 、るものや EL素子の正孔注入層、正孔輸送層に使 用される公知のものの中から任意のものを選択して用いることができる。
[0151] 正孔輸送材料は、正孔の注入もしくは輸送、電子の障壁性の!/、ずれかを有するも のであり、有機物、無機物のいずれであってもよい。例えば、トリァゾール誘導体、ォ キサジァゾール誘導体、イミダゾール誘導体、ポリアリールアルカン誘導体、ビラゾリ ン誘導体及びピラゾロン誘導体、フ -レンジァミン誘導体、ァリールァミン誘導体、 ァミノ置換カルコン誘導体、ォキサゾール誘導体、スチリルアントラセン誘導体、フル ォレノン誘導体、ヒドラゾン誘導体、スチルベン誘導体、シラザン誘導体、ァニリン系 共重合体、また、導電性高分子オリゴマー、特にチォフェンオリゴマー等が挙げられ る。
[0152] 正孔輸送材料としては、上記のものを使用することができる力 ポルフィリン化合物 、芳香族第三級ァミン化合物及びスチリルァミン化合物、特に芳香族第三級ァミン化 合物を用いることが好まし 、。
[0153] 芳香族第三級アミンィ匕合物及びスチリルアミンィ匕合物の代表例としては、 N, N, N ' , N' —テトラフエニル一 4, 4' —ジァミノフエ-ル； N, N' —ジフエ-ル一 N, N ' —ビス（3—メチルフエ-ル）一〔1, 1' —ビフエ-ル〕一 4, 4' —ジァミン（TPD) ; 2, 2 ビス（4 ジ一 p トリルァミノフエ-ル）プロパン； 1, 1—ビス（4 ジ一 p トリ ルァミノフエ-ル）シクロへキサン； N, N, N' , N' —テトラ一 p トリル一 4, 4' - ジアミノビフエ-ル； 1 , 1 ビス（4 ジ一 p トリルァミノフエ-ル） 4 フエ-ルシク 口へキサン；ビス（4 -ジメチルァミノ 2 メチルフエ-ル）フエニルメタン；ビス（4 -ジ —p トリルァミノフエ-ル）フエ-ルメタン； N, N' —ジフエ-ル一 N, N' —ジ（4— メトキシフエ-ル） 4, 4' ージアミノビフエニル； N, N, N' , N' —テトラフエ-ル —4, 4' ージアミノジフエ-ルエーテル； 4, 4' ビス（ジフエ-ルァミノ）クオ一ドリフ ェ -ル； N, N, N トリ（p トリル）ァミン； 4— (ジ— p トリルァミノ）— 4' —〔4— (ジ —p トリルァミノ）スチリル〕スチルベン； 4— N, N ジフエ-ルァミノ—（2 ジフエ- ルビ-ル）ベンゼン； 3—メトキシ一 4' — N, N ジフエニルアミノスチルベンゼン； N フエ-ルカルバゾール、さらには、米国特許第 5, 061, 569号明細書に記載され ている 2個の縮合芳香族環を分子内に有するもの、例えば 4, 4' ビス〔N— (1 - ナフチル） N—フエ-ルァミノ〕ビフヱ-ル（NPD)、特開平 4— 308688号公報に 記載されて 、るトリフエ-ルァミンユニットが 3つスターバースト型に連結された 4, 4' , " —トリス〔?^— (3—メチルフエ-ル）一 N フエ-ルァミノ〕トリフエ-ルァミン（MT DATA)等が挙げられる。
[0154] さらにこれらの材料を高分子鎖に導入した、またはこれらの材料を高分子の主鎖と した高分子材料を用いることもできる。
[0155] また、 p型 Si、 p型 SiC等の無機化合物も正孔注入材料、正孔輸送材料として 使用することができる。
[0156] 正孔輸送材料は、高 Tgである化合物が好ましい。
[0157] この正孔輸送層も、上記正孔輸送材料を、例えば真空蒸着法、スピンコート法、キ ヤスト法、インクジェット法、 LB法等の公知の方法により、薄膜化することにより形成す ることができる。正孔輸送層の膜厚については特に制限はないが、通常は 5〜5000 nm程度である。この正孔輸送層は、上記材料の一種または二種以上からなる一層 構造であってもよい。 [0158] 《電子輸送層》
電子輸送層とは電子を輸送する機能を有する材料力 なり、広い意味で電子注入 層、正孔阻止層も電子輸送層に含まれる。電子輸送層は、陰極より注入された電子 を発光層に伝達する機能を有して!/ヽればよぐ電子輸送層は単層もしくは複数層設 けることができる。
[0159] 例えば、白金錯体は、正孔阻止材料 (電子輸送材料)として用いることができる。従 つて、正孔阻止層を構成層として有する有機 EL素子において、正孔阻止材料として 用いてもよぐまた、電子輸送層中に正孔阻止材料として、含有されていてもよい。こ の場合電子輸送層が正孔阻止層を兼ねることになる。
[0160] 電子輸送材料としては、その他、従来公知の化合物の中から任意のものを選択し て用いることができる。
[0161] 従来、単層の電子輸送層、及び複数層とする場合は発光層に対して陰極側に隣 接する電子輸送層に用いられる電子輸送材料 (正孔阻止材料を兼ねる）としては、下 記の材料が知られている。即ち、ニトロ置換フルオレン誘導体、ジフエ二ルキノン誘導 体、チォピランジオキシド誘導体、ナフタレンペリレンなどの複素環テトラカルボン酸 無水物、カルポジイミド、フレオレニリデンメタン誘導体、アントラキノジメタン及びアン トロン誘導体、ォキサジァゾール誘導体などが挙げられる。さらに、上記ォキサジァゾ ール誘導体にお 、て、ォキサジァゾール環の酸素原子を硫黄原子に置換したチア ジァゾール誘導体、電子吸引基として知られているキノキサリン環を有するキノキサリ ン誘導体も、電子輸送材料として用いることができる。
[0162] さらにこれらの材料を高分子鎖に導入した、またはこれらの材料を高分子の主鎖と した高分子材料を用いることもできる。
[0163] また、 8 キノリノール誘導体の金属錯体、例えば、トリス（8 キノリノール)アルミ- ゥム（Alq)、トリス（5, 7—ジクロロ一 8—キノリノール）アルミニウム、トリス（5, 7—ジブ ロモ一 8 キノリノール）アルミニウム、トリス（2 メチル 8 -キノリノール）アルミ-ゥ ム、トリス（5—メチル 8—キノリノール）アルミニウム、ビス（8—キノリノール）亜鉛（Zn q)など、及びこれらの金属錯体の中心金属が In、 Mg、 Cu、 Ca、 Sn、 Gaまたは Pbに 置き替わった金属錯体も、電子輸送材料として用いることができる。その他、メタルフ リー若しくはメタルフタロシアニン、またはそれらの末端がアルキル基ゃスルホン酸基 などで置換されているものも、電子輸送材料として好ましく用いることができる。また、 発光層の材料として例示したジスチリルビラジン誘導体も、電子輸送材料として用い ることができるし、正孔注入層、正孔輸送層と同様に、 n型一 Si、 n型一 SiCなどの無 機半導体も電子輸送材料として用いることができる。
[0164] 電子輸送層に用いられる好ましい化合物は、青色または白色の発光素子、表示装 置および照明装置に適用する場合には、蛍光極大波長が 415nm以下であることが 好ましぐリン光の 0— 0バンドが 450nm以下であることがさらに好ましい。
[0165] 電子輸送層に用いられる化合物は、高 Tgである化合物が好ま 、。
[0166] この電子輸送層は、上記電子輸送材料を、例えば真空蒸着法、スピンコート法、キ ヤスト法、インクジェット法、 LB法等の公知の方法により、薄膜化することにより形成す ることができる。電子輸送層の膜厚については特に制限はないが、通常は 5〜5000 nm程度である。この電子輸送層は、上記材料の一種または二種以上からなる一層 構造であってもよい。
[0167] 有機化合物薄膜の薄膜化の方法として蒸着法を採用する場合、その蒸着条件は、 使用する化合物の種類等により異なる力 一般にボート加熱温度 50〜450°C、真空 度 10— 6Pa〜： LO— 2Pa、蒸着速度 0. 01nm〜50nmZ秒、基板温度 50°C〜300°C、 膜厚 0. lnm〜5 mの範囲で適宜選ぶことが望ましい。
[0168] これらの層の形成後、その上に陰極用物質力もなる薄膜を、 1 μ m以下好ましくは 5 0nm〜200nmの範囲の膜厚になるように、例えば蒸着やスパッタリング等の方法に より形成させ、陰極を設けることにより、所望の有機 EL素子が得られる。
[0169] 前記の基板上に、これらの有機材料を、前記の層構成で形成し有機 ELデバイスは 構成されるが、発光層に用いる発光材料として、発光ホスト、およびドーパントとして、 それぞれ、青、緑、赤に発光する発光材料を選択して、 3色に発光を有する有機 EL 素子をそれぞれ作製し、これを素子として、フルカラー表示装置を構成することがで きる。また、白色発光素子とするには、有機 EL材料を用い異なる複数の発光色を同 時に発光させて混色により白色発光を得ればよぐ異なる複数の発光色を得るため には、ホストイ匕合物に発光ドーパントを複数組み合わせ混合する、また複数のリン光 または蛍光で発光する材料を、組み合わせ複数層で構成 (また、中間層を設けても 良い）する等いずれでも良い。このように、本発明の有機 EL素子は、フルカラーの表 示デバイス、ディスプレーに加えて、白色光源として、各種発光光源、照明装置等に 用いることができる。また動画像を再生する表示デバイスとして使用する場合、駆動 方式は単純マトリックス (パッシブマトリックス）方式でもアクティブマトリックス方式でも どちらでもよい。
[0170] 本発明においては、有機 EL素子各層を、本発明に係わる前記有機 EL用榭脂基 板上に形成して、周囲環境の水蒸気、または酸素等のガスに起因する、素子或いは デバイスの劣化を防止するものであるが、以下に、本発明に係わる前記基板を用い た、ガスバリア性が高ぐ光の取り出し効率に優れた有機 ELデバイスの作製の具体 的な実施の形態について説明する。
[0171] 《有機 ELデバイスの作製》
本発明の有機 ELデバイスの作製方法の一例として、本発明の有機 EL用榭脂フィ ルム基板上に有機 EL素子各層を形成する方法について説明する。
[0172] まず前記の第 1の実施態様で示した、図 3で示されるガスバリア層の最表面に光を 回折する凹凸構造を設けた有機 EL用榭脂フィルム基板は、榭脂フィルム基板として 、 PES (ポリエーテルスルホン）フィルム（厚み 200 μ m)基板上に、応力緩和層乃至 接着層として、 PMMA膜を WO00Z36665に記載された方法に従って真空蒸着に よりポリメチルメタタリレートオリゴマーから形成し、重合させ形成 (膜厚は 200nm)し たのち、この上に、大気圧プラズマ CVD法により酸ィ匕珪素の膜を形成し (膜厚 200η m)、更に前記の方法で 400nmの厚みで PMMA膜を形成し、表面にインプリント成 形にて金型から凹凸を転写して凹凸を形成し作製する。即ち予め形成した型付けの ためのエンボスを有するステンレスロールに加熱、押圧することで、ピッチ（周期） 300 nmで、直径 150nm、深さ 120nmの正方格子状に繰り返しパターンを形成する（光 の回折作用により 10〜580nmの 、わゆる緑領域の光取り出し効率が高まる。 )。
[0173] また、第 1の実施態様の 1つである拡散構造についても、形成した最表面の PMM A膜に、波形形状をもつエンボスを有するステンレスロールを用いて加熱押圧するィ ンプリント成形により型付けを施すことで、平均ピッチ 3 m、平均高さ 500nmのラン ダムなゆるやか波型形状を有する表面が形成される。
[0174] 同様に第 2の実施態様（図 5)における拡散層として、酸化珪素層上に、最表面の 層として設けた光を回折もしくは拡散させる層（拡散層）としては、合成酸化チタン粒 子 (平均粒子径 2.： L m、屈折率 2. 5)を固形分濃度で 10%、熱架橋性フッ素榭脂 (6%MEK溶液;商品名 JN— 7228、 JSR (株)製）中に含有、分散させ、また中空シ リカ微粒子 (触媒化成工業社製 P— 4)を固形分でフッ素系榭脂と同量混合し、塗 布、 120°Cで乾燥、紫外線照射、更に 120°Cで熱硬化させ有機 EL用榭脂基板を作 製した (厚み 3 /ζ πι)。拡散層の屈折率は 1. 37であった。
[0175] 第 4の実施態様（図 6)となる基板は、回折構造として、前記の通りに、 ΡΜΜΑから なる応力緩和層上に、例えばピッチ（周期） 300nm、直径 150nm、深さ 120nmの孔 を正方格子状に配列した表面を前記の方法で形成し、次いで、この上にプラズマ CV D法により SiN (窒化珪素）を 150nm厚形成する。形成後表面を MIPOX製、研磨テ ープ（15000番)で削り突起のない平滑な膜とした。この基板において、表面窒化珪 素層の屈折率は 1. 8であった。
[0176] また、拡散構造として、前記同様に、真空紫外エキシマランプを用いて、 PMMA上 に前記同様、平均ピッチが 3 m、平均高さが 500nmとなるようなランダムな波状の 平面を形成し、同様に窒化珪素層を形成した基板を作製することができる。
[0177] 第 5の実施態様となる基板は、前記第 4の実施態様において、回折構造を表面に 有する PMMAからなる応力緩和層にかえて、光を回折もしくは拡散させる層（拡散 層）として、合成酸化チタン粒子 (平均粒子径 2. 1 IX m、屈折率 2. 5)を固形分濃度 で 10%、熱架橋性フッ素榭脂（6%MEK溶液;商品名 JN— 7228、 JSR (株)製）中 に含有、分散させ、また中空シリカ微粒子 (触媒化成工業社製 P— 4)を固形分でフ ッ素系榭脂と同量混合し、塗布、 120°Cで乾燥、紫外線照射、更に 120°Cで熱硬化 させた層（厚み 3 μ m)を形成した以外は同様にして作製した。これによれば、拡散層 の屈折率は 1. 37であった。最表面に lOOnm厚の窒化珪素層（屈折率 1. 8)を有す る。
[0178] 第 6の実施態様となる基板は、図 7に示したように、榭脂フィルム基板上に、応力緩 和層（PMMA、 200nm)、ガスバリア層（酸化珪素、 200nm)をそれぞれ交互に 2層 有するが、 2層目のガスノリア層上に、光を回折もしくは拡散させる層（拡散層）として 、合成酸ィ匕チタン粒子 (平均粒子径 2.： m、屈折率 2. 5)を固形分濃度で 10%、 熱架橋性フッ素榭脂 (6%MEK溶液;商品名 JN— 7228、 JSR (株)製）中に含有、分 散させ、また中空シリカ微粒子 (触媒化成工業社製 P— 4)を固形分でフッ素系榭脂 と同量混合し、塗布、 120°Cで乾燥、紫外線照射、更に 120°Cで熱硬化させ有機 EL 用榭脂基板を作製した (厚み 3 m)。拡散層の屈折率は 1. 37であった。
[0179] 該拡散層上に前記同様に、プラズマ CVD法により SiN (窒化珪素）を 200nmの厚 みで形成してガスバリア層とした。
[0180] このようにして形成した各有機 EL用榭脂フィルム基板上に、ノィァススパッター法 を用いてスパッタリング法により ITO膜を作製し (厚さ 150nm、屈折率 2. 0、シート抵 抗約 10 ΩΖπι2)、 ITO膜形成後、研磨テープ（ΜΙΡΟΧ製、研磨テープ（15000番） )を用いて表面を lOnm程度研磨して平滑ィ匕する。
[0181] 形成された ITO膜からなる陽極上に、素子材料である正孔注入層、正孔輸送層、 発光層、電子輸送層、電子注入層の有機化合物薄膜を形成させる。
[0182] 即ち、上記で得られた光取りだし構造付きの ITO膜付き有機 EL用榭脂フィルム基 板を、真空蒸着装置の基板ホルダーに固定し、タンタル製抵抗加熱ボートに、正孔 注入/輸送層材料として、例えば α— NPDを、発光層ホスト、発光層ドーパントとし て、れぞれ、例えば CBP、 Ir—12を、また正孔阻止層材料 BCP、電子輸送層材料 A lqを順次容れ、真空槽を 4 X 10— 4Pa程度まで減圧し、加熱し、蒸着速度 0. lnm/
3
秒〜 0. 2nmZ秒で各材料層を基板上に順次蒸着する。発光ホストである CBPと発 光ドーパントは蒸着速度で比率を適宜調整する。次いで、陰極バッファ一層を設け、 次いで陰極材料として例えばアルミニウムを膜厚 150nm程度の蒸着し、陰極を作製 し、有機 EL素子を作製した。
[0183] [化 6]
Figure imgf000037_0001
[0184] 本発明の有機 EL用榭脂フィルム基板上に、この様に有機 EL素子を形成し得られ た有機 ELデバイスは、 2〜40V程度の電圧を印加すると、発光が観測できる。
[0185] 光取りだし効率向上のための、前記、回折構造や拡散構造、また拡散層等を有す るものにっ 、ては、これらをもたな 、ものと比較すると 、ずれも光の取り出し効率が向 上するため、発光輝度が向上する。また、バリア層を有することで、基板を通してのガ スの透過が抑えられるため、水分や、酸素等のガスの影響による、有機 EL素子の劣 化を防止することができる。
[0186] 本発明の榭脂フィルム基板を光取りだし側の基板として用いることで、有機 EL素子 を水分や、酸素等の有害ガス力も封止することができる。即ち、本発明の透明基板上 に、有機 EL素子を形成した後、該基板と、陰極に接する側からもう一つのガスバリア フィルムを合わせて、基板の有機 EL素子を形成しなカゝつた囲の部分で接着して、封 止することもできる。これにより、有機 ELデバイスの寿命を更に向上させることができ る。実施態様 1の有機 EL用榭脂フィルム基板を用い、該基板上に有機 EL素子を形 成し、封止した有機 ELデバイスの断面構造の一例を模式的に図 8に示した。
[0187] ここにおいて、榭脂フィルム基板 1上に応力緩和層 4、ガスノリア層 3,更に回折構 造が表面に設けられた応力緩和層 4と順次形成された本発明に係わる有機 EL用榭 脂フィルム基板上に、陽極 (ITO) 5、有機 EL各層 6、陰極 7が設けられ、更に、もう一 つのガスノ リアフィルム 8と、接着剤 9により、榭脂フィルム基板周囲で、互いに接着 封止され他項増構造を有する。尚、矢印は光の取り出し方向示す。
[0188] 用いられるもう一つの封止材料 (ガスバリアフィルム）としては、ガスバリア層を有する 別のフィルム、例えば、包装材等に使用される公知のガスノ リア性フィルム、例えば プラスチックフィルム上に酸ィ匕珪素や、酸ィ匕アルミニウムを蒸着したもの、緻密なセラ ミック層と、柔軟性を有する衝撃緩和ポリマー層を交互に積層した構成のガスノ リア 性フィルム等を用いることができる。また特に、榭脂ラミネート (ポリマー膜)された金属 箔は、光取りだし側のガスノ リアフィルムとして用いることはできないが、低コストで更 に透湿性の低 、封止材料であり封止フィルムとして好ま 、。本発明の有機 EL用榭 脂フィルム基材は透明であり、光取りだし側の基板として用いることができるため、もう 一つの封止材料が、例え、光を透過しない材料であっても、ガス透過率が低い材料 であればこれを用いることができる。
[0189] 他の実施態様に係わる、表面の拡散構造により、またバリア層と共に拡散層を形成 した有機 EL用榭脂フィルム基板を用いた場合にぉ 、ても、実施態様 1に係る榭脂フ イルム基板に代えて、これらを光取りだし側の基板として用いることで、同様に、光取 りだし効率が向上し、かつ有害なガス力ゝら封止された有機 ELデバイスが得られる。

Claims

請求の範囲
[1] 榭脂フィルム上に少なくとも一つのガスノリア層を有する有機エレクト口ルミネッセン ス用榭脂フィルム基板にぉ 、て、該ガスバリア層を有する側の最表面を構成する層 の表面が、光を回折もしくは拡散させる凹凸構造を有することを特徴とする有機エレ タトロルミネッセンス用榭脂フィルム基板。
[2] 榭脂フィルム上に少なくとも一つのガスノリア層を有する有機エレクト口ルミネッセンス 用榭脂フィルム基板にぉ ヽて、該ガスバリア層を有する側の最表面を構成する層が、 光を回折もしくは拡散させる層であることを特徴とする有機エレクト口ルミネッセンス用 榭脂フィルム基板。
[3] 前記ガスバリア層を有する側の最表面を構成する層は、屈折率が 1. 50以下、 1. 0 3以上の低屈折率層であり、かつ厚みが 0. 3 m以上であることを特徴とする請求の 範囲第 1項または第 2項に記載の有機エレクト口ルミネッセンス用榭脂フィルム基板。
[4] 榭脂フィルム上に少なくとも一つのガスノリア層を有する有機エレクト口ルミネッセン ス用榭脂フィルム基板にぉ 、て、該ガスバリア層を有する側の最表面を構成する層 は、屈折率が 1. 45以上、 2. 10以下の高屈折率層であり、該高屈折率層と隣接した 層との間に、光を回折もしくは拡散させる凹凸構造が設けられたことを特徴とする有 機エレクト口ルミネッセンス用榭脂フィルム基板。
[5] 榭脂フィルム上に少なくとも一つのガスノリア層を有する有機エレクト口ルミネッセン ス用榭脂フィルム基板にぉ 、て、該ガスバリア層を有する側の最表面を構成する層 は、屈折率が 1. 45以上、 2. 10以下の高屈折率層であり、該高屈折率層に隣接し た層が、光を回折もしくは拡散させる層であることを特徴とする有機エレクト口ルミネッ センス用榭脂フィルム基板。
[6] 前記ガスバリア層を有する側の最表面を構成する層に隣接した層が、屈折率が 1.
50以下、 1. 03以上の低屈折率層であることを特徴とする請求の範囲第 4項または 第 5項に記載の有機エレクト口ルミネッセンス用榭脂フィルム基板。
[7] 請求の範囲第 1項乃至第 6項のいずれ力 1項に記載の有機エレクト口ルミネッセンス 用榭脂フィルム基板の上に、透明電極、有機エレクト口ルミネッセンス層及び金属電 極を、この順で積層して形成されることを特徴とする有機エレクト口ルミネッセンスデバ
' C8C0C/900Zdf/X3d 68 ZT9S60/900Z OAV
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Cited By (23)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2008083335A (ja) * 2006-09-27 2008-04-10 Toppan Printing Co Ltd 光学用転写シートおよびその製造方法、それに用いるスタンパの製造方法
JP2008155344A (ja) * 2006-12-26 2008-07-10 Hitachi Chem Co Ltd 液状光重合性組成物、それを用いたナノ構造物およびその製造方法
WO2008096748A1 (ja) * 2007-02-07 2008-08-14 Kaneka Corporation 平面発光装置
JP2009070816A (ja) * 2007-08-21 2009-04-02 Fujifilm Corp 有機エレクトロルミネッセンス表示装置
US20090168168A1 (en) * 2006-03-28 2009-07-02 Dai Nippon Printing Co., Ltd. Optical laminated body
JP2010055894A (ja) * 2008-08-27 2010-03-11 Panasonic Electric Works Co Ltd 発光素子用封止フィルム
JP2010182449A (ja) * 2009-02-03 2010-08-19 Fujifilm Corp 有機ｅｌ表示装置
JP2011517011A (ja) * 2008-02-15 2011-05-26 ネーデルランツ オルガニサティー フォール トゥーゲパストナトゥールヴェテンシャッペリーク オンデルズーク テーエンオー 封入型電子装置および製造方法
KR20110079911A (ko) * 2008-10-31 2011-07-11 쓰리엠 이노베이티브 프로퍼티즈 컴파니 고굴절률 백필 층 및 패시베이션 층을 갖는 광 추출 필름
JP2011159480A (ja) * 2010-01-29 2011-08-18 Nippon Zeon Co Ltd 面光源装置用積層体及び面光源装置
JP2012028307A (ja) * 2010-06-23 2012-02-09 Oji Paper Co Ltd 有機ｅｌ素子の製造方法及び有機ｅｌ素子。
WO2012063700A1 (ja) * 2010-11-11 2012-05-18 シャープ株式会社 光拡散板、有機エレクトロルミネッセンス表示装置、及び電子機器
EP2141962A4 (en) * 2007-03-30 2012-06-27 Panasonic Corp SURFACE LIGHT EMISSION BODY
JP2012174410A (ja) * 2011-02-18 2012-09-10 Mitsubishi Rayon Co Ltd 有機エレクトロルミネッセンス素子
JP2013083965A (ja) * 2011-09-27 2013-05-09 Canon Inc 光学素子および光学素子の製造方法
JP2013173249A (ja) * 2012-02-24 2013-09-05 Sekisui Chem Co Ltd バリアフィルム及びデバイス素子封止構造
WO2013187067A1 (ja) * 2012-06-15 2013-12-19 コニカミノルタ株式会社 Ｌｅｄ装置、及びその製造方法
JP2015514294A (ja) * 2012-03-23 2015-05-18 エルジー・ケム・リミテッド 有機発光素子
WO2015174391A1 (ja) * 2014-05-14 2015-11-19 Ｊｘ日鉱日石エネルギー株式会社 凹凸構造を有するフィルム部材
US9373818B2 (en) 2012-05-30 2016-06-21 Udc Ireland Limited Organic electroluminescent element
KR20170018011A (ko) * 2014-06-13 2017-02-15 쓰리엠 이노베이티브 프로퍼티즈 컴파니 스파클 감소를 위한 광학 적층물
JP2017084821A (ja) * 2010-10-20 2017-05-18 スリーエム イノベイティブ プロパティズ カンパニー 滲みを低減した、画素化されたｏｌｅｄ出力を増加させるための光抽出フィルム
JP2018021991A (ja) * 2016-08-02 2018-02-08 キヤノン株式会社 光学素子、光学装置、およびランダム凹凸形状の形成方法

Families Citing this family (45)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TW541710B (en) * 2001-06-27 2003-07-11 Epistar Corp LED having transparent substrate and the manufacturing method thereof
WO2009139310A1 (ja) * 2008-05-12 2009-11-19 コニカミノルタホールディングス株式会社 色素増感型太陽電池およびその製造方法
JP5564371B2 (ja) * 2009-09-17 2014-07-30 株式会社半導体エネルギー研究所 照明装置
JP5611812B2 (ja) * 2009-12-31 2014-10-22 三星ディスプレイ株式會社Ｓａｍｓｕｎｇ Ｄｉｓｐｌａｙ Ｃｏ．，Ｌｔｄ． バリア・フィルム複合体、これを含む表示装置及び表示装置の製造方法
JP5290268B2 (ja) * 2009-12-31 2013-09-18 三星ディスプレイ株式會社 バリア・フィルム複合体、これを含む表示装置、バリア・フィルム複合体の製造方法、及びこれを含む表示装置の製造方法
JP5611811B2 (ja) * 2009-12-31 2014-10-22 三星ディスプレイ株式會社Ｓａｍｓｕｎｇ Ｄｉｓｐｌａｙ Ｃｏ．，Ｌｔｄ． バリア・フィルム複合体及びこれを含む表示装置
KR101874649B1 (ko) 2010-04-22 2018-07-04 이데미쓰 고산 가부시키가이샤 유기 일렉트로 루미네선스 소자 및 조명 장치
JP5710645B2 (ja) * 2010-12-17 2015-04-30 タツモ株式会社 パターニング方法
US9991463B2 (en) * 2012-06-14 2018-06-05 Universal Display Corporation Electronic devices with improved shelf lives
WO2013191180A1 (ja) 2012-06-19 2013-12-27 新日鉄住金化学株式会社 表示装置及びその製造方法、並びに、表示装置支持基材用ポリイミドフィルム及びその製造方法
JP6580808B2 (ja) * 2012-06-19 2019-09-25 日鉄ケミカル＆マテリアル株式会社 表示装置及びその製造方法
WO2014007157A1 (ja) * 2012-07-02 2014-01-09 シャープ株式会社 タッチパネルおよびタッチパネル付き表示装置
WO2014057647A1 (ja) * 2012-10-11 2014-04-17 パナソニック株式会社 有機エレクトロルミネッセンス素子及び照明装置
US20150380681A1 (en) * 2013-02-12 2015-12-31 Konica Minolta, Inc. Organic electroluminescent element and lighting device
EP2980611A4 (en) * 2013-03-28 2016-03-23 Mitsubishi Rayon Co OPTICAL FILM, PRODUCTION METHOD FOR OPTICAL FILM AND SURFACE-EMBROIDERING BODY
JPWO2015016082A1 (ja) * 2013-07-29 2017-03-02 コニカミノルタ株式会社 有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法、製造装置及び有機エレクトロルミネッセンス素子
JP2015050100A (ja) * 2013-09-03 2015-03-16 日東電工株式会社 透明導電性フィルム
KR102111726B1 (ko) * 2013-10-30 2020-05-18 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치
US9871225B2 (en) * 2013-12-06 2018-01-16 Konica Minolta, Inc. Organic electroluminescence element
JP6612130B2 (ja) * 2013-12-27 2019-11-27 Ｊｘｔｇエネルギー株式会社 発光素子
JP6315389B2 (ja) * 2014-02-10 2018-04-25 パナソニックＩｐマネジメント株式会社 有機エレクトロルミネッセンス素子及び照明装置
JP2015179604A (ja) 2014-03-19 2015-10-08 富士フイルム株式会社 有機電界発光装置
WO2015141242A1 (ja) * 2014-03-19 2015-09-24 富士フイルム株式会社 機能性積層フィルム、機能性積層フィルムの製造方法、および機能性積層フィルムを含む有機電界発光装置
JP6722980B2 (ja) * 2014-05-09 2020-07-15 株式会社半導体エネルギー研究所 表示装置および発光装置、並びに電子機器
WO2015199164A1 (ja) 2014-06-27 2015-12-30 富士フイルム株式会社 有機電子装置用封止部材
JPWO2016063869A1 (ja) * 2014-10-22 2017-08-03 コニカミノルタ株式会社 光取り出し基板、光取り出し基板の製造方法、有機エレクトロルミネッセンス素子、及び、有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法
US11231544B2 (en) * 2015-11-06 2022-01-25 Magic Leap, Inc. Metasurfaces for redirecting light and methods for fabricating
JPWO2017168867A1 (ja) * 2016-03-30 2019-02-07 コニカミノルタ株式会社 光取り出しフィルム、及び、有機エレクトロルミネッセンス発光装置
JP2017191725A (ja) * 2016-04-14 2017-10-19 コニカミノルタ株式会社 光学部材、導電部材、電子デバイス、有機エレクトロルミネッセンス素子、及び、光学部材の製造方法、導電部材の製造方法、電子デバイスの製造方法、有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法
JP6961619B2 (ja) 2016-05-06 2021-11-05 マジック リープ, インコーポレイテッドMagic Leap, Inc. 光を再指向させるための非対称格子を有するメタ表面および製造方法
WO2017221681A1 (ja) * 2016-06-24 2017-12-28 コニカミノルタ株式会社 有機エレクトロルミネッセンス素子、及び、有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法
WO2018140502A1 (en) 2017-01-27 2018-08-02 Magic Leap, Inc. Antireflection coatings for metasurfaces
IL307294A (en) 2017-01-27 2023-11-01 Magic Leap Inc Diffraction gratings produced using a surface cell with differently oriented nanobeams
CN107275500A (zh) * 2017-06-12 2017-10-20 京东方科技集团股份有限公司 一种有机发光器件及其制作方法
US20200176712A1 (en) * 2017-06-27 2020-06-04 Sakai Display Products Corporation Flexible display, production method therefor, and flexible display support substrate
KR102016793B1 (ko) * 2017-08-24 2019-08-30 울산과학기술원 유연 투명 봉지재, 이를 포함하는 반도체 소자 및 이의 제조방법
WO2019083247A1 (ko) 2017-10-24 2019-05-02 주식회사 엘지화학 회절 도광판 및 회절 도광판의 제조 방법
CN108336241A (zh) * 2018-01-19 2018-07-27 云谷（固安）科技有限公司 Oled封装膜层及其制备方法、oled屏及照明装置
KR102250386B1 (ko) * 2018-02-09 2021-05-10 주식회사 엘지화학 화합물 및 이를 포함한 유기 발광 소자
US10826017B2 (en) * 2018-03-30 2020-11-03 Shenzhen China Star Optoelectronics Semiconductor Display Technology Co., Ltd. Packaging assembly and preparation method thereof, and display device
KR102648614B1 (ko) * 2018-10-04 2024-03-19 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치
US11635622B1 (en) * 2018-12-07 2023-04-25 Meta Platforms Technologies, Llc Nanovided spacer materials and corresponding systems and methods
KR20210079898A (ko) * 2019-12-20 2021-06-30 엘지디스플레이 주식회사 표시장치
KR20220048498A (ko) * 2020-10-12 2022-04-20 삼성디스플레이 주식회사 발광 소자 및 유기 전계 발광 소자용 아민 화합물
US12471492B2 (en) * 2020-10-16 2025-11-11 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Organic compound, light-emitting device, light-emitting apparatus, electronic device, display device, and lighting device

Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2004296438A (ja) * 2003-03-12 2004-10-21 Mitsubishi Chemicals Corp エレクトロルミネッセンス素子

Family Cites Families (30)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20020011392A (ko) * 1999-04-28 2002-02-08 메리 이. 보울러 산소 및 수분 열화에 대한 내성이 개선된 가요성 유기전자 장치
JP2004513483A (ja) * 2000-11-02 2004-04-30 スリーエム　イノベイティブ　プロパティズ　カンパニー 明るさおよびコントラスト増強直視型発光型ディスプレイ
TWI233501B (en) * 2000-12-06 2005-06-01 Nitto Denko Corp Resin sheets, processes for producing the same, and liquid crystal displays
JP4906024B2 (ja) * 2000-12-06 2012-03-28 日東電工株式会社 樹脂シートとその製造方法および液晶表示装置
JP2002234103A (ja) * 2001-02-08 2002-08-20 Sony Corp 透明基板、透明基板の作製方法、及び基板作製装置
CN1554212A (zh) * 2001-09-13 2004-12-08 �ղ���ѧ��ҵ��ʽ���� 有机电致发光元件用透明基板及有机电致发光元件
JP2003089165A (ja) * 2001-09-19 2003-03-25 Dainippon Printing Co Ltd 超高ガスバリア性を有する複合フィルムおよびこれを用いたディスプレイ
JP2003257615A (ja) * 2001-12-28 2003-09-12 Tdk Corp 有機ｅｌ素子
JP2003231198A (ja) * 2002-02-12 2003-08-19 Nitto Denko Corp 透明ガスバリア性フィルム、及びそれを用いた透明導電性電極基材、表示素子、太陽電池又は面状発光体
JP2003257627A (ja) * 2002-03-05 2003-09-12 Hitachi Ltd 有機ｅｌ表示装置と封止フィルム及びそれらの製造方法
JP4226835B2 (ja) * 2002-03-29 2009-02-18 三星エスディアイ株式会社 発光素子、その製造方法およびこれを用いた表示装置
JP4273798B2 (ja) * 2002-04-01 2009-06-03 コニカミノルタホールディングス株式会社 基板及びその基板を有する有機エレクトロルミネッセンス素子
JP2003303682A (ja) * 2002-04-09 2003-10-24 Pioneer Electronic Corp エレクトロルミネッセンス表示装置
JP2003344603A (ja) * 2002-05-23 2003-12-03 Sony Corp 反射防止膜
JP2004031221A (ja) * 2002-06-27 2004-01-29 Fuji Photo Film Co Ltd 有機エレクトロルミネッセンス素子
JP2004082598A (ja) * 2002-08-28 2004-03-18 Dainippon Printing Co Ltd ガスバリア性積層材及びその製造方法
JP4103531B2 (ja) * 2002-10-09 2008-06-18 松下電工株式会社 有機電界発光素子
JP4378972B2 (ja) * 2003-02-25 2009-12-09 パナソニック電工株式会社 反射防止膜、反射防止膜の製造方法、反射防止部材
WO2004089042A1 (ja) * 2003-03-12 2004-10-14 Mitsubishi Chemical Corporation エレクトロルミネッセンス素子
JP4186688B2 (ja) * 2003-04-17 2008-11-26 三菱化学株式会社 エレクトロルミネッセンス素子
JP4140541B2 (ja) * 2003-03-12 2008-08-27 三菱化学株式会社 エレクトロルミネッセンス素子
JP4822243B2 (ja) * 2003-03-25 2011-11-24 国立大学法人京都大学 発光素子及び有機エレクトロルミネセンス発光素子
JP2004303562A (ja) * 2003-03-31 2004-10-28 Dainippon Printing Co Ltd 有機エレクトロルミネッセント素子用基板
JP4383077B2 (ja) * 2003-03-31 2009-12-16 大日本印刷株式会社 ガスバリア性基板
JP2004342521A (ja) * 2003-05-16 2004-12-02 Toyota Industries Corp 自発光デバイス
JP2004345278A (ja) * 2003-05-23 2004-12-09 Sony Corp 透明導電性基材、抵抗膜方式タッチパネルおよび表示素子
JP2005038661A (ja) * 2003-07-17 2005-02-10 Konica Minolta Holdings Inc 有機エレクトロルミネッセンス素子、表示装置、照明装置及び光源
JP2005050708A (ja) * 2003-07-29 2005-02-24 Samsung Sdi Co Ltd 光学素子用基板及び有機エレクトロルミネッセンス素子並びに有機エレクトロルミネッセンス表示装置
WO2005112514A1 (ja) * 2004-05-17 2005-11-24 Zeon Corporation エレクトロルミネッセンス素子、照明装置、および表示装置
JP4451213B2 (ja) * 2004-05-21 2010-04-14 大日本印刷株式会社 ディスプレイ用基板

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2004296438A (ja) * 2003-03-12 2004-10-21 Mitsubishi Chemicals Corp エレクトロルミネッセンス素子

Cited By (34)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20090168168A1 (en) * 2006-03-28 2009-07-02 Dai Nippon Printing Co., Ltd. Optical laminated body
US9291745B2 (en) * 2006-03-28 2016-03-22 Dai Nippon Printing Co., Ltd. Optical laminated body
JP2008083335A (ja) * 2006-09-27 2008-04-10 Toppan Printing Co Ltd 光学用転写シートおよびその製造方法、それに用いるスタンパの製造方法
JP2008155344A (ja) * 2006-12-26 2008-07-10 Hitachi Chem Co Ltd 液状光重合性組成物、それを用いたナノ構造物およびその製造方法
WO2008096748A1 (ja) * 2007-02-07 2008-08-14 Kaneka Corporation 平面発光装置
EP2141962A4 (en) * 2007-03-30 2012-06-27 Panasonic Corp SURFACE LIGHT EMISSION BODY
US8283845B2 (en) 2007-03-30 2012-10-09 Panasonic Corporation Plane emission device
JP2009070816A (ja) * 2007-08-21 2009-04-02 Fujifilm Corp 有機エレクトロルミネッセンス表示装置
JP2011517011A (ja) * 2008-02-15 2011-05-26 ネーデルランツ オルガニサティー フォール トゥーゲパストナトゥールヴェテンシャッペリーク オンデルズーク テーエンオー 封入型電子装置および製造方法
JP2010055894A (ja) * 2008-08-27 2010-03-11 Panasonic Electric Works Co Ltd 発光素子用封止フィルム
JP2012507831A (ja) * 2008-10-31 2012-03-29 スリーエム イノベイティブ プロパティズ カンパニー 高屈折率の充填材層及びパッシベーション層を備える光抽出フィルム
KR20110079911A (ko) * 2008-10-31 2011-07-11 쓰리엠 이노베이티브 프로퍼티즈 컴파니 고굴절률 백필 층 및 패시베이션 층을 갖는 광 추출 필름
KR101678704B1 (ko) * 2008-10-31 2016-11-23 쓰리엠 이노베이티브 프로퍼티즈 컴파니 고굴절률 백필 층 및 패시베이션 층을 갖는 광 추출 필름
JP2010182449A (ja) * 2009-02-03 2010-08-19 Fujifilm Corp 有機ｅｌ表示装置
US8890402B2 (en) 2009-02-03 2014-11-18 Udc Ireland Limited Organic electroluminescence display device
JP2011159480A (ja) * 2010-01-29 2011-08-18 Nippon Zeon Co Ltd 面光源装置用積層体及び面光源装置
JP2012028307A (ja) * 2010-06-23 2012-02-09 Oji Paper Co Ltd 有機ｅｌ素子の製造方法及び有機ｅｌ素子。
JP2017084821A (ja) * 2010-10-20 2017-05-18 スリーエム イノベイティブ プロパティズ カンパニー 滲みを低減した、画素化されたｏｌｅｄ出力を増加させるための光抽出フィルム
WO2012063700A1 (ja) * 2010-11-11 2012-05-18 シャープ株式会社 光拡散板、有機エレクトロルミネッセンス表示装置、及び電子機器
JP2012174410A (ja) * 2011-02-18 2012-09-10 Mitsubishi Rayon Co Ltd 有機エレクトロルミネッセンス素子
JP2013083965A (ja) * 2011-09-27 2013-05-09 Canon Inc 光学素子および光学素子の製造方法
US9835765B2 (en) 2011-09-27 2017-12-05 Canon Kabushiki Kaisha Optical element and method for manufacturing the same
JP2013173249A (ja) * 2012-02-24 2013-09-05 Sekisui Chem Co Ltd バリアフィルム及びデバイス素子封止構造
JP2015514294A (ja) * 2012-03-23 2015-05-18 エルジー・ケム・リミテッド 有機発光素子
US9373818B2 (en) 2012-05-30 2016-06-21 Udc Ireland Limited Organic electroluminescent element
WO2013187067A1 (ja) * 2012-06-15 2013-12-19 コニカミノルタ株式会社 Ｌｅｄ装置、及びその製造方法
KR20170008738A (ko) 2014-05-14 2017-01-24 제이엑스 에네루기 가부시키가이샤 요철 구조를 가지는 필름 부재
WO2015174391A1 (ja) * 2014-05-14 2015-11-19 Ｊｘ日鉱日石エネルギー株式会社 凹凸構造を有するフィルム部材
JP2015219972A (ja) * 2014-05-14 2015-12-07 Ｊｘ日鉱日石エネルギー株式会社 凹凸構造を有するフィルム部材
US10522790B2 (en) 2014-05-14 2019-12-31 Jxtg Nippon Oil & Energy Corporation Film member having uneven structure
KR20170018011A (ko) * 2014-06-13 2017-02-15 쓰리엠 이노베이티브 프로퍼티즈 컴파니 스파클 감소를 위한 광학 적층물
JP2017522589A (ja) * 2014-06-13 2017-08-10 スリーエム イノベイティブ プロパティズ カンパニー スパークルを低減するための光学積層体
KR102387234B1 (ko) 2014-06-13 2022-04-18 쓰리엠 이노베이티브 프로퍼티즈 컴파니 스파클 감소를 위한 광학 적층물
JP2018021991A (ja) * 2016-08-02 2018-02-08 キヤノン株式会社 光学素子、光学装置、およびランダム凹凸形状の形成方法

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